JP2007311581A - Process control method, and process control system - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process control method capable of specifying cause of yield drop at high probability. <P>SOLUTION: The process control method includes a step where a process history information is collected for each manufacturing device 6, a step where a process parameter when processing a wafer is calculated based on the process history information collected for each manufacturing device 6, a step for collecting the inspection information for calculating yield, and a step for identifying the process parameter that contributes much to yield by analyzing with the process parameter and inspection information. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、工程管理方法および工程管理システムに関し、特に、複数の製造工程で処理されることにより製造される製品の製造工程を管理する工程管理方法および工程管理システムに関する。   The present invention relates to a process management method and a process management system, and more particularly to a process management method and a process management system for managing a manufacturing process of a product manufactured by being processed in a plurality of manufacturing processes.

従来、歩留り低下の原因となっている製造工程または製造装置を判別することが可能な工程管理方法が知られている(たとえば、特許文献1参照)。上記特許文献1には、予め実験的に求められた装置別不良発生情報と、実際に処理された製品の検査結果から得られた歩留り情報とを比較して、歩留り低下の原因となっている特定の1つの製造工程または製造装置を判別する方法が開示されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a process management method capable of discriminating a manufacturing process or a manufacturing apparatus that causes a decrease in yield (for example, see Patent Document 1). In the above-mentioned Patent Document 1, the device-specific failure occurrence information obtained experimentally in advance is compared with the yield information obtained from the inspection result of the actually processed product, which causes a decrease in yield. A method for discriminating one specific manufacturing process or manufacturing apparatus is disclosed.

特開2000−353729号公報JP 2000-353729 A

しかしながら、上記特許文献1では、歩留り低下の原因となっている特定の1つの製造工程(製造装置)のみを判別するように構成されているため、以下のような不都合がある。すなわち、たとえば、数百もの製造工程で処理されるLSIなどの製造工程では、歩留り低下の原因が複数の製造工程(製造装置)に跨っている場合がある。この場合、上記特許文献1の構成では、歩留り低下の原因を特定するのが困難になる。なお、複数の製造工程(製造装置)に跨る歩留り低下の原因とは、たとえば、所定の製造工程での処理が終了してから、他の製造工程での処理が開始されるまでの時間の長さなどである。また、上記特許文献1では、歩留り低下の原因となっている製造工程(製造装置)を判別することができたとしても、より詳細な歩留り低下の原因(たとえば、処理時間や処理条件など)を特定するのが困難であるという不都合もある。その結果、上記特許文献1では、高い確度で歩留り低下の原因を特定するのが困難であるという問題点がある。   However, since the above-described Patent Document 1 is configured to determine only one specific manufacturing process (manufacturing apparatus) that causes a decrease in yield, there are the following inconveniences. That is, for example, in a manufacturing process of an LSI or the like processed in hundreds of manufacturing processes, the cause of the yield reduction may straddle a plurality of manufacturing processes (manufacturing apparatuses). In this case, with the configuration of Patent Document 1, it is difficult to specify the cause of the yield reduction. In addition, the cause of the yield fall over a several manufacturing process (manufacturing apparatus) is the length of time after the process in a predetermined manufacturing process is complete | finished until the process in another manufacturing process is started, for example And so on. Further, in Patent Document 1, even if a manufacturing process (manufacturing apparatus) that causes a decrease in yield can be determined, a more detailed cause of a decrease in yield (for example, processing time, processing conditions, etc.) There is also the inconvenience that it is difficult to specify. As a result, the above-mentioned Patent Document 1 has a problem that it is difficult to specify the cause of yield reduction with high accuracy.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、高い確度で歩留り低下の原因を特定することが可能な工程管理方法を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and one object of the present invention is to provide a process management method capable of specifying the cause of yield reduction with high accuracy. is there.

この発明のもう1つの目的は、高い確度で歩留り低下の原因を特定することが可能な工程管理システムを提供することである。   Another object of the present invention is to provide a process management system capable of specifying the cause of yield reduction with high accuracy.

上記目的を達成するために、この発明の第1の局面による工程管理方法は、少なくとも1つの製造装置をそれぞれ含む複数の製造工程で処理されることにより製造される製品の製造工程を管理する工程管理方法であって、製造装置ごとに処理履歴情報を収集するステップと、製造装置ごとに収集された処理履歴情報に基づいて、製品を処理する際のプロセスパラメータを算出するステップと、歩留りを算出するための検査情報を収集するステップと、プロセスパラメータおよび検査情報を用いて分析を行うことにより、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別するステップとを備える。   In order to achieve the above object, a process management method according to a first aspect of the present invention is a process for managing a manufacturing process of a product manufactured by being processed in a plurality of manufacturing processes each including at least one manufacturing apparatus. A management method for collecting processing history information for each manufacturing device, calculating a process parameter for processing a product based on the processing history information collected for each manufacturing device, and calculating a yield Collecting the inspection information to perform, and determining the process parameter having a large contribution to the yield by performing analysis using the process parameter and the inspection information.

この第1の局面による工程管理方法では、上記のように、製造装置ごとに処理履歴情報を収集するとともに、その製造装置ごとに収集された処理履歴情報に基づいて、製品を処理する際のプロセスパラメータを算出することによって、たとえば、以下の(1)〜(5)のような詳細なプロセスパラメータを容易に得ることができる。   In the process management method according to the first aspect, as described above, the processing history information is collected for each manufacturing apparatus, and the process for processing the product based on the processing history information collected for each manufacturing apparatus. By calculating the parameters, for example, detailed process parameters such as the following (1) to (5) can be easily obtained.

(1)所定の製造工程での着目する製品の処理が終了してから、他の製造工程での着目する製品の処理が開始されるまでの時間。   (1) Time from the end of processing of a product of interest in a predetermined manufacturing process to the start of processing of the product of interest in another manufacturing process.

(2)所定の製造装置において、着目する製品が処理される前に処理される他の製品の処理が終了してから、着目する製品の処理が開始されるまでの時間。   (2) In a predetermined manufacturing apparatus, the time from the end of processing of another product processed before the target product is processed to the start of processing of the target product.

(3)所定の製造装置において、着目する製品が処理される前に処理される他の製品の処理が開始されてから、着目する製品の処理が開始されるまでの時間。   (3) In a predetermined manufacturing apparatus, the time from the start of processing of another product processed before the target product is processed to the start of processing of the target product.

(4)複数の製造工程のうちの2つ以上の製造工程の各々が同一の製造装置を含んでいる場合に、複数の製造工程に亘って、着目する製品が同一の製造装置で処理される回数。   (4) When each of two or more of the plurality of manufacturing processes includes the same manufacturing apparatus, the product of interest is processed by the same manufacturing apparatus over the plurality of manufacturing processes. Number of times.

(5)所定の製造装置において、着目する製品が処理される前に、他の製品が着目する製品と同一の処理条件で処理される回数。   (5) The number of times other products are processed under the same processing conditions as the product of interest before the product of interest is processed in a predetermined manufacturing apparatus.

これにより、第1の局面では、上記した(1)〜(5)のようなプロセスパラメータおよび検査情報(歩留り)を用いて分析を行うことにより、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別することによって、高い確度で歩留り低下の原因を特定することができる。   As a result, in the first aspect, by performing analysis using the process parameters and inspection information (yield) as described in (1) to (5) above, process parameters having a large contribution to the yield are determined. Thus, the cause of the yield reduction can be specified with high accuracy.

上記第1の局面による工程管理方法において、プロセスパラメータを算出するステップは、所定の製造工程での着目する製品の処理が終了してから、他の製造工程での着目する製品の処理が開始されるまでの時間を含むプロセスパラメータを算出するステップを含んでいてもよい。このように構成すれば、製品の放置時間が歩留りに与える影響を調べることができる。   In the process management method according to the first aspect, in the process parameter calculation step, the processing of the product of interest in another manufacturing process is started after the processing of the product of interest in the predetermined manufacturing process is completed. The method may include a step of calculating a process parameter including a time until the time. With this configuration, it is possible to examine the influence of the product leaving time on the yield.

上記第1の局面による工程管理方法において、プロセスパラメータを算出するステップは、所定の製造装置において、着目する製品が処理される前に処理される他の製品の処理が終了してから、着目する製品の処理が開始されるまでの時間を含むプロセスパラメータを算出するステップを含んでいてもよい。このように構成すれば、製造装置の空き時間(アイドリング時間)が歩留りに与える影響を調べることができる。   In the process management method according to the first aspect, the step of calculating the process parameter is focused on after processing of another product processed before the focused product is processed in a predetermined manufacturing apparatus. A step of calculating a process parameter including a time until processing of a product is started may be included. If comprised in this way, the influence which the idle time (idling time) of a manufacturing apparatus has on a yield can be investigated.

上記第1の局面による工程管理方法において、プロセスパラメータを算出するステップは、所定の製造装置において、着目する製品が処理される前に処理される他の製品の処理が開始されてから、着目する製品の処理が開始されるまでの時間を含むプロセスパラメータを算出するステップを含んでいてもよい。このように構成すれば、識別番号が互いに異なる複数の製品が同一の製造装置で並列に処理される場合に、その製造装置における処理開始間隔が歩留りに与える影響を調べることができる。   In the process management method according to the first aspect, the step of calculating the process parameter is focused on after processing of another product that is processed before the focused product is processed in a predetermined manufacturing apparatus. A step of calculating a process parameter including a time until processing of a product is started may be included. If comprised in this way, when several products from which an identification number mutually differs are processed in parallel with the same manufacturing apparatus, the influence which the process start interval in the manufacturing apparatus has on a yield can be investigated.

上記第1の局面による工程管理方法において、プロセスパラメータを算出するステップは、複数の製造工程のうちの2つ以上の製造工程の各々が同一の製造装置を含んでいる場合に、複数の製造工程に亘って、着目する製品が同一の製造装置で処理される回数を含むプロセスパラメータを算出するステップを含んでいてもよい。このように構成すれば、同一の製造装置での処理回数(処理頻度)が歩留りに与える影響を調べることができる。   In the process management method according to the first aspect, the step of calculating a process parameter includes a plurality of manufacturing processes when each of two or more manufacturing processes among the plurality of manufacturing processes includes the same manufacturing apparatus. Furthermore, a step of calculating a process parameter including the number of times that the product of interest is processed by the same manufacturing apparatus may be included. If comprised in this way, the influence which the frequency | count of processing (processing frequency) with the same manufacturing apparatus has on a yield can be investigated.

上記第1の局面による工程管理方法において、プロセスパラメータを算出するステップは、所定の製造装置において、着目する製品が処理される前に、他の製品が着目する製品と同一の処理条件で処理される回数を含むプロセスパラメータを算出するステップを含んでいてもよい。このように構成すれば、同一の処理条件での処理回数が歩留りに与える影響を調べることができる。   In the process management method according to the first aspect, the step of calculating the process parameter is performed in a predetermined manufacturing apparatus under the same processing condition as the product of interest before the product of interest is processed. A step of calculating a process parameter including the number of times to perform If comprised in this way, the influence which the frequency | count of a process on the same process conditions has on a yield can be investigated.

