JP2008009397A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 外光の反射を低減する機能を有する光干渉層と、複数の着色層と、二色性を持つ第１の偏光素子とが絶縁表面上の一方の面に順に積層形成された第１の基板と、
   前記第１の基板の一方の面と対向するように配置され、画素電極及び薄膜トランジスタが一方の面に形成されているとともに、他方の面に二色性を持つ第２の偏向素子が形成されている第２の基板と、
   前記第１の基板及び前記第２の基板の一方の面どうしの間に形成されている液晶層と、
   を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記画素電極と前記液晶層の間に設けられた第１の配向膜と、
   前記二色性を持つ第１の偏光素子と前記液晶層の間に設けられた第２の配向膜と、
   を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２において、
   前記二色性を持つ第１の偏光素子と前記第２の配向膜の間に対向電極を有することを特徴とする半導体装置。
4. 外光の反射を低減する機能を有する光干渉層と、複数の着色層と、二色性を持つ第１の偏光素子とが絶縁表面上の一方の面に順に積層形成された第１の基板と、
   前記第１の基板の一方の面と対向するように配置され、画素電極、共通電極、及び薄膜トランジスタが一方の面に形成されているとともに、他方の面に二色性を持つ第２の偏向素子が形成されている第２の基板と、
   前記第１の基板及び前記第２の基板の一方の面どうしの間に形成されている液晶層と、
   を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記複数の着色層のうち、互いに異なる着色層の間には遮光層を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記光干渉層は、反射防止膜であることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記光干渉層の材料は、ＭｇＦ ₂ 、ＳｉＯ ₂ 、ＣｅＦ ₃ 、Ａｌ ₂ Ｏ ₃ 、ＳｉＮｘ、ＩＴＯ、ＺｒＯ ₂ 、ＴｉＯ ₂ のうちの少なくとも一つであることを特徴とする半導体装置。