JP2007321028A - Resist ink composition and method of etching by using the same - Google Patents

Resist ink composition and method of etching by using the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition without damaging masking performances which conventional alkali soluble type or solvent soluble resist ink has, such as close adhesion to a substrate material, chemical resistance against treating liquid, resist-peeling property, etc., having a good uniformity of the thickness of coated film and a high accuracy of patterns, and also capable of being removed without using an organic solvent harmful to a living body or an aqueous alkali solution having a problem of waste water treatment. <P>SOLUTION: This resist ink composition containing a polymer having a phase transition temperature in water, an organic solvent and an inorganic compound as essential components is used for forming the resist coated film having a good uniformity of the thickness of coated film and a high accuracy of patterns without damaging the close adhesion to the substrate material, chemical resistance against treating liquid, resist peeling property, etc. Further, the coated film can be removed easily by washing with water at a temperature lower than the phase transition temperature of the polymer having the phase transition temperature in water. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、レジストインキ組成物に関する。より詳細には、本発明は、全プロセスを水系で行なうことのできるレジストインキ組成物に関する。
さらに、本発明は該レジストインキ組成物を用いたエッチング方法に関する。
The present invention relates to a resist ink composition. More specifically, the present invention relates to a resist ink composition capable of performing the entire process in an aqueous system.
Furthermore, the present invention relates to an etching method using the resist ink composition.

プリント配線板を作製する方法としては、従来、絶縁基板上全面に銅箔などの導電性の金属層を形成し(導電性金属層は銅以外の金属を含んでもよいが、以下、この絶縁基板上に導電性金属層を形成した基板を単に「銅張り基板」と記載する。)、配線として残したい部分にレジスト層を設け、それ以外の不要な銅箔部分をエッチングなどで取り除くことにより、必要な回路パターンだけを残す方法が主に用いられている。
このように、レジスト層は、必要な銅箔部分をエッチング液などの処理液から保護するための保護膜としての役割がある。
As a method for producing a printed wiring board, conventionally, a conductive metal layer such as a copper foil is formed on the entire surface of an insulating substrate (the conductive metal layer may contain a metal other than copper. A substrate on which a conductive metal layer is formed is simply described as a “copper-clad substrate”.), A resist layer is provided on a portion to be left as a wiring, and other unnecessary copper foil portions are removed by etching or the like, A method of leaving only a necessary circuit pattern is mainly used.
As described above, the resist layer serves as a protective film for protecting a necessary copper foil portion from a processing solution such as an etching solution.

この際に用いられるレジストは、その形態の違いから、ドライフィルムレジストと液状レジストに大別される。
ドライフィルムレジストとは、液状レジストをポリエチレンテレフタレート(PET)等の保護フィルムに塗布した後、溶媒を蒸発させたフィルム型のレジストであり、液状レジストとは、液状の組成物(一般的には、溶剤を含有することが多い)を直接被着体にスクリーン印刷等の印刷機を用いて塗布するタイプのレジストであり、本発明のレジスト組成物はこの液状レジスト組成物である。
The resist used at this time is roughly classified into a dry film resist and a liquid resist due to the difference in form.
The dry film resist is a film type resist obtained by applying a liquid resist to a protective film such as polyethylene terephthalate (PET) and then evaporating the solvent. The liquid resist is a liquid composition (generally, The resist composition of the present invention is this liquid resist composition. The resist composition of the present invention is often directly applied to an adherend using a printing machine such as screen printing.

液状レジスト組成物を使用したレジストパターン層の形成方法としては、以下の方法がある。
(1)液状レジスト組成物をロールコート法やスクリーン印刷法などにより銅張り基板上一面に塗布し、揮発成分を蒸発させることによりレジスト層を形成し、所望のパターンを有するフォトマスクを介して露光を行った後、希アルカリ水で現像処理してパターン形成する方法、及び
(2)あらかじめパターン形成されている印刷版を用いて、スクリーン印刷により銅張り基板上にパターン形成されたレジスト組成物を塗布し、揮発成分を蒸発させることにより、レジスト層を形成する方法。
As a method for forming a resist pattern layer using a liquid resist composition, there are the following methods.
(1) A liquid resist composition is applied on one surface of a copper-clad substrate by a roll coating method or a screen printing method, a volatile component is evaporated to form a resist layer, and exposure is performed through a photomask having a desired pattern. And (2) a resist composition patterned on a copper-clad substrate by screen printing using a pre-patterned printing plate. A method of forming a resist layer by applying and evaporating volatile components.

上記どちらの方法においても、その後、レジストで覆われていない不要な部分の導電性金属層(銅箔)をエッチングなどにより取り除き、その後、アルカリ水溶液あるいは有機溶剤を用いてレジストを剥離することにより、所望の配線パターンを形成する。   In any of the above methods, after that, unnecessary portions of the conductive metal layer (copper foil) not covered with the resist are removed by etching or the like, and then the resist is peeled off using an alkaline aqueous solution or an organic solvent. A desired wiring pattern is formed.

しかしながら、このようなアルカリ可溶型レジスト塗膜あるいは溶剤可溶型レジスト層に使用される従来のレジストインキ組成物を用いる場合、レジスト層の除去の際に用いられるアルカリ水溶液及び有機溶剤の素材に対する影響及び作業時の生体に対する安全性、さらに廃水処理などに関しての問題がある。   However, when a conventional resist ink composition used for such an alkali-soluble resist coating film or solvent-soluble resist layer is used, the alkaline aqueous solution and the organic solvent material used for removing the resist layer are used. There are problems with respect to impact and safety to living organisms during work, as well as wastewater treatment.

上記の問題を解決する手段として、特許第2885925号公報(特許文献1)においては、水中において相転移温度を有するポリマーであるポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)またはN−イソプロピルアクリルアミドを主成分とする共重合体を含有するレジストインキが提案されている。
このポリ−N−イソプロピルアクリルアミドまたはN−イソプロピルアクリルアミドを主成分とする共重合体を必須成分として含有するレジストインキは、水溶/水不溶の変化を示す温度未満に於て水溶液の形で基板に塗布することができ、乾燥後に水溶/水不溶の変化を示す温度以上に於てエッチング、メッキ等の処理を行い、処理終了後、水溶/水不溶の変化を示す温度未満の水で洗い流すことにより基板等に悪影響を与えずに除去でき、全プロセスを水系で行なうことのできるレジストインキである。
As means for solving the above problems, Japanese Patent No. 2885925 (Patent Document 1) discloses a co-polymer containing poly (N-isopropylacrylamide) or N-isopropylacrylamide, which is a polymer having a phase transition temperature in water, as a main component. Resist inks containing polymers have been proposed.
This resist ink containing poly-N-isopropylacrylamide or a copolymer containing N-isopropylacrylamide as a main component as an essential component is applied to a substrate in the form of an aqueous solution at a temperature lower than the temperature showing a change in water / water insolubility. The substrate can be processed by etching, plating, etc. at a temperature higher than the temperature showing a change in water solubility / water insolubility after drying, and washed with water below the temperature showing the change in water solubility / water insolubility after the treatment is completed. It is a resist ink that can be removed without adversely affecting the water and the like, and the entire process can be carried out in an aqueous system.

この発明では、銅張り基板上にパターン形成されたレジスト組成物を塗布し、乾燥させる際に、相転移温度より高い温度で乾燥させると、ポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)またはN−イソプロピルアクリルアミドを主成分とする共重合体が水に不溶化してしまうため、相転移温度よりも低い温度で乾燥させる必要がある。しかしながら、希釈成分が蒸発速度の遅い水のみであるために、相転移温度より低い温度で乾燥させる場合には長い時間を要する。さらに、塗布したレジスト溶液が、乾燥中にいわゆる「タレ」を生じ、レジスト層の厚みが不均一になり、結果として、パターン形状の精度が損なわれるといった欠点を有していた。   In the present invention, when a resist composition patterned on a copper-clad substrate is applied and dried, when it is dried at a temperature higher than the phase transition temperature, poly (N-isopropylacrylamide) or N-isopropylacrylamide is mainly used. Since the copolymer as a component is insoluble in water, it must be dried at a temperature lower than the phase transition temperature. However, since the diluting component is only water having a low evaporation rate, it takes a long time to dry at a temperature lower than the phase transition temperature. Furthermore, the applied resist solution has a so-called “sag” during drying, resulting in a non-uniform thickness of the resist layer, and as a result, the accuracy of the pattern shape is impaired.

