JP2008008713A - Comparison method of measuring data and program - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To compare accurately measured data of two measuring groups. <P>SOLUTION: A reliability test is performed relative to one-lot image sensors 11. Each electric characteristic of Ref lot wherein a test is not performed and tested Try lot is measured. A value showing high-order 5% of Ref measured data Xr of the Ref lot is defined as UpIR, and a value showing low-order 5% is defined as LoIR. A value showing high-order 5% of Try measured data Xt of the Try lot is defined as UpIT, and a value showing low-order 5% is defined as LoIT. The number (Zup) of Xt satisfying inequalities: UpIR<Xt≤UpIT and the number (Zlo) of Xt satisfying inequalities: LoIT≤Xt<LoIR are determined. Each ratio of Zup and Zlo to the number of all the Try measured data Xt is determined. After removing abnormal data deviated greatly from a mean value, the direction and the degree of deviation of an Xt distribution from an Xr distribution can be confirmed numerically. Hereby, comparison between both measured data can be performed accurately. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、2つの測定グループの測定データを比較する測定データの比較方法及びプログラムに関するものである。   The present invention relates to a measurement data comparison method and program for comparing measurement data of two measurement groups.

携帯型の電子機器、特にデジタルカメラなどは屋内だけでなく屋外でも使用されることが多い。このため、デジタルカメラに内蔵されているイメージセンサ等の半導体素子は、温度や湿度の変化といった環境の変化を受け易い。従って、このような環境変化に対して半導体素子が高い信頼性を有することが要求されており、半導体素子に対して信頼性試験が行われている。   Portable electronic devices, particularly digital cameras, are often used not only indoors but also outdoors. For this reason, semiconductor elements such as an image sensor built in a digital camera are susceptible to environmental changes such as changes in temperature and humidity. Therefore, the semiconductor element is required to have high reliability against such environmental changes, and a reliability test is performed on the semiconductor element.

上述の信頼性試験としては半導体素子を特定の環境条件におく環境試験や、特定の環境条件下で電気的負荷をかける通電試験などがある。そして、信頼試験が行われた半導体素子に対して、電圧測定やリーク電流測定等の各種測定項目についての測定が行われる。また、信頼性試験が行われない半導体素子に対しても同様の測定が行われる。次いで、測定項目別に得られた2つの測定グループの測定データが、平均値及び分散の差、或いは所定の規格値内に収まっているか否かなどに基づいて比較される。これにより、半導体素子の信頼性特性値が規定の要求に合致しているか否かが判定される。   As the above-described reliability test, there are an environmental test in which a semiconductor element is placed in a specific environmental condition, an energization test in which an electrical load is applied under a specific environmental condition, and the like. And the measurement about various measurement items, such as a voltage measurement and a leakage current measurement, is performed with respect to the semiconductor element by which the reliability test was performed. The same measurement is performed for a semiconductor element that is not subjected to a reliability test. Next, the measurement data of the two measurement groups obtained for each measurement item are compared based on the difference between the average value and the variance, or whether or not they are within a predetermined standard value. As a result, it is determined whether or not the reliability characteristic value of the semiconductor element meets a prescribed requirement.

また、平均値や分散の差の有無などを調べる以外に、両測定データをそれぞれビットマップ化して、両ビットマップデータが一致しているか否かで両測定データの比較を行う方法も良く知られている(特許文献1参照)。
特開平08−247782号公報(第2図参照)
In addition to investigating the average value and the difference in variance, there is also a well-known method of making both measured data bitmaps and comparing both measured data based on whether the bitmap data match. (See Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 08-247782 (see FIG. 2)

しかしながら、平均値や分散の差などに基づいて2つの測定グループの測定データの比較を行う場合に、測定データの中に平均値よりも大きくずれた異常データが多数あると、このような異常データが平均値や分散の値に強く影響を及ぼしてしまう。その結果、両測定データの比較を正確に行うことができない。また、前記特許文献1記載のように測定データをそれぞれビットマップ化して比較を行う場合にも、測定データの中に異常データが多数あると、ビットマップデータが異常データの影響を強く受けてしまう。その結果、同様に両測定データの比較を正確に行うことができない。   However, when comparing the measurement data of two measurement groups based on the average value or variance, if there are many abnormal data in the measurement data that deviate more than the average value, such abnormal data Will strongly affect the mean and variance values. As a result, it is not possible to accurately compare both measurement data. In addition, when the measurement data is converted into bitmaps and compared as described in Patent Document 1, if there are many abnormal data in the measurement data, the bitmap data is strongly influenced by the abnormal data. . As a result, it is not possible to accurately compare both measurement data.

本発明は上記問題を解決するためのものであり、2つの測定グループの測定データの比較を異常データの有無に関わらず正確に行えるようにした測定データの比較方法及びプログラムを提供することを目的とする。   The present invention is intended to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a measurement data comparison method and program that can accurately compare measurement data of two measurement groups regardless of the presence or absence of abnormal data. And

