JP2007502013A - 基板への有機分子の高温付着 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2003年7月25日出願の米国特許出願番号60/489,992の利益及び優先権を主張する、2003年7月28日出願の米国特許出願番号10/628,868号の一部係属出願である、2003年12月19日出願の米国特許出願番号10/742,596号の継続出願である。これらの出願のすべてが、完全な形で、あらゆる目的で本明細書に参照により援用されている。
本出願は、米国陸軍により授与された承認番号MDA972−01−C−0072のもと米国政府の支援でなされたものである。米国政府は、本出願にある権利を有する。
用語「酸化」は、元素、化合物または化学的置換基/サブユニットにおける1個以上の電子の喪失を指す。酸化反応では、反応に関与する元素の原子によって電子が失われる。これらの原子の電荷は、この場合、より正になるはずである。電子は、酸化を受ける化学種から失われ、そのため、酸化反応では電子が生成物のように見える。酸化反応では、「遊離」単位としての電子の見掛けの生産にもかかわらず、酸化される化学種、Fe2+(水溶液)から電子が失われるため、酸化は、Fe2+(水溶液)−−>Fe3+(水溶液)+e-の反応で発生する。逆に、還元という用語は、元素、化合物または化学的置換基/サブユニットによる1個以上の電子の獲得を指す。
「クーロメトリー装置」は、電気化学的電池への電位場(「電圧」)の印加中に生じた実効電荷を測定することができる装置である。
I.基板への有機分子の結合
本発明は、II、III、IV、VまたはVI族タイプの材料、これらのドープ異性体および/またはこれらの酸化物、ならびに/あるいは遷移金属および/または遷移金属酸化物もしくは窒化物、の表面に有機分子を共有結合的に付着させる新規アプローチに関する。ある実施形態(図1参照)において、本方法は、付着基を有する(例えば、付着基を含む、または付着基もしくは付着基を有するリンカーで誘導化された)耐熱性有機分子を提供すること;および高温(例えば、少なくとも約200℃、好ましくは少なくとも約300℃、さらに好ましくは少なくとも約400℃)でその分子を表面に接触させることを含む。耐熱性有機分子、特にレドックス活性耐熱性有機分子(例えば、ポルフィリン大員環)が、こうした条件下で表面との有効な結合(例えば、共有結合)を形成することは、驚くべき発見であった。
レドックス活性有機分子を含む多数の有機分子が、本発明の方法において適用でき、相当有効でさえあるほど耐熱性であることは、驚くべき発見であった。適する耐熱性有機分子には、典型的に、メタロセン(例えば、フェロセン)、ポルフィリン、環拡大ポルフィリン、環縮小ポルフィリン、線状ポルフィリンポリマー、ポルフィリンサンドイッチ配位錯体、およびポルフィリンアレイが含まれるが、これらに限定されない。
基板(例えば、II、III、IV、VもしくはVI族元素、半導体および/もしくは酸化物、ならびに/または遷移金属、遷移金属酸化物もしくは窒化物など)への付着を行うために、耐熱性有機分子は、一つ以上の付着基を(例えば、置換基として)有し、および/または一つまたはそれ以上の付着基に直接もしくはリンカーにより付着するように誘導化されている。
本発明の方法は、本質的にあらゆるまたはすべてのII、III、IV、VまたはVI族材料(例えば、II、III、IV、VもしくはVI族元素、半導体、および/またはそれらの酸化物)に、および/または遷移金属、遷移金属酸化物、遷移金属窒化物、遷移金属を含む合金もしくは複合材などに、有機分子を共有結合させるために適する。ある好ましい実施形態において、基板は、すべてのIII、IVもしくはV族材料(例えば、炭素、シリコン、ゲルマニウム、スズ、鉛)、ドープII、III、IV、VおよびVI族元素、または純粋もしくはドープII、III、IV、VもしくはVI族元素の酸化物、あるいは遷移金属、遷移金属酸化物または遷移金属窒化物を含む。ある好ましい実施形態において、表面は、III、IVまたはV族材料、さらに好ましくはIV族材料(酸化物、および/またはドープ変種)、さらにいっそう好ましくはシリコンもしくはゲルマニウム表面またはドープおよび/もしくは酸化シリコンもしくはゲルマニウム表面である。
ある実施形態において、基板に使用することができる材料には、Si、Ge、SiC、Ga、Au、Ag、Cu、Al、Ta、Ti、Ru、Ir、Pt、Pd、Os、Mn、Hf、Zr、V、Nb、La、Y、Gd、Sr、Ba、Cs、Cr、Co、Ni、Zn、Ga、In、Cd、Rh、Re、W、ならびにこれらの酸化物および窒化物が含まれるが、これらに限定されないことは、本明細書中の教示から理解されるであろう。
表面は、本質的にあらゆる形態をとることができる。例えば、板状基板、エッチング処理基板、別の基板上の堆積ドメインなどとして、提供されてもよい。特に好ましい形態には、固体電子工学製造プロセスにおいて一般に使用されている形態が挙げられる。
必ずしも必要でないが、ある実施形態において、表面は、使用前に例えば当業者に知られている標準的な方法を用いて清浄化される。従って、例えば、一つの好ましい実施形態において、表面は、一連の溶媒(例えば、アセトン、トルエン、アセトン、エタノールおよび水)中で超音波処理し、その後、高温(例えば、100℃)で標準的なウェハ清浄液(例えば、Piranha(硫酸:30%過酸化水素、2:1))に暴露することにより、清浄化することができる。
ある実施形態において、酸化物は、基板表面から除去することができ、また表面は、水素不動態化されていてもよい。水素不動態化ための多数のアプローチが当業者によく知られている。例えば、一つのアプローチでは、分子水素のフローを、磁場中の高密度マイクロ波プラズマに通す。この磁場は、荷電粒子による衝撃からサンプル表面を護るために役立つ。それ故、交差ビーム(CB)法は、多くの半導体デバイスにとって非常に有害であるプラズマエッチングおよび重イオン衝撃の回避を可能にする(例えば、Balmashnovら(1990)Semiconductor Science and Technology,5:242参照)。一つの特に好ましい実施形態において、不動態化は、不動態化すべき表面をフッ化アンモニウム溶液(好ましくは、酸素をスパージしたもの)と接触させることによる。
ある実施形態では、耐熱性有機分子を、基板の表面全体にわたって均一な薄膜を形成するように付着させる。他の実施形態では、前記有機分子を表面の一つ以上の別個の位置で別々に結合させる。ある実施形態では、異なる分子を表面の異なる位置で結合させる。
