JP2007320456A - On-vehicle electronic equipment control device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an on-vehicle electronic equipment control device capable of correctly returning to a control state before reset, even when a RAM storing control data of on-vehicle electronic equipment is reset due to instantaneous cut-off of power supply voltage etc. <P>SOLUTION: The control data indicating an operating state to be commanded with respect to the on-vehicle electronic equipment 40 is stored in a main control memory 12a of the RAM 12 for control, and the data stored in the main control memory 12a is stored as backup data in a fixation memory 20a for main return of a nonvolatile memory 20 and a backup memory 12b of the RAM 12. After a semi-reset process for resetting the main control memory 12a while protecting backup control data within the backup memory 12b is performed, operation of the on-vehicle electronic equipment 40 is returned by using the control data of the backup memory 12b. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、車載用電子機器の制御装置に関する。   The present invention relates to a control device for an in-vehicle electronic device.

特願2002−347541号公報Japanese Patent Application No. 2002-347541

近年の車載用電子機器の制御装置には、車載用バッテリーから所定の電圧閾値以上の電圧供給を受けた状態で記憶内容の書き換えが可能とされ、電圧供給が遮断されても記憶内容が保持されるEEPROM等の不揮発性メモリと制御部とが接続されてなるものが存在する(例えば特許文献1)。   In recent in-vehicle electronic device control devices, the stored contents can be rewritten in a state where a voltage supply exceeding a predetermined voltage threshold is received from the in-vehicle battery, and the stored contents are retained even if the voltage supply is cut off. There is one in which a nonvolatile memory such as an EEPROM and a control unit are connected (for example, Patent Document 1).

こうした制御装置の制御部は、CPU、ROM、RAM等を有する周知のマイコンにより構成されており、CPUがROMに格納された車載用電子機器を制御する制御プログラムをRAMのワークメモリを使用する形で実行することにより、車載用電子機器の動作制御がなされる。ところが、通常のRAMは、バッテリー電圧が低下した状態が続いている中で瞬断等が生じた場合、供給される電圧が予め定められた記憶内容保持電圧よりも下回ると、リセット処理が実行されて記憶内容がクリアされる。この場合、電圧が復帰したとしても、RAM内に記憶されていた制御データはクリアされているので、車載用電子機器の動作状態を電圧瞬断直前の状態に戻すことは不可能となる。   The control unit of such a control device is composed of a well-known microcomputer having a CPU, ROM, RAM, and the like. The control program for controlling the on-vehicle electronic device stored in the ROM by the CPU uses a work memory of the RAM. By performing the above, the operation control of the in-vehicle electronic device is performed. However, in the case of a normal RAM, when an instantaneous interruption or the like occurs in a state where the battery voltage is lowered, a reset process is executed if the supplied voltage falls below a predetermined stored content holding voltage. The stored contents are cleared. In this case, even if the voltage is restored, the control data stored in the RAM is cleared, so that it is impossible to return the operation state of the in-vehicle electronic device to the state immediately before the instantaneous voltage interruption.

そのため、不揮発性メモリに、RAMに記憶される制御データをバックアップしておき、電圧低下によりRAMのリセット処理が実行された場合には、電圧復帰後に不揮発性メモリにバックアップデータした値をRAMに書き込むことで、RAMリセット前の車載用電子機器の動作制御状態を再現する技術が既に存在している。   Therefore, if the control data stored in the RAM is backed up in the non-volatile memory and the reset process of the RAM is executed due to a voltage drop, the value of the backup data is written in the non-volatile memory after the voltage is restored. Thus, there is already a technique for reproducing the operation control state of the in-vehicle electronic device before the RAM reset.

例えば、ハザードランプをモーメンタリー型の操作スイッチの操作により点灯制御(点滅動作状態と消灯状態との間での交互切り替え)を行なう制御装置として、車載用バッテリーの電圧低下によるRAMリセットに備え、スイッチ操作が切り替えられる毎に、ハザードランプの動作制御指令情報を不揮発性メモリに記憶し、そして、RAMリセット後の復帰処理時には、不揮発性メモリに記憶された動作制御指令情報をRAMに読み出し、リセット直前のハザードランプの点灯制御状態を再現するものが存在している。   For example, as a control device that controls lighting of a hazard lamp by operating a momentary-type operation switch (alternate switching between blinking operation state and extinguishing state) Each time is switched, the operation control command information of the hazard lamp is stored in the non-volatile memory, and at the time of return processing after the RAM reset, the operation control command information stored in the non-volatile memory is read into the RAM, There is something that reproduces the lighting control state of the hazard lamp.

しかしながら、一般的に、こうした不揮発性メモリには、RAMの記憶内容保持電圧より高い電圧レベルにて書込保障下限電圧が設定されており、これを下回った場合には、ソフトウェアにより不揮発性メモリへの記憶が禁止される。不揮発性メモリへの書き換えは、通信線を介してデータを転送する必要があるためデータの記憶までに時間がかかり、電源をなす車載用バッテリーにおいて低電圧状態が続くような状況下では、例えば電圧瞬断等により書込保障下限電圧を瞬間的に下回ってデータの記憶が確実に行なえない可能性があり、RAMのバックアップとして機能できない場合がある。   However, generally, in such a non-volatile memory, the write guarantee lower limit voltage is set at a voltage level higher than the storage content holding voltage of the RAM. Is prohibited. Rewriting to a non-volatile memory requires data to be transferred via a communication line, so it takes time to store the data. In a situation where a low-voltage state continues in an in-vehicle battery that is a power source, for example, voltage There is a possibility that the data cannot be stored reliably because the voltage falls momentarily below the write guarantee lower limit voltage due to a momentary interruption or the like, and there is a case where it cannot function as a RAM backup.

具体的には、上記のようなハザードランプの点灯制御を行なう制御装置の場合において、車載用バッテリーの低電圧時にスイッチ操作が行なわれても、動作制御用にRAMのワークメモリに記憶される制御データが不揮発性メモリに正しくバックアップ(記憶)されず、RAMと不揮発性メモリとの間でデータの不一致が生じてしまう可能性がある。こうした状況下で電圧瞬断等によりRAMの記憶内容保持電圧を下回るところまで電源電圧が低下し、RAMリセットが実行されると、その復帰処理後、ハザードランプの点灯状態が電圧瞬断前とは異なる状態で再開される可能性がある。例えば、電圧瞬断前にハザードランプが点滅動作状態であったものが電圧瞬断により消灯状態となってしまう場合や、あるいはその逆の場合もあり、こうした場合、ユーザーによる操作スイッチの再操作が必要となってしまう。   Specifically, in the case of the control device that controls the lighting of the hazard lamp as described above, the control stored in the work memory of the RAM for operation control even when the switch operation is performed when the vehicle-mounted battery is at a low voltage. Data may not be properly backed up (stored) in the non-volatile memory, and data mismatch may occur between the RAM and the non-volatile memory. Under such circumstances, when the power supply voltage drops to a point where it falls below the stored content retention voltage of the RAM due to an instantaneous voltage interruption, etc., and a RAM reset is executed, after the restoration process, the lighting state of the hazard lamp is the state before the instantaneous voltage interruption May resume in a different state. For example, the hazard lamp blinking before the momentary voltage interruption may turn off due to the momentary voltage interruption, or vice versa. It becomes necessary.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、車載用電子機器の制御データが記憶されるRAMが電源電圧の瞬断などによりリセットされても、リセット前の制御状態に正しく復帰することができる車載用電子機器制御装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and even when the RAM in which the control data of the in-vehicle electronic device is stored is reset due to an instantaneous interruption of the power supply voltage or the like, the control state before the reset is correctly restored. It is providing the vehicle-mounted electronic device control apparatus which can do.

