JP2008013795A - Method for recovering indium component from oxalic-acid etching waste liquid - Google Patents
Method for recovering indium component from oxalic-acid etching waste liquid Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008013795A JP2008013795A JP2006184218A JP2006184218A JP2008013795A JP 2008013795 A JP2008013795 A JP 2008013795A JP 2006184218 A JP2006184218 A JP 2006184218A JP 2006184218 A JP2006184218 A JP 2006184218A JP 2008013795 A JP2008013795 A JP 2008013795A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- indium
- exchange resin
- anion exchange
- aqueous solution
- indium component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Abstract
Description
本発明は、インジウム成分の回収方法に関する。さらに詳しくは、インジウムを含有する被エッチング材をシュウ酸でエッチングすることで排出されるシュウ酸エッチング廃液からインジウム成分を効率よく回収する方法に関する。 The present invention relates to a method for recovering an indium component. More specifically, the present invention relates to a method for efficiently recovering an indium component from an oxalic acid etching waste liquid discharged by etching an etching target material containing indium with oxalic acid.
液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置等の透明電極としては、例えば、酸化インジウム−酸化錫（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯと略す。）や酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＺＯと略す。）等のインジウム含有被エッチング材を、所定のパターンにエッチング処理したものが使用されている。 As a transparent electrode of a liquid crystal display device or an electroluminescence display device, for example, indium-tin-oxide (hereinafter referred to as ITO) or indium-zinc oxide (hereinafter referred to as IZO) is used. For example, an indium-containing material to be etched is etched into a predetermined pattern.
例えば、ＩＴＯ透明電極はガラス等の基板上にＩＴＯ膜を形成した後、レジストマスクを施し、ＩＴＯ膜をエッチング処理して形成する。そして、ＩＴＯ膜のエッチング液として、シュウ酸水溶液が知られている（例えば、特許文献１参照）。 For example, the ITO transparent electrode is formed by forming an ITO film on a substrate such as glass, then applying a resist mask, and etching the ITO film. An oxalic acid aqueous solution is known as an etching solution for the ITO film (see, for example, Patent Document 1).
ところで、透明電極に使用されているインジウムは稀少金属であり、近年、資源の枯渇が問題視されている。一方、液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイの急速な普及により、インジウムの需要が急増しているため価格が急騰している。従って、インジウムの有効利用の観点から、インジウムの回収、再利用が求められている。
しかしながら、透明電極やその作製時に排出されるエッチング廃液に含まれるインジウムのリサイクルは、現状ではほとんどなされていない。
By the way, indium used for the transparent electrode is a rare metal, and in recent years, depletion of resources has been regarded as a problem. On the other hand, due to the rapid spread of flat panel displays such as liquid crystal display devices, the demand for indium is rapidly increasing, and the price has soared. Therefore, recovery and reuse of indium are required from the viewpoint of effective use of indium.
However, at present, the recycling of indium contained in the transparent electrode and the etching waste liquid discharged at the time of producing the transparent electrode is hardly performed.
エッチング廃液の再利用について、特許文献２には、シュウ酸エッチング廃液から高純度蓚酸水溶液を回収する方法が提案されている。
しかしながら、この文献ではシュウ酸水溶液はリサイクルしているもののインジウムの再利用については検討していない。陰イオン交換樹脂から金属成分の回収について、焼却処理による方法を記載しているが、この方法では陰イオン交換樹脂の再生リサイクルと金属成分の回収リサイクルを両立させることは不可能であった。
However, in this document, although the aqueous oxalic acid solution is recycled, the reuse of indium is not studied. Although a method by incineration is described for the recovery of metal components from an anion exchange resin, it has been impossible to achieve both recycling and recycling of anion exchange resins and recovery and recycling of metal components.