本発明は、同一の測定項目について同一の測定環境で測定された2つの測定グループの一方に含まれる第1測定データと、前記測定グループの他方に含まれる第2測定データとを比較する測定データの比較方法において、前記第1測定データのN(100>N>50)パーセンタイル値を第1上限基準値として求めるとともに、前記第1測定データの(100−N)パーセンタイル値を第1下限基準値として求める第1のステップと、前記第2測定データのNパーセンタイル値を第2上限基準値として求めるとともに、前記第2測定データの(100−N)パーセンタイル値を第2下限基準値として求める第2のステップと、前記第2上限基準値以下で前記第1上限基準値よりも大きい前記第2測定データの数を上限外れ数としてカウントする第3のステップと、前記第2下限基準値以上で前記第1下限基準値よりも小さい前記第2測定データの数を下限外れ数としてカウントする第4のステップと、前記第2測定データの全データ数に対する前記上限外れ数の割合と、前記全データ数に対する前記下限外れ数の割合とを求めた割合算出結果を表示する第5のステップとを備えることを特徴とする。   The present invention provides measurement data for comparing first measurement data included in one of two measurement groups measured in the same measurement environment for the same measurement item and second measurement data included in the other of the measurement groups. In the comparison method, the N (100> N> 50) percentile value of the first measurement data is obtained as the first upper limit reference value, and the (100-N) percentile value of the first measurement data is determined as the first lower limit reference value. And a second step of obtaining an Nth percentile value of the second measurement data as a second upper limit reference value and obtaining a (100-N) percentile value of the second measurement data as a second lower limit reference value. And counting the number of the second measurement data that is less than or equal to the second upper limit reference value and greater than the first upper limit reference value as the number out of the upper limit. A third step, a fourth step of counting the number of the second measurement data that is greater than or equal to the second lower limit reference value and smaller than the first lower limit reference value as a number out of the lower limit, and all of the second measurement data And a fifth step of displaying a ratio calculation result obtained by calculating a ratio of the number out of the upper limit with respect to the number of data and a ratio of the number out of the lower limit with respect to the total number of data.

前記測定項目は複数あり、前記割合算出結果が所定の値を超えている前記測定項目の前記割合算出結果をグラフで表示する第6のステップを備えることが好ましい。   There are a plurality of measurement items, and it is preferable that the method includes a sixth step of displaying the ratio calculation result of the measurement item whose ratio calculation result exceeds a predetermined value in a graph.

本発明の測定データの比較プログラムは、請求項1または2記載の測定データ比較方法をコンピュータに実行させることを特徴とする。   A measurement data comparison program according to the present invention causes a computer to execute the measurement data comparison method according to claim 1 or 2.

本発明の測定データの比較方法は、2つの測定グループの一方に含まれる第1測定データの第1上限基準値及び第1下限基準値を求める第1のステップと、前記測定グループの他方に含まれる第2測定データの第2上限基準値及び第2下限基準値を求める第2のステップと、前記第2上限基準値以下で前記第1上限基準値よりも大きい前記第2測定データの数を上限外れ数としてカウントする第3のステップと、前記第2下限基準値以上で前記第1下限基準値よりも小さい前記第2測定データの数を下限外れ数としてカウントする第4のステップと、前記第2測定データの全データ数に対する前記上限外れ数及び前記下限外れ数の割合を求めた割合算出結果を表示する第5のステップとを備えるようにしたので、平均値から大きくずれている異常データを除いた上で、前記第1測定データの分布に対して前記第2測定データの分布がどの方向にどの位ずれているかを数値で表すことができる。これにより、測定データの中に異常データが多数あったとしても、従来のように平均値や分散を比較に用いる場合よりも両測定データの比較を正確に行うことができる。   The measurement data comparison method of the present invention includes a first step of obtaining a first upper limit reference value and a first lower limit reference value of the first measurement data included in one of the two measurement groups, and included in the other of the measurement groups. A second step of obtaining a second upper limit reference value and a second lower limit reference value of the second measurement data, and a number of the second measurement data that is equal to or less than the second upper limit reference value and greater than the first upper limit reference value. A third step of counting as the number out of the upper limit, a fourth step counting the number of the second measurement data that is greater than or equal to the second lower limit reference value and smaller than the first lower limit reference value as the number out of the lower limit, And a fifth step of displaying a ratio calculation result obtained by calculating the ratio of the number out of the upper limit and the number out of the lower limit with respect to the total number of data of the second measurement data. On excluding the normal data, it is possible to indicate whether the distribution of the second measurement data to the distribution of the first measurement data is how much deviation in any direction numerically. Thereby, even if there are a lot of abnormal data in the measurement data, both measurement data can be compared more accurately than in the case where the average value or the variance is used for comparison as in the conventional case.

また、本発明の測定データの比較プログラムは、請求項1または2記載の測定データ比較方法をコンピュータに実行させるようにしたので、同様に両測定データの比較を正確に行うことができる。   In addition, since the measurement data comparison program of the present invention causes the computer to execute the measurement data comparison method according to claim 1 or 2, it is possible to accurately compare both measurement data in the same manner.

以下、図1に示すようなシリコンウェハ(以下、ウェハという)10に略碁盤目状に多数配列されているイメージセンサ11に対して信頼性試験を行い、信頼性試験が行われたイメージセンサ11の電気的特性と、信頼性試験が行われないイメージセンサ11の電気的特性とを比較する方法について説明を行う。ウェハ10に設けられている各イメージセンサ11は、図示は省略するが、被写体光を受ける受光面を有しており、この受光面には被写体光を電気的な撮像信号に変換する多数の光電変換素子(図示せず)が規則正しく配列されている。なお、図1においては、ウェハ10に10個のイメージセンサ11が設けられているが、1枚のウェハ10に設けられるイメージセンサ11の数はこれに限定されるものではない。   Hereinafter, a reliability test is performed on the image sensors 11 arranged in a substantially grid pattern on a silicon wafer (hereinafter referred to as a wafer) 10 as shown in FIG. A method for comparing the electrical characteristics of the image sensor 11 and the electrical characteristics of the image sensor 11 not subjected to the reliability test will be described. Although not shown, each image sensor 11 provided on the wafer 10 has a light receiving surface that receives subject light, and this light receiving surface has a large number of photoelectric sensors that convert the subject light into electrical imaging signals. Conversion elements (not shown) are regularly arranged. In FIG. 1, ten image sensors 11 are provided on the wafer 10, but the number of image sensors 11 provided on one wafer 10 is not limited thereto.

