JP2007281007A - Substrate conveyance method, substrate conveyance apparatus and exposure apparatus - Google Patents

Substrate conveyance method, substrate conveyance apparatus and exposure apparatus Download PDF

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Noriyuki Hirayanagi
徳行 平柳
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To easily and surely remove a substrate from an electrostatic chuck concerning a substrate conveyance method for conveying substrates such as wafer, reticle or the like, a substrate conveyance apparatus and an exposure apparatus. <P>SOLUTION: The substrate conveyance method is used to convey a substrate which is arranged on the suction face of an electrostatic chuck. When the substrate is removed from the suction face; a conductive holding member holding the substrate is earthed, and the power supply of the electrostatic chuck is turned off. Then, while the holding member is kept in contact with the substrate; it is stopped for a specified time, and it is moved to remove the substrate from the suction face thereafter. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウエハ、レチクル等の基板の搬送を行う基板搬送方法、基板搬送装置および露光装置に関する。   The present invention relates to a substrate transfer method, a substrate transfer apparatus, and an exposure apparatus for transferring a substrate such as a wafer and a reticle.

真空中で使用される電子線露光装置、EUV露光装置等の露光装置では、ウエハ、レチクル等の基板を保持するために静電チャックが使用されている。そして、電子線露光装置では、ウエハに導通ピンを接触してウエハ上の電荷を取り除くことが行われている。
一方、EUV露光装置では、光源に荷電粒子線を使用しないため、必ずしもウエハ上の電荷を取り除く必要はない。
特開平7−37962号公報
In an exposure apparatus such as an electron beam exposure apparatus or an EUV exposure apparatus used in a vacuum, an electrostatic chuck is used to hold a substrate such as a wafer or a reticle. In an electron beam exposure apparatus, a conductive pin is brought into contact with the wafer to remove charges on the wafer.
On the other hand, in an EUV exposure apparatus, since charged particle beams are not used as a light source, it is not always necessary to remove charges on the wafer.
JP 7-37962 A

しかしながら、一般に、静電チャックに吸着された基板には、静電チャックの電源をオフにした後にも電荷が残存するため、静電チャックから基板を離脱する際に残留吸着力が働き離脱応答性が悪化するという問題がある。
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、静電チャックから基板を容易,確実に離脱することができる基板搬送方法、基板搬送装置および露光装置を提供することを目的とする。
However, in general, since the electric charge remains on the substrate attracted to the electrostatic chuck even after the electrostatic chuck is turned off, the residual attracting force acts when the substrate is detached from the electrostatic chuck, and the release response There is a problem that gets worse.
The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a substrate transport method, a substrate transport apparatus, and an exposure apparatus that can easily and reliably detach a substrate from an electrostatic chuck. To do.

第1の発明の基板搬送方法は、静電チャックの吸着面に配置される基板を搬送する基板搬送方法において、前記基板の前記吸着面からの離脱時に前記基板を保持する導電性の保持部材を接地し、前記静電チャックの電源をオフにした後、前記保持部材を前記基板に接触した状態で所定時間停止し、この後、前記保持部材を移動して前記吸着面から前記基板を離脱することを特徴とする。   A substrate transport method according to a first aspect of the present invention is a substrate transport method for transporting a substrate disposed on an attracting surface of an electrostatic chuck, wherein a conductive holding member that retains the substrate when the substrate is detached from the attracting surface. After grounding and turning off the power of the electrostatic chuck, the holding member is stopped for a predetermined time in contact with the substrate, and then the holding member is moved to detach the substrate from the attracting surface. It is characterized by that.

第2の発明の基板搬送方法は、第1の発明の基板搬送方法において、前記保持部材は、前記基板を搬送するロボットハンドに設けられていることを特徴とする。
第3の発明の基板搬送方法は、第1の発明の基板搬送方法において、前記保持部材は、前記基板を前記静電チャックから持ち上げる持ち上げ機構に設けられていることを特徴とする。
A substrate transport method according to a second invention is the substrate transport method according to the first invention, wherein the holding member is provided in a robot hand that transports the substrate.
A substrate transport method according to a third aspect is the substrate transport method according to the first aspect, wherein the holding member is provided in a lifting mechanism that lifts the substrate from the electrostatic chuck.

第4の発明の基板搬送方法は、第1の発明の基板搬送方法において、前記保持部材は、前記基板を保護する保護カバーに設けられていることを特徴とする。
第5の発明の基板搬送装置は、静電チャックの吸着面に配置される基板を搬送するロボットハンドを備えた基板搬送装置において、前記ロボットハンドに、前記吸着面に配置される前記基板を前記吸着面から離脱させて保持する導電性の保持部材を設け、前記保持部材を前記ロボットハンド側で接地してなることを特徴とする。
A substrate transport method according to a fourth aspect of the present invention is the substrate transport method according to the first aspect, wherein the holding member is provided on a protective cover that protects the substrate.
A substrate transport apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the substrate transport apparatus including a robot hand that transports a substrate disposed on the suction surface of the electrostatic chuck, wherein the substrate disposed on the suction surface is placed on the robot hand. A conductive holding member is provided that is separated from the suction surface and is held, and the holding member is grounded on the robot hand side.

第6の発明の基板搬送装置は、静電チャックの吸着面に配置される基板を前記静電チャックから持ち上げる持ち上げ機構を備えた基板搬送装置において、前記持ち上げ機構に、前記吸着面に配置される前記基板を前記吸着面から離脱させて保持する導電性の保持部材を設け、前記保持部材を前記持ち上げ機構側で接地してなることを特徴とする。
第7の発明の基板搬送装置は、静電チャックの吸着面に配置される基板を、前記基板を保護する保護カバーを介して搬送するロボットハンドを備えた基板搬送装置において、前記保護カバーを導電性材料により形成し前記ロボットハンド側で接地してなることを特徴とする。
A substrate transfer apparatus according to a sixth aspect of the present invention is a substrate transfer apparatus including a lifting mechanism that lifts a substrate disposed on the suction surface of the electrostatic chuck from the electrostatic chuck, and is disposed on the suction surface in the lifting mechanism. A conductive holding member is provided to hold the substrate separated from the suction surface, and the holding member is grounded on the lifting mechanism side.
A substrate transport apparatus according to a seventh aspect of the present invention is a substrate transport apparatus including a robot hand that transports a substrate disposed on an attracting surface of an electrostatic chuck via a protective cover that protects the substrate, wherein the protective cover is electrically conductive. It is characterized by being formed of a conductive material and grounded on the robot hand side.

第8の発明の基板搬送装置は、静電チャックの吸着面に配置される基板を、前記基板を保護する保護カバーを介して搬送するロボットハンドを備えた基板搬送装置において、前記保護カバーに、前記吸着面に配置される前記基板を保持する導電性の保持部材を設け、前記保持部材を前記ロボットハンド側で接地してなることを特徴とする。
第9の発明の基板搬送装置は、第8の発明の基板搬送装置において、前記保持部材を、前記保護カバーに形成される導体部を介して前記ロボットハンド側に導通してなることを特徴とする。
A substrate transport apparatus according to an eighth aspect of the present invention is the substrate transport apparatus including a robot hand that transports the substrate disposed on the suction surface of the electrostatic chuck via the protective cover that protects the substrate. A conductive holding member for holding the substrate disposed on the suction surface is provided, and the holding member is grounded on the robot hand side.
A substrate transport apparatus according to a ninth aspect is characterized in that, in the substrate transport apparatus according to the eighth aspect, the holding member is conducted to the robot hand side through a conductor portion formed on the protective cover. To do.