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、インジウム含有被エッチング材を処理したシュウ酸エッチング廃液からインジウムを効率よく回収する方法を提供することにある。 This invention is made | formed in view of the said situation, The objective is to provide the method of collect | recovering indium efficiently from the oxalic acid etching waste liquid which processed the to-be-etched material containing indium.
本発明によれば、以下のインジウムの回収方法が提供される。
１．インジウム成分を含有するシュウ酸エッチング廃液を陰イオン交換樹脂に接触させて、前記インジウム成分を陰イオン交換樹脂に吸着させる工程と、前記工程でインジウム成分を吸着させた陰イオン交換樹脂を酸性水溶液に接触させ、インジウム成分を酸性水溶液に移行し回収する工程と、を有するインジウム成分の回収方法。
２．前記酸性水溶液が０．５ｗｔ％以下の塩酸である１記載のインジウム成分の回収方法。
３．前記酸性水溶液が、水素イオン指数（ｐＨ）が１以上４以下の塩酸又は緩衝液である１記載のインジウム成分の回収方法。
４．前記陰イオン交換樹脂が強塩基性陰イオン交換樹脂である１〜３のいずれかに記載のインジウム成分の回収方法。
５．前記シュウ酸エッチング廃液におけるシュウ酸濃度が２〜８重量％である１〜４のいずれかに記載のインジウム成分の回収方法。
According to the present invention, the following indium recovery methods are provided.
1. Contacting an oxalic acid etching waste solution containing an indium component with an anion exchange resin to adsorb the indium component to the anion exchange resin, and converting the anion exchange resin having the indium component adsorbed in the step into an acidic aqueous solution And a step of transferring the indium component to an acidic aqueous solution and recovering the indium component.
2. 2. The method for recovering an indium component according to 1, wherein the acidic aqueous solution is hydrochloric acid of 0.5 wt% or less.
3. 2. The method for recovering an indium component according to 1, wherein the acidic aqueous solution is hydrochloric acid or a buffer solution having a hydrogen ion index (pH) of 1 or more and 4 or less.
4). The method for recovering an indium component according to any one of 1 to 3, wherein the anion exchange resin is a strongly basic anion exchange resin.
5. The method for recovering an indium component according to any one of 1 to 4, wherein the oxalic acid concentration in the oxalic acid etching waste liquid is 2 to 8% by weight.
本発明の方法によれば、シュウ酸エッチング廃液からインジウムを効率よく回収できる。回収したインジウム酸性水溶液からインジウムを回収することにより、インジウムメタルとして再利用できる。
また、エッチング廃液中に存在するインジウム量を軽減することができるため、環境の悪化を低減できる。
また、回収されたインジウムは透明電極に再利用できるので、製造コストを低減することができる。さらに、再生されたシュウ酸エッチング液も再利用することができる。
According to the method of the present invention, indium can be efficiently recovered from the oxalic acid etching waste liquid. By recovering indium from the recovered indium acidic aqueous solution, it can be reused as indium metal.
In addition, since the amount of indium present in the etching waste liquid can be reduced, environmental deterioration can be reduced.
Moreover, since the recovered indium can be reused for the transparent electrode, the manufacturing cost can be reduced. Furthermore, the regenerated oxalic acid etchant can be reused.
本発明の回収方法は、インジウム成分を含有するシュウ酸エッチング廃液を陰イオン交換樹脂に接触させて、廃液中のインジウム成分を陰イオン交換樹脂に吸着させる工程（吸着工程）と、インジウム成分を吸着させた陰イオン交換樹脂を酸性水溶液に接触させ、インジウム成分を酸性水溶液に移行し回収する工程（回収工程）とを有する。
インジウム成分を含有するシュウ酸エッチング廃液とは、例えば、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等、インジウムを含む材料をエッチングした際に排出される、エッチング液とインジウム含有材料の混合物である。シュウ酸エッチング廃液には、インジウム、錫、亜鉛等の金属成分が含まれ、特にイオン化したインジウムは、シュウ酸の錯体化合物としてアニオンの状態で存在する。
The recovery method of the present invention comprises a step of bringing an oxalic acid etching waste solution containing an indium component into contact with an anion exchange resin, and adsorbing the indium component in the waste solution to the anion exchange resin (adsorption step); A step (recovery step) in which the anion exchange resin is brought into contact with an acidic aqueous solution and the indium component is transferred to the acidic aqueous solution and recovered.
