JP2007262507A - Palladium-plating liquid for electrolysis, and lead frame plated by using the liquid - Google Patents

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茂樹 清水
Takaharu Takasaki
隆治 高崎
Kanzo Kiyohara
歓三 清原
Kazumi Sasaki
和美 佐々木
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a palladium-plating liquid for electrolysis, which imparts a plated film superior solder wettability, bonding strength to a wire or the like even though the plated film is thin, and to provide a lead frame showing the superior performances. <P>SOLUTION: The palladium-plating liquid for electrolysis includes: a water-soluble palladium salt; and naphthalene monosulfonic acid or naphthalene disulfonic acid, which may have a substituent, or a salt of them. The lead frame is sequentially formed of an electrolytically plated palladium film formed by using the liquid, an electrolytically plated nickel film, the above electrolytically plated palladium film, and an electrolytically plated gold film. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電解用パラジウムめっき液に関し、更に詳しくは、特定の化合物を含有させた電解用パラジウムめっき液、並びに、それを用いて形成された電解パラジウムめっき皮膜及びリードフレームに関する。   The present invention relates to a palladium plating solution for electrolysis, and more specifically to a palladium plating solution for electrolysis containing a specific compound, and an electrolytic palladium plating film and a lead frame formed using the same.

パラジウムを用いた貴金属めっきは、電子デバイスの接合端子部に施されることが多く、電子部品の鉛フリー化に適した表面技術として注目されている。リードフレームは、従来は中央のワイヤーボンディング部には銀めっき、周辺のはんだ接合部にははんだめっきが施されていたが、鉛フリーのはんだめっきが技術的に未完成なため、代替法としてPd−PPF(Pre−Plated−Frame)法が実用化されている。   Noble metal plating using palladium is often applied to the junction terminal portion of an electronic device, and has attracted attention as a surface technology suitable for lead-free electronic components. Conventionally, lead frames have been plated with silver at the central wire bonding part and solder plating at the peripheral solder joints, but lead-free solder plating is technically incomplete. A -PPF (Pre-Platted-Frame) method has been put into practical use.

図1に一般的なリードフレームの形状を示す。Pd−PPF法はリードフレームの全面に電解ニッケルめっき、電解パラジウムめっき、電解金めっきを順次行い、リードフレームの基材(銅、銅合金、42材等)の上に3層のめっき構造を形成させる方法である。   FIG. 1 shows a general lead frame shape. In the Pd-PPF method, electrolytic nickel plating, electrolytic palladium plating, and electrolytic gold plating are sequentially performed on the entire surface of the lead frame to form a three-layer plating structure on the lead frame base material (copper, copper alloy, 42 materials, etc.). It is a method to make it.

リードフレームの中央パッド部Aにチップを搭載し、インナーリード部Bでチップとのワイヤーボンディング接合を行い、アウターリード部Cを残して樹脂で封入する。残ったアウターリード部Cは基板とのはんだ接合に使われる。   A chip is mounted on the center pad portion A of the lead frame, wire bonding is performed with the chip at the inner lead portion B, and the outer lead portion C is left and sealed with resin. The remaining outer lead portion C is used for soldering with the substrate.

Pd−PPF法は性能面では満足すべきレベルに到達しているが、最大の課題はコストである。パラジウムも金も現行の銀やはんだに比べると高価であり、リードフレームの製造コストを抑えるには電解パラジウムめっき皮膜や電解金めっき皮膜の厚みを極限レベルまで薄膜化する必要がある。   Although the Pd-PPF method has reached a satisfactory level in terms of performance, the biggest problem is cost. Palladium and gold are more expensive than current silver and solder, and it is necessary to reduce the thickness of the electrolytic palladium plating film and the electrolytic gold plating film to the minimum level in order to reduce the manufacturing cost of the lead frame.

しかしながら、薄膜にするとはんだぬれ性が悪くなってしまう。電解用パラジウムめっき液に関するものとして、特許文献1ないし特許文献4があるが、これらの技術でははんだぬれ性が十分ではなかった。   However, solder wettability deteriorates when a thin film is used. As for the palladium plating solution for electrolysis, there are Patent Documents 1 to 4, but these techniques do not have sufficient solder wettability.

特開平07−011475号公報Japanese Patent Laid-Open No. 07-011475 特開平07−278870号公報JP 07-278870 A 特開平11−043796号公報JP 11-043796 A 特開2001−262390号公報JP 2001-262390 A

本発明は上記背景技術に鑑みてなされたものであり、その課題は、薄膜化してもはんだぬれ性、ワイヤーボンディング強度等に優れためっき皮膜を与える電解用パラジウムめっき液を提供することにあり、また、上記性能に優れたリードフレームを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned background art, and its problem is to provide a palladium plating solution for electrolysis that provides a plating film excellent in solder wettability, wire bonding strength, etc. even if it is thinned. Moreover, it is providing the lead frame excellent in the said performance.

本発明者は、上記の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、電解用パラジウムめっき液中に特定の物質を含有させることにより、薄膜においても良好なはんだぬれ性やワイヤーボンディング強度を示して上記課題が達せられることを見出し本発明に到達した。   As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has shown good solder wettability and wire bonding strength even in a thin film by including a specific substance in the palladium plating solution for electrolysis. It has been found that the above problems can be achieved, and the present invention has been achieved.

すなわち本発明は、水溶性パラジウム塩、及び、置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩を含有することを特徴とする電解用パラジウムめっき液を提供するものである。   That is, the present invention provides a palladium plating solution for electrolysis characterized by containing a water-soluble palladium salt and an optionally substituted naphthalene monosulfonic acid or naphthalene disulfonic acid or a salt thereof. It is.

また本発明は、上記の電解用パラジウムめっき液を用いて形成されたことを特徴とする電解パラジウムめっき皮膜を提供するものである。   The present invention also provides an electrolytic palladium plating film formed using the above palladium plating solution for electrolysis.

