JP2007516437A - Magnet sensor device - Google Patents

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    • G01R33/09Magnetoresistive devices
    • G01R33/093Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors

Abstract

少なくとも1つの磁界検知性センサ層を集積GMRスピンバルブ多層システムに有するマグネットセンサ装置であって、磁界検知性センサエレメント(2,3,;4,5;10,11;12,13)が1つの測定ブリッジに接続されており、該センサエレメントの抵抗(R)は外部磁界に依存して変化する形式のマグネットセンサ装置が提案される。このセンサエレメントはそれぞれ少なくとも1つのほぼ線形の測定ストライプ(10,11,12,13)から形成されており、該測定ストライプはそれぞれ検出すべき磁界(H)の方向に対して垂直に伸長している。  A magnet sensor device having at least one magnetic field sensitive sensor layer in an integrated GMR spin valve multilayer system, wherein the magnetic field sensitive sensor elements (2, 3 ,; 4, 5; 10, 11; 12, 13) are one A magnet sensor device is proposed which is connected to a measuring bridge and whose resistance (R) of the sensor element varies depending on the external magnetic field. The sensor elements are each formed from at least one substantially linear measuring stripe (10, 11, 12, 13), each extending perpendicular to the direction of the magnetic field (H) to be detected. Yes.

Description

従来技術
本発明は、請求項1の上位概念による、線形または回転運動するエレメントの運動をセンシングするためのマグネットセンサ装置に関する。
Prior Art The present invention relates to a magnet sensor device for sensing the movement of a linear or rotary element according to the superordinate concept of claim 1.

磁界検知構成素子としてのいわゆるGMRセンサ(GMR=Giant Magneto Resistance、巨大磁気抵抗効果)を、自動車における回転角検出の際に比較的頑強なセンサとして適用できること自体は公知である。
交互に磁化および非磁化された薄膜金属層からなる適切な層システムで発生する作用がGMRと称される。ここでは層システムの電気抵抗が印加される磁界に、スピン依存性の電子散乱により大きく依存することがあげられる。
It is known that a so-called GMR sensor (GMR = Giant Magneto Resistance) as a magnetic field detection component can be applied as a relatively robust sensor when detecting a rotation angle in an automobile.
The action that occurs in a suitable layer system consisting of alternately magnetized and unmagnetized thin film metal layers is referred to as GMR. Here, the magnetic field to which the electrical resistance of the layer system is applied depends largely on spin-dependent electron scattering.

例えばDE10128135A1には、硬質磁気層を磁気抵抗層積層体の近傍に、すなわちその上および/または下に配置することが記載されている。この硬質磁気層はその漂遊磁界によってもっぱら磁気抵抗層と結合し、このときにいわゆるバイアス磁界を形成する。このバイアス磁界は磁界オフセットとして作用し、内部磁界に重畳される外部磁界が非常に弱く変化する場合でも、本来の測定値に良好に測定可能で比較的大きな変化を引き起こし、これが層システム内の抵抗変化として検出される。   For example, DE 10128135A1 describes the placement of a hard magnetic layer in the vicinity of, ie above and / or below, a magnetoresistive layer stack. This hard magnetic layer is exclusively coupled to the magnetoresistive layer by its stray magnetic field and at this time forms a so-called bias magnetic field. This bias magnetic field acts as a magnetic field offset, and even if the external magnetic field superimposed on the internal magnetic field changes very weakly, it can be measured well with the original measurement value, causing a relatively large change, which is the resistance in the layer system. Detected as a change.

さらにDE19949714A1から、このようなセンサをいわゆるスピンバルブ層システムとして構成することが公知である。ここで軟磁性検出層は非磁化中間層によって硬質磁気層から分離されている。
ここで非磁化中間層は次のような層厚を有する。すなわち2つの磁気層の間で非磁化中間層を介しては僅かな磁気結合しか生じないような層厚を有する。これにより、軟磁性検出層の磁化方向を非常に小さな外部磁界によって決めることができるようになる。
It is also known from DE 1994 714 A1 to configure such a sensor as a so-called spin valve layer system. Here, the soft magnetic detection layer is separated from the hard magnetic layer by a non-magnetized intermediate layer.
Here, the non-magnetized intermediate layer has the following layer thickness. That is, the layer thickness is such that only a slight magnetic coupling occurs between the two magnetic layers via the non-magnetized intermediate layer. As a result, the magnetization direction of the soft magnetic detection layer can be determined by a very small external magnetic field.