The oxalic acid etching waste liquid containing an indium component is a mixture of an etching liquid and an indium-containing material that is discharged when an indium-containing material such as an ITO film or an IZO film is etched. The oxalic acid etching waste liquid contains metal components such as indium, tin, and zinc. In particular, ionized indium exists as an oxalic acid complex compound in an anionic state.
本発明においては、まず、シュウ酸エッチング廃液を陰イオン交換樹脂に接触させて、廃液中のインジウム成分を陰イオン交換樹脂に吸着させる。
具体的には、エッチング工程により発生したシュウ酸エッチング廃液の全量又は一部を、陰イオン交換樹脂と接触処理してインジウムを含む金属成分、例えば、錫、亜鉛等を陰イオン交換樹脂に吸着させる。この工程により、シュウ酸エッチング廃液から金属成分を分離する。
ここで回収されるシュウ酸水溶液は純度が向上するため、シュウ酸エッチング液として再利用できる。また、陰イオン交換樹脂を選択し、インジウムイオンを選択的に吸着させることにより、インジウムを他の金属成分と分離することもできる。
In the present invention, first, the oxalic acid etching waste liquid is brought into contact with the anion exchange resin, and the indium component in the waste liquid is adsorbed on the anion exchange resin.
Specifically, all or part of the oxalic acid etching waste liquid generated by the etching process is contact-treated with an anion exchange resin to adsorb metal components containing indium, such as tin and zinc, to the anion exchange resin. . By this step, the metal component is separated from the oxalic acid etching waste liquid.
Since the purity of the oxalic acid aqueous solution recovered here is improved, it can be reused as an oxalic acid etching solution. Further, indium can be separated from other metal components by selecting an anion exchange resin and selectively adsorbing indium ions.
陰イオン交換樹脂としては、強塩基性陰イオン交換樹脂又は弱塩基性陰イオン交換樹脂が使用できる。強塩基性陰イオン交換樹脂が好ましく、特に、シュウ酸形陰イオン交換樹脂が好ましい。これにより、廃液処理の最初から金属成分が回収できる。シュウ酸形陰イオン交換樹脂は、強塩基性陰イオン交換樹脂をシュウ酸で接触処理することにより得られる。 As the anion exchange resin, a strong basic anion exchange resin or a weak basic anion exchange resin can be used. Strongly basic anion exchange resins are preferred, and oxalic acid type anion exchange resins are particularly preferred. Thereby, the metal component can be recovered from the beginning of the waste liquid treatment. The oxalic acid type anion exchange resin can be obtained by contact-treating a strongly basic anion exchange resin with oxalic acid.