以上の見地より、従来のアルカリ可溶型あるいは溶剤可溶型レジストインキのもつマスキング性能、即ち素材に対する密着性、処理液に対する化学的抵抗性、レジスト剥離性等を損なうことなく、層の厚みの均一性が良好で、パターン精度が高く、生体に有害な有機溶剤や廃水処理の問題を有するアルカリ水溶液を使用することなく容易に除去することの可能なレジストインキ組成物の開発が切望されている。   From the above viewpoints, the masking performance of conventional alkali-soluble or solvent-soluble resist inks, that is, adhesion to materials, chemical resistance to processing solutions, resist stripping, etc., is not impaired. Development of resist ink compositions that have good uniformity, high pattern accuracy, and can be easily removed without using organic solvents that are harmful to living organisms or alkaline aqueous solutions that have problems with wastewater treatment is eagerly desired. .

特許第2885925号公報Japanese Patent No. 2885925

本発明は、従来のアルカリ可溶型あるいは溶剤可溶型レジストインキのもつマスキング性能、即ち素材に対する密着性、処理液に対する化学的抵抗性、レジスト剥離性等を損なうことなく、層の厚みの均一性が良好で、パターン精度が高く、生体に有害な有機溶剤や廃水処理の問題を有するアルカリ水溶液を使用することなく容易に除去することの可能なレジストインキ組成物を提供することを目的とする。   The present invention provides a uniform layer thickness without impairing the masking performance of conventional alkali-soluble or solvent-soluble resist inks, that is, adhesion to materials, chemical resistance to processing solutions, resist stripping properties, etc. An object of the present invention is to provide a resist ink composition that has good properties, has high pattern accuracy, and can be easily removed without using an organic solvent harmful to living organisms or an alkaline aqueous solution having a problem of wastewater treatment. .

本発明者らは、上記課題に対して鋭意検討した結果、水中において相転移温度を有するポリマー(a)、有機溶剤(b)及び無機化合物(c)を必須成分として含有することを特徴とするレジストインキ組成物を用いることにより、素材に対する密着性、処理液に対する化学的抵抗性、レジスト剥離性等を損なうことなく、層の厚みの均一性が良好で、パターンの精度の高いレジストになり、さらに、水中において相転移温度を有するポリマーの相転移温度より低い温度の水で、容易にレジスト層を除去できることを発見し、本発明に至った。   As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors are characterized by containing, as essential components, a polymer (a) having a phase transition temperature in water, an organic solvent (b), and an inorganic compound (c). By using the resist ink composition, the layer thickness uniformity is good and the pattern accuracy is high without impairing the adhesion to the material, the chemical resistance to the treatment liquid, the resist peelability, etc. Furthermore, it was discovered that the resist layer can be easily removed with water having a temperature lower than the phase transition temperature of the polymer having a phase transition temperature in water, and the present invention has been achieved.

すなわち、本発明は、以下の〔1〕〜〔5〕に示されるレジストインキ組成物、〔6〕に示されるエッチング方法に関する。
1.(a)水中において相転移温度を有するポリマー、
(b)有機溶剤、及び
(c)無機化合物
を必須成分として含有することを特徴とするレジストインキ組成物。
2.(a)水中において相転移温度を有するポリマー、
(b)有機溶剤、
(c)無機化合物、及び
(d)消泡剤
を必須成分として含有することを特徴とするレジストインキ組成物。
3.水中において相転移温度を有するポリマー(a)の5質量%水溶液での相転移温度が、30〜45℃である前記1又は2に記載のレジストインキ組成物。
4.水中において相転移温度を有するポリマー(a)が、ポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)、ポリ(N−ビニルカプロラクタム)、ポリ(ビニルメチルエーテル)及びケン化度が40〜60%である部分ケン化ポリビニルアルコール、またはそれらの単量体成分を含む共重合体からなる群より選ばれる少なくとも1種以上である前記1〜3のいずれか1項に記載のレジストインキ組成物。
5.25℃でのレジストインキ組成物において、回転数10rpmでの粘度と回転数50rpmでの粘度の比が、1.2〜4.0の範囲である前記1〜4のいずれか1項に記載のレジストインキ組成物。
6.以下の(イ)〜(ニ)の工程を含むことを特徴とするエッチング方法。
工程(イ):前記1〜5のいずれか1項に記載のレジストインキ組成物を印刷して、基板上にパターンが形成されたレジスト塗膜を形成する工程。
工程(ロ):工程(イ)で得られたレジスト塗膜中の揮発成分を蒸発させ、一部あるいは全量の揮発成分が除去されたレジスト塗膜を有する基板を得る工程。
工程(ハ):水中において相転移温度を有するポリマーの相転移温度より高い温度の塩化第二鉄水溶液あるいは塩化第二水銅溶液を用いて、工程(ロ)で得られた基板をエッチングする工程。
工程(ニ):水中において相転移温度を有するポリマーの相転移温度より低い温度の水あるいは水溶液を用いて、工程(ハ)で得られた基板からレジスト塗膜を剥離する工程。
That is, this invention relates to the resist ink composition shown by the following [1]-[5], and the etching method shown by [6].
1. (A) a polymer having a phase transition temperature in water;
A resist ink composition comprising (b) an organic solvent, and (c) an inorganic compound as an essential component.
2. (A) a polymer having a phase transition temperature in water;
(B) an organic solvent,
A resist ink composition comprising (c) an inorganic compound, and (d) an antifoaming agent as an essential component.
3. 3. The resist ink composition according to 1 or 2 above, wherein the phase transition temperature in a 5% by mass aqueous solution of the polymer (a) having a phase transition temperature in water is 30 to 45 ° C.
4). Polymer (a) having a phase transition temperature in water is poly (N-isopropylacrylamide), poly (N-vinylcaprolactam), poly (vinyl methyl ether), and partially saponified polyvinyl having a saponification degree of 40 to 60% 4. The resist ink composition according to any one of 1 to 3, which is at least one selected from the group consisting of alcohols and copolymers containing monomer components thereof.
5. The resist ink composition at 5.25 ° C., wherein the ratio of the viscosity at a rotation speed of 10 rpm and the viscosity at a rotation speed of 50 rpm is in the range of 1.2 to 4.0. The resist ink composition as described.
6). An etching method comprising the following steps (a) to (d):
Process (I): The process of printing the resist ink composition of any one of said 1-5, and forming the resist coating film in which the pattern was formed on the board | substrate.
Step (b): A step of evaporating the volatile components in the resist coating obtained in step (a) to obtain a substrate having a resist coating from which a part or all of the volatile components have been removed.
Step (c): A step of etching the substrate obtained in step (b) using a ferric chloride aqueous solution or a cupric chloride solution having a temperature higher than the phase transition temperature of the polymer having a phase transition temperature in water. .
Step (d): A step of peeling the resist coating film from the substrate obtained in step (c) using water or an aqueous solution having a temperature lower than the phase transition temperature of the polymer having a phase transition temperature in water.

本発明のレジストインキ組成物は、素材に対する密着性、処理液に対する化学的抵抗性、レジスト剥離性、層の厚みの均一性が良好で、パターン精度が高いレジスト塗膜を形成できる。この塗膜は、生体に有害な有機溶剤や廃水処理の問題を有するアルカリ水溶液を使用することなく容易に除去することが可能である。   The resist ink composition of the present invention can form a resist coating film having high pattern accuracy with good adhesion to the material, chemical resistance to the treatment liquid, resist releasability, and uniformity of layer thickness. This coating film can be easily removed without using an organic solvent harmful to living organisms or an alkaline aqueous solution having a problem of wastewater treatment.

