JP2007258004A - Light-emitter and manufacturing method thereof, and light-emitting element - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitter and its manufacturing method which hardly suffers from elution of activating elements that contribute to light emission such as transition metals and rare earth elements, and also to provide a light-emitting element manufactured by using the same. <P>SOLUTION: This light emitter has a structure of laminating in order a first metallic anode oxide film and a second metallic anode oxide film on a substrate, wherein the first metallic anode oxide film contains activating elements that contribute to light emission, and the first metallic anode oxide film and the second metallic anode oxide film are anodized. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、励起光により発光する発光体およびその製造方法、ならびに当該発光体を用いた発光素子に関する。   The present invention relates to a light emitter that emits light by excitation light, a method for manufacturing the light emitter, and a light emitting element using the light emitter.

従来、フォトルミネッセンス（ＰＬ）発光やエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）発光付活元素を含有する金属膜を陽極酸化することにより、蛍光体やＥＬ発光素子を形成する技術が提案されている。   Conventionally, a technique for forming a phosphor or an EL light emitting element by anodizing a metal film containing a photoluminescence (PL) light emission or electroluminescence (EL) light emission active element has been proposed.

図１７（ａ）は、蛍光付活元素として、１重量％のマンガンを含有する板厚６ｍｍのアルミニウム板２００の断面図である。たとえば特開昭６０−２５８２８３号公報（特許文献１）には、このようなアルミニウム板２００を陽極とし、ステンレス鋼板を陰極として、１６５ｇ／ｌのＫＯＨ、３５ｇ／ｌのＫＦおよび３５ｇ／ｌのＡｌ（ＯＨ）3を含有するアルカリ性浴中において陽極酸化処理する。特許文献１は、このようにしてアルミニウム板２００の表面に、黄橙色の蛍光を発する陽極酸化膜２０１を形成する技術を開示する（図１７（ｂ））。 FIG. 17A is a cross-sectional view of a 6 mm thick aluminum plate 200 containing 1 wt% manganese as a fluorescence activation element. For example, JP-A-60-258283 (Patent Document 1) discloses such an aluminum plate 200 as an anode, a stainless steel plate as a cathode, 165 g / l KOH, 35 g / l KF, and 35 g / l Al. Anodizing in an alkaline bath containing (OH) 3 . Patent Document 1 discloses a technique for forming the anodic oxide film 201 that emits yellow-orange fluorescence on the surface of the aluminum plate 200 in this manner (FIG. 17B).

また、特開昭６２−５２８８６号公報（特許文献２）には、ＥＬ発光に寄与する発光付活元素を含有するアルミニウム薄膜を用いたＥＬ発光素子の製造方法が開示されている。すなわち、まず、透明基板２０２上に透明電極２０３が形成される（図１８（ａ））。次に、該透明電極２０３上に遷移金属または希土類元素などのＥＬ発光に寄与する発光付活元素を含有するアルミニウム薄膜２０４を形成する（図１８（ｂ））。次に、該アルミニウム薄膜２０４をシュウ酸中に浸し、陽極酸化することにより、遷移金属または希土類元素などのＥＬ発光に寄与する発光付活元素を含有する陽極酸化アルミニウム薄膜２０５が形成される（図１８（ｃ））。最後に、前記陽極酸化アルミニウム薄膜２０５上に対向電極２０６を形成することで、ＥＬ発光素子が形成される（図１８（ｄ））。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-52886 (Patent Document 2) discloses a method for manufacturing an EL light emitting device using an aluminum thin film containing a light emitting activation element contributing to EL light emission. That is, first, the transparent electrode 203 is formed on the transparent substrate 202 (FIG. 18A). Next, an aluminum thin film 204 containing a light emitting activation element contributing to EL light emission such as a transition metal or a rare earth element is formed on the transparent electrode 203 (FIG. 18B). Next, the aluminum thin film 204 is immersed in oxalic acid and anodized to form an anodized aluminum thin film 205 containing a light emitting activation element that contributes to EL light emission such as a transition metal or a rare earth element (FIG. 18 (c)). Finally, the counter electrode 206 is formed on the anodized aluminum thin film 205, whereby an EL light emitting element is formed (FIG. 18D).

しかしながら、上記した従来技術では、アルミニウム中に含有させた遷移金属や希土類元素が選択的な溶出や凝集による偏析が発生するため、陽極酸化アルミニウム中に、適正量の遷移金属や希土類元素などの発光付活元素を均一に含有させることが困難であった。たとえば、陽極酸化アルミニウムの表面付近において、遷移金属や希土類元素の選択的溶出が発生する場合は発光付活元素が減少し、あるいは電極に近い場所から酸化が進行するために全面にわたり均一に酸化することが困難であり、発光強度が弱くまたは発光しないといった場合があった。   However, in the prior art described above, segregation due to selective elution and aggregation of transition metals and rare earth elements contained in aluminum occurs, so that an appropriate amount of transition metals and rare earth elements are emitted in anodized aluminum. It was difficult to uniformly contain the activation element. For example, when selective elution of transition metals and rare earth elements occurs near the surface of anodized aluminum, the light-emitting active elements decrease, or oxidation proceeds uniformly from a location close to the electrode, so that the entire surface is uniformly oxidized. In some cases, the emission intensity is weak or no light is emitted.

また、図１７に示すように、アルミニウム板２００を用いる場合、遷移金属や希土類元素からなる蛍光付活元素が均一に含有されたアルミニウム板を形成するためには、蛍光付活元素の含有量を０．１〜５．０重量％の範囲とすることが必要である。より多量の蛍光付活元素を含有させようとすると、アルミニウム板を形成する過程で、不純物である蛍光付活元素の偏析が発生し、該偏析部分の局所的溶出が発生するとともに、実際にアルミニウム板に均一に含有されている蛍光付活元素の量が減少することになる。このような蛍光付活元素の偏析を完全に抑制するためには、該含有量を０．１〜２重量％程度の範囲にすることが望ましく、蛍光付活元素の絶対量が減少するとともに、アルミニウム板表面からの蛍光付活元素の選択的溶出が進行することにより、発光強度の弱いまたは発光しない発光素子ができる場合があった。   In addition, as shown in FIG. 17, when the aluminum plate 200 is used, in order to form an aluminum plate in which a fluorescent activation element composed of a transition metal or a rare earth element is uniformly contained, the content of the fluorescent activation element is set. It is necessary to make it the range of 0.1 to 5.0 weight%. If an attempt is made to contain a larger amount of the fluorescent activation element, segregation of the fluorescent activation element as an impurity occurs in the process of forming the aluminum plate, local elution of the segregated portion occurs, and in fact, aluminum The amount of the fluorescence activation element uniformly contained in the plate is reduced. In order to completely suppress such segregation of the fluorescence activation element, the content is desirably in the range of about 0.1 to 2% by weight, while the absolute amount of the fluorescence activation element is reduced, In some cases, the selective elution of the fluorescence-activating element from the surface of the aluminum plate proceeds, so that a light-emitting element with low emission intensity or no light emission may be obtained.

また図１９（ａ）は、図１８に従って、ＥＬ発光素子を実際に形成する際の陽極酸化のために陽極酸化液２２０中に浸漬したときの透明基板のエッジ部２０７の拡大図を示し、図１９（ｂ）は陽極酸化を開始した初期、図１９（ｃ）は陽極酸化終了直前のそれぞれ図１８に示した透明基板エッジ部２０７の拡大図を模式的に示している。なお、図１９（ａ）〜（ｃ）では陰極および通電を行なうための回路図は省略して示している。   FIG. 19A shows an enlarged view of the edge portion 207 of the transparent substrate when immersed in the anodizing solution 220 for anodizing when the EL light emitting device is actually formed according to FIG. FIG. 19C schematically shows an enlarged view of the transparent substrate edge portion 207 shown in FIG. 18 immediately before the end of the anodic oxidation. In FIGS. 19A to 19C, the cathode and the circuit diagram for energization are omitted.

図１９（ａ）〜（ｃ）に示すように、遷移金属や希土類元素などの発光付活元素を含有するアルミニウム薄膜２０４は、透明基板２０２上に設けられた透明電極２０３が露出するように形成されており、透明電極２０３の露出した部分に、白金などの電極端子２０８が接触固定される。その後、シュウ酸溶液中において陽極酸化が行なわれる。ここで、陽極酸化過程において、電流が最も流れやすくなるのは、透明電極２０３とアルミニウム薄膜２０４との界面端部２０９であり、遷移金属や希土類元素などの発光付活元素の溶出が、該界面端部２０９で進行することになる。該元素の溶出反応に伴い、酸素が発生し、該界面端部において陽極酸化アルミニウム膜２０５の剥離が発生する。そして該元素の溶出と酸素発生による膜剥離が急速に進行し、広範囲の剥離部分２１０が形成されることになる。このような剥離部分２１０が形成されると、もはや、ＥＬ発光素子として使用することができなくなる。
特開昭６０−２５８２８３号公報 特開昭６２−５２８８６号公報 As shown in FIGS. 19A to 19C, the aluminum thin film 204 containing a light emitting activation element such as a transition metal or a rare earth element is formed so that the transparent electrode 203 provided on the transparent substrate 202 is exposed. The electrode terminal 208 such as platinum is contacted and fixed to the exposed portion of the transparent electrode 203. Thereafter, anodization is performed in an oxalic acid solution. Here, in the anodic oxidation process, the current flows most easily at the interface end portion 209 between the transparent electrode 203 and the aluminum thin film 204, and the elution of light-emitting active elements such as transition metals and rare earth elements occurs at the interface. It will proceed at the end 209. Oxygen is generated with the elution reaction of the element, and the anodized aluminum film 205 is peeled off at the interface end. Then, the separation of the film due to the elution of the element and the generation of oxygen proceeds rapidly, and a wide range peeled portion 210 is formed. When such a peeling portion 210 is formed, it can no longer be used as an EL light emitting element.
JP 60-258283 A JP-A 62-52886

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、遷移金属や希土類元素などの発光付活元素の溶出が少なく、安定して発光体を製造でき（歩留りをよくする）発光体およびその製造方法、ならびに当該発光体を用いた発光素子を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and the object of the present invention is to produce a light emitter stably with little elution of light-emitting active elements such as transition metals and rare earth elements ( It is to provide a light-emitting body and a method for manufacturing the same, and a light-emitting element using the light-emitting body.

本発明の発光体は、基板上に、第１バルブ金属陽極酸化膜と、第２バルブ金属陽極酸化膜とが順次設けられた構造を備え、前記第１バルブ金属陽極酸化膜が発光付活元素を含有することを特徴とする。   The light emitter of the present invention has a structure in which a first valve metal anodized film and a second valve metal anodized film are sequentially provided on a substrate, and the first valve metal anodized film is a light-emitting active element. It is characterized by containing.

本発明の発光体は、前記基板と前記第１バルブ金属陽極酸化膜との間に、導電膜が設けられてなるのが好ましい。また、前記導電膜が透明導電膜であることがより好ましい。   In the illuminant of the present invention, a conductive film is preferably provided between the substrate and the first valve metal anodized film. The conductive film is more preferably a transparent conductive film.

本発明の発光体において、前記第２バルブ金属陽極酸化膜が、前記第１バルブ金属陽極酸化膜が露出しないように当該第１バルブ金属陽極酸化膜を覆って設けられているか、または、前記第１バルブ金属陽極酸化膜のエッジ部が露出しないように、エッジ保護膜が設けられていることが、好ましい。   In the light emitter of the present invention, the second valve metal anodized film is provided so as to cover the first valve metal anodized film so that the first valve metal anodized film is not exposed, or the first valve metal anodized film is exposed. It is preferable that an edge protective film is provided so that the edge portion of the one-valve metal anodized film is not exposed.

本発明は、基板上に、発光付活元素を含有する第１バルブ金属膜と、第２バルブ金属膜とを順次設け、第１バルブ金属膜と第２バルブ金属膜とを陽極酸化することを特徴とする発光体の製造方法を提供する。   According to the present invention, a first valve metal film and a second valve metal film containing a light emitting activation element are sequentially provided on a substrate, and the first valve metal film and the second valve metal film are anodized. Provided is a method for manufacturing a light emitter.

本発明はまた、基板上に、導電膜と、発光付活元素を含有する第１バルブ金属膜と、第２バルブ金属膜とを順次設け、第１バルブ金属膜と第２バルブ金属膜とを陽極酸化することを特徴とする発光体の製造方法も提供する。   The present invention also sequentially provides a conductive film, a first valve metal film containing a light-emitting active element, and a second valve metal film on a substrate, and the first valve metal film and the second valve metal film are provided. There is also provided a method for producing a light emitter characterized by anodizing.

上述した本発明の発光体の製造方法においては、前記第１バルブ金属膜が露出しないように、当該第１バルブ金属膜を覆うようにして第２バルブ金属膜を設け、第１バルブ金属膜と第２バルブ金属膜とを陽極酸化することが好ましい。   In the above-described method for manufacturing a light emitter according to the present invention, a second valve metal film is provided so as to cover the first valve metal film so that the first valve metal film is not exposed. It is preferable to anodize the second valve metal film.