GMRスピンバルブとして、基本的に少なくとも4つの層からなる層積層体がある。ここで層は以下の役目を引き受ける:
1. 印加される磁界に続く、十分に空いた自由層;
2. GMR作用に関与する2つの磁気層間にある非磁化中間層;
3. 磁気層であり、外部磁界に限界値まで接近しない固定層;
4. 固定層を固定するための1つまたは複数の層。第4の層は、反強磁性体、プラスチック反強磁性体、それらの組み合わせ、硬質磁気層、またはその他とすることができる。
As a GMR spin valve, there is basically a layer stack composed of at least four layers. Here the layer takes on the following roles:
1. A fully free layer following the applied magnetic field;
2. A non-magnetized intermediate layer between two magnetic layers involved in GMR action;
3. A fixed layer that is a magnetic layer and does not approach an external magnetic field to the limit;
4). One or more layers for fixing the fixing layer. The fourth layer can be an antiferromagnetic material, a plastic antiferromagnetic material, a combination thereof, a hard magnetic layer, or the like.

前に説明したセンサはそれ自体公知のように、例えば自動車技術での回転数検出のために、しばしばいわゆる磁界勾配計システムで構成される。すなわちホイートストン測定ブリッジの各2つの分岐路が所定の間隔で配置され、これにより均質な磁界はブリッジ信号に作用しない。これに対して所定の間隔領域での磁界変化はブリッジ信号を形成する。これによりセンサは磁気的ポールホイールの信号だけを測定する。ポールホイールのポールペア間隔は所定の磁界勾配計間隔にほぼ相当する。   The sensors described above are, as is known per se, often constituted by so-called magnetic field gradiometer systems, for example for rotational speed detection in automotive technology. That is, each two branches of the Wheatstone measurement bridge are arranged at a predetermined interval, so that a homogeneous magnetic field does not act on the bridge signal. On the other hand, a change in the magnetic field in a predetermined interval region forms a bridge signal. This causes the sensor to measure only the magnetic pole wheel signal. The pole pair interval of the pole wheel substantially corresponds to a predetermined magnetic field gradient meter interval.

相応のことが、それ自体は強磁性ではないが、センサの近傍に取り付けられた磁石の磁界を磁化率によって変調するスチールホイールを使用する場合にも当てはまる。このようなセンサホイールに対する例は、突起と切欠部を有する歯付きホイールまたはセンサホイールである。ここでも磁界の変調だけが磁界勾配計間隔の尺度で測定される。   The same is true when using a steel wheel that is not itself ferromagnetic but modulates the magnetic field of a magnet mounted in the vicinity of the sensor with the magnetic susceptibility. Examples for such sensor wheels are toothed wheels or sensor wheels with protrusions and notches. Again, only the modulation of the magnetic field is measured on a scale of the magnetic gradient meter interval.

磁界勾配計をGMRスピンバルブに基づき構成するために、GMR材料からなる4つの測定ストライプが薄膜技術で構成される。評価電子回路に対して適切なブリッジ抵抗を1kΩのオーダにするため、通常はメアンダ状に配置された測定ストライプが選択される。   In order to construct a magnetic field gradient meter based on a GMR spin valve, four measurement stripes made of GMR material are constructed in thin film technology. In order to make the bridge resistance appropriate for the evaluation electronics on the order of 1 kΩ, measurement stripes that are arranged in a meander shape are usually selected.

このようなGMRスピンバルブ構造体の抵抗変化は非常に狭い磁界領域内で行われる。これによりスピンバルブ構造体自体は非常に小さな磁界強度変調を測定することができる。しかしこのような回転数センサを大きな動作間隔で使用すると、均質な外部磁界がGMRセンサの動作点をシフトさせ、スピンバルブ構造体がポールホイールまたはセンサホイールの小さな磁界変化を場合により検出できなくなるという問題が生じる。   Such a resistance change of the GMR spin valve structure is performed in a very narrow magnetic field region. This allows the spin valve structure itself to measure very small field strength modulations. However, when such a rotational speed sensor is used at a large operating interval, a homogeneous external magnetic field shifts the operating point of the GMR sensor, and the spin valve structure may not detect small magnetic field changes in the pole wheel or sensor wheel. Problems arise.

