JP3451489B2 - RAM content destruction handling method and programmable controller - Google Patents

RAM content destruction handling method and programmable controller

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JP3451489B2
JP3451489B2 JP24837197A JP24837197A JP3451489B2 JP 3451489 B2 JP3451489 B2 JP 3451489B2 JP 24837197 A JP24837197 A JP 24837197A JP 24837197 A JP24837197 A JP 24837197A JP 3451489 B2 JP3451489 B2 JP 3451489B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、RAM内容破壊
対応処理方法及びこの方法に適合したプログラマブルコ
ントローラに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a RAM content destruction handling method and a programmable controller adapted to this method.

【0002】[0002]

【従来の技術】プログラマブルコントローラ等において
は、応答性が良く、高速処理ができるRAMが、ユーザ
プログラムその他のデータの格納場所として用いられて
いる。
2. Description of the Related Art In a programmable controller or the like, a RAM having good response and capable of high-speed processing is used as a storage location for user programs and other data.

【0003】図5に示すように、プログラマブルコント
ローラ1は、MPU2、ROM39、RAM4、周辺ツ
ール5とのインターフェース6および外部入出力機器7
とのインターフェース8がバスで接続されて構成されて
いる。
As shown in FIG. 5, the programmable controller 1 includes an MPU 2, a ROM 39, a RAM 4, an interface 6 with a peripheral tool 5, and an external input / output device 7.
And an interface 8 with a bus are connected by a bus.

【0004】そして、図6に示すように、ROM39に
はシステムプログラムエリア、RAM4にはユーザプロ
グラムエリア、システム設定用データエリア、データ設
定用データエリア、I/Oメモリエリア、ワークメモリ
エリアがそれぞれ割り当てられ、MPU2では、ROM
39のシステムプログラムによって、RAM4のユーザ
プログラム等を使用しながら、周辺ツール5や外部入出
力機器7とデータをやり取りして制御動作を行なうよう
になっている。
As shown in FIG. 6, the ROM 39 is assigned a system program area, and the RAM 4 is assigned a user program area, a system setting data area, a data setting data area, an I / O memory area, and a work memory area. In MPU2, ROM
The system program of 39 allows the control operation by exchanging data with the peripheral tool 5 and the external input / output device 7 while using the user program of the RAM 4 and the like.

【0005】しかし、RAMは、バックアップ電源の消
耗等で停電状態となるとその内容が破壊されるので、別
に読み書き可能な不揮発性メモリを設けて、この不揮発
性メモリにも同じデータを格納しておくこと、更に、不
揮発性メモリの内容が停電の間に破壊されたかどうかを
検査することが知られている。
However, since the contents of the RAM are destroyed when a power failure occurs due to consumption of the backup power source or the like, a separate readable / writable nonvolatile memory is provided and the same data is stored in this nonvolatile memory. Furthermore, it is known to check whether the contents of the non-volatile memory have been destroyed during a power failure.

【0006】例えば、特開昭54−107226号公報
には、停電直後に正常なデータを用いてチェックワード
を作成し、停電回復後に不揮発性メモリ内の同じ内容を
用いてチェックワードを作成して、これらの両チェック
ワードが不一致となったとき、不揮発性メモリの内容が
破壊されたとして処理して、誤動作等のトラブルを防止
する技術が開示されている。
For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 54-107226, a check word is created using normal data immediately after a power failure, and a check word is created using the same contents in a non-volatile memory after power failure recovery. There is disclosed a technique for preventing troubles such as malfunctions by processing when the contents of the nonvolatile memory are destroyed when these checkwords do not match.

【0007】近年は、フラッシュメモリ等の高品質の不
揮発性メモリが普及し、不揮発性メモリ内容の破壊とい
うトラブルは減ったけれども、一方で、RAM内容が停
電時に破壊するという問題は相変わらず残されている。
In recent years, high-quality non-volatile memories such as flash memories have become widespread, and the trouble of destroying the contents of the non-volatile memory has been reduced. On the other hand, however, the problem that the contents of RAM are destroyed at the time of power failure still remains. There is.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従って、プログラマブ
ルコントローラ等に、バックアップ電源の消耗によるR
AMの内容破壊が予期しないときに起こり、これに気付
かずに電源を入れると、異常な運転をしてしまい、致命
的な誤動作が起こることがある。
Therefore, in a programmable controller, etc.
Destruction of the contents of the AM occurs at an unexpected time, and if the power is turned on without noticing it, abnormal operation may occur and a fatal malfunction may occur.

【0009】また、バックアップ電源としては、バッテ
リが従来使われているが、バックアップ用に用いられる
信頼性の高いバッテリはコストも高く、しかも、RAM
の内容破壊防止のために定期的なバッテリ交換も必要で
ある。それ故、コストが安く、保守の必要のないコンデ
ンサの使用は望ましいが、コンデンサは、比較的短い時
間に放電が進むので、それによるRAMの内容破壊に気
付かずに電源を入れて異常な運転をしてしまう確率は、
バッテリよりも高くなる。
A battery has been conventionally used as a backup power source, but a highly reliable battery used for backup has a high cost and a RAM.
It is also necessary to replace the battery periodically to prevent the contents from being destroyed. Therefore, it is desirable to use a capacitor that is low in cost and does not require maintenance, but since the capacitor discharges in a relatively short time, the power is turned on and abnormal operation is performed without noticing the destruction of the RAM contents. The probability of doing
Will be higher than the battery.