課題を解決するための手段及び発明の効果Means for Solving the Problems and Effects of the Invention

上記課題を解決するために、本発明の車載用電子機器制御装置は、
車載用バッテリー電圧を直接的な電源電圧とする形で動作するRAM内に形成され、車載用電子機器に指令すべき動作状態を示す制御データを、制御状態の推移に対応させる形で更新しつつ記憶する主制御メモリと、
主制御メモリ内の制御データに基づいて車載用電子機器を動作制御する機器動作制御手段と、
不揮発性メモリ内に形成され、主制御メモリ内の制御データがRAMリセットにより消去された場合に車載用電子機器を動作復帰させるための、主復帰用制御データが書き込まれる主復帰用固定メモリと、
RAM内にて該主制御メモリとは別に設けられ、該主制御メモリ内の制御データをバックアップコピーしたバックアップ制御データが主制御メモリとともに更新しつつ書き込まれるバックアップメモリと、
RAMの電源電圧を監視するとともに、電源電圧が予め定められた全リセット電圧未満に降下した場合は、主制御メモリを含めてRAMの記憶内容を全リセットし、電源電圧が、全リセット電圧よりは高く、かつ予め定められたセミリセット電圧未満に降下した場合は、バックアップメモリ内のバックアップ制御データを保護しつつ、主制御メモリをリセットするセミリセット処理を行なうRAMリセット手段と、
電源電圧が、全リセット状態から電圧復帰した場合はリセット復帰用制御データを用いて車載用電子機器を動作復帰させる一方、セミリセット状態から電圧復帰した場合はバックアップ制御データを用いて車載用電子機器を動作復帰させるリセット復帰手段と、
を有することを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, an in-vehicle electronic device control device of the present invention is
The control data indicating the operation state to be commanded to the in-vehicle electronic device is updated in a form corresponding to the transition of the control state. Main control memory to store,
Device operation control means for controlling the operation of the in-vehicle electronic device based on the control data in the main control memory;
A main return fixed memory in which main return control data is written, which is formed in a non-volatile memory, and for returning the operation of the in-vehicle electronic device when the control data in the main control memory is erased by a RAM reset;
A backup memory provided separately from the main control memory in the RAM, in which backup control data obtained by backup copying the control data in the main control memory is written while being updated together with the main control memory;
When the power supply voltage of the RAM is monitored and the power supply voltage falls below a predetermined total reset voltage, the stored contents of the RAM including the main control memory are fully reset. RAM reset means for performing a semi-reset process for resetting the main control memory while protecting the backup control data in the backup memory when it is high and falls below a predetermined semi-reset voltage;
When the power supply voltage recovers from the all reset state, the control data for reset recovery is used to recover the operation of the in-vehicle electronic device. When the voltage recovers from the semi-reset state, the in-vehicle electronic device is recovered using the backup control data. Reset return means for returning the operation,
It is characterized by having.

本発明によると、全リセット電圧までは到達しない比較的低い軽微な寸断時(セミリセット時)に限って記憶内容を保持できるバックアップメモリをRAM内に確保し、ここにカレントの制御データ(主制御メモリ内の制御データ)をバックアップコピーしたバックアップ制御データを書き込むようにしている。そして、電子機器の制御ワークメモリとなるRAMが寸断等によりリセットされたときの復帰用制御データは、不揮発性メモリ内に予め用意された主復帰用制御データの他、このバックアップ制御データも活用することができる。バックアップ制御データは、RAMの記憶保持が物理的に不能となるような大規模な寸断が起きれば、RAMが全リセットされるので失われ、不揮発性メモリ内の主復帰用制御データほどのリセット耐性は有していない。しかし、軽微な寸断であればセミリセットとなり、寸断直前の状態を示すバックアップ制御データがバックアップメモリ内に残されているので、これを用いて動作復帰させることができる。例えば、主復帰用制御データが寸断直前の制御状態を示すものでない場合(例えば、マスクROMに記憶された固定制御状態(後述のハザードランプの場合は、例えば点灯状態:リセット復帰後は必ずハザード点灯状態として復帰させることができる)においても、セミリセット時に限っては、RAM内のバックアップメモリから、確実に寸断前の動作状態に復帰することができる。   According to the present invention, a backup memory capable of holding the stored contents only in the case of a relatively low minor breakage (semi-reset) that does not reach the full reset voltage is secured in the RAM, and the current control data (main control) is stored here. The backup control data obtained by making a backup copy of the control data in the memory is written. In addition, the recovery control data when the RAM that is the control work memory of the electronic device is reset by cutting or the like uses this backup control data in addition to the main recovery control data prepared in advance in the nonvolatile memory. be able to. The backup control data is lost because the RAM is completely reset if a large-scale disruption occurs that makes it impossible to store and store the RAM, and the reset tolerance is as high as the main recovery control data in the nonvolatile memory. Does not have. However, if it is a slight break, it becomes a semi-reset, and the backup control data indicating the state immediately before the break is left in the backup memory, so that the operation can be restored using this. For example, when the main return control data does not indicate the control state immediately before the disconnection (for example, the fixed control state stored in the mask ROM (in the case of a hazard lamp described later, for example, the lighting state: the hazard lighting always after reset reset) Even in the case of a semi-reset, it is possible to reliably return to the operation state before the disconnection from the backup memory in the RAM.

また、上記本発明の構成において、主復帰用固定メモリが形成される不揮発性メモリは、車載用バッテリー電圧を直接的な電源電圧とする形で動作するとともに、書込時の動作電圧が読出時の動作電圧よりも高く設定され、かつ、該電源電圧がRAMの記憶内容を全リセットする全リセット電圧未満に低下した場合においても記憶内容を保持するEEPROMとされ、主制御メモリ内の制御データをバックアップコピーした内容が主復帰用制御データとして書き込まれるものとできる。   In the configuration of the present invention, the nonvolatile memory in which the main return fixed memory is formed operates in such a manner that the in-vehicle battery voltage is a direct power supply voltage, and the operation voltage at the time of writing is at the time of reading. Even when the power supply voltage falls below the total reset voltage for fully resetting the stored contents of the RAM, the EEPROM holds the stored contents and the control data in the main control memory is stored. The contents of the backup copy can be written as main return control data.

この構成であれば、前述のバックアップ制御データと同様の寸断直前の状態を示す制御データが、主復帰用制御データとしてEEPROM内に更新しつつ残されているので、これを用いれば、全リセット時においても、寸断直前の状態に制御復帰することができる。また、バッテリー電圧降下によりEEPROMへの主復帰用制御データの更新書込が不能となった場合においても、その後の瞬断がセミリセットに留まる場合は、RAM側のバックアップ制御データにより、寸断直前の状態へ同様に制御復帰できる。また、EEPROMの電源電圧が低下して主復帰用制御データの更新が不能となっている場合においても、RAM側のバックアップ制御データにより、寸断直前の状態へ同様に制御復帰できる。なお、EEPROMはフラッシュメモリを概念として含む。   With this configuration, the control data indicating the state immediately before the cut is similar to the backup control data described above, and is updated in the EEPROM as main return control data. In this case, the control can be returned to the state immediately before cutting. Also, even when the update write of the main return control data to the EEPROM becomes impossible due to the battery voltage drop, if the subsequent momentary interruption remains semi-reset, the RAM control data immediately before the interruption will be Control can be returned to the state as well. Even when the power supply voltage of the EEPROM is lowered and the main return control data cannot be updated, the control can be returned to the state immediately before the disconnection by the backup control data on the RAM side. Note that the EEPROM includes a flash memory as a concept.

また、上記本発明の構成における車載用電子機器は、モーメンタリー型の操作スイッチへの操作が検出される毎に、互いに異なる複数の動作状態のいずれかに順次切り替えるものとして構成され、主制御メモリは、操作スイッチへの操作が検出される毎に、記憶された制御データが次に切り替えるべき動作状態に対応した内容に書き換え更新されるとともに、機器動作制御手段は、主制御メモリ内の制御データに基づいて車載用電子機器の動作状態を切り替える切り替え制御手段であるとすることができる。   The on-vehicle electronic device in the configuration of the present invention is configured to sequentially switch to one of a plurality of different operation states each time an operation to the momentary type operation switch is detected, and the main control memory is Each time an operation to the operation switch is detected, the stored control data is rewritten and updated to the content corresponding to the operation state to be switched next, and the device operation control means is updated to the control data in the main control memory. Based on this, it can be considered as a switching control means for switching the operation state of the in-vehicle electronic device.

モーメンタリー型のスイッチが操作スイッチとして使用されている場合、スイッチの操作付勢状態はユーザーが操作力を解除すれば解消されてしまうので、操作履歴をスイッチの物理状態として保持することができない。従って、モーメンタリー型のスイッチを用いる場合は、操作履歴と制御状態との間に一義的な対応関係を定めておき、スイッチ付勢による例えば信号レベルの変化エッジ検出により操作の有無を検出するとともに、上記の対応関係に従って対応する制御状態を、制御データの形でワークメモリ(RAM:主制御メモリ)に記憶しておく必要がある。この場合、そのRAMにリセットがかかると、スイッチの物理状態から操作履歴を復元できないので、リセット直前の機器の制御状態も失われてしまう。しかし、本発明の適用により、上記のようなモーメンタリー型のスイッチを用いる場合でも、RAMリセット状態からの制御復帰を問題なく行なうことができる。   When a momentary type switch is used as an operation switch, the switch operation energized state is canceled when the user releases the operation force, and therefore the operation history cannot be held as the physical state of the switch. Therefore, when using a momentary type switch, an unambiguous correspondence is defined between the operation history and the control state, and the presence / absence of an operation is detected by detecting, for example, a signal level change edge by urging the switch, It is necessary to store the control state corresponding to the above correspondence in the work memory (RAM: main control memory) in the form of control data. In this case, if the RAM is reset, the operation history cannot be restored from the physical state of the switch, and the control state of the device immediately before the reset is lost. However, by applying the present invention, control return from the RAM reset state can be performed without any problem even when the momentary type switch as described above is used.

