JP2008004875A - Wafer edge face protective device - Google Patents

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JP2008004875A JP2006175332A JP2006175332A JP2008004875A JP 2008004875 A JP2008004875 A JP 2008004875A JP 2006175332 A JP2006175332 A JP 2006175332A JP 2006175332 A JP2006175332 A JP 2006175332A JP 2008004875 A JP2008004875 A JP 2008004875A
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和成 灘
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer edge protective device for processing two or more wafers efficiently while preventing processing failure, such as wafer peeling. <P>SOLUTION: By operating a pushing mechanism 43; a wafer pushing unit 25 and a wafer mounting unit 23 are approached, and two wafers W between the wafer pushing unit 25 and the wafer mounting unit 23 are pinched each by seal members 9, 33 so that two wafers W mounted on the wafer mounting unit 23 are put in a pushed state by the wafer pushing unit 25. In this way, processing failure, such as processing of the edge face of the wafer W by potassium hydroxide, and corroding of wax or the like which bonds the wafer W to a base member, by potassium hydroxide, can be prevented. In addition, if each wafer W is mounted on plural-wafer mounting plate 3, the edge face of two or more wafers W can be protected easily and thereby two or more wafers W are processed effectively. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、シリコン半導体や化合物半導体などのウエハを処理液に浸漬させて所定の処理を行う際に、ウエハの非処理面及び端面を保護するウエハ端面保護装置に関する。   The present invention relates to a wafer end surface protection device that protects a non-processed surface and an end surface of a wafer when a predetermined process is performed by immersing a wafer such as a silicon semiconductor or a compound semiconductor in a processing solution.

従来、この種のウエハ処理として、ウエハの厚みを薄くする処理がある(シンニングthinningや薄化処理と呼ばれる)。この場合、例えば、まずベース部材の上にワックスを塗布して溶融させ、その上に、ウエハの回路等が形成された非処理面を下向きにして載置する。そして、ウエハ及びベース部材を冷却することにより、ウエハをベース部材に固定し、水酸化カリウム(KOH)を含むエッチング液として貯留している処理槽にウエハをベース部材とともに収容し、エッチング液中にウエハに浸漬する。これにより、ウエハの処理面を化学的に研磨して、ウエハの厚みを薄くする処理が行われている(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−347254号公報
Conventionally, as this type of wafer processing, there is processing for reducing the thickness of the wafer (referred to as thinning or thinning processing). In this case, for example, a wax is first applied and melted on the base member, and then placed on the non-processed surface on which the circuit of the wafer or the like is formed facing downward. Then, by cooling the wafer and the base member, the wafer is fixed to the base member, and the wafer is stored together with the base member in a processing tank stored as an etching solution containing potassium hydroxide (KOH). Immerse in a wafer. As a result, the processing surface of the wafer is chemically polished to reduce the thickness of the wafer (see, for example, Patent Document 1).
JP 2003-347254 A

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、従来のウエハ処理では、ワックスに水酸化カリウムへの耐性をもたせることが困難であるので、エッチング液中にワックスが溶け出し、エッチング液中にてウエハがベース部材から剥離したり、非処理面側にあたるウエハの表面周縁部の一部がエッチングされたりする不都合がある。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, in the conventional apparatus, since it is difficult to make the wax resistant to potassium hydroxide in the conventional wafer processing, the wax is dissolved in the etching solution, and the wafer is peeled off from the base member in the etching solution. Or a part of the peripheral edge portion of the wafer corresponding to the non-processed surface side is etched.

その上、ウエハをベース部材に貼り付ける作業が煩雑であって、複数枚のウエハについてエッチング処理を開始するまでに長時間を要するという問題もある。   In addition, the operation of attaching the wafer to the base member is complicated, and there is a problem that it takes a long time to start the etching process for a plurality of wafers.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ウエハの端面を構造的に保護するとともに、複数枚のウエハについて一括して保護を行えるようにすることにより、ベース部材からのウエハ剥がれといった処理不良を防止することができるとともに、複数枚のウエハを効率的に処理することができるウエハ端縁保護装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and structurally protects an end face of a wafer, and enables protection from a plurality of wafers in a lump so that the wafer can be protected from the base member. It is an object of the present invention to provide a wafer edge protection device that can prevent processing defects such as wafer peeling and can efficiently process a plurality of wafers.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、処理液にウエハを浸漬させてウエハの処理面を処理する際に、ウエハの非処理面及び端面を保護するウエハ端面保護装置において、第1のウエハの処理面を載置面に向けて第1のウエハを載置する複数のウエハ載置板と、前記ウエハ載置板に形成され、第1のウエハの処理面のうちほぼ円形を呈する処理円に相当する開口部と、前記ウエハ載置板の載置面に配設され、第1のウエハの端面を含み、第1のウエハの処理円を除く部分が処理液に触れるのを防止する第1のシール部材とを有するウエハ載置部と、第1のウエハの非処理面に載置されるとともに第2のウエハを載置し、第1のウエハ及び第2のウエハとほぼ同形状のウエハ保護板と、第2のウエハの処理面側に押圧面を向けて第2のウエハを押圧するための複数のウエハ押圧板と、前記押圧板に形成され、第2のウエハの処理面のうちほぼ円形を呈する処理円に相当する開口部と、前記押圧板の押圧面に配設され、第2のウエハの端面を含み、第2のウエハの処理円を除く部分が処理液に触れるのを防止する第2のシール部材とを有するウエハ押圧部と、前記ウエハ載置部の載置面と前記ウエハ押圧板の押圧面とを近接させる押圧機構と、を備えることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention according to claim 1 is a wafer end surface protection device for protecting a non-processed surface and an end surface of a wafer when a wafer is immersed in a processing solution to process the processed surface of the wafer. A plurality of wafer mounting plates for mounting the first wafer with the processing surface facing the mounting surface, and a processing circle formed on the wafer mounting plate and having a substantially circular shape among the processing surfaces of the first wafer A first opening that is disposed on the mounting surface of the corresponding wafer opening plate and the wafer mounting plate and includes an end surface of the first wafer and prevents a portion of the first wafer excluding the processing circle from touching the processing liquid. A wafer mounting portion having a sealing member, a wafer mounted on the non-processed surface of the first wafer and a second wafer mounted thereon, the wafer having substantially the same shape as the first wafer and the second wafer. Press the second wafer with the protective plate and the pressing surface facing the processing surface of the second wafer A plurality of wafer pressing plates, an opening corresponding to a processing circle having a substantially circular shape among the processing surfaces of the second wafer formed on the pressing plate, and a pressing surface of the pressing plate, A wafer pressing portion having a second seal member including an end surface of the second wafer and preventing a portion of the second wafer excluding the processing circle from touching the processing liquid; and a mounting surface of the wafer mounting portion And a pressing mechanism for bringing the pressing surface of the wafer pressing plate close to each other.