【0010】この発明は、上述の問題を解決し、バック
アップ電源の容量不足等によってRAM内容が破壊され
たとき、これを検出して不揮発性メモリに格納されたデ
ータを用いてRAM内容を復活したり、使用者にRAM
内容破壊を通知して誤動作を防止するRAM内容破壊対
応処理方法及びプログラマブルコントローラを提供する
ものである。
The present invention solves the above-mentioned problems, and when the RAM content is destroyed due to insufficient capacity of the backup power source, etc., it is detected and the RAM content is restored using the data stored in the non-volatile memory. Or RAM to the user
Provided are a RAM content destruction handling processing method and a programmable controller for notifying malfunction of contents and preventing malfunction.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の請求項1の発明方法は、電源投入時に、
不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用データ
とRAMに書き込まれたRAM内容検査用データとを比
較するRAM内容検査用データ比較検査ステップと、上
RAM内容検査用データ比較検査ステップにおいて、
不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用データ
とRAMに書き込まれたRAM内容検査用データとが一
致しないとき、使用者にRAM内容破壊を通知する破壊
通知ステップと、上記RAM内容検査用データ比較検査
ステップにおいて、不揮発性メモリに書き込まれたRA
M内容検査用データとRAMに書き込まれたRAM内容
検査用データとが一致しないとき、不揮発性メモリに書
き込まれたRAM内容検査用データ、ユーザプログラム
およびシステム設定用データをRAMにコピーする不揮
発性メモリ複写ステップと、上記RAM内容検査用デー
タ比較検査ステップにおいて不揮発性メモリに書き込ま
れたRAM内容検査用データとRAMに書き込まれたR
AM内容検査用データとが一致したとき、または、プロ
グラミングモードから運転モードへの切り替え後、不揮
発性メモリに書き込まれたユーザプログラムおよびシス
テム設定用データと、RAMに書き込まれたユーザプロ
グラムおよびシステム設定用データとを比較するユーザ
プログラム・システム設定用データ比較検査ステップ
と、上記ユーザプログラム・システム設定用データ比較
検査ステップにおいて、不揮発性メモリに書き込まれた
ユーザプログラム、システム設定用データと、RAMに
書き込まれたユーザプログラム、システム設定用データ
とが一致しないとき、RAMに書き込まれたユーザプロ
グラム、システム設定用データを不揮発性メモリにコピ
ーするRAM複写ステップと、を有することを特徴とす
る。
In order to achieve the above object, the method of the invention according to claim 1 of the present invention comprises:
RAM content inspection data comparison / inspection step for comparing the RAM content inspection data written in the nonvolatile memory with the RAM content inspection data written in the RAM, and the RAM content inspection data comparison inspection In the step
When the RAM content inspection data written in the non-volatile memory and the RAM content inspection data written in the RAM do not match, a destruction notification step of notifying the user of the RAM content destruction and the RAM content inspection data comparison Inspection
RA written in the non-volatile memory in step
Non-volatile memory for copying RAM content inspection data, user program and system setting data written in the non-volatile memory when the M content inspection data does not match the RAM content inspection data written in the RAM Copying step and the data for RAM content inspection
Write to non-volatile memory in the data comparison inspection step
RAM content inspection data and R written in RAM
When it matches with the AM content inspection data, or
After switching from gramming mode to operation mode,
User program and system written in the memory
System setting data and the user program written in RAM.
Users comparing gram and system configuration data
Data comparison inspection step for program / system settings
And the above user program / system setting data comparison
Written to non-volatile memory during the inspection step
User program, system setting data, and RAM
User program written, system setting data
When does not match, the user program written in RAM
Program and system setting data to non-volatile memory.
And a RAM copying step for performing the same.

【0012】また、この発明の請求項2の発明方法は、
電源投入時に、不揮発性メモリに書き込まれたRAM内
容検査用データとRAMに書き込まれたRAM内容検査
用データとを比較するRAM内容検査用データ比較検査
ステップと、上記RAM内容検査用データ比較検査ステ
ップにおいて、不揮発性メモリに書き込まれたRAM内
容検査用データとRAMに書き込まれたRAM内容検査
用データとが一致しないとき、使用者にRAM内容破壊
を通知する破壊通知ステップと、上記RAM内容検査用
データ比較検査ステップにおいて、不揮発性メモリに書
き込まれたRAM内容検査用データとRAMに書き込ま
れたRAM内容検査用データとが一致しないとき、不揮
発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用データ、ユ
ーザプログラムおよびシステム設定用データをRAMに
コピーする不揮発性メモリ複写ステップと、上記RAM
内容検査用データ比較検査ステップにおいて、不揮発性
メモリに書き込まれたRAM内容検査用データとRAM
に書き込まれたRAM内容検査用データとが一致しない
とき、異常対応設定手段の設定が異常停止設定・継続設
定のいずれかを判断する異常対応設定判断ステップと、
上記異常対応設定判断ステップにおいて、異常停止設定
と判断したとき、処理を停止する異常停止ステップと
上記RAM内容検査用データ比較検査ステップにおいて
不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用データ
とRAMに書き込まれたRAM内容検査用データとが一
致したとき、または、プログラミングモードから運転モ
ードへの切り替え後、不揮発性メモリに書き込まれたユ
ーザプログラムおよびシステム設定用データと、RAM
に書き込まれたユーザプログラムおよびシステム設定用
データとを比較するユーザプログラム・システム設定用
データ比較検査ステップと、上記ユーザプログラム・シ
ステム設定用データ比較検査ステップにおいて、不揮発
性メモリに書き込まれたユーザプログラム、システム設
定用データと、RAMに書き込まれたユーザプログラ
ム、システム設定用データとが一致しないとき、RAM
に書き込まれたユーザプログラム、システム設定用デー
タを不揮発性メモリにコピーするRAM複写ステップ
と、を有し、上記異常停止ステップを経ない場合は、そ
の後の処理を継続できるようにしたことを特徴とする。
Further, the invention method of claim 2 of the present invention is
RAM content inspection data comparison inspection that compares the RAM content inspection data written in the nonvolatile memory with the RAM content inspection data written in the RAM when the power is turned on.
Step and the RAM content inspection data comparison inspection step described above.
In-up, when the RAM contents inspection data written in the RAM contents inspection data and RAM written in the nonvolatile memory does not match, the destruction notification step of notifying the RAM contents disruption to the user, the RAM contents For inspection
In the data comparison / inspection step , when the RAM content inspection data written in the nonvolatile memory and the RAM content inspection data written in the RAM do not match, the RAM content inspection data written in the nonvolatile memory, the user program And a non-volatile memory copying step of copying the system setting data to the RAM, and the RAM.
Content inspection data RAM Content inspection data and RAM written in the nonvolatile memory in the comparison inspection step
When the data for RAM content inspection written in does not match, the abnormality correspondence setting judgment step for judging whether the setting of the abnormality correspondence setting means is abnormal stop setting or continuation setting,
In the above-mentioned abnormality handling setting determination step, when it is determined that the abnormal stop setting, an abnormal stop step of stopping the process ,
In the data comparison inspection step for RAM content inspection
RAM content inspection data written in non-volatile memory
And the RAM content inspection data written in the RAM
Operation mode or from the programming mode.
After switching to the hard disk, the unit written to the non-volatile memory
User program and system setting data, and RAM
For user programs and system settings written in
For user program and system setting to compare with data
Data comparison inspection step and the user program
In the system setting data comparison inspection step, non-volatile
User programs and system settings written in the local memory
Regular data and user program written in RAM
RAM when the system and system setting data do not match
The user program and system setting data written in
RAM copying step to copy data to non-volatile memory
When the abnormal stop step is not performed, the subsequent processing can be continued.

