JP2008004950A - Material for electroluminescent device, and electroluminescent device using the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a material for an electroluminescent device with which a buffer layer is formed without using water as its solvent, unlike a conventional polymeric material used for the buffer layer; and to provide an electroluminecsent device using the same. <P>SOLUTION: As shown in Fig. 1(A), the electroluminescent device includes a first electrode 101, a buffer layer 102, an electroluminescent film 103, and a second electrode. A material for forming the buffer layer 102 disposed on the first electrode 101 includes a polymer compound having a conjugate in the main chain or in a side chain as a polymeric material soluble in an organic solvent, and a conductive material soluble in an organic solvent containing a compound having donor property against the polymeric material above. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、一対の電極間に有機化合物を含む膜(以下、「電界発光膜」と記す)を設けた素子に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得られる電界発光素子に関する。特に導電性の高分子材料(電界発光素子用材料)をその一部に用いた電界発光素子に関する。   The present invention relates to an electroluminescent element in which fluorescence or phosphorescence can be obtained by applying an electric field to an element provided with a film containing an organic compound (hereinafter referred to as “electroluminescent film”) between a pair of electrodes. In particular, the present invention relates to an electroluminescent element using a conductive polymer material (electroluminescent element material) as a part thereof.

自発光、薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する材料を発光体として用いた電界発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイ、特に携帯機器への応用が期待されている。なお、電界発光素子をマトリクス状に配置した発光装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。   An electroluminescent element using a material having characteristics such as self-light-emitting, thin and light, high-speed response, and direct current low-voltage driving as a light emitter is expected to be applied to next-generation flat panel displays, particularly portable devices. Note that a light-emitting device in which electroluminescent elements are arranged in a matrix is considered to be superior to a conventional liquid crystal display device in that it has a wide viewing angle and excellent visibility.

電界発光素子の発光機構は、一対の電極間に電界発光膜を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が電界発光膜中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。   The light emitting mechanism of the electroluminescent element is such that electrons injected from the cathode and holes injected from the anode are regenerated at the emission center in the electroluminescent film by applying a voltage with the electroluminescent film sandwiched between a pair of electrodes. It is said that it combines to form molecular excitons, and emits energy by emitting energy when the molecular excitons return to the ground state. Singlet excitation and triplet excitation are known as excited states, and light emission is considered to be possible through either excited state.

このような発光装置を携帯機器に応用する場合において、低消費電力が要求されるため、電界発光素子の駆動電圧を低減することは重要な課題の1つである。   In the case where such a light emitting device is applied to a portable device, low power consumption is required. Therefore, reducing the driving voltage of the electroluminescent element is one of important issues.

これまで駆動電圧を低減させるための手法として、バッファー層を電極と電界発光膜との界面に設けるという試みがなされている。バッファー層には、低分子系材料を用いた場合と高分子系(ポリマー系)材料を用いた場合とがあり、具体的には低分子系では、陽極との界面に銅フタロシアニン(Cu−Pc)、m−MTDATAに代表されるスターバーストアミンと呼ばれる高分子量アリールアミン(文献1:Y.Shirota,Y.Kuwabara,H.Inada,T.Wakimoto,H.Nakada,Y.Yonemoto,S.Kawami and K.imai.:Appl.Phys.Lett.,65,807(1994))を用いたバッファー層を設けるという報告がなされている。なお、これらの材料はHOMO準位が高く、陽極を形成する電極材料の仕事関数に近い値を有するので正孔(ホール)の注入障壁を小さくすることができる。   To date, attempts have been made to provide a buffer layer at the interface between the electrode and the electroluminescent film as a technique for reducing the drive voltage. For the buffer layer, there are a case where a low molecular weight material is used and a case where a high molecular weight (polymer based) material is used. Specifically, in the case of a low molecular weight material, copper phthalocyanine (Cu—Pc) is formed at the interface with the anode. ), A high molecular weight arylamine called starburst amine represented by m-MTDATA (Reference 1: Y.Shirota, Y.Kuwabara, H.Inada, T.Wakimoto, H.Nakada, Y.Yonemoto, S.Kawami and K. imai .: Appl. Phys. Lett., 65, 807 (1994)) has been reported to provide a buffer layer. Note that these materials have high HOMO levels and have values close to the work function of the electrode material forming the anode, so that the hole injection barrier can be reduced.

また、高分子系では、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)(文献2:J.M.Bharathan and Y.Yang:Appl.Phys.Lett.,72,2660(1998))を陽極との界面にバッファー層として用いた例が報告されている。なお、PEDOTには、通常、ポリスチレンスルホン酸(PSS)がドーピングされており、導電性高分子として機能する導電性を有している。   In the polymer system, polyethylene dioxythiophene (PEDOT) (Reference 2: JMBharathan and Y. Yang: Appl. Phys. Lett., 72, 2660 (1998)) was used as a buffer layer at the interface with the anode. Examples have been reported. Note that PEDOT is usually doped with polystyrene sulfonic acid (PSS) and has conductivity that functions as a conductive polymer.

なお、高分子系の場合においては、電極との接合面積の大きい導電性高分子からなるバッファー層を設けることで、バッファー層を介して電極上に形成される発光層との密着性が増し、正孔注入効率を向上させることができるので、結果的に駆動電圧を低下させることができる。   In the case of a polymer system, by providing a buffer layer made of a conductive polymer having a large bonding area with the electrode, the adhesion with the light emitting layer formed on the electrode through the buffer layer is increased, Since the hole injection efficiency can be improved, the driving voltage can be lowered as a result.

