JP2007511067A - Electroluminescent device with anthracene derivative host - Google Patents

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    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Abstract

本OLED素子は、アノードおよびカソード、ならびにアノードとカソードとの間に配置された、発光ドーパントおよび非対称的に置換されたモノアントラセン誘導体を含むホストを含有している発光層を含む。  The OLED device includes an emissive layer containing an anode and a cathode and a host comprising an emissive dopant and an asymmetrically substituted monoanthracene derivative disposed between the anode and the cathode.

Description

本発明は、ホストおよびドーパントを含有する発光層を含む有機エレクトロルミネセント(EL)素子に関し、前述のホストは、室温および70℃において非常に良好な動作安定性を有するモノアントラセン化合物を含む。   The present invention relates to an organic electroluminescent (EL) device comprising a light-emitting layer containing a host and a dopant, the host comprising a monoanthracene compound having very good operational stability at room temperature and 70 ° C.

有機エレクトロルミネセント(EL)素子は二十年間以上にわたって知られているが、これらの素子における性能上の限界が多くの望ましい用途にとっての障壁となっていた。最も単純な形態においては、有機EL素子は、正孔注入用のアノード、電子注入用のカソード、および、光の放出をもたらす電荷再結合を支持すべくこれらの電極間に挟まれた有機媒体から構成される。これらの素子は、一般的に、有機発光ダイオード、またはOLEDとも呼ばれている。初期の有機EL素子の代表的なものは、1965年3月9日に発行されたGurneeらの米国特許第3,172,862号;1965年3月9日に発行されたGurneeの米国特許第3,173,050号;Dresnerによる「Double Injection Electroluminescence in Anthracene」,RCA Review,Vol.30,pp.322−334,1969年;および1973年1月9日に発行されたDresnerの米国特許第3,710,167号である。これらの素子における有機層は、通常、多環式芳香族炭化水素からなっていて、非常に厚かった(1μmよりもずっと厚い)。その結果として、動作電圧が非常に高く、>100Vのことも多かった。   Although organic electroluminescent (EL) devices have been known for over two decades, the performance limitations in these devices have been a barrier to many desirable applications. In its simplest form, the organic EL device consists of an anode for hole injection, a cathode for electron injection, and an organic medium sandwiched between these electrodes to support charge recombination resulting in light emission. Composed. These elements are generally called organic light emitting diodes or OLEDs. Representative of the early organic EL elements are U.S. Pat. No. 3,172,862 to Gurnee et al. Issued on March 9, 1965; U.S. Pat. No. 3, Gurnee issued on March 9, 1965. No. 3,173,050; “Double Injection Electroluminescence in Anthracene” by Dresner, RCA Review, Vol. 30, pp. 322-334, 1969; and Dresner, U.S. Pat. No. 3,710,167, issued Jan. 9, 1973. The organic layer in these devices was usually composed of polycyclic aromatic hydrocarbons and was very thick (much thicker than 1 μm). As a result, the operating voltage was very high, often> 100V.

より最近の有機EL素子は、アノードとカソードとの間の極めて薄い層(例えば、<1.0μm)からなる有機ELエレメントを含む。本明細書で、「有機ELエレメント」という用語は、アノード電極とカソード電極との間のこれらの層を包含する。厚みを薄くすることにより、有機層の抵抗が低減され、これらの素子をもっとずっと低い電圧で作動させることが可能になった。US4,356,429号で最初に開示された基本的な二層EL素子構造においては、アノードに隣接した側のEL素子の一つの有機層は特に正孔を輸送すべく選択され、そのため、正孔輸送層と呼ばれており、もう一方の有機層は特に電子を輸送すべく選択され、それ故、電子輸送層と呼ばれている。この有機EL素子内における、注入された正孔と電子との再結合が、効率的なエレクトロルミネッセンスをもたらす。   More recent organic EL devices include organic EL elements consisting of a very thin layer (eg <1.0 μm) between the anode and cathode. As used herein, the term “organic EL element” encompasses these layers between the anode and cathode electrodes. By reducing the thickness, the resistance of the organic layer was reduced, making it possible to operate these devices at much lower voltages. In the basic two-layer EL device structure first disclosed in US Pat. No. 4,356,429, one organic layer of the EL device on the side adjacent to the anode is specifically selected to transport holes, so that the positive It is referred to as the hole transport layer, and the other organic layer is specifically selected to transport electrons and is therefore referred to as the electron transport layer. The recombination of injected holes and electrons in the organic EL element provides efficient electroluminescence.

また、Tangら[J.Applied Physics,Vol.65,3610−3616頁,1989年]により開示されているものなどの、正孔輸送層と電子輸送層との間に有機発光層(LEL)を含む、三層有機EL素子も提案されている。この発光層は、一般的に、ゲスト材料がドーピングされたホスト材料からなっている。尚も更に、US4,769,292号において、正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、発光層(LEL)および電子輸送/注入層(ETL)を含む四層EL素子も提案されている。これらの構造は、改善された素子効率をもたらしている。   Also, Tang et al. [J. Applied Physics, Vol. 65, 3610-3616, 1989], and the like, three-layer organic EL devices including an organic light emitting layer (LEL) between the hole transport layer and the electron transport layer have also been proposed. . This light emitting layer is generally made of a host material doped with a guest material. Still further, in US Pat. No. 4,769,292, a four-layer EL device including a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (LEL) and an electron transport / injection layer (ETL) is also proposed. Has been. These structures provide improved device efficiency.

アントラセンをベースとしたホストが使用されることが多い。有用な一群の9,10−ジ−(2−ナフチル)アントラセンホストがUS5,935,721号に開示されている。改善された素子半減期を有するルミネセント層において使用された種々のビス−アントラセン化合物がUS6,534,199号およびUS2002/136,922号に開示されている。アントラセン化合物を用いて輝度が改善されたエレクトロルミネセント素子がUS6,582,837号に開示されている。また、アントラセンは、US6,465,115号に開示されているように、HTLにおいても使用されている。これらに加え、OLED素子におけるアントラセン材料の使用に関する他の開示もあり、US5,972,247号、JP2001−097897号、JP2000−273056号、US2002/0048687号、WO03/060956号、WO02/088274号、EP第0429821号、WO03/007658号、JP2000−053677号およびJP2001−335516号を挙げることができる。   Hosts based on anthracene are often used. A useful group of 9,10-di- (2-naphthyl) anthracene hosts is disclosed in US 5,935,721. Various bis-anthracene compounds used in luminescent layers with improved device half-life are disclosed in US 6,534,199 and US 2002 / 136,922. An electroluminescent device with improved luminance using an anthracene compound is disclosed in US Pat. No. 6,582,837. Anthracene is also used in HTL, as disclosed in US Pat. No. 6,465,115. In addition to these, there are also other disclosures regarding the use of anthracene materials in OLED devices, such as US 5,972,247, JP2001-097897, JP2000-273056, US2002 / 0048687, WO03 / 060956, WO02 / 088274, EP 0429821, WO03 / 007658, JP2000-053677 and JP2001-335516.

これらの進展にもかかわらず、より良好な動作安定性を有していて、都合よく製造することができるホストに対するニーズが依然として存在している。OLED素子の改善された動作安定性は、より多くの製品におけるこれらの素子の使用を可能にするであろう。   Despite these advances, there remains a need for a host that has better operational stability and can be conveniently manufactured. The improved operational stability of OLED elements will allow the use of these elements in more products.

本発明は、規定の特徴を有し、アノードおよびカソード、ならびにアノードとカソードとの間に配置された、発光ドーパントまたはゲスト材料および以降でもっと詳しく説明されている通りの式(I)のモノアントラセン誘導体を含むホストを含有している発光層を含むOLED素子を提供する。   The present invention relates to a luminescent dopant or guest material having a defined feature and disposed between the anode and cathode, and between the anode and cathode, and a monoanthracene of formula (I) as described in more detail below. Provided is an OLED device comprising a light emitting layer containing a host containing a derivative.

本発明は、改善された動作安定性を有しており、更には、以降で述べられている通りの他の利点をも備えたOLED素子を提供する。また、本発明は、このようなOLED素子を使用するディスプレイおよび照明装置も提供する。   The present invention provides an OLED device with improved operational stability and further with other advantages as described below. The present invention also provides a display and a lighting device using such an OLED element.

本発明が総体的に上記にまとめられている。ホストの特定の例は、一般式(I):

Figure 2007511067
で定義される。 The present invention has been summarized generally above. A specific example of a host is the general formula (I):
Figure 2007511067
Defined by

1−R8はHである。 R 1 -R 8 is H.

9は、R9およびR10が同じでなく、アミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;脂肪族炭素環員を伴う縮合環を含有していないナフチル基である。適切には、R9は、フェナントリル、ピレニル、フルオランテン、ペリレンなどの縮合芳香環系を形成するような置換ナフチル基、もしくはフッ素、シアノ基、ヒドロキシ、アルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アリール、ヘテロ三環式オキシ基、カルボキシ、トリメチルシリル基などの一つもしくはそれ以上の置換基で置換されたナフチル基、または非置換ナフチル基である。都合よくは、R9は、2−ナフチル(Inv−1、Inv−3)、パラ位置において置換された、または置換されていない1−ナフチル(Inv−18、Inv−19)である。 R 9 is a naphthyl group that does not contain a condensed ring with an aliphatic carbon ring member, provided that R 9 and R 10 are not the same and do not contain amine and sulfur compounds; Suitably R 9 is a substituted naphthyl group which forms a fused aromatic ring system such as phenanthryl, pyrenyl, fluoranthene, perylene, or a fluorine, cyano group, hydroxy, alkyl, alkoxy, aryloxy, aryl, heterotricycle A naphthyl group substituted with one or more substituents such as a formula oxy group, carboxy, trimethylsilyl group or the like, or an unsubstituted naphthyl group; Conveniently, R 9 is 2-naphthyl (Inv-1, Inv-3), 1-naphthyl substituted or unsubstituted at the para position (Inv-18, Inv-19).

10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である。適切には、R10は、これらに限定するものではないがフェナントリル、ペリレンを含む縮合芳香環系を形成するような置換ビフェニル基、またはフッ素、シアノ基、ヒドロキシ、アルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アリール、ヘテロ三環式オキシ基、カルボキシ、トリメチルシリル基などの一つもしくはそれ以上の置換基で置換されたビフェニル基である。都合よくは、R10は、4−ビフェニル(Inv−1)、非置換3−ビフェニル(Inv−9)、またはテルフェニル環系を形成すべく別のフェニル環で置換された3−ビフェニル(Inv−5)、2−ビフェニル(Inv−3)である。 R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member. Suitably R 10 is a substituted biphenyl group that forms a fused aromatic ring system including but not limited to phenanthryl, perylene, or fluorine, cyano group, hydroxy, alkyl, alkoxy, aryloxy, aryl A biphenyl group substituted with one or more substituents such as a heterotricyclic oxy group, carboxy, trimethylsilyl group and the like. Conveniently, R 10 is 4-biphenyl (Inv-1), unsubstituted 3-biphenyl (Inv-9), or 3-biphenyl (Inv substituted with another phenyl ring to form a terphenyl ring system. -5), 2-biphenyl (Inv-3).

別な具合にはっきりと述べられていない限り、「置換された」または「置換基」という用語の使用は、水素以外のあらゆる基または原子を意味する。別な具合にはっきりと述べられていない限り、「芳香環系」という用語の使用は、全体の環系が芳香族である一つの環の系または共に縮合した一つより多くの環の系を意味する。別な具合にはっきりと述べられていない限り、「置換フェニル環」という用語の使用は、置換されており、一つの置換もしくは非置換縮合芳香環系を形成すべく、または一つより多くの置換もしくは非置換縮合芳香環系を形成すべく置換されていてよいフェニル環を意味する。また、置換可能な水素を含有する基(化合物または錯体を含む)について言及される場合、別な具合に規定されていない限り、この基は、置換されていない形態だけでなく、これらの置換基が有用性に必要な特性を破壊しない限り、縮合環を含め、ここで述べられているあらゆる一つまたは複数の置換基で更に置換されている形態も包含すべく意図されている。適切には、置換基はハロゲンであってよく、または炭素、ケイ素、酸素もしくはリンのうちの一つの原子によりこの分子の残りの部分に結合されていてもよい。   Unless explicitly stated otherwise, use of the term “substituted” or “substituent” means any group or atom other than hydrogen. Unless explicitly stated otherwise, use of the term “aromatic ring system” refers to a ring system in which the entire ring system is aromatic or more than one ring system fused together. means. Unless explicitly stated otherwise, the use of the term “substituted phenyl ring” is substituted to form one substituted or unsubstituted fused aromatic ring system or more than one substitution. Alternatively, it refers to a phenyl ring that may be substituted to form an unsubstituted fused aromatic ring system. Also, when referring to a group containing a substitutable hydrogen (including a compound or complex), unless otherwise specified, this group is not only in its unsubstituted form, but also in these substituents. Is intended to encompass further substituted forms with any one or more of the substituents set forth herein, including the fused rings, so long as they do not destroy the properties necessary for utility. Suitably the substituent may be halogen or may be bonded to the remainder of the molecule by one atom of carbon, silicon, oxygen or phosphorus.