本発明はさらに、上述した本発明の発光体を用いた発光素子も提供する。
本発明の発光素子は、上述した本発明の発光体と、当該発光体の第２バルブ金属陽極酸化膜上に設けられた対向電極とを備えるものであることが好ましい。 The present invention further provides a light emitting device using the above-described light emitter of the present invention.
The light-emitting element of the present invention preferably includes the above-described light-emitting body of the present invention and a counter electrode provided on the second valve metal anodized film of the light-emitting body.

また本発明の発光素子は、上述した本発明の発光体と、当該発光体に励起光を照射する励起光源とを備え、発光体に励起光を照射することにより励起光の波長と異なる波長の光を発生し得るものであることが好ましい。   The light-emitting element of the present invention includes the above-described light-emitting body of the present invention and an excitation light source that irradiates the light-emitting body with excitation light, and has a wavelength different from the wavelength of the excitation light by irradiating the light-emitting body with excitation light. It is preferable that light can be generated.

本発明の発光素子は、上述した本発明の発光体が複数積層されてなることが好ましく、この場合、複数の発光体が発生する光の波長は互いに異なるように実現されたものであることがより好ましい。   The light-emitting element of the present invention is preferably formed by laminating a plurality of the above-described light-emitting bodies of the present invention, and in this case, the wavelengths of light generated by the plurality of light-emitting bodies may be realized to be different from each other. More preferred.

本発明の発光素子における前記励起光は、半導体レーザまたは発光ダイオードから発せられる光、または、プラズマ放電により発生する紫外線光であることが、好ましい。   The excitation light in the light emitting device of the present invention is preferably light emitted from a semiconductor laser or a light emitting diode, or ultraviolet light generated by plasma discharge.

本発明によれば、第２バルブ金属膜が、発光付活元素を含有する第１バルブ金属膜の表面を覆うように形成された後、陽極酸化を行って第１バルブ金属陽極酸化膜および第２バルブ金属陽極酸化膜を形成するため、陽極酸化時に発光付活元素および第１バルブ金属膜の溶出あるいは発光付活元素の偏析を抑制でき、安定して発光体を製造でき、歩留りが向上される。これにより、発光むらのない発光体および発光素子を得ることができる。   According to the present invention, after the second valve metal film is formed so as to cover the surface of the first valve metal film containing the light emitting activation element, the first valve metal anodic oxide film and the first valve metal anodic oxide film and the first valve metal anodic oxide film are formed. Since the two-valve metal anodic oxide film is formed, elution of the light-emitting active element and the first valve metal film during the anodic oxidation or segregation of the light-emitting active element can be suppressed, and the luminescent material can be manufactured stably and the yield is improved. The Thereby, a light emitter and a light emitting element having no uneven light emission can be obtained.

以下、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の好ましい第１の実施形態の発光体１を模式的に示す断面図である。本発明の発光体１は、基板２上に、第１バルブ金属陽極酸化膜３と、第２バルブ金属陽極酸化膜４とが順次設けられた構造を基本的に備える。本発明の発光体１は、このような基本構造において第１バルブ金属陽極酸化膜３が発光付活元素を含有することを特徴とする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a light emitter 1 according to a preferred first embodiment of the present invention. The light emitter 1 of the present invention basically has a structure in which a first valve metal anodized film 3 and a second valve metal anodized film 4 are sequentially provided on a substrate 2. The light emitter 1 of the present invention is characterized in that the first valve metal anodic oxide film 3 contains a light emitting activation element in such a basic structure.

本発明の発光体１における基板２としては、たとえばガラス基板、プラスチック基板、金属基板などを用いることが可能である。当該発光体１からの光を基板２側に取り出す場合には、基板２として透光性を有するガラス基板またはプラスチック基板を用いることが好ましい。当該発光体１からの光を基板２とは反対側へ取り出す場合には、基板２としてセラミック基板などの透光性を有しない基板を用いることが可能である。   As the substrate 2 in the light emitter 1 of the present invention, for example, a glass substrate, a plastic substrate, a metal substrate, or the like can be used. When taking out the light from the said light-emitting body 1 to the board | substrate 2 side, it is preferable to use the glass substrate or plastic substrate which has translucency as the board | substrate 2. FIG. When the light from the light emitter 1 is extracted to the side opposite to the substrate 2, it is possible to use a substrate that does not have translucency, such as a ceramic substrate, as the substrate 2.

本発明の発光体１における第１バルブ金属陽極酸化膜３は、後述するようにバルブ金属（弁金属）で形成された膜（第１バルブ金属膜６）を陽極酸化してなるものである。第１バルブ金属陽極酸化膜３の前駆体である第１バルブ金属膜６の形成材料としては、たとえば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｔａなどのバルブ金属や、これらの金属を合金化したバルブ金属合金を用いることができる。中でも、簡単な設備で陽極酸化可能であり、低電圧で厚い酸化膜を作製し易いという点で、第１バルブ金属膜６はＡｌにて形成されてなることが好ましい。   The first valve metal anodic oxide film 3 in the light emitter 1 of the present invention is formed by anodizing a film (first valve metal film 6) formed of a valve metal (valve metal) as will be described later. Examples of the material for forming the first valve metal film 6 that is a precursor of the first valve metal anodized film 3 include valve metals such as Al, Ti, Mg, Ta, and valve metal alloys obtained by alloying these metals. Can be used. In particular, the first valve metal film 6 is preferably formed of Al in that it can be anodized with simple equipment and can easily produce a thick oxide film at a low voltage.

また、第１バルブ金属陽極酸化膜３は、発光付活元素を含有する。発光付活元素とは、光や電気などのエネルギーによって、外殻電子が励起され、その励起エネルギーの解放によって、蛍光を発し得る元素であり、たとえば、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｕなどの遷移金属や、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｍ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒなどの希土類元素を例示することができるが、これらに制限されるものではない。なお、本発明における第１バルブ金属陽極酸化膜３は、上述したような発光付活元素を２種以上含有していても勿論よい。   The first valve metal anodic oxide film 3 contains a light emitting activation element. A light-emitting activation element is an element that can excite outer shell electrons by energy such as light or electricity, and can emit fluorescence by releasing the excitation energy, for example, transition metals such as Mn, Cr, Cu, Although rare earth elements, such as Nd, Sm, Eu, Gd, Tm, Tb, Dy, and Er, can be illustrated, it is not restricted to these. Of course, the first valve metal anodic oxide film 3 in the present invention may contain two or more kinds of light emitting activation elements as described above.

第１バルブ金属陽極酸化膜中における発光付活元素の含有量は特に制限されるものではないが、バルブ金属中の発光付活元素の重量比が０．５〜２０重量％であるのが好ましく、１．５〜８重量％であるのがより好ましい。本発明の基本概念は第１バルブ金属膜を陽極酸化する場合に、第１バルブ金属膜中に含有させた発光付活元素の溶出、あるいは、第１バルブ金属膜が一端から他端に向けて順次酸化されていくことによって発光付活元素が偏析することを、第２バルブ金属膜の形成により封止または均一化することであるが、第１バルブ金属膜中に発光付活元素が２０重量％を超えて存在する場合には、該第２バルブ金属膜を用いた場合であっても偏析を阻止することが困難であるという傾向にあるためであり、また第１バルブ金属陽極酸化膜中の発光付活元素が０．５重量％未満である場合には、第１バルブ金属に対する発光付活元素の濃度が十分でなく、十分な発光強度を有する発光体を作製することが困難であるという傾向にあるためである。なお、上記発光付活元素の含有量は、第１バルブ金属陽極酸化膜３が発光付活元素を２種以上含有する場合には、その合計量を指すものとする。このような発光付活元素の含有量は、発光体１と同組成の発光付活元素を含有した第１バルブ金属膜を、同組成の材料を含まない既知の基板材料（たとえば、珪素や純鉄などの金属）上に形成し、蛍光Ｘ線分析などの元素分析を行うことにより測定することができる。   The content of the light emitting activator element in the first valve metal anodic oxide film is not particularly limited, but the weight ratio of the light emitting activator element in the valve metal is preferably 0.5 to 20% by weight. More preferably, it is 1.5 to 8% by weight. The basic concept of the present invention is that when the first valve metal film is anodized, the light-emitting active element contained in the first valve metal film is eluted, or the first valve metal film is directed from one end to the other end. The segregation of the light-emitting active element due to the sequential oxidation is to seal or homogenize the formation of the second valve metal film, but the light-emitting active element is 20 weight in the first valve metal film. This is because when the second valve metal film is used, it tends to be difficult to prevent segregation even when the second valve metal film is used, and in the first valve metal anodized film. Is less than 0.5% by weight, the concentration of the light emitting active element with respect to the first valve metal is not sufficient, and it is difficult to produce a light emitter having sufficient light emission intensity. This is because of this tendency. In addition, content of the said light emission activation element shall point out the total amount, when the 1st valve | bulb metal anodic oxide film 3 contains 2 or more types of light emission activation elements. The content of such a light emitting active element is such that the first valve metal film containing the light emitting active element having the same composition as that of the light emitter 1 is formed by using a known substrate material (for example, silicon or pure) containing no material having the same composition. It can be measured by forming an element on a metal such as iron and performing elemental analysis such as X-ray fluorescence analysis.

本発明の発光体１における第２バルブ金属陽極酸化膜４は、後述するようにバルブ金属（弁金属）で形成された膜（第２バルブ金属膜７）を陽極酸化してなるものである。第２バルブ金属陽極酸化膜４の前駆体である第２バルブ金属膜７の形成材料としては、第１バルブ金属膜６の形成材料として上述したのと同様、たとえば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｔａなどのバルブ金属や、これらの金属を合金化したバルブ金属合金を用いることができる。なお、第２バルブ金属膜７は、上述した第１バルブ金属膜６と同じバルブ金属にて形成されていてもよいし、異なるバルブ金属にて形成されていてもよい。簡単な設備で陽極酸化可能であり、低電圧で厚い酸化膜を作製し易いという点で、第２バルブ金属膜７はＡｌにて形成されてなることが好ましい。   The second valve metal anodic oxide film 4 in the light emitter 1 of the present invention is formed by anodizing a film (second valve metal film 7) formed of a valve metal (valve metal) as will be described later. As a forming material of the second valve metal film 7 which is a precursor of the second valve metal anodic oxide film 4, for example, Al, Ti, Mg, Ta, as described above as the forming material of the first valve metal film 6. Or a valve metal alloy obtained by alloying these metals can be used. The second valve metal film 7 may be formed of the same valve metal as that of the first valve metal film 6 described above, or may be formed of a different valve metal. The second valve metal film 7 is preferably made of Al in that it can be anodized with simple equipment and can easily form a thick oxide film at a low voltage.

本発明の発光体１において、第２バルブ金属陽極酸化膜４の厚みは特に制限されるものではないが、３０ｎｍ以上であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍであるのがより好ましい。第２バルブ金属陽極酸化膜４の厚みが３０ｎｍ未満である場合には、面方向へ酸化膜が形成される前に酸化膜が第１バルブ金属膜６に達して、第１バルブ金属膜６の酸化が進むために第１バルブ金属膜６が面方向にむらになりやすくなり、さらに、発光付活元素として流出しやすいものを使用した場合には、当該発光付活元素の流出を十分に抑制することが困難となる傾向にあるためである。また、第２バルブ金属陽極酸化膜４の厚みが１００ｎｍを超える場合には、製造コストが高くなる傾向にある。   In the phosphor 1 of the present invention, the thickness of the second valve metal anodic oxide film 4 is not particularly limited, but is preferably 30 nm or more, more preferably 50 to 100 nm. When the thickness of the second valve metal anodic oxide film 4 is less than 30 nm, the oxide film reaches the first valve metal film 6 before the oxide film is formed in the surface direction. As the oxidation proceeds, the first valve metal film 6 is likely to be uneven in the surface direction. Further, when an element that tends to flow out as a light emitting activator is used, the outflow of the light emitting activator is sufficiently suppressed. This is because it tends to be difficult. Further, when the thickness of the second valve metal anodic oxide film 4 exceeds 100 nm, the manufacturing cost tends to increase.

本発明の発光体１において、第１バルブ金属陽極酸化膜３の厚みは特に制限されるものではないが、第１バルブ金属膜６と第２バルブ金属膜７の厚みの合計が３５０ｎｍ以上であるのが好ましく、３５０〜７００ｎｍであることがより好ましい。薄膜からなるバルブ金属を陽極酸化によって酸化する場合には、膜厚方向の酸化速度と膜面方向終端部への電流の到達に起因する膜厚に依存する電気抵抗との関係が薄膜全面を酸化するのに重要な因子となる。すなわち、第１バルブ金属膜６と第２バルブ金属膜７の厚みの合計が３５０ｎｍ未満である場合には、電気抵抗が大きく、膜厚方向への酸化が膜面方向終端部への電流の到達よりも早く終了してしまうために、膜面全面の酸化を終了させることが困難となる傾向にある。また、第１バルブ金属膜６と第２バルブ金属膜７との厚みの合計が７００ｎｍを超える場合には、スパッタリングなどの一般的な薄膜製造プロセスでは、薄膜を形成するのに多くの時間が必要となってしまい、製造コストが高くなると共に、透明発光体を形成させる場合には透過率が損失するという傾向にある。   In the phosphor 1 of the present invention, the thickness of the first valve metal anodic oxide film 3 is not particularly limited, but the total thickness of the first valve metal film 6 and the second valve metal film 7 is 350 nm or more. Is preferable, and it is more preferable that it is 350-700 nm. When a valve metal made of a thin film is oxidized by anodic oxidation, the relationship between the oxidation rate in the film thickness direction and the electrical resistance depending on the film thickness due to the arrival of current at the film surface direction end portion oxidizes the entire thin film. It becomes an important factor to do. That is, when the total thickness of the first valve metal film 6 and the second valve metal film 7 is less than 350 nm, the electric resistance is large, and the oxidation in the film thickness direction reaches the end of the film surface direction. Therefore, the oxidation of the entire film surface tends to be difficult to complete. Further, when the total thickness of the first valve metal film 6 and the second valve metal film 7 exceeds 700 nm, it takes a long time to form a thin film in a general thin film manufacturing process such as sputtering. As a result, the manufacturing cost increases, and when a transparent light-emitting body is formed, the transmittance tends to be lost.