また、上記本発明の構成において、車載用電子機器はハザードランプであり、モーメンタリー型の操作スイッチへの操作が検出される毎に、点滅動作状態と消灯状態とが交互に切り替わるものとできる。モーメンタリー型のスイッチにより操作される電子機器がハザードランプである場合、本発明の適用により、RAMリセットにより、リセット前に動作していたハザードランプがリセット後に消えてしまう不具合を効果的に抑制できる。   In the configuration of the present invention described above, the in-vehicle electronic device is a hazard lamp, and the blinking operation state and the extinguishing state can be alternately switched every time an operation to the momentary type operation switch is detected. When the electronic device operated by the momentary type switch is a hazard lamp, the application of the present invention can effectively suppress a problem that the hazard lamp operating before the reset disappears after the reset due to the RAM reset.

また、この場合、主復帰用固定メモリが形成される不揮発性メモリは、車載用バッテリー電圧を直接的な電源電圧とする形で動作するとともに、書込時の動作電圧が読出時の動作電圧よりも高く設定され、かつ、該電源電圧がRAMの記憶内容を全リセットする全リセット電圧未満に低下した場合においても記憶内容を保持するEEPROMとされ、主制御メモリ内の制御データをバックアップコピーした内容が主復帰用制御データとして書き込まれるものとされ、さらに、主制御メモリを構成するRAMは、切り替え制御手段及びリセット復帰手段として機能するマイコンのCPUに内部バスを介して接続されたものであり、主復帰用固定メモリを構成するEEPROMは、シリアル通信線を介してマイコンに接続されたものとできる。   In this case, the nonvolatile memory in which the main return fixed memory is formed operates in such a manner that the in-vehicle battery voltage is a direct power supply voltage, and the operation voltage at the time of writing is higher than the operation voltage at the time of reading. Is set to a high value, and even when the power supply voltage drops below the total reset voltage for resetting all the stored contents of the RAM, it is an EEPROM that retains the stored contents and is a backup copy of the control data in the main control memory. Is written as main return control data, and the RAM constituting the main control memory is connected to the CPU of the microcomputer functioning as the switching control means and the reset return means via an internal bus, The EEPROM constituting the main return fixed memory can be connected to the microcomputer via a serial communication line.

書込処理等に時間を要するEEPROMを、シリアル通信線を介して外付けする構成では、主復帰用制御データの更新処理に時間はかかるが、機器動作制御手段を構成するマイコン(ECU)への処理負担は確実に減らすことができる。そして、モーメンタリー型のスイッチの操作状態は、人為的操作により大きな時間スパンで変化するため、主復帰用制御データの更新に時間がかかってもそれほど問題は表面化しない。なお、ウィンカー使用時の片消灯状態も「消灯状態」の概念に含む。   In the configuration in which an EEPROM that requires time for writing processing or the like is externally connected via a serial communication line, it takes time to update the control data for main return, but the microcomputer (ECU) that constitutes the device operation control means is connected to the microcomputer. The processing burden can be reliably reduced. Since the operation state of the momentary switch changes in a large time span due to human operation, even if it takes time to update the main return control data, the problem does not surface so much. It should be noted that the unlit state when using the blinker is also included in the concept of “unlit state”.

また、上記本発明の構成は、EEPROMの電源電圧を監視するとともに、該電源電圧が予め定められた書込保障下限電圧よりも高い場合は主制御メモリ内の制御データを主復帰用固定メモリに書き込む一方、電源電圧が書込保障下限電圧より低下した場合は、主制御メモリ内の制御データをバックアップメモリに書き込む制御データバックアップ手段を有するものとできる。この構成によると、電源電圧が書込保障下限電圧よりも高ければ、EEPROMの主復帰用固定メモリに制御データをリセット耐性の高い形で書き込むことができ、書込保障下限電圧よりも低下した場合はバックアップメモリを用いて復帰用の制御データを保護することができる。   The configuration of the present invention monitors the power supply voltage of the EEPROM, and if the power supply voltage is higher than a predetermined write guarantee lower limit voltage, the control data in the main control memory is stored in the main return fixed memory. On the other hand, when the power supply voltage falls below the write guarantee lower limit voltage, the control data backup means for writing the control data in the main control memory to the backup memory can be provided. According to this configuration, if the power supply voltage is higher than the write guarantee lower limit voltage, the control data can be written in the main recovery fixed memory of the EEPROM in a form having high reset tolerance, and the voltage drops below the write guarantee lower limit voltage. Can protect the return control data using a backup memory.

また、この場合の制御データバックアップ手段は、電源電圧が書込保障下限電圧よりも低下した場合に、主復帰用固定メモリの書換えを禁止するものとできる。この構成によると、電源電圧が書込保障下限電圧よりも下がった場合に、EEPROMへの書込動作が禁止されるので、主復帰用固定メモリ内に動作不安定等に基づいて誤った内容の制御データが書き込まれる心配が無くなる。   Further, the control data backup means in this case can prohibit rewriting of the main return fixed memory when the power supply voltage falls below the write guarantee lower limit voltage. According to this configuration, when the power supply voltage falls below the write guarantee lower limit voltage, the write operation to the EEPROM is prohibited. There is no need to write control data.

上記本発明の構成では、電源電圧が書込保障下限電圧よりも高く確保されている状態において、主制御メモリ内の制御データは、主復帰用固定メモリとともにバックアップメモリにも書き込まれ、リセット復帰手段は、セミリセット状態から復帰する場合において、バックアップメモリ内に制御データが書き込まれている場合には、必ず該バックアップメモリの記憶内容に基づいて動作復帰を行なうものとできる。EEPROMの電源電圧とは無関係にバックアップメモリにバックアップ制御データを書き込むようにし、セミリセット復帰時においてバックアップ制御データが存在する場合は、必ずそのバックアップ制御データで動作復帰するように構成することで、電源異常以外のトラブルでEEPROMに主復帰用制御データが書き込めなかった(あるいは読み出せない)場合などにおいても、セミリセットからの復帰であれば問題なく動作復帰することができる   In the configuration of the present invention, in a state where the power supply voltage is secured higher than the write guarantee lower limit voltage, the control data in the main control memory is written in the backup memory together with the main return fixed memory, and the reset return means In the case of returning from the semi-reset state, if control data is written in the backup memory, the operation return can always be performed based on the stored contents of the backup memory. The backup control data is written to the backup memory regardless of the power supply voltage of the EEPROM, and if backup control data exists at the time of semi-reset recovery, the operation is always restored with the backup control data. Even when the main return control data cannot be written (or cannot be read) to the EEPROM due to a trouble other than an abnormality, the operation can be restored without any problem if it is returned from the semi-reset.

また、この場合のリセット復帰手段は、セミリセット状態から復帰する場合において、バックアップメモリ内に制御データが書き込まれていない場合には、主復帰用固定メモリ内の制御データに基づいて主制御メモリの記憶内容を復元するものとできる。この構成によると、バックアップメモリ内に制御データが記憶されない場合においても、主復帰用固定メモリ内の制御データを基に動作復帰を果たすことができる。   Further, the reset recovery means in this case, when returning from the semi-reset state, if no control data is written in the backup memory, the reset control means of the main control memory is based on the control data in the main return fixed memory. The stored contents can be restored. According to this configuration, even when the control data is not stored in the backup memory, the operation can be restored based on the control data in the main return fixed memory.

また、上記本発明の構成において、リセット復帰手段は、セミリセット状態から書込保障下限電圧よりも高電圧まで復帰した場合において、バックアップメモリ内のバックアップ制御データを用いて主制御メモリ及び主復帰用固定メモリの内容を更新することができる。セミリセット状態から、電源電圧が書込保障下限電圧よりも高電圧まで復帰していれば、主復帰用固定メモリの書き換えは正常に行なうことができる。ところが、主復帰用固定メモリには、セミリセット前に書き換えが禁止され、記憶内容がセミリセット直前の制御状態を反映していない可能性がある。上記構成によると、セミリセット復帰時に、主制御メモリと主復帰用固定メモリの双方の記憶内容が、セミリセット直前の制御状態を反映した制御データに更新されるので、例えば、セミリセット復帰直後にRAMの全リセットがなされても、全リセット復帰後には、主復帰用固定メモリに記憶された制御データにより、先のセミリセット直前の制御状態を再現できる。   In the configuration of the present invention described above, the reset return means uses the backup control data in the backup memory and the main return memory when the reset return means returns from the semi-reset state to a voltage higher than the write guarantee lower limit voltage. The contents of the fixed memory can be updated. If the power supply voltage has returned to a voltage higher than the write guarantee lower limit voltage from the semi-reset state, the main return fixed memory can be rewritten normally. However, in the main return fixed memory, rewriting is prohibited before the semi-reset, and the stored contents may not reflect the control state immediately before the semi-reset. According to the above configuration, at the time of semi-reset recovery, the stored contents of both the main control memory and the main return fixed memory are updated to control data reflecting the control state immediately before the semi-reset. Even if the RAM is fully reset, the control state immediately before the previous semi-reset can be reproduced by the control data stored in the main return fixed memory after the reset is completed.