【0013】また、請求項3の発明は、RAM内容破壊
検査用データエリア、ユーザプログラムエリアおよびシ
ステム設定用データエリアを有する不揮発性メモリと、
上記不揮発性メモリの上記各エリアに対応させた、RA
M内容破壊検査用データエリア、ユーザプログラムエリ
アおよびシステム設定用データエリアを有するRAM
と、を備え、電源投入時に、不揮発性メモリに書き込ま
れたRAM内容検査用データとRAMに書き込まれたR
AM内容検査用データとを比較し、不揮発性メモリに書
き込まれたRAM内容検査用データとRAMに書き込ま
れたRAM内容検査用データとが一致しない場合には、
使用者にRAM内容破壊を通知して、不揮発性メモリに
書き込まれたRAM内容検査用データ、ユーザプログラ
ムおよびシステム設定用データをRAMにコピーし、一
方、不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用デ
ータとRAMに書き込まれたRAM内容検査用データと
が一致した場合、または、プログラミングモードから運
転モードへの切り替え後、不揮発性メモリに書き込まれ
たユーザプログラムおよびシステム設定用データと、R
AMに書き込まれたユーザプログラムおよびシステム設
定用データとを比較し、不揮発性メモリに書き込まれた
ユーザプログラム、システム設定用データと、RAMに
書き込まれたユーザプログラム、システム設定用データ
とが一致しない場合に、RAMに書き込まれたユーザプ
ログラム、システム設定用データを不揮発性メモリにコ
ピーすること、を特徴とする。
According to the invention of claim 3, the contents of the RAM are destroyed.
Inspection data area, user program area and system
A non-volatile memory having a system setting data area,
RA corresponding to each of the areas of the nonvolatile memory
M content Destruction inspection data area, user program area
RAM with data area for system and system settings
And, and writes to the non-volatile memory when the power is turned on.
RAM content inspection data and R written in RAM
Compare with AM content inspection data and write to non-volatile memory
Write in the RAM content inspection data and the RAM
If the RAM content inspection data is not matched,
Notify the user that the RAM contents have been destroyed and write it to the non-volatile memory.
Written RAM content inspection data, user program
Copy the system and system setting data to RAM and
However, the RAM content inspection data written in the non-volatile memory
Data and RAM content inspection data written in RAM
Match, or from programming mode
After the mode is switched to the
User program and system setting data, and R
User programs and system settings written in AM
Compared with the regular data and written in the non-volatile memory
User program, system setting data, and RAM
User program written, system setting data
If and do not match, the user program written in RAM is
Program and system setting data to non-volatile memory.
Peeing.

【0014】[0014]

【0015】[0015]

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を、以下、
図面を参照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below.
A description will be given with reference to the drawings.

【0017】図1は、この発明の一実施の形態を示すブ
ロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

【0018】図1は、図5に示した従来のプログラマブ
ルコントローラとほぼ同様な構成であるので、図5と同
一の要素に同一の符号を付して、その説明は省略する。
3はフラッシュメモリ(読み書き可能な不揮発性メモ
リ)である。
Since FIG. 1 has substantially the same configuration as the conventional programmable controller shown in FIG. 5, the same elements as those in FIG. 5 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
3 is a flash memory (readable and writable non-volatile memory).

【0019】このフラッシュメモリ3には、図2に示す
ように、システムプログラム30が格納される他、RA
M内容破壊検査用データを書き込むためのRAM内容破
壊検査用データエリア31、ユーザプログラムを書き込
むためのユーザプログラムエリア32およびシステム設
定用データを書き込むためのシステム設定用データエリ
ア33を有し、上記RAM内容破壊検査用データエリア
31には、例えば図3に示すようなRAM内容破壊検査
用データが格納されている。
The flash memory 3 stores a system program 30 as shown in FIG.
The RAM includes a RAM content destruction inspection data area 31 for writing data for destructive inspection, a user program area 32 for writing a user program, and a system setting data area 33 for writing system setting data. In the content destructive inspection data area 31, for example, RAM content destructive inspection data as shown in FIG. 3 is stored.

【0020】また、RAM4には、上記フラッシュメモ
リ3の各エリアに対応させた、RAM内容破壊検査用デ
ータエリア41、ユーザプログラムエリア42およびシ
ステム設定用データエリア43と、データ設定用データ
エリア44、I/Oメモリエリア45、ワークメモリエ
リア46および破壊通知フラグエリア47を有し、この
RAM4のユーザプログラムエリア42、システム設定
用データエリア43、データ設定用データエリア44お
よびI/Oメモリエリア45には、必要に応じて、使用
者がそれぞれのデータ等を書き込むことができる。
In the RAM 4, the RAM content destruction inspection data area 41, the user program area 42, the system setting data area 43, and the data setting data area 44 corresponding to the respective areas of the flash memory 3 are provided. The RAM 4 has an I / O memory area 45, a work memory area 46, and a destruction notification flag area 47. The RAM 4 includes a user program area 42, a system setting data area 43, a data setting data area 44, and an I / O memory area 45. The user can write the respective data and the like as necessary.

【0021】上記RAM4のバックアップ電源としてコ
ンデンサ9が備えられていて、このコンデンサ9が、プ
ログラマブルコントローラの電源が切られている間、R
AM4の内容が変化しない(破壊しない)ようにバック
アップする。
A capacitor 9 is provided as a backup power source for the RAM 4, and the capacitor 9 keeps R while the programmable controller is powered off.
Back up so that the contents of AM4 do not change (do not destroy).

