JP2007333478A - Inspection device of semiconductor integrated circuit and its inspection method - Google Patents

Inspection device of semiconductor integrated circuit and its inspection method Download PDF

Info

Publication number
JP2007333478A
JP2007333478A JP2006163805A JP2006163805A JP2007333478A JP 2007333478 A JP2007333478 A JP 2007333478A JP 2006163805 A JP2006163805 A JP 2006163805A JP 2006163805 A JP2006163805 A JP 2006163805A JP 2007333478 A JP2007333478 A JP 2007333478A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
integrated circuit
semiconductor integrated
under measurement
signal under
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006163805A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Takahashi
洋 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Original Assignee
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Electronics Co Ltd filed Critical Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority to JP2006163805A priority Critical patent/JP2007333478A/en
Publication of JP2007333478A publication Critical patent/JP2007333478A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection method and the like of a semiconductor integrated circuit capable of inspecting fundamental waves, higher harmonics and spurious power without using an expensive device. <P>SOLUTION: This inspection device includes first to third blocks A, B and C. The first block A is used for measuring power of fundamental waves of an output signal of a semiconductor integrated circuit 1, and comprises a band-pass filter 41, an A.C.-D.C. conversion circuit 61 and a voltmeter 71. The second block B is used for measuring power of predetermined higher harmonics of the output signal of the semiconductor integrated circuit 1, and comprises a band rejection filter 42, an A.C.-D.C. conversion circuit 62 and a voltmeter 72. The third block C is used for measuring spurious power included in the output signal of the semiconductor integrated circuit 1, and comprises a band rejection filter 43, a band-pass filter 81, an A.C.-D.C. conversion circuit 63 and a voltmeter 73. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路の検査装置、およびその検査方法に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit inspection apparatus and an inspection method thereof.

従来、被測定対象物である半導体集積回路に試験信号を入力し、その半導体集積回路からの出力信号に対して、基本波、高調波（ＴＨＤ）、およびスプリアスの電力（パワー）の検査を実施する場合には、スペクトラムアナライザまたはデジタイザ等の高価な装置を用いていた（例えば、特許文献１参照）。
図６は、半導体集積回路１に基準信号発生器２からの試験信号を入力し、その半導体集積回路１の出力信号に基づいてスペクトルアナライザ２００で各種の検査を行う場合である。また、図７は、半導体集積回路１に基準信号発生器２からの試験信号を入力し、その半導体集積回路１の出力信号に基づいてデジタイザ３００で各種の検査を行う場合である。
特開平７−２０９３５４号公報 Conventionally, a test signal is input to a semiconductor integrated circuit, which is an object to be measured, and the output signal from the semiconductor integrated circuit is inspected for fundamental, harmonic (THD), and spurious power. In this case, an expensive device such as a spectrum analyzer or a digitizer is used (for example, see Patent Document 1).
FIG. 6 shows a case where a test signal from the reference signal generator 2 is input to the semiconductor integrated circuit 1 and various inspections are performed by the spectrum analyzer 200 based on the output signal of the semiconductor integrated circuit 1. FIG. 7 shows a case where the test signal from the reference signal generator 2 is input to the semiconductor integrated circuit 1 and various tests are performed by the digitizer 300 based on the output signal of the semiconductor integrated circuit 1.
JP-A-7-209354

しかし、スペクトラムアナライザまたはデジタイザ等の装置は高価であり、測定に時間を要するという問題がある。
本発明の目的は、スペクトラムアナライザまたはデジタイザ等の高価な装置を用いることなく、基本波、高調波、およびスプリアスの電力の検査を行うことができる半導体集積回路の検査装置およびその検査方法を提供することにある。 However, a device such as a spectrum analyzer or a digitizer is expensive, and there is a problem that it takes time for measurement.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit inspection device and an inspection method thereof capable of inspecting fundamental, harmonic, and spurious power without using an expensive device such as a spectrum analyzer or digitizer. There is.

上記の課題を解決し本発明の目的を達成するために、本発明は以下のような構成からなる。
すなわち、第１の発明は、半導体集積回路からの被測定信号の周波数帯域を制限する帯域制限手段と、前記帯域制限手段で周波数帯域が制限された被測定信号を直流信号に変換する交流−直流変換手段と、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定する電圧測定手段と、を備えている。 In order to solve the above problems and achieve the object of the present invention, the present invention has the following configuration.
That is, the first invention is a band limiting unit that limits a frequency band of a signal under measurement from a semiconductor integrated circuit, and an AC-DC that converts the signal under measurement whose frequency band is limited by the band limiting unit into a DC signal. Conversion means, and voltage measurement means for measuring the voltage level of the DC signal converted by the AC-DC conversion means.

第２の発明は、第１の発明において、前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波を通過させる通過帯域フィルタからなり、前記交流−直流変換手段は、前記通過帯域フィルタからの出力信号を直流信号に変換するようになっており、前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、その測定に基づいて前記被測定信号の基本波の電力を検査するようにした。   In a second aspect based on the first aspect, the band limiting means comprises a passband filter that passes the fundamental wave of the signal under measurement from the semiconductor integrated circuit, and the AC-DC conversion means comprises the passband. The output signal from the filter is converted to a DC signal, and the voltage measuring means measures the voltage level of the DC signal converted by the AC-DC converting means. Based on this, the power of the fundamental wave of the signal under measurement is inspected.

第３の発明は、第１の発明において、前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波及び該基本波に係るスプリアスの通過を阻止させる阻止帯域フィルタからなり、前記交流−直流変換手段は、前記阻止帯域フィルタからの出力信号を直流信号に変換するようになっており、前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、その測定に基づいて前記被測定信号の高調波の電力を検査するようにした。   According to a third invention, in the first invention, the band limiting unit includes a fundamental wave of a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit and a stopband filter that blocks passage of a spurious related to the fundamental wave. The direct current converting means converts the output signal from the stopband filter into a direct current signal, and the voltage measuring means measures the voltage level of the direct current signal converted by the alternating current to direct current converting means; Based on the measurement, the harmonic power of the signal under measurement is inspected.

第４の発明は、第１の発明において、前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波の通過を阻止させる阻止帯域フィルタと、前記阻止帯域フィルタの出力信号のスプリアスを通過させる通過帯域フィルタとを有し、前記交流−直流変換手段は、前記通過帯域フィルタの出力信号を直流信号に変換するようになっており、前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、その測定に基づいて前記被測定信号のスプリアスの電力を検査するようにした。   In a fourth aspect based on the first aspect, the band limiting means includes a stop band filter for blocking a fundamental wave of the signal under measurement from the semiconductor integrated circuit and a spurious output signal of the stop band filter. A pass-band filter for passing, wherein the AC-DC converting means converts an output signal of the pass-band filter into a DC signal, and the voltage measuring means is the AC-DC converting means. The voltage level of the converted DC signal is measured, and the spurious power of the signal under measurement is inspected based on the measurement.

第５の発明は、第１の発明において、前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波を通過させる第１通過帯域フィルタと、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波及び該基本波に係るスプリアスの通過を阻止させる第１阻止帯域フィルタと、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波の通過を阻止させる第２阻止帯域フィルタと、前記第２阻止帯域フィルタの出力信号のスプリアスを通過させる第２通過帯域フィルタとを有し、前記交流−直流変換手段は、前記第１通過帯域フィルタ、前記第１阻止帯域フィルタ、および前記第２通過帯域フィルタの出力信号をそれぞれ直流信号に変換する第１〜第３の交流−直流変換手段を有し、前記電圧測定手段は、前記第１の交流−直流変換手段の出力信号の電圧レベルを測定する第１電圧計と、前記第２の交流−直流変換手段の出力号の電圧レベルを測定する第２電圧計と、前記第３の交流−直流変換手段の出力信号の電圧レベルを測定する第３電圧計と、を有している。   In a fifth aspect based on the first aspect, the band limiting means includes a first passband filter that passes a fundamental wave of the signal under measurement from the semiconductor integrated circuit, and a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit. A first stop band filter for blocking a fundamental wave and a spurious related to the fundamental wave; a second stop band filter for blocking a fundamental wave of a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit; and the second stop band. A second passband filter that passes a spurious of the output signal of the filter, and the AC-DC converter means outputs the first passband filter, the first stopband filter, and the second passband filter. First to third AC-DC converting means for converting each signal into a DC signal, and the voltage measuring means is a voltage level of the output signal of the first AC-DC converting means. The first voltmeter for measuring the voltage, the second voltmeter for measuring the voltage level of the output signal of the second AC-DC converter, and the voltage level of the output signal of the third AC-DC converter A third voltmeter to measure.

