JP2007311780A - 垂直外部共振器型の面発光レーザ - Google Patents

Abstract

【課題】ＳＨＧ結晶の周波数変換効率が向上して、レーザ出力が向上する垂直外部共振器型の面発光レーザを提供する。
【解決手段】共振区間を限定するためのミラー層１２２と、光を生成する活性層１２３と、活性層を冷却させるための熱拡散器１２７と、熱拡散器に結合されて集光するための凸状の外表面を有するマイクロレンズ１２９とを備える発光素子１２０と、マイクロレンズによって集束された光の周波数を変換するＳＨＧ結晶１３０と、ＳＨＧ結晶を通じて周波数が変換された光を透過させてレーザとして出力させ、変換されない基本光をミラー層に反射させて共振させる外部共振ミラーとを備える垂直外部共振器型の面発光レーザである。
【選択図】図２

Description

本発明は、垂直外部共振器型の面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ：以下「ＶＥＣＳＥＬ」と称する）に係り、さらに具体的には、レーザ出力が向上し、組立て時に構成部品相互間のアラインが容易であり、コンパクト化に有利なＶＥＣＳＥＬに関する。

ＶＥＣＳＥＬは、垂直共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）の上部ミラー層を外部共振ミラーに代替して利得領域を増大させることによって、数〜数十Ｗ以上の高出力を得るようにしたレーザ素子である。

図１は、従来技術によるＶＥＣＳＥＬの垂直断面図である。図示したＶＥＣＳＥＬは、ポンピング光を出射するポンプＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）１０と、ポンピング光（Ｐ）を集束するためのフォーカシングレンズ１５と、ポンプＬＤ１０により励起されて所定波長の光を生成する発光媒質２５と、前記発光媒質２５と所定の間隔をおいて対向するように配置された外部共振ミラー５０とを備える。

前記ポンプＬＤ１０は、発光媒質２５の前方に斜めに配置されて、発光媒質２５にポンピング光（Ｐ）を供給する。前記発光媒質２５は、基板２１上に順次に形成された分布ブラッグ反射層（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ；以下、「ＤＢＲミラー層」と称する）２２と活性層２３とを備える。前記ＤＢＲミラー層２２は、屈折率の異なる複数個の層が交互に積層されて、高い反射率を有するように形成された反射層である。前記活性層２３は、周期的に複数の量子ウェル（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＱＷ）が配置された多重量子ウェル（Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＭＱＷ）構造で設けられ、ポンピング光（Ｐ）によって励起されて一定の波長の光を放出する。このような構造を有する発光媒質２５は、高い熱伝導特性を有する熱拡散器２７に付着され、高温の発光媒質２５は、前記熱拡散器２７を通じて冷却される。発光媒質２５から発生した光は、ＤＢＲミラー層２２と外部共振ミラー５０との間を往復しつつ増幅され、結局、前記外部共振ミラー５０を介してレーザ（Ｌ）として出力される。

前記発光媒質２５と外部共振ミラー５０との間の光路上には所定波長の光を選択的に通過させるための複屈折フィルタ４０と、発光媒質２５から出た基本周波数の光波からその２倍の周波数を有する第２高調波を生成するための第二高調波発生（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ；以下、「ＳＨＧ」と称する）結晶３０が配置される。周知のように、前記ＳＨＧ結晶３０での周波数変換効率は、入射光のエネルギ密度と比例関係にある。したがって、ＳＨＧ結晶３０の変換効率を高めるためには、光のビーム径を最小限に集束することが望ましい。しかし、示された従来技術では、ＳＨＧ結晶３０に入射される光を集束するための別途のフォーカシング手段が設けられておらず、ＳＨＧ結晶３０が発光媒質２５から相対的に遠距離に配置される結果、発光媒質２５から発生した光がＳＨＧ結晶３０に向けて進みながら次第にビーム径が増加し、したがって、周波数変換効率が低下する。