また、最近では、高分子系材料であるトリフェニルアミン誘導体にルイス酸として機能する無機材料を作用させ、ラジカルカチオンを形成し、導電性を高くした層を電極との界面に用いるという方法も報告されている(文献3:A.Yamamori,C.Adachi,T.Koyama and Y.Taniguchi:Appl.Phys.Lett.,72,2147(1998))。   Recently, a method has been reported in which an inorganic material that functions as a Lewis acid is allowed to act on a triphenylamine derivative, which is a polymer material, to form a radical cation and use a layer with increased conductivity at the interface with the electrode. (Reference 3: A. Yamamori, C. Adachi, T. Koyama and Y. Taniguchi: Appl. Phys. Lett., 72, 2147 (1998)).

高分子系材料は、低分子系材料よりも取り扱いが容易で耐熱性が高いことから、バッファー層の形成において好ましい材料であるが、高分子系材料としてPEDOTを用いる場合には、導電性を得るためのドーパントとして有機スルホン酸を用いるため、溶媒として水を用いることが必須条件となっている。   A polymer material is a preferable material in forming a buffer layer because it is easier to handle and has higher heat resistance than a low-molecular material, but when PEDOT is used as a polymer material, conductivity is obtained. In order to use organic sulfonic acid as a dopant for this, it is an essential condition to use water as a solvent.

しかし、通常、電界発光素子は水によって著しい劣化を受けることが知られていることから、素子の信頼性向上のためには水を溶媒とすることなく高分子系材料を用いたバッファー層の作製が要求される。   However, since it is generally known that electroluminescent devices are significantly degraded by water, in order to improve the reliability of the device, a buffer layer made of a polymer material is used without using water as a solvent. Is required.

なお、高分子系材料に導電性を与えるためには、上述したように無機材料をドーパントとする方法があるが、この場合には、アンチモン(Sb)等の環境に対して有害な物質を用いる必要が有り、産業上好ましくない。   In order to impart conductivity to the polymer material, there is a method using an inorganic material as a dopant as described above. In this case, a substance harmful to the environment such as antimony (Sb) is used. There is a need, and this is not preferable in the industry.

そこで、本発明では、従来のバッファー層に用いた高分子系材料とは異なり、水を溶媒とせずにバッファー層を形成することができる環境に優しい電界発光素子用材料を提供し、さらにこのような電界発光素子用材料を用いることにより電極からのキャリアの注入性を向上させ、素子の駆動電圧を低減させると共に信頼性を高めることが可能な電界発光素子を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention provides an environment-friendly electroluminescent element material that can form a buffer layer without using water as a solvent, unlike a polymer material used for a conventional buffer layer. An object of the present invention is to provide an electroluminescent device capable of improving the injectability of carriers from an electrode by using such a material for an electroluminescent device, reducing the drive voltage of the device, and improving the reliability.

そこで、本発明者は、上記課題を解決するために図1(A)に示すような第1の電極101、バッファー層102、電界発光膜103、および第2の電極を有する電界発光素子において、第1の電極101上に形成されるバッファー層102を形成する材料として有機溶媒に可溶で、主鎖、または側鎖に共役を含む高分子化合物(いわゆる共役系高分子)と、有機溶媒に可溶で、なおかつ前記高分子化合物に対してアクセプター性またはドナー性を有する化合物とを含む導電性の材料を用いることを考えた。   Therefore, in order to solve the above problems, the present inventor, in an electroluminescent element having a first electrode 101, a buffer layer 102, an electroluminescent film 103, and a second electrode as shown in FIG. As a material for forming the buffer layer 102 formed on the first electrode 101, a polymer compound (so-called conjugated polymer) that is soluble in an organic solvent and includes a conjugate in the main chain or side chain, and an organic solvent It was considered to use a conductive material that is soluble and contains an acceptor property or a donor property with respect to the polymer compound.

なお、本発明におけるバッファー層102の作製において、有機溶媒に可溶なアクセプター性またはドナー性を有する化合物としては、非プロトン性、または中性の化合物を用いることが特徴である。また、共役系高分子化合物としては、有機溶媒に溶解すれば何でも良いが、特にアクセプター性の化合物、もしくはドナー性の化合物のいずれかをドーピングすることにより陽極からの正孔(ホール)の注入性、もしくは陰極からの電子の注入性の高いバッファー層の両方が形成可能となるレドックスポリマー(酸化還元性高分子)を用いることが好ましい。   Note that in the preparation of the buffer layer 102 in the present invention, as the compound having an acceptor property or a donor property that is soluble in an organic solvent, an aprotic or neutral compound is used. The conjugated polymer compound is not particularly limited as long as it is dissolved in an organic solvent. In particular, by injecting holes from the anode by doping either an acceptor compound or a donor compound. Alternatively, it is preferable to use a redox polymer (a redox polymer) capable of forming both a buffer layer with a high electron injection property from the cathode.

なお、上記有機溶媒に可溶であり、主鎖、または側鎖に共役を含む高分子化合物(共役系高分子)には、構造単位の繰返しの数(重合度)が2〜20程度の低重合体(オリゴマー)を含むこととする。   The polymer compound that is soluble in the organic solvent and contains conjugation in the main chain or side chain (conjugated polymer) has a low number of repeating structural units (degree of polymerization) of about 2 to 20. A polymer (oligomer) is included.