発明の利点
少なくとも1つの磁界検知性センサ層を集積スピンバルブ多層システムに有し、磁界検知性センサエレメントが測定ブリッジに接続されており、該測定ブリッジの電気抵抗は外部磁界に依存して変化する冒頭に述べた形式のマグネットセンサ装置の改善形態では、本発明により有利には、センサエレメントがそれぞれ、少なくともほぼ線形の測定ストライプから形成され、該測定ストライプは検出すべき磁界の方向に対してそれぞれ垂直に伸長している。
Advantages of the Invention Having at least one magnetic field sensitive sensor layer in an integrated spin valve multilayer system, the magnetic field sensitive sensor element is connected to a measurement bridge, the electrical resistance of the measurement bridge varying depending on the external magnetic field In an improvement of the magnet sensor device of the type mentioned at the outset, the invention advantageously provides that each sensor element is formed from at least a substantially linear measuring stripe, each measuring stripe being in each direction of the magnetic field to be detected. It extends vertically.

有利な実施形態によれば、明細書冒頭に述べたGMR材料からなるそれぞれ4つのセンサエレメントが薄膜技術でホイートストン測定ブリッジに接続されている。ここでは有利にはそれぞれ複数の測定ストライプを1つのセンサエレメントの形成のために平行に接続することもできる。ここで測定ストライプは有利には約2から10μmの幅を有する。   According to an advantageous embodiment, each of the four sensor elements of GMR material mentioned at the beginning of the description is connected to the Wheatstone measuring bridge by thin film technology. Here, it is also advantageous if a plurality of measuring stripes are each connected in parallel for the formation of one sensor element. The measuring stripe here preferably has a width of about 2 to 10 μm.

従って本発明の対象は、オーム抵抗の点で磁界に依存するセンサエレメントを、従来技術で通常のメアンダ形状ではなく十分に線形であり、数μmの小さい幅の測定ストライプとして測定すべき磁界の方向に対して垂直に配向することである。   Therefore, the object of the present invention is that the direction of the magnetic field to be measured as a measuring stripe with a small width of several μm, in which the sensor element which depends on the magnetic field in terms of ohmic resistance is sufficiently linear instead of the usual meander shape in the prior art Orienting perpendicular to.

磁性体内の磁界が外部磁界とは異なること自体は公知である。これは各磁性体がその磁化によって外部磁界に対抗的に作用し、とりわけ磁性体内に存在する内部磁界が磁性体の幾何形状に依存するように作用するからである。とりわけ磁界は、その寸法が3次元で大きく異なる磁性体に、広がりがもっとも小さい方向でもっとも弱く入り込む。このことにより、磁化は外部磁界がない場合、有利には広がりの最も大きい方向を指す。このことにより、通常は完全に均質に磁化される磁性体の磁化特性曲線が、その幾何形状を基準にした磁界の方向に依存するようになる
とりわけ薄膜磁気層では、層平面の磁界の特性曲線と、層平面に対して垂直な磁界の特性曲線とが明瞭に異なることを前提にできる。この理由から、測定ストライプの幅が測定磁界の方向に対して垂直方向で減少することは同様に特性曲線形状を変化させる。
It is well known that the magnetic field in the magnetic body is different from the external magnetic field. This is because each magnetic body acts against the external magnetic field by its magnetization, and in particular, the internal magnetic field existing in the magnetic body acts so as to depend on the geometry of the magnetic body. In particular, the magnetic field penetrates weakly in a direction in which the spread is the smallest in a magnetic material whose dimensions vary greatly in three dimensions. Thereby, the magnetization advantageously points in the direction of the largest spread in the absence of an external magnetic field. As a result, the magnetization characteristic curve of a magnetic material that is normally magnetized completely homogeneously depends on the direction of the magnetic field with reference to its geometric shape.
In particular, in a thin film magnetic layer, it can be assumed that the characteristic curve of the magnetic field in the layer plane and the characteristic curve of the magnetic field perpendicular to the layer plane are clearly different. For this reason, decreasing the width of the measurement stripe in the direction perpendicular to the direction of the measurement magnetic field similarly changes the characteristic curve shape.