イメージセンサ11に対して行われる信頼性試験としては、上述したように、イメージセンサ11(ウェハ10)を特定の環境条件におく環境試験や、イメージセンサ11に対して特定の環境条件下で電気的負荷をかける通電試験などの各種試験がある。そして、本実施形態では、信頼性試験を行わない1ロット分のイメージセンサ11と、信頼性試験が行われた1ロット分のイメージセンサ11との電気的特性を測定して、得られた測定データを比較する。なお、本実施形態では、例えば1日製造分のイメージセンサ11を1ロットと定義している。   As described above, the reliability test performed on the image sensor 11 includes an environmental test in which the image sensor 11 (wafer 10) is placed in a specific environmental condition, and an electrical test performed on the image sensor 11 in a specific environmental condition. There are various tests such as an energization test that applies a dynamic load. In this embodiment, the electrical characteristics of the image sensor 11 for one lot for which the reliability test is not performed and the image sensor 11 for one lot for which the reliability test is performed are measured, and the obtained measurement is performed. Compare the data. In the present embodiment, for example, the image sensor 11 for one day production is defined as one lot.

具体的な電気的特性の測定項目としては、イメージセンサ11から出力される撮像信号の最小値(撮像信号最小値)、撮像信号の最大値(撮像信号最大値)、リーク電流、スタンバイ電流などが例に挙げられる。これらの測定は、テスタ装置13及びプローバ装置14(図2参照)により行われる。テスタ装置13は、後述するプローバ装置14を介して、イメージセンサ11等の半導体素子の電気的特性を測定する測定装置である。   Specific measurement items of the electrical characteristics include the minimum value of the imaging signal output from the image sensor 11 (imaging signal minimum value), the maximum value of the imaging signal (imaging signal maximum value), the leakage current, the standby current, and the like. An example. These measurements are performed by the tester device 13 and the prober device 14 (see FIG. 2). The tester device 13 is a measuring device that measures the electrical characteristics of a semiconductor element such as the image sensor 11 via a prober device 14 described later.

図2に示すように、プローバ装置14は、プローブカード20と、プローブカード20が装着されるテストヘッド21と、ウェハ10を保持するウェハチャック24と、ウェハチャック24を移動させる移動機構25とを備えている。このプローバ装置14は、テスタ装置13に電気的に接続されており、テスタ装置13からの電気信号をプローブカード20を介してイメージセンサ11に入力したり、イメージセンサ11からの入力信号をプローブカード20を介してテスタ装置13に戻したりする。   As shown in FIG. 2, the prober device 14 includes a probe card 20, a test head 21 to which the probe card 20 is mounted, a wafer chuck 24 that holds the wafer 10, and a moving mechanism 25 that moves the wafer chuck 24. I have. The prober device 14 is electrically connected to the tester device 13, and inputs an electric signal from the tester device 13 to the image sensor 11 via the probe card 20, and an input signal from the image sensor 11 to the probe card. 20 to return to the tester device 13.

ウェハチャック24は、その上面にウェハ10(イメージセンサ11)がセットされる。移動機構25は、ウェハチャック24をX,Y,Z方向に移動させる。プローブカード20には、イメージセンサ11(図1参照)の図示しない入出力パッドの位置に合わせて配置された多数の検査用プローブ針31がその下面側に取り付けられている。テストヘッド21は、支持部材33に支持されて固定されている。このプローブカード20とテストヘッド21とは、電気的に接続されており、プローブカード20のプローブ針31がイメージセンサ11の入出力パッド(図示せず)に接触して電気的に導通するので、このプローブカード20を介してテスタ装置13とイメージセンサ11とが電気的に接続される。   The wafer 10 (image sensor 11) is set on the upper surface of the wafer chuck 24. The moving mechanism 25 moves the wafer chuck 24 in the X, Y, and Z directions. A large number of inspection probe needles 31 are attached to the probe card 20 on the lower surface side so as to be aligned with positions of input / output pads (not shown) of the image sensor 11 (see FIG. 1). The test head 21 is supported and fixed by a support member 33. Since the probe card 20 and the test head 21 are electrically connected, and the probe needle 31 of the probe card 20 contacts an input / output pad (not shown) of the image sensor 11 and is electrically connected. The tester device 13 and the image sensor 11 are electrically connected via the probe card 20.

ウェハチャック24の所定位置にウェハ10(イメージセンサ11)が保持されると、移動機構25は、検査対象のイメージセンサ11がプローブカード20の下方に位置する測定待機位置にウェハチャック24を移動させる。次いで、移動機構25は、イメージセンサ11上の入出力パッド(図示せず)に、プローブカード20の検査用プローブ針31が接触する検査位置にウェハチャック24を移動させる。そして、テスタ装置13は、プローブカード20のプローブ針31から電気信号を授受して、電気的特性の各測定項目の中から選択された測定項目に関する測定を行う。   When the wafer 10 (image sensor 11) is held at a predetermined position of the wafer chuck 24, the moving mechanism 25 moves the wafer chuck 24 to a measurement standby position where the image sensor 11 to be inspected is located below the probe card 20. . Next, the moving mechanism 25 moves the wafer chuck 24 to an inspection position where an inspection probe needle 31 of the probe card 20 contacts an input / output pad (not shown) on the image sensor 11. Then, the tester device 13 transmits and receives an electrical signal from the probe needle 31 of the probe card 20 and performs measurement related to the measurement item selected from each measurement item of the electrical characteristics.