また本発明は、金属基板上に、電解ニッケルめっき皮膜、電解パラジウムめっき皮膜、電解金めっき皮膜を順次形成させたリードフレームであって、該電解パラジウムめっき皮膜が、上記の電解用パラジウムめっき液を用いて形成されたものであることを特徴とするリードフレームを提供するものである。   The present invention also provides a lead frame in which an electrolytic nickel plating film, an electrolytic palladium plating film, and an electrolytic gold plating film are sequentially formed on a metal substrate, the electrolytic palladium plating film comprising the above palladium plating solution for electrolysis. The present invention provides a lead frame characterized by being formed by using.

本発明によれば、電解パラジウムめっき皮膜及び/又はその上に形成される電解金メッキ皮膜が薄膜であっても、良好なはんだぬれ性や優れたワイヤーボンディング強度を達成することができる電解用パラジウムめっき液を提供することができる。   According to the present invention, even when the electrolytic palladium plating film and / or the electrolytic gold plating film formed thereon is a thin film, it is possible to achieve good solder wettability and excellent wire bonding strength. A liquid can be provided.

以下、本発明について説明するが、本発明は以下の実施の具体的形態に限定されるものではなく、任意に変形して実施することができる。   Hereinafter, the present invention will be described, but the present invention is not limited to the following specific embodiments, and can be arbitrarily modified and implemented.

本発明の電解用パラジウムめっき液は、必須成分として、
(1)水溶性パラジウム塩、及び
(2)置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩(以下、「ナフタレンスルホン酸化合物」と略記する)を含有することを特徴としている。
The palladium plating solution for electrolysis of the present invention is an essential component,
(1) It contains a water-soluble palladium salt, and (2) an optionally substituted naphthalene monosulfonic acid or naphthalene disulfonic acid or a salt thereof (hereinafter abbreviated as “naphthalenesulfonic acid compound”). It is characterized by.

水溶性パラジウム塩としては特に限定はないが、パラジウムの塩化物、パラジウムの硫酸塩、パラジウムの硝酸塩、パラジウムのリン酸塩、パラジウムの亜硫酸塩等が好ましい。また、これらのアンモニア錯体(アンミン錯体)又はこれらのアミン錯体も好ましい。特に好ましくは、ジクロロテトラアンミンパラジウムである。   The water-soluble palladium salt is not particularly limited, but palladium chloride, palladium sulfate, palladium nitrate, palladium phosphate, palladium sulfite and the like are preferable. Moreover, these ammonia complexes (ammine complexes) or these amine complexes are also preferable. Particularly preferred is dichlorotetraamminepalladium.

本発明の電解用パラジウムめっき液中の水溶性パラジウム塩の濃度は特に限定はないが、電解用パラジウムめっき液全体に対して、パラジウムに換算して、0.1g/L〜50g/L含有されていることが好ましく、1g/L〜40g/Lが特に好ましく、2.5g/L〜30g/Lが更に好ましい。   The concentration of the water-soluble palladium salt in the palladium plating solution for electrolysis of the present invention is not particularly limited, but is 0.1 g / L to 50 g / L in terms of palladium with respect to the entire palladium plating solution for electrolysis. 1 g / L to 40 g / L is particularly preferable, and 2.5 g / L to 30 g / L is more preferable.

0.1g/Lより少ないと、やけが発生し、正常皮膜が得られず実用的でない場合がある。また、50g/Lより多いと、液のくみ出しによるパラジウム金属の消耗が多く経済的でない。これらの塩は、単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。   If it is less than 0.1 g / L, burns may occur and a normal film may not be obtained, which may be impractical. On the other hand, when the amount is more than 50 g / L, palladium metal is consumed due to the liquid drawing, which is not economical. These salts may be used alone or in combination of two or more.

本発明の電解用パラジウムめっき液には、「ナフタレンスルホン酸化合物」を含有することが必須である。「ナフタレンスルホン酸化合物」とは、上記したように、置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩をいう。すなわち、「ナフタレンスルホン酸化合物」とは、
(イ)置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはその塩、又は
(ロ)置換基を有していてもよいナフタレンジスルホン酸若しくはその塩
をいう。スルホン酸基はナフタレン環に直接結合している。
The palladium plating solution for electrolysis of the present invention must contain a “naphthalenesulfonic acid compound”. The “naphthalene sulfonic acid compound” refers to naphthalene monosulfonic acid, naphthalene disulfonic acid or a salt thereof which may have a substituent as described above. That is, the “naphthalene sulfonic acid compound”
(A) Naphthalene monosulfonic acid or a salt thereof which may have a substituent, or (b) Naphthalene disulfonic acid or a salt thereof which may have a substituent. The sulfonic acid group is directly bonded to the naphthalene ring.

ここで、置換基はナフタレン環に直接結合しており、具体的には例えば、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、カルボキシル基、カルボキシエステル基等が挙げられる。置換基は、その置換基を有するナフタレンスルホン酸化合物が水溶性であること、それが含有されることによって電解用パラジウムめっき液の性能に悪影響を及ぼさない等を考慮して任意に選択される。置換基としてのアルキル基は炭素数1〜5個のものが好ましい。   Here, the substituent is directly bonded to the naphthalene ring, and specific examples include an alkyl group, an alkoxyl group, a hydroxyl group, an amino group, an alkylamino group, a carboxyl group, and a carboxyester group. The substituent is arbitrarily selected in consideration of the fact that the naphthalenesulfonic acid compound having the substituent is water-soluble, and the inclusion thereof does not adversely affect the performance of the palladium plating solution for electrolysis. The alkyl group as a substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

ナフタレンスルホン酸化合物のナフタレン環には、スルホン酸基以外の置換基が結合していてもしていなくてもよいが、結合していないものが好ましい。すなわち、一般式(1)で表されるものが好ましい。
[一般式(1)中、Xはスルホン酸の対カチオンを示す。]
The naphthalene ring of the naphthalenesulfonic acid compound may or may not be bonded to a substituent other than the sulfonic acid group, but is preferably not bonded. That is, what is represented by General formula (1) is preferable.
[In General Formula (1), X represents a counter cation of sulfonic acid. ]