図２は、図１に示した発光体１を製造する方法を模式的に示す断面図である。図２（ａ）〜（ｃ）には、基板２上に、発光付活元素を含有する第１バルブ金属膜６と、第２バルブ金属膜７とを順次設け、第１バルブ金属膜６と第２バルブ金属膜７とを陽極酸化することによって発光体１を製造する方法を段階的に示している。本発明は、このような発光体１の製造方法も提供するものである。   FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a method of manufacturing the light emitter 1 shown in FIG. 2A to 2C, a first valve metal film 6 and a second valve metal film 7 containing a light emitting activation element are sequentially provided on the substrate 2. The method of manufacturing the light emitter 1 by anodizing the second valve metal film 7 is shown step by step. The present invention also provides a method for producing such a light emitter 1.

本発明の製造方法では、まず、図２（ａ）に示すように、基板２上に、発光付活元素を含有する第１バルブ金属膜６を形成する。この第１バルブ金属膜６は、たとえばスパッタリング、真空蒸着、電気メッキなどの従来公知の適宜の方法にて形成することができ、その形成方法は特に制限されるものではない。なお、たとえばバルブ金属としてＡｌ、発光付活元素としてＥｕを用いる場合、Ａｌターゲット上に発光付活元素を付与するＥｕを含んだＥｕ２０３などの材料からなるチップ材料を貼付し、バルブ金属であるＡｌと同時にスパッタリングを行うことによって第１バルブ金属膜を形成するようにしてもよい。この場合は、チップ材料の個数を変更することによって、発光付活元素が所定の含有量となるように調整することもできる。   In the manufacturing method of the present invention, first, as shown in FIG. 2A, a first valve metal film 6 containing a light emitting activation element is formed on a substrate 2. The first valve metal film 6 can be formed by a conventionally known appropriate method such as sputtering, vacuum deposition, electroplating, etc., and the formation method is not particularly limited. For example, when Al is used as the valve metal and Eu is used as the light emitting activator, a chip material made of a material such as Eu203 containing Eu that provides the light emitting activator is pasted on the Al target, and Al is the valve metal. At the same time, the first valve metal film may be formed by performing sputtering. In this case, the light emitting activator can be adjusted to have a predetermined content by changing the number of chip materials.

次に、図２（ｂ）に示すように、第１バルブ金属膜６上に第２バルブ金属膜７を形成する。この第２バルブ金属膜７は、上述した第１バルブ金属膜６と同様の方法によって形成することができる。   Next, as shown in FIG. 2B, a second valve metal film 7 is formed on the first valve metal film 6. The second valve metal film 7 can be formed by the same method as the first valve metal film 6 described above.

最後に、硫酸水溶液、シュウ酸水溶液あるいはリン酸またはそれらの混合酸水溶液である陽極酸化液を用いて第１バルブ金属膜６および第２バルブ金属膜７を陽極酸化し、第１バルブ金属陽極酸化膜３および第２バルブ金属陽極酸化膜４を形成する。この陽極酸化の詳細については後述する。このようにして、図２（ｃ）に示すように、基板２上に、発光付活元素を含有する第１バルブ金属陽極酸化膜３と第２バルブ金属陽極酸化膜４とが順次設けられた、図１に示したような構造を備える発光体１を製造することができる。   Finally, the first valve metal anodization is performed by anodizing the first valve metal film 6 and the second valve metal film 7 using an anodizing solution that is an aqueous solution of sulfuric acid, oxalic acid, phosphoric acid, or a mixed acid thereof. A film 3 and a second valve metal anodic oxide film 4 are formed. Details of this anodic oxidation will be described later. In this way, as shown in FIG. 2C, the first valve metal anodic oxide film 3 and the second valve metal anodic oxide film 4 containing the light emitting activation element were sequentially provided on the substrate 2. The light emitter 1 having the structure shown in FIG. 1 can be manufactured.

ここで、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｔａなどで形成されたバルブ金属膜を、上述したような陽極酸化液を用いて陽極酸化した場合、バルブ金属膜の部分的溶出に伴い、膜の厚み方向に直径数ｎｍ〜数十ｎｍのポア（孔）が形成され、同時に前記厚み方向に垂直な方向（膜面方向）に拡がるようにしてバルブ金属酸化膜が形成される。この陽極酸化の際、遷移金属や希土類元素から選ばれた発光付活元素を含有するバルブ金属膜の表面が露出した状態である場合には、当該発光付活元素がバルブ金属と比較して溶出しやすいものがあるため、バルブ金属膜表面における発光付活元素の溶出が顕著となる。このため、バルブ金属膜表面における発光付活元素の含有率が低下し、得られたバルブ金属陽極酸化膜の厚み方向に関し均一に発光付活元素を含有させることができなくなり、発光強度の低下と発光強度むらを招くことになる。また、陽極酸化は電極に近い側の一端から進行していくため、当該発光付活元素に溶出しにくい材料を用いても、発光付活元素を含有するバルブ金属膜表面が露出した状態である場合には、酸化後表面部に発光付活元素が凝集し、偏析する場合がある。   Here, when a valve metal film formed of Al, Ti, Mg, Ta or the like is anodized using the anodizing liquid as described above, along with the partial elution of the valve metal film, in the thickness direction of the film. A pore (hole) having a diameter of several nanometers to several tens of nanometers is formed, and at the same time, a valve metal oxide film is formed so as to expand in a direction perpendicular to the thickness direction (film surface direction). During the anodic oxidation, when the surface of the valve metal film containing a light emitting activator selected from transition metals and rare earth elements is exposed, the light emitting active element is eluted as compared with the valve metal. Since there is a material that is easy to do, elution of the light-emitting active element on the surface of the bulb metal film becomes remarkable. For this reason, the content of the light emitting active element on the surface of the valve metal film is reduced, and the light emitting active element cannot be uniformly contained in the thickness direction of the obtained valve metal anodized film, resulting in a decrease in light emission intensity. This results in uneven emission intensity. Further, since anodic oxidation proceeds from one end closer to the electrode, the surface of the valve metal film containing the light-emitting active element is exposed even when a material that is difficult to elute is used for the light-emitting active element. In some cases, the light emitting activator may aggregate and segregate on the surface after oxidation.

本発明では、上述したように、発光付活元素を含有する第１バルブ金属膜６が露出しないように、第２バルブ金属膜７にて覆った状態で陽極酸化を行なうようにしている。したがって、陽極酸化の際、第１バルブ金属膜６の表面から発光付活元素が溶出または偏析してしまうことを抑制でき、厚み方向に関して均一に発光付活元素が含有された第１バルブ金属陽極酸化膜３を形成することができるとともに、第１バルブ金属陽極酸化膜３の厚みが陽極酸化の際に不所望に減少してしまうことがなく、安定して発光体１を製造でき、歩留りを向上することができる。   In the present invention, as described above, the anodic oxidation is performed in a state of being covered with the second valve metal film 7 so that the first valve metal film 6 containing the light emitting activator element is not exposed. Therefore, it is possible to prevent the light-emitting active element from being eluted or segregated from the surface of the first valve metal film 6 during anodization, and the first valve metal anode containing the light-emitting active element uniformly in the thickness direction. The oxide film 3 can be formed, the thickness of the first valve metal anodic oxide film 3 is not undesirably reduced during the anodic oxidation, and the light emitter 1 can be manufactured stably, and the yield can be increased. Can be improved.

図３は、本発明の好ましい第２の実施形態の発光体１１を模式的に示す断面図である。図３に示す例の発光体１１は、基板２と第１バルブ金属陽極酸化膜３との間に導電膜１２が設けられたこと以外は、図１に示した例の発光体１と同様であり、発光体１と同様の構成を有する部分については、同一の参照符を付して説明を省略するものとする。   FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a light emitter 11 according to a preferred second embodiment of the present invention. The light emitter 11 of the example shown in FIG. 3 is the same as the light emitter 1 of the example shown in FIG. 1 except that the conductive film 12 is provided between the substrate 2 and the first valve metal anodized film 3. The portions having the same configuration as that of the light emitter 1 are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.

発光体１１における導電膜１２としては、たとえばＩＴＯなどの透明導電膜やＰｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉなどで形成された金属導電膜を用いることができる。なお、透明導電膜にて導電膜１２を形成すると、基板２も透光性を有する基板で形成されている場合には、導電膜１２および基板２を介して発光体１１からの光を取り出すことができる構成を実現できるため、好ましい。   As the conductive film 12 in the light emitter 11, for example, a transparent conductive film such as ITO or a metal conductive film formed of Pt, Au, Cu, Ni, or the like can be used. Note that when the conductive film 12 is formed of a transparent conductive film, light from the light emitter 11 is extracted through the conductive film 12 and the substrate 2 when the substrate 2 is also formed of a light-transmitting substrate. Since the structure which can do is realizable, it is preferable.

また、第１バルブ金属陽極酸化膜３の前駆体である第１バルブ金属膜６よりも陽極酸化されにくいバルブ金属にて導電膜１２を形成するようにしてもよい。たとえば、第１バルブ金属膜６をＡｌにて形成した場合には、このＡｌよりも陽極酸化されにくいバルブ金属であるＴａやＴｉなどを用いて導電膜１２を形成することができる。   Alternatively, the conductive film 12 may be formed of a valve metal that is less likely to be anodized than the first valve metal film 6 that is a precursor of the first valve metal anodic oxide film 3. For example, when the first valve metal film 6 is formed of Al, the conductive film 12 can be formed using Ta, Ti, or the like, which is a valve metal that is less likely to be anodized than Al.

発光体１１における導電膜１２の厚みは、特に制限されるものではないが、１０ｎｍ以上であるのが好ましく、３０〜９０ｎｍであるのがより好ましい。導電膜１２の厚みが１０ｎｍ未満である場合には、膜面方向終端部までの電気抵抗が大きくなり、十分な電気伝導性を持たない傾向にあり、また、基板の反対側から励起光を入射して発光体を発光させる場合であっても、導電膜１２の厚みが９０ｎｍであれば励起光が導電膜１２を通過しないために十分な効率が得られることから、導電膜１２の厚みが９０ｎｍを超える場合には、製造コストが増大する傾向にあるためである。   The thickness of the conductive film 12 in the light emitter 11 is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more, and more preferably 30 to 90 nm. When the thickness of the conductive film 12 is less than 10 nm, the electrical resistance to the film surface direction end portion tends to increase, and there is a tendency not to have sufficient electrical conductivity, and excitation light is incident from the opposite side of the substrate. Even when the light emitter is caused to emit light, if the thickness of the conductive film 12 is 90 nm, the excitation light does not pass through the conductive film 12, so that sufficient efficiency is obtained. Therefore, the thickness of the conductive film 12 is 90 nm. This is because the manufacturing cost tends to increase.

図４は、図３に示した発光体１１を製造する方法を模式的に示す断面図である。図４（ａ）〜（ｄ）には、基板２上に、導電膜１２と、発光付活元素を含有する第１バルブ金属膜６と、第２バルブ金属膜７とを順次設け、第１バルブ金属膜６と第２バルブ金属膜７とを陽極酸化することによって発光体１１を製造する方法を段階的に示している。本発明は、このような発光体１１の製造方法も提供するものである。   FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a method of manufacturing the light emitter 11 shown in FIG. 4A to 4D, a conductive film 12, a first valve metal film 6 containing a light emitting activation element, and a second valve metal film 7 are sequentially provided on the substrate 2, and the first A method of manufacturing the light emitter 11 by anodizing the valve metal film 6 and the second valve metal film 7 is shown step by step. The present invention also provides a method for manufacturing such a light emitter 11.

本発明の製造方法では、まず、図４（ａ）に示すように、基板２上に、導電膜１２を形成する。この導電膜１２は、たとえばスパッタリング、真空蒸着、電気メッキなどの従来公知の適宜の方法にて形成することができ、その形成方法は特に制限されるものではない。   In the manufacturing method of the present invention, first, the conductive film 12 is formed on the substrate 2 as shown in FIG. The conductive film 12 can be formed by a conventionally known appropriate method such as sputtering, vacuum deposition, or electroplating, and the formation method is not particularly limited.