冒頭に説明したGMRスピンバルブ構造体の抵抗変化は、すでに述べたように非常に狭い磁界領域内で生じる。このことによりスピンバルブ構造体は、非常に小さな磁界強度変調を測定することができる。スピンバルブ構造体を回転数センサと使用する場合、このことはポールホイールまたはセンサホイールにより形成される信号に非常に高い感度を有することを意味する。とりわけ磁界変調を、動作間隔が大きい場合にでも確実に検出することができる。   The resistance change of the GMR spin valve structure described at the beginning occurs in a very narrow magnetic field region as described above. This allows the spin valve structure to measure very small magnetic field strength modulations. When the spin valve structure is used with a rotational speed sensor, this means that it has a very high sensitivity to the signal formed by the pole wheel or sensor wheel. In particular, magnetic field modulation can be reliably detected even when the operation interval is large.

しかしこのような回転数センサを大きな動作間隔で使用すると、均質な外部磁界がGMRセンサの動作点をシフトさせ、スピンバルブ構造体がポールホイールまたはセンサホイールの小さな磁界変化を検出できなくなるという問題が生じる。本発明による測定ストライプの構成により特性曲線が傾斜するようになり、このことは高感度領域を拡大させ、同時に、特性曲線の小さな勾配に相当する最大感度を減少させる。   However, when such a rotational speed sensor is used at a large operation interval, a homogeneous external magnetic field shifts the operating point of the GMR sensor, and the spin valve structure cannot detect a small magnetic field change of the pole wheel or sensor wheel. Arise. The configuration of the measuring stripe according to the invention causes the characteristic curve to be inclined, which enlarges the sensitive area and at the same time reduces the maximum sensitivity corresponding to a small gradient of the characteristic curve.

これにより有利には、本発明の磁界センサは、障害磁界が所定の最大値まで均質であっても確実に機能する。とりわけ±1kA/mの障害磁界に対する不感性が保証される。   This advantageously allows the magnetic field sensor of the present invention to function reliably even if the disturbing magnetic field is homogeneous up to a predetermined maximum value. In particular, insensitivity to disturbance magnetic fields of ± 1 kA / m is guaranteed.

図面
次に、添付の図面を参照しながら本発明に実施例について詳しく説明する。
図1は、従来技術によるメアンダ形状の測定ストライプをセンサエレメントとして有する磁界センサに対する測定ブリッジ回路の層構造を示す基本図である。
図2は、センサエレメントの電気抵抗の特性曲線を示す線図であり、電気抵抗は変調された磁界を電気信号に電磁的に変換するスキームにより磁界に依存する。
図3は、図2による特性曲線が外部障害磁界によりシフトされた様子を示す線図である。
図4は、図1とは異なり線形の測定ストライプを有する本発明の磁界センサを示す概略図である。
図5は、並列に接続された複数の線形測定ストライプをセンサエレメントとして有する別の実施例を示す概略図である。
図6は、図4または5による本発明のGMRスピンバルブ測定ストライプの特性曲線を示す線図であり、ここでは勾配が小さく、特性曲線が外部障害磁界によりシフトされている。
Drawings Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a basic diagram showing a layer structure of a measurement bridge circuit for a magnetic field sensor having a meander-shaped measurement stripe according to the prior art as a sensor element.
FIG. 2 is a diagram showing a characteristic curve of the electrical resistance of the sensor element, which depends on the magnetic field by a scheme that electromagnetically converts the modulated magnetic field into an electrical signal.
FIG. 3 is a diagram showing how the characteristic curve according to FIG. 2 is shifted by an external obstacle magnetic field.
FIG. 4 is a schematic diagram showing the magnetic field sensor of the present invention having a linear measurement stripe unlike FIG.
FIG. 5 is a schematic diagram showing another embodiment having a plurality of linear measurement stripes connected in parallel as a sensor element.
FIG. 6 is a diagram showing the characteristic curve of the inventive GMR spin valve measurement stripe according to FIG. 4 or 5, where the gradient is small and the characteristic curve is shifted by an external disturbing magnetic field.