テスタ装置13で測定された測定データは、パソコン(PC)35に送られる。このPC35には、測定データ比較プログラム35aがインストールされている。PCは測定データ比較プログラム35aが起動されるとデータ解析(比較)装置として機能する。なお、測定データ比較プログラム35aとしては、例えば市販の表計算ソフトを用いることができる。PC35は、テスタ装置13より測定データが入力されたら、測定データをロット別にまとめた表を作成する。下記表1は、撮像信号最小値の測定データをまとめた表の一例を示したものである。   Measurement data measured by the tester device 13 is sent to a personal computer (PC) 35. A measurement data comparison program 35a is installed in the PC 35. When the measurement data comparison program 35a is activated, the PC functions as a data analysis (comparison) device. As the measurement data comparison program 35a, for example, commercially available spreadsheet software can be used. When the measurement data is input from the tester device 13, the PC 35 creates a table in which the measurement data is collected by lot. Table 1 below shows an example of a table summarizing the measurement data of the imaging signal minimum value.

Figure 2008008713
Figure 2008008713

表1に示すように、本実施形態では、信頼性試験が行われないロットをリファレンスロット(以下、Refロットという)とし、信頼性試験が行われたロットをトライロット(以下、Tryロットという)としている。これらRefロット及びTryロットは、本発明の2つの測定グループに相当するものである。そして、両ロットの測定データは、同一の測定環境で得られている。ここで、同一の測定環境とは、同じ試験装置(テスタ装置13及びプローバ装置14)を用い、さらに試験装置が設置されている部屋の温度や湿度に大きな差がないことである。このように、同一の測定環境で測定を行うことで、両ロットの測定データの比較を行う際に測定環境の影響を考慮する必要が無くなる。   As shown in Table 1, in this embodiment, a lot for which a reliability test is not performed is a reference lot (hereinafter referred to as a Ref lot), and a lot for which a reliability test is performed is a trilot (hereinafter referred to as a Try lot). It is said. These Ref lot and Try lot correspond to the two measurement groups of the present invention. And the measurement data of both lots are obtained in the same measurement environment. Here, the same measurement environment means that the same test apparatus (tester apparatus 13 and prober apparatus 14) is used, and there is no significant difference in temperature and humidity of the room where the test apparatus is installed. Thus, by performing measurement in the same measurement environment, it is not necessary to consider the influence of the measurement environment when comparing the measurement data of both lots.

表1中の「測定番号」欄には、測定を行った順番が記入される。また、「Ref測定データ」欄には、Refロットの測定データXrが入力され、「Try測定データ」欄には、TryロットのTry測定データXtが入力される。これら両測定データXr,Xtは、本発明の第1及び第2測定データに相当するものである。   In the “Measurement number” column in Table 1, the order in which measurements were performed is entered. The Ref lot measurement data Xr is input to the “Ref measurement data” column, and the Try measurement data Xt of the Try lot is input to the “Try measurement data” column. Both of these measurement data Xr and Xt correspond to the first and second measurement data of the present invention.

下記表2は、Refロット及びTryロットの測定データXr,Xtを解析したデータ解析表の一例を示したものである。最初に、ロット別に平均値、最大値、最小値、N数、分散などの基本統計量が求められる。   Table 2 below shows an example of a data analysis table obtained by analyzing the measurement data Xr and Xt of the Ref lot and the Try lot. First, basic statistics such as average value, maximum value, minimum value, N number, and variance are obtained for each lot.

Figure 2008008713
Figure 2008008713

上記表2に示すように、Refロットの「平均値」欄には全Ref測定データの平均値(3.38(V))が入力され、「最小値」欄には全Ref測定データの最小値(0.30(V))が入力され、「最大値」欄には全Ref測定データXrの最大値(3.75(V))が入力され、「N数」欄には全Ref測定データのデータ数(53497)が入力され、「分散」欄には全Ref測定データの分散(σ=0.019)が入力されている。 As shown in Table 2, the average value (3.38 (V)) of all Ref measurement data is input in the “average value” column of the Ref lot, and the minimum of all Ref measurement data is input in the “minimum value” column. A value (0.30 (V)) is input, the maximum value (3.75 (V)) of all Ref measurement data Xr is input in the “maximum value” column, and all Refs are input in the “N r number” column. The number of measurement data (53497) is entered, and the variance of all Ref measurement data (σ 2 = 0.019) is entered in the “dispersion” column.

また、同様にTryロットの「平均値」欄には全Try測定データの平均値(3.47(V))が入力され、「最小値」欄には全Try測定データの最小値(0.31(V))が入力され、「最大値」欄には全Try測定データの最大値(4.89(V))が入力され、「N数」欄には全Try測定データのデータ数(59859)が入力され、「分散」欄には全Try測定データの分散(0.026)が入力されている。 Similarly, the average value (3.47 (V)) of all Try measurement data is input to the “average value” column of the Try lot, and the minimum value (0. 31 (V)) is input, the maximum value (4.89 (V)) of all Try measurement data is input in the “maximum value” field, and the number of data of all Try measurement data is input in the “ Nt number” field. (59859) is entered, and the variance (0.026) of all Try measurement data is entered in the “dispersion” column.