【0022】上記フラッシュメモリ3のRAM内容破壊
検査用データエリア31の内容は、RAM4のRAM内
容破壊検査用データエリア41にコピーされて、RAM
内容破壊検査に使用される。すなわち、長時間の電源O
FF等によりコンデンサ9の放電が進むと、バックアッ
プが効かなくなってRAM4の内容の破壊が起こること
があるのであるが、RAM4の内容の破壊が起こるとR
AM4のRAM内容破壊検査用データ(4)も変化する
(破壊する)。プログラマブルコントローラは、その電
源が投入される度に、上記フラッシュメモリ3のRAM
内容破壊検査用データ(31)と、RAM4のRAM内
容破壊検査用データ(41)とを比較するようになって
いて、RAM内容破壊が起こると、上述のように、RA
M4のRAM内容破壊検査用データ(41)が破壊して
いるので、この比較結果が不一致となり、RAM内容破
壊を検知できるのである。
The contents of the RAM content destructive inspection data area 31 of the flash memory 3 are copied to the RAM content destructive inspection data area 41 of the RAM 4 to be stored in the RAM.
Used for content destructive inspection. That is, the power source O for a long time
When the capacitor 9 is discharged by the FF or the like, the backup may not be effective and the contents of the RAM 4 may be destroyed. However, if the contents of the RAM 4 are destroyed, R may occur.
The RAM content destruction inspection data (4) of AM4 also changes (destroys). The programmable controller uses the RAM of the flash memory 3 each time the power is turned on.
The content destructive inspection data (31) is compared with the RAM content destructive inspection data (41) of the RAM 4, and when the RAM content destructive occurs, as described above, RA
Since the RAM content destruction inspection data (41) of M4 is destroyed, the comparison result becomes inconsistent, and the RAM content destruction can be detected.

【0023】上記RAM4のユーザプログラムエリア4
2およびシステム設定用データエリア43の内容は、フ
ラッシュメモリ3のユーザプログラムエリア32および
システム設定用データエリア33にそれぞれコピーされ
て、バックアップとして使用されるようになっている。
User program area 4 of RAM 4
2 and the contents of the system setting data area 43 are respectively copied to the user program area 32 and the system setting data area 33 of the flash memory 3 and used as a backup.

【0024】RAM内容が破壊されて上記フラッシュメ
モリのRAM内容破壊検査用データ(31)とRAMの
RAM内容破壊検査用データ(41)とが不一致となっ
たとき、これに対応して誤動作なく処理を進めるするの
に、二つの場合がある。
When the RAM contents are destroyed and the RAM contents destruction inspection data (31) of the flash memory and the RAM contents destruction inspection data (41) of the RAM do not match, processing is performed without malfunction in response to this. There are two cases to proceed.

【0025】ひとつは、異常停止させて使用者がデータ
設定用データ(44)やI/Oメモリ(45)の再設定
を行なってから運転を再開しなければ誤作動してしまう
場合で、他のひとつは、データ設定用データ(44)や
I/Oメモリ(45)の再設定の必要なく運転再開して
も支障がない場合とである。
One is a case where a malfunction occurs unless the user restarts the operation after abnormally stopping and resetting the data setting data (44) and the I / O memory (45). One of them is the case where there is no problem even if the operation is restarted without the need for resetting the data setting data (44) and the I / O memory (45).

【0026】この二つの場合のいずれであるかは、プロ
グラマブルコントローラ1の使用状況、使用するユーザ
プログラム等によって決まるものなので、使用者がその
場に応じて、いずれかを選択して設定することになる。
この設定を行なうために、異常対応設定手段が設けられ
ている。すなわち、異常停止とするか、そのまま処理を
継続するか、のいずれかを設定する異常対応設定手段と
して、この実施の形態では、例えば図3に示したシステ
ム設定用データエリア43に、「異常停止(メモリ異
常)とするのならば「0000」、「継続する(メモリ
異常としない)」とするのならば「0001」とするエ
リアを設けている。
Which of these two cases is determined by the usage status of the programmable controller 1, the user program to be used, etc., so that the user can select and set either one depending on the situation. Become.
In order to make this setting, abnormality handling setting means is provided. That is, in this embodiment, for example, in the system setting data area 43 shown in FIG. 3, "abnormal stop" is provided as an abnormality handling setting means for setting either abnormal stop or continuing processing. Areas are provided for "0000" for (memory abnormality) and "0001" for "continue (no memory abnormality)".

【0027】上述のように構成されたプログラマブルコ
ントローラ1のRAM内容破壊対応処理のフローを、以
下、図4を参照して説明する。
The flow of the RAM content destruction handling process of the programmable controller 1 configured as described above will be described below with reference to FIG.

【0028】図4は、この発明のRAM内容破壊対応処
理方法の一実施の形態を示すフローチャートで、プログ
ラマブルコントローラ1の電源を投入した直後、あるい
は、プログラミングモードにした状態で、使用者がユー
ザプログラムやシステム設定用データをRAM4に書き
込んだ直後のフローを示している。
FIG. 4 is a flow chart showing an embodiment of the RAM content destruction handling method of the present invention. The user program is executed immediately after the programmable controller 1 is turned on or in the programming mode. The flow immediately after writing the data for system setting to the RAM 4 is shown.

【0029】[製造工程におけるフロー]製造工程にお
いて、フラッシュメモリ3にはシステムプログラム30
とRAM内容検査用データ(31)を書き込んでおく。
また、システム設定用データ(43)の中の異常対応設
定手段は、「0001(メモリ異常としない)」として
おく。
[Flow in Manufacturing Process] In the manufacturing process, the system program 30 is stored in the flash memory 3.
And RAM content inspection data (31) are written.
Further, the abnormality handling setting means in the system setting data (43) is set to "0001 (no memory abnormality)".

【0030】製造工程の最終動作チェックにおいて、電
源を投入する(ステップ401)と、フラッシュメモリ
3のRAM内容検査用データ(31)とRAM4のRA
M内容検査用データ(41)とを比較する(比較検査ス
テップ402)。この段階では、RAM4のRAM内容
検査用データ(41)は設定されていないため、不一致
(NO)となり、ステップ405で、RAM4をクリア
し、破壊通知ステップ406において、RAM破壊通知
フラグ(47)をセットし、RAM内容破壊を使用者に
通知する。また、不揮発性メモリ複写ステップ407に
おいて、フラッシュメモリ3のRAM内容検査用データ
(31)、ユーザプログラムエリア32の内容、システ
ム設定用データエリア33の内容をRAM4の対応する
エリアにコピーする。なお、この段階では、ユーザプロ
グラムエリア32、システム設定用データエリア33は
どちらも空である。RAM4に書き込まれたRAM内容
検査用データ(41)は後にステップ402で使用する
ものである。
In the final operation check of the manufacturing process, when the power is turned on (step 401), the RAM content inspection data (31) of the flash memory 3 and RA of the RAM 4 are checked.
The M content inspection data (41) is compared (comparative inspection step 402). At this stage, the RAM content inspection data (41) of the RAM 4 has not been set, so a mismatch (NO) occurs, the RAM 4 is cleared in step 405, and the RAM destruction notification flag (47) is set in the destruction notification step 406. Set and notify the user of RAM content destruction. Further, in the non-volatile memory copying step 407, the RAM content inspection data (31) of the flash memory 3, the content of the user program area 32, and the content of the system setting data area 33 are copied to the corresponding areas of the RAM 4. At this stage, both the user program area 32 and the system setting data area 33 are empty. The RAM content inspection data (41) written in the RAM 4 is used later in step 402.