一般式(1)中、Xはスルホン酸のカチオンを示す。本発明の電解用パラジウムめっき液中でのスルホン酸のカチオン(X)としては、その電解用パラジウムめっき液中の電導塩、pH調整剤等の他の成分にも依存するものであり特に限定はなく、任意の1価のカチオンが挙げられる。通常、ナトリウムイオン(Na)、カリウムイオン(K)等のアルカリ金属イオン;アンモニウムイオン(NH )、アルキルアンモニウムイオン等の4級アンモニウムイオン;水素イオン(H)等である。 In general formula (1), X represents a cation of a sulfonic acid. The cation (X) of the sulfonic acid in the palladium plating solution for electrolysis of the present invention depends on other components such as a conductive salt and a pH adjuster in the palladium plating solution for electrolysis, and is particularly limited. And any monovalent cation. Usually, alkali metal ions such as sodium ion (Na + ) and potassium ion (K + ); quaternary ammonium ions such as ammonium ion (NH 4 + ) and alkylammonium ion; hydrogen ion (H + ) and the like.

ジスルホン酸化合物の場合、2個のスルホン酸基はナフタレン環に直接結合していればよく、一方の環(1、2、3又は4の位置)に2個とも結合していても、それぞれ別の環(1、2、3又は4の位置と、5、6、7又は8の位置)に結合していてもよいが、水溶性が充分に大きい等の点から、それぞれ別の環に結合していることが好ましい。   In the case of a disulfonic acid compound, the two sulfonic acid groups need only be directly bonded to the naphthalene ring, and even if both are bonded to one ring (position 1, 2, 3 or 4), May be bonded to each other ring (position 1, 2, 3 or 4 and position 5, 6, 7 or 8), but they are bonded to different rings from the viewpoint of sufficiently high water solubility. It is preferable.

本発明の電解用パラジウムめっき液の調製に用いられるナフタレンスルホン酸化合物としては、水溶性であり、水に溶解して電解用パラジウムめっき液となったときに上記構造になるものであればよい。具体的には、例えば、1−ナフタレンスルホン酸、1−ナフタレンスルホン酸ナトリウム、1−ナフタレンスルホン酸カリウム、1−ナフタレンスルホン酸アンモニウム、2−ナフタレンスルホン酸、2−ナフタレンスルホン酸ナトリウム、2−ナフタレンスルホン酸カリウム、2−ナフタレンスルホン酸アンモニウム、2,7−ナフタレンジスルホン酸、2,7−ナフタレンジスルホン酸カリウム、2,7−ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、2,7−ナフタレンジスルホン酸アンモニウム、1,5−ナフタレンジスルホン酸、1,5−ナフタレンジスルホン酸カリウム、1,5−ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、1,5−ナフタレンジスルホン酸アンモニウム等が好ましいものとして挙げられる。これらは1種を用いてもよいが、2種以上を併用することもできる。   The naphthalene sulfonic acid compound used for the preparation of the palladium plating solution for electrolysis of the present invention may be any water-soluble compound that has the above structure when dissolved in water to form a palladium plating solution for electrolysis. Specifically, for example, 1-naphthalenesulfonic acid, 1-naphthalenesulfonic acid sodium, 1-naphthalenesulfonic acid potassium, 1-naphthalenesulfonic acid ammonium, 2-naphthalenesulfonic acid, 2-naphthalenesulfonic acid sodium, 2-naphthalene Potassium sulfonate, ammonium 2-naphthalenesulfonate, 2,7-naphthalenedisulfonic acid, potassium 2,7-naphthalenedisulfonate, sodium 2,7-naphthalenedisulfonate, ammonium 2,7-naphthalenedisulfonate, 1,5- Preferred examples include naphthalenedisulfonic acid, potassium 1,5-naphthalenedisulfonate, sodium 1,5-naphthalenedisulfonate, ammonium 1,5-naphthalenedisulfonate, and the like. These may use 1 type, but can also use 2 or more types together.

ナフタレン環にスルホン酸基が3個又はそれ以上結合したものは、はんだぬれ性の向上が得られず、また、ワイヤーボンディング性がやや劣るので、本発明の課題解決のためには使用できない。   Those having 3 or more sulfonic acid groups bonded to the naphthalene ring cannot be used for solving the problems of the present invention because solder wettability is not improved and wire bonding properties are somewhat inferior.

ナフタレンスルホン酸化合物の含有量は特に限定はないが、電解用パラジウムめっき液全体に対して、0.001g/L〜50g/Lの範囲で含有されていることが好ましく、0.05g/L〜20g/Lが更に好ましく、1.0g/L〜10g/Lが最も好ましい。ナフタレンスルホン酸化合物の含有量が少なすぎると、はんだぬれ性の向上が得られない場合がある。   The content of the naphthalenesulfonic acid compound is not particularly limited, but it is preferably contained in the range of 0.001 g / L to 50 g / L with respect to the entire palladium plating solution for electrolysis, 20 g / L is more preferable, and 1.0 g / L to 10 g / L is most preferable. If the content of the naphthalene sulfonic acid compound is too small, improvement in solder wettability may not be obtained.

本発明の電解用パラジウムめっき液は、更に必要に応じ適宜、電導塩、キレート剤、界面活性剤等を含有することができる。   The palladium plating solution for electrolysis of the present invention can further contain a conductive salt, a chelating agent, a surfactant and the like as necessary.

電導塩としては特に限定はないが、硝酸アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、リン酸アンモニウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム、塩化ナトリウム等の中から適宜選択して使用することができる。これらは1種を用いてもよいが、2種以上を併用することもできる。   The conductive salt is not particularly limited, but is appropriately selected from ammonium nitrate, potassium nitrate, sodium nitrate, ammonium sulfate, potassium sulfate, sodium sulfate, ammonium phosphate, potassium phosphate, sodium phosphate, ammonium chloride, potassium chloride, sodium chloride, and the like. You can select and use. These may use 1 type, but can also use 2 or more types together.

