JP2007525657A - Spectral analysis module of gas discharge MOPA laser - Google Patents

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Abstract

【課題】パルス毎のベースで非常に細かく制御された波長及び帯域幅を有し、かつ出力パワーレベルが30mJまで及びそれを超える4千〜8千パルス毎秒又はそれよりも多くのレーザ光のパルスを生成するMOPA構成の超高繰返し率ガス放電レーザに関する技術を提供する。
【解決手段】4000Hz及びそれよりも高いパルス繰返し率でパルス毎に帯域幅を測定するための、フェムトメートル帯域幅精度及び数十フェムトメートル帯域幅精度範囲を有する15mJ毎パルスに等しいか又はそれよりも大きいサブナノメートル帯域幅同調範囲のパルスのパルス出力を含む出力レーザビームを有する高繰返し率ガス放電レーザに対する帯域幅を測定するための波長計及び方法が開示され、これは、焦点距離を有する集束レンズと、干渉フリンジパターンを生成する光学干渉計と、集束レンズから焦点距離に配置された光学検出手段と、光学検出手段上に入射する干渉フリンジパターン内の干渉フリンジの位置から帯域幅を計算し、かつλ0を一定と仮定した波長、D0=(DOD−DID)/2、及びfを焦点距離とする時に式Δλ=λ0[DOD 2−DID 2]/[8f2−D0 2]に従って、DID及びDOD、すなわち、干渉パターン軸上の干渉パターン内の一対の第1のフリンジ境界間及び一対の第2のフリンジ境界間のそれぞれの距離を定める帯域幅計算器とを含むことができる。
【選択図】図4
Pulses of 4,000 to 8,000 pulses per second or more with very finely controlled wavelength and bandwidth on a per pulse basis and output power levels up to and beyond 30 mJ A technology for an ultra-high repetition rate gas discharge laser with a MOPA configuration is provided.
Equal to or more than 15 mJ per pulse with femtometer bandwidth accuracy and tens of femtometer bandwidth accuracy range for measuring bandwidth per pulse at a pulse repetition rate of 4000 Hz and higher. Disclosed is a wavelength meter and method for measuring bandwidth for a high repetition rate gas discharge laser with an output laser beam that includes a pulse output of a pulse of a larger sub-nanometer bandwidth tuning range, which includes focusing with a focal length The bandwidth is calculated from the lens, the optical interferometer that generates the interference fringe pattern, the optical detection means located at the focal length from the focusing lens, and the position of the interference fringe in the interference fringe pattern incident on the optical detection means. and wavelength assuming constant lambda 0, and D 0 = (D OD -D ID ) / 2, and the focal distance f Wherein [Delta] [lambda] = according λ 0 [D OD 2 -D ID 2] / [8f 2 -D 0 2], D ID and D OD, i.e., a pair of first fringe boundaries within the interference pattern on the interference pattern axis And a bandwidth calculator for determining respective distances between and between the pair of second fringe boundaries.
[Selection] Figure 4

Description

本発明は、パルス毎のベースで非常に細かく制御された波長及び帯域幅を有し、かつ出力パワーレベルが30mJまで及びそれを超える4千〜8千パルス毎秒又はそれよりも多くのレーザ光のパルスを生成するMOPA構成の超高繰返し率ガス放電レーザに関する。
関連出願
本出願は、本明細書においてその開示内容が引用により組み込まれている、2003年9月30日出願の「ガス放電MOPAレーザのスペクトル解析モジュール」という名称の米国特許出願第10/676,175号、2003年9月30日出願の「ガス放電MOPAレーザのスペクトル解析モジュール」という名称の米国特許出願第10/676,907号、及び2003年9月30日出願の「MOPAレーザ波長計のための光学マウント」という名称の米国特許出願第10/676,224号に対して優先権を請求するものである。
The present invention has a very finely controlled wavelength and bandwidth on a pulse-by-pulse basis, and an output power level of up to and beyond 30 mJ of 4,000 to 8,000 pulses per second or more of laser light. The present invention relates to an ultrahigh repetition rate gas discharge laser having a MOPA configuration for generating pulses.
RELATED APPLICATIONS This application is a US patent application Ser. No. 10/676, entitled “Spectrum Analysis Module of Gas Discharge MOPA Laser”, filed Sep. 30, 2003, the disclosure of which is incorporated herein by reference. No. 175, US patent application Ser. No. 10 / 676,907, filed Sep. 30, 2003, entitled “Spectrum Analysis Module of Gas Discharged MOPA Laser”, and “MOPA Laser Wavemeter”, filed Sep. 30, 2003. No. 10 / 676,224 entitled "Optical Mount for" is claimed.

1999年9月23日出願の出願番号第09/405,615号に基づく2001年11月13日にダス他に付与された「狭帯域レーザのための帯域幅推定技術」という名称の米国特許第6,317,448号、公開番号第20020154668号で2002年10月24日に公開された発明者がクノールズ他である「超狭帯域2チャンバ式高繰返し率ガス放電レーザシステム」という名称の2001年11月30日に出願の米国特許出願出願番号第10/012,002号、公開番号第20030018072号で2003年6月26日に公開された発明者がウィッタク他の「4KHzガス放電レーザシステム」という名称の2001年12月21日に出願の出願番号第10/026,676号、公開番号第2002/0154671号で2002年10月24日に公開された発明者がクノールズ他の「ライン選択型F2チャンバレーザシステム」という名称の2002年1月23日出願の出願番号第10/056,619号、公開番号第20020191654号で2002年12月19日に公開された発明者がクレーン他の「ビーム送出を伴うレーザリソグラフィ光源」という名称の2002年5月7日出願の出願番号第10/141,216号、公開番号第20030012234号で2003年1月16日に公開された発明者がワトソン他の「6〜10KHz又はそれよりも高いガス放電レーザシステム」という名称の2002年6月28日出願の出願番号第10/187,336号、公開番号第20030138019号で2003年2月13日に公開された発明者がリロフ他の「F2圧力に基づくライン選択を伴う2チャンバ式F2レーザシステム」という名称の2002年9月13日出願の出願番号第10/243,102号、公開番号第20030031216号で2003年2月13日に公開された発明者がファロン他の「2チャンバ式ガス放電レーザのための制御システム」という名称の2002年7月31日出願の出願番号第10/210,761号、及び公開番号第20030099269号で2003年5月29日に公開された発明者がエルショフ他の「2チャンバ式ガス放電レーザシステムのためのタイミング制御」という名称の2001年12月21日出願の出願番号第10/036,727号といったこれらの参照した特許を除いては、本出願に対する従来技術は、既存のガス放電レーザ及び波長計、並びにそのようなレーザと共に使用される他の測定装置を説明していない。上述に引用した特許及び出願は、本出願の譲受人に全てが譲渡されており、これらの各々の開示内容は、本明細書において引用により組み込まれている。
上述に引用した出願で説明されている繰返し率及びそれらの繰返し率を超えて作動するガス放電レーザ、特により高いパワー出力が利用可能なMOPAシステムに構成されたこのようなレーザのための測定機器の改良の必要性が存在する。
US Patent No. “Bandwidth Estimation Techniques for Narrow Band Lasers” granted to Das et al. On Nov. 13, 2001, based on Application No. 09 / 405,615 filed September 23, 1999. The inventor published on Oct. 24, 2002 under the publication No. 6,317,448 and publication No. 200220154668 was named Knolls et al. And named “ultra-narrow band two-chamber high repetition rate gas discharge laser system” in 2001. The inventor, published on June 26, 2003 under US Patent Application No. 10 / 012,002, publication number 20030108072, filed on November 30, is called "4 KHz gas discharge laser system" by Wittak et al. Application No. 10 / 026,676 filed on Dec. 21, 2001, publication number 2002/0154671 Inventor, published on October 24, 2009 2002 application Ser. No. 10 / 056,619, filed Jan. 23, 2002, entitled "line selection type F 2 chamber laser system" Kunoruzu of the other, the publication number Inventor published on Dec. 19, 2002 in No. 2002019654 published application number 10 / 141,216 filed May 7, 2002 entitled "Laser lithography light source with beam delivery" by Crane et al. No. 2003012234, published on Jan. 16, 2003, is the inventor's application number 10 filed on Jun. 28, 2002, entitled "6-10 KHz or higher gas discharge laser system" by Watson et al. / 187,336, the inventor published on February 13, 2003 with the publication number 20030138019 Rirofu other September 13, 2002 of the "F 2 2-chamber F 2 laser system with a line selection based on pressure" named application Ser. No. 10 / 243,102, filed, 2003 Publication No. 20030031216 Inventor published on Feb. 13 published application No. 10 / 210,761 filed Jul. 31, 2002 entitled “Control System for Two-chamber Gas Discharge Laser” by Fallon et al. And published. No. 200303099269 published on May 29, 2003 by the inventor of Elshof et al., Entitled “Timing Control for a Two-chamber Gas Discharge Laser System”, filed on Dec. 21, 2001. With the exception of these referenced patents such as / 036,727, the prior art for this application is based on existing gas discharge arrays. The and wavemeters and other measurement devices used with such lasers are not described. The patents and applications cited above are all assigned to the assignee of the present application, the disclosure of each of which is incorporated herein by reference.
Measuring instruments for repetition rates described in the above-cited applications and gas discharge lasers operating above those repetition rates, particularly such lasers configured in MOPA systems where higher power output is available There is a need for improvements.

米国特許出願第10/676,175号US patent application Ser. No. 10 / 676,175 米国特許出願第10/676,907号U.S. Patent Application No. 10 / 676,907 米国特許出願第10/676,224号US patent application Ser. No. 10 / 676,224 米国特許出願第09/405,615号US patent application Ser. No. 09 / 405,615 米国特許第6,317,448号US Pat. No. 6,317,448 米国特許公開第20020154668号US Patent Publication No. 2002015154668 米国特許出願第10/012,002号US Patent Application No. 10 / 012,002 米国特許公開第20030018072号US Patent Publication No. 20030018072 米国特許出願第10/026,676号US Patent Application No. 10 / 026,676 米国特許公開第2002/0154671号US Patent Publication No. 2002/0154671 米国特許出願第10/056,619号US patent application Ser. No. 10 / 056,619 米国特許公開第20020191654号US Patent Publication No. 20020191654 米国特許出願第10/141,216号US patent application Ser. No. 10 / 141,216 米国特許公開第20030012234号US Patent Publication No. 20030012234 米国特許出願第10/187,336号US patent application Ser. No. 10 / 187,336 米国特許公開第20030138019号US Patent Publication No. 20030138019 米国特許出願第10/243,102号US patent application Ser. No. 10 / 243,102 米国特許公開第20030031216号US Patent Publication No. 2003031216 米国特許出願第10/210,761号US patent application Ser. No. 10 / 210,761 米国特許公開第20030099269号US Patent Publication No. 20030309269 米国特許出願第10/036,727号US Patent Application No. 10 / 036,727

4000Hz及びそれよりも高いパルス繰返し率でパルス毎に帯域幅を測定するための、フェムトメートル帯域幅精度及び数十フェムトメートル帯域幅精度範囲を有する15mJ毎パルスに等しいか又はそれよりも大きいサブナノメートル帯域幅同調範囲のパルスのパルス出力を含む出力レーザビームを有する高繰返し率ガス放電レーザに対する帯域幅を測定するための波長計及び方法が開示され、これは、焦点距離を有する集束レンズと、干渉フリンジパターンを生成する光学干渉計と、集束レンズから焦点距離に配置された光学検出手段と、光学検出手段上に入射する干渉フリンジパターン内の干渉フリンジの位置から帯域幅を計算し、かつλ0を一定と仮定した波長、D0=(DOD−DID)/2、及びfを焦点距離とする時に式Δλ=λ0[DOD 2−DID 2]/[8f2−D0 2]に従って、DID及びDOD、すなわち、干渉パターン軸上の干渉パターン内の一対の第1のフリンジ境界間及び一対の第2のフリンジ境界間のそれぞれの距離を定める帯域幅計算器とを含むことができる。光学検出器は、フォトダイオードアレイとすることができる。波長計は、スリット機能を有する光学干渉計を有することができ、スリット機能及び焦点距離は、光学干渉環状パターンの2つの最内側フリンジを光学検出器に供給するように選択される。光学検出器は、各々が高さ及び幅を有するピクセルのアレイでかつ全幅を有するアレイを含むことができ、光学干渉計への光入力部における開口は、エタロンの出力が各それぞれのピクセル高さの高さ及び全幅にわたって光学検出器を照明するのに十分な光ビームの一部分を光学干渉計に選択的に入力することができる。光学干渉計は、3pm又はそれよりも小さいスリット機能及び25又はそれよりも大きいフィネスを有するエタロンを含むことができ、焦点距離は、1.5メートルとすることができる。第2段拡散器は、第1段拡散器とエタロンの間に置かれて幅の狭い円錐光をエタロンに供給することができ、第2段拡散器とエタロンの間の開口は、幅の狭い円錐光の薄いストリップをエタロンに供給することができる。 Sub-nanometer equal to or greater than 15 mJ per pulse with femtometer bandwidth accuracy and tens of femtometer bandwidth accuracy range for measuring bandwidth per pulse at 4000 Hz and higher pulse repetition rates Disclosed is a wavelength meter and method for measuring bandwidth for a high repetition rate gas discharge laser having an output laser beam that includes a pulse output of a pulse of bandwidth tuning range, which includes a focusing lens having a focal length and interference The bandwidth is calculated from the position of the interference fringe in the interference fringe pattern incident on the optical detection means, the optical detection means arranged at the focal length from the focusing lens, and the interference fringe pattern incident on the optical detection means, and λ 0 Is a wavelength assumed to be constant, D 0 = (D OD −D ID ) / 2, and f is a focal length, the equation Δλ = λ In accordance with [D OD 2 -D ID 2 ] / [8f 2 -D 0 2 ], D ID and D OD , that is, between the pair of first fringe boundaries in the interference pattern on the interference pattern axis and the pair of first And a bandwidth calculator that defines a respective distance between the two fringe boundaries. The optical detector can be a photodiode array. The wavemeter can have an optical interferometer with a slit function, and the slit function and focal length are selected to provide two innermost fringes of the optical interference annular pattern to the optical detector. The optical detector may include an array of pixels each having a height and width and an array having a full width, and the aperture at the light input to the optical interferometer is such that the output of the etalon is the height of each respective pixel. A portion of the light beam sufficient to illuminate the optical detector over the entire height and width can be selectively input to the optical interferometer. The optical interferometer can include an etalon with a slit function of 3 pm or smaller and a finesse of 25 or larger, and the focal length can be 1.5 meters. The second stage diffuser can be placed between the first stage diffuser and the etalon to supply narrow cone light to the etalon, and the opening between the second stage diffuser and the etalon is narrow. A thin strip of conical light can be fed to the etalon.

本出願は、4000Hzを超える周波数で、かつ30mJまで及びこれを超えるパルスエネルギでレーザ出力パルスを生成し、パルス毎に波長及び帯域幅も制御するMOPA2チャンバ式レーザのためのスペクトル解析モジュール(SAM)測定サブシステムに対する要件を満たすことに関する。当業者は、そのようなMOPAレーザの性能要件を満たすために必要なサブモジュール及びそれらの機能性の多くを含む、このようなMOPAレーザサブシステム及びその機能に課せられた極度の要求を認めるであろう。本発明は、公称波長193.350nmで作動するArFのMOPAレーザに関して単に例示目的で説明するが、例えば、KrF又はF2のMOPAガス放電レーザシステムに対しても全く同様に適用することができる。 The present application provides a spectral analysis module (SAM) for a MOPA two-chamber laser that generates laser output pulses at frequencies exceeding 4000 Hz and pulse energies up to and beyond 30 mJ, and also controls the wavelength and bandwidth for each pulse. It relates to meeting the requirements for the measurement subsystem. Those skilled in the art will recognize the extreme requirements imposed on such MOPA laser subsystems and their functions, including many of the sub-modules required to meet the performance requirements of such MOPA lasers and their functionality. I will. The present invention is described for illustrative purposes only with respect to ArF MOPA lasers operating at a nominal wavelength of 193.350 nm, but can be applied in exactly the same way, for example, to KrF or F 2 MOPA gas discharge laser systems.

本出願において使用する以下の頭字語は、以下の意味を有するものとする。
用語/頭字語:定義
ABF:重フッ化アンモニウム
ADC:アナログ/デジタル変換器
Amp:電流のアンペア
AOI:入射角
ArF:フッ化アルゴン
AR:反射防止(光学面からのフレネル反射を低減するコーティング)
AWR:絶対波長基準
BARO:モジュールのアラインメント、較正、及び試験のための気圧ステーション
Blur:「帯域幅鋸歯」効果を補正するために用いられる補正係数
BW:帯域幅
CaF2:フッ化カルシウム
DD:回折拡散器
DFM:製造用設計
EWCM:拡張波長制御モジュール
2:フッ素
FCP:発射制御プロセッサ
FD:焦点距離
fm:フェントメータ(femtometer)
FRU:フィールド交換ユニット
FS:溶融シリカ
FSR:自由スペクトル範囲
FWHM:半値全幅。レーザ帯域幅に対する一般的測定基準。
GGD:研磨ガラス拡散器
KrF:フッ化クリプトン
LAM:ライン中心解析モジュール
LNM/LNP:ライン・ナローイング・モジュール/ライン・ナローイング・パッケージ
MgF2:フッ化マグネシウム
MOPA:主発振器電力増幅器
NIST:米国標準技術局
PDA:フォトダイオードアレイ
PDM:光検出器モジュール
pm:ピコメートル
SAM:スペクトル解析モジュール
WEB:波面エンジニアリングボックス
The following acronyms used in this application shall have the following meanings.
Terminology / Acronym: Definition ABF: Ammonium Bifluoride ADC: Analog / Digital Converter Amp: Amp Amp Current AOI: Incident Angle ArF: Argon Fluoride AR: Antireflection (Coating that reduces Fresnel reflection from optical surface)
AWR: Absolute wavelength reference BARO: Barometric station for module alignment, calibration and testing Blur: Correction factor used to correct “bandwidth sawtooth” effect BW: Bandwidth CaF 2 : Calcium fluoride DD: Diffraction Diffuser DFM: Design for manufacturing EWCM: Extended wavelength control module F 2 : Fluorine FCP: Launch control processor FD: Focal length fm: Fentometer
FRU: field exchange unit FS: fused silica FSR: free spectral range FWHM: full width at half maximum. General metric for laser bandwidth.
GGD: Polished glass diffuser KrF: Krypton fluoride LAM: Line center analysis module LNM / LNP: Line narrowing module / line narrowing package MgF 2 : Magnesium fluoride MOPA: Main oscillator power amplifier NIST: US standard Engineering Bureau PDA: Photodiode Array PDM: Photodetector Module pm: Picometer SAM: Spectrum Analysis Module WEB: Wavefront Engineering Box

上述のようなSAMを含むMOPAレーザシステムの測定サブシステムは、例えば、MOPAからの光出力の波長、帯域幅、及びパルスエネルギの測定という重要な機能を実行することができる。全体的なMOPAシステム20は、図1に見ることができる。レーザシステム20が有するこれらの性能特性は、多くの場合に、このようなレーザ光システム20により生成されるレーザ光に対する最終用途である例えばリソグラフィ処理の制御において重要になる可能性がある。例えば、パルスの波長、帯域幅、パルスエネルギ、パルス毎バースト等のパルス毎の制御及び更に細かく制御された変更によるリソグラフィ処理に対する要件は、このようなレーザシステム20のためのあらゆる制御システムに対して著しい要求を発生させ、同様に制御システムの測定部分は、この分野において僅か1又は2年前にさえ見られなかった性能の有効性及び効率性に対する要求に曝されており、これらの要求は、更に高まっている。   The measurement subsystem of a MOPA laser system that includes a SAM as described above can perform important functions such as, for example, measuring the wavelength, bandwidth, and pulse energy of the optical output from the MOPA. The overall MOPA system 20 can be seen in FIG. These performance characteristics possessed by the laser system 20 can often be important in controlling the lithographic process, for example, the end use for the laser light generated by such a laser light system 20. For example, the requirements for lithographic processing with pulse-by-pulse control, such as pulse wavelength, bandwidth, pulse energy, pulse-by-pulse burst, and more finely controlled changes are for any control system for such a laser system 20. As well as generating significant demands, the measurement part of the control system is also exposed to performance effectiveness and efficiency demands that were not seen in this field even just a year or two ago, and these demands are: It is growing further.