以下、本発明を具体的に説明する。
[レジストインキ組成物]
まず、本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)について説明する。
本発明は、水中において相転移温度を有するポリマー(a)、有機溶剤(b)及び無機化合物(c)を必須成分として含有することを特徴とするレジストインキ組成物(I)及び水中において相転移温度を有するポリマー(a)、有機溶剤(b)、無機化合物(c)及び消泡剤(d)を必須成分として含有することを特徴とするレジストインキ組成物(II)に関するものである。
The present invention will be specifically described below.
[Resist ink composition]
First, the resist ink compositions (I) and (II) of the present invention will be described.
The present invention comprises a resist ink composition (I) comprising a polymer (a) having a phase transition temperature in water, an organic solvent (b) and an inorganic compound (c) as essential components, and a phase transition in water. The present invention relates to a resist ink composition (II) comprising a polymer (a) having a temperature, an organic solvent (b), an inorganic compound (c) and an antifoaming agent (d) as essential components.

(a)水中において相転移温度を有するポリマー
まず、初めに、本発明(I)及び本発明(II)の必須成分である、水中において相転移温度を有するポリマー(a)について説明する。
(A) Polymer having a phase transition temperature in water First, the polymer (a) having a phase transition temperature in water, which is an essential component of the present invention (I) and the present invention (II), will be described.

なお、本明細書中に記載の「相転移温度」とは、以下に説明する温度を意味する。
例えば、ポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)は32℃未満の温度では容易に水に溶けるが、32℃以上では水に溶けなくなる。この場合、この32℃という温度がポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)の「相転移温度」となる。この相転移温度により水溶/水不溶に変化する性質は可逆的である。
In addition, the “phase transition temperature” described in the present specification means a temperature described below.
For example, poly (N-isopropylacrylamide) readily dissolves in water at temperatures below 32 ° C., but becomes insoluble in water above 32 ° C. In this case, the temperature of 32 ° C. is the “phase transition temperature” of poly (N-isopropylacrylamide). The property of changing to water / water insoluble depending on the phase transition temperature is reversible.

本明細書中に記載する「相転移温度」とは、熱測定装置FP81HT(メトラー・トレド(株)製)を用いて、完全溶解した5質量%ポリマー水溶液を一定スピード(例えば1℃/min)で昇温させ、溶解度低下により光の透過度が完全溶解時の光の透過度に対して4%低下した時の温度と定義する。
また、本明細書中に記載する「水中において相転移温度を有する」とは、上記の方法で相転移温度を測定した場合に、当該ポリマー水溶液の相転移温度が0℃〜100℃の範囲に存在することを意味する。
The “phase transition temperature” described in the present specification is a constant speed (for example, 1 ° C./min) of a 5 mass% polymer aqueous solution completely dissolved using a heat measurement device FP81HT (manufactured by METTLER TOLEDO). The temperature is defined as the temperature at which the light transmittance decreases by 4% with respect to the light transmittance at the time of complete dissolution due to a decrease in solubility.
Further, “having a phase transition temperature in water” described in the present specification means that the phase transition temperature of the aqueous polymer solution falls within the range of 0 ° C. to 100 ° C. when the phase transition temperature is measured by the above method. It means to exist.

本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)の必須成分である、水中において相転移温度を有するポリマー(a)の例としては、ポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)、N−イソプロピルアクリルアミドとアクリルアミドの共重合体、N−イソプロピルアクリルアミドとN、N−ジメチルアクリルアミドの共重合体、ポリ(N−ビニルカプロラクタム)、N−ビニルカプロラクタムとN―ビニルピロリドンの共重合体、ポリビニルメチルエーテル、メチルセルロース、部分ケン化ポリビニルアルコール等を挙げることができる。   Examples of the polymer (a) having a phase transition temperature in water which is an essential component of the resist ink compositions (I) and (II) of the present invention include poly (N-isopropylacrylamide), N-isopropylacrylamide and acrylamide. Copolymer, copolymer of N-isopropylacrylamide and N, N-dimethylacrylamide, poly (N-vinylcaprolactam), copolymer of N-vinylcaprolactam and N-vinylpyrrolidone, polyvinyl methyl ether, methylcellulose, part Examples thereof include saponified polyvinyl alcohol.

本発明のレジストインキ組成物における水中において相転移温度を有するポリマー(a)の使用量は、水中において相転移温度を有するポリマー(a)の種類、分子量、あるいは本発明(I)及び(II)の必須成分である有機溶媒(b)の種類によって異なるため一概に言及することはできないが、レジストインキ組成物の粘度(25℃、回転数50rpmで測定。)は5000〜10万mPa・sの範囲で調整することが好ましく、1万〜6万mPa・sの範囲で調整することがさらに好ましい。
なお、本明細書中において、粘度は、Broookfield社製のデジタル粘度計HBDV−E型を用いて測定している。
The amount of the polymer (a) having a phase transition temperature in water in the resist ink composition of the present invention is the kind and molecular weight of the polymer (a) having a phase transition temperature in water, or the present invention (I) and (II). The viscosity of the resist ink composition (measured at 25 ° C. and 50 rpm) is 5,000 to 100,000 mPa · s, although it cannot be mentioned in general because it varies depending on the type of organic solvent (b) that is an essential component of It is preferable to adjust in the range, and it is more preferable to adjust in the range of 10,000 to 60,000 mPa · s.
In the present specification, the viscosity is measured using a digital viscometer model HBDV-E manufactured by Brookfield.

また、本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)の必須成分である、水中において相転移温度を有するポリマー(a)の5質量%水溶液の相転移温度は30〜45℃であることが好ましい。
30℃未満においては、レジスト塗膜の除去時間を考慮して出来る限り高い温度であることが望ましい。
相転移温度が30℃未満のポリマーを使用した場合には、レジスト塗膜を除去する水の温度もそのポリマーの相転移温度未満に維持する必要があり、その結果、レジスト塗膜の除去に時間を要してしまうことになる。
一方、相転移温度が45℃より高くなると、エッチング液の温度を相転移温度より高い温度で管理する必要がある点から、エネルギー的に好ましくない。
The phase transition temperature of a 5% by mass aqueous solution of the polymer (a) having a phase transition temperature in water, which is an essential component of the resist ink compositions (I) and (II) of the present invention, is 30 to 45 ° C. Is preferred.
When the temperature is lower than 30 ° C., it is desirable that the temperature be as high as possible in consideration of the removal time of the resist coating film.
When a polymer having a phase transition temperature of less than 30 ° C. is used, it is necessary to maintain the temperature of water for removing the resist coating film below the phase transition temperature of the polymer. Will be required.
On the other hand, if the phase transition temperature is higher than 45 ° C., it is not preferable in terms of energy because the temperature of the etching solution needs to be controlled at a temperature higher than the phase transition temperature.

上記のことを考慮すると、本発明(I)及び(II)の必須成分である水中において相転移温度を有するポリマー(a)の好ましい例としては、ポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)、ポリ(N−ビニルカプロラクタム)、ポリ(ビニルメチルエーテル)及びケン化度が40〜60%である部分ケン化ポリビニルアルコールを挙げることができる。   Considering the above, preferred examples of the polymer (a) having a phase transition temperature in water which is an essential component of the present invention (I) and (II) include poly (N-isopropylacrylamide), poly (N- Vinyl caprolactam), poly (vinyl methyl ether) and partially saponified polyvinyl alcohol having a saponification degree of 40 to 60%.