強塩基性陰イオン交換樹脂としては、４級アンモニウム基を交換基として有する樹脂が使用でき、例えば、三菱化学（株）製のダイヤイオンＳＡ１０Ａ（商品名）、ダイヤイオンＳＡ２０Ａ（商品名）、ダイヤイオンＰＡ３１６（商品名）、ダイヤイオンＰＡ４１６（商品名）、ローム アンド ハッス社製のＡｍｂｅｒｌｉｔｅ ＩＲＡ４００（商品名）、Ａｍｂｅｒｌｉｔｅ ＩＲＡ４１０（商品名）、Ａｍｂｅｒｌｉｔｅ ＩＲＡ９００（商品名）、Ａｍｂｅｒｌｉｔｅ ＩＲＡ９１０（商品名）、ザ ダウ ケミカル社製のＤｏｗｅｘ ＳＢＲ（商品名）、Ｄｏｗｅｘ ＳＡＲ（商品名）、Ｄｏｗｅｘ ＭＳＡ−１（商品名）、Ｄｏｗｅｘ ＭＳＡ−２（商品名）が挙げられる。 As the strongly basic anion exchange resin, a resin having a quaternary ammonium group as an exchange group can be used. For example, Diaion SA10A (trade name), Diaion SA20A (trade name) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Dia Aeon PA316 (trade name), Diaion PA416 (trade name), Amberlite IRA400 (trade name), Amberlite IRA410 (trade name), Amberlite IRA900 (trade name), Amberlite IRA910 (trade name), manufactured by Rohm and Hus Examples include Dowex SBR (trade name), Dowex SAR (trade name), Dowex MSA-1 (trade name), and Dowex MSA-2 (trade name) manufactured by Dow Chemical.
尚、陰イオン交換樹脂とエッチング廃液の接触処理は、カラムに充填された陰イオン交換樹脂を使用して行うことが好ましい。 The contact treatment between the anion exchange resin and the etching waste liquid is preferably performed using the anion exchange resin packed in the column.
本発明において、シュウ酸エッチング廃液におけるシュウ酸濃度は、通常２重量％以上であり、好ましくは２〜８重量％、より好ましくは３〜５重量％である。シュウ酸濃度が２重量％未満の場合は、エッチング廃液に含まれている金属成分のアニオン化錯体化合物の生成が不十分となり、陰イオン交換樹脂によって金属成分を充分に回収することができないおそれがある。 In the present invention, the oxalic acid concentration in the oxalic acid etching waste liquid is usually 2% by weight or more, preferably 2 to 8% by weight, more preferably 3 to 5% by weight. When the oxalic acid concentration is less than 2% by weight, the formation of the anionized complex compound of the metal component contained in the etching waste liquid becomes insufficient, and the metal component may not be sufficiently recovered by the anion exchange resin. is there.
次に、上述した吸着工程によりインジウムを含む金属成分を吸着させた陰イオン交換樹脂を酸性水溶液に接触させ、インジウム成分を酸性水溶液に移行し回収する。金属イオンを吸着した陰イオン交換樹脂に酸性水溶液を接触処理することにより、吸着した金属成分、例えば、インジウム、錫、亜鉛が溶解した酸性水溶液を回収できる。 Next, the anion exchange resin on which the metal component containing indium is adsorbed by the adsorption step described above is brought into contact with the acidic aqueous solution, and the indium component is transferred to the acidic aqueous solution and recovered. By contacting the acidic aqueous solution with the anion exchange resin that has adsorbed metal ions, the acidic aqueous solution in which the adsorbed metal components such as indium, tin, and zinc are dissolved can be recovered.
本発明において、酸性水溶液としては、塩酸、硝酸又は硫酸等が好適に使用できる。
なかでも、強塩酸水溶液中では、インジウムイオンとクロロ錯体［Ｉｎ３＋（Ｃｌ−）６］３−を形成し、再び陰イオン交換樹脂に吸着される場合があることから、濃度が０．５ｗｔ％未満の塩酸、特に、水素イオン指数（ｐＨ）が１〜４の塩酸、より好ましくはｐＨが１．５〜３．５の塩酸が好ましい。
また、ｐＨの制御が容易なことから、ｐＨが１〜４の緩衝液も好ましい。
緩衝液としては、酢酸緩衝液（酢酸、酢酸ナトリウム、塩酸混合液）や、燐酸緩衝液（燐酸、ＮａＣｌ混合水溶液）等が挙げられる。
In the present invention, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid or the like can be suitably used as the acidic aqueous solution.
Among them, in strong hydrochloric acid aqueous solution, indium ions and chloro complexes [In 3+ (Cl − ) 6 ] 3− are formed and may be adsorbed again on the anion exchange resin, so the concentration is 0.5 wt%. Hydrochloric acid having a hydrogen ion exponent (pH) of 1 to 4, more preferably hydrochloric acid having a pH of 1.5 to 3.5 is preferred.