次に、図４（ｂ）に示すように、導電膜１２上に第１バルブ金属膜６を形成する。その後、図４（ｃ）に示すように、第１バルブ金属膜６上に第２バルブ金属膜７を形成する。これら第１バルブ金属膜６および第２バルブ金属膜７は、上述したのと同様の方法にて形成することができる。   Next, as shown in FIG. 4B, the first valve metal film 6 is formed on the conductive film 12. Thereafter, a second valve metal film 7 is formed on the first valve metal film 6 as shown in FIG. The first valve metal film 6 and the second valve metal film 7 can be formed by the same method as described above.

最後に、上述したような陽極酸化液を用い、導電膜１２を下地電極として第１バルブ金属膜６および第２バルブ金属膜７を陽極酸化し、それぞれ第１バルブ金属陽極酸化膜３および第２バルブ金属陽極酸化膜４を形成する。この陽極酸化の詳細については後述する。このようにして、図４（ｄ）に示すように、基板２上に、導電膜１２と、発光付活元素を含有する第１バルブ金属陽極酸化膜３と第２バルブ金属陽極酸化膜４とが順次設けられた、図３に示したような構造を備える発光体１１を製造することができる。   Finally, the first valve metal film 6 and the second valve metal film 7 are anodized by using the anodic oxidation solution as described above, using the conductive film 12 as a base electrode, and the first valve metal anodic oxide film 3 and the second valve metal anodic oxide film 2 respectively. A valve metal anodic oxide film 4 is formed. Details of this anodic oxidation will be described later. In this way, as shown in FIG. 4D, the conductive film 12, the first valve metal anodic oxide film 3 and the second valve metal anodic oxide film 4 containing the light emitting activation element are formed on the substrate 2. The light emitter 11 having the structure as shown in FIG.

ここで、陽極酸化の際には、陽極酸化に供する構造物に電流が流れる必要があり、第１バルブ金属膜６および第２バルブ金属膜７は初期材料の段階では直接通電可能な材料であるが、陽極酸化を施した酸化物は絶縁体に変化する。すなわち、薄膜で形成されたバルブ金属の面方向および厚さ方向への陽極酸化による絶縁膜の領域が広がっているということもできる。陽極酸化物は電極部に近い端部と遠い端部の２箇所の端部を持つことになり、第１バルブ金属膜と第２バルブ金属膜との厚みの合計が３５０ｎｍ以下の薄膜に形成した場合には特に、電極部に近い端部から遠い端部に酸化が進んでいく際に厚み方向への酸化が完了してしまうために、それら以降の端部方向への電力の供給がなくなってしまうために、端部にまで正常に陽極酸化が進まずに全面均一に陽極酸化することが困難となり、部分的に第１バルブ金属膜６が残ってしまう虞がある。部分的に第１バルブ金属膜６が残った発光体は、発光強度の低下を引き起こす可能性がある。図３および図４に示す場合においては、上述したように基板２上に、導電膜１２と、発光付活元素を含有する第１バルブ金属膜６と、第２バルブ金属膜７とを順次設け、該第１バルブ金属膜６と該第２バルブ金属膜７とを陽極酸化することにより、第１バルブ金属膜６の陽極酸化を全面むらなく行なうことができ、発光強度むらのない発光体１１を形成することができる。   Here, at the time of anodizing, it is necessary that a current flow through a structure used for anodizing, and the first valve metal film 6 and the second valve metal film 7 are materials that can be directly energized at the initial material stage. However, the anodized oxide changes to an insulator. That is, it can be said that the region of the insulating film by the anodic oxidation in the surface direction and the thickness direction of the valve metal formed of a thin film is widened. The anodic oxide has two end portions, an end portion close to the electrode portion and a distant end portion, and the total thickness of the first valve metal film and the second valve metal film is formed as a thin film having a thickness of 350 nm or less. In particular, since the oxidation in the thickness direction is completed when the oxidation progresses from the end portion close to the electrode portion to the end portion far from the electrode portion, there is no power supply in the end direction thereafter. Therefore, it becomes difficult to uniformly anodize the entire surface without anodizing normally to the end, and the first valve metal film 6 may partially remain. A light emitter in which the first bulb metal film 6 partially remains may cause a decrease in light emission intensity. In the case shown in FIGS. 3 and 4, as described above, the conductive film 12, the first valve metal film 6 containing the light emitting activation element, and the second valve metal film 7 are sequentially provided on the substrate 2. By anodizing the first valve metal film 6 and the second valve metal film 7, the anodic oxidation of the first valve metal film 6 can be performed without unevenness, and the light emitter 11 without uneven emission intensity. Can be formed.

また、本発明は、上述したような導電膜１２を設ける構成（第２の実施形態）に換えて、基板２自体に導電性をもたせるようにしてもよい（本発明の第３の実施形態の発光体）。このように基板２が導電性を有する構成とすることで、上述した第２の実施形態の構成を採ることなく、第１バルブ金属膜６の陽極酸化を完全に行なうことができ、発光強度むらのない発光体をより簡略化した工程にて低コストで、しかも歩留りよく得ることができる。   Further, in the present invention, instead of the configuration in which the conductive film 12 is provided as described above (second embodiment), the substrate 2 itself may be provided with conductivity (in the third embodiment of the present invention). Luminous body). Thus, by making the board | substrate 2 into a structure which has electroconductivity, the anodic oxidation of the 1st valve | bulb metal film | membrane 6 can be performed completely, without taking the structure of 2nd Embodiment mentioned above, and luminescence intensity nonuniformity. A light-emitting body having no cavities can be obtained at a low cost and with a high yield by a simplified process.

基板２が導電性を有する場合、基板２としては、たとえばＡｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属またはこれらの合金基板や、導電性プラスチック基板などを挙げることができるが、これらに制限されるものではない。また、導電性を有する基板２の少なくとも、陽極酸化液に接する部分を第１バルブ金属膜で覆うことが望ましい。   When the substrate 2 has conductivity, examples of the substrate 2 include metals such as Al, Cu, Fe, Ni, and Cr, or alloy substrates thereof, and conductive plastic substrates, but are not limited thereto. It is not something. In addition, it is desirable to cover at least a portion of the conductive substrate 2 in contact with the anodizing solution with the first valve metal film.

ここで、バルブ金属の陽極酸化について、より詳細に説明する。図５には、たとえば、基板３１上に、導電膜３２、第１バルブ金属膜３３および第２バルブ金属膜３４が順次設けられた構成（すなわち、図４（ｃ）に示したのと同様の構成）を代表的な例として示している。陽極酸化に際しては、図５に示すように、まず、第２バルブ金属膜３４に対して電極端子３５を圧接する。   Here, the anodic oxidation of the valve metal will be described in more detail. In FIG. 5, for example, a conductive film 32, a first valve metal film 33, and a second valve metal film 34 are sequentially provided on the substrate 31 (that is, the same as that shown in FIG. 4C). Configuration) is shown as a representative example. In the anodic oxidation, as shown in FIG. 5, first, the electrode terminal 35 is pressed against the second valve metal film 34.

次に、図６に示すように、電極端子３５を圧接した図５の構造物を陽極３６とし、これを電源３７を介して電気的に接続された電極端子３８を圧接した白金陰極３９とともに、陽極酸化槽４０内に収容された陽極酸化液４１中に浸漬する。このような状態で、電源３７により、上述した陽極３６および白金陰極３９に電圧を印加することで、陽極３６におけるバルブ金属（すなわち、第１バルブ金属３３および第２バルブ金属膜３４）を陽極酸化する。   Next, as shown in FIG. 6, the structure of FIG. 5 with the electrode terminal 35 in pressure contact is used as the anode 36, and the electrode terminal 38 electrically connected through the power source 37 is pressed together with the platinum cathode 39 with pressure contact. It is immersed in the anodizing solution 41 accommodated in the anodizing tank 40. In this state, a voltage is applied to the above-described anode 36 and platinum cathode 39 by the power source 37, so that the valve metal (that is, the first valve metal 33 and the second valve metal film 34) in the anode 36 is anodized. To do.

バルブ金属のみで形成されるバルブ金属膜を陽極酸化する場合、通常、上記方法によって陽極酸化液４１中に浸漬された部分全体にわたり陽極酸化が完了する。しかしながら、本発明においては、上述のように第１バルブ金属膜３３が発光付活元素としてＭｎ、Ｃｒ、Ｃｕなどの遷移金属や、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒなどの希土類元素を含有している。これらの発光付活元素は、バルブ金属に比べて、陽極酸化時に溶出しやすく、図５および図６に示すように、基板の側方部分において、第１バルブ金属膜が露出しているような構成で陽極酸化を行なうと、側方部分からの発光付活元素の溶出が発生し、導電膜３２との界面で当該溶出が進行することにより、陽極酸化膜（すなわち、第１バルブ金属陽極酸化膜４２および第２バルブ金属陽極酸化膜４３）が、側方部分で剥離してしまう虞がある（図７）。このように側方部分において第１バルブ金属陽極酸化膜４２および第２バルブ金属陽極酸化膜４３が基板３１から剥離した剥離領域４４が形成されてしまうと、この剥離領域４４における陽極酸化膜が陽極酸化時に基板３１から離脱するため陽極酸化液４１の汚染や劣化の原因となり、また、得られた発光体は使用可能な陽極酸化膜の面積が減少してしまったものとなる虞がある。   When anodizing a valve metal film formed only of a valve metal, the anodization is usually completed over the entire part immersed in the anodizing solution 41 by the above method. However, in the present invention, as described above, the first valve metal film 33 is a transition metal such as Mn, Cr, or Cu as a light emitting activation element, or a rare earth such as Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, or Er. Contains elements. These light-emitting activation elements are more easily eluted during anodic oxidation than the valve metal, and as shown in FIGS. 5 and 6, the first valve metal film is exposed at the side portion of the substrate. When anodization is performed in the configuration, elution of the light-emitting active element from the side portion occurs, and the elution proceeds at the interface with the conductive film 32, whereby the anodized film (that is, the first valve metal anodized). The film 42 and the second valve metal anodized film 43) may be peeled off at the side portions (FIG. 7). Thus, when the separation region 44 in which the first valve metal anodic oxide film 42 and the second valve metal anodic oxide film 43 are separated from the substrate 31 is formed in the side portion, the anodic oxide film in the separation region 44 becomes the anode. Since it separates from the substrate 31 during oxidation, it may cause contamination and deterioration of the anodizing solution 41, and the obtained phosphor may have a reduced area of the usable anodized film.

図８は、本発明の好ましい第４の実施形態の発光体５１を模式的に示す断面図である。図８に示す例の発光体５１は、第１バルブ金属陽極酸化膜５２が露出しないように、その側方端部においても第２バルブ金属陽極酸化膜５３にて覆うように形成されたこと以外は、図３に示した例の発光体１１と同様であり、発光体１１と同様の構成を有する部分については、同一の参照符を付して説明を省略するものとする。このような本発明の第４の実施形態の発光体５１によれば、上述したような側方端部において剥離領域が形成されてしまう虞を完全に解消することができる。   FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a light emitter 51 according to a preferred fourth embodiment of the present invention. The light emitter 51 of the example shown in FIG. 8 is formed so that the first valve metal anodic oxide film 52 is covered with the second valve metal anodic oxide film 53 at the side end so that the first valve metal anodic oxide film 52 is not exposed. Is the same as the light emitter 11 of the example shown in FIG. 3, and parts having the same configuration as the light emitter 11 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. According to the light emitter 51 of the fourth embodiment of the present invention as described above, it is possible to completely eliminate the possibility that the peeling region is formed at the side end as described above.

図８に示す例の発光体５１では、基板２上に導電膜１２が設けられ、この導電膜１２上に、基板２および導電膜１２よりも小さな面積に形成された第１バルブ金属陽極酸化膜５２を備える。そして、この第１バルブ金属陽極酸化膜５２のエッジ部（角部）５４を含めた側方端部を完全に覆うようにして形成された第２バルブ金属陽極酸化膜５３を備える。このような構造を備える発光体５１における第１バルブ金属陽極酸化膜５２、第２バルブ金属陽極酸化膜５３および導電膜１２の好ましい形成材料や厚みは、上述したのと同様である。   In the light emitter 51 of the example shown in FIG. 8, the conductive film 12 is provided on the substrate 2, and the first valve metal anodic oxide film formed on the conductive film 12 in a smaller area than the substrate 2 and the conductive film 12. 52. The second valve metal anodic oxide film 53 is formed so as to completely cover the side end portion including the edge portion (corner portion) 54 of the first valve metal anodic oxide film 52. The preferred forming materials and thicknesses of the first valve metal anodic oxide film 52, the second valve metal anodic oxide film 53, and the conductive film 12 in the light emitter 51 having such a structure are the same as described above.

