JP2007505428A - 記録媒体用の読出し制御 - Google Patents

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Abstract

本発明は、少なくとも１つのストレージレイヤ及びリードアウトレイヤを含む光磁気記録媒体を読み取る読取り方法及び装置に関し、リードアウトパルスにつながる拡張されたドメインは、放射電力による加熱を通して、外部磁場により、少なくとも１つのストレージレイヤからリードアウトレイヤにマーク領域をコピーすることでリードアウトレイヤにおいて発生される。記録媒体のリードアウト特性における局所的な変動の存在又は強度を示すパラメータは、記録動作の間に決定され、放射電力は、決定されたパラメータに基づいて制御される。提案される手順は、反射電力、読取りエラー又は位相誤差に基づいて読取り動作の間で使用することができる。したがって、コピーウィンドウ制御メカニズムに独立である高速かつ効率のよい電力制御メカニズムが提供される。さらに、第一及び第二のストレージレイヤの間のクロストークは、読み取られていない他のストレージレイヤの補償温度に近い読取り温度を保持することで防止される。

Description

本発明は、シングルレイヤ又はマルチレイヤＭＡＭＭＯＳ（Magnetic Amplifying Magneto-Optical System）ディスクのような記録媒体を読み取る方法及び装置に関する。
シングルレイヤＭＡＭＭＯＳディスクは、シングルレコーディング又はストレージレイヤとエクスパンション又はリードアウトレイヤを含んでおり、マルチレイヤＭＡＭＭＯＳディスクは、少なくとも２つのレコーディング又はストレージレイヤと１つのエクスパンション又はリードアウトレイヤを含んでいる。
従来の光磁気記憶システムでは、記録されたマークの最小の幅は、回折限界により、すなわち集束レンズとレーザ波長の開口数（ＮＡ）により決定される。幅の低減は、一般に、より短波長のレーザと多数のＮＡフォーカスオプティクスに基づいている。光磁気記録の間、最小のビット長は、ＬＰ−ＭＦＭ（Laser Pulsed Magnetic Field Modulation）を使用することで、光学的な回折限界以下に低減することができる。ＬＰ−ＭＦＭでは、ビット遷移は、レーザのような放射源のスイッチングにより誘発される磁場と温度の勾配の切り替えにより決定される。
ＭＡＭＭＯＳのようなドメインエクスパンション技術では、回折限界よりも小さなサイズをもつ書き込まれたマークは、記録媒体の読み出しの間、レーザ加熱に応じて、及び外部磁場の助けにより、ストレージレイヤからリードアウトレイヤにコピーされる。このリードアウトレイヤの低い飽和保持力のため、コピーされたマークは、光学的なスポットを満たすために拡張され、マークサイズとは独立な飽和された信号レベルで検出することができる。外部磁場の逆転により、拡張されたドメインが崩壊される。他方で、ストレージレイヤにおけるスペースがコピーされず、エクスパンションが生じない。したがって、このケースでは信号が検出されない。
ストレージレイヤにおけるビット又はドメインを読み出すため、光スポットのサーマルプロファイルが使用される。リードアウトレイヤの温度が予め決定された閾値を超えるとき、磁気のドメインは、ストレージレイヤから磁気的に静的に結合されたリードアウトレイヤにコピーされる。これは、ストレージレイヤの磁化に比例したストレージレイヤからの浮遊の磁場ＨSが温度の関数として増加するためである。磁化ＭSは、効果的な磁化、したがってストレージレイヤの浮遊磁場がゼロに低減される補償温度Ｔ∞を超える温度領域について温度の関数として増加する。この特性は、２つの対向する磁化ＭRE（希土類成分）と反対方向によるＭTM（遷移金属成分）とを生成するＲＥ−ＴＭ（Rare Earth-Transition Metal）合金の使用から生じる。
外部磁場の印加により、リードアウトレイヤにおけるコピーされた領域は、オリジナルドメインのサイズとは独立な飽和された検出信号を与えるように拡張される。コピープロセスは非線形である。温度が閾値を超えるとき、磁化のドメインは、ストレージレイヤからリードアウトレイヤに結合される。閾値となる温度を超える温度について、以下の条件が満たされる。
ＨS＋Ｈext≧ＨC （１）
ここでＨSはリードアウトレイヤでのストレージレイヤの浮遊の磁場であり、Ｈextは外部から印加された磁場であり、ＨCはリードアウトレイヤの飽和保持力の場である。このコピーが行われる空間的な領域は、「コピーウィンドウ」と呼ばれる。コピーウィンドウのサイズｗは、正確なリードアウトについて非常に重要である。条件（１）が満たされない場合（コピーウィンドウサイズｗ＝０）、コピーは全く行われない。他方で、大き過ぎるコピーウィンドウは、隣接するビット（マーク）とのオーバラップを生じ、更なる「干渉ピーク」をもたらす。コピーウィンドウのサイズは、温度プロファイルの正確な形状（すなわち、正確なレーザパワー及び周囲の温度）、外部から印加された磁場の強度、及び短い（又は長い）レンジの変動を示す場合がある材料パラメータに依存する。
リードアウトプロセスで使用されるレーザパワーは、コピーを可能にするに十分に高くあるべきである。他方で、高いレーザパワーは、温度で誘発された飽和保持力のプロファイルと、ビットパターンの浮遊の磁場のプロファイルとのオーバラップを増加する。飽和保持力ＨCが減少し、浮遊の磁場は増加する温度につれて増加する。このオーバラップが余りに大きいとき、スペースの正しいリードアウトは、隣接するマークにより生成された誤った信号のためにもはや可能ではない。この最大と最小のレーザパワー間の差は、パワーマージンを決定し、減少するビット長につれて強く減少する。