図1に見られるようなMOPA構成は、例えばKrF及びArFレーザの例えば「サイマー70XXX」シリーズという本出願人の譲受人の前世代レーザ製品よりも遥かに小さい帯域幅を容易にしている。この結果、一例として、現在要求されている帯域幅は、例えば7000A波長計の追跡能力を超えており、そのアーキテクチャは、この機能が別々のモジュール、SAMへと分離されることを要求している。図1に見られるようなMOPAレーザシステム20では、主発振器(MO)である第1のレーザチャンバ22は、出力カプラ26を通じて、公称波長193.350nm又はほぼ同値の波長付近に中心が置かれた超狭帯域幅を有するシードレーザビーム62のMOチャンバにおけるある程度の共振の後に出力を生成する例えば回折格子(図示しない)の例えば回折光学機器を含むライン・ナローイング・パッケージ(LNP)24を利用して非常に細かく同調される。本出願人の譲受人に譲渡された現在特許出願中の上述の出願において説明されているように、MO出力ビーム62は、次にMO波面エンジニアリングボックス(WEB)40を通じて伝送される。ビームは、次に電力増幅器WEB42へ、更にここからSAM46へと渡され、ここでは、とりわけ、MOビームの大部分が、MOPAレーザシステム20の電力増幅器(PA)部分50の中へと導かれる。PA部分50では、望ましい波長及び帯域幅か又はそれに非常に近い値のシードMOビームは、ビーム反射鏡BR54の補助を得てPA50を形成する利得媒質を通る少なくとも2つの通過によってPA50内で増幅される。   The MOPA configuration as seen in FIG. 1 facilitates a much smaller bandwidth than the previous generation laser product of the assignee of the present assignee, for example the “Cymer 70XXX” series of KrF and ArF lasers. As a result, as an example, the currently required bandwidth exceeds the tracking capability of, for example, the 7000A wavemeter, and its architecture requires that this function be separated into separate modules, SAMs. . In the MOPA laser system 20 as seen in FIG. 1, the first laser chamber 22, which is the main oscillator (MO), is centered around the nominal wavelength 193.350 nm or near the equivalent wavelength through the output coupler 26. Utilizing a line narrowing package (LNP) 24 including, for example, diffractive optics, such as a diffraction grating (not shown), which produces an output after some resonance in the MO chamber of the seed laser beam 62 having an ultra-narrow bandwidth. Is very finely tuned. The MO output beam 62 is then transmitted through an MO wavefront engineering box (WEB) 40, as described in the above-mentioned application in the present patent application assigned to the assignee of the present applicant. The beam is then passed to the power amplifier WEB 42 and from here to the SAM 46 where, among other things, the majority of the MO beam is directed into the power amplifier (PA) portion 50 of the MOPA laser system 20. In the PA portion 50, the seed MO beam at or near the desired wavelength and bandwidth is amplified within the PA 50 by at least two passes through the gain medium that forms the PA 50 with the aid of the beam reflector BR54. The

次に、システム20のPA部分50の出力ビーム64は、SAM46及びPAのWEB42を通過して戻り、パルス伸張器60の中へと達し、ここで、ビーム64の出力パルスの各々は、例えばTISを改良するための例えば光学遅延ユニットにおいて伸張される。これは、例えばウェーハ上のフォトレジストのリソグラフィ露光中のウェーハに見られる照射量、及び例えば上述の露光の実行におけるステッパ/スキャナ・リソグラフィツールの性能のある一定の他の特性のようなものに影響を与える。 The output beam 64 of the PA portion 50 of the system 20 then passes back through the SAM 46 and PA WEB 42 and into the pulse stretcher 60, where each of the output pulses of the beam 64 is, for example, T For example in an optical delay unit to improve the IS . This affects, for example, the dose seen on the wafer during lithographic exposure of the photoresist on the wafer, and certain other characteristics of the performance of the stepper / scanner lithography tool in performing the exposure described above, for example. give.

図2に見られるように、SAM46は、例えば帯域幅(BW)メータの機能を実行するための光学機械的部分72、及び例えば論理アセンブリ部分を含む電子機器部分74に細分化することができる。SAMの基本的な光学的態様は、例えば本出願人の譲受人の「70XX」製品、すなわちLAMにおいて過去に使用された波長計と類似し、部分的に本発明の実施形態を形成するいくつかの重要な変形を有する。帯域幅メータの光学的レイアウトは、とりわけ、下述でより詳しく説明するように、例えばエタロン光学回路の第1行程におけるビーム均一化を要求するより長い焦点距離の結像レンズを有するより短いFSRエタロンの使用を伴っている。例えば「70xx LAM」における波長計のように、光検出器モジュール(PDM)144は、パルスエネルギをモニタし、診断及びタイミングの目的で高速フォトダイオード信号を提供する。   As seen in FIG. 2, the SAM 46 can be subdivided into an electronics portion 74 that includes, for example, an opto-mechanical portion 72 for performing the function of a bandwidth (BW) meter, and a logic assembly portion, for example. The basic optical aspects of the SAM are similar to, for example, the assignee's assignee's “70XX” product, ie a wavemeter used in the past in LAM, and partially form an embodiment of the present invention. With significant deformation. The optical layout of the bandwidth meter is, among other things, a shorter FSR etalon with a longer focal length imaging lens requiring, for example, beam homogenization in the first pass of the etalon optical circuit, as described in more detail below. With the use of. A photodetector module (PDM) 144, such as a wavemeter in “70xx LAM”, monitors pulse energy and provides a high speed photodiode signal for diagnostic and timing purposes.

SAM46は、複数の蝶ネジ78によって光学装着床面(図4に示す)に取付けられたSAM筐体76内に収められている。図2に示すSAM筐体76の図は、図2に示すSAM筐体76の側部にあるPA50からビーム64を受け取る一次ビームスプリッタ80を示しており、ビーム64は、一次ビームスプリッタ80を通過し、一次ビームスプリッタ80を部分的に通過した後に、図2に見られるようなSAM筐体76の後部から出射し、図1に示すようにPAのWEB42の中に戻る。   The SAM 46 is housed in a SAM housing 76 attached to the optical mounting floor (shown in FIG. 4) by a plurality of thumb screws 78. The view of the SAM housing 76 shown in FIG. 2 shows a primary beam splitter 80 that receives the beam 64 from the PA 50 on the side of the SAM housing 76 shown in FIG. 2, and the beam 64 passes through the primary beam splitter 80. Then, after partially passing through the primary beam splitter 80, it exits from the rear part of the SAM casing 76 as seen in FIG. 2, and returns to the WEB 42 of the PA as shown in FIG.

図3a〜図3cに示すように、一次ビームスプリッタ80は、ビームスプリッタのパージセル基部90を含むことができ、これは、その内部にステアリングミラー装着棚92と一次ビームスプリッタミラー装着プラットフォーム94とを形成するために、例えばアルミニウムの中実部分から機械加工することができる。プラットフォーム94とセル基部90の底部とは、そこにビーム通路開口部96を形成することができる。基部90にはまた、その1つの側壁にサンプルビーム出射開口部98を形成することができる。図3bから見ることができるように、サンプルビーム開口部98は、サンプルビーム出射窓112によって覆うことができ、ここを通じてサンプルビーム114は、一次ビームスプリッタ80を出射し、SAM46の残りの光学及び電子要素の中へ入る。基部90の内部にあるサンプルビーム通路98の反対端もまた、窓110によって覆うことができ、ここを通じてビーム64の一部分は、ステアリングミラー棚92に装着されたステアリングミラー102から反射し、サンプルビーム通路98中へと入る。   As shown in FIGS. 3 a-3 c, the primary beam splitter 80 can include a beam splitter purge cell base 90 that forms a steering mirror mounting shelf 92 and a primary beam splitter mirror mounting platform 94 therein. For example, it can be machined from a solid part of aluminum. The platform 94 and the bottom of the cell base 90 can form a beam path opening 96 therein. The base 90 can also be formed with a sample beam exit opening 98 on one of its sidewalls. As can be seen from FIG. 3 b, the sample beam aperture 98 can be covered by the sample beam exit window 112, through which the sample beam 114 exits the primary beam splitter 80 and the remaining optical and electron of the SAM 46. Enter the element. The opposite end of the sample beam path 98 inside the base 90 can also be covered by a window 110, through which a portion of the beam 64 is reflected from the steering mirror 102 mounted on the steering mirror shelf 92, and the sample beam path Enter 98.

図3bはまた、一次ビームスプリッタのミラーマウント100上に装着された一次ビームスプリッタのミラー104を例示している。作動においては、PA50を出射するビーム64は、通常は水平面にあるPA50からのビーム64の伝播軸でもある図3bに示す垂直軸に沿って上方から一次ビームスプリッタ80に入射することになることが理解されるであろう。ビーム64は、一次ビームスプリッタ104によって部分的に反射され、約5%のビーム64が反射されてステアリングミラー102上に達する一方、残りの部分は、一次ビームスプリッタのミラー104を通過し、図1に示すようにPAのWEB42上に達する。   FIG. 3 b also illustrates the primary beam splitter mirror 104 mounted on the primary beam splitter mirror mount 100. In operation, the beam 64 exiting the PA 50 will be incident on the primary beam splitter 80 from above along the vertical axis shown in FIG. 3b, which is also the propagation axis of the beam 64 from the PA 50, which is normally in a horizontal plane. Will be understood. The beam 64 is partially reflected by the primary beam splitter 104 and about 5% of the beam 64 is reflected and reaches the steering mirror 102 while the remaining portion passes through the mirror 104 of the primary beam splitter, FIG. As shown in FIG.

一次ビームスプリッタのミラー104から反射されるビームの約5%は、約25°の入射角でステアリングミラー102から反射され、サンプルビーム114と同様に窓112を通じて一次ビームスプリッタ80を出射し、下述でより詳細に説明するように、SAM46の残りの部分の中へ入射する。MO22からのビーム62は、MOビーム62によるPA50の利得媒質のシードの一部としてPAのWEB42から同じ一次ビームスプリッタのミラー104を通じて反対方向に、すなわちPA50に向けてPA50の中に入射することも理解されるであろう。   About 5% of the beam reflected from the primary beam splitter mirror 104 is reflected from the steering mirror 102 at an incident angle of about 25 ° and exits the primary beam splitter 80 through the window 112 in the same manner as the sample beam 114, as described below. In the remainder of the SAM 46, as will be described in greater detail below. The beam 62 from the MO 22 may also enter the PA 50 in the opposite direction through the mirror 104 of the same primary beam splitter from the PA WEB 42 as part of the seed of the gain medium of the PA 50 by the MO beam 62, ie towards the PA 50. Will be understood.

図3cは、例えば上述の現在特許出願中の出願において更に詳しく説明されているように、PA50のパージシステムの送風器への接続のためのフランジ118を含むビームスプリッタカバー116を備えた一次ビームスプリッタ80を示している。
SAM光学機器サブシステム72の平面図である図4に示すように、一次ビームスプリッタのミラー104によって主ビーム64から取り上げられ、ステアリングミラー102から反射された光は、サンプリングされたビーム114として一次ビームスプリッタ80を出射する。サンプリングされたビーム114は、SAM46の帯域幅メータ88の2つの別々の内部機能に供給するためにSAM46の帯域幅メータ88内に分配された二次ビームスプリッタ140の非コーティング光学機器の前面及び後面からのフレネル反射を有する。二次ビームスプリッタのミラー140に入射するビーム114の一部は、パルスエネルギ測定のためのビーム142として光検出器モジュール(PDM)144上へ反射され、高速フォトダイオード信号として電子機器パッケージ74に出力される。下述でより詳細に説明する帯域幅回路は、二次ビームスプリッタとしての役割を果たすミラー140を通過してステアリングミラーからビーム114の主要部分を受け取る。選択された一次ビームスプリッタのミラー104の薄さのために、フレネル反射は重複し、SAM内のある一定の光学機器上のフルエンスを許容範囲内、すなわち光学機器の材料に対する損傷閾値よりも下に保つという問題を複雑化する。このビーム114は、下述でより詳細に説明するように、フォトダイオードアレイPDA182を用いてモニタされるフリンジパターンを生成するエタロン162の照明に関わっている。本発明の実施形態によると、フリンジパターンから、FWHM帯域幅は、4000Hz及びそれよりも高いパルス毎の計算をより一層考慮するために、PDA182の出力の処理速度を増大させる単純化された数学的計算を用いて0.01pmよりも細かい精度で計算することができる。
SAM46は、PDA182の出力とPDM144の出力でのパルスエネルギとによって帯域幅を測定することができる。SAM46及びLAM28は、レーザ制御システムとインタフェース(図示しない)で接続することができ、これは、次に、とりわけこれらの測定モジュールからのフィードバックに基づいて能動的制御を提供する。
FIG. 3c shows a primary beam splitter with a beam splitter cover 116 that includes a flange 118 for connection to a blower of the purge system of the PA 50, for example as described in more detail in the above-mentioned current patent-pending application. 80 is shown.
As shown in FIG. 4, which is a plan view of the SAM optics subsystem 72, the light picked up from the main beam 64 by the primary beam splitter mirror 104 and reflected from the steering mirror 102 is the primary beam as a sampled beam 114. The light is emitted from the splitter 80. The sampled beam 114 is distributed in the bandwidth meter 88 of the SAM 46 to provide two separate internal functions of the bandwidth meter 88 of the SAM 46. Fresnel reflection from A portion of the beam 114 incident on the secondary beam splitter mirror 140 is reflected onto a photodetector module (PDM) 144 as a beam 142 for pulse energy measurement and output to the electronics package 74 as a high speed photodiode signal. Is done. The bandwidth circuit, described in more detail below, receives a major portion of the beam 114 from the steering mirror through a mirror 140 that serves as a secondary beam splitter. Due to the thinness of the selected primary beam splitter mirror 104, the Fresnel reflections overlap, and the fluence on certain optics in the SAM is within an acceptable range, ie below the damage threshold for the material of the optics. Complicating the problem of keeping. This beam 114 is involved in the illumination of the etalon 162 that produces a fringe pattern that is monitored using the photodiode array PDA 182 as described in more detail below. According to an embodiment of the present invention, from the fringe pattern, the FWHM bandwidth is a simplified mathematical that increases the processing speed of the output of the PDA 182 in order to further consider the per-pulse calculation of 4000 Hz and higher. The calculation can be performed with an accuracy finer than 0.01 pm.
The SAM 46 can measure the bandwidth by the output of the PDA 182 and the pulse energy at the output of the PDM 144. The SAM 46 and LAM 28 can be interfaced (not shown) with a laser control system, which in turn provides active control based on, among other things, feedback from these measurement modules.

図4に示すように、二次ビームスプリッタ140を出射するビーム114は、調節可能M1ミラー146に入射し、レンズマウント150内に収容された前部円柱テレスコーピングレンズ204の中へと導かれ、次に、図7に関連してより詳細に説明するように、後部テレスコーピングレンズ220、第1段拡散器222、及び集束レンズ224を順に含む光学機器組合せユニット152の中に達する。ビーム114は、次に、調節可能M2ミラー156から反射された後に第2段拡散器160を通過する。ビームは、次にエタロン162を通過する。ビームにエタロン162を通過させることにより生み出されるフリンジパターンは、調節可能M3ミラー164から反射され、細長いM4固定45°トレーニングミラー166のほぼ中心上に達し、調節可能M5直角入射ミラー168の面上に達する。次に、フリンジパターンは、ミラー166の右手部分から反射されて戻り、別の調節可能M6直角入射ミラー180から反射されてミラー166の左手部分上に戻り、最終的にPDA182上に入射する。M1(146)を除いて、ミラーは、例えば設置中はある意味で調節可能であるが、調節のためのフィールドアクセスが不可能であり、一方、M1(146)は、フィールド調節可能である。   As shown in FIG. 4, the beam 114 exiting the secondary beam splitter 140 enters the adjustable M1 mirror 146 and is directed into the front cylindrical telescoping lens 204 housed in the lens mount 150, Next, as will be described in more detail in connection with FIG. 7, an optical instrument combination unit 152 that includes a rear telescoping lens 220, a first stage diffuser 222, and a focusing lens 224 in turn is reached. The beam 114 then passes through the second stage diffuser 160 after being reflected from the adjustable M2 mirror 156. The beam then passes through the etalon 162. The fringe pattern created by passing the beam through the etalon 162 is reflected from the adjustable M3 mirror 164 and reaches approximately the center of the elongated M4 fixed 45 ° training mirror 166, on the surface of the adjustable M5 normal incidence mirror 168. Reach. The fringe pattern is then reflected back from the right hand portion of the mirror 166, reflected from another adjustable M6 normal incidence mirror 180, back onto the left hand portion of the mirror 166, and finally incident on the PDA 182. With the exception of M1 (146), the mirror is adjustable in some ways, for example during installation, but field access for adjustment is not possible, while M1 (146) is field adjustable.

本発明の実施形態によるSAM46の機能は、PA50でのレーザ出力ビーム64の例えば帯域幅、例えばFWHM帯域幅の高分解能測定を提供することである。PA50の出力へのSAM46の位置決めの結果、SAM46内の光学要素から見えるエネルギ密度レベルは、例えばLAM28において及び/又は本出願人の譲受人の「70XX」製品等の従来レーザにおいて、対応する要素等よりも非常に著しく高くなる可能性がある。これによって、例えばSAM46内にある一次ビームスプリッタ80及び他のいくつかの光学構成要素に対する寿命危険性が著しく増大する可能性がある。例えば一次ビームスプリッタ80へのフルエンスによって促進される損傷を緩和するために、SAMモジュール46は、本発明の実施形態に従って一次スプリッタ104がMO22からのビーム62及びPA50からのビーム64に対して例えば70度に向けられた状態で設計されている。これは、それによって例えば45度に向けられたビームスプリッタと比較して2倍にフルエンスレベル(cm2毎の)を低減するように選択されたものである。また、例えば本発明の実施形態によるSAM46内のビーム均一化手法においては、選択された光学機器に対する選択光学材料としてフッ化カルシウムが選択されている。 The function of the SAM 46 according to an embodiment of the present invention is to provide a high resolution measurement of, for example, the bandwidth of the laser output beam 64 at the PA 50, such as the FWHM bandwidth. As a result of the positioning of the SAM 46 to the output of the PA 50, the energy density level visible from the optical elements in the SAM 46 is the corresponding element, for example in the LAM 28 and / or in conventional lasers such as the assignee's assignee's “70XX” product Can be very significantly higher. This can significantly increase the lifetime risk for the primary beam splitter 80 and some other optical components, for example in the SAM 46. For example, to mitigate damage promoted by fluence to the primary beam splitter 80, the SAM module 46 allows the primary splitter 104 to perform, for example, 70 on the beam 62 from the MO 22 and the beam 64 from the PA 50 according to embodiments of the present invention. Designed in a state that is directed to the degree. This has been selected to thereby reduce the fluence level (per cm 2 ) by a factor of 2 compared to a beam splitter oriented at 45 degrees, for example. Further, for example, in the beam homogenization method in the SAM 46 according to the embodiment of the present invention, calcium fluoride is selected as the selected optical material for the selected optical apparatus.

本発明の実施形態によるSAMに要求される作動パラメータは、波長範囲のいずれの端からもSAMモジュール46が機能するような193.2nm〜193.5nmの間の波長作動範囲、モジュール46がパルス毎の(発射毎の)ベースで帯域幅を測定することができる状態での1Hz〜4000Hzのレーザパルス繰返し率、及びPA50を出射する10mJ〜30mJのパルスエネルギを含み、モジュールは、パルスエネルギのその範囲にわたって帯域幅の測定値を提供する。更に、帯域幅(Δλ)分解能には、帯域幅計算に求められる0.001pm精度が要求され、0.04pmの帯域幅(Δλ)精度が、SAMモジュールを較正するために用いられる分光計(LTB等)に対して測定されることが要求され、帯域幅測定範囲は、0.1pm≦Δλ≦0.3pmであることが要求され、FWHM測定は、SAMモジュール46が0.1pm≦Δλ≦0.3pmにわたって帯域幅を追跡可能であることを要求し、blur補正の精度は、最内側と最外側のフリンジ位置間のBW差(2つの平均値の比較:フリンジのジャンプ域の両側の0.03pm以内で0.02pm離れている3点のBWの読み)が≦0.02pmになることを要求され、「フリンジ位置」対「帯域幅精度」は、基準(LTB等)分光計から≦±0.02pmデルタであることが要求され、並びに逆畳込みされた分光計の値に対してBWを比較するために、中心波長に始まる0.02pmの増分で全FSR(3pm)を通じて走査する機能が要求される。   The operating parameters required for a SAM according to an embodiment of the present invention are a wavelength operating range between 193.2 nm and 193.5 nm such that the SAM module 46 functions from either end of the wavelength range, and the module 46 is pulse-by-pulse. Including a laser pulse repetition rate of 1 Hz to 4000 Hz with a bandwidth measurable on a per-fire basis, and a pulse energy of 10 mJ to 30 mJ exiting the PA 50, and the module includes that range of pulse energy Provides bandwidth measurements across. Furthermore, the bandwidth (Δλ) resolution requires 0.001 pm accuracy required for bandwidth calculation, and a bandwidth (Δλ) accuracy of 0.04 pm is the spectrometer (LTB) used to calibrate the SAM module. Etc.), the bandwidth measurement range is required to be 0.1 pm ≦ Δλ ≦ 0.3 pm, and the FWHM measurement is performed by the SAM module 46 with 0.1 pm ≦ Δλ ≦ 0. Requires that bandwidth can be tracked over 3 pm, the accuracy of the blur correction is the BW difference between the innermost and outermost fringe positions (comparison of the two averages: 0. 0 on either side of the jump range of the fringe). 3 points BW reading within 0.03 pm within 03 pm) is required to be ≦ 0.02 pm, and “fringe position” vs. “bandwidth accuracy” is ≦ ± from the reference (LTB etc.) spectrometer. 0.0 Required to be pm delta, as well as the ability to scan through the entire FSR (3pm) in 0.02pm increments starting at the center wavelength to compare the BW against the deconvolved spectrometer values Is done.

