JP2008019460A - Manufacturing method and device of piezoelectric element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、圧電素子の製造方法及び製造装置に関する。 The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a piezoelectric element.
例えば液滴吐出ヘッドを駆動する際に圧電素子が用いられる場合がある。下記特許文献には、圧電素子の製造方法に関する技術の一例が開示されている。
圧電素子を製造する場合、所望の特性を有する圧電素子を短時間で製造できることが望ましい。圧電素子の特性を調整するために、圧電素子の組成等を調整することが考えられる。従来のスパッタリング法を用いて圧電素子を製造する場合、組成の調整が困難となる可能性がある。また、ゾルゲル法、CVD法等を用いる場合においても、組成の調整が困難となる可能性がある。また、従来の方法では、製造時間が長くなる可能性もある。 When manufacturing a piezoelectric element, it is desirable that a piezoelectric element having desired characteristics can be manufactured in a short time. In order to adjust the characteristics of the piezoelectric element, it is conceivable to adjust the composition of the piezoelectric element. When a piezoelectric element is manufactured using a conventional sputtering method, it may be difficult to adjust the composition. Further, even when using a sol-gel method, a CVD method, or the like, it may be difficult to adjust the composition. In addition, the conventional method may increase the manufacturing time.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、所望の特性を有する圧電素子を短時間で製造できる圧電素子の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a method and an apparatus for manufacturing a piezoelectric element that can manufacture a piezoelectric element having desired characteristics in a short time.
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。 In order to solve the above problems, the present invention adopts the following configuration.
本発明は、放電用ガスが供給されるチャンバ内に、互いに異なる物質を含む複数のターゲットを配置するとともに、前記ターゲットに対して所定の位置関係で基板を配置し、前記複数のターゲットのそれぞれをスパッタリングして、前記複数のターゲットのそれぞれから発生した物質で、前記基板上に圧電素子を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法を提供する。 In the present invention, a plurality of targets containing different substances are arranged in a chamber to which a discharge gas is supplied, a substrate is arranged in a predetermined positional relationship with respect to the targets, and each of the plurality of targets is arranged. There is provided a method for manufacturing a piezoelectric element, characterized in that a piezoelectric element is formed on the substrate by a material generated from each of the plurality of targets by sputtering.
本発明によれば、チャンバ内に複数のターゲットを配置し、それら複数のターゲットをスパッタリングすることによって、所望の特性を有する圧電素子を短時間で製造することができる。 According to the present invention, it is possible to manufacture a piezoelectric element having desired characteristics in a short time by arranging a plurality of targets in a chamber and sputtering the plurality of targets.
本発明の圧電素子の製造方法において、前記複数のターゲットのそれぞれのスパッタリングを同時に行う構成を採用することができる。 In the method for manufacturing a piezoelectric element according to the present invention, a configuration in which sputtering of each of the plurality of targets is performed simultaneously can be employed.
こうすることにより、所望の特性を有する圧電素子を短時間で製造することができる。 By doing so, a piezoelectric element having desired characteristics can be manufactured in a short time.
本発明の圧電素子の製造方法において、前記複数のターゲットのそれぞれのスパッタリングを非同時に行う構成を採用することができる。 In the method for manufacturing a piezoelectric element of the present invention, a configuration in which sputtering of each of the plurality of targets is performed simultaneously can be employed.
こうすることにより、所望の特性を有する圧電素子を短時間で製造することができる。 By doing so, a piezoelectric element having desired characteristics can be manufactured in a short time.
本発明の圧電素子の製造方法において、前記複数のターゲットのそれぞれに供給する電力を調整して、前記基板上に形成される圧電素子の組成を調整する構成を採用することができる。 In the method for manufacturing a piezoelectric element of the present invention, it is possible to adopt a configuration in which the power supplied to each of the plurality of targets is adjusted to adjust the composition of the piezoelectric element formed on the substrate.
こうすることにより、組成の調整を精確に行うことができる。 By doing so, the composition can be accurately adjusted.
本発明の圧電素子の製造方法において、前記スパッタリングを所定時間継続し、前記時間の経過に応じて前記複数のターゲットのそれぞれに供給する電力を変化させる構成を採用することができる。 In the method for manufacturing a piezoelectric element of the present invention, it is possible to employ a configuration in which the sputtering is continued for a predetermined time, and the power supplied to each of the plurality of targets is changed as the time elapses.
こうすることにより、時間の経過に応じて、例えば成膜レート(単位時間当たりに形成される膜の厚さ)が変化する場合であっても、圧電素子の組成を所望状態にすることができる。 By doing so, the composition of the piezoelectric element can be in a desired state even when, for example, the film formation rate (the thickness of the film formed per unit time) changes with the passage of time. .
本発明の圧電素子の製造方法において、前記スパッタリングするために前記ターゲットに電力を所定量供給し、前記供給した電力の積算値に応じて前記複数のターゲットのそれぞれに供給する電力を変化させる構成を採用することができる。 In the piezoelectric element manufacturing method of the present invention, a configuration is provided in which a predetermined amount of power is supplied to the target for the sputtering, and the power supplied to each of the plurality of targets is changed according to an integrated value of the supplied power. Can be adopted.
こうすることにより、供給した電力の積算値に応じて、例えば成膜レート(単位時間当たりに形成される膜の厚さ)が変化する場合であっても、圧電素子の組成を所望状態にすることができる。 By doing so, the composition of the piezoelectric element is brought into a desired state even when, for example, the film formation rate (the thickness of the film formed per unit time) changes according to the integrated value of the supplied power. be able to.
本発明の圧電素子の製造方法において、前記基板を加熱しつつ、前記複数のターゲットのそれぞれをスパッタリングする構成を採用することができる。 In the method for manufacturing a piezoelectric element of the present invention, it is possible to employ a configuration in which each of the plurality of targets is sputtered while the substrate is heated.
こうすることにより、所望の特性を有する圧電素子を製造することができる。 By doing so, a piezoelectric element having desired characteristics can be manufactured.
本発明の圧電素子の製造方法において、前記チャンバ内において前記複数のターゲットのそれぞれが配置される空間を仕切部材で仕切る構成を採用することができる。 In the method for manufacturing a piezoelectric element of the present invention, a configuration in which a space in which each of the plurality of targets is arranged in the chamber may be partitioned by a partition member.
こうすることにより、複数のターゲットのそれぞれに対して行うスパッタリング動作が互いに影響し合うことを抑制することができる。 By doing so, it is possible to suppress the sputtering operations performed on each of the plurality of targets from affecting each other.
本発明の圧電素子の製造方法において、前記複数のターゲットと前記基板とを相対的に移動しつつ、前記複数のターゲットのそれぞれをスパッタリングする構成を採用することができる。 In the piezoelectric element manufacturing method of the present invention, it is possible to employ a configuration in which each of the plurality of targets is sputtered while relatively moving the plurality of targets and the substrate.