また、図１に示す従来技術によれば、ＤＢＲミラー層２２と外部共振ミラー５０との間で共振される光は、発光媒質２５の正面に入射されるが、ポンプＬＤ１０によるポンピング光（Ｐ）は、斜めに入射される。したがって、発光媒質２５においてＤＢＲミラー層２２と外部共振ミラー５０との間で共振される光が入射される共振領域と光ポンピングによる発光領域とが完全に一致せずに、一部ミスマッチされる部分が生じる。このようにミスマッチされる部分では、光共振が生じ難く、したがって、光共振器の安定性及び発振効率が低下する。

本発明の目的は、ＳＨＧ結晶の周波数変換効率が向上して、レーザ出力が向上するＶＥＣＳＥＬを提供することである。

本発明の他の目的は、前記目的を達成すると共に、構成部品相互間のアライン作業が容易に行われ、コンパクト化に有利なＶＥＣＳＥＬを提供することである。

本発明のＶＥＣＳＥＬは、
共振区間を限定するためのミラー層と、光を生成する活性層と、前記活性層を冷却させるための熱拡散器と、前記熱拡散器に結合されて集光するための凸状の外表面を有するマイクロレンズとを備える発光素子と、
前記マイクロレンズによって集束された光の周波数を変換するＳＨＧ結晶と、
前記ＳＨＧ結晶を通じて周波数が変換された光を透過させてレーザとして出力させ、変換されない基本光を前記ミラー層に反射させて共振させる外部共振ミラーと、を備える。

本発明において望ましくは、前記発光素子の外郭後方には、前記活性層を光ポンピングするためのポンプＬＤが配置される。さらに望ましくは、前記発光素子及び外部共振ミラー間の構成要素は、一つのラインに沿って一列に配列された線形構造を有する。
前記ＳＨＧ結晶と外部共振ミラーとの間には、特定波長の光を選択的に通過させるための複屈折フィルタが、さらに備えられうる。

前記マイクロレンズは、球面レンズまたは非球面レンズから構成されうる。ここで、前記非球面形状のマイクロレンズは、楕円レンズまたは非対称レンズから構成されうる。このような非球面形状のマイクロレンズは、前記活性層で生成される非円形断面の光を円形光に整形して前記ＳＨＧ結晶に供給する。

前記外部共振ミラーは、凹状の球面鏡または平坦な平面鏡から構成されうる。

望ましくは、前記発光素子のポンプＬＤ側の表面には、ポンピング光の反射を防止し、透過を促進するための反射防止コーティング層が形成される。

望ましくは、前記ＳＨＧ結晶で光軸が通過する両側の主面には、基本光及び変換された光の反射を防止して内部透過を促進するための反射防止コーティング層が形成される。
望ましくは、前記外部共振ミラーの共振器の内側面には、選択的に基本光は共振のために反射し、変換された光は外部に出力するために透過する反射／透過コーティング層が形成され、前記外部共振ミラーの共振器の外側に露出された表面には、変換された光に対する反射防止コーティング層が形成される。

本発明において望ましくは、前記熱拡散器は、前記活性層と対向するように接合されており、前記活性層で発生した光を遮断しないように透光性の材料から構成される。

本発明のＶＥＣＳＥＬでは、ＳＨＧ結晶に入射される光を集束するためのマイクロレンズが備えられるので、ＳＨＧ結晶の周波数変換効率が向上する。特に、本発明では、前記の効果を達成すると共に、マイクロレンズが別途の独立的な部品として設けられておらず、発光部及び熱拡散器と共に一つの部品として構成されるので、部品数が減て共振器のコンパクトな設計が可能となり、特に、マイクロレンズのための別途のアライン作業が要求されない。

本発明のＶＥＣＳＥＬは、ポンプＬＤが発光素子の後方に配置され、構成部品が一直線上に配列される線形構造を有するので、構成部品相互間のアライン作業が容易に行われうる。