10mJ〜20mJ(公称15mJ)の特定のパルスエネルギ範囲に対するパワー及びパルスエネルギ測定に関して、システムには、全ての光学仕様を満たすことが要求され、エネルギモニタ144の較正精度は、0.05ワットの分解能を有するNIST追跡可能な市販の電力計に基づいて<±3%(公称15mJ、1000Hzでの連続作動において)であることが要求され、エネルギモニタの較正ドリフトは、レーザガス試験の公称発射にわたる市販の電力計による0.05ワットの分解能での測定時に1億パルスにわたって<±2%のピーク毎の変動でなければならず、1000Hz連続でのパワー線形性は、水冷電力計ヘッドを用いた測定時に10mJが10ワット、15mJが15ワット、及び20mJが20ワットになる全てにおいて1ワット以内である必要がある。一定エネルギと可変繰返し率とに対する暗黙の線形性仕様は適用する必要がない。   For power and pulse energy measurements for a specific pulse energy range of 10 mJ to 20 mJ (nominal 15 mJ), the system is required to meet all optical specifications and the energy monitor 144 calibration accuracy is 0.05 watt resolution. Is required to be <± 3% based on a NIST traceable commercial wattmeter with a nominal 15 mJ, in continuous operation at 1000 Hz, and the energy monitor calibration drift is commercially available over the nominal launch of the laser gas test. It must be <± 2% peak-to-peak variation over 100 million pulses when measuring at a resolution of 0.05 watts with a wattmeter, and power linearity at 1000 Hz continuous is measured when using a water-cooled wattmeter head. 10mJ is 10 watts, 15mJ is 15 watts, and 20mJ is 20 watts Must be within 1 watt. The implicit linearity specification for constant energy and variable repetition rate need not be applied.

エタロン開始生映像レベル(左及び右の両方のピーク)は、本発明の実施形態によってPA50の出力において15mJで作動し、BW仕様を満たすレーザフレームにおける測定時に最大値が1.0ボルト、最小値が0.6ボルトであることが要求される。電圧レベルは、生ピーク値からフロア値を引いたものとして定められる。フリンジ対称性は、115≦フリンジ対称性≦85であることが要求され、フリンジ対称性=100×(左ピーク/右ピーク)である。寿命最期のエタロン162の生映像レベル(左及び右の両方のピーク)は、本発明の実施形態によってPA50の出力において15mJで作動し、BW仕様を満たすレーザフレームにおける測定時に、A)最大値が2.5ボルト、B)最小値が0.3ボルトという要件を満たさねばならない。エネルギモニタ144の15mJパルスエネルギにおける信号レベルは、15KのADC最大値及び5KのADC最小値でなければならない。   The etalon starting raw video level (both left and right peaks) operates at 15 mJ at the output of PA 50 according to an embodiment of the present invention, with a maximum value of 1.0 volts and a minimum value when measured in a laser frame that meets the BW specification. Is required to be 0.6 volts. The voltage level is defined as the raw peak value minus the floor value. The fringe symmetry is required to be 115 ≦ fringe symmetry ≦ 85, and fringe symmetry = 100 × (left peak / right peak). The raw video level (both left and right peaks) of the end-of-life etalon 162 operates at 15 mJ at the output of the PA 50 according to embodiments of the present invention, and when measured in a laser frame that meets the BW specification, A) the maximum value is 2.5 volts, B) The requirement that the minimum value be 0.3 volts must be met. The signal level at 15 mJ pulse energy of the energy monitor 144 must be 15K ADC maximum and 5K ADC minimum.

本発明の実施形態によると、ある一定の信頼性仕様が満たされることが要求され、これらは、例えば≧12Bパルスの目標平均故障間隔、SAMの論理アセンブリのフィールド交換が15分である例えば≦2時間の目標平均交換時間、エネルギモニタの再較正を含む損傷した一次スプリッタのフィールド交換の60分、起こりうる低映像又はフリンジ非対称性を補正するためのエタロンのフリンジパターンの点検の10分、及び≧95%の機器依存の作動可能時間を含む。   According to embodiments of the present invention, certain reliability specifications are required to be met, which are, for example, a target mean failure interval of ≧ 12B pulses, a field replacement of the SAM logic assembly is 15 minutes, for example ≦ 2 Target average exchange time of time, 60 minutes of field replacement of damaged primary splitter including recalibration of energy monitor, 10 minutes of inspection of etalon fringe pattern to correct possible low image or fringe asymmetry, and> Includes 95% device-dependent uptime.

保守要件は、例えばレーザフレーム内にある間にユニット74へのアクセスを要求する論理アセンブリ74の交換、及びフランジ118に接続した取外し可能な締結アセンブリ(図示しない)による主スプリッタ80へのアクセスを伴う一次ビームスプリッタ80の交換を含む。保守は、レーザフレームからのモジュールの取外し、及びレーザ作動中に2つの別々のモジュールのカバーの穴を通じて5/64インチの6角ヘッド調節ネジ170(図7に示す)にアクセスすることによるエタロン162のフリンジ対称性及び高さの調節を要求する。この保守がフィールドで行われる時には、ガスパネルが必要である。   Maintenance requirements involve, for example, replacement of logic assembly 74 that requires access to unit 74 while in the laser frame, and access to main splitter 80 by a removable fastening assembly (not shown) connected to flange 118. Includes replacement of primary beam splitter 80. Maintenance is performed by removing the module from the laser frame and accessing the 5/64 inch hexagon head adjustment screw 170 (shown in FIG. 7) through the holes in the cover of two separate modules during laser operation. Requires fringe symmetry and height adjustment. When this maintenance is done in the field, a gas panel is required.

更に、本発明の実施形態によると、設計は、SAMモジュール46に対して、モジュール46の取替え及びPDM144によるエネルギ測定のエネルギの較正が例えば120億パルスの周波数において例えば2時間内に完了可能であり、PDM144がこれも2時間かけて年に1回較正されることを要求する。
SAM46の設計は、システム20からのモジュール46の迅速な取外しを容易にするために迅速なアクセスを可能にすることが要求される。これは、上部構造における不適正な装着及び設置の排除を含む。取扱を容易にし、装置への損傷又は作業者への傷害を防ぐために、誘導具、軌動、又は停止装置を備えることができる。
Further, according to an embodiment of the present invention, the design can be completed for the SAM module 46, for example, replacement of the module 46 and the energy calibration of the energy measurement by the PDM 144, for example in a frequency of 12 billion pulses, for example within 2 hours. , PDM 144 also requires that it be calibrated once a year over 2 hours.
The design of the SAM 46 is required to allow quick access to facilitate quick removal of the module 46 from the system 20. This includes the elimination of improper mounting and installation in the superstructure. In order to facilitate handling and prevent damage to the device or injury to the operator, a guide, trajectory or stop device may be provided.

本発明の実施形態によると、SAM46は、4000Hzを超えて8000Hzにまでも達するところで例えば少なくとも10フェムトメートルの精度に達するパルス毎に例えば帯域幅の測定が要求されることになる。例えばPDA182において水平0.025mm×垂直0.5mmのピクセルサイズ、及び1024個のフォトダイオード(ピクセル)アレイを有するPDA182と共に、図7に示す結像レンズの焦点距離、及びエタロン162の3pmの自由スペクトル範囲(FSR)を用いて、エタロンのフリンジの強度分布を取扱う基本的な干渉計方程式、すなわち、λ=(2**d/m)*Cos(θ)を使用することができ、ここで、λは波長であって公称193.350nm、nは、エタロンの内部屈折率、dは、エタロンのミラー間隔、mは次数であってフリンジのピークにおける波長の整数値、θは、エタロン内の干渉計軸に対する光路の入射角である。上式は、λ=(2**d/m)*Cos(R/f)と書き換えることができ、ここで、Rはフリンジ半径であって例えば250〜450個のPDAピクセルであり、各ピクセルは約25pmであり、fは、レンズからPDAの入射平面までの焦点距離であって例えば61280ピクセル幅であり、すなわち、公称1.5mの焦点距離のレンズである集束レンズ224の焦点距離において1.532m/25μmである。 According to embodiments of the present invention, the SAM 46 will be required to measure bandwidth, for example, every pulse that reaches an accuracy of at least 10 femtometers, for example, exceeding 4000 Hz and reaching 8000 Hz. For example, with PDA 182 having a pixel size of horizontal 0.025 mm × vertical 0.5 mm in PDA 182 and an array of 1024 photodiodes (pixels), the focal length of the imaging lens shown in FIG. 7 and the 3 pm free spectrum of etalon 162 Using the range (FSR), we can use the basic interferometer equation to handle the etalon fringe intensity distribution, ie λ = (2 * n * d / m) * Cos (θ), where , Λ is the wavelength, nominally 193.350 nm, n is the internal refractive index of the etalon, d is the mirror distance of the etalon, m is the order and the integer value of the wavelength at the fringe peak, and θ is within the etalon The incident angle of the optical path with respect to the interferometer axis. The above equation can be rewritten as λ = (2 * n * d / m) * Cos (R / f), where R is a fringe radius, for example 250-450 PDA pixels, The pixel is about 25 pm and f is the focal length from the lens to the PDA entrance plane, for example 61280 pixels wide, ie at the focal length of the focusing lens 224 which is a lens with a nominal focal length of 1.5 m. 1.532 m / 25 μm.

エタロン162内の干渉の導入に続くビーム指向における機械的ドリフトに対処するためには、フリンジの半径よりも直径Dを取扱う方が好ましい。従って、λ=(2**d/m)Cos(D/2f)になる。フリンジ幅はエタロン162を通過する光源の帯域幅の測定値であるから、中心の波長は既知のものであると仮定すると、内側及び外側の直径に対して計算された波長の差は、生の帯域幅の値を与えることになる。同じ環内にある2つのピークがPDA182から環の軸に沿った2つの別々のピークとしてのみ見えると仮定すると、λID(内径)=(2**d/m)*Cos(DID/2f)、及びλOD(外径)=(2**d/m)*Cos(DOD/2f)になる。Δλ=λID−λODであるから、Δλ=λ0[Cos(DID/2f)−Cos(DOD/2f)]/Cos(D0/2f)になり、ここで、D0=(DID+DOD)/2、λ0は、λ=(2**d/m)*Cos(D0/2f)によるD0に関するライン中心の帯域幅である。本発明の実施形態では、これらの方程式において、実際のλ0が見当値の0.5nm内にある(仮定)限り、λ0における見当値で十分であり、この結果、LAM28からの入力又はλ0の進路測定のためのPDA182におけるピクセルの一部分の利用はどちらも必要ではない。しかし、所定の帯域幅を較正値として利用することもできる。 In order to deal with the mechanical drift in beam pointing following the introduction of interference in the etalon 162, it is preferable to handle the diameter D rather than the radius of the fringe. Accordingly, λ = (2 * n * d / m) Cos (D / 2f). Since the fringe width is a measure of the bandwidth of the light source passing through the etalon 162, assuming that the center wavelength is known, the difference in wavelength calculated for the inner and outer diameters is the raw Will give a bandwidth value. Assuming that two peaks in the same ring are only visible from PDA 182 as two separate peaks along the axis of the ring, λ ID (inner diameter) = (2 * n * d / m) * Cos (D ID / 2f), and λ OD (outer diameter) = (2 * n * d / m) * Cos (D OD / 2f). Since Δλ = λ ID −λ OD , Δλ = λ 0 [Cos (D ID / 2f) −Cos (D OD / 2f)] / Cos (D 0 / 2f), where D 0 = ( D ID + D OD ) / 2, λ 0 is the bandwidth at the line center with respect to D 0 according to λ = (2 * n * d / m) * Cos (D 0 / 2f). In embodiments of the present invention, in these equations, as long as the actual λ 0 is within 0.5 nm of the assumed value (assuming), the registered value at λ 0 is sufficient, so that the input from the LAM 28 or λ Neither use of a portion of the pixels in the PDA 182 for zero path measurement is necessary. However, a predetermined bandwidth can also be used as a calibration value.

従って、重要なプロセッサ時間を失わないために、上述の方程式は、微小角度近似を用いて方程式Δλ=λ0[DOD 2−DID 2]/[8f2−D0 2]という結果をもたらす。従来技術の手法に代えて検出器の範囲にわたってこの方程式を使用すると、結果として生じる誤差は無視することができ、すなわち、<10-5fmである。微小角度の誤差は、約200〜800ピクセルにわたって本質的に0であり、これらの点から検出器の端まで約0.0005fmまでほぼ線形に増大する。 Thus, in order not to lose significant processor time, the above equation results in the equation Δλ = λ 0 [D OD 2 −D ID 2 ] / [8f 2 −D 0 2 ] using a small angle approximation. . Using this equation over the detector range instead of the prior art approach, the resulting error can be ignored, i.e. <10 -5 fm. The minor angle error is essentially zero over about 200-800 pixels and increases approximately linearly from these points to about 0.0005 fm to the edge of the detector.

λ0を例えば193.350nmの一定値として扱うことで、約193.200〜193.500の範囲、すなわち約0.3nmに関する帯域幅計算において、帯域幅における誤差は、0.1fmよりも小さい範囲に留まることになる。DODは、例えば325ピクセルに等しくなり、DIDは、例えば300ピクセルに等しくなり、D0は、312.5ピクセルに等しくなり、上述で説明した通り、f=61280ピクセル幅になる。 By treating λ 0 as, for example, a constant value of 193.350 nm, in the bandwidth calculation for a range of about 193.200 to 193.500, that is, about 0.3 nm, the error in bandwidth is a range smaller than 0.1 fm. Will stay. D OD is equal to, for example, 325 pixels, D ID is equal to, for example, 300 pixels, and D 0 is equal to 312.5 pixels, which is f = 61280 pixels wide as described above.

一般的に誤差解析に用いられる誤差伝播を利用し、独立変数及び共変項は省くと仮定し、PDA182のピクセル間の様々な利得/量子効率/応答からの誤差への寄与を無視すると、レーザの同調可能な範囲にわたって定数のλ0を仮定することからもたらされる誤差σλ0/λ0は、<8×10-4になる。焦点距離からの帯域幅誤差への同程度又はより低い寄与に対して、σfは、24ピクセル(すなわち、約0.5mm)よりも小さくなる必要があるであろう。同様に、フリンジ直径測定からの帯域幅における誤差への同程度又はより低い寄与に対して、σDは、1ピクセルの1/73よりも良好になる必要があるであろう。これは、帯域幅の計算を最適化するための、すなわちλ0を既知の定数であると仮定することによる焦点距離誤差及びフリンジ直径測定に基づく本出願人の寄与の選択を実証するものである。 Using error propagation, typically used for error analysis, assuming that independent variables and covariates are omitted, and ignoring the error contribution from various gains / quantum efficiencies / responses between PDA 182 pixels, the laser error σ λ0 / λ 0 that results from assuming a lambda 0 constant over the tunable range will <8 × 10 -4. For a comparable or lower contribution to bandwidth error from the focal length, σ f will need to be smaller than 24 pixels (ie, about 0.5 mm). Similarly, for a similar or lower contribution to the error in bandwidth from fringe diameter measurements, σ D would need to be better than 1/73 of a pixel. This demonstrates Applicant's choice of contribution based on focal length error and fringe diameter measurements to optimize bandwidth calculations, ie by assuming that λ 0 is a known constant. .

本発明の実施形態によると、第1段拡散器222におけるフルエンスレベルは、球面レンズを用いるのとは反対に、例えば第1段拡散器222を通過するビーム114の長軸に沿って縮小して平行にする円柱レンズテレスコープを用いることにより更に閉じ込められる。結果として生まれるエネルギ密度の減少は、恐らく一次ビームスプリッタのミラー104を除いては、SAM46内の全ての光学機器への損傷の可能性を劇的に低減するものであるが、一次ビームスプリッタのミラー104では、例えばPAチャンバ50からの出力が40mJで作動している時に、フルエンスレベルは、ほぼ25mJ/cm2に達する可能性があると考えられる。一次スプリッタのミラー104におけるエネルギ密度レベルは、いくつかのシステムパラメータと密接に結び付けられており、純粋にSAMモジュール46の設計による問題軽減能力は限られている。 According to an embodiment of the present invention, the fluence level in the first stage diffuser 222 is reduced, for example, along the long axis of the beam 114 passing through the first stage diffuser 222, as opposed to using a spherical lens. It is further confined by using a collimating cylindrical lens telescope. The resulting reduction in energy density dramatically reduces the possibility of damage to all optics in the SAM 46, except perhaps for the primary beam splitter mirror 104, but the primary beam splitter mirror. At 104, for example, when the output from the PA chamber 50 is operating at 40 mJ, the fluence level may reach approximately 25 mJ / cm 2 . The energy density level at the mirror 104 of the primary splitter is closely tied to several system parameters and the ability to mitigate problems with pure SAM module 46 design is limited.

0.2pm及びそれよりも小さい値に至るまでの帯域幅の測定を可能にするためには、本出願人の譲受人の「7000A」レーザ製品などの現在使用されている波長計の帯域幅追跡能力では不適切である。標準の波長計において用いられている20pmFSRのエタロンのスリット機能は、適度に安定した手法で帯域幅変化を追跡することを困難にしている。フィネスの改良による「より良い」20pmのエタロンの製作が不能であることは、既存の構成をもって必要な帯域幅測定を達成する機能を厳しく制限するものである。この結果、本出願人は、より短いFSR(エタロンのスリット機能を絞るため)を有するエタロン162に改良し、より長い焦点距離の結像レンズを用いた(PDA1182を含むエタロン分光計162回路の線形分散を改良するために)。相対的に非常に幅の狭いスリット機能のエタロン162、例えば組み合わされた3pmFSRのエタロンが例えば1.5m結像レンズと共に選択され、これは、合わせて例えば0.15〜0.3pmのFWHMの範囲にわたる望ましい帯域幅追跡能力をもたらすと判断された。   To allow bandwidth measurements down to 0.2 pm and below, bandwidth tracking of currently used wavemeters such as the assignee's assignee's “7000A” laser product The ability is inappropriate. The 20 pm FSR etalon slit function used in standard wavemeters makes it difficult to track bandwidth changes in a reasonably stable manner. The inability to produce “better” 20 pm etalon with finesse improvements severely limits the ability to achieve the required bandwidth measurements with existing configurations. As a result, Applicants improved to an etalon 162 with a shorter FSR (to narrow the etalon slit function) and used a longer focal length imaging lens (the linearity of the etalon spectrometer 162 circuit including the PDA 1182). To improve dispersion). A relatively very narrow slit function etalon 162, for example a combined 3 pm FSR etalon, is selected with, for example, a 1.5 m imaging lens, which together has a FWHM range of, for example, 0.15-0.3 pm It was determined to provide a desirable bandwidth tracking capability over a wide range.

エタロン162のスリット機能及び線形分散における改良は、いわゆる「勾配補正」という手段に訴える必要なしに帯域幅を追跡する機能の大幅な改良をもたらすものである。それにも関わらず、内側フリンジ対外側フリンジからの測定値間の見掛け帯域幅の差は、例えば0.025pm程にも大きくなる可能性があるために、「blur補正」実行の必要性が存在する。これは、本発明の実施形態によるSAMモジュールに要求される帯域幅測定の精度に対するほぼ全ての誤差集積量と同程度に大きくなる可能性があり、この結果、例えば「blur補正」が帯域幅計算に組み込まれる。   The improvement in the slit function and linear dispersion of the etalon 162 provides a significant improvement in the ability to track bandwidth without having to resort to so-called “slope correction” measures. Nevertheless, there is a need to perform “blur correction” because the apparent bandwidth difference between the measurements from the inner and outer fringes can be as large as 0.025 pm, for example. . This can be as large as almost all error accumulations for the bandwidth measurement accuracy required for the SAM module according to embodiments of the present invention, so that, for example, “blur correction” is bandwidth calculation. Incorporated into.

本発明の実施形態によると、主ビーム64の小さな割合をエネルギモニタ144に供給する非コーティングビームスプリッタミラー104及び140が偏光感度を有する可能性があるために、SAM46におけるエネルギモニタ144は、偏光感度を有する可能性がある。フレネルの方程式を用いて、入力ビームに対するエネルギモニタ144の偏光感度は、2.85:1::水平:垂直であると判断された。   In accordance with an embodiment of the present invention, the energy monitor 144 in the SAM 46 is polarization sensitive because the uncoated beam splitter mirrors 104 and 140 that supply a small fraction of the main beam 64 to the energy monitor 144 may have polarization sensitivity. May have. Using the Fresnel equation, the polarization sensitivity of the energy monitor 144 to the input beam was determined to be 2.85: 1 :: horizontal: vertical.

高速フォトダイオードアレイ182をSAMに追加することができ、この場合、装備可能な同期出力回路等において例えば消灯をトリガするために、例えば自動調節回路をリソグラフィ又は光源を使用する他のユーザにもたらすことができるであろう。これは、パルス長(DIMPLE)を測定するための例えばダイオード機器を伴うある一定の測定、及びいくつかのモジュールのいずれかが交換された時の調節の必要性を排除すると考えられる。   A high speed photodiode array 182 can be added to the SAM, in which case, for example, an automatic adjustment circuit is provided to other users using lithography or light sources, for example to trigger extinction in a synchronizable output circuit etc. that can be equipped Will be able to. This is believed to eliminate the need for certain measurements, such as with diode equipment, to measure pulse length (DIMPLE), and adjustment when any of several modules are replaced.

LAM28からの帯域幅数は、例えば「仕様内」及び「仕様外」条件を正確に判断するために、SAM46によって報告される値との組合せで使用することができるであろう。例えば、各々から見えるレーザスペクトルのFWHM及びE95に対するLAM28及びSAM46の異なる相対感度は、例えば異なるスペクトル形状の範囲にわたるスペクトルのFWHM又はE95を正確に判断するために、2つの記録された値の線形組合せの使用を可能にすることができる。   The bandwidth number from the LAM 28 could be used in combination with the value reported by the SAM 46, eg, to accurately determine “in specification” and “out of specification” conditions. For example, the different relative sensitivities of LAM 28 and SAM 46 to the FWHM and E95 of the laser spectrum visible from each is a linear combination of two recorded values, eg, to accurately determine the FWHM or E95 of the spectrum over a range of different spectral shapes. Can be used.