本発明の方法は、商業的製造作業用に容易にスケールアップされる。一つのそうしたスケールアップのアプローチを図9に図示する。この図は、気相分子付着用の2ゾーン型炉1を説明するものである。装置内では、分子粉末2が一方のゾーンに保持され、ウェハ3が別のゾーンに保持される。各ゾーンは、(例えば、単一ヒーター制御部または個別ヒーター制御部(この説明図の6および7)により独立して調整することができるヒーター4、5によって)個々に加熱することができる。各ゾーンは、必要な温度に独立して加熱ことができる。温度を変えることにより分子蒸気圧を制御することができる。このシステムでは、分子蒸気を他のゾーンのウェハに輸送するために使用することができる、ガス入口8に供給されそのオーブンを通ってガス出口9に抜ける、キャリヤガス(例えば、Ar、N2など)の使用も可能である。この炉は、このシステムをキャリヤガスの出口においてポンプで排気することにより、低圧(減圧)で操作することもできる。この低圧プロセスにより、分子蒸気圧を非常に正確に制御することができる。また、大気圧プロセスと比較して不純物の量を低減させる。
ドープまたは非ドープ基板(III、IVまたはV族元素、遷移金属、遷移金属酸化物、窒化物などを含む基板)にレドックス活性分子を結合させる本明細書に記載の方法によって、他の以前に知られている方法より高く、均一な有機分子(例えば、レドックス活性化学種)の充填が生じることは、本発明の驚くべき発見である。これは、レドックス活性分子を用いて、ボルタンメトリー測定において観察される、より高い陽極電位でのより低い酸化電流として証明することができる。加えて、サイクリックボルタンモグラムは、より鋭く、より対称的なピークを示す。
本発明の方法は、本質的にあらゆる耐熱性有機分子をII、III、IV、VまたはVI族材料表面、好ましくはIII、IVまたはV族表面および/もしくは遷移金属表面に付着させるために使用することができる。ある好ましい実施形態において、前記分子は、レドックス活性分子であり、分子メモリを形成するために使用することができる。他の好ましい実施形態において、前記分子は、本質的にあらゆる他の耐熱性分子であり得る。ある他の耐熱性分子には、限定ではないが結合パートナー(例えば、ある抗体、配位子、核酸、糖類など)が挙げられ、特定の検体を検出するためのセンサを形成することができる。
に示すようなメタロセンである。好ましい実施形態では、置換アリール基をポルフィリンに付着させ、そのアリール基上の置換基は、アリール、フェニル、シクロアルキル、アルキル、ハロゲン、アルコキシ、アルキルチオ、過フルオロアルキル、過フルオロアリール、ピリジル、シアノ、チオシアナト、ニトロ、アミノ、アルキルアミノ、アシル、スルホキシ、スルホニル、イミド、アミドおよびカルバモイルから成る群より選択される。
によって示されるポルフィリンが挙げられるが、これらに限定されない。好ましい実施形態において、XまたはL−Xは、アルコールまたはチオールである。一部の実施形態において、L−Xは、除去されて、S1またはS2の場合と同じ群から独立して選択される置換基で置きかえられてもよい。
さらに別の実施形態において、本発明は、本発明の方法を実施するための、または本発明の方法によって製造された材料を使用するためのキットを提供する。一つの実施形態において、本キットは、本発明の方法に従ってII、III、IV、VまたはVI族タイプの材料に有機分子を結合させるために使用される一つ以上の試薬を含む。こうした試薬には、材料表面を清浄化および/もしくは不動態化するための試薬、ならびに/または表面に結合させるべき有機分子、ならびに/またはその(それらの)有機分子を誘導化するための付着分子(例えば、(例えば、本明細書に記載されているように、アルコール、チオール、S−アセチルチオール、ブロモメチル、アリル、ヨードアリール、カルボキシアルデヒド、エチン、ビニル、ヒドロキシメチルなどの)付着基で有機分子を誘導化するための試薬)、ならびに/または誘導化された有機分子を表面に結合させる際に使用するための溶媒、ならびに/または誘導化された表面を洗浄するための試薬などが含まれるが、これらに限定されない。
図7は、気相分子付着の概念を証明するために使用した実験構成を図示するものである。パネル(a)に図示するように、我々は、バイアル内の一片のシリコンウェハの頂部に一滴の分子溶液(テトラヒドロフラン(THF)溶液中のレドックス活性ポルフィリン)を置いた。第二のシリコンウェハ片をその隣に置いた。その後、我々は、そのバイアルを封止し、アルゴンで数分間パージして、THFを除去/乾燥させた。これによって、第一シリコン片上には分子粉末のみが残る。そのパージの間、アルゴンフローを低く保って、分子粉末が他方のシリコンチップへと吹き飛ばされないようにした。この段階の後、バイアルを様々な温度(10〜20分間、300〜400℃)で加熱した。その後、バイアルを室温に冷まし、それらのシリコン片をジクロロメタンですすいだ。
分子エレクトロニクス分野は、半導体のバルク特性に依存するデバイスは、機構サイズがナノスケールの寸法に達すると、機能するために必要な特性を保持することができなくなるという見通しにより、駆り立てられてきた。結果として、メモリーアーキテクチャと回路素子の両方に使用するための分子ベースの電子材料の開発に大きな関心が持たれた(例えば、Kwokら,Materials Today(2002年2月),28−37;CarrollおよびGerman(2002)Angew.Chem.Int.Ed.,41:4378−4400)。この目標に向けて、我々は、分子の性質を利用して情報を記憶するデバイスの構築を目的とする計画に従事した(Rothら(2000)Vac.Sci.Technol.B 18:2359−2364; Rothら(2003)ACS Symp.Series,844:51−61; Rothら(2003)Am.Chem.Soc.,125:505−517; Liら(2002)Appl.Phys.Lett.,81:1494−1496; Liら(2003)Appl.Phys.Lett.,83:198−200.)。我々らのアプローチでは、電気活性表面に付着させたレドックス活性ポルフィリン分子の集まりが、能動記憶媒体としての役割を果たし、情報が、それらの分子の個別のレドックス状態に記憶される。我々の研究の焦点は、分子材料が半導体プラットフォームに付着しているハイブリッドアーキテクチャの開発であった。過渡期の技術としてのハイブリッド分子/半導体アーキテクチャの実現は、分子ベースの能動媒体によって生じる利益により、半導体業界の巨大な基盤に影響を及ぼす。
アルコールテザーまたはホスホネートテザーのいずれかを有する様々なレドックス分子を、スパッタリングしたW表面に付着させた。これらの表面は、付着前に酸化環境で加熱処理した。タングステン領域をフォトリソグラフィーによって規定した。付着のための分子溶液は、ベンゾニトリルに分子を溶解することにより調製した。サンプルは、付着プロセスの間、Ar2中、設定温度で保持した。堆積後、そのサンプルをテトラヒドロフラン中での超音波処理によって清浄した。プロピレンカーボネート(PC)(Aldrich、99.7%)中1.0Mのヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウム(TBAH)(Aldrich)の溶液を支持電解質として使用した。対電極を、7.0M NH4OH中で銀線を超音波処理し、それを脱イオン水およびエタノールですすぐことによって作成した。それらのサンプルをサイクリックボルタンメトリーによって測定した。それらは卓越した挙動を示した。