In addition, a buffer solution having a pH of 1 to 4 is preferable because it is easy to control the pH.
Examples of the buffer solution include acetate buffer solution (acetic acid, sodium acetate, hydrochloric acid mixed solution), phosphate buffer solution (phosphoric acid, NaCl mixed aqueous solution), and the like.
本発明の回収方法では、酸性水溶液の使用量をなるべく少なくすることにより、金属成分を高濃度で酸性水溶液に濃縮できる。具体的には、金属イオンが飽和状態で吸着した陰イオン交換樹脂を、なるべく少量の酸性水溶液によって処理して金属イオンを抽出することが好ましい。
また、吸着工程にて陰イオン交換樹脂にインジウムイオンを選択的に吸着させた場合、高純度のインジウム含有酸性水溶液を得ることができる。
In the recovery method of the present invention, the metal component can be concentrated to the acidic aqueous solution at a high concentration by reducing the amount of the acidic aqueous solution used as much as possible. Specifically, it is preferable to extract the metal ions by treating the anion exchange resin on which the metal ions are adsorbed in a saturated state with as little acidic aqueous solution as possible.
In addition, when indium ions are selectively adsorbed on the anion exchange resin in the adsorption step, a highly pure indium-containing acidic aqueous solution can be obtained.
本発明により回収したインジウム含有酸性水溶液からインジウムメタルを回収できる。インジウムメタルを高純度で回収する方法は、例えば、平成１５年度版青森県工業総合研究センター事業報告書の「工業系廃棄物リサイクルモデルに関する研究（ＩＩ）」を参照できる。例えば、ＩＴＯの例を説明すると、上記の酸性水溶液を水酸化ナトリウムで中和し錫を中和沈殿させ、亜鉛版によってインジウムを置換析出させインジウムメタルとし、これを溶解・鋳造、電解精製することにより高純度のインジウムが得られる。 Indium metal can be recovered from the indium-containing acidic aqueous solution recovered according to the present invention. For a method of recovering indium metal with high purity, for example, “Research on Industrial Waste Recycling Model (II)” in the 2003 Aomori Prefectural Industrial Research Center Business Report can be referred to. For example, when explaining an example of ITO, neutralize the above acidic aqueous solution with sodium hydroxide and neutralize and precipitate tin, and substitute and deposit indium with a zinc plate to form indium metal, which is dissolved, cast, and electrolytically purified. Thus, high purity indium is obtained.
本発明の回収方法では、エッチング廃液中のインジウムを、高濃度又は高純度で含む酸性水溶液として回収できるため、上述したインジウムメタルの回収工程に好適に使用できる。 In the recovery method of the present invention, indium in the etching waste liquid can be recovered as an acidic aqueous solution containing a high concentration or high purity. Therefore, it can be suitably used for the above-described recovery process of indium metal.
以下、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
実施例１
３．４ｗｔ％シュウ酸溶液１．０Ｌに対し、インジウム（Ｉｎ）を０．４ｇ、亜鉛（Ｚｎ）を０．０４ｇの割合で溶解し、インジウム濃度０．４ｇ／Ｌ、亜鉛濃度０．０４ｇ／Ｌのシュウ酸溶液を作成し、これをエッチング廃液とした。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to a following example.
Example 1
To 1.0 L of 3.4 wt% oxalic acid solution, 0.4 g of indium (In) and 0.04 g of zinc (Zn) are dissolved, and the indium concentration is 0.4 g / L and the zinc concentration is 0.04 g / An L oxalic acid solution was prepared and used as an etching waste solution.
