JP2007322503A - Method for manufacturing microlens array - Google Patents

Method for manufacturing microlens array Download PDF

Info

Publication number
JP2007322503A
JP2007322503A JP2006149907A JP2006149907A JP2007322503A JP 2007322503 A JP2007322503 A JP 2007322503A JP 2006149907 A JP2006149907 A JP 2006149907A JP 2006149907 A JP2006149907 A JP 2006149907A JP 2007322503 A JP2007322503 A JP 2007322503A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist film
film
metal film
microlens
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006149907A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuma Sekiya
一馬 関家
Toru Takazawa
徹 高沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2006149907A priority Critical patent/JP2007322503A/en
Publication of JP2007322503A publication Critical patent/JP2007322503A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a microlens array that can prevent the occurrence of ghost. <P>SOLUTION: The method for manufacturing a microlens array includes: a metal film layering step of layering a metallic film on the upper surface of a cover glass to obtain transmittance for light of 4 to 6%; a resist film layering step of layering a resist film on the upper surface of the metal film; a resist film exposing step of projecting light from a microlens side formed on a quartz plate, making 4 to 6% of the light condensed by the microlens pass through the metallic film, irradiating the resist film with the light, and exposing the resist film; a resist film developing step of developing the resist film exposed in the resist film exposing step; a metal film etching step of etching the metal film from the resist film side where a plurality of holes are formed by carrying out the resist film developing step; and a resist film stripping step of stripping and removing the resist film formed on the upper surface of the metal film that constitutes a shadow mask. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体基板の表面に塗布されたフォトレジスト膜を露光するための露光装置に装備されるマイクロ レンズ アレイの製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a microlens array equipped in an exposure apparatus for exposing a photoresist film applied to the surface of a semiconductor substrate.

半導体デバイス製造工程においては、半導体基板の表面にフォトレジストを被覆し、このフォトレジスト膜に露光装置によって所定形状のパターンを露光してＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成している。露光装置は、光源と、予め所定のパターンが形成されたマスクと、ウエーハの表面にパターンを集光させる集光レンズとから構成されており、適宜マスクを交換することにより所定の回路を形成する。   In the semiconductor device manufacturing process, a photoresist is coated on the surface of a semiconductor substrate, and a pattern having a predetermined shape is exposed on the photoresist film by an exposure apparatus to form a circuit such as an IC or LSI. The exposure apparatus includes a light source, a mask on which a predetermined pattern is formed in advance, and a condensing lens that collects the pattern on the surface of the wafer, and forms a predetermined circuit by appropriately replacing the mask. .

しかるに、上述した露光方法においては、所定のパターンが形成されたマスクの製作に多大な費用と時間を要する。また、上述した露光方法においては、半導体デバイス毎に所定のパターンが形成されたマスク製作する必要があるため、少量多品種の要求に対応することが困難であるという問題がある。   However, in the above-described exposure method, a great deal of cost and time are required to manufacture a mask on which a predetermined pattern is formed. Further, the above-described exposure method has a problem that it is difficult to meet the demand for a small variety of products because it is necessary to manufacture a mask in which a predetermined pattern is formed for each semiconductor device.

上述した露光方法の問題を解消するための露光装置が下記特許文献１に開示されている。この露光装置は、被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を露光する露光手段とから構成されている。そして、露光手段は、光源と、該光源からの光を所定のパターンで反射する複数のマイクロミラーがマトリックス状に配設されたデジタル ミラー デバイス(DMD)と、該DMDと対応して複数のマイクロレンズがマトリックス状に配設されそれぞれ集光スポットを形成するマイクロ レンズ アレイ(MLA)と、DMDを制御する制御手段とを具備している。
特表２００２−５２０８４０号公報 An exposure apparatus for solving the above-described problem of the exposure method is disclosed in Patent Document 1 below. This exposure apparatus includes a chuck table having a holding surface for holding a workpiece, and an exposure means for exposing the workpiece held on the chuck table. Then, the exposure means includes a light source, a digital mirror device (DMD) in which a plurality of micro mirrors that reflect light from the light source in a predetermined pattern are arranged in a matrix, and a plurality of micro mirrors corresponding to the DMD. The lens includes a micro lens array (MLA) in which lenses are arranged in a matrix and each form a focused spot, and control means for controlling the DMD.
Japanese translation of PCT publication No. 2002-520840

