JP2007322815A - Optical semiconductor module - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、光ファイバ等の光導波路を用いた光信号の送受信に使用される光半導体モジュールに関するものである。 The present invention relates to an optical semiconductor module used for transmission / reception of an optical signal using an optical waveguide such as an optical fiber.
従来の光半導体モジュールでは、光ファイバと光ファイバ先端部に対向して配置される光半導体素子である受光素子とを光学的に結合させて、光ファイバ先端部と光半導体素子とを一緒に透明樹脂にて封止し、透明樹脂の外側を透湿度の低い遮光性樹脂により封止していた。また、受光素子をリードフレームの切り起こした素子搭載部に搭載していた(例えば、特許文献1参照)。 In a conventional optical semiconductor module, an optical fiber and a light receiving element, which is an optical semiconductor element disposed opposite to the optical fiber tip, are optically coupled, and the optical fiber tip and the optical semiconductor element are transparent together. It was sealed with resin, and the outside of the transparent resin was sealed with a light-shielding resin with low moisture permeability. In addition, the light receiving element is mounted on an element mounting portion cut and raised on the lead frame (see, for example, Patent Document 1).
従来の光半導体モジュールでは、光ファイバと光半導体素子とを封止した遮光性樹脂が、周囲温度の変化に合わせて膨張または収縮していた。樹脂の膨張または収縮によって、光ファイバの位置が変位するため、光半導体素子に対向した光ファイバ先端部の位置も変位していた。また、光半導体素子と光ファイバとの光軸に対して、遮光性樹脂が対称に形成されていないので、光ファイバ先端部の光半導体素子に対する位置ずれは、樹脂の膨張または収縮の影響を大きく受けやすい。このため、周囲温度の変化によって、半導体素子と光ファイバ先端部との相対位置がずれて、光半導体素子と光ファイバとの間での光結合効率が変化するという問題点があった。 In the conventional optical semiconductor module, the light-shielding resin that seals the optical fiber and the optical semiconductor element expands or contracts in accordance with changes in the ambient temperature. Since the position of the optical fiber is displaced by the expansion or contraction of the resin, the position of the tip of the optical fiber facing the optical semiconductor element is also displaced. Further, since the light shielding resin is not formed symmetrically with respect to the optical axis of the optical semiconductor element and the optical fiber, the positional deviation of the optical fiber tip with respect to the optical semiconductor element greatly affects the expansion or contraction of the resin. Easy to receive. For this reason, there has been a problem that the relative position between the semiconductor element and the optical fiber tip is shifted due to a change in the ambient temperature, and the optical coupling efficiency between the optical semiconductor element and the optical fiber changes.
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、光ファイバ先端部および光半導体素子を封止した透明樹脂の外側を覆う遮光樹脂が熱変形しても、光ファイバ先端部と光半導体素子との光学的結合部分における光ファイバ先端部の位置ずれが小さく、光ファイバと光半導体素子との光結合効率の変化が小さい、温度変化時にも特性が安定した光半導体モジュールを得るものである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and even if the light shielding resin covering the outside of the transparent resin sealing the optical fiber tip and the optical semiconductor element is thermally deformed, the optical fiber tip. An optical semiconductor module is obtained in which the positional deviation of the optical fiber tip at the optical coupling portion between the optical fiber and the optical semiconductor element is small, the optical coupling efficiency between the optical fiber and the optical semiconductor element is small, and the characteristics are stable even when the temperature changes. Is.
この発明に係る光半導体モジュールは、光ファイバと、光ファイバと光学的に結合された光半導体素子と、光ファイバと光半導体素子とが第1の樹脂により係合された係合部と、光半導体素子をはさんで係合部に対向する側面と側面に略垂直で相互に対向する1対の面とで係合部を囲む囲み部と、囲み部に充填される第2の樹脂とを備え、光半導体素子は、囲み部に装着されたことを特徴とするものである。 An optical semiconductor module according to the present invention includes an optical fiber, an optical semiconductor element optically coupled to the optical fiber, an engagement portion in which the optical fiber and the optical semiconductor element are engaged by a first resin, An enclosing portion that surrounds the engaging portion by a side surface facing the engaging portion with the semiconductor element interposed therebetween and a pair of surfaces that are substantially perpendicular to the side surface and face each other, and a second resin filled in the enclosing portion The optical semiconductor element is mounted on the enclosure.