第10の発明の基板搬送装置は、第9の発明の基板搬送装置において、前記ロボットハンドに前記保護カバーを支持する導電性の支持部材を設け、前記支持部材を前記導体部に接触してなることを特徴とする。
第11の発明の基板搬送装置は、第7ないし第10のいずれか1の発明の基板搬送装置において、前記基板はレチクルであり、前記静電チャックの下面に前記吸着面が形成されていることを特徴とする。
A substrate transfer apparatus according to a tenth invention is the substrate transfer apparatus according to the ninth invention, wherein a conductive support member that supports the protective cover is provided on the robot hand, and the support member is in contact with the conductor portion. It is characterized by that.
According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided the substrate transfer apparatus according to any one of the seventh to tenth aspects, wherein the substrate is a reticle, and the suction surface is formed on a lower surface of the electrostatic chuck. It is characterized by.

第12の発明の基板搬送装置は、第11の発明の基板搬送装置において、前記保護カバーは、前記レチクルを覆って着脱可能に配置される複数のカバー部材の一部であり、前記レチクルのパターンを覆って着脱可能に配置されるカバー部材であることを特徴とする。
第13の発明の露光装置は、第5ないし第12のいずれか1の発明の基板搬送装置を有することを特徴とする。
A substrate transfer apparatus according to a twelfth aspect is the substrate transfer apparatus according to the eleventh aspect, wherein the protective cover is a part of a plurality of cover members that are detachably disposed so as to cover the reticle. It is a cover member arrange | positioned so that attachment or detachment is possible.
An exposure apparatus according to a thirteenth aspect includes the substrate transfer apparatus according to any one of the fifth to twelfth aspects.

本発明では、静電チャックから基板を容易,確実に離脱することができる。   In the present invention, the substrate can be easily and reliably detached from the electrostatic chuck.

以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の基板搬送装置の第1の実施形態を示している。
露光チャンバ11には、レチクルステージ12が配置されている。露光チャンバ11の一側には、真空ロボット13が配置されるロボットチャンバ14が設けられている。ロボットチャンバ14の片側には、真空レチクルライブラリ15が設けられ、他側には、クリーンフィルタポッドオープナ(以下CFPオープナという)16が設けられている。露光チャンバ11、ロボットチャンバ14、真空レチクルライブラリ15およびCFPオープナ16は、真空雰囲気とされている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 shows a first embodiment of the substrate transfer apparatus of the present invention.
A reticle stage 12 is arranged in the exposure chamber 11. On one side of the exposure chamber 11, a robot chamber 14 in which a vacuum robot 13 is disposed is provided. A vacuum reticle library 15 is provided on one side of the robot chamber 14, and a clean filter pod opener (hereinafter referred to as CFP opener) 16 is provided on the other side. The exposure chamber 11, the robot chamber 14, the vacuum reticle library 15, and the CFP opener 16 are in a vacuum atmosphere.

ロボットチャンバ14の露光チャンバ11に対向する位置には、ロードロック室17が配置されている。ロードロック室17は、第2のゲートバルブ18を介してロボットチャンバ14に連通されている。また、第1のゲートバルブ19を介して大気中に連通されている。
ロードロック室17の外側には、第2の大気ロボット20を介してレチクルキャリアオープナ21が配置されている。レチクルキャリアオープナ21の外側には、第1の大気ロボット22を介して大気レチクルライブラリ23が配置されている。
A load lock chamber 17 is arranged at a position facing the exposure chamber 11 of the robot chamber 14. The load lock chamber 17 communicates with the robot chamber 14 via the second gate valve 18. Further, the air is communicated with the atmosphere via the first gate valve 19.
A reticle carrier opener 21 is disposed outside the load lock chamber 17 via a second atmospheric robot 20. An atmospheric reticle library 23 is arranged outside the reticle carrier opener 21 via a first atmospheric robot 22.

上述した基板搬送装置では、大気レチクルライブラリ23には、図2に示すように、露光に使用されるEUVL用のレチクル25が、レチクルキャリア26およびクリーンフィルタポッド(以下CFPという)27により2重に保護された状態で置かれている。CFP27は減圧雰囲気中においてレチクル25を保護する保護カバーとしての機能を有する。
大気レチクルライブラリ23に置かれたレチクルキャリア26は、第1の大気ロボット22によりレチクルキャリアオープナ21に搬送される。そして、レチクルキャリアIDリーダ28によりレチクルキャリア26が識別される。このレチクルキャリアオープナ21において、レチクルキャリア26が開かれCFP27が露出される。露出されたCFP27は温度補償ランプ29により2〜3℃程度昇温される。昇温されたCFP27は第2の大気ロボット20により、第1のゲートバルブ19のみが開いた状態のロードロック室17内に搬送される。なお、レチクルキャリアオープナ21からロードロック室17に至る順路は清浄雰囲気とされている。
In the substrate transfer apparatus described above, the EUVL reticle 25 used for exposure is double protected by the reticle carrier 26 and the clean filter pod (hereinafter referred to as CFP) 27 in the atmospheric reticle library 23 as shown in FIG. Is placed in the state. The CFP 27 has a function as a protective cover for protecting the reticle 25 in a reduced pressure atmosphere.
The reticle carrier 26 placed in the atmospheric reticle library 23 is conveyed to the reticle carrier opener 21 by the first atmospheric robot 22. Then, the reticle carrier 26 is identified by the reticle carrier ID reader 28. In the reticle carrier opener 21, the reticle carrier 26 is opened and the CFP 27 is exposed. The exposed CFP 27 is heated by a temperature compensation lamp 29 by about 2 to 3 ° C. The heated CFP 27 is transferred by the second atmospheric robot 20 into the load lock chamber 17 with only the first gate valve 19 opened. The route from the reticle carrier opener 21 to the load lock chamber 17 is a clean atmosphere.

ロードロック室17では、第1のゲートバルブ19および第2のゲートバルブ18を閉じた状態でCFP27ごと真空引きが行われる。ロードロック室17内が所定の真空状態になると、第2のゲートバルブ18のみが開かれ、CFP27が真空ロボット13により真空レチクルライブラリ15に搬送される。
真空レチクルライブラリ15には、例えば5枚程度のレチクル25がCFP27に収容された状態で保存される。レチクル25は温度調整機構(図示せず)により所定の温度に維持される。CFP27に収容された状態のレチクル25は、レチクルIDリーダ30により識別される。識別されたレチクル25は、真空ロボット13によりCFP27に収容された状態でCFPオープナ16に搬送される。
In the load lock chamber 17, the CFP 27 is evacuated with the first gate valve 19 and the second gate valve 18 closed. When the load lock chamber 17 is in a predetermined vacuum state, only the second gate valve 18 is opened, and the CFP 27 is transferred to the vacuum reticle library 15 by the vacuum robot 13.
For example, about five reticles 25 are stored in the vacuum reticle library 15 in a state of being accommodated in the CFP 27. The reticle 25 is maintained at a predetermined temperature by a temperature adjustment mechanism (not shown). The reticle 25 accommodated in the CFP 27 is identified by the reticle ID reader 30. The identified reticle 25 is conveyed to the CFP opener 16 while being accommodated in the CFP 27 by the vacuum robot 13.

CFPオープナ16では、CFP27が開かれレチクル25が露出される。
この実施形態では、図3に示すように、CFPオープナ16に搬送されたCFP27は、CFPステージ31上に載置される。CFP27は、上カバー部材(上蓋)32と下カバー部材(下蓋)33とからなる。そして、図4に示すように、CFPステージ31を下降させることにより、上カバー部材32の外周部が支持部材34の上端の係止部材35に係止されレチクル25が露出される。
In the CFP opener 16, the CFP 27 is opened and the reticle 25 is exposed.
In this embodiment, as shown in FIG. 3, the CFP 27 transported to the CFP opener 16 is placed on the CFP stage 31. The CFP 27 includes an upper cover member (upper lid) 32 and a lower cover member (lower lid) 33. Then, as shown in FIG. 4, by lowering the CFP stage 31, the outer peripheral portion of the upper cover member 32 is locked to the locking member 35 at the upper end of the support member 34 and the reticle 25 is exposed.

