JP2007305943A - Substrate processor, and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form a film whose film thickness is stable even with chemical whose viscosity is low and is easily changed. <P>SOLUTION: A resist liquid feeder 2 feeds resist liquid to a substrate 12. In the feeding path, a viscosity measuring part 5 measures the viscosity of the resist liquid. The measurement of the viscosity is carried out by measuring a time when a float moving in the path according as the resist liquid is supplied moves in a fixed section. A control unit 8 which has received the result specifies a proper substrate processing revolving speed by referring to a table 31, in which the relationship of a necessary substrate processing revolving speed for forming a film whose film thickness is predetermined and a viscosity evaluation value is stored; and matches the revolving speed of a motor 7 with the above mentioned revolving speed. Thus, it is possible to constantly maintain the film thickness of the film to be formed even when the viscosity of the resist liquid is changed. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板上に薬液を供給し、当該基板を回転させることによって膜を当該基板上に形成する基板処理装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus that forms a film on a substrate by supplying a chemical solution onto the substrate and rotating the substrate.

近年、集積回路等の製作に用いられる半導体基板の口径は、増大傾向にある。同時に、基板上のパターンの集積度に対する要求も高まっている。したがって、半導体基板のフォトリソグラフィー工程においては、大口径の基板に対して、レジスト膜を薄く均一に形成することが求められている。たとえば、1〜2μm程度あるいはそれ以下の膜厚に、レジスト膜を形成することが求められている。   In recent years, the diameter of a semiconductor substrate used for manufacturing an integrated circuit or the like has been increasing. At the same time, there is an increasing demand for the degree of pattern integration on the substrate. Therefore, in a photolithography process of a semiconductor substrate, it is required to form a resist film thinly and uniformly on a large-diameter substrate. For example, it is required to form a resist film with a film thickness of about 1 to 2 μm or less.

このように大口径の基板に薄く均一にレジスト膜を形成するためには、使用するレジスト液は、粘度が低いものが望ましい。なぜなら、粘度が高いレジスト液においては、その粘度によって基板上においてレジスト液が盛り上がり、基板全体に薄く広げることが難しいからである。低粘度の薬液によりレジスト膜を形成させる基板処理装置の例としては、たとえば、図6に示す特許文献1に記載の装置が挙げられる。この装置は、薬液粘度の計測部と、薬液粘度を調整するための溶剤の供給機構とを備えており、得られる膜厚の制御を向上させることができる。
特開平10−340839号公報(1998年12月22日公開)
In order to form a thin and uniform resist film on a large-diameter substrate in this way, the resist solution used preferably has a low viscosity. This is because, in a resist solution having a high viscosity, the resist solution rises on the substrate due to the viscosity, and it is difficult to spread it thinly on the entire substrate. An example of a substrate processing apparatus that forms a resist film with a low-viscosity chemical solution is, for example, an apparatus described in Patent Document 1 shown in FIG. This apparatus includes a chemical viscosity measuring unit and a solvent supply mechanism for adjusting the chemical viscosity, and can improve the control of the obtained film thickness.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-340839 (published on December 22, 1998)

しかしながら、低粘度のレジスト液を使用する場合、形成されるレジスト膜の膜厚が、日によって一定しないという問題が生じる。   However, when a low-viscosity resist solution is used, there arises a problem that the thickness of the formed resist film is not constant from day to day.

これは、供給レジスト液の粘度が変動することが原因である。一般にレジスト液には揮発性の溶剤成分が含まれている。この溶剤成分が揮発することにより、粘度が変化しているのである。特に低粘度のレジスト液においては、溶剤成分が多く含まれているため、粘度の変動も大きい。   This is because the viscosity of the supplied resist solution varies. In general, the resist solution contains a volatile solvent component. The viscosity changes as the solvent component volatilizes. In particular, a low-viscosity resist solution contains a large amount of solvent components, so that the viscosity varies greatly.

これは、半導体基板へレジスト膜を形成する装置に限らず、基板上に薬液を塗布して所要の膜を形成する装置一般においても問題となる。   This becomes a problem not only in an apparatus for forming a resist film on a semiconductor substrate but also in an apparatus in general that forms a required film by applying a chemical solution on a substrate.

また前記特許文献1に記載の装置においては、必要な部品が増えるため、処理装置システム全体の構成が大きくなるという問題がある。   In addition, the apparatus described in Patent Document 1 has a problem in that the configuration of the entire processing apparatus system is increased because necessary parts are increased.

本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、薬液粘度の変動の影響を防止しつつ、均一な所定の厚さの膜を形成できる基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of forming a film having a uniform predetermined thickness while preventing the influence of fluctuations in chemical viscosity. Is to provide.

本発明に係る基板処理装置は、上記の課題を解決するために、基板上に薬液を供給し、当該基板を回転させることによって膜を上記基板上に形成する基板処理装置において、上記薬液を上記基板上へ供給する薬液供給手段と、上記薬液の粘度を、上記薬液を供給する経路中において測定する薬液粘度測定手段と、上記薬液の粘度に応じて上記基板の回転数を調整する回転数調整手段とを備えることを特徴としている。   In order to solve the above problems, a substrate processing apparatus according to the present invention supplies a chemical solution onto a substrate and rotates the substrate to form a film on the substrate. Chemical solution supply means for supplying onto the substrate, chemical solution viscosity measuring means for measuring the viscosity of the chemical solution in a route for supplying the chemical solution, and rotation speed adjustment for adjusting the rotation speed of the substrate according to the viscosity of the chemical solution Means.

