JP2007519200A - 変圧器インターフェースを有する電子バラスト - Google Patents
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Abstract
外部制御システムと電子バラストとの間に変圧器インターフェース通信を有する電子バラストは、外部制御システムへ動作可能な状態で接続され、外部信号140によって外部制御システムと通信する外側回路160と、外側回路160へ動作可能な状態で接続され、外側信号166によって外側回路160と通信する変圧器162と、変圧器162と動作可能な状態で接続され、内側信号168によって変圧器162と通信し、内部信号150によってマイクロプロセッサ128と通信する内側回路164とを有する。外部信号140は、デジタル・アドレッサブル・ライティング・インターフェース(DALI)プロトコルを使用することができる。内側信号168は、二次巻線において外側回路166に対してより低い電圧とより高い電圧とを夫々発生させるように、一次巻線においてより低いデューティーサイクルとより高いデューティーサイクルとを使用することができる。
Description
本発明は、ガス放電管用の電子バラスト、更に具体的には、変圧器インターフェースを有する電子バラストに関する。
例えば蛍光灯のような、ガス放電ランプは、ランプへの電流を制限するバラストを必要とする。電子バラストは、それらの多数の利点により、ますます一般的となってきている。電子バラストは、磁気バラストシステムを上回る15%から20%程度のより大きな効率を提供する。電子バラストは、発生する熱がより少なく、冷却負荷の発生を低減させると共に、ハムを伴わずに、より静かに動作する。更に、電子バラストは、更なる設計及び制御の柔軟性を提供する。
電子バラストは、様々な供給電圧、様々な形式のランプ、及び様々な数のランプにより動作すべきである。供給電圧は、世界各国で様々であり、電力供給網に依存して1つの場所でも変化しうる。様々な形式のランプは、電気的に異なっているが、様々な形式のランプが単一の固定された物において使用可能であるように、同じ物理的寸法を有しても良い。電子バラストは、単一のランプ、又は2若しくはそれ以上のランプと共に動作しても良い。電子バラストは、様々な状態の下で、確実に、且つ、効率的に動作すべきである。
1つの特有の課題は、外部制御システムと電子バラストとの間の効率的且つ安価なインターフェースを提供することである。インターフェースは、電子バラストと外部制御システムとの間の双方向通信を可能にする一方、外部制御システムから電子バラストを分離すべきである。通信プロトコルの1つの例は、蛍光灯バラスト規格IEC60929の付録Eに提示されているデジタル・アドレッサブル・ライティング・インターフェース(DALI)プロトコルである。DALIプロトコルは、異なった製造者によるバラストが特定の照明システムで利用可能であるようにインターフェース規格を設定する。
DALIプロトコルは、単一の外部制御システムバス、即ち、単一DALIバスへ取り付け可能な電子バラストの数を制限する。夫々の電子バラストは、DALIバスから電流を引き込む。過剰に多くの電子バラストが単一DALIバスへ接続される場合には、電子バラストにより引き込まれる全電流は、バスを引き下げて、通信障害を引き起こす。
現在、電子バラストは、分離及び双方向通信を提供するよう、少なくとも一対のオプトカプラーを使用する。オプトカプラーは大電流を引き込むので、単一DALIバスに取り付けられる電子バラストはより少なくなる。通常、オプトカプラー・インターフェースは、1から2mAを引き込むので、バス上の電子バラストの数は約64に制限される。オプトカプラーは、また、高価でもあるので、製造費用及び小売価格は増大する。
上記欠点を解決しうる変圧器インターフェースを伴う電子バラストを有することが望まれる。
本発明の1つの態様は、双方向通信と共に分離を利用可能とする変圧器インターフェースを有する電子バラストを提供する。
本発明の他の態様は、バスからの電流をほとんど使用しない変圧器インターフェースを有する電子バラストを提供する。
本発明の他の態様は、より多くの電子バラストが単一バスへ接続されることを可能にする変圧器インターフェースを有する電子バラストを提供する。
本発明の他の態様は、単一の安価な分離部品を使用する変圧器インターフェースを有する電子バラストを提供する。
本発明の上記及び他の利点について、添付の図面と併せて読まれる、現在のところ好ましい実施例の以下の詳細な記述から更に明らかにする。詳細な説明及び図面は、本発明の実例となるに過ぎず、添付の特許請求の範囲及びその均等によって定義される本発明の主旨を限定するものではない。