従来では、両ロット(両測定データ)の平均値や分散等に差があるかないか、或いはどの位の差があるかに基づいて両測定データの比較を行っていたが、上述したように、測定データの中には、平均値よりも大きくずれたデータ(以下、異常データという)が多数ある場合がある。例えば、Ref測定データの最小値は0.30(V)であり、これは平均値(3.38(V))よりも大きくずれている。また、Try測定データの最小値は0.31(V)であり、その最大値は4.89(V)であり、これらも平均値(3.47(V))よりも大きくずれている。従って、このような異常データが測定データ中に多数あると、異常データが平均値や分散の値に強く影響を及ぼしてしまう。その結果、両測定データの比較を正確に行うことができないおそれがある。そこで、本発明では両測定データの比較を行う際に、異常データを考慮した比較を行う。以下、具体的に本発明の測定データ比較方法について説明を行う。   Conventionally, both measurement data were compared based on whether there was a difference in the average value or variance of both lots (both measurement data), or how much difference there was. There are cases where there are a large number of pieces of measurement data (hereinafter referred to as abnormal data) that deviate greatly from the average value. For example, the minimum value of the Ref measurement data is 0.30 (V), which is larger than the average value (3.38 (V)). Further, the minimum value of the Try measurement data is 0.31 (V), the maximum value is 4.89 (V), which is also largely deviated from the average value (3.47 (V)). Therefore, if there are a large number of such abnormal data in the measurement data, the abnormal data strongly affects the average value and the variance value. As a result, there is a possibility that the measurement data cannot be accurately compared. Therefore, in the present invention, when comparing both measurement data, the comparison is performed in consideration of abnormal data. Hereinafter, the measurement data comparison method of the present invention will be specifically described.

本実施形態では上述の基本統計量以外に、Ref測定データの例えば上位0.5%を示す値(99.5パーセンタイル値)をRef上限基準値(UpIR)として求めるとともに、Ref測定データの例えば下位0.5%を示す値(0.5パーセンタイル値)をRef下限基準値(LoIR)として求める。ここで、パーセンタイル値とは、その値以下のRef測定データXrの数が全Ref測定データ数(N数)の何%を占めるかを表したものである。例えば、本実施形態のUpIR(99.5パーセンタイル値)は3.64(V)であり、3.64(V)以下となるRef測定データXrの数は、N数(53947)の99.5%を占める。また、LoIR(0.5パーセンタイル値)は3.07(V)であり、3.07(V)以下となるRef測定データXrの数は、N数(53947)の0.5%を占める。 In the present embodiment, in addition to the basic statistics described above, for example, a value indicating the upper 0.5% (99.5 percentile value) of the Ref measurement data is obtained as the Ref upper limit reference value (UpIR), and for example, the lower order of the Ref measurement data. A value indicating 0.5% (0.5 percentile value) is obtained as the Ref lower limit reference value (LoIR). Here, the percentile value, in which the number of the values following Ref measurement data Xr is represented how occupies percentage of the total Ref measurement data number (N r number). For example, UpIR of the present embodiment (99.5 percentile) is 3.64 (V), the number of Ref measurement data Xr which becomes 3.64 (V) below, 99 N r number (53947). Occupies 5%. Further, a Loir (0.5 percentile value) 3.07 (V), the number of Ref measurement data Xr which becomes 3.07 (V) or less accounts for 0.5% of the N r number (53947) .

また、同様にしてTry測定データの上位0.5%を示す値(99.5パーセンタイル値)をTry上限基準値(UpIT)として求めるとともに、Try測定データの下位0.5%を示す値(0.5パーセンタイル値)をTry下限基準値(LoIT)として求める。なお、本実施形態では、UpITは3.77(V)であり、LoITは3.09(V)である。   Similarly, a value indicating the upper 0.5% of the Try measurement data (99.5 percentile value) is obtained as the Try upper limit reference value (UpIT), and a value indicating the lower 0.5% of the Try measurement data (0 .5 percentile value) is determined as the Try lower limit reference value (LoIT). In this embodiment, UpIT is 3.77 (V), and LoIT is 3.09 (V).

図3に示すように、Ref測定データXr及びTry測定データXtの分布図は、正規分布図に近い形状となる。両分布図の横軸は測定データ(撮像信号最小値)であり、縦軸はデータ数である。本発明の測定データの比較法では、異常データを除いたRef測定データXrの分布に対して、同じく異常データを除いたTry測定データXtの分布がどの方向にどの位ずれているかを数値で表す。つまり、LoIR≦Xr≦UpIRを満たすRef測定データXrの分布に対して、LoIT≦Xt≦UpITを満たすTry測定データXtの分布がどの方向にどの位ずれているかを数値で表す。   As shown in FIG. 3, the distribution diagram of the Ref measurement data Xr and the Try measurement data Xt has a shape close to a normal distribution diagram. The horizontal axis of both distribution diagrams is measurement data (imaging signal minimum value), and the vertical axis is the number of data. In the measurement data comparison method of the present invention, a numerical value indicates in which direction and how much the distribution of the Try measurement data Xt excluding the abnormal data is deviated from the distribution of the Ref measurement data Xr excluding the abnormal data. . That is, the numerical value indicates how much the distribution of the Try measurement data Xt satisfying LoIT ≦ Xt ≦ UpIT deviates in which direction with respect to the distribution of the Ref measurement data Xr satisfying LoIR ≦ Xr ≦ UpIR.

具体的には、UpIR<Xt≦UpITを満たすTry測定データXtの数を上限外れ数(Zup)としてカウントする。また、LoIT≦Xt<LoIRを満たすTry測定データXtの数を下限外れ数(Zlo)としてカウントする。   Specifically, the number of Try measurement data Xt satisfying UpIR <Xt ≦ UpIT is counted as a number outside the upper limit (Zup). In addition, the number of Try measurement data Xt satisfying LoIT ≦ Xt <LoIR is counted as the number out of the lower limit (Zlo).