以下、添付された図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。

図２は、ＶＥＣＳＥＬの垂直断面図である。図２を参照すれば、ＶＥＣＳＥＬは、所定波長の光を生成するための発光素子１２０と、前記発光素子１２０の後方からポンピング光（Ｐ）を供給するポンプＬＤ１１０と、前記発光素子１２０と所定間隔をおいて対向するように配置された外部共振ミラー１５０とを備える。前記外部共振ミラー１５０では、前記発光素子１２０で発生した光の一部を透過させてレーザ（Ｌ）として出力し、一部光は、共振のためにさらに発光素子１２０側に反射させて共振条件を作る。
前記発光素子１２０と外部共振ミラー１５０との間には、発光素子１２０で放射された基本周波数の光をその２倍の周波数を有する光に変換するためのＳＨＧ（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）結晶１３０と、特定波長帯の光を選択的に通過させるための複屈折フィルタ１４０とが配置される。

本発明のＶＥＣＳＥＬは、発光素子１２０の後方にポンプＬＤ１１０が配置される後方光ポンピング方式のレーザ装置である。前記ポンプＬＤ１１０は、前方の発光素子１２０に、例えば、８０８ｎｍのポンピング光（Ｐ）を供給することによって、発光素子１２０の活性層１２３を励起させる。前記ポンプＬＤ１１０と対向する発光素子側には、ポンピング光（Ｐ）に対する反射を最小化し、透過を促進するための反射防止コーティング層１３１が形成されうる。

前記発光素子１２０は、基板１２１上に順次に積層されたミラー層１２２及び活性層１２３を備える発光部１２５と、前記発光部１２５と接して配置された熱拡散器１２７及びマイクロレンズ１２９を備える。前記ミラー層１２２は、外部共振ミラー１５０と共に共振区間を限定し、活性層１２３で生成された光は、前記ミラー層１２２と外部共振ミラー１５０との間で共振して増幅される。前記ミラー層１２２は、ＤＢＲミラー（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層からなることが一般的であるが、前記ＤＢＲミラー層は、複数の高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層された多層構造を有し、各屈折率層は、前記活性層１２３で発生する光波長の１／４に該当する厚さを有する。

前記活性層１２３は、周期的にＱＷが配置され、ＱＷの間にバリア層が介在する多重量子ウェル（ＭＱＷ）構造で形成されうる。例えば、前記活性層１２３は、８０８ｎｍ波長のポンピング光（Ｐ）より長い波長の光を生成するが、活性層１２３を構成する具体的な半導体化合物によって、９２０ｎｍまたは１０６４ｎｍ波長の赤外線光を生成する。

前記熱拡散器１２７は、前記活性層１２３を冷却させることによって劣化を防止する放熱板の役割を担う。このために、前記活性層１２３は、熱伝導度の高い素材からなることが望ましく、特に、活性層１２３で生成された光が遮断されないように、熱伝導度と共に光透過率も高い素材からなることが望ましい。例えば、前記熱拡散器１２７は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ダイアモンド、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などからなりうる。前記熱拡散器１２７は、発光部１２５に対向するように接合されるが、例えば、ポンピング光（Ｐ）の波長に対して透明な材料（例えばＧａＡｓ）からなる基板１２１上に、順次にミラー層１２２と活性層１２３とを積層することで、発光部１２５を構成し、これと別途にマイクロレンズ１２９がボンディングされた熱拡散器１２７を準備した後に、前記発光部１２５と熱拡散器１２７とを互いに対向するように接合させることによって、図２に示すような発光素子１２０が形成されうる。

前記マイクロレンズ１２９は、前記活性層１２３で生成された光を集束するように凸面レンズから構成される。マイクロレンズ１２９を通過しながら集束された光は、前方のＳＨＧ結晶１３０に供給されるが、ＳＨＧ結晶１３０の周波数変換効率は、入射光のエネルギ密度に比例関係にある。これに、本発明では、マイクロレンズ１２９を通じてＳＨＧ結晶１３０に入射される光のビーム径を最小化させることによって、周波数変換効率を高め、変換結果により生成された光、例えば、可視光線領域の青色光または緑色光の出力を高めている。