上記の構成によれば、薬液粘度測定手段は、上記薬液を供給する経路中において、薬液供給手段から供給される薬液の粘度を測定する。そして、回転数調整手段は、前記薬液の粘度に応じて、所要の膜厚を得るために最適な回転数へと、前記基板の処理回転数を調整する。図4(b)に示すように、薬液の粘度の変化による、形成される膜厚の変化は、基板の処理回転数により補償できる。そのため、上記の構成によって、薬液粘度の変動の影響を防止できる。   According to said structure, a chemical | medical solution viscosity measurement means measures the viscosity of the chemical | medical solution supplied from a chemical | medical solution supply means in the path | route which supplies the said chemical | medical solution. Then, the rotational speed adjusting means adjusts the processing rotational speed of the substrate to an optimal rotational speed in order to obtain a required film thickness according to the viscosity of the chemical solution. As shown in FIG. 4B, a change in the formed film thickness due to a change in the viscosity of the chemical solution can be compensated by the processing rotation speed of the substrate. For this reason, the above-described configuration can prevent the influence of fluctuations in the chemical viscosity.

薬液粘度の変動の影響を防止できれば、粘度が変動しやすい低粘度の薬液でも、安定した膜厚の膜を形成できる。低粘度の薬液であれば、薬液の粘度による基板上の盛り上がりを防ぎ、均一で薄い膜を形成できる。したがって、上記の構成によれば、薬液粘度の変動の影響を防止しつつ、均一な所定の厚さの膜を形成できるという効果を奏する。   If the influence of fluctuations in the chemical liquid viscosity can be prevented, a film having a stable film thickness can be formed even with a low-viscosity chemical liquid whose viscosity tends to fluctuate. If it is a low-viscosity chemical | medical solution, the swelling on the board | substrate by the viscosity of a chemical | medical solution can be prevented, and a uniform and thin film | membrane can be formed. Therefore, according to said structure, there exists an effect that the film | membrane of uniform predetermined thickness can be formed, preventing the influence of the fluctuation | variation of a chemical | medical solution viscosity.

また、本発明にかかる基板処理方法は、上記の課題を解決するために、基板上に薬液を供給し、当該基板を回転させることによって膜を上記基板上に形成する基板処理方法において、上記薬液を上記基板上へ供給する薬液供給ステップと、上記薬液の粘度を、上記薬液を供給する経路中において測定する薬液粘度測定ステップと、上記薬液の粘度に応じて上記基板の回転数を調整する回転数調整ステップを含んでいることを特徴としている。   In addition, in order to solve the above-described problem, the substrate processing method according to the present invention supplies a chemical solution on the substrate and rotates the substrate to form a film on the substrate. A chemical solution supplying step for supplying the chemical solution onto the substrate, a chemical solution viscosity measuring step for measuring the viscosity of the chemical solution in a path for supplying the chemical solution, and a rotation for adjusting the number of revolutions of the substrate according to the viscosity of the chemical solution It includes a number adjustment step.

上記の構成によれば、本発明に係る基板処理装置と同様の作用効果を奏する。   According to said structure, there exists an effect similar to the substrate processing apparatus which concerns on this invention.

本発明に係る基板処理装置は、さらに、上記薬液粘度測定手段は、上記薬液を供給する経路内を移動する部材が、当該経路内の一定区間を通過する時間に基づいて、上記薬液の粘度を測定することが好ましい。   In the substrate processing apparatus according to the present invention, the chemical solution viscosity measuring means may further determine the viscosity of the chemical solution based on a time during which a member moving in the route for supplying the chemical solution passes through a certain section in the route. It is preferable to measure.

上記薬液の経路内の部材が当該経路内の一定区間を通過する時間は、当該部材の移動速度に依存する。また、当該部材の移動速度は、当該薬液の粘度に依存する。したがって上記薬液の経路内の部材が当該経路内の一定区間を通過する時間に基づいて、当該薬液の粘度を測定できる。   The time for which the member in the path of the chemical solution passes through a certain section in the path depends on the moving speed of the member. The moving speed of the member depends on the viscosity of the chemical solution. Therefore, the viscosity of the chemical solution can be measured based on the time for the members in the chemical solution path to pass through a certain section in the route.

上記の構成によれば、実際に上記基板へ供給される薬液の粘度が測定されるため、粘度の測定結果の信頼性が高い。同時に、当該薬液の粘度の測定のために一部の薬液を取り出す必要がないため、薬液の無駄を省けるというさらなる効果を奏する。   According to said structure, since the viscosity of the chemical | medical solution actually supplied to the said board | substrate is measured, the reliability of the viscosity measurement result is high. At the same time, since it is not necessary to take out a part of the chemical solution for measuring the viscosity of the chemical solution, there is an additional effect that the waste of the chemical solution can be eliminated.

本発明に係る基板処理装置は、さらに、上記部材は、上記薬液の供給に伴い上記経路中を移動するように、有効重量と、有効面積とが定められている浮子であることが好ましい。   In the substrate processing apparatus according to the present invention, it is preferable that the member is a float in which an effective weight and an effective area are determined so that the member moves in the path along with the supply of the chemical solution.

なお、有効重量とは当該浮子の重量から、当該浮子の当該薬液中における浮力を引いたものである。また、有効面積とは当該浮子の水平方向の断面積の最大値である。   The effective weight is obtained by subtracting the buoyancy of the float in the chemical solution from the weight of the float. The effective area is the maximum value of the horizontal cross-sectional area of the float.

上記の構成によれば、当該浮子は、上記薬液の供給時に、流体から受ける圧力によって上方へ移動する。また、上記薬液の供給停止時に、重力によって下方に移動する。したがって、上記部材を上記薬液の経路内で移動させることが、容易にできるというさらなる効果を奏する。   According to said structure, the said float moves upwards with the pressure received from a fluid at the time of supply of the said chemical | medical solution. In addition, when the supply of the chemical solution is stopped, it moves downward by gravity. Therefore, there is an additional effect that the member can be easily moved in the path of the chemical solution.