（１）吸着工程
ガラスカラム（内径２０ｍｍ×高さ４５０ｍｍ）にＯＨ形の強塩基性陰イオン交換樹脂（ダイヤイオンＳＡＮ−１、三菱化学（株）製）３０ｇを純水と共に充填した。
陰イオン交換樹脂に対し、上述のエッチング廃液を３０ｍｌ／ｈで通液し、流出した処理液を採取した。処理液におけるインジウム及び亜鉛濃度をＩＣＰ−ＡＥＳ（誘導結合プラズマ発光分析装置）で測定した。
処理液のインジウム、亜鉛濃度変化を図１に示す。図１において、横軸は通液した処理液量（ｍｌ）であり、縦軸はインジウム又は亜鉛の処理液中濃度（ｇ／Ｌ）を示す。
(1) Adsorption process A glass column (
The above-described etching waste liquid was passed through the anion exchange resin at 30 ml / h, and the outflowing processing liquid was collected. The concentrations of indium and zinc in the treatment liquid were measured with ICP-AES (inductively coupled plasma emission spectrometer).
Changes in the indium and zinc concentrations of the treatment liquid are shown in FIG. In FIG. 1, the horizontal axis represents the amount of treated liquid (ml) passed through, and the vertical axis represents the concentration (g / L) of indium or zinc in the treated liquid.
図１から、インジウムの濃度変化は、流出初期に少量のＩｎの流出が認められるものの、ほぼ５５ｍｌのエッチング廃液の処理が可能であることがわかる。即ち、５５ｍｌ以降では、処理液中のインジウム濃度が上昇したため、飽和吸着状態になったことを示している。また、亜鉛の濃度は、初期より上昇しており、吸着回収率が低いことを示している。 As can be seen from FIG. 1, the indium concentration can be treated with about 55 ml of etching waste liquid, although a small amount of In flows out at the beginning of the outflow. That is, after 55 ml, the concentration of indium in the treatment liquid increased, indicating that the saturated adsorption state was reached. Further, the concentration of zinc has increased from the initial stage, indicating that the adsorption recovery rate is low.
（２）回収工程
上記（１）と同様に準備した陰イオン交換樹脂充填カラムに、５５ｍｌのエッチング廃液を通液し、インジウム成分を飽和吸着させた。次いで、酸性水溶液として０．３５ｗｔ％に調整した塩酸をこのカラムに通水し、インジウム及び亜鉛成分の流出を観察した。
塩酸の通液量と金属成分濃度の関係を図２に示す。
この結果から、インジウムは初期の２０ｍｌまでに流出することがわかる。従って、高濃度部分を分取することにより、高濃度かつ高純度のインジウム酸性水溶液を回収できる。
(2) Recovery step 55 ml of the etching waste liquid was passed through the anion exchange resin-filled column prepared in the same manner as in (1) above, and the indium component was saturated and adsorbed. Next, hydrochloric acid adjusted to 0.35 wt% as an acidic aqueous solution was passed through this column, and the outflow of indium and zinc components was observed.
The relationship between the flow rate of hydrochloric acid and the metal component concentration is shown in FIG.
From this result, it can be seen that indium flows out to the initial 20 ml. Therefore, a high concentration and high purity indium acidic aqueous solution can be collected by separating the high concentration portion.
尚、塩酸処理後、カラムに水を通水しアルカリ性にすることにより、陰イオン交換樹脂を再生することができる。また、ＩＴＯを用いた場合も、インジウム成分が陰イオン交換樹脂に吸着、溶出できる事を確認した。 After treatment with hydrochloric acid, the anion exchange resin can be regenerated by passing water through the column to make it alkaline. Moreover, when ITO was used, it was confirmed that the indium component can be adsorbed and eluted on the anion exchange resin.