ここで、本発明のバッファー層102において生じる反応を図1(B)に示す。なお、バッファー層102が共役系高分子とアクセプター性の化合物(図中では、アクセプターと略す)からなる場合には、アクセプター性の化合物により共役系高分子中の電子が引き抜かれ、その結果、共役系高分子がキャリア(ホール)として存在することになる。つまり、この場合には、バッファー層102と接して形成される電極は陽極となる。一方、バッファー層102が共役系高分子とドナー性の化合物(図中では、ドナーと略す)からなる場合には、ドナー性の化合物により共役系高分子に対して電子が与えられ、その結果、共役系高分子がキャリア(電子)として存在することになる。つまり、この場合には、バッファー層102と接して形成される電極は陰極となる。   Here, the reaction occurring in the buffer layer 102 of the present invention is shown in FIG. Note that in the case where the buffer layer 102 includes a conjugated polymer and an acceptor compound (abbreviated as an acceptor in the drawing), electrons in the conjugated polymer are extracted by the acceptor compound, and as a result, conjugation occurs. The polymer is present as a carrier (hole). That is, in this case, the electrode formed in contact with the buffer layer 102 is an anode. On the other hand, when the buffer layer 102 is composed of a conjugated polymer and a donor compound (abbreviated as a donor in the figure), electrons are given to the conjugated polymer by the donor compound, and as a result, The conjugated polymer exists as a carrier (electron). That is, in this case, the electrode formed in contact with the buffer layer 102 is a cathode.

図1(C)には、バッファー層102が共役系高分子とアクセプター性の化合物とから形成される場合の概念図を示す。この場合、第1の電極(陽極)101は、共役系高分子中に存在するアクセプター準位から電子の引き抜きを行い、同時にアクセプター準位にホールをバッファー層中に注入する。なお、注入されたホールは、バッファー層におけるHOMO準位に移動し、さらに、電界発光膜103のHOMO準位に移動する。なお、この場合において、第1の電極101からバッファー層への移動は、エネルギー差がほとんどないところで行われるために容易に行われる。また、注入されたホールがアクセプター準位から電界発光膜103のHOMO準位へ移動する場合も直接第1の電極101から注入される場合に比べてエネルギー差が緩和されているので、第1の電極からのホールの注入性を向上させることができる。   FIG. 1C shows a conceptual diagram in the case where the buffer layer 102 is formed from a conjugated polymer and an acceptor compound. In this case, the first electrode (anode) 101 extracts electrons from the acceptor level present in the conjugated polymer, and simultaneously injects holes into the buffer layer at the acceptor level. Note that the injected holes move to the HOMO level in the buffer layer, and further move to the HOMO level of the electroluminescent film 103. Note that in this case, the movement from the first electrode 101 to the buffer layer is easily performed because it is performed where there is almost no energy difference. In addition, when the injected holes move from the acceptor level to the HOMO level of the electroluminescent film 103, the energy difference is reduced compared to the case where the injected holes are directly injected from the first electrode 101. The hole injectability from the electrode can be improved.

また、図1(D)には、バッファー層102が共役系高分子とドナー性の化合物とから形成される場合の概念図を示す。この場合、第1の電極(陰極)101から共役系高分子中に存在するドナー準位に電子の注入が行われる。なお、注入された電子は、バッファー層102におけるLUMO準位に移動し、さらに、電界発光膜103のLUMO準位に移動する。なお、この場合において、第1の電極101からバッファー層への移動は、エネルギー差がほとんどないところで行われるために容易に行われる。また、注入された電子がバッファー層102におけるLUMO準位から電界発光膜103のLUMO準位へ移動する場合も直接第1の電極101から注入される場合に比べてエネルギー差が緩和されているので第1の電極からの電子の注入性を向上させることができる。   FIG. 1D shows a conceptual diagram in the case where the buffer layer 102 is formed of a conjugated polymer and a donor compound. In this case, electrons are injected from the first electrode (cathode) 101 to the donor level existing in the conjugated polymer. The injected electrons move to the LUMO level in the buffer layer 102 and further move to the LUMO level of the electroluminescent film 103. Note that in this case, the movement from the first electrode 101 to the buffer layer is easily performed because it is performed where there is almost no energy difference. Further, when the injected electrons move from the LUMO level in the buffer layer 102 to the LUMO level of the electroluminescent film 103, the energy difference is reduced compared to the case where the injected electrons are directly injected from the first electrode 101. The injectability of electrons from the first electrode can be improved.

本発明の構成は、 主鎖、または側鎖に共役を含む高分子化合物と、下記一般式〔1〕〜〔7〕で示されるアクセプター性を有する化合物のうちのいずれか一とを組み合わせてなる電界発光素子用材料である。
一般式〔1〕

Figure 2008004950
一般式〔2〕
Figure 2008004950
一般式〔3〕
Figure 2008004950
一般式〔4〕
Figure 2008004950
一般式〔5〕
Figure 2008004950
一般式〔6〕
Figure 2008004950
一般式〔7〕
Figure 2008004950
The constitution of the present invention is a combination of a polymer compound containing conjugation in the main chain or side chain and any one of the compounds having acceptor properties represented by the following general formulas [1] to [7]. It is a material for an electroluminescent element.
General formula [1]
Figure 2008004950
General formula [2]
Figure 2008004950
General formula [3]
Figure 2008004950
General formula [4]
Figure 2008004950
General formula [5]
Figure 2008004950
General formula [6]
Figure 2008004950
General formula [7]
Figure 2008004950

また、本発明の別の構成は、 主鎖、または側鎖に共役を含む高分子化合物と、下記一般式〔8〕〜〔11〕で示されるドナー性を有する化合物のうちのいずれか一とを組み合わせてなる電界発光素子用材料である。
一般式〔8〕

Figure 2008004950
一般式〔9〕
Figure 2008004950
一般式〔10〕
Figure 2008004950
一般式〔11〕
Figure 2008004950
Another structure of the present invention is that any one of a polymer compound including conjugation in a main chain or a side chain, and a compound having a donor property represented by the following general formulas [8] to [11] It is the material for electroluminescent elements which combines these.
General formula [8]
Figure 2008004950
General formula [9]
Figure 2008004950
General formula [10]
Figure 2008004950
General formula [11]
Figure 2008004950

さらに本発明の別の構成は、陽極、バッファー層、電界発光層、および陰極を有する電界発光素子であって、 前記陽極と接して形成される前記バッファー層に主鎖、または側鎖に共役を含む高分子化合物と、上記一般式〔1〕〜〔7〕で示されるアクセプター性を有する化合物のうちのいずれか一とを組み合わせてなる電界発光素子用材料を用いたことを特徴とする電界発光素子である。   Furthermore, another configuration of the present invention is an electroluminescent device having an anode, a buffer layer, an electroluminescent layer, and a cathode, wherein the buffer layer formed in contact with the anode is conjugated to a main chain or a side chain. Electroluminescence characterized by using an electroluminescent element material comprising a combination of a polymer compound containing the compound and any one of the compounds having an acceptor property represented by the above general formulas [1] to [7] It is an element.