ＭＡＭＭＯＳでは、記録されたデータとの外部磁場の同期は重要である。正確なクロック回復は、たとえばデータに依存する磁場の切り替えを使用することで可能である。さらに、高密度での正しいリードアウトについて許容されるレーザパワーの範囲は、非常に小さい。しかし、このリードアウトレーザパワーに対する感度は、正確なパワーコントロールループ、すなわち記録されたデータからのリードアウト信号を使用したダイナミックコピーウィンドウコントロールを達成するために利用することができる。これは、小さな変調コンポーネント（ウォブリング）をレーザパワーに追加することで行われ、したがってＭＡＭＭＯＳ信号のタイミングシフトを誘発する。たとえば、これらのシフトのロックイン検出により、レーザパワー、外部の磁場又は周囲の温度における変化は、コピーウィンドウを一定に保つために補正することができる。このように、正確かつロバストなリードアウトが可能であり、従来のシステムよりも非常に高い密度が可能となる。この増加／減少（ウォブリング）は、たとえば小さな振幅をもつ周期的なパターンといった、予め定義された変化パターンに適応される場合がある。このウォブリングにより、コピーウィンドウは、ウォブル周波数とサイズ的に同期して増加又は減少する。コピーウィンドウがサイズ的に増加するとき、次の遷移は期待されるよりも幾分早く現れる。他方で、コピーウィンドウがサイズ的に減少するとき、次の遷移が僅かに遅延される。これは、位相エラーの振幅により示される。この位相エラーの振幅は、リードアウトパラメータにコピーウィンドウサイズが依存する非線形平方根による、リードアウトパラメータの直接的な測定である。コピーウィンドウコントロールループに入力として使用される絶対誤差信号を得るため、制御方法は、たとえば外部の磁場及び／又はレーザパワーといった最適なリードアウトパラメータに対応する適切な規準となるセットポイントを必要とする。
キャパシティにおける主要なステップは、デュアルレイヤディスクを使用することで達成される。従来の光磁気（ＭＯ）システムでは、異なる種類のデュアルレイヤアプローチが知られている。大部分のケースでは、２つのストレージレイヤは、対物レンズの焦点深さで接近して配置されている（又は直接接続、すなわち交換結合されている）。異なるレイヤのリードアウトは、Ｋｅｒｒローテーション及び楕円率における差に基づいている。たとえば、第一のレイヤがＫｅｒｒローテーションのみを与えるように干渉レイヤが調整され、第二のレイヤはＫｅｒｒ楕円率のみを与える。ときに、この作用を改善するために異なる波長が使用される。両方のレイヤを読むための別のやり方は、マルチレベルアプローチであり、異なるレイヤにおけるデータに依存して、（たとえばＫｅｒｒローテーション）４つの異なる信号レベルが検出される（＋＋，＋，−，−−）。しかし、中間レベル（＋，−）の信号対雑音比は低い。
幾つかのオプションは、異なるレイヤでの記録について可能である。磁気的な特性は、第一のレイヤが第二のレイヤよりも高いキュリー温度（ＴC）を有するように調整される場合がある。このように、低いＴCレイヤは、高いＴCレイヤに作用することなしに低いレーザパワーで書き込むことができる。両方のレイヤは、高いレーザパワーで作用される。代替的に又は先の方法との組み合わせで、磁場の感度における差が使用される。ここで、印加された磁場の符号又は振幅は、両方のレイヤの切り替えを決定する。たとえば、第一のレイヤは、磁場の符号に常に追従し、第二のレイヤは、所定の振幅以下にあるときに磁場とは反対であり、振幅が十分に大きいときに磁場に従う。このようにして、両方のレイヤは、１つのパスで書き込まれる。この振る舞いを達成するため、第二のレイヤは、たとえばＰｔＣｏマルチレイヤ又は第一のストレージレイヤといった、別の磁化レイヤに交換結合される。
デュアルレイヤＭＯは確かに可能であるので、デュアルレイヤＭＡＭＭＯＳへの拡張は、些細なこととは離れている。ＭＡＭＭＯＳプロセスでは、ストレージレイヤ及びリードアウトレイヤが必要とされる。これらのレイヤは、３０〜７０ｎｍの厚さであり、これは、このレイヤのセット以下のリードアウトレイヤからの信号の送信を検出のために余りに低くすることである。
文献ＷＯ９９／３９３４１及びＪＰ２００２−２９８４６５は、共通のリードアウトレイヤに第一及び第二のストレージレイヤの浮遊の磁場の組み合わせにより生成される多値信号を再生するためのデュアルレイヤＭＡＭＭＯＳディスクを開示している。両方のストレージレイヤは、読み取られたストレージレイヤのマークのみがリードアウトレイヤにコピーされることを保証するため、ノンリードストレージレイヤをその補償温度に加熱するために調整されるレーザパワーにより連続して独立に読み取られる。異なるストレージレイヤの個別のリードアウトは、対応するリードアウトレーザパワーを選択することで可能である。このレーザパワーは、読み取られていないレイヤの温度がその補償温度に接近するようにし、これによりリードアウトプロセスへの浮遊の磁場の影響を除くようにされるべきである。
先に述べたように、レーザパワーと印加された外部の磁場は、シングルレイヤディスクのリードアウト手順における最も高い記憶密度を可能にするため、コピーウィンドウコントロール手順により慎重にバランスされるべきである。必要とされる厳重な制御にも拘らず（典型的にはレーザパワーで１％前後）、外部の磁場に対するレーザパワーをバランスするための幾つかの余地が存在し、磁場が幾分余りに低い場合、高いレーザパワーが正しいリードアウトを与え、逆も然りである。しかし、デュアルレイヤのケースでは異なり、これは、約±１０℃という耐性のある限界内にあるが、ストレージレイヤが予め決定された絶対温度に到達する必要があるためである。
理想的には、各ディスク及び各ドライブは、完全に整合された特性を有し、ドライブにおける読取りパワーレベルが異なるストレージレイヤの補償温度に対応する。しかし、このことは、幾つかの理由のためによくあることではない。駆動光学系の汚れ（ダスト）、及びたとえばレーザの品質低下とは別に、光学的特性（反射率、吸収率）、熱的特性（伝導率、熱容量）及び磁気的特性（Ｔ∞は％コンポジションの変化で８０Ｋまで変化する）は、ディスクからディスクに変化し、シングルディスクの半径（厚さ及び／又は組成における非一様性）にわたって変化する場合がある。リードアウトパラメータの適切な較正は、ドライブ、ディスク、及びディスク半径間の違いを補正し、より広い耐性を可能にする。最も高い密度でロバストなリードアウトを実現するため、シングルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクのリードアウトにおけるように、アクティブコピーウィンドウコントロールが重要である。デュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳについて、レーザパワー及び外部の磁場は、シングルレイヤＭＡＭＭＯＳにおけるように自由に交換することができない。これは、ストレージレイヤからの「クロストーク」を防止するため、リードアウト温度が読み取られていないストレージレイヤの補償温度の近くに保持される必要があるためである。
本発明の目的は、適切なリードアウトの電力制御を達成する方法及び装置を提供することにある。
上記目的は、請求項１記載の読取り装置及び請求項１３記載の読取り方法を提供することで達成することができる。
