JP2007250241A

JP2007250241A - Light emitting device, film forming method, and electronic apparatus

Info

Publication number: JP2007250241A
Application number: JP2006068817A
Authority: JP
Inventors: Kozo Shimokami; 耕造下神
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-03-14
Filing date: 2006-03-14
Publication date: 2007-09-27

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device provided with a light emitting film which is not transformed by an insulating film, and a film forming method of the light emitting film of the light emitting device, and an electronic device. <P>SOLUTION: An organic EL display 10 includes a hole transport layer 15a, the light emitting layer 15b, and an electron transport layer 15c respectively formed by an ink jet method. The insulating film 12 is formed of silicon oxide (SiOx), and a self-assembled film 14 provided with a thiol group and fluoro group is formed on an upper region 12a of the insulating film 12. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置、膜形成方法及び電子機器に関するものである。 The present invention relates to a light emitting device, a film forming method, and an electronic apparatus.

従来より、軽量化、薄型化、高速応答性等の観点から、表示ディスプレイや光プリンタの書き込みヘッドといった発光装置に使用される発光素子として、自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）を使用したものが知られている。そして、上記有機ＥＬ素子の製造方法の一つにインクジェット法が提案されている。 Conventionally, from the viewpoints of weight reduction, thickness reduction, high-speed response, etc., as a light emitting element used in a light emitting device such as a display head or a writing head of an optical printer, an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as “organic”) is used. A device using an EL element) is known. An ink jet method has been proposed as one of methods for manufacturing the organic EL element.

このインクジェット法は、有機発光材料を、アセトンやキシレンといった有機溶媒に分散または溶解させてなるインクを吐出して上記いずれか一方の電極上に塗布した後に、乾燥させることによって前記溶媒を除去し電極上に前記有機発光材料からなる有機発光膜を形成する方法である。従って、真空チャンバーといった大型の装置を必要とせずに有機発光膜を形成することができることから、省スペースで、かつ低消費エネルギーな膜形成方法を実現することができる。 In this ink jet method, an ink obtained by dispersing or dissolving an organic light emitting material in an organic solvent such as acetone or xylene is ejected and applied onto one of the electrodes, and then dried to remove the solvent and remove the electrode. This is a method of forming an organic light emitting film made of the above organic light emitting material. Accordingly, since the organic light emitting film can be formed without requiring a large apparatus such as a vacuum chamber, a film forming method that saves space and consumes low energy can be realized.

ところで、上記インクジェット法では、吐出されたインクの吐出位置の精度を確保するために、電極の外周を囲むようにして該電極に対向する位置に開口部を備えた絶縁膜を形成し、その開口部にインク滴を吐出するようにしている。そして、フルカラー表示可能な表示ディスプレイのように、電極毎に異なった種類の有機発光材料のインクを配置する場合においては、絶縁膜の上層領域に撥液化処理を施すことで、所定の電極上に配置されたインクが濡れ広がって周囲の他の電極上に配置されたインクに混じり合わないようにしている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−１２７９２４号公報 By the way, in the inkjet method, in order to ensure the accuracy of the discharge position of the discharged ink, an insulating film having an opening is formed at a position facing the electrode so as to surround the outer periphery of the electrode, and the opening is formed in the opening. Ink droplets are ejected. Then, when disposing different types of organic light emitting material inks for each electrode, such as a display capable of full color display, a liquid repellent treatment is performed on the upper layer region of the insulating film, so that a predetermined electrode is formed. The arranged ink is wet and spread so as not to mix with the ink arranged on other surrounding electrodes (for example, see Patent Document 1).
JP 2004-127924 A

ところで、上記した撥液化処理は、従来、絶縁膜をアクリル樹脂などの有機材料で構成し、フッ化プラズマ処理を施すことで実現している。しかしながら、前述したように、インク滴は有機溶媒であることから、前記絶縁膜に付着したインク滴の有機溶媒によって絶縁膜を構成する膜材料がインク滴中に溶出してしまう虞があった。この結果、形成される有機発光膜が変質し、所望の発光特性が得られないという問題を生じてしまう。 By the way, the above-described liquid repellency treatment is conventionally realized by forming an insulating film from an organic material such as acrylic resin and performing a fluorinated plasma treatment. However, as described above, since the ink droplet is an organic solvent, the film material constituting the insulating film may be eluted into the ink droplet by the organic solvent of the ink droplet adhered to the insulating film. As a result, the organic light emitting film to be formed is deteriorated, and there arises a problem that desired light emission characteristics cannot be obtained.

本発明は、上記の問題点に鑑みなされたもので、絶縁膜によって変質されることない発光膜を備えた発光装置、その発光装置の発光膜の膜形成方法及び電子機器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides a light-emitting device including a light-emitting film that is not altered by an insulating film, a method for forming a light-emitting film of the light-emitting device, and an electronic apparatus. .

本発明の発光装置は、基板上に、開口部を備えた絶縁膜と、前記開口部に対向した位置に、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置され少なくとも有機発光性材料で構成された発光膜を含む有機機能膜を有した発光素子とを備えた発光装置において、前記絶縁膜の上部領域に撥液性有機膜を設けている。 The light-emitting device of the present invention includes an insulating film having an opening on a substrate, and a first electrode, a second electrode, the first electrode, and the second electrode at positions facing the opening. And a light emitting device having an organic functional film including a light emitting film composed of at least an organic light emitting material, and having a liquid repellent organic film on an upper region of the insulating film. Provided.