第６の発明は、半導体集積回路からの被測定信号に基づいて所定の検査を行う半導体集積回路の検査方法であって、前記半導体集積回路からの被測定信号の所定の周波数帯域を制限する第１ステップと、前記第１ステップで周波数帯域が制限された被測定信号を直流信号に変換する第２ステップと、前記第２ステップで変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号に係る所定の測定量を検査する第３ステップと、からなる。   A sixth invention is a semiconductor integrated circuit inspection method for performing a predetermined inspection based on a signal under measurement from a semiconductor integrated circuit, wherein the predetermined frequency band of the signal under measurement from the semiconductor integrated circuit is limited. Measuring a voltage level of the DC signal converted in the second step, a second step of converting the signal under measurement whose frequency band is limited in the first step, into a DC signal, And a third step of inspecting a predetermined measurement amount related to the signal under measurement based on the measurement.

第７の発明は、第６の発明において、前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号から基本波を抽出し、前記第２ステップでは、その抽出した基本波に係る信号を直流信号に変換し、前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号の基本波の電力を検査するようにした。   In a sixth aspect based on the sixth aspect, the first step receives a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit, extracts a fundamental wave from the received signal under measurement, and the second step The extracted signal related to the fundamental wave is converted into a DC signal, and in the third step, the voltage level of the converted DC signal is measured with a voltmeter, and the fundamental wave power of the signal under measurement is measured based on this measurement. Was inspected.

第８の発明は、第６の発明において、前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号から所定の高調波を抽出し、前記第２ステップでは、その抽出した高調波に係る信号を直流信号に変換し、前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号の高調波の電力を検査するようにした。   In an eighth aspect based on the sixth aspect, in the first step, in the first step, a signal under measurement is received from the semiconductor integrated circuit, and a predetermined harmonic is extracted from the received signal under measurement. In the second step, Then, the extracted harmonic signal is converted into a DC signal, and in the third step, the voltage level of the converted DC signal is measured with a voltmeter, and based on this measurement, the harmonic of the signal under measurement is measured. Inspected the power.

第９の発明は、第６の発明において、前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号に係る所定のスプリアスを抽出し、前記第２ステップでは、その抽出したスプリアスに係る信号を直流信号に変換し、前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを測定し、この測定に基づいて前記被測定信号のスプリアスの電力を検査するようにした。   In a ninth aspect based on the sixth aspect, in the first step, the signal to be measured is received from the semiconductor integrated circuit, and a predetermined spurious related to the received signal to be measured is extracted. In the second step, The extracted spurious signal is converted into a DC signal, and in the third step, the voltage level of the converted DC signal is measured, and the spurious power of the signal under test is inspected based on this measurement. I did it.

第１０の発明は、第６の発明において、前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号に基づき、その被測定信号の基本波、所定の高調波、および所定のスプリアスをそれぞれ抽出し、前記第２ステップでは、前記第１ステップで抽出された基本波、高調波、およびスプリアスに係る各信号を直流信号にそれぞれ変換し、前記第３ステップでは、その変換された各直流信号の電圧レベルを電圧計でそれぞれ測定し、この各測定に基づいて前記被測定信号の基本波、所定の高調波、および所定のスプリアスの各電力の検査をするようにした。   In a tenth aspect based on the sixth aspect, in the first step, in the first step, a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit is received, and based on the received signal under measurement, the fundamental wave of the signal under measurement has a predetermined harmonic. In the second step, the fundamental wave, the harmonic, and the spurious signals extracted in the first step are converted into DC signals, respectively, and in the third step, The voltage level of each converted DC signal is measured with a voltmeter, and the fundamental wave, the predetermined harmonic, and the predetermined spurious power of the signal under test are inspected based on each measurement. I made it.

このように、本発明では、半導体集積回路からの被測定信号の周波数帯域を制限し、この帯域制限された被測定信号を直流信号に変換するようにしたので、この変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて各種の測定量を容易に検査できる。このため、従来のようにスペクトラムアナライザまたはデジタイザ等を使用する場合に比べ、その被測定信号の基本波、高調波、およびスプリアスの電力（パワー）測定が容易になる。
さらに、本発明によれば、電圧計は、スペクトラムアナライザまたはデジタイザ等の装置に対して測定が短時間でできるので、検査に要する全体の時間を短縮ができる。 Thus, in the present invention, the frequency band of the signal under measurement from the semiconductor integrated circuit is limited, and the band-limited signal under measurement is converted into a DC signal. The level is measured with a voltmeter, and various measurement quantities can be easily inspected based on this measurement. This makes it easier to measure the fundamental wave, harmonics and spurious power of the signal under measurement, compared to the conventional case where a spectrum analyzer or digitizer is used.
Furthermore, according to the present invention, since the voltmeter can measure in a short time with respect to a device such as a spectrum analyzer or a digitizer, the total time required for the inspection can be shortened.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の半導体集積回路の検査装置、およびその検査方法の実施形態を説明する図である。
この実施形態に係る検査装置および検査方法は、図１に示すように、半導体集積回路１を被検査対象とするものであり、半導体集積回路１からの被測定信号（以下、出力信号という）について各種の検査を行う。
ここで、半導体集積回路１は、その入力端子側に基準信号発生器２から所定の試験信号（テスト信号）が供給され、その出力端子側からその試験信号に応じた出力信号が取り出されるようになっている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of a semiconductor integrated circuit inspection apparatus and inspection method according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the inspection apparatus and the inspection method according to this embodiment are intended to be inspected for a semiconductor integrated circuit 1, and a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit 1 (hereinafter referred to as an output signal). Perform various tests.
Here, the semiconductor integrated circuit 1 is supplied with a predetermined test signal (test signal) from the reference signal generator 2 on the input terminal side, and an output signal corresponding to the test signal is taken out from the output terminal side. It has become.

（検査装置の構成の概要）
このために、この実施形態に係る検査装置は、図１に示すように、半導体集積回路１からの出力信号に基づき、所定の３種類の検査（テスト）を行うために第１〜第３のブロックＡ、Ｂ、Ｃを備えている。
第１ブロックＡは、半導体集積回路１の出力信号の基本波（基本波成分）の電力を測定するものであり、アンプ（増幅器）３と、通過帯域フィルタ４１と、アンプ５１と、交流−直流変換回路６１と、電圧計７１とを備えている。
第２ブロックＢは、半導体集積回路１の出力信号の所定の高調波（高調波成分）の電力を測定するものであり、アンプ３と、阻止帯域フィルタ４２と、アンプ５２と、交流−直流変換回路６２と、電圧計７２とを備えている。 (Outline of configuration of inspection equipment)
For this purpose, the inspection apparatus according to the present embodiment, as shown in FIG. 1, performs first to third inspections in order to perform predetermined three types of inspections (tests) based on output signals from the semiconductor integrated circuit 1. Blocks A, B, and C are provided.
The first block A is for measuring the power of the fundamental wave (fundamental wave component) of the output signal of the semiconductor integrated circuit 1, and includes an amplifier 3, a passband filter 41, an amplifier 51, and AC-DC. A conversion circuit 61 and a voltmeter 71 are provided.
The second block B is for measuring the power of a predetermined harmonic (harmonic component) of the output signal of the semiconductor integrated circuit 1, and includes an amplifier 3, a stop band filter 42, an amplifier 52, and AC-DC conversion. A circuit 62 and a voltmeter 72 are provided.