Claims (105)
- レドックス活性分子を表面に結合させる方法であって、
付着基を有する耐熱性有機分子を提供することと;
前記分子および/または前記表面を少なくとも約100℃の温度に加熱することと;
前記分子を前記表面に接触させることにより前記分子が前記表面への共有結合を形成することと
を含む方法。 - 前記有機分子を前記表面に電気的に結合させる、請求項1に記載の方法。
- 前記加熱が、不活性雰囲気下での加熱である、請求項1に記載の方法。
- 前記加熱が、前記分子を気相になるまで加熱することを含み、前記接触が、前記気相を前記表面に接触させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記加熱が、前記分子および/または前記表面を、前記分子が前記表面と接触しているときに、加熱することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記加熱が、前記分子を前記表面に塗布し、それと同時にまたはその後、その分子および/または表面を加熱することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記分子が、溶媒中ではない、請求項4から6のいずれかに記載の方法。
- 前記分子の前記加熱が、少なくとも約200℃の温度に前記分子を加熱することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記分子の前記加熱が、少なくとも約300℃の温度に前記分子を加熱することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記分子の前記加熱が、少なくとも約400℃の温度に前記分子を加熱することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記加熱が、CVD装置内で行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記加熱が、MBE装置内で行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記表面が、III族元素、IV族元素、V族元素、III族元素を含む半導体、IV族元素を含む半導体、V族元素を含む半導体、遷移金属、および遷移金属酸化物から成る群より選択される材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記表面が、タングステン、タンタルおよびニオブから成る群より選択される遷移金属または遷移金属の酸化物を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記表面が、Ga、Au、Ag、Cu、Al、Ta、Ti、Ru、Ir、Pt、Pd、Os、Mn、Hf、Zr、V、Nb、La、Y、Gd、Sr、Ba、Cs、Cr、Co、Ni、Zn、Ga、In、Cd、Rh、Re、W、Moから成る群より選択される金属の元素、合金、酸化物または窒化物を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記III、IVまたはV族元素が、IV族元素またはドープIV族元素である、請求項13に記載の方法。
- 前記III、IVまたはV族元素が、シリコン、ゲルマニウム、ドープシリコンおよびドープゲルマニウムから成る群より選択される、請求項16に記載の方法。
- 前記表面が、水素不動態化表面である、請求項1に記載の方法。
- 前記耐熱性分子が、ポルフィリン、ポルフィリン大員環、環拡大ポルフィリン、環縮小ポルフィリン、線状ポルフィリンポリマー、ポルフィリンサンドイッチ配位錯体、およびポルフィリンアレイから成る群より選択されるレドックス活性分子である、請求項1に記載の方法。
- 前記レドックス活性分子が、β位またはメソ位が置換されているポルフィリン大員環を含む、請求項19に記載の方法。
- 前記レドックス活性分子が、偶数または奇数正孔酸化を有するように、約50Å未満の間隔で互いに離れて保持されている等エネルギーの少なくとも二つのポルフィリンを含有するポルフィリン大員環を含み、正孔は、前記二つのポルフィリン間でホップし、前記奇数正孔酸化状態は、前記ポルフィリン大員環の別の酸化状態と異なり、区別できる、請求項19に記載の方法。
- 前記付着基がアリール官能基を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記アリール官能基が、ブロモ、ヨード、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ホルミル、ブロモメチル、ビニル、アリル、S−アセチルチオメチル、Se−アセチルセレノメチル、エチニル、2−(トリメチルシリル)エチニル、メルカプト、メルカプトメチル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、およびジヒドロキシホスホリルから成る群より選択される官能基を含む、請求項22に記載の方法。
- 前記付着基がアルキル官能基を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記アルキル付着基が、ブロモ、ヨード、ヒドロキシ、ホルミル、ビニル、メルカプト、セレニル、S−アセチルチオ、Se−アセチルセレノ、エチニル、2−(トリメチルシリル)エチニル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、およびジヒドロキシホスホリルから成る群より選択される官能基を含む、請求項24に記載の方法。
- 前記付着基が、アルコールまたはホスホネートを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記付着基が、4−(ヒドロキシメチル)フェニル、4−(S−アセチルチオメチル)フェニル、4−(Se−アセチルセレノメチル)フェニル、4−(メルカプトメチル)フェニル、4−(ヒドロセレノメチル)フェニル、4−ホルミルフェニル、4−(ブロモメチル)フェニル、4−ビニルフェニル、4−エチニルフェニル、4−アリルフェニル、4−[2−(トリメチルシリル)エチニル]フェニル、4−[2−(トリイソプロピルシリル)エチニル]フェニル、4−ブロモフェニル、4−ヨードフェニル、4−ヒドロキシフェニル、4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル、ブロモ、ヨード、ヒドロキシメチル、S−アセチルチオメチル、Se−アセチルセレノメチル、メルカプトメチル、ヒドロセレノメチル、ホルミル、ブロモメチル、クロロメチル、エチニル、ビニル、アリル、4−[2−(4−ヒドロキシメチル)フェニル)エチニル]フェニル、4−(エチニル)ビフェン−4’−イル、4−[2−(トリイソプロピルシリル)エチニル]ビフェン−4’−イル、3,5−ジエチニルフェニル、および2−ブロモエチルから成る群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 