上述した露光装置を構成するデジタル ミラー デバイス(DMD)は例えば１４μm×１４μmのマイクロミラーが１０２４×７６８個マトリックス状に配設されており、マイク ロ レンズ アレイ(MLA)は１４μm×１４μmのマイクロミラーに対応するマイクロレンズが１０２４×７６８個マトリックス状に配設されていて、φ３μmの集光スポットを１１μm間隔で最大１０２４×７６８個マトリックス状に露光できる。しかるに、隣接する集光スポットとの間に１１μmの間隔があるため、光の回析によって集光スポット以外にゴーストと呼ばれるスポットが形成される場合があり、このゴーストが形成されると高精度に露光を行うことができないという問題がある。   The digital mirror device (DMD) constituting the above-described exposure apparatus has, for example, 1024 × 768 micromirrors arranged in a matrix of 14 μm × 14 μm, and the micro lens array (MLA) is arranged in a 14 μm × 14 μm micromirror. Corresponding microlenses are arranged in a matrix of 1024 × 768, and a condensing spot of φ3 μm can be exposed at a maximum of 1024 × 768 in a matrix at 11 μm intervals. However, since there is an interval of 11 μm between adjacent condensing spots, spots called ghosts may be formed in addition to the condensing spots by diffraction of light, and when this ghost is formed, it is highly accurate. There is a problem that exposure cannot be performed.

本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、その主たる技術課題は、ゴーストの発生を防止することができるマイクロ レンズ アレイの製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and a main technical problem thereof is to provide a method of manufacturing a microlens array capable of preventing the occurrence of ghosts.

上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、石英板に複数のマイクロレンズがマトリックス状に形成され該マイクロレンズがカバーガラスによって封止されたマイクロ レンズ アレイにシャドウマスクを形成するマイクロ レンズ アレイの製造方法であって、
該カバーガラスの上面に光の透過率が４〜６％となるように金属膜を積層する金属膜積層工程と、
該金属膜の上面にレジスト膜を積層するレジスト膜積層工程と、
該石英板に形成された該マイクロレンズ側から光を照射し、該マイクロレンズによって集光された光の４〜６％を該金属膜を透過して該レジスト膜に照射することにより該レジスト膜における該マイクロレンズと対応した領域を露光するレジスト膜露光工程と、
該レジスト膜露光工程によって露光された該レジスト膜を現像し、該レジスト膜における露光された領域に複数の穴を形成するレジスト膜現像工程と、
該レジスト膜現像工程が実施され複数の穴が形成された該レジスト膜側から該金属膜をエッチングし、該金属膜における該レジスト膜に形成された複数の穴と対応する領域に複数の穴を形成することによりシャドウマスクを形成する金属膜エッチング工程と、
該シャドウマスクを構成する該金属膜の上面に形成されている該レジスト膜を剥離して除去するレジスト膜剥離工程と、を含む、
ことを特徴とするマイクロ レンズ アレイの製造方法が提供される。 In order to solve the main technical problem, according to the present invention, a micro mask is formed on a micro lens array in which a plurality of micro lenses are formed in a matrix on a quartz plate and the micro lenses are sealed with a cover glass. A lens array manufacturing method comprising:
A metal film laminating step of laminating a metal film on the upper surface of the cover glass so that the light transmittance is 4 to 6%;
A resist film laminating step of laminating a resist film on the upper surface of the metal film;
The resist film is irradiated with light from the microlens side formed on the quartz plate, and 4-6% of the light collected by the microlens is transmitted through the metal film and irradiated onto the resist film. A resist film exposure step of exposing a region corresponding to the microlens in
Developing the resist film exposed by the resist film exposure step, and forming a plurality of holes in the exposed region of the resist film; and
The metal film is etched from the resist film side on which the resist film development step is performed and a plurality of holes are formed, and a plurality of holes are formed in regions corresponding to the plurality of holes formed in the resist film in the metal film. Forming a shadow mask by forming a metal film etching step;
A resist film peeling step of peeling off and removing the resist film formed on the upper surface of the metal film constituting the shadow mask,
A method of manufacturing a microlens array is provided.

上記金属膜積層工程は、該カバーガラスの上面に厚さが７５〜８５Åのクロム膜を積層する。   In the metal film lamination step, a chromium film having a thickness of 75 to 85 mm is laminated on the upper surface of the cover glass.

本発明によるマイクロ レンズ アレイの製造方法においては、シャドウマスクを構成する金属膜に形成される複数の穴は、石英板に形成されたマイクロレンズを利用して露光されたレジスト膜に形成される複数の穴と対応して形成されるので、マイクロレンズと対応した領域に正確に形成される。従って、デジタル ミラー デバイスのマイクロミラーによって反射した光は、シャドウマスクに形成された穴を通してマイクロレンズの所定領域に正確に入射する。このため、マイクロレンズに入射した光は、所定位置に集光されゴーストが形成されることがない。   In the method for manufacturing a microlens array according to the present invention, the plurality of holes formed in the metal film constituting the shadow mask are formed in the resist film exposed using the microlens formed in the quartz plate. Therefore, it is accurately formed in the region corresponding to the microlens. Therefore, the light reflected by the micromirror of the digital mirror device is accurately incident on a predetermined region of the microlens through the hole formed in the shadow mask. For this reason, the light incident on the microlens is collected at a predetermined position and a ghost is not formed.