露出されたレチクル25は、図5に示すように、CFP27の下カバー部材33に収容された状態で、真空ロボット13の搬送アーム36によりレチクルステージ12に搬送される。レチクルステージ12には、静電チャック37が吸着面37aを下向きにして配置されている。そして、搬送アーム36により下カバー部材33を介してレチクル25を静電チャック37の吸着面37aに押圧した状態で、静電チャック37をオンすることによりレチクル25の上面が吸着面37aにチャックされる。   As shown in FIG. 5, the exposed reticle 25 is transferred to the reticle stage 12 by the transfer arm 36 of the vacuum robot 13 while being accommodated in the lower cover member 33 of the CFP 27. An electrostatic chuck 37 is arranged on the reticle stage 12 with the attracting surface 37a facing downward. Then, the upper surface of the reticle 25 is chucked to the suction surface 37 a by turning on the electrostatic chuck 37 while the reticle 25 is pressed against the suction surface 37 a of the electrostatic chuck 37 by the transport arm 36 via the lower cover member 33. The

レチクル25のチャック後に、搬送アーム36は下カバー部材33をCFPオープナ16まで搬送し、図4に示したように下降位置にあるCFPステージ31上に下カバー部材33を載置する。そして、図6に示すように、CFPステージ31を上昇させることでCFP27の上カバー部材32と下カバー部材33とが密着し、上カバー部材32と下カバー部材33の内部が密閉される。閉じられたCFP27は、そのままの状態でCFPオープナ16内に露光中待機される。   After chucking the reticle 25, the transport arm 36 transports the lower cover member 33 to the CFP opener 16, and places the lower cover member 33 on the CFP stage 31 at the lowered position as shown in FIG. As shown in FIG. 6, by raising the CFP stage 31, the upper cover member 32 and the lower cover member 33 of the CFP 27 are brought into close contact with each other, and the inside of the upper cover member 32 and the lower cover member 33 is sealed. The closed CFP 27 is kept waiting in the CFP opener 16 as it is.

露光が終了し、レチクルステージ12のレチクル25の交換を行う際には、図6に示したような状態で待機していたCFP27の上カバー部材32と下カバー部材33とを、CFPステージ31を下降させ下カバー部材33を下降することにより分離(図4でレチクル25が無い状態に対応)し、下カバー部材33を搬送アーム36によりレチクル25の交換位置まで搬送する。   When the exposure is completed and the reticle 25 of the reticle stage 12 is replaced, the upper cover member 32 and the lower cover member 33 of the CFP 27 that have been waiting in the state shown in FIG. The lower cover member 33 is separated by lowering and lowering the lower cover member 33 (corresponding to the state where there is no reticle 25 in FIG. 4), and the lower cover member 33 is transported to the reticle 25 replacement position by the transport arm.

そして、図7に示すように、静電チャック37に吸着されているレチクル25の下方に下カバー部材33を位置させた状態で、静電チャック37からレチクル25を離脱する。
静電チャック37は2つの内部電極38を有する双極方式とされている。下カバー部材33には、静電チャック37の吸着面37aに配置されるレチクル25を保持する保持部材39が設けられている。保持部材39は保持部39aと導体部39bを有しており、アルミニウム、ステンレス等の導電性の金属あるいは導電性の樹脂により形成されている。保持部39aは、下カバー部材33の底面部33aから上方に突出されている。導体部39bは樹脂からなる下カバー部材33の底面部33aにインサート成形されている。導体部39bの下端面は、下カバー部材33の底面部33aの下面に露出されている。
Then, as shown in FIG. 7, the reticle 25 is detached from the electrostatic chuck 37 with the lower cover member 33 positioned below the reticle 25 attracted to the electrostatic chuck 37.
The electrostatic chuck 37 is a bipolar system having two internal electrodes 38. The lower cover member 33 is provided with a holding member 39 that holds the reticle 25 disposed on the attracting surface 37 a of the electrostatic chuck 37. The holding member 39 has a holding portion 39a and a conductor portion 39b, and is formed of a conductive metal such as aluminum or stainless steel or a conductive resin. The holding portion 39 a protrudes upward from the bottom surface portion 33 a of the lower cover member 33. The conductor portion 39b is insert-molded on the bottom surface portion 33a of the lower cover member 33 made of resin. The lower end surface of the conductor portion 39 b is exposed on the lower surface of the bottom surface portion 33 a of the lower cover member 33.

搬送アーム36のエンドエフェクタ41には、下カバー部材33を支持する支持部材43が設けられている。支持部材43は保持部材39の導体部39bに対応する位置に配置されており、上端を導体部39bの下端面に接触されている。支持部材43は、アルミニウム、ステンレス等の導電性の金属あるいは導電性の樹脂により形成されている。支持部材43はエンドエフェクタ41に電気的に導通されている。   The end effector 41 of the transport arm 36 is provided with a support member 43 that supports the lower cover member 33. The support member 43 is disposed at a position corresponding to the conductor portion 39b of the holding member 39, and the upper end is in contact with the lower end surface of the conductor portion 39b. The support member 43 is formed of a conductive metal such as aluminum or stainless steel or a conductive resin. The support member 43 is electrically connected to the end effector 41.

真空ロボット13の搬送アーム36(エンドエフェクタ41を含む)は、アルミニウム、ステンレス等の導電性の金属あるいは導電性の樹脂により形成されている。そして、真空ロボット13側で接地されている。すなわち、エンドエフェクタ41に配置される支持部材43は、搬送アーム36を介して真空ロボット13側に接地されている。なお、搬送アーム36に配線を引き回し、この配線を支持部材43に接続することにより支持部材43を真空ロボット13側に接地するようにしても良い。   The transfer arm 36 (including the end effector 41) of the vacuum robot 13 is formed of a conductive metal such as aluminum or stainless steel or a conductive resin. And it is earth | grounded by the vacuum robot 13 side. That is, the support member 43 arranged on the end effector 41 is grounded to the vacuum robot 13 side via the transfer arm 36. Note that the support member 43 may be grounded to the vacuum robot 13 side by drawing a wire around the transfer arm 36 and connecting the wire to the support member 43.

この実施形態では、静電チャック37からのレチクル25の離脱が以下述べるようにして行われる。
先ず、図7に示すように、レチクル25の下面25aに下カバー部材33の保持部材39を接触する。そして、保持部材39の接触と同時に静電チャック37の電源をオフにする。なお、レチクル25の下面25aに対して保持部材39が所定の距離まで接近した時に静電チャック37の電源をオフにしても良い。電源をオフにした状態では、レチクル25にはレチクル25の離脱許容量以上の電荷が例えば数分間にわたって残存しており、レチクル25が静電チャック37に吸着状態となっている。
In this embodiment, the reticle 25 is detached from the electrostatic chuck 37 as described below.
First, as shown in FIG. 7, the holding member 39 of the lower cover member 33 is brought into contact with the lower surface 25 a of the reticle 25. Then, the electrostatic chuck 37 is turned off simultaneously with the contact of the holding member 39. The electrostatic chuck 37 may be turned off when the holding member 39 approaches a predetermined distance from the lower surface 25a of the reticle 25. In a state in which the power is turned off, the reticle 25 is charged with a charge equal to or larger than an allowable amount of separation of the reticle 25 for several minutes, for example, and the reticle 25 is attracted to the electrostatic chuck 37.