付着基を有する前記耐熱性有機分子が、5−[4−(S−アセチルチオメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(メルカプトメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(ヒドロキシメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(ヒドロキシメチル)フェニル]−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−アリルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ホルミルフェニル)−15−フェニル−10,20−ジ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ブロモメチルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−エチニルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ヨードフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ブロモフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ヒドロキシフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−エチニルフェニル)−15,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル]−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−ヨード−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−ヨードフェニル)−15,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(2−トリメチルシリル)エチニル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−エチニルフェニル)−10,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−ヨードフェニル)−10,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10,15−トリス(4−エチニルフェニル)−20−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−エチニルフェニル)−10,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−エチニルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(3−エチニルフェニル)−10,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10,15,20−テトラキス(4−エチニルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス[4−(2−(トリメチルシリル)エチニル)フェニル]−15,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(3,5−ジエチニルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、3,7−ジブロモ−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(2−トリメチルシリル)エチニル)フェニル]−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(Se−アセチルセレノメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ヨードフェニル)−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−エチニルフェニル)−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−エチニルビフェン−4’−イル)−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ビニルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ビニルフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(ヒドロキシメチル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−アリルフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−アリルフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト銅(II)、c型トリプルデッカー[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[5,15−ビス(4−エチニルフェニル)−10,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィリン]、c型トリプルデッカー[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[5−[4−[2−(4−(ヒドロキシメチル)フェニル)エチニル]フェニル]−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィリン]、5,10−ビス[4−(2−(トリイソプロピルシリル)エチニル)ビフェン−4’−イル]−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、および5,10−ビス[4−(2−(トリイソプロピルシリル)エチニル)フェニル]−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)から成る群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記接触が、前記表面の特定の領域へ有機分子を選択的に接触させ他の領域へは接触させないこと、を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記接触が、前記表面の特定の領域へ揮発有機分子を選択的に接触させ他の領域へは接触させないこと、を含む、請求項4に記載の方法。
- 前記接触が、