第３ブロックＣは、半導体集積回路１の出力信号に含まれるスプリアス（スプリアス成分）の電力を測定するものであり、アンプ３と、阻止帯域フィルタ４３と、アンプ５３と、通過帯域フィルタ８１と、アンプ９１と、交流−直流変換回路６３と、電圧計７３とを備えている。
なお、これらのブロックＡ〜Ｃは、小型化などを図るために、１つのモジュール１０内に納めるようにしても良い。この場合には、アンプ３には半導体集積回路１の出力信号を入力する入力端子を設け、交流−直流変換回路６１〜６３には電圧計７１〜７３とそれぞれ接続する出力端子を設ければ、両者の接続が容易になる。 The third block C is for measuring the power of spurious (spurious component) included in the output signal of the semiconductor integrated circuit 1, and includes an amplifier 3, a stopband filter 43, an amplifier 53, a passband filter 81, An amplifier 91, an AC-DC conversion circuit 63, and a voltmeter 73 are provided.
These blocks A to C may be accommodated in one module 10 in order to reduce the size and the like. In this case, if the amplifier 3 is provided with an input terminal for inputting the output signal of the semiconductor integrated circuit 1, and the AC-DC conversion circuits 61 to 63 are provided with output terminals connected to the voltmeters 71 to 73, respectively. The connection between the two becomes easy.

アンプ３は、半導体集積回路１の出力電力を増幅するものであり、ブロックＡ〜Ｃに共通に使用されるようになっている。
フィルタ４１〜４３およびフィルタ８１は、ブロックＡ〜Ｃにおいて、測定対象とする信号の周波数帯域をそれぞれ制限するものである。これらのフィルタとしては、通過帯域フィルタおよび阻止帯域フィルタを使用するが、いずれも中心周波数、減衰量を測定目的に合わせて調整しやすいＬＣフィルタを用いることが好ましい。ＬＣフィルタは、インダクタとキャパシタを組み合わせて構成するフィルタである。 The amplifier 3 amplifies the output power of the semiconductor integrated circuit 1 and is commonly used for the blocks A to C.
The filters 41 to 43 and the filter 81 limit the frequency bands of signals to be measured in the blocks A to C, respectively. As these filters, a passband filter and a stopband filter are used, and it is preferable to use an LC filter that easily adjusts the center frequency and the attenuation amount according to the measurement purpose. The LC filter is a filter configured by combining an inductor and a capacitor.

その他のフィルタとして、弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）またはＯＰアンプやトランジスタなどの能動素子と、抵抗、コンデンサ、コイルを組み合わせることによって構成するアクティブフィルタを用いても構わない。
アンプ５１〜５３、およびアンプ９１は、ブロックＡ〜Ｃにおける信号の損失を補うためにフィルタ４１〜４３などからの出力信号を増幅し、交流−直流変換回路６１〜６３での交流から直流変換後の直流信号の出力レベルを調節するためのものである。 As another filter, an active filter configured by combining a surface acoustic wave filter (SAW filter) or an active element such as an OP amplifier or a transistor with a resistor, a capacitor, and a coil may be used.
The amplifiers 51 to 53 and the amplifier 91 amplify output signals from the filters 41 to 43 in order to compensate for signal loss in the blocks A to C, and after DC conversion from AC in the AC-DC conversion circuits 61 to 63. This is for adjusting the output level of the DC signal.

交流−直流変換回路６１〜６３は、ブロックＡ〜Ｃにおいて、交流信号を直流信号に変換するものである。この交流−直流変換回路６１〜６３には、モジュールを小型化するためにショットキーバリアダイオードを用いた検波回路が好ましい。また、ＲＭＳ−ＤＣコンバータ等を用いても構わない。
電圧計７１〜７３は、プロックＡ〜Ｃにおいて、交流−直流変換回路６１〜６３の各出力である直流信号の電圧レベルを測定するものである。
なお、アンプ３は、図示のように設けても良いが、省略することも可能である。半導体集積回路１とアンプ３との間は、ＳＭＡコネクタ等の高周波用のコネクタと同軸ケーブルとで結線されている。 The AC-DC conversion circuits 61 to 63 convert AC signals into DC signals in the blocks A to C. For the AC-DC conversion circuits 61 to 63, a detection circuit using a Schottky barrier diode is preferable in order to reduce the size of the module. Further, an RMS-DC converter or the like may be used.
The voltmeters 71 to 73 measure voltage levels of DC signals that are outputs of the AC-DC conversion circuits 61 to 63 in the blocks A to C, respectively.
The amplifier 3 may be provided as shown, but may be omitted. The semiconductor integrated circuit 1 and the amplifier 3 are connected by a high frequency connector such as an SMA connector and a coaxial cable.

（各ブロックの構成の詳細）
次に、第１ブロックＡ、第２ブロックＢ、および第３ブロックの各構成要素について、さらに具体的にその構成などを説明する。
まず、第１ブロックＡの構成要素について、図面を参照して説明する。
通過帯域フィルタ４１は、アンプ３の出力信号の基本波（基本波成分）のみを通過させるフィルタであり、その周波数の通過帯域幅は基本波の周波数に応じて任意に設定可能であり、例えば基本波の周波数の１．５％程度とする。 (Details of each block configuration)
Next, the configuration of each component of the first block A, the second block B, and the third block will be described more specifically.
First, the components of the first block A will be described with reference to the drawings.
The passband filter 41 is a filter that passes only the fundamental wave (fundamental wave component) of the output signal of the amplifier 3, and the passband width of the frequency can be arbitrarily set according to the frequency of the fundamental wave. The frequency is about 1.5% of the wave frequency.

ここで、アンプ３の出力信号の周波数スペクトルの一例を示すと、図２（Ａ）に示すようになる。同図によれば、出力信号の成分は、基本波１００、その基本波１００の２倍の周波数からなる２次高調波１０１、その基本波１００の３倍の周波数からなる３次高調波１０２、および基本波１００の近傍の表れる不要な成分であるスプリアス１０３などからなる。   Here, an example of the frequency spectrum of the output signal of the amplifier 3 is as shown in FIG. According to the figure, the components of the output signal are the fundamental wave 100, the second harmonic 101 having a frequency twice that of the fundamental wave 100, the third harmonic 102 having a frequency three times that of the fundamental wave 100, And spurious 103 that is an unnecessary component that appears in the vicinity of the fundamental wave 100.

そして、通過帯域フィルタ４１の出力信号の周波数スペクトルは、図２（Ｂ）に示すようになる。同図によれば、アンプ３の出力信号からその基本波１００のみが抽出されることがわかる。
アンプ５１は、通過帯域フィルタ４１の出力信号を増幅するものである。これにより、通過帯域フィルタ４１からの出力信号のレベルが微小な場合でも、最終的に出力される直流信号レベル（ＤＣレベル）は測定に充分なものが得られ、その最終出力に基づいて電力の測定ができる。 The frequency spectrum of the output signal of the passband filter 41 is as shown in FIG. As can be seen from the figure, only the fundamental wave 100 is extracted from the output signal of the amplifier 3.
The amplifier 51 amplifies the output signal of the passband filter 41. As a result, even when the level of the output signal from the passband filter 41 is very small, the DC signal level (DC level) that is finally output is sufficient for measurement, and the power level is determined based on the final output. Can measure.

ここで、アンプ３とアンプ５１を直列に接続する構成が考えられる。しかし、この実施形態では、図１に示すように、アンプの発振を防止する目的で、アンプ３とアンプ５１との間に通過帯域フィルタ４１を挿入するようにした。
交流−直流変換回路６１は、通過帯域フィルタ４１及びアンプ５１を通過した後の信号の振幅レベルに依存した直流電圧を出力する。この直流電圧の一例を示すと、例えば図３にようになる。 Here, a configuration in which the amplifier 3 and the amplifier 51 are connected in series is conceivable. However, in this embodiment, as shown in FIG. 1, the passband filter 41 is inserted between the amplifier 3 and the amplifier 51 for the purpose of preventing the oscillation of the amplifier.
The AC-DC conversion circuit 61 outputs a DC voltage depending on the amplitude level of the signal after passing through the passband filter 41 and the amplifier 51. An example of this DC voltage is shown in FIG. 3, for example.