また、本発明におけるバックアップメモリを、RAM内にて先頭アドレスの固定されたメモリ領域に設定することができる。この構成によると、RAM内のバックアップメモリ内の制御データの有無を、固定アドレス化されたメモリ領域内のサムチェック等により簡単に確認できる。また、機器動作制御手段を実現するアプリケーションにて、主制御メモリがリロケータブルに設定されている場合も、バックアップメモリの記憶内容で主制御メモリを動作復帰用に復元する場合、その復元処理を単純化することができる。   Further, the backup memory in the present invention can be set in a memory area having a fixed start address in the RAM. According to this configuration, the presence / absence of control data in the backup memory in the RAM can be easily confirmed by a sum check or the like in the memory area having a fixed address. In addition, even when the main control memory is set to relocatable in an application that implements device operation control means, if the main control memory is restored for operation recovery using the stored contents of the backup memory, the restoration process is simplified. can do.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る車載用電子機器制御装置の電気的ブロック図の概略を示す図である。図1の車載用電子機器制御装置100は、制御部を構成するマイコン10と、このマイコン10とシリアル通信線18を解して接続される不揮発性の外部記憶装置20とを備えて構成されたECUであり、これらマイコン10及び外部記憶装置20は車載用バッテリー電圧VBを直接的な電源電圧とする形で動作する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing an outline of an electrical block diagram of an in-vehicle electronic device control apparatus according to an embodiment of the present invention. The in-vehicle electronic device control device 100 of FIG. 1 includes a microcomputer 10 that constitutes a control unit, and a nonvolatile external storage device 20 that is connected to the microcomputer 10 via a serial communication line 18. The ECU 10 and the external storage device 20 operate in such a manner that the in-vehicle battery voltage VB is a direct power supply voltage.

このマイコン10は、本実施形態においては、車載用電子機器40の動作制御を司る制御部(制御回路)である。図1に示すように、CPU11、ワークメモリ12aを備えるRAM12、各種プログラムを記憶するROM13、内部バス14、入出力部(図中では「I/O」と表示)15、他のECU200等と接続されるシリアル通信バス150に接続される通信インターフェース(図中では「I/F」と表示)106、及び外部記憶装置(本実施形態ではEEPROM)20とシリアル通信線18を介して接続される通信インターフェース17を備えて構成される。   In this embodiment, the microcomputer 10 is a control unit (control circuit) that controls operation of the in-vehicle electronic device 40. As shown in FIG. 1, a CPU 11, a RAM 12 having a work memory 12 a, a ROM 13 for storing various programs, an internal bus 14, an input / output unit (shown as “I / O” in the figure) 15, and other ECUs 200 are connected. A communication interface (indicated as “I / F” in the drawing) 106 connected to the serial communication bus 150, and an external storage device (EEPROM in the present embodiment) 20 and communication connected via the serial communication line 18. An interface 17 is provided.

入出力部15には、モーメンタリー型の操作スイッチ30と、車載用電子機器40に接続されたコントローラ41とが接続されている。また、入出力部15のA/D変換ポートには、車載用バッテリー電圧VBの電圧を検出するための電圧検出信号が入力されており、マイコン10は入力された電圧信号により車載用バッテリー電圧VBを監視している。つまり、車載用バッテリー電圧VBの電圧を検出して電圧検出信号を出力する回路部が電源電圧検知手段として機能し、マイコン10はその電圧検出信号により電源電圧VBを監視する電源電圧監視手段として機能している。   A momentary type operation switch 30 and a controller 41 connected to the in-vehicle electronic device 40 are connected to the input / output unit 15. A voltage detection signal for detecting the voltage of the vehicle battery voltage VB is input to the A / D conversion port of the input / output unit 15, and the microcomputer 10 receives the vehicle battery voltage VB according to the input voltage signal. Is monitoring. That is, the circuit unit that detects the voltage of the vehicle battery voltage VB and outputs a voltage detection signal functions as power supply voltage detection means, and the microcomputer 10 functions as power supply voltage monitoring means that monitors the power supply voltage VB by the voltage detection signal. is doing.

モーメンタリー型の操作スイッチ30は、プッシュロック式の操作スイッチのように、ユーザーの付勢操作によって、車載用電子機器40の動作状態を直接的に切り替え制御するレベル制御信号を切り替えるものではなく、ユーザーの付勢操作によって車載用電子機器40の動作状態を変更するトリガーとなる信号のみを発生させるものである。発生したトリガー信号はマイコン10に入力される。   The momentary-type operation switch 30 does not switch a level control signal that directly switches and controls the operation state of the in-vehicle electronic device 40 by a user's urging operation, unlike a push-lock type operation switch. Only a signal serving as a trigger for changing the operation state of the in-vehicle electronic device 40 is generated by the urging operation. The generated trigger signal is input to the microcomputer 10.

車載用電子機器40は、操作スイッチ30からのトリガー信号が入力部15に入力される毎に、互いに異なる複数の動作状態が順次切り替えられるようマイコン10により制御される。マイコン10からのレベル信号の入力を受け、入力された制御レベル信号の信号レベルに対応する動作状態に制御される。また、入力される制御レベル信号の信号レベルが切り替わると、車載用電子機器40の動作状態もこれに応じて切り替わる。本実施形態における車載用電子機器40は車両左右で対をなすハザードランプであり、ハザードコントローラ41に入力されるマイコン10からの制御レベル信号が切り替えられることで、コントローラ41は、その制御レベル信号の信号レベルに応じて、ハザードランプ40に対し該ハザードランプを点滅動作させる点滅制御信号、あるいは該ハザードランプを消灯させる消灯制御駆動信号のいずれかを出力する。これにより、ハザードランプ40は、点滅動作状態と消灯状態との2種の間で切り替えられる。なお、ハザードランプの動作制御(点灯制御)には、ウィンカー使用時の片点滅点灯状態及び片消灯状態とする制御も含まれる。   The in-vehicle electronic device 40 is controlled by the microcomputer 10 so that a plurality of different operation states are sequentially switched every time a trigger signal from the operation switch 30 is input to the input unit 15. In response to the input of the level signal from the microcomputer 10, the operation state corresponding to the signal level of the input control level signal is controlled. Further, when the signal level of the input control level signal is switched, the operation state of the in-vehicle electronic device 40 is switched accordingly. The vehicle-mounted electronic device 40 according to the present embodiment is a hazard lamp that is paired on the left and right sides of the vehicle. When the control level signal from the microcomputer 10 input to the hazard controller 41 is switched, the controller 41 receives the control level signal. Depending on the signal level, either a blinking control signal for causing the hazard lamp 40 to blink or an extinguishing control drive signal for turning off the hazard lamp is output to the hazard lamp 40. Thereby, the hazard lamp 40 is switched between two types, a blinking operation state and a light-off state. In addition, the operation control (lighting control) of the hazard lamp includes control for turning on and off the single blinking state when using the blinker.

外部記憶装置20は、本実施形態では不揮発性メモリであるEEPROM(Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory)として構成されている。このEEPROM20は、メモリ記憶値が「1」と「0」との間で二値切替え可能とされたメモリセルの集合からなるものであり、車載用バッテリー電圧VBを直接的な電源電圧とする形で動作する。書込時の動作電圧が読出時の動作電圧よりも高く設定されており、該電源電圧VBがRAM12の記憶内容を全リセットする全リセット電圧V0未満に低下した場合においても記憶内容が保持することができる。消去モードにおいては、全メモリセルを一括して「1」とする形でのみ消去処理が可能であり、書込モードにあっては、任意のメモリセルを「1」から「0」へ変更する処理は可能であって、「0」から「1」へ変更する処理は不能である。   In this embodiment, the external storage device 20 is configured as an EEPROM (Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory) which is a nonvolatile memory. The EEPROM 20 is composed of a set of memory cells whose memory storage values can be switched between binary values between “1” and “0”, and uses the in-vehicle battery voltage VB as a direct power supply voltage. Works with. Even when the operating voltage at the time of writing is set higher than the operating voltage at the time of reading, and the power supply voltage VB falls below the total reset voltage V0 for fully resetting the stored contents of the RAM 12, the stored contents are retained. Can do. In the erasing mode, erasing processing can be performed only when all the memory cells are collectively set to “1”. In the writing mode, an arbitrary memory cell is changed from “1” to “0”. Processing is possible, and processing for changing from “0” to “1” is impossible.