図９は、図８に示した発光体５１を製造する方法を模式的に示す断面図である。図９（ａ）〜（ｄ）には、基板２上に、第１バルブ金属膜５５のエッジ部５６が露出しないように、当該第１バルブ金属膜５５を覆うようにして第２バルブ金属膜５７を設け、第１バルブ金属膜５５と第２バルブ金属膜５７とを陽極酸化することによって、発光体５１を製造する方法を段階的に示している。本発明は、このような発光体５１の製造方法も提供するものである。   FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a method of manufacturing the light emitter 51 shown in FIG. 9A to 9D show the second valve metal film so as to cover the first valve metal film 55 on the substrate 2 so that the edge portion 56 of the first valve metal film 55 is not exposed. A method for manufacturing the light emitter 51 by providing the first bulb metal film 55 and the second bulb metal film 57 is shown step by step. The present invention also provides a method for manufacturing such a light emitter 51.

まず、図９（ａ）に示すように、基板２上に、導電膜１２を形成する。この導電膜１２の形成は、上述したのと同様の方法にて形成することができる。   First, as shown in FIG. 9A, the conductive film 12 is formed on the substrate 2. The conductive film 12 can be formed by the same method as described above.

次に、図９（ｂ）に示すように、導電膜１２上に、導電膜１２よりも小さな面積にて発光付活元素を含有する第１バルブ金属膜５５を形成する。そして、図９（ｃ）に示すように、この第１バルブ金属膜５５上に、第１バルブ金属膜５５のエッジ部５６を含めた側方端部をも覆うようにして、第２バルブ金属膜５７を形成する。これら第１バルブ金属膜５５および第２バルブ金属膜５７は、上述したのと同様の方法にて形成することができる。   Next, as shown in FIG. 9B, a first valve metal film 55 containing a light emitting activation element is formed on the conductive film 12 in a smaller area than the conductive film 12. Then, as shown in FIG. 9C, the second valve metal is formed on the first valve metal film 55 so as to cover the side end portion including the edge portion 56 of the first valve metal film 55. A film 57 is formed. The first valve metal film 55 and the second valve metal film 57 can be formed by the same method as described above.

最後に、上述したような陽極酸化液を用い、第１バルブ金属膜５５および第２バルブ金属膜５７を陽極酸化し、第１バルブ金属陽極酸化膜５２および第２バルブ金属陽極酸化膜５３を形成する。このようにして、図９（ｄ）に示すように、基板２上に、導電膜１２と、発光付活元素を含有する第１バルブ金属陽極酸化膜５２と、この第１バルブ金属陽極酸化膜５２を覆うようして形成された第２バルブ金属陽極酸化膜５３とが順次設けられた、図８に示したような構造を備える発光体５１を製造することができる。このようにすることで、陽極酸化の際に、第１バルブ金属膜５５のエッジ部５６における発光付活元素の溶出が抑制され、第１バルブ金属陽極酸化膜５２の側方端部における剥離領域の形成が完全に防止された発光体５１を製造することができる。このため、陽極酸化液の汚染や劣化が抑制され、使用可能な陽極酸化膜の面積を予定通り得ることができる。   Finally, the first valve metal film 55 and the second valve metal film 57 are anodized using the anodizing solution as described above, and the first valve metal anodized film 52 and the second valve metal anodized film 53 are formed. To do. In this way, as shown in FIG. 9D, on the substrate 2, the conductive film 12, the first valve metal anodized film 52 containing the light emitting activation element, and the first valve metal anodized film. A light emitter 51 having a structure as shown in FIG. 8 in which a second valve metal anodic oxide film 53 formed so as to cover 52 is sequentially provided can be manufactured. By doing so, elution of the light emitting activation element at the edge portion 56 of the first valve metal film 55 is suppressed during anodic oxidation, and the peeling region at the side end portion of the first valve metal anodic oxide film 52 is suppressed. Can be manufactured. For this reason, contamination and deterioration of the anodizing solution are suppressed, and the usable area of the anodized film can be obtained as planned.

図１０は、本発明の好ましい第５の実施形態の発光体６１を模式的に示す断面図である。図１０に示す例の発光体６１は、導電膜１２を設けなかったこと以外は図８に示した例の発光体５１と同様であり、発光体６１と同様の構成を有する部分については、同一の参照符を付して説明を省略するものとする。このように、導電膜１２を設けない場合であっても、第１バルブ金属陽極酸化膜５２が露出しないようにその側方端部においても第２バルブ金属陽極酸化膜５３にて覆うように形成されたならば、図８の例について上述したのと同様の効果を得ることができる。本実施形態における基板２は、第１バルブ金属陽極酸化膜および第２バルブ金属陽極酸化膜の厚みの合計が３５０ｎｍ以上である場合は特に限定されるものではないが、３５０ｎｍ未満の厚みで形成される場合には、基板２はたとえばＳＵＳ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉなどの金属やＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯなどの導電性酸化物を用いて形成することが望ましい。   FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a light emitter 61 according to a preferred fifth embodiment of the present invention. The light emitter 61 of the example shown in FIG. 10 is the same as the light emitter 51 of the example shown in FIG. 8 except that the conductive film 12 is not provided, and the parts having the same configuration as the light emitter 61 are the same. The description is omitted with reference numerals. As described above, even when the conductive film 12 is not provided, the second valve metal anodic oxide film 53 is formed so that the first valve metal anodic oxide film 52 is also exposed at the side end thereof so as not to be exposed. If done, the same effect as described above for the example of FIG. 8 can be obtained. The substrate 2 in this embodiment is not particularly limited when the total thickness of the first valve metal anodized film and the second valve metal anodized film is 350 nm or more, but is formed with a thickness of less than 350 nm. In this case, the substrate 2 is preferably formed using a metal such as SUS, Ni, Cu, or Ti, or a conductive oxide such as ITO, ZnO, or SnO.

図１１は、本発明の好ましい第６の実施形態の発光体７１を模式的に示す断面図である。図１１に示す例の発光体７１は、エッジ保護膜７２を設けたこと以外は図３に示した例の発光体１１と同様であり、発光体１１と同様の構成を有する部分については、同一の参照符を付して説明を省略するものとする。図１１に示す例の発光体７１は、基板２、導電膜１２、第１バルブ金属陽極酸化膜３および第２バルブ陽極酸化膜４を順次積層した構造物において、当該構造物の側方部分の全面を覆うようにして、エッジ保護膜７２が設けられてなることを特徴とする。このようなエッジ保護膜７２を設けることでも、陽極酸化の際に、第１バルブ金属膜６のエッジ部を含めた側方端部における発光付活元素の溶出が抑制され、第１バルブ金属陽極酸化膜３の側方端部における剥離領域の形成が完全に防止された発光体７１を製造することができるという効果を奏する。このため、陽極酸化液の汚染や劣化が抑制され、使用可能な陽極酸化膜の面積を予定通り得ることができる。また図８、図１０に示した例の発光体５１，６１とは異なり、第１バルブ金属膜および第２バルブ金属膜の側方端部の処理を必要としないため、低コストで製造することができるという利点がある。   FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a light emitter 71 according to a sixth preferred embodiment of the present invention. The light emitter 71 in the example shown in FIG. 11 is the same as the light emitter 11 in the example shown in FIG. 3 except that the edge protective film 72 is provided. The description is omitted with reference numerals. The light emitter 71 of the example shown in FIG. 11 is a structure in which the substrate 2, the conductive film 12, the first valve metal anodic oxide film 3 and the second valve anodic oxide film 4 are sequentially laminated. An edge protective film 72 is provided so as to cover the entire surface. Providing such an edge protection film 72 also suppresses the elution of the light-emitting active element at the side end portion including the edge portion of the first valve metal film 6 during the anodic oxidation, and the first valve metal anode. There is an effect that it is possible to manufacture the light emitting body 71 in which the formation of the separation region at the side end portion of the oxide film 3 is completely prevented. For this reason, contamination and deterioration of the anodizing solution are suppressed, and the usable area of the anodized film can be obtained as planned. Further, unlike the light emitters 51 and 61 in the examples shown in FIGS. 8 and 10, the side end portions of the first valve metal film and the second valve metal film are not required to be manufactured, so that they are manufactured at low cost. There is an advantage that can be.

図１１に示す例において、エッジ保護膜７２としては、陽極酸化の際に用いられる陽極酸化液に腐食されない材料を用いて形成されるならば、特に制限されるものではない。たとえば、ノボラック樹脂、紫外線硬化樹脂またはエポキシ樹脂などを第１バルブ金属膜の側方端部に塗布して硬化させることで、エッジ保護膜７２を好適に実現することができる。中でも、塗布の容易さ、ならびに、陽極酸化液として用いられるシュウ酸に対し耐食性を有することから、エポキシ樹脂を用いてエッジ保護膜７２を形成するのが好ましい。   In the example shown in FIG. 11, the edge protective film 72 is not particularly limited as long as it is formed using a material that is not corroded by the anodizing solution used in anodizing. For example, the edge protection film 72 can be suitably realized by applying and curing a novolac resin, an ultraviolet curable resin, an epoxy resin, or the like to the side end portion of the first valve metal film. Among these, it is preferable to form the edge protection film 72 using an epoxy resin because it is easy to apply and has corrosion resistance to oxalic acid used as an anodizing solution.

図１２は、図１１に示した発光体７１を製造する方法を模式的に示す断面図である。まず、図１２（ａ）に示すように、基板２上に導電膜１２を形成した後、図１２（ｂ）に示すように、導電膜１２上に第１バルブ金属膜６を形成し、図１２（ｃ）に示すように、第１バルブ金属膜６上に第２バルブ金属膜７を形成する。これら導電膜１２、第１バルブ金属膜６および第２バルブ金属膜７は、上述したのと同様にして形成することができる。   FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a method of manufacturing the light emitter 71 shown in FIG. First, as shown in FIG. 12A, after forming the conductive film 12 on the substrate 2, the first valve metal film 6 is formed on the conductive film 12 as shown in FIG. As shown in FIG. 12C, the second valve metal film 7 is formed on the first valve metal film 6. The conductive film 12, the first valve metal film 6, and the second valve metal film 7 can be formed in the same manner as described above.

次に、図１２（ｄ）に示すように、第１バルブ金属膜６のエッジ部を含めた側方端部７３を覆うようにして、エッジ保護膜７２を形成する。図１２（ｄ）に示す例では、エッジ保護膜７２は、基板２、導電膜１２、第１バルブ金属膜６および第２バルブ金属膜７全ての側方端部を覆うようにして形成される。エッジ保護膜７２は、上述したように、たとえば熱硬化性樹脂を前記側方端部に塗布後、硬化させることで形成することができる。   Next, as shown in FIG. 12D, an edge protection film 72 is formed so as to cover the side end portion 73 including the edge portion of the first valve metal film 6. In the example shown in FIG. 12D, the edge protection film 72 is formed so as to cover the side edges of all of the substrate 2, the conductive film 12, the first valve metal film 6, and the second valve metal film 7. . As described above, the edge protective film 72 can be formed, for example, by applying a thermosetting resin to the side end portions and then curing the resin.

最後に、上述したような陽極酸化液を用い、第１バルブ金属膜６および第２バルブ金属膜７を陽極酸化し、第１バルブ金属陽極酸化膜３および第２バルブ金属陽極酸化膜４を形成する。このようにして、図１２（ｅ）に示すように、基板２上に、導電膜１２と、発光付活元素を含有する第１バルブ金属陽極酸化膜３と、第２バルブ金属陽極酸化膜４とが順次積層され、第１バルブ金属陽極酸化膜３のエッジ部が露出しないようにエッジ保護膜７２が設けられた発光体７１を製造することができる。   Finally, the first valve metal anodic oxide film 3 and the second valve metal anodic oxide film 4 are formed by anodizing the first valve metal film 6 and the second valve metal film 7 using the anodizing liquid as described above. To do. In this way, as shown in FIG. 12E, the conductive film 12, the first valve metal anodic oxide film 3 containing the light-emitting active element, and the second valve metal anodic oxide film 4 are formed on the substrate 2. And the light emitting body 71 provided with the edge protection film 72 so that the edge portion of the first valve metal anodized film 3 is not exposed can be manufactured.

なお、図１１および図１２には、基板２と第１バルブ金属陽極酸化膜３との間に導電膜１２を設けた場合を示しているが、導電膜１２を介さずに基板２上に第１バルブ金属陽極酸化膜３が直接設けられていても勿論よい。   11 and 12 show the case where the conductive film 12 is provided between the substrate 2 and the first valve metal anodic oxide film 3, the first conductive film 12 is not formed on the substrate 2 without the conductive film 12 interposed therebetween. Of course, the one-valve metal anodic oxide film 3 may be provided directly.