さらに本発明の別の構成は、陽極、バッファー層、電界発光層、および陰極を有する電界発光素子であって、 前記陰極と接して形成される前記バッファー層に主鎖、または側鎖に共役を含む高分子化合物と、上記一般式〔8〕〜〔11〕で示されるドナー性を有する化合物のうちのいずれか一とを組み合わせてなる電界発光素子用材料を用いたことを特徴とする電界発光素子である。   Furthermore, another configuration of the present invention is an electroluminescent device having an anode, a buffer layer, an electroluminescent layer, and a cathode, wherein the buffer layer formed in contact with the cathode is conjugated to a main chain or a side chain. Electroluminescence characterized by using an electroluminescent element material comprising a combination of a polymer compound containing the compound and any one of the compounds having donor properties represented by the general formulas [8] to [11]. It is an element.

本発明の電界発光素子用材料を用いることにより、従来の高分子系材料を用いてバッファー層を形成する場合と異なり、水を溶媒とすることなくバッファー層を形成することができる。なお、本発明の電界発光素子用材料を用いて形成された電界発光素子において、電極からのキャリアの注入性を向上させ、素子の駆動電圧を低減させると共に信頼性を高めることが可能となる。   By using the electroluminescent element material of the present invention, the buffer layer can be formed without using water as a solvent, unlike the case where the buffer layer is formed using a conventional polymer material. Note that in an electroluminescent element formed using the electroluminescent element material of the present invention, the carrier injectability from the electrode can be improved, the driving voltage of the element can be reduced, and the reliability can be increased.

以下に、本発明の実施の形態について説明する。
(実施の形態1)
本実施の形態1においては、図2に示すように第1の電極上にバッファー層202が形成され、バッファー層202の上には、電界発光膜203および第2の電極204がそれぞれ形成される場合であって、バッファー層202は、本明細書中の課題を解決するための手段で示したように主鎖、または側鎖に共役を含む化合物(以下、共役系高分子という)と、アクセプター性を有する一般式〔1〕で示されるパラベンゾキノン誘導体、一般式〔2〕で示されるナフトキノン誘導体、一般式〔3〕で示されるテトラシアノキノジメタン誘導体またはジシアノキノジイミン誘導体、一般式〔4〕で示される化合物、一般式〔5〕で示される化合物、一般式〔6〕で示される化合物、または一般式〔7〕で示される化合物のうちのいずれか一とを組み合わせて形成することを特徴とする。
Embodiments of the present invention will be described below.
(Embodiment 1)
In the first embodiment, as shown in FIG. 2, the buffer layer 202 is formed on the first electrode, and the electroluminescent film 203 and the second electrode 204 are formed on the buffer layer 202, respectively. In this case, the buffer layer 202 includes a compound containing conjugation in the main chain or side chain (hereinafter referred to as a conjugated polymer) and an acceptor as shown in the means for solving the problems in this specification. A parabenzoquinone derivative represented by the general formula [1], a naphthoquinone derivative represented by the general formula [2], a tetracyanoquinodimethane derivative or a dicyanoquinodiimine derivative represented by the general formula [3], 4], a compound represented by the general formula [5], a compound represented by the general formula [6], or a compound represented by the general formula [7]. And forming together look.

なお、一般式〔1〕〜〔7〕で示されるアクセプター性を有する化合物の具体例について、以下の化学式(A1)〜(A8)にそれぞれ示す。

Figure 2008004950
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Specific examples of the compounds having acceptor properties represented by the general formulas [1] to [7] are shown in the following chemical formulas (A1) to (A8), respectively.
Figure 2008004950
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なお、本実施の形態1の場合には、バッファー層202は、アクセプター性を有する材料で形成されるので、第1の電極201は陽極として機能する。また、第1の電極201は陽極として機能する電極であるため、仕事関数の大きい陽極材料で形成されるのが好ましいが、バッファー層202の形成により正孔(ホール)の注入性が向上しているため、必ずしも仕事関数の大きい材料を用いる必要はない。   Note that in the case of Embodiment Mode 1, since the buffer layer 202 is formed using an acceptor material, the first electrode 201 functions as an anode. In addition, since the first electrode 201 is an electrode that functions as an anode, the first electrode 201 is preferably formed using an anode material having a high work function. However, formation of the buffer layer 202 improves hole injectability. Therefore, it is not always necessary to use a material having a high work function.

しかし、ここでは素子特性をより向上させるために第1の電極201を形成する陽極材料として酸化インジウム・スズ(ITO:indium tin oxide)からなる透明性導電膜を用いることとする(図2(B))。   However, a transparent conductive film made of indium tin oxide (ITO) is used here as an anode material for forming the first electrode 201 in order to further improve element characteristics (FIG. 2B )).