上記第1の局面による工程管理方法において、好ましくは、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別するステップの後に、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータに対応する製造工程または製造装置に対して、歩留り低下の原因をフィードバックするステップをさらに備える。このように構成すれば、容易に、歩留りの低下を改善することができる。   In the process management method according to the first aspect, preferably, after the step of determining a process parameter having a large contribution to the yield, the manufacturing process or the manufacturing apparatus corresponding to the process parameter having a large contribution to the yield. The method further includes a step of feeding back the cause of the yield reduction. If comprised in this way, the fall of a yield can be improved easily.

この発明の第2の局面による工程管理システムは、少なくとも1つの製造装置をそれぞれ含む複数の製造工程で処理されることにより製造される製品の製造工程を管理する工程管理システムであって、製造装置ごとに処理履歴情報を収集する処理履歴情報収集手段と、製造装置ごとに収集された処理履歴情報に基づいて、製品を処理する際のプロセスパラメータを算出する算出手段と、歩留りを算出するための検査情報を収集する検査情報収集手段と、プロセスパラメータおよび検査情報を用いて分析を行うことにより、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別する判別手段とを備える。   A process management system according to a second aspect of the present invention is a process management system for managing a manufacturing process of a product manufactured by being processed in a plurality of manufacturing processes each including at least one manufacturing apparatus. Processing history information collecting means for collecting processing history information every time, calculation means for calculating process parameters when processing products based on processing history information collected for each manufacturing apparatus, and for calculating yield Inspection information collecting means for collecting inspection information, and determination means for discriminating process parameters having a large contribution to the yield by performing analysis using the process parameters and the inspection information.

この第2の局面による工程管理システムでは、上記のように、製造装置ごとに処理履歴情報を収集する処理履歴情報収集手段と、製造装置ごとに収集された処理履歴情報に基づいて、製品を処理する際のプロセスパラメータを算出する算出手段とを設けることによって、たとえば、上記した(1)〜(5)のような詳細なプロセスパラメータを容易に得ることができる。これにより、第2の局面では、上記した(1)〜(5)のようなプロセスパラメータおよび検査情報(歩留り)を用いて分析を行うことにより、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別することによって、高い確度で歩留り低下の原因を特定することができる。   In the process management system according to the second aspect, as described above, the processing history information collecting means for collecting the processing history information for each manufacturing apparatus and the processing history information collected for each manufacturing apparatus are processed. By providing the calculation means for calculating the process parameters when performing the above, detailed process parameters such as (1) to (5) described above can be easily obtained. As a result, in the second aspect, by analyzing using the process parameters and inspection information (yield) as described in (1) to (5) above, process parameters having a large contribution to the yield are determined. Thus, the cause of the yield reduction can be specified with high accuracy.

上記第2の局面による工程管理システムにおいて、好ましくは、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータに対応する製造工程または製造装置に対して、歩留り低下の原因をフィードバックするフィードバック手段をさらに備える。このように構成すれば、容易に、歩留りの低下を改善することができる。   The process management system according to the second aspect preferably further includes feedback means for feeding back the cause of the yield decrease to the manufacturing process or the manufacturing apparatus corresponding to the process parameter having a large contribution to the yield. If comprised in this way, the fall of a yield can be improved easily.

以上のように、本発明によれば、高い確度で歩留り低下の原因を特定することが可能な工程管理方法および工程管理システムを得ることができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a process management method and a process management system capable of specifying the cause of yield reduction with high accuracy.

(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態による工程管理システムの全体構成を説明するための図である。図2は、図1に示した第1実施形態による工程管理システムに含まれる製造工程管理装置の詳細を説明するための図であり、図3は、図1に示した第1実施形態による工程管理システムに含まれる歩留り解析装置の詳細を説明するための図である。まず、図1〜図3を参照して、第1実施形態による工程管理システムの構成について説明する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram for explaining the overall configuration of a process management system according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram for explaining details of the manufacturing process management apparatus included in the process management system according to the first embodiment shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a process according to the first embodiment shown in FIG. It is a figure for demonstrating the detail of the yield analysis apparatus contained in a management system. First, with reference to FIGS. 1-3, the structure of the process management system by 1st Embodiment is demonstrated.

第1実施形態による工程管理システム1は、図1に示すように、製造工程管理装置2と、テスト工程管理装置3と、歩留り解析装置4とを備えている。この工程管理システム1を構成する各装置(製造工程管理装置2、テスト工程管理装置3および歩留り解析装置4)は、データ通信路5を介して互いに接続されている。また、製造工程管理装置2には、複数の製造装置6がデータ通信路を介して接続されているとともに、テスト工程管理装置3には、複数のテスター7がデータ通信路を介して接続されている。ここで、第1実施形態の複数の製造装置6は、複数のチップが作り込まれたウェハ(本発明の「製品」)を製造する機能を有している。なお、複数のチップが作り込まれたウェハは、少なくとも1つの製造装置6をそれぞれ含む複数の製造工程で処理されることにより製造される。また、複数のテスター7は、ウェハに作り込まれたチップを検査することにより、良品および不良品の確定を行う機能を有している。   As shown in FIG. 1, the process management system 1 according to the first embodiment includes a manufacturing process management apparatus 2, a test process management apparatus 3, and a yield analysis apparatus 4. Each device (manufacturing process management device 2, test process management device 3, and yield analysis device 4) constituting this process management system 1 is connected to each other via a data communication path 5. In addition, a plurality of manufacturing apparatuses 6 are connected to the manufacturing process management apparatus 2 via data communication paths, and a plurality of testers 7 are connected to the test process management apparatus 3 via data communication paths. Yes. Here, the plurality of manufacturing apparatuses 6 according to the first embodiment have a function of manufacturing a wafer (a “product” of the present invention) in which a plurality of chips are formed. A wafer in which a plurality of chips are fabricated is manufactured by being processed in a plurality of manufacturing processes each including at least one manufacturing apparatus 6. In addition, the plurality of testers 7 have a function of determining non-defective products and defective products by inspecting chips formed on the wafer.

また、図2に示すように、製造工程管理装置2は、通信路接続手段11と、制御手段12と、工程管理プログラム記憶手段13と、一時記憶手段14と、読込み/書込み手段15と、表示手段16と、データベース17とを含んでいる。通信路接続手段11は、製造工程管理装置2とデータ通信路5とを接続する機能を有している。制御手段12は、工程管理プログラム記憶手段13に保管された工程管理プログラムに基づいて、製造工程管理装置2の動作を制御する機能を有している。   As shown in FIG. 2, the manufacturing process management apparatus 2 includes a communication path connection unit 11, a control unit 12, a process management program storage unit 13, a temporary storage unit 14, a read / write unit 15, and a display. Means 16 and database 17 are included. The communication path connection unit 11 has a function of connecting the manufacturing process management device 2 and the data communication path 5. The control unit 12 has a function of controlling the operation of the manufacturing process management apparatus 2 based on the process management program stored in the process management program storage unit 13.

また、第1実施形態では、製造工程管理装置2の制御手段12は、製造装置6(図1参照)ごとに処理履歴情報を収集するとともに、その製造装置6ごとに収集された処理履歴情報に基づいて、ウェハを処理する際のプロセスパラメータを算出する機能を有している。ここで、処理履歴情報とは、たとえば、ウェハ識別番号、処理時間および処理条件などである。また、第1実施形態のプロセスパラメータとは、所定の製造工程(製造装置6)での着目するウェハの処理が終了してから、他の製造工程(製造装置6)での着目するウェハの処理が開始されるまでの時間である。すなわち、第1実施形態のプロセスパラメータは、製造装置6ごとに収集される複数の処理履歴情報のうち、ウェハ識別番号および処理時間に基づいて算出される。なお、制御手段12は、本発明の「処理履歴情報収集手段」および「算出手段」の一例である。   Further, in the first embodiment, the control means 12 of the manufacturing process management device 2 collects processing history information for each manufacturing device 6 (see FIG. 1), and the processing history information collected for each manufacturing device 6 is collected. Based on this, it has a function of calculating process parameters when processing a wafer. Here, the processing history information is, for example, a wafer identification number, a processing time, a processing condition, and the like. In addition, the process parameters of the first embodiment are the processing of a target wafer in another manufacturing process (manufacturing apparatus 6) after the processing of the target wafer in a predetermined manufacturing process (manufacturing apparatus 6) is completed. Is the time until is started. That is, the process parameters of the first embodiment are calculated based on the wafer identification number and the processing time among the plurality of processing history information collected for each manufacturing apparatus 6. The control means 12 is an example of the “processing history information collection means” and “calculation means” in the present invention.

また、製造工程管理装置2の一時記憶手段14は、制御手段12で算出されたプロセスパラメータを一時的に保管する機能を有している。読込み/書込み手段15は、外部記憶媒体18に保存された工程管理に関する情報を、インターフェース19を介して読み込む機能を有している。さらに、読込み/書込み手段15は、工程管理に関する情報を、インターフェース19を介して外部記憶媒体18に書き込む機能も有している。表示手段16は、工程管理に関する情報を表示する機能を有している。データベース17は、処理時間データベース17a、第1処理回数データベース17b、第2処理回数データベース17c、メンテナンス情報データベース17dおよび限界値データベース17eを含んでいる。なお、制御手段12で算出されたプロセスパラメータとしての時間は、処理時間データベース17aに保存される。また、製造工程管理装置2には、データ通信路5を介してパーソナルコンピュータ20が接続されている。   In addition, the temporary storage unit 14 of the manufacturing process management apparatus 2 has a function of temporarily storing the process parameters calculated by the control unit 12. The read / write unit 15 has a function of reading information on process management stored in the external storage medium 18 via the interface 19. Further, the reading / writing means 15 has a function of writing information relating to process management to the external storage medium 18 via the interface 19. The display means 16 has a function of displaying information related to process management. The database 17 includes a processing time database 17a, a first processing number database 17b, a second processing number database 17c, a maintenance information database 17d, and a limit value database 17e. The time as the process parameter calculated by the control means 12 is stored in the processing time database 17a. Further, a personal computer 20 is connected to the manufacturing process management apparatus 2 via a data communication path 5.

また、図1に示すように、テスト工程管理装置3は、テスター7で検査されたチップの検査情報をウェハごとに収集する機能を有している。ここで、第1実施形態では、検査情報から、ウェハごとの歩留りが算出される。また、検査情報(ウェハごとの歩留り)は、テスト工程管理装置3の内部のデータベース21に保存される。なお、テスト工程管理装置3は、本発明の「検査情報収集手段」の一例である。   As shown in FIG. 1, the test process management device 3 has a function of collecting inspection information of chips inspected by the tester 7 for each wafer. Here, in the first embodiment, the yield for each wafer is calculated from the inspection information. The inspection information (the yield for each wafer) is stored in the database 21 inside the test process management device 3. The test process management device 3 is an example of the “inspection information collection unit” in the present invention.

また、図3に示すように、歩留り解析装置4は、通信路接続手段31と、分析手段32と、情報整理手段33と、フィードバック手段34と、一時記憶手段35と、表示手段36と、データベース37とを含んでいる。通信路接続手段31は、歩留り解析装置4とデータ通信路5とを接続する機能を有している。   Further, as shown in FIG. 3, the yield analysis apparatus 4 includes a communication path connection unit 31, an analysis unit 32, an information arrangement unit 33, a feedback unit 34, a temporary storage unit 35, a display unit 36, a database. 37. The communication path connection unit 31 has a function of connecting the yield analysis device 4 and the data communication path 5.