本発明は、上述した様々な実施形態にて実現される本発明の発光体を用いた発光素子も提供する。本発明の発光素子は、好ましくは、上述したいずれかの実施形態の発光体と、発光体の第２バルブ金属陽極酸化膜上に設けられた対向電極とを備える。図１３は、本発明の好ましい第１の実施形態の発光素子８１を模式的に示す断面図である。発光素子８１は、基板２上に導電膜１２が設けられ、この導電膜１２上に、基板２および導電膜１２よりも小さな面積に形成された第１バルブ金属陽極酸化膜５２と、第１バルブ金属陽極酸化膜５２を覆うように形成された第２バルブ金属陽極酸化膜５３とを備える（すなわち、図８に示した本発明の第４の実施形態の発光体５１）。図１３に示す例の発光素子８１は、このような発光体５１と、第２バルブ金属陽極酸化膜５３上に対向電極８２が設けられてなる。このような構成を有する発光素子８１は、導電膜１２と対向電極８２との間に、直流電圧または交流電圧を印加し、第１バルブ金属陽極酸化膜５２に含有される発光付活元素を励起することにより、発光が得られる。   The present invention also provides a light emitting device using the light emitter of the present invention realized in the various embodiments described above. The light emitting device of the present invention preferably includes the light emitter of any of the above-described embodiments and a counter electrode provided on the second valve metal anodized film of the light emitter. FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a light-emitting element 81 according to the first preferred embodiment of the present invention. In the light emitting element 81, a conductive film 12 is provided on the substrate 2, a first valve metal anodic oxide film 52 formed on the conductive film 12 in an area smaller than the substrate 2 and the conductive film 12, and a first valve. And a second valve metal anodic oxide film 53 formed so as to cover the metal anodic oxide film 52 (that is, the light emitter 51 of the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 8). The light-emitting element 81 in the example shown in FIG. 13 includes such a light emitter 51 and a counter electrode 82 on the second bulb metal anodic oxide film 53. In the light emitting element 81 having such a configuration, a direct current voltage or an alternating voltage is applied between the conductive film 12 and the counter electrode 82 to excite the light emitting active element contained in the first valve metal anodized film 52. By doing so, light emission can be obtained.

なお、図１３に示した構造を備える発光素子８１において、発光体５１から基板２を介して光を取り出す場合には、基板２および導電膜１２をそれぞれ透光性を有する基板および透明導電膜を用い、対向電極８２として光反射性を有する対向電極を好適に用いることができる。この場合、たとえば、透光性を有する基板としては、透明ガラス基板や透明プラスチック基板などを用いることができ、透明導電膜としては、ＩＴＯ透明導電膜を用いることができる。また、光反射性を有する対向電極としては、たとえば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａなどの金属材料、もしくは、これらの金属からなる合金材料、もしくは、ＳＵＳなどの耐食性を有する合金材料を用いることが可能である。   Note that in the light-emitting element 81 having the structure shown in FIG. 13, when light is extracted from the light emitter 51 through the substrate 2, the substrate 2 and the conductive film 12 are made of a light-transmitting substrate and a transparent conductive film, respectively. It is possible to suitably use a counter electrode having light reflectivity as the counter electrode 82. In this case, for example, a transparent glass substrate or a transparent plastic substrate can be used as the light-transmitting substrate, and an ITO transparent conductive film can be used as the transparent conductive film. In addition, as the counter electrode having light reflectivity, for example, a metal material such as Al, Cu, Ti, or Ta, an alloy material made of these metals, or an alloy material having corrosion resistance such as SUS is used. Is possible.

また図１３に示した構造を備える発光素子８１において、発光体５１から対向電極８２を介して光を取り出す場合には、基板２および導電膜１２のいずれかを光反射性を有する材料にて形成し、対向電極８２として透光性を有するものを用いる。この場合、たとえば、基板２としてＡｌ基板やＳＵＳ基板などの導電性を有する光反射性を有する基板を用い、導電膜１２として、たとえばＣｕ、Ｔｉ、Ｔａなどの金属材料、もしくは、これらの金属からなる合金材料、もしくは、ＳＵＳなどの耐食性を有する合金材料からなる光反射性を有する導電膜を用いることが可能である。透光性を有する対向電極８２としては、上述したような透明電極を好適に用いることができる。ここで、光反射性を有する導電膜１２としては、第１バルブ金属膜よりも陽極酸化されにくい材料を用いることが好ましい。光反射性を有する導電膜が陽極酸化されることにより導電性が劣化してしまうことを防止するためである。   Further, in the light emitting element 81 having the structure shown in FIG. 13, when light is extracted from the light emitter 51 through the counter electrode 82, either the substrate 2 or the conductive film 12 is formed of a light reflective material. In addition, a material having translucency is used as the counter electrode 82. In this case, for example, a light-reflective substrate having conductivity such as an Al substrate or a SUS substrate is used as the substrate 2, and a metal material such as Cu, Ti, Ta, or the like is used as the conductive film 12. It is possible to use a light-reflective conductive film made of an alloy material or an alloy material having corrosion resistance such as SUS. As the counter electrode 82 having translucency, the transparent electrode as described above can be suitably used. Here, as the conductive film 12 having light reflectivity, it is preferable to use a material that is less anodized than the first valve metal film. This is to prevent the conductivity from being deteriorated by anodizing the conductive film having light reflectivity.

なお、図１３には、図８に示した本発明の第４の実施形態の発光体５１を用いた場合について示しているが、発光体として、上述したいずれの実施形態の発光体を用いても勿論よい。   FIG. 13 shows the case where the light emitter 51 of the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 8 is used, but the light emitter of any of the above-described embodiments is used as the light emitter. Of course.

また本発明の発光素子は、上述したいずれかの実施形態の本発明の発光体と、当該発光体に励起光を照射する励起光源とを備える構成によっても好ましく実現される。このように構成される発光素子によれば、発光体に励起光を照射することで、励起光の波長と異なる波長の光を発する発光素子を実現することができる。図１４は、本発明の好ましい第２の実施形態の発光素子９１を模式的に示す断面図である。図１４示す例では、発光体として図８に示した本発明の第４の実施形態の発光体５１を用い、この発光体５１に励起光９３を照射する光源９２とを備える。図１４に示す例では、光源９２からの励起光９３が、第１バルブ金属陽極酸化膜５２に含まれる発光不活元素を励起することにより、発光付活元素が励起光９３の波長とは異なる発光付活元素特有の発光波長の放射光９４を発生する。   Moreover, the light emitting element of this invention is preferably implement | achieved also by the structure provided with the light-emitting body of this invention in any one of embodiment mentioned above, and the excitation light source which irradiates the said light-emitting body with excitation light. According to the light emitting element configured as described above, it is possible to realize a light emitting element that emits light having a wavelength different from the wavelength of the excitation light by irradiating the light emitter with excitation light. FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device 91 according to a preferred second embodiment of the present invention. In the example shown in FIG. 14, the light emitter 51 of the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 8 is used as the light emitter, and the light emitter 51 is provided with a light source 92 that irradiates the excitation light 93. In the example shown in FIG. 14, the excitation light 93 from the light source 92 excites the light-emitting inactive element contained in the first valve metal anodized film 52, so that the light-emitting active element is different from the wavelength of the excitation light 93. Radiation light 94 having a light emission wavelength peculiar to the light emitting active element is generated.

このような構成で実現される発光素子において、光源９２としては特に制限されるものではないが、たとえば半導体レーザまたは発光ダイオードを用いることで、任意の発光色を発光する発光素子を実現することができる。また、光源として波長約４１０ｎｍの青色レーザを用い、波長５００ｎｍの波長の発光を行なうＥｕなどの発光付活材料を用いた場合には、混合された光を放射光として得ることができる。   In the light emitting element realized with such a configuration, the light source 92 is not particularly limited. For example, by using a semiconductor laser or a light emitting diode, a light emitting element that emits an arbitrary emission color can be realized. it can. Further, when a blue laser having a wavelength of about 410 nm is used as a light source and a light emitting activation material such as Eu that emits light having a wavelength of 500 nm is used, mixed light can be obtained as radiated light.

この場合、励起光９３の波長と放射光９４の波長とによって決定される混合色発光が実現される。また、発光付活元素として、発光波長の異なる発光付活元素を第１バルブ金属陽極酸化膜に含有させることで、白色発光可能な発光素子を実現することもできる。   In this case, mixed color light emission determined by the wavelength of the excitation light 93 and the wavelength of the radiation light 94 is realized. Moreover, the light emitting element which can emit white light is also realizable by making the 1st valve | bulb metal anodic oxide film contain the light emitting active element from which light emission wavelength differs as a light emitting active element.

図１４に示した例において、励起光９３または放射光９４が通過する基板２および導電膜１２は、当該励起光９３および放射光９４が通過可能な透光性を有する基板および透明電極であることが好ましい。なお、図１４に示した例では、基板２として透光性を有する基板を用い、基板２側から励起光９３を発光体５１に入射させる構成を採用しているが、第２バルブ金属陽極酸化膜５３側から励起光を入射させる構成とすることも可能である。また、
なお、図１４には、図８に示した本発明の第４の実施形態の発光体５１を用いた場合について示しているが、発光体として、上述したいずれの実施形態の発光体を用いても勿論よい。また、寸法の大きな発光体を切断したサイズの小さな発光体を光源の近傍に配置することで、小型の発光素子を実現するようにしても勿論よい。 In the example shown in FIG. 14, the substrate 2 and the conductive film 12 through which the excitation light 93 or the radiation light 94 passes are a transparent substrate and a transparent electrode through which the excitation light 93 and the radiation light 94 can pass. Is preferred. In the example shown in FIG. 14, a substrate having translucency is used as the substrate 2 and the excitation light 93 is incident on the light emitter 51 from the substrate 2 side. It is also possible to adopt a configuration in which excitation light is incident from the film 53 side. Also,
FIG. 14 shows the case where the light emitter 51 of the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 8 is used, but the light emitter of any of the above-described embodiments is used as the light emitter. Of course. Of course, a small light-emitting element may be realized by disposing a small-sized light emitter obtained by cutting a large light-emitting body in the vicinity of the light source.

図１５は、本発明の好ましい第３の実施形態の発光素子１０１を模式的に示す断面図である。本発明の発光素子は、上述した本発明の発光体を複数積層し、これに励起光を照射する光源を備えるように実現されていてもよい。図１５に示す例の発光素子１０１は、たとえば、３つの本発明の発光体１０２，１０３，１０４が順次積層され、発光体１０２の基板側から励起光を入射させるように構成された光源９２とを備える。これにより、放射光の割合を多くすることが可能であり、発光強度がさらに向上された発光素子を得ることができる。また、発光体を複数積層してなることで、混合色発光における発光色を容易に調整することが可能であり、また、複数積層された各発光体の第１バルブ金属陽極酸化膜に含有される発光付活元素を変えることで、発光色の異なる発光体を容易に形成することが可能となる。   FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device 101 according to a preferred third embodiment of the present invention. The light emitting device of the present invention may be realized so as to include a plurality of the above-described light emitters of the present invention and a light source that irradiates excitation light thereon. The light emitting element 101 in the example shown in FIG. 15 includes, for example, a light source 92 configured by sequentially laminating three light emitters 102, 103, and 104 of the present invention and allowing excitation light to enter from the substrate side of the light emitter 102. Is provided. Thereby, the ratio of the emitted light can be increased, and a light emitting element with further improved emission intensity can be obtained. In addition, by laminating a plurality of light emitters, it is possible to easily adjust the emission color in mixed color light emission, and it is contained in the first valve metal anodic oxide film of each of the plurality of light emitters laminated. By changing the light emitting activation element, it is possible to easily form light emitters having different emission colors.

図１６は、本発明の好ましい第４の実施形態の発光素子１１１を模式的に示す断面図である。本発明の発光素子は、上述した本発明の発光体と、当該発光体に励起光を照射する光源とを備える構成において、励起光がプラズマ放電により発生する紫外線光であってもよい。これにより、プラズマ放電面積と発光体面積を大きくすることができ、大面積の発光素子とすることができる。   FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device 111 according to a fourth preferred embodiment of the present invention. The light emitting element of the present invention may be ultraviolet light generated by plasma discharge in the configuration including the above-described light emitter of the present invention and a light source that irradiates the light emitter with excitation light. Accordingly, the plasma discharge area and the light emitter area can be increased, and a light emitting element having a large area can be obtained.

図１６に示す例の発光素子１１１は、基板２上に導電膜１２が設けられ、当該基板２上に、基板２および導電膜１２よりも小さな面積に形成された第１バルブ金属陽極酸化膜５２が設けられ、この第１バルブ金属陽極酸化膜５２を覆うようにして第２バルブ金属陽極酸化膜５３が形成された構造の発光体（すなわち、図８に示した本発明の第４の実施形態の発光体５１）と、導電膜１２上に第２バルブ金属陽極酸化膜５３を側方から挟むようにして設けられた隔壁１１２と、隔壁１１２により発光体５１と離間して設けられた電極保護膜１１３、対向電極１１４および対向基板１１５とを備える。発光体５１の第２バルブ金属陽極酸化膜５３側には、この第２バルブ金属陽極酸化膜５３、隔壁１１２および電極保護膜１１３によって規定された空隙１１６が形成され、この空隙１１６には、プラズマ放電ガスが封入されている。このような構成において、基板２としては透光性を有する基板が用いられ、導電膜１２としては透明導電膜が用いられる。   In the light emitting element 111 of the example shown in FIG. 16, the conductive film 12 is provided on the substrate 2, and the first valve metal anodic oxide film 52 formed on the substrate 2 in a smaller area than the substrate 2 and the conductive film 12. And a light emitter having a structure in which the second valve metal anodic oxide film 53 is formed so as to cover the first valve metal anodic oxide film 52 (that is, the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 8). The light emitting body 51), the partition 112 provided on the conductive film 12 so as to sandwich the second valve metal anodic oxide film 53 from the side, and the electrode protection film 113 provided apart from the light emitting body 51 by the partition 112. The counter electrode 114 and the counter substrate 115 are provided. A gap 116 defined by the second valve metal anodic oxide film 53, the partition wall 112 and the electrode protection film 113 is formed on the second valve metal anodic oxide film 53 side of the light emitter 51. Discharge gas is enclosed. In such a configuration, a transparent substrate is used as the substrate 2, and a transparent conductive film is used as the conductive film 12.