選択されたエタロン162は、例えば決められた間隔にある一対の空気分離型ミラー174(図7に示す)によって構成することができる。エタロン162の仕様は、とりわけ、この構成要素の寿命延長への要件を含む例えば上述の作動パラメータの下でのエタロン162の適正な機能への要件により絞り込まれる。選択されたパラメータは、例えば193.36nmにおける例えば3pmの自由スペクトル範囲、例えば10mmの開口にわたる≧25の有効フィネス、及び193.35nmの直角入射における≧50%のピーク透過率(フリンジピーク光電気信号と入力ピーク信号との比率)を含むことができる。   The selected etalon 162 can be constituted by, for example, a pair of air separating mirrors 174 (shown in FIG. 7) at a predetermined interval. The specifications of the etalon 162 are narrowed down by requirements for proper functioning of the etalon 162, for example, under the operating parameters described above, including requirements for extending the lifetime of this component. The selected parameters are, for example, a free spectral range of eg 3 pm at 193.36 nm, eg ≧ 25 effective finesse over an aperture of 10 mm, and a peak transmission (fringe peak optoelectric signal of ≧ 50% at 193.35 nm normal incidence. And the ratio of the input peak signal).

ここで図7を参照すると、調節可能ミラーM1(146)とエタロン162の間にあるSAM46の光学モジュール72の光学要素がより詳細に示されている。この実施形態では、図4のテレスコープ前部レンズ150及び図4の組合せ光学要素152は、全てが単一の装着フレーム200に収容されているように示されており、テレスコープ前部レンズ204は、装着ネジ206によって装着フレーム200に取付けられたマウント150内に収容されており、装着ネジ206はまた、装着フレーム150内の定位置にレンズ204を保持するフィンガスプリングクリップを定位置に保持する役割を果たすものである。装着フレーム200内には、図4に示す組み合わされた光学機器152の構成要素、すなわち、テレスコープの後部レンズ220、第1段拡散器222、及び球面レンズ224が収容されている。テレスコープ後部レンズ220は、装着ネジ246及び円形スプリングクリップ242によって装着フレーム200上に定位置に保持することができる。球面集束レンズ224は、一対の装着ネジ240及び付随するフィンガスプリングクリップ248によって定位置に保持することができる。第2段拡散器230は、装着ネジ236及びフィンガスプリングクリップ238によって第2段拡散器の装着フレーム160に定位置に保持される。装着フレーム200は、装着ネジ210によって光学機器モジュール72のプレート122に取付けることができ、第2段拡散器の装着フレーム160は、装着ネジ232によってプレート122に取付けることができる。エタロン162は、装着ネジ170によってプレート122に取付けることができる。   Referring now to FIG. 7, the optical elements of the optical module 72 of the SAM 46 between the adjustable mirror M1 (146) and the etalon 162 are shown in more detail. In this embodiment, the telescope front lens 150 of FIG. 4 and the combination optical element 152 of FIG. 4 are all shown to be housed in a single mounting frame 200 and the telescope front lens 204 is shown. Is housed in a mount 150 attached to the mounting frame 200 by mounting screws 206, which also hold a finger spring clip holding the lens 204 in place in the mounting frame 150 in place. It plays a role. Within the mounting frame 200 are housed components of the combined optical instrument 152 shown in FIG. 4, ie, the telescope rear lens 220, first stage diffuser 222, and spherical lens 224. Telescope rear lens 220 can be held in place on mounting frame 200 by mounting screw 246 and circular spring clip 242. The spherical focusing lens 224 can be held in place by a pair of mounting screws 240 and an accompanying finger spring clip 248. Second stage diffuser 230 is held in place on mounting frame 160 of the second stage diffuser by mounting screw 236 and finger spring clip 238. The mounting frame 200 can be attached to the plate 122 of the optical instrument module 72 by the mounting screw 210, and the mounting frame 160 of the second stage diffuser can be attached to the plate 122 by the mounting screw 232. The etalon 162 can be attached to the plate 122 by mounting screws 170.

前部テレスコープレンズは、CaF2凸円柱レンズとすることができ、これは、同じくCaF2で作ることができる後部テレスコープレンズ220と連係して作用し、また、凹円柱レンズとすることもでき、ビーム114を縮小し、すなわち、その断面を小さくする。回折拡散器222も同様にCaF2から作ることができる。球面集束レンズ224も同様にCaF2から作ることができ、例えば1.5メートルの焦点距離を有することができる。エタロン162は、例えば193.350nmにおいて約3pmの自由スペクトル範囲、及び23よりも大きいフィネスを有するファブリ−ペロー・エタロンとすることができる。エタロンパラメータ及び焦点距離は、本質的に2つの最内側干渉環からのフリンジのみをPDA182に供給するように選択され、フリンジは、本質的にアレイ内のフォトダイオード(ピクセル)の全てを覆うが、例えば±5ピクセルというある程度の許容範囲があり、2つのフリンジの最外側に対するDODの幅は、帯域幅及び/又は中心波長の変化時に確かに変化する。 The front telescope lens can be a CaF 2 convex cylindrical lens, which works in conjunction with a rear telescope lens 220 that can also be made of CaF 2 and can also be a concave cylindrical lens. Can reduce the beam 114, ie, reduce its cross-section. The diffractive diffuser 222 can be made from CaF 2 as well. The spherical focusing lens 224 can also be made from CaF 2 and can have a focal length of 1.5 meters, for example. The etalon 162 can be, for example, a Fabry-Perot etalon with a free spectral range of about 3 pm at 193.350 nm and a finesse greater than 23. The etalon parameters and focal length are selected to provide the PDA 182 with essentially only the fringes from the two innermost interference rings, which essentially covers all of the photodiodes (pixels) in the array, There is some tolerance, for example ± 5 pixels, and the width of D OD relative to the outermost of the two fringes will certainly change when the bandwidth and / or center wavelength changes.

ArFレーザ等級溶融シリカから作ることができる回折拡散器222は、ビームを均一化する役割を果たし、入力光ビームの均一な再分配という結果を生む。これによって縁部及び中心の光が均等な波長分解能及び輝度を有することになるように、例えばビーム内の空間情報の適正な混合化を確実にすることができる。このような2元回折拡散器222のおおよその仕様は、例えば10mm×10mm×2mmの回折拡散器222寸法、矩形の出力パターン形状、≦1%のゼロ次ブリードスルー、及び水平が10°±0.1°、垂直が5°±0.1°の全角度発散を含む。選択された材料は、エキシマレーザ等級CaF2とすることもできると考えられる。 A diffractive diffuser 222, which can be made from ArF laser grade fused silica, serves to homogenize the beam, resulting in a uniform redistribution of the input light beam. This ensures, for example, proper mixing of the spatial information in the beam so that the edge and center light will have uniform wavelength resolution and brightness. The approximate specifications of such a binary diffraction diffuser 222 include, for example, a 10 mm × 10 mm × 2 mm diffraction diffuser 222 size, a rectangular output pattern shape, ≦ 1% zero-order bleed through, and a horizontal of 10 ° ± 0. Includes full angle divergence of 1 °, vertical 5 ° ± 0.1 °. The selected material is believed to also be a excimer laser grade CaF 2.

論理アセンブリ74(SAM46の電子機器)は、SAM46の光学機器モジュール72の近くに位置しており、これは、2つのモジュール72及び74の密接した相互作用のためである。本発明の実施形態によるPDM144は、SAM46の光学機器モジュール72内に設置することができる。SAM46及びPDM144は、これらの役割を実行するために光学機器及び電子機器を収容しており、論理アセンブリ74は、その役割を実行するために電子機器のみを収容する。
SAM46は、光学テーブル(図示しない)に対して垂直に装着することができる。モジュール交換を簡単にするために、モジュール46は、3つの拘束蝶ネジ78を用いてモジュール内の隔壁122に装着することができる。境界面において、エラストマー性のないシーリングを備えることができる。
The logic assembly 74 (SAM 46 electronics) is located near the SAM 46 optics module 72 because of the close interaction of the two modules 72 and 74. The PDM 144 according to the embodiment of the present invention can be installed in the optical device module 72 of the SAM 46. The SAM 46 and PDM 144 contain optical and electronic equipment to perform these roles, and the logic assembly 74 contains only electronic equipment to perform those roles.
The SAM 46 can be mounted perpendicular to an optical table (not shown). To simplify module replacement, the module 46 can be attached to the septum 122 within the module using three captive thumbscrews 78. At the interface, a non-elastomeric sealing can be provided.

レーザ制御システム(図示しない)へのリンクは、例えばローカルネットワーク又はSAM46上のイーサネットポートを通じて設けることができる。この接続は、例えば非タイムクリティカルな指令及び情報のためとすることができる。また、SAM46から発射制御プロセッサ(FCP)への直接の接続を有することができ、これは、レーザシステム20を制御するための制御アルゴリズムにおいて使用するための測定値の高速データストリームをもたらすことができる。   A link to a laser control system (not shown) can be provided, for example, through a local network or an Ethernet port on the SAM 46. This connection may be for non-time critical commands and information, for example. It can also have a direct connection from the SAM 46 to the firing control processor (FCP), which can provide a high-speed data stream of measurements for use in the control algorithm for controlling the laser system 20. .

汚染及び酸素による吸収からの損失による損傷を避けるために、モジュール46内のレーザビームの経路はパージすることができる。例えば窒素パージガスがPAのWEB42から一次ビームスプリッタ80の内部を通じて流れ、PA50のチャンバ窓(図示しない)にあるパージ出口ライン、すなわち、一次ビームスプリッタのフランジ118が接続されている送風器(図示しない)内を通じて排気されるように、例えば一次ビームスプリッタ80のためのパージインタフェースを設けることができる。   In order to avoid damage due to contamination and loss from absorption by oxygen, the path of the laser beam in module 46 can be purged. For example, a nitrogen purge gas flows from the WEB 42 of the PA through the interior of the primary beam splitter 80 and a purge outlet line in the chamber window (not shown) of the PA 50, that is, a blower (not shown) connected to the flange 118 of the primary beam splitter. For example, a purge interface for the primary beam splitter 80 can be provided to be evacuated through.

SAM46内(であるが、一次ビームスプリッタ80のパージセルの外側)にある残りの光学機器は、例えば筐体76を通じる管継ぎ手によってモジュール46に供給することができる乾燥窒素中で気体浴に露出することができる。筐体76は、例えば4リットル/分の筐体に対する窒素パージ速度、及び5ppmを超えない酸素濃度を有することができ、100kPaの過剰圧力下での一次ビームスプリッタのパージセルにおける漏れ速度は、例えば1×10-5scc/sである。
CaF2一次ビームスプリッタ80のミラー104へのいわゆる「ホワイトファズ」損傷(高UVフルエンスの下での圧縮による)の可能性により、本出願人は、上述の70°角のビーム入射を利用するに至った。それに応じてSAM46の内部光学レイアウトは、従来技術の波長計バージョンから修正されている。
The remaining optical equipment within the SAM 46 (but outside the purge beam of the primary beam splitter 80) is exposed to a gas bath in dry nitrogen that can be supplied to the module 46 by, for example, a pipe joint through the housing 76. be able to. The housing 76 can have a nitrogen purge rate for a housing of, for example, 4 liters / minute, and an oxygen concentration not exceeding 5 ppm, and the leakage rate in the primary beam splitter purge cell under an overpressure of 100 kPa is, for example, 1 × 10 -5 scc / s.
Due to the possibility of so-called “white fuzz” damage (due to compression under high UV fluence) to the mirror 104 of the CaF 2 primary beam splitter 80, the applicant has made use of the 70 ° angle beam incidence described above. It came. Accordingly, the internal optical layout of the SAM 46 has been modified from the prior art wavemeter version.

SAM46の試作品の構成では、一次ビームスプリッタ80のミラー104におけるフルエンスレベルは、パルスエネルギが20〜40mJ、ビームサイズが9mm×3mm、及び一次ビームスプリッタ80のミラー104がビーム伝播方向に対して45°に方向付けされていると仮定して52〜105mJ/cm2であると推定された。これは、5mJ/パルスにおいてビームが12.5mm×2.2mmであると仮定した場合の本出願人の譲受人の「70XX」製品に見られる13mJ/cm2に相当する。
一次ビームスプリッタのミラー104の45°から70°への再方向付けにより、一次スプリッタのミラー104において、約25〜51mJ/cm2のフルエンスの低減がある。しかし、「ホワイトファズ」損傷は依然として残り、設計においてこれに対して依然として対処する必要がある。再設計されたマウントは、CaF2又はMgF2材料に適応することができると考えられる。
In the configuration of the SAM 46 prototype, the fluence level in the mirror 104 of the primary beam splitter 80 is such that the pulse energy is 20 to 40 mJ, the beam size is 9 mm × 3 mm, and the mirror 104 of the primary beam splitter 80 is 45 with respect to the beam propagation direction. It was estimated to be 52-105 mJ / cm 2 assuming it was oriented at °. This corresponds to 13 mJ / cm 2 found in the assignee's assignee's “70XX” product assuming a beam of 12.5 mm × 2.2 mm at 5 mJ / pulse.
The reorientation of the primary beam splitter mirror 104 from 45 ° to 70 ° results in a fluence reduction of approximately 25-51 mJ / cm 2 in the primary splitter mirror 104. However, “white fuzz” damage still remains and this still needs to be addressed in the design. It is believed that the redesigned mount can accommodate CaF 2 or MgF 2 materials.

例えば図5に見られるように、右手座標系を利用してレーザシステム20に関する座標系を定めると、z軸は、例えばレーザビーム伝播方向、x軸は、垂直に上向き方向、及びy軸は、使用者に向けて水平方向、すなわち図面用紙から飛び出す方向とすることができる。このような座標系においては、一次スプリッタ80のミラーは、例えば2mm厚で、x軸に関する角θ=70°、z軸に関する角φ=0°に方向付けされた円形の40mm平面とすることができる。この結果、一次スプリッタのミラー104を通過後の距離dによるビーム中心の合計変位量がもたらされる。例えば、CaF2材料(n=1.5018@193nm)に対して、上述で定められた座標系に関するビーム変位量は、以下のようになる。
Δx=+0.0mm
Δy=+1.33mm
ここでは、1atmにおけるN2の屈折率=1.0003であると仮定されている。
For example, as can be seen in FIG. 5, when the coordinate system for the laser system 20 is defined using the right-handed coordinate system, the z-axis is, for example, the laser beam propagation direction, the x-axis is vertically upward, and the y-axis is It can be set in a horizontal direction toward the user, that is, a direction of jumping out from the drawing sheet. In such a coordinate system, the mirror of the primary splitter 80 is, for example, 2 mm thick and is a circular 40 mm plane oriented at an angle θ = 70 ° with respect to the x axis and an angle φ = 0 ° with respect to the z axis. it can. This results in a total beam center displacement by distance d after passing through the mirror 104 of the primary splitter. For example, for a CaF 2 material (n=1.518@193 nm), the beam displacement amount related to the coordinate system defined above is as follows.
Δx = + 0.0mm
Δy = + 1.33mm
Here, it is assumed that the refractive index of N 2 at 1 atm = 1.0003.

MgF2材料に対しては、伝播方向に沿った屈折率が最初に判断されるべきである。通常の光線に対する屈折率をno=1.4305、異常光線の屈折率をne=1.444とし、光学機器がc軸と垂直に交わる光学機器の平面表面によって切断されていると仮定すると、z軸に沿った伝播方向の媒質内の屈折率は、n=1.4362へと低減する。この結果、ビーム変位量は、以下のようになる。
Δx=+0.0mm
Δy=+1.29mm
これは、CaF2での変位量とそれ程変わらない。
For MgF 2 material, the refractive index along the propagation direction should be determined first. Assume that the refractive index for ordinary light is n o = 1.4305, the refractive index for extraordinary light is n e = 1.444, and the optical device is cut by the plane surface of the optical device that intersects the c-axis perpendicularly. The refractive index in the medium in the propagation direction along the z axis is reduced to n = 1.4362. As a result, the beam displacement amount is as follows.
Δx = + 0.0mm
Δy = + 1.29mm
This is not much different from the displacement in CaF 2 .

一次スプリッタのミラー104の2つのフレネル反射の中心間のビーム離間は、以下のようになると考えられる。
d=2**(tanθi*(cosθr
θi=70°に対して上述で列挙した材料の性質を用いると、以下のようになる。
⇒CaF2に対して、d=l.lmm
⇒MgF2に対して、d=1.2mm
The beam separation between the centers of the two Fresnel reflections of the mirror 104 of the primary splitter is considered as follows.
d = 2 * t * (tan θ i ) * (cos θ r )
Using the material properties listed above for θ i = 70 °:
⇒For CaF 2 , d = l. lmm
⇒d = 1.2mm for MgF 2

完全にy軸に沿って偏光された光に対して、スプリッタの反射率は、以下のようになる。
11=I0y[{P70Cos2(0)}+{S70Sin2(0)}]=I0y70
ここで、P70は、70°の入射角においてp偏光された光の反射率であり、I11は、一次スプリッタのミラー104の前面から反射された光の強度であり、I0yは、水平に偏光された入射光の強度である。
12=(I0y−I11)P70−(I0y−I11)(P702
ここで、I12は、一次スプリッタのミラー104の後面からの反射の後に一次スプリッタのミラー104の前面を出射する光の強度である。ビーム114のうちの測定モジュール46の中に反射された合計強度は、以下のようになる。
R=I11+I12
⇒CaF2に対して、=0.08133I0y
⇒MgF2に対して、=0.08632l0y
For light that is completely polarized along the y-axis, the reflectivity of the splitter is:
I 11 = I 0y [{P 70 Cos 2 (0)} + {S 70 Sin 2 (0)}] = I 0y P 70
Here, P 70 is the reflectivity of p-polarized light at an incident angle of 70 °, I 11 is the intensity of light reflected from the front surface of the mirror 104 of the primary splitter, and I 0y is horizontal Is the intensity of the incident light polarized in the direction.
I 12 = (I 0y −I 11 ) P 70 − (I 0y −I 11 ) (P 70 ) 2
Here, I 12 is the intensity of light emitted from the front surface of the primary splitter mirror 104 after reflection from the rear surface of the primary splitter mirror 104. The total intensity reflected in the measurement module 46 of the beam 114 is as follows:
I R = I 11 + I 12
Against ⇒CaF 2, = 0.08133I 0y
Against ⇒MgF 2, = 0.08632l 0y

次に、二次スプリッタ140は、ビーム114内のこの光の一部をエネルギモニタ144に反射する。その方向は、反射される光が以下のようになる方向である。
21=S45(I11+I12
22=S45(I11+I12−I21)−(S452(I11+I12−I21
ここで、I21及びI22は、二次スプリッタのミラー140の前面及び後面からエネルギモニタ144に反射された光の強度である。水平に偏光された光に関するエネルギモニタ144の中へ反射された入射光の強度の割合は、以下のようになる。
R=I21+I22
⇒CaF2に対して、=0.0137I0y
⇒MgF2に対して、=0.01454l0y
垂直に偏光された光に関するエネルギモニタ144の中へ反射された入射光の強度の割合は、以下のようになる。
⇒CaF2に対して、=0.00756I0x
⇒MgF2に対して、=0.00702I0y
Secondary splitter 140 then reflects a portion of this light in beam 114 to energy monitor 144. The direction is the direction in which the reflected light is as follows.
I 21 = S 45 (I 11 + I 12 )
I 22 = S 45 (I 11 + I 12 −I 21 ) − (S 45 ) 2 (I 11 + I 12 −I 21 )
Here, I 21 and I 22 are the intensities of light reflected on the energy monitor 144 from the front and rear surfaces of the mirror 140 of the secondary splitter. The proportion of the intensity of incident light reflected into the energy monitor 144 for horizontally polarized light is as follows:
I R = I 21 + I 22
Against ⇒CaF 2, = 0.0137I 0y
Against ⇒MgF 2, = 0.01454l 0y
The ratio of the intensity of incident light reflected into the energy monitor 144 for vertically polarized light is as follows:
⇒ = 0.756I 0x for CaF 2
Against ⇒MgF 2, = 0.00702I 0y

この解析は、一次スプリッタのミラー104と二次スプリッタ140の間に損失がない(2者の間にいかなる窓又は追加の二次スプリッタも不在)と仮定するが、上述で開示した実施形態では、一次ビームスプリッタのミラー104と二次ビームスプリッタ140の間に2つの窓110及び112、及びステアリングミラー102があり、ビームの水平軸に対して垂直に偏光された光を仮定し、従来技術で公知のように偏光と共に大幅に変化すると、これらにより計算された強度が約10%低減する。   This analysis assumes that there is no loss between the primary splitter mirror 104 and the secondary splitter 140 (there is no window or additional secondary splitter between the two), but in the embodiment disclosed above, Between the primary beam splitter mirror 104 and the secondary beam splitter 140 are two windows 110 and 112, and a steering mirror 102, assuming light polarized perpendicular to the horizontal axis of the beam and known in the prior art. Thus, the intensity calculated with these decreases by about 10%.