こうすることにより、基板上に形成される圧電素子の組成及び膜厚の少なくとも一方を所望状態にすることができる。 By so doing, at least one of the composition and film thickness of the piezoelectric element formed on the substrate can be brought into a desired state.
また本発明は、放電用ガスが供給されるチャンバと、前記チャンバ内に配置され、互いに異なる物質を含む複数のターゲットのそれぞれを支持する複数のターゲット支持部材と、前記チャンバ内に配置され、前記ターゲットに対して所定の位置関係で基板を支持する基板支持部材と、前記複数のターゲットのそれぞれに電力を供給可能であり、前記ターゲットに電力を供給して前記チャンバ内に該ターゲットをスパッタリングするためのイオンを生成可能な電力供給装置と、前記電力供給装置による前記複数のターゲットのそれぞれに対する電力供給動作を制御して、前記複数のターゲットのそれぞれから発生する物質で前記基板上に形成される圧電素子の組成を調整可能な制御装置と、を備えたことを特徴とする圧電素子の製造装置を提供する。 Further, the present invention provides a chamber to which a discharge gas is supplied, a plurality of target support members disposed in the chamber and supporting each of a plurality of targets including different substances, and disposed in the chamber, A substrate support member that supports a substrate in a predetermined positional relationship with respect to a target, and power can be supplied to each of the plurality of targets, and power is supplied to the target to sputter the target into the chamber. And a piezoelectric device formed on the substrate with a material generated from each of the plurality of targets by controlling a power supply operation to each of the plurality of targets by the power supply device. A device for manufacturing a piezoelectric element, comprising: a control device capable of adjusting the composition of the element. That.
本発明によれば、チャンバ内に複数のターゲットを配置し、それら複数のターゲットのそれぞれをスパッタリングすることによって、所望の特性を有する圧電素子を短時間で製造することができる。 According to the present invention, it is possible to manufacture a piezoelectric element having desired characteristics in a short time by arranging a plurality of targets in a chamber and sputtering each of the plurality of targets.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The predetermined direction in the horizontal plane is the X-axis direction, the direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is the Y-axis direction, and the direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, the vertical direction) is the Z-axis direction. To do. Further, the rotation directions around the X axis, the Y axis, and the Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る圧電素子の製造装置1を示す概略構成図であり、図1(A)は側断面図、図1(B)は図1(A)のA−A線断面矢視図に相当する図である。図1において、製造装置1は、放電用ガスが供給されるチャンバ2と、チャンバ2内に配置され、互いに異なる物質を含む複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれを支持する複数のターゲット支持部材4A〜4Cと、チャンバ2内に配置され、ターゲット3A〜3Cに対して所定の位置関係で基板5を支持する基板支持部材6と、各ターゲット支持部材4A〜4Cのそれぞれを介して複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれに電力を供給可能であり、ターゲット3A〜3Cに電力を供給してチャンバ2内にターゲット3A〜3Cをスパッタリングするためのイオンを生成可能な電力供給装置12と、製造装置1全体の動作を制御する制御装置7と、制御装置7に接続された記憶装置9とを備えている。制御装置7は、電力供給装置12による複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれに対する電力供給動作を制御して、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれから発生する物質で基板5上に形成される圧電素子10の組成を調整可能である。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a piezoelectric
本実施形態の製造装置1は、ほぼ真空に設定されたチャンバ2内に放電用ガスを導入しながら、ターゲット3A〜3Cと基板5との間に形成する電界によってグロー放電を生成し、そのグロー放電を利用して放電用ガスをイオン化し、生成された放電用ガスのイオン粒子をターゲット3A〜3Cに衝突させ、その衝突によりターゲット3A〜3Cからはじき飛ばされた物質を基板5上に成膜する、スパッタリング装置を含む。
The
本実施形態においては、圧電素子10の組成は、圧電素子10を構成する物質(成分)、圧電素子10を構成する複数の物質の量の割合、及び圧電素子10を構成する複数の物質の量の比(組成比)の少なくとも1つを含む。制御装置7は、電力供給装置12による電力供給動作を制御して、圧電素子10を構成する物質(成分)、圧電素子10を構成する複数の物質の量の割合、及び圧電素子10を構成する複数の物質の量の比(組成比)の少なくとも1つを調整可能である。
In the present embodiment, the composition of the
また、制御装置7は、圧電素子10の組成として、圧電素子10全体の平均的な組成比、圧電素子10の膜厚方向における組成比の分布、及び圧電素子10の表面と平行な二次元方向における組成比の分布の少なくとも1つを調整可能である。
Further, the
図1に示すように、製造装置1は、チャンバ2内にガスを供給可能な給気口2Aと、チャンバ2内のガスを排出可能な排気口2Bとを有している。チャンバ2内には、供給口2Aを介して、放電用ガスとして不活性ガスが供給される。本実施形態においては、放電用ガス(不活性ガス)として、チャンバ2内にアルゴン(Ar)が供給される。また、本実施形態においては、チャンバ2内には、反応性ガスとして酸素(O2)も供給される。すなわち、本実施形態においては、チャンバ2内には、給気口2Aを介して、アルゴン及び酸素のそれぞれが供給される。
As shown in FIG. 1, the
複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれを支持するターゲット支持部材4A〜4C、及び基板5を支持する基板支持部材6は、チャンバ2内に配置されている。ターゲット支持部材4A〜4Cのそれぞれに支持されたターゲット3A〜3Cと、基板支持部材6に支持された基板5とは、チャンバ2内において対向するように配置される。本実施形態においては、ターゲット支持部材4A〜4Cは、チャンバ2内の天井面近傍に配置され、基板支持部材6は、チャンバ2内の底面近傍に配置される。
Target support members 4 </ b> A to 4 </ b> C that support each of the plurality of targets 3 </ b> A to 3 </ b> C and a
複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれは、互いに異なる物質を含む。本実施形態においては、チャンバ2内には、3種類のターゲット3A〜3Cが配置される。そして、第1のターゲット3A、第2のターゲット3B、及び第3のターゲット3Cのそれぞれは、第1の物質、第2の物質、及び第3の物質をそれぞれ含む。本実施形態においては、第1のターゲット3Aは、チタン(Ti)を含み、第2のターゲット3Bは、鉛(Pb)を含み、第3のターゲット3Cは、ジルコニウム(Zr)を含む。
Each of the plurality of
複数のターゲット支持部材4A〜4Cのそれぞれは、電極を含む。各ターゲット支持部材4A〜4Cは、例えば陰極(カソード)を含む。各ターゲット3A〜3Cを支持する各ターゲット支持部材4A〜4Cの支持面のそれぞれは基板5側を向いている。第1のターゲット3Aは、その表面が基板5側を向くように、第1のターゲット支持部材4Aに支持される。同様に、第2のターゲット3Bは、その表面が基板5側を向くように、第2のターゲット支持部材4Bに支持され、第3のターゲット3Cは、その表面が基板5側を向くように、第3のターゲット支持部材4Cに支持される。