キレート剤としては、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、ジカルボキシメチルグルタミン酸、1,3−プロパンジアミン四酢酸等のアミノカルボン酸系キレート剤又はそれらの塩;1,3−ジアミノ−2−ヒドロキシプロパン四酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、トリエタノールアミン等のヒドロキシアミノ酢酸系キレート剤又はそれらの塩;ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリ(メチレンプロパンホスホン酸)、ホスホノブタン三酢酸、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)等のホスホン酸系キレート剤又はそれらの塩;シュウ酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、レパルギル酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸やそれらの塩等を用いることができる。これらは1種を用いてもよいが、2種以上を併用することもできる。   Examples of the chelating agent include ethylenediaminetetraacetic acid, nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, triethylenetetraminehexaacetic acid, dicarboxymethylglutamic acid, 1,3-propanediaminetetraacetic acid, and other aminocarboxylic acid chelating agents or salts thereof; , 3-diamino-2-hydroxypropanetetraacetic acid, dihydroxyethylglycine, hydroxyethyliminodiacetic acid, hydroxyaminoacetic acid-based chelating agents such as hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, triethanolamine or salts thereof; hydroxyethylidene diphosphonic acid; Phosphonic acid chelating agents such as nitrilotri (methylenepropanephosphonic acid), phosphonobutane triacetic acid, ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid) or their salts; oxalic acid, citric acid, tartaric acid, gluco Use carboxylic acids such as acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, lepargic acid, sebacic acid, maleic acid, fumaric acid, acetic acid, propionic acid and their salts be able to. These may use 1 type, but can also use 2 or more types together.

界面活性剤としては、既存のカチオン系、ノニオン系、カチオン系、両性イオン系等の中から適宜選択して使用することができる。これらは1種を用いてもよいが、2種以上を併用することもできる。   As the surfactant, it can be used by appropriately selecting from existing cationic, nonionic, cationic, zwitterionic and the like. These may use 1 type, but can also use 2 or more types together.

カチオン系界面活性剤としては、アルキル硫酸エステル塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、脂肪酸塩、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、高分子界面活性剤等が挙げられる。   Examples of the cationic surfactant include alkyl sulfate ester salt, polyoxyethylene alkyl ether sulfate ester salt, alkylbenzene sulfonate salt, fatty acid salt, naphthalene sulfonate formalin condensate, and polymer surfactant.

ノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル等のポリオキシアルキレンアルキルエーテル;ポリオキシエチレン誘導体、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、ポリオキシエチレンアルキルアミン、脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。   Nonionic surfactants include polyoxyalkylene alkyl ethers such as polyoxyethylene alkyl ethers; polyoxyethylene derivatives, sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitol fatty acid esters, glycerin fatty acid esters, polyoxy Examples include ethylene fatty acid esters, polyoxyethylene hydrogenated castor oil, polyoxyethylene alkylamines, and fatty acid alkanolamides.

カチオン系界面活性剤としては、アルキルアミン塩、第四級アンモニウム塩等が挙げられ、両性界面活性剤としては、アルキルベタイン、アルキルアミンオキサイド等が挙げられる。   Examples of cationic surfactants include alkylamine salts and quaternary ammonium salts, and examples of amphoteric surfactants include alkylbetaines and alkylamine oxides.

本発明の電解用パラジウムめっき液のpHは、4〜12の範囲が好ましく、特に好ましくは7〜9の範囲である。pHが低すぎるとパラジウムが沈殿してしまう可能性があり、高すぎると基板に貼ってあるレジストを溶解してしまう場合がある。   The pH of the palladium plating solution for electrolysis according to the present invention is preferably in the range of 4 to 12, particularly preferably in the range of 7 to 9. If the pH is too low, palladium may be precipitated, and if it is too high, the resist attached to the substrate may be dissolved.

本発明の電解用パラジウムめっき液のめっき中の浴温度は特に限定はないが、30℃から80℃の範囲で使用されることが好ましい。   The bath temperature during plating of the palladium plating solution for electrolysis of the present invention is not particularly limited, but it is preferably used in the range of 30 to 80 ° C.

また、本発明の電解用パラジウムめっき液を用いてめっきを行う際の電流密度は特に限定はないが、0.25A/dm〜50A/dmの範囲で使用することが好ましく、0.3A/dm〜10A/dmの範囲で使用することが特に好ましい。 Further, there is no particular limitation current density when performing plating using electrolytic palladium plating solution of the present invention, preferably used in an amount of 0.25A / dm 2 ~50A / dm 2 , 0.3A / Dm 2 to 10 A / dm 2 is particularly preferable.

電解パラジウムめっきの時間は特に限定はなく、本発明の電解用パラジウムめっき液を用いた電解パラジウムめっき皮膜の厚さは、通常0.001μm〜0.1μm、好ましくは、0.002μm〜0.05μm、特に好ましくは、0.005μm〜0.02μmである。電解パラジウムめっき皮膜が薄すぎるときは、良好なはんだぬれ性や優れたワイヤーボンディング強度を達成することができない場合がある。一方、電解パラジウムめっき皮膜が厚すぎるときは、コスト的に不利であり、また、本発明は薄膜であっても、はんだぬれ性やワイヤーボンディング性能がよいので、その本発明の上記効果を生かせない場合がある。   The electrolytic palladium plating time is not particularly limited, and the thickness of the electrolytic palladium plating film using the palladium plating solution for electrolysis of the present invention is usually 0.001 μm to 0.1 μm, preferably 0.002 μm to 0.05 μm. Particularly preferably, the thickness is 0.005 μm to 0.02 μm. If the electrolytic palladium plating film is too thin, good solder wettability and excellent wire bonding strength may not be achieved. On the other hand, when the electrolytic palladium plating film is too thick, it is disadvantageous in terms of cost. Also, even if the present invention is a thin film, the solder wettability and wire bonding performance are good, so the above effects of the present invention cannot be utilized. There is a case.