本発明に係る基板処理装置は、さらに、上記薬液粘度測定手段は、上記一定区間の両端上に配置され、上記経路内を移動する上記部材を検知する2組のセンサからの出力信号に基づき、上記薬液の粘度を測定することが好ましい。   In the substrate processing apparatus according to the present invention, the chemical viscosity measuring means is further disposed on both ends of the fixed section, based on output signals from two sets of sensors that detect the member moving in the path, It is preferable to measure the viscosity of the chemical solution.

なお、用いることができるセンサとしては、透過型、反射型、静電容量検知型、渦電流型のセンサが挙げられる。渦電流型のセンサを用いるときには、上記部材の材質には金属が含まれていることが好ましい。   Examples of sensors that can be used include transmission type, reflection type, capacitance detection type, and eddy current type sensors. When using an eddy current type sensor, the material of the member preferably contains metal.

上記の構成によれば、センサからの出力信号により、自動的に、上記部材の上記一定区間の通過時間を計測できるという効果を奏する。薬液の着色度に応じて、センサは透過型、反射型、静電容量検知型、渦電流型を適宜選択できる。渦電流型のセンサを用いるときには、上記部材の材質には金属が含まれていることが好ましい。渦電流型のセンサは、金属が発する渦電流を検知するからである。   According to said structure, there exists an effect that the passage time of the said fixed area of the said member can be automatically measured by the output signal from a sensor. Depending on the degree of coloration of the chemical, the sensor can be appropriately selected from a transmission type, a reflection type, a capacitance detection type, and an eddy current type. When using an eddy current type sensor, the material of the member preferably contains metal. This is because an eddy current type sensor detects an eddy current generated by a metal.

本発明に係る基板処理装置は、以上のように、上記薬液の粘度を、上記薬液を供給する経路中において測定する薬液粘度測定手段と、上記薬液の粘度に応じて上記基板の回転数を調整する回転数調整手段とを備えているので、供給される薬液の粘度が変動しても、所要の膜厚の膜を基板上に形成できる。   As described above, the substrate processing apparatus according to the present invention adjusts the rotation speed of the substrate according to the chemical solution viscosity measuring means for measuring the viscosity of the chemical solution in the route for supplying the chemical solution, and the viscosity of the chemical solution. Therefore, even if the viscosity of the supplied chemical solution fluctuates, a film having a required film thickness can be formed on the substrate.

本発明の実施の一形態について図1ないし図5に基づいて説明すれば、以下のとおりである。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

(基板処理装置1の要部機能)
図1は、本実施形態に係る基板処理装置1の要部機能を示すブロック図である。同図に示すように、この基板処理装置1は、レジスト液供給部2(薬液供給手段)、粘度測定部5(粘度測定手段)、ノズル6、モータ7、制御部8(回転数制御手段)を備えている。
(Main functions of the substrate processing apparatus 1)
FIG. 1 is a block diagram showing the main functions of the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment. As shown in the figure, the substrate processing apparatus 1 includes a resist solution supply unit 2 (chemical solution supply unit), a viscosity measurement unit 5 (viscosity measurement unit), a nozzle 6, a motor 7, and a control unit 8 (rotation speed control unit). It has.

モータ7は、基板12を回転させる。   The motor 7 rotates the substrate 12.

レジスト液供給部2は、ポンプ3と、薬液ボトル4とを備え、薬液供給手段として働く。薬液ボトル4は、レジスト液を貯蔵している。ポンプ3は、薬液ボトル4中のレジスト液を汲み上げて圧力をかけて基板12へと供給する。具体的には、レジスト液は、粘度測定部5を経て、ノズル6から基板12へと供給される。   The resist solution supply unit 2 includes a pump 3 and a chemical solution bottle 4 and functions as a chemical solution supply unit. The chemical solution bottle 4 stores a resist solution. The pump 3 pumps up the resist solution in the chemical solution bottle 4 and supplies it to the substrate 12 under pressure. Specifically, the resist solution is supplied from the nozzle 6 to the substrate 12 through the viscosity measuring unit 5.

粘度測定部5は粘度測定手段として働く。後述するように、粘度測定部5は、粘度測定部5内の部材が一定区間を移動するのにかかる時間を計測する。そしてその計測値を、粘度評価値として制御部8へと送信する。   The viscosity measuring unit 5 functions as a viscosity measuring unit. As will be described later, the viscosity measuring unit 5 measures the time taken for the members in the viscosity measuring unit 5 to move in a certain section. And the measured value is transmitted to the control part 8 as a viscosity evaluation value.

制御部8は、CPU9と、メモリ10とを備え、回転数調整手段として働く。メモリ10はテーブル31を記憶している。テーブル31は、図4(a)に示すように、あらかじめ想定される粘度の種々の値と、所要の膜厚を得るために必要な基板12の処理回転数との対応関係を、数値テーブルの形式に表したものである。粘度は、粘度評価値として、時間によって表されている。これは粘度測定部5から送信される測定結果に対応する。制御部8は、粘度測定部5から送信される測定結果に応じて、テーブル31を参照することによって、所要の膜厚を得るために必要な、基板12の処理回転数を特定する。そして特定された処理回転数に一致するように、モータ7の回転数を制御する。   The control unit 8 includes a CPU 9 and a memory 10 and functions as a rotation speed adjusting means. The memory 10 stores a table 31. As shown in FIG. 4A, the table 31 shows the correspondence between various values of the viscosity assumed in advance and the processing rotation number of the substrate 12 necessary for obtaining a required film thickness. It is expressed in the form. The viscosity is represented by time as a viscosity evaluation value. This corresponds to the measurement result transmitted from the viscosity measuring unit 5. The control unit 8 specifies the processing rotation number of the substrate 12 necessary for obtaining a required film thickness by referring to the table 31 according to the measurement result transmitted from the viscosity measurement unit 5. Then, the rotational speed of the motor 7 is controlled so as to coincide with the specified processing rotational speed.