(b)有機溶媒
次に、本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)の必須成分である有機溶媒(b)について説明する。
本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)の必須成分である有機溶媒(b)は、水中において相転移温度を有するポリマー(a)を溶解できる有機溶媒であれば特に制限はなく、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−ブタノール、2−エトキシエタノール、2−ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、メトキシエチルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶媒を挙げることができる。
(B) Organic solvent Next, the organic solvent (b) which is an essential component of the resist ink compositions (I) and (II) of the present invention will be described.
The organic solvent (b) that is an essential component of the resist ink compositions (I) and (II) of the present invention is not particularly limited as long as it is an organic solvent that can dissolve the polymer (a) having a phase transition temperature in water. For example, alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, n-butanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol, propylene glycol, N, N-dimethylformamide, N Amide solvents such as N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone, ester solvents such as methoxyethyl acetate and diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol dimethyl ether and diethylene glycol It may be mentioned ether solvents such as dimethyl ether, ethyl acetate, ester solvents such as γ- butyrolactone.

また、本明細書中では、単独で使用した場合には水中において相転移温度を有するポリマー(a)を溶解することが出来ない溶媒であっても、他の有機溶媒あるいは水と混合することによって水中において相転移温度を有するポリマー(a)を溶解することができる場合には、本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)の必須成分である有機溶媒(b)に含まれるものと定義する。   Moreover, in this specification, even if it is a solvent which cannot melt | dissolve the polymer (a) which has a phase transition temperature in water when it is used independently, it mixes with another organic solvent or water. When the polymer (a) having a phase transition temperature in water can be dissolved, it is included in the organic solvent (b) which is an essential component of the resist ink compositions (I) and (II) of the present invention. Define.

これらの有機溶媒(b)の中で、好ましいものとしては、大気圧下での沸点が130〜230℃の範囲の有機溶媒が好ましい。沸点が130℃未満の有機溶媒のみを使用した場合には、スクリーン印刷を連続して行う際に溶媒が急速に蒸発してしまい、印刷性が変わってしまう場合があり好ましくこととは言えない。また、沸点230℃より高い有機溶媒を主成分で使用すると、印刷後の揮発成分である溶媒の除去工程で、溶媒を蒸発させるのに多くのエネルギーを必要とすることとなり好ましいことは言えない。
これらの好ましい有機溶媒としては、具体的には、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、エチレングリコールモノブチルエーテル、γ―ブチルラクトン、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、2−ブトキシエタノール等を挙げることができる。
Among these organic solvents (b), an organic solvent having a boiling point in the range of 130 to 230 ° C. under atmospheric pressure is preferable. When only an organic solvent having a boiling point of less than 130 ° C. is used, the solvent rapidly evaporates when screen printing is continuously performed, which may change the printability, which is not preferable. Moreover, it is not preferable to use an organic solvent having a boiling point higher than 230 ° C. as a main component because a large amount of energy is required to evaporate the solvent in the step of removing the solvent which is a volatile component after printing.
Specific examples of these preferred organic solvents include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, ethylene glycol monobutyl ether, γ-butyl lactone, diethylene glycol monoethyl ether acetate, 2- Examples include butoxyethanol.

有機溶媒(b)の使用量は、水中において相転移温度を有するポリマー(a)の種類や分子量、及び有機溶媒の種類によって異なるため一概に言及することはできないが、前述したように、レジストインキ組成物の粘度(25℃、回転数50rpmで測定)は、5000〜10万mPa・sの範囲で調整することが好ましく、1万〜6万mPa・sの範囲で調整することがさらに好ましい。   Although the amount of the organic solvent (b) used varies depending on the type and molecular weight of the polymer (a) having a phase transition temperature in water and the type of the organic solvent, it cannot be generally mentioned. The viscosity of the composition (measured at 25 ° C. and 50 rpm) is preferably adjusted in the range of 5000 to 100,000 mPa · s, more preferably in the range of 10,000 to 60,000 mPa · s.

また、廃水処理や大気汚染の原因となるVOC(Volatile Organic Compounds:揮発性有機化合物)の低減を考慮した場合、有機溶媒(b)に水を混合させて有機溶媒の使用量を少なくすることが可能である。この場合、当然ながら有機溶媒(b)は水に溶解するものでなければならない。   In addition, when considering the reduction of VOC (Volatile Organic Compounds) that cause wastewater treatment and air pollution, water may be mixed in the organic solvent (b) to reduce the amount of organic solvent used. Is possible. In this case, of course, the organic solvent (b) must be soluble in water.

(c)無機化合物
次に、本発明(I)及び(II)の必須成分である無機化合物(c)について説明する。
本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)の必須成分である無機化合物(c)は、組成物に適度のチクソトロピーを付与したり、増粘させたりする目的で使用されるもので、例えば、粉末、球状、ウイスカー状、鱗片状等の各種形状の無機物を挙げることができる。
(C) Inorganic Compound Next, the inorganic compound (c), which is an essential component of the present invention (I) and (II), will be described.
The inorganic compound (c), which is an essential component of the resist ink compositions (I) and (II) of the present invention, is used for the purpose of imparting an appropriate thixotropy to the composition or increasing the viscosity. Examples thereof include inorganic materials having various shapes such as powder, spherical shape, whisker shape, and scale shape.

また、本明細書中では、前記無機化合物(c)に、有機化合物で物理的に被覆、有機化合物で化学的に表面処理した有機・無機の複合物あるいは無機層間化合物の層間に有機物を取り込んだものも本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)の必須成分である無機化合物(c)に含まれるものと定義する。   Further, in the present specification, the organic compound is taken into the inorganic compound (c) between the layers of the organic / inorganic composite or the inorganic intercalation compound that is physically coated with the organic compound and chemically surface-treated with the organic compound. Are defined as those contained in the inorganic compound (c) which is an essential component of the resist ink compositions (I) and (II) of the present invention.

無機化合物(c)の具体例としては、例えば、炭酸カルシウム、タルク、クレー、ガラス粉、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、酸化チタン、アルミナやそれらの表面改質品、ベントナイト、ゼオライト、スメクタイトあるいはそれらの表面や有機物を層間に取り込んだ化合物等の改質品等の公知のものが使用され、これらを一種あるいは二種類以上組み合わせて使用することもできる。   Specific examples of the inorganic compound (c) include, for example, calcium carbonate, talc, clay, glass powder, silica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, barium sulfate, titanium oxide, alumina and surface modified products thereof, bentonite, Known materials such as zeolite, smectite, or modified products such as compounds in which the surface or organic substance thereof is incorporated between layers are used, and these may be used alone or in combination of two or more.

これらの中で、好ましいものとしては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、シリカ、ベントナイト、ゼオライト、スメクタイト及びそれらの改質品であり、さらに、好ましくは、硫酸バリウム、シリカ、ベントナイト、ゼオライト、スメクタイト及びそれらの改質品である。   Among these, preferred are aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, barium sulfate, silica, bentonite, zeolite, smectite and modified products thereof, and more preferred are barium sulfate, silica, bentonite, zeolite. , Smectites and their modified products.

これら無機化合物(c)の含有量は、レジストインキ組成物の全質量から有機溶媒(b)の質量を除いた質量を100質量部とした場合に、0.1〜30質量部の範囲であることが好ましく、0.1〜20質量部の範囲であることがさらに好ましい。無機化合物(c)の含有量が0.1質量部未満であると添加した効果があまり見られず、また、30質量部を超えると、レジスト塗膜の素材に対する密着性が悪くなる場合があり好ましくない。   The content of these inorganic compounds (c) is in the range of 0.1 to 30 parts by mass when the mass excluding the mass of the organic solvent (b) from the total mass of the resist ink composition is 100 parts by mass. It is preferable that the range is 0.1 to 20 parts by mass. When the content of the inorganic compound (c) is less than 0.1 parts by mass, the added effect is not so much observed, and when it exceeds 30 parts by mass, the adhesion of the resist coating film to the material may be deteriorated. It is not preferable.

(d)消泡剤
次に、本発明のレジストインキ組成物(II)のレジストインキ組成物の必須成分である消泡剤(d)について説明する。
本発明のレジストインキ組成物(II)の必須成分である消泡剤(d)は、文字通り、レジストインキ組成物を塗布する際に発生する気泡を消す作用を有するものであれば、特に制限はない。
(D) Defoamer Next, the defoamer (d), which is an essential component of the resist ink composition of the resist ink composition (II) of the present invention, will be described.
The antifoaming agent (d), which is an essential component of the resist ink composition (II) of the present invention, is literally limited as long as it literally has an action of eliminating bubbles generated when the resist ink composition is applied. Absent.