本発明の様々な実施例を、添付の図面により説明する。
図1は、本発明に従って作られた変圧器インターフェースを有する電子バラストのブロック図である。電子バラスト100は、交流(AC)/直流(DC)変換器122と、ハーフブリッジ124と、共振タンク回路126と、マイクロプロセッサ128と、調整パルス幅変調器(PWM)130と、高電圧(HV)ドライバ132と、誤差回路134と、通信インターフェース回路138とから成る。AC/DC変換器122は主電圧120を受け、タンク回路126はランプ136へ電力を供給する。通信インターフェース回路138は、外部信号140を外部制御システム(図示せず。)へ及びから送信及び受信する。
主電圧120は、例えば120V、127V、220V、230V、又は277Vといった、電子バラスト100へ供給されるAC線間電圧である。主電圧120は、AC/DC変換器122で受けられる。AC/DC変換器122は、AC主電圧120をDC電圧140へ変換する。DC電圧140は、ハーフブリッジ124へ供給される。AC/DC変換器122は、一般に、EMIフィルタと整流器とを有する(図示せず。)。AC/DC変換器122は、また、例えば180Vから470Vへと、DC電圧の電圧を増大させるよう昇圧回路を有することもできる。ハーフブリッジ124は、DC電圧140を高周波AC電圧142へ変換する。共振タンク回路126は、AC電圧をランプ136へ供給する。通常、高周波AC電圧は、25から60kHzの範囲の周波数を有する。
マイクロプロセッサ128は、電子バラスト100の動作を制御する。マイクロプロセッサ128は、プログラムされた命令を記憶しており、それに従って動作し、更に、所望の動作点を決定するよう電子バラスト100の至る所からパラメータを検知する。例えば、マイクロプロセッサ128は、ランプが予熱、点灯、若しくは作動のモードにあるか否かに依存して、又はランプが存在しない場合に、AC電圧を異なる周波数へ設定する。マイクロプロセッサ128は、AC/DC変換器122の電力変換及び電圧出力を制御することができる。マイクロプロセッサ128は、また、調整PWM130及びHVドライバ132を介してハーブブリッジ124の周波数及びデューティーサイクルを制御することによって、共振タンク回路126からのAC電圧の電圧及び周波数を制御することもできる。誤差回路134は、検知ランプ電流144及び所望のランプ電流146を比較して、ランプ電流誤差信号148を、調整PWM130及びHVドライバ132によるランプ電流の調節のために、調整PWM130へ供給する。マイクロプロセッサ128は、命令を受信し、記憶し、それに従って動作し、且つ、ステータス情報を送信するよう、通信インターフェース回路138を介して外部制御システムと通信する。
通信インターフェース回路138は、電子バラストと外部制御システムとの間で信号をやり取りする。通信は双方向であるから、通信インターフェース回路138は、外部信号140からの情報を内部信号150でマイクロプロセッサ128へ送信することができ、あるいは、内部信号150からの情報を外部信号140で外部制御システム(図示せず。)へ送信することができる。一実施例では、外部信号140は、DALIプロトコルに従うことができる。当業者には、通信インターフェース回路138がDALIプロトコルによる使用に限定されず、情報が高ビット及び低ビットの連続で送信されるところの如何なる2進制御プロトコルと共に使用されうることは明らかであろう。プロトコルは、特定の通信を望ましく適応させるよう、スタートビット及びストップビットと、アドレスバイトと、データ/命令バイトとにより構成され得る。
通信インターフェース回路138は、外側回路160と、変圧器162と、内側回路164とから成る。変圧器162は、外部制御回路と電子バラストとの間の分離を提供する。外側回路160は、外部信号140により外部制御回路(図示せず。)と通信するよう動作可能な状態で接続されている。変圧器162は、外側信号166によって外側回路160と通信し、且つ、内側信号168により内側回路164と通信するよう動作可能な状態で接続されている。内側回路164は、内部信号150によってマイクロプロセッサ128と通信するよう動作可能な状態で接続されている。様々な信号が、望むように、シリアルに又はパラレルに送信され得る。例えば、内部信号150は、内側回路164からマイクロプロセッサ128への1つの信号経路と、マイクロプロセッサ128から内側回路164への他の信号経路とを有する。
図2から4は、本発明に従って作られた変圧器インターフェースを有する電子バラストの回路図である。