Each of the plurality of
基板5を支持する基板支持部材6の支持面は、上方(+Z側)を向いている。基板支持部材6は、静電チャック機構を含み、静電チャック方式で基板5を支持可能である。なお、基板支持部材6が、基板5をクランプするクランプ機構を備えていてもよい。基板5は、例えば半導体ウエハ、ガラス基板等を含み、その表面がターゲット3A〜3C側を向くように、基板支持部材6に支持される。
The support surface of the
また、製造装置1は、各ターゲット3A〜3Cと基板6との相対的な位置関係を調整可能な位置調整装置11を備えている。本実施形態においては、位置調整装置11は、基板5を支持する基板支持部材6を駆動する駆動装置6Dを含む。駆動装置6Dは、基板支持部材6に接続されており、基板支持部材6は、駆動装置6Dの駆動により、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。なお、位置調整装置11として、各ターゲット3A〜3Cを支持するターゲット支持部材4A〜4Cのそれぞれを駆動する駆動装置が設けられていてもよい。
The
また、製造装置1は、基板5の温度を調整可能な温度調整装置6Hを備えている。本実施形態においては、温度調整装置6Hは、基板支持部材6Hの内部に配置されており、基板支持部材6の支持面で支持した基板5の温度を調整可能である。温度調整装置6Hは、加熱装置を含み、基板5を加熱可能である。温度調整装置6Hは、基板5の表面方向(XY方向)における温度分布をほぼ均一にすることができる。
In addition, the
本実施形態においては、基板5は、各ターゲット3A〜3Cに対して所定の位置関係で配置される。本実施形態においては、基板支持部材6は、基板5の表面とXY平面とがほぼ平行となるように基板5を支持し、各ターゲット支持部材4A〜4Cは、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれの表面が基板5の表面(XY平面)に対して所定角度傾斜するように、各ターゲット3A〜3Cを支持する。本実施形態においては、複数のターゲット3A〜3Cは、基板5の表面の中心から延びるZ軸と平行な法線AXを囲むように配置され、法線AXから離れるにつれて基板5側に傾斜するように配置される。本実施形態においては、各ターゲット支持部材4A〜4Cは、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれの表面が基板5の表面(XY平面)に対して約60度傾斜するように、各ターゲット3A〜3Cを支持する。また、基板5と各ターゲット3A〜3Cのそれぞれとは所定距離離れている。
In this embodiment, the board |
各ターゲット支持部材4A〜4C及びそれら各ターゲット支持部材4A〜4Cに支持される各ターゲット3A〜3Cは、チャンバ2内において、互いに離れるように配置される。また、本実施形態においては、チャンバ2内には、そのチャンバ2内において、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれが配置される空間が、仕切部材8A〜8Cによって仕切られている。
The
電力供給装置12は、電極を含む各ターゲット支持部材4A〜4Cを介して、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれに電力を供給する。電力供給装置12は、第1のターゲット支持部材4Aを介して第1のターゲット3Aに電力を供給可能な第1電源12Aと、第2のターゲット支持部材4Bを介して第2のターゲット3Bに電力を供給可能な第2電源12Bと、第3のターゲット支持部材4Cを介して第3のターゲット3Cに電力を供給可能な第3電源12Cとを有している。
The
なお、電力供給装置12は、直流電源であってもよい。また、基板支持部材6は、RF(高周波)バイアスされていてもよい。また、ターゲット側(例えばターゲット支持部材の内部)に磁界を発生させる磁界発生装置を配置するようにしてもよい。すなわち、製造装置1は、ターゲット側に磁界を発生させつつスパッタリングする、いわゆるマグネトロンスパッタリング方式で、各ターゲットをスパッタリングするようにしてもよい。
Note that the
第1〜第3電源12A〜12Cを含む電力供給装置12の動作は制御装置7に制御される。制御装置7は、電力供給装置12の各電源12A〜12Cから各ターゲット3A〜3Cに対して供給する電力を個別に制御可能である。
The operation of the
次に、上述の構成を有する製造装置1を用いて圧電素子10を製造する方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれが各ターゲット支持部材4A〜4Cのそれぞれに支持されるとともに、基板5が基板支持部材6に支持される。これにより、チャンバ2内に、複数のターゲット3A〜3Cが配置されるとともに、ターゲット3A〜3Cに対して所定の位置関係で基板5が配置される。上述のように、本実施形態においては、第1のターゲット3Aは、チタン(Ti)を含み、第2のターゲット3Bは、鉛(Pb)を含み、第3のターゲット3Cは、ジルコニウム(Zr)を含む。
Each of the plurality of
また、制御装置7は、温度調整装置6Hを用いて、基板支持部材6に支持された基板5を所定の温度に調整する。本実施形態においては、制御装置7は、温度調整装置6Hを用いて、基板5を加熱する。本実施形態においては、制御装置7は、基板5の温度を検出可能な不図示の温度センサの検出結果をモニタしつつ、温度調整装置6Hを用いて、基板5を加熱する。本実施形態においては、制御装置7は、基板5を、20℃〜600℃、好ましくは約500℃に加熱する。また、温度調整装置6Hは、基板5の表面方向(XY方向)における温度が均一になるように、基板5の温度を調整する。
Moreover, the
また、制御装置7は、チャンバ2内をほぼ真空にした状態で、放電用ガスとして、給気口2Aを介してチャンバ2内にアルゴンを供給するとともに、反応性ガスとして、酸素を供給する。そして、制御装置7は、電力供給装置12の電力供給動作を制御して、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれに所定の電力を供給する。
In addition, the
第1のターゲット3Aと基板5との間には、第1電源12Aによって供給された電力に応じた電界が発生し、アルゴンがイオン化され、生成されたイオン粒子によって、第1のターゲット3Aがスパッタリングされる。スパッタリングによって第1のターゲット3Aから発生した第1の物質(Ti)は、基板5に供給される。
An electric field corresponding to the power supplied by the
また、第2のターゲット3Bと基板5との間には、第2電源12Bによって供給された電力に応じた電界が発生し、アルゴンがイオン化され、生成されたイオン粒子によって、第2のターゲット3Bがスパッタリングされる。スパッタリングによって第2のターゲット3Bから発生した第2の物質(Pb)は、基板5に供給される。
In addition, an electric field corresponding to the power supplied from the
同様に、第3のターゲット3Cと基板5との間には、第3電源12Cによって供給された電力に応じた電界が発生し、アルゴンがイオン化され、生成されたイオン粒子によって、第3のターゲット3Cがスパッタリングされる。スパッタリングによって第3のターゲット3Cから発生した第3の物質(Zr)は、基板5に供給される。
Similarly, an electric field corresponding to the power supplied from the third power source 12C is generated between the
本実施形態においては、制御装置7は、第1〜第3電源12A〜12Cから各ターゲット3A〜3Cに対して同時に電力を供給し、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれのスパッタリングを同時に行う。これにより、図2の模式図に示すように、第1〜第3のターゲット3A〜3Cのそれぞれから、第1〜第3の物質が同時に発生するとともに、それら第1〜第3の物質が、基板5上に同時に供給される。基板5上には、第1〜第3のターゲット3A〜3Cのそれぞれから発生した第1〜第3の物質によって、圧電素子10が形成される。また、本実施形態においては、チャンバ2内に反応性ガスとして酸素が供給されており、基板5上には、圧電素子10として、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT:Pb(Zr、Ti)O3)が形成される。
In this embodiment, the
スパッタリングによって第1のターゲット3Aから発生する第1の物質の単位時間当たりの量は、第1電源12Aから第1のターゲット3Aに供給される電力に応じて変化する。すなわち、第1のターゲット3Aから基板5に供給される第1の物質の単位時間当たりの量、換言すれば、第1のターゲット3Aから発生する第1の物質によって基板5上に膜を形成するときの成膜レート(単位時間当たりに形成される膜の厚さ)は、第1電源12Aから第1のターゲット3Aに供給される電力に応じて変化する。例えば、第1のターゲット3Aから発生する第1の物質の単位時間当たりの量(第1の物質による成膜レート)と、第1のターゲット3Aに供給される電力量とはほぼ比例する。
The amount of the first substance generated from the
同様に、スパッタリングによって第2のターゲット3Bから発生する第2の物質の単位時間当たりの量(第2の物質による成膜レート)は、第2電源12Bから第2のターゲット3Bに供給される電力に応じて変化する。同様に、スパッタリングによって第3のターゲット3Cから発生する第3の物質の単位時間当たりの量(第3の物質による成膜レート)は、第3電源12Cから第3のターゲット3Cに供給される電力に応じて変化する。