次に、第1の電極201上にバッファー層202が形成される。なお、バッファー層202を形成する材料としては、先に示した材料を組み合わせて用いることができるが、ここでは、図2(B)に示すように共役系高分子としてエメラルディン・ベース・ポリアニリン(以下、EB−PAniと示す)を用い、アクセプター性分子としてテトラシアノキノジメタン(以下、TCNQ)を用い、20〜50nm(好ましくは30nm)の膜厚で形成される。   Next, the buffer layer 202 is formed over the first electrode 201. Note that as the material for forming the buffer layer 202, any of the materials described above can be used in combination, but here, as shown in FIG. 2B, emeraldine-based polyaniline (as a conjugated polymer) Hereinafter, it is formed with a film thickness of 20 to 50 nm (preferably 30 nm) using tetracyanoquinodimethane (hereinafter TCNQ) as an acceptor molecule using EB-PAni.

次に、バッファー層202上に電界発光膜203が形成される。電界発光膜203は、単一の材料で形成されていても良いが、複数の材料によって形成された積層構造としても良い。   Next, an electroluminescent film 203 is formed on the buffer layer 202. The electroluminescent film 203 may be formed of a single material, but may have a stacked structure formed of a plurality of materials.

なお、積層構造の場合には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層(ブロッキング層)、電子輸送層、電子注入層などの各機能を有する層を組み合わせて、少なくとも発光性を有する層を含む構成にすればよい。   In the case of a laminated structure, at least a layer having each function such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer (blocking layer), an electron transport layer, an electron injection layer is combined. A structure including a layer having a light-emitting property may be used.

本実施の形態1では、図2(B)に示すように電界発光膜203を正孔輸送層211および電子輸送層212との積層構造で形成することとする。具体的には、正孔輸送層211は正孔輸送性の材料である4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(以下、α−NPDと示す)を30nmの膜厚とし、電子輸送層212を電子輸送性の材料であるトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq3と示す)を50nmの膜厚とすることにより形成する。なお、この積層構造の場合には、電子輸送層212を形成するAlq3が発光性を有する。 In Embodiment Mode 1, the electroluminescent film 203 is formed to have a stacked structure of a hole transport layer 211 and an electron transport layer 212 as shown in FIG. Specifically, the hole transporting layer 211 is 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] -biphenyl (hereinafter referred to as α-NPD) which is a hole transporting material. ) With a thickness of 30 nm, and the electron transport layer 212 is formed with a thickness of 50 nm of tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter referred to as Alq 3 ), which is an electron transporting material. In the case of this stacked structure, Alq 3 forming the electron transport layer 212 has a light emitting property.

次に、電界発光膜203上に第2の電極204が形成される。なお、第2の電極204は陰極として機能する電極であるため仕事関数の小さい陰極材料(具体的には、仕事関数が3.5eV以下の材料)で形成される。なお、第2の電極204は、単一の材料で形成された単層構造であっても良いが、複数の材料からなる積層構造で形成されていても良い。本実施の形態1では、図2(B)に示すようにフッ化リチウム(LiF)を2nm、アルミニウム(Al)を100nmの膜厚としたものを積層することにより陰極204が形成される場合について示す。なお、この場合には、LiFを用いることにより陰極204の仕事関数を小さくすることができると共に、Alを用いることにより陰極204の導電性を高めるという2つの機能を兼ね備えた電極形成が実現できる。なお、陰極材料としては、仕事関数の小さい公知の材料を自由に組み合わせて用いることができる。   Next, the second electrode 204 is formed over the electroluminescent film 203. Note that the second electrode 204 is an electrode that functions as a cathode, and thus is formed using a cathode material having a low work function (specifically, a material having a work function of 3.5 eV or less). Note that the second electrode 204 may have a single-layer structure formed of a single material, but may have a stacked structure of a plurality of materials. In the first embodiment, as shown in FIG. 2B, the cathode 204 is formed by stacking lithium fluoride (LiF) with a thickness of 2 nm and aluminum (Al) with a thickness of 100 nm. Show. In this case, it is possible to form an electrode having both functions of reducing the work function of the cathode 204 by using LiF and increasing the conductivity of the cathode 204 by using Al. As the cathode material, known materials having a small work function can be used in any combination.

以上より、電界発光素子のバッファー層に、主鎖、または側鎖に共役を含む化合物(以下、共役系高分子という)と、アクセプター性を有する一般式〔1〕で示されるパラベンゾキノン誘導体、一般式〔2〕で示されるナフトキノン誘導体、一般式〔3〕で示されるテトラシアノキノジメタン誘導体またはジシアノキノジイミン誘導体、一般式〔4〕で示される化合物、一般式〔5〕で示される化合物、一般式〔6〕で示される化合物、または一般式〔7〕で示される化合物のうちのいずれか一とを組み合わせた材料(電界発光素子用材料)を用いることにより、水を溶媒としないバッファー層を形成することができる。なお、このバッファー層を形成することにより電極(本実施の形態1では、陽極)からのキャリア(正孔)の注入性が向上するため、素子の駆動電圧を低減させると共に信頼性の高い電界発光素子が形成される。   As described above, a compound containing conjugation in the main chain or side chain (hereinafter referred to as a conjugated polymer), a parabenzoquinone derivative represented by the general formula [1] having acceptor properties, A naphthoquinone derivative represented by the formula [2], a tetracyanoquinodimethane derivative or a dicyanoquinodiimine derivative represented by the general formula [3], a compound represented by the general formula [4], a compound represented by the general formula [5] A buffer that does not use water as a solvent by using a material (electroluminescent device material) in combination with any one of the compound represented by the general formula [6] or the compound represented by the general formula [7] A layer can be formed. Note that by forming this buffer layer, the carrier (hole) injection property from the electrode (in the first embodiment, the anode) is improved, so that the driving voltage of the element is reduced and the electroluminescence is highly reliable. An element is formed.