図2を参照すると、DC電力は、AC/DC変換器(図示せず。)によって高電圧レール200及び共通レール202を介して共振ハーフブリッジへ供給されている。トランジスタQ2及びQ3は、ハーフブリッジ回路を形成するよう、高電圧レール200と共通レール202との間に直列に接続されている。図3のHVドライバU4は、トランジスタQ2及びQ3を、それらが交互に導通するように駆動する。インダクタL5及びキャパシタC33は、共振タンク回路を形成しており、トランジスタQ2とQ3との間の接点での出力を正弦波に平滑化する。単一のランプと共に使用するために、ランプ206の第1のフィラメント204は、端子T1及びT2の間に接続されており、第2のフィラメント208は、端子T5及びT6の間に接続されている。2つのランプが電子バラストと共に使用される場合には、第1のランプからの1つのフィラメントが、端子T1及びT2の間に接続され、第2のランプからの1つのフィラメントが、端子T5及びT6の間に接続される。夫々のランプからの1つのフィラメントである他のフィラメントは、端子T3及びT4の間に直列又は並列に接続される。
図3を参照すると、マイクロプロセッサU2は、電子バラストの内側及び外側からの入力を受けて、バラストの動作を制御するよう動作可能である。マイクロプロセッサU2は、所望のランプ動作周波数を決定し、調整PWMU3の振動周波数を設定する。調整PWMU3は、HVドライバU4を駆動する。HVドライバU4は、トランジスタQ2及びQ3を駆動する。
マイクロプロセッサU2は、通信インターフェース回路からライン310において入来する信号を受信し、通信インターフェース回路への発信信号312を発生させる。ライン310上の入来信号及びライン312上の発信信号は、外部制御システムへ及びから伝達する。一実施例では、マイクロプロセッサU2は、STマイクロエレクトロニクスから市販されているST7LITE2であっても良く、調整PWMU3は、ナショナルセミコンダクタから市販されているLM3524Dであっても良く、HVドライバU4は、STマイクロエレクトロニクスから市販されているL6387であっても良い。当業者には、記述されている例となる部品以外の特定の部品が所望の結果を達成するために選択され得ることは明らかである。誤差回路は、キャパシタC37を介して抵抗R58でランプ電流を検知する。電流演算増幅器U8A及び高伝導性超高速ダイオードD18は、利得を制御する抵抗R60及びR58と共に半波整流器を構成する。検知ランプ電流信号は、ライン210においてマイクロプロセッサU2へ、及び誤差演算増幅器U8Bへ供給される。マイクロプロセッサU2は、入力及び所望の動作状態を基に所望のランプ電流信号を発生させ、所望のランプ電流信号をライン212に沿って誤差演算増幅器U8Bへ戻す。誤差演算増幅器U8Bは、検知ランプ電流信号と所望のランプ電流信号とを比較して、ライン214にランプ電流誤差信号を発生させる。ライン214は、ランプ電流誤差信号を調整PWMU3へ供給する。ランプ電流誤差信号に応答して、調整PWMU3は、出力パルス幅を調整する。出力パルス幅は、HVドライバU4によるトランジスタQ2及びQ3の循環によってランプ電流を調整する。検知ランプ電流信号が誤差演算増幅器U8Bにおいて所望のランプ電流信号に等しい場合には、ランプ電流誤差信号は、零出力であり、電子バラストは、定常状態モードにありうる。
電子バラストは、予熱、点灯、及び作動のモードで動作する。予熱モードは、熱電子放射を引き起こして、ランプを通る電気経路を提供するよう、ランプフィラメントへ予熱シーケンスを提供する。点灯モードは、ランプを点灯させるよう、高電圧を印加する。作動モードは、点灯後にランプを流れる電流を制御する。
図4は、変圧器インターフェースを有する電子バラストの通信インターフェース回路を示す。通信インターフェース回路は、外側回路320と、変圧器322と、内側回路324とから成る。外側回路320は、端子T15及びT16において外部制御回路と通信するよう動作可能な状態で接続されている。内側回路324は、ライン310上の入来信号とライン312上の発信信号とによってマイクロプロセッサU2(図3)と通信するよう動作可能な状態で接続されている。変圧器322は、外部制御回路と電子バラストとの間の分離を提供する。変圧器322は、ライン326上の外側信号によって外側回路320と通信し、且つ、ライン328上の内側信号によって内側回路324と通信するよう動作可能な状態で接続されている。