この発明に係る光半導体モジュールは、光半導体素子をはさんで係合部に対向する側面と側面に略垂直で相互に対向する1対の面とで係合部を囲む囲み部と、囲み部に充填される第2の樹脂とを備えたので、周囲温度の変化で光ファイバ先端部および光半導体素子を封止した透明樹脂の外側を覆う樹脂が熱変形しても、光半導体素子に対する光ファイバ先端部の位置ずれを小さくすることによって、温度変化に対する光ファイバと光半導体素子との光結合効率の変化が小さく、安定な特性を得ることができる。 An optical semiconductor module according to the present invention includes: an enclosing portion that surrounds the engaging portion with a side surface facing the engaging portion across the optical semiconductor element and a pair of surfaces that are substantially perpendicular to the side surfaces and face each other; Even if the resin covering the optical fiber tip and the outside of the transparent resin sealing the optical semiconductor element is thermally deformed due to a change in ambient temperature, the light with respect to the optical semiconductor element is By reducing the positional deviation of the fiber tip, the change in optical coupling efficiency between the optical fiber and the optical semiconductor element with respect to the temperature change is small, and stable characteristics can be obtained.
実施の形態1.
図1は、この発明を実施するための実施の形態1における光半導体モジュールの構成図である。図2は、図1に示す光半導体モジュールのA−A断面図である。図1に第2の樹脂は示していない。図1および図2において、光導波路である光ファイバ1は、光半導体素子である受光素子2と光学的に結合されている。光ファイバ1および受光素子2は、透明樹脂である第1の樹脂3によって係合されている。第1の樹脂3によって係合された箇所が係合部である。本実施の形態では、受光素子2は、フォトダイオードである。
FIG. 1 is a configuration diagram of an optical semiconductor module according to
図1および図2に示すように、光半導体モジュールの外形を構成する枠体である樹脂枠4を設け、この樹脂枠4にリードフレーム5およびリード6,7を支持させている。図1において、リードフレーム5のひさし面5cは外形のみ示している。受光素子2は、金属部材であるリードフレーム5に装着されている。樹脂枠4は、側面枠および底板からなる構造とし、側面枠に底板を接着固定して形成されている。硬化前の樹脂を樹脂枠4の枠内に注入しても、樹脂がモジュール外部へ流れ出さないに、樹脂枠4は箱状構造となっている。なお、樹脂枠4は、一体成形されたものでもよい。また、樹脂枠4の形成方法は、ダム剤によるポッティングでもよいし、トランスファモールドでもよい。樹脂枠4で囲まれた領域は、第2の樹脂8によって充填されている。光ファイバ1の一部、受光素子2、第1の樹脂3、およびリードフレーム5は、第2の樹脂8に覆われている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
図3は、実施の形態1におけるリードフレームの斜視図である。金属部材であるリードフレーム5の平面部の一部を略90度切り起こし、更に切り起こされた部分の先端側を折り曲げることによって、囲み部が形成される。囲み部は、リードフレーム5の平面部のうちの切り起こさない部分の一部である底面5a、リードフレーム5の切り起こされた部分の先端側で底面5aに平行になるように形成されたひさし面5c、およびリードフレーム5の切り起こされた部分の底面5a側である側面5bによって構成され、係合部を囲んでいる。側面5bは、受光素子2をはさんで光ファイバ1と受光素子2との係合部に対向している。底面5aとひさし面5cとは、1対の面であり、側面5bに略垂直で相互に対向している。なお、受光素子2は、囲み部を構成する側面5bに装着されている。
FIG. 3 is a perspective view of the lead frame in the first embodiment. A part of the flat portion of the
次に、囲み部の製造方法について説明する。囲み部は、リードフレーム5によって形成されている。切り起こす前のリードフレーム5に、受光素子2をダイボンドおよびワイヤボンドする。そして、受光素子2をダイボンドしたリードフレーム5の平面部の一部を略90度切り起こして、折り曲げ部を形成する。折り曲げ部は、光ファイバ1を実装する領域よりも離れた所から切り起こす。更に、折り曲げ部の先端側を折り曲げて、底面5aに平行であるひさし面5cを形成する。つまり、ひさし面5cは、金属部材であるリードフレーム5が切り起こされた部分の先端側で底面5aに平行になるように形成された面である。また、側面5bは、リードフレーム5が切り起こされた部分の底面5a側の面である。図1に示すように、光半導体モジュールの上部(樹脂枠4の開放側)から見て、ひさし面5cは、少なくとも光ファイバ1と受光素子2との係合部および受光素子2を覆う幅を有する。これによって、光ファイバ1と受光素子2との係合部は、上下方向から同じリードフレーム部材によってはさまれた状態になる。