一方、前記マイクロレンズ１２９は、球面レンズまたは非球面レンズから構成されうる。一般的に、球面レンズが加工上の便宜と製造コストの節減を図ることができて望ましいとされるが、後述するように、非球面マイクロレンズは、ＳＨＧ結晶１３０に入射される光を円形光に整形することによって、ＳＨＧ結晶１３０の周波数変換効率を高めるのに寄与する。さらに具体的には、前記ポンプＬＤ１１０から出射されるポンピング光（Ｐ）は、所定の発散角度で活性層１２３に入射されるが、前記活性層１２３に入射される光スポットの形状は、正確に円形でない場合が多い。すなわち、前記ポンピング光（Ｐ）は、ビーム断面内で２次元的に発散されるが、例えば、ビーム断面の垂直軸と水平軸に対する発散速度が互いに異なる場合に、前記ポンピング光（Ｐ）は、円形光ではない楕円となり、非円形ポンピング光によって励起された活性層１２３では、非円形の光が出力される可能性が高い。この時、前記マイクロレンズ１２９を断面方向によって異なる屈折力を提供する非球面レンズから構成することによって、非円形光から円形光、またはそれに近い円形光にしてＳＨＧ結晶１３０に供給でき、ＳＨＧ結晶１３０の変換効率に寄与する。前記非球面レンズは、ポンピング光（Ｐ）の具体的な形態に対応して楕円形または非対称型などの多様な非球面形態で製造することができる。一方、前記マイクロレンズ１２９は、平凸レンズで設けられてその扁平な面を通じて熱拡散器１２７に接合されてもよく、または前記熱拡散器１２７上に直接モールディングされて形成されてもよい。このように、マイクロレンズ１２９が熱拡散器１２７に結合された形態で設けられることによって、例えば、マイクロレンズ１２９が、熱拡散器１２７または熱拡散器１２７が付着された発光部１２５と独立的な別個の部品から形成された場合と比較する時、共振器の部品数を減らすことができるので、高精度が要求される共振器の光学的なアラインにおいて組立て作業の便宜性が向上し、共振器のコンパクトな設計が可能となる。

前記マイクロレンズ１２９を通じて集束された光は、ＳＨＧ結晶１３０に入射される。前記ＳＨＧ結晶１３０は、基本周波数を有する光からその２倍の周波数を有する光を作り、これにより、赤外線波長帯の光を可視光線波長帯の光に変換することが可能である。例えば、９２０ｎｍ及び１０６４ｎｍの波長を有する赤外線光は、前記ＳＨＧ結晶１３０を通過しながらそれぞれ４６０ｎｍの青色波長帯及び５３２ｎｍの緑色波長帯の可視光に変換される。前記ＳＨＧ結晶１３０において光軸Ｏが通過する前面及び後面には、周波数が変換された光及び変換されない光の内部透過を促進し、かつ反射を防止するために、反射防止コーティング層１３１、１３５が形成されることが望ましい。一方、前記ＳＨＧ結晶１３０に次いで光軸Ｏに対して斜めに配置された複屈折フィルタ１４０は、特定波長帯の光は選択的に通過させ、他の波長帯の光は排除することによって、特定波長帯中心の鮮明なスペクトル分布を有する光を生成する。

前記外部共振ミラー１５０は、前記発光素子１２０のミラー層１２２と共に所定の共振区間を提供する。前記外部共振ミラー１５０は、ＳＨＧ結晶１３０により周波数が変換された光は、透過させて共振器外部に出力し、周波数が変換されない光は、前記発光素子１２０側に反射して共振させる。このために、外部共振ミラー１５０の発光素子１２０側の表面には、光波長によって選択的に光を反射または透過させるように反射／透過コーティング層１５１が形成される。前記外部共振ミラー１５０の外部表面にも、周波数が変換された光の反射を防止するための反射防止コーティング層１５５が形成されることが望ましい。