表面の前記有機分子が付着すべきでない領域に保護被膜を配置することと;
前記分子と表面を接触させることと;および
その保護被膜を除去して、前記有機分子のない表面の領域を生じさせることと、
を含む、請求項29に記載の方法。 - 前記接触が、表面への、前記有機分子を含む溶液または乾燥有機分子のコンタクトプリンティングを含む、請求項29に記載の方法。
- 前記接触が、表面へ前記有機分子を含む溶液または乾燥有機分子を噴霧または滴下することを含む、請求項29に記載の方法。
- 前記接触が、表面を前記分子と接触させること、その後、前記表面の選択領域をエッチングして、前記有機分子を除去することを含む、請求項29に記載の方法。
- 前記接触が、分子線エピタキシー(MBE)を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記接触が、化学蒸着法(CVD)を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記接触が、プラズマ支援蒸着法を含む、請求項36に記載の方法。
- 前記接触が、スパッタリングを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記耐熱性有機分子が、少なくとも二つの異なる耐熱性有機分子種の混合物を含み、前記加熱が、前記混合物および/または表面を加熱することを含む、請求項1に記載の方法。
- レドックス活性分子を表面に結合させる方法であって、
前記分子を気相になるまで加熱することと;
前記分子を表面に接触させることで前記レドックス活性分子が前記表面に結合することと、
を含む方法。 - 前記レドックス活性分子を表面に共有結合させる、請求項40に記載の方法。
- 前記レドックス活性分子を表面に電気的に結合させる、請求項40に記載の方法。
- 気相になるまでの前記分子の前記加熱が、少なくとも約100℃の温度へ前記分子を加熱することを含む、請求項40に記載の方法。
- 気相になるまでの前記分子の前記加熱が、少なくとも約200℃の温度へ前記分子を加熱することを含む、請求項40に記載の方法。
- 気相になるまでの前記分子の前記加熱が、少なくとも約300℃の温度へ前記分子を加熱することを含む、請求項40に記載の方法。
- 前記加熱が、CVD装置内で行われる、請求項40に記載の方法。
- 前記加熱が、MBE装置内で行われる、請求項40に記載の方法。
- 前記表面が、III族元素、IV族元素、V族元素、III族元素を含む半導体、IV族元素を含む半導体、V族元素を含む半導体、遷移金属、および遷移金属酸化物から成る群より選択される材料を含む、請求項40に記載の方法。
- 前記表面が、タングステン、タンタルおよびニオブから成る群より選択される遷移金属または遷移金属の酸化物もしくは窒化物を含む、請求項40に記載の方法。
- 前記表面が、Ga、Au、Ag、Cu、Al、Ta、Ti、Ru、Ir、Pt、Pd、Os、Mn、Hf、Zr、V、Nb、La、Y、Gd、Sr、Ba、Cs、Cr、Co、Ni、Zn、Ga、In、Cd、Rh、Re、W、Moから成る群より選択される金属の元素、合金、酸化物または窒化物を含む、請求項40に記載の方法。
- 前記III、IVまたはV族元素が、IV族元素またはドープIV族元素である、請求項49に記載の方法。
- 前記III、IVまたはV族元素が、シリコン、ゲルマニウム、ドープシリコンおよびドープゲルマニウムから成る群より選択される、請求項49に記載の方法。
- 前記表面が、水素不動態化表面である、請求項40に記載の方法。
- 前記耐熱性分子が、ポルフィリン、ポルフィリン大員環、環拡大ポルフィリン、環縮小ポルフィリン、線状ポルフィリンポリマー、ポルフィリンサンドイッチ配位錯体、およびポルフィリンアレイから成る群より選択されるレドックス活性分子である、請求項40に記載の方法。
- 前記レドックス活性分子が、β位またはメソ位が置換されているポルフィリン大員環を含む、請求項54に記載の方法。
- 前記レドックス活性分子が、偶数または奇数正孔酸化を有するように、約50Å未満の間隔で互いに離れて保持されている等エネルギーの少なくとも二つのポルフィリンを含有するポルフィリン大員環を含み、正孔は、前記二つのポルフィリン間でホップし、前記奇数正孔酸化状態は、前記ポルフィリン大員環の別の酸化状態と異なり、区別できる、請求項54に記載の方法。
- 前記付着基が、アリール官能基を含む、請求項40に記載の方法。
- 前記アリール官能基が、ブロモ、ヨード、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ホルミル、ブロモメチル、ビニル、アリル、S−アセチルチオメチル、Se−アセチルセレノメチル、エチニル、2−(トリメチルシリル)エチニル、メルカプト、メルカプトメチル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、およびジヒドロキシホスホリルから成る群より選択される官能基を含む、請求項57に記載の方法。
- 前記付着基が、アルキル官能基を含む、請求項40に記載の方法。
- 前記アルキル付着基が、ブロモ、ヨード、ヒドロキシ、ホルミル、ビニル、メルカプト、セレニル、S−アセチルチオ、Se−アセチルセレノ、エチニル、2−(トリメチルシリル)エチニル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、およびジヒドロキシホスホリルから成る群より選択される官能基を含む、請求項59に記載の方法。
- 前記付着基が、アルコールまたはホスホネートを含む、請求項40に記載の方法。
- 前記付着基が、4−(ヒドロキシメチル)フェニル、4−(S−アセチルチオメチル)フェニル、4−(Se−アセチルセレノメチル)フェニル、4−(メルカプトメチル)フェニル、4−(ヒドロセレノメチル)フェニル、4−ホルミルフェニル、4−(ブロモメチル)フェニル、4−ビニルフェニル、4−エチニルフェニル、4−アリルフェニル、4−[2−(トリメチルシリル)エチニル]フェニル、4−[2−(トリイソプロピルシリル)エチニル]フェニル、4−ブロモフェニル、4−ヨードフェニル、4−ヒドロキシフェニル、4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル、ブロモ、ヨード、ヒドロキシメチル、S−アセチルチオメチル、Se−アセチルセレノメチル、メルカプトメチル、ヒドロセレノメチル、ホルミル、ブロモメチル、クロロメチル、エチニル、ビニル、アリル、4−[2−(4−ヒドロキシメチル)フェニル)エチニル]フェニル、4−(エチニル)ビフェン−4’−イル、4−[2−(トリイソプロピルシリル)エチニル]ビフェン−4’−イル、3,5−ジエチニルフェニル、および2−ブロモエチルから成る群より選択される、請求項40に記載の方法。