実施例の説明
図1には従来技術公知のGMR磁界センサ1の基本構造が示されており、この磁界センサはマルチレイヤー構造または多層構造で作製されている。明細書冒頭に述べた磁界変化をセンシングするために、公知のメアンダ状測定ストライプ2,3,4,5がセンサエレメントして設けられており、これらのセンサエレメントはホイートストンブリッジ回路に統合接続されている。これにより測定ストライプ2,3,4,5の磁界に依存する抵抗変化を相応に評価することができる。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS FIG. 1 shows a basic structure of a GMR magnetic field sensor 1 known in the prior art, and this magnetic field sensor is made of a multilayer structure or a multilayer structure. In order to sense the magnetic field changes mentioned at the beginning of the specification, known meandering measuring stripes 2, 3, 4 and 5 are provided as sensor elements, which are integrated and connected to a Wheatstone bridge circuit. Yes. Thereby, the resistance change depending on the magnetic field of the measurement stripes 2, 3, 4, 5 can be evaluated accordingly.

図2には、磁界Hに依存する測定ストライプ2,3,4,5の電気抵抗Rの特性曲線6が示されている。従って特性曲線6では信号7がセンシングすべき変調磁界に相応して電気信号8に、図1のGRMスピンバルブ構造体によって変換される。   FIG. 2 shows a characteristic curve 6 of the electrical resistance R of the measurement stripes 2, 3, 4, 5 depending on the magnetic field H. Therefore, in the characteristic curve 6, the signal 7 is converted into an electrical signal 8 corresponding to the modulated magnetic field to be sensed by the GRM spin valve structure of FIG.

図3から、ここに図示しない回転数センサにおいて動作間隔が過度に大きいと、均質外部磁界が特性曲線6を、ひいてはGMRセンサの動作点を矢印9に示すようにシフトし、図1のスピンバルブ構造体は回転数センサのポールホイールまたはセンサホイールの信号7による小さな磁界変化を検出できなくなることが分る。   From FIG. 3, when the operation interval is excessively large in the rotational speed sensor (not shown), the homogeneous external magnetic field shifts the characteristic curve 6 and consequently the operating point of the GMR sensor as shown by the arrow 9, and the spin valve of FIG. It can be seen that the structure cannot detect small magnetic field changes due to the pole wheel of the rotational speed sensor or the signal 7 of the sensor wheel.

線形測定ストライプ10,11,12,13をセンサエレメントとする本発明の構成が図4と5に示されている。ここで図5の実施例は図4の実施例とは異なり、複数の個別測定ストライプの並列回路がセンサエレメントとして設けられている。測定ストライプ10,11,12,13は明細書冒頭に述べたように巨大磁気抵抗材料(GMR)からなり、薄膜技術でホイートストン測定ブリッジに従来技術と同じように接続されている。個々の測定ストライプ10,11,12,13は有利にはそれぞれ約2から10μmの幅を有する。   The construction of the present invention with the linear measurement stripes 10, 11, 12, 13 as sensor elements is shown in FIGS. Here, the embodiment of FIG. 5 differs from the embodiment of FIG. 4 in that a parallel circuit of a plurality of individual measurement stripes is provided as a sensor element. The measurement stripes 10, 11, 12, 13 are made of giant magnetoresistive material (GMR) as described at the beginning of the specification and are connected to the Wheatstone measurement bridge in the same way as in the prior art by thin film technology. The individual measuring stripes 10, 11, 12, 13 preferably each have a width of about 2 to 10 μm.

図6の特性曲線14は、図5と5に示した本発明の測定ストライプ10,11,12,13の抵抗Rが磁界Hに依存して変化している様子を示す。この特性曲線14の勾配は、図2と3の特性曲線16とは異なり比較的に小さいことが分る。この平坦な経過によって、矢印15により同様に示したように特性曲線14が外部障害磁界によりシフトした場合でも、高感度領域が拡大する。   The characteristic curve 14 in FIG. 6 shows how the resistance R of the measurement stripes 10, 11, 12, 13 of the present invention shown in FIGS. It can be seen that the slope of the characteristic curve 14 is relatively small, unlike the characteristic curve 16 of FIGS. Due to this flat progress, even when the characteristic curve 14 is shifted by the external obstruction magnetic field as indicated by the arrow 15, the high sensitivity region is expanded.