電圧計７１は、交流−直流変換回路６１の出力電圧を測定するようになっている。そして、その測定電圧の大小に基づき、半導体集積回路１の出力信号の基本波１００の電力の検査を行う。
すなわち、交流−直流変換回路６１の出力電圧（電圧計７１の測定電圧）と、そのときの基本波１００の電力の値とは、例えば図３に示すような関係にある。そこで、電圧計７１の測定電圧に基づき、例えば、検査者がその関係を用いて半導体集積回路１の出力信号の基本波１００の電力の検査を行う。 The voltmeter 71 measures the output voltage of the AC-DC conversion circuit 61. Based on the magnitude of the measured voltage, the power of the fundamental wave 100 of the output signal of the semiconductor integrated circuit 1 is inspected.
That is, the output voltage of the AC-DC conversion circuit 61 (measured voltage of the voltmeter 71) and the power value of the fundamental wave 100 at that time have a relationship as shown in FIG. 3, for example. Therefore, based on the measured voltage of the voltmeter 71, for example, the inspector uses the relationship to inspect the power of the fundamental wave 100 of the output signal of the semiconductor integrated circuit 1.

なお、電圧計７１を以下のように構成するようにしても良い。すなわち、電圧計７１が、その測定電圧とその電力値に対応するテーブルを有し、交流−直流変換回路６１の出力電圧を測定すると、テーブルを参照してその測定電圧に対応する電力値を読み出し、この読み出した電力値を表示するようにしても良い。
ここで、良品、不良品の判定をする閾値（電圧値）をテストプログラムに反映させることにより自動的に良品、不良品を振り分けることができ、効率的に検査が可能となる。図３のグラフを用いると、半導体集積回路の保証している電力値から保証している電力値に相当する電圧値を決めることができ、その電圧値を良品、不良品の判定をする閾値（電圧値）とする。 The voltmeter 71 may be configured as follows. That is, the voltmeter 71 has a table corresponding to the measurement voltage and the power value, and when the output voltage of the AC-DC conversion circuit 61 is measured, the power value corresponding to the measurement voltage is read with reference to the table. The read power value may be displayed.
Here, by reflecting a threshold value (voltage value) for determining good products and defective products in the test program, the non-defective products and defective products can be automatically distributed, and inspection can be performed efficiently. Using the graph of FIG. 3, a voltage value corresponding to the guaranteed power value can be determined from the guaranteed power value of the semiconductor integrated circuit, and the voltage value is a threshold value for determining whether the product is good or defective ( Voltage value).

次に、第２ブロックＢの構成要素について、図面を参照して説明する。
阻止帯域フィルタ４２は、アンプ３からの出力信号の基本波およびスプリアスの通過を阻止するフィルタであり、阻止帯域幅は基本波の周波数に応じて任意に設定可能であり、例えば基本波の周波数の１．５％程度とする。
阻止帯域フィルタ４２の出力信号の周波数スペクトルの一例を、図２（Ｃ）に示す。同図によれば、アンプ３からの出力信号からその基本波１００およびスプリアス１０３が除去され、２次高調波１０１および３次高調波１０２が抽出される。 Next, the components of the second block B will be described with reference to the drawings.
The stopband filter 42 is a filter that blocks the passage of the fundamental wave and spurious signals of the output signal from the amplifier 3, and the stopband width can be arbitrarily set according to the frequency of the fundamental wave. About 1.5%.
An example of the frequency spectrum of the output signal of the stopband filter 42 is shown in FIG. According to the figure, the fundamental wave 100 and the spurious 103 are removed from the output signal from the amplifier 3, and the second harmonic 101 and the third harmonic 102 are extracted.

アンプ５２は、帯域阻止フィルタ４２の出力信号を増幅するものである。これにより、帯域阻止フィルタ４２からの出力信号のレベルが微小な場合でも、最終的に出力されるＤＣレベルは測定に充分なものが得られ、その最終出力に基づいて電力の測定ができる。
ここで、アンプ３とアンプ５２を直列に接続する構成が考えられる。しかし、この実施形態では、図１に示すように、アンプの発振を防止する目的で、アンプ３とアンプ５２との間に帯域阻止フィルタ４２を挿入するようにした。 The amplifier 52 amplifies the output signal of the band rejection filter 42. Thereby, even when the level of the output signal from the band rejection filter 42 is very small, the DC level finally output is sufficient for measurement, and the power can be measured based on the final output.
Here, a configuration in which the amplifier 3 and the amplifier 52 are connected in series is conceivable. However, in this embodiment, as shown in FIG. 1, the band rejection filter 42 is inserted between the amplifier 3 and the amplifier 52 for the purpose of preventing the oscillation of the amplifier.

交流−直流変換回路６２は、阻止帯域フィルタ４２及びアンプ５２を通過した後の信号、すなわち、図４に示すように２次高調波１０１と３次高調波１０２との合成波の振幅レベルに依存した直流電圧を出力する。
電圧計７２は、その直流電圧を測定するようになっている。そして、その測定電圧の大小に基づき、半導体集積回路１の出力信号に含まれる２次高調波１０１と３次高調波の電力の検査を行う。 The AC-DC conversion circuit 62 depends on the signal after passing through the stopband filter 42 and the amplifier 52, that is, the amplitude level of the combined wave of the second harmonic 101 and the third harmonic 102 as shown in FIG. Output DC voltage.
The voltmeter 72 measures the DC voltage. Then, based on the magnitude of the measured voltage, the power of the second harmonic 101 and the third harmonic included in the output signal of the semiconductor integrated circuit 1 is inspected.

すなわち、交流−直流変換回路６２の出力電圧（電圧計７２の測定電圧）と、そのときの高調波の電力の値とは、上記の場合と同様に一定の相関関係がある。そこで、電圧計７２の測定電圧に基づき、例えば、検査者がその関係を用いて半導体集積回路１の出力信号に含まれる２次高調波１０１と３次高調波の電力の検査を行う。
なお、電圧計７２を以下のように構成するようにしても良い。すなわち、電圧計７２が、例えばその測定電圧とその高周波の電力値に対応するテーブルを有し、交流−直流変換回路６２の出力電圧を測定すると、そのテーブルを参照してその測定電圧に対応する電力値を読み出し、この読み出した高周波の電力値を表示するようにしても良い。 That is, the output voltage of the AC-DC conversion circuit 62 (measured voltage of the voltmeter 72) and the value of the harmonic power at that time have a certain correlation as in the above case. Therefore, based on the measured voltage of the voltmeter 72, for example, the inspector uses the relationship to inspect the power of the second harmonic 101 and the third harmonic included in the output signal of the semiconductor integrated circuit 1.
The voltmeter 72 may be configured as follows. That is, the voltmeter 72 has, for example, a table corresponding to the measurement voltage and the high-frequency power value, and when the output voltage of the AC-DC conversion circuit 62 is measured, the table is referred to correspond to the measurement voltage. The power value may be read out and the read out high frequency power value may be displayed.

次に、第３ブロックＣの構成要素について、図面を参照して説明する。
阻止帯域フィルタ４３は、アンプ３の出力信号から基本波のみの通過を阻止するフィルタであり、阻止帯域幅は基本波の周波数に応じて任意に設定可能であるが、例えば基本波の周波数の０．５％程度とした。
阻止帯域フィルタ４３の出力信号の周波数スペクトルの一例を、図２（Ｄ）に示す。同図によれば、アンプ３からの出力信号からその基本波１００のみが除去され、２次高調波１０１、３次高調波１０２、およびスプリアス１０３が抽出される。 Next, the components of the third block C will be described with reference to the drawings.
The stopband filter 43 is a filter that blocks the passage of only the fundamental wave from the output signal of the amplifier 3, and the stopband width can be arbitrarily set according to the fundamental wave frequency. About 5%.
An example of the frequency spectrum of the output signal of the stopband filter 43 is shown in FIG. According to the figure, only the fundamental wave 100 is removed from the output signal from the amplifier 3, and the second harmonic 101, the third harmonic 102, and the spurious 103 are extracted.