ここで、第1実施形態では、歩留り解析装置4の分析手段32は、製造工程管理装置2(図1参照)に保存されたプロセスパラメータと、テスト工程管理装置3に保存された検査情報(ウェハごとの歩留り)とを収集し、その収集されたプロセスパラメータおよび検査情報(ウェハごとの歩留り)を用いて重回帰分析を行う機能を有している。具体的には、分析手段32による重回帰分析は、プロセスパラメータを説明変数とし、検査情報(ウェハごとの歩留り)を目的変数として行われる。すなわち、第1実施形態では、所定の製造工程(製造装置6)での着目するウェハの処理が終了してから、他の製造工程(製造装置6)での着目するウェハの処理が開始されるまでの時間が説明変数となる。これにより、分析手段32において、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータが特定される。なお、分析手段32は、本発明の「判別手段」の一例である。   Here, in the first embodiment, the analysis means 32 of the yield analysis apparatus 4 includes the process parameters stored in the manufacturing process management apparatus 2 (see FIG. 1) and the inspection information (wafer) stored in the test process management apparatus 3. Yield), and a multiple regression analysis is performed using the collected process parameters and inspection information (yield for each wafer). Specifically, the multiple regression analysis by the analysis unit 32 is performed using process parameters as explanatory variables and inspection information (yield for each wafer) as an objective variable. That is, in the first embodiment, after the processing of the wafer of interest in a predetermined manufacturing process (manufacturing apparatus 6) is completed, the processing of the wafer of interest in another manufacturing process (manufacturing apparatus 6) is started. The time until is an explanatory variable. Thereby, in the analysis means 32, the process parameter with a large contribution to a yield is specified. The analyzing means 32 is an example of the “discriminating means” in the present invention.

また、歩留り解析装置4の情報整理手段33は、分析手段32で分析された情報(歩留りへの寄与度)を、歩留りへの寄与度の大きさに基づいて整理する機能を有している。また、フィードバック手段34は、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータに対応する製造工程(製造装置6)に対して、歩留り低下の原因をフィードバックする機能を有している。なお、フィードバック手段34によるフィードバックは、製造工程管理装置2(図1参照)を介して行われる。   The information organizing unit 33 of the yield analyzing apparatus 4 has a function of organizing the information (contribution to the yield) analyzed by the analyzing unit 32 based on the magnitude of the contribution to the yield. Further, the feedback means 34 has a function of feeding back the cause of the yield reduction to the manufacturing process (manufacturing apparatus 6) corresponding to the process parameter having a large contribution to the yield. The feedback by the feedback means 34 is performed via the manufacturing process management device 2 (see FIG. 1).

また、歩留り解析装置4の一時記憶手段35は、情報整理手段33で整理された情報を一時的に保管する機能を有している。表示手段36は、歩留りに関する情報を表示する機能を有している。データベース37は、装置内データベース37aおよび限界値データベース37bを含んでいる。そして、情報整理手段33で整理された情報は、装置内データベース37aに保存される。また、図1に示すように、歩留り解析装置4には、歩留りに関する情報を出力するための出力装置38が接続されている。   Further, the temporary storage means 35 of the yield analysis device 4 has a function of temporarily storing the information organized by the information organizing means 33. The display means 36 has a function of displaying information related to yield. The database 37 includes an in-device database 37a and a limit value database 37b. The information organized by the information organizing means 33 is stored in the in-device database 37a. As shown in FIG. 1, the yield analysis device 4 is connected to an output device 38 for outputting information related to the yield.

図4は、本発明の第1実施形態による工程管理システムの動作(工程管理方法)を説明するためのフローチャートである。図5は、本発明の第1実施形態による工程管理システムで算出されるプロセスパラメータを説明するための図である。図6〜図9は、本発明の第1実施形態による工程管理システムで行われる重回帰分析を説明するための図である。次に、図1〜図9を参照して、第1実施形態による工程管理システムの動作(工程管理方法)について説明する。   FIG. 4 is a flowchart for explaining the operation (process management method) of the process management system according to the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram for explaining process parameters calculated by the process management system according to the first embodiment of the present invention. 6 to 9 are diagrams for explaining the multiple regression analysis performed in the process management system according to the first embodiment of the present invention. Next, the operation (process management method) of the process management system according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.

第1実施形態では、まず、図4のステップS1において、製造工程管理装置2の制御手段12(図2参照)により、製造装置6(図1参照)ごとに処理履歴情報を収集する。   In the first embodiment, first, in step S1 of FIG. 4, processing history information is collected for each manufacturing apparatus 6 (see FIG. 1) by the control means 12 (see FIG. 2) of the manufacturing process management apparatus 2.

次に、図4のステップS2において、製造装置6ごとに収集された処理履歴情報(ウェハ識別番号および処理時間)に基づいて、プロセスパラメータを算出する。具体的には、第1実施形態では、所定の製造工程(製造装置6)での着目するウェハの処理が終了してから、他の製造工程(製造装置6)での着目するウェハの処理が開始されるまでの時間(以下、製造工程間の時間という)を算出する。以下に、図5を参照して、第1実施形態のプロセスパラメータとしての製造工程間の時間について説明する。なお、図5に図示されたウェハには、識別番号A〜Dが付与されている。また、図5において、ウェハは、製造工程M1から、製造工程M2、M3・・・Mnの順に処理される。また、図5中のDB1〜DBnは、製造装置6ごとに収集された処理履歴情報が保管されるデータベースを表している。   Next, in step S <b> 2 of FIG. 4, process parameters are calculated based on the processing history information (wafer identification number and processing time) collected for each manufacturing apparatus 6. Specifically, in the first embodiment, after the processing of the wafer of interest in a predetermined manufacturing process (manufacturing apparatus 6) is completed, the processing of the wafer of interest in another manufacturing process (manufacturing apparatus 6) is performed. The time until the start (hereinafter referred to as the time between manufacturing processes) is calculated. Below, with reference to FIG. 5, the time between the manufacturing processes as a process parameter of 1st Embodiment is demonstrated. Note that identification numbers A to D are assigned to the wafer shown in FIG. In FIG. 5, the wafer is processed in the order of the manufacturing process M1, the manufacturing processes M2, M3,. Further, DB1 to DBn in FIG. 5 represent databases in which processing history information collected for each manufacturing apparatus 6 is stored.

第1実施形態のプロセスパラメータとしての製造工程間の時間は、ウェハAに着目すると、図5中のT1〜T4などを含んでいる。具体的には、製造工程間の時間(プロセスパラメータ)T1およびT2は、それぞれ、製造工程M1およびM2(所定の製造工程)でのウェハA(着目するウェハ)の処理が終了してから、次の製造工程M2およびM3(他の製造工程)でのウェハA(着目するウェハ)の処理が開始されるまでの時間である。また、製造工程間の時間(プロセスパラメータ)T3は、製造工程M1(所定の製造工程)でのウェハA(着目するウェハ)の処理が終了してから、3つ目の製造工程M3(他の製造工程)でのウェハA(着目するウェハ)の処理が開始されるまでの時間である。また、製造工程間の時間(プロセスパラメータ)T4は、製造工程M1(所定の製造工程)でのウェハA(着目するウェハ)の処理が終了してから、4つ目以降の製造工程Mn(他の製造工程)でのウェハA(着目するウェハ)の処理が開始されるまでの時間である。すなわち、第1実施形態において、他の製造工程は、所定の製造工程の次の製造工程に限らず、所定の製造工程以降の製造工程であればよい。   When attention is paid to the wafer A, the time between manufacturing steps as process parameters of the first embodiment includes T1 to T4 in FIG. Specifically, the times (process parameters) T1 and T2 between the manufacturing steps are the following after the processing of the wafer A (the wafer of interest) in the manufacturing steps M1 and M2 (predetermined manufacturing steps) is completed. This is the time until the processing of the wafer A (target wafer) in the manufacturing steps M2 and M3 (other manufacturing steps) is started. In addition, the time (process parameter) T3 between the manufacturing steps is equal to the third manufacturing step M3 (others) after the processing of the wafer A (target wafer) in the manufacturing step M1 (predetermined manufacturing step) is completed. This is the time until the processing of wafer A (the wafer of interest) in the manufacturing process) is started. The time (process parameter) T4 between the manufacturing processes is the fourth and subsequent manufacturing processes Mn (others) after the processing of the wafer A (target wafer) in the manufacturing process M1 (predetermined manufacturing process) is completed. This is the time until the processing of the wafer A (the wafer of interest) in (the manufacturing process) is started. That is, in the first embodiment, the other manufacturing process is not limited to the manufacturing process subsequent to the predetermined manufacturing process, and may be a manufacturing process after the predetermined manufacturing process.

なお、上記したプロセスパラメータとしての製造工程間の時間の算出は、ウェハA〜Dを含む全てのウェハについて行う。また、上記したプロセスパラメータとしての製造工程間の時間の算出は、全ての製造工程に亘って行ってもよいし、特定の製造工程についてのみ行ってもよい。また、算出されたプロセスパラメータとしての製造工程間の時間は、製造工程管理装置2の処理時間データベース17a(図2参照)に保管される。   In addition, calculation of the time between manufacturing processes as an above-described process parameter is performed about all the wafers containing wafer AD. Moreover, the calculation of the time between manufacturing steps as the process parameters described above may be performed over all the manufacturing steps or only for a specific manufacturing step. Further, the time between manufacturing processes as the calculated process parameter is stored in the processing time database 17a (see FIG. 2) of the manufacturing process management apparatus 2.

次に、図4のステップS3において、テスト工程管理装置3(図1参照)により、テスター7(図1参照)で検査されたチップの検査情報をウェハごとに収集する。なお、このときに収集された検査情報からは、ウェハごとの歩留りが算出される。   Next, in step S3 of FIG. 4, the test process management device 3 (see FIG. 1) collects the inspection information of the chips inspected by the tester 7 (see FIG. 1) for each wafer. Note that the yield for each wafer is calculated from the inspection information collected at this time.

次に、図4のステップS4において、歩留り解析装置4の分析手段32(図3参照)により、プロセスパラメータ(製造工程間の時間)を製造工程管理装置2から収集するとともに、検査情報(ウェハごとの歩留り)をテスト工程管理装置3から収集する。この後、歩留り解析装置4の分析手段32により、プロセスパラメータ(製造工程間の時間)と検査情報(ウェハごとの歩留り)との紐付けを行う。図6に、プロセスパラメータ(製造工程間の時間)と検査情報(ウェハごとの歩留り)とを紐付けた結果の一部を示す。なお、図6中のプロセスパラメータP1〜Pnは、ステップS3で算出した製造工程間の時間である。   Next, in step S4 of FIG. 4, process parameters (time between manufacturing processes) are collected from the manufacturing process management apparatus 2 by the analysis means 32 (see FIG. 3) of the yield analysis apparatus 4, and inspection information (for each wafer) is collected. ) Is collected from the test process management device 3. Thereafter, the analysis means 32 of the yield analysis apparatus 4 associates process parameters (time between manufacturing processes) with inspection information (yield for each wafer). FIG. 6 shows a part of the result of associating process parameters (time between manufacturing steps) and inspection information (yield for each wafer). Note that the process parameters P1 to Pn in FIG. 6 are times between manufacturing steps calculated in step S3.