なお、上述の説明では、粘度評価値の形式が時間の場合について説明したが、これに限るものではない。粘度評価値の形式は粘度そのものであってもよい。粘度測定部5内の部材が一定区間を移動するのにかかる時間から粘度を算出する処理をCPU9において行えば、本実施形態と略同様の効果が得られる。   In the above description, the case where the format of the viscosity evaluation value is time has been described, but the present invention is not limited to this. The form of the viscosity evaluation value may be the viscosity itself. If the CPU 9 performs the process of calculating the viscosity from the time taken for the member in the viscosity measuring unit 5 to move in a certain section, the same effect as in the present embodiment can be obtained.

ただし、本実施形態のように、粘度評価値の形式が時間の場合は、粘度を算出する処理が不要なので、処理が簡易となる。   However, when the format of the viscosity evaluation value is time as in the present embodiment, the processing is simplified because the processing for calculating the viscosity is unnecessary.

また、粘度測定部5からノズル6先端部までの配管内容積をあらかじめ求めておくことにより、レジスト液の粘度の測定結果を用いたフィードフォワード制御を、さらに厳密に行うことが可能となる。すなわち、粘度を測定したレジスト液が基板12上に供給される厳密なタイミングを計算して、基板12の処理回転数を制御できる。   Further, by obtaining the pipe internal volume from the viscosity measuring section 5 to the tip of the nozzle 6 in advance, it becomes possible to perform the feedforward control using the measurement result of the viscosity of the resist solution more strictly. That is, the exact rotation timing at which the resist solution whose viscosity has been measured is supplied onto the substrate 12 can be calculated to control the processing speed of the substrate 12.

(基板処理装置1の概略構成)
図2は、本実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す断面図である。同図を用いて、基板処理装置1の概略構成を以下に説明する。
(Schematic configuration of the substrate processing apparatus 1)
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. A schematic configuration of the substrate processing apparatus 1 will be described below with reference to FIG.

スピンチャック13は、基板12を略水平において真空吸着して保持している。モータ7は、回転軸14、スピンチャック13を介して、基板12を水平面内において回転させる。   The spin chuck 13 holds the substrate 12 by vacuum suction substantially horizontally. The motor 7 rotates the substrate 12 in a horizontal plane via the rotating shaft 14 and the spin chuck 13.

塗布液回収カップ15は、基板12とスピンチャック13とを収容する。塗布液回収カップ15は、余剰のレジスト液の周辺への飛散を防止し、その余剰のレジスト液を捕集して所定の塗布液回収経路へと導くものであり、樹脂または金属によってできている。その底部には、廃液および廃棄のためのドレイン孔16が設けられている。   The coating liquid recovery cup 15 accommodates the substrate 12 and the spin chuck 13. The coating liquid recovery cup 15 prevents splashing of the surplus resist liquid to the periphery, collects the surplus resist liquid, and guides it to a predetermined coating liquid recovery path, and is made of resin or metal. . A drain hole 16 for waste liquid and disposal is provided at the bottom.

チャンバ17は、塗布液回収カップ15の全体を完全に包囲しており、給気口25と排気口27とを備える。給気口25は、基板12の上方に形成されており、給気管路24を介して給気装置20と連結している。給気装置20は給気ファン21、給気量調節用ダンパ22、微粒子等の除去を目的とするフィルター23を備えている。そしてこの給気装置20から給気管路24および給気口25を通じて、クリーンルームと同じ一定の温湿度に調整された清浄空気がチャンバ17内へと供給される。一方、排気口27はチャンバ17の底部付近に形成されている。排気口27には排気管路30が連結されており、前記給気口25からチャンバ17内へ供給された空気はここから排出される。排気管路30中には排気量調節用ダンパ29が設けられている。排気ダンパ調整用モータ28によって、排気の流路方向に対する排気量調節用ダンパ29の開度を変化させることにより、排気管路30からの排気量を調節できる。これにより、前記給気口25からチャンバ17への給気量を一定とした場合にも、チャンバ17内の気圧を調節できる。   The chamber 17 completely surrounds the entire coating liquid recovery cup 15 and includes an air supply port 25 and an exhaust port 27. The air supply port 25 is formed above the substrate 12 and is connected to the air supply device 20 via the air supply line 24. The air supply device 20 includes an air supply fan 21, an air supply amount adjusting damper 22, and a filter 23 for the purpose of removing particulates and the like. Then, clean air adjusted to the same constant temperature and humidity as the clean room is supplied from the air supply device 20 through the air supply conduit 24 and the air supply port 25 into the chamber 17. On the other hand, the exhaust port 27 is formed near the bottom of the chamber 17. An exhaust pipe 30 is connected to the exhaust port 27, and air supplied from the air supply port 25 into the chamber 17 is exhausted therefrom. An exhaust amount adjusting damper 29 is provided in the exhaust pipe line 30. The exhaust amount from the exhaust pipe 30 can be adjusted by changing the opening degree of the exhaust amount adjusting damper 29 with respect to the exhaust flow direction by the exhaust damper adjusting motor 28. Thereby, even when the amount of air supplied from the air supply port 25 to the chamber 17 is constant, the atmospheric pressure in the chamber 17 can be adjusted.

その他、チャンバ17には、基板12の搬出入のための窓19が形成されている。この窓19は基板12の搬出入時以外は、蓋18により密閉されている。静圧センサ26はチャンバ17内の雰囲気圧を検知するために用いられる。基板12の上方には、レジスト液を基板12の上面に供給するためのノズル6が配置されている。   In addition, a window 19 for carrying in and out the substrate 12 is formed in the chamber 17. The window 19 is sealed with a lid 18 except when the substrate 12 is carried in and out. The static pressure sensor 26 is used to detect the atmospheric pressure in the chamber 17. Above the substrate 12, a nozzle 6 for supplying a resist solution to the upper surface of the substrate 12 is disposed.