本発明の電解用パラジウムめっき液を用いてリードフレームにPd−PPF(Pre−Plated−Frame)(以下、「PPF」と略記する)処理を行う場合は、基材の銅、銅合金や42材等の上に、公知の電解ニッケルめっき処理、本発明の電解用パラジウムめっき液を用いた電解パラジウムめっき処理、公知の電解金めっき処理を遂次行うことによって達成される。   When performing Pd-PPF (Pre-Plated-Frame) (hereinafter abbreviated as “PPF”) treatment on a lead frame using the palladium plating solution for electrolysis of the present invention, the base material copper, copper alloy or 42 materials Etc., by performing a known electrolytic nickel plating process, an electrolytic palladium plating process using the palladium plating solution for electrolysis of the present invention, and a known electrolytic gold plating process.

電解ニッケルめっき浴としては、ワット浴、スルファミン浴等が使用可能であり、電解金めっき液としては、市販の純金めっき液、例えば日本高純度化学(株)製のアフタープレート(商品名)等が使用可能である。   As an electrolytic nickel plating bath, a Watt bath, a sulfamine bath, or the like can be used. As an electrolytic gold plating solution, a commercially available pure gold plating solution, for example, an after plate (trade name) manufactured by Japan High Purity Chemical Co., Ltd., etc. It can be used.

<作用・原理>
本発明のナフタレンスルホン酸化合物を含有する電解用パラジウムめっき液を用いて電解パラジウムめっき皮膜を形成させると、その電解パラジウムめっき皮膜及び/又は電解金メッキ皮膜が薄膜であっても、良好なはんだぬれ性や優れたワイヤーボンディング強度を達成できる作用・原理は明らかではないが、また、その作用原理によって本発明の技術的範囲は何ら限定されるものではないが、以下のように推察している。すなわち、本発明の電解用パラジウムめっき液を用いて形成された電解パラジウムめっき皮膜は、薄膜であっても、銅やニッケルの拡散を防ぐ性質に優れているため、銅やニッケルが金めっき皮膜表面まで拡散して行って、はんだぬれ性やワイヤーボンディング性に悪影響を及ぼすことを防げたものと推察している。
<Action and principle>
When an electrolytic palladium plating film is formed using the palladium plating solution for electrolysis containing the naphthalenesulfonic acid compound of the present invention, good solder wettability even if the electrolytic palladium plating film and / or the electrolytic gold plating film is a thin film. Although the action and principle that can achieve excellent wire bonding strength are not clear, the technical scope of the present invention is not limited by the action principle, but it is presumed as follows. That is, the electrolytic palladium plating film formed by using the palladium plating solution for electrolysis of the present invention is excellent in the property of preventing the diffusion of copper and nickel even if it is a thin film. It is presumed that it was able to prevent adverse effects on solder wettability and wire bonding properties.

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、その要旨を超えない限り、これらの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are given and this invention is demonstrated further more concretely, this invention is not limited to these Examples, unless the summary is exceeded.

<各めっき工程とめっき皮膜の膜厚の測定方法>
めっき皮膜を形成させるリードフレームをシアン系脱脂液(シアン化ナトリウム50g/L、水酸化ナトリウム100g/L、EDTA・2ナトリウム塩50g/L)に浸漬し、常温、陰極電圧5.0Vで10秒間脱脂処理を行った。続いて、常温の5質量%硫酸に30秒間浸漬した。
<Measuring method of each plating step and thickness of plating film>
The lead frame on which the plating film is to be formed is immersed in a cyan-based degreasing solution (sodium cyanide 50 g / L, sodium hydroxide 100 g / L, EDTA · disodium salt 50 g / L) at room temperature and cathode voltage 5.0 V for 10 seconds. Degreasing treatment was performed. Then, it was immersed in 5 mass% sulfuric acid of normal temperature for 30 seconds.

次いで、市販のSNコンク(株式会社ムラタ社製の商品名)の標準使用条件で作ったスルファミン酸無光沢ニッケル液を用いて、温度50℃、陰極電流密度5.0A/dmで1.0μm程度の電解ニッケル皮膜を形成させた。 Next, a sulfamic acid matte nickel solution made under the standard use conditions of a commercially available SN conch (trade name manufactured by Murata Co., Ltd.) was used, and the temperature was 50 ° C. and the cathode current density was 5.0 A / dm 2 . A degree of electrolytic nickel film was formed.

ここで、電解ニッケルめっき皮膜の膜厚は、微小部蛍光X線分析計SEA5120(セイコーインスツルメンツ社製の商品名)にて測定した。この後の電解パラジウムめっき皮膜の膜厚、電解金めっき皮膜の膜厚も同じ機器にて測定した。   Here, the film thickness of the electrolytic nickel plating film was measured with a micro fluorescent X-ray analyzer SEA5120 (trade name, manufactured by Seiko Instruments Inc.). The film thickness of the electrolytic palladium plating film after this and the film thickness of the electrolytic gold plating film were also measured with the same apparatus.

続いて、本発明の電解用パラジウムめっき液を用いて、温度60℃、陰極電流密度0.5A/dmで、下記の各実施例、比較例の目的膜厚になるように電解パラジウムめっき処理を行った。 Subsequently, using the palladium plating solution for electrolysis of the present invention, electrolytic palladium plating treatment was performed at a temperature of 60 ° C. and a cathode current density of 0.5 A / dm 2 so as to achieve the target film thickness of each of the following Examples and Comparative Examples. Went.

続いて、市販の電解金めっき液アフタープレート(日本高純度化学株式会社製の商品名)に、温度50℃、陰極電流密度0.09A/dmで0.005μmの電解金めっき皮膜を形成した。 Subsequently, an electrolytic gold plating film having a temperature of 50 ° C. and a cathode current density of 0.09 A / dm 2 was formed on a commercially available electrolytic gold plating solution afterplate (trade name, manufactured by Nippon Kojun Kagaku Co., Ltd.). .