このEEPROM20には、後述するワークメモリ12a内の制御データをバックアップコピーした内容が主復帰用制御データとして書き込まれる復帰用メモリ領域(主復帰用固定メモリ)20aが形成されている。主復帰用制御データは、ワークメモリ12a内の制御データが後述するRAMリセットプログラム13aの実行により消去された場合に、車載用電子機器40を動作復帰させるために使用されるものである。なお、復帰用メモリ領域20aは、必ずしもマイコン10の外部に設けられたデータ記憶領域に設定される必要はなく、マイコン10内のデータ記憶領域に定められてもよい。   The EEPROM 20 has a return memory area (main return fixed memory) 20a in which the contents of a backup copy of control data in the work memory 12a described later are written as main return control data. The main return control data is used to return the vehicle-mounted electronic device 40 to operation when the control data in the work memory 12a is erased by execution of a RAM reset program 13a described later. The return memory area 20 a is not necessarily set in a data storage area provided outside the microcomputer 10, and may be set in a data storage area in the microcomputer 10.

RAM12は、車載用バッテリー電圧VBを直接的な電源電圧とする形で動作するものであり、車載用電子機器40に指令すべき動作状態を示す制御データが、制御状態の推移に対応した形で更新される形で記憶されるワークエリア(主制御メモリ)12aと、ワークエリア12aとは別に設けられ、該ワークエリア12a内の制御データをバックアップコピーしたバックアップ制御データを記憶するバックアップメモリ領域(バックアップメモリ)12bとが形成されている。ワークエリア12aは、操作スイッチ30への操作が検出される毎に、記憶された制御データが次に切り替えるべき動作状態に対応した内容に書き換え更新される。バックアップメモリ領域12bは、ワークエリア12aが更新される毎に、対応するバックアップ制御データが書き換え更新される。   The RAM 12 operates in such a manner that the in-vehicle battery voltage VB is used as a direct power supply voltage, and the control data indicating the operation state to be commanded to the in-vehicle electronic device 40 corresponds to the transition of the control state. A work area (main control memory) 12a that is stored in an updated form and a backup memory area (backup) that stores backup control data that is a backup copy of the control data in the work area 12a. Memory) 12b. Each time the operation on the operation switch 30 is detected, the work area 12a is rewritten and updated to the contents corresponding to the operation state to be switched next. Each time the work area 12a is updated, the corresponding backup control data is rewritten and updated in the backup memory area 12b.

このバックアップメモリ領域12bは、RAM12内にて先頭アドレスの固定されたメモリ領域として設定されている。これにより、RAM内のバックアップメモリ内の制御データの有無を、固定アドレス化されたメモリ領域内のサムチェック等により簡単に確認できる。なお、ワークメモリ12aはRAM12内にてリロケータブルに設定されるものであってもよい。   The backup memory area 12b is set as a memory area having a fixed start address in the RAM 12. As a result, the presence or absence of control data in the backup memory in the RAM can be easily confirmed by a sum check or the like in the memory area having a fixed address. The work memory 12a may be set to be relocatable in the RAM 12.

また、ROM13には、RAM12のリセット処理(初期化処理)を実行するRAMリセットプログラム13aと、そのリセット処理後に車載用電子機器40の動作制御(ハザードランプの点灯制御)を復帰させるリセット後復帰プログラム13bと、操作スイッチ30からのトリガー信号の有無を監視するスイッチ操作監視プログラム13cと、ハザードランプ40側に指令すべき動作状態を示す制御データを、EEPROM20の復帰用メモリ領域20aやバックアップ用にRAM12のバックアップメモリ領域12bに記憶するハザード点灯状態記憶プログラム13dと、ハザードランプ40の点灯状態を点滅点灯状態と消灯状態との2種間で切り替えるハザード点灯制御プログラム13eとを格納している。以下、これらのプログラム13a〜13eの詳細を、図2〜図6に示すフローチャートを用いて説明する。   The ROM 13 also includes a RAM reset program 13a that executes a reset process (initialization process) of the RAM 12, and a reset program that resets the operation control (hazard lamp lighting control) of the in-vehicle electronic device 40 after the reset process. 13b, a switch operation monitoring program 13c for monitoring the presence / absence of a trigger signal from the operation switch 30, and control data indicating an operation state to be commanded to the hazard lamp 40 side are stored in the recovery memory area 20a of the EEPROM 20 and the RAM 12 for backup. A hazard lighting state storage program 13d stored in the backup memory area 12b and a hazard lighting control program 13e for switching the lighting state of the hazard lamp 40 between two types of blinking lighting state and extinguishing state are stored. Details of these programs 13a to 13e will be described below with reference to flowcharts shown in FIGS.

まず、スイッチ操作監視プログラム13cについて説明する。スイッチ操作監視プログラム13cは、図2に示すように、まず、S11では、S12において操作スイッチ30の操作に伴い発生するトリガー信号が検知されるまで待機状態を保つ。トリガー信号は、操作スイッチ30からマイコン10に入力される信号電圧の、スイッチ操作に伴い発生する信号のエッジ信号である。このエッジが検知されるとS13に進む。S13では、現在ワークメモリ12aに記憶されている制御データを、予め定められた他の制御データに切り替える。具体的に、現在ワークメモリ12aに記憶されている制御データが、ハザードランプ40に点滅点灯状態を指令する制御データである場合には、ハザードランプ40に消灯状態を指令する制御データに書き換え、逆に、消灯状態を指令する制御データが記憶されている場合には、点滅点灯状態を指令する制御データに書き換える。そして、S13後、本プログラム13cを終了する。なお、このプログラム13cは、プログラム終了後も繰り返し実行される。このスイッチ操作監視プログラム13cは、CPU11により実行されることで、操作スイッチ30への操作の検出するスイッチ操作検出手段として機能する。   First, the switch operation monitoring program 13c will be described. As shown in FIG. 2, the switch operation monitoring program 13c first maintains a standby state in S11 until a trigger signal generated in response to the operation of the operation switch 30 is detected in S12. The trigger signal is an edge signal of a signal voltage that is input from the operation switch 30 to the microcomputer 10 and that is generated by the switch operation. If this edge is detected, the process proceeds to S13. In S13, the control data currently stored in the work memory 12a is switched to other predetermined control data. Specifically, when the control data currently stored in the work memory 12a is control data for instructing the hazard lamp 40 to turn on and off, the control data is rewritten to control data for instructing the hazard lamp 40 to turn off, and vice versa. In addition, when the control data for instructing the extinguishing state is stored, it is rewritten to the control data for instructing the blinking lighting state. Then, after S13, the program 13c is terminated. The program 13c is repeatedly executed even after the program ends. The switch operation monitoring program 13c is executed by the CPU 11 and functions as a switch operation detection unit that detects an operation on the operation switch 30.

ハザード点灯状態記憶プログラム13dについて説明する。ハザード点灯状態記憶プログラム13dは、図3に示すように、EEPROM20に供給される車載用バッテリー電圧VBを監視し、S21にて、その電圧VBをリードし、S22にて、リードした電圧VBが予め定められたEEPROM20の書込保障下限電圧V2よりも高いか否かを判定する。書込保障下限電圧V2とは、EEPROM20において確実にデータの書き換えを行なうことができるとされる、予め定められた電圧下限値である。電圧VBが書込保障下限電圧V2より高い場合には、S23及びS24にて、RAM12のワークメモリ12a内の制御データがEEPROM20の復帰用メモリ領域20aとRAM12のバックアップメモリ領域12bとの双方に書き込まれる。一方、電圧VBが書込保障下限電圧V2より低下している場合には、EEPROM20の復帰用メモリ領域20aへの書換えが禁止され、S25にて、RAM12のワークメモリ12a内の制御データはRAM12のバックアップメモリ領域12bのみに記憶される。S24又はS25が終了すると、本プログラム13dは終了する。なお、このプログラム13dは、終了後も繰り返し実行される。このハザード点灯状態記憶プログラム13dは、CPU11により実行されることで、バッテリー電圧VBの電圧レベルに応じて、制御データをバックアップ用にRAMの記憶領域12bやEEPROM20の記憶領域20aに記憶する制御データバックアップ手段、及び電圧VBが書込保障下限電圧V2より低下した場合に、不揮発性メモリの書き換えを禁止する書換禁止手段として機能する。   The hazard lighting state storage program 13d will be described. As shown in FIG. 3, the hazard lighting state storage program 13d monitors the in-vehicle battery voltage VB supplied to the EEPROM 20, reads the voltage VB in S21, and reads the voltage VB in advance in S22. It is determined whether or not the write guarantee lower limit voltage V2 of the EEPROM 20 is higher. The write guarantee lower limit voltage V2 is a predetermined voltage lower limit value at which data can be reliably rewritten in the EEPROM 20. When the voltage VB is higher than the write guarantee lower limit voltage V2, the control data in the work memory 12a of the RAM 12 is written in both the recovery memory area 20a of the EEPROM 20 and the backup memory area 12b of the RAM 12 in S23 and S24. It is. On the other hand, when the voltage VB is lower than the write guarantee lower limit voltage V2, rewriting to the return memory area 20a of the EEPROM 20 is prohibited, and the control data in the work memory 12a of the RAM 12 is stored in the RAM 12 in S25. It is stored only in the backup memory area 12b. When S24 or S25 ends, the program 13d ends. Note that the program 13d is repeatedly executed even after completion. The hazard lighting state storage program 13d is executed by the CPU 11 so that the control data is stored in the RAM storage area 12b or the EEPROM 20 storage area 20a for backup according to the voltage level of the battery voltage VB. And when the voltage VB drops below the write guarantee lower limit voltage V2, it functions as a rewrite prohibiting means for prohibiting rewriting of the nonvolatile memory.