(実施の形態2)
本実施の形態2においては、図3に示すように第1の電極301上にバッファー層302が形成され、バッファー層302の上には、電界発光膜303および第2の電極304がそれぞれ形成される場合であって、バッファー層302は、主鎖、または側鎖に共役を含む化合物(以下、共役系高分子という)と、ドナー性を有する一般式〔8〕で示される化合物、一般式〔9〕で示される化合物、一般式〔10〕で示される化合物、および一般式〔11〕で示される化合物のうちのいずれか一とを組み合わせて形成することを特徴とする。
(Embodiment 2)
In the second embodiment, as shown in FIG. 3, a buffer layer 302 is formed on the first electrode 301, and an electroluminescent film 303 and a second electrode 304 are formed on the buffer layer 302, respectively. In this case, the buffer layer 302 includes a compound containing conjugation in the main chain or side chain (hereinafter referred to as a conjugated polymer), a compound represented by the general formula [8] having a donor property, the general formula [ And 9], a compound represented by the general formula [10], and a compound represented by the general formula [11].

なお、上記一般式〔8〕〜〔11〕で示されるドナー性を有する化合物の具体例について、以下の化学式(D1)〜(D4)にそれぞれ示す。

Figure 2008004950
Figure 2008004950
Figure 2008004950
Figure 2008004950
Specific examples of the compound having donor properties represented by the general formulas [8] to [11] are shown in the following chemical formulas (D1) to (D4), respectively.
Figure 2008004950
Figure 2008004950
Figure 2008004950
Figure 2008004950

なお、本実施の形態2の場合には、バッファー層302は、ドナー性を有する材料で形成されるので、第1の電極301は陰極として機能する。また、第1の電極301は陰極として機能する電極であるため、仕事関数の小さい陰極材料で形成されるのが好ましいが、バッファー層302の形成により電子の注入性が向上しているため、必ずしも仕事関数の小さい材料を用いる必要はない。   Note that in the case of Embodiment Mode 2, since the buffer layer 302 is formed using a material having a donor property, the first electrode 301 functions as a cathode. In addition, since the first electrode 301 is an electrode that functions as a cathode, the first electrode 301 is preferably formed using a cathode material having a low work function. However, the formation of the buffer layer 302 improves the electron injecting property, so the first electrode 301 is not necessarily formed. It is not necessary to use a material with a low work function.

なお、ここでは第1の電極301を形成する陰極材料として120nm程度の膜厚で形成したAlを用いることとする(図3(B))。   Note that here, as the cathode material for forming the first electrode 301, Al formed with a thickness of about 120 nm is used (FIG. 3B).

次に、第1の電極301上にバッファー層302が形成される。なお、バッファー層302を形成する材料としては、先に示した材料を組み合わせて用いることができるが、ここでは、図3(B)に示すように共役系高分子としてEB−PAniを用い、ドナー性高分子としてテトラチオフルバレン(以下、TTFと示す)を用い、20〜50nm(好ましくは30nm)の膜厚で形成される。   Next, the buffer layer 302 is formed over the first electrode 301. Note that as a material for forming the buffer layer 302, any of the materials described above can be used in combination, but here, EB-PAni is used as a conjugated polymer as shown in FIG. Tetrathiofulvalene (hereinafter referred to as TTF) is used as the conductive polymer, and the film thickness is 20 to 50 nm (preferably 30 nm).

次に、バッファー層302上に電界発光膜303が形成される。電界発光膜303は、単一の材料で形成されていても良いが、複数の材料によって形成された積層構造としても良い。   Next, an electroluminescent film 303 is formed on the buffer layer 302. The electroluminescent film 303 may be formed of a single material, but may have a stacked structure formed of a plurality of materials.

なお、積層構造の場合には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層(ブロッキング層)、電子輸送層、電子注入層などの各機能を有する層を組み合わせて、少なくとも発光性を有する層を含む構成にすればよい。   In the case of a laminated structure, at least a layer having each function such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer (blocking layer), an electron transport layer, an electron injection layer is combined. A structure including a layer having a light-emitting property may be used.

本実施の形態2では、図3(B)に示すように電界発光膜303を電子輸送層311、正孔輸送層312、および正孔注入層313との積層構造で形成することとする。具体的には、電子輸送層311は電子輸送性の材料であるAlq3を50nmの膜厚とし、正孔輸送層312は正孔輸送性の材料であるα−NPDを30nmの膜厚とし、正孔注入層313は正孔輸送性の材料である銅フタロシアニン(以下、Cu−Pcと示す)を20nmの膜厚とすることにより形成する。
なお、この積層構造の場合には、電子輸送層311を形成するAlq3が発光性を有する。
In Embodiment Mode 2, as shown in FIG. 3B, the electroluminescent film 303 is formed to have a stacked structure of an electron transport layer 311, a hole transport layer 312, and a hole injection layer 313. Specifically, the electron transport layer 311 has an electron transport material of Alq 3 having a film thickness of 50 nm, the hole transport layer 312 has a hole transport material of α-NPD of 30 nm, The hole injection layer 313 is formed by setting copper phthalocyanine (hereinafter referred to as Cu-Pc), which is a hole transporting material, to a thickness of 20 nm.
In the case of this stacked structure, Alq 3 forming the electron transport layer 311 has a light emitting property.

次に、電界発光膜303上に第2の電極304が形成される。なお、第2の電極304は陽極として機能する電極であるため仕事関数の大きい陽極材料(具体的には、仕事関数が4.0eV以上の材料)で形成される。なお、第2の電極304は、単一の材料で形成された単層構造であっても良いが、複数の材料からなる積層構造で形成されていても良い。本実施の形態2では、図3(B)に示すように金(Au)を20nmの膜厚としたものを積層することにより第2の電極304が形成される場合について示す。なお、第2の電極304に用いる陽極材料としては、仕事関数の大きい公知の材料を自由に組み合わせて用いることができる。   Next, the second electrode 304 is formed over the electroluminescent film 303. Note that since the second electrode 304 is an electrode functioning as an anode, the second electrode 304 is formed using an anode material having a high work function (specifically, a material having a work function of 4.0 eV or more). Note that the second electrode 304 may have a single-layer structure formed using a single material, but may also be formed using a stacked structure including a plurality of materials. In Embodiment Mode 2, as shown in FIG. 3B, a case where the second electrode 304 is formed by stacking gold (Au) films having a thickness of 20 nm is described. Note that as the anode material used for the second electrode 304, a known material having a high work function can be used in any combination.