[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、ウエハ載置板の載置面に、処理面を向けた姿勢で第1のウエハを載置し、第1のウエハの非処理面にウエハ保護板を載置し、ウエハ保護板に非処理面を向けた姿勢で第2のウエハを載置した後、押圧機構を作動させる。これにより、ウエハ載置部の載置面とウエハ押圧板の押圧面とが接近され、押圧面と載置面とに挟まれた二枚のウエハがそれぞれ第1のシール部材及び第2のシール部材で挟持され、ウエハ載置部に載置されている二枚のウエハがウエハ押圧部で押圧された状態となる。このとき、開口部を通してウエハの処理円には、処理液が触れるようにされるが、それ以外の部分には処理液が触れないようにされる。したがって、ウエハの端面が処理液で処理されたり、ベース部材にウエハを接着しているワックス等が処理液に浸食されたりする等の処理不良を防止することができる。また、複数枚のウエハ載置板にそれぞれウエハを載置すれば、複数枚のウエハの端面を容易に保護することができるので、複数枚のウエハを効率的に処理することができる。   [Operation / Effect] According to the invention described in claim 1, the first wafer is placed with the processing surface facing the mounting surface of the wafer mounting plate, and the non-processing surface of the first wafer is placed. The wafer protection plate is placed on the second wafer, and the second wafer is placed with the non-processing surface facing the wafer protection plate, and then the pressing mechanism is operated. Thereby, the mounting surface of the wafer mounting portion and the pressing surface of the wafer pressing plate are brought close to each other, and the two wafers sandwiched between the pressing surface and the mounting surface are respectively the first seal member and the second seal. The two wafers sandwiched between the members and placed on the wafer placement unit are pressed by the wafer pressing unit. At this time, the processing liquid is made to touch the processing circle of the wafer through the opening, but the processing liquid is not touched to other portions. Therefore, it is possible to prevent processing defects such as processing of the end surface of the wafer with the processing liquid or erosion of the wax or the like adhering the wafer to the base member by the processing liquid. Further, if the wafers are placed on the plurality of wafer placement plates, respectively, the end faces of the plurality of wafers can be easily protected, so that the plurality of wafers can be processed efficiently.

また、本発明において、前記ウエハ載置部は、複数のウエハ載置板のうち端部に位置するウエハ載置板から離間して配設され、全てのウエハ載置板と連結された天井板を備え、前記ウエハ押圧部は、複数のウエハ押圧板のうち端部に位置するウエハ押圧板から離間し、かつ前記天井板より外方に配設されているとともに、全てのウエハ押圧板と連結された上部板を備え、前記押圧機構は、前記天井面に螺合され、端部が前記上部板に連結された押圧ボルトを備えることが好ましい(請求項2)。押圧ボルトを回転させると、上部板と天井板とを接近させたり離間させたりすることができるので、ウエハ載置板とウエハ押圧板とを近接させたり離間させたりすることができる。したがって、押圧ボルトを回転させるという簡単な操作だけで、ウエハ載置部に載置されている複数枚のウエハを押圧することができる。   In the present invention, the wafer mounting portion is disposed apart from a wafer mounting plate located at an end of the plurality of wafer mounting plates, and is connected to all the wafer mounting plates. The wafer pressing portion is spaced apart from a wafer pressing plate located at an end of the plurality of wafer pressing plates, and is disposed outward from the ceiling plate, and is connected to all the wafer pressing plates. Preferably, the pressing mechanism includes a pressing bolt screwed to the ceiling surface and having an end connected to the upper plate. When the pressing bolt is rotated, the upper plate and the ceiling plate can be brought close to or separated from each other, so that the wafer mounting plate and the wafer pressing plate can be brought close to or separated from each other. Therefore, a plurality of wafers placed on the wafer placement unit can be pressed by a simple operation of rotating the pressing bolt.