70度の入射角は、スプリッタのミラー104の表面上のビームフットプリントのサイズを劇的に増大する。図3及び図8に示すように、SAM46にある一次スプリッタのミラー104が二重の通過(MOビーム62の一方の道筋及びPAビーム64の他方の道筋)に適応すべきであるという要件により、状況は更に複雑になっている。システムの光線トレースによって定められるビームサイズ、離間、及び角度は、図8に示すように以下のようになる。
MOビーム:
水平プロフィール:2.0mm、垂直プロフィール:7.5mm
PAビーム:
水平プロフィール:5.0mm、垂直プロフィール:11.0mm
中心間離間:3.72mm
MO及びPAビーム間の傾き:6.7mrad
An incident angle of 70 degrees dramatically increases the size of the beam footprint on the surface of the splitter mirror 104. As shown in FIGS. 3 and 8, due to the requirement that the mirror 104 of the primary splitter in the SAM 46 should accommodate double passes (one path of the MO beam 62 and the other path of the PA beam 64), The situation is getting more complicated. The beam size, separation, and angle defined by the ray traces of the system are as follows, as shown in FIG.
MO beam:
Horizontal profile: 2.0 mm, vertical profile: 7.5 mm
PA beam:
Horizontal profile: 5.0mm, Vertical profile: 11.0mm
Distance between centers: 3.72 mm
Tilt between MO and PA beams: 6.7 mrad

図8は、一次スプリッタのミラー104のチャンバ面104’、及び一次スプリッタのミラー104のシャッター面104’’上のビームフットプリントを示している。ハッチングされた区域105は、光学機器104を装着するために用いられるおおよその「締め出し」区域である。32mm直径の円は、2つのビームのための利用可能スペースのために何らかの余白を割当てる役割を果たすものである。一次スプリッタのミラー104のチャンバ面104’において、MOビーム62及びPAビーム64は、2つのビーム62及び64にわたる線105の中点が光学機器104’の面心に一致するように配置される。   FIG. 8 shows the beam footprint on the chamber surface 104 ′ of the primary splitter mirror 104 and the shutter surface 104 ″ of the primary splitter mirror 104. Hatched area 105 is an approximate “lock out” area used to mount optical instrument 104. The 32 mm diameter circle serves to allocate some margin for the available space for the two beams. At the chamber surface 104 ′ of the primary splitter mirror 104, the MO beam 62 and PA beam 64 are positioned so that the midpoint of the line 105 across the two beams 62 and 64 coincides with the face center of the optical instrument 104 ′.

例えばPAのWEB42にある出力シャッターに対面するシャッター面104’’においては、例えば1.3mmのビーム移動が観測される。しかし、この移動は、2mm厚のスプリッタミラー104の70度の投射による1.88mmの面移動により十分に補正されている。この結果、2つのビームにわたる線の中点は、光学機器104のシャッター面104’’の中心から0.58mmの位置になる。このような厳密なスペース制約条件の下では、アラインメント誤差を許容する範囲がほとんどない。   For example, on the shutter surface 104 ″ facing the output shutter in the WEB 42 of PA, a beam movement of 1.3 mm, for example, is observed. However, this movement is sufficiently corrected by the 1.88 mm surface movement due to 70-degree projection of the 2 mm thick splitter mirror 104. As a result, the midpoint of the line extending between the two beams is 0.58 mm from the center of the shutter surface 104 ″ of the optical device 104. Under such strict space constraints, there is almost no range that allows alignment errors.

一般的な光学レイアウトの概略図が図5に示されている。図5は、一次スプリッタのミラー104の方向を概略的に示している。反射された光66及び66’は、ステアリングミラー102によって波長計の光学平面の中に導かれる。CaF2の一次スプリッタのミラー104による70度の入射角に対して、ステアリングミラー102の入射角は25°である。9mm×3mmビームにおいて30mJの公称パルスエネルギを有するビーム64に対して、ビーム経路にわたり、すなわち、全てのビーム経路にわたってほぼ等しい強度分布のシルクハット形プロフィールを仮定すると、一次スプリッタのミラー104における最大フルエンスは、チャンバ側の一次表面104’における入射ビーム66とシャッター側の二次表面104’’から反射されたビーム66’とが重なるところにある(概略的で例示目的のための図5は、いかなるビームの重なりも示していない)。この最大フルエンスは、以下のように推定することができる。
入射ビームフルエンス=Cos(70)*30.0/(0.9*0.3)=38mJ/cm2
反射ビームフルエンス=Cos(70)*(0.0389)*30.0/(0.9*0.3)=1.48mJ/cm2
⇒合計フルエンス=39.5mJ/cm2
20〜40mJ/パルスの範囲に対して、一次スプリッタのミラー104におけるフルエンス範囲は、26.3〜52.6mJ/cm2である。
A schematic diagram of a typical optical layout is shown in FIG. FIG. 5 schematically shows the direction of the mirror 104 of the primary splitter. The reflected light 66 and 66 ′ is guided by the steering mirror 102 into the optical plane of the wavemeter. The incident angle of the steering mirror 102 is 25 ° with respect to the incident angle of 70 degrees by the mirror 104 of the primary splitter of CaF 2 . For a beam 64 having a nominal pulse energy of 30 mJ in a 9 mm × 3 mm beam, assuming a top hat profile across the beam path, ie, approximately equal intensity distribution across all beam paths, the maximum fluence at the mirror 104 of the primary splitter Is where the incident beam 66 at the chamber-side primary surface 104 ′ and the beam 66 ′ reflected from the shutter-side secondary surface 104 ″ overlap (see FIG. 5 for schematic and illustrative purposes, The beam overlap is not shown.) This maximum fluence can be estimated as follows.
Incident beam fluence = Cos (70) * 30.0 / (0.9 * 0.3) = 38 mJ / cm 2
Reflected beam fluence = Cos (70) * (0.0389) * 30.0 / (0.9 * 0.3) = 1.48 mJ / cm 2
⇒Total fluence = 39.5mJ / cm 2
For a range of 20-40 mJ / pulse, the fluence range at the mirror 104 of the primary splitter is 26.3-52.6 mJ / cm 2 .

ステアリングミラー102では、最大フルエンスレベルは、以下のようになる。
前面反射によるフルエンス=Cos(25)*(0.0424)*30.0/(0.9*0.3)=4.27mJ/cm2
後面反射によるフルエンス=Cos(25)*(0.0389)*30.0/(0.9*0.3)=3.92mJ/cm2
⇒合計フルエンス=8.2mJ/cm2
20〜40mJ/パルスの範囲に対して、ステアリングミラー(誘電体コーティング光学機器)におけるフルエンス範囲は、5.5〜11.0mJ/cm2である。
In the steering mirror 102, the maximum fluence level is as follows.
Fluence due to front reflection = Cos (25) * (0.0424) * 30.0 / (0.9 * 0.3) = 4.27 mJ / cm 2
Fluence due to back reflection = Cos (25) * (0.0389) * 30.0 / (0.9 * 0.3) = 3.92 mJ / cm 2
⇒Total fluence = 8.2mJ / cm 2
For a range of 20-40 mJ / pulse, the fluence range of the steering mirror (dielectric coating optical instrument) is 5.5-11.0 mJ / cm 2 .

図4に戻ると、SAM46の光学部分72内の全体的な光学レイアウトが示されている。上述のように、一次スプリッタのミラー104からの光は、ビーム114における波長計の光学平面の中に反射される。第2段拡散器160へと至るまでの様々な光学要素におけるおおよそのフルエンスは、上述で行った仮定を継続することにより推定することができる。以下に列挙するフルエンス範囲は、上述のように、20〜40mJ/パルスのエネルギに対するものであり、円柱テレスコープの設定を用いてビーム114の長軸に沿った縮小率を2.2と仮定したものである。
M1調節可能ミラー146:4.1〜8.3mJ/cm2
テレスコープ前部レンズ204:5.8〜11.7mJ/cm2
テレスコープ後部レンズ220:11.8〜23.7mJ/cm2
回折拡散器222:10.9〜21.8mJ/cm2
集束レンズ224:7.6〜15.3mJ/cm2
第2段拡散器230:7〜14mJ/cm2
一次スプリッタのミラー104からの2つのフレネル反射の重なりの結果、テレスコープ後部レンズ220及び回折拡散器222におけるフルエンスレベルはかなり高いと考えられ、損傷の可能性を伴っている。これを軽減するために、本出願人は、例えば円柱テレスコープを組込み、及び/又はMgF2を利用した。
Returning to FIG. 4, the overall optical layout within the optical portion 72 of the SAM 46 is shown. As described above, light from the primary splitter mirror 104 is reflected into the optical plane of the wavemeter in the beam 114. The approximate fluence in the various optical elements leading up to the second stage diffuser 160 can be estimated by continuing the assumptions made above. The fluence ranges listed below are for energy of 20-40 mJ / pulse, as described above, assuming a reduction rate along the long axis of the beam 114 of 2.2 using a cylindrical telescope setting. Is.
M1 adjustable mirror 146: 4.1-8.3 mJ / cm 2
Telescope front lens 204: 5.8 to 11.7 mJ / cm 2
Telescope rear lens 220: 11.8 to 23.7 mJ / cm 2
Diffraction diffuser 222: 10.9 to 21.8 mJ / cm 2
Focusing lens 224: 7.6 to 15.3 mJ / cm 2
Second stage diffuser 230: 7-14 mJ / cm 2
As a result of the overlap of the two Fresnel reflections from the mirror 104 of the primary splitter, the fluence level in the telescope rear lens 220 and the diffractive diffuser 222 is believed to be quite high, with possible damage. To alleviate this, the applicant, for example, incorporate cylindrical telescope, and / or using a MgF 2.

ここで図6を参照すると、異なるフルエンスレベル(20mJ/パルス、30mJ/パルス、及び40mJ/パルス)に対するSAM46内のPDA182からの出力信号レベル及びこれらの1.5Vの信号出力線との交点が示されている。上述の各それぞれのフルエンスレベルに対する1.5V出力において、入射角は、それぞれ65.9°、70.8°、及び73.2°である。これは、例えば10度程度の円錐角拡散器230を仮定している。   Referring now to FIG. 6, the output signal levels from the PDA 182 in the SAM 46 for different fluence levels (20 mJ / pulse, 30 mJ / pulse, and 40 mJ / pulse) and their intersection with the 1.5V signal output line are shown. Has been. At 1.5V output for each of the above fluence levels, the incident angles are 65.9 °, 70.8 °, and 73.2 °, respectively. This assumes a cone angle diffuser 230 of about 10 degrees, for example.

SAM46の波長計部分の実験モジュールの寿命試験中に、本出願人は、本出願で説明する実施形態におけるよりも遙かに低いフルエンスを呈する可能性が高い設計において、約10億回の発射累積後に第1段回折拡散器222への損傷の痕跡を発見した。SAM46にある第1段回折拡散器222は、高フルエンスレベルからのかなりの損傷危険性に直面し、例えば圧縮による1mJ/cm2よりも大きいフルエンスレベルでは損傷危険性が非常に著しいために、溶融シリカの光学機器は恐らく使用することができないと考えられる。異なる可能なソリューションは、回折拡散器222への損傷の可能性に自らを露呈している。溶融シリカの代わりにCaF2から回折拡散器を製作することは、1つの選択肢である。別の選択肢は、ビーム114の回折拡散器222上の入射サイズを増大させ、これによってcm2単位のフルエンスを低減するために、例えば前部テレスコープレンズ204とテレスコープ後部レンズ220との組合せの拡大率を低減することであろう。更に、これら2つの組合せ又は他の可能な溶融シリカ材料の選択さえもビームの縮小化と共に利用することができる。本出願人は、溶融シリカの光学要素への損傷に起因する他の寿命限界もまた、この努力の中で改良を成し得る可能性があると考えている。例えば、前部テレスコープレンズ220は、たとえ溶融シリカ材料であっても容認可能なフルエンスを有する程十分に大きくすることができる。第2段拡散器230のような研磨ガラス拡散器上の同程度のフルエンスレベルの入射は、要素への圧縮型損傷が拡散特性を劇的に変えるか又は影響を与えるとは予想されないために無視することができる。第2段階拡散器230は、拡散を誘発するために研磨された表面を有するガラスの平坦部分で形成することができ、これは、次に、とりわけ拡散均一性を高める例えば重フッ化アンモニウム(ABF)浴内に表面を漬けることにより、例えばエッチングすることができる。 During lifetime testing of the experimental module of the SAM 46 wavelength meter portion, Applicants have accumulated approximately 1 billion firings in a design that is likely to exhibit a much lower fluence than in the embodiments described in this application. Later, traces of damage to the first stage diffractive diffuser 222 were discovered. The first stage diffractive diffuser 222 in the SAM 46 faces significant damage risk from high fluence levels, for example because the risk of damage is very significant at fluence levels greater than 1 mJ / cm 2 due to compression, for example. Silica optics are probably not usable. Different possible solutions expose themselves to possible damage to the diffractive diffuser 222. Making a diffractive diffuser from CaF 2 instead of fused silica is one option. Another option is to increase the incident size of the beam 114 on the diffractive diffuser 222, thereby reducing the fluence in cm 2 , for example, by combining a front telescope lens 204 and a telescope rear lens 220. It would be to reduce the magnification rate. Furthermore, combinations of these two or even other possible fused silica material choices can be utilized with beam reduction. Applicants believe that other life limits due to damage to fused silica optical elements may also be improved in this effort. For example, the front telescope lens 220 can be made large enough to have an acceptable fluence, even if it is a fused silica material. Similar fluence level incidence on a polished glass diffuser such as the second stage diffuser 230 is ignored because compressive damage to the element is not expected to dramatically change or affect the diffusion properties can do. The second stage diffuser 230 can be formed with a flat portion of glass having a polished surface to induce diffusion, which in turn enhances diffusion uniformity, such as ammonium bifluoride (ABF). For example, etching can be performed by immersing the surface in a bath.

一実施形態では、本出願人は、前部テレスコープレンズ204、後部テレスコープレンズ220、第1段回折拡散器222、及び集束レンズ224の全てをCaF2から製作し、更に縮小化することを選択したが、この実施形態は、ArF等級又はそれよりも上質の(圧縮という見地から)溶融シリカで製作された前部テレスコープレンズ及び集束レンズという他の変形を含むこともできるであろう。これらの選択は、例えば非撮像用途において使用されている溶融シリカレンズ上に入射する僅かなフルエンス(1〜3mJ/cm2)での例えば200億回までの発射による圧縮がフッ化カルシウム材料への変更を正当化する程に強烈なものであるか否かという問題によって少なくとも部分的に決まるものである。 In one embodiment, Applicants note that the front telescope lens 204, rear telescope lens 220, first stage diffractive diffuser 222, and focusing lens 224 are all made from CaF 2 and further reduced. Although selected, this embodiment could also include other variants of a front telescope lens and a focusing lens made of fused silica of ArF grade or better (from a compression standpoint). These choices are, for example, compression by firing up to 20 billion shots with a small fluence (1-3 mJ / cm 2 ) incident on a fused silica lens used in non-imaging applications, for example to calcium fluoride material It is determined at least in part by the question of whether it is strong enough to justify the change.

回折拡散器222におけるフルエンスレベルを低減するために、主として例えばテレスコープの縮小率を例えば変更することによって照明手法を再設計することは、かなりの潜在的利益を発生させる。更に、本出願人は、円柱レンズを有するテレスコープを選択したために、レンズの方向は、ビーム114の長軸だけが縮小化されるようなものになる。その結果、フルエンスは、拡散器222の矩形形状の長軸がビーム114の長軸と一致する状態で矩形形状にわたってより良く広がることができるので、回折拡散器222におけるフルエンスは、同類の球面レンズから成るテレスコープに伴うフルエンスよりも低くなる。   In order to reduce the fluence level in the diffractive diffuser 222, redesigning the illumination technique primarily by, for example, changing the telescope reduction ratio, for example, generates significant potential benefits. Further, since the applicant has selected a telescope with a cylindrical lens, the lens orientation is such that only the long axis of the beam 114 is reduced. As a result, the fluence can spread better across the rectangular shape with the long axis of the rectangular shape of the diffuser 222 coinciding with the long axis of the beam 114, so that the fluence in the diffractive diffuser 222 is from a similar spherical lens. Lower than the fluence associated with the telescope.

別の可能な実施形態では、テレスコープシステム204及び220の全ての取外しを必要とすることが考えられる。回折拡散器222上に入射する拡張された光源を有することによる欠点は、ビーム114の研磨ガラス拡散器230上への入射角が急勾配になることであろう。ビーム内の角度情報を混乱させる研磨ガラス拡散器230は完全ではない。角度が急勾配になる時に、ビーム114における角度情報を均一に混ぜる機能は低下する。その結果、エタロンは、全体の光源ビーム114を均一にサンプリングすることができず、これによって測定において誤差が生じることになる。   In another possible embodiment, it may be necessary to remove all of the telescope systems 204 and 220. The disadvantage of having an extended light source incident on the diffractive diffuser 222 would be a steep incident angle of the beam 114 on the polished glass diffuser 230. The polished glass diffuser 230 that disrupts the angular information in the beam is not perfect. When the angle becomes steep, the ability to uniformly mix the angle information in the beam 114 is reduced. As a result, the etalon cannot sample the entire light source beam 114 uniformly, which causes errors in the measurement.

球面レンズを利用する実施形態の実施は、代替的に、例えばプリズムを用いて短軸に沿ってビームを拡大することにより更に最適化することができる。例えば、3×のビーム拡大は、例えばテレスコープシステム204及び220上の9mm×9mmビームの入射という結果を生むことができる。例えば1.8×の縮小率のテレスコープの通過後に、ビームは、例えば5mm×9mmへと低減させることができ、フルエンスレベルは、回折拡散器222において更に低減する。しかし、このようなビームの拡大は、2つのフレネル像間で意に沿わない離間距離の増大という結果を生む可能性があり、回折拡散器222の過充填を引き起こす。例えば水平線に対して30度角のビーム114の短軸は、ビーム144内の光がビーム拡大に従って歪んだ角度に沿って導かれるという結果を生む可能性があり、エタロン162内への入射に向けて底板122の上で必要な高さにビーム114を戻すために単純に追加のミラーを必要とする。しかし、これは可能であるが、恐らくはより複雑な任意選択肢である。   The implementation of embodiments utilizing spherical lenses can alternatively be further optimized by expanding the beam along the minor axis using, for example, a prism. For example, a 3 × beam expansion can result in the incidence of a 9 mm × 9 mm beam on telescope systems 204 and 220, for example. For example, after passing through a 1.8 × reduction telescope, the beam can be reduced to, for example, 5 mm × 9 mm, and the fluence level is further reduced in the diffractive diffuser 222. However, such beam expansion may result in an undesirably increased separation between the two Fresnel images, causing overfilling of the diffractive diffuser 222. For example, the minor axis of the beam 114 at a 30 degree angle with respect to the horizon may result in the light in the beam 144 being guided along a distorted angle as the beam expands toward the incidence into the etalon 162. In order to return the beam 114 to the required height above the bottom plate 122, an additional mirror is simply required. However, this is possible, but is probably a more complex option.

しかし、水平及び垂直の軸の各々に対する円柱レンズ対の使用により、例えば短軸に沿ってビームを拡大し、長軸に沿ってビームサイズを低減することにより、回折拡散器222においてビーム114のサイズを最適化することは特に有効である。長軸に沿って1.87×の縮小率、短軸に沿って1.87×の拡大率を有する対称な設定を仮定すると、ビームサイズは、例えば4.8mm×5.6mmビームとすることができる。これによって理想的なシステムを製作することができる。しかし、短軸に沿った拡大は、回折拡散器222の開口上への入射時に、2つのフレネル反射像66及び66’の間の離間を増大する可能性もある。これは、例えばフレネル像66及び66’の一方を阻止することにより回避することができる。しかし、一次スプリッタ80から出る2つのフレネル像66及び66’の間で中心間の離間が約5.3mmである場合、フレネル反射66及び66’の一方を阻止するための開口の実装は、実施不能ではないが困難である可能性がある。例えば、設計の実施は、例えば互いに垂直に交わるように向けられた2つの円柱レンズの中間に球面レンズを有する対称な設定を含む例えば3つのレンズによって実行することができる。これによって一方の軸に沿った拡大化、及び他方の軸に沿った縮小化という結果を生むことが可能である。   However, by using a cylindrical lens pair for each of the horizontal and vertical axes, the size of the beam 114 in the diffractive diffuser 222, for example, by expanding the beam along the minor axis and reducing the beam size along the major axis. It is particularly effective to optimize. Assuming a symmetric setting with a reduction factor of 1.87x along the major axis and an enlargement factor of 1.87x along the minor axis, the beam size should be, for example, a 4.8 mm x 5.6 mm beam. Can do. This makes it possible to produce an ideal system. However, the expansion along the minor axis can also increase the separation between the two Fresnel reflection images 66 and 66 'upon incidence on the aperture of the diffractive diffuser 222. This can be avoided, for example, by blocking one of the Fresnel images 66 and 66 '. However, if the center-to-center separation between the two Fresnel images 66 and 66 ′ exiting the primary splitter 80 is about 5.3 mm, the implementation of the aperture to block one of the Fresnel reflections 66 and 66 ′ is implemented. It can be difficult but not impossible. For example, the implementation of the design can be performed, for example, with three lenses, including a symmetrical setting with a spherical lens in the middle of two cylindrical lenses that are oriented perpendicularly to each other. This can result in enlargement along one axis and reduction along the other axis.

ビーム均一化の効率及び有効性に関わる本発明の実施形態における他の光学機器に関連した改良には、フリンジ検出のために用いられるPDA182の低量子効率の改良が含まれる。検出器効率の改良には、SAM46内及び同様にLAM28内の全体の一連の光学機器において比較的高いフルエンスを用いる必要性を低減することが考えられ、溶融シリカの光学構成要素を保持するのに特に有用である。しかし、同じPDA182に制約される場合には、上述の光学的改良が必要になるであろう。   Improvements related to other optical instruments in embodiments of the present invention that relate to beam uniformity efficiency and effectiveness include improvements in the low quantum efficiency of PDA 182 used for fringe detection. Improvements in detector efficiency may reduce the need to use relatively high fluences in the entire series of optics within the SAM 46 and also within the LAM 28, to preserve the fused silica optical components. It is particularly useful. However, if constrained to the same PDA 182, the optical improvements described above will be required.