外側回路320は、ブリッジD13と、送信回路330と、受信回路332と、整流器/フィルタ334とから成る。送信回路330は、トランジスタQ5と、抵抗R16と、ツェナーダイオードZ2と、抵抗R17とを有する。受信回路332は、トランジスタQ6及びQ7と、抵抗R18と、ツェナーダイオードZ3と、抵抗R77、R19、R20及びR21とを有する。整流器/フィルタ334は、キャパシタC18と、抵抗R75と、ダイオードD14と、抵抗R22と、キャパシタC19とを有する。ブリッジD13は、外部信号により外部制御システムと外側回路320との間で通信する。ブリッジD13は、端子T15及びT16において、外部制御システムの極性とは無関係に、通信インターフェース回路に対する適切な信号極性を確実にする。
内側回路324は、AC結合比較器336と、発信スイッチ338とから成る。比較器336は、抵抗R23と、キャパシタC20と、抵抗R25と、キャパシタC21と、抵抗R26と、ダイオードD15と、トランジスタQ9と、抵抗R27と、トランジスタQ10と、抵抗R20と、キャパシタC47とを有する。発信スイッチ338は、トランジスタQ8と、抵抗R24とを有する。
変圧器322は、外側回路320と内側回路324との間に接続されており、外部制御回路と電子バラストとの間の分離を提供する。変圧器322の二次巻線は、ライン326において外側信号を供給する整流器/フィルタ334の両端に接続されている。変圧器322の一次巻線は、比較器336の抵抗R23と、発信スイッチ338のトランジスタQ8との間に直列に接続されている。
動作中に、通信インターフェース回路は、待機状態、システム受信状態、又はシステム送信状態にありうる。待機状態では、通信インターフェース回路を介して送信又は受信される信号は存在しない。システム受信状態では、電子バラストからの信号は、外部制御システムへ送信される。システム送信状態では、外部制御システムからの信号は、電子バラストへ送信される。
待機状態の間に、マイクロプロセッサU2は、より低いデューティーサイクルでライン312において駆動信号を供給する。駆動信号は、発信スイッチ338のトランジスタQ8を切り替える。より低いデューティーサイクルでは、変圧器322の一次巻線を流れる電流は、ライン326において二次巻線のより低い電圧を発生させる。一実施例では、より低いデューティーサイクルは、約33%であり、より低い電圧は、C18の両端で約2.5から3.5Vである。端子T15及びT16の間における外部制御回路からの外部信号は、ライン340を高電位(high)に保持するよう高い。このとき、ライン340は、抵抗R19、R20及びR77を介して受信回路332のトランジスタQ7をオンとする。一実施例では、ライン340の電圧は、DALIプロトコルに従って供給されるように約16ボルトである。これは、トランジスタQ6がオフであるように、トランジスタQ6のゲートを接地する。C18の両端のより低い電圧は、送信回路330のツェナーダイオードZ2の降伏電圧を下回るので、トランジスタQ5のゲートは、抵抗R16を介して接地され、トランジスタQ5はオフとなる。
システム送信状態の間に、端子T15及びT16の間における外部制御回路からの外部信号は、待機状態における高電位から低電位へと変化する。ライン340は低電位(low)となり、抵抗R19、R20及びR77を介して受信回路332のトランジスタQ7をオフとする。これは、トランジスタQ6がオンとなって、変圧器322の二次巻線の両端を短絡するように、抵抗R18を介してトランジスタQ6のゲートにおいて電圧を供給する。二次巻線の短絡は、変圧器322の両端で一次巻線及び比較器336へと反映される。比較器336は、多大なヒステリシスを有し、抵抗R25における一次巻線からの信号をマイクロプロセッサU2によって利用可能なライン310上の入来信号に整える。端子T15及びT16の間における外部制御回路からの外部信号は、高パルス及び低パルスをマイクロプロセッサU2へ供給するよう、高電位状態と低電位状態との間で交互に入れ替わる。
システム受信状態の間に、ライン312上の発信信号は、マイクロプロセッサU2の制御下で、より低いデューティーサイクルからより高いデューティーサイクルへと切り替わる。発信スイッチ338のトランジスタQ8は、変圧器322の一次巻線の両端の電流を切り替える。変圧器322は、C18の両端の電圧をより低い電圧からより高い電圧へと切り替えるよう二次側の電流を変更する。C18の両端のより高い電圧は、トランジスタQ5のゲートへ電圧を印加する送信回路330内のツェナーダイオードZ2の降伏電圧を超え、トランジスタQ5をオンとする。この電圧は、また、トランジスタQ7をオンとし、且つ、トランジスタQ6をオフとするツェナーダイオードZ3の降伏電圧をも超える。一実施例では、約33%のより低いデューティーサイクルが約2.5Vから3.5ボルトのより低い電圧を発生させ、約66%のより高いデューティーサイクルは、約7から8ボルトのより高い電圧を発生させる。夫々のツェナーダイオードZ2及びZ3の降伏電圧は約6.2ボルトである。