また、本発明において、前記第1のシール部材は、前記ウエハ載置板の開口部に沿って配設され、第1のウエハの処理面側に当接する内側シール部材と、第1のウエハの端面より外方に配設された外側シール部材とを備えることが好ましい(請求項3)。内側シール部材により、第1のウエハの処理円から処理液が進入するのを防止し、外側シール部材により、第1のウエハの外周面から処理液が進入するのを防止することができる。   Also, in the present invention, the first seal member is disposed along the opening of the wafer mounting plate, and contacts an inner seal member that contacts the processing surface side of the first wafer. It is preferable to include an outer seal member disposed outward from the end surface. The inner sealing member can prevent the processing liquid from entering from the processing circle of the first wafer, and the outer sealing member can prevent the processing liquid from entering from the outer peripheral surface of the first wafer.

また、本発明において、前記第2のシール部材は、前記ウエハ押圧板の開口部に沿って配設され、第2のウエハの処理面側に当接する内側シール部材と、第2のウエハの端面より外方に配設された外側シール部材とを備えることが好ましい(請求項4)。内側シール部材により、第2のウエハの処理円から処理液が進入するのを防止し、外側シール部材により、第2のウエハの外周面から処理液が進入するのを防止することができる。   Further, in the present invention, the second seal member is disposed along the opening of the wafer pressing plate and is in contact with the processing surface side of the second wafer, and the end surface of the second wafer. It is preferable to further include an outer seal member disposed outward. The inner sealing member can prevent the processing liquid from entering from the processing circle of the second wafer, and the outer sealing member can prevent the processing liquid from entering from the outer peripheral surface of the second wafer.

また、本発明において、前記ウエハ載置板は、第1のウエハ及び第2のウエハの外径に沿って、第1のウエハ、第2のウエハ、及び前記ウエハ保護板の水平方向の移動を規制する複数本の位置合わせピンを備えることが好ましい(請求項5)。ウエハ載置板には、第1のウエハとウエハ保護板と第2のウエハの順に重ねられるので、水平方向の位置ズレが生じやすいが、複数本の位置合わせピンを備えているので、位置ズレを防止することができ、第1及び第2のウエハの載置を容易に行うことができる。   In the present invention, the wafer mounting plate may move the first wafer, the second wafer, and the wafer protection plate in the horizontal direction along the outer diameters of the first wafer and the second wafer. It is preferable to provide a plurality of alignment pins to be regulated. Since the first wafer, the wafer protection plate, and the second wafer are stacked in this order on the wafer mounting plate, horizontal displacement is likely to occur. However, since a plurality of alignment pins are provided, the positional displacement is performed. Can be prevented, and the first and second wafers can be easily mounted.

本発明に係るウエハ端面保護装置によれば、押圧機構を作動させることにより、ウエハ載置部の載置面とウエハ押圧板の押圧面とが接近され、押圧面と載置面とに挟まれた二枚のウエハがそれぞれ第1のシール部材及び第2のシール部材で挟持され、ウエハ載置部に載置されている二枚のウエハがウエハ押圧部で押圧された状態となる。このとき、開口部を通してウエハの処理円には、処理液が触れるようにされるが、それ以外の部分には処理液が触れないようにされる。したがって、ウエハの端面が処理液で処理されたり、ベース部材にウエハを接着しているワックス等が処理液に浸食されたりする等の処理不良を防止することができる。また、複数枚のウエハ載置板にそれぞれウエハを載置すれば、複数枚のウエハの端面を容易に保護することができるので、複数枚のウエハを効率的に処理することができる。   According to the wafer end surface protection device of the present invention, by operating the pressing mechanism, the mounting surface of the wafer mounting portion and the pressing surface of the wafer pressing plate are brought close to each other and sandwiched between the pressing surface and the mounting surface. The two wafers are sandwiched between the first seal member and the second seal member, respectively, and the two wafers placed on the wafer placement unit are pressed by the wafer pressing unit. At this time, the processing liquid is made to touch the processing circle of the wafer through the opening, but the processing liquid is not touched to other portions. Therefore, it is possible to prevent processing defects such as processing of the end surface of the wafer with the processing liquid or erosion of the wax or the like adhering the wafer to the base member by the processing liquid. Further, if the wafers are placed on the plurality of wafer placement plates, respectively, the end faces of the plurality of wafers can be easily protected, so that the plurality of wafers can be processed efficiently.

以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図1は、実施例に係るウエハ端面保護装置の概略構成を示す外観斜視図であり、図2は、ウエハ端面保護装置の要部を示す縦断面図である。また、図3は、ウエハをセットする状態を示す説明図であり、図4は、ウエハを押圧する際の動作を示す説明図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is an external perspective view showing a schematic configuration of a wafer end surface protection device according to an embodiment, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a main part of the wafer end surface protection device. FIG. 3 is an explanatory view showing a state where a wafer is set, and FIG. 4 is an explanatory view showing an operation when pressing the wafer.