次に、図4のステップS5において、歩留り解析装置4の分析手段32により、ウェハA〜Dを含む全てのウェハについて、検査情報(ウェハごとの歩留り)を目的変数とし、プロセスパラメータ(製造工程間の時間)P1〜Pnを説明変数として重回帰分析を行うことによって、偏相関係数およびF値(分散比)を算出する。ここで、図6に示すように、ウェハAに着目すると、目的変数としては、90.4となり、説明変数としては、38.3(P1)、90.8(P2)、・・・、230.9(Pn−1)および68.1(Pn)となる。なお、重回帰分析において、偏相関係数およびF値は、説明変数(プロセスパラメータ)の目的変数(検査情報)への寄与度の大きさを示すものである。すなわち、偏相関係数およびF値の絶対値が大きいほど歩留りへの寄与度が大きいといえる。この後、歩留り解析装置4の情報整理手段33(図3参照)により、F値を基準として、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータから順に順位を付ける。図7に、プロセスパラメータに順位付けを行った結果を示す。この図7の結果から、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別する。   Next, in step S5 of FIG. 4, the analysis means 32 of the yield analysis device 4 uses the inspection information (yield for each wafer) as an objective variable for all wafers including the wafers A to D, and process parameters (between manufacturing steps). The partial correlation coefficient and F value (dispersion ratio) are calculated by performing multiple regression analysis using P1 to Pn as explanatory variables. Here, as shown in FIG. 6, when focusing on the wafer A, the objective variable is 90.4, and the explanatory variables are 38.3 (P1), 90.8 (P2),... .9 (Pn-1) and 68.1 (Pn). In the multiple regression analysis, the partial correlation coefficient and the F value indicate the degree of contribution of the explanatory variable (process parameter) to the objective variable (inspection information). That is, it can be said that the greater the partial correlation coefficient and the absolute value of the F value, the greater the contribution to the yield. Thereafter, the information organizing unit 33 (see FIG. 3) of the yield analysis apparatus 4 ranks the process parameters in descending order of the contribution to the yield with reference to the F value. FIG. 7 shows the result of ranking the process parameters. From the result of FIG. 7, process parameters having a large contribution to the yield are determined.

なお、上記したステップS5の動作(歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータの判別)は、歩留りが低いウェハおよび歩留りが高いウェハを特定せずに行う。   Note that the above-described operation of step S5 (determination of process parameters having a large contribution to the yield) is performed without specifying a wafer with a low yield and a wafer with a high yield.

次に、図4のステップS6において、歩留り解析装置4の分析手段32により、歩留りの低いウェハが存在するか否かを判断する。そして、歩留りの低いウェハが存在しないと判断された場合には、図4のステップS1に戻る。その一方、歩留りの低いウェハが存在すると判断された場合には、図4のステップS7に移行する。   Next, in step S6 of FIG. 4, the analysis unit 32 of the yield analysis apparatus 4 determines whether or not there is a wafer with a low yield. When it is determined that there is no wafer with a low yield, the process returns to step S1 in FIG. On the other hand, if it is determined that there is a wafer with a low yield, the process proceeds to step S7 in FIG.

次に、図4のステップS7において、歩留り解析装置4のフィードバック手段34(図3参照)により、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータに対応する製造工程に対して、歩留り低下の原因をフィードバックする。   Next, in step S7 of FIG. 4, the feedback means 34 (see FIG. 3) of the yield analyzer 4 feeds back the cause of the yield reduction to the manufacturing process corresponding to the process parameter having a large contribution to the yield. .

ここで、図8に、歩留りへの寄与度の大きさが1位のプロセスパラメータ(製造工程間の時間)と歩留りとの関係を示すとともに、図9に、歩留りへの寄与度の大きさが2位のプロセスパラメータ(製造工程間の時間)と歩留りとの関係を示す。図8を参照して、歩留りへの寄与度の大きさが1位のプロセスパラメータに対応する製造工程では、製造工程間の時間がT10(限界値)を下回っていることが、歩留り低下の原因といえる。また、図9を参照して、歩留りへの寄与度の大きさが2位のプロセスパラメータに対応する製造工程では、製造工程間の時間がT20(限界値)を上回っていることが、歩留り低下の原因といえる。上記した限界値は、歩留り解析装置4の限界値データベース37b(図3参照)に一旦保存される。なお、歩留りの高低の判断は、予め設定された基準歩留りに基づいて行われる。   Here, FIG. 8 shows the relationship between the process parameter (time between manufacturing steps) having the highest degree of contribution to the yield and the yield, and FIG. 9 shows the magnitude of the contribution to the yield. The relationship between the second-order process parameter (time between manufacturing steps) and the yield is shown. Referring to FIG. 8, in the manufacturing process corresponding to the process parameter having the highest degree of contribution to the yield, the time between the manufacturing processes is less than T10 (limit value). It can be said. Further, referring to FIG. 9, in the manufacturing process corresponding to the process parameter having the second largest contribution to the yield, the time between the manufacturing processes exceeds T20 (limit value). It can be said that. The above limit values are temporarily stored in the limit value database 37b (see FIG. 3) of the yield analysis device 4. The determination of the yield level is made based on a preset reference yield.

そして、フィードバック動作の際には、上記した製造工程間の時間の限界値を、製造工程管理装置2に伝達する。なお、製造工程管理装置2に伝達された限界値は、限界値データベース17e(図2参照)に保存される。これにより、製造工程管理装置2によって、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータに対応する製造工程に対して、製造工程間の時間の限界値に基づいて製造工程間の時間の調節が行われる。   In the feedback operation, the limit value of the time between the manufacturing processes described above is transmitted to the manufacturing process management apparatus 2. The limit value transmitted to the manufacturing process management device 2 is stored in the limit value database 17e (see FIG. 2). Thereby, the manufacturing process management device 2 adjusts the time between the manufacturing processes based on the limit value of the time between the manufacturing processes for the manufacturing process corresponding to the process parameter having a large contribution to the yield.

第1実施形態では、上記のように、製造装置6ごとに処理履歴情報を収集するとともに、その製造装置6ごとに収集された処理履歴情報に基づいて、ウェハを処理する際のプロセスパラメータを算出することによって、詳細なプロセスパラメータ(所定の製造工程での着目するウェハの処理が終了してから、他の製造工程での着目するウェハの処理が開始されるまでの時間)を容易に得ることができる。これにより、第1実施形態では、高い確度で歩留り低下の原因を特定することができる。   In the first embodiment, as described above, the processing history information is collected for each manufacturing apparatus 6, and the process parameters for processing the wafer are calculated based on the processing history information collected for each manufacturing apparatus 6. This makes it easy to obtain detailed process parameters (the time from the completion of the processing of the wafer of interest in a predetermined manufacturing process until the processing of the wafer of interest in another manufacturing process is started). Can do. Thereby, in 1st Embodiment, the cause of a yield fall can be specified with high accuracy.

また、第1実施形態では、上記のように、プロセスパラメータ(説明変数)として、所定の製造工程での着目するウェハの処理が終了してから、他の製造工程での着目するウェハの処理が開始されるまでの時間を用いることによって、ウェハの放置時間が歩留りに与える影響を調べることができる。   In the first embodiment, as described above, the process parameter (explanatory variable) is the process of processing the wafer of interest in another manufacturing process after the processing of the wafer of interest in a predetermined manufacturing process is completed. By using the time until the start, the influence of the wafer leaving time on the yield can be examined.

また、第1実施形態では、上記のように、歩留り解析装置4にフィードバック手段34を設けることによって、容易に、歩留りの低下を改善することができる。   In the first embodiment, as described above, by providing the feedback means 34 in the yield analysis apparatus 4, it is possible to easily improve the yield reduction.

また、第1実施形態では、歩留り低下の原因を特定する際に、多くのプロセスパラメータ(説明変数)を用いているので、より高い確度で歩留り低下の原因を特定することができる。   In the first embodiment, since many process parameters (explanatory variables) are used when specifying the cause of the yield reduction, the cause of the yield reduction can be specified with higher accuracy.

(第2実施形態)
図10は、本発明の第2実施形態による工程管理システムで算出されるプロセスパラメータを説明するための図である。図11および図12は、本発明の第2実施形態による工程管理システムで行われる重回帰分析を説明するための図である。次に、図10〜図12を参照して、第2実施形態による工程管理システムの動作(工程管理方法)について説明する。なお、第2実施形態による工程管理システムの構成は、図1〜図3に示した第1実施形態の工程管理システムの構成と同様であり、第2実施形態による工程管理システムの動作フローは、図4に示した第1実施形態の工程管理システムの動作フローと同様である。
(Second Embodiment)
FIG. 10 is a diagram for explaining process parameters calculated by the process management system according to the second embodiment of the present invention. 11 and 12 are diagrams for explaining the multiple regression analysis performed in the process management system according to the second embodiment of the present invention. Next, the operation (process management method) of the process management system according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. The configuration of the process management system according to the second embodiment is the same as the configuration of the process management system according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3, and the operation flow of the process management system according to the second embodiment is as follows. This is the same as the operation flow of the process management system of the first embodiment shown in FIG.

第2実施形態では、まず、図4のステップS1において、上記第1実施形態と同様、製造工程管理装置2の制御手段12により、製造装置6ごとに処理履歴情報を収集する。   In the second embodiment, first, in step S1 of FIG. 4, processing history information is collected for each manufacturing apparatus 6 by the control means 12 of the manufacturing process management apparatus 2 as in the first embodiment.

次に、図4のステップS2において、製造装置6ごとに収集された処理履歴情報(ウェハ識別番号および処理時間)に基づいて、プロセスパラメータを算出する。具体的には、第2実施形態では、所定の製造装置6において、着目するウェハが処理される前に処理される他のウェハの処理が終了してから、着目するウェハの処理が開始されるまでの時間(以下、アイドリング時間)を算出する。以下に、図10を参照して、第2実施形態のプロセスパラメータとしてのアイドリング時間について説明する。なお、図10に図示されたウェハには、識別番号A〜Dが付与されている。また、図10において、ウェハは、製造工程M1から、製造工程M2、M3・・・Mnの順に処理される。また、図10中のDB1〜DBnは、製造装置6ごとに収集された処理履歴情報が保管されるデータベースを表している。   Next, in step S <b> 2 of FIG. 4, process parameters are calculated based on the processing history information (wafer identification number and processing time) collected for each manufacturing apparatus 6. Specifically, in the second embodiment, processing of the target wafer is started after processing of another wafer to be processed before the target wafer is processed in the predetermined manufacturing apparatus 6. Time (hereinafter, idling time) is calculated. The idling time as a process parameter according to the second embodiment will be described below with reference to FIG. Note that identification numbers A to D are assigned to the wafer shown in FIG. In FIG. 10, the wafer is processed in the order of the manufacturing process M1, the manufacturing processes M2, M3,. Further, DB1 to DBn in FIG. 10 represent databases in which processing history information collected for each manufacturing apparatus 6 is stored.