ハザード点灯制御プログラム13eについて説明する。ハザード点灯制御プログラム13eは、図4に示すように、まず、S31にて、RAM12のワークエリア12aから制御データをリードし、S32にて、リードした制御データが示すハザードランプ40の点灯状態(動作状態)が、点滅動作を示すものであるか否かを判定する。点滅動作を示すものであった場合には、S33にて、マイコン10がハザードコントローラ41に対し、ハザードランプ40を点滅動作させる制御レベル信号を出力し、ハザードランプ40が点滅動作するよう制御される。一方、リードした制御データが点滅動作を示すものでなかった場合には、S34にて、マイコン10がハザードコントローラ41に対し、ハザードを消灯させる制御レベル信号を出力し、ハザードランプ40が消灯するよう制御される。S33又はS34が終了すると、本プログラム13eは終了する。なお、このプログラム13eは、終了後も繰り返し実行される。このハザード点灯制御プログラム13eは、CPU11により実行されることで、バッテリー電圧VBの電圧レベルに応じて、ワークメモリ12a内の制御データに基づいて車載用電子機器40を動作制御する機器動作制御手段、及びワークメモリ12a内の制御データに基づいて車載用電子機器40の動作状態を切り替える切り替え制御手段として機能する。   The hazard lighting control program 13e will be described. As shown in FIG. 4, the hazard lighting control program 13e first reads control data from the work area 12a of the RAM 12 in S31, and in S32, the lighting state (operation) of the hazard lamp 40 indicated by the read control data It is determined whether or not (status) indicates a blinking operation. If the flashing operation is indicated, in S33, the microcomputer 10 outputs a control level signal for causing the hazard lamp 40 to flash to the hazard controller 41, and the hazard lamp 40 is controlled to flash. . On the other hand, if the read control data does not indicate a blinking operation, the microcomputer 10 outputs a control level signal for turning off the hazard to the hazard controller 41 in S34 so that the hazard lamp 40 is turned off. Be controlled. When S33 or S34 ends, the program 13e ends. The program 13e is repeatedly executed even after the program 13e is finished. The hazard lighting control program 13e is executed by the CPU 11, and thereby device operation control means for controlling the operation of the in-vehicle electronic device 40 based on the control data in the work memory 12a according to the voltage level of the battery voltage VB, And it functions as a switching control means for switching the operating state of the in-vehicle electronic device 40 based on the control data in the work memory 12a.

以上述べたように、上記プログラム13c、13d、13eが実行されることで、マイコン10は、ハザードランプ40の動作制御指令情報(制御データ)をRAM12のワークエリア12aに記憶し、この動作制御指令情報に基づいてハザードランプ40の制御レベル信号を出力して、ハザードランプ40の点灯制御を実行する。   As described above, by executing the programs 13c, 13d, and 13e, the microcomputer 10 stores the operation control command information (control data) of the hazard lamp 40 in the work area 12a of the RAM 12, and this operation control command. Based on the information, the control level signal of the hazard lamp 40 is output, and the lighting control of the hazard lamp 40 is executed.

ところが、RAM12のワークエリア12aに記憶される動作制御指令情報(制御データ)は、RAM12のリセット処理により記憶内容がクリアされる可能性がある。このため、動作制御指令情報(制御データ)は、RAM12のワークエリア12a以外の記憶領域にも、バックアップ用として記憶されている。以下、RAM12をリセットするRAMリセットプログラム13aについて説明する。   However, the operation control command information (control data) stored in the work area 12a of the RAM 12 may be cleared by reset processing of the RAM 12. Therefore, the operation control command information (control data) is also stored for backup in a storage area other than the work area 12a of the RAM 12. Hereinafter, the RAM reset program 13a for resetting the RAM 12 will be described.

RAMリセットプログラム13aは、図5に示すように、まず、S101にて車載用バッテリー電圧VBに係る値をリードする。続いてS102では、リードしたその電圧VBが、セミリセットを行なうべき電圧レベルまで降下したか否かを判定する。RAMのリセットに関しては、RAM12の記憶内容を全リセットするための電圧閾値である全リセット電圧V0と、全リセット電圧V0よりも高くEEPROM20の書込保障下限電圧V2よりは低く定められ、バックアップメモリ領域12b内のバックアップ制御データを保護しつつ、ワークメモリ12aのみをリセットするセミリセット処理のための電圧閾値であるセミリセット電圧V1とが設定されているので、S102では、リードした電圧VBが、セミリセット電圧V1未満に降下したか否かにより判定を行う。降下していない場合には、全リセット処理及びセミリセット処理のいずれを行なうことなく本プログラム13aを終了する。一方、降下していた場合には、S103に進む。S103では、S101にてリードした電圧VBが、全リセット電圧V0未満に降下したか否かを判定する。降下している場合には、S104及びS105にて上記全リセット処理を行ない、本プログラム13aを終了する。一方、降下していない場合には、S106及びS107にて上記セミリセット処理を行ない、本プログラム13aを終了する。全リセット処理及びセミリセット処理は、リセット対象となる記憶領域に対し、ベリファイチェックを行なった上で、リセット対象記憶領域のゼロクリアを実施する形で行なわれる。なお、このプログラム13aは、終了後も繰り返し実行される。このRAMリセットプログラム13aは、CPU11により実行されることで、上記全リセット処理及び上記セミリセット処理を実行するRAMリセット手段として機能する。   As shown in FIG. 5, the RAM reset program 13a first reads a value related to the in-vehicle battery voltage VB in S101. Subsequently, in S102, it is determined whether or not the read voltage VB has dropped to a voltage level at which a semi-reset is to be performed. Regarding the reset of the RAM, the total reset voltage V0, which is a voltage threshold for fully resetting the stored contents of the RAM 12, and a value higher than the total reset voltage V0 and lower than the write guarantee lower limit voltage V2 of the EEPROM 20 are determined. Since the backup control data in 12b is protected and the semi-reset voltage V1 which is a voltage threshold for the semi-reset process for resetting only the work memory 12a is set, in S102, the read voltage VB is changed to the semi-reset voltage V1. The determination is made based on whether or not the voltage has fallen below the reset voltage V1. If not, the program 13a is terminated without performing either the full reset process or the semi-reset process. On the other hand, if it is descending, the process proceeds to S103. In S103, it is determined whether or not the voltage VB read in S101 has dropped below the total reset voltage V0. If it is lowered, all the reset processing is performed in S104 and S105, and the program 13a is terminated. On the other hand, if it is not lowered, the semi-reset process is performed in S106 and S107, and the program 13a is terminated. The all reset process and the semi-reset process are performed by performing a zero check on the reset target storage area after performing a verify check on the reset target storage area. The program 13a is repeatedly executed after the end. The RAM reset program 13a is executed by the CPU 11 and functions as a RAM reset means for executing the full reset process and the semi-reset process.

なお、このRAMリセットプログラム13aは、車載用バッテリー電圧VBの低下を定期的に監視する形で実行されるだけでなく、他の要因でマイコン10の入出力部15に外部からのリセット信号が入力されて実行されるものであってもよい。   Note that the RAM reset program 13a is not only executed in a form of periodically monitoring the decrease in the in-vehicle battery voltage VB, but an external reset signal is input to the input / output unit 15 of the microcomputer 10 due to other factors. And may be executed.