比較例１
実施例１の（２）において、塩酸の代わりにアルカリ水溶液（４ｇ／Ｌの水酸化ナトリウムの水溶液）を通水した他は、実施例１と同様にして、通液量と金属成分濃度の関係を調べた。
その結果、インジウム成分の回収量は、実施例１の１０分の１程度であった。アルカリ性水溶液中では、インジウムイオンに水酸基が配位し、陰イオンとして存在するため、通水しても陰イオン交換樹脂に吸着されたままとなり溶出し難いものと考えられる。
Comparative Example 1
In Example 1 (2), except that hydrochloric acid was used instead of an alkaline aqueous solution (4 g / L sodium hydroxide aqueous solution), the relationship between the liquid flow rate and the metal component concentration was the same as in Example 1. I investigated.
As a result, the recovered amount of the indium component was about 1/10 of that in Example 1. In an alkaline aqueous solution, a hydroxyl group is coordinated to an indium ion and exists as an anion. Therefore, it is considered that it remains adsorbed on the anion exchange resin even if water is passed and is not easily eluted.
比較例２
実施例１の（２）で、酸性水溶液に代えて純水を通水した他は、実施例１と同様にして、通液量と金属成分濃度の関係を調べた。
その結果、インジウム成分の回収量は、実施例１の１０分の１程度であった。これは、純水を使用した結果、シュウ酸水溶液中のシュウ酸濃度が急激に低下し、特にｐＨが４より大きくなったため、インジウムイオンにシュウ酸イオンや水酸基イオンが配位し、陰イオンとして存在したため、通水しても陰イオン交換樹脂に吸着されたままとなり溶出し難いものと考えられる。
Comparative Example 2
The relationship between the liquid flow rate and the metal component concentration was examined in the same manner as in Example 1 except that pure water was passed instead of the acidic aqueous solution in Example 1 (2).
As a result, the recovered amount of the indium component was about 1/10 of that in Example 1. This is because, as a result of using pure water, the oxalic acid concentration in the oxalic acid aqueous solution suddenly decreased, and in particular, the pH was higher than 4. As a result, oxalate ions and hydroxyl ions were coordinated to indium ions, and as anions. Therefore, even if water is passed through, it remains adsorbed on the anion exchange resin and is unlikely to elute.
本発明のインジウムの回収方法は、エッチング廃液中のインジウムを酸性水溶液として効率よく回収できるため、廃液からのインジウムメタルの回収工程に好適である。 The method for recovering indium according to the present invention is suitable for the step of recovering indium metal from waste liquid because indium in the etching waste liquid can be efficiently recovered as an acidic aqueous solution.
Claims (5)
前記工程でインジウム成分を吸着させた陰イオン交換樹脂を酸性水溶液に接触させ、インジウム成分を酸性水溶液に移行し回収する工程と、を有するインジウム成分の回収方法。 Contacting an anion exchange resin with an oxalic acid etching waste liquid containing an indium component, and adsorbing the indium component on the anion exchange resin;
A step of bringing the anion exchange resin having the indium component adsorbed in the step into contact with an acidic aqueous solution, and transferring the indium component to the acidic aqueous solution and recovering the indium component.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006184218A JP2008013795A (en) | 2006-07-04 | 2006-07-04 | Method for recovering indium component from oxalic-acid etching waste liquid |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006184218A JP2008013795A (en) | 2006-07-04 | 2006-07-04 | Method for recovering indium component from oxalic-acid etching waste liquid |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008013795A true JP2008013795A (en) | 2008-01-24 |
Family
ID=39071104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006184218A Withdrawn JP2008013795A (en) | 2006-07-04 | 2006-07-04 | Method for recovering indium component from oxalic-acid etching waste liquid |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008013795A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011047016A (en) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Univ Of Miyazaki | Method for recovering indium from oxalic acid-containing solution |
| CN103065958A (en) * | 2011-08-31 | 2013-04-24 | 住友精密工业股份有限公司 | Chelating material regeneration method and substrate processing device |
| WO2015122250A1 (en) * | 2014-02-17 | 2015-08-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Liquid composition for etching oxides comprising indium, zinc, tin, and oxygen and etching method |