第2実施形態のプロセスパラメータとしてのアイドリング時間は、ウェハAに着目すると、図10中のT11、T12およびT13などを含んでいる。具体的には、アイドリング時間(プロセスパラメータ)T11は、製造工程M2に含まれる製造装置6(所定の製造装置)において、ウェハCの処理(他のウェハの処理)が終了してから、ウェハAの処理(着目するウェハの処理)が開始されるまでの時間である。また、アイドリング時間(プロセスパラメータ)T12は、製造工程M3に含まれる製造装置6(所定の製造装置)において、ウェハCの処理(他のウェハの処理)が終了してから、ウェハAの処理(着目するウェハの処理)が開始されるまでの時間である。また、アイドリング時間(プロセスパラメータ)T13は、製造工程Mnに含まれる製造装置6(所定の製造装置)において、ウェハCの処理(他のウェハの処理)が終了してから、ウェハAの処理(着目するウェハの処理)が開始されるまでの時間である。   When the wafer A is focused on, the idling time as the process parameter of the second embodiment includes T11, T12, and T13 in FIG. Specifically, the idling time (process parameter) T11 is determined after the processing of the wafer C (processing of another wafer) is completed in the manufacturing apparatus 6 (predetermined manufacturing apparatus) included in the manufacturing process M2. This is the time until the processing (processing of the target wafer) is started. In addition, the idling time (process parameter) T12 is determined after the processing of the wafer C (processing of another wafer) is completed in the manufacturing apparatus 6 (predetermined manufacturing apparatus) included in the manufacturing process M3. This is the time until the processing of the target wafer) starts. In addition, the idling time (process parameter) T13 is determined after the processing of the wafer C (processing of another wafer) is completed in the manufacturing apparatus 6 (predetermined manufacturing apparatus) included in the manufacturing process Mn. This is the time until the processing of the target wafer) starts.

なお、上記したプロセスパラメータとしてのアイドリング時間の算出は、ウェハA〜Dを含む全てのウェハについて行う。また、上記したプロセスパラメータとしてのアイドリング時間の算出は、全ての製造工程に亘って行ってもよいし、特定の製造工程についてのみ行ってもよい。また、算出されたプロセスパラメータとしてのアイドリング時間は、製造工程管理装置2の処理時間データベース17aに保管される。   The calculation of the idling time as the process parameter described above is performed for all wafers including wafers A to D. Further, the calculation of the idling time as the process parameter described above may be performed over all the manufacturing steps or only for a specific manufacturing step. The calculated idling time as a process parameter is stored in the processing time database 17a of the manufacturing process management device 2.

次に、図4のステップS3において、テスト工程管理装置3により、テスター7で検査されたチップの検査情報をウェハごとに収集する。なお、このときに収集された検査情報からは、ウェハごとの歩留りが算出される。   Next, in step S3 of FIG. 4, the test process management device 3 collects inspection information of chips inspected by the tester 7 for each wafer. Note that the yield for each wafer is calculated from the inspection information collected at this time.

次に、図4のステップS4において、歩留り解析装置4の分析手段32により、プロセスパラメータ(アイドリング時間)を製造工程管理装置2から収集するとともに、検査情報(ウェハごとの歩留り)をテスト工程管理装置3から収集する。この後、歩留り解析装置4の分析手段32により、プロセスパラメータ(アイドリング時間)と検査情報(ウェハごとの歩留り)との紐付けを行う。図11に、プロセスパラメータ(アイドリング時間)と検査情報(ウェハごとの歩留り)とを紐付けた結果の一部を示す。なお、図11中のプロセスパラメータP11〜Pnは、ステップS3で算出したアイドリング時間である。   Next, in step S4 of FIG. 4, process parameters (idling time) are collected from the manufacturing process management apparatus 2 by the analysis means 32 of the yield analysis apparatus 4, and inspection information (yield for each wafer) is collected from the test process management apparatus. Collect from 3. Thereafter, the analysis unit 32 of the yield analysis device 4 associates the process parameter (idling time) with the inspection information (yield for each wafer). FIG. 11 shows a part of the result of associating process parameters (idling time) and inspection information (yield for each wafer). Note that the process parameters P11 to Pn in FIG. 11 are the idling time calculated in step S3.

次に、図4のステップS5において、歩留り解析装置4の分析手段32により、ウェハA〜Dを含む全てのウェハについて、検査情報(ウェハごとの歩留り)を目的変数とし、プロセスパラメータ(アイドリング時間)P11〜Pnを説明変数として重回帰分析を行うことによって、偏相関係数およびF値(分散比)を算出する。ここで、図11に示すように、ウェハAに着目すると、目的変数としては、96.2となり、説明変数としては、6.25(P11)、13.58(P12)、・・・、115.72(Pn−1)および5.15(Pn)となる。この後、歩留り解析装置4の情報整理手段33により、F値を基準として、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータから順に順位を付ける。図12に、プロセスパラメータに順位付けを行った結果を示す。この図12に示した結果から、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別する。   Next, in step S5 of FIG. 4, the analysis means 32 of the yield analysis apparatus 4 uses the inspection information (yield for each wafer) as an objective variable for all wafers including the wafers A to D, and process parameters (idling time). A partial correlation coefficient and an F value (dispersion ratio) are calculated by performing multiple regression analysis using P11 to Pn as explanatory variables. Here, as shown in FIG. 11, when attention is paid to wafer A, the objective variable is 96.2, and the explanatory variables are 6.25 (P11), 13.58 (P12),... .72 (Pn-1) and 5.15 (Pn). Thereafter, the information organizing unit 33 of the yield analysis device 4 ranks the process parameters in descending order of the contribution to the yield with the F value as a reference. FIG. 12 shows the result of ranking the process parameters. From the results shown in FIG. 12, process parameters having a large contribution to the yield are determined.

次に、図4のステップS6において、歩留り解析装置4の分析手段32により、歩留りの低いウェハが存在するか否かを判断する。そして、歩留りの低いウェハが存在しないと判断された場合には、図4のステップS1に戻る。その一方、歩留りの低いウェハが存在すると判断された場合には、図4のステップS7に移行する。   Next, in step S6 of FIG. 4, the analysis unit 32 of the yield analysis apparatus 4 determines whether or not there is a wafer with a low yield. When it is determined that there is no wafer with a low yield, the process returns to step S1 in FIG. On the other hand, if it is determined that there is a wafer with a low yield, the process proceeds to step S7 in FIG.

次に、図4のステップS7において、歩留り解析装置4のフィードバック手段34により、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータに対応する製造装置6に対して、歩留り低下の原因をフィードバックする。具体的には、上記第1実施形態と同様にして、歩留りが低下するアイドリング時間の限界値を算出するとともに、そのアイドリング時間の限界値を製造工程管理装置2に伝達する。これにより、製造工程管理装置2によって、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータに対応する製造装置6に対して、アイドリング時間の限界値に基づいてアイドリング時間の調節が行われる。   Next, in step S7 of FIG. 4, the cause of the yield reduction is fed back to the manufacturing apparatus 6 corresponding to the process parameter having a large contribution to the yield by the feedback means 34 of the yield analysis apparatus 4. Specifically, in the same manner as in the first embodiment, the limit value of the idling time at which the yield decreases is calculated, and the limit value of the idling time is transmitted to the manufacturing process management device 2. Thereby, the idling time is adjusted by the manufacturing process management device 2 based on the limit value of the idling time for the manufacturing device 6 corresponding to the process parameter having a large contribution to the yield.

第2実施形態では、上記のように、製造装置6ごとに処理履歴情報を収集するとともに、その製造装置6ごとに収集された処理履歴情報に基づいて、ウェハを処理する際のプロセスパラメータを算出することによって、詳細なプロセスパラメータ(所定の製造装置6において、着目するウェハが処理される前に処理される他のウェハの処理が終了してから、着目するウェハの処理が開始されるまでの時間)を容易に得ることができる。これにより、第2実施形態では、高い確度で歩留り低下の原因を特定することができる。   In the second embodiment, as described above, the processing history information is collected for each manufacturing apparatus 6, and the process parameters for processing the wafer are calculated based on the processing history information collected for each manufacturing apparatus 6. As a result, the detailed process parameters (from the processing of another wafer to be processed before the target wafer is processed in the predetermined manufacturing apparatus 6 until the processing of the target wafer is started) Time) can be easily obtained. Thereby, in 2nd Embodiment, the cause of a yield fall can be specified with high accuracy.

また、第2実施形態では、上記のように、プロセスパラメータ(説明変数)として、所定の製造装置6において、着目するウェハが処理される前に処理される他のウェハの処理が終了してから、着目するウェハの処理が開始されるまでの時間を用いることによって、製造装置6の空き時間(アイドリング時間)が歩留りに与える影響を調べることができる。   In the second embodiment, as described above, as a process parameter (explanatory variable), after processing of another wafer processed before the wafer of interest is processed in a predetermined manufacturing apparatus 6 is completed. By using the time until the processing of the target wafer is started, it is possible to examine the influence of the idle time (idling time) of the manufacturing apparatus 6 on the yield.

なお、第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。   The remaining effects of the second embodiment are similar to those of the aforementioned first embodiment.

(第3実施形態)
図13は、本発明の第3実施形態による工程管理システムで算出されるプロセスパラメータを説明するための図である。次に、図13を参照して、第3実施形態による工程管理システムの動作(工程管理方法)について説明する。なお、第3実施形態による工程管理システムの構成は、図1〜図3に示した第1実施形態の工程管理システムの構成と同様であり、第3実施形態による工程管理システムの動作フローは、図4に示した第1実施形態の工程管理システムの動作フローと同様である。
(Third embodiment)
FIG. 13 is a diagram for explaining process parameters calculated by the process management system according to the third embodiment of the present invention. Next, an operation (process management method) of the process management system according to the third embodiment will be described with reference to FIG. The configuration of the process management system according to the third embodiment is the same as the configuration of the process management system according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3, and the operation flow of the process management system according to the third embodiment is as follows. This is the same as the operation flow of the process management system of the first embodiment shown in FIG.

第3実施形態では、まず、図4のステップS1において、上記第1実施形態と同様、製造工程管理装置2の制御手段12により、製造装置6ごとに処理履歴情報を収集する。   In the third embodiment, first, in step S1 of FIG. 4, processing history information is collected for each manufacturing apparatus 6 by the control means 12 of the manufacturing process management apparatus 2 as in the first embodiment.

次に、図4のステップS2において、製造装置6ごとに収集された処理履歴情報(ウェハ識別番号および処理時間)に基づいて、プロセスパラメータを算出する。具体的には、第3実施形態では、所定の製造装置6において、着目するウェハが処理される前に処理される他のウェハの処理が開始されてから、着目するウェハの処理が開始されるまでの時間(以下、処理開始間隔)を算出する。以下に、図13を参照して、第3実施形態のプロセスパラメータとしての処理開始間隔について説明する。なお、図13に図示されたウェハには、識別番号A〜Dが付与されている。また、図13において、ウェハは、製造工程M1から、製造工程M2、M3・・・Mnの順に処理される。また、図13中のDB1〜DBnは、製造装置6ごとに収集された処理履歴情報が保管されるデータベースを表している。   Next, in step S <b> 2 of FIG. 4, process parameters are calculated based on the processing history information (wafer identification number and processing time) collected for each manufacturing apparatus 6. Specifically, in the third embodiment, in a predetermined manufacturing apparatus 6, processing of a target wafer is started after processing of another wafer to be processed is started before the target wafer is processed. Time (hereinafter, processing start interval) is calculated. Hereinafter, with reference to FIG. 13, a processing start interval as a process parameter according to the third embodiment will be described. Incidentally, identification numbers A to D are given to the wafer shown in FIG. In FIG. 13, the wafer is processed in the order of the manufacturing process M1, the manufacturing processes M2, M3,. Further, DB1 to DBn in FIG. 13 represent databases in which processing history information collected for each manufacturing apparatus 6 is stored.