Next, the manufacturing method of an enclosure part is demonstrated. The enclosing portion is formed by the
光ファイバ1は、受光素子2との光結合効率が最大となるように調心される。調心完了後に、図1に示すように、第1の樹脂3によって光ファイバ1の先端部および受光素子2が固定される。第1の樹脂3は、光ファイバ1経由で入射する光に対して透明である樹脂を用いる。第1の樹脂3としては、例えば、透明シリコーン樹脂または透明エポキシ系樹脂が適用可能である。
The
光ファイバ1の先端部を第1の樹脂3によって固定した後、ワイヤボンドによって配線されたワイヤおよびその他の部品を異物などから保護するために、少なくとも、光ファイバ1の先端部および受光素子2が埋まるように第2の樹脂8を注入し、硬化させる。なお、第1の樹脂3にUV硬化型を用いた場合には、光ファイバ1の先端部を第1の樹脂3でUV光により固定した後に、第2の樹脂8を注入および硬化できるので、熱硬化型を用いた場合に比べてキュア槽への出し入れなどの工数削減が可能である。第1の樹脂3と第2の樹脂8とは、同一の材料であってもよい。
After fixing the tip of the
囲み部の中が第2の樹脂8によって充填されることによって、囲み部の一対の面は、光ファイバ1の光軸に対して互いに平行な状態で第2の樹脂8を拘束することができる。このため、光ファイバ1の光軸に対して第2の樹脂8がほぼ対称に形成されるので、第2の樹脂8の膨張または収縮が光ファイバ1の光軸に対して均等に発生する。このため、光ファイバ1の先端部の位置ずれは小さくなる。
By filling the inside of the enclosure part with the
囲み部がない場合には、光ファイバ1の先端部の位置変動は、光ファイバ1をはさんで対向する樹脂枠4の側面枠のうちの一方の面から光ファイバ1までの距離ともう一方の面から光ファイバ1までの距離との差に比例した量になり、光ファイバ1の先端部の位置変動が大きくなる。一方、囲み部を設けた場合には、温度変化に対する第2の樹脂8の熱変形が対向する一対の面によって拘束されているため、光ファイバ1の先端部の位置変動は、一対の面のうちの底面5aから光ファイバ1までの距離とひさし面5cから光ファイバ1までの距離との差に比例した量になる。
When there is no enclosing portion, the positional fluctuation of the tip of the
本実施の形態では、光ファイバ1の先端部の位置ずれを小さくするために、光ファイバ1と受光素子2との係合部が、底面5aとひさし面5cとの中間に位置するように、リードフレーム5を折り曲げる。つまり、係合部は、1対の面である底面5aとひさし面5cとのそれぞれの面からの距離が等しくなるように設けられる。ひさし面5cから係合部における光ファイバ1までの距離をd1、底面5aから係合部における光ファイバ1までの距離をd2と定義する。d1とd2とがほぼ等しい長さとなるように、係合部の位置が設定される。少なくともd1とd2との差は、0.1mm以下程度であることが望ましい。d1とd2との差を0.1mm以下に設定することによって、第2の樹脂8として線膨張係数1×10−4[1/K]程度のシリコーン樹脂を用いた場合でも、例えば温度変動45℃に対して光ファイバ1の先端部の位置ずれを5μm程度に抑制することができ、光ファイバ1と受光素子2との光結合効率の低下を抑えることができる。
In the present embodiment, in order to reduce the positional deviation of the distal end portion of the
なお、受光素子2の実装箇所は、樹脂枠4の側面枠の中間点であるほうが良い。これによって、第2の樹脂8の熱変形によって、光ファイバ1が樹脂枠4の側面方向への位置ずれすることを抑制できる。また、ひさし面5cは、リードフレーム5の折り曲げによって形成されるものでなくでもよい。例えば、新たな部材をひさし面として接着または溶接などによって取付けたものでもよい。
It should be noted that the mounting location of the
以上のように、係合部を囲む囲み部を設け、囲み部が第2の樹脂8で充填されるので、周囲温度の変化によって光ファイバ1と受光素子2との外側を覆う第1の樹脂3および第2の樹脂8が熱変形した場合でも、受光素子2に対する光ファイバ1の先端部の位置ずれを抑制できるので、光ファイバ1と受光素子2との光結合効率の変化が小さく、温度変化時にも特性が安定な光半導体モジュールを得ることができる。また、金型などを用いてリードフレーム5を折り曲げることにより囲み部を形成できる。このため、複数の部材や複雑な機械加工を行う必要がなく、囲み部を容易に作製することができる。
As described above, the surrounding portion surrounding the engaging portion is provided, and the surrounding portion is filled with the
なお、受光素子2の代わりに端面発光型レーザダイオードまたは面発光型レーザダイオードを用いることによって、光半導体モジュールを発光モジュールとして構成することも可能である。
Note that by using an edge-emitting laser diode or a surface-emitting laser diode instead of the
実施の形態2.