Similarly, the amount of the second substance generated from the
したがって、制御装置7は、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれに供給する電力を調整することによって、第1〜第3のターゲット3A〜3Cのそれぞれから基板5上に供給される第1〜第3の物質のそれぞれの量、ひいては基板5上に形成される圧電素子10の組成を調整することができる。
Therefore, the
上述ように、本実施形態においては、圧電素子10の組成とは、圧電素子10を構成する物質(成分)、圧電素子10を構成する複数の物質の量の割合、及び圧電素子10を構成する複数の物質の量の比(組成比)の少なくとも1つを意味する。
As described above, in the present embodiment, the composition of the
例えば、基板5上に形成される圧電素子10のうち、第1の物質(Ti)の割合を多くしたい場合には、制御装置7は、第1電源12Aから第1のターゲット3Aに供給する電力を高める。同様に、基板5上に形成される圧電素子10のうち、第2の物質(Pb)の割合を多くしたい場合には、制御装置7は、第2電源12Bから第2のターゲット3Bに供給する電力を高める。同様に、基板5上に形成される圧電素子10のうち、第3の物質(Zr)の割合を多くしたい場合には、制御装置7は、第3電源12Cから第3のターゲット3Cに供給する電力を高める。
For example, when it is desired to increase the proportion of the first material (Ti) in the
記憶装置9には、第1のターゲット3Aに供給する電力と、その電力が供給されたときに第1のターゲット3Aから基板5に供給される第1の物質の単位時間当たりの量との関係が予め記憶されている。また、記憶装置9には、第2のターゲット3Bに供給する電力と、その電力が供給されたときに第2のターゲット3Bから基板5に供給される第2の物質の単位時間当たりの量との関係が予め記憶されている。同様に、記憶装置9には、第3のターゲット3Cに供給する電力と、その電力が供給されたときに第3のターゲット3Cから基板5に供給される第3の物質の単位時間当たりの量との関係が予め記憶されている。これら関係は、例えば実験及びシミュレーションの少なくとも一方によって予め求めることができ、記憶装置9に記憶可能である。
The storage device 9 has a relationship between the power supplied to the
制御装置7は、記憶装置9の記憶情報を参照して、圧電素子10が所望の組成となるように、電力供給装置12を制御して、第1〜第3電源12A〜12Cから各ターゲット3A〜3Cに供給する電力を供給する。すなわち、制御装置7は、記憶装置9の記憶情報と、圧電素子10の目標組成とに基づいて、電力供給装置12を制御する。これにより、制御装置7は、所望の組成を有する圧電素子10を製造することができる。
The
圧電素子10の特性は、圧電素子10の組成に応じて変化する。例えば、圧電素子10の比誘電率、圧電素子10に所定の電圧を印加したときの変位量等は、圧電素子10の組成に応じて変化する。圧電素子10の特性(比誘電率、変位量等)と圧電素子10の組成との関係は既知であり、記憶装置9に記憶されている。制御装置7は、圧電素子10が所望の特性を有するように圧電素子10の組成を決定し、その決定した組成に基づいて電力供給装置12を制御する。
The characteristics of the
以上説明したように、放電用ガスが供給されるチャンバ2内に、互いに異なる物質を含む複数のターゲット3A〜3Cを配置するとともに、各ターゲット3A〜3Cに対して所定の位置関係で基板5を配置し、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれをスパッタリングして、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれから発生した物質で、基板5上に圧電素子10を形成するようにしたので、所望の特性を有する圧電素子10を短時間で製造することができる。
As described above, the plurality of
すなわち、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれを同時にスパッタリングすることによって、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれから発生した物質を用いて基板5上に膜を形成することができ、成膜レートを向上することができる。そして、本実施形態においては、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれに供給する電力を調整することによって、基板5上に形成される圧電素子10の組成を精確に調整することができ、所望の特性を有する圧電素子10を製造することができる。
That is, by simultaneously sputtering each of the plurality of
例えば、チャンバ2内に、1つのターゲットと1つの基板とを配置した状態で圧電素子を形成する場合、ターゲットを交換する必要が生じたり、組成の調整を行うことが困難となる可能性がある。例えば、圧電素子10の膜厚方向における組成比の分布を調整することが困難となる可能性がある。
For example, when a piezoelectric element is formed in a state where one target and one substrate are disposed in the chamber 2, it may be necessary to replace the target or it may be difficult to adjust the composition. . For example, it may be difficult to adjust the distribution of the composition ratio in the film thickness direction of the
また、圧電素子を形成するための物質を含む溶液をスピンコート法等で基板上に塗布することによって圧電素子を形成する、いわゆるゾルゲル法を用いる場合、膜厚の高精度な制御が困難となる可能性がある。また、溶液の溶媒成分が揮発して、溶液中の物質の濃度が変化したり、溶液の粘度が変化した場合、所望の組成を有する圧電素子を所望の膜厚で形成することが困難となる可能性が高くなる。また、所望の膜厚を得るために、塗布動作を複数回繰り返す必要が生じる可能性があり、製造工程が多くなったり、製造コストが高まる可能性がある。また、溶液中の物質の特性が経時的に変化(劣化)し、所望の特性を有する圧電素子を製造できなくなる可能性もある。また、スピンコート法等の塗布法を用いて圧電素子の膜を形成する場合、材料に無駄が生じる可能性もある。また、ゾルゲルの結晶性は、下地に大きく依存し、下地の作り込みに制約を受ける可能性がある。 In addition, when using a so-called sol-gel method in which a piezoelectric element is formed by applying a solution containing a substance for forming a piezoelectric element onto a substrate by a spin coating method or the like, it is difficult to control the film thickness with high accuracy. there is a possibility. In addition, when the solvent component of the solution volatilizes and the concentration of the substance in the solution changes or the viscosity of the solution changes, it becomes difficult to form a piezoelectric element having a desired composition with a desired film thickness. The possibility increases. Moreover, in order to obtain a desired film thickness, it may be necessary to repeat the coating operation a plurality of times, which may increase the number of manufacturing steps and increase the manufacturing cost. In addition, the characteristics of the substance in the solution may change (deteriorate) with time, and it may become impossible to manufacture a piezoelectric element having desired characteristics. Moreover, when forming the film | membrane of a piezoelectric element using the apply | coating methods, such as a spin coat method, a waste may arise in material. In addition, the crystallinity of the sol-gel largely depends on the base, and there is a possibility that it is restricted by the formation of the base.