第3実施形態のプロセスパラメータとしての処理開始間隔は、ウェハAに着目すると、図13中のT21〜T23などを含んでいる。具体的には、処理開始間隔(プロセスパラメータ)T21は、製造工程M2に含まれる製造装置6(所定の製造装置)において、ウェハCの処理(他のウェハの処理)が開始されてから、ウェハAの処理(着目するウェハの処理)が開始されるまでの時間である。また、処理開始間隔(プロセスパラメータ)T22は、製造工程M3に含まれる製造装置6(所定の製造装置)において、ウェハCの処理(他のウェハの処理)が開始されてから、ウェハAの処理(着目するウェハの処理)が開始されるまでの時間である。また、処理開始間隔(プロセスパラメータ)T23は、製造工程Mnに含まれる製造装置6(所定の製造装置)において、ウェハCの処理(他のウェハの処理)が開始されてから、ウェハAの処理(着目するウェハの処理)が開始されるまでの時間である。   When attention is paid to the wafer A, the processing start interval as a process parameter of the third embodiment includes T21 to T23 in FIG. Specifically, the processing start interval (process parameter) T21 is determined after the processing of the wafer C (processing of another wafer) is started in the manufacturing apparatus 6 (predetermined manufacturing apparatus) included in the manufacturing process M2. This is the time until the processing of A (processing of the target wafer) is started. Further, the processing start interval (process parameter) T22 is the processing of the wafer A after the processing of the wafer C (processing of another wafer) is started in the manufacturing apparatus 6 (predetermined manufacturing apparatus) included in the manufacturing process M3. This is the time until the processing of the target wafer is started. Further, the processing start interval (process parameter) T23 is the processing of the wafer A after the processing of the wafer C (processing of another wafer) is started in the manufacturing apparatus 6 (predetermined manufacturing apparatus) included in the manufacturing process Mn. This is the time until the processing of the target wafer is started.

なお、上記したプロセスパラメータとしての処理開始間隔の算出は、ウェハA〜Dを含む全てのウェハについて行う。また、上記したプロセスパラメータとしての処理開始間隔の算出は、全ての製造工程に亘って行ってもよいし、特定の製造工程についてのみ行ってもよい。また、算出されたプロセスパラメータとしての処理開始間隔は、製造工程管理装置2の処理時間データベース17aに保管される。   The calculation of the processing start interval as the process parameter described above is performed for all wafers including wafers A to D. Further, the calculation of the processing start interval as the process parameter described above may be performed over all the manufacturing steps, or may be performed only for a specific manufacturing step. The calculated processing start interval as the process parameter is stored in the processing time database 17a of the manufacturing process management apparatus 2.

次に、図4のステップS3において、テスト工程管理装置3により、テスター7で検査されたチップの検査情報をウェハごとに収集する。なお、このときに収集された検査情報からは、ウェハごとの歩留りが算出される。   Next, in step S3 of FIG. 4, the test process management device 3 collects inspection information of chips inspected by the tester 7 for each wafer. Note that the yield for each wafer is calculated from the inspection information collected at this time.

次に、図4のステップS4において、歩留り解析装置4の分析手段32により、プロセスパラメータ(処理開始間隔)を製造工程管理装置2から収集するとともに、検査情報(ウェハごとの歩留り)をテスト工程管理装置3から収集する。この後、歩留り解析装置4の分析手段32により、プロセスパラメータ(処理開始間隔)と検査情報(ウェハごとの歩留り)との紐付けを行う。   Next, in step S4 of FIG. 4, process parameters (processing start intervals) are collected from the manufacturing process management apparatus 2 by the analysis means 32 of the yield analysis apparatus 4, and inspection information (yield for each wafer) is managed in the test process. Collect from device 3. Thereafter, the analysis unit 32 of the yield analysis apparatus 4 associates the process parameter (processing start interval) with the inspection information (yield for each wafer).

次に、図4のステップS5において、歩留り解析装置4の分析手段32により、ウェハA〜Dを含む全てのウェハについて、検査情報(ウェハごとの歩留り)を目的変数とし、プロセスパラメータ(処理開始間隔)を説明変数として重回帰分析を行うことによって、偏相関係数およびF値(分散比)を算出する。この後、歩留り解析装置4の情報整理手段33により、F値を基準として、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータから順に順位を付ける。これにより、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別する。   Next, in step S5 of FIG. 4, the analysis means 32 of the yield analysis device 4 uses the inspection information (yield for each wafer) as an objective variable for all wafers including the wafers A to D, and process parameters (processing start interval). ) As an explanatory variable, a partial correlation coefficient and an F value (dispersion ratio) are calculated. Thereafter, the information organizing unit 33 of the yield analysis device 4 ranks the process parameters in descending order of the contribution to the yield with the F value as a reference. Thereby, a process parameter having a large contribution to the yield is determined.

これ以降の動作は、上記第1実施形態と同様である。   The subsequent operations are the same as in the first embodiment.

第3実施形態では、上記のように、製造装置6ごとに処理履歴情報を収集するとともに、その製造装置6ごとに収集された処理履歴情報に基づいて、ウェハを処理する際のプロセスパラメータを算出することによって、詳細なプロセスパラメータ(所定の製造装置6において、着目するウェハが処理される前に処理される他のウェハの処理が開始されてから、着目するウェハの処理が開始されるまでの時間)を容易に得ることができる。これにより、第3実施形態では、高い確度で歩留り低下の原因を特定することができる。   In the third embodiment, as described above, the processing history information is collected for each manufacturing apparatus 6, and the process parameters for processing the wafer are calculated based on the processing history information collected for each manufacturing apparatus 6. As a result, detailed process parameters (from the start of processing of another wafer to be processed before the target wafer is processed in a predetermined manufacturing apparatus 6 to the start of processing of the target wafer are started. Time) can be easily obtained. Thereby, in 3rd Embodiment, the cause of a yield fall can be specified with high accuracy.

また、第3実施形態では、上記のように、プロセスパラメータ(説明変数)として、所定の製造装置6において、着目するウェハが処理される前に処理される他のウェハの処理が開始されてから、着目するウェハの処理が開始されるまでの時間を用いることによって、識別番号が互いに異なる複数のウェハが同一の製造装置6で並列に処理される場合に、その製造装置6における処理開始間隔が歩留りに与える影響を調べることができる。   In the third embodiment, as described above, as a process parameter (explanatory variable), a predetermined manufacturing apparatus 6 starts processing another wafer that is processed before the target wafer is processed. When a plurality of wafers having different identification numbers are processed in parallel by the same manufacturing apparatus 6 by using the time until the processing of the target wafer is started, the processing start interval in the manufacturing apparatus 6 is You can investigate the impact on yield.

なお、第3実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。   The remaining effects of the third embodiment are similar to those of the aforementioned first embodiment.

(第4実施形態)
図14は、本発明の第4実施形態による工程管理システムで算出されるプロセスパラメータを説明するための図である。次に、図14を参照して、第4実施形態による工程管理システムの動作(工程管理方法)について説明する。なお、第4実施形態による工程管理システムの構成は、図1〜図3に示した第1実施形態の工程管理システムの構成と同様であり、第4実施形態による工程管理システムの動作フローは、図4に示した第1実施形態の工程管理システムの動作フローと同様である。
(Fourth embodiment)
FIG. 14 is a diagram for explaining process parameters calculated by the process management system according to the fourth embodiment of the present invention. Next, the operation (process management method) of the process management system according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. In addition, the structure of the process management system by 4th Embodiment is the same as that of the process management system of 1st Embodiment shown in FIGS. 1-3, and the operation | movement flow of the process management system by 4th Embodiment is as follows. This is the same as the operation flow of the process management system of the first embodiment shown in FIG.

第4実施形態では、まず、図4のステップS1において、上記第1実施形態と同様、製造工程管理装置2の制御手段12により、製造装置6ごとに処理履歴情報を収集する。   In the fourth embodiment, first, in step S <b> 1 of FIG. 4, processing history information is collected for each manufacturing apparatus 6 by the control means 12 of the manufacturing process management apparatus 2 as in the first embodiment.

次に、図4のステップS2において、製造装置6ごとに収集された製造装置6の処理履歴情報(ウェハ識別番号)に基づいて、プロセスパラメータを算出する。具体的には、第4実施形態では、複数の製造工程に亘って、着目するウェハが同一の製造装置6で処理される回数(以下、処理回数という)を算出する。以下に、図14を参照して、第4実施形態のプロセスパラメータとしての処理回数について説明する。なお、図14に図示されたウェハには、識別番号A〜Dが付与されている。また、図14に図示された製造装置6には、装置番号6a〜6dが付与されている。また、図14において、ウェハは、製造工程M1から、製造工程M2、M3・・・Mnの順に処理される。   Next, in step S <b> 2 of FIG. 4, process parameters are calculated based on the processing history information (wafer identification number) of the manufacturing apparatus 6 collected for each manufacturing apparatus 6. Specifically, in the fourth embodiment, the number of times that the wafer of interest is processed by the same manufacturing apparatus 6 over a plurality of manufacturing steps (hereinafter referred to as the number of processing times) is calculated. Hereinafter, with reference to FIG. 14, the number of processes as a process parameter according to the fourth embodiment will be described. Incidentally, identification numbers A to D are assigned to the wafer shown in FIG. In addition, apparatus numbers 6a to 6d are assigned to the manufacturing apparatus 6 illustrated in FIG. In FIG. 14, the wafer is processed in the order of the manufacturing process M1, the manufacturing processes M2, M3,.

第4実施形態のプロセスパラメータとしての処理回数は、ウェハBに着目すると、4回である。すなわち、ウェハB(着目するウェハ)は、複数の製造工程M1〜Mnに亘って、製造装置6b(同一の製造装置)で4回処理されている。   When the wafer B is focused on, the number of processes as process parameters in the fourth embodiment is four. That is, the wafer B (target wafer) is processed four times by the manufacturing apparatus 6b (the same manufacturing apparatus) over a plurality of manufacturing steps M1 to Mn.

なお、上記したプロセスパラメータとしての処理回数の算出は、ウェハA〜Dを含む全てのウェハについて行う。また、上記したプロセスパラメータとしての処理回数の算出は、全ての製造工程に亘って行ってもよいし、特定の複数の製造工程についてのみ行ってもよい。また、算出されたプロセスパラメータとしての処理回数は、製造工程管理装置2の第1処理回数データベース17b(図2参照)に保管される。   Note that the calculation of the number of processes as the process parameter is performed for all wafers including the wafers A to D. Further, the calculation of the number of processes as the process parameter described above may be performed over all the manufacturing steps, or may be performed only for a specific plurality of manufacturing steps. Further, the calculated processing number as the process parameter is stored in the first processing number database 17b (see FIG. 2) of the manufacturing process management apparatus 2.