そして、RAMリセットが実行された後には、リセット状態からの復帰処理が実行される。全リセット処理が実行された場合には、バッテリー電圧VBが電圧復帰したときに、EEPROM20の復帰用メモリ領域20aに記憶されたリセット復帰用制御データを用いて車載用電子機器40を動作復帰させる。   Then, after the RAM reset is executed, the return processing from the reset state is executed. When the all reset process is executed, when the battery voltage VB returns, the in-vehicle electronic device 40 is returned to operation using the reset return control data stored in the return memory area 20a of the EEPROM 20.

セミリセット処理後に、バッテリー電圧VBが電圧復帰した場合は、バックアップ制御データを用いて車載用電子機器40が動作復帰する。具体的には、図6に示すリセット後復帰プログラム13bを実行して復帰処理が行なわれる。リセット後復帰プログラム13bは、まずS111にて、RAM12のバックアップメモリ領域12bにバックアップ制御データが正しく書き込まれているか否かを、例えばサムチェックやミラーチェック等を実行して判定する。正しく書き込まれたものが存在する場合は、S112にてこのバックメモリ領域12bに記憶されたバックアップ制御データを用いてワークメモリ12aの記憶内容を復元し、車載用電子機器40を動作復帰させる。なお、このとき、バッテリー電圧VBがセミリセット状態から書込保障下限電圧V2よりも高電圧まで復帰した場合には、バックアップメモリ12b内のバックアップ制御データを用いてワークメモリ12aだけでなく、EEPROM20の復帰用メモリ領域20aの内容も更新して、後の全リセット処理に対応可能な状況としておく。一方、正しく書き込まれていなかった場合は、S113にてEEPROM20の復帰用メモリ領域20aに記憶されたリセット復帰用制御データを用いてワークメモリ12aの記憶内容を復元し、車載用電子機器40を動作復帰させる。   If the battery voltage VB is restored after the semi-reset process, the vehicle-mounted electronic device 40 is restored to operation using the backup control data. Specifically, the return process is performed by executing the post-reset return program 13b shown in FIG. The reset program 13b after reset first determines whether or not the backup control data is correctly written in the backup memory area 12b of the RAM 12 by executing, for example, a sum check or a mirror check in S111. If there is a correctly written data, the stored contents of the work memory 12a are restored using the backup control data stored in the back memory area 12b in S112, and the vehicle-mounted electronic device 40 is returned to operation. At this time, when the battery voltage VB returns from the semi-reset state to a voltage higher than the write guarantee lower limit voltage V2, not only the work memory 12a but also the EEPROM 20 is stored in the backup memory 12b. The contents of the return memory area 20a are also updated so that all subsequent reset processes can be handled. On the other hand, if not correctly written, the stored contents of the work memory 12a are restored using the reset return control data stored in the return memory area 20a of the EEPROM 20 in S113, and the in-vehicle electronic device 40 is operated. Return.

なお、このプログラム13bは、CPU11により、セミリセット処理実行後に実行されるものであり、車載用電子機器40を動作復帰させるリセット復帰手段として機能する。   The program 13b is executed by the CPU 11 after executing the semi-reset process, and functions as a reset return means for returning the operation of the in-vehicle electronic device 40.

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、次の実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。上記実施形態においては、車載用電子機器としてハザードランプを例示しているが、これに限られるものではなく、例えば、上記バックアップ方式が採用可能なものであれば、どのような電子機器や機能であってもよい。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, The following embodiment is also contained in the technical scope of this invention, and also the summary other than the following is also included. Various modifications can be made without departing from the scope. In the above embodiment, a hazard lamp is illustrated as an in-vehicle electronic device. However, the present invention is not limited to this. For example, any electronic device or function can be used as long as the backup method can be adopted. There may be.

本発明の車載用電子機器制御装置の一実施形態の電気的構成を示すブロック図。The block diagram which shows the electric constitution of one Embodiment of the vehicle-mounted electronic device control apparatus of this invention. スイッチ操作監視処理の流れを説明するフローチャート。The flowchart explaining the flow of a switch operation monitoring process. ハザード点灯状態記憶処理の流れを説明するフローチャート。The flowchart explaining the flow of a hazard lighting state storage process. ハザード点灯制御処理の流れを説明するフローチャート。The flowchart explaining the flow of a hazard lighting control process. RAMリセット処理の流れを説明するフローチャート。The flowchart explaining the flow of RAM reset processing. リセット後復帰処理の流れを説明するフローチャート。The flowchart explaining the flow of the reset process after reset.

符号の説明Explanation of symbols

100 車載用電子機器制御装置
10 マイコン(制御部)
11 CPU(機器動作制御手段(切り替え制御手段)、RAMリセット手段、リセット復帰手段、制御データバックアップ手段)
12 RAM
12a ワークメモリ(主制御メモリ12a)
12b バックアップメモリ領域(バックアップメモリ12b)
13 ROM
20 EEPROM(不揮発性メモリ)
20a 復帰用メモリ領域(主復帰用固定メモリ20a)
30 モーメンタリー型の操作スイッチ
40 車載用動作機器(ハザードランプ)
VB 車載用バッテリー電圧
V0 全リセット電圧
V1 セミリセット電圧
V2 書込保障下限電圧V2
100 On-vehicle electronic device control device 10 Microcomputer (control unit)
11 CPU (apparatus operation control means (switching control means), RAM reset means, reset return means, control data backup means)
12 RAM
12a Work memory (main control memory 12a)
12b Backup memory area (backup memory 12b)
13 ROM
20 EEPROM (nonvolatile memory)
20a Memory area for return (main return fixed memory 20a)
30 Momentary type operation switch 40 On-vehicle operating equipment (hazard lamp)
VB In-vehicle battery voltage V0 Total reset voltage V1 Semi-reset voltage V2 Write guarantee lower limit voltage V2

Claims (11)