図4に示すように、本実施形態ではUpIR<UpITである。このため、Zupは図中の斜線で示したエリアA1内のTry測定データXtの数をカウントして求められ、Zup=6498(図2参照)となる。また、図5に示すように、本実施形態ではLoIR>LoITであるのでZlo=0となる(表2参照)。   As shown in FIG. 4, in this embodiment, UpIR <UpIT. For this reason, Zup is obtained by counting the number of Try measurement data Xt in the area A1 indicated by hatching in the figure, and Zup = 6498 (see FIG. 2). Further, as shown in FIG. 5, in this embodiment, since LoIR> LoIT, Zlo = 0 (see Table 2).

なお、本実施形態ではUpIR<UpITとなるが、例えば図6に示すようにUpIR>UpITとなる場合には、Zup=0になる。また、本実施形態ではLoIR<LoITとなるが、例えば図7に示すようにLoIR>LoITとなる場合には、Zloは図中の斜線で示したエリアA2内のTry測定データXtの数をカウントして求められる。また、図示は省略するが、UpIR<UpIT及びLoIR>LoITとなる場合には、エリアA1内のTry測定データXtの数をカウントしてZupを求めるとともに、エリアA2内のTry測定データXtの数をカウントしてZloを求めればよい。   In this embodiment, UpIR <UpIT, but for example, when UpIR> UpIT as shown in FIG. 6, Zup = 0. In the present embodiment, LoIR <LoIT. For example, as shown in FIG. 7, when LoIR> LoIT, Zlo counts the number of Try measurement data Xt in the area A2 indicated by the oblique lines in the figure. Is required. Although not shown, if UpIR <UpIT and LoIR> LoIT, the number of Try measurement data Xt in area A1 is counted to obtain Zup, and the number of Try measurement data Xt in area A2 is obtained. Zlo may be obtained by counting.

上記表2に示すように、Zup及びZloが求められたら、全Try測定データ数(N数)に対するZup及びZloの割合(割合算出結果)をそれぞれ求める。上限外れ数の割合算出結果(Pup)と下限外れ数の割合算出結果(Plo)とは、下記式(1)、(2)でそれぞれ求められる。本実施形態では、Pup=10.9%となり、Plo=0.0%となる。
・ Pup=Zup÷N数×100
・ Plo=Zlo÷N数×100
As shown in Table 2, when Zup and Zlo is sought, it obtains all Try measurement data number ratio of Zup and Zlo for (N t number) (ratio calculation results), respectively. The ratio calculation result (Pup) of the number out of the upper limit and the ratio calculation result (Plo) of the number out of the lower limit are obtained by the following formulas (1) and (2), respectively. In this embodiment, Pup = 10.9% and Plo = 0.0%.
・ Pup = Zup ÷ N t number × 100
・ Plo = Zlo ÷ N t number × 100

以上のようにPup及びPloを求めることで、異常データを除いたRef測定データの分布に対して、同じく異常データを除いたTry測定データXtの分布は撮像信号最小値が大きくなる方向にずれていることが判る。さらに、この方向にずれている測定データXtは、全Try測定データXt中の10.9%であることが判る。これにより、信頼性試験を行うことで、撮像信号最小値の測定データの分布がどの方向にどれ位ずれたかを数値で確認することができる。   By obtaining Pup and Plo as described above, the distribution of Try measurement data Xt excluding abnormal data is shifted in the direction in which the minimum value of the imaging signal is increased, compared to the distribution of Ref measurement data excluding abnormal data. I know that. Furthermore, it can be seen that the measurement data Xt shifted in this direction is 10.9% of the total Try measurement data Xt. Thus, by performing a reliability test, it is possible to confirm numerically how much the distribution of the measurement data of the imaging signal minimum value is shifted in which direction.

撮像信号最小値のPup及びPloが求められたら、他の測定項目(撮像信号最大値、リーク電流、スタンバイ電流等)についても上述のテスタ装置13及びプローバ装置14を用いて測定を行い、同様にPup及びPloを求めればよい。なお、PC35としてPCを用いている場合には、測定データ比較プログラム35aとして市販の表計算ソフトを用いることで、上述のUpIR、LoIR、UpIT、LoIT、Zup、Zlo、Pup、Ploの演算を容易に行うことができる。   When the imaging signal minimum values Pup and Plo are obtained, other measurement items (imaging signal maximum value, leakage current, standby current, etc.) are also measured using the above-described tester device 13 and prober device 14, and similarly. What is necessary is just to obtain Pup and Plo. When a PC is used as the PC 35, the above-mentioned UpIR, LoIR, UpIT, LoIT, Zup, Zlo, Pup, Plo can be easily calculated by using commercially available spreadsheet software as the measurement data comparison program 35a. Can be done.

全ての測定項目についてPup及びPloが求められたら、図7に示すようにPupが例えば5%を超える測定項目について、Pupの値を棒グラフで表示する。また、図8に示すように、Ploが例えば5%を超える測定項目についても同様にPloの値を棒グラフで表示する。図7及び図8の棒グラフを参照することにより、測定データの分布のずれが大きくなる測定項目を容易に確認することができる。なお、このようなグラフも測定データ比較プログラム35aとして市販の表計算ソフトを用いることで容易に作成することができる。   When Pup and Plo are obtained for all the measurement items, as shown in FIG. 7, the value of Pup is displayed as a bar graph for the measurement item in which Pup exceeds 5%, for example. Further, as shown in FIG. 8, the value of Plo is similarly displayed as a bar graph for measurement items where Plo exceeds 5%, for example. By referring to the bar graphs of FIGS. 7 and 8, it is possible to easily confirm the measurement items in which the deviation of the distribution of the measurement data becomes large. Such a graph can also be easily created by using commercially available spreadsheet software as the measurement data comparison program 35a.