これに応じて、印加された外部の磁場の強度を変えることで好適に実行される高速及び効率的な電力制御メカニズムを達成することができる。さらに、第一のストレージレイヤと第二のストレージレイヤとの間のクロストークは、読み取られていない他のストレージレイヤの補償温度の近くに読取り温度を保持することで低減することができる。
提案される手順は、反射電力、読取りエラー又は位相エラーに基づいて読取り動作の間に使用される場合がある。
パラメータは、反射された放射電力、誤り率及び位相誤差といった量のうちの少なくとも２つから導出されるパラメータを通して重み付け平均に基づいて決定される場合がある。
さらに、放射電力は、高速及び低速の電力補正メカニズムの混成を使用することで制御される場合がある。このようにして、電力制御の高速性及び安定性が結合される。
少なくとも１つの予め決定されたリードアウトパラメータの値は、局所的な変動の検出の前に記憶され、検出された局所的な変動の終わりが検出されたときに初期設定として回復される。
コピーウィンドウサイズを高精度で一定に保持するために、コピーウィンドウ制御ループがアクティブである間、レーザパワーは、ディスク変動の存在にも拘らず、磁性レイヤでの温度を一定に保持するために個別の制御メカニズムにより調節することができる。典型的に１０℃（よりも低い）温度変動がクロストークを防止するためになお許容可能であるので、後者のメカニズムの必要とされる精度は、コピーウィンドウ制御よりも低いためである。コピーウィンドウ制御ループは、好ましくは磁場の振幅を調節することでコピーウィンドウサイズに残余の温度「エラー」の作用を容易に扱うことができる。しかし、応答時間は高速である。
パラメータは、記録媒体で反射された放射電力、読取り動作から得られたリードアウト信号の誤り率、読取り動作のコピーウィンドウ制御回路から得られた位相エラーといった量の少なくとも１つから導出される場合がある。したがって、レーザパワーは、補正されない場合に、コピーウィンドウサイズにおける変化、及びデュアルストレージレイヤ記録媒体のケースで２つのストレージレイヤ間の一時的なクロストークにより伴う局所的な温度変化につながる、局所的なディスクの変動又は汚れの検出に基づいて調節することができる。特に、制御パラメータを駆動するための先の実現の組み合わせは、応答時間及び読み出し制御の安定性を改善するために使用される場合がある。
２つのストレージレイヤをもつ記録媒体が使用される場合、第一のストレージレイヤが第二のストレージレイヤとは独立に読み取られることが保証される。放射電力の第一の値は、第二のストレージレイヤの補償温度により決定され、放射電力の第二の値は、第一のストレージレイヤの補償温度により決定される。
他の有利な更なる発展は、従属の請求項で定義される。以下では、本発明は、添付図面を参照して実施の形態に基づいて記載される。
図１は、本発明の好適な実施の形態に係るＭＡＭＭＯＳディスクプレーヤの構成を概念的に示す図である。ディスクプレーヤは、コードデータと同期する周期をもつパルスに記録の間に変換される光をもつ、デュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクのようなデュアルストレージレイヤ光磁気記録媒体又は記録キャリア１０の照射のためのレーザ光放射セクションを有する光ピックアップユニット３０を有している。ディスクプレーヤは、光磁気ディスク１０への記録及び再生の間に制御される方式で磁場を印加する磁気ヘッド１２をもつ磁場印加セクションを更に有する。光ピックアップユニット３０では、レーザは、記録及び読取り動作の間に光ピックアップユニット３０のレーザのパルス振幅及びタイミングを制御するように、記録／読取りパルス調節ユニット３２からの記録及び読み取りパルスを受けるレーザ駆動回路に接続される。記録／読取りパルス調節回路３２は、ＰＬＬ（位相ロックループ）回路を有するクロック発生器２６からのクロック信号を受ける。
なお、明確さのため、磁気ヘッド１２及び光ピックアップユニット３０は、図１におけるディスク１の反対側に示されている。好ましくは、ディスク１０の同じ側に配列される。
磁気ヘッド１２は、ヘッド駆動ユニット１４に接続され、記録の間に変調器２４からの位相調節回路１８を介してコード変換されたデータを受ける。変調器２４は、入力された記録データＤＩを規定されたコードに変換する。
再生の間、ヘッドドライバ１４は、タイミング回路３４から再生調節回路２０を介してタイミング信号を受け、再生調節回路２０は、磁気ヘッド１２に印加されるパルスのタイミング及び振幅を調節するための同期信号を生成する。タイミング回路３４は、データ読み出し動作からそのタイミング信号を導出する。したがって、データに依存するフィールドスイッチングを達成することができる。記録／再生スイッチ１６は、記録の間及び再生の間にヘッドドライバ１４に供給されるべきそれぞれの信号を切り替え又は選択するために提供される。
さらに、光ピックアップユニット３０は、ディスク１０から反射されたレーザ光を検出し、出力データＤＯを発生するようにリーディング（reading）信号をデコードするために構成されるデコーダ２８に印加される対応するリーディング信号を発生するための検出器を有する。さらに、光ピックアップユニット３０により生成されたリーディング信号は、ディスク１０の埋め込まれたクロックマークから得られたクロック信号が抽出又は回復されるクロック発生器２６に供給され、クロック発生器２６は、同期の目的でクロック信号を記録パルス調節回路３２及び変調器２４に供給する。特に、データチャネルクロックは、クロック発生器２６のＰＬＬ回路で発生される場合がある。なお、クロック発生器２６から得られたクロック信号は、タイミング回路３４により制御されるデータに依存するスイッチング又は同期をサポートする場合があるリファレンス又はフォールバック同期を提供するように、再生調節回路２０に供給される場合がある。
データ読取りのケースでは、光ピックアップユニット３０のレーザは、データチャネルクロックの周期に対応する固定された周波数で変調され、データ記録領域又は回転するディスク１０のスポットは、等しい距離で局所的に加熱される。更に、クロック発生器２６により出力されるデータチャネルクロックは、標準的なクロック周期をもつデータ信号を発生するために変調器２４を制御する。レコーディングデータは、レコーディングデータの情報に対応する二進のランレングス情報を得るため、変調器２４により変調され、コード変換される。