次に、図4のステップS3において、テスト工程管理装置3により、テスター7で検査されたチップの検査情報をウェハごとに収集する。なお、このときに収集された検査情報からは、ウェハごとの歩留りが算出される。   Next, in step S3 of FIG. 4, the test process management device 3 collects inspection information of chips inspected by the tester 7 for each wafer. Note that the yield for each wafer is calculated from the inspection information collected at this time.

次に、図4のステップS4において、歩留り解析装置4の分析手段32により、プロセスパラメータ(処理回数)を製造工程管理装置2から収集するとともに、検査情報(ウェハごとの歩留り)をテスト工程管理装置3から収集する。この後、歩留り解析装置4の分析手段32により、プロセスパラメータ(処理回数)と検査情報(ウェハごとの歩留り)との紐付けを行う。   Next, in step S4 of FIG. 4, the analysis means 32 of the yield analysis device 4 collects process parameters (number of processes) from the manufacturing process management device 2, and also inspects inspection information (yield for each wafer) in the test process management device. Collect from 3. Thereafter, the analysis means 32 of the yield analysis apparatus 4 associates process parameters (number of processes) with inspection information (yield for each wafer).

次に、図4のステップS5において、歩留り解析装置4の分析手段32により、ウェハA〜Dを含む全てのウェハについて、検査情報(ウェハごとの歩留り)を目的変数とし、プロセスパラメータ(処理回数)を説明変数として重回帰分析を行うことによって、偏相関係数およびF値(分散比)を算出する。この後、歩留り解析装置4の情報整理手段33により、F値を基準として、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータから順に順位をつける。これにより、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別する。   Next, in step S5 of FIG. 4, the analysis means 32 of the yield analysis apparatus 4 uses the inspection information (yield for each wafer) as an objective variable for all wafers including the wafers A to D, and process parameters (number of processes). Is used as an explanatory variable to calculate a partial correlation coefficient and an F value (variance ratio). Thereafter, the information organizing unit 33 of the yield analysis apparatus 4 ranks the process parameters in descending order of the contribution to the yield with reference to the F value. Thereby, a process parameter having a large contribution to the yield is determined.

これ以降の動作は、上記第1実施形態と同様である。   The subsequent operations are the same as in the first embodiment.

第4実施形態では、上記のように、製造装置6ごとに処理履歴情報を収集するとともに、その製造装置6ごとに収集された処理履歴情報に基づいて、ウェハを処理する際のプロセスパラメータを算出することによって、詳細なプロセスパラメータ(複数の製造工程に亘って、着目するウェハが同一の製造装置6で処理される回数)を容易に得ることができる。これにより、第4実施形態では、高い確度で歩留り低下の原因を特定することができる。   In the fourth embodiment, as described above, the processing history information is collected for each manufacturing apparatus 6, and the process parameters for processing the wafer are calculated based on the processing history information collected for each manufacturing apparatus 6. By doing this, it is possible to easily obtain detailed process parameters (the number of times a target wafer is processed by the same manufacturing apparatus 6 over a plurality of manufacturing steps). Thereby, in 4th Embodiment, the cause of a yield fall can be specified with high accuracy.

また、第4実施形態では、上記のように、プロセスパラメータ(説明変数)として、複数の製造工程に亘って、着目するウェハが同一の製造装置6で処理される回数を用いることによって、同一の製造装置6での処理回数(処理頻度)が歩留りに与える影響を調べることができる。   In the fourth embodiment, as described above, the process parameter (explanatory variable) is the same by using the number of times that the wafer of interest is processed by the same manufacturing apparatus 6 over a plurality of manufacturing steps. The influence of the number of times of processing (processing frequency) in the manufacturing apparatus 6 on the yield can be examined.

なお、第4実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。   The remaining effects of the fourth embodiment are similar to those of the aforementioned first embodiment.

(第5実施形態)
図15は、本発明の第5実施形態による工程管理システムで算出されるプロセスパラメータを説明するための図である。次に、図15を参照して、第5実施形態による工程管理システムの動作(工程管理方法)について説明する。なお、第5実施形態による工程管理システムの構成は、図1〜図3に示した第1実施形態の工程管理システムの構成と同様であり、第5実施形態による工程管理システムの動作フローは、図4に示した第1実施形態の工程管理システムの動作フローと同様である。
(Fifth embodiment)
FIG. 15 is a diagram for explaining process parameters calculated by the process management system according to the fifth embodiment of the present invention. Next, the operation (process management method) of the process management system according to the fifth embodiment will be described with reference to FIG. The configuration of the process management system according to the fifth embodiment is the same as the configuration of the process management system according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3, and the operation flow of the process management system according to the fifth embodiment is as follows. This is the same as the operation flow of the process management system of the first embodiment shown in FIG.

第5実施形態では、まず、図4のステップS1において、上記第1実施形態と同様、製造工程管理装置2の制御手段12により、製造装置6ごとに処理履歴情報を収集する。   In the fifth embodiment, first, in step S <b> 1 of FIG. 4, processing history information is collected for each manufacturing apparatus 6 by the control means 12 of the manufacturing process management apparatus 2 as in the first embodiment.

次に、図4のステップS2において、製造装置6ごとに収集された処理履歴情報(ウェハ識別番号および処理条件)に基づいて、プロセスパラメータを算出する。具体的には、第5実施形態では、所定の製造装置6において、着目するウェハが処理される前に、他のウェハが着目するウェハと同一の処理条件で処理される回数(以下、処理回数という)を算出する。以下に、図15を参照して、第5実施形態のプロセスパラメータとしての処理回数について説明する。なお、図15に図示されたウェハには、識別番号A〜Cが付与されている。また、図15において、ウェハは、製造工程M1から、製造工程M2・・・Mnの順に処理される。   Next, in step S <b> 2 of FIG. 4, process parameters are calculated based on the processing history information (wafer identification number and processing condition) collected for each manufacturing apparatus 6. Specifically, in the fifth embodiment, before a target wafer is processed in a predetermined manufacturing apparatus 6, the number of times other wafers are processed under the same processing conditions as the target wafer (hereinafter referred to as the number of processing times). Calculated). In the following, with reference to FIG. 15, the number of processes as a process parameter of the fifth embodiment will be described. Note that identification numbers A to C are assigned to the wafer shown in FIG. In FIG. 15, the wafer is processed in the order of the manufacturing process M1, the manufacturing process M2,.

第5実施形態のプロセスパラメータとしての処理回数は、ウェハAに着目すると、9回、4回および1回となる。すなわち、製造工程M1に含まれる製造装置6(所定の製造装置)において、ウェハA(着目するウェハ)は、処理条件の切り替えが行われてから10番目に処理されている。また、製造工程M2に含まれる製造装置6(所定の製造装置)において、ウェハA(着目するウェハ)は、処理条件の切り替えが行われてから5番目に処理されている。また、製造工程Mnに含まれる製造装置6(所定の製造装置)において、ウェハA(着目するウェハ)は、処理条件の切り替えが行われてから2番目に処理されている。   When the wafer A is focused on, the number of processes as process parameters in the fifth embodiment is 9, 4, and 1 times. That is, in the manufacturing apparatus 6 (predetermined manufacturing apparatus) included in the manufacturing process M1, the wafer A (target wafer) is processed tenth after the processing conditions are switched. In addition, in the manufacturing apparatus 6 (predetermined manufacturing apparatus) included in the manufacturing process M2, the wafer A (target wafer) is processed fifth after the processing conditions are switched. In addition, in the manufacturing apparatus 6 (predetermined manufacturing apparatus) included in the manufacturing process Mn, the wafer A (target wafer) is processed second after the processing conditions are switched.

なお、上記したプロセスパラメータとしての処理回数の算出は、ウェハA〜Cを含む全てのウェハについて行う。また、上記したプロセスパラメータとしての処理回数の算出は、全ての製造工程に亘って行ってもよいし、特定の製造工程についてのみ行ってもよい。また、算出されたプロセスパラメータとしての処理回数は、製造工程管理装置2の第2処理回数データベース17c(図2参照)に保管される。   The calculation of the number of processes as the process parameter described above is performed for all wafers including the wafers A to C. Further, the calculation of the number of processes as the process parameter described above may be performed over all the manufacturing steps, or may be performed only for a specific manufacturing step. Further, the calculated processing number as the process parameter is stored in the second processing number database 17c (see FIG. 2) of the manufacturing process management apparatus 2.

次に、図4のステップS3において、テスト工程管理装置3により、テスター7で検査されたチップの検査情報をウェハごとに収集する。なお、このときに収集された検査情報からは、ウェハごとの歩留りが算出される。   Next, in step S3 of FIG. 4, the test process management device 3 collects inspection information of chips inspected by the tester 7 for each wafer. Note that the yield for each wafer is calculated from the inspection information collected at this time.

次に、図4のステップS4において、歩留り解析装置4の分析手段32により、プロセスパラメータ(処理回数)を製造工程管理装置2から収集するとともに、検査情報(ウェハごとの歩留り)をテスト工程管理装置3から収集する。この後、歩留り解析装置4の分析手段32により、プロセスパラメータ(処理回数)と検査情報(ウェハごとの歩留り)との紐付けを行う。   Next, in step S4 of FIG. 4, the analysis means 32 of the yield analysis device 4 collects process parameters (the number of processing times) from the manufacturing process management device 2 and the inspection information (yield for each wafer) is a test process management device. Collect from 3. Thereafter, the analysis means 32 of the yield analysis apparatus 4 associates process parameters (number of processes) with inspection information (yield for each wafer).

次に、図4のステップS5において、歩留り解析装置4の分析手段32により、ウェハA〜Cを含む全てのウェハについて、検査情報(ウェハごとの歩留り)を目的変数とし、プロセスパラメータ(処理回数)を説明変数として重回帰分析を行うことによって、偏相関係数およびF値(分散比)を算出する。この後、歩留り解析装置4の情報整理手段33により、F値を基準として、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータから順に順位をつける。これにより、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別する。   Next, in step S5 of FIG. 4, the analysis means 32 of the yield analysis apparatus 4 uses the inspection information (yield for each wafer) as an objective variable for all wafers including the wafers A to C, and process parameters (number of processes). Is used as an explanatory variable to calculate a partial correlation coefficient and an F value (variance ratio). Thereafter, the information organizing means 33 of the yield analysis device 4 ranks the process parameters in descending order of the contribution to the yield on the basis of the F value. Thereby, a process parameter having a large contribution to the yield is determined.

これ以降の動作は、上記第1実施形態と同様である。   The subsequent operations are the same as in the first embodiment.