望ましい場合、これらの置換基自体がここで述べられている置換基で一回もしくはそれ以上の回数更に置換されていてよい。使用される個々の置換基は、特定の用途にとって所望の望ましい特性を得るべく当業者により選択されてよく、例えば電子求引性基、電子供与性基および立体構造基を含むことができる。   If desired, these substituents themselves may be further substituted one or more times with the substituents described herein. The particular substituents used may be selected by those skilled in the art to obtain the desired desirable properties for a particular application and can include, for example, electron withdrawing groups, electron donating groups, and conformational groups.

特定の非対称なアントラセンは、高い効率を呈するOLED素子において極めて有用であることが判明した。これらの化合物は白色光をもたらすOLED素子、更にはフルカラーOLED素子およびモーションイメージング素子において有用である。   Certain asymmetric anthracene has been found to be very useful in OLED devices that exhibit high efficiency. These compounds are useful in OLED devices that produce white light, as well as full color OLED devices and motion imaging devices.

本発明の有用な化合物は、

Figure 2007511067
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を含む。 Useful compounds of the present invention include
Figure 2007511067
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including.

本発明の化合物は、典型的には、以下で定められている通りのドーパントと共に、特定の厚みを含む発光層において使用される。有用な発光材料の例は、アントラセン、フルオレン、ペリフランテン、インデノペリレンの各誘導体、ビス(アジニル)アミンホウ素化合物を含む。適切には、ドーパントは、L7などのキナクリドン、またはL2などのペリレン、L30などのクマリン、L50、L51およびL52などのビス(アジニル)メタンもしくはアミンホウ素錯体、L47などのアミノスチリル誘導体を含む。都合よくは、ドーパントは、L2およびL50、ならびにL47などの青色もしくは青色−緑色ドーパント、またはキナクリドンL7などの緑色ドーパントを含む。   The compounds of the present invention are typically used in a light emitting layer with a specific thickness, with a dopant as defined below. Examples of useful luminescent materials include anthracene, fluorene, periflanthene, indenoperylene derivatives, bis (azinyl) amine boron compounds. Suitably, the dopant comprises quinacridone such as L7, or perylene such as L2, coumarin such as L30, bis (azinyl) methane or amine boron complexes such as L50, L51 and L52, aminostyryl derivatives such as L47. Conveniently, the dopant comprises a blue or blue-green dopant such as L2 and L50, and L47, or a green dopant such as quinacridone L7.

本発明のホストは、青色−緑色ドーパントとの組合せにおける白色素子構造に有用である。   The host of the present invention is useful for white device structures in combination with blue-green dopants.

本発明のホストは、他の青色または緑色共同ホストとの組合せにおいて使用し、特定の適用における安定性を改善することができる。共同ホストは小さな分子または高分子材料であってよい。有用な共同ホストは、これらに限定するものではないが、ポリフルオレン、ポリビニルアリーレン、8−ヒドロキシキノリンの金属錯体、ベンザゾール誘導体、ジスチリルアリーレン、カルバゾールを含む。適切には、共同ホストはトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(Alq)である。   The host of the present invention can be used in combination with other blue or green co-hosts to improve stability in certain applications. The co-host can be a small molecule or a polymeric material. Useful co-hosts include, but are not limited to, polyfluorene, polyvinylarylene, metal complexes of 8-hydroxyquinoline, benzazole derivatives, distyrylarylene, carbazole. Suitably the co-host is tris (8-quinolinolato) aluminum (III) (Alq).

本発明のホストにおける一つの利点は、これらのホストがイオウおよびアミンを含んでいないことである。これらの材料を調製するプロセス、更には精製するプロセスは、シンプルで効率的であり、また、環境に優しく、従って、これらの化合物を都合よく製造可能に成している。   One advantage of the hosts of the present invention is that these hosts do not contain sulfur and amines. The process of preparing these materials, as well as the process of purification, is simple and efficient and environmentally friendly, thus making these compounds conveniently manufacturable.

発明の実施形態
本発明の実施形態は、以下の態様を含む。
−ナフチル基がフッ素、ヒドロキシ、シアノ、アルコキシ、アリールオキシ、カルボキシ、トリメチルシリルおよびヘテロ環式オキシ基から選択される少なくとも一つの置換基で置換されている;またはビフェニルがフッ素、ヒドロキシ、シアノ、ならびにアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、カルボキシ、トリメチルシリルおよびヘテロ環式オキシ基から選択される少なくとも一つの置換基で置換されている。
−一つまたは複数のゲスト発光材料が、以下のもの、

Figure 2007511067
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を含め、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミンおよびキナクリドンの誘導体、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウムおよびチアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス(アジニル)アミンホウ素化合物、ならびにビス(アジニル)メタンホウ素からなる群から選択されるメンバーを含み、本OLED素子が一つまたはそれ以上のエミッターの使用を通じて緑色もしくは赤色光、または白色光を放出する。
−これらの素子はアミノスチリル誘導体、着色フィルター、高分子材料またはAlqなどのオキシノイド化合物などの共同ホストを含んでいてよい。共同ホストは、例えばポリフルオレン、ポリビニルアリーレン、8−ヒドロキシキノリンの金属錯体、ベンザゾール誘導体、ジスチリルアリーレンおよびカルバゾールからなる群から選択されるメンバーを含んでいてよい。
−本素子は、式(A):
1−G−Q2 (A)
[式中、
1およびQ2は独立して選択される芳香族第三級アミン部分であり、Gはアリール連結基であり、Q1およびQ2のうちの少なくとも一つは、N,N,N’,N’−テトラ−1−ナフチル−4,4’−ジアミノビフェニル、
N,N,N’,N’−テトラ−2−ナフチル−4,4’−ジアミノビフェニル、
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−(2−ナフチル)アミノ]ビフェニル、
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]p−テルフェニル、または
4,4’−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
などの多環式縮合環構造を含む]
の第三級アミン化合物を含む正孔輸送層を含んでいてよい。
本OLED素子は正孔遮断層を含んでいてよく、多数の発光層を用いた積層型OLEDであってよく、薄膜トランジスターを有するアクティブマトリックス型基体を含んでいてよい。
−本OLED素子は、望ましくは、乾燥剤の存在下において不活性雰囲気中に密封されており、またはバリヤー層を用いてカプセル化されている。本OLED素子は誘電体ミラー構造、光吸収電極、反射防止膜、偏光媒体、着色フィルター、中性濃度フィルターまたは色変換フィルターを含んでいてよい。
−本OLED素子は、発光層がドナーシートからの空間的に定められた感熱色素転写法を用いてパターン堆積されるようにして製造されてよい。
−特に望ましい化合物は、以下のもの:
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
を含む。 Embodiments of the Invention Embodiments of the invention include the following aspects.
The naphthyl group is substituted with at least one substituent selected from fluorine, hydroxy, cyano, alkoxy, aryloxy, carboxy, trimethylsilyl and heterocyclic oxy groups; or biphenyl is fluorine, hydroxy, cyano and alkyl , Substituted with at least one substituent selected from alkoxy, aryloxy, carboxy, trimethylsilyl and heterocyclic oxy groups.
The one or more guest luminescent materials are:
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Tetracene, xanthene, perylene, rubrene, coumarin, rhodamine and quinacridone derivatives, dicyanomethylenepyran compounds, thiopyran compounds, polymethine compounds, pyrylium and thiapyrylium compounds, fluorene derivatives, perifanthene derivatives, indenoperylene derivatives, bis (azinyl) The OLED device emits green or red light, or white light through the use of one or more emitters, including an amine boron compound and a member selected from the group consisting of bis (azinyl) methane boron.
-These devices may contain co-hosts such as aminostyryl derivatives, colored filters, polymeric materials or oxinoid compounds such as Alq. The co-host may comprise a member selected from the group consisting of, for example, polyfluorene, polyvinylarylene, metal complexes of 8-hydroxyquinoline, benzazole derivatives, distyrylarylene, and carbazole.
-This element is represented by formula (A)
Q 1 -GQ 2 (A)
[Where:
Q 1 and Q 2 are independently selected aromatic tertiary amine moieties, G is an aryl linking group, and at least one of Q 1 and Q 2 is N, N, N ′, N′-tetra-1-naphthyl-4,4′-diaminobiphenyl,
N, N, N ′, N′-tetra-2-naphthyl-4,4′-diaminobiphenyl,
4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl,
4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N- (2-naphthyl) amino] biphenyl,
4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] p-terphenyl or 4,4′-bis [N- (2-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl Including cyclic fused ring structures]
A hole transport layer containing a tertiary amine compound may be included.
The present OLED element may include a hole blocking layer, may be a stacked OLED using a large number of light emitting layers, and may include an active matrix substrate having a thin film transistor.
The OLED device is preferably sealed in an inert atmosphere in the presence of a desiccant or encapsulated with a barrier layer. The OLED element may include a dielectric mirror structure, a light absorbing electrode, an antireflection film, a polarizing medium, a colored filter, a neutral density filter, or a color conversion filter.
The OLED device may be manufactured such that the light emitting layer is pattern deposited using a spatially defined thermal dye transfer method from a donor sheet.
-Particularly desirable compounds are:
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
including.

一般的な素子構造
本発明は殆どのOLED素子構成において使用することができる。これらのOLED素子構成は、単一のアノードおよびカソードを含む非常にシンプルな構造から、ピクセルを形成すべく直交するように配列された複数のアノードおよびカソードを含むパッシブマトリックス型ディスプレイ、ならびに、例えば薄膜トランジスター(TFT)の場合のように、各ピクセルが独立して制御されるアクティブマトリックス型ディスプレイなどのよりもっと複雑な素子までを含む。
General Device Structure The present invention can be used in most OLED device configurations. These OLED device configurations vary from a very simple structure including a single anode and cathode to a passive matrix display including a plurality of anodes and cathodes arranged orthogonally to form a pixel, and, for example, a thin film As with transistors (TFTs), it includes even more complex devices such as active matrix displays where each pixel is controlled independently.

本発明を成功裏に実践することができる有機層の形態には数多くのものがある。OLEDの必須の条件はアノード、カソード、ならびにアノードおよびカソードの間に配置された有機発光層である。以降でもっと詳しく説明されているように、付加的な層を使用することもできる。   There are many forms of organic layers that can successfully practice the present invention. The essential conditions for an OLED are an anode, a cathode, and an organic light emitting layer disposed between the anode and the cathode. Additional layers can also be used, as described in more detail below.

アノード
所望のエレクトロルミネセント発光(EL)がアノード側を通じて観察される場合、アノードは、対象の放出光に対して透明であるべきであり、または実質的に透明であるべきである。本発明において使用される一般的な透明なアノード材料は酸化インジウムスズ、(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)および酸化スズであるが、他の金属酸化物、例えば、これらに限定するものではないが、アルミニウム−またはインジウム−ドープ酸化亜鉛、酸化マグネシウムインジウム、および酸化ニッケルタングステンなどを含む金属酸化物も使用することができる。これらの酸化物に加え、窒化ガリウムなどの金属窒化物、およびセレン化亜鉛などの金属セレン化物、ならびに硫化亜鉛などの金属硫化物もアノードとして使用することができる。EL放出光がカソード側を通じてのみ観察される用途の場合、アノードの光透過特性は重要でなく、透明、不透明または反射性のあらゆる導電性材料を使用することができる。この適用に対する例示的な導電体は、これらに限定するものではないが、金、イリジウム、モリブデン、パラジウムおよび白金を含む。典型的なアノード材料は、光透過性または別な具合で、4.1eVまたはそれ以上の仕事関数を有している。望ましいアノード材料は、一般的に、蒸発、スパッタリング、化学気相堆積法または電気化学的な手段などのあらゆる適切な手段により堆積される。アノードは、周知のフォトリソグラフィープロセスを用いてパターン化されてよい。場合によって、アノードは、他の層を適用する前に、短絡を最小化することを目的として、または反射率を高めることを目的として、表面の粗さを低減すべく研磨されてよい。
Anode When the desired electroluminescent emission (EL) is observed through the anode side, the anode should be transparent to the emitted light of interest or should be substantially transparent. Common transparent anode materials used in the present invention are indium tin oxide, (ITO), indium zinc oxide (IZO), and tin oxide, but are not limited to other metal oxides, such as However, metal oxides including aluminum- or indium-doped zinc oxide, magnesium indium oxide, nickel tungsten oxide, and the like can also be used. In addition to these oxides, metal nitrides such as gallium nitride, metal selenides such as zinc selenide, and metal sulfides such as zinc sulfide can also be used as the anode. For applications where EL emission light is observed only through the cathode side, the light transmission properties of the anode are not critical and any conductive material that is transparent, opaque or reflective can be used. Exemplary conductors for this application include, but are not limited to, gold, iridium, molybdenum, palladium, and platinum. Typical anode materials are light transmissive or otherwise have a work function of 4.1 eV or higher. Desired anode materials are generally deposited by any suitable means such as evaporation, sputtering, chemical vapor deposition or electrochemical means. The anode may be patterned using a well-known photolithography process. In some cases, the anode may be polished to reduce surface roughness for the purpose of minimizing short circuits or increasing reflectivity before applying other layers.