図4は、この発明を実施するための実施の形態2における光半導体モジュールの構成図である。図5は、図4に示した光半導体モジュールのB−B断面図である。図4および図5において、囲み部の構成が実施の形態1と異なる。図4および図5において、図1および図2と同一の符号を付したものは、同一またはこれに相当するものであり、このことは明細書の全文において共通することである。また、明細書全文に表れている構成要素の態様は、あくまで例示であってこれらの記載に限定されるものではない。なお、図4において、リードフレーム11のひさし面11cは外形のみを示している。
FIG. 4 is a configuration diagram of an optical semiconductor module according to the second embodiment for carrying out the present invention. FIG. 5 is a BB cross-sectional view of the optical semiconductor module shown in FIG. 4 and 5, the structure of the surrounding portion is different from that of the first embodiment. 4 and FIG. 5, the same reference numerals as those in FIG. 1 and FIG. 2 are the same or corresponding parts, and this is common throughout the entire specification. Moreover, the aspect of the component which appears in the whole specification is an illustration to the last, and is not limited to these description. In FIG. 4, the eaves surface 11 c of the
実施の形態1においては、1対の面および側面の3面で構成された囲み部によって、光ファイバ1と発光素子2との係合部を囲み、第2の樹脂が囲み部に充填される。本実施の形態においては、図4および図5に示すように、側面11bおよび1対の面である底面11a,ひさし面11cに略垂直で相互に対向する第2の1対の面である両側面11d,11eをこの囲み部に加えた。これによって、光ファイバ1が延伸する方向以外の5面を囲むことができる。
In the first embodiment, the engaging portion between the
図6は、実施の形態2におけるリードフレームの斜視図である。囲み部は、金属部材であるリードフレーム11よって形成される。リードフレーム11の平面部の一部を略90度切り起こし、切り起こされた部分の先端側を折り曲げる。更に、切り起こされた部分の先端側の両側をそれぞれ係合部側に折り曲げることによって、囲み部が形成される。囲み部は、リードフレーム11の平面部のうちの切り起こさない部分の一部である底面11a、リードフレーム11の切り起こされた部分の先端側で底面11aに平行になるように形成されたひさし面11c、リードフレーム11の切り起こされた部分の底面11a側である側面11b、および切り起こされた部分の先端側の両側を折り曲げた両側面11d,11eによって構成されている。
FIG. 6 is a perspective view of the lead frame in the second embodiment. The surrounding portion is formed by a
囲み部の一対の面および第2の1対の面は、光ファイバ1の光軸に対して互いに平行な状態で透明樹脂を拘束することができる。このような、囲み部を設けることによって、囲み部に第2の樹脂8が拘束され、光ファイバ1の光軸に対して第2の樹脂8がほぼ対称に形成されるので、第2の樹脂8の膨張または収縮が光ファイバ1の光軸に対して均等に発生する。このため、光ファイバ1の先端部の位置ずれは小さくなる。