以下、本発明によるマイクロ レンズ アレイの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, a preferred embodiment of a method for manufacturing a microlens array according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１には本発明によるマイクロ レンズ アレイの製造方法によって製造されたよるマイクロ レンズ アレイが装備された露光装置の概略構成図が示されている。図示の実施形態における露光装置は、被加工物を保持するチャックテーブル２と、該チャックテーブルの上方に配設された露光手段３とを具備している。   FIG. 1 shows a schematic block diagram of an exposure apparatus equipped with a micro lens array manufactured by the method of manufacturing a micro lens array according to the present invention. The exposure apparatus in the illustrated embodiment includes a chuck table 2 that holds a workpiece, and an exposure unit 3 disposed above the chuck table.

チャックテーブル２は、被加工物Wを保持し矢印Xで示す露光送り方向に移動可能に構成されているとともに、図１において上下方向に移動し高さ位置を調整できるように構成されている。   The chuck table 2 is configured to hold the workpiece W and be movable in the exposure feed direction indicated by an arrow X, and is configured to be movable in the vertical direction in FIG. 1 to adjust the height position.

露光手段３は、光源４と、該光源４からの光を所定のパターンで反射する複数のマイクロミラーがマトリックス状に配設されたデジタル ミラー デバイス(DMD)５と、該DMD５と対応して複数のマイクロレンズがマトリックス状に配設されそれぞれ集光スポットを形成するマイクロ レンズ アレイ(MLA)６と、DMD５を制御する制御手段７とを具備している。   The exposure means 3 includes a light source 4, a digital mirror device (DMD) 5 in which a plurality of micromirrors that reflect light from the light source 4 in a predetermined pattern are arranged in a matrix, and a plurality of DMDs 5 corresponding to the DMD 5. These microlenses are arranged in a matrix and each has a microlens array (MLA) 6 that forms a focused spot, and a control means 7 that controls the DMD 5.

上記DMD５は、図示の実施形態においては図２に示すように１４μm×１４μmのマイクロミラー５１が１０２４×７６８個マトリックス状に配設されている。マイクロミラー５１は、それぞれ図３に示すように光源４からの光を実線で示すようにMLA６に向けて偏向する第１の位置と、光源４からの光を２点鎖線で示すようにMLA６から離隔した方向に偏向する第２の位置に切換可能に構成されている。このマイクロミラー５１は、制御手段７によって制御され上記第１の位置または第２の位置に位置付けられる。制御手段７は、露光パターンを格納したメモリーを備え、該メモリーに格納された露光パターンに基づいて上記DMD５の複数のマイクロミラー５１を制御する。   In the illustrated embodiment, the DMD 5 has 1024 × 768 micromirrors 51 of 14 μm × 14 μm arranged in a matrix as shown in FIG. As shown in FIG. 3, each of the micromirrors 51 has a first position for deflecting light from the light source 4 toward the MLA 6 as indicated by a solid line, and from the MLA 6 as indicated by a two-dot chain line. It is configured to be switchable to a second position that deflects in a separated direction. The micromirror 51 is controlled by the control means 7 and positioned at the first position or the second position. The control means 7 includes a memory storing an exposure pattern, and controls the plurality of micromirrors 51 of the DMD 5 based on the exposure pattern stored in the memory.

上記MLA６は、DMD５の複数のマイクロミラー５１と対応して複数のマイクロレンズがマトリックス状に配設され、DMD５のマイクロミラー５１によって反射した光を集光し、それぞれ図４に示すように集光スポットSを形成する。この集光スポットSは、図示の実施形態においてはφ３μmに設定されている。なお、隣接する集光スポットSとの間隔には図示の実施形態においては１１μmに設定されている。このように構成されたMLA６は、集光スポットSでチャックテーブル２に保持された被加工物Wを露光する。   The MLA 6 has a plurality of microlenses arranged in a matrix corresponding to the plurality of micromirrors 51 of the DMD 5, collects the light reflected by the micromirrors 51 of the DMD 5, and collects the light as shown in FIG. A spot S is formed. This condensing spot S is set to φ3 μm in the illustrated embodiment. In the illustrated embodiment, the distance between adjacent condensing spots S is set to 11 μm. The MLA 6 configured in this way exposes the workpiece W held on the chuck table 2 by the focused spot S.

上記MLA６の構成について、図５を参照して説明する。
図５に示すMLA６は、上面に複数の半円形状の凹部６１１がマトリックス状に形成された石英板６１と、該凹部６１１に樹脂が充填されて形成されたマイクロレンズ６２と、該マイクロレンズ６２を封止するガラス板からなるカバーガラス６３と、該カバーガラス６３の上面に形成されたシャドウマスク６４とからなっている。なお、シャドウマスク６４には、各マイクロレンズ６２と対応する位置に穴６４１が形成されている。 The configuration of the MLA 6 will be described with reference to FIG.
An MLA 6 shown in FIG. 5 includes a quartz plate 61 having a plurality of semicircular recesses 611 formed in a matrix on the upper surface, a microlens 62 formed by filling the recesses 611 with resin, and the microlens 62. And a shadow mask 64 formed on the upper surface of the cover glass 63. The shadow mask 64 has holes 641 at positions corresponding to the microlenses 62.