本発明の実施形態に従ってフッ化カルシウムで作られた回折拡散器222を使用する可能性を要約すると、縮小比が2.0に変更された球面レンズの使用、縮小比2.0の円柱レンズの使用、テレスコープの取外し、又は長軸に沿った縮小率1.87及び短軸に沿った拡大率1.87の2つの円柱レンズ及び1つの球面レンズの使用である。CaF2とSFの間の材料及び実施形態の様々な組合せも、特定のソリューソンの選択によって有用にすることができる。 To summarize the possibility of using a diffractive diffuser 222 made of calcium fluoride according to an embodiment of the present invention, the use of a spherical lens with a reduction ratio of 2.0, a cylindrical lens with a reduction ratio of 2.0 Use, removal of the telescope, or use of two cylindrical lenses and one spherical lens with a reduction factor of 1.87 along the major axis and an enlargement factor of 1.87 along the minor axis. Various combinations of materials and embodiments between CaF 2 and SF can also be useful depending on the choice of a particular solution.

ここで図9a及び図9b、並びに図10a及び図10bを参照すると、調節可能ミラーマウント260及びミラー、例えばミラーM2(156)の前部及び後部の斜視図並びに断面図が示されており、図10bは、図10aの10b−10b線に沿うミラーマウント260の断面である(図10aにおける実施形態でミラー264が取外されていることを除けば)。ミラー156は、調節可能ミラー装着フレーム260を有し、これは、ほぼ垂直なミラー装着部分261から下位脚部272に沿って横方向に延び、垂直部分261のための基部を形成する上位脚部270を含むことができる。図10bにより詳細に示すように、垂直部分261及びその上位脚部270は、薄く比較的幅の狭い屈曲部300によって下位の脚部272に取付けられており、入射ビーム(図示しない)の垂直平面内にあるマウント260に装着されたミラー264のアラインメントのために、上位脚部270及び垂直ミラー装着部分261は、下位脚部272に対して曲がることができ、すなわち、屈曲部300の水平軸を中心として回転することができるようになっている。更に、垂直部分262の前面263は、傾き調節中に一定のバネ力を持続するために屈曲部300内に一定のバネ力を存在させるために、表面263を約2°〜3°偏らせるように機械加工される。   Referring now to FIGS. 9a and 9b and FIGS. 10a and 10b, there are shown perspective and cross-sectional views of the adjustable mirror mount 260 and the front and rear of the mirror, eg, mirror M2 (156), and FIG. 10b is a cross section of the mirror mount 260 along the line 10b-10b in FIG. 10a (except that the mirror 264 has been removed in the embodiment in FIG. 10a). The mirror 156 has an adjustable mirror mounting frame 260 that extends laterally from the generally vertical mirror mounting portion 261 along the lower leg 272 and forms a base for the vertical portion 261. 270 can be included. As shown in more detail in FIG. 10b, the vertical portion 261 and its upper leg 270 are attached to the lower leg 272 by a thin, relatively narrow bend 300, and the vertical plane of the incident beam (not shown). Due to the alignment of the mirror 264 mounted on the inner mount 260, the upper leg 270 and the vertical mirror mounting portion 261 can bend with respect to the lower leg 272, ie, the horizontal axis of the bent portion 300 is It can be rotated as a center. In addition, the front surface 263 of the vertical portion 262 causes the surface 263 to deflect approximately 2 ° to 3 ° in order to have a constant spring force in the bend 300 to maintain a constant spring force during tilt adjustment. Machined into.

ミラー光学機器264は、垂直部分261の後部側にある窪みに装着され、作業表面に割出しされ、図10cにより詳細に示すように円形スプリングクリップ310によって締結され、これは、次に、複数のスプリングクリップ装着ネジ312で定位置に保持される。割出しは、例えば、その1つが図10bに示されている複数の球面型押しボール314を利用して実行することができ、これらは、光学機器上の保持力が釣合って光学機器の中に応力を誘発するという結果を生まないように、図10bにおけるマウント、例えば261の垂直部分において機械加工された開口部に置くことができ、装着されたミラー又は他の光学機器、例えば図10cに示すスプリングクリップ係合ボール、例えば340の反対側にある図10bにおけるミラー264に係合するように整列している。このような応力は、例えば光学機器内に複屈折を引き起こす可能性がある。図9aに示す実施形態は、複数のフィンガスプリングクリップ320を使用する。マウント260は、底脚部272にあるドエルピン開口部304の中に延びるドエルピン(図示しない)上に装着することができ、入射ビーム(図示しない)の水平平面内にミラー264を整列させるためにピボット回転させることができる。ドエルピン開口部304及びそれが受け取るプレート122上に装着されたドエルピン(図示しない)は、光学機器、例えばミラー264の光学平面の必要な位置に割出しされる。すなわち、ドエルピン(図示しない)がドエルピン開口部304に挿入される時に、マウント260に割出しされたミラーは、例えば指示する方向にも整列させられる時にその軸において調節可能である場合にそれがあるべき平面内に正確に置かれる。従って、ドエルピン及びその受け開口部304は、光学機器、例えばミラー264の光学平面を整列させるために、及び必要に応じて水平方向のピボット回転のためにも重要な役割を果たすものである。   The mirror optic 264 is mounted in a recess on the rear side of the vertical portion 261, indexed to the work surface, and fastened by a circular spring clip 310 as shown in more detail in FIG. The spring clip mounting screw 312 is held in place. The indexing can be performed, for example, using a plurality of spherical push balls 314, one of which is shown in FIG. 10b, which balances the holding force on the optical instrument and is within the optical instrument. 10b can be placed in a machined opening in the vertical portion of the mount in FIG. 10b, for example 261, or mounted mirror or other optical device, for example in FIG. 10c. The spring clip engagement balls shown are aligned to engage, for example, the mirror 264 in FIG. Such stress can cause, for example, birefringence in the optical instrument. The embodiment shown in FIG. 9 a uses a plurality of finger spring clips 320. Mount 260 can be mounted on a dowel pin (not shown) that extends into dowel pin opening 304 in bottom leg 272 and pivots to align mirror 264 within the horizontal plane of the incident beam (not shown). Can be rotated. The dwell pin opening 304 and the dwell pin (not shown) mounted on the plate 122 it receives are indexed to the required position in the optical plane of the optical instrument, eg mirror 264. That is, when a dwell pin (not shown) is inserted into the dwell pin opening 304, the mirror indexed to the mount 260 is there if it can be adjusted in its axis when it is also aligned in the indicated direction, for example. Placed exactly in the power plane. Thus, the dowel pin and its receiving opening 304 also play an important role in aligning the optical plane of the optical instrument, eg, the mirror 264, and for horizontal pivoting as needed.

上位脚部270にある回転調節固定ネジ開口部294及び下位脚部272にある同様の開口部292を通じてSAM46のプレート122にある円弧状のスロット(図示しない)の中へと延び、キャップネジ(図示しない)で定位置に保持された回転調節固定ネジ290は、マウント260の水平アラインメントを固定する。上位脚部270にある貫通開口280を通じて延び、下位脚部272を係合するボール先端を有する垂直(傾き)調節ネジ278は、垂直部分261の傾きを設定するために利用することができ、この位置は、次に、上位脚部270にある傾き調節固定ネジ開口部268を通じて下位脚部にある貫通開口部274の中へと延びる傾き調節固定ネジ266によって固定することができる。   It extends into a circular slot (not shown) in the plate 122 of the SAM 46 through a rotation adjustment fixing screw opening 294 in the upper leg 270 and a similar opening 292 in the lower leg 272, and a cap screw (not shown). The rotation adjustment fixing screw 290 held at a fixed position in (No) fixes the horizontal alignment of the mount 260. A vertical (tilt) adjustment screw 278 that extends through a through opening 280 in the upper leg 270 and has a ball tip that engages the lower leg 272 can be used to set the tilt of the vertical portion 261. The position can then be fixed by a tilt adjustment fixing screw 266 that extends through a tilt adjustment fixing screw opening 268 in the upper leg 270 and into a through opening 274 in the lower leg.

図10aの実施形態は、円形ミラーの形態のミラーが取外されて、図10cにより詳細に示す円形スプリングクリップ310が装着された同様なマウント260を示している。円形スプリングクリップ310は、装着ネジ穴324が形成されている複数の装着ネジ延長部322を含む環部分320を有することができる。円形スプリングクリップ310はまた、スプリングクリップ接続部332によって環に取付けられ、かつ光学要素を損傷することなく例えば光学要素の係合を容易にする半球形状のスプリングクリップ係合突出部340を置くことができる終端延長部へとスプリングクリップアーム334を通じて延びる複数のスプリングクリップ330を有する。   The embodiment of FIG. 10a shows a similar mount 260 with a circular spring clip 310, shown in more detail in FIG. 10c, with the mirror in the form of a circular mirror removed. The circular spring clip 310 can have an annulus portion 320 that includes a plurality of attachment screw extensions 322 in which attachment screw holes 324 are formed. The circular spring clip 310 is also attached to the annulus by a spring clip connection 332 and can be placed with a hemispherical spring clip engagement protrusion 340 that facilitates engagement of the optical element without damaging the optical element, for example. It has a plurality of spring clips 330 that extend through spring clip arms 334 to a possible end extension.

図11に示す実施形態は、図9及び図10におけるものと同様であるが上位及び下位の脚部、並びに屈曲部のない二次ビームスプリッタのミラーマウント350、すなわち、例えば二次ビームスプリッタに対する固定されて調節不能なミラーマウントである。図12a〜図12bに示すものは、例えば図7に示す組合せ光学要素を装着するための装着フレーム、例えば装着フレーム152である。図12aは、一対の装着ネジ364によって組合せ光学マウント360に装着された保持クリップ363によって定位置に保持されているテレスコープ後部レンズ220を含む組合せ光学機器装着フレーム360を示している。図12bは、複数の装着ネジ372によってマウントに取付けられている複数のフィンガスプリングクリップによってマウント360のPb窪みに定位置に保持された球面集束レンズ224を有するマウント360の後端を示している。図12bは、一対の保持クリップ装着ネジ382によってマウント360に取付けられている保持クリップによって窪み内に定位置に保持された第1段回折拡散器222を示すために集束レンズ224が取外されたマウントを示している。   The embodiment shown in FIG. 11 is similar to that in FIGS. 9 and 10 but with the upper and lower legs, and the secondary beam splitter mirror mount 350 without bends, i.e. fixed to the secondary beam splitter, for example. It is a non-adjustable mirror mount. What is shown in FIGS. 12 a to 12 b is a mounting frame for mounting the combination optical element shown in FIG. 7, for example, a mounting frame 152. FIG. 12 a shows a combined optical instrument mounting frame 360 that includes a telescope rear lens 220 that is held in place by a retaining clip 363 mounted on the combined optical mount 360 by a pair of mounting screws 364. FIG. 12 b shows the rear end of the mount 360 having a spherical focusing lens 224 held in place in the Pb recess of the mount 360 by a plurality of finger spring clips attached to the mount by a plurality of mounting screws 372. FIG. 12b shows the focusing lens 224 removed to show the first stage diffractive diffuser 222 held in place in the recess by a retaining clip attached to the mount 360 by a pair of retaining clip mounting screws 382. Shows the mount.

図13a及び図13bは、例えば第2段拡散器、すなわち、図4に示す160を装着するためのスリットアセンブリを示している。スリットアセンブリ装着フレーム390は、一対のスロット400によって装着フレーム390上に調節可能状態で配置されたスリットアセンブリ392、及びスリットアセンブリ392の前部垂直部分401にある調節ネジ404のそれぞれの対、並びに側部調節ネジ406と共にスリットアセンブリの側部部分において垂直に延びる側部スロット402を含むことができる。スリットアセンブリ390の前部側は、図4に示すようにエタロンに対面する。スリットアセンブリ390はまた、一対の装着ネジ396によってスリットアセンブリ392に取付けられているスリット394を前部垂直部分に含む。図13aは、第2段拡散器230とエタロン162の間で拡散器230のための開口として作用する下がった位置にあるスリットアセンブリ392を示している。図13bは、拡散器230及びエタロン162間のアラインメントのために引っ込んだ位置にあるスリットアセンブリ392を示している。図13cは、スリットアセンブリ392が下がった位置にある状態でマウント390上の垂直位置決めフランジ418、及び複数のフィンガスプリングクリップによって定位置に保持された第2段拡散器230を貫通する垂直位置決めネジ412を示している。図13dは、引っ込んだ位置にあるスリットアセンブリ392を示している。   FIGS. 13a and 13b show a slit assembly for mounting, for example, a second stage diffuser, ie, 160 shown in FIG. The slit assembly mounting frame 390 includes a slit assembly 392 that is adjustably disposed on the mounting frame 390 by a pair of slots 400, and each pair and side of an adjustment screw 404 in the front vertical portion 401 of the slit assembly 392. A side slot 402 may be included that extends vertically with a side adjustment screw 406 in the side portion of the slit assembly. The front side of the slit assembly 390 faces the etalon as shown in FIG. The slit assembly 390 also includes a slit 394 in the front vertical portion that is attached to the slit assembly 392 by a pair of mounting screws 396. FIG. 13 a shows the slit assembly 392 in a lowered position that acts as an opening for the diffuser 230 between the second stage diffuser 230 and the etalon 162. FIG. 13 b shows the slit assembly 392 in a retracted position for alignment between the diffuser 230 and the etalon 162. FIG. 13c shows a vertical positioning screw 412 passing through the vertical positioning flange 418 on the mount 390 with the slit assembly 392 in the lowered position and the second stage diffuser 230 held in place by a plurality of finger spring clips. Is shown. FIG. 13d shows the slit assembly 392 in the retracted position.

スリット開口部394は、水平調節ネジ406によって側面から側面の調節をすることができ、アセンブリ392の上部にあるスロット414は、ネジ412の側面から側面の運動に適合するものである。調節ネジ406及び412は、M4×0.50という非常に細かいピッチを有し、スリットを光学的に整列させるためにスリットアセンブリ392の非常に細かい位置決めを可能にする。これらのネジ406及び412は、図示のように、例えば調節レンチによる回転を容易にするために六角ナット又はこの類の上部を有することができる。   The slit opening 394 can be adjusted from side to side by a horizontal adjustment screw 406 and the slot 414 at the top of the assembly 392 is adapted for side to side movement of the screw 412. Adjustment screws 406 and 412 have a very fine pitch of M4 × 0.50, allowing a very fine positioning of the slit assembly 392 to optically align the slits. These screws 406 and 412 can have hex nuts or similar tops, for example, to facilitate rotation with an adjustable wrench, as shown.

作動において、フレネル反射の重なりをもたらす一次ビームスプリッタミラー104の選択された狭い幅は、本発明の実施形態で対処されたことが理解されるであろう。一次ビームスプリッタのミラー104を例えばMgF2に対するフルエンスの損傷閾値を超えることによる損傷から十分に保護し、ビーム62及び64の入射領域が重ならずに各ビーム62及び64がミラー104を通過するための十分な余地を可能にし(PAビームの通過した部分及び反射された部分の両方のフレネル反射は重なる可能性が高いが)、PAビーム64の経路の最小限の変位量をもたらすために、MO22の出力レーザビーム62及びPA50の出力レーザビーム64の両方に対する入射角は、少なくとも70°に選択された。同時に、PDM144及びPDA182が機能する(パルス毎のベースで上述した仕様内で有用になる例えば十分なSN比を伴う正確な出力信号を供給する)ことを可能にするために、ビーム64の十分な量が、SAM46の波長計部分の中に反射される。更に、本発明の実施形態の70°のAOIは、たとえビーム114における重なったフレネル反射への露出があっても、例えば光学機器を通過する高いUVフルエンスレベルにより二次ビームスプリッタがその損傷閾値を超えることの回避を可能にする。また、例えばミラーの全体的なサイズ、ミラー104上の入射におけるそれぞれのビーム62及び64のフットプリント、及び望ましい許容範囲に依存する最大入射角がある場合がある。例えばDUV波長及びそれよりも小さい光における損傷に対して高閾値を有する材料が利用可能になり、及び/又はSAM46の波長計部分で使用された場合、ミラー104に用いられる材料を異なるものにすると、現行のピッチ毎に更に多くのピクセルを有し、及び/又はピクセルの各々を形成するより高感度/正確な検出器を有するPDAは、一次ビームスプリッタミラー104におけるAOIを70°よりも幾分小さく低減するという結果を生むことはできるが、一次ビームスプリッタのAOIは、以前のレーザにおけるものよりも著しく大きいままになり、本発明の実施形態によるレーザの全体的な出力パワー要件、又は一次ビームスプリッタミラー104の利用可能な表面を共有するMOレーザチャンバ22の出力62のいずれも有することはない。 In operation, it will be appreciated that selected narrow widths of the primary beam splitter mirror 104 that result in overlapping Fresnel reflections have been addressed in embodiments of the present invention. The primary beam splitter mirror 104 is well protected from damage due to exceeding the fluence damage threshold, eg, for MgF 2, so that the beams 62 and 64 pass through the mirror 104 without overlapping the incident areas of the beams 62 and 64. MO22 (although Fresnel reflections in both the passed and reflected portions of the PA beam are likely to overlap), resulting in a minimum displacement of the path of the PA beam 64. The angle of incidence for both the output laser beam 62 and the output laser beam 64 of PA 50 was selected to be at least 70 °. At the same time, enough of the beam 64 to allow the PDM 144 and PDA 182 to function (providing an accurate output signal with sufficient signal-to-noise ratio, for example, that would be useful within the above specifications on a pulse-by-pulse basis). The quantity is reflected into the wavemeter portion of the SAM 46. Furthermore, the 70 ° AOI of embodiments of the present invention allows the secondary beam splitter to reduce its damage threshold, for example due to high UV fluence levels passing through the optics, even if there is exposure to overlapping Fresnel reflections in the beam 114. It is possible to avoid exceeding. There may also be a maximum angle of incidence depending on, for example, the overall size of the mirror, the footprint of each beam 62 and 64 at incidence on the mirror 104, and the desired tolerance. For example, if a material having a high threshold for damage at DUV wavelengths and smaller light becomes available and / or used in the wavemeter portion of the SAM 46, the material used for the mirror 104 will be different. A PDA with more pixels per current pitch and / or with a more sensitive / accurate detector forming each of the pixels will have an AOI in the primary beam splitter mirror 104 somewhat higher than 70 °. Although the result can be small, the AOI of the primary beam splitter remains significantly greater than in previous lasers, the overall output power requirement of the laser according to embodiments of the present invention, or the primary beam Any of the outputs 62 of the MO laser chamber 22 sharing the available surface of the splitter mirror 104 Do not be.

集束レンズ224の焦点距離と共にエタロン162のスリット機能は、エタロンによって生成された干渉パターンの本質的に最内側環のみをPDA182のフォトダイオードアレイに供給するように選択されたものであり、この最内側環もまた、他の光学干渉計、例えば同じくスリット機能を有する回折格子によって生成することができ、これによってPDAは、BW測定及びレーザ波長同調の範囲にわたって、BW計算を可能にするためのそれぞれのフリンジのピクセル位置の判断に用いる2つの干渉環のうちの少なくとも一方を有することを確実にすることができる。帯域幅計算は、波長計マイクロプロセッサ内の処理を容易にするために単純化されている。   The slit function of the etalon 162 along with the focal length of the focusing lens 224 was chosen to provide essentially only the innermost ring of the interference pattern generated by the etalon to the photodiode array of the PDA 182, and this innermost The ring can also be generated by other optical interferometers, eg, diffraction gratings that also have a slit function, so that the PDA can perform BW calculations over a range of BW measurements and laser wavelength tuning. It can be ensured that at least one of the two interference rings used to determine the fringe pixel location is included. Bandwidth calculations have been simplified to facilitate processing within the wavemeter microprocessor.

一次ビームスプリッタ104は、PA50からの出力レーザビーム64の圧倒的大部分、すなわち、その正確な量はSAM内のパワー要件及びフルエンス限界のようなものに基づいて幾分変化する可能性があるが約95%を通過させ、かつビーム64の残りである第1の小部分114をSAMの波長計へと反射する。SAM46にあるビームスプリッタ140は、ビーム64の第1の小部分114の圧倒的大部分、例えば約95%をPDM144へと反射する。これもまた、PDM144によって必要とされる光量及びSAM内のフルエンス限界のようなものによって幾分変化する場合があるが、ビーム64の第1の小部分の約5%である残りは、SAM46の波長計にある残りの光学機器を通過する第2の小部分を形成する。   The primary beam splitter 104 may vary somewhat based on the overwhelming majority of the output laser beam 64 from the PA 50, i.e. its exact amount, such as power requirements and fluence limits within the SAM. The first small portion 114 that passes approximately 95% and is the remainder of the beam 64 is reflected back to the SAM's wavemeter. The beam splitter 140 at the SAM 46 reflects the overwhelming majority of the first small portion 114 of the beam 64, eg, about 95%, to the PDM 144. This may also vary somewhat depending on the amount of light required by the PDM 144 and the fluence limit in the SAM, but the rest, which is about 5% of the first small portion of the beam 64, is the SAM 46 A second subsection is formed that passes through the remaining optical equipment in the wavemeter.