【0031】上記の破壊通知ステップ406と不揮発性
メモリ複写ステップ407とは、順序を逆にすることも
できる。
The destruction notifying step 406 and the non-volatile memory copying step 407 can be reversed in order.

【0032】次いで、異常対応設定判断ステップ408
では、異常対応設定手段が「0001(メモリ異常とし
ない)」(継続設定)としてあるから、(NO)とな
り、ステップ410の処理継続に移る。なお、この製造
工程においては、出荷前に更に、フラッシュメモリ3と
RAM4の両方のユーザプログラムエリア32、42、
システム設定用データエリア33、43、RAM4のデ
ータ設定用データエリア44、I/Oメモリエリア4
5、破壊通知フラグエリア47を全てクリアしておく。
Next, an abnormality handling setting judgment step 408
Then, since the abnormality handling setting means is set to "0001 (no memory abnormality)" (continuation setting), it becomes (NO), and the process continues in step 410. In this manufacturing process, the user program areas 32 and 42 of both the flash memory 3 and the RAM 4 are further added before shipment.
System setting data areas 33, 43, RAM 4 data setting data area 44, I / O memory area 4
5. Clear all destruction notification flag areas 47.

【0033】[使用時におけるフロー]使用者が電源を
投入する(ステップ401)と、フラッシュメモリ3の
RAM内容検査用データ(31)とRAM4のRAM内
容検査用データ(41)とを比較する(比較検査ステッ
プ402)。RAM破壊の状態になっていなければ、比
較検査ステップ402で(YES)となり、ステップ4
03に移る。ステップ403では、フラッシュメモリ3
のユーザプログラムエリア32、システム設定用データ
エリア33とRAM4のユーザプログラムエリア42、
システム設定用データエリア43とが比較される。初回
の電源投入時は、いずれもクリアされているから「一致
(YES)となり、直ちに、ステップ410の処理継続
に移って、その後の処理を継続することができる。
[Flow in Use] When the user turns on the power (step 401), the RAM content inspection data (31) of the flash memory 3 is compared with the RAM content inspection data (41) of the RAM 4 (41). Comparative inspection step 402). If it is not in the state of RAM destruction, it becomes (YES) in the comparative inspection step 402, and step 4
Move to 03. In step 403, the flash memory 3
User program area 32, system setting data area 33 and RAM 4 user program area 42,
The system setting data area 43 is compared. When the power is turned on for the first time, both are cleared and the result is "match (YES)". Immediately, the process can be continued at step 410 and the subsequent process can be continued.

【0034】ここで、使用者は、プログラミングモード
に切り換え、ユーザプログラムとシステム設定用データ
とをRAM4に書き込む。次ぎに、使用者がプログラミ
ングモードから運転モードに切り換える。プログラミン
グモードから運転モードに切り換えた時、MPU2は、
その処理を図4の(A)から始める。すなわち、先ず、
ステップ403で、フラッシュメモリ3のユーザプログ
ラムエリア32、システム設定用データエリア33はと
もにクリアされており、RAM4のユーザプログラムエ
リア42、システム設定用データエリア43には使用者
がユーザプログラム、システム設定用データを書き込ん
であるから、「不一致(NO)」となり、ステップ40
4を実行して、RAM4のユーザプログラム(42)、
システム設定用データ(43)をフラッシュメモリ3に
書き込んでバックアップしてから、ステップ410の処
理継続に移って、その後の処理を継続することができ
る。
Here, the user switches to the programming mode and writes the user program and system setting data in the RAM 4. Next, the user switches from programming mode to operating mode. When switching from programming mode to operation mode, MPU2
The process starts from (A) of FIG. That is, first,
In step 403, the user program area 32 and the system setting data area 33 of the flash memory 3 are both cleared, and the user program area 42 and the system setting data area 43 of the RAM 4 are set by the user for the user program and the system setting. Since the data has been written, the result is "mismatch (NO)" and step 40
4 to execute the user program (42) in the RAM 4,
After writing the system setting data (43) to the flash memory 3 to back it up, the process can be continued at step 410 and the subsequent process can be continued.

【0035】このユーザプログラム(42)、システム
設定用データ(43)のフラッシュメモリ3へのバック
アップにより、長期間の不使用その他の原因でコンデン
サ9の電源容量がなくなり、RAM内容の破壊が起きた
場合、ユーザプログラム(42)、システム設定用デー
タ(43)を復活することができる。
By backing up the user program (42) and the system setting data (43) to the flash memory 3, the power supply capacity of the capacitor 9 is lost due to long-term non-use and other reasons, and the RAM contents are destroyed. In this case, the user program (42) and the system setting data (43) can be restored.

【0036】2回目以降の電源投入において、RAM4
の内容が破壊してない場合は、RAM内容検査用デー
タ、ユーザプログラム、システム設定用データがフラッ
シュメモリ3とRAM4とでいずれも一致しているか
ら、ステップ401、比較検査ステップ402(YE
S)、ステップ403(YES)、ステップ410と移
行して、その後の処理を継続することができる。
When the power is turned on for the second time and thereafter, the RAM 4
If the contents of RAM are not destroyed, the RAM content inspection data, the user program, and the system setting data are the same in the flash memory 3 and the RAM 4, so step 401, comparison inspection step 402 (YE
S), step 403 (YES), and step 410, and the subsequent processing can be continued.