(粘度測定部5の詳細な説明)
図3は、粘度測定部5の周辺の側面図である。以下、同図を参照して粘度測定部5を詳細に説明する。
(Detailed description of the viscosity measuring unit 5)
FIG. 3 is a side view of the periphery of the viscosity measuring unit 5. Hereinafter, the viscosity measuring unit 5 will be described in detail with reference to FIG.

粘度測定部5は、浮遊式流量計と兼用する形で構成されている。すなわち、一般的な浮遊式流量計にセンサを付加した構成であり、センサ32、33と、浮子36と、管37とからなる。   The viscosity measuring unit 5 is configured to be used also as a floating flow meter. That is, this is a configuration in which a sensor is added to a general floating flow meter, and includes sensors 32 and 33, a float 36, and a tube 37.

管37、アーム下部35、ノズルアーム34、ノズル6はそれぞれ中空である。薬液供給手段2によりアーム下部35から供給されるレジスト液は、粘度測定部5、ノズルアーム34を通って、ノズル6から基板12へと供給される。   The pipe 37, the arm lower part 35, the nozzle arm 34, and the nozzle 6 are hollow. The resist solution supplied from the arm lower portion 35 by the chemical solution supply means 2 is supplied from the nozzle 6 to the substrate 12 through the viscosity measuring unit 5 and the nozzle arm 34.

浮子36は、浮遊式流量計に用いられる浮子であり、管37に封入されている。管37は鉛直方向に設置されている。レジスト液は管37の下方から供給される。レジスト液が供給されると、浮子36は、流体の圧力により、管37の上部へ移動する。レジスト液の供給が停止すると、浮子36は、重力により管37の下部へと移動する。   The float 36 is a float used for a floating flowmeter, and is enclosed in a tube 37. The tube 37 is installed in the vertical direction. The resist solution is supplied from below the tube 37. When the resist solution is supplied, the float 36 moves to the upper part of the tube 37 by the pressure of the fluid. When the supply of the resist solution is stopped, the float 36 moves to the lower part of the tube 37 by gravity.

センサ32、33は、浮子36の通過を検知するセンサである。これらは管37の側部に一定区間を離して設置されている。浮子36が上部に設置されたセンサ32の前を通過した時点において時間計測タイマーを動作させ、下部に設置されたセンサ33の前を通過した時点において時間計測タイマーを停止する。これによって浮子36が一定区間を通過する時間を計測し、制御部8に送信する。あるいは、それぞれのセンサの前を通過したという信号をそのまま制御部8に送信して、制御部8内において通過にかかった時間を算出しても良い。   The sensors 32 and 33 are sensors that detect the passage of the float 36. These are installed on the side of the pipe 37 at a certain interval. The time measurement timer is operated when the float 36 passes in front of the sensor 32 installed at the upper part, and the time measurement timer is stopped when it passes through the sensor 33 installed at the lower part. As a result, the time required for the float 36 to pass through the predetermined section is measured and transmitted to the control unit 8. Alternatively, a signal indicating that each sensor has passed may be transmitted to the control unit 8 as it is, and the time taken for the passage in the control unit 8 may be calculated.

このとき使用するセンサ32、33は透過型センサ、反射型センサ、静電容量検知型センサを用いることが可能であり、レジスト液の着色度に応じて適宜選択すればよく、また、センサ32、33が同じ形式のセンサでなくとも良い。また検知対象とした浮子の材質が金属を含むものであれば、渦電流型センサも使用可能である。   As the sensors 32 and 33 used at this time, a transmission type sensor, a reflection type sensor, or a capacitance detection type sensor can be used, and may be appropriately selected according to the degree of coloring of the resist solution. 33 need not be the same type of sensor. In addition, if the material of the floating object to be detected includes a metal, an eddy current sensor can also be used.

なお、上述の説明では、粘度測定部5を浮遊式流量計と兼用する場合について説明したが、これに限るものではない。他の形式の流量計と兼用してもよいし、あるいはまったく兼用しなくとよい。その場合、浮子36は、一般的な浮遊式流量計に用いられる浮子状の部材か、それ以外の部材で、レジスト液の供給に伴って管37内を移動するように、有効重量と、有効面積とが、設定してあればよい。   In the above description, the case where the viscosity measuring unit 5 is also used as a floating flow meter has been described, but the present invention is not limited to this. It may be combined with another type of flow meter or may not be combined at all. In that case, the float 36 is a float-like member used in a general floating flow meter, or other member, and an effective weight and an effective weight so that the float 36 moves in the tube 37 as the resist solution is supplied. What is necessary is just to set the area.

これを詳しく述べると、まず、上記薬液が上記経路中に供給されると、当該経路中に存在する浮子36には、運動流体の圧力によって、式1に示されるような差圧がかかる。   More specifically, first, when the chemical liquid is supplied into the path, a differential pressure as shown in Equation 1 is applied to the float 36 existing in the path due to the pressure of the kinetic fluid.

Q=αA√(2ΔP/ρ) ・・・ 式1
ただし、Qは上記レジスト液の流量、αは流出係数、Aは、浮子36と管37の間に作られた流体の通過可能な部分の面積、ρは流体の密度、ΔPは差圧である。
Q = αA√ (2ΔP / ρ) Equation 1
Where Q is the flow rate of the resist solution, α is the outflow coefficient, A is the area of the fluid passage between the float 36 and the tube 37, ρ is the density of the fluid, and ΔP is the differential pressure. .