カソード
放出光が単にアノード側のみから観察される場合、本発明において使用されるカソードは殆どのあらゆる導電性材料から構成することができる。望ましい材料は、下側にある有機層との良好な接触を確実化し、低い電圧での電子注入を促進し、更には、良好な安定性を保持するため、良好なフィルム形成特性を有している。有用なカソード材料は低仕事関数金属(<4.0eV)または合金を含むことが多い。一つの有用なカソード材料はMg:Ag合金から構成されており、ここで、銀の割合は、米国特許第4,885,221号に記載されているように、1%から20%までの範囲である。別の適切なクラスのカソード材料は、カソードと、導電性金属からなる厚めの層でキャップされた、有機層(例えば電子輸送層(ETL))と接触状態にある薄い電子注入層(EIL)とを含む二層構造物を含む。ここで、EILは、好ましくは、低仕事関数金属または金属塩を含み、この場合、上述の厚めのキャップ形成層は低い仕事関数を有している必要はない。一つのこのようなカソードは、米国特許第5,677,572号に記載されているように、LiFの薄い層と、それに続く厚めのAlの層から構成される。他の有用なカソード材料のグループは、これらに限定するものではないが、米国特許第5,059,861号;第5,059862号および第6,140,763号で開示されているものなどを含む。
If the cathode emission light is observed only from the anode side, the cathode used in the present invention can be composed of almost any conductive material. Desirable materials have good film-forming properties to ensure good contact with the underlying organic layer, promote electron injection at low voltages, and maintain good stability. Yes. Useful cathode materials often include low work function metals (<4.0 eV) or alloys. One useful cathode material is composed of an Mg: Ag alloy, where the silver percentage ranges from 1% to 20% as described in US Pat. No. 4,885,221. It is. Another suitable class of cathode materials is a cathode and a thin electron injection layer (EIL) in contact with an organic layer (eg, an electron transport layer (ETL)) capped with a thicker layer of conductive metal. Including a two-layer structure. Here, the EIL preferably comprises a low work function metal or metal salt, in which case the thick capping layer described above need not have a low work function. One such cathode is composed of a thin layer of LiF followed by a thicker layer of Al, as described in US Pat. No. 5,677,572. Other useful cathode material groups include, but are not limited to, those disclosed in US Pat. Nos. 5,059,861; 5,059862 and 6,140,763. Including.

放出光がカソード側から観察される場合、カソードは透明でなければならず、または殆ど透明でなければならない。このような適用の場合、金属は薄くなければならず、または透明な導電性酸化物もしくはこれらの材料の組合せを用いなければならない。光学的に透明なカソードについては、US4,885,211号、US5,247,190号、JP3,234,963号、US5,703,436号、US5,608,287号、US5,837,391号、US5,677,572号、US5,776,622号、US5,776,623号、US5,714,838号、US5,969,474号、US5,739,545号、US5,981,306号、US6,137,223号、US6,140,763号、US6,172,459号、EP第1 076 368号、US6,278,236号およびUS6,284,3936号でより詳細に説明されている。カソード材料は、典型的には、蒸発、スパッタリングまたは化学気相堆積法などのあらゆる適切な方法により堆積される。必要な場合、パターン形成は、これらに限定するものではないが、マスク通過型堆積法、US5,276,380号およびEP第0 732 868号に記載されているようなインテグラルシャドーマスキング、レーザー切断、ならびに選択的化学気相堆積法を含む、多くの周知の方法により果たすことができる。   If the emitted light is observed from the cathode side, the cathode must be transparent or almost transparent. For such applications, the metal must be thin or a transparent conductive oxide or combination of these materials must be used. For optically transparent cathodes, US 4,885,211, US 5,247,190, JP 3,234,963, US 5,703,436, US 5,608,287, US 5,837,391 US 5,677,572, US 5,776,622, US 5,776,623, US 5,714,838, US 5,969,474, US 5,739,545, US 5,981,306, This is described in more detail in US 6,137,223, US 6,140,763, US 6,172,459, EP 1 076 368, US 6,278,236 and US 6,284,3936. The cathode material is typically deposited by any suitable method such as evaporation, sputtering or chemical vapor deposition. If necessary, patterning may be, but is not limited to, mask-through deposition, integral shadow masking as described in US Pat. No. 5,276,380 and EP 0 732 868, laser cutting. Can be accomplished by a number of well-known methods, including selective chemical vapor deposition.

発光層(LEL
本発明は、主として、発光層(LEL)に向けられている。米国特許第4,769,292号および第5,935,721号でもっと詳しく説明されているように、有機EL素子の発光層(LEL)は、この領域における電子−正孔対の再結合の結果としてエレクトロルミネッセンスがもたらされる場所に発光性、発蛍光性または発リン光性材料を含む。発光層は、単一の材料から構成することもできるが、より一般的には、一つまたは複数のゲスト発光材料がドーピングされたホスト材料から構成され、この場合、放出光は主にこれらの発光材料からもたらされ、あらゆる色を成すことができる。発光層内におけるこれらのホスト材料は、以下で定められているような電子輸送材料、上で定められているような正孔輸送材料、または正孔−電子再結合を支持する別の材料もしくは材料の組合せであってよい。発光材料は、通常、高度に発蛍光性の色素および発リン光性の化合物、例えばWO98/55561号、WO00/18851号、WO00/57676号およびWO00/70655号に記載されているような遷移金属錯体から選択される。発光材料は、典型的には、重量でホスト材料の0.01%から10%までの量で組み入れられる。
Light emitting layer (LEL )
The present invention is mainly directed to a light emitting layer (LEL). As described in more detail in U.S. Pat. Nos. 4,769,292 and 5,935,721, the light-emitting layer (LEL) of organic EL devices is responsible for electron-hole pair recombination in this region. A luminescent, fluorescent or phosphorescent material is included where electroluminescence results. The light-emitting layer can also be composed of a single material, but more commonly, it is composed of a host material doped with one or more guest light-emitting materials, in which case the emitted light mainly consists of these It comes from luminescent materials and can make any color. These host materials in the emissive layer may be electron transport materials as defined below, hole transport materials as defined above, or another material or material that supports hole-electron recombination. It may be a combination of Luminescent materials are usually highly fluorescent dyes and phosphorescent compounds such as transition metals as described in WO 98/55561, WO 00/18851, WO 00/57676 and WO 00/70655. Selected from complexes. The luminescent material is typically incorporated in an amount from 0.01% to 10% of the host material by weight.

ホスト材料および発光材料は、非高分子性の小さな分子またはポリフルオレンおよびポリビニルアリーレン(例えば、ポリ(p−フェニレンビニレン)、PPV)などの高分子材料であってよい。ポリマーの場合、小分子発光材料を高分子ホストに分子的に分散させることができ、または微量構成成分をホストポリマー内に共重合させることによりこれらの発光材料を加えることもできる。   The host material and luminescent material may be non-polymeric small molecules or polymeric materials such as polyfluorene and polyvinylarylene (eg, poly (p-phenylene vinylene), PPV). In the case of polymers, small molecule luminescent materials can be molecularly dispersed in a polymeric host, or these luminescent materials can be added by copolymerizing minor constituents into the host polymer.

発光材料を選ぶ際の重要な関係は、この分子の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギー差として定義されるバンドギャップポテンシャルの比較である。ホストから発光材料への効率的なエネルギー移動にとって必要な条件は、ドーパントのバンドギャップがホスト材料のバンドギャップよりも小さいことである。発リン光性エミッターに対しては、このホストのホスト三重項エネルギーレベルがホストから発光材料へのエネルギー移動を可能にするのに充分な高いレベルであることも重要である。   An important relationship in choosing a luminescent material is a comparison of the band gap potential, defined as the energy difference between the highest and lowest unoccupied molecular orbitals of this molecule. A necessary condition for efficient energy transfer from the host to the luminescent material is that the band gap of the dopant is smaller than the band gap of the host material. For phosphorescent emitters, it is also important that the host triplet energy level of the host is high enough to allow energy transfer from the host to the luminescent material.

有用であることが知られているホスト材料および発光材料は、これらに限定するものではないが、US4,768,292号、US5,141,671号、US5,150,006号、US5,151,629号、US5,405,709号、US5,484,922号、US5,593,788号、US5,645,948号、US5,683,823号、US5,755,999号、US5,928,802号、US5,935,720号、US5,935,721号およびUS6,020,078号に開示されている材料を含む。   Host materials and luminescent materials known to be useful include, but are not limited to, US 4,768,292, US 5,141,671, US 5,150,006, US 5,151, 629, US 5,405,709, US 5,484,922, US 5,593,788, US 5,645,948, US 5,683,823, US 5,755,999, US 5,928,802 No. 5,935,720, US 5,935,721 and US 6,020,078.

8−ヒドロキシキノリンの金属錯体および同様な誘導体(式E)は、エレクトロルミネッセンスを支持することができる有用なホスト化合物の一つのクラスを構成し、特に、500nmよりも長い波長の光、例えば緑色、黄色、オレンジ色および赤色の光を放出するのに適している。

Figure 2007511067
[式中、
Mは金属を表し;
nは1から4までの整数であり;そして
Zは、各々独立して、少なくとも二つの縮合芳香環を有する核を完成させる原子を表す。] Metal complexes of 8-hydroxyquinoline and similar derivatives (formula E) constitute one class of useful host compounds that can support electroluminescence, in particular light of wavelengths longer than 500 nm, such as green, Suitable for emitting yellow, orange and red light.
Figure 2007511067
[Where:
M represents a metal;
n is an integer from 1 to 4; and Z each independently represents an atom that completes a nucleus having at least two fused aromatic rings. ]

先述の説明から、この金属は一価、二価、三価または四価の金属であってよいことが明らかである。この金属は、例えば、リチウム、ナトリウムもしくはカリウムなどのアルカリ金属;マグネシウムもしくはカルシウムなどのアルカリ土類金属;アルミニウムもしくはガリウムなどの土類金属、または亜鉛もしくはジルコニウムなどの遷移金属であってよい。一般的に、有用なキレート金属であることが知られているあらゆる一価、二価、三価または四価の金属を使用することができる。   From the foregoing description it is clear that the metal can be a monovalent, divalent, trivalent or tetravalent metal. The metal may be, for example, an alkali metal such as lithium, sodium or potassium; an alkaline earth metal such as magnesium or calcium; an earth metal such as aluminum or gallium; or a transition metal such as zinc or zirconium. In general, any monovalent, divalent, trivalent or tetravalent metal known to be a useful chelating metal can be used.

Zは、少なくとも一つがアゾールまたはアジン環である少なくとも二つの縮合芳香環を含有するヘテロ環式核を完成させる。必要な場合には、脂肪族および芳香族の環の両者を含む付加的な環をこれら二つの必要な環と共に縮合させることができる。機能の改善を伴わない分子バルクの付加を避けるため、環原子の個数は、通常、18個以下に維持される。   Z completes a heterocyclic nucleus containing at least two fused aromatic rings, at least one of which is an azole or azine ring. If necessary, additional rings, including both aliphatic and aromatic rings, can be fused with these two required rings. In order to avoid the addition of molecular bulk without improved function, the number of ring atoms is usually kept at 18 or less.