以下、上記MLA６の製造方法について、図６乃至図１８を参照して説明する。
先ず、図６に示すように石英板６１の上面にクロム(Cr)を蒸着して金属膜１１を形成し、この金属膜１１の上面にレジスト膜１２を積層し、更に、レジスト膜１２の上面に上記マイクロレンズ６２を形成する位置と対応する位置に複数の穴１３１がマトリックス状に形成されたマスク１３を装着する。そして、マスク１３から光を照射してレジスト膜１２を密着露光する（レジスト膜露光工程）。 Hereinafter, a method for manufacturing the MLA 6 will be described with reference to FIGS.
First, as shown in FIG. 6, chromium (Cr) is deposited on the upper surface of the quartz plate 61 to form a metal film 11, a resist film 12 is laminated on the upper surface of the metal film 11, and the upper surface of the resist film 12 is further formed. A mask 13 having a plurality of holes 131 formed in a matrix is mounted at a position corresponding to the position where the microlens 62 is formed. Then, the resist film 12 is closely exposed by irradiating light from the mask 13 (resist film exposure step).

上述した露光工程を実施したならば、マスク１３を外し、レジスト膜１２を現像する。この結果、図７に示すようにレジスト膜１２には露光された領域に複数の穴１２１が形成される（レジスト膜現像工程）。   After performing the exposure process described above, the mask 13 is removed and the resist film 12 is developed. As a result, as shown in FIG. 7, a plurality of holes 121 are formed in the exposed region of the resist film 12 (resist film developing step).

次に、レジスト膜１２に複数の穴１２１が形成された状態で、クロム(Cr)からなる金属膜１１のエッチングを実施する（金属膜エッチング工程）。この金属膜エッチング工程は、硝酸セリウムアンモニウム等のエッチング剤を用いて実施する。この結果、図８に示すように金属膜１１には、レジスト膜１２に設けられた複数の穴１２１と対応する穴１１１が形成される。   Next, the metal film 11 made of chromium (Cr) is etched in a state where the plurality of holes 121 are formed in the resist film 12 (metal film etching process). This metal film etching step is performed using an etching agent such as cerium ammonium nitrate. As a result, as shown in FIG. 8, holes 111 corresponding to the plurality of holes 121 provided in the resist film 12 are formed in the metal film 11.

上述した金属膜エッチング工程を実施したならば、レジスト膜１２を剥離するレジスト膜剥離工程を実施する。この結果、図９に示すようにクロム(Cr)からなる金属膜１１が露出した状態となる。   If the metal film etching process described above is performed, a resist film stripping process for stripping the resist film 12 is performed. As a result, as shown in FIG. 9, the metal film 11 made of chromium (Cr) is exposed.

レジスト膜剥離工程を実施して金属膜１１が露出されたならば、石英板６１のエッチングを実施する（石英板エッチング工程）。この石英板エッチング工程は、弗酸等のエッチング剤を用いる実施する。この結果、図１０の(a)に示すように石英板６１は金属膜１１に設けられた複数の穴１２１と対応する領域がエッチング基点となって上面側からエッチングされ、複数の半円形状の凹部６１１が形成される。なお、エッチングが進むと、金属膜１１は石英板６１との接合部が小さくなるため、図１０の(b)に示すように石英板６１から剥離され、半円形状の凹部６１１が形成された石英板６１の上面が露出される。   If the metal film 11 is exposed by carrying out the resist film peeling step, the quartz plate 61 is etched (quartz plate etching step). This quartz plate etching step is performed using an etching agent such as hydrofluoric acid. As a result, as shown in FIG. 10A, the quartz plate 61 is etched from the upper surface side with regions corresponding to the plurality of holes 121 provided in the metal film 11 as etching base points. A recess 611 is formed. As the etching progresses, the metal film 11 becomes smaller in the joint portion with the quartz plate 61, and thus peeled off from the quartz plate 61 as shown in FIG. 10B, forming a semicircular recess 611. The upper surface of the quartz plate 61 is exposed.

次に、図１１に示すように石英板６１の上面に形成された複数の半円形状の凹部６１１に、石英より屈折率が高い液状樹脂を充填して複数のマイクロレンズ６２を形成する(レンズ形成工程)。   Next, as shown in FIG. 11, a plurality of microlenses 62 are formed by filling a plurality of semicircular recesses 611 formed on the upper surface of the quartz plate 61 with a liquid resin having a higher refractive index than quartz (lens). Forming step).