以上より、電界発光素子のバッファー層に、主鎖、または側鎖に共役を含む化合物(以下、共役系高分子という)と、ドナー性を有する一般式〔8〕で示される化合物、一般式〔9〕で示される化合物、一般式〔10〕で示される化合物、および一般式〔11〕で示される化合物のうちのいずれか一とを組み合わせた材料(電界発光素子用材料)を用いることにより、水を溶媒としないバッファー層を形成することができる。なお、このバッファー層を形成することにより電極(本実施の形態2では、陰極)からのキャリア(電子)の注入性が向上するため、素子の駆動電圧を低減させると共に信頼性の高い電界発光素子が形成される。   From the above, in the buffer layer of the electroluminescent device, the compound containing conjugation in the main chain or side chain (hereinafter referred to as conjugated polymer), the compound represented by the general formula [8] having donor properties, the general formula [ By using a material (electroluminescent device material) in combination with any one of the compound represented by 9], the compound represented by the general formula [10], and the compound represented by the general formula [11], A buffer layer that does not use water as a solvent can be formed. Note that the formation of this buffer layer improves the injectability of carriers (electrons) from the electrode (in the second embodiment, the cathode), so that the driving voltage of the element is reduced and the electroluminescent element is highly reliable. Is formed.

(実施の形態3)
本実施の形態3では、本発明の電界発光素子についてその電気特性を測定した結果を示す。なお、測定に用いる電界発光素子の構造は、実施の形態1で説明したように陽極上にバッファー層が接して形成された構造とする。
(Embodiment 3)
In this Embodiment 3, the result of having measured the electrical property about the electroluminescent element of this invention is shown. Note that the structure of the electroluminescent element used for measurement is a structure in which the buffer layer is formed in contact with the anode as described in the first embodiment.

また、本発明の材料を用いて形成されたバッファー層を設けることによる効果を比較するために(1)バッファー層なしの場合、(2)バッファー層にCu−Pcを用いた場合、(3)本発明のバッファー層(EB−PAni+TCNQ)
を有する場合の3通りの電界発光素子を作製し、その特性を測定した。
Moreover, in order to compare the effect by providing the buffer layer formed using the material of this invention, (1) When there is no buffer layer, (2) When Cu-Pc is used for a buffer layer, (3) Buffer layer of the present invention (EB-PAni + TCNQ)
Three types of electroluminescent elements were prepared, and the characteristics were measured.

上記3通りの素子としては、(1)バッファー層なしの場合には、ITO(120nm)(陽極)/α−NPD(50nm)/Alq3(50nm)/CaF(2nm)/Al(100nm)(陰極)の順に積層形成された素子を用い、(2)バッファー層にCu−Pcを用いた場合には、ITO(120nm)(陽極)/Cu−Pc(20nm)(バッファー層)/α−NPD(30nm)/Alq3(50nm)/CaF(2nm)/Al(100nm)(陰極)の順に積層形成された素子を用い、(3)本発明のバッファー層(EB−PAni+TCNQ)を有する場合には、ITO(120nm)(陽極)/(EB−PAni+TCNQ)(30nm程度)(バッファー層)/α−NPD(30nm)/Alq3(50nm)/CaF(2nm)/Al(100nm)(陰極)の順に積層形成された素子をそれぞれ用いる。 As the above three elements, (1) without a buffer layer, ITO (120 nm) (anode) / α-NPD (50 nm) / Alq 3 (50 nm) / CaF (2 nm) / Al (100 nm) ( In the case of using an element laminated in the order of (cathode) and (2) using Cu-Pc for the buffer layer, ITO (120 nm) (anode) / Cu-Pc (20 nm) (buffer layer) / α-NPD In the case of using an element laminated in the order of (30 nm) / Alq 3 (50 nm) / CaF (2 nm) / Al (100 nm) (cathode), and (3) having the buffer layer (EB-PAni + TCNQ) of the present invention , ITO (120nm) (anode) / (EB-PAni + TCNQ ) ( about 30 nm) (buffer layer) / α-NPD (30nm) / Alq 3 (50nm) / CaF Used 2nm) / Al (100nm) (the elements are stacked in this order cathode), respectively.

測定結果は、図4に示す通りであり、(3)の本発明のバッファー層を有する電界発光素子が最も駆動電圧が低いという結果が得られた。(2)に示すCu―Pcを用いた場合よりも駆動電圧が低いことは、(3)のバッファー層に導電性があること(アクセプターのドープによる)、さらに高分子膜で形成されることによる膜の平坦性等が起因しているものと思われる。   The measurement results are as shown in FIG. 4, and the result (3) that the electroluminescent device having the buffer layer of the present invention has the lowest driving voltage was obtained. The driving voltage is lower than that in the case of using Cu—Pc shown in (2) because the buffer layer in (3) has conductivity (due to acceptor doping) and is formed of a polymer film. This is probably due to the flatness of the film.

本発明の電界発光素子について説明する図。FIG. 6 illustrates an electroluminescent element of the present invention. 陽極側にバッファー層を有する電界発光素子について説明する図。The figure explaining the electroluminescent element which has a buffer layer in the anode side. 陰極側にバッファー層を有する電界発光素子について説明する図。3A and 3B illustrate an electroluminescent element having a buffer layer on the cathode side. 電界発光素子の電気特性について測定した結果を示す図。The figure which shows the result measured about the electrical property of an electroluminescent element.