<ワイヤボンディング強度の測定方法>
図2に、ワイヤボンディング強度の測定方法の概略図を示す。上記めっき工程の説明に記載の方法で形成させたリードフレームを、240℃のオーブンで30秒加熱後、パッド部分にウエッジ−ウエッジ型ボンダー WEST BOND 5400−45G(WEST BOND社製)を使用して、金ワイヤ径25μmφ、荷重80g、温度120℃、超音波Power1を1000mWで35msec、超音波Power2を1000mWで35msecの条件でワイヤボンディングし、図2に示した「プル試験引っ張り方向」に引っ張り、ボンディングされた金ワイヤの破断直前のピール強度と、金ワイヤの破断箇所を観察した。ピール強度が8.0g以上、かつ図2における破断箇所がネック切れ「○」であるものを「良好」とし、ワイヤー剥がれ「×」のものを「不良」とした。
<Measurement method of wire bonding strength>
FIG. 2 shows a schematic diagram of a method for measuring wire bonding strength. After the lead frame formed by the method described in the description of the plating step is heated in an oven at 240 ° C. for 30 seconds, a wedge-wedge bonder WEST BOND 5400-45G (manufactured by WEST BOND) is used for the pad portion. Gold wire diameter 25 μmφ, load 80 g, temperature 120 ° C., ultrasonic power 1 is 1000 mW, 35 msec, ultrasonic power 2 is 1000 mW, 35 msec, and wire is pulled in the “pull test pull direction” shown in FIG. The peel strength immediately before the breakage of the gold wire and the breakage point of the gold wire were observed. The case where the peel strength was 8.0 g or more and the fractured portion in FIG. 2 was a “n” in the neck was defined as “good”, and the case where the wire peeled off was “x” was defined as “bad”.

<メニスコグラフ法による「はんだぬれ性」の測定方法>
図3に、メニスコグラフの測定原理を示す。なお、実際には溶融はんだが上昇するが、簡略化のために試料が下降する図にしてある。めっき皮膜を形成させたリードフレームを400℃のオーブンで60秒加熱後、アウターリード部分を切り取って先端にフラックス(タムラ化研製、SOLDERITE NA−200)を塗布し、専用のチャックに挟んだ。鉛フリーはんだ(千住金属社製、Sn96.5% Ag3% Cu0.5%)を、250℃で溶融してあるメニスコグラフ法はんだぬれ性測定器(RHESCA社製、SAT5100)に、上記測定試料が保持されたチャックを取り付けた。
<Measuring method of solder wettability by meniscograph method>
FIG. 3 shows the measurement principle of the meniscograph. It should be noted that although the molten solder actually rises, the sample descends for simplicity. The lead frame on which the plating film was formed was heated in an oven at 400 ° C. for 60 seconds, and then the outer lead part was cut off, and a flux (SOLDERITE NA-200, manufactured by Tamura Chemical Co., Ltd.) was applied to the tip. The above measurement sample is held in a menisograph solder wettability measuring instrument (RHESCA, SAT5100) in which lead-free solder (Senju Metal Co., Sn96.5% Ag3% Cu0.5%) is melted at 250 ° C. The attached chuck was attached.

測定器のはんだポットが10mm/秒の速さで上昇する(図3中、AからB)。試料がはんだに5.0mm浸漬するとはんだポットの上昇が止まり(図3中、C)、試料がはんだと接触(図3中、B)してから5.0秒後に下がる(図3中、F)。サンプルにかかる力は、試料の浸漬部分の浮力の大きさと、試料表面にはんだがぬれる力で決まる。はんだと接触することによって、最初はんだからの浮力によって上向きだった力は、ぬれが生じることによって下向きの力になる。はんだと接触(図3中、B)してから、2つの力が丁度はんだと接触させる前と同じになったとき(図3中、D)を「ゼロクロスタイム」といい、この時間(図3中、BからDまでの時間)が2秒以下のものを「良好」とした。同様に、n=1からn=3まで3回測定した。   The solder pot of the measuring device rises at a speed of 10 mm / sec (A to B in FIG. 3). When the sample is immersed in the solder by 5.0 mm, the rise of the solder pot stops (C in FIG. 3), and lowers 5.0 seconds after the sample comes into contact with the solder (B in FIG. 3) (F in FIG. 3). ). The force applied to the sample is determined by the size of the buoyancy of the immersed part of the sample and the force with which the solder wets the sample surface. By coming into contact with the solder, the force that was initially upward due to the buoyancy from the solder becomes a downward force due to wetting. When the two forces are the same as before the contact with the solder (B in FIG. 3) after contact with the solder (D in FIG. 3), this is called “zero cross time”. Among them, those having a time from B to D) of 2 seconds or less were evaluated as “good”. Similarly, three measurements were performed from n = 1 to n = 3.

<めっきランニング性の評価方法>
電解用パラジウムめっき液1Lに対して、0.1dmの脱脂した銅板を用いて電解めっきを行った。消費したパラジウム量を随時補充しながら、パラジウム総消費量/建浴時のパラジウム量(以下、「MTO」と記す)を測定し、3MTOまでパラジウムを消費させた後の液で「はんだぬれ性」の測定を行った。この時の「はんだぬれ性」が新建浴時から変化していないものを、めっきランニング性が優れているものとした。
<Method for evaluating plating running performance>
Electrolytic plating was performed on 1 L of the palladium plating solution for electrolysis using a 0.1 dm 2 degreased copper plate. While replenishing the amount of palladium consumed as needed, measure the total amount of palladium consumed / the amount of palladium in the bath (hereinafter referred to as “MTO”), and “solder wettability” with the solution after consuming up to 3 MTO of palladium. Was measured. When the “solder wettability” at this time did not change from the time of the new construction bath, it was determined that the plating running property was excellent.