例証的な有用なキレートオキシノイド化合物は以下の化合物である。
CO−1:アルミニウムトリスオキシン[別名、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)]
CO−2:マグネシウムビスオキシン[別名、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム(II)]
CO−3:ビス[ベンゾ{f}−8−キノリノラト]亜鉛(II)
CO−4:ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)
CO−5:インジウムトリスオキシン[別名、トリス(8−キノリノラト)インジウム]
CO−6:アルミニウムトリス(5−メチルオキシン)[別名、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)]
CO−7:リチウムオキシン[別名、(8−キノリノラト)リチウム(I)]
CO−8:ガリウムオキシン[別名、トリス(8−キノリノラト)ガリウム(III)]
CO−9:ジルコニウムオキシン[別名、テトラ(8−キノリノラト)ジルコニウム(IV)]
Illustrative useful chelating oxinoid compounds are the following compounds:
CO-1: Aluminum trisoxin [also known as tris (8-quinolinolato) aluminum (III)]
CO-2: Magnesium bisoxin [also known as bis (8-quinolinolato) magnesium (II)]
CO-3: Bis [benzo {f} -8-quinolinolato] zinc (II)
CO-4: Bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) -μ-oxo-bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III)
CO-5: Indium trisoxin [also known as tris (8-quinolinolato) indium]
CO-6: Aluminum tris (5-methyloxine) [Also known as tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III)]
CO-7: Lithium oxine [also known as (8-quinolinolato) lithium (I)]
CO-8: gallium oxine [also known as tris (8-quinolinolato) gallium (III)]
CO-9: zirconium oxine [also known as tetra (8-quinolinolato) zirconium (IV)]

9,10−ジ−(2−ナフチル)アントラセンの誘導体(式F)は、エレクトロルミネッセンスを支持することができる有用なホスト材料の一つのクラスを構成し、特に、400nmよりも長い波長の光、例えば青色、緑色、黄色、オレンジ色または赤色の光を放出するのに適している。

Figure 2007511067
[式中:R1、R2、R3、R4、R5およびR6は各環における一つまたはそれ以上の置換基を表し、各置換基は以下のグループから個別的に選択される。
グループ1:水素、または1個から24個までの炭素原子のアルキル;
グループ2:5個から20個までの炭素原子のアリールまたは置換アリール;
グループ3:アントラセニル;ピレニルまたはペリレニルの縮合芳香環を完成させるのに必要な4個から24個までの炭素原子;
グループ4:フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルの縮合ヘテロ芳香環または他のヘテロ環系を完成させるのに必要な5個から24個までの炭素原子のヘテロアリールまたは置換へテロアリール;
グループ5:1個から24個までの炭素原子のアルコキシルアミノ、アルキルアミノまたはアリールアミノ;および
グループ6:フッ素、塩素、臭素またはシアノ。] Derivatives of 9,10-di- (2-naphthyl) anthracene (formula F) constitute one class of useful host materials that can support electroluminescence, in particular light with wavelengths longer than 400 nm, For example, suitable for emitting blue, green, yellow, orange or red light.
Figure 2007511067
[Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 represent one or more substituents in each ring, and each substituent is individually selected from the following group: .
Group 1: hydrogen or alkyl of 1 to 24 carbon atoms;
Group 2: aryl or substituted aryl of 5 to 20 carbon atoms;
Group 3: anthracenyl; 4 to 24 carbon atoms necessary to complete a fused aromatic ring of pyrenyl or perylenyl;
Group 4: furyl, thienyl, pyridyl, quinolinyl fused heteroaromatic rings or other heteroaryls of from 5 to 24 carbon atoms necessary to complete other heterocyclic ring systems;
Group 5: alkoxylamino, alkylamino or arylamino of 1 to 24 carbon atoms; and Group 6: fluorine, chlorine, bromine or cyano. ]

例証的な例は、9,10−ジ−(2−ナフチル)アントラセンおよび2−t−ブチル−9,10−ジ−(2−ナフチル)アントラセンを含む。9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニルエテニル)フェニル]アントラセンを含む、他のアントラセン誘導体も本LELにおけるホストとして有用であり得る。   Illustrative examples include 9,10-di- (2-naphthyl) anthracene and 2-t-butyl-9,10-di- (2-naphthyl) anthracene. Other anthracene derivatives, including 9,10-bis [4- (2,2-diphenylethenyl) phenyl] anthracene, may also be useful as hosts in the present LEL.

ベンザゾール誘導体(式G)は、エレクトロルミネッセンスを支持することができる有用なホスト材料の別のクラスを構成し、特に、400nmよりも長い波長の光、例えば青色、緑色、黄色、オレンジ色または赤色の光を放出するのに適している。

Figure 2007511067
Benzazole derivatives (formula G) constitute another class of useful host materials that can support electroluminescence, in particular light of wavelengths longer than 400 nm, such as blue, green, yellow, orange or red Suitable for emitting light.
Figure 2007511067

式中:
nは3から8までの整数であり;
ZはO、NRまたはSであり;そして
RおよびR’は、独立して、水素;1個から24個までの炭素原子のアルキル、例えばプロピル、t−ブチル、ヘプチルなど;5個から20個までの炭素原子のアリールもしくはヘテロ原子置換アリール、例えばフェニルおよびナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル、ならびに他のヘテロ環系;またはクロロ、フルオロなどのハロ;または縮合芳香環を完成させるのに必要な原子であり;
Lは、多数のベンザゾールを共に共役的にまたは非共役的に結び付けているアルキル、アリール、置換アルキルまたは置換アリールからなる連鎖単位である。有用なベンザゾールの一つの例は2,2’,2’’−(1,3,5−フェニレン)トリス[1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール]である。
In the formula:
n is an integer from 3 to 8;
Z is O, NR or S; and R and R ′ are independently hydrogen; alkyl of 1 to 24 carbon atoms, such as propyl, t-butyl, heptyl, etc .; 5 to 20 Aryl or heteroatom substituted aryls up to carbon atoms such as phenyl and naphthyl, furyl, thienyl, pyridyl, quinolinyl, and other heterocyclic ring systems; or halo such as chloro, fluoro; or necessary to complete a fused aromatic ring An atom;
L is a chain unit composed of alkyl, aryl, substituted alkyl, or substituted aryl, which binds a large number of benzazoles conjugated or non-conjugated together. One example of a useful benzazole is 2,2 ′, 2 ″-(1,3,5-phenylene) tris [1-phenyl-1H-benzimidazole].

US5,121,029号に記載されているように、ジスチリルアリーレン誘導体も有用なホストである。カルバゾール誘導体は、発リン光性エミッターに対する特に有用なホストである。   Distyrylarylene derivatives are also useful hosts as described in US 5,121,029. Carbazole derivatives are particularly useful hosts for phosphorescent emitters.

有用な発蛍光性材料は、これらに限定するものではないが、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミンおよびキナクリドンの誘導体、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウムおよびチアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス(アジニル)アミンホウ素化合物、ビス(アジニル)メタン化合物、ならびにカルボスチリル化合物を含む。有用な材料の例証的な例は、これらに限定するものではないが、以下の材料を含む。

Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Useful fluorescent materials include, but are not limited to, anthracene, tetracene, xanthene, perylene, rubrene, coumarin, rhodamine and quinacridone derivatives, dicyanomethylenepyran compounds, thiopyran compounds, polymethine compounds, pyrylium and thiapyrylium compounds. , Fluorene derivatives, perifanthene derivatives, indenoperylene derivatives, bis (azinyl) amine boron compounds, bis (azinyl) methane compounds, and carbostyril compounds. Illustrative examples of useful materials include, but are not limited to, the following materials:
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067

素子
典型的な構造、特に小分子素子にとって有用な典型的構造が図1に示されており、この構造は、基体101、アノード103、正孔注入層105、正孔輸送層107、発光層109、電子輸送層111およびカソード113から構成されている。これらの層は以下で詳細に説明される。基体は代替的にカソードに隣接させて配置されてよく、または基体が実際にアノードまたはカソードを構成してもよいことに留意すべきである。アノードとカソードとの間のこれらの有機層を、便宜上、有機EL素子と呼ぶ。また、これらの有機層を組み合わせた合計の厚みは好ましくは500nm未満である。
A typical device structure, particularly a typical structure useful for small molecule devices, is shown in FIG. 1, which includes a substrate 101, an anode 103, a hole injection layer 105, a hole transport layer 107, a light emitting layer 109. The electron transport layer 111 and the cathode 113 are included. These layers are described in detail below. It should be noted that the substrate may alternatively be positioned adjacent to the cathode, or the substrate may actually constitute the anode or cathode. These organic layers between the anode and the cathode are called organic EL elements for convenience. The total thickness of these organic layers combined is preferably less than 500 nm.

OLEDのアノードおよびカソードは、電気導体260を通じて電源250に接続されている。OLEDは、アノードがカソードよりももっと正の電位となるようにアノードとカソードとの間に電位を加えることにより運転される。正孔はアノードから有機EL素子内へ注入され、電子はアノードにおいて有機EL素子内に注入される。高められた素子安定性は、時折、OLEDがACモード(このサイクルにおけるある時間的な期間、電位バイアスが逆転され、電流は流れない)で運転される場合に達成することができる。AC駆動OLEDの一つの例がUS5,552,678号に記載されている。   The anode and cathode of the OLED are connected to a power source 250 through an electrical conductor 260. OLEDs are operated by applying a potential between the anode and cathode so that the anode is at a more positive potential than the cathode. Holes are injected into the organic EL element from the anode, and electrons are injected into the organic EL element at the anode. Increased device stability can sometimes be achieved when the OLED is operated in AC mode (potential bias is reversed and no current flows for a period of time in this cycle). One example of an AC driven OLED is described in US 5,552,678.

基体
本発明のOLED素子は、典型的には、支持基体101上にもたらされ、そこでは、カソードまたはアノードのいずれかをこの基体と接触した状態に成すことができる。基体と接触している電極を、便宜上、底部電極と呼ぶ。通常、底部電極はアノードであるが、本発明はこの配置構成に限定されるものではない。基体は、放出光の意図的方向に依存して、光透過性であってよく、または不透明であってもよい。基体を通じてEL放出光を観察する場合には、光透過特性を有していることが望ましい。このようなケースにおいては、透明なガラスまたはプラスチックが一般的に使用される。基体は、多数の材料層を含む複雑な構造であってよい。典型的には、TFTがOLED層の下側に設けられるアクティブマトリックス型基体の場合がこのケースに該当する。基体は、少なくとも光を放出するピキシル構造領域においては、ガラスまたはポリマーなどの大いに透明な材料から構成されていることが更に必要である。EL放出光が上部電極を通じて観察される適用の場合には、この底部支持体の光透過特性は重要でなく、従って、光透過性、光吸収性または光反射性であってよい。このケースにおいて使用するための基体は、これらに限定するものではないが、ガラス、プラスチック、半導体材料、シリコン、セラミックスおよび回路基板材料を含む。繰返しになるが、この基体は、アクティブマトリックス型TFT設計において見られるような、多数の材料層を含む複雑な構造であってよい。勿論、これらの素子構成配置においては、光学的に透明な上部電極を提供することが必要である。
Substrate The OLED device of the present invention is typically provided on a support substrate 101, where either the cathode or the anode can be in contact with the substrate. The electrode in contact with the substrate is referred to as the bottom electrode for convenience. Usually, the bottom electrode is an anode, but the invention is not limited to this arrangement. The substrate may be light transmissive or opaque depending on the intended direction of the emitted light. When observing EL emission light through a substrate, it is desirable to have light transmission characteristics. In such cases, transparent glass or plastic is generally used. The substrate may be a complex structure that includes multiple layers of material. Typically, this case corresponds to an active matrix type substrate in which the TFT is provided under the OLED layer. It is further necessary that the substrate is composed of a highly transparent material, such as glass or polymer, at least in the pixil structure region that emits light. For applications where EL emission light is observed through the top electrode, the light transmission characteristics of the bottom support are not critical and may therefore be light transmissive, light absorbing or light reflective. Substrates for use in this case include, but are not limited to, glass, plastic, semiconductor materials, silicon, ceramics, and circuit board materials. Again, the substrate may be a complex structure that includes multiple layers of materials, as found in active matrix TFT designs. Of course, in these element configuration arrangements, it is necessary to provide an optically transparent upper electrode.