| CN107860639A (en) * | 2017-09-30 | 2018-03-30 | 中国科学院生态环境研究中心 | A kind of titanium dioxide resolution of no hydrofluoric acid and separation method |
-
2006
- 2006-07-04 JP JP2006184218A patent/JP2008013795A/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011047016A (en) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Univ Of Miyazaki | Method for recovering indium from oxalic acid-containing solution |
| CN103065958A (en) * | 2011-08-31 | 2013-04-24 | 住友精密工业股份有限公司 | Chelating material regeneration method and substrate processing device |
| WO2015122250A1 (en) * | 2014-02-17 | 2015-08-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Liquid composition for etching oxides comprising indium, zinc, tin, and oxygen and etching method |
| JPWO2015122250A1 (en) * | 2014-02-17 | 2017-03-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Liquid composition for etching oxide comprising indium, zinc, tin and oxygen and etching method |
| US10023797B2 (en) | 2014-02-17 | 2018-07-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Liquid composition for etching oxides comprising indium, zinc, tin, and oxygen and etching method |
| CN107860639A (en) * | 2017-09-30 | 2018-03-30 | 中国科学院生态环境研究中心 | A kind of titanium dioxide resolution of no hydrofluoric acid and separation method |
| CN107860639B (en) * | 2017-09-30 | 2020-04-28 | 中国科学院生态环境研究中心 | Hydrofluoric acid-free titanium dioxide digestion and separation method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5783536B2 (en) | Boron recovery method | |
| JP2008013795A (en) | Method for recovering indium component from oxalic-acid etching waste liquid | |
| EP1337470B1 (en) | Process for recovering onium hydroxides from solutions containing onium compounds | |
| US7399725B2 (en) | Perchlorate destruction | |
| JP5887279B2 (en) | Method for producing tetraalkylammonium salt and method for producing tetraalkylammonium hydroxide using the same as raw material | |
| TWI380953B (en) | Recovery of High Purity Oxalic Acid Aqueous Solution | |
| JP5483958B2 (en) | Method for producing tetraalkylammonium hydroxide | |
| JP2013158707A (en) | Reproducing method for ion exchange resin, reproducing device using the same, and reproducing device for copper etching liquid | |
| JP2013119487A (en) | Method for treating hydrosilicofluoric acid-containing liquid | |
| KR101987409B1 (en) | Method for producing tetraalkylammonium salt solution | |
| JP2009084673A (en) | Selective separation/recovery method for specified metal ion | |
| TWI423836B (en) | Process for recovering and purifying tetraalkyl ammonium hydroxide from waste solution containing the same | |
| Nakamura et al. | Selective recovery of indium from acid sulfate media with solvent impregnated resin of bis (4-cyclohexylcyclohexyl) phosphoric acid as an extractant | |
| CN109173340B (en) | Method for removing chlorine from strong acidic solution by adsorption | |
| KR101531086B1 (en) | Recovering method of indium and gallium using ion exchange resin | |
| JP2009102679A (en) | Method for recovering indium | |
| JP4745936B2 (en) | Method for producing ferrous chloride liquid | |
| KR101741797B1 (en) | Indium and Acid recovery method of Indium-containing spent etchant using the solvent extraction method | |
| US20240018020A1 (en) | Purification method and purification apparatus for liquid to be processed containing tetraalkylammonium ions | |
| JP3364308B2 (en) | Wastewater treatment method and apparatus | |
| JPH0663547A (en) | Method for recovering hydroiodic acid | |
| JP2010053370A (en) | Method for collecting indium | |
| JP2005329315A (en) | Method and apparatus for recovering water from drainage containing tetraalkyl ammonium ion | |
| Yanase et al. | Regeneration technology of tetramethylammonium hydroxide using ion exchange resin | |
| JP2010053369A (en) | Method for collecting indium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090109 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20100303 |