上記レンズ形成工程を実施したならば、図１２に示すように複数のマイクロレンズ６２の上面にカバーガラス６３を接合して石英板６１との間にマイクロレンズ６２を封止する（レンズ封止工程）。この結果、石英板６１に複数のマイクロレンズ６２がマトリックス状に形成され該マイクロレンズ６２がカバーガラス６３によって封止されたマイクロ レンズ アレイ６０が形成される。   When the lens forming step is performed, as shown in FIG. 12, a cover glass 63 is bonded to the upper surfaces of the plurality of microlenses 62 and the microlenses 62 are sealed between the quartz plates 61 (lens sealing step). ). As a result, a microlens array 60 in which a plurality of microlenses 62 are formed in a matrix on the quartz plate 61 and the microlenses 62 are sealed by the cover glass 63 is formed.

上述したように構成されたマイクロ レンズ アレイ６０に上記デジタル ミラー デバイス(DMD)５のマイクロミラー５１から光が照射されると、光が各マイクロレンズ６２の略全面に照射されるため、上記集光スポットSの周囲にゴーストが発生する場合がある。そこで、本発明におけるマイクロ レンズ アレイ(MLA)６は、図５に示すようにカバーガラス６３の上面に各マイクロレンズ６２と対応する位置に穴６２１が設けられたシャドウマスク６４を形成する。   When the micro lens array 60 configured as described above is irradiated with light from the micro mirror 51 of the digital mirror device (DMD) 5, the light is irradiated on substantially the entire surface of each micro lens 62. A ghost may occur around the spot S. Therefore, the micro lens array (MLA) 6 according to the present invention forms a shadow mask 64 in which holes 621 are provided at positions corresponding to the micro lenses 62 on the upper surface of the cover glass 63 as shown in FIG.

以下、上記シャドウマスク６４の形成方法について、図１３乃至図１８を参照して説明する。
先ず、図１３に示すようにマイクロ レンズ アレイ６０を構成するカバーガラス６３の上面に光の透過率が４〜６％となるように金属膜６４０を積層する金属膜積層工程を実施する。この金属膜積層工程は、図示の実施形態においてはクロム(Cr)を蒸着してクロム膜を形成する。このクロム膜は、その厚さを７５〜８５Å(オングストロム)に調整することが重要である。 Hereinafter, a method for forming the shadow mask 64 will be described with reference to FIGS.
First, as shown in FIG. 13, a metal film laminating step is performed in which a metal film 640 is laminated on the upper surface of the cover glass 63 constituting the micro lens array 60 so that the light transmittance is 4 to 6%. In the metal film lamination step, chromium (Cr) is deposited in the illustrated embodiment to form a chromium film. It is important to adjust the thickness of the chromium film to 75 to 85 mm (angstrom).

上記金属膜積層工程を実施したならば、図１４に示すように金属膜６４０の上面にレジスト膜１４を積層する（レジスト膜積層工程）。このレジスト膜積層工程は、例えばレジストをスピンコーティングによって厚さ１μm程度のレジスト膜１４を形成する。   When the metal film stacking step is performed, the resist film 14 is stacked on the upper surface of the metal film 640 as shown in FIG. 14 (resist film stacking step). In this resist film stacking step, for example, a resist film 14 having a thickness of about 1 μm is formed by spin coating of a resist.

次に、図１５に示すようにマイクロ レンズ アレイ６０を構成する石英板６１に形成されたマイクロレンズ６２側から光を照射するレジスト膜露光工程を実施する。この結果、マイクロレンズ６２によって集光された光の４〜６％が金属膜６４０を透過してレジスト膜１４が露光される。このように、レジスト膜露光工程は、マイクロ レンズ アレイ６０を構成する石英板６１に形成されたマイクロレンズ６２を利用してレジスト膜１４を露光するので、マイクロレンズ６２と対応した領域に正確に露光することができる。   Next, as shown in FIG. 15, a resist film exposure process is performed in which light is irradiated from the microlens 62 side formed on the quartz plate 61 constituting the microlens array 60. As a result, 4 to 6% of the light collected by the microlens 62 passes through the metal film 640 and the resist film 14 is exposed. As described above, in the resist film exposure step, the resist film 14 is exposed using the microlenses 62 formed on the quartz plate 61 constituting the microlens array 60, so that the region corresponding to the microlenses 62 is accurately exposed. can do.

上記露光工程を実施したならば、レジスト膜１４を現像する（レジスト膜現像工程）。この結果、図１６に示すようにレジスト膜１４には露光された領域に複数の穴１４１が形成される。   If the said exposure process is implemented, the resist film 14 will be developed (resist film development process). As a result, a plurality of holes 141 are formed in the exposed region of the resist film 14 as shown in FIG.