- 付着基を有する前記耐熱性有機分子が、5−[4−(S−アセチルチオメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(メルカプトメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(ヒドロキシメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(ヒドロキシメチル)フェニル]−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−アリルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ホルミルフェニル)−15−フェニル−10,20−ジ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ブロモメチルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−エチニルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ヨードフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ブロモフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ヒドロキシフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−エチニルフェニル)−15,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル]−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−ヨード−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−ヨードフェニル)−15,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(2−トリメチルシリル)エチニル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−エチニルフェニル)−10,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−ヨードフェニル)−10,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10,15−トリス(4−エチニルフェニル)−20−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−エチニルフェニル)−10,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−エチニルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(3−エチニルフェニル)−10,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10,15,20−テトラキス(4−エチニルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス[4−(2−(トリメチルシリル)エチニル)フェニル]−15,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(3,5−ジエチニルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、3,7−ジブロモ−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(2−トリメチルシリル)エチニル)フェニル]−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(Se−アセチルセレノメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ヨードフェニル)−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−エチニルフェニル)−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−エチニルビフェン−4’−イル)−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ビニルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ビニルフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(ヒドロキシメチル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−アリルフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−アリルフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト銅(II)、c型トリプルデッカー[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[5,15−ビス(4−エチニルフェニル)−10,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィリン]、c型トリプルデッカー[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[5−[4−[2−(4−(ヒドロキシメチル)フェニル)エチニル]フェニル]−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィリン]、5,10−ビス[4−(2−(トリイソプロピルシリル)エチニル)ビフェン−4’−イル]−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、および5,10−ビス[4−(2−(トリイソプロピルシリル)エチニル)フェニル]−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)から成る群より選択される、請求項40に記載の方法。
- 前記接触が、揮発有機分子を表面の特定の領域へ選択的に接触させ他の領域へは接触させないことを含む、請求項40に記載の方法。
- 前記接触が、
表面の前記レドックス活性分子が付着すべきでない領域に保護被膜を配置することと;
前記分子と表面を接触させることと;
その保護被膜を除去して、前記レドックス活性分子のない表面の領域を生じさせることと
を含む、請求項64に記載の方法。 - 前記接触が表面を前記分子と接触させることと、その後表面の選択領域をエッチングして、前記有機分子を除去することとを含む、請求項64に記載の方法。
- 前記接触が、分子線エピタキシー(MBE)を含む、請求項40に記載の方法。
- 前記接触が、化学蒸着法(CVD)を含む、請求項40に記載の方法。
- 前記接触が、プラズマ支援蒸着法を含む、請求項68に記載の方法。