次に、保持部材39をレチクル25に接触した状態で所定時間、例えば2秒間停止する。このように保持部材39を所定時間停止することによりレチクル25に残存していた電荷が、レチクル25の自重によりレチクル25が静電チャック37から離脱するレベルまで除去される。すなわち、保持部材39が、支持部材43を介して搬送アーム36側に接地されているため、電荷が短時間で効率的に除去される。そして、保持部材39を下方に移動することにより、レチクル25が静電チャック37から確実に離脱し保持部材39上に載置される。   Next, the holding member 39 is stopped for a predetermined time, for example, 2 seconds in a state where it is in contact with the reticle 25. In this way, by stopping the holding member 39 for a predetermined time, the charge remaining on the reticle 25 is removed to a level at which the reticle 25 is detached from the electrostatic chuck 37 due to its own weight. That is, since the holding member 39 is grounded to the transfer arm 36 via the support member 43, the electric charge is efficiently removed in a short time. Then, by moving the holding member 39 downward, the reticle 25 is surely detached from the electrostatic chuck 37 and placed on the holding member 39.

この状態で、搬送アーム36によりレチクル25をCFPオープナ16に搬送し、図4に示したように下降位置にあるCFPステージ31上に、レチクル25が収容される下カバー部材33を載置する。そして、CFPステージ31を上昇させることでCFP27の上カバー部材32と下カバー部材33とが密着(図3参照)し、CFP27内にレチクル25を保持した状態でCFP27が密閉される。   In this state, the reticle 25 is transported to the CFP opener 16 by the transport arm 36, and the lower cover member 33 in which the reticle 25 is accommodated is placed on the CFP stage 31 at the lowered position as shown in FIG. Then, by raising the CFP stage 31, the upper cover member 32 and the lower cover member 33 of the CFP 27 are in close contact (see FIG. 3), and the CFP 27 is sealed with the reticle 25 held in the CFP 27.

上述した実施形態では、静電チャック37の電源をオフにした後、真空ロボット13側に接地される保持部材39をレチクル25に接触した状態で所定時間停止し、この後、保持部材39を移動して静電チャック37の吸着面37aからレチクル25を離脱するようにしたので、静電チャック37からレチクル25を容易,確実に離脱することができる。また、下カバー部材33の保持部材39を真空ロボット13側で接地するようにしたので、静電チャック37の電源をオフにした後にレチクル25に残存する電荷を容易,確実に除去することができる。
(第2の実施形態)
図8は、本発明の基板搬送装置の第2の実施形態を示している。この実施形態では本発明がウエハステージに適用される。
In the embodiment described above, after the electrostatic chuck 37 is turned off, the holding member 39 that is grounded to the vacuum robot 13 side is stopped for a predetermined time in contact with the reticle 25, and then the holding member 39 is moved. Since the reticle 25 is detached from the attracting surface 37a of the electrostatic chuck 37, the reticle 25 can be easily and reliably detached from the electrostatic chuck 37. Further, since the holding member 39 of the lower cover member 33 is grounded on the vacuum robot 13 side, the charge remaining on the reticle 25 after the electrostatic chuck 37 is turned off can be easily and reliably removed. .
(Second Embodiment)
FIG. 8 shows a second embodiment of the substrate transfer apparatus of the present invention. In this embodiment, the present invention is applied to a wafer stage.

ウエハステージ50は、粗動ステージ51と微動テーブル52とを有している。
粗動ステージ51は、本体部53を案内柱54により案内され紙面に垂直な方向(X方向)に移動可能とされている。また、図示しない案内機構により紙面の左右方向(Y方向)に移動可能とされている。
微動テーブル52は、粗動ステージ51の本体部53の上方に配置されている。微動テーブル52は、粗動ステージ51の本体部53の両側に配置されるZアクチュエータ55により支持されている。Zアクチュエータ55は、図9に示すように、三角状に3個(4個以上でも良い)配置されている。Zアクチュエータ55は、エンコーダを内蔵しており微動テーブル52を図の上下方向(Z方向)に微動可能とされている。
The wafer stage 50 has a coarse movement stage 51 and a fine movement table 52.
The coarse movement stage 51 is guided in the main body 53 by a guide column 54 and can move in a direction perpendicular to the paper surface (X direction). Further, it can be moved in the left and right direction (Y direction) of the drawing by a guide mechanism (not shown).
The fine movement table 52 is disposed above the main body 53 of the coarse movement stage 51. The fine movement table 52 is supported by Z actuators 55 arranged on both sides of the main body 53 of the coarse movement stage 51. As shown in FIG. 9, three (or four or more) Z actuators 55 are arranged in a triangular shape. The Z actuator 55 incorporates an encoder and can finely move the fine movement table 52 in the vertical direction (Z direction) in the figure.

微動テーブル52は、XYアクチュエータ56によりX方向およびY方向に微動可能とされている。XYアクチュエータ56は、例えばボイスコイルモータからなり微動テーブル52と粗動ステージ51との間に3組以上配置されている。さらに、微動テーブル52はX軸、Y軸およびZ軸を中心にして回転可能とされている。微動テーブル52の外周には、微動テーブル52の位置をレーザ光LBにより測定するための移動鏡57が配置されている。   The fine movement table 52 can be finely moved in the X direction and the Y direction by an XY actuator 56. The XY actuators 56 are made of, for example, a voice coil motor, and three or more sets are arranged between the fine movement table 52 and the coarse movement stage 51. Further, the fine movement table 52 is rotatable about the X axis, the Y axis, and the Z axis. A movable mirror 57 for measuring the position of the fine movement table 52 with the laser beam LB is disposed on the outer periphery of the fine movement table 52.

微動テーブル52の上方には、静電チャック37が配置されている。この静電チャック37は、図9に示すように、3箇所の固定部37aにおいてボルト等により微動テーブル52に固定されている。静電チャック37の上面は、ウエハ58を吸着するための吸着面37bとされている。
粗動ステージ51の本体部53の上面には、静電チャック37に配置されるウエハ58を持ち上げる持ち上げ機構59が配置されている。この持ち上げ機構59は固定プレート60と保持部材61を有している。固定プレート60は本体部53の上面に固定されている。保持部材61は固定プレート60の上面に固定されている。保持部材61は、微動テーブル52の下降時に、ウエハ58を静電チャック37の上方に保持する。保持部材61はピン状をしており、図9に示すように、円形状の静電チャック37の中心を中心にして三角状に3本配置されている。
An electrostatic chuck 37 is disposed above the fine movement table 52. As shown in FIG. 9, the electrostatic chuck 37 is fixed to the fine movement table 52 by bolts or the like at three fixing portions 37a. The upper surface of the electrostatic chuck 37 is a suction surface 37 b for sucking the wafer 58.
A lifting mechanism 59 for lifting the wafer 58 disposed on the electrostatic chuck 37 is disposed on the upper surface of the main body 53 of the coarse movement stage 51. The lifting mechanism 59 has a fixed plate 60 and a holding member 61. The fixing plate 60 is fixed to the upper surface of the main body 53. The holding member 61 is fixed to the upper surface of the fixed plate 60. The holding member 61 holds the wafer 58 above the electrostatic chuck 37 when the fine movement table 52 is lowered. The holding member 61 has a pin shape, and as shown in FIG. 9, three holding members 61 are arranged in a triangular shape around the center of the circular electrostatic chuck 37.

保持部材61および固定プレート60は、アルミニウム、ステンレス等の導電性の金属あるいは導電性の樹脂により形成されている。保持部材61は固定プレート60に電気的に導通されている。固定プレート60は、電線62を介して接地されている。なお、粗動ステージ51を介して接地しても良い。
一方、静電チャック37には、保持部材61に対応する位置に、3箇所の貫通穴37cが上下方向に形成されている。そして、貫通穴37cに、微動テーブル52に形成される穴部52aを介して保持部材61が挿入されている。貫通穴37cの内径は保持部材61の外径より十分に大きくされ、微動テーブル52の微動により静電チャック37が保持部材61に干渉することが防止されている。保持部材61の上端61aは、微動テーブル52の上昇時に静電チャック37の吸着面37bより下方となり、微動テーブル52の下降時に静電チャック37の吸着面37bから上方に突出するように位置されている。
The holding member 61 and the fixing plate 60 are formed of a conductive metal such as aluminum or stainless steel or a conductive resin. The holding member 61 is electrically connected to the fixed plate 60. The fixed plate 60 is grounded via an electric wire 62. The ground may be grounded via the coarse movement stage 51.
On the other hand, in the electrostatic chuck 37, three through holes 37c are formed in the vertical direction at positions corresponding to the holding member 61. The holding member 61 is inserted into the through hole 37c through a hole 52a formed in the fine movement table 52. The inner diameter of the through hole 37 c is sufficiently larger than the outer diameter of the holding member 61, and the electrostatic chuck 37 is prevented from interfering with the holding member 61 due to the fine movement of the fine movement table 52. The upper end 61 a of the holding member 61 is positioned below the suction surface 37 b of the electrostatic chuck 37 when the fine movement table 52 is raised, and protrudes upward from the suction surface 37 b of the electrostatic chuck 37 when the fine movement table 52 is lowered. Yes.