ウエハ端面保護装置1は、処理液にウエハWを浸漬させて薄化処理(シンニング)する際に、ウエハWの非処理面S1及び端面を保護するものである。処理液としては、例えば、水酸化カリウムを含むエッチング液が挙げられ、70℃の温度に加熱されて使用される。ウエハWは、回路等が形成されている面が非処理面S1であり、その反対面がエッチングされる処理面S2である。薄化処理においては、例えば、70℃に加熱された水酸化カリウム溶液にウエハWが浸漬されて、200mm径のウエハWの厚さが50μm以下にまで薄くされる。なお、以下に説明するウエハ端面保護装置1は、高温の水酸化カリウムに耐性を有するステンレス鋼板やフッ素樹脂などで構成されている。   The wafer end surface protection device 1 protects the non-processed surface S1 and the end surface of the wafer W when the wafer W is immersed in a processing solution and thinned. As the treatment liquid, for example, an etching liquid containing potassium hydroxide is used, which is heated to a temperature of 70 ° C. and used. In the wafer W, a surface on which a circuit or the like is formed is a non-processed surface S1, and the opposite surface is a processed surface S2 to be etched. In the thinning process, for example, the wafer W is immersed in a potassium hydroxide solution heated to 70 ° C., and the thickness of the 200 mm diameter wafer W is reduced to 50 μm or less. The wafer end surface protection device 1 described below is made of a stainless steel plate or a fluororesin having resistance to high-temperature potassium hydroxide.

ウエハ載置板3は、平面視正方形状を呈し、その上面には、第1のウエハW1が処理面S2を向けた水平姿勢で載置される載置面5が形成されている。ウエハ載置板3の中央部には、貫通した開口部7が形成されている。この開口部7は、その径が第1のウエハW1の径よりやや小さく形成されており、後述する処理円Cに相当する大きさである。   The wafer mounting plate 3 has a square shape in plan view, and a mounting surface 5 on which the first wafer W1 is mounted in a horizontal posture with the processing surface S2 facing is formed on the upper surface thereof. A penetrating opening 7 is formed at the center of the wafer mounting plate 3. The diameter of the opening 7 is slightly smaller than the diameter of the first wafer W1 and has a size corresponding to a processing circle C described later.

ウエハ載置板3の載置面5には、平面視環状を呈するシール部材9が配設されている。このシール部材9は、開口部7に沿って立設された内側シール部材11と、第1のウエハW1の端面より外側に立設された外側シール部材13とを備えている。内側シール部材11の外側であって、外側シール部材13の内側には、複数本の位置合わせピン15が立設されている各位置合わせピン15は、第1のウエハW1の外形に沿って配設されており、ウエハW等を載置面5に積層載置した際に、水平方向への移動を規制する。   On the mounting surface 5 of the wafer mounting plate 3, a seal member 9 having an annular shape in plan view is disposed. The seal member 9 includes an inner seal member 11 erected along the opening 7 and an outer seal member 13 erected outside the end surface of the first wafer W1. A plurality of alignment pins 15 are provided outside the inner seal member 11 and inside the outer seal member 13. The alignment pins 15 are arranged along the outer shape of the first wafer W <b> 1. When the wafer W or the like is stacked on the mounting surface 5, movement in the horizontal direction is restricted.

なお、上記シール部材9は、処理液の一例である水酸化カリウムに耐性を備えている材料で構成されているのが好ましい。例えば、パーフロロエラストマーに分類される高分子材料(フッ素樹脂と同様の化学構造式を有する)等が好ましく、具体的には、カルレッツ(登録商標:デュポンダウエラストマー社)や、パーフロ(登録商標:ダイキン工業)や、EPDM(エチレン・プロピレンゴム)などが例示される。   In addition, it is preferable that the said sealing member 9 is comprised with the material provided with tolerance to the potassium hydroxide which is an example of a process liquid. For example, polymer materials classified into perfluoroelastomer (having the same chemical structural formula as fluororesin) are preferable. Specifically, Kalrez (registered trademark: DuPont Dow Elastomer Co., Ltd.), Perflo (registered trademark: Daikin Industries), EPDM (ethylene propylene rubber) and the like are exemplified.

上記のウエハ載置板3は、例えば、5枚備えられ、各ウエハ載置板3の間を所定距離だけ隔てて配設されている。各ウエハ載置板3には、4枚の支持板17が取り付けられている。各支持板17は、各ウエハ載置板3の四辺のうち、対向する二辺にのみ取り付けられており、ウエハW等の搬入出を妨げないようにされている。また、4枚の支持板17の最上部には天井板19が取り付けられ、最下部には底板21が取り付けられている。   For example, five wafer mounting plates 3 are provided, and each wafer mounting plate 3 is disposed with a predetermined distance between them. Four support plates 17 are attached to each wafer placement plate 3. Each support plate 17 is attached to only two opposite sides of the four sides of each wafer mounting plate 3 so as not to interfere with loading and unloading of the wafer W and the like. A ceiling plate 19 is attached to the uppermost portion of the four support plates 17, and a bottom plate 21 is attached to the lowermost portion.

上記の5枚のウエハ載置板3と、シール部材9と、位置合わせピン15と、4枚の支持板17と、天井板19と、底板21とは、ウエハ載置部23を構成している。   The five wafer mounting plates 3, the seal member 9, the alignment pins 15, the four support plates 17, the ceiling plate 19, and the bottom plate 21 constitute a wafer mounting portion 23. Yes.