本発明のレジストインキ組成物(II)の必須成分である消泡剤(d)の具体例としては、例えば、BYK−077(ビックケミー・ジャパン(株)製)、SNデフォーマー470(サンノプコ(株)製)、TSA−750S(GE東芝シリコーン(株)製)、シリコーンオイルSH−203(東レ・シリコーン(株)製)等のシリコーン系消泡剤、ダッポーSN−348(サンノプコ(株)製)、ダッポーSN−354(サンノプコ(株)製)、ダッポーSN−368(サンノプコ(株)製)等のアクリル重合体系消泡剤、サーフィノールDF−110D(日清化学工業(株)製)、サーフィノールDF−37(日清化学工業(株)製)等のアセチレンジオール系消泡剤、FA−630等のフッ素含有シリコーン系消泡剤等を挙げることができる。
これらの中で好ましい消泡剤は、シリコーン系消泡剤やフッ素含有シリコーン系消泡剤であり、さらに好ましくは、シりコーン系消泡剤である。
Specific examples of the antifoaming agent (d), which is an essential component of the resist ink composition (II) of the present invention, include, for example, BYK-077 (manufactured by Big Chemie Japan), SN deformer 470 (San Nopco) Manufactured), TSA-750S (manufactured by GE Toshiba Silicone), silicone-based antifoaming agent such as silicone oil SH-203 (manufactured by Toray Silicone), Dappo SN-348 (manufactured by San Nopco), Acrylic polymer antifoaming agents such as Dappo SN-354 (manufactured by San Nopco), Dappo SN-368 (manufactured by San Nopco), Surfynol DF-110D (manufactured by Nisshin Chemical Industry Co., Ltd.), Surfynol Acetylene diol type antifoaming agents such as DF-37 (manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.), fluorine-containing silicone type antifoaming agents such as FA-630, etc. That.
Among these, a preferable antifoaming agent is a silicone-based antifoaming agent or a fluorine-containing silicone-based antifoaming agent, and more preferably a silicon corn-based antifoaming agent.

(e)その他の添加物
さらに、本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)のレジストインキ組成物には、必要に応じて、フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ジスアゾイエロー、クスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック、ナフタレンブラック等の公知の着色剤や、ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、カテコール、ピロガロール等の重合禁止剤等を添加することができる。
(E) Other Additives Further, the resist ink compositions (I) and (II) of the present invention include phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodin green, and disazo yellow as necessary. In addition, known colorants such as kustal violet, titanium oxide, carbon black and naphthalene black, and polymerization inhibitors such as hydroquinone, methylhydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, catechol and pyrogallol can be added.

[混練方法]
本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)は、配合成分の一部あるいは全部をロールミル、ビーズミル等で均一に混練、混合することによって得ることができる。
[Kneading method]
The resist ink compositions (I) and (II) of the present invention can be obtained by uniformly kneading and mixing part or all of the blending components with a roll mill, a bead mill or the like.

[粘度]
また、塗布する際の流動性の観点から、本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)の粘度について、25℃における回転数10rpmでの粘度と回転数50rpmでの粘度の比が、1.2〜3.0の範囲であることが好ましい。
25℃における回転数10rpmでの粘度と回転数50rpmでの粘度の比が1.2未満になると、レジストインキ組成物を塗布した後に、該組成物が流動してしまい、一定の膜厚にならなかったり、印刷パターンを維持できなかったりすることがある。また、25℃における回転数10rpmでの粘度と回転数50rpmでの粘度の比が3.0より大きくなると、レジスト塗膜の消泡性が悪くなることがある。
[viscosity]
In addition, from the viewpoint of fluidity at the time of coating, the viscosity of the resist ink compositions (I) and (II) of the present invention is the ratio of the viscosity at a rotation speed of 10 rpm and the viscosity at a rotation speed of 50 rpm at 25 ° C. It is preferable that it is the range of 1.2-3.0.
When the ratio of the viscosity at a rotation speed of 10 rpm and the viscosity at a rotation speed of 50 rpm at 25 ° C. is less than 1.2, after the resist ink composition is applied, the composition flows and the film thickness becomes constant. Or the print pattern may not be maintained. Moreover, when the ratio of the viscosity at a rotation speed of 10 rpm and the viscosity at a rotation speed of 50 rpm at 25 ° C. is larger than 3.0, the defoaming property of the resist coating film may be deteriorated.

[エッチング方法]
さらに、本発明のレジストインキ組成物(I)及び(II)を用いたのエッチング方法(III)について説明する。
本発明(III)は、以下の工程(イ)〜(ニ)を含む。
工程(イ):本発明のレジストインキ組成物(I)又は(II)を印刷して、基板上にパターンが形成されたレジスト塗膜を形成する工程。
工程(ロ):工程(イ)で得られたレジスト塗膜中の揮発成分を蒸発させ、一部あるいは全量の揮発成分が除去されたレジスト塗膜を有する基板を得る工程。
工程(ハ):水中において相転移温度を有するポリマー(a)の相転移温度より高い温度の塩化第二鉄水溶液あるいは塩化第二水銅溶液を用いて、工程(ロ)で得られた基板をエッチングする工程。
工程(ニ):水中において相転移温度を有するポリマー(a)の相転移温度より低い温度の水あるいは水溶液を用いて、工程(ハ)で得られた基板からレジスト塗膜を剥離する工程。
[Etching method]
Further, the etching method (III) using the resist ink compositions (I) and (II) of the present invention will be described.
The present invention (III) includes the following steps (a) to (d).
Step (I): A step of printing the resist ink composition (I) or (II) of the present invention to form a resist coating film having a pattern formed on the substrate.
Step (b): A step of evaporating the volatile components in the resist coating film obtained in step (a) to obtain a substrate having a resist coating film from which part or all of the volatile components have been removed.
Step (c): Using the aqueous ferric chloride solution or cupric chloride solution having a temperature higher than the phase transition temperature of the polymer (a) having a phase transition temperature in water, the substrate obtained in the step (b) Etching process.
Step (d): A step of peeling the resist coating film from the substrate obtained in step (c) using water or an aqueous solution having a temperature lower than the phase transition temperature of the polymer (a) having a phase transition temperature in water.

工程(イ)は、本発明のレジストインキ組成物(I)又は(II)を印刷して、基板上にパターンが形成されたレジスト塗膜を形成する工程である。
本発明のレジストインキ組成物(I)又は(II)の印刷方法としては、例えば、パターン形成された印刷版を用いて、銅張り基板上にスクリーン印刷法により、パターン形成されたレジストインキ組成物を塗布することができる。
Step (A) is a step of printing a resist ink composition (I) or (II) of the present invention to form a resist coating film having a pattern formed on a substrate.
As a printing method of the resist ink composition (I) or (II) of the present invention, for example, a resist ink composition patterned by screen printing on a copper-clad substrate using a patterned printing plate Can be applied.

工程(ロ)は、工程(イ)で得られたレジスト塗膜中の揮発成分を蒸発させ、一部あるいは全量の揮発成分が除去されたレジスト塗膜を有する基板を得る工程である。
揮発成分を蒸発させる時の乾燥温度には特に制限はないが、50℃〜100℃の雰囲気下で揮発成分を蒸発させるのが一般的である。また、有機溶媒は必ずしも全量除去する必要はなく、塗膜がタックを有さない程度、及び相転移温度に影響しない程度の量であれば、残っていても問題ない。
Step (b) is a step of obtaining a substrate having a resist coating film in which the volatile components in the resist coating film obtained in step (a) are evaporated to remove a part or all of the volatile components.
Although there is no restriction | limiting in particular in the drying temperature at the time of evaporating a volatile component, It is common to evaporate a volatile component in 50 to 100 degreeC atmosphere. Further, it is not always necessary to remove the entire amount of the organic solvent, and there is no problem even if it remains as long as the coating film does not have tack and does not affect the phase transition temperature.