【0037】RAM4の内容が破壊した場合は、RAM
4のRAM内容検査用データ(41)も破壊しているか
ら、比較検査ステップ402において「不一致(N
O)」となり、ステップ405で、RAMをクリアし、
破壊通知ステップ406で、RAM破壊通知フラグ(4
7)をセットし、RAM内容が破壊していることを使用
者に通知する。また、不揮発性メモリ複写ステップ40
7で、フラッシュメモリ3のRAM内容検査用データ
(31)、ユーザプログラム(32)、システム設定用
データ(33)をRAM4の対応するエリアにコピーし
て、RAM4のRAM内容検査用データ(41)、ユー
ザプログラム(42)、システム設定用データ(43)
を復活する。
If the contents of RAM 4 are destroyed, RAM
Since the RAM content inspection data (41) of No. 4 is also destroyed, in the comparison inspection step 402, “mismatch (N
O) ”and clears the RAM in step 405,
In the destruction notification step 406, the RAM destruction notification flag (4
7) is set to notify the user that the RAM contents are corrupted. In addition, the non-volatile memory copying step 40
At 7, the RAM content inspection data (31) of the flash memory 3, the user program (32), and the system setting data (33) are copied to the corresponding areas of the RAM 4, and the RAM content inspection data (41) of the RAM 4 is copied. , User program (42), system setting data (43)
To be revived.

【0038】なお、上記の破壊通知ステップ406と不
揮発性メモリ複写ステップ407とは、順序を逆にする
こともできる。
The destruction notifying step 406 and the non-volatile memory copying step 407 can be reversed in order.

【0039】次いで、異常対応設定判断ステップ408
では、異常対応設定手段が「0001(メモリ異常とし
ない)」(継続設定)としてあれば、(NO)となり、
ステップ410の処理継続に移って、その後の処理を継
続することができる。異常対応設定手段が「0000
(メモリ異常とする)」(異常停止設定)としてあれ
ば、(YES)となり、異常停止ステップ409に移っ
て、処理を停止する。
Next, the abnormality handling setting judgment step 408
Then, if the abnormality handling setting means is "0001 (no memory abnormality)" (continuous setting), it becomes (NO),
The process can be continued at step 410 and the subsequent processes can be continued. The abnormality response setting means is "0000
If (memory abnormal) is set (abnormal stop setting), the determination is YES, and the process moves to the abnormal stop step 409 to stop the process.

【0040】上記異常対応設定手段の設定は、通常の使
用状態では、(異常停止設定)とし、使用者がデータ設
定用メモリ、I/Oメモリのデータを再設定する等して
から運転に入る。データ設定用メモリ、I/Oメモリの
データが運転開始時に前回電源OFF時の値であること
を必要としない使用状態である場合等には、(継続設
定)とすることができる。
The setting of the abnormality handling setting means is set to (abnormal stop setting) in a normal use state, and the user starts the operation after resetting the data in the data setting memory and the I / O memory. . If the data in the data setting memory or the I / O memory does not need to have the value when the power was turned off last time when the operation is started, it can be set to (continuous setting).

【0041】プログラマブルコントローラ1を使用中
に、使用者がプログラミングモードに切り換え、ユーザ
プログラム42やシステム設定用データ43を書き換え
て、そのまま終了した場合は、次回の電源投入時に、R
AM4の破壊がなくても、RAM4のユーザプログラム
(42)、システム設定用データ(43)とフラッシュ
メモリ3のユーザプログラム(32)、システム設定用
データ(33)とは一致しないことになる。この場合
は、ステップ403で(NO)となり、ステップ404
を実行してフラッシュメモリ3を更新し、以後のRAM
4の破壊に備えてから、ステップ410に移って、その
後の処理を継続することができる。
If the user switches to the programming mode while the programmable controller 1 is in use, rewrites the user program 42 and the system setting data 43, and ends the processing as it is, R is turned on at the next power-on.
Even if the AM4 is not destroyed, the user program (42) and system setting data (43) in the RAM4 and the user program (32) and system setting data (33) in the flash memory 3 do not match. In this case, step 403 becomes (NO) and step 404
To update the flash memory 3 and the subsequent RAM
In preparation for the destruction of No. 4, it is possible to move to step 410 and continue the subsequent processing.

【0042】なお、使用者へのRAM破壊通知は、上記
破壊通知ステップ406実行時に直ちに行なう他、異常
停止ステップ409または処理継続ステップ410の直
前に通知するとか、プログラマブルコントローラの使用
状況や制御システムに応じて、破壊通知フラグ(47)
をユーザプログラムで参照して通知するようにしてもよ
い。
The RAM destruction notification to the user is given immediately when the destruction notification step 406 is executed, or immediately before the abnormal stop step 409 or the process continuation step 410, or the usage status of the programmable controller or the control system is notified. Correspondingly, destruction notification flag (47)
May be referred to by the user program and notified.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上の説明から理解されるように、この
発明によれば、RAM内容検査用データを不揮発性メモ
リとRAMとに保存しておき、電源が投入されたとき、
不揮発性メモリのRAM内容検査用データとRAMのR
AM内容検査用データとを比較照合して、RAMが破壊
して不一致となっていた場合、不揮発性メモリのRAM
内容検査用データ、ユーザプログラム、システム設定用
データをRAMに書き込んで復活し、使用者にRAM内
容の破壊を通知したから、異常な運転開始を回避でき
る。
As can be understood from the above description, according to the present invention, the RAM content inspection data is stored in the nonvolatile memory and the RAM, and when the power is turned on,
Non-volatile memory RAM content inspection data and RAM R
If the RAM is destroyed and becomes inconsistent by comparing and collating with the AM content inspection data, the RAM of the nonvolatile memory
Since the contents inspection data, the user program, and the system setting data are written in the RAM and restored to notify the user of the destruction of the RAM contents, abnormal start of operation can be avoided.

【0044】更に、RAMが破壊して不一致となってい
た場合に、処理を停止して対応処置をし、あるいは、対
応処置の必要がない場合は、そのまま処理を継続できる
ようにすれば、異常運転開始回避のために無駄のない対
応ができる。
Furthermore, if the RAM is destroyed and the discrepancies occur, the process is stopped and the corresponding action is taken, or if the action is not required, the process can be continued as it is. It is possible to take measures without waste to avoid starting operation.

【0045】また、RAM内容破壊検査用データエリ
ア、ユーザプログラムエリアおよびシステム設定用デー
タエリアを不揮発性メモリとRAMとの双方に設け、互
いに共通のデータ等をこれらのエリアに持つことによ
り、RAMのバックアップ電源が消耗してRAM内容が
破壊しても、これを検出してRAM内容破壊を使用者に
知らせ、また、ユーザプログラム、システム設定用デー
タを不揮発性メモリからRAMにコピーすることにより
復活することができる。
Further, the RAM content destruction inspection data area, the user program area, and the system setting data area are provided in both the non-volatile memory and the RAM, and common data and the like are provided in these areas, whereby the RAM Even if the backup power is consumed and the RAM contents are destroyed, this is detected to notify the user of the RAM contents destruction, and the user program and system setting data are copied from the non-volatile memory to the RAM to recover. be able to.