これによれば、絶縁膜の上部領域には撥液性有機膜が設けられているので、従来のように、プラズマ処理する必要なく絶縁膜の上部領域が撥液化される。この結果、絶縁膜を有機無機材料で構成することが可能となることから、例えば、インクジェット法で有機機能
膜を形成する場合において、その有機機能膜材料を溶解または分散させる有機溶媒によって絶縁膜が溶解することはない。従って、有機機能膜の膜質が変質することないので、所望の発光特性を備えた発光素子を実現することができる。 According to this, since the liquid repellent organic film is provided in the upper region of the insulating film, the upper region of the insulating film is made liquid repellent without the need for plasma treatment as in the prior art. As a result, since the insulating film can be composed of an organic inorganic material, for example, when an organic functional film is formed by an inkjet method, the insulating film is formed by an organic solvent that dissolves or disperses the organic functional film material. It will not dissolve. Accordingly, since the film quality of the organic functional film is not changed, a light emitting element having desired light emission characteristics can be realized.

また、有機溶媒によって絶縁膜が溶解することはないことから、使用する有機溶媒の選択を広げることができる。さらに、使用可能な有機溶媒の選択を広がることから、有機発光性材料の材料選択が広がる。 Further, since the insulating film is not dissolved by the organic solvent, the selection of the organic solvent to be used can be expanded. Furthermore, since the selection of the usable organic solvent is expanded, the material selection of the organic light emitting material is expanded.

この発光装置において、前記絶縁膜上には、金属膜が形成されており、前記撥液性有機膜は、前記金属膜上に形成された自己組織化膜であってもよい。
これによれば、撥液性有機膜を、たとえば、チオール基を含んだ自己組織化で構成することで、絶縁膜上に形成された金属膜上に選択的に撥液性有機膜を形成することができる。また、発光膜にて発せられた光を第２電極を透過させて基板と反対側へ出射させる、所謂トップエミッションタイプの発光装置に対しては、金属膜は第２電極と接触しているので、第２電極が高抵抗材料である場合、その第２電極の補助電極として機能させることができる。 In this light emitting device, a metal film may be formed on the insulating film, and the liquid repellent organic film may be a self-assembled film formed on the metal film.
According to this, by forming the liquid repellent organic film by, for example, self-organization including a thiol group, the liquid repellent organic film is selectively formed on the metal film formed on the insulating film. be able to. In addition, for a so-called top emission type light emitting device in which light emitted from the light emitting film is transmitted through the second electrode and emitted to the opposite side of the substrate, the metal film is in contact with the second electrode. When the second electrode is made of a high resistance material, it can function as an auxiliary electrode for the second electrode.

この発光装置において、前記自己組織化膜は、チオール基とフルオロ基を備えていてもよい。
これによれば、チオール基は金属膜に密着するので、撥液性を有するフルオロ基を、絶縁膜の上層領域に形成された金属膜上表面にのみ選択的に形成することができる。 In the light emitting device, the self-assembled film may include a thiol group and a fluoro group.
According to this, since the thiol group adheres to the metal film, the liquid repellent fluoro group can be selectively formed only on the upper surface of the metal film formed in the upper layer region of the insulating film.

この発光装置において、前記絶縁膜は、無機材料で構成されていてもよい。
これによれば、無機材料は、一般に、有機溶媒に対して耐性を有したものであることから、無機材料を絶縁膜に使用することで、有機機能膜を液体プロセス（例えば、インクジェット法）によって形成する場合において、インクを構成する有機溶媒によって前記絶縁膜がインク中に溶出することはない。この結果、溶出した膜材料によって有機機能膜が変質するのを抑制し所望の特性を有した発光素子を形成することができる。 In this light emitting device, the insulating film may be made of an inorganic material.
According to this, since the inorganic material is generally resistant to an organic solvent, the organic functional film is formed by a liquid process (for example, an ink jet method) by using the inorganic material for the insulating film. In the formation, the insulating film is not eluted into the ink by the organic solvent constituting the ink. As a result, the organic functional film can be prevented from being altered by the eluted film material, and a light emitting element having desired characteristics can be formed.

また、有機溶媒によって絶縁膜がインク中に溶出することはないことから、使用する有機溶媒の選択を広げることができる。さらに、使用可能な有機溶媒の選択を広がることから、有機機能材料の材料選択が広がる。 Further, since the insulating film is not eluted into the ink by the organic solvent, the selection of the organic solvent to be used can be expanded. Furthermore, since the selection of the usable organic solvent is expanded, the material selection of the organic functional material is expanded.

この発光装置において、前記無機材料は、酸化珪素或いは窒化珪素で構成されていてもよい。
これによれば、酸化珪素（ＳｉＯｘ）や窒化珪素（ＳｉＮｘ）は、従来から発光装置を構成するのに使用される材料であることから、特別な材料を用意することなく、使用される有機溶媒によって絶縁膜を構成する膜材料が溶出してしまうことはない。この結果、溶出した膜材料によって有機機能膜が変質するのを抑制し所望の特性を有した発光素子を形成することができる。また、酸化珪素は親液性を示すことから、有機機能膜を液体プロセス（例えば、インクジェット法）によって形成する場合においては、インクが絶縁膜に濡れ広がって付着する。この結果、有機機能膜を、絶縁膜によって囲まれた第１電極上に均一に形成することができる。 In this light emitting device, the inorganic material may be composed of silicon oxide or silicon nitride.
According to this, since silicon oxide (SiOx) and silicon nitride (SiNx) are materials conventionally used for constituting a light emitting device, an organic solvent that is used without preparing a special material. Thus, the film material constituting the insulating film is not eluted. As a result, the organic functional film can be prevented from being altered by the eluted film material, and a light emitting element having desired characteristics can be formed. Further, since silicon oxide exhibits lyophilicity, when the organic functional film is formed by a liquid process (for example, an ink jet method), the ink spreads and adheres to the insulating film. As a result, the organic functional film can be uniformly formed on the first electrode surrounded by the insulating film.