ウエハ載置部23の内部には、昇降自在にウエハ押圧部25が配設されている。
このウエハ押圧部25は、ウエハ押圧板27を備えている。このウエハ押圧板27は、平面視正方形状を呈し、その下面には、第2のウエハW2の処理面S2を押圧する、上記ウエハ載置板3の載置面5に対向する面に押圧面29が形成されている。ウエハ押圧板27は、上述した各ウエハ載置板3の上方に、各載置面5と押圧面29とが対向する姿勢で5枚設けられている。ウエハ押圧板27の中央部には、貫通した開口部31が形成されている。この開口部31の径は、第2のウエハW2の直径よりやや小さく、後述する処理円Cに相当する大きさである。
A wafer pressing portion 25 is disposed inside the wafer placement portion 23 so as to be movable up and down.
The wafer pressing unit 25 includes a wafer pressing plate 27. The wafer pressing plate 27 has a square shape in a plan view, and a lower surface of the wafer pressing plate 27 presses the processing surface S2 of the second wafer W2, and the pressing surface faces the surface facing the mounting surface 5 of the wafer mounting plate 3. 29 is formed. Five wafer pressing plates 27 are provided above the above-described wafer mounting plates 3 so that the mounting surfaces 5 and the pressing surfaces 29 face each other. A through opening 31 is formed in the center of the wafer pressing plate 27. The diameter of the opening 31 is slightly smaller than the diameter of the second wafer W2, and corresponds to a processing circle C described later.

ウエハ押圧板27の押圧面29には、シール部材33が配設されている。シール部材33は、内側シール部材35と、外側シール部材37とを備えている。これらの材質や大きさは、上述したシール部材9と同じである。   A seal member 33 is disposed on the pressing surface 29 of the wafer pressing plate 27. The seal member 33 includes an inner seal member 35 and an outer seal member 37. These materials and sizes are the same as those of the sealing member 9 described above.

各ウエハ押圧板27には、4枚の支持板39が取り付けられている。各支持板39は、各ウエハ押圧板27の四辺のうち、対向する二辺にのみ取り付けられ、かつウエハ載置板3を支持する支持板17が設けられていない辺側に取り付けられている。また、4枚の支持板39の最上部には、上部板41が取り付けられている。   Four support plates 39 are attached to each wafer pressing plate 27. Each support plate 39 is attached to only two opposite sides of the four sides of each wafer pressing plate 27 and is attached to the side where the support plate 17 that supports the wafer placement plate 3 is not provided. An upper plate 41 is attached to the uppermost part of the four support plates 39.

ウエハ載置部23の天井板19と、ウエハ押圧部25の上部板41には、押圧機構43が配設されている。   A pressing mechanism 43 is disposed on the ceiling plate 19 of the wafer placement unit 23 and the upper plate 41 of the wafer pressing unit 25.

天井板19の中央部には、貫通した雌ネジ部45が配設され、上部板41の中央部には、貫通孔47が形成されている。雌ネジ部45には、押圧ボルト49が螺合され、その先端部(下端部)には、貫通孔47に緩挿された止めネジ51が取り付けられている。この止めネジ51は、貫通孔47に緩挿されているので、押圧ボルト49が回転しても止めネジ51は上部板41に対して空回りする。   A penetrating female screw portion 45 is disposed in the central portion of the ceiling plate 19, and a through hole 47 is formed in the central portion of the upper plate 41. A press bolt 49 is screwed into the female screw portion 45, and a set screw 51 that is loosely inserted into the through hole 47 is attached to a tip portion (lower end portion) thereof. Since the set screw 51 is loosely inserted into the through hole 47, the set screw 51 rotates idly with respect to the upper plate 41 even when the pressing bolt 49 rotates.

ウエハWをセットするには、まず押圧ボルト49を回転させて、天井板19から引き上げる。すると、ウエハ押圧部25の上部板41が天井板19側に引き上げられ、各ウエハ押圧板27がウエハ載置板3から離間した「搬入出位置」にされる。この状態で、図3に示すように、ウエハWの処理面S2を載置面5側に向けた状態で第1のウエハW1を載置し、その上に、ウエハ保護板53を載置する。このウエハ保護板53は、第1のウエハW1の非処理面S1に形成された回路等がウエハW同士の摺動により損傷するのを防止するためのものである。材質としては、第1のウエハW1より柔らかく、かつパーティクルを発生し難いものが好ましく、例えば、フッ素樹脂のシートや、ポリイミド性のシートが挙げられる。そして、その上に、第2のウエハW2を、処理面S2をウエハ保護板53側に向けた姿勢で載置する。このようにして、各ウエハ載置板3に2枚のウエハWと1枚のウエハ保護板53を積層載置する。このとき、第1及び第2のウエハW1,2及びウエハ保護部材53の水平方向の位置は、位置合わせピン15によって規制されているので、ずれることがなく正確に合わせることができる。   In order to set the wafer W, first, the pressing bolt 49 is rotated and pulled up from the ceiling plate 19. Then, the upper plate 41 of the wafer pressing unit 25 is pulled up to the ceiling plate 19 side, and each wafer pressing plate 27 is brought into a “loading / unloading position” separated from the wafer mounting plate 3. In this state, as shown in FIG. 3, the first wafer W1 is placed with the processing surface S2 of the wafer W facing the placement surface 5, and the wafer protection plate 53 is placed thereon. . The wafer protection plate 53 is for preventing a circuit or the like formed on the non-processing surface S1 of the first wafer W1 from being damaged by sliding between the wafers W. The material is preferably softer than the first wafer W1 and less likely to generate particles, and examples thereof include a fluororesin sheet and a polyimide sheet. Then, the second wafer W2 is placed thereon with the processing surface S2 facing the wafer protection plate 53 side. In this manner, two wafers W and one wafer protection plate 53 are stacked and placed on each wafer placement plate 3. At this time, the horizontal positions of the first and second wafers W1 and W2 and the wafer protection member 53 are regulated by the alignment pins 15, so that they can be accurately aligned without shifting.