図１では、タイミング回路３４は、データに依存するタイミング信号を再生調節回路２０に供給するために提供される。代替的に、外部磁場のデータに依存するスイッチングは、外部磁場のタイミング又は位相を調節するように、タイミング信号をヘッドドライバ１４に供給することで達成される場合がある。タイミング情報は、ディスク１０の（ユーザ）データから取得される。これを達成するため、再生調節回路２０又はヘッドドライバ１４は、通常エクスパンション方向にある外部磁場を提供するために調節される。ＭＡＭＭＯＳピークの立ち上がり信号のエッジが光ピックアップユニット３０の出力に接続される入力ラインでタイミング回路３４により観察されるとき、タイミング信号は、再生調節回路２０に供給され、ヘッドドライバ１４は、リードアウトレイヤにおける拡張されたドメインを崩壊し、その後に磁場を拡大方向にリセットするように、短時間の後に磁場を逆転するように制御される。ピーク検出と磁場のリセットとの間の全体の時間は、最大の許容されるコピーウィンドウとディスク１０上の１チャネルビット長との合計に対応するためにタイミング回路３４により設定される（リニアディスク速度の倍）。
さらに、動的なコピーウィンドウ制御機能は、たとえばウォブル又は変化パターンといった変調をヘッドドライバ１４に適用し、読み出しモードで検出されたデータ信号からの情報を使用してコピーウィンドウのサイズｗを連続して測定することで提供される。ウォブル周波数がクロック発生器２６のクロックリカバリＰＬＬ回路の帯域幅を超える場合、このＰＬＬ回路の位相誤差は、期待される遷移の位置に関して小さな偏差又は位相誤差を検出するために使用することができる。
導入されたウォブル又は変化パターンの周波数偏差は、ゼロの平均値を有する。しかし、ここで得られた位相誤差の振幅Δφは、絶対スケールのみが既知であるが、リファレンス（ゼロ又はオフセット）が存在しないので、レーザ電力制御のための絶対の誤差信号としてなお使用することができない。すなわち、コピーウィンドウのサイズにおける変化のみを測定することができる。この問題を回避するため、コピーウィンドウのサイズｗを制御するための制御情報を得るため、温度の関数としてのウィンドウサイズｗの導関数を測定することができる。コピーウィンドウサイズｗの微分又は変化量は、位相の振幅Δφに直接つながり、検出された位相誤差の振幅Δφは微分に対応し、コピーウィンドウ制御のために使用することができる。予め決定されたセットポイントからの変動は、ヘッドドライバ１４での外部磁場の強度を制御するために制御信号ＰＥとして使用することができる。
コイルとディスクとの距離、周囲の温度等のようなパラメータにおける変化のためにコピーウィンドウのサイズにおける変化は、制御される外部磁場により対向される。
図１に示されるプレーヤでは、光ピックアップユニット３０のレーザパワーを決定又は調節するために適合されるリードアウト制御回路２９０が提供される。好適な実施の形態によれば、レーザ電力は、クロック発生器２６での磁場に基づいたコピーウィンドウ制御とは独立にリードアウト制御回路２９０により制御される。特に、リードアウト制御回路２９０は、ＭＡＭＭＯＳディスク１０の読取り特性における局所的な変動の存在及び／又は強度について、適切かつ信頼できるインジケータであるパラメータを決定する。
図２は、第一の実施の形態に係るデュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクのレイヤ構造を示している。ここで提案されるソリューションは、他方の上に一方が配置される異なるストレージレイヤ１１０，１１４における情報を再生するために１つのリードアウトレイヤ１０６を使用することである。リードアウトレイヤ１０６は、レーザ入射側の方向で２つのストレージレイヤ１１０，１１４の上に配置されている。これらストレージレイヤ１１０，１１４の記録は、最初に記載されたように、従来技術で記載されるいずれかの方法により可能である。主な難しさは、飽和保持力、（リードアウトレイヤでのストレージレイヤからの）浮遊の磁場及び印加される外部磁場、すなわち両方のストレージレイヤ１１０，１１４のバランスに関するＭＡＭＭＯＳリードアウト要件を満たすことである。マークビットのＭＡＭＭＯＳ再生について、ストレージ及びリードアウトレイヤ１０６，１１０及び１１４の磁気的な特性は、リードアウトのレーザ電力は、マークにより生成される浮遊の磁場と印加された外部磁場との合計がリードアウトレイヤの飽和保持力よりも大きい、すなわちＨS＋Ｈext＞ＨCであるように選択される。２つのストレージレイヤ１１０，１１４の両者は浮遊の磁場を生じるので、以下のように式を変更することができる。
ＨS1＋ＨS2＋Ｈext＞ＨC （２）
ここで、ＨS1及びＨS2はストレージレイヤ１１０，１１４のそれぞれの浮遊磁場の強度を示している。
それぞれの他のレイヤの影響を与えることなしに、両方のストレージレイヤの個別のリードアウトを可能にするため、図２に示されるレイヤ構造は、デュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクの第一の例に従って提案される。レーザ入射側から始めて、一般的なレイヤスタックは、任意の第一のカバーすなわち基板１０２、たとえばＳｉＮ，ＳｉＯ2からなる第一の誘電層１０４、好ましくは２０ｎｍである１０〜３０ｎｍの厚さで好ましくはＧｄＦｅＣｏ又はＧｄＦｅからなるリードアウトレイヤ１０６を有する。さらに、好ましくは５ｎｍである１〜１５ｎｍの厚さでたとえばＳｉＮ又はＡ１からなる非磁性のスペーサレイヤ１０８は、リードアウトレイヤ１０６と第一のストレージレイヤ１１０との間に設けられている。第一のストレージレイヤ１１０は、好ましくは８〜３５ｎｍの厚さを有し、おそらく希土類、遷移又は他の金属、Ｓｉのような非金属等を加えた、好ましくはＴｂＦｅＣｏからなる。任意の中間レイヤ１１２は、第一のストレージレイヤ１１０と第二のストレージレイヤ１１４との間に配列されている。中間レイヤ１１２は、好ましくは５ｎｍである１〜１５ｎｍの厚さをもつ非磁性誘電体又はメタルスペーサレイヤであるか、又は０．１〜５ｎｍの厚さをもつＲｕ交換結合レイヤである場合がある。更なる代替として、第一及び第二のストレージレイヤ１１０，１１４との間に直接的な交換結合が設けられるように、中間レイヤ１１２が全く使用されない場合がある。
第二のストレージレイヤ１１４は、好ましくは１０〜１００ｎｍの厚さを有し、第一のストレージレイヤ１１０との接続において先に記載されたものに加えて、好ましくはＴｂＦｅＣｏからなる場合がある。更に、たとえばＰｔＣｏ又はＰｄＣｏ、アモルファスＲＥ−ＴＭ材料等の多層といった任意の交換バイアスレイヤ１１６が設けられ、続いてＳｉＮ又はＳｉＯ2からなり、任意のヒートシンクを含む第二の誘電体層１１８が続く場合がある。最後に、任意の第二の基板又はカバー１２０が設けられる。
第一及び第二のストレージレイヤ１１０及び１１４は、少なくとも以下の磁性を有する。