トランジスタQ5は、ブリッジD13の両端を短絡する。ブリッジD13は、外部制御システムへ接続された端子T15及びT16の間を短絡する。外部制御システムは待機状態において端子T15及びT16の間の電圧を保持するので、外部制御システムは、電圧変化によって短絡を検出する。マイクロプロセッサU2からのライン312上の発信信号は、端子T15及びT16の間にある外部制御回路へ高パルス及び低パルスを供給するよう、より低いデューティーサイクルとより高いデューティーサイクルとの間で変化する。当業者には、より高いデューティーサイクル及びより低いデューティーサイクル並びにより高い電圧及びより低い電圧の絶対値は重要ではなく、より高い電圧及びより低い電圧は、トランジスタQ5が外部制御システムへの接続の両端を短絡するようオン及びオフに切り替えられ得るように、ツェナーダイオードZ2の降伏電圧と境を接することのみが明らかであろう。
当業者には、多種多様な回路及び部品が、分離変圧器の両端において電子バラストと外部制御システムとの間で通信するために内側回路及び外側回路に対して使用されることは明らかであろう。回路は、上述した例に限定されない。
図5は、本発明に従って作られた電子バラストのための、外部制御システムと電子バラストとの間の通信方法のフローチャートである。
外部信号が410において外部制御システムから受信され、外側信号が412において外部信号に応答して発生する。外側信号は、414において、内側信号を発生させるよう変圧器の両端に送信され、内部信号は、416において内側信号に応答して発生する。418において、内部信号は、マイクロプロセッサにおいて利用される。当該方法は、マイクロプロセッサが外部信号に応答する必要性がない場合には418で終了する。
マイクロプロセッサが、例えば外部信号への返答として、外部制御システムへ信号を送信する必要がある場合には、第2の内部信号が420においてマイクロプロセッサから受信され、第2の内側信号が422において第2の内部信号に応答して発生する。第2の内側信号は、424において、第2の外側信号を発生させるよう変圧器の両端に送信され、第2の外部信号が426において第2の外側信号に応答して発生する。428において、第2の外部信号は、外部制御システムへ送信される。
ここで開示されている本発明の実施例は、現在のところ好ましいと考えられているが、様々な変更及び変形が、本発明の主旨を損なわない範囲でなされることが可能である。本発明の主旨は、添付の特許請求の範囲に示されており、意義及び均等の範囲内で派生する全ての変更が、その中に包含されている。
Claims (22)
- 外部制御システムと電子バラストとの間の通信方法であって:
前記外部制御システムから外部信号を受信するステップ;
該外部信号に応答して外側信号を発生させるステップ;
該外側信号を変圧器の両端に送信し、内側信号を発生させるステップ;
該内側信号に応答して内部信号を発生させるステップ;及び
該内部信号をマイクロプロセッサにおいて使用するステップ;
を有する方法。 - 前記外部信号に応答して外側信号を発生させるステップは、前記変圧器の二次巻線の両端を短絡するステップを有することを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記内側信号に応答して内部信号を発生させるステップは:
前記変圧器の一次巻線において前記内側信号を監視するステップ;及び
前記内側信号を整えるステップ;
を有することを特徴とする請求項1記載の方法。 - マイクロプロセッサから第2の内部信号を受信するステップ;
該第2の内部信号に応答して第2の内側信号を発生させるステップ;
該第2の内側信号を前記変圧器の両端に送信し、第2の外側信号を発生させるステップ;
該第2の外側信号に応答して第2の外部信号を発生させるステップ;及び
該第2の外部信号を前記外部制御システムへ送信するステップ;
を更に有する請求項1記載の方法。 - 前記第2の内部信号は、より高いデューティーサイクルと、より低いデューティーサイクルとを有し、
前記第2の内部信号に応答して第2の内側信号を発生させるステップは、前記変圧器の一次巻線において前記より高いデューティーサイクルと前記より低いデューティーサイクルとの間で前記第2の内部信号を切り替えるステップを有すること特徴とする請求項4記載の方法。 - 前記第2の外側信号は、前記より高いデューティーサイクルに対応するより高い電圧と、前記より低いデューティーサイクルに対応するより低い電圧とを有することを特徴とする請求項5記載の方法。