次に、図4に示すように、押圧ボルト49を回転させて天井板19にねじ込む。これにより、ウエハ押圧板27がウエハ載置板3の載置面5に向かって下降し、「処理位置」にされる。この処理位置では、内側シール部材11,35と外側シール部材13,37とにより、第1及び第2のウエハW1,2の端面を含み、第1及び第2のウエハW1,2の処理円Cを除く部分が処理液に触れるのが防止される。   Next, as shown in FIG. 4, the pressing bolt 49 is rotated and screwed into the ceiling plate 19. As a result, the wafer pressing plate 27 is lowered toward the mounting surface 5 of the wafer mounting plate 3 to be a “processing position”. In this processing position, the inner sealing members 11 and 35 and the outer sealing members 13 and 37 include the end faces of the first and second wafers W1 and W2, and the processing circle C of the first and second wafers W1 and W2. The part except for is prevented from touching the processing liquid.

上記のようにして10枚のウエハWをセットした後、高温に加熱した水酸化カリウム溶液にウエハ端面保護装置1ごと浸漬させる。すると、開口部7,31から水酸化カリウム溶液が浸入し、ウエハWの処理面S2のうち処理円Cだけをエッチングする。そして、所定時間が経過した後、ウエハ端面保護装置1を水酸化カリウム溶液から引き上げ、純水でリンス処理を行う。その後、押圧ボルト49を回転させて「搬入出位置」に移動させてから、10枚のウエハWを搬出する。各ウエハWは、薄化処理により非常に薄くされているものの、ウエハWの処理円Cを除くウエハWの周縁部が元の厚さのまま維持されている。したがって、ハンドリングなどによってウエハWを破損することを防止できる。   After setting 10 wafers W as described above, the wafer end face protection device 1 is immersed in a potassium hydroxide solution heated to a high temperature. Then, the potassium hydroxide solution enters from the openings 7 and 31, and only the processing circle C of the processing surface S2 of the wafer W is etched. And after predetermined time passes, the wafer end surface protection apparatus 1 is pulled up from a potassium hydroxide solution, and a rinse process is performed with a pure water. Thereafter, the pressing bolt 49 is rotated to move to the “loading / unloading position”, and then ten wafers W are unloaded. Although each wafer W is very thinned by the thinning process, the peripheral portion of the wafer W excluding the processing circle C of the wafer W is maintained at its original thickness. Therefore, it is possible to prevent the wafer W from being damaged by handling or the like.

本実施例によると、押圧機構43を作動させることにより、ウエハ押圧部25とウエハ載置部23とが接近され、ウエハ押圧部25とウエハ載置部23とに挟まれた二枚のウエハWがそれぞれシール部材9,33で挟持され、ウエハ載置部23に載置されている二枚のウエハWがウエハ押圧部25で押圧された状態となる。このとき、開口部7,31を通してウエハの処理円Cには、水酸化カリウム溶液が触れるようにされるが、それ以外の部分には水酸化カリウム溶液が触れないようにシールされる。したがって、ウエハWの端面が水酸化カリウム溶液で処理されたり、ベース部材にウエハWを接着しているワックス等が水酸化カリウム溶液に浸食されたりする等の処理不良を防止できる。また、複数枚のウエハ載置板3にそれぞれウエハWを載置するので、複数枚のウエハWの端面を容易に保護できるので、複数枚のウエハWを効率的に処理することができる。   According to this embodiment, by operating the pressing mechanism 43, the wafer pressing unit 25 and the wafer mounting unit 23 are brought close to each other, and the two wafers W sandwiched between the wafer pressing unit 25 and the wafer mounting unit 23. Are sandwiched between the seal members 9 and 33, and the two wafers W placed on the wafer placement unit 23 are pressed by the wafer pressing unit 25. At this time, the processing circle C of the wafer is contacted with the potassium hydroxide solution through the openings 7 and 31, but the other portions are sealed so as not to touch the potassium hydroxide solution. Accordingly, it is possible to prevent processing defects such as the end face of the wafer W being treated with the potassium hydroxide solution, or the wax or the like adhering the wafer W to the base member being eroded by the potassium hydroxide solution. In addition, since the wafers W are respectively mounted on the plurality of wafer mounting plates 3, the end surfaces of the plurality of wafers W can be easily protected, so that the plurality of wafers W can be processed efficiently.

また、押圧機構43を備えているので、押圧ボルト49をねじ込むという簡単な操作だけで複数枚のウエハWを押圧することができる。   In addition, since the pressing mechanism 43 is provided, the plurality of wafers W can be pressed by a simple operation of screwing the pressing bolt 49.

次に、図5を参照して、本発明の変形例について説明する。なお、図5は、ウエハ端面保護装置の要部を示す縦断面図である。   Next, a modification of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a main part of the wafer end surface protection device.

このウエハ端面保護装置1Aは、上述したウエハ端面保護装置1と押圧機構43が相違する。   The wafer end surface protection device 1A is different from the wafer end surface protection device 1 described above in the pressing mechanism 43.