上述したウエハステージ50では、図10に示すように、Zアクチュエータ55により微動テーブル52を下降させ、保持部材61を静電チャック37の吸着面37bから上方に突出させた状態で、搬送アーム36によりウエハ58の搬入が行われる。
そして、図11に示すように、保持部材61の上端61aにウエハ58が載置され、この状態でウエハ58と微動テーブル52との位置関係が調整される。
In the wafer stage 50 described above, as shown in FIG. 10, the fine movement table 52 is lowered by the Z actuator 55, and the holding member 61 is protruded upward from the suction surface 37 b of the electrostatic chuck 37. The wafer 58 is loaded.
11, the wafer 58 is placed on the upper end 61a of the holding member 61, and the positional relationship between the wafer 58 and the fine movement table 52 is adjusted in this state.

次に、図8に示したように、Zアクチュエータ55により微動テーブル52を上昇させる。これにより、保持部材61の上端61aが静電チャック37の貫通穴37c内に収容され、ウエハ58が静電チャック37の吸着面37bに載置される。そして、静電チャック37がオンにされウエハ58が静電チャック37に吸着される。この状態で、微動テーブル52の正確な位置決めが行われウエハ58への露光が行われる。   Next, as shown in FIG. 8, the fine movement table 52 is raised by the Z actuator 55. As a result, the upper end 61 a of the holding member 61 is accommodated in the through hole 37 c of the electrostatic chuck 37, and the wafer 58 is placed on the suction surface 37 b of the electrostatic chuck 37. Then, the electrostatic chuck 37 is turned on and the wafer 58 is attracted to the electrostatic chuck 37. In this state, the fine movement table 52 is accurately positioned and the wafer 58 is exposed.

露光の終了後に、静電チャック37からウエハ58を離脱する。ウエハ58の離脱は以下述べるようにして行われる。
先ず、図8に示した状態において、静電チャック37の電源をオフにする。電源をオフにした状態では、ウエハ58にはウエハ58の離脱許容量以上の電荷が例えば数分間にわたって残存しており、ウエハ58が静電チャック37に吸着状態となっている。
After the exposure is completed, the wafer 58 is detached from the electrostatic chuck 37. The wafer 58 is detached as described below.
First, in the state shown in FIG. 8, the electrostatic chuck 37 is turned off. In a state where the power supply is turned off, the wafer 58 has a charge exceeding the allowable amount of separation of the wafer 58 for several minutes, for example, and the wafer 58 is attracted to the electrostatic chuck 37.

次に、図12に示すように、Zアクチュエータ55により微動テーブル52を下降させ、保持部材61の上端をウエハ58に接触させる。そして、この状態で微動テーブル52を停止し保持部材61を所定時間、例えば2秒間停止する。このように保持部材61を所定時間停止することによりウエハ58に残存していた電荷がウエハ58を離脱可能なレベルまで除去される。すなわち、保持部材61が、固定プレート60を介して接地されているため、電荷が短時間で効率的に除去される。そして、Zアクチュエータ55により微動テーブル52をさらに下降することにより、ウエハ58が静電チャック37から確実に離脱し保持部材61上に載置される。   Next, as shown in FIG. 12, the fine movement table 52 is lowered by the Z actuator 55, and the upper end of the holding member 61 is brought into contact with the wafer 58. In this state, the fine movement table 52 is stopped and the holding member 61 is stopped for a predetermined time, for example, 2 seconds. Thus, by stopping the holding member 61 for a predetermined time, the charge remaining on the wafer 58 is removed to a level at which the wafer 58 can be detached. That is, since the holding member 61 is grounded via the fixed plate 60, the charges are efficiently removed in a short time. Then, the fine movement table 52 is further lowered by the Z actuator 55, so that the wafer 58 is surely detached from the electrostatic chuck 37 and placed on the holding member 61.

そして、静電チャック37の吸着面37bから離脱したウエハ58は、搬送アーム37によりウエハ58の収容場所に搬送される。
この実施形態では、静電チャック37の電源をオフにした後、持ち上げ機構59側で接地される保持部材61をウエハ58に接触した状態で所定時間停止し、この後、保持部材61を移動して静電チャック37の吸着面37bからウエハ58を離脱するようにしたので、静電チャック37からウエハ58を容易,確実に離脱することができる。また、保持部材61を持ち上げ機構59側で接地するようにしたので、静電チャック37の電源をオフにした後にウエハ58に残存する電荷を容易,確実に除去することができる。
(第3の実施形態)
図13は、本発明の基板搬送装置の第3の実施形態を示している。
Then, the wafer 58 detached from the attracting surface 37 b of the electrostatic chuck 37 is transported to the accommodation place of the wafer 58 by the transport arm 37.
In this embodiment, after the electrostatic chuck 37 is turned off, the holding member 61 grounded on the lifting mechanism 59 side is stopped for a predetermined time in contact with the wafer 58, and then the holding member 61 is moved. Since the wafer 58 is detached from the attracting surface 37b of the electrostatic chuck 37, the wafer 58 can be easily and reliably detached from the electrostatic chuck 37. Further, since the holding member 61 is grounded on the lifting mechanism 59 side, the charge remaining on the wafer 58 after the electrostatic chuck 37 is turned off can be easily and reliably removed.
(Third embodiment)
FIG. 13 shows a third embodiment of the substrate transfer apparatus of the present invention.

この実施形態では、搬送アーム36のエンドエフェクタ41には、本体部41aから分岐して支持部41bがフォーク状に形成されている。支持部41bの先端側および本体部41aの中央突部41cには、ウエハ58を保持する保持部材70が配置されている。保持部材70は、アルミニウム、ステンレス等の導電性の金属あるいは導電性の樹脂により形成されている。保持部材70は、支持部41bまたは中央突部41cから上方に突出されている。保持部材70はエンドエフェクタ41に電気的に導通されている。   In this embodiment, the end effector 41 of the transport arm 36 is branched from the main body 41a and has a support 41b formed in a fork shape. A holding member 70 that holds the wafer 58 is disposed on the distal end side of the support portion 41b and the central protrusion 41c of the main body portion 41a. The holding member 70 is made of a conductive metal such as aluminum or stainless steel or a conductive resin. The holding member 70 protrudes upward from the support portion 41b or the central protrusion 41c. The holding member 70 is electrically connected to the end effector 41.

真空ロボットの搬送アーム36(エンドエフェクタ41を含む)は、アルミニウム、ステンレス等の導電性の金属あるいは導電性の樹脂により形成されている。そして、真空ロボット側で接地されている。すなわち、エンドエフェクタ41に配置される保持部材70は、搬送アーム36を介して真空ロボット側に接地されている。なお、搬送アーム36に配線を引き回し、この配線を保持部材70に接続することにより保持部材70を真空ロボット側に接地するようにしても良い。   The transfer arm 36 (including the end effector 41) of the vacuum robot is formed of a conductive metal such as aluminum or stainless steel or a conductive resin. And it is grounded on the vacuum robot side. That is, the holding member 70 disposed on the end effector 41 is grounded to the vacuum robot side via the transfer arm 36. Alternatively, the holding member 70 may be grounded to the vacuum robot side by routing the wiring to the transfer arm 36 and connecting the wiring to the holding member 70.