第5実施形態では、上記のように、製造装置6ごとに処理履歴情報を収集するとともに、その製造装置6ごとに収集された処理履歴情報に基づいて、ウェハを処理する際のプロセスパラメータを算出することによって、詳細なプロセスパラメータ(所定の製造装置6において、着目するウェハが処理される前に、他のウェハが着目するウェハと同一の処理条件で処理された回数)を容易に得ることができる。これにより、第5実施形態では、高い確度で歩留り低下の原因を特定することができる。   In the fifth embodiment, processing history information is collected for each manufacturing apparatus 6 as described above, and process parameters for processing a wafer are calculated based on the processing history information collected for each manufacturing apparatus 6. By doing this, it is possible to easily obtain detailed process parameters (the number of times other wafers are processed under the same processing conditions as the target wafer before the target wafer is processed in the predetermined manufacturing apparatus 6). it can. Thereby, in 5th Embodiment, the cause of a yield fall can be specified with high accuracy.

また、第5実施形態では、上記のように、プロセスパラメータ(説明変数)として、所定の製造装置6において、着目するウェハが処理される前に、他のウェハが着目するウェハと同一の処理条件で処理された回数を用いることによって、同一の処理条件での処理回数が歩留りに与える影響を調べることができる。   In the fifth embodiment, as described above, the process parameters (explanatory variables) are the same processing conditions as the wafers to which other wafers are focused before the wafers to be focused are processed in a predetermined manufacturing apparatus 6. By using the number of times processed in (1), it is possible to examine the influence of the number of times of processing under the same processing condition on the yield.

なお、第5実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。   The remaining effects of the fifth embodiment are similar to those of the aforementioned first embodiment.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiment but by the scope of claims for patent, and all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent are included.

たとえば、上記実施形態では、チップが作り込まれたウェハの製造工程を管理する工程管理システムに本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、チップが作り込まれたウェハ以外の製品の製造工程を管理する工程管理システムにも適用可能である。   For example, in the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to a process management system that manages a manufacturing process of a wafer in which chips are fabricated is shown. However, the present invention is not limited thereto, and a wafer in which chips are fabricated. The present invention can also be applied to a process management system that manages manufacturing processes of products other than the above.

また、上記実施形態では、ウェハごとに歩留りを管理するようにしたが、本発明はこれに限らず、複数のウェハを含むロットごとに歩留りを管理するようにしてもよい。   In the above embodiment, the yield is managed for each wafer. However, the present invention is not limited to this, and the yield may be managed for each lot including a plurality of wafers.

また、上記実施形態では、製造工程管理装置によりプロセスパラメータを算出したが、本発明はこれに限らず、歩留り解析装置によりプロセスパラメータを算出してもよい。   In the above embodiment, the process parameter is calculated by the manufacturing process management device. However, the present invention is not limited to this, and the process parameter may be calculated by a yield analysis device.

本発明の第1実施形態による工程管理システムの全体構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the whole structure of the process management system by 1st Embodiment of this invention. 図1に示した第1実施形態による工程管理システムに含まれる製造工程管理装置の詳細を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the detail of the manufacturing process management apparatus contained in the process management system by 1st Embodiment shown in FIG. 図1に示した第1実施形態による工程管理システムに含まれる歩留り解析装置の詳細を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the detail of the yield analysis apparatus contained in the process management system by 1st Embodiment shown in FIG. 本発明の第1実施形態による工程管理システムの動作(工程管理方法)を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating operation | movement (process management method) of the process management system by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態による工程管理システムで算出されるプロセスパラメータを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process parameter calculated with the process management system by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態による工程管理システムで行われる重回帰分析を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the multiple regression analysis performed with the process management system by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態による工程管理システムで行われる重回帰分析を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the multiple regression analysis performed with the process management system by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態による工程管理システムで行われる重回帰分析を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the multiple regression analysis performed with the process management system by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態による工程管理システムで行われる重回帰分析を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the multiple regression analysis performed with the process management system by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態による工程管理システムで算出されるプロセスパラメータを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process parameter calculated with the process management system by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態による工程管理システムで行われる重回帰分析を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the multiple regression analysis performed with the process management system by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態による工程管理システムで行われる重回帰分析を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the multiple regression analysis performed with the process management system by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態による工程管理システムで算出されるプロセスパラメータを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process parameter calculated with the process management system by 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態による工程管理システムで算出されるプロセスパラメータを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process parameter calculated with the process management system by 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態による工程管理システムで算出されるプロセスパラメータを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process parameter calculated with the process management system by 5th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 工程管理システム
2 製造工程管理装置
3 テスト工程管理装置(検査情報収集手段)
4 歩留り解析装置
12 制御手段(処理履歴情報収集手段、算出手段)
32 分析手段(判別手段)
34 フィードバック手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Process management system 2 Manufacturing process management apparatus 3 Test process management apparatus (inspection information collection means)
4 Yield analysis device 12 Control means (processing history information collection means, calculation means)
32 Analysis means (discrimination means)
34 Feedback means

Claims (9)

少なくとも1つの製造装置をそれぞれ含む複数の製造工程で処理されることにより製造される製品の製造工程を管理する工程管理方法であって、
前記製造装置ごとに処理履歴情報を収集するステップと、
前記製造装置ごとに収集された前記処理履歴情報に基づいて、前記製品を処理する際のプロセスパラメータを算出するステップと、
歩留りを算出するための検査情報を収集するステップと、
前記プロセスパラメータおよび前記検査情報を用いて分析を行うことにより、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別するステップとを備えることを特徴とする工程管理方法。
A process management method for managing a manufacturing process of a product manufactured by being processed in a plurality of manufacturing processes each including at least one manufacturing apparatus,
Collecting processing history information for each manufacturing apparatus;
Calculating process parameters when processing the product based on the processing history information collected for each manufacturing apparatus;
Collecting inspection information for calculating yield;
And a step of discriminating a process parameter having a large contribution to the yield by performing an analysis using the process parameter and the inspection information.
前記プロセスパラメータを算出するステップは、
所定の製造工程での着目する製品の処理が終了してから、他の製造工程での前記着目する製品の処理が開始されるまでの時間を含むプロセスパラメータを算出するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の工程管理方法。
Calculating the process parameter comprises:
Including a step of calculating a process parameter including a time from when processing of the product of interest in a predetermined manufacturing process is completed until processing of the product of interest in another manufacturing process is started. The process management method according to claim 1.
前記プロセスパラメータを算出するステップは、
所定の製造装置において、着目する製品が処理される前に処理される他の製品の処理が終了してから、前記着目する製品の処理が開始されるまでの時間を含むプロセスパラメータを算出するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の工程管理方法。
Calculating the process parameter comprises:
A step of calculating a process parameter including a time until processing of the product of interest is started after processing of another product processed before the product of interest is processed in a predetermined manufacturing apparatus; The process management method according to claim 1, comprising:
前記プロセスパラメータを算出するステップは、
所定の製造装置において、着目する製品が処理される前に処理される他の製品の処理が開始されてから、前記着目する製品の処理が開始されるまでの時間を含むプロセスパラメータを算出するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の工程管理方法。
Calculating the process parameter comprises:
A step of calculating a process parameter including a time from the start of processing of another product processed before the target product is processed in a predetermined manufacturing apparatus to the start of processing of the target product; The process management method according to claim 1, comprising:
前記プロセスパラメータを算出するステップは、
前記複数の製造工程のうちの2つ以上の製造工程の各々が同一の製造装置を含んでいる場合に、前記複数の製造工程に亘って、着目する製品が前記同一の製造装置で処理される回数を含むプロセスパラメータを算出するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の工程管理方法。
Calculating the process parameter comprises:
When each of two or more manufacturing processes among the plurality of manufacturing processes includes the same manufacturing apparatus, the product of interest is processed by the same manufacturing apparatus over the plurality of manufacturing processes. The process management method according to claim 1, further comprising a step of calculating a process parameter including the number of times.
前記プロセスパラメータを算出するステップは、
所定の製造装置において、着目する製品が処理される前に、他の製品が前記着目する製品と同一の処理条件で処理される回数を含むプロセスパラメータを算出するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の工程管理方法。
Calculating the process parameter comprises:
A predetermined manufacturing apparatus includes a step of calculating a process parameter including a number of times that another product is processed under the same processing conditions as the target product before the target product is processed. Item 6. The process management method according to Item 1.
前記歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別するステップの後に、
前記歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータに対応する製造工程または製造装置に対して、歩留り低下の原因をフィードバックするステップをさらに備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の工程管理方法。
After determining a process parameter having a large contribution to the yield,
The process according to any one of claims 1 to 6, further comprising a step of feeding back a cause of yield reduction to a manufacturing process or a manufacturing apparatus corresponding to a process parameter having a large contribution to the yield. Management method.
少なくとも1つの製造装置をそれぞれ含む複数の製造工程で処理されることにより製造される製品の製造工程を管理する工程管理システムであって、
前記製造装置ごとに処理履歴情報を収集する処理履歴情報収集手段と、
前記製造装置ごとに収集された前記処理履歴情報に基づいて、前記製品を処理する際のプロセスパラメータを算出する算出手段と、
歩留りを算出するための検査情報を収集する検査情報収集手段と、
前記プロセスパラメータおよび前記検査情報を用いて分析を行うことにより、歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータを判別する判別手段とを備えることを特徴とする工程管理システム。
A process management system for managing a manufacturing process of a product manufactured by being processed in a plurality of manufacturing processes each including at least one manufacturing apparatus,
Processing history information collecting means for collecting processing history information for each manufacturing apparatus;
Based on the processing history information collected for each of the manufacturing devices, calculating means for calculating a process parameter when processing the product,
Inspection information collection means for collecting inspection information for calculating yield;
A process management system comprising: a discriminating unit that discriminates a process parameter having a large contribution to the yield by performing an analysis using the process parameter and the inspection information.
前記歩留りへの寄与度が大きいプロセスパラメータに対応する製造工程または製造装置に対して、歩留り低下の原因をフィードバックするフィードバック手段をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の工程管理システム。   9. The process management system according to claim 8, further comprising feedback means for feeding back a cause of yield reduction to a manufacturing process or a manufacturing apparatus corresponding to a process parameter having a large contribution to the yield.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010119939A1 (en) * 2009-04-16 2010-10-21 シャープ株式会社 Process parameter selection apparatus, process parameter selection method, process parameter selection program, and program storage medium
WO2014078565A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-22 Spansion Llc Method and system for processing a wafer
JPWO2015075776A1 (en) * 2013-11-19 2017-03-16 富士機械製造株式会社 Inspection device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010119939A1 (en) * 2009-04-16 2010-10-21 シャープ株式会社 Process parameter selection apparatus, process parameter selection method, process parameter selection program, and program storage medium
JP2010267947A (en) * 2009-04-16 2010-11-25 Sharp Corp Process parameter selection apparatus, process parameter selection method, process parameter selection program, program recording medium, and production process management apparatus containing the process parameter selection apparatus
JP4663808B2 (en) * 2009-04-16 2011-04-06 シャープ株式会社 Process parameter selection apparatus, process parameter selection method, process parameter selection program, program recording medium, and manufacturing process management apparatus including the process parameter selection apparatus
WO2014078565A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-22 Spansion Llc Method and system for processing a wafer
US9523976B1 (en) 2012-11-15 2016-12-20 Cypress Semiconductor Corporation Method and system for processing a semiconductor wafer using data associated with previously processed wafers
JPWO2015075776A1 (en) * 2013-11-19 2017-03-16 富士機械製造株式会社 Inspection device

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