具体的には、押圧機構43Aは、ウエハ載置板3とウエハ押圧板27の間に配設された圧縮コイルバネ55と、天井板19に配設された押圧レバー57とを備えている。圧縮コイルバネ55は、ウエハ載置板3とウエハ押圧板27とを離間する方向に付勢している。押圧レバー57は、天井板19の中央部に形成された貫通孔59に支点Pを有し、天井板19と上部板41の間に配設された押圧片61と、押圧レバー57の先端部に係止片63を備えている。天井板19には、係止片63と係合して、押圧レバー57の戻りを規制する規制部65が配設されている。   Specifically, the pressing mechanism 43 </ b> A includes a compression coil spring 55 disposed between the wafer mounting plate 3 and the wafer pressing plate 27 and a pressing lever 57 disposed on the ceiling plate 19. The compression coil spring 55 urges the wafer mounting plate 3 and the wafer pressing plate 27 in a direction away from each other. The pressing lever 57 has a fulcrum P in a through hole 59 formed in the central portion of the ceiling plate 19, a pressing piece 61 disposed between the ceiling plate 19 and the upper plate 41, and a tip portion of the pressing lever 57. Is provided with a locking piece 63. The ceiling plate 19 is provided with a restricting portion 65 that engages with the locking piece 63 and restricts the return of the pressing lever 57.

上記の構成では、押圧レバー57を操作しない状態で、ウエハW等を載置した後、押圧レバー57を操作して、その係止片63を規制部65に係止する。すると、圧縮コイルバネ55が収縮され、ウエハW等がシールされる。この変形例によると、単に押圧レバー57を操作するだけでウエハW等をシールすることができ、短時間でシールを行うことができる。   In the above configuration, after placing the wafer W or the like without operating the pressing lever 57, the pressing lever 57 is operated to lock the locking piece 63 to the restricting portion 65. Then, the compression coil spring 55 is contracted, and the wafer W and the like are sealed. According to this modification, the wafer W or the like can be sealed simply by operating the pressing lever 57, and sealing can be performed in a short time.

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。   The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.

(1)上述した説明では、5枚のウエハ載置板3と5枚のウエハ押圧板27を備えている例を説明したが、5枚未満や6枚以上の構成としてもよい。   (1) In the above description, the example in which the five wafer mounting plates 3 and the five wafer pressing plates 27 are provided has been described. However, the configuration may be less than five or six or more.

(2)上述した構成では、位置合わせピン15をウエハ載置板3に備えているが、ウエハW及びウエハ保護板53を正確に位置決め載置できる場合には、位置合わせピン15を備える必要はない。   (2) In the configuration described above, the alignment pins 15 are provided on the wafer mounting plate 3. However, if the wafer W and the wafer protection plate 53 can be accurately positioned and mounted, the alignment pins 15 need not be provided. Absent.

(3)上述した実施例では、内側シール部材11(35)と外側シール部材13(37)とを別体の構成としているが、これらを一体の構成としてもよい。   (3) In the above-described embodiment, the inner seal member 11 (35) and the outer seal member 13 (37) are configured separately, but they may be integrated.

(4)上述した実施例では、処理液として水酸化カリウムを含む溶液によるウエハWの薄化処理を挙げて説明したが、本発明は、例えば、フッ化水素酸、硫酸、王水などによるウエハWの処理であっても適用することができる。   (4) In the above-described embodiments, the thinning process of the wafer W using a solution containing potassium hydroxide as the processing liquid has been described. However, the present invention is, for example, a wafer made of hydrofluoric acid, sulfuric acid, aqua regia, etc. Even the processing of W can be applied.

実施例に係るウエハ端面保護装置の概略構成を示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows schematic structure of the wafer end surface protection apparatus which concerns on an Example. ウエハ端面保護装置の要部を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the principal part of a wafer end surface protection apparatus. ウエハをセットする状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which sets a wafer. ウエハを押圧する際の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation | movement at the time of pressing a wafer. 変形例に係るウエハ端面保護装置の要部を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the principal part of the wafer end surface protection apparatus which concerns on a modification.

符号の説明Explanation of symbols

W … ウエハ
W1 … 第1のウエハ
W2 … 第2のウエハ
S1 … 非処理面
S2 … 処理面
1 … ウエハ端面保護装置
3 … ウエハ載置板
5 … 載置面
7,31 … 開口部
9,33 … シール部材
11,35 … 内側シール部材
13,37 … 外側シール部材
19 … 天井板
23 … ウエハ載置部
25 … ウエハ押圧部
27 … ウエハ押圧板
29 … 押圧面
41 … 上部板
43 … 押圧機構
49 … 押圧ボルト
53 … ウエハ保護板
W ... Wafer W1 ... First wafer W2 ... Second wafer S1 ... Non-processed surface S2 ... Processed surface 1 ... Wafer end face protection device 3 ... Wafer mounting plate 5 ... Mounting surface 7, 31 ... Opening 9,33 ... Seal member 11, 35 ... Inner seal member 13, 37 ... Outer seal member 19 ... Ceiling plate 23 ... Wafer mounting portion 25 ... Wafer pressing portion 27 ... Wafer pressing plate 29 ... Pressing surface 41 ... Upper plate 43 ... Pressing mechanism 49 … Pressing bolt 53… Wafer protection plate

Claims (5)