次に、図10のフローチャート図を用いて、Refロットの測定データと、Tryロットの測定データとの比較を行う際のフローについて説明を行う。比較を行う測定項目を例えば「撮像信号最小値」に決定したら、上述のテスタ装置13及びプローバ装置14(図2参照)を用いて、Refロット及びTryロットの撮像信号最小値の測定を行う。この測定により得られたRef測定データXr、及びTry測定データXtは、測定データ比較プログラム35a起動済みのPC35に入力される。そして、PC35に入力された両測定データXr,Xtは、上記の表1のような表にまとめられる。   Next, a flow when comparing the measurement data of the Ref lot and the measurement data of the Try lot will be described using the flowchart of FIG. When the measurement item to be compared is determined to be, for example, “minimum imaging signal value”, the imaging signal minimum value of the Ref lot and the Try lot is measured using the tester device 13 and the prober device 14 (see FIG. 2). The Ref measurement data Xr and Try measurement data Xt obtained by this measurement are input to the PC 35 that has been started up the measurement data comparison program 35a. Then, both measurement data Xr and Xt input to the PC 35 are collected in a table as shown in Table 1 above.

次いで、上述の基本統計量(表2参照)を求めた後、Ref上限基準値(UpIR)と、Ref下限基準値(LoIR)と、Try上限基準値(UpIT)と、Try下限基準値(LoIT)とを求める。上述したように、UpIR及びLoIRは、それぞれRef測定データの99.5パーセンタイル値、0.5パーセンタイル値である。また、UpIT及びLoITは、それぞれTry測定データの99.5パーセンタイル値、0.5パーセンタイル値である。   Next, after obtaining the above basic statistics (see Table 2), the Ref upper limit reference value (UpIR), the Ref lower limit reference value (LoIR), the Try upper limit reference value (UpIT), and the Try lower limit reference value (LoIT) ) And ask. As described above, UpIR and LoIR are the 99.5th percentile value and the 0.5th percentile value of the Ref measurement data, respectively. UpIT and LoIT are the 99.5th percentile value and the 0.5th percentile value of the Try measurement data, respectively.

UpIR、LoIR、UpIT、LoITが求められたら、UpIR<Xt≦UpITを満たすTry測定データXtの数をカウントしてZupを求める。また、LoIT≦Xt<LoIRを満たすTry測定データXtの数をカウントしてZloを求める。次いで、全Try測定データ数(N数)に対するZupの割合Pupと、N数に対するZloの割合Ploとを求める。以下同様にして、他の測定項目についてもPup、Ploを求める。 When UpIR, LoIR, UpIT and LoIT are obtained, the number of Try measurement data Xt satisfying UpIR <Xt ≦ UpIT is counted to obtain Zup. Further, Zlo is obtained by counting the number of Try measurement data Xt satisfying LoIT ≦ Xt <LoIR. Then, determine the ratio of Zup Pup to all Try measurement data number (N t number), and a ratio Plo of Zlo for N t number. Similarly, Pup and Plo are obtained for other measurement items.

全ての測定項目についてPup、Ploが求められたら、Pupが5%以上になる測定項目について、Pupの値を棒グラフで表示するとともに、Ploが5%以上になる測定項目についても同様にPloの値を棒グラフで表示する。なお、環境試験以外の信頼性試験、例えば特定の環境条件下で電気的負荷をかける通電試験等を行う場合には、上述の作業を繰り返せばよい。   When Pup and Plo are obtained for all the measurement items, the Pup value is displayed as a bar graph for the measurement item for which Pup is 5% or more, and the Plo value is similarly used for the measurement item for which Plo is 5% or more. Is displayed as a bar graph. In addition, when performing a reliability test other than the environmental test, for example, an energization test in which an electrical load is applied under a specific environmental condition, the above-described operation may be repeated.

以上のように、本発明では、異常データを除いたRef測定データXrの分布に対して、異常データを除いたTry測定データXtの分布がどの方向にどの位ずれているかを表した数値を用いて、両測定データXr,Xtの比較を行っている。これにより、測定データXr,Xtの中に異常データが多数あったときに、従来のように平均値や分散を比較に用いる場合よりも両測定データXr,Xtの比較を正確に行うことができる。   As described above, in the present invention, a numerical value representing how much the distribution of the Try measurement data Xt excluding the abnormal data is deviated from the distribution of the Ref measurement data Xr excluding the abnormal data is used. Thus, the measurement data Xr and Xt are compared. Thereby, when there are many abnormal data in the measurement data Xr, Xt, the measurement data Xr, Xt can be compared more accurately than in the case where the average value or variance is used for comparison as in the prior art. .

なお、上記実施形態では、UpIR及びUpITをそれぞれ測定データXr,Xtの上位5%を示す値(95パーセンタイル値)とし、LoIR及びLoITをそれぞれ測定データXr,Xtの下位5%を示す値(5パーセンタイル値)としているが、本発明はこれに限定されるものではない。測定データXr,XtのN(100>N>50)パーセンタイル値をUpIR及びUpITとし、測定データXr,Xtの(100−N)パーセンタイル値をLoIR及びLoITをとしてもよい。   In the above embodiment, UpIR and UpIT are values indicating the upper 5% of the measurement data Xr and Xt (95th percentile value), and LoIR and LoIT are values indicating the lower 5% of the measurement data Xr and Xt (5 However, the present invention is not limited to this. The N (100> N> 50) percentile values of the measurement data Xr, Xt may be UpIR and UpIT, and the (100-N) percentile values of the measurement data Xr, Xt may be LoIR and LoIT.

また、上記実施形態では、Pup、Ploが5%を超える測定項目について、値を棒グラフで表示するようにしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、全ての測定項目についてPup、Ploの値を棒グラフで表示するようにしてもよい。また、棒グラフ以外のグラフを用いて、Pup、Ploの値を表示するようにしてもよい。   In the above embodiment, values are displayed as bar graphs for measurement items with Pup and Plo exceeding 5%. However, the present invention is not limited to this, and Pup, The value of Plo may be displayed as a bar graph. Moreover, the values of Pup and Plo may be displayed using a graph other than the bar graph.