- 前記接触が、スパッタリングを含む、請求項40に記載の方法。
- そこに共有結合した有機分子を有する表面であって、
前記表面はIII族元素、IV族元素、V族元素、ドープIII族元素、ドープIV族元素、ドープV族元素、遷移金属、および遷移金属酸化物から成る群より選択される材料の表面を含み、
前記有機分子は請求項1に記載の方法によって前記表面に結合されている、表面。 - 前記有機分子が、レドックス活性分子である、請求項71に記載の方法。
- 前記有機分子が、ポルフィリン、ポルフィリン大員環、環拡大ポルフィリン、環縮小ポルフィリン、線状ポルフィリンポリマー、ポルフィリンサンドイッチ配位錯体、およびポルフィリンアレイから成る群より選択される、請求項72に記載の方法。
- 前記有機分子が、β位またはメソ位が置換されているポルフィリン大員環を含む、請求項72に記載の方法。
- レドックス活性分子をそこに付着させたIII、IVもしくはV族元素または遷移金属もしくは遷移金属酸化物を含むレドックス活性基板であって、
前記レドックス活性分子が、付着基によって前記III、IVまたはV族元素の表面に共有結合的に付着されており;
前記レドックス活性分子が、少なくとも約200℃の温度で安定な有機分子であり;
前記共有結合的付着が、シランによるものではない、レドックス活性基板。 - 前記レドックス活性分子が、炭素、酸素、硫黄またはセレンの原子を含むリンカーによって表面に結合している、請求項75に記載の基板。
- 前記レドックス活性分子が、ポルフィリン、ポルフィリン大員環、環拡大ポルフィリン、環縮小ポルフィリン、線状ポルフィリンポリマー、ポルフィリンサンドイッチ配位錯体、およびポルフィリンアレイから成る群より選択される、請求項75に記載の基板。
- 前記レドックス活性体が、β位またはメソ位が置換されているポルフィリン大員環を含む、請求項75に記載の基板。
- 前記付着基が、アリール官能基を含む、請求項75に記載の基板。
- 前記アリール官能基が、ブロモ、ヨード、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ホルミル、ブロモメチル、ビニル、アリル、S−アセチルチオメチル、Se−アセチルセレノメチル、エチニル、2−(トリメチルシリル)エチニル、メルカプト、メルカプトメチル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、およびジヒドロキシホスホリルから成る群より選択される官能基を含む、請求項79に記載の基板。
- 前記付着基が、アルキル官能基を含む、請求項75に記載の基板。
- 前記アルキル付着基が、ブロモ、ヨード、ヒドロキシ、ホルミル、ビニル、メルカプト、セレニル、S−アセチルチオ、Se−アセチルセレノ、エチニル、2−(トリメチルシリル)エチニル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、およびジヒドロキシホスホリルから成る群より選択される官能基を含む、請求項81に記載の基板。
- 前記付着基が、アルコールまたはホスホネートを含む、請求項75に記載の基板。
- 前記付着基が、4−(ヒドロキシメチル)フェニル、4−(S−アセチルチオメチル)フェニル、4−(Se−アセチルセレノメチル)フェニル、4−(メルカプトメチル)フェニル、4−(ヒドロセレノメチル)フェニル、4−ホルミルフェニル、4−(ブロモメチル)フェニル、4−ビニルフェニル、4−エチニルフェニル、4−アリルフェニル、4−[2−(トリメチルシリル)エチニル]フェニル、4−[2−(トリイソプロピルシリル)エチニル]フェニル、4−ブロモフェニル、4−ヨードフェニル、4−ヒドロキシフェニル、4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル、ブロモ、ヨード、ヒドロキシメチル、S−アセチルチオメチル、Se−アセチルセレノメチル、メルカプトメチル、ヒドロセレノメチル、ホルミル、ブロモメチル、クロロメチル、エチニル、ビニル、アリル、4−[2−(4−ヒドロキシメチル)フェニル)エチニル]フェニル、4−(エチニル)ビフェン−4’−イル、4−[2−(トリイソプロピルシリル)エチニル]ビフェン−4’−イル、3,5−ジエチニルフェニル、および2−ブロモエチルから成る群より選択される、請求項75に記載の基板。
- 付着基に付着している前記レドックス活性体が、5−[4−(S−アセチルチオメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(メルカプトメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(ヒドロキシメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(ヒドロキシメチル)フェニル]−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−アリルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ホルミルフェニル)−15−フェニル−10,20−ジ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ブロモメチルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−エチニルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ヨードフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ブロモフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ヒドロキシフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−エチニルフェニル)−15,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル]−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−ヨード−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−ヨードフェニル)−15,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(2−トリメチルシリル)エチニル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−エチニルフェニル)−10,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−ヨードフェニル)−10,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10,15−トリス(4−エチニルフェニル)−20−