一方、ウェハステージのテーブル71上には、ウエハ58を吸着保持する静電チャック37が固定されている。静電チャック37には、エンドエフェクタ41の支持部41bの進入方向に沿って切欠部37eが形成されている。また、本体部41aの中央突部41c進入位置に凹部37fが形成されている。
この実施形態では、静電チャック37からのウエハ58の離脱が以下述べるようにして行われる。
On the other hand, an electrostatic chuck 37 that holds the wafer 58 by suction is fixed on the table 71 of the wafer stage. The electrostatic chuck 37 is formed with a notch 37e along the direction in which the support 41b of the end effector 41 enters. Moreover, the recessed part 37f is formed in the center protrusion 41c approach position of the main-body part 41a.
In this embodiment, the wafer 58 is detached from the electrostatic chuck 37 as described below.

先ず、図14に示すように、静電チャック37の下方に搬送アーム36を移動する。この状態では、静電チャック37の切欠部37eにエンドエフェクタ41の支持部41bが位置され、凹部37fに本体部41aの中央突部41cが位置される。そして、この状態において、静電チャック37の電源をオフにする。電源をオフにした状態では、ウエハ58にはウエハ58の離脱許容量以上の電荷が例えば数分間にわたって残存しており、ウエハ58が静電チャック37に吸着状態となっている。   First, as shown in FIG. 14, the transfer arm 36 is moved below the electrostatic chuck 37. In this state, the support portion 41b of the end effector 41 is positioned in the notch 37e of the electrostatic chuck 37, and the central protrusion 41c of the main body portion 41a is positioned in the recess 37f. In this state, the power of the electrostatic chuck 37 is turned off. In a state where the power supply is turned off, the wafer 58 has a charge exceeding the allowable amount of separation of the wafer 58 for several minutes, for example, and the wafer 58 is attracted to the electrostatic chuck 37.

次に、図15に示すように、搬送アーム36を上方に移動して保持部材70の上端をウエハ58に接触させる。そして、この状態で搬送アーム36を停止し保持部材70を所定時間、例えば2秒間停止する。このように保持部材70を所定時間停止することによりウエハ58に残存していた電荷がウエハ58を離脱可能なレベルまで除去される。すなわち、保持部材70が、エンドエフェクタ41を介して接地されているため、電荷が短時間で効率的に除去される。そして、図16に示すように、搬送アーム36を上昇させ、保持部材70を上方に移動することにより、ウエハ58が静電チャック37から確実に離脱し保持部材70上に載置される。   Next, as shown in FIG. 15, the transfer arm 36 is moved upward to bring the upper end of the holding member 70 into contact with the wafer 58. In this state, the transfer arm 36 is stopped and the holding member 70 is stopped for a predetermined time, for example, 2 seconds. Thus, by stopping the holding member 70 for a predetermined time, the charge remaining on the wafer 58 is removed to a level at which the wafer 58 can be detached. That is, since the holding member 70 is grounded via the end effector 41, electric charges are efficiently removed in a short time. Then, as shown in FIG. 16, the transfer arm 36 is raised and the holding member 70 is moved upward, so that the wafer 58 is surely detached from the electrostatic chuck 37 and placed on the holding member 70.

この実施形態では、静電チャック37の電源をオフにした後、搬送アーム36側に接地される保持部材70をウエハ58に接触した状態で所定時間停止し、この後、保持部材70を移動して静電チャック37の吸着面37aからウエハ58を離脱するようにしたので、静電チャック37からウエハ58を容易,確実に離脱することができる。また、保持部材70を搬送アーム36側で接地するようにしたので、静電チャック37の電源をオフにした後にウエハ58に残存する電荷を容易,確実に除去することができる。
(露光装置の実施形態)
図17は、図1の露光チャンバ13内のEUV光リソグラフィシステムを模式化して示している。なお、この実施形態において第1または第2の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付している。この実施形態では、露光の照明光としてEUV光が用いられる。EUV光は0.1〜400nmの間の波長を持つもので、この実施形態では特に1〜50nm程度の波長が好ましい。投影像は像光学系システム101を用いたもので、ウエハ58上にレチクル25によるパターンの縮小像を形成するものである。
In this embodiment, after the electrostatic chuck 37 is turned off, the holding member 70 that is grounded to the transfer arm 36 is stopped for a predetermined time in contact with the wafer 58, and then the holding member 70 is moved. Since the wafer 58 is detached from the attracting surface 37a of the electrostatic chuck 37, the wafer 58 can be easily and reliably detached from the electrostatic chuck 37. Further, since the holding member 70 is grounded on the transfer arm 36 side, the electric charge remaining on the wafer 58 after the electrostatic chuck 37 is turned off can be easily and reliably removed.
(Embodiment of exposure apparatus)
FIG. 17 schematically shows an EUV light lithography system in the exposure chamber 13 of FIG. In this embodiment, the same members as those in the first or second embodiment are denoted by the same reference numerals. In this embodiment, EUV light is used as illumination light for exposure. The EUV light has a wavelength of 0.1 to 400 nm, and in this embodiment, a wavelength of about 1 to 50 nm is particularly preferable. The projection image uses the image optical system 101 and forms a reduced image of the pattern by the reticle 25 on the wafer 58.

ウエハ58上に照射されるパターンは、レチクルステージ12の下側に静電チャック37を介して配置されている反射型のレチクル25により決められる。この反射型のレチクル25は、上述した実施形態の真空ロボット13によって搬入および搬出される(真空ロボット13の図示は省略する)。また、ウエハ58はウエハステージ50の上に載せられている。典型的には、露光はステップ・スキャンによりなされる。   The pattern irradiated on the wafer 58 is determined by the reflective reticle 25 disposed below the reticle stage 12 via the electrostatic chuck 37. This reflective reticle 25 is carried in and out by the vacuum robot 13 of the above-described embodiment (illustration of the vacuum robot 13 is omitted). The wafer 58 is placed on the wafer stage 50. Typically, exposure is done by step scanning.

露光時の照明光として使用するEUV光は大気に対する透過性が低いので、EUV光が通過する光経路は、適当な真空ポンプ107を用いて真空に保たれた真空チャンバ106に囲まれている。またEUV光はレーザプラズマX線源によって生成される。レーザプラズマX線源はレーザ源108(励起光源として作用)とキセノンガス供給装置109からなっている。レーザプラズマX線源は真空チャンバ110によって取り囲まれている。レーザプラズマX線源によって生成されたEUV光は真空チャンバ110の窓111を通過する。   Since EUV light used as illumination light at the time of exposure has low permeability to the atmosphere, the light path through which the EUV light passes is surrounded by a vacuum chamber 106 that is kept in a vacuum using a suitable vacuum pump 107. EUV light is generated by a laser plasma X-ray source. The laser plasma X-ray source includes a laser source 108 (acting as an excitation light source) and a xenon gas supply device 109. The laser plasma X-ray source is surrounded by a vacuum chamber 110. EUV light generated by the laser plasma X-ray source passes through the window 111 of the vacuum chamber 110.

レーザ源108は紫外線以下の波長を持つレーザ光を発生させるものであって、例えば、YAGレーザ、エキシマレーザが使用される。レーザ源108からのレーザ光は集光され、ノズル112から放出されたキセノンガス(キセノンガス供給装置109から供給されている)の流れに照射される。キセノンガスの流れにレーザ光を照射するとレーザ光がキセノンガスを十分に暖め、プラズマを生じさせる。レーザで励起されたキセノンガスの分子が低いエネルギ状態に落ちる時、EUV光の光子が放出される。   The laser source 108 generates laser light having a wavelength equal to or less than ultraviolet light. For example, a YAG laser or an excimer laser is used. The laser light from the laser source 108 is collected and applied to the flow of xenon gas (supplied from the xenon gas supply device 109) emitted from the nozzle 112. When laser light is irradiated on the flow of xenon gas, the laser light sufficiently warms the xenon gas and generates plasma. When the xenon gas molecules excited by the laser fall into a low energy state, photons of EUV light are emitted.