ここで、浮子36の有効重量と、有効面積とを、式2に表す条件が成り立つように設定する。   Here, the effective weight and effective area of the float 36 are set so that the condition expressed by Equation 2 is satisfied.

aΔPmax>W ∧ W>aΔPmin ・・・ 式2
ただし、Wは浮子の有効重量、aは浮子の有効面積、ΔPmaxは上方への差圧の最大値、ΔPminは上方への差圧の最小値である。
aΔPmax>W∧W> aΔPmin Expression 2
Where W is the effective weight of the float, a is the effective area of the float, ΔPmax is the maximum value of the differential pressure upward, and ΔPmin is the minimum value of the differential pressure upward.

当該浮子が上方への差圧を最も大きく受けているときには、当該浮子の全有効面積にかかる差圧が当該浮子の重量より大きいため、当該浮子は上方へ移動する。一方、当該浮子が上方への差圧を最も小さく受けている、あるいはまったく受けていないときには、当該浮子の全有効面積にかかる差圧が当該浮子の重量より小さいため、当該浮子は下方へ移動する。当該浮子が上方への差圧を最も大きく受けているときとは、たとえば上記薬液の供給時であり、当該浮子が上方への差圧を最も小さく受けているときとは、たとえば上記薬液の供給停止時である。   When the floating element receives the largest differential pressure upward, the floating element moves upward because the differential pressure applied to the entire effective area of the floating element is larger than the weight of the floating element. On the other hand, when the floating element receives the smallest differential pressure upward or not at all, the differential pressure applied to the entire effective area of the floating element is smaller than the weight of the floating element, so that the floating element moves downward. . When the float receives the largest differential pressure upward, for example, when supplying the chemical solution, and when the float receives the lowest differential pressure, for example, supply the chemical solution. It is when it stops.

ΔPmaxと、ΔPminのそれぞれの値は、それぞれの場合における流量から式1を使用して計算するか、それぞれの場合について差圧を実測することにより求められる。   Each value of ΔPmax and ΔPmin can be calculated from the flow rate in each case using Equation 1 or by actually measuring the differential pressure in each case.

これにより、本実施形態と同様に、浮子36は、レジスト液の供給時に管37の上部へ、供給停止時に管37の下部へと移動する。   Accordingly, as in the present embodiment, the float 36 moves to the upper portion of the tube 37 when the resist solution is supplied, and moves to the lower portion of the tube 37 when the supply is stopped.

ただし、本実施形態のように、粘度測定部5を流量計と兼用する場合は、基板処理装置1全体の部品数を抑えられる。   However, when the viscosity measuring unit 5 is also used as a flow meter as in the present embodiment, the number of parts of the entire substrate processing apparatus 1 can be suppressed.

(基板処理装置1における基板処理の手順)
図5は、本実施形態に係る基板処理装置1における、基板処理の手順を示したフローチャートである。以下同図に基づき、基板12の処理回転数の調整を中心に、基板処理装置1における基板処理の手順を説明する。
(Substrate processing procedure in the substrate processing apparatus 1)
FIG. 5 is a flowchart showing a substrate processing procedure in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. Hereinafter, the substrate processing procedure in the substrate processing apparatus 1 will be described based on the adjustment of the processing speed of the substrate 12 with reference to FIG.

なお、以下においては、この発明の適用範囲の種々の例を総合的に説明するために、
(i)あらかじめ指定した粘度に応じて基板12の初期処理回転数の調整をすること、
(ii)基板12へのレジスト液の塗布の前に、待避位置において試行的にレジスト液を吐出し、その際の粘度の測定結果から基板12の処理回転数の調整をすること、
(iii)実際に基板12へレジスト液を塗布することと平行して当該レジスト液の粘度を測定し、その結果から基板12の処理回転数の調整をすること、
のすべてを総合的に行うように説明している。しかしながら、実際にはこれらのうちひとつだけを実行してもよく、また任意の複数の組み合わせを実行しても良い。
In the following, in order to comprehensively explain various examples of the scope of application of the present invention,
(I) adjusting the initial processing rotational speed of the substrate 12 according to the viscosity designated in advance;
(Ii) Before applying the resist solution to the substrate 12, trially discharging the resist solution at the retracted position, and adjusting the processing rotation speed of the substrate 12 from the measurement result of the viscosity at that time,
(Iii) measuring the viscosity of the resist solution in parallel with actually applying the resist solution to the substrate 12, and adjusting the processing speed of the substrate 12 from the result;
It is explained to do all of the above comprehensively. However, in practice, only one of them may be executed, or any combination of a plurality of them may be executed.

まず、基板処理装置1のCPU9は、メモリ10上にテーブル31が記憶されているかをチェックする(ステップS1)。もしテーブル31が記憶されていれば、ステップS3〜S4を省略し、ステップS5へと移る(ステップS2)。   First, the CPU 9 of the substrate processing apparatus 1 checks whether the table 31 is stored on the memory 10 (step S1). If the table 31 is stored, steps S3 to S4 are omitted, and the process proceeds to step S5 (step S2).