実施例1
以下の組成の電解用パラジウムめっき液を調製し、アンモニア水及びリン酸でpHを7.5〜8.5に調整した。
ジクロロテトラアンミンパラジウム 3.0g/L(パラジウム換算で)
2−ナフタレンスルホン酸ナトリウム 3.0g/L
硝酸アンモニウム 125g/L
酢酸アンモニウム 50g/L
塩化アンモニウム 10g/L
Example 1
A palladium plating solution for electrolysis having the following composition was prepared, and the pH was adjusted to 7.5 to 8.5 with aqueous ammonia and phosphoric acid.
Dichlorotetraamminepalladium 3.0 g / L (in terms of palladium)
2-Naphthalenesulfonic acid sodium salt 3.0g / L
Ammonium nitrate 125g / L
Ammonium acetate 50g / L
Ammonium chloride 10g / L

図1に示す銅素材のリードフレームのパッド部分に、上記方法で1.0μmの電解ニッケルめっき皮膜を形成した後、上記の電解用パラジウムめっき液を用い、上記方法で0.01μmの電解パラジウムめっきを行い、次いで、上記方法で0.005μmの電解金めっき皮膜を形成させた。   After forming a 1.0 μm electrolytic nickel plating film on the pad portion of the copper lead frame shown in FIG. 1 by the above method, 0.01 μm electrolytic palladium plating by the above method using the above palladium plating solution for electrolysis. Then, a 0.005 μm electrolytic gold plating film was formed by the above method.

かくして得られためっきフレームに対してワイヤーボンディング強度の測定を行ったところ、20個の平均ピール強度は9.1gであり、破断箇所評価は、20個全て「○」である、という結果が得られた。   When the wire bonding strength was measured on the plating frame thus obtained, the average peel strength of 20 pieces was 9.1 g, and the evaluation of the breaking points was all “◯”. It was.

実施例2
実施例1と同じ組成の電解用パラジウムめっき液を調製し、アンモニア及びリン酸でpHを7.5〜8.5に調整した。電解パラジウムめっき皮膜の膜厚を0.03μmに変えた以外は、実施例1と同様にめっきフレームを得た。
Example 2
A palladium plating solution for electrolysis having the same composition as in Example 1 was prepared, and the pH was adjusted to 7.5 to 8.5 with ammonia and phosphoric acid. A plating frame was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the electrolytic palladium plating film was changed to 0.03 μm.

かくして得られためっきフレームを、400℃のオーブンで60秒加熱後、アウターリード部のはんだぬれ性を評価した。結果は表1に示すように、新建浴時も3MTO後も共に良好であり、めっきランニング性に優れていた。   The plating frame thus obtained was heated in an oven at 400 ° C. for 60 seconds, and the solder wettability of the outer lead portion was evaluated. As shown in Table 1, the results were good both at the time of new building bath and after 3 MTO, and were excellent in plating running performance.

実施例3
以下の組成の電解用パラジウムめっき液を調製し、アンモニア及びリン酸でpHを7.5〜8.5に調整し、実施例2と同様にめっきフレームを得て、実施例2と同様にはんだぬれ性の測定を行った。結果は表1に示すように、新建浴時も3MTO後も共に良好であり、めっきランニング性に優れていた。
Example 3
Prepare a palladium plating solution for electrolysis having the following composition, adjust the pH to 7.5 to 8.5 with ammonia and phosphoric acid, obtain a plating frame as in Example 2, and solder as in Example 2. The wettability was measured. As shown in Table 1, the results were good both at the time of new building bath and after 3 MTO, and were excellent in plating running performance.

ビス(エチレンジアミン)パラジウム塩化物 3.0g/L(パラジウム換算で)
1,5−ナフタレンジスルホン酸2ナトリウム 3.0g/L
硫酸ナトリウム 125g/L
コハク酸ナトリウム 50g/L
塩化アンモニウム 10g/L
Bis (ethylenediamine) palladium chloride 3.0g / L (in terms of palladium)
1,5-Naphthalenedisulfonic acid disodium 3.0 g / L
Sodium sulfate 125g / L
Sodium succinate 50g / L
Ammonium chloride 10g / L

比較例1
実施例2の電解用パラジウムめっき液の2−ナフタレンスルホン酸ナトリウムをナフタレン−1,3,6−トリスルホン酸3ナトリウムに代えた以外は、実施例2と同様にめっきフレームを得て、実施例2と同様にはんだぬれ性の測定を行った。結果は表1に示すように、新建浴時も3MTO後も共に劣っていた。また、ワイヤーボンディング試験も実施例1と同様に行ったところ、破断箇所評価は、20個全て「○」であったが、20個の平均ピール強度は7.1gであり、劣っていた。
Comparative Example 1
A plating frame was obtained in the same manner as in Example 2 except that sodium 2-naphthalenesulfonate in the palladium plating solution for electrolysis in Example 2 was replaced with trisodium naphthalene-1,3,6-trisulfonate. Similarly to 2, solder wettability was measured. As shown in Table 1, the results were inferior both at the time of new construction and after 3 MTO. Moreover, when the wire bonding test was also performed in the same manner as in Example 1, the evaluation of the breaking points was “◯” for all 20, but the average peel strength of the 20 pieces was 7.1 g, which was inferior.

比較例2
実施例2の電解用パラジウムめっき液の2−ナフタレンスルホン酸ナトリウムを除いた以外は、実施例2と同様にめっきフレームを得て、実施例2と同様にはんだぬれ性の測定を行った。結果は表1に示すように、新建浴時も3MTO後も共に劣っていた。
Comparative Example 2
A plating frame was obtained in the same manner as in Example 2 except that sodium 2-naphthalenesulfonate in the palladium plating solution for electrolysis in Example 2 was omitted, and the solder wettability was measured in the same manner as in Example 2. As shown in Table 1, the results were inferior both at the time of new construction and after 3 MTO.

比較例3
実施例2の電解用パラジウムめっき液の2−ナフタレンスルホン酸ナトリウムをβ−ナフトールエトキシレート(2−ナフトールのエチレンオキサイド12モル付加物)に代えた以外は、実施例2と同様にめっきフレームを得て、実施例2と同様にはんだぬれ性の測定を行った。結果は表1に示すように、3MTO後が劣っており、めっきランニング性が悪いことが分かった。
Comparative Example 3
A plating frame was obtained in the same manner as in Example 2 except that sodium 2-naphthalenesulfonate in the palladium plating solution for electrolysis in Example 2 was replaced with β-naphthol ethoxylate (2-naphthol ethylene oxide 12-mole adduct). In the same manner as in Example 2, the solder wettability was measured. As shown in Table 1, the results were inferior after 3MTO, and the plating running performance was poor.