アンプ５３は、阻止帯域フィルタ４３の出力信号を増幅するものである。
通過帯域フィルタ８１は、アンプ５３の出力信号から２次高調波以上の周波数成分を除去するためのものである。通過帯域フィルタ８１の出力信号の周波数スペクトルの一例を、図２（Ｅ）に示す。同図によれば、アンプ５３の出力信号から２次高調波１０１、３次高調波１０２が除去され、スプリアス１０３のみとなる。これにより、２次高調波未満の未知の周波数成分が検出できる。 The amplifier 53 amplifies the output signal of the stop band filter 43.
The passband filter 81 is for removing frequency components higher than the second harmonic from the output signal of the amplifier 53. An example of the frequency spectrum of the output signal of the passband filter 81 is shown in FIG. According to the figure, the second harmonic 101 and the third harmonic 102 are removed from the output signal of the amplifier 53, and only the spurious 103 is obtained. Thereby, an unknown frequency component less than the second harmonic can be detected.

アンプ９１は、阻止帯域フィルタ４３の出力信号を増幅するものである。
ここで、アンプ３とアンプ５３を直列に接続する構成が考えられる。しかし、この実施形態では、図１に示すように、アンプの発振を防止する目的で、アンプ３とアンプ５３の間に阻止帯域フィルタ４３を挿入する構成とした。また、アンプ５３とアンプ９１間にも上述と同様の理由で通過帯域フィルタ８１を挿入した。 The amplifier 91 amplifies the output signal of the stop band filter 43.
Here, a configuration in which the amplifier 3 and the amplifier 53 are connected in series can be considered. However, in this embodiment, as shown in FIG. 1, a stop band filter 43 is inserted between the amplifier 3 and the amplifier 53 for the purpose of preventing the oscillation of the amplifier. Further, a passband filter 81 is inserted between the amplifier 53 and the amplifier 91 for the same reason as described above.

交流−直流変換回路６３は、通過帯域フィルタ８１及びアンプ９１を通過した後の信号、すなわち、図２（Ｅ）に示すスプリアス１０３の振幅レベルに依存した直流電圧を出力する。この直流電圧の一例を示すと、例えば図５に示すようになる。
電圧計７３は、交流−直流変換回路６３の出力電圧を測定するようになっている。そして、その測定電圧の大小に基づき、半導体集積回路１の出力信号に係るスプリアスの有無の検査を行う。 The AC-DC conversion circuit 63 outputs a signal after passing through the passband filter 81 and the amplifier 91, that is, a DC voltage depending on the amplitude level of the spurious 103 shown in FIG. An example of this DC voltage is shown in FIG. 5, for example.
The voltmeter 73 measures the output voltage of the AC-DC conversion circuit 63. Based on the magnitude of the measured voltage, the presence / absence of spurious related to the output signal of the semiconductor integrated circuit 1 is inspected.

すなわち、交流−直流変換回路６３の出力電圧（電圧計７３の測定電圧）と、そのときのスプリアス１０３の電力の値とは、例えば図５に示すような関係にある。そこで、電圧計７３の測定電圧に基づき、例えば、検査者がその関係を用いて半導体集積回路１の出力信号に係るスプリアスの有無の検査を行う。
なお、電圧計７３を以下のように構成するようにしても良い。すなわち、電圧計７３は、例えばその測定電圧とその電力値に対応するテーブルを有し、交流−直流変換回路６３の出力電圧を測定すると、そのテーブルを参照してその測定電圧に対応する電力値を読み出し、この読み出した電力値を表示するようにしても良い。 That is, the output voltage of the AC-DC conversion circuit 63 (measured voltage of the voltmeter 73) and the power value of the spurious 103 at that time have a relationship as shown in FIG. Therefore, based on the measured voltage of the voltmeter 73, for example, an inspector performs an inspection for the presence or absence of spurious related to the output signal of the semiconductor integrated circuit 1 using the relationship.
The voltmeter 73 may be configured as follows. That is, the voltmeter 73 has a table corresponding to the measured voltage and the power value, for example, and when the output voltage of the AC-DC conversion circuit 63 is measured, the power value corresponding to the measured voltage is referred to the table. And the read power value may be displayed.

（検査方法）
次に、本発明の半導体集積回路の検査方法について、図１に示す検査装置を使用した場合を例に、図１〜図５を参照して説明する。
この検査方法では、図１に示すように、被検査対象である半導体集積回路１の入力端子には、基準信号発生器２からの所定の試験信号が供給され、半導体集積回路１の出力端子からはその試験信号に応じた出力信号が出力され、この出力信号はアンプ３で電力増幅される。 (Inspection method)
Next, a method for inspecting a semiconductor integrated circuit according to the present invention will be described with reference to FIGS.
In this inspection method, as shown in FIG. 1, a predetermined test signal from the reference signal generator 2 is supplied to the input terminal of the semiconductor integrated circuit 1 to be inspected, and from the output terminal of the semiconductor integrated circuit 1. Outputs an output signal corresponding to the test signal, and the output signal is amplified by the amplifier 3.

アンプ３の出力信号の周波数スペクトルの一例を示すと、図２（Ａ）に示すようになる。同図によれば、その出力信号の成分は、基本波１００、その基本波１００の２倍の周波数からなる２次高調波１０１、その基本波１００の３倍の周波数からなる３次高調波１０２、および基本波１００の近傍の表れる不要な成分であるスプリアス１０３からなる。
アンプ３の出力信号は、ブロックＡ〜Ｃの各フィルタ４１〜４３に供給され、それぞれ測定量に応じて周波数の帯域制限を受ける。 An example of the frequency spectrum of the output signal of the amplifier 3 is as shown in FIG. According to the figure, the components of the output signal are the fundamental wave 100, the second harmonic 101 having a frequency twice that of the fundamental wave 100, and the third harmonic 102 having a frequency three times that of the fundamental wave 100. , And spurious 103 which is an unnecessary component appearing in the vicinity of the fundamental wave 100.
The output signal of the amplifier 3 is supplied to each of the filters 41 to 43 of the blocks A to C, and is subjected to frequency band limitation according to the measurement amount.

すなわち、通過帯域フィルタ４１では、アンプ３の出力信号から基本波のみが通過し、他の成分は通過が阻止される。このため、通過帯域フィルタ４１の出力信号の周波数スペクトルは、図２（Ｂ）に示すようになる。同図によれば、アンプ３の出力信号からその基本波１００のみが抽出されることがわかる。
また、阻止帯域フィルタ４２では、アンプ３からの出力信号の基本波およびスプリアスの通過が阻止される。このため、阻止帯域フィルタ４２の出力信号の周波数スペクトルは、図２（Ｃ）に示すようになる。同図によれば、アンプ３からの出力信号からその基本波１００およびスプリアス１０３が除去され、２次高調波１０１、および３次高調波１０２が抽出されることがわかる。 That is, in the passband filter 41, only the fundamental wave passes from the output signal of the amplifier 3, and the other components are blocked from passing. For this reason, the frequency spectrum of the output signal of the passband filter 41 is as shown in FIG. As can be seen from the figure, only the fundamental wave 100 is extracted from the output signal of the amplifier 3.
Further, the stop band filter 42 prevents the fundamental wave and spurious signal from passing through the amplifier 3 from passing. Therefore, the frequency spectrum of the output signal of the stopband filter 42 is as shown in FIG. According to the figure, it is understood that the fundamental wave 100 and the spurious 103 are removed from the output signal from the amplifier 3, and the second harmonic 101 and the third harmonic 102 are extracted.