この発光装置において、前記金属膜は、金或いは銀を含んでいてもよい。
これによれば、金属膜は抵抗率が低いので、トップエミッションタイプの発光装置においては金属膜を第２電極の補助電極として機能させることができる。 In this light emitting device, the metal film may contain gold or silver.
According to this, since the resistivity of the metal film is low, the metal film can function as an auxiliary electrode of the second electrode in the top emission type light emitting device.

本発明の膜形成方法は、基板上に、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置され少なくとも有機発光性材料で構成された発光膜を含む有機
機能膜の膜形成方法において、前記第１の電極に対向した位置に開口部を備えた絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上部領域に撥液性有機膜を形成する工程と、前記開口部を介して前記第１電極上に有機発光性材料を有機溶媒に溶解または分散してなる有機液状体を塗布する工程と、前記有機液状体から前記有機溶媒を除去して前記第１電極上に前記有機機能膜を形成する工程と、前記有機機能膜上に前記第２電極を形成する工程とを備えている。 In the film forming method of the present invention, a first electrode, a second electrode, and between the first electrode and the second electrode are disposed on a substrate, and are composed of at least an organic light-emitting material. In a method of forming an organic functional film including a light emitting film, a step of forming an insulating film having an opening at a position facing the first electrode, and forming a liquid repellent organic film in an upper region of the insulating film A step of applying an organic liquid material obtained by dissolving or dispersing an organic light-emitting material in an organic solvent on the first electrode through the opening, and removing the organic solvent from the organic liquid material. A step of forming the organic functional film on the first electrode, and a step of forming the second electrode on the organic functional film.

これによれば、絶縁膜の上部領域に撥液性有機膜を設けたので、従来のように、プラズマ処理する必要なく絶縁膜の上部領域が撥液化される。この結果、絶縁膜を有機無機材料で構成することが可能となることから、例えば、インクジェット法で有機機能膜を形成する場合において、その有機機能膜材料を溶解または分散させる有機溶媒によって絶縁膜が溶解することはない。従って、有機機能膜の膜質が変質することないので、所望の発光特性を備えた発光素子を形成することができる。 According to this, since the liquid repellent organic film is provided in the upper region of the insulating film, the upper region of the insulating film can be made liquid repellent without the need for plasma treatment as in the prior art. As a result, since the insulating film can be composed of an organic inorganic material, for example, when an organic functional film is formed by an inkjet method, the insulating film is formed by an organic solvent that dissolves or disperses the organic functional film material. It will not dissolve. Accordingly, since the film quality of the organic functional film is not changed, a light emitting element having desired light emission characteristics can be formed.

また、有機溶媒によって絶縁膜が溶解することはないことから、使用する有機溶媒の選択を広げることができる。さらに、使用可能な有機溶媒の選択を広がることから、有機発光性材料の材料選択を広げることができる。 Further, since the insulating film is not dissolved by the organic solvent, the selection of the organic solvent to be used can be expanded. Furthermore, since the selection of the usable organic solvent is expanded, the material selection of the organic light emitting material can be expanded.

この膜形成方法において、前記撥液性有機膜は、前記撥液性有機膜を構成する撥液性有機材料を含んだ液状体中に浸し、乾燥させることによって形成するようにしてもよい。
これによれば、真空チャンバーを使用することなく簡単に撥液性有機膜を形成することができる。 In this film forming method, the liquid repellent organic film may be formed by immersing in a liquid material containing a liquid repellent organic material constituting the liquid repellent organic film and drying.
According to this, a liquid repellent organic film can be easily formed without using a vacuum chamber.

この膜形成方法において、前記撥液性有機膜は、チオール基とフルオロ基を備えた自己組織化膜であり、前記絶縁膜上に金属膜を形成した後に、前記金属膜上に前記自己組織化膜を形成するようにしてもよい。 In this film formation method, the liquid repellent organic film is a self-assembled film having a thiol group and a fluoro group, and after the metal film is formed on the insulating film, the self-assembled film is formed on the metal film. A film may be formed.

これによれば、チオール基は金属膜に密着するので、撥液性を有するフルオロ基を、絶縁膜の上層領域に形成された金属膜上表面にのみ選択的に形成することができる。
この膜形成方法において、前記絶縁膜は、無機材料で構成されていてもよい。 According to this, since the thiol group adheres to the metal film, the liquid repellent fluoro group can be selectively formed only on the upper surface of the metal film formed in the upper layer region of the insulating film.
In this film forming method, the insulating film may be made of an inorganic material.

これによれば、無機材料を絶縁膜に使用することで、有機機能膜を形成する場合において、有機液状体を構成する有機溶媒によって前記絶縁膜が有機液状体中に溶出することはない。この結果、溶出した膜材料によって有機機能膜が変質するのを抑制し所望の特性を有した発光素子を形成することができる。 According to this, when an organic functional film is formed by using an inorganic material for the insulating film, the insulating film is not eluted into the organic liquid by the organic solvent constituting the organic liquid. As a result, the organic functional film can be prevented from being altered by the eluted film material, and a light emitting element having desired characteristics can be formed.