正孔注入層(HIL)
必ずしも必要ではないが、正孔注入層105がアノード103と正孔輸送層107との間に設けられていることが有用である場合が多い。この正孔注入材料は、以降の有機層のフィルム形成特性を改善し、正孔輸送層への正孔の注入を促進する働きをする。正孔注入層において使用するのに適した材料は、これらに限定するものではないが、US4,720,432号に記載されているようなポルフィリン系化合物、US6,208,075号に記載されているようなプラズマ蒸着フルオロカーボンポリマー、および幾つかの芳香族アミン、例えばm−MTDATA(4,4’,4’’−トリス[(3−メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアミン)を含む。有機EL素子において有用であると報じられている代替的な正孔注入材料がEP第0 891 121 A1号およびEP第1 029 909 A1号に記載されている。
Hole injection layer (HIL)
Although not always necessary, it is often useful that the hole injection layer 105 is provided between the anode 103 and the hole transport layer 107. This hole injection material functions to improve film formation characteristics of the subsequent organic layer and promote injection of holes into the hole transport layer. Suitable materials for use in the hole injection layer include, but are not limited to, porphyrinic compounds such as those described in US Pat. No. 4,720,432, described in US Pat. No. 6,208,075. Plasma-deposited fluorocarbon polymers, and several aromatic amines such as m-MTDATA (4,4 ′, 4 ″ -tris [(3-methylphenyl) phenylamino] triphenylamine). Alternative hole injection materials reported to be useful in organic EL devices are described in EP 0 891 121 A1 and EP 1 029 909 A1.

正孔輸送層(HTL)
本有機EL素子の正孔輸送層107は、芳香族第三級アミンなどの少なくとも一つの正孔輸送化合物を含有しており、ここで、この芳香族第三級アミンは、炭素原子にのみ結合された少なくとも一つの三価窒素原子を含み、炭素原子のうちの少なくとも一つが芳香環の環員である化合物であると理解されている。一つの形態においては、この芳香族第三級アミンは、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミンなどのアリールアミン、またはポリマーアリールアミンであってよい。例証的なモノマートリアリールアミンがKlupfelらによるUS3,180,730号に示されている。一つもしくはそれ以上のビニルラジカルで置換された他の適切なトリアリールアミン及び/又は少なくとも一つの活性水素含有基を含む他の適切なトリアリールアミンがBrantleyらによるUS3,567,450号およびUS3,658,520号に開示されている。
Hole transport layer (HTL)
The hole transport layer 107 of the present organic EL device contains at least one hole transport compound such as an aromatic tertiary amine, where the aromatic tertiary amine is bonded only to a carbon atom. It is understood that the compound contains at least one trivalent nitrogen atom and at least one of the carbon atoms is a member of an aromatic ring. In one form, the aromatic tertiary amine may be an arylamine such as a monoarylamine, diarylamine, triarylamine, or a polymeric arylamine. An exemplary monomeric triarylamine is shown in US Pat. No. 3,180,730 by Klupfel et al. Other suitable triarylamines substituted with one or more vinyl radicals and / or other suitable triarylamines containing at least one active hydrogen-containing group are described by Brantley et al. US Pat. No. 3,567,450 and US3. , 658, 520.

より好ましいクラスの芳香族第三級アミンは、US4,720,432号およびUS5,061,569号に記載されているような、少なくとも二つの芳香族第三級アミン部分を含むアミンである。このような化合物は、構造式(A):

Figure 2007511067
[式中のQ1およびQ2は独立して選択される芳香族第三級アミン部分であり、Gは、炭素−炭素結合のアリーレン、シクロアルキレンまたはアルキレン基などの連結基である]により表される化合物を含む。一つの実施形態においては、Q1またはQ2のうちの少なくとも一つが多環式の縮合環構造、例えばナフタレンを含む。Gがアリール基であるときには、それは、都合よくは、フェニレン、ビフェニレンまたはナフタレン部分である。 A more preferred class of aromatic tertiary amines are those containing at least two aromatic tertiary amine moieties, as described in US 4,720,432 and US 5,061,569. Such compounds have the structural formula (A):
Figure 2007511067
Wherein Q 1 and Q 2 are independently selected aromatic tertiary amine moieties, and G is a linking group such as an arylene, cycloalkylene or alkylene group of a carbon-carbon bond. Containing compounds. In one embodiment, at least one of Q 1 or Q 2 comprises a polycyclic fused ring structure, such as naphthalene. When G is an aryl group, it is conveniently a phenylene, biphenylene or naphthalene moiety.

構造式(A)を満たし、二つのトリアリールアミン部分を含有する一つの有用なクラスのトリアリールアミンは、構造式(B):

Figure 2007511067
により表され、
式中、
1およびR2はそれぞれ独立して水素原子、アリール基もしくはアルキル基を表し、またはR1およびR2が共にシクロアルキル基を完成させる原子を表し;そして
3およびR4はそれぞれ独立してアリール基を表し、このアリール基は、更に、構造式(C):
Figure 2007511067
により指示されているように、ジアリール置換アミノ基で置換され、式中のR5およびR6は独立して選択されるアリール基である。一つの実施形態においては、R5またはR6のうちの少なくとも一つが多環式の縮合環構造、例えばナフタレンを含む。 One useful class of triarylamines satisfying structural formula (A) and containing two triarylamine moieties is structural formula (B):
Figure 2007511067
Represented by
Where
R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an aryl group or an alkyl group, or R 1 and R 2 together represent an atom that completes a cycloalkyl group; and R 3 and R 4 each independently Represents an aryl group, and the aryl group further has the structural formula (C):
Figure 2007511067
Is substituted with a diaryl-substituted amino group, wherein R 5 and R 6 are independently selected aryl groups. In one embodiment, at least one of R 5 or R 6 comprises a polycyclic fused ring structure such as naphthalene.

別のクラスの芳香族第三級アミンはテトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリールジアミンは、アリーレン基を通じて連結された、式(C)により指示されているものなどの、二つのジアリールアミノ基を含む。有用なテトラアリールジアミンは、式(D):

Figure 2007511067
[式中、
各Areは、フェニレンまたはアントラセン部分などの独立して選択されるアリーレン基であり、
nは1から4までの整数であり、そして
Ar、R7、R8およびR9は独立して選択されるアリール基である]により表されるものを含む。一つの典型的な実施形態においては、Ar、R7、R8およびR9のうちの少なくとも一つが多環式の縮合環構造、例えばナフタレンである。 Another class of aromatic tertiary amines are tetraaryldiamines. Desirable tetraaryldiamines contain two diarylamino groups, such as those indicated by formula (C), linked through an arylene group. Useful tetraaryldiamines have the formula (D):
Figure 2007511067
[Where:
Each Are is an independently selected arylene group such as a phenylene or anthracene moiety;
n is an integer from 1 to 4 and Ar, R 7 , R 8 and R 9 are independently selected aryl groups]. In one exemplary embodiment, at least one of Ar, R 7 , R 8 and R 9 is a polycyclic fused ring structure, such as naphthalene.

前述の構造式(A)、(B)、(C)、(D)の様々なアルキル、アルキレン、アリールおよびアリーレン部分は、それぞれが更に置換されていてよい。典型的な置換基はアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ならびにフッ素、塩素および臭素などのハロゲンを含む。様々なアルキルおよびアルキレン部分は、典型的には、約1個から6個までの炭素原子を含む。シクロアルキル部分は3個から約10個までの炭素原子を含むことができるが、典型的には、5個、6個または7個の環炭素原子−例えばシクロペンチル、シクロヘキシルおよびシクロヘプチル環構造を含む。アリールおよびアリーレン部分は、通常、フェニルおよびフェニレン部分である。   Each of the various alkyl, alkylene, aryl, and arylene moieties of the foregoing structural formulas (A), (B), (C), (D) may be further substituted. Typical substituents include alkyl groups, alkoxy groups, aryl groups, aryloxy groups, and halogens such as fluorine, chlorine and bromine. The various alkyl and alkylene moieties typically contain from about 1 to 6 carbon atoms. Cycloalkyl moieties can contain from 3 to about 10 carbon atoms, but typically contain 5, 6 or 7 ring carbon atoms, such as cyclopentyl, cyclohexyl and cycloheptyl ring structures. . The aryl and arylene moieties are usually phenyl and phenylene moieties.

正孔輸送層は単一の芳香族第三級アミン化合物から形成されてよく、または芳香族第三級アミン化合物の混合物から形成することもできる。詳細には、式(D)により指示されているものなどのテトラアリールジアミンとの組合せにおいて、式(B)を満たすトリアリールアミンなどのトリアリールアミンを使用することができる。トリアリールアミンがテトラアリールジアミンとの組合せにおいて使用される場合、後者は、トリアリールアミンと電子注入および輸送層との間に差し挟まれた層として配置される。例証的な有用な芳香族第三級アミンは以下のものである。
1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン
1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン
4,4’−ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル
ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニルメタン
N,N,N−トリ(p−トリル)アミン
4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−[4(ジ−p−トリルアミノ)−スチリル]スチルベン
N,N,N’,N’−テトラ−p−トリル−4−4’−ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’−テトラ−1−ナフチル−4,4’−ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’−テトラ−2−ナフチル−4,4’−ジアミノビフェニル
N−フェニルカルバゾール
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−(2−ナフチル)アミノ]ビフェニル
4,4’’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]p−テルフェニル
4,4’−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(3−アセナフテニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
1,5−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ナフタレン
4,4’−ビス[N−(9−アントリル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’’−ビス[N−(1−アントリル)−N−フェニルアミノ]−p−テルフェニル
4,4’−ビス[N−(2−フェナントリル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(8−フルオランテニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(2−ピレニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(2−ナフタセニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(2−ペリレニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’−ビス[N−(1−コロネニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
2,6−ビス(ジ−p−トリルアミノ)ナフタレン
2,6−ビス[ジ−(1−ナフチル)アミノ]ナフタレン
2,6−ビス[N−(1−ナフチル)−N−(2−ナフチル)アミノ]ナフタレン
N,N,N’,N’−テトラ(2−ナフチル)−4,4’’−ジアミノ−p−テルフェニル
4,4’−ビス{N−フェニル−N−[4−(1−ナフチル)−フェニル]アミノ}ビフェニル
4,4’−ビス[N−フェニル−N−(2−ピレニル)アミノ]ビフェニル
2,6−ビス[N,N−ジ(2−ナフチル)アミン]フルオレン
1,5−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ナフタレン
4,4’,4’’−トリス[(3−メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアミン。
The hole transport layer may be formed from a single aromatic tertiary amine compound or may be formed from a mixture of aromatic tertiary amine compounds. Specifically, triarylamines such as triarylamines that satisfy formula (B) can be used in combination with tetraaryldiamines such as those indicated by formula (D). When triarylamine is used in combination with tetraaryldiamine, the latter is arranged as a layer sandwiched between the triarylamine and the electron injection and transport layer. Illustrative useful aromatic tertiary amines are:
1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl Bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) -phenylmethane N, N, N-tri (p-tolyl) amine 4- (di-p-tolylamino) -4 ′-[4 (di-p-tolylamino) -Styryl] stilbene N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4-4'-diaminobiphenyl N, N, N', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminobiphenyl N, N , N ′, N′-tetra-1-naphthyl-4,4′-diaminobiphenyl N, N, N ′, N′-tetra-2-naphthyl-4,4′-diaminobiphenyl N-phenylcarbazole 4,4 '− [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N- (2-naphthyl) amino] biphenyl 4,4 ″ -bis [N -(1-Naphthyl) -N-phenylamino] p-terphenyl 4,4'-bis [N- (2-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl 4,4'-bis [N- (3-acenaphthenyl) ) -N-phenylamino] biphenyl 1,5-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] naphthalene 4,4′-bis [N- (9-anthryl) -N-phenylamino] biphenyl 4 , 4 ″ -bis [N- (1-anthryl) -N-phenylamino] -p-terphenyl 4,4′-bis [N- (2-phenanthryl) -N-phenylamino] biphenyl 4,4 ′ -Bis [N- (8-fluoro Nthenyl) -N-phenylamino] biphenyl 4,4′-bis [N- (2-pyrenyl) -N-phenylamino] biphenyl 4,4′-bis [N- (2-naphthacenyl) -N-phenylamino] Biphenyl 4,4′-bis [N- (2-perylenyl) -N-phenylamino] biphenyl 4,4′-bis [N- (1-coronenyl) -N-phenylamino] biphenyl 2,6-bis (di -P-tolylamino) naphthalene 2,6-bis [di- (1-naphthyl) amino] naphthalene 2,6-bis [N- (1-naphthyl) -N- (2-naphthyl) amino] naphthalene N, N, N ′, N′-tetra (2-naphthyl) -4,4 ″ -diamino-p-terphenyl 4,4′-bis {N-phenyl-N- [4- (1-naphthyl) -phenyl] amino } Biphenyl 4,4'- [N-phenyl-N- (2-pyrenyl) amino] biphenyl 2,6-bis [N, N-di (2-naphthyl) amine] fluorene 1,5-bis [N- (1-naphthyl) -N -Phenylamino] naphthalene 4,4 ', 4''-tris [(3-methylphenyl) phenylamino] triphenylamine.