【0046】RAMのバックアップ電源としてコンデン
サを使用すれば、バッテリよりもコストダウンができ、
バッテリ交換の手間もなくなる。
If a capacitor is used as a backup power source for RAM, the cost can be reduced compared to a battery,
There is no need to replace the battery.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施の形態を示すブロック図。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1におけるRAMと不揮発性メモリの内容を
説明する説明図。
FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating contents of a RAM and a nonvolatile memory in FIG.

【図3】図1におけるRAMと不揮発性メモリの内容を
説明する説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating contents of a RAM and a nonvolatile memory in FIG.

【図4】図1におけるプログラマブルコントローラのR
AM内容破壊対応処理を示すフローチャート。
4 is an R of the programmable controller in FIG.
The flowchart which shows the AM content destruction corresponding process.

【図5】従来のプログラマブルコントローラを示すブロ
ック図。
FIG. 5 is a block diagram showing a conventional programmable controller.

【図6】図5におけるRAMと不揮発性メモリの内容を
説明する説明図。
FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating contents of a RAM and a nonvolatile memory in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プログラマブルコントローラ 3 フラッシュメモリ(不揮発性メモリ) 4 RAM 9 コンデンサ(バックアップ電源) 31 RAM内容破壊検査用データエリア(フラッシュ
メモリ内) 32 ユーザプログラムエリア(フラッシュメモリ内) 33 システム設定用データエリア(フラッシュメモリ
内) 41 RAM内容破壊検査用データエリア(RAM内) 42 ユーザプログラムエリア(RAM内) 43 システム設定用データエリア(RAM内) 44 データ設定用データエリア 402 比較検査ステップ 406 破壊通知ステップ 407 不揮発性メモリ複写ステップ 408 異常対応設定判断ステップ 409 異常停止ステップ
1 Programmable controller 3 Flash memory (nonvolatile memory) 4 RAM 9 Capacitor (backup power supply) 31 RAM data destruction inspection data area (in flash memory) 32 User program area (in flash memory) 33 System setting data area (flash memory 41) RAM content destructive inspection data area (in RAM) 42 user program area (in RAM) 43 system setting data area (in RAM) 44 data setting data area 402 comparative inspection step 406 destruction notification step 407 non-volatile memory Copying step 408 Abnormal response setting determination step 409 Abnormal stop step

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 厚 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オムロン株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−136201(JP,A) 特開 平2−19902(JP,A) 特開 平2−278411(JP,A) 特開 平1−175001(JP,A) 特開 平2−300836(JP,A) 実開 昭56−113902(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G05B 19/04 - 19/05 G05B 9/02 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Atsushi Sasaki 10 Ouron Co., Ltd., Hanazono Todo-cho, Ukyo-ku, Kyoto City, Kyoto Prefecture (56) References JP-A-1-136201 (JP, A) JP-A-2- 19902 (JP, A) JP-A-2-278411 (JP, A) JP-A-1-175001 (JP, A) JP-A-2-300836 (JP, A) Actual development Sho-56-113902 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G05B 19/04-19/05 G05B 9/02