また、有機溶媒によって絶縁膜が有機液状体中に溶出することはないことから、使用する有機溶媒の選択を広げることができる。さらに、使用可能な有機溶媒の選択を広がることから、有機機能材料の材料選択が広がる。 Further, since the insulating film is not eluted into the organic liquid by the organic solvent, the selection of the organic solvent to be used can be expanded. Furthermore, since the selection of the usable organic solvent is expanded, the material selection of the organic functional material is expanded.

この膜形成方法において、前記無機材料は、酸化珪素或いは窒化珪素で構成されていてもよい。
これによれば、酸化珪素（ＳｉＯｘ）や窒化珪素（ＳｉＮｘ）は、従来から発光装置に使用される材料であることから、特別な材料を用意することなく、有機液状体に絶縁膜を構成する膜材料が溶出してしまうことはない。この結果、溶出した膜材料によって有機機能膜が変質するのを抑制し所望の特性を有した発光素子を形成することができる。また、酸化珪素は親液性を示すことから、有機機能膜を液体プロセス（例えば、インクジェット法）によって形成する場合においては、インクが絶縁膜に濡れ広がって付着する。この結果、有機機能膜を、絶縁膜によって囲まれた第１電極上に均一に形成することができる。 In this film forming method, the inorganic material may be composed of silicon oxide or silicon nitride.
According to this, since silicon oxide (SiOx) and silicon nitride (SiNx) are materials conventionally used for light emitting devices, an insulating film is formed on an organic liquid without preparing a special material. The membrane material will not be eluted. As a result, the organic functional film can be prevented from being altered by the eluted film material, and a light emitting element having desired characteristics can be formed. Further, since silicon oxide exhibits lyophilicity, when the organic functional film is formed by a liquid process (for example, an ink jet method), the ink spreads and adheres to the insulating film. As a result, the organic functional film can be uniformly formed on the first electrode surrounded by the insulating film.

この膜形成方法において、前記金属膜は、金或いは銀を含んでいてもよい。
これによれば、金属膜は抵抗率が低いので、トップエミッションタイプの発光装置においては金属膜を第２電極の補助電極として機能させることができる。 In this film forming method, the metal film may contain gold or silver.
According to this, since the resistivity of the metal film is low, the metal film can function as an auxiliary electrode of the second electrode in the top emission type light emitting device.

本発明の電子機器は、上記記載の発光装置を備えている。
これによれば、例えば、インクジェット法で形成された有機機能膜を備えた発光装置を搭載した電子機器において、その有機機能膜材料を溶解または分散させる有機溶媒によって絶縁膜が溶解することはない。従って、有機機能膜の膜質が変質することないので、所望の発光特性を備えた電子機器を提供することができる。 The electronic device of the present invention includes the light emitting device described above.
According to this, for example, in an electronic apparatus equipped with a light emitting device including an organic functional film formed by an inkjet method, the insulating film is not dissolved by an organic solvent that dissolves or disperses the organic functional film material. Therefore, since the film quality of the organic functional film does not change, an electronic apparatus having desired light emission characteristics can be provided.

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態に係る発光装置としての有機ＥＬディスプレイについて図１〜図５に従って説明する。 (First embodiment)
Hereinafter, an organic EL display as a light emitting device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１は、本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの一部概略断面図である。有機ＥＬディスプレイ１０は、無アルカリガラスといった光透過性を有した基板Ｓの素子形成面Ｓａ上に、複数の第１電極としての画素電極１１がマトリクス状に配置形成されている。尚、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、アクティブマトリクス駆動方式であって、基板Ｓ上には、各有機ＥＬ素子に供給する電流（キャリア）の量を制御するための図示しない駆動トランジスタ（薄膜トランジスタ）等といった各種回路素子が形成されている。 FIG. 1 is a partial schematic cross-sectional view of an organic EL display according to this embodiment. In the organic EL display 10, a plurality of pixel electrodes 11 as first electrodes are arranged and formed in a matrix form on an element formation surface Sa of a substrate S having optical transparency such as non-alkali glass. The organic EL display 10 of the present embodiment is an active matrix driving method, and a driving transistor (thin film transistor) (not shown) for controlling the amount of current (carrier) supplied to each organic EL element on the substrate S. Etc.) are formed.

画素電極１１は、光透過性を有し、且つ、仕事関数の高い導電性材で構成されている。本実施形態においては、画素電極１１は、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）で構成されている。各画素電極１１は、基板Ｓ上に形成された前記駆動トランジスタのドレイン電極に電気的に接続され、各駆動トランジスタによって制御された電流（キャリア）が供給されるようになっている。 The pixel electrode 11 is made of a conductive material having optical transparency and a high work function. In the present embodiment, the pixel electrode 11 is made of indium-tin oxide (ITO). Each pixel electrode 11 is electrically connected to the drain electrode of the driving transistor formed on the substrate S, and supplied with a current (carrier) controlled by each driving transistor.

また、基板Ｓの素子形成面Ｓａ上には、絶縁膜１２が形成されている。絶縁膜１２は、無機材料である酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成されている。絶縁膜１２は、各画素電極１１の外周をそれぞれ囲むように形成され、それぞれ画素電極１１に対応した位置に開口部Ｑｏが形成されるようになっている。 An insulating film 12 is formed on the element formation surface Sa of the substrate S. The insulating film 12 is made of silicon oxide (SiOx) which is an inorganic material. The insulating film 12 is formed so as to surround the outer periphery of each pixel electrode 11, and an opening Qo is formed at a position corresponding to each pixel electrode 11.