別のクラスの有用な正孔輸送材料はEP第1 009 041号に記載されているような多環式芳香族化合物を含む。オリゴマー材料を含め、二つより多くのアミン基を伴う第三級芳香族アミンを使用することができる。更に、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(PVK)、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどのポリマー正孔輸送材料、およびPEDOT/PSSとも呼ばれるポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4−スチレンスルホナート)などのコポリマーも使用することができる。   Another class of useful hole transport materials includes polycyclic aromatic compounds as described in EP 1 009 041. Tertiary aromatic amines with more than two amine groups, including oligomeric materials, can be used. In addition, polymer hole transport materials such as poly (N-vinylcarbazole) (PVK), polythiophene, polypyrrole, polyaniline, and poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (4-styrenesulfone), also called PEDOT / PSS. Copolymers such as natto) can also be used.

電子輸送層(ETL
本発明の有機EL素子の電子輸送層111の形成に使用するための好ましい薄膜形成材料は、オキシン自体(一般的に、8−キノリノールまたは8−ヒドロキシキノリンとも呼ばれている)のキレートを含め、金属キレートオキシノイド化合物である。このような化合物は、電子の注入および輸送に役立ち、高レベルの性能を示すだけでなく、薄膜の形態に容易に製作することができる。想定されるオキシノイド化合物の典型例は、先に説明されている構造式(E)を満たす化合物である。
Electron transport layer (ETL )
Preferred thin film forming materials for use in forming the electron transport layer 111 of the organic EL device of the present invention include chelates of oxine itself (commonly also referred to as 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline), It is a metal chelate oxinoid compound. Such compounds are useful for electron injection and transport, not only exhibit high levels of performance, but can also be easily fabricated in the form of thin films. A typical example of the assumed oxinoid compound is a compound that satisfies the structural formula (E) described above.

他の電子輸送材料は、US4,356,429号で開示されているような様々なブタジエン誘導体、およびUS4,539,507号に記載されているような様々なヘテロ環式の光学的光沢剤を含む。構造式(G)を満たすベンザゾールも有用な電子輸送材料である。また、トリアジンも電子輸送材料として有用であることが知られている。   Other electron transport materials include various butadiene derivatives as disclosed in US 4,356,429, and various heterocyclic optical brighteners as described in US 4,539,507. Including. Benzazole that satisfies the structural formula (G) is also a useful electron transporting material. Triazine is also known to be useful as an electron transport material.

他の有用な有機層および素子構造
幾つかの例においては、層109および111は場合によって、光の放出および電子の輸送の両方を支持する機能を果たす単一の層にまとめることができる。当分野においては、発光材料をホストとして働き得る正孔輸送層に含めることができることも知られている。例えば青色−および黄色−発光材料、藍色−および赤色−発光材料、または赤色−、緑色−および青色−発光材料を組み合わせることによって白色発光OLEDを創出するため、多数の材料を一つもしくはそれ以上の層に加えることができる。白色−発光素子は、例えばEP第1 187 235号、US20020025419号、EP第1 182 244号、US5,683,823号、US5,503,910号、US5,405,709号およびUS5,283,182号に記載されており、色彩放出光をもたらすべく適切なフィルター配列を備えていてよい。
Other Useful Organic Layers and Device Structures In some examples, layers 109 and 111 can optionally be combined into a single layer that functions to support both light emission and electron transport. It is also known in the art that luminescent materials can be included in hole transport layers that can act as hosts. For example, to create a white light emitting OLED by combining blue- and yellow-light emitting materials, indigo- and red-light-emitting materials, or red-, green- and blue-light-emitting materials, one or more of a number of materials Can be added to the layer. White-light emitting elements are, for example, EP 1 187 235, US 20020025419, EP 1 182 244, US 5,683,823, US 5,503,910, US 5,405,709 and US 5,283,182. And may be provided with a suitable filter arrangement to provide color emission light.

当分野において教示されているような電子または正孔−遮断層などの付加的な層を本発明の素子において使用することができる。正孔遮断層は、一般的には、例えばUS20020015859号の場合のように、リン光エミッター素子の効率を改善するために使用される。   Additional layers such as electron or hole-blocking layers as taught in the art can be used in the devices of the present invention. Hole blocking layers are generally used to improve the efficiency of phosphorescent emitter elements, as in, for example, US20020015859.

本発明は、例えばUS5,703,436号およびUS6,337,492号で教示されているような、いわゆる積層型素子構造において使用されてよい。   The present invention may be used in so-called stacked device structures, as taught, for example, in US 5,703,436 and US 6,337,492.

有機層の堆積
有機材料は、都合よくは、昇華により堆積されるが、フィルム形成を改善するために場合によって結合剤を伴った溶媒から堆積させる方法などの他の手段により堆積させることもできる。この材料がポリマーの場合には、通常、溶媒式堆積法が好ましい。昇華により堆積させるべき材料は、例えばUS6,237,529号に記載されているようにタンタル材料から構成されていることが多い昇華器「ボート」から気化させることができ、または最初にドナーシート上に塗布し、この後、もっと近づけた近接位置において基体上へ昇華させることもできる。種々の材料の混合物を伴う層は別々の昇華器ボートを利用することができ、またはこれらの材料を予め混合し、単一のボートもしくはドナーシートからコーティングすることもできる。パターン化された堆積はシャドーマスク、インテグラルシャドーマスク(US5,294,870号)、ドナーシートからの空間的に定められた感熱色素転写(US5,688,551号、US5,851,709号およびUS6,066,357号)、ならびにインクジェット法(US6,066,357号)を用いて達成することができる。
Organic layer deposition The organic material is conveniently deposited by sublimation, but can also be deposited by other means, such as by deposition from a solvent optionally with a binder to improve film formation. When this material is a polymer, solvent deposition is usually preferred. The material to be deposited by sublimation can be vaporized from a sublimator “boat”, often composed of a tantalum material, for example as described in US Pat. No. 6,237,529, or initially on the donor sheet It can also be applied to the substrate and then sublimated onto the substrate at a closer position closer to it. Layers with mixtures of various materials can utilize separate sublimator boats, or these materials can be premixed and coated from a single boat or donor sheet. Patterned deposition is performed with shadow masks, integral shadow masks (US 5,294,870), spatially defined thermal dye transfer from donor sheets (US 5,688,551, US 5,851,709 and US Pat. No. 6,066,357), as well as ink jet methods (US Pat. No. 6,066,357).

カプセル化
殆どのOLED素子は湿気もしくは酸素、またはそれらの両方に敏感であり、従って、これらの素子は、一般的に、アルミナ、ボーキサイト、硫酸カルシウム、クレー、シリカゲル、ゼオライト、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、硫酸塩、または金属ハロゲン化物および過塩素酸塩などの乾燥剤と共に、窒素またはアルゴンなどの不活性な雰囲気下において密封されている。カプセル化および乾燥のための方法は、これらに限定するものではないが、米国特許第6,226,890号に記載されている方法を含む。更に、SiOx、テフロン(登録商標)などのバリヤー層および交互無機/ポリマー層が当分野におけるカプセル化用の手段として知られている。
Encapsulated Most OLED devices are sensitive to moisture and / or oxygen, and therefore these devices are typically alumina, bauxite, calcium sulfate, clay, silica gel, zeolite, alkali metal oxide, alkali Sealed in an inert atmosphere such as nitrogen or argon with desiccants such as earth metal oxides, sulfates, or metal halides and perchlorates. Methods for encapsulation and drying include, but are not limited to, those described in US Pat. No. 6,226,890. In addition, barrier layers such as SiOx, Teflon and alternating inorganic / polymer layers are known in the art as means for encapsulation.

光学的な最適化
本発明のOLED素子は、望ましい場合、その特性を高めるため、周知の様々な光学的効果を使用することができる。これは、最大の光透過性をもたらすために層の厚みを最適化すること、誘電体ミラー構造を提供すること、反射性電極を光吸収性電極で置き換えること、ディスプレイ上にグレア防止もしくは反射防止膜を提供すること、ディスプレー上に偏光媒体を提供すること、またはディスプレー上に着色フィルター、NDフィルターもしくは色変換フィルターを提供することを含む。フィルター、偏光子、およびグレア防止または反射防止膜は、詳細には、カバー上に設けられてよく、またはカバーの一部として設けられてもよい。
Optical Optimization The OLED device of the present invention can use a variety of well-known optical effects to enhance its properties, if desired. This optimizes the layer thickness to provide maximum light transmission, provides a dielectric mirror structure, replaces the reflective electrode with a light absorbing electrode, prevents glare or antireflection on the display Providing a film, providing a polarizing medium on the display, or providing a colored filter, ND filter or color conversion filter on the display. The filter, polarizer, and anti-glare or anti-reflection film may be specifically provided on the cover or may be provided as part of the cover.

この明細書において言及されている特許および他の出版物の内容全体が、参照により本明細書に組み入れられる。   The entire contents of the patents and other publications mentioned in this specification are hereby incorporated by reference.

以下に続く特定の実施例により、本発明および本発明の利点を更に例証する。本発明のこれらの実施形態は熱的な安定性についても明らかにすることができる。   The following specific examples further illustrate the invention and the advantages of the invention. These embodiments of the present invention can also reveal thermal stability.