符号の説明Explanation of symbols

101 第1の電極
102 バッファー層
103 電界発光膜
104 第2の電極
101 First electrode 102 Buffer layer 103 Electroluminescent film 104 Second electrode

Claims (10)

有機溶媒に可溶で、主鎖または側鎖に共役を含む高分子化合物、および下記一般式〔8〕で示される化合物からなる電界発光素子用材料。
一般式〔8〕
Figure 2008004950
A material for an electroluminescent device comprising a polymer compound soluble in an organic solvent and containing a conjugate in the main chain or side chain, and a compound represented by the following general formula [8].
General formula [8]
Figure 2008004950
有機溶媒に可溶で、主鎖または側鎖に共役を含む高分子化合物、および下記一般式〔9〕で示される化合物からなる電界発光素子用材料。
一般式〔9〕
Figure 2008004950
A material for an electroluminescent device comprising a polymer compound soluble in an organic solvent and containing a conjugate in the main chain or side chain, and a compound represented by the following general formula [9].
General formula [9]
Figure 2008004950
有機溶媒に可溶で、主鎖または側鎖に共役を含む高分子化合物、および下記一般式〔10〕で示される化合物からなる電界発光素子用材料。
一般式〔10〕
Figure 2008004950
A material for an electroluminescent device comprising a polymer compound soluble in an organic solvent and containing a conjugate in the main chain or side chain, and a compound represented by the following general formula [10].
General formula [10]
Figure 2008004950
有機溶媒に可溶で、主鎖または側鎖に共役を含む高分子化合物、および下記一般式〔11〕で示される化合物からなる電界発光素子用材料。
一般式〔11〕
Figure 2008004950
A material for an electroluminescent device comprising a polymer compound soluble in an organic solvent and containing a conjugate in the main chain or side chain, and a compound represented by the following general formula [11].
General formula [11]
Figure 2008004950
請求項1乃至4のいずれか一において、前記有機溶媒に可溶で、主鎖または側鎖に共役を含む高分子化合物は、エメラルディン状態のポリアニリンであることを特徴とする電界発光素子用材料。   5. The material for an electroluminescent device according to claim 1, wherein the polymer compound that is soluble in the organic solvent and includes a conjugate in the main chain or side chain is polyaniline in an emeraldine state. . 陽極、電界発光層、バッファー層、および陰極を有する電界発光素子であって、
前記陰極と接して形成される前記バッファー層として、有機溶媒に可溶で、主鎖または側鎖に共役を含む高分子化合物、および下記一般式〔8〕で示される化合物からなる電界発光素子用材料を用いたことを特徴とする電界発光素子。
一般式〔8〕
Figure 2008004950
An electroluminescent device having an anode, an electroluminescent layer, a buffer layer, and a cathode,
As the buffer layer formed in contact with the cathode, for an electroluminescent device comprising a polymer compound soluble in an organic solvent and containing a conjugate in the main chain or side chain, and a compound represented by the following general formula [8] An electroluminescent element using a material.
General formula [8]
Figure 2008004950
陽極、電界発光層、バッファー層、および陰極を有する電界発光素子であって、
前記陰極と接して形成される前記バッファー層として、有機溶媒に可溶で、主鎖または側鎖に共役を含む高分子化合物、および下記一般式〔9〕で示される化合物からなる電界発光素子用材料を用いたことを特徴とする電界発光素子。
一般式〔9〕
Figure 2008004950
An electroluminescent device having an anode, an electroluminescent layer, a buffer layer, and a cathode,
As the buffer layer formed in contact with the cathode, for an electroluminescent device comprising a polymer compound soluble in an organic solvent and containing a conjugate in the main chain or side chain, and a compound represented by the following general formula [9] An electroluminescent element using a material.
General formula [9]
Figure 2008004950
陽極、電界発光層、バッファー層、および陰極を有する電界発光素子であって、
前記陰極と接して形成される前記バッファー層として、有機溶媒に可溶で、主鎖または側鎖に共役を含む高分子化合物、および下記一般式〔10〕で示される化合物からなる電界発光素子用材料を用いたことを特徴とする電界発光素子。
一般式〔10〕
Figure 2008004950
An electroluminescent device having an anode, an electroluminescent layer, a buffer layer, and a cathode,
As the buffer layer formed in contact with the cathode, for an electroluminescent device comprising a polymer compound soluble in an organic solvent and containing a conjugate in the main chain or side chain, and a compound represented by the following general formula [10] An electroluminescent element using a material.
General formula [10]
Figure 2008004950
陽極、電界発光層、バッファー層、および陰極を有する電界発光素子であって、
前記陰極と接して形成される前記バッファー層として、有機溶媒に可溶で、主鎖または側鎖に共役を含む高分子化合物、および下記一般式〔11〕で示される化合物からなる電界発光素子用材料を用いたことを特徴とする電界発光素子。
一般式〔11〕
Figure 2008004950
An electroluminescent device having an anode, an electroluminescent layer, a buffer layer, and a cathode,
As the buffer layer formed in contact with the cathode, for an electroluminescent device comprising a polymer compound soluble in an organic solvent and containing a conjugate in the main chain or side chain, and a compound represented by the following general formula [11] An electroluminescent element using a material.
General formula [11]
Figure 2008004950
請求項6乃至9のいずれか一において、前記有機溶媒に可溶で、主鎖または側鎖に共役を含む高分子化合物は、エメラルディン状態のポリアニリンであることを特徴とする電界発光素子。   10. The electroluminescent device according to claim 6, wherein the high molecular compound that is soluble in the organic solvent and includes conjugation in the main chain or side chain is polyaniline in an emeraldine state. 10.
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