また、CVD法を用いて圧電素子を形成する場合、成膜レートが遅く、生産性が低下する可能性がある。また、CVD法等、化学変化を伴う成膜法の場合、組成の調整を精確に行うことが困難となる可能性がある。 Further, when a piezoelectric element is formed using a CVD method, the film formation rate is slow, and productivity may be reduced. In addition, in the case of a film forming method accompanied by a chemical change such as a CVD method, it may be difficult to accurately adjust the composition.
本実施形態においては、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれに供給する電力を制御することで、スパッタリングによって各ターゲット3A〜3Cから発生する物質の量を精確に調整することができる。ターゲットに供給する電力と、その電力が供給されたときにターゲットから基板に供給される物質の単位時間当たりの量(成膜レート)との関係は高精度に求めることができるので、所望の特性及び膜厚を有する圧電素子を短時間で製造することができる。
In the present embodiment, by controlling the power supplied to each of the
また、本実施形態においては、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれに供給する電力を制御することで、圧電素子10の組成を容易に調整することができるので、種々の特性(機能)を有する圧電素子10を円滑に製造することができる。
In the present embodiment, since the composition of the
また、本実施形態においては、基板5を加熱しつつ、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれをスパッタリングしているので、その基板5上に所望の特性を有する圧電素子10を製造することができる。
Moreover, in this embodiment, since each of
また、本実施形態においては、チャンバ2内において、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれが配置される空間を仕切部材8A〜8Cで仕切っているので、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれを同時にスパッタリングしても、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれに対するスパッタリング動作が互いに影響し合うことを抑制することができる。例えば、第1のターゲット3Aをスパッタリングするための放電が、第2、第3のターゲット3B、3Cをスパッタリングするための放電に影響を及ぼすことを抑制することができる。
Moreover, in this embodiment, in the chamber 2, since the space where each of the plurality of
なお、本実施形態においては、制御装置7が、圧電素子10の組成として、圧電素子10を構成する複数の物質の量の割合(組成比)を調整する場合を例にして説明したが、圧電素子10を構成する物質(成分)を調整することも可能である。例えば、制御装置7は、電力供給装置12を用いて、第1のターゲット3Aと第2のターゲット3Bとに同時に電力を供給し、第3のターゲット3Cには電力を供給しないで、第1、第2のターゲット3A、3Bのそれぞれをスパッタリングして、第1、第2のターゲット3A、3Bのそれぞれから発生する第1、第2の物質を基板5に供給することができる。これにより、基板5上には、第1の物質及び第2の物質からなる素子が形成される。
In the present embodiment, the
<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。上述の第1実施形態においては、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれのスパッタリングを同時に行っているが、本実施形態の特徴的な部分は、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれのスパッタリングを非同時に行う点にある。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described. In the first embodiment described above, the sputtering of each of the plurality of
図3は、第2実施形態に係る圧電素子の製造方法を説明するための模式図である。制御装置7は、第1電源12Aから第1のターゲット3Aに対する電力の供給のみを行い、第2、第3電源12B、12Cから第2、第3のターゲット3B、3Cに対する電力の供給は停止する。これにより、図3(A)に示すように、基板5上には、第1のターゲット3Aから発生した第1の物質のみが供給される(ステップSA1)。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a method of manufacturing a piezoelectric element according to the second embodiment. The
次いで、制御装置7は、第2電源12Bから第2のターゲット3Bに対する電力の供給のみを行い、第1、第3電源12A、12Cから第1、第3のターゲット3A、3Cに対する電力の供給は停止する。これにより、図3(B)に示すように、基板5上には、第2のターゲット3Bから発生した第2の物質のみが供給される(ステップSA2)。
Next, the
次いで、制御装置7は、第3電源12Cから第3のターゲット3Cに対する電力の供給のみを行い、第1、第2電源12A、12Bから第1、第2のターゲット3A、3Bに対する電力の供給は停止する。これにより、図3(C)に示すように、基板5上には、第3のターゲット3Cから発生した第3の物質のみが供給される(ステップSA3)。
Next, the
また、制御装置7は、ステップSA1、ステップSA2、及びステップSA3を実行するとき、基板5を例えば約500℃に加熱しつつ、各ターゲット3A〜3Cをスパッタリングする。
Further, when executing Step SA1, Step SA2, and Step SA3, the
制御装置7は、上述のステップSA1、ステップSA2、及びステップSA3の動作を複数回実行する。なお、制御装置7は、これらの動作を実行する順番を変更してもよい。例えば、制御装置7は、ステップSA1の後、ステップSA3を実行し、その後、ステップSA2を実行することができる。
The
これらステップSA1、SA2、SA3のそれぞれを実行するに際し、制御装置7は、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれに供給する電力を調整する。また、制御装置7は、ステップSA1、SA2、SA3それぞれの実行時間(スパッタリング時間、成膜時間)を適宜調整することができる。
When executing each of these steps SA1, SA2, and SA3, the
これにより、基板5上には、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれから発生した第1〜第3の物質によって、所定の組成、膜厚を有し、所定の特性を備えた圧電素子10が形成される。各ステップSA1、SA2、SA3のそれぞれで基板5上に形成される膜の厚みは、例えば数Å〜数μmと非常に薄く、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれのスパッタリングを非同時に行っても、全体として所望の組成を有する圧電素子10を所望の膜厚で形成することができる。
Thereby, the
また、本実施形態においては、制御装置7は、ステップSA1、SA2、SA3を繰り返す際、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれに供給する電力、及びスパッタリング時間の少なくとも一方を調整しつつ、各ターゲット3A〜3Cをスパッタリングする。これにより、制御装置7は、圧電素子10の膜厚方向における組成比の分布を調整することができる。
Moreover, in this embodiment, when repeating the steps SA1, SA2, and SA3, the
例えば、図4の模式図に示すように、制御装置7は、基板5の上に第1の物質を多く含む第1の層(第1の領域)10Aを形成し、第1の層10Aの上に第2の物質を多く含む第2の層(第2の領域)10Bを形成し、第2の層の上に第3の物質を多く含む第3の層(第3の領域)10Cを形成することができる。
For example, as illustrated in the schematic diagram of FIG. 4, the
なお、本実施形態においては、ターゲットを1つずつスパッタリングしているが、制御装置7は、スパッタリング動作の少なくとも一部において、複数のターゲットを同時に実行することも可能である。例えば、制御装置7は、第1、第2のターゲット3A、3Bを同時にスパッタリングした後、その第1、第2のターゲット3A、3Bのスパッタリングを停止するとともに、第3のターゲット3Cのスパッタリングを実行することができる。