例1:Inv−1の調製
a)9−(2−ナフチル)アントラセンの調製。9−ブロモアントラセン(12g、46mmol、1当量)および2−ナフタレンボロン酸(8.0g、46mmol、1当量)を100mlのトルエン中において化合させ、結果として得られた混合物を音波処理により約15分間脱気した。ビス(トリフェニルホスフィン)二塩化パラジウム(0.110g、0.095mmol、0.2%)を加え、結果として得られた混合物を、100mlの2M Na2CO3を加えながら、窒素下において充分に攪拌し、この混合物を加熱マントルを介して加熱して還流させた。反応を一晩還流させたまま放置した。反応を室温にまで冷却し、このとき、固形物が沈殿し始めた。この有機固形物を濾過により単離し、水で洗った後、空気乾燥させることにより、収量11.4g(80%)を得た。塩化メチレンを用いるこの有機層の付加的な抽出と、それに続くMgSO4上での乾燥および濃縮により、更に2gの生成物が得られ、収率は合計で94%であった。
b)9−ブロモ,10−(2−ナフチル)アントラセンの調製。9−(2−ナフチル)アントラセン(14g、48mmol、1当量)およびN−ブロモスクシンイミド(8.9g、50mmol、1.05当量)を、500ml用丸底フラスコ内において、140mlのCH2Cl2と共に化合させた。混合物を、100Wのランプからもたらされる光の存在下で、窒素下において室温で攪拌することにより、この混合物はすぐに均質になった。TLC(P950:CH2Cl2/9:1)により指示されたように、反応は3時間後に完了した。固形物がちょうど沈殿し始めるまでに、溶媒体積の約半分が取り除かれた。次いで、加熱して固形物を溶解しながら、充分量のアセトニトリルを加えた。この後、固形物が再びちょうど沈殿し始めるポイントまで更にCH2Cl2を取り除いた。この溶液を冷却し、放置して再結晶化させた。結果として得られた固形物を濾過により単離し、少量のアセトニトリルで洗い、乾燥させることにより、収量17g(92%)を得た。
c)9−ビフェニル,10−(2−ナフチル)アントラセンの調製。9−ブロモ,10−(2−ナフチル)アントラセン(8.9g、23mmol、1当量)、4−ビフェニルボロン酸(4.8g、24mmol、1.05当量)を(PPh32PdCl2(0.16g、0.7当量%)と共に、500ml用丸底フラスコ内において、200mLのトルエン中で化合させ、結果として生じた懸濁液を30分間音波処理した。次いで、この混合物を素早く還流状態にもたらすことにより、この溶液は15分間の還流後に均質になった。2時間後、混合物が薄黄色を呈した状態(触媒が活性であることを示している)のまま、固形物が沈殿し始めた。この混合物を一晩還流させたまま放置した。沈殿した固形物を取り除くべく、ガラス繊維濾紙を通じて混合物を熱いうちに濾過した。この固形物を約1Lの熱いトルエン中に再溶解し、パラジウム不純物を取り除くべく、ガラス繊維濾紙を通じてこの溶液を濾過した。濾液を濃縮することにより、9.2gの灰色がかった白色の固形物が得られた。水性層を含有したこの最初の濾液からトルエン層を単離し、H2Oで洗い、飽和ブラインで乾かし、MgSO4上で乾燥させ、濃縮し、再結晶化させることにより、1.3gの固形物を得た。両方の固形物バッチを合わせることにより、10.4gの清浄な生成物(98%)が得られた。この材料を260℃で昇華させることにより、非常に純粋なフラクション(8.26g、検定値99.8%)および純粋なフラクション(1.45g、検定値99.3%)が得られた。
Example 1 Preparation of Inv-1 a) Preparation of 9- (2-naphthyl) anthracene. 9-Bromoanthracene (12 g, 46 mmol, 1 eq) and 2-naphthaleneboronic acid (8.0 g, 46 mmol, 1 eq) were combined in 100 ml of toluene and the resulting mixture was sonicated for about 15 minutes. I was degassed. Bis (triphenylphosphine) palladium dichloride (0.110 g, 0.095 mmol, 0.2%) is added and the resulting mixture is thoroughly added under nitrogen while adding 100 ml of 2M Na 2 CO 3. Stir and heat the mixture to reflux through a heating mantle. The reaction was left to reflux overnight. The reaction was cooled to room temperature when a solid began to precipitate. The organic solid was isolated by filtration, washed with water, and then air dried to give a yield of 11.4 g (80%). Additional extraction of this organic layer with methylene chloride, followed by drying and concentration over MgSO 4 gave an additional 2 g of product, for a total yield of 94%.
b) Preparation of 9-bromo, 10- (2-naphthyl) anthracene. 9- (2-naphthyl) anthracene (14 g, 48 mmol, 1 eq) and N-bromosuccinimide (8.9 g, 50 mmol, 1.05 eq) together with 140 ml CH 2 Cl 2 in a 500 ml round bottom flask. Combined. By stirring the mixture at room temperature under nitrogen in the presence of light coming from a 100 W lamp, the mixture immediately became homogeneous. TLC (P950: CH 2 Cl 2 /9: 1) as indicated by the reaction was complete after 3 hours. Approximately half of the solvent volume was removed by the time the solids just started to precipitate. A sufficient amount of acetonitrile was then added while heating to dissolve the solids. After this, further CH 2 Cl 2 was removed to a point where the solids just started to precipitate again. The solution was cooled and allowed to recrystallize. The resulting solid was isolated by filtration, washed with a small amount of acetonitrile and dried to give a yield of 17 g (92%).
c) Preparation of 9-biphenyl, 10- (2-naphthyl) anthracene. 9-bromo, 10- (2-naphthyl) anthracene (8.9 g, 23 mmol, 1 eq), 4-biphenylboronic acid (4.8 g, 24 mmol, 1.05 eq) were added to (PPh 3 ) 2 PdCl 2 (0 .16 g, 0.7 eq%) in a 500 ml round bottom flask were combined in 200 mL toluene and the resulting suspension was sonicated for 30 minutes. The solution was then homogenized after 15 minutes of reflux by quickly bringing the mixture to reflux. After 2 hours, the solid began to precipitate while the mixture remained light yellow (indicating that the catalyst was active). The mixture was left to reflux overnight. The mixture was filtered hot through glass fiber filter paper to remove the precipitated solids. The solid was redissolved in about 1 L of hot toluene and the solution was filtered through glass fiber filter paper to remove palladium impurities. Concentration of the filtrate gave 9.2 g off-white solid. The toluene layer is isolated from this initial filtrate containing the aqueous layer, washed with H 2 O, dried over saturated brine, dried over MgSO 4 , concentrated and recrystallized to give 1.3 g solids. Got. By combining both solids batches, 10.4 g of clean product (98%) was obtained. Sublimation of this material at 260 ° C. gave a very pure fraction (8.26 g, assay value 99.8%) and a pure fraction (1.45 g, assay value 99.3%).

例2、3、5、6、8、9、10:発明EL素子
本発明の必要条件を満たすEL素子を以下の仕方で構築した:
ガラス基体にアノードとしての42nmの酸化インジウムスズ(ITO)層をコーティングし、この後、商業的な洗浄剤中において超音波処理し、脱イオン水中ですすぎ、トルエン蒸気中において脱脂し、酸素プラズマに約1分間晒した。
a)CHF3のプラズマ支援蒸着によりITO上に1nmのフルオロカーボン正孔注入層(CFx)を堆積させた。
b)この後、75nmの厚みを有するN,N’−ジ−1−ナフタレニル−N,N’−ジフェニル−4,4’−ジアミノビフェニル(NPB)の正孔輸送層をタンタルボートから蒸発させた。
c)次に、使用するドーパントに依存して様々な量のドーパントがドーピングされたInv1の20〜40nmの発光層を正孔輸送層の上に堆積させた。これらの材料はタンタルボートから共蒸発された。ここで、ドーピングの割合は体積/体積比に基づいて報じられている。個々のドーパント、割合およびホストの厚みが表1および2に示されている。
d)この後、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(Alq)の30nmの電子輸送層を発光層の上に堆積させた。この材料もタンタルボートから蒸発された。
e)Alq層の上に、10:1の体積比のMgおよびAgから形成された220nmのカソードを堆積させた。
Examples 2, 3, 5, 6, 8, 9, 10: Invention EL device An EL device satisfying the requirements of the present invention was constructed in the following manner:
A glass substrate is coated with a 42 nm layer of indium tin oxide (ITO) as the anode, which is then sonicated in a commercial detergent, rinsed in deionized water, degreased in toluene vapor, and subjected to oxygen plasma. Exposed for about 1 minute.
a) A 1 nm fluorocarbon hole injection layer (CFx) was deposited on ITO by plasma assisted deposition of CHF 3 .
b) Thereafter, the hole transport layer of N, N′-di-1-naphthalenyl-N, N′-diphenyl-4,4′-diaminobiphenyl (NPB) having a thickness of 75 nm was evaporated from the tantalum boat. .
c) Next, a 20-40 nm emissive layer of Inv1 doped with various amounts of dopant depending on the dopant used was deposited on the hole transport layer. These materials were co-evaporated from tantalum boats. Here, the doping ratio is reported based on the volume / volume ratio. Individual dopants, proportions and host thicknesses are shown in Tables 1 and 2.
d) A 30 nm electron transport layer of tris (8-quinolinolato) aluminum (III) (Alq) was then deposited on the light emitting layer. This material was also evaporated from the tantalum boat.
e) A 220 nm cathode formed from a 10: 1 volume ratio of Mg and Ag was deposited on the Alq layer.

上述のシーケンスにより本EL素子の堆積を果たした。この後、周囲環境から保護するため、本素子を乾燥グローブボックス内において密封包装した。   The EL device was deposited by the sequence described above. Thereafter, the element was hermetically packaged in a dry glove box in order to protect it from the surrounding environment.

例4、7、11、12、13、14、15比較用EL素子
比較例のEL素子は、Inv1の代わりに、本発明の一部を成さない他のアントラセン誘導体をホストとして使用した点を除き、例2と同じ仕方で製作された。

Figure 2007511067
Figure 2007511067
Examples 4, 7, 11, 12, 13, 14, 15 EL elements for comparison The EL element of the comparative example uses another anthracene derivative that does not form part of the present invention as a host instead of Inv1. Except for Example 2, it was produced in the same manner.
Figure 2007511067
Figure 2007511067

このようにして形成された例2〜15のセルを、20mA/cm2において測定される輝度収率(cd/A)の形態における効率について試験した。CIE色度x−y座標を決定した。青色素子の場合には、少なくとも約2.2cd/A、好ましくは約3cd/Aよりも大きな輝度収率を有していることが望ましい。輝度損失は、これらのセルを、各個々のセル/例に対して特定されている様々な長さの時間の間、70℃における20mA/cm2の一定電流密度、またはRT(室温)における40mA/cm2の一定電流密度をセルに供することにより測定された。外挿値は、20mA/cm2および70℃での実際のデータまたは40mA/cm2およびRTでの実際のデータに基づいて見積もられている。ディスプレイ素子において使用するのに有用な安定性は、約300時間のこれらの加速エージング条件後における損失が約40%未満であることが望ましい。これらのすべての試験データが表1bに示されている。 The cells of Examples 2-15 thus formed were tested for efficiency in the form of luminance yield (cd / A) measured at 20 mA / cm 2 . CIE chromaticity xy coordinates were determined. In the case of blue elements, it is desirable to have a luminance yield of at least about 2.2 cd / A, preferably greater than about 3 cd / A. Luminance loss makes these cells a constant current density of 20 mA / cm 2 at 70 ° C. or 40 mA at RT (room temperature) for various lengths of time specified for each individual cell / example. It was measured by subjecting the cell to a constant current density of / cm 2 . Extrapolated values are estimated based on actual data at 20 mA / cm 2 and 70 ° C. or actual data at 40 mA / cm 2 and RT. Useful stability for use in display elements is desirably less than about 40% loss after about 300 hours of these accelerated aging conditions. All these test data are shown in Table 1b.

表1a:例2〜7の素子構造

Figure 2007511067
Table 1a: Device structures of Examples 2-7
Figure 2007511067

表1b:Inv−1(例2〜7)の安定性に関する有意な利点

Figure 2007511067
Table 1b: Significant benefits regarding stability of Inv-1 (Examples 2-7)
Figure 2007511067

表1bのデータは、Inv−1をホストとして使用したときに、高い効率を保ったまま、少なくとも対照(Comp−1)と同じ効率を維持したまま、安定性の有意な改善がもたらされることを示している。例2および3、ならびに例5および6は、対照に比べて安定性が明らかに2〜2.5倍改善されたことを示している。Comp−1は、より良好な比較を為すため、常に、各素子セットに対する基準として用いられた;Comp−1の調合(ホストの厚みおよびドーパントのレベル)は、良好な安定性と高い効率の最良の組合せを得るのに最適な状態である。表1bの素子は、RTにおいて40mA/cm2でフェージングされた。 The data in Table 1b show that when Inv-1 is used as a host, it provides a significant improvement in stability while maintaining a high efficiency and at least the same efficiency as the control (Comp-1). Show. Examples 2 and 3 and Examples 5 and 6 show a clear 2-2.5 fold improvement in stability compared to the control. Comp-1 was always used as a reference for each device set for better comparison; Comp-1 formulation (host thickness and dopant level) was the best for good stability and high efficiency. This is the optimal state for obtaining a combination of The devices in Table 1b were fading at 40 mA / cm 2 at RT.

表2a:例8〜11の素子構造

Figure 2007511067
Table 2a: Device structures of Examples 8-11
Figure 2007511067

表2b:基準Comp−1(例8〜11)との比較における、Inv−3およびInv−4の改善された安定性

Figure 2007511067
Table 2b: Improved stability of Inv-3 and Inv-4 in comparison to reference Comp-1 (Examples 8-11)
Figure 2007511067

化合物Inv−3も、対照Comp−1を上回る安定性に関する利点をもたらす。表2bの素子は、より加速された試験法である70℃および40mA/cm2においてフェージングされた。Inv−3の場合には、安定性の改善は70℃においてさほど顕著ではなく、40%から60%までの範囲に過ぎないが、ホストの効率は依然として高いままである。 Compound Inv-3 also provides stability advantages over the control Comp-1. The devices in Table 2b were fading at 70 ° C. and 40 mA / cm 2 , a more accelerated test method. In the case of Inv-3, the stability improvement is not as pronounced at 70 ° C. and is only in the range of 40% to 60%, but the efficiency of the host remains high.

表3a:例15〜18の素子構造

Figure 2007511067
Table 3a: Device structures of Examples 15-18
Figure 2007511067

表3b:対称な類似物(例12〜15)の比較例

Figure 2007511067
Table 3b: Comparative examples of symmetrical analogues (Examples 12-15)
Figure 2007511067

* 例14は、一つの素子におけるComp−4の失敗を示している。この素子は9Vのバッテリーの下ですぐに劣化するため、動作安定性を測定することができなかった。この材料が蒸着され、二回製作された素子は同じ結果をもたらした。バルク状態における固形物の高い結晶化度が、素子におけるガラス質形成傾向を非常に低く為しているものと考えられる。この素子が粒子の粗い外観を呈しているという事実が前述の仮説を支持しているものと思われる。Comp−2も、結晶化する高い傾向を有する対称性である;但し、Comp−2は、t−ブチル類似体のComp−1と同等またはそれ以上の性能を発揮するようであり(例12対例4参照)、Comp−1を用いる素子は結晶化により失敗に帰すことが多い。 * Example 14 shows the failure of Comp-4 in one device. Since this device deteriorates quickly under a 9V battery, the operational stability could not be measured. Devices deposited with this material and produced twice yielded the same results. It is considered that the high crystallinity of the solid in the bulk state makes the vitreous formation tendency in the device very low. The fact that this element has a grainy appearance appears to support the above hypothesis. Comp-2 is also symmetrical with a high tendency to crystallize; however, Comp-2 appears to perform as well or better than the t-butyl analog Comp-1 (see Example 12 vs. In Example 4, the element using Comp-1 often fails due to crystallization.