放物面ミラー113は、キセノンガス放出部の近傍に配置されている。放物面ミラー113はプラズマによって生成されたEUV光を集光する。放物面ミラー113は集光光学系を構成し、ノズル112からのキセノンガスが放出される位置の近傍に焦点位置がくるように配置されている。EUV光は放物面ミラー113の多層膜で反射し、真空チャンバ110の窓111を通じて集光ミラー114へと達する。集光ミラー114は反射型のレチクル25へとEUV光を集光、反射させる。EUV光は集光ミラー114で反射され、レチクル25の所定の部分を照明する。すなわち、放物面ミラー113と集光ミラー114はこの装置の照明システムを構成する。   The parabolic mirror 113 is disposed in the vicinity of the xenon gas discharge portion. The parabolic mirror 113 collects EUV light generated by the plasma. The parabolic mirror 113 constitutes a condensing optical system, and is arranged so that the focal position comes near the position where the xenon gas from the nozzle 112 is emitted. The EUV light is reflected by the multilayer film of the parabolic mirror 113 and reaches the condensing mirror 114 through the window 111 of the vacuum chamber 110. The condensing mirror 114 condenses and reflects the EUV light to the reflective reticle 25. The EUV light is reflected by the condensing mirror 114 and illuminates a predetermined portion of the reticle 25. That is, the parabolic mirror 113 and the condensing mirror 114 constitute an illumination system of this apparatus.

レチクル25は、EUVを反射する多層膜とパターンを形成するための吸収体パターン層を持っている。レチクル25でEUV光が反射されることによりEUV光は「パターン化」される。パターン化されたEUV光は投影システム101を通じてウエハ58に達する。
この実施形態の像光学システム101は、凹面第1ミラー115a、凸面第2ミラー115b、凸面第3ミラー115c、凹面第4ミラー115dの4つの反射ミラーからなっている。各ミラー115a〜115dにはEUV光を反射する多層膜が備えられている。
The reticle 25 has a multilayer film that reflects EUV and an absorber pattern layer for forming a pattern. The EUV light is “patterned” by being reflected by the reticle 25. The patterned EUV light reaches the wafer 58 through the projection system 101.
The image optical system 101 of this embodiment includes four reflecting mirrors: a concave first mirror 115a, a convex second mirror 115b, a convex third mirror 115c, and a concave fourth mirror 115d. Each of the mirrors 115a to 115d is provided with a multilayer film that reflects EUV light.

レチクル25により反射されたEUV光は第1ミラー115aから第4ミラー115dまで順次反射されて、レチクルパターンの縮小(例えば、1/4、1/5、1/6)された像を形成する。像光学系システム101は、像の側(ウエハ58の側)でテレセントリックになるようになっている。
レチクル25は可動のレチクルステージ12によって少なくともX−Y平面内で支持されている。ウエハ58は、好ましくはX,Y,Z方向に可動なウエハステージ50によって支持されている。ウエハ58上のダイを露光するときには、EUV光が照明システムによりレチクル25の所定の領域に照射され、レチクル25とウエハ58は像光学系システム101に対して像光学システム101の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、レチクルパターンはウエハ58上の所定の露光範囲(ダイに対して)に露光される。
The EUV light reflected by the reticle 25 is sequentially reflected from the first mirror 115a to the fourth mirror 115d to form an image in which the reticle pattern is reduced (for example, 1/4, 1/5, 1/6). The image optical system 101 is telecentric on the image side (wafer 58 side).
The reticle 25 is supported at least in the XY plane by a movable reticle stage 12. The wafer 58 is preferably supported by a wafer stage 50 that is movable in the X, Y, and Z directions. When the die on the wafer 58 is exposed, EUV light is irradiated to a predetermined area of the reticle 25 by the illumination system, and the reticle 25 and the wafer 58 follow the reduction ratio of the image optical system 101 with respect to the image optical system 101. It moves at a predetermined speed. In this manner, the reticle pattern is exposed to a predetermined exposure range (with respect to the die) on the wafer 58.

露光の際には、ウエハ58上のレジストから生じるガスが像光学システム101のミラー115a〜115dに影響を与えないように、ウエハ58はパーティション116の後ろに配置されることが望ましい。パーティション116は開口116aを持っており、それを通じてEUV光がミラー115dからウエハ58へと照射される。パーティション116内の空間は真空ポンプ117により真空排気されている。このように、レジストに照射することにより生じるガス状のゴミがミラー115a〜115dあるいはレチクル25に付着するのを防ぐ。それゆえ、これらの光学性能の悪化を防いでいる。   During exposure, the wafer 58 is preferably disposed behind the partition 116 so that the gas generated from the resist on the wafer 58 does not affect the mirrors 115 a to 115 d of the image optical system 101. The partition 116 has an opening 116a through which EUV light is irradiated from the mirror 115d to the wafer 58. The space in the partition 116 is evacuated by a vacuum pump 117. In this manner, gaseous dust generated by irradiating the resist is prevented from adhering to the mirrors 115a to 115d or the reticle 25. Therefore, deterioration of these optical performances is prevented.

この実施形態の露光装置では、上述した基板搬送装置によりレチクル25およびウエハ58の搬送を行うようにしたので、スループットを向上することができる。
(実施形態の補足事項)
以上、本発明を上述した実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような形態でも良い。
In the exposure apparatus of this embodiment, since the reticle 25 and the wafer 58 are transferred by the substrate transfer apparatus described above, the throughput can be improved.
(Supplementary items of the embodiment)
As mentioned above, although this invention was demonstrated by embodiment mentioned above, the technical scope of this invention is not limited to embodiment mentioned above, For example, the following forms may be sufficient.

(1)上述した第1の実施形態では、下カバー部材33を導電性のない樹脂により形成した例について説明したが、下カバー部材を導電性を有する金属あるいは樹脂により形成し、下カバー部材を接地するようにしても良い。
(2)上述した第2の実施形態では、持ち上げ機構59の保持部材61を粗動ステージ51に固定した例について説明したが、持ち上げ機構の保持部材を上下方向に移動可能に構成し、保持部材によりウエハを上下方向に移動しても良い。
(1) In the first embodiment described above, an example in which the lower cover member 33 is formed of a non-conductive resin has been described. However, the lower cover member is formed of a conductive metal or resin, and the lower cover member is It may be grounded.
(2) In the above-described second embodiment, the example in which the holding member 61 of the lifting mechanism 59 is fixed to the coarse movement stage 51 has been described. However, the holding member of the lifting mechanism is configured to be movable in the vertical direction, and the holding member Thus, the wafer may be moved in the vertical direction.

(3)上述した実施形態では、EUV光を用いた露光装置の例を説明したが、静電チャックに基板を保持する露光装置に広く適用することができる。   (3) In the above-described embodiment, an example of an exposure apparatus using EUV light has been described. However, the present invention can be widely applied to an exposure apparatus that holds a substrate on an electrostatic chuck.