さらに、阻止帯域フィルタ４３では、アンプ３の出力信号から基本波のみの通過が阻止される。このため、阻止帯域フィルタ４３の出力信号の周波数スペクトルは、図２（Ｄ）に示すようになる。同図によれば、アンプ３からの出力信号からその基本波１００のみが除去され、２次高調波１０１、３次高調波１０２、およびスプリアス１０３が抽出されることがわかる。   Further, the stop band filter 43 blocks only the fundamental wave from the output signal of the amplifier 3. Therefore, the frequency spectrum of the output signal of the stopband filter 43 is as shown in FIG. As can be seen from the figure, only the fundamental wave 100 is removed from the output signal from the amplifier 3, and the second harmonic 101, the third harmonic 102, and the spurious 103 are extracted.

このように、各フィルタ４１〜４３で周波数の帯域制限を受けた信号は、アンプ５１〜５３にそれぞれ供給されて増幅され、交流−直流変換回路６１、６２および通過帯域フィルタ８１にそれぞれ供給される。
交流−直流変換回路６１では、アンプ５１の出力信号（交流信号）が直流信号に変換され、その直流信号の振幅レベルに応じた直流電圧が出力される。 As described above, the signals subjected to the frequency band limitation by the filters 41 to 43 are respectively supplied to the amplifiers 51 to 53 to be amplified and supplied to the AC-DC conversion circuits 61 and 62 and the passband filter 81, respectively. .
In the AC-DC converter circuit 61, the output signal (AC signal) of the amplifier 51 is converted into a DC signal, and a DC voltage corresponding to the amplitude level of the DC signal is output.

電圧計７１では、交流−直流変換回路６１からの直流電圧が検出（測定）される。そして、その測定された直流電圧に基づき、半導体集積回路１の出力信号の基本波１００の電力の検査が実施される。
すなわち、交流−直流変換回路６１の出力電圧（電圧計７１の測定電圧）と、そのときの基本波１００の電力の値とは、例えば図３に示すような関係にある。 The voltmeter 71 detects (measures) a DC voltage from the AC-DC conversion circuit 61. Then, based on the measured DC voltage, the power of the fundamental wave 100 of the output signal of the semiconductor integrated circuit 1 is inspected.
That is, the output voltage of the AC-DC conversion circuit 61 (measured voltage of the voltmeter 71) and the power value of the fundamental wave 100 at that time have a relationship as shown in FIG. 3, for example.

そこで、例えば、その測定電圧とその電力値に対応する表などを予め用意しておき、交流−直流変換回路６１の出力電圧が測定された場合に、検査者が、その表などを参照してその測定電圧に対応する電力値を求める。
また、交流−直流変換回路６２では、アンプ５２の出力信号（交流信号）が直流信号に変換され、その直流信号の振幅レベルに応じた直流電圧が出力される。 Therefore, for example, a table corresponding to the measured voltage and the power value is prepared in advance, and when the output voltage of the AC-DC converter circuit 61 is measured, the inspector refers to the table or the like. A power value corresponding to the measured voltage is obtained.
In the AC-DC conversion circuit 62, the output signal (AC signal) of the amplifier 52 is converted into a DC signal, and a DC voltage corresponding to the amplitude level of the DC signal is output.

電圧計７２では、その直流電圧が検出（測定）される。そして、その測定した直流電圧の測定値に基づき、半導体集積回路１の出力信号に含まれる２次高調波１０１と３次高調波の電力の検査が実施される。
すなわち、交流−直流変換回路６２の出力電圧（電圧計７２の測定電圧）と、そのときの高調波の電力の値とは、一定の相関関係がある。 The voltmeter 72 detects (measures) the DC voltage. Then, based on the measured value of the DC voltage, the power of the second harmonic 101 and the third harmonic contained in the output signal of the semiconductor integrated circuit 1 is inspected.
That is, the output voltage of the AC-DC conversion circuit 62 (measured voltage of the voltmeter 72) and the value of the harmonic power at that time have a certain correlation.

そこで、例えば、その測定電圧とその電力値に対応する表などを予め用意しておき、交流−直流変換回路６２の出力電圧が測定された場合に、検査者が、その表などを参照してその測定電圧に対応する電力値を求める。
さらに、通過帯域フィルタ８１では、アンプ５３の出力信号から２次高調波以上の周波数成分が除去される。このため、通過帯域フィルタ８１の出力信号の周波数スペクトルは、図２（Ｅ）に示すようになる。同図によれば、アンプ５３の出力信号から２次高調波１０１、３次高調波１０２が除去され、スプリアス１０３のみが抽出されることがかわる。 Therefore, for example, a table corresponding to the measurement voltage and the power value is prepared in advance, and when the output voltage of the AC-DC conversion circuit 62 is measured, the inspector refers to the table or the like. A power value corresponding to the measured voltage is obtained.
Further, the passband filter 81 removes frequency components of second and higher harmonics from the output signal of the amplifier 53. Therefore, the frequency spectrum of the output signal of the passband filter 81 is as shown in FIG. The figure shows that the second harmonic 101 and the third harmonic 102 are removed from the output signal of the amplifier 53 and only the spurious 103 is extracted.

このように抽出されたスプリアス１０３に係る信号は、アンプ９１で増幅されて交流−直流変換回路６３に供給される。
交流−直流変換回路６３では、アンプ９１の出力信号（交流信号）が直流信号に変換され、その直流信号の振幅レベルに応じた直流電圧が出力される。
電圧計７３では、その直流電圧が測定される。そして、この測定した直流電圧の測定値に基づき、半導体集積回路１の出力信号に係るスプリアスの有無の検査が実施される。 The signal related to the spurious 103 extracted in this way is amplified by the amplifier 91 and supplied to the AC-DC conversion circuit 63.
In the AC-DC conversion circuit 63, the output signal (AC signal) of the amplifier 91 is converted into a DC signal, and a DC voltage corresponding to the amplitude level of the DC signal is output.
The voltmeter 73 measures the DC voltage. Then, based on the measured value of the DC voltage, an inspection for the presence or absence of spurious related to the output signal of the semiconductor integrated circuit 1 is performed.

すなわち、交流−直流変換回路６３の出力電圧（電圧計７３の測定電圧）と、そのときのスプリアスの電力の値とは、例えば図５に示すような関係にある。
そこで、例えば、その測定電圧とその電力値に対応する表などを予め用意しておき、交流−直流変換回路６３の出力電圧が測定された場合に、検査者が、その表などを参照してその測定電圧に対応する電力値を求める。 That is, the output voltage of the AC-DC conversion circuit 63 (measured voltage of the voltmeter 73) and the value of the spurious power at that time have a relationship as shown in FIG.
Therefore, for example, a table corresponding to the measured voltage and the power value is prepared in advance, and when the output voltage of the AC-DC conversion circuit 63 is measured, the inspector refers to the table or the like. A power value corresponding to the measured voltage is obtained.

以上述べたように、この実施形態によれば、半導体集積回路からの出力信号の周波数帯域を制限し、この帯域制限された被測定信号を直流信号に変換するようにしたので、この変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて各種の測定量を容易に検査できる。
このため、従来のようにスペクトラムアナライザまたはデジタイザ等を使用する場合に比べ、その被測定信号の基本波、高調波、およびスプリアスの電力（パワー）測定が容易になる。
また、この実施形態によれば、電圧計は、スペクトラムアナライザまたはデジタイザ等の装置に対して測定が短時間でできるので、検査に要する全体の時間を短縮ができる。 As described above, according to this embodiment, the frequency band of the output signal from the semiconductor integrated circuit is limited, and this band-limited signal under measurement is converted into a DC signal. The voltage level of the DC signal is measured with a voltmeter, and various measurement quantities can be easily inspected based on this measurement.
This makes it easier to measure the fundamental wave, harmonics and spurious power of the signal under measurement, compared to the conventional case where a spectrum analyzer or digitizer is used.
Further, according to this embodiment, since the voltmeter can perform measurement in a short time with respect to a device such as a spectrum analyzer or a digitizer, the overall time required for the inspection can be shortened.