本発明の上述の実施形態は、単に説明及び例示目的を意図したものであり、本発明が存在することができる唯一の実施形態ではない。当業者は、説明した実施形態に対する多くの修正及び変更を本発明の意図及び精神を変更することなく行うことができることを理解するであろう。例えば、本発明の実施形態は、フォトダイオードのアレイを使用する検出器を考えている。しかし、他の感光性素子を使用することができ、例えば、感光性集積回路、例えばCMOS又はCCDデバイスを使用することができると考えられ、フォトダイオードアレイ内の各フォトダイオードを有効に照明するという表現が使用された場合は、それは、感光性素子の他のこのような形態の有効な照明を考えている。更に、現在考えていることは、本発明の実施形態のフォトダイオードをそれらの垂直範囲全体、すなわち0.5mmにわたって照明することであるが、より効率的なフォトダイオード又は例えばこれらの出力のSN比の改良は、有効な照明を可能にすることができるであろう(これは、特定の感光性素子において光強度の振幅の測定を可能にすることになる感光性素子、例えばフォトダイオードのからの満足できる正確な電気出力信号を生成する照明を意味する)。本発明の範囲は、従って、特許請求の範囲及びその法的均等物のみに照らして考えるべきである。   The above-described embodiments of the present invention are intended for purposes of illustration and illustration only and are not the only embodiments in which the present invention may exist. Those skilled in the art will appreciate that many modifications and changes to the described embodiments can be made without changing the spirit and spirit of the invention. For example, embodiments of the present invention contemplate detectors that use an array of photodiodes. However, other photosensitive elements can be used, for example, photosensitive integrated circuits such as CMOS or CCD devices could be used, effectively illuminating each photodiode in the photodiode array. When the expression is used, it contemplates other such forms of effective illumination of the photosensitive element. Furthermore, what is currently considered is to illuminate the photodiodes of the embodiments of the present invention over their entire vertical range, ie 0.5 mm, but more efficient photodiodes or for example the SN ratio of these outputs. Improvement would be able to enable effective illumination (this is from light sensitive elements such as photodiodes that would allow measurement of the amplitude of light intensity at a particular light sensitive element. Meaning illumination that produces a satisfactory and accurate electrical output signal). The scope of the invention should, therefore, be considered only in light of the claims and their legal equivalents.

本発明の実施形態を使用することができるMOPA構成のガス放電レーザを示す図である。FIG. 2 shows a gas discharge laser with a MOPA configuration in which embodiments of the present invention can be used. 本発明の実施形態によるスペクトル解析モジュールの斜視図である。It is a perspective view of a spectrum analysis module according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による一次ビームスプリッタの構成要素を示す図である。FIG. 3 shows components of a primary beam splitter according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による一次ビームスプリッタの構成要素を示す図である。FIG. 3 shows components of a primary beam splitter according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による一次ビームスプリッタの構成要素を示す図である。FIG. 3 shows components of a primary beam splitter according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態によるスペクトル解析モジュールの平面図である。It is a top view of the spectrum analysis module by embodiment of this invention. 本発明の実施形態によるスペクトル解析モジュールの一部分の概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a portion of a spectral analysis module according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態によるモジュールの要素の性能のグラフである。4 is a graph of the performance of a module element according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による図4に示す要素の平面図を更に詳細に示す図である。FIG. 5 shows in more detail a plan view of the elements shown in FIG. 4 according to an embodiment of the invention. 本発明の実施形態によるビーム分割ミラーの前部上のフルエンスパターンを示す図である。It is a figure which shows the fluence pattern on the front part of the beam splitting mirror by embodiment of this invention. 本発明の実施形態によるビーム分割ミラーの後部上のフルエンスパターンを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a fluence pattern on a rear portion of a beam splitting mirror according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による調節可能ミラーマウントの斜視図である。1 is a perspective view of an adjustable mirror mount according to an embodiment of the present invention. FIG. 本発明の実施形態による調節可能ミラーマウントの斜視図である。1 is a perspective view of an adjustable mirror mount according to an embodiment of the present invention. FIG. 図9a〜図9bに示す調節可能ミラーマウントの円形ミラーを有する付加的な実施形態を示す図である。FIG. 10 shows an additional embodiment with a circular mirror of the adjustable mirror mount shown in FIGS. 9a-9b. 図9a〜図9bに示す調節可能ミラーマウントの円形ミラーを有する付加的な実施形態を示し、かつ図10aに示す断面線10b−10bに沿った図9a又は図10aの断面図である。9a or 9b shows an additional embodiment with a circular mirror of the adjustable mirror mount shown in FIGS. 9a to 9b and is a cross-sectional view of FIG. 9a or 10a along the cross-sectional line 10b-10b shown in FIG. 10a. 図9a〜図9bに示す調節可能ミラーマウントの円形ミラーを有する付加的な実施形態のミラーを取り除いた図10aのマウントを示す図である。FIG. 10b shows the mount of FIG. 10a with the additional embodiment mirror having the circular mirror of the adjustable mirror mount shown in FIGS. 9a-b removed. 本発明の実施形態による別の光学マウントを示す図である。FIG. 6 shows another optical mount according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による別の光学マウントを示す図である。FIG. 6 shows another optical mount according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による別の光学マウントを示す図である。FIG. 6 shows another optical mount according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による別の光学マウントを示す図である。FIG. 6 shows another optical mount according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態によるスリットアセンブリを示す図である。FIG. 3 shows a slit assembly according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態によるスリットアセンブリを示す図である。FIG. 3 shows a slit assembly according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態によるスリットアセンブリを示す図である。FIG. 3 shows a slit assembly according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態によるスリットアセンブリを示す図である。FIG. 3 shows a slit assembly according to an embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

80 一次ビームスプリッタ
88 帯域幅メータ
114 ビーム
140 二次ビームスプリッタ
144 光検出器モジュール
162 エタロン
80 Primary beam splitter 88 Bandwidth meter 114 Beam 140 Secondary beam splitter 144 Photodetector module 162 Etalon

Claims (152)