テーブル31が記憶されていなかった場合、基板処理装置1のユーザーは、種々の粘度のレジスト液に対して、所要の厚さの膜を形成するために必要な基板12の処理回転数を実測する(ステップS3)。これは、(i)種々の粘度を持つレジスト液を用意し、(ii)それぞれについて、基板12の処理回転数を変化させながら膜形成作業を行い、(iii)得られた膜の膜厚を膜厚測定器11によって測定し、検証することにより実現できる。たとえば、図4(b)に示すような測定結果を得れば、種々の粘度のレジスト液において、膜厚を所定の値にするために、必要な基板処理回転数を得ることができる。そして、得られた対応関係を、図4(a)に示すようなテーブル31の形にして、制御部8のメモリ10に記憶させる(ステップS4)。ここまでの作業は、装置メーカー等において行ってもよい。また、定期的に行うことにより、テーブル31を常に最新の状態へと書き換えることもできる。この場合、メモリ10上に新規入力受付領域を確保しておくことが必要となる。   When the table 31 is not stored, the user of the substrate processing apparatus 1 measures the processing rotational speed of the substrate 12 necessary for forming a film having a required thickness with respect to resist solutions having various viscosities. (Step S3). This consists of (i) preparing resist solutions having various viscosities, (ii) performing film forming operations while changing the processing speed of the substrate 12 for each, and (iii) changing the film thickness of the obtained film It can be realized by measuring and verifying with the film thickness measuring instrument 11. For example, if a measurement result as shown in FIG. 4B is obtained, a necessary substrate processing rotation speed can be obtained in order to obtain a predetermined film thickness in resist solutions having various viscosities. Then, the obtained correspondence relationship is stored in the memory 10 of the control unit 8 in the form of a table 31 as shown in FIG. 4A (step S4). The work so far may be performed by a device manufacturer or the like. In addition, the table 31 can be always rewritten to the latest state by performing periodically. In this case, it is necessary to secure a new input reception area on the memory 10.

データ入力が終了すれば、基板処理装置1は、レジスト膜形成処理のための一連のプロセスを開始する(ステップS5)。   When the data input is completed, the substrate processing apparatus 1 starts a series of processes for resist film formation processing (step S5).

まず、給気装置20は、基板12がチャンバ17へ搬入される前に作動を開始し、以後のチャンバ17内の環境温度と湿度とを一定に保つ。   First, the air supply device 20 starts operating before the substrate 12 is carried into the chamber 17, and keeps the environmental temperature and humidity in the chamber 17 thereafter constant.

チャンバ17における給気と排気とが安定した後、ノズル6を待避位置に移し、試行的にレジスト液を吐出する。粘度測定部5は、レジスト液の粘度を測定する(ステップS6)。   After the supply and exhaust of air in the chamber 17 are stabilized, the nozzle 6 is moved to the retracted position, and the resist solution is discharged on a trial basis. The viscosity measuring unit 5 measures the viscosity of the resist solution (step S6).

粘度測定部5は、制御部8に粘度評価値を送信する。制御部8のCPU9は、メモリ10上のテーブル31上において、測定された粘度評価値を含む対応関係を検索する(ステップS7)。そしてCPU9は、測定された粘度評価値を含む対応関係が、テーブル31上に存在する場合には、その対応関係に従って基板12の処理回転数を特定する。測定された粘度評価値を含む対応関係が存在しない場合には、最も近い粘度評価値を含む対応関係を参照し、テーブル31上の基板処理回転数の数値列の内挿(補間)または外挿によって、基板12の処理回転数を特定する。以上により特定した値を、回転数制御指令値としてモータ7に出力する。   The viscosity measuring unit 5 transmits the viscosity evaluation value to the control unit 8. The CPU 9 of the control unit 8 searches the correspondence relationship including the measured viscosity evaluation value on the table 31 on the memory 10 (step S7). If the correspondence including the measured viscosity evaluation value exists on the table 31, the CPU 9 specifies the processing rotational speed of the substrate 12 according to the correspondence. When there is no correspondence including the measured viscosity evaluation value, the correspondence including the closest viscosity evaluation value is referred to, and interpolation (interpolation) or extrapolation of the numerical sequence of the substrate processing rotation speed on the table 31 is performed. To specify the processing speed of the substrate 12. The value specified above is output to the motor 7 as the rotation speed control command value.

モータ7は回転数制御指令値に一致するように回転数を調整する(ステップS8)。基板12がチャンバ17に搬入され、スピンチャック13によって保持される。そして、レジスト液がノズル6より基板12上に供給される。供給されたレジスト液は基板12の回転により、基板12の表面上に均一に塗布される。   The motor 7 adjusts the rotational speed so as to coincide with the rotational speed control command value (step S8). The substrate 12 is carried into the chamber 17 and held by the spin chuck 13. Then, a resist solution is supplied onto the substrate 12 from the nozzle 6. The supplied resist solution is uniformly applied on the surface of the substrate 12 by the rotation of the substrate 12.

次に、CPU9は、一連のレジスト液の塗布作業の完了を指示する割り込み信号をチェックし(ステップS9)、割り込み信号の有無を判断する(ステップS10)。割り込み信号が無ければ、次の処理に向けたレジスト液供給のためポンプ3が駆動し、レジスト液の粘度の測定ステップ(ステップS6)へと戻る。このようなループ処理を繰り返すことにより、レジスト液の溶剤成分の揮発などによってレジスト液の粘度に時間的変動が生じた場合には、それに追従して基板12の処理回転数を適正な値へと変化させることができる。   Next, the CPU 9 checks an interrupt signal for instructing completion of a series of resist solution coating operations (step S9), and determines the presence or absence of the interrupt signal (step S10). If there is no interrupt signal, the pump 3 is driven to supply the resist solution for the next processing, and the process returns to the step of measuring the viscosity of the resist solution (step S6). By repeating such a loop process, when a temporal variation occurs in the viscosity of the resist solution due to volatilization of the solvent component of the resist solution, the processing rotational speed of the substrate 12 is adjusted to an appropriate value following the fluctuation. Can be changed.

また、ステップS10において、完了を指示する割り込み信号があれば、このような監視調整ルーチンから抜け出して、一連の基板12へのレジスト液の塗布作業が完了する。   In step S10, if there is an interrupt signal instructing completion, the process exits from such a monitoring and adjustment routine, and a series of operations for applying the resist solution to the substrate 12 is completed.