- 前記第2の外側信号に応答して第2の外部信号を発生させるステップは、前記より高い電圧に応答して前記外部制御システムへの接続の両端を短絡するステップを有することを特徴とする請求項6記載の方法。
- 外部制御システムと電子バラストとの間の通信システムであって:
前記外部制御システムから外部信号を受信する手段;
該外部信号に応答して外側信号を発生させる手段;
該外側信号を変圧器の両端に送信し、内側信号を発生させる手段;
該内側信号に応答して内部信号を発生させる手段;及び
該内部信号をマイクロプロセッサにおいて使用する手段;
を有するシステム。 - 前記外部信号に応答して外側信号を発生させる手段は、前記変圧器の二次巻線の両端を短絡する手段を有することを特徴とする請求項8記載のシステム。
- 前記内側信号に応答して内部信号を発生させる手段は:
前記変圧器の一次巻線において前記内側信号を監視する手段;及び
前記内側信号を整える手段;
を有することを特徴とする請求項8記載のシステム。 - マイクロプロセッサから第2の内部信号を受信する手段;
該第2の内部信号に応答して第2の内側信号を発生させる手段;
該第2の内側信号を前記変圧器の両端に送信し、第2の外側信号を発生させる手段;
該第2の外側信号に応答して第2の外部信号を発生させる手段;及び
該第2の外部信号を前記外部制御システムへと送信する手段;
を更に有する請求項8記載のシステム。 - 前記第2の内部信号は、より高いデューティーサイクルと、より低いデューティーサイクルとを有し、
前記第2の内部信号に応答して第2の内側信号を発生させる手段は、前記変圧器の一次巻線において前記より高いデューティーサイクルと前記より低いデューティーサイクルとの間で前記第2の内部信号を切り替える手段を有すること特徴とする請求項11記載のシステム。 - 前記第2の外側信号は、前記より高いデューティーサイクルに対応するより高い電圧と、前記より低いデューティーサイクルに対応するより低い電圧とを有することを特徴とする請求項12記載のシステム。
- 前記第2の外側信号に応答して第2の外部信号を発生させる手段は、前記より高い電圧に応答して前記外部制御システムへの接続の両端を短絡する手段を有することを特徴とする請求項13記載のシステム。
- 外部制御システムと当該電子バラストとの間の変圧器インターフェース通信を有する電子バラストであって:
前記外部制御システムへ動作可能な状態で接続され、外部信号により前記外部制御システムと通信する外側回路;
該外側回路へ動作可能な状態で接続され、外側信号によって前記外側回路と通信する変圧器;及び
該変圧器へ動作可能な状態で接続され、内側信号によって前記変圧器と通信し、内部信号によってマイクロプロセッサと通信する内側回路;
を有する電子バラスト。 - 前記変圧器は、一次巻線及び二次巻線を有し;
前記内側信号は、より低いデューティーサイクルと、より高いデューティーサイクルとを有し;
前記一次巻線における前記より低いデューティーサイクルは、前記二次巻線において前記外側信号に対してより低い電圧を発生させ;且つ
前記一次巻線における前記より高いデューティーサイクルは、前記二次巻線において前記外側信号に対してより高い電圧を発生させる;
ことを特徴とする請求項15記載の電子バラスト。 - 前記外部信号は、デジタル・アドレッサブル・ライティング・インターフェース(DALI)プロトコルに従うことを特徴とする請求項15記載の電子バラスト。
- 前記外側回路は:
前記外部信号を前記外部制御システムへ供給する送信回路;及び
前記外部信号を前記外部制御システムから受信する受信回路;
を有することを特徴とする請求項15記載の電子バラスト。 - 前記外側信号は、第1の状態及び第2の状態を有し、前記送信回路は、前記外側信号に応答して、前記外側信号が前記第1の状態である場合に前記外部制御システムへの接続を短絡することを特徴とする請求項18記載の電子バラスト。
- 前記外部信号は、第1の状態及び第2の状態を有し、前記受信回路は、前記外部信号に応答して、前記外部信号が前記第1の状態である場合に前記変圧器の二次巻線を短絡することを特徴とする請求項18記載の電子バラスト。
- 前記外側回路は:
前記外部信号を前記送信回路に伝達するよう動作可能な状態で接続されたブリッジ;及び
前記外側信号を前記受信回路に伝達するよう動作可能な状態で接続された整流器/フィルタ;
を更に有することを特徴とする請求項18記載の電子バラスト。 - 前記内側回路は:
前記内部信号を前記マイクロプロセッサへ供給する比較器;及び
前記内部信号を前記マイクロプロセッサから受信する発信スイッチ;
を有することを特徴とする請求項15記載の電子バラスト。
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