4000Hz及びそれよりも高いパルス繰返し率でパルス毎に帯域幅を測定するための、フェムトメートル帯域幅精度及び数十フェムトメートル帯域幅精度範囲を有する15mJ毎パルスに等しいか又はそれよりも大きいサブナノメートル帯域幅同調範囲のパルスのパルス出力を含むレーザ出力ビームを有する高繰返し率ガス放電レーザのための波長計であって、
焦点距離を有する集束レンズと、
干渉フリンジパターンを生成する光学干渉計と、
前記集束レンズから前記焦点距離に位置決めされた光学検出器と、
前記光学検出器上に入射する前記干渉フリンジパターン内の干渉フリンジの位置から帯域幅を計算し、かつλ0を一定と仮定した波長、D0=(DOD−DID)/2、及びfを前記焦点距離とする時に式Δλ=λ0[DOD 2−DID 2]/[8f2−D0 2]に従って、DID及びDOD、すなわち、該干渉パターンの軸上の該干渉フリンジパターン内の一対の第1のフリンジ境界間及び一対の第2のフリンジ境界間のそれぞれの距離を定める帯域幅計算器と、
を含むことを特徴とする波長計。
Sub-nanometer equal to or greater than 15 mJ per pulse with femtometer bandwidth accuracy and tens of femtometer bandwidth accuracy range for measuring bandwidth per pulse at 4000 Hz and higher pulse repetition rates A wavelength meter for a high repetition rate gas discharge laser having a laser output beam including a pulse output of a pulse of bandwidth tuning range,
A focusing lens having a focal length;
An optical interferometer that generates an interference fringe pattern;
An optical detector positioned at the focal length from the focusing lens;
Calculate the bandwidth from the position of the interference fringe in the interference fringe pattern incident on the optical detector and assume that λ 0 is constant, D 0 = (D OD −D ID ) / 2, and f In accordance with the equation Δλ = λ 0 [D OD 2 -D ID 2 ] / [8f 2 -D 0 2 ], the interference fringes on the axis of the interference pattern according to D ID and D OD A bandwidth calculator for determining respective distances between a pair of first fringe boundaries and a pair of second fringe boundaries in the pattern;
A wavelength meter comprising:
前記光学検出器は、フォトダイオードアレイである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
The optical detector is a photodiode array;
The apparatus of claim 1 further comprising:
スリット機能を有する前記光学干渉計と、
前記光学検出器に前記光学干渉フリンジパターンの2つの最内側フリンジを供給するように選択された前記スリット機能及び前記焦点距離と、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
The optical interferometer having a slit function;
The slit function and the focal length selected to provide two innermost fringes of the optical interference fringe pattern to the optical detector;
The apparatus of claim 1 further comprising:
スリット機能を有する前記光学干渉計と、
前記光学検出器に前記光学干渉フリンジパターンの2つの最内側フリンジを供給するように選択された前記スリット機能及び前記焦点距離と、
を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。
The optical interferometer having a slit function;
The slit function and the focal length selected to provide two innermost fringes of the optical interference fringe pattern to the optical detector;
The apparatus of claim 2 further comprising:
各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、該アレイが全幅を有する前記光学検出器と、
前記光学干渉計の出力が各それぞれのピクセルの前記高さにわたって前記光学検出器を照明するのに十分な光ビームの一部分を該光学干渉計に選択的に入力する、該光学干渉計への光入力部の開口と、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
The optical detector, wherein each pixel comprises an array of pixels having a height and a width, the array having a full width;
Light to the optical interferometer, wherein the output of the optical interferometer selectively inputs a portion of the light beam sufficient to illuminate the optical detector over the height of each respective pixel. The input opening,
The apparatus of claim 1 further comprising:
各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、該アレイが全幅を有する前記光学検出器と、
前記光学干渉計の出力が各それぞれのピクセルの高さの前記高さにわたって前記光学検出器を照明するのに十分な光ビームの一部分を該光学干渉計に選択的に入力する、該光学干渉計への光入力部の開口と、
を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。
The optical detector, wherein each pixel comprises an array of pixels having a height and a width, the array having a full width;
The optical interferometer, wherein the output of the optical interferometer selectively inputs to the optical interferometer a portion of the light beam sufficient to illuminate the optical detector over the height of each respective pixel height. The opening of the light input to the
The apparatus of claim 2 further comprising:
各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、該アレイが全幅を有する前記光学検出器と、
前記光学干渉計の出力が各それぞれのピクセルの高さの前記高さにわたって前記光学検出器を照明するのに十分な光ビームの一部分を該光学干渉計に選択的に入力する、該光学干渉計への光入力部の開口と、
を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の装置。
The optical detector, wherein each pixel comprises an array of pixels having a height and a width, the array having a full width;
The optical interferometer, wherein the output of the optical interferometer selectively inputs to the optical interferometer a portion of the light beam sufficient to illuminate the optical detector over the height of each respective pixel height. The opening of the light input to the
4. The apparatus of claim 3, further comprising:
各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、該アレイが全幅を有する前記光学検出器と、
前記光学干渉計の出力が各それぞれのピクセルの高さの前記高さにわたって前記光学検出器を照明するのに十分な光ビームの一部分を該光学干渉計に選択的に入力する、該光学干渉計への光入力部の開口と、
を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の装置。
The optical detector, wherein each pixel comprises an array of pixels having a height and a width, the array having a full width;
The optical interferometer, wherein the output of the optical interferometer selectively inputs to the optical interferometer a portion of the light beam sufficient to illuminate the optical detector over the height of each respective pixel height. The opening of the light input to the
The apparatus of claim 4 further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
The optical interferometer is an etalon;
The apparatus of claim 1 further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の装置。
The optical interferometer is an etalon;
The apparatus of claim 2 further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項3に記載の装置。
The optical interferometer is an etalon;
4. The apparatus of claim 3, further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項4に記載の装置。
The optical interferometer is an etalon;
5. The apparatus of claim 4, further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項5に記載の装置。
The optical interferometer is an etalon;
6. The apparatus of claim 5, further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項6に記載の装置。
The optical interferometer is an etalon;
The apparatus of claim 6 further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項7に記載の装置。
The optical interferometer is an etalon;
The apparatus of claim 7 further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項8に記載の装置。
The optical interferometer is an etalon;
The apparatus of claim 8 further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項9に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
10. The apparatus of claim 9, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項10に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
The apparatus of claim 10 further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項11に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
The apparatus of claim 11 further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項12に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
The apparatus of claim 12, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項13に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
14. The apparatus of claim 13, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項14に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
15. The apparatus of claim 14, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項15に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
The apparatus of claim 15 further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項16に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
The apparatus of claim 16 further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
The apparatus of claim 17, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項18に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
The apparatus of claim 18 further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項19に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
20. The apparatus of claim 19, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項20に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
21. The apparatus of claim 20, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項21に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
The apparatus of claim 21, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項22に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
The apparatus of claim 22 further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項23に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
24. The apparatus of claim 23, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項24に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
25. The apparatus of claim 24, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項25に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
26. The apparatus of claim 25, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項26に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
27. The apparatus of claim 26, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項27に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
28. The apparatus of claim 27, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項28に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
30. The apparatus of claim 28, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項29に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
30. The apparatus of claim 29, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項30に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
32. The apparatus of claim 30, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項31に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
32. The apparatus of claim 31, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1段の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項32に記載の装置。
An opening between the first stage diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
The apparatus of claim 32, further comprising:
4000Hz及びそれよりも高いパルス繰返し率でパルス毎に帯域幅を測定するための、フェムトメートル帯域幅精度及び数十フェムトメートル帯域幅精度範囲を有する15mJ毎パルスに等しいか又はそれよりも大きいサブナノメートル帯域幅同調範囲のパルスのパルス出力を含むレーザ出力ビームを有する高繰返し率ガス放電レーザのための波長計であって、
焦点距離を有する集束レンズと、
干渉フリンジパターンを生成するための光学干渉パターン発生手段と、
前記集束レンズから前記焦点距離に位置決めされた光学検出手段と、
前記光学検出手段上に入射する前記干渉フリンジパターン内の干渉フリンジの位置から帯域幅を計算し、かつλ0を一定と仮定した波長、D0=(DOD−DID)/2、及びfを前記焦点距離とする時に式Δλ=λ0[DOD 2−DID 2]/[8f2−D0 2]に従って、DID及びDOD、すなわち、該干渉パターンの軸上の該干渉フリンジパターン内の一対の第1のフリンジ境界間及び一対の第2のフリンジ境界間のそれぞれの距離を定めるための帯域幅計算手段と、
を含むことを特徴とする波長計。
Sub-nanometer equal to or greater than 15 mJ per pulse with femtometer bandwidth accuracy and tens of femtometer bandwidth accuracy range for measuring bandwidth per pulse at 4000 Hz and higher pulse repetition rates A wavelength meter for a high repetition rate gas discharge laser having a laser output beam including a pulse output of a pulse of bandwidth tuning range,
A focusing lens having a focal length;
An optical interference pattern generating means for generating an interference fringe pattern;
Optical detection means positioned at the focal length from the focusing lens;
Calculate the bandwidth from the position of the interference fringe in the interference fringe pattern incident on the optical detection means, and assume that λ 0 is constant, D 0 = (D OD −D ID ) / 2, and f In accordance with the equation Δλ = λ 0 [D OD 2 -D ID 2 ] / [8f 2 -D 0 2 ], the interference fringes on the axis of the interference pattern according to D ID and D OD Bandwidth calculating means for determining respective distances between the pair of first fringe boundaries and the pair of second fringe boundaries in the pattern;
A wavelength meter comprising:
前記光学検出手段は、フォトダイオードアレイである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項41に記載の装置。
The optical detection means is a photodiode array;
42. The apparatus of claim 41, further comprising:
スリット機能を有する前記光学干渉パターン発生手段と、
前記光学検出手段に前記光学干渉環状パターンの2つの最内側フリンジを供給するように選択された前記スリット機能及び前記焦点距離と、
を更に含むことを特徴とする請求項41に記載の装置。
The optical interference pattern generating means having a slit function;
The slit function and the focal length selected to provide two innermost fringes of the optical interference annular pattern to the optical detection means;
42. The apparatus of claim 41, further comprising:
スリット機能を有する前記光学干渉パターン発生手段と、
前記光学検出器に前記光学干渉環状パターンの2つの最内側フリンジを供給するように選択された前記スリット機能及び前記焦点距離と、
を更に含むことを特徴とする請求項42に記載の装置。
The optical interference pattern generating means having a slit function;
The slit function and the focal length selected to provide the optical detector with two innermost fringes of the optical interference annular pattern;
43. The apparatus of claim 42, further comprising:
各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、該アレイが全幅を有する前記光学検出手段と、
前記干渉パターン発生手段の出力が各それぞれのピクセルの高さの前記高さ及び前記全幅にわたって前記光学検出手段を照明するのに十分な光ビームの一部分を該光学干渉パターン発生手段に選択的に入力する、該光学干渉計への光入力部の開口と、
を更に含むことを特徴とする請求項41に記載の装置。
The optical detection means wherein each pixel comprises an array of pixels having a height and a width, the array having a full width;
The output of the interference pattern generation means selectively inputs a portion of the light beam sufficient to illuminate the optical detection means over the height and full width of each respective pixel height to the optical interference pattern generation means. An aperture of a light input to the optical interferometer;
42. The apparatus of claim 41, further comprising:
各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、該アレイが全幅を有する前記光学検出手段と、
前記干渉パターン発生手段の出力が各それぞれのピクセルの高さの前記高さ及び前記全幅にわたって前記光学検出手段を照明するのに十分な光ビームの一部分を該光学干渉パターン発生手段に選択的に入力する、該光学干渉計への光入力部の開口と、
を更に含むことを特徴とする請求項42に記載の装置。
The optical detection means wherein each pixel comprises an array of pixels having a height and a width, the array having a full width;
The output of the interference pattern generation means selectively inputs a portion of the light beam sufficient to illuminate the optical detection means over the height and full width of each respective pixel height to the optical interference pattern generation means. An aperture of a light input to the optical interferometer;
43. The apparatus of claim 42, further comprising:
各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、該アレイが全幅を有する前記光学検出手段と、
前記干渉パターン発生手段の出力が各それぞれのピクセルの高さの前記高さ及び前記全幅にわたって前記光学検出手段を照明するのに十分な光ビームの一部分を該光学干渉パターン発生手段に選択的に入力する、該光学干渉計への光入力部の開口と、
を更に含むことを特徴とする請求項43に記載の装置。
The optical detection means wherein each pixel comprises an array of pixels having a height and a width, the array having a full width;
The output of the interference pattern generation means selectively inputs a portion of the light beam sufficient to illuminate the optical detection means over the height and full width of each respective pixel height to the optical interference pattern generation means. An aperture of a light input to the optical interferometer;
44. The apparatus of claim 43, further comprising:
各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、該アレイが全幅を有する前記光学検出手段と、
前記干渉パターン発生手段の出力が各それぞれのピクセルの高さの前記高さ及び前記全幅にわたって前記光学検出手段を照明するのに十分な光ビームの一部分を該光学干渉パターン発生手段に選択的に入力する、該光学干渉計への光入力部の開口と、
を更に含むことを特徴とする請求項44に記載の装置。
The optical detection means wherein each pixel comprises an array of pixels having a height and a width, the array having a full width;
The output of the interference pattern generation means selectively inputs a portion of the light beam sufficient to illuminate the optical detection means over the height and full width of each respective pixel height to the optical interference pattern generation means. An aperture of a light input to the optical interferometer;
45. The apparatus of claim 44, further comprising:
前記光学干渉パターン発生手段は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項41に記載の装置。
The optical interference pattern generating means is an etalon.
42. The apparatus of claim 41, further comprising:
前記光学干渉パターン発生手段は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項42に記載の装置。
The optical interference pattern generating means is an etalon.
43. The apparatus of claim 42, further comprising:
前記光学干渉パターン発生手段は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項43に記載の装置。
The optical interference pattern generating means is an etalon.
44. The apparatus of claim 43, further comprising:
前記光学干渉パターン発生手段は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項44に記載の装置。
The optical interference pattern generating means is an etalon.
45. The apparatus of claim 44, further comprising:
前記光学干渉パターン発生手段は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項45に記載の装置。
The optical interference pattern generating means is an etalon.
46. The apparatus of claim 45, further comprising:
前記光学干渉パターン発生手段は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項46に記載の装置。
The optical interference pattern generating means is an etalon.
The apparatus of claim 46, further comprising:
前記光学干渉パターン発生手段は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項47に記載の装置。
The optical interference pattern generating means is an etalon.
48. The apparatus of claim 47, further comprising:
前記光学干渉パターン発生手段は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項48に記載の装置。
The optical interference pattern generating means is an etalon.
49. The apparatus of claim 48, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項49に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
50. The apparatus of claim 49, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項50に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
51. The apparatus of claim 50, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項51に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
52. The apparatus of claim 51, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項52に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
53. The apparatus of claim 52, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項53に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
54. The apparatus of claim 53, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項54に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
55. The apparatus of claim 54, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項55に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
56. The apparatus of claim 55, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項56に記載の装置。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
57. The apparatus of claim 56, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項57に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
58. The apparatus of claim 57, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項58に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
59. The apparatus of claim 58, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項59に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
60. The apparatus of claim 59, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項60に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
61. The apparatus of claim 60, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項61に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
62. The apparatus of claim 61, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項62に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
64. The apparatus of claim 62, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項63に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
64. The apparatus of claim 63, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐光を供給する第1の拡散器、
を更に含むことを特徴とする請求項64に記載の装置。
A first diffuser for supplying narrow cone light to the etalon;
65. The apparatus of claim 64, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項65に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
66. The apparatus of claim 65, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項66に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
68. The apparatus of claim 66, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項67に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
68. The apparatus of claim 67, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項68に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
69. The apparatus of claim 68, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項69に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
70. The apparatus of claim 69, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1段の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項70に記載の装置。
An opening between the first stage diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
71. The apparatus of claim 70, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項71に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
72. The apparatus of claim 71, further comprising:
前記エタロンに前記幅の狭い円錐光の薄いストリップを供給する、前記第1の拡散器と該エタロンの間の開口、
を更に含むことを特徴とする請求項72に記載の装置。
An opening between the first diffuser and the etalon that supplies the etalon with a thin strip of narrow cone light;
75. The apparatus of claim 72, further comprising:
4000Hz及びそれよりも高いパルス繰返し率でパルス毎に帯域幅を測定するための、フェムトメートル帯域幅精度及び数十フェムトメートル帯域幅精度範囲を有する15mJ毎パルスに等しいか又はそれよりも大きいサブナノメートル帯域幅同調範囲のパルスのパルス出力を含むレーザ出力ビームを有する高繰返し率ガス放電レーザによって生成された光の帯域幅を測定する方法であって、
焦点距離を有するレンズに光を集束させる段階と、
干渉フリンジパターンを生成する段階と、
前記レンズから前記焦点距離に位置決めされた光学検出器において前記干渉フリンジパターンを検出する段階と、
前記光学検出器上に入射する前記干渉フリンジパターン内の干渉フリンジの位置から帯域幅を計算し、λ0を一定と仮定した波長、D0=(DOD−DID)/2、及びfを前記焦点距離とする時に式Δλ=λ0[DOD 2−DID 2]/[8f2−D0 2]に従って、DID及びDOD、すなわち、該干渉フリンジパターンの軸上の該干渉フリンジパターン内の一対の第1のフリンジ境界間及び一対の第2のフリンジ境界間のそれぞれの距離を定める段階と、
を含むことを特徴とする方法。
Sub-nanometer equal to or greater than 15 mJ per-pulse with femtometer bandwidth accuracy and tens of femtometer bandwidth accuracy range for measuring bandwidth per pulse at 4000 Hz and higher pulse repetition rates A method for measuring the bandwidth of light produced by a high repetition rate gas discharge laser having a laser output beam including a pulse output of a pulse of bandwidth tuning range comprising:
Focusing light onto a lens having a focal length;
Generating an interference fringe pattern; and
Detecting the interference fringe pattern at an optical detector positioned at the focal length from the lens;
A bandwidth is calculated from the position of the interference fringe in the interference fringe pattern incident on the optical detector, and a wavelength assuming that λ 0 is constant, D 0 = (D OD −D ID ) / 2, and f is calculated. According to the formula Δλ = λ 0 [D OD 2 -D ID 2 ] / [8f 2 -D 0 2 ] when the focal length is used, the interference fringe on the axis of the interference fringe pattern is represented by D ID and D OD . Determining respective distances between a pair of first fringe boundaries and a pair of second fringe boundaries in the pattern;
A method comprising the steps of:
前記光学検出器は、フォトダイオードアレイである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項81に記載の方法。
The optical detector is a photodiode array;
82. The method of claim 81, further comprising:
スリット機能を有する光学干渉計に前記干渉パターンを生成する段階、
を更に含み、
前記スリット機能及び前記焦点距離は、前記光学検出手段に前記光学干渉環状パターンの2つの最内側フリンジを供給するように選択されている、
ことを特徴とする請求項81に記載の方法。
Generating the interference pattern in an optical interferometer having a slit function;
Further including
The slit function and the focal length are selected to provide two innermost fringes of the optical interference annular pattern to the optical detection means,
82. The method of claim 81, wherein:
スリット機能を有する光学干渉計に前記干渉パターンを生成する段階、
を更に含み、
前記スリット機能及び前記焦点距離は、前記光学検出器に前記光学干渉環状パターンの2つの最内側フリンジを供給するように選択されている、
ことを特徴とする請求項82に記載の方法。
Generating the interference pattern in an optical interferometer having a slit function;
Further including
The slit function and the focal length are selected to provide two innermost fringes of the optical interference annular pattern to the optical detector,
83. The method of claim 82, wherein:
前記光学検出器は、各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、かつ該アレイは、全幅を有し、
光学干渉計に前記干渉フリンジパターンを生成する段階と、
前記光学干渉計の出力が各それぞれのピクセルの高さの前記高さにわたって前記光学検出手段を照明するのに十分な光ビームのスリット部分を該光学干渉計に選択的に入力する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項81に記載の方法。
The optical detector includes an array of pixels, each pixel having a height and width, and the array has a full width;
Generating the interference fringe pattern in an optical interferometer;
Selectively inputting into the optical interferometer a slit portion of a light beam sufficient for the output of the optical interferometer to illuminate the optical detection means over the height of each respective pixel height;
The method of claim 81, further comprising:
前記光学検出器は、各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、かつ該アレイは、全幅を有し、
光学干渉計に前記干渉フリンジパターンを生成する段階と、
前記光学干渉計の出力が各それぞれのピクセルの高さの前記高さにわたって前記光学検出手段を照明するのに十分な光ビームのスリット部分を該光学干渉計に選択的に入力する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項82に記載の方法。
The optical detector includes an array of pixels, each pixel having a height and width, and the array has a full width;
Generating the interference fringe pattern in an optical interferometer;
Selectively inputting into the optical interferometer a slit portion of a light beam sufficient for the output of the optical interferometer to illuminate the optical detection means over the height of each respective pixel height;
The method of claim 82, further comprising:
前記光学検出器は、各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、かつ該アレイは、全幅を有し、
前記光学干渉計の出力が各それぞれのピクセルの高さの前記高さにわたって前記光学検出手段を照明するのに十分な光ビームのスリット部分を該光学干渉計に選択的に入力する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項83に記載の方法。
The optical detector includes an array of pixels, each pixel having a height and width, and the array has a full width;
Selectively inputting into the optical interferometer a slit portion of a light beam sufficient for the output of the optical interferometer to illuminate the optical detection means over the height of each respective pixel height;
84. The method of claim 83, further comprising:
前記光学検出器は、各ピクセルが高さ及び幅を有するピクセルのアレイを含み、かつ該アレイは、全幅を有し、
前記光学干渉計の出力が各それぞれのピクセルの高さの前記高さにわたって前記光学検出手段を照明するのに十分な光ビームのスリット部分を該光学干渉計に選択的に入力する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項84に記載の方法。
The optical detector includes an array of pixels, each pixel having a height and width, and the array has a full width;
Selectively inputting into the optical interferometer a slit portion of a light beam sufficient for the output of the optical interferometer to illuminate the optical detection means over the height of each respective pixel height;
85. The method of claim 84, further comprising:
スリット機能を有するエタロンに前記干渉パターンを生成する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項81に記載の方法。
Generating the interference pattern in an etalon having a slit function;
The method of claim 81, further comprising:
スリット機能を有するエタロンに前記干渉パターンを生成する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項82に記載の方法。
Generating the interference pattern in an etalon having a slit function;
The method of claim 82, further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項83に記載の方法。
The optical interferometer is an etalon;
84. The method of claim 83, further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項84に記載の方法。
The optical interferometer is an etalon;
85. The method of claim 84, further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項85に記載の方法。
The optical interferometer is an etalon;
86. The method of claim 85, further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項86に記載の方法。
The optical interferometer is an etalon;
90. The method of claim 86, further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項87に記載の方法。
The optical interferometer is an etalon;
88. The method of claim 87, further comprising:
前記光学干渉計は、エタロンである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項88に記載の方法。
The optical interferometer is an etalon;
90. The method of claim 88, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項89に記載の方法。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
90. The method of claim 89, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項90に記載の方法。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
The method of claim 90, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項91に記載の方法。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
94. The method of claim 91, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項92に記載の方法。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
94. The method of claim 92, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項93に記載の方法。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
94. The method of claim 93, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項94に記載の方法。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
95. The method of claim 94, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項95に記載の方法。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
96. The method of claim 95, further comprising:
前記エタロンは、3pm又はそれよりも小さなスリット機能及び25又はそれよりも大きなフィネスを有するエタロンであり、
前記焦点距離は、1.5メートルである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項96に記載の方法。
The etalon is an etalon having a slit function of 3 pm or less and a finesse of 25 or more,
The focal length is 1.5 meters;
99. The method of claim 96, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐の拡散光を供給する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項97に記載の方法。
Supplying a narrow cone of diffused light to the etalon;
98. The method of claim 97, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐の拡散光を供給する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項98に記載の方法。
Supplying a narrow cone of diffused light to the etalon;
99. The method of claim 98, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐の拡散光を供給する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項99に記載の方法。
Supplying a narrow cone of diffused light to the etalon;
The method of claim 99, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐の拡散光を供給する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項100に記載の方法。
Supplying a narrow cone of diffused light to the etalon;
101. The method of claim 100, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐の拡散光を供給する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項101に記載の方法。
Supplying a narrow cone of diffused light to the etalon;
102. The method of claim 101, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐の拡散光を供給する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項102に記載の方法。
Supplying a narrow cone of diffused light to the etalon;
103. The method of claim 102, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐の拡散光を供給する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項103に記載の方法。
Supplying a narrow cone of diffused light to the etalon;
104. The method of claim 103, further comprising:
前記エタロンに幅の狭い円錐の拡散光を供給する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項104に記載の方法。
Supplying a narrow cone of diffused light to the etalon;
105. The method of claim 104, further comprising:
スリット開口に前記幅の狭い円錐光を通す段階、
を更に含むことを特徴とする請求項105に記載の方法。
Passing the narrow cone light through the slit opening;
106. The method of claim 105, further comprising:
スリット開口に前記幅の狭い円錐光を通す段階、
を更に含むことを特徴とする請求項106に記載の方法。
Passing the narrow cone light through the slit opening;
107. The method of claim 106, further comprising:
スリット開口に前記幅の狭い円錐光を通す段階、
を更に含むことを特徴とする請求項107に記載の方法。
Passing the narrow cone light through the slit opening;
108. The method of claim 107, further comprising:
スリット開口に前記幅の狭い円錐光を通す段階、
を更に含むことを特徴とする請求項108に記載の方法。
Passing the narrow cone light through the slit opening;
109. The method of claim 108, further comprising:
スリット開口に前記幅の狭い円錐光を通す段階、
を更に含むことを特徴とする請求項109に記載の方法。
Passing the narrow cone light through the slit opening;
110. The method of claim 109, further comprising:
スリット開口に前記幅の狭い円錐光を通す段階、
を更に含むことを特徴とする請求項110に記載の方法。
Passing the narrow cone light through the slit opening;
111. The method of claim 110, further comprising:
スリット開口に前記幅の狭い円錐光を通す段階、
を更に含むことを特徴とする請求項111に記載の方法。
Passing the narrow cone light through the slit opening;
112. The method of claim 111, further comprising:
スリット開口に前記幅の狭い円錐光を通す段階、
を更に含むことを特徴とする請求項112に記載の方法。
Passing the narrow cone light through the slit opening;
113. The method of claim 112, further comprising:
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小器と、
前記ビーム縮小器と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小器は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項33に記載の装置。
A beam reducer in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducer and the optical interferometer;
Further including
The beam reducer reduces the beam more in a first axis than in a second axis to conform the beam cross-section to the shape of the second diffuser;
34. The apparatus of claim 33.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小器と、
前記ビーム縮小器と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小器は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項34に記載の装置。
A beam reducer in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducer and the optical interferometer;
Further including
The beam reducer reduces the beam more in a first axis than in a second axis to conform the beam cross-section to the shape of the second diffuser;
35. The apparatus of claim 34.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小器と、
前記ビーム縮小器と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小器は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項35に記載の装置。
A beam reducer in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducer and the optical interferometer;
Further including
The beam reducer reduces the beam more in a first axis than in a second axis to conform the beam cross-section to the shape of the second diffuser;
36. The apparatus of claim 35.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小器と、
前記ビーム縮小器と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小器は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項36に記載の装置。
A beam reducer in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducer and the optical interferometer;
Further including
The beam reducer reduces the beam more in a first axis than in a second axis to conform the beam cross-section to the shape of the second diffuser;
37. The apparatus of claim 36.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小器と、
前記ビーム縮小器と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小器は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項37に記載の装置。
A beam reducer in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducer and the optical interferometer;
Further including
The beam reducer reduces the beam more in a first axis than in a second axis to conform the beam cross-section to the shape of the second diffuser;
38. The apparatus of claim 37.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小器と、
前記ビーム縮小器と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小器は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項38に記載の装置。
A beam reducer in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducer and the optical interferometer;
Further including
The beam reducer reduces the beam more in a first axis than in a second axis to conform the beam cross-section to the shape of the second diffuser;
40. The apparatus of claim 38.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小器と、
前記ビーム縮小器と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小器は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項39に記載の装置。
A beam reducer in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducer and the optical interferometer;
Further including
The beam reducer reduces the beam more in a first axis than in a second axis to conform the beam cross-section to the shape of the second diffuser;
40. The apparatus of claim 39.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小器と、
前記ビーム縮小器と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小器は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項40に記載の装置。
A beam reducer in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducer and the optical interferometer;
Further including
The beam reducer reduces the beam more in a first axis than in a second axis to conform the beam cross-section to the shape of the second diffuser;
41. The apparatus of claim 40.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小手段と、
前記ビーム縮小手段と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小手段は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項73に記載の装置。
Beam reduction means in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducing means and the optical interferometer;
Further including
The beam reducing means reduces the beam more in the first axis than in the second axis in order to match the cross section of the beam to the shape of the second diffuser;
74. The apparatus of claim 73.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小手段と、
前記ビーム縮小手段と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小手段は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項74に記載の装置。
Beam reduction means in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducing means and the optical interferometer;
Further including
The beam reducing means reduces the beam more in the first axis than in the second axis in order to match the cross section of the beam to the shape of the second diffuser;
75. The apparatus of claim 74.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小手段と、
前記ビーム縮小手段と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小手段は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項75に記載の装置。
Beam reduction means in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducing means and the optical interferometer;
Further including
The beam reducing means reduces the beam more in the first axis than in the second axis in order to match the cross section of the beam to the shape of the second diffuser;
78. The apparatus of claim 75.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小手段と、
前記ビーム縮小手段と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小手段は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項76に記載の装置。
Beam reduction means in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducing means and the optical interferometer;
Further including
The beam reducing means reduces the beam more in the first axis than in the second axis in order to match the cross section of the beam to the shape of the second diffuser;
77. The apparatus of claim 76.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小手段と、
前記ビーム縮小手段と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小手段は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項77に記載の装置。
Beam reduction means in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducing means and the optical interferometer;
Further including
The beam reducing means reduces the beam more in the first axis than in the second axis in order to match the cross section of the beam to the shape of the second diffuser;
78. The apparatus of claim 77.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小手段と、
前記ビーム縮小手段と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小手段は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項78に記載の装置。
Beam reduction means in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducing means and the optical interferometer;
Further including
The beam reducing means reduces the beam more in the first axis than in the second axis in order to match the cross section of the beam to the shape of the second diffuser;
79. The apparatus of claim 78.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小手段と、
前記ビーム縮小手段と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小手段は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項79に記載の装置。
Beam reduction means in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducing means and the optical interferometer;
Further including
The beam reducing means reduces the beam more in the first axis than in the second axis in order to match the cross section of the beam to the shape of the second diffuser;
80. The apparatus of claim 79.
前記光学干渉計の前にある前記ビームの経路内のビーム縮小手段と、
前記ビーム縮小手段と前記光学干渉計の間の第2の拡散器と、
を更に含み、
前記ビーム縮小手段は、前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、第2の軸よりも第1の軸において該ビームをより多く縮小する、
ことを特徴とする請求項80に記載の装置。
Beam reduction means in the path of the beam in front of the optical interferometer;
A second diffuser between the beam reducing means and the optical interferometer;
Further including
The beam reducing means reduces the beam more in the first axis than in the second axis in order to match the cross section of the beam to the shape of the second diffuser;
81. The device of claim 80.
前記干渉パターンを生成する前に前記ビームを縮小する段階と、
前記縮小されたビームを第2の拡散器に拡散する段階と、
前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、該ビームを第2の軸よりも第1の軸においてより多く縮小する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項113に記載の方法。
Reducing the beam before generating the interference pattern;
Diffusing the reduced beam into a second diffuser;
Shrinking the beam more in the first axis than in the second axis to conform the cross-section of the beam to the shape of the second diffuser;
114. The method of claim 113, further comprising:
前記干渉パターンを生成する前に前記ビームを縮小する段階と、
前記縮小されたビームを第2の拡散器に拡散する段階と、
前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、該ビームを第2の軸よりも第1の軸においてより多く縮小する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項114に記載の方法。
Reducing the beam before generating the interference pattern;
Diffusing the reduced beam into a second diffuser;
Shrinking the beam more in the first axis than in the second axis to conform the cross-section of the beam to the shape of the second diffuser;
115. The method of claim 114, further comprising:
前記干渉パターンを生成する前に前記ビームを縮小する段階と、
前記縮小されたビームを第2の拡散器に拡散する段階と、
前記ビームの断面を前記拡散器の形状に合わせるために、該ビームを第2の軸よりも第1の軸においてより多く縮小する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項115に記載の方法。
Reducing the beam before generating the interference pattern;
Diffusing the reduced beam into a second diffuser;
Reducing the beam more in the first axis than in the second axis to match the cross-section of the beam to the shape of the diffuser;
118. The method of claim 115, further comprising:
前記干渉パターンを生成する前に前記ビームを縮小する段階と、
前記縮小されたビームを拡散器に拡散する段階と、
前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、該ビームを第2の軸よりも第1の軸においてより多く縮小する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項116に記載の方法。
Reducing the beam before generating the interference pattern;
Diffusing the reduced beam into a diffuser;
Shrinking the beam more in the first axis than in the second axis to conform the cross-section of the beam to the shape of the second diffuser;
117. The method of claim 116, further comprising:
前記干渉パターンを生成する前に前記ビームを縮小する段階と、
前記縮小されたビームを第2の拡散器に拡散する段階と、
前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、該ビームを第2の軸よりも第1の軸においてより多く縮小する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項117に記載の方法。
Reducing the beam before generating the interference pattern;
Diffusing the reduced beam into a second diffuser;
Shrinking the beam more in the first axis than in the second axis to conform the cross-section of the beam to the shape of the second diffuser;
118. The method of claim 117, further comprising:
前記干渉パターンを生成する前に前記ビームを縮小する段階と、
前記縮小されたビームを第2の拡散器に拡散する段階と、
前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、該ビームを第2の軸よりも第1の軸においてより多く縮小する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項118に記載の方法。
Reducing the beam before generating the interference pattern;
Diffusing the reduced beam into a second diffuser;
Shrinking the beam more in the first axis than in the second axis to conform the cross-section of the beam to the shape of the second diffuser;
119. The method of claim 118, further comprising:
前記干渉パターンを生成する前に前記ビームを縮小する段階と、
前記縮小されたビームを第2の拡散器に拡散する段階と、
前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、該ビームを第2の軸よりも第1の軸においてより多く縮小する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項119に記載の方法。
Reducing the beam before generating the interference pattern;
Diffusing the reduced beam into a second diffuser;
Shrinking the beam more in the first axis than in the second axis to conform the cross-section of the beam to the shape of the second diffuser;
120. The method of claim 119, further comprising:
前記干渉パターンを生成する前に前記ビームを縮小する段階と、
前記縮小されたビームを第2の拡散器に拡散する段階と、
前記ビームの断面を前記第2の拡散器の形状に合わせるために、該ビームを第2の軸よりも第1の軸においてより多く縮小する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項120に記載の方法。
Reducing the beam before generating the interference pattern;
Diffusing the reduced beam into a second diffuser;
Shrinking the beam more in the first axis than in the second axis to conform the cross-section of the beam to the shape of the second diffuser;
121. The method of claim 120, further comprising:
前記第1の拡散器は、15度よりも小さな円錐角を射出するエッチングされた研磨ガラス拡散器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項25に記載の装置。
The first diffuser includes an etched polished glass diffuser that emits a cone angle less than 15 degrees;
26. The apparatus of claim 25, further comprising:
前記第1の拡散器は、15度よりも小さな円錐角を射出するエッチングされた研磨ガラス拡散器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項26に記載の装置。
The first diffuser includes an etched polished glass diffuser that emits a cone angle less than 15 degrees;
27. The apparatus of claim 26, further comprising:
前記第1の拡散器は、15度よりも小さな円錐角を射出するエッチングされた研磨ガラス拡散器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項27に記載の装置。
The first diffuser includes an etched polished glass diffuser that emits a cone angle less than 15 degrees;
28. The apparatus of claim 27, further comprising:
前記第1の拡散器は、15度よりも小さな円錐角を射出するエッチングされた研磨ガラス拡散器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項28に記載の装置。
The first diffuser includes an etched polished glass diffuser that emits a cone angle less than 15 degrees;
30. The apparatus of claim 28, further comprising:
前記第1の拡散器は、15度よりも小さな円錐角を射出するエッチングされた研磨ガラス拡散器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項29に記載の装置。
The first diffuser includes an etched polished glass diffuser that emits a cone angle less than 15 degrees;
30. The apparatus of claim 29, further comprising:
前記第1の拡散器は、15度よりも小さな円錐角を射出するエッチングされた研磨ガラス拡散器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項30に記載の装置。
The first diffuser includes an etched polished glass diffuser that emits a cone angle less than 15 degrees;
32. The apparatus of claim 30, further comprising:
前記第1の拡散器は、15度よりも小さな円錐角を射出するエッチングされた研磨ガラス拡散器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項31に記載の装置。
The first diffuser includes an etched polished glass diffuser that emits a cone angle less than 15 degrees;
32. The apparatus of claim 31, further comprising:
前記第1の拡散器は、15度よりも小さな円錐角を射出するエッチングされた研磨ガラス拡散器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項32に記載の装置。
The first diffuser includes an etched polished glass diffuser that emits a cone angle less than 15 degrees;
The apparatus of claim 32, further comprising:
JP2006533929A 2003-09-30 2004-09-15 Spectral analysis module of gas discharge MOPA laser Active JP4773968B2 (en)

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