なお、上述の説明では、基板12の処理回転数を特定するために、粘度評価値と適切な基板12の処理回転数との対応関係をテーブル化する場合について説明したが、これに限るものではない。前記対応関係を、近似関数を用いて関数化してもよい。ここでいう近似関数とは、粘度評価値を引数として、適切な基板12の処理回転数の近傍を求める関数である。制御部8は、この関数を用いて、粘度測定部5から受信した粘度評価値から、所要の膜厚の膜を形成するのに必要な、基板12の処理回転数を特定することができる。   In the above description, in order to specify the processing rotational speed of the substrate 12, the correspondence relationship between the viscosity evaluation value and the appropriate processing rotational speed of the substrate 12 has been described as a table. However, the present invention is not limited to this. Absent. The correspondence relationship may be converted into a function using an approximate function. The approximate function here is a function for obtaining the vicinity of the appropriate processing speed of the substrate 12 using the viscosity evaluation value as an argument. Using this function, the control unit 8 can specify the processing rotational speed of the substrate 12 necessary for forming a film having a required film thickness from the viscosity evaluation value received from the viscosity measurement unit 5.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲において種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲において適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims. That is, embodiments obtained by combining technical means appropriately changed within the scope of the claims are also included in the technical scope of the present invention.

本発明は、大口径の基板に対して、薄く均一な膜を形成する基板処理装置に好適に利用することができる。   The present invention can be suitably used in a substrate processing apparatus that forms a thin and uniform film on a large-diameter substrate.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の要部機能を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part function of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る粘度測定部の周辺の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the periphery of the viscosity measurement part which concerns on one Embodiment of this invention. (a)は本発明の一実施形態に係る回転数調整手段において使用されるテーブルの構造を示す説明図であり、(b)はレジスト液の粘度を変化させたときの、基板処理回転数と、形成される膜の膜厚との関係を示したグラフである。(A) is explanatory drawing which shows the structure of the table used in the rotation speed adjustment means based on one Embodiment of this invention, (b) is a board | substrate process rotation speed when changing the viscosity of a resist liquid, It is the graph which showed the relationship with the film thickness of the film | membrane formed. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の基板処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the substrate processing of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 従来技術に係る基板処理装置の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the substrate processing apparatus which concerns on a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板処理装置
2 レジスト液供給部(薬液供給手段)
5 粘度測定部(粘度測定手段)
6 ノズル
7 モータ
8 制御部(回転数制御手段)
12 基板
31 テーブル
32、33 センサ
36 浮子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Resist liquid supply part (chemical solution supply means)
5 Viscosity measuring part (viscosity measuring means)
6 Nozzle 7 Motor 8 Control part (rotational speed control means)
12 Substrate 31 Table 32, 33 Sensor 36 Float

Claims (9)

基板上に薬液を供給し、当該基板を回転させることによって膜を上記基板上に形成する基板処理装置において、
上記薬液を上記基板上へ供給する薬液供給手段と、
上記薬液の粘度を、上記薬液を供給する経路中において測定する薬液粘度測定手段と、
上記薬液の粘度に応じて上記基板の回転数を調整する回転数調整手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus for forming a film on the substrate by supplying a chemical solution onto the substrate and rotating the substrate,
Chemical supply means for supplying the chemical to the substrate;
A chemical viscosity measuring means for measuring the viscosity of the chemical in the path for supplying the chemical,
A substrate processing apparatus comprising: a rotation speed adjusting unit that adjusts the rotation speed of the substrate according to the viscosity of the chemical solution.
上記薬液粘度測定手段は、上記薬液を供給する経路内を移動する部材が、当該経路内の一定区間を通過する時間に基づいて、上記薬液の粘度を測定することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。   The said chemical | medical solution viscosity measuring means measures the viscosity of the said chemical | medical solution based on the time for the member which moves in the path | route which supplies the said chemical | medical solution to pass through the fixed area in the said path | route. The substrate processing apparatus as described. 上記部材は、上記薬液の供給に伴い上記経路中を移動するように、有効重量と、有効面積とが定められている浮子であることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the member is a float whose effective weight and effective area are determined so as to move in the path along with the supply of the chemical solution. 上記薬液粘度測定手段は、上記一定区間の両端上に配置され、上記経路内を移動する上記部材を検知する2組のセンサからの出力信号に基づき、上記薬液の粘度を測定することを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。   The medicinal solution viscosity measuring means is arranged on both ends of the fixed section and measures the viscosity of the medicinal solution based on output signals from two sets of sensors that detect the member moving in the path. The substrate processing apparatus according to claim 2. 上記2組のセンサは、透過型のセンサであることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the two sets of sensors are transmissive sensors. 上記2組のセンサは、反射型のセンサであることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the two sets of sensors are reflective sensors. 上記2組のセンサは、静電容量検知型のセンサであることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the two sets of sensors are capacitance detection type sensors. 上記部材は、材質に金属を含むものであり、上記2組のセンサは、渦電流型のセンサであることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。   5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the member includes a metal as a material, and the two sets of sensors are eddy current type sensors. 基板上に薬液を供給し、当該基板を回転させることによって膜を上記基板上に形成する基板処理方法において、
上記薬液を上記基板上へ供給する薬液供給ステップと、
上記薬液の粘度を、上記薬液を供給する経路中において測定する薬液粘度測定ステップと、
上記薬液の粘度に応じて上記基板の回転数を調整する回転数調整ステップとを含んでいることを特徴とする基板処理方法。
In the substrate processing method of forming a film on the substrate by supplying a chemical solution onto the substrate and rotating the substrate,
A chemical supply step for supplying the chemical onto the substrate;
A chemical solution viscosity measuring step for measuring the viscosity of the chemical solution in a path for supplying the chemical solution;
And a rotation speed adjustment step of adjusting the rotation speed of the substrate in accordance with the viscosity of the chemical solution.
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