工程(ハ)は、水中において相転移温度を有するポリマー(a)の相転移温度より高い温度の塩化第二鉄水溶液あるいは塩化第二水銅溶液を用いて、工程(ロ)で得られた基板をエッチングする工程である。
塩化第二鉄水溶液の濃度は、一般的に2.0〜4.0Mのものが使用される。
また、塩化第二銅水溶液の濃度は、一般的に1.5〜3.0Mのものを使用する。その際、塩酸の濃度は1.0〜5.0Mに調製して使用するのが一般的である。
In the step (c), a substrate obtained in the step (b) using a ferric chloride aqueous solution or a cupric chloride solution having a temperature higher than the phase transition temperature of the polymer (a) having a phase transition temperature in water. Is a step of etching.
The concentration of the ferric chloride aqueous solution is generally 2.0 to 4.0 M.
The concentration of the cupric chloride aqueous solution is generally 1.5 to 3.0M. At that time, the concentration of hydrochloric acid is generally adjusted to 1.0 to 5.0 M and used.

工程(ニ)は、水中において相転移温度を有するポリマーの相転移温度(a)より低い温度の水あるいは水溶液を用いて、工程(ハ)で得られた基板からレジスト塗膜を剥離する工程である。剥離のために使用する水又は水溶液の温度は、水中において相転移温度を有するポリマー(a)の相転移温度より低い温度でなければならない。ポリマーの相転移温度より低い温度の水又は水溶液を使用することによって、レジスト膜の剥離が可能になる。   Step (d) is a step of peeling the resist coating film from the substrate obtained in step (c) using water or an aqueous solution having a temperature lower than the phase transition temperature (a) of the polymer having a phase transition temperature in water. is there. The temperature of the water or aqueous solution used for stripping must be lower than the phase transition temperature of the polymer (a) having a phase transition temperature in water. By using water or an aqueous solution having a temperature lower than the phase transition temperature of the polymer, the resist film can be peeled off.

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例にのみ制限されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not restrict | limited only to a following example.

合成例1
撹拌機、還流器をつけた反応容器に、N−イソプロピルアクリルアミド35g、γ−ブチロラクトン70gを入れ撹拌下、十分に窒素置換した後、アゾビスイソブチロニトリル(重合開始剤)35mgを加え昇温し、60℃で7時間重合反応を行なった。反応終了後、ポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)のγ−ブチロラクトン溶液(樹脂溶液A)を得た。
得られたポリマーの5質量%水溶液の水溶/水不溶の相転移温度は32℃であった。
Synthesis example 1
In a reaction vessel equipped with a stirrer and a reflux condenser, 35 g of N-isopropylacrylamide and 70 g of γ-butyrolactone were placed and thoroughly purged with nitrogen. After stirring, 35 mg of azobisisobutyronitrile (polymerization initiator) was added and the temperature was raised. The polymerization reaction was carried out at 60 ° C. for 7 hours. After completion of the reaction, a γ-butyrolactone solution (resin solution A) of poly (N-isopropylacrylamide) was obtained.
The water-soluble / water-insoluble phase transition temperature of a 5% by mass aqueous solution of the obtained polymer was 32 ° C.

合成例2
撹拌機、還流器をつけた反応容器に、N−ビニルカプロラクタム35g、γ−ブチロラクトン30g、水40gを入れ撹拌下、十分に窒素置換した後、VA―044(重合開始剤:和光純薬(株))35mgを加え昇温し、40℃で7時間重合反応を行なった。反応終了後、ポリ(N−ビニルカプロラクタム)のγ−ブチロラクトン/水の混合溶液(樹脂溶液B)を得た。
得られたポリマーの5質量%水溶液の水溶/水不溶の相転移温度は40℃であった。
Synthesis example 2
In a reaction vessel equipped with a stirrer and a refluxer, 35 g of N-vinylcaprolactam, 30 g of γ-butyrolactone, and 40 g of water were placed and thoroughly purged with nitrogen, followed by VA-044 (polymerization initiator: Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). )) 35 mg was added, the temperature was raised, and a polymerization reaction was carried out at 40 ° C. for 7 hours. After completion of the reaction, a mixed solution of γ-butyrolactone / water (resin solution B) of poly (N-vinylcaprolactam) was obtained.
The water-soluble / water-insoluble phase transition temperature of a 5% by mass aqueous solution of the obtained polymer was 40 ° C.

合成例3
撹拌機、還流器をつけた反応容器に、N−イソプロピルアクリルアミド31.5g、アクリルアミド3.5g、γ−ブチロラクトン70gを入れ撹拌下、十分に窒素置換した後、アゾビスイソブチロニトリル(重合開始剤)35mgを加え昇温し、60℃で7時間重合反応を行なった。反応終了後、N−イソプロピルアクリルアミド−アクリルアミド共重合体のγ−ブチロラクトン溶液(樹脂溶液C)を得た。
得られたポリマーの5質量%水溶液の水溶/水不溶の相転移温度は41℃であった。
Synthesis example 3
In a reaction vessel equipped with a stirrer and a reflux condenser, 31.5 g of N-isopropylacrylamide, 3.5 g of acrylamide, and 70 g of γ-butyrolactone were placed and thoroughly purged with nitrogen, followed by azobisisobutyronitrile (polymerization initiation) Agent) 35 mg was added, the temperature was raised, and a polymerization reaction was carried out at 60 ° C. for 7 hours. After completion of the reaction, a γ-butyrolactone solution (resin solution C) of N-isopropylacrylamide-acrylamide copolymer was obtained.
The water-soluble / water-insoluble phase transition temperature of a 5% by mass aqueous solution of the obtained polymer was 41 ° C.

合成例4
撹拌機、還流器をつけた反応容器に、N−イソプロピルアクリルアミド30g、メタノール150gを入れ撹拌下、十分に窒素置換した後、アゾビスイソブチロニトリル(重合開始剤)9mgを加え昇温し、還流下6時間重合反応を行なった。
得られたポリマーの水溶/水不溶の相転移温度は32℃であった。
メタノールを除去後、ポリマーを10倍量の20℃の水に溶解し、ポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)水溶液(樹脂溶液D)を得た。
Synthesis example 4
In a reaction vessel equipped with a stirrer and a refluxer, 30 g of N-isopropylacrylamide and 150 g of methanol were placed and sufficiently purged with nitrogen, and then 9 mg of azobisisobutyronitrile (polymerization initiator) was added and the temperature was raised. The polymerization reaction was performed for 6 hours under reflux.
The obtained polymer had a water / water-insoluble phase transition temperature of 32 ° C.
After removing methanol, the polymer was dissolved in 10 times the amount of water at 20 ° C. to obtain a poly (N-isopropylacrylamide) aqueous solution (resin solution D).

合成例5
下記一般式(1)

Figure 2007321028
で示されるビスフェノールF型エポキシ含有化合物400g(式中のbの平均値=5.8、エポキシ当量800、軟化点79℃)をエピクロルヒドリン925gとジメチルスルホキシド462.5gの混合液に溶解させた後、撹拌下70℃で98.5質量%のNaOH81.2gを100分間かけて添加した。 Synthesis example 5
The following general formula (1)
Figure 2007321028
400 g (average value of b in the formula = 5.8, epoxy equivalent 800, softening point 79 ° C.) in a mixture of 925 g of epichlorohydrin and 462.5 g of dimethyl sulfoxide, Under stirring, 81.2 g of 98.5% by weight NaOH was added at 70 ° C. over 100 minutes.

添加後、さらに70℃で3時間反応を行い、次いで過剰の未反応エピクロルヒドリンおよびジメチルスルホキシドの大半を減圧下に留去し、副生塩とジメチルスルホキシドを含む反応生成物をメチルイソブチルケトン750gに溶解させ、さらに30質量%のNaOH10gを加え70℃で1時間反応させた。   After the addition, the reaction is further carried out at 70 ° C. for 3 hours, and then most of the excess unreacted epichlorohydrin and dimethyl sulfoxide are distilled off under reduced pressure. Further, 10 g of 30% by mass NaOH was added and reacted at 70 ° C. for 1 hour.