The pair of surfaces and the second pair of surfaces of the enclosing portion can restrain the transparent resin in a state parallel to the optical axis of the
本実施の形態では、光ファイバ1の先端部の位置ずれを小さくするために、光ファイバ1と受光素子2との係合部が、底面11aとひさし面11cとの中間に位置するように、リードフレーム11を折り曲げる。つまり、係合部は、1対の面である底面11aとひさし面11cとのそれぞれの面からの距離が等しくなるように設けられる。ひさし面11cと係合部における光ファイバ1との距離をd1、底面11aと係合部における光ファイバ1との距離をd2と定義する。d1とd2とがほぼ等しい長さとなるように、係合部の位置が設定される。少なくともd1とd2との差を、0.1mm以下程度にすることによって、例えば温度変動45℃に対して光ファイバ1の先端部の位置ずれを5μm程度に抑制することができる。
In the present embodiment, in order to reduce the positional deviation of the distal end portion of the
さらに、光ファイバ1と受光素子2との係合部が、お互いに対向する両側面11d,11eの中央に位置するように、リードフレーム11の切り起こし部の形状を設定し、折り曲げ加工を行ってもよい。つまり、係合部は、第2の1対の面である両側面11d,11eのそれぞれの面からの距離が等しくなるように設けられている。これによって、第1の樹脂3および第2の樹脂8が熱変形した場合でも、更に、受光素子2に対する光ファイバ1の先端部の位置ずれを抑制できる。
Further, the shape of the cut-and-raised portion of the
以上のような構成によって、光ファイバ1と受光素子2との外側を覆う第1の樹脂3および第2の樹脂8が熱変形した場合でも、受光素子2に対する光ファイバ1の先端部の位置ずれを抑制できるので、光ファイバ1と受光素子2との光結合効率の変化が少なく、温度変化時にも特性が安定な光半導体モジュールを得ることができる。
With the configuration as described above, even when the
実施の形態3.
図7は、この発明を実施するための実施の形態3におけるリードフレームの斜視図である。本実施の形態において、リードフレームの構成のみが、実施の形態2と異なる。本実施の形態においても、光ファイバ1と受光素子2との係合部を、囲み部によって、光ファイバ1が延伸する方向以外の5面を囲むことができる。本実施の形態では、第2の一対の面である両側面12d,12eを、底面12aの両側の平面部を切り起こして形成された2つの面によって構成している。
FIG. 7 is a perspective view of a lead frame according to
囲み部は、金属部材であるリードフレーム12よって形成される。リードフレーム12の平面部の一部を略90度切り起こし、切り起こされた部分の先端側を折り曲げる。更に、切り起こされた部分とは異なる平面部のうちの2箇所を切り起こすことによって、囲み部が形成される。囲み部は、リードフレーム12の平面部のうちの切り起こさない部分の一部である底面12a、リードフレーム12の切り起こされた部分の先端側で底面12aに平行になるように形成されたひさし面12c、リードフレーム12の切り起こされた部分の底面12a側である側面12b、および底面12aの両側で側面12bとは異なるリードフレーム12の平面部を切り起こして形成された両側面12d,12eによって構成されている。囲み部の中には、第2の樹脂8が充填されている。
The surrounding portion is formed by a
以上のような構成によって、光ファイバ1と受光素子2との外側を覆う第1の樹脂3および第2の樹脂8が熱変形した場合でも、光ファイバ1の先端部の位置ずれを抑制できるので、光ファイバ1と受光素子2との光結合効率の変化が少なく、温度変化時にも特性が安定な光半導体モジュールを得ることができる。
With the configuration as described above, even when the
実施の形態4.