次に、クロム(Cr)からなる金属膜６４０のエッチングを実施する（金属膜エッチング工程）。この金属膜エッチング工程は、硝酸セリウムアンモニウム等のエッチング剤を用いてレジスト膜１４側から実施する。この結果、図１７に示すように金属膜６４０には、レジスト膜１４に設けられた複数の穴１４１と対応する複数の穴６４１が形成される。   Next, the metal film 640 made of chromium (Cr) is etched (metal film etching process). This metal film etching step is performed from the resist film 14 side using an etching agent such as cerium ammonium nitrate. As a result, as shown in FIG. 17, a plurality of holes 641 corresponding to the plurality of holes 141 provided in the resist film 14 are formed in the metal film 640.

上記金属膜エッチング工程を実施したならば、金属膜６４０の上面に形成されているレジスト膜１４を剥離して除去する（レジスト膜剥離工程）ことによって、図１８に示すように複数のマイクロレンズ６２と対応する領域に複数の穴６４１が形成されたシャドウマスク６４が表出し、マイクロ レンズ アレイ６が形成される。   When the metal film etching step is performed, the resist film 14 formed on the upper surface of the metal film 640 is peeled off and removed (resist film peeling step), whereby a plurality of microlenses 62 are formed as shown in FIG. The shadow mask 64 in which a plurality of holes 641 are formed is exposed in the corresponding area, and the micro lens array 6 is formed.

以上のようにして製作されるマイクロ レンズ アレイ６のシャドウマスク６４を構成する金属膜６４０に形成される複数の穴６４１は、石英板６１に形成されたマイクロレンズ６２を利用して露光されたレジスト膜１４に形成される複数の穴１４１と対応して形成されるので、マイクロレンズ６２と対応した領域に正確に形成される。従って、デジタル ミラー デバイス５のマイクロミラー５１によって反射した光は、シャドウマスク６４に形成された穴６４１を通してマイクロレンズ６２の所定領域に正確に入射する。このため、マイクロレンズ６２に入射した光は、所定位置に集光されゴーストが形成されることがない。   The plurality of holes 641 formed in the metal film 640 constituting the shadow mask 64 of the microlens array 6 manufactured as described above are resists exposed using the microlenses 62 formed in the quartz plate 61. Since it is formed corresponding to the plurality of holes 141 formed in the film 14, it is accurately formed in a region corresponding to the microlens 62. Therefore, the light reflected by the micro mirror 51 of the digital mirror device 5 enters the predetermined region of the micro lens 62 accurately through the hole 641 formed in the shadow mask 64. For this reason, the light incident on the microlens 62 is collected at a predetermined position and a ghost is not formed.

本発明によるマイクロ レンズ アレイの製造方法によって製造されたよるマイクロ レンズ アレイが装備された露光装置の概略構成図。The schematic block diagram of the exposure apparatus equipped with the micro lens array manufactured by the manufacturing method of the micro lens array by this invention. 図１に示す露光装置に装備される露光手段を構成するデジタル ミラー デバイス(DMD)の説明図。Explanatory drawing of the digital mirror device (DMD) which comprises the exposure means with which the exposure apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図２に示すデジタル ミラー デバイス(DMD)を構成するマイクロミラーの作動説明図。Operation | movement explanatory drawing of the micromirror which comprises the digital mirror device (DMD) shown in FIG. 図１に示す露光装置に装備される露光手段を構成するマイクロ レンズ アレイ(MLA)によって形成される集光スポットを示す説明図。Explanatory drawing which shows the condensing spot formed by the micro lens array (MLA) which comprises the exposure means with which the exposure apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図１に示す露光装置に装備される露光手段を構成するマイクロ レンズ アレイ(MLA)の要部を拡大して示す断面図。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of a micro lens array (MLA) that constitutes an exposure means provided in the exposure apparatus shown in FIG. 図５に示すマイクロ レンズ アレイ(MLA)の製造方法におけるレジスト膜露光工程の説明図。Explanatory drawing of the resist film exposure process in the manufacturing method of the micro lens array (MLA) shown in FIG. 図５に示すマイクロ レンズ アレイ(MLA)の製造方法におけるレジスト膜剥離工程の説明図。Explanatory drawing of the resist film peeling process in the manufacturing method of the micro lens array (MLA) shown in FIG. 図５に示すマイクロ レンズ アレイ(MLA)の製造方法における金属膜エッチング工程の説明図。Explanatory drawing of the metal film etching process in the manufacturing method of the micro lens array (MLA) shown in FIG. 図５に示すマイクロ レンズ アレイ(MLA)の製造方法におけるレジスト膜剥離工程の説明図。Explanatory drawing of the resist film peeling process in the manufacturing method of the micro lens array (MLA) shown in FIG. 図５に示すマイクロ レンズ アレイ(MLA)の製造方法における石英板エッチング工程の説明図。Explanatory drawing of the quartz board etching process in the manufacturing method of the micro lens array (MLA) shown in FIG. 図５に示すマイクロ レンズ アレイ(MLA)の製造方法におけるレンズ形成工程の説明図。Explanatory drawing of the lens formation process in the manufacturing method of the micro lens array (MLA) shown in FIG. 図５に示すマイクロ レンズ アレイ(MLA)の製造方法におけるレンズ封止工程の説明図。Explanatory drawing of the lens sealing process in the manufacturing method of the micro lens array (MLA) shown in FIG. 本発明によるマイクロ レンズ アレイの製造方法における金属膜積層工程の説明図。Explanatory drawing of the metal film lamination process in the manufacturing method of the micro lens array by this invention. 本発明によるマイクロ レンズ アレイの製造方法におけるレジスト膜積層工程の説明図。Explanatory drawing of the resist film lamination process in the manufacturing method of the micro lens array by this invention. 本発明によるマイクロ レンズ アレイの製造方法におけるレジスト膜露光工程の説明図。Explanatory drawing of the resist film exposure process in the manufacturing method of the micro lens array by this invention. 本発明によるマイクロ レンズ アレイの製造方法におけるレジスト膜現像工程の説明図。Explanatory drawing of the resist film image development process in the manufacturing method of the micro lens array by this invention. 本発明によるマイクロ レンズ アレイの製造方法における金属膜エッチング工程の説明図。Explanatory drawing of the metal film etching process in the manufacturing method of the micro lens array by this invention. 本発明によるマイクロ レンズ アレイの製造方法におけるレジスト膜剥離工程の説明図。Explanatory drawing of the resist film peeling process in the manufacturing method of the micro lens array by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