比較例4
実施例2の電解用パラジウムめっき液の2−ナフタレンスルホン酸ナトリウムを3−ピリジンスルホン酸ナトリウムに代えた以外は、実施例2と同様にめっきフレームを得て、実施例2と同様にはんだぬれ性の測定を行った。結果は表1に示すように、新建浴時も3MTO後も共に2秒を越えており、はんだぬれ性に劣っていた。
Comparative Example 4
A plating frame was obtained in the same manner as in Example 2 except that sodium 2-naphthalenesulfonate in the palladium plating solution for electrolysis in Example 2 was replaced with sodium 3-pyridinesulfonate, and solder wettability in the same manner as in Example 2. Was measured. As shown in Table 1, the results exceeded 2 seconds both at the time of new construction bath and after 3 MTO, and the solder wettability was inferior.

表1中の数字は、図3のBからDまでの時間で、単位は「秒」である。 The numbers in Table 1 are the time from B to D in FIG. 3, and the unit is “second”.

以上の実施例、比較例は、リードフレームへの電解パラジウムめっきについてのみ記述したが、上記測定で良好な結果得られたということは、これ以外に、コネクター、基板端子等に対しても、同様に良好な効果を発揮することは明らかである。   In the above examples and comparative examples, only the electrolytic palladium plating on the lead frame has been described. However, the fact that good results were obtained by the above measurement was also applied to connectors, board terminals, etc. It is clear that it exhibits a good effect.

本発明の電解用パラジウムめっき液を用いて形成しためっき皮膜は、はんだぬれ性、そのランニング性、ワイヤーボンディング性に優れているため、リードフレーム、コネクター、基板端子等に広く利用されるものである。   The plating film formed by using the palladium plating solution for electrolysis of the present invention is excellent in solder wettability, its running property, and wire bonding property, and is therefore widely used for lead frames, connectors, board terminals and the like. .

本発明の実施例と比較例で用いた、一般的なリードフレームを示す図である。It is a figure which shows the general lead frame used by the Example and comparative example of this invention. 本発明の実施例で用いた、「ワイヤボンディング強度」の測定方法の概略を示す図である。すなわち「ピール強度」の測定方法と「破断箇所評価」の判定基準を示す図である。ワイヤ剥がれが破断箇所評価「×」、ネック切れが破断箇所評価「○」である。It is a figure which shows the outline of the measuring method of "wire bonding strength" used in the Example of this invention. That is, it is a diagram showing a method of measuring “peel strength” and a criterion for “evaluation of broken part”. The peeling of the wire is the breaking point evaluation “×”, and the broken neck is the breaking point evaluation “◯”. 本発明の実施例と比較例で用いた、メニスコグラフ法による「はんだぬれ性」の測定方法を示す図である。It is a figure which shows the measuring method of the "solder wettability" by the meniscograph method used by the Example and comparative example of this invention.

Claims (7)

水溶性パラジウム塩、及び、置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩を含有することを特徴とする電解用パラジウムめっき液。   A palladium plating solution for electrolysis comprising a water-soluble palladium salt and naphthalene monosulfonic acid or naphthalene disulfonic acid which may have a substituent or a salt thereof. 置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩が、ナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸、それらのナトリウム塩、それらのカリウム塩又はそれらのアンモニウム塩である請求項1に記載の電解用パラジウムめっき液。   The optionally substituted naphthalene monosulfonic acid or naphthalene disulfonic acid or a salt thereof is naphthalene monosulfonic acid or naphthalene disulfonic acid, a sodium salt thereof, a potassium salt thereof or an ammonium salt thereof. 2. The palladium plating solution for electrolysis according to 1. 前記水溶性パラジウム塩が、パラジウムの塩化物、パラジウムの硫酸塩、パラジウムの硝酸塩、パラジウムのリン酸塩若しくはパラジウムの亜硫酸塩、又は、それらのアンモニア錯体若しくはアミン錯体である請求項1又は請求項2に記載の電解用パラジウムめっき液。   The water-soluble palladium salt is palladium chloride, palladium sulfate, palladium nitrate, palladium phosphate or palladium sulfite, or an ammonia complex or amine complex thereof. The palladium plating solution for electrolysis as described in 2. 前記置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩が、該めっき液全体に対して、0.001g/L〜50g/L含有されている請求項1ないし請求項3に記載の電解用パラジウムめっき液。   The naphthalene monosulfonic acid or naphthalene disulfonic acid or a salt thereof which may have the substituent is contained in an amount of 0.001 g / L to 50 g / L with respect to the entire plating solution. Item 4. A palladium plating solution for electrolysis according to Item 3. 前記水溶性パラジウム塩が、該めっき液全体に対して、パラジウムに換算して、0.1g/L〜50g/L含有されている請求項1ないし請求項4の何れかの請求項に記載の電解用パラジウムめっき液。   5. The water-soluble palladium salt according to claim 1, wherein the water-soluble palladium salt is contained in an amount of 0.1 g / L to 50 g / L in terms of palladium with respect to the entire plating solution. Palladium plating solution for electrolysis. 請求項1ないし請求項5の何れかの請求項に記載の電解用パラジウムめっき液を用いて形成されたことを特徴とする電解パラジウムめっき皮膜。   An electrolytic palladium plating film formed using the palladium plating solution for electrolysis according to any one of claims 1 to 5. 金属基板上に、電解ニッケルめっき皮膜、電解パラジウムめっき皮膜、電解金めっき皮膜を順次形成させたリードフレームであって、該電解パラジウムめっき皮膜が、請求項1ないし請求項5の何れかの請求項に記載の電解用パラジウムめっき液を用いて形成されたものであることを特徴とするリードフレーム。
6. A lead frame in which an electrolytic nickel plating film, an electrolytic palladium plating film, and an electrolytic gold plating film are sequentially formed on a metal substrate, wherein the electrolytic palladium plating film is any one of claims 1 to 5. A lead frame formed using the palladium plating solution for electrolysis described in 1.
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