例2〜15から得られたデータは、二つの異なる青色ドーパント、L2およびL47を伴う非対称性モノアントラセンの安定性に関する有意な改善を示している。表1bおよび表3bのデータを比較すると、素子における構造的特質(対称性/非対称性)と性能との間には明らかな相関がある。例えば、最良の性能を示すInv−1(例2)はComp−2およびComp−4(例12および14)の混成体であるが、その性能はこれら二つのどちらの場合よりも良好である。   The data obtained from Examples 2-15 shows a significant improvement on the stability of asymmetric monoanthracene with two different blue dopants, L2 and L47. Comparing the data in Table 1b and Table 3b, there is a clear correlation between the structural characteristics (symmetry / asymmetry) and performance of the device. For example, Inv-1 (Example 2) showing the best performance is a hybrid of Comp-2 and Comp-4 (Examples 12 and 14), but its performance is better than either of these two cases.

例16:比較用EL素子
例16は、c)部分を除き、例2と同じ仕方で製作された。Alqからなる37nmの発光層に緑色のドーパントがドーピングされた。これらの材料はタンタルボートから共蒸発された。ここで、ドーピングの割合は堆積/体積比に基づいて報じられている。個々のドーパント、割合およびホストの厚みが表4に示されている。
Example 16: Comparative EL device example 16 was fabricated in the same manner as example 2 except c). A 37 nm light emitting layer made of Alq was doped with a green dopant. These materials were co-evaporated from tantalum boats. Here, the doping ratio is reported based on the deposition / volume ratio. The individual dopants, proportions and host thicknesses are shown in Table 4.

例17〜21:発明EL素子
例17〜21は、Alqが様々な量における本発明のホスト部分と共に共蒸発された点を除き、例16と同じ仕方で製作された(二つのホストとドーパントとの合計の厚みは37.5nmであった)。個々のドーパント、割合およびホストの厚みが表4に示されている。
Examples 17-21: Inventive EL device Examples 17-21 were fabricated in the same manner as Example 16 (two hosts and dopants) except that Alq was co-evaporated with the host portion of the present invention in various amounts. The total thickness was 37.5 nm). The individual dopants, proportions and host thicknesses are shown in Table 4.

表4:本発明の共同ホストを使用したときの、緑色ドーパントL53の安定性に関する有意な利点(例16〜21)

Figure 2007511067
Table 4: Significant advantages regarding the stability of green dopant L53 when using a co-host of the present invention (Examples 16-21)
Figure 2007511067

表4のデータは、本発明の共同ホストをAlqと組み合わせて使用したときに、L53の安定性に関する有意な改善が得られたことを示している。AlqにInv−1を共同ホストとして組み込むことの利点は、40〜80%の間のInv−1濃度における例18〜20で特に明白であり、対照(例16)に比べ、少なくとも3倍の改善が観測されている。   The data in Table 4 shows that a significant improvement in the stability of L53 was obtained when the inventive co-host was used in combination with Alq. The advantage of incorporating Inv-1 as a co-host in Alq is particularly evident in Examples 18-20 at Inv-1 concentrations between 40-80% and at least a 3-fold improvement over the control (Example 16) Has been observed.

特に本発明の特定の好ましい実施形態について言及しながら本発明を説明してきたが、本発明の精神および範囲内で種々の変形および変更を果たし得ることが理解される。   While the invention has been described with particular reference to certain preferred embodiments of the invention, it will be understood that various modifications and changes may be made within the spirit and scope of the invention.

本発明が使用され得る典型的なOLED素子の断面図を示している。FIG. 2 shows a cross-sectional view of a typical OLED device in which the present invention can be used.

符号の説明Explanation of symbols

101 基体
103 アノード
105 正孔注入層(HIL)
107 正孔輸送層(HTL)
109 発光層(LEL)
111 電子輸送層(ETL)
113 カソード
250 電源
260 電気導体
101 substrate 103 anode 105 hole injection layer (HIL)
107 Hole Transport Layer (HTL)
109 Light emitting layer (LEL)
111 Electron Transport Layer (ETL)
113 cathode 250 power supply 260 electric conductor

Claims (26)

アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を有するOLED素子であって、前記発光層が、
a)式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含有するホスト;ならびに
b)テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミンおよびキナクリドンの誘導体、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウムおよびチアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス(アジニル)アミンホウ素化合物、およびビス(アジニル)メタンホウ素からなる群から選択されるメンバーを含む、一つまたは複数のゲスト発光材料;
を含む、OLED素子。
An OLED device having an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and the cathode, wherein the light emitting layer comprises:
a) Formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
And b) tetracene, xanthene, perylene, rubrene, coumarin, rhodamine and quinacridone derivatives, dicyanomethylenepyran compounds, thiopyran compounds, polymethine compounds, pyrylium and thiapyrylium compounds, fluorene derivatives, perifanthene derivatives, One or more guest luminescent materials comprising a member selected from the group consisting of an indenoperylene derivative, a bis (azinyl) amine boron compound, and bis (azinyl) methane boron;
OLED element containing.
前記ゲスト発光材料が、
Figure 2007511067
を含む、請求項1に記載のOLED素子。
The guest luminescent material is
Figure 2007511067
The OLED device according to claim 1, comprising:
前記ゲスト発光材料がN,N’−ジフェニルキナクリドンを含む、請求項2に記載のOLED素子。   The OLED device according to claim 2, wherein the guest light-emitting material includes N, N′-diphenylquinacridone. アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記OLED素子が緑色光を放出する;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
The OLED element emits green light;
OLED element.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記OLED素子が赤色光を放出する;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
The OLED element emits red light;
OLED element.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記OLED素子が、白色光を放出するのに充分な化合物を伴う一つまたはそれ以上の発光層を含む;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
The OLED device comprises one or more light-emitting layers with a compound sufficient to emit white light;
OLED element.
少なくとも一つの発光層がアミノスチリル誘導体を含む、請求項6に記載のOLED素子。   The OLED device according to claim 6, wherein at least one light emitting layer contains an aminostyryl derivative. 更に着色フィルターを含む、請求項6に記載のOLED素子。   The OLED device according to claim 6, further comprising a coloring filter. アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を有するOLED素子であって、前記発光層が、
a)式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含有するホスト;
b)共同ホスト;および
c)発光ドーパント;
を含む、OLED素子。
An OLED device having an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and the cathode, wherein the light emitting layer comprises:
a) Formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A host containing a monoanthracene derivative of
b) a co-host; and c) a light-emitting dopant;
OLED element containing.
前記共同ホストがポリマーである、請求項9に記載のOLED素子。   The OLED device of claim 9, wherein the co-host is a polymer. 前記共同ホストがオキシノイド化合物である、請求項9に記載のOLED素子。   The OLED device according to claim 9, wherein the co-host is an oxinoid compound. 前記オキシノイドがAlqである、請求項11に記載のOLED素子。   The OLED element according to claim 11, wherein the oxinoid is Alq. 前記共同ホストがポリフルオレン、ポリビニルアリーレン、8−ヒドロキシキノリンの金属錯体、ベンザゾール誘導体、ジスチリルアリーレンおよびカルバゾールからなる群から選択されるメンバーを含む、請求項9に記載のOLED素子。   The OLED device according to claim 9, wherein the co-host comprises a member selected from the group consisting of polyfluorene, polyvinylarylene, a metal complex of 8-hydroxyquinoline, a benzazole derivative, distyrylarylene, and carbazole. 前記発光ドーパントが
Figure 2007511067
またはN,N’−ジフェニルキナクリドンである、請求項9に記載のOLED素子。
The luminescent dopant is
Figure 2007511067
Or the OLED element of Claim 9 which is N, N'- diphenylquinacridone.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記OLED素子が、式(A):
1−G−Q2 (A)
[式中、
1およびQ2は独立して選択される芳香族第三級アミン部分であり、Gはアリール連結基であり、Q1およびQ2のうちの少なくとも一つは多環式縮合環構造を含む]
の第三級アミン化合物を含む正孔輸送層を含む;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
The OLED element has the formula (A):
Q 1 -GQ 2 (A)
[Where:
Q 1 and Q 2 are independently selected aromatic tertiary amine moieties, G is an aryl linking group, and at least one of Q 1 and Q 2 comprises a polycyclic fused ring structure ]
A hole transport layer comprising a tertiary amine compound of
OLED element.
前記第三級アミン化合物がN,N,N’,N’−テトラ−1−ナフチル−4,4’−ジアミノビフェニル、
N,N,N’,N’−テトラ−2−ナフチル−4,4’−ジアミノビフェニル、
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−(2−ナフチル)アミノ]ビフェニル、
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]p−テルフェニル、または
4,4’−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
である、請求項15に記載のOLED素子。
The tertiary amine compound is N, N, N ′, N′-tetra-1-naphthyl-4,4′-diaminobiphenyl;
N, N, N ′, N′-tetra-2-naphthyl-4,4′-diaminobiphenyl,
4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl,
4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N- (2-naphthyl) amino] biphenyl,
4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] p-terphenyl, or 4,4′-bis [N- (2-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, The OLED element according to claim 15.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記OLED素子が正孔遮断層を含む;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
The OLED element comprises a hole blocking layer;
OLED element.
複数の積層された有機発光素子を含む発光素子であって、少なくとも一つの発光層が発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストが、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含む;
発光素子。
A light-emitting device comprising a plurality of stacked organic light-emitting devices, wherein at least one light-emitting layer contains a light-emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
Light emitting element.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記OLED素子が、薄膜トランジスターを有するアクティブマトリックス型基体を含む;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
The OLED element comprises an active matrix substrate having a thin film transistor;
OLED element.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記OLED素子が乾燥剤の存在下において不活性な雰囲気中に密封されている;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
The OLED element is sealed in an inert atmosphere in the presence of a desiccant;
OLED element.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記OLED素子がバリヤー層を用いてカプセル化されている;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
The OLED element is encapsulated with a barrier layer;
OLED element.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記OLED素子が、誘電体ミラー構造、光吸収電極、反射防止膜、偏光媒体、着色フィルター、中性濃度フィルターまたは色変換フィルターを含む;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
The OLED element includes a dielectric mirror structure, a light absorbing electrode, an antireflection film, a polarizing medium, a colored filter, a neutral density filter, or a color conversion filter;
OLED element.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記発光層がドナーシートからの空間的に定められた感熱色素転写法を用いてパターン堆積された;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
The emissive layer was pattern deposited using a spatially defined thermal dye transfer method from a donor sheet;
OLED element.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記ナフチル基が、フッ素、ヒドロキシ、シアノ、アルコキシ、アリールオキシ、カルボキシ、トリメチルシリルおよびヘテロ環式オキシ基から選択される少なくとも一つの置換基で置換されている;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
The naphthyl group is substituted with at least one substituent selected from fluorine, hydroxy, cyano, alkoxy, aryloxy, carboxy, trimethylsilyl and heterocyclicoxy;
OLED element.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストは、式(I):
Figure 2007511067
[式中、
1−R8はHであり;
9はR10と同じでなく;
9およびR10がアミンおよびイオウ化合物を含んでいないことを条件として;
9は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないナフチル基であり;そして、
10は、脂肪族炭素環員を伴う縮合環を有していないビフェニル基である]
のモノアントラセン誘導体を含み;
前記ビフェニルが、フッ素、ヒドロキシ、シアノ、ならびにアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、カルボキシ、トリメチルシリルおよびヘテロ環式オキシ基から選択される少なくとも一つの置換基で置換されている;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, wherein the host has the formula (I):
Figure 2007511067
[Where:
R 1 -R 8 is H;
R 9 is not the same as R 10 ;
Provided that R 9 and R 10 do not contain amine and sulfur compounds;
R 9 is a naphthyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member; and
R 10 is a biphenyl group having no fused ring with an aliphatic carbon ring member]
A monoanthracene derivative of
Said biphenyl is substituted with at least one substituent selected from fluorine, hydroxy, cyano, and alkyl, alkoxy, aryloxy, carboxy, trimethylsilyl and heterocyclic oxy groups;
OLED element.
アノードおよびカソード、ならびに前記アノードおよびカソード間に配置された発光層を含むOLED素子であって、前記発光層は発光ドーパントおよびホストを含有し、前記ホストが、
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
からなる群から選択される;
OLED素子。
An OLED device comprising an anode and a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and cathode, wherein the light emitting layer contains a light emitting dopant and a host, the host comprising:
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Figure 2007511067
Selected from the group consisting of:
OLED element.
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