絶縁膜１２の上部領域１２ａには、金属膜１３が形成されている。金属膜１３は、本実施形態では、金（Ａｕ）で構成されている。
また、金属膜１３上には撥液性有機膜としての自己組織化膜１４が形成されている。本実施形態の自己組織化膜１４は、チオール基とフルオロ基を備えた単分子膜である。自己組織化膜１４は、そのチオール基を金属膜１３側に、フルオロ基を金属膜１３と対向する側に配向して配列される。この結果、フルオロ基は撥液性を示すことから、絶縁膜１２の上部領域１２ａ表面は撥液性を示すこととなる。 A metal film 13 is formed in the upper region 12 a of the insulating film 12. In this embodiment, the metal film 13 is made of gold (Au).
A self-assembled film 14 as a liquid repellent organic film is formed on the metal film 13. The self-assembled film 14 of this embodiment is a monomolecular film having a thiol group and a fluoro group. The self-assembled film 14 is arranged with its thiol group oriented on the metal film 13 side and the fluoro group oriented on the side facing the metal film 13. As a result, since the fluoro group exhibits liquid repellency, the surface of the upper region 12a of the insulating film 12 exhibits liquid repellency.

また、絶縁膜１２の開口部Ｑｏ内に配置された各画素電極１１上には、有機機能膜１５が形成されている。有機機能膜１５は、拡大部３０に示すように、正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ及び電子輸送層１５ｃから構成されており、画素電極１１側から正孔輸送層１５ａ→発光層１５ｂ→電子輸送層１５ｃの順に積層されている。各正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ及び電子輸送層１５ｃは、公知の有機材料で構成されている。例えば、正孔輸送層１５ａは、トリフェニルアミン類、ビス類、ピラゾリン誘導体、スチルベン化合物、オキサジアゾール誘導体、フタロシアニン誘導体といった有機材料で構成されている。 An organic functional film 15 is formed on each pixel electrode 11 disposed in the opening Qo of the insulating film 12. The organic functional film 15 includes a hole transport layer 15a, a light emitting layer 15b, and an electron transport layer 15c, as shown in the enlarged portion 30, and from the pixel electrode 11 side, the hole transport layer 15a → the light emitting layer 15b → the electrons The transport layers 15c are stacked in this order. Each hole transport layer 15a, light emitting layer 15b, and electron transport layer 15c are made of a known organic material. For example, the hole transport layer 15a is made of an organic material such as triphenylamines, bis, pyrazoline derivatives, stilbene compounds, oxadiazole derivatives, and phthalocyanine derivatives.

また、発光層１５ｂは、公知の赤色、緑色、青色の光を発光する有機発光性材料で構成
されている。たとえば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体等を主体とした材料に、赤、緑、青色の色素となる材料を含有したものである。つまり、発光層１５ｂは、３種類あり、それぞれ、赤色の光を発光する赤色発光性有機材料で構成されたものと、緑色の光を発光する緑色発光性有機材料で構成されたものと、青色の光を発光する青色発光性有機材料で構成されたものとである。 The light emitting layer 15b is made of a known organic light emitting material that emits red, green, and blue light. For example, materials mainly composed of polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, polyfluorene derivatives, and the like containing materials that become red, green, and blue pigments It is. That is, there are three types of light emitting layers 15b, each of which is composed of a red light emitting organic material that emits red light, one that is composed of a green light emitting organic material that emits green light, and blue. It is composed of a blue light-emitting organic material that emits the light.

電子輸送層１５ｃは、オキサジオール類、アルミニウムキノリノール錯体等で構成されている。
そして、有機機能膜１５上には、絶縁膜１２の全面を覆うように、第２の電極としての対向電極１６が形成されている。対向電極１６は、光反射性を有し、かつ仕事関数の低い導電性材料で構成されている。本実施形態では、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）で構成されている。そして、各画素電極１１と、対向電極１６と、前記画素電極１１と前記対向電極１６との間に配置された有機機能膜１５とで一つの発光素子としての有機ＥＬ素子１８が構成されている。尚、発光層１５ｂが赤色発光性有機材料で構成された有機機能膜１５を備えた有機ＥＬ素子１８は、赤色の光を出射する赤用有機ＥＬ素子１８Ｒである。また同様に、発光層１５ｂが緑色発光性有機材料で構成された有機機能膜１５を備えた有機ＥＬ素子１８は、緑色の光を出射する緑用有機ＥＬ素子１８Ｇであり、発光層１５ｂが青色発光性有機材料で構成された有機機能膜１５を備えた有機ＥＬ素子１８は、青色の光を出射する青用有機ＥＬ素子１８Ｂである。そして、図１に示すように、各有機ＥＬ素子１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂは、図１中左右方向に沿って、赤用有機ＥＬ素子１８Ｒ→緑用有機ＥＬ素子１８Ｇ→青用有機ＥＬ素子１８Ｂ→赤用有機ＥＬ素子１８Ｒ→…の順に配置されている。 The electron transport layer 15c is composed of oxadiols, aluminum quinolinol complexes, and the like.
A counter electrode 16 as a second electrode is formed on the organic functional film 15 so as to cover the entire surface of the insulating film 12. The counter electrode 16 is made of a conductive material having light reflectivity and a low work function. In this embodiment, it is comprised with magnesium-silver (Mg-Ag). Each pixel electrode 11, the counter electrode 16, and the organic functional film 15 disposed between the pixel electrode 11 and the counter electrode 16 constitute an organic EL element 18 as one light emitting element. . The organic EL element 18 having the organic functional film 15 in which the light emitting layer 15b is made of a red light emitting organic material is a red organic EL element 18R that emits red light. Similarly, the organic EL element 18 having the organic functional film 15 in which the light emitting layer 15b is made of a green light emitting organic material is a green organic EL element 18G that emits green light, and the light emitting layer 15b is blue. The organic EL element 18 including the organic functional film 15 made of a luminescent organic material is a blue organic EL element 18B that emits blue light. As shown in FIG. 1, the organic EL elements 18R, 18G, and 18B are arranged along the left-right direction in FIG. 1 in a red organic EL element 18R → green organic EL element 18G → blue organic EL element 18B → The red organic EL elements 18R are arranged in this order.