２：チャックテーブル
３：露光手段
４：光源
５：デジタル ミラー デバイス(DMD)
５１：マイクロミラー
６：マイクロ レンズ アレイ(MLA)
６１：石英板
６２：マイクロレンズ
６３：カバーガラス
６４：シャドウマスク
１１：金属膜
１２：レジスト膜
１３：マスク
１４：レジスト膜
６４０：金属膜 2: Chuck table 3: Exposure means 4: Light source 5: Digital mirror device (DMD)
51: Micro mirror 6: Micro lens array (MLA)
61: Quartz plate 62: Micro lens 63: Cover glass 64: Shadow mask 11: Metal film 12: Resist film 13: Mask 14: Resist film 640: Metal film

Claims (2)

石英板に複数のマイクロレンズがマトリックス状に形成され該マイクロレンズがカバーガラスによって封止されたマイクロ レンズ アレイにシャドウマスクを形成するマイクロ レンズ アレイの製造方法であって、
該カバーガラスの上面に光の透過率が４〜６％となるように金属膜を積層する金属膜積層工程と、
該金属膜の上面にレジスト膜を積層するレジスト膜積層工程と、
該石英板に形成された該マイクロレンズ側から光を照射し、該マイクロレンズによって集光された光の４〜６％を該金属膜を透過して該レジスト膜に照射することにより該レジスト膜における該マイクロレンズと対応した領域を露光するレジスト膜露光工程と、
該レジスト膜露光工程によって露光された該レジスト膜を現像し、該レジスト膜における露光された領域に複数の穴を形成するレジスト膜現像工程と、
該レジスト膜現像工程が実施され複数の穴が形成された該レジスト膜側から該金属膜をエッチングし、該金属膜における該レジスト膜に形成された複数の穴と対応する領域に複数の穴を形成することによりシャドウマスクを形成する金属膜エッチング工程と、
該シャドウマスクを構成する該金属膜の上面に形成されている該レジスト膜を剥離して除去するレジスト膜剥離工程と、を含む、
ことを特徴とするマイクロ レンズ アレイの製造方法。 A method of manufacturing a microlens array, wherein a plurality of microlenses are formed in a matrix on a quartz plate and a shadow mask is formed on the microlens array in which the microlenses are sealed with a cover glass,
A metal film laminating step of laminating a metal film on the upper surface of the cover glass so that the light transmittance is 4 to 6%;
A resist film laminating step of laminating a resist film on the upper surface of the metal film;
The resist film is irradiated with light from the microlens side formed on the quartz plate, and 4-6% of the light collected by the microlens is transmitted through the metal film and irradiated onto the resist film. A resist film exposure step of exposing a region corresponding to the microlens in
Developing the resist film exposed by the resist film exposure step, and forming a plurality of holes in the exposed region of the resist film; and
The metal film is etched from the resist film side on which the resist film development step is performed and a plurality of holes are formed, and a plurality of holes are formed in regions corresponding to the plurality of holes formed in the resist film in the metal film. Forming a shadow mask by forming a metal film etching step;
A resist film peeling step of peeling off and removing the resist film formed on the upper surface of the metal film constituting the shadow mask,
A method for manufacturing a microlens array. 該金属膜積層工程は、該カバーガラスの上面に厚さが７５〜８５Åのクロム膜を積層する。   In the metal film laminating step, a chromium film having a thickness of 75 to 85 mm is laminated on the upper surface of the cover glass.
JP2006149907A 2006-05-30 2006-05-30 Method for manufacturing microlens array Pending JP2007322503A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006149907A JP2007322503A (en) 2006-05-30 2006-05-30 Method for manufacturing microlens array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006149907A JP2007322503A (en) 2006-05-30 2006-05-30 Method for manufacturing microlens array