本実施形態の外部共振ミラー１５０は、所定曲律を有する凹状の球面から構成されうる。凹状の外部共振ミラー１５０によって反射された光は、光軸Ｏに近接し、かつ収束する形態で発光素子１２０側に進み、光ポンピングがなされる活性層１２３の発光領域とほぼ合致する範囲内に収束される。これと違って、外部共振ミラー１５０で反射された光が入射される発光素子１２０の共振領域が、光ポンピングによる発光領域より広い場合、発光領域を外れた位置では、光生成による光増幅が生じ難くなるので、共振器の安定性が低下し、共振される光が無駄に損失され、光ポンピングのための消費電力が浪費され、レーザの出力光量が低下する問題が発生しうる。本発明では、外部共振ミラー１５０として凹面鏡を使用することによって、共振器の安定性を確かにしている。

一方、本発明のＶＥＣＳＥＬでは、その構成部品が一つのラインに沿って一列に配列されることによって、直線状の光軸が形成される線形構造を有する。このような線形構造のレーザ装置は、構成部品が所定の角を有する異なるラインに沿って配列されることによって、光軸に沿って少なくとも一つ以上の位置で光軸が屈折される構造を有する他のレーザ装置に比べて、設置空間が節約されて共振器のコンパクト化に有利であり、単純な配列構造を有するため高精度で光学部品をアラインするのに便利な長所がある。

図３には、本発明の他の実施形態によるＶＥＣＳＥＬの垂直断面構造が示されている。なお、図２に示す構成要素と同じ機能を行う事実上同じ構成要素については、同じ参照符号を付与した。図面を参照すれば、本実施形態のＶＥＣＳＥＬは、光ポンピングのためのポンプＬＤ１１０と、前記ポンプＬＤ１１０によって励起された光を生成する発光素子１２０と、前記発光素子１２０と所定間隔をおいて対向するように配置されて、その間で共振を起こす外部共振ミラー１５０とを備え、前記発光素子１２０と外部共振ミラー１５０との間には、周波数変換のためのＳＨＧ結晶１３０及び特定周波数を選択的に通過させる複屈折フィルタ１４０が配置される。図３に示すＶＥＣＳＥＬも、発光素子１２０の後方からポンピング光が供給される後方光ポンピング方式のレーザ装置であり、ポンプＬＤ１１０を含んで、発光素子１２０と外部共振ミラー１５０との間の光学素子が一直線上に配列される線形構造のレーザ装置である。

前記発光素子は、基板１２１、前記基板１２１上に順次に積層されたＤＢＲミラー層１２２、ＭＱＷ構造の活性層１２３を備え、前記活性層１２３で発生した熱を外部に放出するための熱拡散器１２７及び前記活性層１２３で発生した所定波長帯の光を集束するためのマイクロレンズ１２９を備える。

本実施形態のマイクロレンズ１２９も、ＳＨＧ結晶１３０に高密度で集束された光を供給するために凸面レンズから構成され、ＳＨＧ結晶１３０に入射される光を円形光に整形するために、必要に応じて非球面レンズから構成されることもある。しかし、本実施形態のマイクロレンズ１２９は、第１実施形態より低い屈折力を有するようにレンズ曲率が調整される。相対的に減少した屈折力のマイクロレンズ１２９を通過したビームは、緩やかな収束角度でＳＨＧ結晶１３０に入射され、特定波長の光を選択するための複屈折フィルタ１４０を経て外部共振ミラー１５０に入射される。前記外部共振ミラー１５０は、発光素子１２０のＤＢＲミラー層１２２と共に共振区間を提供し、発光素子１２０から発生した光は、共振区間を往復しながら増幅される。このとき、低屈折力のマイクロレンズ１２９を通じて共振される光は、ほぼ平行光の形態で共振区間を往復する。これにより、本実施形態の外部共振ミラー１５０は、第１実施形態とは違って、平面鏡から構成されることが可能であり、この場合にも、前記外部共振ミラー１５０によって反射された光束は、比較的光軸Ｏに近接した経路に沿って発光素子１２０側に入射されるので、安定した光増幅が可能である。