対向電極１６の上方には、封止部材１９が設けられている。この封止部材１９は、基板Ｓの周縁部に接続することで各有機ＥＬ素子１８を外界の雰囲気と遮断するものである。また、封止部材１９は、その有機ＥＬ素子１８側の一側壁にシリカゲルといった吸湿剤１９ａが設けられ、基板Ｓに内在した水分を吸湿し水分による有機機能膜１５の劣化を抑制している。 A sealing member 19 is provided above the counter electrode 16. The sealing member 19 is connected to the peripheral portion of the substrate S to block each organic EL element 18 from the ambient atmosphere. Further, the sealing member 19 is provided with a hygroscopic agent 19a such as silica gel on one side wall of the organic EL element 18 side, and absorbs moisture present in the substrate S to suppress deterioration of the organic functional film 15 due to moisture.

そして、画素電極１１から正孔輸送層１５ａを介してキャリア（正孔）が発光層１５ｂに注入されるとともに、対向電極１６から電子輸送層１５ｃを介してキャリア（電子）が発光層１５ｂに注入されると、発光層１５ｂにて再結合が生じて光Ｌが生成される。そして、その光Ｌは、画素電極１１及び基板Ｓを透過して素子形成面Ｓａと対向する面Ｓｂに向かって出射する。つまり、この有機ＥＬディスプレイ１０は、素子形成面Ｓａと対向する面Ｓｂを光出射面とした、所謂ボトムエミッションタイプである。 Then, carriers (holes) are injected into the light emitting layer 15b from the pixel electrode 11 through the hole transport layer 15a, and carriers (electrons) are injected into the light emitting layer 15b from the counter electrode 16 through the electron transport layer 15c. Then, recombination occurs in the light emitting layer 15b and light L is generated. Then, the light L passes through the pixel electrode 11 and the substrate S and is emitted toward the surface Sb facing the element formation surface Sa. That is, the organic EL display 10 is a so-called bottom emission type in which the surface Sb facing the element formation surface Sa is a light emitting surface.

このように構成された有機ＥＬディスプレイ１０は、有機機能膜１５を構成する正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ及び電子輸送層１５ｃには、それぞれ、絶縁膜１２の膜材料といった不純物が含まれておらず、純度の高い膜となっている。また、拡大部３０に示すように、有機機能膜１５を構成する正孔輸送層１５ａが画素電極１１上に均一の膜厚で配置形成されている。さらに、正孔輸送層１５ａ上には発光層１５ｂが、また、発光層１５ｂ上には電子輸送層１５ｃが、それぞれ均一の膜厚で密着して配置形成されている。この結果、輝度ムラや暗点（発光しない有機ＥＬ素子１８）の無い有機ＥＬディスプレイ１０が実現される。 In the organic EL display 10 configured as described above, the hole transport layer 15a, the light emitting layer 15b, and the electron transport layer 15c constituting the organic functional film 15 each contain impurities such as a film material of the insulating film 12. It is a highly pure film. Further, as shown in the enlarged portion 30, the hole transport layer 15 a constituting the organic functional film 15 is disposed and formed on the pixel electrode 11 with a uniform film thickness. Further, a light emitting layer 15b is formed on the hole transport layer 15a, and an electron transport layer 15c is formed on the light emitting layer 15b in close contact with each other with a uniform film thickness. As a result, the organic EL display 10 free from luminance unevenness and dark spots (the organic EL element 18 that does not emit light) is realized.

次に、前述した有機ＥＬディスプレイ１０の製造方法について図２〜図４に従って説明する。
まず、基板Ｓを洗浄した後、公知の方法によって所定の領域に図示しない薄膜トランジ
スタといった回路素子や各種配線等を形成する。その後、前記基板Ｓ上にインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）を蒸着形成し、フォトリソグラフィー法等を使用することによってマトリクス状に画素電極１１を形成する。 Next, the manufacturing method of the organic EL display 10 mentioned above is demonstrated according to FIGS.
First, after cleaning the substrate S, circuit elements such as thin film transistors (not shown), various wirings, and the like are formed in a predetermined region by a known method. Thereafter, indium-tin oxide (ITO) is deposited on the substrate S, and the pixel electrodes 11 are formed in a matrix by using a photolithography method or the like.

その後、基板Ｓ上の全面に無機材料である酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成された膜（例えば、膜厚：１０００ｎｍ）を蒸着形成し、その後、フォトリソグラフィー法等を使用することによって各画素電極１１が配置形成された領域に開口部Ｑｏを形成して、画素電極１１を露出させる（図２（ａ）参照）。これにより、絶縁膜１２を形成する（膜厚：１０００ｎｍ）。 Thereafter, a film (for example, film thickness: 1000 nm) made of silicon oxide (SiOx), which is an inorganic material, is formed by vapor deposition on the entire surface of the substrate S, and then each pixel electrode 11 is used by using a photolithography method or the like. An opening Qo is formed in the region where is formed, and the pixel electrode 11 is exposed (see FIG. 2A). Thereby, the insulating film 12 is formed (film thickness: 1000 nm).