・共にキュリー温度Ｔc1及びＴc2のそれぞれよりも低い異なる補償温度Ｔco1及びＴco2を持つフェリ磁性
・内部駆動温度Ｔambient（＜〜７０℃）＜Ｔcol≠Ｔcol2＜ｍｉｎ（Ｔc1，Ｔc2）
・リードアウト温度Ｔread-out1＝Ｔco2及びＴread-out2＝Ｔcol1、レイヤ内のクロストークを回避するため、差は約１０℃よりも小さい。より大きな差は、可能性のある記憶密度を制限する。
図３は、第二の例に係るデュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクの概念的なレイヤ構造を示している。この第二の例では、リードアウトレイヤ１０６は、第一及び第二のストレージレイヤ１１０，１１４の間に配置されている。そのケースでは、レーザ入射側に最も近い第一のストレージレイヤ１１０は、約１０ｎｍよりも薄く、誘電体層１０４，１１２（光インタフェース）は、上にある第一のストレージレイヤ１１０からの信号を抑圧しつつ、リードアウトレイヤ１０６からのＫｅｒｒ信号を最大にするために調節される。
図４及び図５は、第一のメディアタイプ（図４）及び第二のメディアタイプ（図５）のそれぞれについて、リードアウトレイヤの飽和保持力ＨCとストレージレイヤの磁化Ｍとの間の温度依存性を示す図である。第一のストレージレイヤ１１０に関連する磁化曲線は実線により示され、第二のストレージレイヤ１１４に関連する磁化曲線は、破線により示されている。Ｍ1,1は、第二のストレージレイヤ１１４の補償温度Ｔco2に等しい、第一のストレージレイヤ１１０のリードアウト温度での第一のストレージレイヤ１１０の磁化を意味する。同様に、Ｍ2,2は、第一のストレージレイヤ１１０の補償温度Ｔco1に等しい、第二のストレージレイヤ１１４のリードアウト温度での第二のストレージレイヤ１１４の磁化を意味している。
提案されるリードアウトスキームによれば、第一のストレージレイヤ１１０の読み出しは、第二のストレージレイヤ１１４をその補償温度Ｔco2に加熱するため、図１のリードアウト制御回路２９０にレーザ電力を調節させることで達成される。この温度で効果的な磁化Ｍが消失するので、第二のストレージレイヤ１１４からの浮遊磁場の寄与ＨS2もまたゼロになる。したがって、第一のストレージレイヤ１１０におけるビットにより生成された浮遊磁場の寄与ＨS1のみがＭＡＭＭＯＳコピー及び拡張リードアウトプロセスをトリガする。同じ原理は、第二のストレージレイヤ１１４のリードアウトについて使用することができ、すなわち、リードアウト制御回路２９０は、第一のストレージレイヤ１１０を、ＨS1を抑圧し、第二のストレージレイヤ１１４における個別又は独立なデータのリードアウトを可能にするその補償温度Ｔco1にまで加熱するため、レーザ電力を調節又は変化させる。このシンプルなレイヤ選択方法は、光ピックアップユニット３０の光学系への変更を必要とせず、すなわちフォーカスジャンプ、収差補正がなく、エレクトロニクスにおける非常に小さな調整のみが、シングルレイヤシステムと比較して必要とされる。
このリードアウト方法から、リードアウト温度、したがって両方の補償温度は、（最大の）周囲の温度を超えるべきであることが明らかである。両方の補償温度は、最も低いストレージレイヤのキュリー温度よりも低くあるべきである。これは、キュリー温度に近い（又はキュリー温度よりも高い）リードアウト温度は、特に磁場が印加されたときにそれぞれのレイヤにおけるデータを乱すか又は消去する場合があるためである。
図４は、異なる磁場の感度をもつ交換結合されたストレージレイヤの第一のリードアウトタイプに関し、第一のストレージレイヤ１１０は、低い温度Ｔread-out1＝Ｔco2で読み出され、第二のストレージレイヤ１１４は、高い温度Ｔread-out2＝Ｔco1で読み出される。第一及び第二のストレージレイヤ１１０，１１４のキュリー温度Ｔc1及びＴc2は等しい。図５は、異なるキュリー温度による個別の、デカップルストレージレイヤの第二のリードアウトタイプに関し、第一のストレージレイヤ１１０は高い温度Ｔread-out1＝Ｔco2で読み出され、第二のストレージレイヤ１１４は、低い温度Ｔread-out2＝Ｔco1で読み出される。ここで、第一のストレージレイヤ１１０のキュリー温度Ｔc1は、第二のストレージレイヤ１１４のキュリー温度Ｔc2よりも低い。
ＭＡＭＭＯＳリードアウトプロセスを可能にするため、多数の更なる条件がレイヤスタック、リードアウトの磁気特性及びストレージレイヤ１０６，１１０，１１４の組み合わせにより達成される。
・リードアウトの間に使用される外部磁場Ｈextは、ドメインエクスパンションプロセスを駆動するために十分に強い。簡単さのため、Ｈextがストレージレイヤの両者について同じであることが好ましい（しかし必須ではない）。実用的な磁場強度は、８ｋＡ／ｍと１６ｋＡ／ｍとの間であるが、低いか又は高い場合がある。
・リードアウト温度のそれぞれで、レイヤ１０６の飽和保持力（第一のストレージレイヤ１１０のリードアウトのＨc1、第二のストレージレイヤ１１４のリードアウトのＨc2）は、印加される外部磁場よりも大きく、すなわちＨc1＞Ｈext1及びＨc2＞Ｈext2又はｍｉｎ（Ｈc1；Ｈc2）＞Ｈextである。この条件が満たされない場合、リードアウトプロセスは、ストレージレイヤにおけるデータによってのみ決定されず、すなわち、リードアウトレイヤの磁化は、データの代わりに印加された磁場に「従う」。
・リードアウトレイヤ１０６で必要とされるストレージレイヤ１１０，１１４におけるデータにより生成される浮遊磁場の最小強度は、差ＨC−Ｈextにより決定される。したがって、ＨS1＞Ｈc1−Ｈext1及びＨS2＞Ｈc2−Ｈext2である。これらの浮遊磁場は、それらのリードアウト温度でストレージレイヤ１１０，１１４のそれぞれの磁化Ｍ1,1及びＭ2,2（先に説明したように、Ｍ1,2及びＭ2,1はゼロに近い）、ストレージレイヤ１１０，１１４のそれぞれの厚さｔ１及びｔ２、並びに、ストレージレイヤ１１０，１１４とリードアウトレイヤ１０６との間のそれぞれの距離Ｄ１及びＤ２に依存する。
図６は、１０ｎｍ（実線）から５０ｎｍ（破線）の範囲に及ぶ異なるストレージレイヤの厚さｔ、及びＭ＝１００ｋＡ／ｍについて、ストレージ及びリードアウトレイヤの間の距離の関数としてストレージレイヤにおけるビットにより生成されるリードアウトレイヤ１０６における浮遊磁場の振幅ＨSを示す図である。図２に示されるように、薄いレイヤは、強い浮遊磁場ＨSを与えるが、この磁場は、より長い距離で急速に減少する。