In the present embodiment, the targets are sputtered one by one. However, the
また、制御装置7は、圧電素子10の組成として、圧電素子10を構成する物質を調整するために、例えば、第1のターゲット3Aと第2のターゲット3Bとを、例えば非同時にスパッタリングして、第3のターゲット3Cをスパッタリングしないこともできる。これにより、基板5上には、第1の物質及び第2の物質からなる素子が形成される。
Further, the
<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。本実施形態の特徴的な部分は、スパッタリングを所定時間継続する際に、時間の経過に応じて複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれに供給する電力を変化させる点にある。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. The characteristic part of the present embodiment is that, when sputtering is continued for a predetermined time, the power supplied to each of the plurality of
図5及び図6は、第3実施形態に係る圧電素子の製造方法を説明するための模式図である。例えば複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれのスパッタリングを同時に行う際、本実施形態においては、制御装置7は、時間の経過に応じて複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれに供給する電力を変化させる。
5 and 6 are schematic views for explaining a method for manufacturing a piezoelectric element according to the third embodiment. For example, when performing sputtering of each of the plurality of
図5に示す模式図に示すように、スパッタリングを所定時間Ta継続する際、すなわちスパッタリング時間が値Taに設定された場合、例えば制御装置7は、スパッタリングが開始される基準時刻T0から第1の時刻T1までの間、第1のターゲット3Aに供給する電力を、例えば他のターゲット3B、3Cに供給する電力よりも高める。
As shown in the schematic diagram of FIG. 5, when sputtering is continued for a predetermined time Ta, that is, when the sputtering time is set to a value Ta, for example, the
これにより、その基準時刻T0から第1の時刻T1においては、図6(A)に示すように、基板5の上には、第1の物質を多く含む第1の層(第1の領域)10Aが形成される。
As a result, from the reference time T 0 to the first time T 1 , as shown in FIG. 6A, the first layer (the first layer containing a large amount of the first substance) is formed on the
次いで、制御装置7は、第1の時刻T1から第2の時刻T2までの間、第2のターゲット3Bに供給する電力を、例えば他のターゲット3A、3Cに供給する電力よりも高める。
Then, the
これにより、その第1の時刻T1から第2の時刻T2においては、図6(B)に示すように、第1の層10Aの上には、第2の物質を多く含む第2の層(第2の領域)10Bが形成される。
Thus, the first time T 1 that in the second time T 2, as shown in FIG. 6 (B), on the
次いで、制御装置7は、第2の時刻T2から第3の時刻T3までの間、第3のターゲット3Cに供給する電力を、例えば他のターゲット3A、3Bに供給する電力よりも高める。
Then, the
これにより、その第2の時刻T2から第3の時刻T3においては、図6(C)に示すように、第2の層10Bの上には、第3の物質を多く含む第3の層(第3の領域)10Cが形成される。
Thus, from the second time T 2, at the third time T 3, as shown in FIG. 6 (C), on the
このように、スパッタリングを所定時間Ta継続する際、時間の経過に応じて複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれに供給する電力を変化させることによって、制御装置7は、圧電素子10の膜厚方向における組成比の分布を調整することができる。
Thus, when sputtering is continued for a predetermined time Ta, the
<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。例えば、スパッタリングを所定時間Ta継続する場合において、ターゲット3Aに一定の電力を供給し続ける場合、スパッタリングを開始してからの経過時間に応じて、そのターゲット3Aから発生する物質の単位時間当たりの量(その物質による成膜レート)が変化する可能性がある。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. For example, when sputtering is continued for a predetermined time Ta and when a constant power is continuously supplied to the
例えば、スパッタリングを継続することによって、図7の模式図に示すように、ターゲット3Aが徐々に消耗する可能性がある。例えば、スパッタリングの開始直後においては、ターゲット3Aと基板5とは第1の位置関係(第1の距離)D1であったものが、スパッタリングを開始してから所定時間経過後においては、ターゲット3Aと基板5とは第2の位置関係(第2の距離)D2となる可能性がある。すなわち、スパッタリングを開始してからの時間の経過に伴って、ターゲット3Aと基板5との位置関係(距離)が徐々に変化する可能性がある。このような状態で、例えば同じ値の電力を供給し続けた場合、ターゲット3Aと基板5との位置関係(距離)の変化に伴って、ターゲット3Aから発生する物質による成膜レートが変化する可能性がある。
For example, by continuing the sputtering, the
また、ターゲット3Aの近傍に磁界発生装置を配置して磁界を発生させつつスパッタリングする、いわゆるマグネトロンスパッタリング方式でスパッタリングする場合、ターゲット3Aの消耗にによって、磁界発生装置とターゲット3Aの表面との位置関係(距離)が経時的に変化し、これによっても成膜レートが変化する可能性がある。
Further, when sputtering is performed by generating a magnetic field by arranging a magnetic field generator near the
また、スパッタリングを開始してからの経過時間に応じて、ターゲット3Aの物性が変化する可能性もあり、これによっても、ターゲット3Aから発生する物質による成膜レートが変化する可能性がある。
In addition, the physical properties of the
上述のような現象は、ターゲット3B、3Cについても同様に発生する可能性がある。
The phenomenon as described above may occur in the same manner for the
この場合、スパッタリングを開始してからの経過時間に応じて、基板5上に形成される圧電素子10の組成、特に、圧電素子10の膜厚方向における組成比の分布が所望状態でなくなる可能性がある。
In this case, there is a possibility that the composition of the
そこで、制御装置7は、スパッタリングを開始してからの経過時間に応じて、スパッタリング中、常に所望の成膜レートが得られるように、ターゲット3A、3B、3Cのそれぞれに供給する電力を変化させる。これにより、圧電素子10の組成、特に、圧電素子10の膜厚方向における組成比の分布を所望状態にすることができる。
Therefore, the
スパッタリングを開始してからの経過時間と成膜レートとの関係は、例えば実験及びシミュレーションの少なくとも一方を用いて予め求めることができ、記憶装置9に記憶可能である。制御装置7は、記憶装置9の記憶情報に基づいて、第1〜第3の物質に関して所望の成膜レートが得られるように、換言すれば圧電素子10の膜厚方向における組成比の分布が所望状態となるように、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれに供給する電力を制御することができる。
The relationship between the elapsed time from the start of sputtering and the film formation rate can be obtained in advance using, for example, at least one of an experiment and a simulation, and can be stored in the storage device 9. Based on the information stored in the storage device 9, the