図8は、この発明を実施するための実施の形態4における光半導体モジュールの構成図である。図8において、光半導体素子の設置形態が実施の形態1と異なる。本実施の形態においては、1対の面のいずれか一方であるリードフレーム5の底面5aに、放熱用のサブマウント21を設け、サブマウント21の上に光半導体素子である端面発光型レーザダイオード22を装着する。つまり、端面発光型レーザダイオード22は、一対の面のいずれか一方である底面5aにサブマウント21を介して装着されている。端面発光型レーザダイオード22をワイヤボンディングした後に、光ファイバ1を調心して、光ファイバ1の先端部と端面発光型レーザダイオード22とを第1の樹脂23で固定する。第1の樹脂23によって係合された箇所が係合部である。そして、リードフレーム5の平面部の切り起こしによって、側面5bおよびひさし面5cを形成した後に、光ファイバ1の一部、サブマウント21、端面発光型レーザダイオード22、および第1の樹脂23を第2の樹脂8で封止する。
FIG. 8 is a configuration diagram of an optical semiconductor module according to
なお、光ファイバ1の先端部の位置ずれを小さくするために、光ファイバ1と端面発光型レーザダイオード22との係合部が、底面5aとひさし面5cとの中間に位置するように、リードフレーム5を折り曲げてもよいし、サブマウント21の高さを調整してもよい。
In order to reduce the displacement of the tip of the
以上のような構成によって、光ファイバ1と受光素子2との外側を覆う第1の樹脂23および第2の樹脂8が熱変形した場合にも、光ファイバ1の先端部の位置ずれを抑制できるので、光ファイバ1と端面発光型レーザダイオード22との光結合効率の変化が少なく、温度変化時にも特性が安定な光半導体モジュールを得ることができる。
With the configuration as described above, even when the
1 光ファイバ、2 受光素子、3,23 第1の樹脂、4 樹脂枠、5,11,12 リードフレーム、5a,11a,12a 底面、5b,11b,12b 側面、5c,11c,12c ひさし面、6,7 リード、8 第2の樹脂、11d,11e,12d,12e 両側面、21 サブマウント、22 端面発光型レーザダイオード。
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記光ファイバと光学的に結合された光半導体素子と、
前記光ファイバと前記光半導体素子とが第1の樹脂により係合された係合部と、
前記光半導体素子をはさんで前記係合部に対向する側面と前記側面に略垂直で相互に対向する1対の面とで前記係合部を囲む囲み部と、
前記囲み部に充填される第2の樹脂とを備え、
前記光半導体素子は、前記囲み部に装着されたことを特徴とする光半導体モジュール。 Optical fiber,
An optical semiconductor element optically coupled to the optical fiber;
An engaging portion in which the optical fiber and the optical semiconductor element are engaged by a first resin;
An enclosing portion that surrounds the engaging portion with a side surface facing the engaging portion and a pair of surfaces substantially perpendicular to the side surface and facing each other across the optical semiconductor element;
A second resin filled in the enclosure,
An optical semiconductor module, wherein the optical semiconductor element is attached to the enclosure.
1対の面は、前記金属部材の平面部である底面と前記金属部材が切り起こされた部分の先端側で前記底面に平行になるように形成された面とによって構成され、
側面は、前記切り起こされた部分の前記底面側の面によって構成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の光半導体モジュール。 The enclosure is formed by a metal member,
The pair of surfaces is constituted by a bottom surface that is a flat portion of the metal member and a surface that is formed to be parallel to the bottom surface at the tip side of the portion where the metal member is cut and raised,
3. The optical semiconductor module according to claim 1, wherein a side surface is constituted by a surface on the bottom surface side of the cut and raised portion.
1対の面は、前記金属部材の平面部である底面と前記金属部材が切り起こされた部分の先端側で前記底面に平行になるように形成された面とによって構成され、
側面は、前記切り起こされた部分の前記底面側の面によって構成され、
第2の1対の面は、前記切り起こされた部分の先端側の両側をそれぞれ係合部側に折り曲げて形成された面によって構成されたことを特徴とする請求項3または4に記載の光半導体モジュール。 The enclosure is formed by a metal member,
The pair of surfaces is constituted by a bottom surface that is a flat portion of the metal member and a surface that is formed to be parallel to the bottom surface at the tip side of the portion where the metal member is cut and raised,
The side surface is constituted by a surface on the bottom side of the cut and raised portion,
5. The second pair of surfaces are configured by surfaces formed by bending both sides of the cut-and-raised portion on the front end side to the engaging portion side, respectively. 6. Optical semiconductor module.
1対の面は、前記金属部材の平面部である底面と前記金属部材が切り起こされた部分の先端側で前記底面に平行になるように形成された面とによって構成され、
側面は、前記切り起こされた部分の前記底面側の面によって構成され、
第2の1対の面は、前記底面の両側の平面部を切り起こして形成された面によって構成されたことを特徴とする請求項3または4に記載の光半導体モジュール。 The enclosure is formed by a metal member,
The pair of surfaces is constituted by a bottom surface that is a flat portion of the metal member and a surface that is formed to be parallel to the bottom surface at the tip side of the portion where the metal member is cut and raised,
The side surface is constituted by a surface on the bottom side of the cut and raised portion,
5. The optical semiconductor module according to claim 3, wherein the second pair of surfaces are configured by surfaces formed by cutting and raising flat portions on both sides of the bottom surface. 6.
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