反応終了後、水200質量部で2回水洗を行った。油水分離後、油層よりメチルイソブチルケトンを蒸留回収して、エポキシ当量290、軟化点62℃のエポキシ基含有化合物370gを得た。得られたエポキシ基含有化合物はエポキシ当量から計算すると前記一般式(1)におけるアルコール性水酸基5.8個の内、約5.2個がエポキシ化されている。次に、このエポキシ基含有化合物290g、アクリル酸72g、p−メトキシフェノール0.28g、エチルカルビトールアセテート195gを仕込み、90℃に加熱・撹拌し、反応混合物を溶解した。次いで、反応液を60℃に冷却し、トリフェニルフォスフィン1.67gを仕込み、100℃に加熱し、約32時間反応した。これにより、酸価が1.0mgKOH/gの反応物を得た。   After completion of the reaction, washing was performed twice with 200 parts by mass of water. After oil-water separation, methyl isobutyl ketone was recovered by distillation from the oil layer to obtain 370 g of an epoxy group-containing compound having an epoxy equivalent of 290 and a softening point of 62 ° C. When the obtained epoxy group-containing compound is calculated from the epoxy equivalent, about 5.2 of 5.8 alcoholic hydroxyl groups in the general formula (1) are epoxidized. Next, 290 g of this epoxy group-containing compound, 72 g of acrylic acid, 0.28 g of p-methoxyphenol, and 195 g of ethyl carbitol acetate were charged and heated and stirred at 90 ° C. to dissolve the reaction mixture. Next, the reaction solution was cooled to 60 ° C., 1.67 g of triphenylphosphine was charged, heated to 100 ° C., and reacted for about 32 hours. As a result, a reaction product having an acid value of 1.0 mgKOH / g was obtained.

次に、この反応物に無水コハク酸78.6g、エチルカルビトールアセテート42.3質量部を仕込み、95℃に加熱し、約6時間反応し、冷却後、固形分酸価100mgKOH/gで固形分濃度65質量%であるカルボキシル基含有エポキシアクリレート溶液(樹脂溶液F)を得た。得られたポリマーは0〜100℃において水に不溶であった。   Next, 78.6 g of succinic anhydride and 42.3 parts by mass of ethyl carbitol acetate were added to this reaction product, heated to 95 ° C., reacted for about 6 hours, cooled, and solidified with a solid content acid value of 100 mg KOH / g. A carboxyl group-containing epoxy acrylate solution (resin solution F) having a partial concentration of 65% by mass was obtained. The resulting polymer was insoluble in water at 0-100 ° C.

混合例1
撹拌機、還流器をつけた容器に、ポリビニルメチルエーテル(三光化学工業(株)製)35g、γ−ブチロラクトン70gを入れ、均一溶液になるまで撹拌することによりポリビニルメチルエーテルのγ−ブチロラクトン溶液(樹脂溶液E)を得た。得られたポリマーの水溶/水不溶の相転移温度は38℃であった。
Mixing example 1
In a container equipped with a stirrer and a reflux condenser, 35 g of polyvinyl methyl ether (manufactured by Sanko Chemical Co., Ltd.) and 70 g of γ-butyrolactone are placed and stirred until a uniform solution is obtained, whereby a γ-butyrolactone solution of polyvinyl methyl ether ( Resin solution E) was obtained. The obtained polymer had a water / water insoluble phase transition temperature of 38 ° C.

実施例1〜7及び比較例1〜2
合成例1〜5、混合例1で得られた樹脂溶液A〜Fを用い、表1に示す配合組成に従って、消泡剤(d)を除く各成分を配合し、3本ロールミル(商品名:230型変速式ベンチロール BR−230V,アイメックス(株)製)を用いて混練した。その後、消泡剤(d)を加え、スパチュラを用いて均一に混合することによって、レジストインキ組成物を調整した。
なお、表1中に記載の各成分の数字の単位は「質量部」である。
Examples 1-7 and Comparative Examples 1-2
Using the resin solutions A to F obtained in Synthesis Examples 1 to 5 and Mixing Example 1, each component except the antifoaming agent (d) was blended according to the blending composition shown in Table 1, and a three roll mill (trade name: 230 type transmission bench roll BR-230V, manufactured by Imex Co., Ltd.). Thereafter, an antifoaming agent (d) was added, and the resist ink composition was prepared by mixing uniformly using a spatula.
In addition, the unit of the number of each component described in Table 1 is “part by mass”.

Figure 2007321028
Figure 2007321028

粘度測定(回転数10rpmのときの粘度と回転数50rpmのときの粘度の比)
デジタル粘度計HBDV−E型(Broookfield社製)を用いて、回転数10rpmのときの粘度と回転数50rpmのときの粘度を測定し、その比を求めた。その結果を表2に示す。なお、測定に使用される試料は、恒温水槽を用いて25℃にしたものを用いた。
Viscosity measurement (ratio of viscosity at 10 rpm and viscosity at 50 rpm)
Using a digital viscometer HBDV-E type (manufactured by Brookfield), the viscosity at a rotation speed of 10 rpm and the viscosity at a rotation speed of 50 rpm were measured, and the ratio was determined. The results are shown in Table 2. In addition, the sample used for the measurement used what was 25 degreeC using the constant temperature water tank.

消泡性試験
実施例1〜7及び比較例1〜2のレジストインキ組成物を20℃に保ち、それぞれスクリーン印刷により、銅張りプリント基板(商品名:UPISEL−N B E1310:宇部興産(株)製)上にパターン印刷した。なお、印刷板は250メッシュ、印刷面積75mm×115mmのものを用いた。
印刷後1分以内に泡が消えるか否かを目視で確認した。評価は以下の基準に従い行った。
○:印刷後1分以内で完全に消泡した。
△:印刷後1分間経過しても泡は初期の完全には消えなかった。
Defoaming property test Resist ink compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 were kept at 20 ° C., respectively, and screen-printed with copper-clad printed circuit boards (trade name: UPISEL-NB E1310: Ube Industries, Ltd.) A pattern was printed on top. A printing plate having a 250 mesh and a printing area of 75 mm × 115 mm was used.
It was visually confirmed whether or not the bubbles disappeared within 1 minute after printing. Evaluation was performed according to the following criteria.
○: Completely defoamed within 1 minute after printing.
Δ: Bubbles did not completely disappear even after 1 minute from printing.

膜厚の均一性及び染み出しの有無の評価
実施例1〜7及び比較例1〜2のレジストインキ組成物を20℃に保ち、をそれぞれスクリーン印刷により、銅張りプリント基板(商品名:UPISEL−N BE1310:宇部興産(株)製)上にパターン印刷した。印刷板は250メッシュ、印刷面積75mm×115mmのものを用いた。
80℃で10分間乾燥後、無作為に5箇所の膜厚を測定した。
また、塗布面の端部の染み出しの有無について目視で観測した。
その結果を表2に示す。
さらに、乾燥条件を30℃で3時間に変えて同様の試験を行った。結果を表2に示す。
Evaluation of Uniformity of Film Thickness and Exudence of Existence The resist ink compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 were kept at 20 ° C., respectively, by screen printing, respectively, to a copper-clad printed board (trade name: UPISEL- (NBE1310: manufactured by Ube Industries, Ltd.). A printing plate having 250 mesh and a printing area of 75 mm × 115 mm was used.
After drying at 80 ° C. for 10 minutes, film thicknesses at 5 locations were randomly measured.
Moreover, it visually observed about the presence or absence of the exudation of the edge part of an application surface.
The results are shown in Table 2.
Furthermore, the same test was conducted by changing the drying conditions at 30 ° C. for 3 hours. The results are shown in Table 2.