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電源投入時に、不揮発性メモリに書き込
まれたRAM内容検査用データとRAMに書き込まれた
RAM内容検査用データとを比較するRAM内容検査用
データ比較検査ステップと、 上記RAM内容検査用データ比較検査ステップにおい
て、不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用デ
ータとRAMに書き込まれたRAM内容検査用データと
が一致しないとき、使用者にRAM内容破壊を通知する
破壊通知ステップと、 上記RAM内容検査用データ比較検査ステップにおい
て、不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用デ
ータとRAMに書き込まれたRAM内容検査用データと
が一致しないとき、不揮発性メモリに書き込まれたRA
M内容検査用データ、ユーザプログラムおよびシステム
設定用データをRAMにコピーする不揮発性メモリ複写
ステップと、上記RAM内容検査用データ比較検査ステップにおいて
不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用データ
とRAMに書き込まれたRAM内容検査用データとが一
致したとき、または、プログラミングモードから運転モ
ードへの切り替え後、不揮発性メモリに書き込まれたユ
ーザプログラムおよびシステム設定用データと、RAM
に書き込まれたユーザプログラムおよびシステム設定用
データとを比較するユーザプログラム・システム設定用
データ比較検査ステップと、 上記ユーザプログラム・システム設定用データ比較検査
ステップにおいて、不揮発性メモリに書き込まれたユー
ザプログラム、システム設定用データと、RAMに書き
込まれたユーザプログラム、システム設定用データとが
一致しないとき、RAMに書き込まれたユーザプログラ
ム、システム設定用データを不揮発性メモリにコピーす
るRAM複写ステップと、 を有することを特徴とするR
AM内容破壊対応処理方法。
1. Writing to a non-volatile memory at power-on
RAM content inspection data and written in RAM
Compare with RAM content inspection dataFor RAM content inspection
Data comparison inspection stepWhen, the aboveRAM content inspection data comparison inspection stepsmell
The RAM content inspection data written in the non-volatile memory.
Data and RAM content inspection data written in RAM
If the two do not match, notify the user of RAM contents destruction
Destruction notification step, the aboveRAM content inspection data comparison inspection stepsmell
The RAM content inspection data written in the non-volatile memory.
Data and RAM content inspection data written in RAM
RA written in the non-volatile memory when the values do not match
M content inspection data, user program and system
Non-volatile memory copy that copies setting data to RAM
Steps,In the data comparison inspection step for RAM content inspection
RAM content inspection data written in non-volatile memory
And the RAM content inspection data written in the RAM
Operation mode or from the programming mode.
After switching to the hard disk, the unit written to the non-volatile memory
User program and system setting data, and RAM
For user programs and system settings written in
For user program and system setting to compare with data
Data comparison inspection step, Data comparison inspection for the above user programs and system settings
In the step, the user written in the non-volatile memory
Write the program, system setting data and RAM
The embedded user program and system setting data
When they do not match, the user program written in RAM
System, copy system setting data to non-volatile memory
RAM copy step, R characterized by having
AM content destruction handling method.
【請求項2】 電源投入時に、不揮発性メモリに書き込
まれたRAM内容検査用データとRAMに書き込まれた
RAM内容検査用データとを比較するRAM内容検査用
データ比較検査ステップと、 上記RAM内容検査用データ比較検査ステップにおい
て、不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用デ
ータとRAMに書き込まれたRAM内容検査用データと
が一致しないとき、使用者にRAM内容破壊を通知する
破壊通知ステップと、 上記RAM内容検査用データ比較検査ステップにおい
て、不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用デ
ータとRAMに書き込まれたRAM内容検査用データと
が一致しないとき、不揮発性メモリに書き込まれたRA
M内容検査用データ、ユーザプログラムおよびシステム
設定用データをRAMにコピーする不揮発性メモリ複写
ステップと、 上記RAM内容検査用データ比較検査ステップにおい
て、不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用デ
ータとRAMに書き込まれたRAM内容検査用データと
が一致しないとき、異常対応設定手段の設定が異常停止
設定・継続設定のいずれかを判断する異常対応設定判断
ステップと、 上記異常対応設定判断ステップにおいて、異常停止設定
と判断したとき、処理を停止する異常停止ステップと 上記RAM内容検査用データ比較検査ステップにおいて
不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用データ
とRAMに書き込まれたRAM内容検査用データとが一
致したとき、または、プログラミングモードから運転モ
ードへの切り替え後、不揮発性メモリに書き込まれたユ
ーザプログラムおよびシステム設定用データと、RAM
に書き込まれたユーザプログラムおよびシステム設定用
データとを比較するユーザプログラム・システム設定用
データ比較検査ステップと、 上記ユーザプログラム・システム設定用データ比較検査
ステップにおいて、不揮発性メモリに書き込まれたユー
ザプログラム、システム設定用データと、RAMに書き
込まれたユーザプログラム、システム設定用データとが
一致しないとき、RAMに書き込まれたユーザプログラ
ム、システム設定用データを不揮発性メモリにコピーす
るRAM複写ステップと、 を有し、 上記異常停止ステップを経ない場合は、その後の処理を
継続できるようにしたことを特徴とするRAM内容破壊
対応処理方法。
2. Writing to a non-volatile memory when the power is turned on
RAM content inspection data and written in RAM
Compare with RAM content inspection dataFor RAM content inspection
Data comparison inspection stepWhen, the aboveRAM content inspection data comparison inspection stepsmell
The RAM content inspection data written in the non-volatile memory.
Data and RAM content inspection data written in RAM
If the two do not match, notify the user of RAM contents destruction
Destruction notification step, the aboveRAM content inspection data comparison inspection stepsmell
The RAM content inspection data written in the non-volatile memory.
Data and RAM content inspection data written in RAM
RA written in the non-volatile memory when the values do not match
M content inspection data, user program and system
Non-volatile memory copy that copies setting data to RAM
Steps, the aboveRAM content inspection data comparison inspection stepsmell
The RAM content inspection data written in the non-volatile memory.
Data and RAM content inspection data written in RAM
If the values do not match, the setting of the abnormality response setting means stops abnormally.
Abnormal response setting judgment to judge either setting or continuous setting
Steps, Abnormal stop setting is made in the above abnormality handling setting judgment step.
When it is determined that the abnormal stop step to stop the process, In the data comparison inspection step for RAM content inspection
RAM content inspection data written in non-volatile memory
And the RAM content inspection data written in the RAM
Operation mode or from the programming mode.
After switching to the hard disk, the unit written to the non-volatile memory
User program and system setting data, and RAM
For user programs and system settings written in
For user program and system setting to compare with data
Data comparison inspection step, Data comparison inspection for the above user programs and system settings
In the step, the user written in the non-volatile memory
Write the program, system setting data and RAM
The embedded user program and system setting data
When they do not match, the user program written in RAM
System, copy system setting data to non-volatile memory
RAM copy step, Have If you do not go through the above abnormal stop steps, perform the subsequent processing.
RAM content destruction characterized by being able to continue
Corresponding processing method.
【請求項3】 RAM内容破壊検査用データエリア、ユ
ーザプログラムエリアおよびシステム設定用データエリ
アを有する不揮発性メモリと、 上記不揮発性メモリの上記各エリアに対応させた、RA
M内容破壊検査用データエリア、ユーザプログラムエリ
アおよびシステム設定用データエリアを有するRAM
と、 を備え、 電源投入時に、不揮発性メモリに書き込まれたRAM内
容検査用データとRAMに書き込まれたRAM内容検査
用データとを比較し、 不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用データ
とRAMに書き込まれたRAM内容検査用データとが一
致しない場合には、使用者にRAM内容破壊を通知し
て、不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用デ
ータ、ユーザプログラムおよびシステム設定用データを
RAMにコピーし、 一方、不揮発性メモリに書き込まれたRAM内容検査用
データとRAMに書き込まれたRAM内容検査用データ
とが一致した場合、または、プログラミングモードから
運転モードへの切り替え後、不揮発性メモリに書き込ま
れたユーザプログラムおよびシステム設定用データと、
RAMに書き込まれたユーザプログラムおよびシステム
設定用データとを比較し、不揮発性メモリに書き込まれ
たユーザプログラム、システム設定用データと、RAM
に書き込まれたユーザプログラム、システム設定用デー
タとが一致しない場合に、RAMに書き込まれたユーザ
プログラム、システム設定用データを不揮発性メモリに
コピーすること、を特徴とするプログラマブルコントロ
ーラ。
3. A data area for RAM content destruction inspection,
User program area and system setting data area
And a RA corresponding to each of the areas of the nonvolatile memory.
M content Destruction inspection data area, user program area
RAM with data area for system and system settings
And in the RAM written in the nonvolatile memory when the power is turned on.
Inspection data and RAM contents written in RAM
RAM content inspection data written in the non-volatile memory by comparing the
And the RAM content inspection data written in the RAM
If not, notify the user of RAM contents destruction.
The RAM content inspection data written in the non-volatile memory.
Data, user programs and system setting data
For inspecting the contents of RAM that was copied to RAM while being written to non-volatile memory
Data and RAM content inspection data written in RAM
If matches or from programming mode
Write to non-volatile memory after switching to operation mode
User program and system setting data
User program and system written in RAM
It is compared with the setting data and written in the non-volatile memory.
User program, system setting data, RAM
The user program and system setting data written in
User written in RAM when the data does not match
Program and system setting data in non-volatile memory
A programmable controller characterized by copying
Troller.
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