次に、絶縁膜１２上に、図示しないマスクを貼設し、該マスクを介して金（Ａｕ）を蒸着することで、絶縁膜１２の上部領域１２ａ上に金属膜１３を形成する（図２（ｂ）参照）。本実施形態の金属膜１３は、膜厚が２０ｎｍである。このとき、一般に、金（Ａｕ）と酸化珪素（ＳｉＯｘ）はポリイミドといった有機材料に比べて強固に結合されることから、金属膜１３と絶縁膜１２とは従来の有機材料で構成された絶縁膜に比べて強固に結合される。 Next, a metal film 13 is formed on the upper region 12a of the insulating film 12 by attaching a mask (not shown) on the insulating film 12 and depositing gold (Au) through the mask (FIG. 2). (See (b)). The metal film 13 of this embodiment has a thickness of 20 nm. At this time, since gold (Au) and silicon oxide (SiOx) are generally bonded more strongly than an organic material such as polyimide, the metal film 13 and the insulating film 12 are an insulating film made of a conventional organic material. It is strongly bonded compared to

次に、前述のようにして絶縁膜１２の上部領域１２ａ上に金属膜１３を備えた基板Ｓを、自己組織化膜１４を構成する材料が溶解または分散された図示しない液状体中に浸し、乾燥させる。本実施形態では、チオール基とフルオロ基を備えた有機材料（撥液性有機材料）を、ＣＨ_２Ｃ_１２に溶解してなる液状体を別途作成し、その作成した液状体中に前記金属膜１３を備えた基板Ｓ全体を浸す。すると、図２（ｃ）に示すように、金属膜１３を構成する金（Ａｕ）がチオール基に結合（共有結合）する。従って、フルオロ基が金属膜１３と対向する側に配向するように自己配列する。そして、大気雰囲気中に放置することで、液状体中のＣＨ_２Ｃ_１２が除去され、金属膜１３上に自己組織化膜１４が形成される。この結果、絶縁膜１２の上部領域１２ａに撥液性を示すこととなる。 Next, the substrate S provided with the metal film 13 on the upper region 12a of the insulating film 12 as described above is immersed in a liquid (not shown) in which the material constituting the self-assembled film 14 is dissolved or dispersed. dry. In the present embodiment, a liquid material obtained by dissolving an organic material (liquid repellent organic material) having a thiol group and a fluoro group in CH ₂ C ₁₂ is separately prepared, and the metal film is formed in the prepared liquid material. The entire substrate S provided with 13 is immersed. Then, as shown in FIG. 2C, gold (Au) constituting the metal film 13 is bonded (covalently bonded) to the thiol group. Accordingly, self-alignment is performed so that the fluoro group is oriented on the side facing the metal film 13. Then, by leaving it in an air atmosphere, CH ₂ C ₁₂ in the liquid is removed, and a self-assembled film 14 is formed on the metal film 13. As a result, the upper region 12a of the insulating film 12 exhibits liquid repellency.

尚、このとき、前記チオール基は、金属膜１３と強固に結合することから、自己組織化膜１４は金属膜１３を介して絶縁膜１２の上部領域１２ａに強固に結合される。
次に、液体プロセス法を用いて画素電極１１上に有機機能膜１５を形成する。本実施形態では、液体プロセス法としてインクジェット法を使用する。即ち、正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ、電子輸送層１５ｃを構成する各種有機材料を、有機溶媒に溶解または分散してなる有機溶液を、各々作成し、それらを公知の液滴吐出ヘッドを使用して画素電極１１上に順次吐出・乾燥させることで正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ、電子輸送層１５ｃを順次形成する。 At this time, since the thiol group is strongly bonded to the metal film 13, the self-assembled film 14 is firmly bonded to the upper region 12 a of the insulating film 12 through the metal film 13.
Next, the organic functional film 15 is formed on the pixel electrode 11 using a liquid process method. In the present embodiment, an inkjet method is used as the liquid process method. That is, an organic solution obtained by dissolving or dispersing various organic materials constituting the hole transport layer 15a, the light emitting layer 15b, and the electron transport layer 15c in an organic solvent is prepared, and each of these is used for a known droplet discharge head. The hole transport layer 15 a, the light emitting layer 15 b, and the electron transport layer 15 c are sequentially formed by sequentially discharging and drying on the pixel electrode 11.