図１６に示す例の発光素子１１１においては、導電膜１２と対向電極１１４との間に交流電圧を印加することで、空隙部１１６にプラズマ放電を誘起する。このプラズマ放電により発生する紫外線光が、励起光１１７として発光体５１に照射され、励起光１１７が、第１バルブ金属陽極酸化膜５２に含有される発光付活元素を励起することにより、発光付活元素特有の発光波長の放射光１１８が発生する。   In the light emitting element 111 of the example shown in FIG. 16, plasma discharge is induced in the gap 116 by applying an AC voltage between the conductive film 12 and the counter electrode 114. Ultraviolet light generated by the plasma discharge is irradiated to the light emitter 51 as excitation light 117, and the excitation light 117 excites the light-emitting active element contained in the first valve metal anodized film 52 to emit light. Radiation light 118 having an emission wavelength peculiar to the active element is generated.

ここで、対向基板１１５としては、広範囲の波長域で透明度の高いガラス基板やプラスチック基板を用いることが好ましい。また対向電極１１４としては、たとえば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕなどの金属膜、または、これらの金属を主に含む合金膜などを用いることで、プラズマ放電から発生する紫外線光および発光体から発生する放射光を効率よく反射することができるため、好ましい。また、電極保護膜１１３としては、対向電極１１４のプラズマ放電による劣化を防止する観点から、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化チタン、窒化チタン、酸化タンタル、窒化タンタルなどの誘電体膜を用いることが望ましい。隔壁１１２としては、空隙部１１６に封入されたガスが漏れ出さないように無機微粒子（たとえば酸化シリコン、酸化アルミナなど）と、バインダー樹脂（たとえばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂やアクリル系紫外線硬化性樹脂などの光硬化性樹脂など）とで形成されるものを用いることが望ましい。また、空隙部１１６に封入される放電ガスとしては、有効に紫外線を発生させ得る観点から、ＮｅＸｅ混合ガスやＨｅＸｅ混合ガスを用いることが好ましい。   Here, as the counter substrate 115, it is preferable to use a glass substrate or a plastic substrate having high transparency in a wide wavelength range. Further, as the counter electrode 114, for example, a metal film such as Al, Ti, or Cu, or an alloy film mainly containing these metals is used, so that ultraviolet light generated from plasma discharge and radiation generated from a light emitter are used. It is preferable because it can reflect light efficiently. As the electrode protective film 113, it is desirable to use a dielectric film such as silicon oxide, silicon nitride, titanium oxide, titanium nitride, tantalum oxide, and tantalum nitride from the viewpoint of preventing the counter electrode 114 from being deteriorated by plasma discharge. . As the partition wall 112, inorganic fine particles (for example, silicon oxide, alumina oxide, etc.) and a binder resin (for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin, or an acrylic ultraviolet curable resin) so that the gas sealed in the gap 116 does not leak out. It is desirable to use what is formed with photocurable resins, such as resin. Further, as the discharge gas sealed in the gap 116, it is preferable to use a NeXe mixed gas or a HeXe mixed gas from the viewpoint of effectively generating ultraviolet rays.

図１６に示す例の発光素子１１１においても、発光付活元素として、発光波長の異なる複数種の発光付活元素を第１バルブ金属陽極酸化膜５２に含有させることにより、白色発光可能な発光素子を実現することができる。また、図１６には、図８に示した本発明の第４の実施形態の発光体５１を用いた場合について示しているが、発光体として、上述したいずれの実施形態の発光体を用いても勿論よい。また、図１５に示した例のように、発光体を複数積層して用いるようにしてもよい。   In the light emitting device 111 of the example shown in FIG. 16 as well, a light emitting device capable of emitting white light by containing a plurality of types of light emitting active elements having different light emission wavelengths in the first bulb metal anodic oxide film 52 as light emitting active elements. Can be realized. FIG. 16 shows the case where the light emitter 51 according to the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 8 is used. The light emitter of any of the above-described embodiments is used as the light emitter. Of course. Further, as in the example shown in FIG. 15, a plurality of light emitters may be stacked and used.

以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.

＜実施例１＞
図２に示した製造方法に従って、図１に示した例の本発明の第１の実施形態の発光体１を製造した。 <Example 1>
According to the manufacturing method shown in FIG. 2, the light emitter 1 of the first embodiment of the present invention of the example shown in FIG. 1 was manufactured.

まず、厚さ０．５ｍｍの透明ガラス基板２上に、バルブ金属であるＡｌターゲットと、発光付活元素であるＥｕを付活するＥｕ2Ｏ3ターゲットとを用いたスパッタリングにより、発光付活元素としてＥｕを含有する第１バルブ金属膜６を形成した（図２（ａ））。ここで、第１バルブ金属膜６の厚みは４００ｎｍに形成した。また、第１バルブ金属膜６は、５重量％のＥｕを含有したＡｌ膜となるように、各ターゲットに投入する電力を調整してスパッタリングを行なった。第１バルブ金属膜６を形成した後、バルブ金属であるＡｌのターゲットを用いたスパッタリングにより、第２バルブ金属膜７を形成した（図２（ｂ））。ここで、第２バルブ金属膜７の厚みは４０ｎｍに形成した。 First, a light emitting active element is formed on a transparent glass substrate 2 having a thickness of 0.5 mm by sputtering using an Al target that is a valve metal and an Eu 2 O 3 target that activates Eu that is a light emitting active element. As a result, a first valve metal film 6 containing Eu was formed (FIG. 2A). Here, the thickness of the first valve metal film 6 was formed to 400 nm. Further, the first valve metal film 6 was sputtered by adjusting the electric power applied to each target so as to be an Al film containing 5 wt% Eu. After forming the first valve metal film 6, a second valve metal film 7 was formed by sputtering using an Al target that is a valve metal (FIG. 2B). Here, the thickness of the second valve metal film 7 was formed to 40 nm.

次に、図６に示したようにして、第１バルブ金属膜６および第２バルブ金属膜７の陽極酸化を行なった。陽極酸化液としては、２５℃、５％シュウ酸水溶液を用い、陰極３９を接地電位として、陽極３６に＋３０Ｖの直流電圧を印加して、陽極酸化電流が流れなくなるまで、すなわち、第１バルブ金属膜６と第２バルブ金属膜７が完全に陽極酸化されるまで酸化処理を行なった。このようにして、図１に示した例の発光体１を製造した。   Next, as shown in FIG. 6, the first valve metal film 6 and the second valve metal film 7 were anodized. As the anodizing solution, a 5% oxalic acid aqueous solution is used at 25 ° C., and a positive voltage of +30 V is applied to the anode 36 with the cathode 39 set to the ground potential until no anodizing current flows. The oxidation treatment was performed until the film 6 and the second valve metal film 7 were completely anodized. In this way, the light emitter 1 of the example shown in FIG. 1 was manufactured.

このような発光体１と、当該発光体１に励起光を照射する光源とを組み合わせ、本発明の発光素子を製造した。従来の発光素子では、約５０％以上のものに発光強度の低下あるいは発光しないものが存在したが、本発明の構造の発光素子は、８０％程度使用可能であった。   A light emitting device of the present invention was manufactured by combining such a light emitter 1 and a light source that irradiates the light emitter 1 with excitation light. Among conventional light-emitting elements, there are those in which the light emission intensity decreases or does not emit light in about 50% or more, but the light-emitting element having the structure of the present invention can be used about 80%.

＜実施例２＞
図４に示した製造方法に従って、図３に示した例の本発明の第２の実施形態の発光体１１を製造した。 <Example 2>
According to the manufacturing method shown in FIG. 4, the light emitter 11 of the second embodiment of the present invention of the example shown in FIG. 3 was manufactured.

まず、厚さ０．５ｍｍの透明ガラス基板２上に、膜厚５０ｎｍのＩＴＯ膜からなる導電膜１２をスパッタリング法により形成した（図４（ａ））。次に、該導電膜１２上に、バルブ金属であるＡｌのターゲットと、発光付活元素であるＥｕを付与するＥｕ2Ｏ3ターゲットとを用いたスパッタリングにより、発光付活元素としてＥｕを含有する第１バルブ金属膜６を形成した（図４（ｂ））。ここで、第１バルブ金属膜６の膜厚は２００ｎｍとした。また、第１バルブ金属膜６は５重量％のＥｕを含有したＡｌ膜となるように、各ターゲットに投入する電力を調整してスパッタリングを行なった。第１バルブ金属膜６を形成した後、バルブ金属であるＡｌのターゲットを用いたスパッタリングにより、第２バルブ金属膜７を形成した（図４（ｃ））。ここで、第２バルブ金属膜７の膜厚は４０ｎｍとした。その後、実施例１と同様にして陽極酸化を行い、図３に示した例の発光体１１を製造した。 First, a conductive film 12 made of an ITO film having a thickness of 50 nm was formed on a transparent glass substrate 2 having a thickness of 0.5 mm by a sputtering method (FIG. 4A). Next, Eu is contained as a light emitting activation element on the conductive film 12 by sputtering using an Al target that is a valve metal and a Eu 2 O 3 target that imparts Eu that is a light emission activation element. A first valve metal film 6 was formed (FIG. 4B). Here, the film thickness of the first valve metal film 6 was 200 nm. Further, the first valve metal film 6 was sputtered by adjusting the electric power applied to each target so that the first valve metal film 6 was an Al film containing 5 wt% Eu. After forming the first valve metal film 6, a second valve metal film 7 was formed by sputtering using an Al target that is a valve metal (FIG. 4C). Here, the thickness of the second valve metal film 7 was set to 40 nm. Thereafter, anodization was performed in the same manner as in Example 1 to produce the light emitter 11 of the example shown in FIG.

こうして得られた発光体１１の第２バルブ金属陽極酸化膜に、膜厚１００ｎｍのＡｌ対向電極をスパッタリングにより形成して、本発明の発光素子を製造した。この構造を用いた発光素子を作製した場合、第１バルブ金属膜の厚さを薄くしても、全面にわたって、陽極酸化が可能であり、低コストで発光素子を作製することが可能となった。さらに、第１バルブ金属陽極酸化膜を薄くできるので、基板に微細な凹凸が形成されている場合であっても、表面形状を保持しながら発光層の形成が可能となる。本実施例の発光素子において、導電膜１２および対向電極に電圧を印加することによって、発光付活元素を励起し発光を行なう、電気的発光素子として使用することができる。   An Al counter electrode having a film thickness of 100 nm was formed on the second valve metal anodized film of the light-emitting body 11 thus obtained by sputtering to manufacture the light-emitting device of the present invention. When a light-emitting element using this structure is manufactured, the entire surface can be anodized even if the thickness of the first valve metal film is reduced, and a light-emitting element can be manufactured at low cost. . Furthermore, since the first valve metal anodic oxide film can be thinned, it is possible to form a light emitting layer while maintaining the surface shape even when fine irregularities are formed on the substrate. In the light emitting element of this embodiment, it can be used as an electroluminescent element that emits light by exciting the light emitting active element by applying a voltage to the conductive film 12 and the counter electrode.

＜実施例３＞
基板として、導電性を有する金属および金属酸化物を用いた以外は、実施例１と同様にして、本発明の第３の実施形態の発光体を製造した。このように製造された発光体においても、基板自体に導電性をもたせたため、末端まで陽極酸化を進行させることができ、未酸化膜の残存がなく、安定して発光体を作製することができた。 <Example 3>
A light emitter according to the third embodiment of the present invention was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a conductive metal and metal oxide were used as the substrate. Even in the phosphor manufactured in this way, the substrate itself is made conductive, so that the anodic oxidation can proceed to the end, and there is no remaining unoxidized film, and the phosphor can be manufactured stably. It was.

＜実施例４＞
図９に示した製造方法に従って、図８に示した例の本発明の第４の実施形態の発光体５１を製造した。 <Example 4>
According to the manufacturing method shown in FIG. 9, the light emitter 51 of the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 8 was manufactured.