（その他の実施形態）
上記の実施形態では、第１〜第３ブロックＡ〜Ｃを並列に接続し、３種類の測定を同時に並行して行うようにしたので、並行して検査ができ好ましい。
しかし、第１〜第３ブロックＡ〜Ｃを選択的に使用するように、例えアンプ３の入力側またはその出力側にそれらを選択または切り替えるためのリレーまたはスイッチを設けるようにしても良い。
なお、上記の実施形態では、ブロック（測定経路）Ａ〜Ｃを３つ設ける場合について説明したが、本発明はその３つを並列に設ける必要はなく、測定目的に応じて少なくともいずれか１つ以上を設ければ良い。 (Other embodiments)
In the above embodiment, the first to third blocks A to C are connected in parallel, and the three types of measurements are performed in parallel.
However, in order to selectively use the first to third blocks A to C, for example, a relay or a switch for selecting or switching them may be provided on the input side or the output side of the amplifier 3.
In the above embodiment, the case where three blocks (measurement paths) A to C are provided has been described. However, the present invention does not need to be provided in parallel, and at least one of them is required depending on the measurement purpose. What is necessary is just to provide the above.

本発明の実施形態を説明する図である。It is a figure explaining embodiment of this invention. 図１の各部の周波数スペクトルの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the frequency spectrum of each part of FIG. 第１ブロックにおける出力直流電圧と基本波電力との依存関係を表す図である。It is a figure showing the dependence relationship of the output DC voltage and fundamental wave electric power in a 1st block. 第２ブロックにおける２次高調波、３次高調波、およびそれらの合成波を説明する図である。It is a figure explaining the 2nd harmonic in the 2nd block, the 3rd harmonic, and those synthetic waves. 第３ブロックにおける出力直流電圧とスプリアス電力との依存性を表す図である。It is a figure showing the dependence of the output DC voltage in a 3rd block, and spurious electric power. 従来のスペクトラムアナライザでの測定方法を説明する図である。It is a figure explaining the measuring method with the conventional spectrum analyzer. 従来のデジタイザでの測定方法を説明する図である。It is a figure explaining the measuring method with the conventional digitizer.

符号の説明Explanation of symbols

Ａ 第１ブロック
Ｂ 第２ブロック
Ｃ 第３ブロック
１ 半導体集積回路（被測定対象）
２ 基準信号発生器
３ アンプ
１０ モジュール
４１、８１ 通過帯域フィルタ
４２、４３ 阻止帯域フィルタ
５１〜５３ アンプ
６１〜６３ 交流−直流変換回路
７１〜７３ 電圧計
９１ アンプ
１００ 基本波
１０１ ２次高調波
１０２ ３次高調波
１０３ スプリアス A 1st block B 2nd block C 3rd block 1 Semiconductor integrated circuit (object to be measured)
2 Reference signal generator 3 Amplifier 10 Module 41, 81 Pass band filter 42, 43 Stop band filter 51-53 Amplifier 61-63 AC-DC conversion circuit 71-73 Voltmeter 91 Amplifier 100 Fundamental wave 101 Second harmonic 102 3 Second harmonic 103 Spurious

Claims (10)

半導体集積回路からの被測定信号の周波数帯域を制限する帯域制限手段と、
前記帯域制限手段で周波数帯域が制限された被測定信号を直流信号に変換する交流−直流変換手段と、
前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定する電圧測定手段と、
を備えたことを特徴とする半導体集積回路の検査装置。 Band limiting means for limiting the frequency band of the signal under measurement from the semiconductor integrated circuit;
AC-DC converting means for converting a signal under measurement whose frequency band is limited by the band limiting means into a DC signal;
Voltage measuring means for measuring the voltage level of the DC signal converted by the AC-DC converting means;
An inspection apparatus for a semiconductor integrated circuit, comprising: 前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波を通過させる通過帯域フィルタからなり、
前記交流−直流変換手段は、前記通過帯域フィルタからの出力信号を直流信号に変換するようになっており、
前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、
その測定に基づいて前記被測定信号の基本波の電力を検査することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の検査装置。 The band limiting means comprises a passband filter that passes the fundamental wave of the signal under measurement from the semiconductor integrated circuit,
The AC-DC converting means is adapted to convert an output signal from the passband filter into a DC signal,
The voltage measuring means is adapted to measure the voltage level of the DC signal converted by the AC-DC converting means,
2. The semiconductor integrated circuit inspection apparatus according to claim 1, wherein the power of the fundamental wave of the signal under measurement is inspected based on the measurement. 前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波及び該基本波に係るスプリアスの通過を阻止させる阻止帯域フィルタからなり、
前記交流−直流変換手段は、前記阻止帯域フィルタからの出力信号を直流信号に変換するようになっており、
前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、
その測定に基づいて前記被測定信号の高調波の電力を検査することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の検査装置。 The band limiting means comprises a fundamental band of a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit and a stop band filter that prevents passage of spurious related to the fundamental wave,
The AC-DC conversion means is adapted to convert an output signal from the stopband filter into a DC signal,
The voltage measuring means is adapted to measure the voltage level of the DC signal converted by the AC-DC converting means,
2. The semiconductor integrated circuit inspection device according to claim 1, wherein the power of the harmonics of the signal under measurement is inspected based on the measurement. 前記帯域制限手段は、前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波の通過を阻止させる阻止帯域フィルタと、前記阻止帯域フィルタの出力信号のスプリアスを通過させる通過帯域フィルタとを有し、
前記交流−直流変換手段は、前記通過帯域フィルタの出力信号を直流信号に変換するようになっており、
前記電圧測定手段は、前記交流−直流変換手段で変換された直流信号の電圧レベルを測定するようになっており、
その測定に基づいて前記被測定信号のスプリアスの電力を検査することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の検査装置。 The band limiting means has a stop band filter for blocking the fundamental wave of the signal under measurement from the semiconductor integrated circuit, and a pass band filter for passing the spurious of the output signal of the stop band filter,
The AC-DC converting means is adapted to convert the output signal of the passband filter into a DC signal,
The voltage measuring means is adapted to measure the voltage level of the DC signal converted by the AC-DC converting means,
2. The semiconductor integrated circuit inspection apparatus according to claim 1, wherein spurious power of the signal under measurement is inspected based on the measurement. 前記帯域制限手段は、
前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波を通過させる第１通過帯域フィルタと、
前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波及び該基本波に係るスプリアスの通過を阻止させる第１阻止帯域フィルタと、
前記半導体集積回路からの被測定信号の基本波の通過を阻止させる第２阻止帯域フィルタと、
前記第２阻止帯域フィルタの出力信号のスプリアスを通過させる第２通過帯域フィルタとを有し、
前記交流−直流変換手段は、前記第１通過帯域フィルタ、前記第１阻止帯域フィルタ、および前記第２通過帯域フィルタの出力信号をそれぞれ直流信号に変換する第１〜第３の交流−直流変換手段を有し、
前記電圧測定手段は、
前記第１の交流−直流変換手段の出力信号の電圧レベルを測定する第１電圧計と、
前記第２の交流−直流変換手段の出力号の電圧レベルを測定する第２電圧計と、
前記第３の交流−直流変換手段の出力信号の電圧レベルを測定する第３電圧計と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の検査装置。 The band limiting means includes
A first passband filter that passes the fundamental wave of the signal under measurement from the semiconductor integrated circuit;
A first stopband filter for blocking a fundamental wave of a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit and a spurious signal associated with the fundamental wave;
A second stopband filter for blocking the fundamental wave of the signal under measurement from the semiconductor integrated circuit;
A second passband filter that passes spurious output signals of the second stopband filter;
The AC-DC conversion means includes first to third AC-DC conversion means for converting output signals of the first passband filter, the first stopband filter, and the second passband filter into DC signals, respectively. Have
The voltage measuring means includes
A first voltmeter for measuring a voltage level of an output signal of the first AC-DC converter;
A second voltmeter for measuring the voltage level of the output signal of the second AC-DC converter;
2. The semiconductor integrated circuit inspection device according to claim 1, further comprising a third voltmeter for measuring a voltage level of an output signal of the third AC-DC converter. 半導体集積回路からの被測定信号に基づいて所定の検査を行う半導体集積回路の検査方法であって、
前記半導体集積回路からの被測定信号の所定の周波数帯域を制限する第１ステップと、
前記第１ステップで周波数帯域が制限された被測定信号を直流信号に変換する第２ステップと、
前記第２ステップで変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号に係る所定の測定量を検査する第３ステップと、
からなることを特徴とする半導体集積回路の検査方法。 A test method for a semiconductor integrated circuit that performs a predetermined test based on a signal under measurement from a semiconductor integrated circuit,
A first step of limiting a predetermined frequency band of a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit;
A second step of converting the signal under measurement whose frequency band is limited in the first step into a DC signal;
A third step of measuring a voltage level of the DC signal converted in the second step with a voltmeter, and inspecting a predetermined measurement amount related to the signal under measurement based on the measurement;
A method for inspecting a semiconductor integrated circuit, comprising: 前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号から基本波を抽出し、
前記第２ステップでは、その抽出した基本波に係る信号を直流信号に変換し、
前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号の基本波の電力を検査することを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路の検査方法。 In the first step, a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit is received, a fundamental wave is extracted from the received signal under measurement,
In the second step, a signal related to the extracted fundamental wave is converted into a DC signal,
7. The semiconductor according to claim 6, wherein in the third step, the voltage level of the converted DC signal is measured with a voltmeter, and the fundamental power of the signal under measurement is inspected based on this measurement. Integrated circuit inspection method. 前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号から所定の高調波を抽出し、
前記第２ステップでは、その抽出した高調波に係る信号を直流信号に変換し、
前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを電圧計で測定し、この測定に基づいて前記被測定信号の高調波の電力を検査することを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路の検査方法。 In the first step, a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit is received, a predetermined harmonic is extracted from the received signal under measurement,
In the second step, the extracted harmonic signal is converted into a DC signal,
7. The semiconductor according to claim 6, wherein in the third step, the voltage level of the converted DC signal is measured with a voltmeter, and the harmonic power of the signal under measurement is inspected based on the measurement. Integrated circuit inspection method. 前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号に係る所定のスプリアスを抽出し、
前記第２ステップでは、その抽出したスプリアスに係る信号を直流信号に変換し、
前記第３ステップでは、その変換された直流信号の電圧レベルを測定し、この測定に基づいて前記被測定信号のスプリアスの電力を検査することを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路の検査方法。 In the first step, a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit is received, a predetermined spurious related to the received signal under measurement is extracted,
In the second step, the extracted spurious signal is converted into a DC signal,
7. The semiconductor integrated circuit inspection according to claim 6, wherein in the third step, the voltage level of the converted DC signal is measured, and the spurious power of the signal under measurement is inspected based on the measurement. Method. 前記第１ステップでは、前記半導体集積回路からの被測定信号を受け取り、この受け取った被測定信号に基づき、その被測定信号の基本波、所定の高調波、および所定のスプリアスをそれぞれ抽出し、
前記第２ステップでは、前記第１ステップで抽出された基本波、高調波、およびスプリアスに係る各信号を直流信号にそれぞれ変換し、
前記第３ステップでは、その変換された各直流信号の電圧レベルを電圧計でそれぞれ測定し、この各測定に基づいて前記被測定信号の基本波、所定の高調波、および所定のスプリアスの各電力の検査をすることを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路の検査方法。 In the first step, a signal under measurement from the semiconductor integrated circuit is received, and based on the received signal under measurement, a fundamental wave, a predetermined harmonic, and a predetermined spurious of the signal under measurement are extracted,
In the second step, each signal related to the fundamental wave, harmonics, and spurious extracted in the first step is converted into a DC signal,
In the third step, a voltage level of each converted DC signal is measured with a voltmeter, and based on each measurement, the fundamental wave of the signal under measurement, a predetermined harmonic, and each power of a predetermined spurious 7. The method for inspecting a semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein:
JP2006163805A 2006-06-13 2006-06-13 Inspection device of semiconductor integrated circuit and its inspection method Pending JP2007333478A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006163805A JP2007333478A (en) 2006-06-13 2006-06-13 Inspection device of semiconductor integrated circuit and its inspection method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006163805A JP2007333478A (en) 2006-06-13 2006-06-13 Inspection device of semiconductor integrated circuit and its inspection method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007333478A true JP2007333478A (en) 2007-12-27