磁化Ｍの現実的な値を想定すると、これは、図２の第一の例では、第一のストレージレイヤ１１０は、好ましくは下の第二のストレージレイヤ１１４よりも薄いことを意味する。信頼できる、高密度の記録を可能にするため、ストレージレイヤ１１０，１１４は、８ｎｍと１０ｎｍとの間の厚さを有する。密度を犠牲にして薄いレイヤが可能である。第一のストレージレイヤ１１０の典型的な値は、１０ｎｍと３５ｎｍとの間であり、第二のストレージレイヤ１１４の値は、１０ｎｍと１００ｎｍとの間にある。
図２及び図３に示される全てのレイヤは、従来の装置を使用してスパッタされる。幾つかの更なるレイヤ（典型的に１〜３）のみが、シングルレイヤＭＡＭＭＯＳディスクと比較して必要とされる。通常、厳しい耐性及び関連する球面収差の問題をもつスピンコート又はＰＳＡ（Pressure Sensitive Adhesive）スペーサレイヤの必要がない。さらに、先に述べたように、光学システムに変更が必要とされず、僅かな変更のみがエレクトロニクス、すなわち異なるストレージレイヤ１１０，１１４のリードアウトについてレーザ電力を切替えるためにリードアウト制御回路２９０に対して必要とされる。１ｋＡ／ｍのノンゼロの磁化のために許容される残余の浮遊磁場を想定すると、許容される変動が±１０℃のオーダで推定される。〜１％⇒１．５％のリードアウト電力のマージンと比較して、これはかなり寛容である。また、かかる許容される変動は、かかるディスクの製造に問題を配置しない。
以下では、図４及び図５に示されるような先の第一及び第二のメディアタイプのスタックデザインの例は、λ＝４０５及び開口数ＮＡ＝０．８５について与えられる。
［第一のリードアウトタイプ（図４）］
Figure 2007505428
 この第一のリードアウトタイプに係るスタックデザインは、以下のリードアウトパラメータを導く。Ｔco1＝１５０℃、Ｔco2＝１３０℃、Ｔc1＝Ｔc2＝２００℃、Ｈc1＝３５ｋＡ／ｍ、Ｍ1,1＝９０ｋＡ／ｍ、Ｈc2＝２５ｋＡ／ｍ、Ｍ2,2＝５０ｋＡ／ｍ、及びＨext＝１６ｋＡ／ｍ。
［第二のリードアウトタイプ（図５）］
Figure 2007505428
 この第二のリードアウトタイプに係るスタックデザインは、以下のリードアウトパラメータを導く。Ｔco1＝１５０℃、Ｔco2＝１３０℃、Ｔc1＝２００℃、Ｔc2＝２５０℃、Ｈc1＝２５ｋＡ／ｍ、Ｍ1,1＝７０ｋＡ／ｍ、Ｈc2＝３５ｋＡ／ｍ、Ｍ2,2＝９０ｋＡ／ｍ、及びＨext＝１６ｋＡ／ｍ。
たとえば切り替えされる低い温度及び高い温度をもつ他のバリエーションも可能である。
リードアウト制御の良好なソリューションは、コピーウィンドウ制御機能のための位相シフトを測定するためのウォブリングについて外部磁場Ｈextを使用すること、リードアウト制御回路２９０の制御されるパラメータとしてレーザ電力を使用することである場合がある。安定なコイル電流源を想定すると、これは内部温度を自動的に一定に保持する。しかし、現実的な汚れにより生じる温度変動のほぼ瞬間的な補正は、制御ループにおける非常に大きな利得設定を必要とし、したがって不安定な状態となる。したがって、リードアウト制御回路２９０は、ダスト又は指紋のような局所的な変動の検出に基づいて、コピーウィンドウ制御ループとは独立にレーザ電力レベルを調節するために配置される。したがって、コピーウィンドウ制御ループが高精度でコピーウィンドウのサイズを一定に保持することにおいてアクティブである間、レーザパワーは、たとえば指紋の存在にも拘らず、マグネティックストレージレイヤ１１０，１１４での温度を一定に保持するため、リードアウト制御回路２９０における個別の制御メカニズムにより調節される。後者のメカニズムの必要とされる精度は、コピーウィンドウ制御についてよりも低い。典型的に１０℃（よりも小さい）温度変動がクロストークを防止するために許容可能であるからである。コピーウィンドウ制御ループは、好ましくは磁場の振幅を調節することで、コピーウィンドウのサイズの残余の温度の「エラー」の作用を容易に対処することができる。しかし、高速な応答時間が必要とされる。
好ましくは、コピーウィンドウ制御は、ＰＬＬ帯域幅を超える周波数での小さな振幅変調であるウォブリング、及び振幅の補正の両者について使用されている外部磁場Ｈextで実行される。しかし、ウォブリング及び／又は振幅の補正のためのレーザ電力を使用した制御は、明示的に排除されない。
図７は、好適な実施の形態に係るレーザ電力調節手順のフローチャートである。リードアウト特性における局所的な変動を示す予め決定されたパラメータは、ステップＳ３０１で検出又は決定される。次いで、第一又は第二のストレージレイヤを読むためのリードアウトレーザ電力は、たとえば、第一のストレージレイヤ１１０と第二のストレージレイヤ１１４との間のクロストークを防止するため、検出又は決定されたパラメータに基づいてステップＳ３０２で調節される。ステップＳ３０１及びステップＳ３０２は、リードアウト動作が終了したかをステップＳ３０３で判定されるまで繰り返される。次いで、ステップＳ３０４で、調節されたリードアウトレーザ電力を含むリードアウトパラメータは、新たなセットポイント又はデフォルト値として記憶される。
第一の実現のオプションによれば、判定ステップＳ３０１は、たとえば位相変化リードアウトから、反射されたレーザ電力の測定に基づき、先のパラメータとして局所的な汚れを検出し、これに応じてレーザ電力を調節するために使用される。（たとえば最初のキャリブレーションの後）たとえばＰｉのレーザ電力での最初の反射された電力Ｒｉは、測定され、連続的にモニタされる。その後の測定された反射されたレーザ電力Ｒｍにおける変化は、たとえば指紋による、送信における変化となる必要がある。光はディスク１０に入り、出るので（２つのパス）、比Ｒｍ／Ｒｉは温度Ｔの平方に比例する。ディスク１０における同じ温度を維持するため、レーザ電力Ｐは、以下の式に従って調節される必要がある。
Ｐ＝Ｐｉ（Ｒｉ／Ｒｍ）（1/2） （３）
なお、１つのパスのみがストレージレイヤを加熱するために使用される。この方法が十分に高速であって、±１０℃内で正確である場合、コピーウィンドウ制御ループは、必要とされる精度でウィンドウを一定に保持する。
第二の実現のオプションによれば、較正されたリードアウトパラメータからの変動は、たとえば指紋によるものであり、低いトランスミッション及び低い温度につながるものであって、他のストレージレイヤからのクロストークを生じる。これにより、ウォブル周波数よりも高い周波数で現れ、本質的に「ランダム」、すなわちより多いか又は少ないピークではないリードアウトエラーにつながる。コピーウィンドウ制御ループからの位相エラー信号は、雑音が多いが、ｗを一定に保持するために十分に良好である場合がある。そのとき、クロストークは、誤った信号を生じ、したがって増加された誤り率を生じる。明らかに、かかる誤り率における増加は、局所的な変動の発生に関連する。したがって、コピーウィンドウ制御との組み合わせで誤り率をモニタすることは、リードアウト制御回路１９０でのレーザ電力を制御するために判定ステップＳ３０１のための有効な入力パラメータを提供する。特に、リードアウトレーザ電力は、誤り率を最小にするために調節することができる。