車載用バッテリー電圧を直接的な電源電圧とする形で動作するRAM内に形成され、車載用電子機器に指令すべき動作状態を示す制御データを、制御状態の推移に対応させる形で更新しつつ記憶する主制御メモリと、
前記主制御メモリ内の前記制御データに基づいて前記車載用電子機器を動作制御する機器動作制御手段と、
不揮発性メモリ内に形成され、前記主制御メモリ内の制御データがRAMリセットにより消去された場合に前記車載用電子機器を動作復帰させるための、主復帰用制御データが書き込まれる主復帰用固定メモリと、
前記RAM内にて該主制御メモリとは別に設けられ、該主制御メモリ内の制御データをバックアップコピーしたバックアップ制御データが前記主制御メモリとともに更新しつつ書き込まれるバックアップメモリと、
前記RAMの電源電圧を監視するとともに、前記電源電圧が予め定められた全リセット電圧未満に降下した場合は、前記主制御メモリを含めて前記RAMの記憶内容を全リセットし、前記電源電圧が、前記全リセット電圧よりは高く、かつ予め定められたセミリセット電圧未満に降下した場合は、前記バックアップメモリ内の前記バックアップ制御データを保護しつつ、前記主制御メモリをリセットするセミリセット処理を行なうRAMリセット手段と、
前記電源電圧が、前記全リセット状態から電圧復帰した場合は前記リセット復帰用制御データを用いて前記車載用電子機器を動作復帰させる一方、前記セミリセット状態から電圧復帰した場合は前記バックアップ制御データを用いて前記車載用電子機器を動作復帰させるリセット復帰手段と、
を有することを特徴とする車載用電子機器制御装置。
The control data indicating the operation state to be commanded to the in-vehicle electronic device is updated in a form corresponding to the transition of the control state. Main control memory to store,
Device operation control means for controlling the operation of the in-vehicle electronic device based on the control data in the main control memory;
Main return fixed memory in which main return control data is written, which is formed in a non-volatile memory and returns the operation of the in-vehicle electronic device when the control data in the main control memory is erased by a RAM reset. When,
A backup memory provided separately from the main control memory in the RAM, in which backup control data obtained by making a backup copy of the control data in the main control memory is written while being updated together with the main control memory;
While monitoring the power supply voltage of the RAM, if the power supply voltage falls below a predetermined total reset voltage, all the stored contents of the RAM including the main control memory are reset, and the power supply voltage is: A RAM that performs a semi-reset process that resets the main control memory while protecting the backup control data in the backup memory when it falls below a predetermined semi-reset voltage that is higher than the total reset voltage Resetting means;
When the power supply voltage is restored from the all reset state, the vehicle-mounted electronic device is returned to operation using the reset return control data, while when the voltage is restored from the semi-reset state, the backup control data is Reset return means for returning the operation of the in-vehicle electronic device using,
A vehicle-mounted electronic device control device comprising:
前記主復帰用固定メモリが形成される前記不揮発性メモリは、前記車載用バッテリー電圧を直接的な電源電圧とする形で動作するとともに、書込時の動作電圧が読出時の動作電圧よりも高く設定され、かつ、該電源電圧が前記RAMの記憶内容を全リセットする全リセット電圧未満に低下した場合においても記憶内容を保持するEEPROMとされ、前記主制御メモリ内の制御データをバックアップコピーした内容が前記主復帰用制御データとして書き込まれる請求項1記載の車載用電子機器制御装置。   The nonvolatile memory in which the main return fixed memory is formed operates in such a manner that the in-vehicle battery voltage is a direct power supply voltage, and the operation voltage at the time of writing is higher than the operation voltage at the time of reading. The EEPROM that holds the stored contents even when the power supply voltage is lower than the total reset voltage that resets all the stored contents of the RAM, and is a backup copy of the control data in the main control memory Is written as the main return control data. The on-vehicle electronic device control device according to claim 1. 前記車載用電子機器は、モーメンタリー型の操作スイッチへの操作が検出される毎に、互いに異なる複数の動作状態のいずれかに順次切り替えるものとして構成され、
前記主制御メモリは、前記操作スイッチへの操作が検出される毎に、記憶された前記制御データが次に切り替えるべき動作状態に対応した内容に書き換え更新されるとともに、
前記機器動作制御手段は、前記主制御メモリ内の前記制御データに基づいて前記車載用電子機器の動作状態を切り替える切り替え制御手段である請求項1又は請求項2に記載の車載用電子機器制御装置。
The in-vehicle electronic device is configured to sequentially switch to any one of a plurality of different operation states each time an operation to a momentary type operation switch is detected,
Each time the operation to the operation switch is detected, the main control memory is rewritten and updated to the contents corresponding to the operation state to be switched next, and the stored control data is updated.
3. The on-vehicle electronic device control device according to claim 1, wherein the device operation control unit is a switching control unit that switches an operation state of the on-vehicle electronic device based on the control data in the main control memory. .
前記車載用電子機器はハザードランプであり、前記モーメンタリー型の操作スイッチへの操作が検出される毎に、点滅動作状態と消灯状態とが交互に切り替わるものである請求項3記載の車載用電子機器制御装置。   4. The vehicle-mounted electronic device according to claim 3, wherein the vehicle-mounted electronic device is a hazard lamp, and a blinking operation state and a light-off state are alternately switched every time an operation to the momentary type operation switch is detected. Control device. 請求項2に記載の要件を備え、前記主制御メモリを構成するRAMは、前記切り替え制御手段及び前記リセット復帰手段として機能するマイコンのCPUに内部バスを介して接続されたものであり、前記主復帰用固定メモリを構成する前記EEPROMは、シリアル通信線を介して前記マイコンに接続されたものである請求項4記載の車載用電子機器制御装置。   The RAM comprising the requirement according to claim 2 and constituting the main control memory is connected to a CPU of a microcomputer functioning as the switching control means and the reset recovery means via an internal bus, and 5. The in-vehicle electronic device control device according to claim 4, wherein the EEPROM constituting the return fixed memory is connected to the microcomputer via a serial communication line. 前記EEPROMの電源電圧を監視するとともに、該電源電圧が予め定められた書込保障下限電圧よりも高い場合は前記主制御メモリ内の制御データを前記主復帰用固定メモリに書き込む一方、前記電源電圧が前記書込保障下限電圧より低下した場合は、前記主制御メモリ内の制御データを前記バックアップメモリに書き込む前記制御データバックアップ手段を有する請求項2ないし請求項5のいずれか1項に記載の車載用電子機器制御装置。   The power supply voltage of the EEPROM is monitored, and when the power supply voltage is higher than a predetermined write guarantee lower limit voltage, the control data in the main control memory is written to the main return fixed memory, while the power supply voltage 6. The vehicle-mounted device according to claim 2, further comprising: a control data backup unit that writes control data in the main control memory to the backup memory when the voltage drops below the write guarantee lower limit voltage. Electronic equipment control device. 前記制御データバックアップ手段は、前記電源電圧が前記書込保障下限電圧よりも低下した場合に、前記主復帰用固定メモリの書換えを禁止する請求項6記載の車載用電子機器制御装置。   The in-vehicle electronic device control device according to claim 6, wherein the control data backup unit prohibits rewriting of the main return fixed memory when the power supply voltage falls below the write guarantee lower limit voltage. 前記電源電圧が前記書込保障下限電圧よりも高く確保されている状態において、前記主制御メモリ内の制御データは、前記主復帰用固定メモリとともに前記バックアップメモリにも書き込まれ、
前記リセット復帰手段は、前記セミリセット状態から復帰する場合において、前記バックアップメモリ内に前記制御データが書き込まれている場合には、必ず該バックアップメモリの記憶内容に基づいて前記動作復帰を行なう請求項2ないし請求項7のいずれか1項に記載の車載用電子機器制御装置。
In a state where the power supply voltage is secured higher than the write guarantee lower limit voltage, the control data in the main control memory is written to the backup memory together with the main return fixed memory,
The reset return means, when returning from the semi-reset state, always returns the operation based on the stored contents of the backup memory when the control data is written in the backup memory. The vehicle-mounted electronic device control apparatus of any one of Claim 2 thru | or 7.
前記リセット復帰手段は、前記セミリセット状態から復帰する場合において、前記バックアップメモリ内に前記制御データが書き込まれていない場合には、前記主復帰用固定メモリ内の制御データに基づいて前記主制御メモリの記憶内容を復元する請求項8記載の車載用電子機器制御装置。   The reset return means returns from the semi-reset state, and when the control data is not written in the backup memory, the main control memory is based on the control data in the main return fixed memory. The in-vehicle electronic device control device according to claim 8, which restores the stored content. 前記リセット復帰手段は、前記セミリセット状態から前記書込保障下限電圧よりも高電圧まで復帰した場合において、前記バックアップメモリ内の前記バックアップ制御データを用いて前記主制御メモリ及び前記主復帰用固定メモリの内容を更新する請求項2ないし請求項9のいずれか1項に記載の車載用電子機器制御装置。   When the reset recovery means recovers from the semi-reset state to a voltage higher than the write guarantee lower limit voltage, the main control memory and the main return fixed memory using the backup control data in the backup memory The vehicle-mounted electronic device control apparatus of any one of Claim 2 thru | or 9 which updates the content of these. 前記バックアップメモリが前記RAM内にて先頭アドレスの固定されたメモリ領域に設定されている請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の車載用電子機器制御装置。   The vehicle-mounted electronic device control device according to any one of claims 1 to 10, wherein the backup memory is set in a memory area where a head address is fixed in the RAM.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010013004A (en) * 2008-07-04 2010-01-21 Denso Corp Electronic control device for vehicle
JP2010141504A (en) * 2008-12-10 2010-06-24 Denso Corp On-vehicle device and program
JP2017084140A (en) * 2015-10-28 2017-05-18 本田技研工業株式会社 Emergency stop system and emergency stop method
US11766952B2 (en) 2021-09-24 2023-09-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Power supply circuit, power supply method, and storage medium

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05276560A (en) * 1992-03-26 1993-10-22 Noritz Corp Data storage method at momentary interruption in remote controller for hot water supply equipment
JPH1153270A (en) * 1997-08-05 1999-02-26 Alps Electric Co Ltd On-vehicle electric accessory equipment mounted with microcomputer
JP2005247179A (en) * 2004-03-05 2005-09-15 Nissan Motor Co Ltd Vehicular information recording device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05276560A (en) * 1992-03-26 1993-10-22 Noritz Corp Data storage method at momentary interruption in remote controller for hot water supply equipment
JPH1153270A (en) * 1997-08-05 1999-02-26 Alps Electric Co Ltd On-vehicle electric accessory equipment mounted with microcomputer
JP2005247179A (en) * 2004-03-05 2005-09-15 Nissan Motor Co Ltd Vehicular information recording device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010013004A (en) * 2008-07-04 2010-01-21 Denso Corp Electronic control device for vehicle
JP2010141504A (en) * 2008-12-10 2010-06-24 Denso Corp On-vehicle device and program
JP2017084140A (en) * 2015-10-28 2017-05-18 本田技研工業株式会社 Emergency stop system and emergency stop method
CN107009952A (en) * 2015-10-28 2017-08-04 本田技研工业株式会社 Emergency stopping system and method for stopping in emergency
US10266167B2 (en) 2015-10-28 2019-04-23 Honda Motor Co., Ltd. Emergency stop system and emergency stop method
CN107009952B (en) * 2015-10-28 2019-07-05 本田技研工业株式会社 Emergency stopping system and method for stopping in emergency
US10766476B2 (en) 2015-10-28 2020-09-08 Honda Motor Co., Ltd. Emergency stop system and emergency stop method
US11766952B2 (en) 2021-09-24 2023-09-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Power supply circuit, power supply method, and storage medium

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