<第5実施形態>
次に、第5実施形態について説明する。例えば、ターゲット3Aに供給する電力の積算値に応じて、そのターゲット3Aから発生する物質の単位時間当たりの量(その物質による成膜レート)が変化する可能性がある。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment will be described. For example, there is a possibility that the amount per unit time of the substance generated from the
すなわち、ターゲット3Aに供給した電力の積算値に応じて、例えば図7の模式図に示したように、ターゲット3Aが徐々に消耗し、ターゲット3Aから発生する物質による成膜レートが変化する可能性がある。また、ターゲット3Aに供給した電力の積算値に応じて、ターゲット3Aの物性が変化する可能性もあり、これによっても、ターゲット3Aから発生する物質による成膜レートが変化する可能性がある。
That is, according to the integrated value of the power supplied to the
上述のような現象は、ターゲット3B、3Cについても同様に発生する可能性がある。
The phenomenon as described above may occur in the same manner for the
この場合、ターゲット3A、3B、3Cに供給する電力の積算値に応じて、基板5上に形成される圧電素子10の組成、特に、圧電素子10の膜厚方向における組成比の分布が所望状態でなくなる可能性がある。
In this case, the composition of the
そこで、制御装置7は、ターゲット3A、3B、3Cに供給する電力の積算値に応じて、スパッタリング中、常に所望の成膜レートが得られるように、ターゲット3A、3B、3Cのそれぞれに供給する電力を変化させる。これにより、圧電素子10の組成、特に、圧電素子10の膜厚方向における組成比の分布を所望状態にすることができる。
Therefore, the
ターゲット3A、3B、3Cに供給する電力の積算値と成膜レートとの関係は、例えば実験及びシミュレーションの少なくとも一方を用いて予め求めることができ、記憶装置9に記憶可能である。また、電力供給装置12は、各電源12A〜12Cより各ターゲット3A〜3Cに供給する電力量(電力の積算値)をモニタ可能である。制御装置7は、記憶装置9の記憶情報と電力供給装置12のモニタ情報とに基づいて、第1〜第3の物質のそれぞれに関して所望の成膜レートが得られるように、換言すれば圧電素子10の膜厚方向における組成比の分布が所望状態となるように、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれに供給する電力を制御することができる。
The relationship between the integrated value of the power supplied to the
<第6実施形態>
次に、第6実施形態について説明する。上述の第1〜第5実施形態において、制御装置7は、位置調整装置11を用いて、各ターゲット3A〜3Cと基板5との相対的な位置関係を調整しつつ、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれをスパッタリングすることができる。
<Sixth Embodiment>
Next, a sixth embodiment will be described. In the above-described first to fifth embodiments, the
すなわち、制御装置7は、位置調整装置11を用いて、複数のターゲット3A〜3Cと基板5とを相対的に移動しつつ、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれをスパッタリングするようにしてもよい。
That is, the
例えば、上述の第1実施形態において、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれのスパッタリングを同時に行う場合、図8の模式図に示すように、制御装置7は、駆動装置6Dを用いて、基板支持部材6に支持された基板5をθZ方向に回転しつつ、各ターゲット3A〜3Cのそれぞれをスパッタリングする。これにより、基板5の表面方向(XY方向)において、圧電素子10の組成及び膜厚を均一にすることができる。
For example, in the above-described first embodiment, when sputtering each of the plurality of
また、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれのスパッタリングを同時に行う場合において、各ターゲット3A〜3Cと基板5との相対的な位置関係(相対的な距離)を調整しつつ、各ターゲット3A〜3Cをスパッタリングするようにしてもよい。
Moreover, when performing each sputtering of
例えば、制御装置7は、スパッタリング中において、基板5と各ターゲット3A〜3Cとを近づけるように、基板5を+Z方向に移動したり、あるいは基板5と各ターゲット3A〜3Cとが離れるように、基板5を−Z方向に移動ようにしてもよい。これにより、制御装置7は、圧電素子の組成として、圧電素子の膜厚方向における組成比の分布を調整できる可能性がある。
For example, the
あるいは、制御装置7は、スパッタリング中において、基板5をXY方向に移動しつつ、各ターゲット3A〜3Cをスパッタリングするようにしてもよい。これにより、制御装置7は、圧電素子の組成として、圧電素子の表面と平行なXY方向における組成比の分布を調整できる可能性がある。
Alternatively, the
また、ターゲット3A、3B、3Cと基板5との相対的な位置関係(相対的な距離)に応じて、成膜レートが変化する場合、制御装置7は、圧電素子10全体の平均的な組成比を調整するために、ターゲット3A、3B、3Cと基板5との相対的な位置関係を調整することもできる。例えば、第1のターゲット3Aから発生する第1の物質の割合を高めたい場合には、制御装置7は、第1のターゲット3Aに近い位置に、基板5を配置する。
Further, when the film forming rate changes according to the relative positional relationship (relative distance) between the
また、図7を参照して説明したように、スパッタリングを継続することによって、ターゲット3A〜3Cが消耗し、スパッタリング中にターゲット3A〜3Cと基板5との位置関係(距離)が変化し、その位置関係の変化に応じて成膜レートが変化する可能性がある。そこで、スパッタリングを所定時間継続して行う場合、制御装置7は、時間の経過に応じて、各ターゲット3A、3B、3Cと基板5との相対的な位置関係(相対的な距離)を調整することによって、製造される圧電素子10の膜厚方向における組成比を所望状態にすることができる。
Further, as described with reference to FIG. 7, by continuing the sputtering, the
また、複数のターゲット3A〜3Cのそれぞれのスパッタリングを非同時に行う場合において、例えば制御装置7は、上述のステップSA1においては、基板5を第1のターゲット3Aに対して第1の距離に配置し、ステップSA2においては、基板5を第2のターゲット3Bに対して第2の距離に配置し、ステップSA3においては、基板5を第3のターゲット3Cに対して第3の距離に配置することができる。ターゲットと基板5との相対的な位置関係(相対的な距離)に応じて成膜レートが変化する場合、各ステップSA1、SA2、SA3において、ターゲット3A、3B、3Cのそれぞれと基板5との位置関係を調整することによって、圧電素子10の膜厚方向における組成比の分布を調整することができる。
Further, when performing sputtering of each of the plurality of
なお、第6実施形態においては、駆動装置6Dを用いて、基板支持部材6上の基板5を移動しつつ、スパッタリングしているが、ターゲット3A、3B、3Cを移動するようにしてもよいし、基板5とターゲット3A、3B、3Cとの両方を移動するようにしてもよい。
In the sixth embodiment, sputtering is performed while moving the
なお、上述の第1〜第6実施形態においては、放電用ガスとしてアルゴンを用いているが、アルゴン以外のガスを用いてもよい。また、上述の実施形態においては、反応性ガスとして酸素を用いているが、窒素など他のガスを用いてもよい。また、反応性ガスは無くてもよい。 In the first to sixth embodiments described above, argon is used as the discharge gas, but a gas other than argon may be used. In the above-described embodiment, oxygen is used as the reactive gas, but other gases such as nitrogen may be used. Further, there may be no reactive gas.