なお、上記実施形態では、信頼性試験が行われないイメージセンサ11の測定データと、信頼性試験が行われたイメージセンサ11の測定データとを比較する場合を例に説明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、同一測定項目について同一測定環境で測定された2つの測定グループの測定データを比較する際に本発明を適用することができる。   In the above embodiment, the case where the measurement data of the image sensor 11 that is not subjected to the reliability test and the measurement data of the image sensor 11 that is subjected to the reliability test is described as an example. The present invention is not limited to this, and the present invention can be applied when comparing measurement data of two measurement groups measured in the same measurement environment for the same measurement item.

シリコンウェハの斜視図である。It is a perspective view of a silicon wafer. プローブ装置の側面図である。It is a side view of a probe apparatus. Refロット及びTryロットの撮像信号最小値を測定した測定データの分布図である。It is the distribution map of the measurement data which measured the imaging signal minimum value of Ref lot and Try lot. 図3中の両分布のUpIR及びUpIT側の裾を拡大して表示した拡大図である。It is the enlarged view which expanded and displayed the skirt by the side of UpIR and UpIT of both distribution in FIG. 図3中の両分布のLoIR及びLoIT側の裾を拡大して表示した拡大図である。It is the enlarged view which expanded and displayed the skirt by the side of LoIR and LoIT of both distribution in FIG. UpIR>UpITとなったときの両分布のUpIR及びUpIT側の裾を拡大して表示した拡大図である。It is the enlarged view which expanded and displayed the UpIR of the both distributions when UpIR> UpIT and the skirt on the UpIT side. LoIR>LoITとなったときの両分布のLoIR及びLoIT側の裾を拡大して表示した拡大図である。It is the enlarged view which expanded and displayed the LoIR of both distribution when LoIR> LoIT, and the skirt on the LoIT side. 測定項目別のPupの値を表示した棒グラフである。It is the bar graph which displayed the value of Pup for every measurement item. 測定項目別のPloの値を表示した棒グラフである。It is the bar graph which displayed the value of Plo for every measurement item. Refロットの測定データと、Tryロットの測定データとの比較を行う際のフローを示したフローチャート図である。It is the flowchart figure which showed the flow at the time of comparing the measurement data of a Ref lot, and the measurement data of a Try lot.

符号の説明Explanation of symbols

10 シリコンウェハ
11 イメージセンサ
13 テスタ装置
14 プローバ装置
35 PC
35a 測定データ比較プログラム
10 silicon wafer 11 image sensor 13 tester device 14 prober device 35 PC
35a Measurement data comparison program

Claims (3)

同一の測定項目について同一の測定環境で測定された2つの測定グループの一方に含まれる第1測定データと、前記測定グループの他方に含まれる第2測定データとを比較する測定データ比較方法において、
前記第1測定データのN(100>N>50)パーセンタイル値を第1上限基準値として求めるとともに、前記第1測定データの(100−N)パーセンタイル値を第1下限基準値として求める第1のステップと、
前記第2測定データのNパーセンタイル値を第2上限基準値として求めるとともに、前記第2測定データの(100−N)パーセンタイル値を第2下限基準値として求める第2のステップと、
前記第2上限基準値以下で前記第1上限基準値よりも大きい前記第2測定データの数を上限外れ数としてカウントする第3のステップと、
前記第2下限基準値以上で前記第1下限基準値よりも小さい前記第2測定データの数を下限外れ数としてカウントする第4のステップと、
前記第2測定データの全データ数に対する前記上限外れ数の割合と、前記全データ数に対する前記下限外れ数の割合とを求めた割合算出結果を表示する第5のステップとを備えることを特徴とする測定データの比較方法。
In a measurement data comparison method for comparing first measurement data included in one of two measurement groups measured in the same measurement environment with respect to the same measurement item, and second measurement data included in the other of the measurement groups,
A first (N) (100>N> 50) percentile value of the first measurement data is obtained as a first upper limit reference value, and a (100-N) percentile value of the first measurement data is obtained as a first lower limit reference value. Steps,
A second step of determining the Nth percentile value of the second measurement data as a second upper limit reference value and determining the (100-N) percentile value of the second measurement data as a second lower limit reference value;
A third step of counting the number of the second measurement data that is less than or equal to the second upper limit reference value and greater than the first upper limit reference value as an off-limit number;
A fourth step of counting the number of the second measurement data that is greater than or equal to the second lower limit reference value and smaller than the first lower limit reference value as an off-lower limit number;
And a fifth step of displaying a ratio calculation result obtained by determining a ratio of the number out of the upper limit with respect to the total number of data of the second measurement data and a ratio of the number out of the lower limit with respect to the total number of data. How to compare measured data.
前記測定項目は複数あり、
前記割合算出結果が所定の値を超えている前記測定項目の前記割合算出結果をグラフで表示する第6のステップを備えることを特徴とする請求項1記載の測定データの比較方法。
There are a plurality of the measurement items,
The measurement data comparison method according to claim 1, further comprising: a sixth step of displaying the ratio calculation result of the measurement item whose ratio calculation result exceeds a predetermined value in a graph.
請求項1または2記載の測定データ比較方法をコンピュータに実行させることを特徴とする測定データの比較プログラム。   A measurement data comparison program that causes a computer to execute the measurement data comparison method according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN110674126A (en) * 2019-10-12 2020-01-10 珠海格力电器股份有限公司 Method and system for obtaining abnormal data
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