本発明の基板搬送装置の第1の実施形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows 1st Embodiment of the board | substrate conveyance apparatus of this invention. 図1のレチクルキャリアを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the reticle carrier of FIG. 図1のCFPステージの詳細を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the detail of the CFP stage of FIG. 図3においてCFPからレチクルを露出した状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which exposed the reticle from CFP in FIG. 図1のCFPステージからレチクルをレチクルステージに搬送する状態を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating a state in which a reticle is transferred from the CFP stage of FIG. 1 to the reticle stage. 図1のCFPステージにCFPを待機している状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which waits for CFP in the CFP stage of FIG. 静電チャックからレチクルを離脱している状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which has removed the reticle from the electrostatic chuck. 本発明の基板搬送装置の第2の実施形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows 2nd Embodiment of the board | substrate conveyance apparatus of this invention. 図8の微動テーブルを上方から見た状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which looked at the fine movement table of FIG. 8 from upper direction. 搬送アームによりウエハをウエハステージに搬送した状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which conveyed the wafer to the wafer stage with the conveyance arm. ウエハと微動テーブルとの位置調整をしている状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which is adjusting the position of a wafer and a fine movement table. ウエハに保持部材を接触した状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which contacted the holding member to the wafer. 本発明の基板搬送装置の第3の実施形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows 3rd Embodiment of the board | substrate conveyance apparatus of this invention. 静電チャックの下方に搬送アームを移動した状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which moved the conveyance arm below the electrostatic chuck. ウエハの下面に保持部材を接触した状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which contacted the holding member on the lower surface of the wafer. 静電チャックからウエハを離脱した状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which removed the wafer from the electrostatic chuck. 本発明の露光装置の一実施形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows one Embodiment of the exposure apparatus of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

12:レチクルステージ、13:真空ロボット、25:レチクル、33:下カバー部材、36:搬送アーム、37:静電チャック、39:保持部材、39b:導体部、41:エンドエフェクタ、43:支持部材、58:ウエハ、61:保持部材、70:保持部材。   12: reticle stage, 13: vacuum robot, 25: reticle, 33: lower cover member, 36: transfer arm, 37: electrostatic chuck, 39: holding member, 39b: conductor, 41: end effector, 43: support member 58: Wafer 61: Holding member 70: Holding member

Claims (13)

静電チャックの吸着面に配置される基板を搬送する基板搬送方法において、
前記基板の前記吸着面からの離脱時に前記基板を保持する導電性の保持部材を接地し、前記静電チャックの電源をオフにした後、前記保持部材を前記基板に接触した状態で所定時間停止し、この後、前記保持部材を移動して前記吸着面から前記基板を離脱することを特徴とする基板搬送方法。
In a substrate transport method for transporting a substrate disposed on an adsorption surface of an electrostatic chuck,
When the substrate is detached from the attracting surface, the conductive holding member that holds the substrate is grounded, the power of the electrostatic chuck is turned off, and then the holding member is in contact with the substrate for a predetermined time. Thereafter, the substrate transfer method is characterized in that the holding member is moved to detach the substrate from the suction surface.
請求項1記載の基板搬送方法において、
前記保持部材は、前記基板を搬送するロボットハンドに設けられていることを特徴とする基板搬送方法。
The substrate transfer method according to claim 1,
The substrate transfer method, wherein the holding member is provided in a robot hand for transferring the substrate.
請求項1記載の基板搬送方法において、
前記保持部材は、前記基板を前記静電チャックから持ち上げる持ち上げ機構に設けられていることを特徴とする基板搬送方法。
The substrate transfer method according to claim 1,
The substrate transfer method, wherein the holding member is provided in a lifting mechanism that lifts the substrate from the electrostatic chuck.
請求項1記載の基板搬送方法において、
前記保持部材は、前記基板を保護する保護カバーに設けられていることを特徴とする基板搬送方法。
The substrate transfer method according to claim 1,
The substrate carrying method, wherein the holding member is provided on a protective cover for protecting the substrate.
静電チャックの吸着面に配置される基板を搬送するロボットハンドを備えた基板搬送装置において、
前記ロボットハンドに、前記吸着面に配置される前記基板を前記吸着面から離脱させて保持する導電性の保持部材を設け、前記保持部材を前記ロボットハンド側で接地してなることを特徴とする基板搬送装置。
In a substrate transport apparatus equipped with a robot hand that transports a substrate placed on the suction surface of an electrostatic chuck,
The robot hand is provided with a conductive holding member that holds the substrate disposed on the suction surface by separating from the suction surface, and the holding member is grounded on the robot hand side. Substrate transfer device.
静電チャックの吸着面に配置される基板を前記静電チャックから持ち上げる持ち上げ機構を備えた基板搬送装置において、
前記持ち上げ機構に、前記吸着面に配置される前記基板を前記吸着面から離脱させて保持する導電性の保持部材を設け、前記保持部材を前記持ち上げ機構側で接地してなることを特徴とする基板搬送装置。
In the substrate transport apparatus having a lifting mechanism for lifting the substrate disposed on the suction surface of the electrostatic chuck from the electrostatic chuck,
The lifting mechanism is provided with a conductive holding member for separating and holding the substrate disposed on the suction surface from the suction surface, and the holding member is grounded on the lifting mechanism side. Substrate transfer device.
静電チャックの吸着面に配置される基板を、前記基板を保護する保護カバーを介して搬送するロボットハンドを備えた基板搬送装置において、
前記保護カバーを導電性材料により形成し前記ロボットハンド側で接地してなることを特徴とする基板搬送装置。
In a substrate transfer apparatus provided with a robot hand for transferring a substrate disposed on an adsorption surface of an electrostatic chuck via a protective cover for protecting the substrate,
A substrate transfer apparatus, wherein the protective cover is formed of a conductive material and is grounded on the robot hand side.
静電チャックの吸着面に配置される基板を、前記基板を保護する保護カバーを介して搬送するロボットハンドを備えた基板搬送装置において、
前記保護カバーに、前記吸着面に配置される前記基板を保持する導電性の保持部材を設け、前記保持部材を前記ロボットハンド側で接地してなることを特徴とする基板搬送装置。
In a substrate transfer apparatus provided with a robot hand for transferring a substrate disposed on an adsorption surface of an electrostatic chuck via a protective cover for protecting the substrate,
A substrate transfer apparatus, wherein the protective cover is provided with a conductive holding member for holding the substrate disposed on the suction surface, and the holding member is grounded on the robot hand side.
請求項8記載の基板搬送装置において、
前記保持部材を、前記保護カバーに形成される導体部を介して前記ロボットハンド側に導通してなることを特徴とする基板搬送装置。
The substrate transfer apparatus according to claim 8, wherein
The substrate transfer apparatus, wherein the holding member is electrically connected to the robot hand side through a conductor portion formed on the protective cover.
請求項9記載の基板搬送装置において、
前記ロボットハンドに前記保護カバーを支持する導電性の支持部材を設け、前記支持部材を前記導体部に接触してなることを特徴とする基板搬送装置。
The substrate transfer apparatus according to claim 9, wherein
A substrate transfer apparatus, wherein the robot hand is provided with a conductive support member for supporting the protective cover, and the support member is in contact with the conductor portion.
請求項7ないし請求項10のいずれか1項記載の基板搬送装置において、
前記基板はレチクルであり、前記静電チャックの下面に前記吸着面が形成されていることを特徴とする基板搬送装置。
In the board | substrate conveyance apparatus of any one of Claim 7 thru | or 10,
The substrate transport apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a reticle, and the suction surface is formed on a lower surface of the electrostatic chuck.
請求項11記載の基板搬送装置において、
前記保護カバーは、前記レチクルを覆って着脱可能に配置される複数のカバー部材の一部であり、前記レチクルのパターンを覆って着脱可能に配置されるカバー部材であることを特徴とする基板搬送装置。
The substrate transfer apparatus according to claim 11, wherein
The protective cover is a part of a plurality of cover members that are detachably disposed to cover the reticle, and is a cover member that is detachably disposed to cover the pattern of the reticle. apparatus.
請求項5ないし請求項12のいずれか1項記載の基板搬送装置を有することを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus comprising the substrate transfer apparatus according to any one of claims 5 to 12.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015023264A (en) * 2013-07-24 2015-02-02 リンテック株式会社 Transfer method and transfer device
JP2016171291A (en) * 2015-03-16 2016-09-23 株式会社ディスコ Decompression processing apparatus

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