まず、厚さ０．５ｍｍの透明ガラス基板２上に、膜厚２０ｎｍのＴａからなる導電膜１２をスパッタリング法により形成した（図９（ａ））。次に、該導電膜１２上に、バルブ金属であるＡｌのターゲットと、発光付活元素であるＥｕを付与するＥｕ2Ｏ3ターゲットとを用いたスパッタリングにより、発光付活元素としてＥｕを含有する第１バルブ金属膜５２を形成した（図９（ｂ））。ここで、第１バルブ金属膜５５は、そのエッジ部を含めた側方端部が、基板２および導電膜１２よりも５ｍｍ程度小さくなるように形成した。第１バルブ金属膜５５を形成後、この第１バルブ金属膜５５を覆うようにして、バルブ金属であるＡｌのターゲットを用いたスパッタリングにより、第２バルブ金属膜５７を形成した。その後、実施例１と同様にして陽極酸化を行い、図８に示した例の発光体５１を製造した。このようにして得られた発光体５１は、第１バルブ金属陽極酸化膜５２と導電膜１２との間の剥離が生じず、より安定に発光体を作製することができた。 First, a conductive film 12 made of Ta having a thickness of 20 nm was formed on a transparent glass substrate 2 having a thickness of 0.5 mm by a sputtering method (FIG. 9A). Next, Eu is contained as a light emitting activation element on the conductive film 12 by sputtering using an Al target that is a valve metal and a Eu 2 O 3 target that imparts Eu that is a light emission activation element. A first valve metal film 52 was formed (FIG. 9B). Here, the first valve metal film 55 was formed such that the side end portion including the edge portion was smaller than the substrate 2 and the conductive film 12 by about 5 mm. After forming the first valve metal film 55, a second valve metal film 57 was formed by sputtering using an Al target that is a valve metal so as to cover the first valve metal film 55. Thereafter, anodization was performed in the same manner as in Example 1 to produce the light emitter 51 of the example shown in FIG. The light emitter 51 thus obtained did not cause separation between the first valve metal anodized film 52 and the conductive film 12, and was able to produce the light emitter more stably.

＜実施例５＞
図１２に示した製造方法に従って、図１１に示した例の本発明の第５の実施形態の発光体７１を製造した。 <Example 5>
According to the manufacturing method shown in FIG. 12, the light emitting body 71 of the fifth embodiment of the present invention of the example shown in FIG. 11 was manufactured.

まず、厚さ０．５ｍｍの透明ガラス基板２上に、膜厚５０ｎｍのＩＴＯ膜からなる導電膜１２をスパッタリング法により形成した（図１２（ａ））。次に、該導電膜１２上に、バルブ金属であるＡｌのターゲットと、発光付活元素であるＥｕを付与するＥｕ2Ｏ3ターゲットとを用いたスパッタリングにより、発光付活元素としてＥｕを含有する第１バルブ金属膜６を形成した（図１２（ｂ））。ここで、第１バルブ金属膜６の膜厚は２００ｎｍとした。また、第１バルブ金属膜６は５重量％のＥｕを含有させたＡｌ膜となるように、各ターゲットに投入する電力を調整してスパッタリングを行なった。第１バルブ金属膜６を形成した後、バルブ金属であるＡｌのターゲットを用いたスパッタリングにより、第２バルブ金属膜７を形成した（図１２（ｃ））。ここで、第２バルブ金属膜７の膜厚は４０ｎｍとした。 First, a conductive film 12 made of an ITO film having a thickness of 50 nm was formed on a transparent glass substrate 2 having a thickness of 0.5 mm by a sputtering method (FIG. 12A). Next, Eu is contained as a light emitting activation element on the conductive film 12 by sputtering using an Al target that is a valve metal and a Eu 2 O 3 target that imparts Eu that is a light emission activation element. A first valve metal film 6 was formed (FIG. 12B). Here, the film thickness of the first valve metal film 6 was 200 nm. Further, the first valve metal film 6 was sputtered by adjusting the electric power applied to each target so that the first valve metal film 6 was an Al film containing 5 wt% Eu. After forming the first valve metal film 6, a second valve metal film 7 was formed by sputtering using an Al target that is a valve metal (FIG. 12C). Here, the thickness of the second valve metal film 7 was set to 40 nm.

次に、熱硬化性エポキシ樹脂を、基板２、導電膜１２、第１バルブ金属膜６および第２バルブ金属７のエッジ部を含む側方端部を覆うように塗布した後、９０℃で３０分ベークを行ない、エッジ保護膜７２を形成した。その後、実施例１と同様にして陽極酸化を行い、図１１に示した発光体７１を製造した。このような実施例５では、上述した実施例４とは異なり、第１バルブ金属膜を基板および導電膜よりも小さな面積に加工することを要しないため、より安価に発光体を製造することができた。   Next, a thermosetting epoxy resin is applied so as to cover the side ends including the edge portions of the substrate 2, the conductive film 12, the first valve metal film 6, and the second valve metal 7, and then 30 ° C. at 30 ° C. The edge protection film 72 was formed by partial baking. Thereafter, anodization was performed in the same manner as in Example 1 to manufacture the light emitter 71 shown in FIG. In the fifth embodiment, unlike the fourth embodiment described above, it is not necessary to process the first valve metal film in a smaller area than the substrate and the conductive film, so that the light emitter can be manufactured at a lower cost. did it.

＜実施例６＞
まず、厚さ１ｍｍのＳＵＳ板上に、バルブ金属であるＡｌのターゲットと、発光付活元素であるＥｕを付与するＥｕ2Ｏ3ターゲットとを用いたスパッタリングにより、発光付活元素としてＥｕを含有する第１バルブ金属膜を形成した。 <Example 6>
First, Eu is contained as a light emitting active element on a 1 mm thick SUS plate by sputtering using an Al target that is a valve metal and a Eu 2 O 3 target that provides Eu that is a light emitting active element. A first valve metal film was formed.

その後、バルブ金属であるＡｌのターゲットを用いたスパッタリングにより、第２バルブ金属膜をＳＵＳ基板全面およびＳＵＳ基板の端面も含め陽極酸化液に接する箇所全面に形成した。   Thereafter, a second valve metal film was formed on the entire surface of the SUS substrate and the entire surface of the SUS substrate in contact with the anodizing solution by sputtering using an Al target that is a valve metal.

次に、上記サンプルを、実施例１と同様の陽極酸化を行なったが、ＳＵＳ板全体を陽極酸化液に浸漬するのではなく、第２バルブ金属を形成した部分のみを陽極酸化液に接触されるような方法で行なった。その後、ＩＴＯにより構成される透明対向電極を形成することにより、発光素子を作製した。   Next, the sample was anodized in the same manner as in Example 1, but the entire SUS plate was not immersed in the anodizing solution, but only the portion where the second valve metal was formed was brought into contact with the anodizing solution. It was performed by the method. Then, the light emitting element was produced by forming the transparent counter electrode comprised by ITO.

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

紫外光、可視光、電気、電磁波あるいは電子線などのエネルギーを励起エネルギーとして、可視光発光などへエネルギー変換を行い、安価に発光素子を形成する技術であり、イルミネーションや固体照明など発光素子全般に応用することが可能である。   It is a technology that converts energy into visible light emission using energy such as ultraviolet light, visible light, electricity, electromagnetic waves, or electron beams as excitation energy, and forms light emitting elements at low cost. It is possible to apply.

本発明の第１の実施形態の発光体１を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the light-emitting body 1 of the 1st Embodiment of this invention. 図１に示した例の発光体１を製造する方法を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the method of manufacturing the light-emitting body 1 of the example shown in FIG. 本発明の第２の実施形態の発光体１１を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the light-emitting body 11 of the 2nd Embodiment of this invention. 図３に示した例の発光体１１を製造する方法を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the method of manufacturing the light-emitting body 11 of the example shown in FIG. バルブ金属の陽極酸化について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the anodic oxidation of a valve metal. バルブ金属の陽極酸化について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the anodic oxidation of a valve metal. バルブ金属の陽極酸化について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the anodic oxidation of a valve metal. 本発明の第４の実施形態の発光体５１を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the light-emitting body 51 of the 4th Embodiment of this invention. 図８に示した例の発光体５１を製造する方法を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the method to manufacture the light-emitting body 51 of the example shown in FIG. 本発明の第５の実施形態の発光体６１を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the light-emitting body 61 of the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６の実施形態の発光体７１を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the light-emitting body 71 of the 6th Embodiment of this invention. 図１１に示した例の発光体７１を製造する方法を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the method of manufacturing the light-emitting body 71 of the example shown in FIG. 本発明の第１の実施形態の発光素子８１を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the light emitting element 81 of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態の発光素子９１を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the light emitting element 91 of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態の発光素子１０１を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the light emitting element 101 of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施形態の発光素子１１１を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the light emitting element 111 of the 4th Embodiment of this invention. 特許文献１に開示された従来の製法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the conventional manufacturing method disclosed by patent document 1. FIG. 特許文献２に開示された従来の製法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the conventional manufacturing method disclosed by patent document 2. FIG. 図１８の製法を一部拡大して示す模式図である。It is a schematic diagram which expands and partially shows the manufacturing method of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１，１１，５１，６１，７１ 発光体、２ 基板、３，５２ 第１バルブ金属陽極酸化膜、４，５３ 第２バルブ金属陽極酸化膜、１２ 導電膜、８１，９１，１０１，１１１ 発光素子、８２ 対向電極、９２ 光源、９３，１１７ 励起光、９４，１１８ 放射光。   1, 11, 51, 61, 71 Light emitter, 2 Substrate, 3, 52 First valve metal anodized film, 4, 53 Second valve metal anodized film, 12 Conductive film, 81, 91, 101, 111 Light emitting element , 82 Counter electrode, 92 Light source, 93, 117 Excitation light, 94, 118 Radiation light.

Claims (16)

基板上に、第１バルブ金属陽極酸化膜と、第２バルブ金属陽極酸化膜とが順次設けられた構造を備える発光体であって、前記第１バルブ金属陽極酸化膜が発光付活元素を含有することを特徴とする発光体。   A light emitter having a structure in which a first valve metal anodized film and a second valve metal anodized film are sequentially provided on a substrate, wherein the first valve metal anodized film contains a light emitting active element. A light emitter characterized by the above. 前記基板と前記第１バルブ金属陽極酸化膜との間に、導電膜が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の発光体。   The light-emitting body according to claim 1, wherein a conductive film is provided between the substrate and the first valve metal anodized film. 前記導電膜が透明導電膜であることを特徴とする請求項２に記載の発光体。   The light emitting body according to claim 2, wherein the conductive film is a transparent conductive film. 前記基板が導電性を有することを特徴とする請求項１に記載の発光体。   The light-emitting body according to claim 1, wherein the substrate has conductivity. 前記第２バルブ金属陽極酸化膜は、前記第１バルブ金属陽極酸化膜が露出しないように当該第１バルブ金属陽極酸化膜を覆って設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の発光体。   The said 2nd valve metal anodized film is provided so that the said 1st valve metal anodized film may be covered so that the said 1st valve metal anodized film may not be exposed. Luminous body. 前記第１バルブ金属陽極酸化膜のエッジ部分が露出しないように、エッジ保護膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光体。   The light emitter according to claim 1, wherein an edge protective film is provided so that an edge portion of the first valve metal anodized film is not exposed. 基板上に、発光付活元素を含有する第１バルブ金属膜と、第２バルブ金属膜とを順次設け、第１バルブ金属膜と第２バルブ金属膜とを陽極酸化することを特徴とする発光体の製造方法。   A light emission characterized in that a first valve metal film containing a light emitting activation element and a second valve metal film are sequentially provided on a substrate, and the first valve metal film and the second valve metal film are anodized. Body manufacturing method. 基板上に、導電膜と、発光付活元素を含有する第１バルブ金属膜と、第２バルブ金属膜とを順次設け、第１バルブ金属膜と第２バルブ金属膜とを陽極酸化することを特徴とする発光体の製造方法。   A conductive film, a first valve metal film containing a light emitting active element, and a second valve metal film are sequentially provided on the substrate, and the first valve metal film and the second valve metal film are anodized. A method for producing a light emitter characterized by the above. 前記第１バルブ金属膜が露出しないように、当該第１バルブ金属膜を覆うようにして第２バルブ金属膜を設け、第１バルブ金属膜と第２バルブ金属膜とを陽極酸化することを特徴とする請求項７または８に記載の発光体の製造方法。   A second valve metal film is provided so as to cover the first valve metal film so that the first valve metal film is not exposed, and the first valve metal film and the second valve metal film are anodized. The manufacturing method of the light-emitting body according to claim 7 or 8. 請求項１〜６のいずれかに記載の発光体を用いた発光素子。   The light emitting element using the light-emitting body in any one of Claims 1-6. 請求項１〜６のいずれかに記載の発光体と、当該発光体の第２バルブ金属陽極酸化膜上に設けられた対向電極とを備える、発光素子。   A light emitting device comprising: the light emitter according to claim 1; and a counter electrode provided on a second valve metal anodized film of the light emitter. 請求項１〜６のいずれかに記載の発光体と、当該発光体に励起光を照射する励起光源とを備え、発光体に励起光を照射することにより励起光の波長と異なる波長の光を発生し得るものである、発光素子。   A light emitter according to any one of claims 1 to 6 and an excitation light source that irradiates the illuminant with excitation light, and irradiating the illuminant with excitation light allows light having a wavelength different from that of the excitation light to be emitted. A light-emitting element that can be generated. 前記発光体が複数積層されてなることを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 12, wherein a plurality of the light emitters are stacked. 前記複数の発光体が発生する光の波長が互いに異なることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 13, wherein wavelengths of light generated by the plurality of light emitters are different from each other. 前記励起光が半導体レーザまたは発光ダイオードから発せられる光であることを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 12, wherein the excitation light is light emitted from a semiconductor laser or a light emitting diode. 前記励起光がプラズマ放電により発生する紫外線光であることを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。
The light emitting device according to claim 12, wherein the excitation light is ultraviolet light generated by plasma discharge.
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