25℃のイオン交換水を用いた洗浄試験
実施例1〜7及び比較例1〜2のレジストインキ組成物を20℃に保ち、それぞれスクリーン印刷により、銅張プリント基板(商品名:UPISEL−N BE1310 宇部興産(株)製)上にライン幅/スペース幅=300μm/300μmのパターンで印刷した。印刷には250メッシュの印刷板を用いた。
Cleaning test using ion-exchanged water at 25 ° C. The resist ink compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 were kept at 20 ° C., and each was screen-printed to produce a copper-clad printed circuit board (trade name: UPISEL-N BE1310). A line width / space width = 300 μm / 300 μm pattern was printed on Ube Industries, Ltd.). A 250-mesh printing plate was used for printing.

このレジストインキ組成物塗布後の基板を80℃で10分間乾燥後、25℃のイオン交換水を110kPaの圧力で100秒間スプレー噴霧した。その後、レジストインキが残存しているか否かについて確認した。その結果を表2に示す。
さらに、乾燥条件を30℃で3時間に変えて同様の試験を行った。その結果も表2に示す。
評価については、以下の基準で評価した。
○:洗浄より、完全にレジスト膜が除去された。
×:洗浄後に、レジスト膜の一部あるいは全部が除去されずに残っていた。
The substrate after application of the resist ink composition was dried at 80 ° C. for 10 minutes, and then ion-exchanged water at 25 ° C. was sprayed for 100 seconds at a pressure of 110 kPa. Thereafter, it was confirmed whether or not the resist ink remained. The results are shown in Table 2.
Furthermore, the same test was conducted by changing the drying conditions at 30 ° C. for 3 hours. The results are also shown in Table 2.
About the evaluation, the following criteria evaluated.
○: The resist film was completely removed by washing.
X: Some or all of the resist film remained without being removed after washing.

エッチング試験
実施例1〜7及び比較例1〜2のレジストインキ組成物を20℃に保ち、それぞれスクリーン印刷により、銅張プリント基板(商品名:UPISEL−N BE1310 宇部興産(株)製)上にライン幅/スペース幅=300μm/300μmのパターンで印刷した。印刷には250メッシュの印刷板を用いた。
このレジストインキ組成物塗布後の基板を80℃で10分間乾燥後、50℃の2.3M塩化第二銅水溶液(塩酸濃度2mol/l)に3分間浸漬し、エッチングを行なった。エッチング終了後、25℃のイオン交換水を110kPaの圧力で100秒間スプレー噴霧した。レジストインキが残存しているか否かについて確認した。
その後、形成された銅パターンの直線性を顕微鏡で測定した。その結果を表2に示す。
さらに、乾燥条件を30℃で3時間に変えて同様の試験を行った。その結果も表2に示す。
Etching Test The resist ink compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 2 were kept at 20 ° C., and each was screen-printed on a copper-clad printed circuit board (trade name: UPISEL-N BE1310, manufactured by Ube Industries, Ltd.). Printing was performed with a pattern of line width / space width = 300 μm / 300 μm. A 250-mesh printing plate was used for printing.
The substrate after application of the resist ink composition was dried at 80 ° C. for 10 minutes and then immersed in a 2.3 M aqueous cupric chloride solution (hydrochloric acid concentration 2 mol / l) at 50 ° C. for 3 minutes for etching. After the etching, ion exchange water at 25 ° C. was sprayed for 100 seconds at a pressure of 110 kPa. It was confirmed whether or not the resist ink remained.
Thereafter, the linearity of the formed copper pattern was measured with a microscope. The results are shown in Table 2.
Furthermore, the same test was conducted by changing the drying conditions at 30 ° C. for 3 hours. The results are also shown in Table 2.

Figure 2007321028
Figure 2007321028

本発明のレジストインキ組成物は、素材に対する密着性、処理液に対する化学的抵抗性、レジスト剥離性、層の厚みの均一性が良好で、パターン精度が高く高いレジスト塗膜を形成できる。この塗膜は、生体に有害な有機溶剤や廃水処理の問題を有するアルカリ水溶液を使用することなく容易に除去することが可能である
The resist ink composition of the present invention can form a resist coating film having high pattern accuracy and high adhesion to a material, chemical resistance to a processing solution, resist releasability, and uniformity of layer thickness. This coating film can be easily removed without using an organic solvent harmful to living organisms or an alkaline aqueous solution having a problem of wastewater treatment.

Claims (6)

(a)水中において相転移温度を有するポリマー、
(b)有機溶剤、及び
(c)無機化合物
を必須成分として含有することを特徴とするレジストインキ組成物。
(A) a polymer having a phase transition temperature in water;
A resist ink composition comprising (b) an organic solvent, and (c) an inorganic compound as an essential component.
(a)水中において相転移温度を有するポリマー、
(b)有機溶剤、
(c)無機化合物、及び
(d)消泡剤
を必須成分として含有することを特徴とするレジストインキ組成物。
(A) a polymer having a phase transition temperature in water;
(B) an organic solvent,
A resist ink composition comprising (c) an inorganic compound, and (d) an antifoaming agent as an essential component.
水中において相転移温度を有するポリマー(a)の5質量%水溶液での相転移温度が、30〜45℃である請求項1又は2に記載のレジストインキ組成物。   The resist ink composition according to claim 1 or 2, wherein the phase transition temperature in a 5% by mass aqueous solution of the polymer (a) having a phase transition temperature in water is 30 to 45 ° C. 水中において相転移温度を有するポリマー(a)が、ポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)、ポリ(N−ビニルカプロラクタム)、ポリ(ビニルメチルエーテル)及びケン化度が40〜60%である部分ケン化ポリビニルアルコール、またはそれらの単量体成分を含む共重合体からなる群より選ばれる少なくとも1種以上である請求項1〜3のいずれか1項に記載のレジストインキ組成物。   Polymer (a) having a phase transition temperature in water is poly (N-isopropylacrylamide), poly (N-vinylcaprolactam), poly (vinyl methyl ether), and partially saponified polyvinyl having a saponification degree of 40 to 60% The resist ink composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the resist ink composition is at least one selected from the group consisting of alcohols and copolymers containing monomer components thereof. 25℃でのレジストインキ組成物において、回転数10rpmでの粘度と回転数50rpmでの粘度の比が、1.2〜4.0の範囲である請求項1〜4のいずれか1項に記載のレジストインキ組成物。   5. The resist ink composition at 25 ° C. has a viscosity ratio at a rotation speed of 10 rpm and a viscosity at a rotation speed of 50 rpm in the range of 1.2 to 4.0. 5. Resist ink composition. 以下の(イ)〜(ニ)の工程を含むことを特徴とするエッチング方法。
工程(イ):請求項1〜5のいずれか1項に記載のレジストインキ組成物を印刷して、基板上にパターンが形成されたレジスト塗膜を形成する工程。
工程(ロ):工程(イ)で得られたレジスト塗膜中の揮発成分を蒸発させ、一部あるいは全量の揮発成分が除去されたレジスト塗膜を有する基板を得る工程。
工程(ハ):水中において相転移温度を有するポリマーの相転移温度より高い温度の塩化第二鉄水溶液あるいは塩化第二水銅溶液を用いて、工程(ロ)で得られた基板をエッチングする工程。
工程(ニ):水中において相転移温度を有するポリマーの相転移温度より低い温度の水あるいは水溶液を用いて、工程(ハ)で得られた基板からレジスト塗膜を剥離する工程。
An etching method comprising the following steps (a) to (d):
Step (a): A step of printing the resist ink composition according to any one of claims 1 to 5 to form a resist coating film having a pattern formed on a substrate.
Step (b): A step of evaporating the volatile components in the resist coating film obtained in step (a) to obtain a substrate having a resist coating film from which part or all of the volatile components have been removed.
Step (c): A step of etching the substrate obtained in step (b) using a ferric chloride aqueous solution or a cupric chloride solution having a temperature higher than the phase transition temperature of the polymer having a phase transition temperature in water. .
Step (d): A step of peeling the resist coating film from the substrate obtained in step (c) using water or an aqueous solution having a temperature lower than the phase transition temperature of the polymer having a phase transition temperature in water.
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