Family

ID=38933097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006163805A Pending JP2007333478A (en) 2006-06-13 2006-06-13 Inspection device of semiconductor integrated circuit and its inspection method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007333478A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7316397B1 (en) 2022-01-17 2023-07-27 アンリツ株式会社 Signal analysis device and signal analysis method

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4832571A (en) * 1971-08-28 1973-04-28
JPS60202367A (en) * 1984-03-28 1985-10-12 Nec Corp Ac measuring apparatus
JPH0217822A (en) * 1988-07-04 1990-01-22 Toko Denki Kk Distribution line fault detector and threshold detecting method
JPH05160730A (en) * 1991-12-10 1993-06-25 Nec Corp Semiconductor test equipment
JP2002257875A (en) * 2001-03-06 2002-09-11 Advantest Corp Measurement device for measured device output signal, method, and recording medium
JP2002340949A (en) * 2001-05-14 2002-11-27 Anritsu Corp Semiconductor device test system
JP2004173001A (en) * 2002-11-20 2004-06-17 Nec Corp Transmission circuit, level compensating method, and program thereof

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4832571A (en) * 1971-08-28 1973-04-28
JPS60202367A (en) * 1984-03-28 1985-10-12 Nec Corp Ac measuring apparatus
JPH0217822A (en) * 1988-07-04 1990-01-22 Toko Denki Kk Distribution line fault detector and threshold detecting method
JPH05160730A (en) * 1991-12-10 1993-06-25 Nec Corp Semiconductor test equipment
JP2002257875A (en) * 2001-03-06 2002-09-11 Advantest Corp Measurement device for measured device output signal, method, and recording medium
JP2002340949A (en) * 2001-05-14 2002-11-27 Anritsu Corp Semiconductor device test system
JP2004173001A (en) * 2002-11-20 2004-06-17 Nec Corp Transmission circuit, level compensating method, and program thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7316397B1 (en) 2022-01-17 2023-07-27 アンリツ株式会社 Signal analysis device and signal analysis method
JP2023108072A (en) * 2022-01-17 2023-08-04 アンリツ株式会社 Signal analyzer and signal analysis method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20070085548A1 (en) Insulation degradation diagnostic device
JP4695920B2 (en) Impedance measuring device
KR101385318B1 (en) Apparatus for diagnosing partial discharge and method therefor
JP2005345470A (en) Inspection system of electronic device
JP6034978B2 (en) Method for identifying defect position in HF signal transmission line
US20160116524A1 (en) Method and Apparatus for Electric Arc Detection
US7433793B2 (en) Error detection apparatus and method and signal extractor
US10466293B2 (en) Inspection device, control method for same, and non-transitory computer readable storage medium
JP2007333478A (en) Inspection device of semiconductor integrated circuit and its inspection method
JP2014010073A (en) Deterioration inspection device and deterioration inspection method
CN110554293A (en) partial discharge signal processing device
JP2017083379A (en) Impedance measuring device and impedance measuring method
KR20170112578A (en) Voltage Measurement Error Compensation Device
JP2007309814A (en) Substrate detection device
Zhou et al. Characterization of EMI/RFI in commercial and industrial electrical systems
CN110554294A (en) anti-interference device for partial discharge signal test
JP2017053696A (en) Laser type gas analysis device
JP2008102081A (en) Semiconductor inspection system, inspection device, and semiconductor integrated circuit
KR100352772B1 (en) Device for enhancing contact checking
CN104111027A (en) Lissajous figure analytical method based transformer power frequency signal sensor system
CN103592597A (en) Fault mutual-detection method for voltage linear isolating circuit and voltage comparison circuit
Chou Two-Probe Setup with Improved Calibration for Online Impedance Measurement of Electrical Assets
KR20050037714A (en) Method for supervising and diagnosing status of electric power converter and apparatus thereof
JP2009236759A (en) Test equipment
JP2013061303A (en) Quality inspection device for low resistance body

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081210

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100921

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110201