処理液にウエハを浸漬させてウエハの処理面を処理する際に、ウエハの非処理面及び端面を保護するウエハ端面保護装置において、
第1のウエハの処理面を載置面に向けて第1のウエハを載置する複数のウエハ載置板と、前記ウエハ載置板に形成され、第1のウエハの処理面のうちほぼ円形を呈する処理円に相当する開口部と、前記ウエハ載置板の載置面に配設され、第1のウエハの端面を含み、第1のウエハの処理円を除く部分が処理液に触れるのを防止する第1のシール部材とを有するウエハ載置部と、
第1のウエハの非処理面に載置されるとともに第2のウエハを載置し、第1のウエハ及び第2のウエハとほぼ同形状のウエハ保護板と、
第2のウエハの処理面側に押圧面を向けて第2のウエハを押圧するための複数のウエハ押圧板と、前記押圧板に形成され、第2のウエハの処理面のうちほぼ円形を呈する処理円に相当する開口部と、前記押圧板の押圧面に配設され、第2のウエハの端面を含み、第2のウエハの処理円を除く部分が処理液に触れるのを防止する第2のシール部材とを有するウエハ押圧部と、
前記ウエハ載置部の載置面と前記ウエハ押圧板の押圧面とを近接させる押圧機構と、
を備えることを特徴とするウエハ端面保護装置。
In the wafer end surface protection device that protects the non-processed surface and the end surface of the wafer when the wafer is immersed in the processing liquid to process the processed surface of the wafer,
A plurality of wafer mounting plates for mounting the first wafer with the processing surface of the first wafer facing the mounting surface, and a substantially circular shape of the processing surfaces of the first wafer formed on the wafer mounting plate. An opening corresponding to a processing circle exhibiting the above and a mounting surface of the wafer mounting plate are disposed on the mounting surface of the wafer mounting plate, and the portion excluding the processing circle of the first wafer touches the processing liquid. A wafer mounting portion having a first seal member for preventing
A wafer protection plate mounted on the non-processed surface of the first wafer and mounting the second wafer; a wafer protection plate having substantially the same shape as the first wafer and the second wafer;
A plurality of wafer pressing plates for pressing the second wafer with the pressing surface facing the processing surface side of the second wafer, and the pressing plate are formed in a substantially circular shape among the processing surfaces of the second wafer. A second opening disposed on the pressing surface of the pressing plate corresponding to a processing circle and the pressing plate, including an end surface of the second wafer, and prevents a portion of the second wafer excluding the processing circle from touching the processing liquid. A wafer pressing portion having a sealing member of
A pressing mechanism for bringing the mounting surface of the wafer mounting portion and the pressing surface of the wafer pressing plate close to each other;
A wafer end face protection device comprising:
請求項1に記載のウエハ端面保護装置において、
前記ウエハ載置部は、複数のウエハ載置板のうち端部に位置するウエハ載置板から離間して配設され、全てのウエハ載置板と連結された天井板を備え、
前記ウエハ押圧部は、複数のウエハ押圧板のうち端部に位置するウエハ押圧板から離間し、かつ前記天井板より外方に配設されているとともに、全てのウエハ押圧板と連結された上部板を備え、
前記押圧機構は、前記天井面に螺合され、端部が前記上部板に連結された押圧ボルトを備えることを特徴とするウエハ端面保護装置。
The wafer end surface protection device according to claim 1,
The wafer mounting unit is disposed apart from a wafer mounting plate located at an end of a plurality of wafer mounting plates, and includes a ceiling plate connected to all the wafer mounting plates.
The wafer pressing portion is spaced apart from a wafer pressing plate located at an end of the plurality of wafer pressing plates, and is disposed outward from the ceiling plate and is connected to all the wafer pressing plates. With a plate,
The wafer end surface protection device according to claim 1, wherein the pressing mechanism includes a pressing bolt screwed into the ceiling surface and having an end connected to the upper plate.
請求項1または2に記載のウエハ端面保護装置において、
前記第1のシール部材は、前記ウエハ載置板の開口部に沿って配設され、第1のウエハの処理面側に当接する内側シール部材と、第1のウエハの端面より外方に配設された外側シール部材とを備えることを特徴とするウエハ端面保護装置。
The wafer end surface protection device according to claim 1 or 2,
The first seal member is disposed along the opening of the wafer mounting plate, and is disposed outside the end surface of the first wafer and an inner seal member that contacts the processing surface side of the first wafer. A wafer end surface protection device comprising: an outer seal member provided.
請求項1から3のいずれかに記載のウエハ端面保護装置において、
前記第2のシール部材は、前記ウエハ押圧板の開口部に沿って配設され、第2のウエハの処理面側に当接する内側シール部材と、第2のウエハの端面より外方に配設された外側シール部材とを備えることを特徴とするウエハ端面保護装置。
In the wafer end surface protection device according to any one of claims 1 to 3,
The second seal member is disposed along the opening of the wafer pressing plate, and is disposed outside the end surface of the second wafer and an inner seal member that contacts the processing surface side of the second wafer. And a wafer end face protection device, comprising:
請求項1から4のいずれかに記載のウエハ端面保護装置において、
前記ウエハ載置板は、第1のウエハ及び第2のウエハの外径に沿って、第1のウエハ、第2のウエハ、及び前記ウエハ保護板の水平方向の移動を規制する複数本の位置合わせピンを備えることを特徴とするウエハ端面保護装置。
In the wafer end surface protection device according to any one of claims 1 to 4,
The wafer mounting plate has a plurality of positions for restricting horizontal movement of the first wafer, the second wafer, and the wafer protection plate along the outer diameters of the first wafer and the second wafer. A wafer end face protection device comprising an alignment pin.
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