なお、上述の第1〜第6実施形態においては、3つのターゲット3A、3B、3Cを用いているが、もちろん、2つでもよいし4つ以上の任意の複数のターゲットを用いてもよい。
In the first to sixth embodiments, three
なお、上述の第1〜第6実施形態においては、第1のターゲットがチタン(Ti)を含み、第2のターゲット3Bが鉛(Pb)を含み、第3のターゲット3Cがジルコニウム(Zr)を含んでいるが、それらターゲットを形成する物質は適宜変更可能である。例えば、第1のターゲットがTiO2、第2のターゲットがPbO2、第3のターゲットがZrO2であってもよい。この場合、圧電素子10として、Pb(Zr、Ti)O3が形成される。
In the first to sixth embodiments described above, the first target contains titanium (Ti), the
また、第1、第2、第3のターゲットが、La、Ti、Zr、TiO2、ZrO2の中から選択される場合、圧電素子10として、La(Zr、Ti)O3が形成される。
When the first, second, and third targets are selected from La, Ti, Zr, TiO 2 , and ZrO 2 , La (Zr, Ti) O 3 is formed as the
また、第1、第2、第3のターゲットが、Ba、Sr、Ti、BaO、BaO3、TiO2、SrTiO3の中から選択される場合、圧電素子10として、(Ba、Sr)TiO3が形成される。
When the first, second, and third targets are selected from Ba, Sr, Ti, BaO, BaO 3 , TiO 2 , and SrTiO 3 , (Ba, Sr) TiO 3 is used as the
また、第1、第2、第3のターゲットが、La、Sr、Co、SrTiO3の中から選択される場合、圧電素子10として、(La、Sr)CoO3が形成される。
When the first, second, and third targets are selected from La, Sr, Co, and SrTiO 3 , (La, Sr) CoO 3 is formed as the
また、第1、第2、第3のターゲットが、Bi、La、Ti、TiO2の中から選択される場合、圧電素子10として、(Bi、La)4Ti3O12が形成される。
When the first, second, and third targets are selected from Bi, La, Ti, and TiO 2 , (Bi, La) 4 Ti 3 O 12 is formed as the
また、第1、第2、第3のターゲットが、Bi、Si、SiO2の中から選択される場合、圧電素子10として、Bi2SiO3が形成される。
Further, when the first, second, and third targets are selected from Bi, Si, and SiO 2 , Bi 2 SiO 3 is formed as the
また、第1、第2、第3のターゲットが、Li、Ta、Ta2O5、Li2Oの中から選択される場合、圧電素子10として、LiTaO3が形成される。
When the first, second, and third targets are selected from Li, Ta, Ta 2 O 5 , and Li 2 O, LiTaO 3 is formed as the
また、第1、第2、第3のターゲットが、Li、Nb、Li2Oの中から選択される場合、圧電素子10として、LiNbO3が形成される。
Further, when the first, second, and third targets are selected from Li, Nb, and Li 2 O, LiNbO 3 is formed as the
また、第1、第2、第3のターゲットが、Li、B、Li2O、B2O3の中から選択される場合、圧電素子10として、Li2B4O7が形成される。
Further, when the first, second, and third targets are selected from Li, B, Li 2 O, and B 2 O 3 , Li 2 B 4 O 7 is formed as the
上述の各実施形態で説明した製造方法で製造した圧電素子10は、例えば液滴吐出ヘッドを駆動する駆動素子、マイクロアクチュエータ、音響装置、光エレクトロニクス、通信装置等に適用可能である。圧電素子を備えた液滴吐出ヘッドの一例は、例えば特開2006−093312号公報に開示されている。
The
1…製造装置、2…チャンバ、3A〜3C…ターゲット、4A〜4C…ターゲット支持部材、5…基板、6…基板支持部材、7…制御装置、10…圧電素子、12…電力供給装置
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記複数のターゲットのそれぞれをスパッタリングして、前記複数のターゲットのそれぞれから発生した物質で、前記基板上に圧電素子を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。 A plurality of targets including different substances are disposed in a chamber to which a discharge gas is supplied, and a substrate is disposed in a predetermined positional relationship with the target.
Sputtering each of the plurality of targets to form a piezoelectric element on the substrate with a material generated from each of the plurality of targets.
前記時間の経過に応じて前記複数のターゲットのそれぞれに供給する電力を変化させることを特徴とする請求項4記載の圧電素子の製造方法。 The sputtering is continued for a predetermined time,
5. The method of manufacturing a piezoelectric element according to claim 4, wherein electric power supplied to each of the plurality of targets is changed as time passes.
前記供給した電力の積算値に応じて前記複数のターゲットのそれぞれに供給する電力を変化させることを特徴とする請求項4記載の圧電素子の製造方法。 Supplying a predetermined amount of power to the target for the sputtering,
5. The method of manufacturing a piezoelectric element according to claim 4, wherein electric power supplied to each of the plurality of targets is changed in accordance with an integrated value of the supplied electric power.
前記チャンバ内に配置され、互いに異なる物質を含む複数のターゲットのそれぞれを支持する複数のターゲット支持部材と、
前記チャンバ内に配置され、前記ターゲットに対して所定の位置関係で基板を支持する基板支持部材と、
前記複数のターゲットのそれぞれに電力を供給可能であり、前記ターゲットに電力を供給して前記チャンバ内に該ターゲットをスパッタリングするためのイオンを生成可能な電力供給装置と、
前記電力供給装置による前記複数のターゲットのそれぞれに対する電力供給動作を制御して、前記複数のターゲットのそれぞれから発生する物質で前記基板上に形成される圧電素子の組成を調整可能な制御装置と、を備えたことを特徴とする圧電素子の製造装置。
A chamber supplied with a discharge gas;
A plurality of target support members disposed in the chamber and supporting each of a plurality of targets including different materials;
A substrate support member disposed in the chamber and supporting the substrate in a predetermined positional relationship with the target;
A power supply device capable of supplying power to each of the plurality of targets, and capable of generating ions for supplying power to the targets and sputtering the targets into the chamber;
A control device capable of controlling a power supply operation to each of the plurality of targets by the power supply device and adjusting a composition of a piezoelectric element formed on the substrate with a material generated from each of the plurality of targets; An apparatus for manufacturing a piezoelectric element, comprising:
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