迅速、おそらく繰返しの調節について、電力補正ΔＰ関数又はルックアップテーブルには、ΔＰ設定対誤り率及びレーザ電力が提供される場合がある。たとえば、巡回型の冗長度のチェック（ＣＲＣ）のような既存のＥＣＣブロック又はシンプルな方法から、誤り率が得られる場合がある。非常に短時間で主要な補正が必要とされるので、誤り率の検出の速度及びロバスト性が重要である。
第三の実現のオプションは、局所的な変動の検出について、コピーウィンドウ制御ループからの位相誤差信号を使用する場合がある。通常、コピーウィンドウ制御ループがアクティブであるとき、たとえばフィンガープリントの発生は、制御されるリードパラメータにおける突然の増加（及び指紋の終わりでの減少）を生じる。ここで意図される局所的なの変動（ダスト、プリント）がない場合においてリード制御が比較的に低くかつ除々であるので（たとえば、温度又はレーザ電力ドリフトを補償するため）、（たとえば位相誤差の時間微分が規定された値を超えるとき）位相エラーにおける突然の変化の検出は、かかる変動の存在又は終わりを示す。かかる変化が検出されたとき、コピーウィンドウ制御ループはフリーズ、すなわち制御されるリードアウトパラメータＨextが固定された状態にあるとき、位相誤差を監視し続けるためにウォブリングが続く。同時に、レーザ電力は、変動を補正するために調節される。制御が再び安定であるとき、たとえば時間微分が規定された値以下であるとき、レーザ電力は再び固定され、通常のコピーウィンドウ制御が再開される。
先の実現オプション（の一部）の組み合わせは、大きなΔＰのダブルチェックするために使用することができる。たとえば、異なる方法は、ノイズ、大きなゲイン等のために異なる補正を指摘する場合、迅速な応答時間を犠牲にすることなしに、安定性を改善するために異なる方法にわたる重み付け平均である補正を使用することが有利である。代替的な可能性は、高速（しかし幾分安定性に欠ける）及び低速（しかし信頼できる）実現の混成を使用することである。一貫した結果のケースでは、「高速」な補正が使用され、さもなければ「低速」な補正が使用される。このようにして、高速及び安定性が結合される。
個別のオプションは、変動の検出の前にリードアウトパラメータを記憶し、変動の終わりが検出されたときに初期設定としてこれらの値を回復することである。
図８は、リードアウト制御回路２９０の制御信号による、結合されたリードアウトパワーとコピーウィンドウ制御機能のさらに詳細な機能ブロック図を示している。ブロック２６１〜２６５は、ＰＬＬ部分を構成し、ブロック２７４及び２７６は、ロックイン検出機能を構成しており、変調周波数による信号の乗算は、和及び差の周波数を生じ、これに応じて、ロウパスフィルタリングは、ロックインの等価であるＤＣ値を与える。破線は、好適な実施の形態の対応するリードアウト電力制御信号を示している。
図８では、図１のピックアップユニット３０から出力された検出されたＭＡＭＭＯＳランレングス信号出力は、図１のクロック発生器２６のＰＬＬ回路の位相検出器２６１に供給され、ランレングス信号の位相は、ＰＬＬ回路の電圧制御発振器（ＶＣＯ）２６３の出力信号の位相と比較される。さらに、フィードバック信号は、クロック周波数を分周して、これをレーザ電力変調のために変調回路２７９に供給するクロック分周器２７５に供給される。位相検出器２６１の出力は、ランレングス信号とフィードバック信号との間の位相差に対応するものであって、ＰＬＬ回路で位相制御される所望の周波数を抽出するためにループフィルタ２６２に供給される。ＶＣＯ２６３で回復される出力クロックは、位相検出器２６１の出力信号におけるビットの存在を検出するビット検出器２６４に供給される。検出されたビット情報は、出力データＤＯとして出力され、データに依存した磁場のスイッチング機能を実現するように、磁場を生成するための磁場１２の磁場コイルのコイルドライバ２７１を制御する磁場切り替え制御ユニット２６５に回復された出力クロックと共に供給される。変調回路２７９の出力での磁場変調（ウォブリング）は、加算回路２７８により加算され、パルスの位置を変調の符号に依存してシフトさせる。これは、その後の低い周期及びその後の高い周期における平均のパルス位置はもはやＤＣフリーではないことを意味する。
データに依存する磁場の切り替えにより、位相検出器２６１の位相誤差の高周波成分は、再生されたデータのパルス位置を含むことになる。外部の磁場Ｈextの強度がビットクロックのＭ倍よりも低い周波数で変調回路２７９の変調出力により変調されるとき、位相検出器２６１からの位相誤差は、同期した、低周波のレーザ電力誤差情報を含み、この情報は、復調又は混合回路２７４により復調され、この復調又は混合回路には、クロック分周器２７５の出力でのレーザ復調信号が供給され、ロウパスフィルタ２７６を使用して抽出される。混合回路２７４及びロウパスフィルタ２７６の組み合わせは、変調周波数の前後でのバンドパスフィルタに等価であり、すなわち「ロックイン」検出である。
初期の電力設定又は較正の間、出力データＤＯは、リードアウトレーザ電力を調節又は設定するためのパラメータとして、相関を導出するか又はエラーを測定するための制御入力として使用することができる。調節は、駆動増幅器２７７を介して電力制御信号ＬＰを図１のピックアップユニット３０のレーザダイオードに供給することで実行される。
図７に係る電力制御手順の先の第一の実現では、反射電力の測定された値Ｒｍは、たとえばルックアップテーブル等から電力制御信号ＬＰを導出するリードアウト制御回路２９０に光ピックアップユニット３０から供給される。
図７に係る電力制御手順の先の第二の実現のオプションでは、それぞれのストレージレイヤ１１０，１１４で一方が他方の上にある、同じロケーションで予め記録される場合がある第一及び第二の既知のデータパターンのリードアウト信号に関連する出力データＤＯは、たとえばルックアップテーブル等に基づいて出力データにおけるエラー量から電力制御信号ＬＰを導出するリードアウト制御回路２９０のための制御入力として使用することができる。