図1は、従来技術によるメアンダ形状の測定ストライプをセンサエレメントとして有する磁界センサに対する測定ブリッジ回路の層構造を示す基本図である。FIG. 1 is a basic diagram showing a layer structure of a measurement bridge circuit for a magnetic field sensor having a meander-shaped measurement stripe according to the prior art as a sensor element. 図2は、センサエレメントの電気抵抗の特性曲線を示す線図であり、電気抵抗は変調された磁界を電気信号に電磁的に変換するスキームにより磁界に依存する。FIG. 2 is a diagram showing a characteristic curve of the electrical resistance of the sensor element, which depends on the magnetic field by a scheme for electromagnetically converting the modulated magnetic field into an electrical signal. 図3は、図2による特性曲線が外部障害磁界によりシフトされた様子を示す線図である。FIG. 3 is a diagram showing how the characteristic curve according to FIG. 2 is shifted by an external obstacle magnetic field. 図4は、図1とは異なり線形の測定ストライプを有する本発明の磁界センサを示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing the magnetic field sensor of the present invention having a linear measurement stripe unlike FIG. 図5は、並列に接続された複数の線形測定ストライプをセンサエレメントとして有する別の実施例を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing another embodiment having a plurality of linear measurement stripes connected in parallel as a sensor element. 図6は、図4または5による本発明のGMRスピンバルブ測定ストライプの特性曲線を示す線図であり、ここでは勾配が小さく、特性曲線が外部障害磁界によりシフトされている。FIG. 6 is a diagram showing the characteristic curve of the inventive GMR spin valve measurement stripe according to FIG. 4 or 5, where the gradient is small and the characteristic curve is shifted by an external disturbing magnetic field.

Claims (5)

少なくとも1つの磁界検知性センサ層を集積スピンバルブ多層システムに有するマグネットセンサ装置であって、磁界検知性センサエレメント(2,3,;4,5;10,11;12,13)が1つの測定ブリッジに接続されており、該センサエレメントの抵抗(R)は外部磁界(H)に依存して変化する形式のマグネットセンサ装置において、
センサエレメントはそれぞれ少なくとも1つのほぼ線形の測定ストライプ(10,11,12,13)から形成されており、該測定ストライプはそれぞれ検出すべき磁界(H)の方向に対して垂直に伸長している、ことを特徴とするマグネットセンサ装置。
Magnet sensor device having at least one magnetic field sensitive sensor layer in an integrated spin-valve multilayer system, wherein the magnetic field sensitive sensor elements (2, 3 ,; 4, 5; 10, 11; 12, 13) have one measurement. In a magnet sensor device of a type that is connected to a bridge and whose resistance (R) of the sensor element changes depending on an external magnetic field (H),
Each sensor element is formed of at least one substantially linear measuring stripe (10, 11, 12, 13), each extending perpendicular to the direction of the magnetic field (H) to be detected. A magnet sensor device characterized by that.
請求項1記載のマグネットセンサ装置において、
巨大磁気抵抗材料(GMR)からなるそれぞれ4つの測定ストライプ(10,11,12,13)がホイートストン測定ブリッジに接続されているマグネットセンサ装置。
The magnet sensor device according to claim 1,
Magnet sensor device in which four measuring stripes (10, 11, 12, 13) each made of a giant magnetoresistive material (GMR) are connected to a Wheatstone measuring bridge.
請求項1または2記載のマグネットセンサ装置において、
それぞれ複数の測定ストライプ(10,11,12,13)がセンサエレメントを形成するために並列に接続されているマグネットセンサ装置。
The magnet sensor device according to claim 1 or 2,
A magnet sensor device in which a plurality of measuring stripes (10, 11, 12, 13) are respectively connected in parallel to form a sensor element.
請求項1から3までのいずれか一項記載のマグネットセンサ装置において、
測定ストライプ(10,11,12,13)はそれぞれ約2から10μmの幅を有するマグネットセンサ装置。
In the magnet sensor device according to any one of claims 1 to 3,
Magnet sensor device in which the measurement stripes (10, 11, 12, 13) each have a width of about 2 to 10 μm.
請求項1から4までのいずれか一項記載のマグネットセンサ装置において、
マグネットセンサ装置(1)は、自動車の回転構成部材における回転数検出のための磁界勾配計として配置されているマグネットセンサ装置。
In the magnet sensor device according to any one of claims 1 to 4,
The magnet sensor device (1) is a magnet sensor device arranged as a magnetic field gradient meter for detecting the number of revolutions in a rotating component of an automobile.
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