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007322503A true JP2007322503A (en) 2007-12-13

Family

ID=38855411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006149907A Pending JP2007322503A (en) 2006-05-30 2006-05-30 Method for manufacturing microlens array

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007322503A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103389529A (en) * 2013-07-27 2013-11-13 中山新诺科技有限公司 Preparation method of micro-lens array component
US9291915B2 (en) * 2011-08-23 2016-03-22 University Of Szeged Lithographic method with the capability of spectrum engineering to create complex microstructures

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1039108A (en) * 1996-07-19 1998-02-13 Toray Ind Inc Manufacture of microlens array sheet
JP2001305315A (en) * 2000-02-14 2001-10-31 Fuji Photo Film Co Ltd Light diffusing plate, liquid crystal display device and rear projector device
JP2002122709A (en) * 2000-10-16 2002-04-26 Seiko Epson Corp Substrate with microlens array attached thereto, electro-optical device, method for manufacturing them and projection display device
JP2003131013A (en) * 2001-10-26 2003-05-08 Omron Corp Lens array substrate and liquid crystal display device
JP2004069790A (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Seiko Epson Corp Method for manufacturing substrate with recessing part, substrate with recessing part, substrate with recessing part for micro lens, micro lens substrate, counter substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel, and projection display device
JP2005141202A (en) * 2003-11-03 2005-06-02 Arisawa Mfg Co Ltd Transmission type screen
JP2005292583A (en) * 2004-04-01 2005-10-20 Sony Corp Microlens array substrate and its manufacturing method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1039108A (en) * 1996-07-19 1998-02-13 Toray Ind Inc Manufacture of microlens array sheet
JP2001305315A (en) * 2000-02-14 2001-10-31 Fuji Photo Film Co Ltd Light diffusing plate, liquid crystal display device and rear projector device
JP2002122709A (en) * 2000-10-16 2002-04-26 Seiko Epson Corp Substrate with microlens array attached thereto, electro-optical device, method for manufacturing them and projection display device
JP2003131013A (en) * 2001-10-26 2003-05-08 Omron Corp Lens array substrate and liquid crystal display device
JP2004069790A (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Seiko Epson Corp Method for manufacturing substrate with recessing part, substrate with recessing part, substrate with recessing part for micro lens, micro lens substrate, counter substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel, and projection display device
JP2005141202A (en) * 2003-11-03 2005-06-02 Arisawa Mfg Co Ltd Transmission type screen
JP2005292583A (en) * 2004-04-01 2005-10-20 Sony Corp Microlens array substrate and its manufacturing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9291915B2 (en) * 2011-08-23 2016-03-22 University Of Szeged Lithographic method with the capability of spectrum engineering to create complex microstructures
CN103389529A (en) * 2013-07-27 2013-11-13 中山新诺科技有限公司 Preparation method of micro-lens array component

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8476170B2 (en) Method of forming pattern, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing template
JP2002075817A (en) Method of inscribing wafer-discrimination information and method and device for exposing wafer-discrimination information inscription
KR101949412B1 (en) Photoresist pattern and method for the same
US7755740B2 (en) Exposure apparatus
JP2005150494A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2007322503A (en) Method for manufacturing microlens array
US11003089B2 (en) Method and apparatus for dynamic lithographic exposure
KR20190054815A (en) Maskless exposure method, maskless exposure apparatus and method of manufacturing a semiconductor device using the same
KR101653213B1 (en) Digital exposure method and digital exposure device for performing the exposure method
KR20100104120A (en) Reflective photomask and method of fabricating the same
JP2006261418A (en) Projection aligner and process for fabricating device
JPH11191530A (en) Alignment mark device
KR100303937B1 (en) System and method of manufacturing semicustom reticles using reticle primitives
EP1308785A2 (en) Technique for making deep microstructures in photoresist
JP4235410B2 (en) Exposure method
JP2000021714A (en) Exposure method and aligner, and manufacture of device
JP2006126243A (en) Exposure mask, microlens array and manufacturing method therefor
JP2009212471A (en) Method for manufacturing semiconductor device
KR102100285B1 (en) Method Of Manufacturing Maskless Exposure Apparatus
JP2002373845A (en) Electron beam exposure method and apparatus thereof
KR20080074043A (en) Exposure apparatus
KR101447319B1 (en) Non-planar lithography mask and system and methods
JP2985884B1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2000056198A (en) Optical unit manufacture of optical unit, optical system using optical unit, exposure device using optical unit, and manufacture of device using the exposure device
CN113885299A (en) Multi-mask size chip exposure method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090417

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110329

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110412

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110802