最後に、先の第三の実現のオプションでは、抽出された位相誤差信号は、リードアウト制御回路２９０での電力制御のための制御入力として使用することができる。導出された電力制御信号ＬＰは、図１のピックアップユニット３０のレーザダイオードに駆動増幅器２７７を介して供給される。
先に述べたように、第一〜第三の実現のオプションは、電力制御効率を改善するために組み合わせで使用される場合がある。
なお、本発明は、１以上のストレージレイヤから読み取るためにドメインエクスパンション光磁気ディスクストレージシステム用の読み取りシステムに適用される場合がある。先に提案された方法に類似したレイヤスタック及びリードアウト方法は、たとえばカード状のメディア、光スポットのアレイ及び／又は（ＧＭＲ又はＴＭＲのような）薄膜磁気センサ、若しくは、たとえばメディア内部又はメディアの近くにされるアドレス指定可能なクロスメタルワイヤのような代替的な局所加熱方法に基づいた非移動性の静止型のリードアウト原理によるシステムで使用される場合もある。
リードアウト制御回路２９０は、ハードウェア回路、又はソフトウェアにより制御されるアナログ又はデジタル処理回路により実現されるか、ディスクプレーヤを制御するための既存の制御プログラムにおける新たなルーチンとして実現される場合がある。実施の形態は、特許請求の範囲で変化する場合がある。
本発明の実施の形態に係る光磁気ディスクプレーヤを示す図である。 第一の実施の形態に係るデュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳのレイヤ構造を示す図である。 第二の実施の形態に係るデュアルストレージレイヤＭＡＭＭＯＳディスクのレイヤ構造を示す図である。 第一のリードアウトタイプについてリードアウトレイヤの飽和保持力とストレージレイヤの磁化との間の温度依存性を示す図である。 第二のリードアウトタイプについてリードアウトレイヤの飽和保持力とストレージレイヤの磁化との間の温度依存性を示す図である。 異なるストレージレイヤの厚さについてストレージレイヤとリードアウトレイヤの間の距離の関数としてリードアウトレイヤにおける浮遊磁場の振幅を示す図である。 好適な実施の形態に係るレーザパワー調整手順に関するフローチャートである。 好適な実施の形態に係る結合された電力制御とコピーウィンドウ制御回路のブロック図である。

Claims (15)

  1. 少なくとも１つのストレージレイヤとリードアウトレイヤを含む光磁気記録媒体から読み取るための読取り装置であって、リードアウトパルスにつながる拡張されたドメインは、放射電力による加熱及び外部磁場により、前記少なくとも１つのストレージレイヤから前記リードアウトレイヤにマーク領域をコピーすることで、前記リードアウトレイヤで生成され、
    当該装置は、
    前記記録媒体の読取り特性における局所的な変動の存在又は強度を示すパラメータを決定する決定手段と、
    前記決定されたパラメータに基づいて前記放射電力を制御するための制御手段と、
    を有することを特徴とする読取り装置。
  2. 前記制御手段は、コピーウィンドウ制御とは独立に放射電力制御を実行するために調節される、
    請求項１記載の読取り装置。
  3. 前記コピーウィンドウ制御は、磁場に基づいた制御又は電力に基づいた制御である、
    請求項２記載の読取り装置。
  4. 前記決定手段は、前記記録媒体で反射された放射電力、前記読取り動作から得られたリードアウト信号の誤り率、及び前記読取り動作の間にコピーウィンドウ制御回路から得られた位相誤差のうちの少なくとも１つの量から前記パラメータを導出するために調節される、
    請求項１記載の読取り装置。
  5. 前記決定手段は、前記反射された放射電力、前記誤り率、又は前記位相誤差から導出されたパラメータを通して重み付けされた平均に基づいて前記パラメータを決定するために調節される、
    請求項４記載の読取り装置。
  6. 前記制御手段は、高速の電力補正メカニズムと低速の電力補正メカニズムからなる混成を使用して前記放射電力を制御するために調節される、
    請求項１記載の読取り装置。
  7. 前記制御手段は、局所的な変動の検出の前の少なくとも１つの予め決定されたリードアウトパラメータの値を記憶し、前記局所的な変動の終わりが検出されたときに初期設定として前記値を回復するために調節される、
    請求項１記載の読取り装置。
  8. 前記制御手段は、前記パラメータを最小にするように、前記放射電力を制御するために調整される、
    請求項１記載の読取り装置。
  9. 第二のストレージレイヤとは独立に第一のストレージレイヤを読取るために調節される、
    請求項１乃至８のいずれか記載の読取り装置。
  10. 前記第一のストレージレイヤから読取るための第一の値、前記第二のストレージレイヤから読取るための第二の値に前記放射電力を設定するための設定手段をさらに有する、
    請求項９記載の読取り装置。
  11. 前記放射電力の前記第一の値は、前記第二のストレージレイヤの補償温度により決定され、前記放射電力の前記第二の値は、前記第一のストレージレイヤの補償温度により決定される、
    請求項１０記載の読取り装置。
  12. 少なくとも１つのストレージレイヤとリードアウトレイヤとを含む光磁気記録媒体を読取る方法であって、リードアウトパルスにつながる拡張されたドメインは、放射電力による加熱及び外部磁場により、前記少なくとも１つのストレージレイヤから前記リードアウトレイヤにマーク領域をコピーすることで、前記リードアウトレイヤで生成され、
    当該方法は、
    前記記録媒体の読取り特性における局所的な変動の存在又は強度を示すパラメータを決定する決定ステップと、
    前記決定されたパラメータに基づいて前記放射電力を制御する制御ステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
  13. 前記制御ステップは、コピーウィンドウを制御するステップとは独立に実行される、
    請求項１２記載の方法。
  14. 前記コピーウィンドウを制御するステップは、磁場に基づいて制御するステップ又は電力に基づいて制御するステップである、
    請求項１３記載の方法。
  15. 前記パラメータは、前記記録媒体で反射された放射電力、前記読取り動作から得られたリードアウト信号の誤り率、前記読取り動作の間にコピーウィンドウ制御回路から得られた位相誤差のうちの少なくとも１つから前記記録媒体の読取りの間に連続して導出される、
    請求項１２乃至１４のいずれか記載の方法。
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