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−エチニルフェニル)−10,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(4−エチニルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,15−ビス(3−エチニルフェニル)−10,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10,15,20−テトラキス(4−エチニルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス[4−(2−(トリメチルシリル)エチニル)フェニル]−15,20−ジメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(3,5−ジエチニルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、3,7−ジブロモ−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(2−トリメチルシリル)エチニル)フェニル]−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−[4−(Se−アセチルセレノメチル)フェニル]−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ヨードフェニル)−10,20−ビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−15−メシチルポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−エチニルフェニル)−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5,10−ビス(4−エチニルビフェン−4’−イル)−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ビニルフェニル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−ビニルフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(ヒドロキシメチル)−10,15,20−トリメシチルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−アリルフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト亜鉛(II)、5−(4−アリルフェニル)−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィナト銅(II)、c型トリプルデッカー[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[5,15−ビス(4−エチニルフェニル)−10,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィリン]、c型トリプルデッカー[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[(t−ブチル)4フタロシアニナト]Eu[5−[4−[2−(4−(ヒドロキシメチル)フェニル)エチニル]フェニル]−10,15,20−トリ−p−トリルポルフィリン]、5,10−ビス[4−(2−(トリイソプロピルシリル)エチニル)ビフェニル−4’−イル]−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)、および5,10−ビス[4−(2−(トリイソプロピルシリル)エチニル)フェニル]−15,20−ビス(4−t−ブチルフェニル)ポルフィナト亜鉛(II)から成る群より選択される、請求項75に記載の基板。
- IV族元素を含む、請求項75に記載の基板。
- 前記III、IVまたはV族元素が、シリコンまたはゲルマニウムである、請求項75に記載の基板。
- ドープゲルマニウム表面を含む、請求項87に記載の基板。
- ドープシリコン表面を含む、請求項87に記載の基板。
- n型ドープシリコン表面を含む、請求項89に記載の基板。
- p型ドープシリコン表面を含む、請求項89に記載の基板。
- タングステン、タンタルおよびニオブから成る群より選択される遷移金属または遷移金属の酸化物を含む、請求項75に記載の基板。
- 前記表面が、Ga、Au、Ag、Cu、Al、Ta、Ti、Ru、Ir、Pt、Pd、Os、Mn、Hf、Zr、V、Nb、La、Y、Gd、Sr、Ba、Cs、Cr、Co、Ni、Zn、Ga、In、Cd、Rh、Re、W、Moから成る群より選択される金属の元素、合金、酸化物または窒化物を含む、請求項75に記載の基板。
- 電気化学的電池を含む、請求項75に記載の基板。
- 多数のメモリ素子を含む、請求項75に記載の基板。
- 一つ以上の集積回路素子をさらに含む、請求項75に記載の基板。
- 前記回路素子が、トランジスタ、ダイオード、論理ゲート、および整流器から成る群より選択される、請求項96に記載の基板。
- 基板上のレドックス活性分子が、その分子の酸化状態を読み取るまたはセットする装置に電気的に結合されている、請求項75に記載の基板。
- 基板上のレドックス活性分子が、ボルタンメトリー装置、アンペロメトリー装置、ポテンシオメトリー装置、クーロメトリー装置、およびインピーダンススペクトロメータから成る群より選択される装置に結合されている、請求項75に記載の基板。
- 基板上のレドックス活性分子が、正弦波電圧電流計に結合されている、請求項75に記載の基板。
- 付着基で誘導化された耐熱性有機分子を提供することと;
前記分子および/または表面を少なくとも約100℃の温度に加熱することと;
前記分子を前記表面と接触させることと
を含む方法であって、
前記表面がIII、IVもしくはV族元素または遷移金属もしくは金属酸化物を含み、前記分子を前記表面上の多数の別個の位置で接触させることで前記付着基が、前記多数の別個の位置で前記表面と共有またはイオン結合を形成する、規則分子集合体を製造する方法。 - 前記分子および/または前記表面が、少なくとも約300℃の温度に加熱される、請求項101に記載の方法。
- 前記分子および/または前記表面が、少なくとも約400℃の温度に加熱される、請求項101に記載の方法。
- 付着基で誘導化された耐熱性有機分子を収容する容器
を含む、III、IVもしくはV族タイプの材料または遷移金属もしくは遷移金属酸化物の表面に有機分子を結合するためのキット。 - 有機分子を表面にその分子および/または表面を約200℃以上の温度に加熱することによって結合させることを教示する教材をさらに含む、請求項104に記載のキット。
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