このように、外部共振ミラー１５０を凹面鏡でない平面鏡から構成すれば、凹面鏡を加工するために必要な高価の加工装置や熟練された技術が要求されず、加工上の便宜が図られ、ミラー面上にコーティング層を形成する工程においてもその作業性が向上する。これにより、コーティング層を高精度で加工でき、例えば、コーティング層の膜厚さや成分などを位置に関係なく均一に維持できる。

本発明は、図面に示した実施形態を参照して説明されたが、それは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。

本発明は、垂直外部共振器型の面発光レーザ関連の技術分野に好適に用いられる。

従来技術によるＶＥＣＳＥＬの垂直断面構造を示す図である。 本発明の望ましいこと実施形態によるＶＥＣＳＥＬの垂直断面構造を示す図である。 本発明の他の実施形態によるＶＥＣＳＥＬの垂直断面構造を示す図である。

符号の説明

１１０ ポンプＬＤ、
１２０ 発光素子、
１２１ 基板、
１２２ ミラー層、
１２３ 活性層、
１２５ 発光部、
１２７ 熱拡散器、
１２９ マイクロレンズ、
１３０ ＳＨＧ結晶、
１３１、１３５、１５５ 反射防止コーティング層、
１４０ 複屈折フィルタ、
１５０ 外部共振ミラー、
１５１ 反射／透過コーティング層。

Claims (17)

1. 共振区間を限定するためのミラー層と、光を生成する活性層と、前記活性層を冷却させるための熱拡散器と、前記熱拡散器に結合され、集光するための凸状の外表面を有するマイクロレンズとを備える発光素子と、
   前記マイクロレンズによって集束された光の周波数を変換するＳＨＧ結晶と、
   前記ＳＨＧ結晶を通じて周波数が変換された光を透過させてレーザとして出力させ、変換されない基本光を前記ミラー層に反射させて共振させる外部共振ミラーと、を備える垂直外部共振器型の面発光レーザ。
2. 前記発光素子の後方には、前記活性層を光ポンピングするためのポンプＬＤが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
3. 前記発光素子及び外部共振ミラーの間の構成要素は、一つのラインに沿って一列に配列された線形構造を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
4. 前記ＳＨＧ結晶と外部共振ミラーとの間に、特定波長の光を選択的に通過させるための複屈折フィルタが、さらに備えられていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
5. 前記マイクロレンズは、球面レンズから構成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
6. 前記マイクロレンズは、非球面レンズから構成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
7. 前記マイクロレンズは、楕円レンズまたは非対称レンズから構成されていることを特徴とする請求項６に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
8. 前記非球面形状のマイクロレンズは、前記活性層で生成される非円形断面の光を円形光に整形して、前記ＳＨＧ結晶に供給することを特徴とする請求項６に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
9. 前記外部共振ミラーは、凹状の球面鏡から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
10. 前記外部共振ミラーは、平坦な平面鏡から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
11. 前記発光素子のポンプＬＤ側の表面には、ポンピング光の反射を防止し、透過を促進するための反射防止コーティング層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
12. 前記ＳＨＧ結晶において光軸が通過する両側の主面には、基本光及び変換された光の反射を防止して内部透過を促進するための反射防止コーティング層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
13. 前記外部共振ミラーの共振器の内側面には、選択的に基本光は共振のために反射し、変換された光は外部に出力するために透過する反射／透過コーティング層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
14. 前記外部共振ミラーの共振器の外側に露出された表面には、変換された光に対する反射防止コーティング層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
15. 前記ミラー層は、分布ブラッグ反射層から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
16. 前記熱拡散器は、前記活性層と対向するように接合されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。
17. 前記熱拡散器は、前記活性層で発生した光を遮断しないように透光性の材料から構成されることを特徴とする請求項１に記載の垂直外部共振器型の面発光レーザ。

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