具体的には、まず、正孔輸送層１５ａを構成する正孔輸送層材料をキシレンに溶解または分散して有機液状体Ｌ１を作成する。そして、図３（ａ）に示すように、有機液状体Ｌ１を公知の液滴吐出ヘッド２１のノズル２１ａから吐出して各画素電極１１上に塗布する（図３（ｂ），（ｃ）参照）。このとき、絶縁膜１２の上部領域１２ａ表面は撥液性を示すため、所定の画素電極１１上に塗布された有機液状体Ｌ１は、他の隣接する画素電極１１上に塗布された有機液状体Ｌ１に接して混じり合うことはない。また、絶縁膜１２は酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成されているので、前記有機液状体Ｌ１によって溶け出すことはない。この結果、図３（ｂ），（ｃ）に示す画素電極１１上に塗布された有機液状体Ｌ１は、絶縁膜１２を構成する酸化珪素（ＳｉＯｘ）を含まない。また、絶縁膜１２を構成する酸化珪素（ＳｉＯｘ）は親液性であり、各画素電極１１は絶縁膜１２に囲まれているので、画素電極１１上に塗布された有機液状体Ｌ１は、画素電極１１上全面に濡れ広がって配置する。 Specifically, first, the hole liquid transport layer material constituting the hole transport layer 15a is dissolved or dispersed in xylene to prepare the organic liquid L1. Then, as shown in FIG. 3A, the organic liquid L1 is discharged from the nozzle 21a of the known droplet discharge head 21 and applied onto each pixel electrode 11 (see FIGS. 3B and 3C). ). At this time, since the surface of the upper region 12a of the insulating film 12 exhibits liquid repellency, the organic liquid material L1 applied on the predetermined pixel electrode 11 is replaced with the organic liquid material applied on the other adjacent pixel electrode 11. There is no mixing with L1. Further, since the insulating film 12 is made of silicon oxide (SiOx), it does not melt out by the organic liquid L1. As a result, the organic liquid L1 applied on the pixel electrode 11 shown in FIGS. 3B and 3C does not contain silicon oxide (SiOx) constituting the insulating film 12. Further, since silicon oxide (SiOx) constituting the insulating film 12 is lyophilic and each pixel electrode 11 is surrounded by the insulating film 12, the organic liquid L1 applied on the pixel electrode 11 is a pixel. The electrode 11 is disposed so as to spread over the entire surface of the electrode 11.

続いて、画素電極１１上に塗布された有機液状体Ｌ１を乾燥する。本実施形態では、公
知のホットプレート（図示略）上に前記基板Ｓを載置し該ホットプレートを例えば約１５０℃に加熱することで有機液状体Ｌ１を乾燥させる。この結果、図４（ａ）に示すように、有機液状体Ｌ１中のキシレンが蒸発し、画素電極１１上に正孔輸送層１５ａが形成される。 Subsequently, the organic liquid L1 applied on the pixel electrode 11 is dried. In the present embodiment, the organic liquid L1 is dried by placing the substrate S on a known hot plate (not shown) and heating the hot plate to about 150 ° C., for example. As a result, as shown in FIG. 4A, xylene in the organic liquid L1 is evaporated, and a hole transport layer 15a is formed on the pixel electrode 11.

このとき、画素電極１１上に塗布された有機液状体Ｌ１中には、絶縁膜１２の膜材料である酸化珪素（ＳｉＯｘ）を含んでいないため、正孔輸送層１５ａは、不純物の含有が少なく所望の特性を有したものとなる。また、有機液状体Ｌ１は、画素電極１１上全面に濡れ広がって配置されるために正孔輸送層１５ａは均一な膜厚となる。 At this time, since the organic liquid L1 applied on the pixel electrode 11 does not contain silicon oxide (SiOx) which is the film material of the insulating film 12, the hole transport layer 15a contains less impurities. It has the desired characteristics. In addition, since the organic liquid L1 is disposed so as to spread over the entire surface of the pixel electrode 11, the hole transport layer 15a has a uniform thickness.

次に、前述した赤色発光性有機材料を所定の有機溶媒に溶解または分散してなる有機液状体ＬＲ、緑色発光性有機材料を所定の有機溶媒に溶解または分散してなる有機液状体ＬＧ、青色発光性有機材料を所定の有機溶媒に溶解または分散してなる有機液状体ＬＢをそれぞれ作成する。本実施形態では、前記有機溶媒としてキシレンを使用する。 Next, an organic liquid LR obtained by dissolving or dispersing the above-described red light-emitting organic material in a predetermined organic solvent, an organic liquid LG obtained by dissolving or dispersing the green light-emitting organic material in a predetermined organic solvent, blue Organic liquids LB formed by dissolving or dispersing a light-emitting organic material in a predetermined organic solvent are prepared. In this embodiment, xylene is used as the organic solvent.

そして、公知の図示しない液滴吐出ヘッドを使用して、２つの正孔輸送層１５ａおきに各正孔輸送層１５ａ上に同種の有機液状体ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを塗布する。つまり、図４（ｂ）中左右方向に沿って、赤用有機液状体ＬＲ→緑用有機液状体ＬＧ→青用有機液状体ＬＢ→赤用有機液状体ＬＲ→…の順に配置されている。 Then, the same kind of organic liquids LR, LG, and LB are coated on each hole transport layer 15a every two hole transport layers 15a using a known droplet discharge head (not shown). That is, the red organic liquid LR → the green organic liquid LG → the blue organic liquid LB → the red organic liquid LR →... Are arranged in the left-right direction in FIG.

このとき、フルオロ基は撥液性を示すことから、絶縁膜１２の上部領域１２ａ表面は撥液性を示すため、所定の画素電極１１上に塗布された各色用有機液状体ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、隣接する画素電極１１上に塗布された各色用有機液状体ＬＲ，ＬＧ，ＬＢに接して混じり合うことはない。また、絶縁膜１２は酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成されているので、前記各有機液状体ＬＲ，ＬＧ，ＬＢによって溶け出すことはない。このことから、図４（ｂ）に示す正孔輸送層１５ａ上に塗布された各種有機液状体ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、絶縁膜１２を構成する酸化珪素（ＳｉＯｘ）を含まない。また、酸化珪素（ＳｉＯｘ）は親液性であることから、画素電極１１上に塗布された有機液状体ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、正孔輸送層１５ａ上全面に濡れ広がって配置する。 At this time, since the fluoro group exhibits liquid repellency, the surface of the upper region 12a of the insulating film 12 exhibits liquid repellency. Therefore, the organic liquid materials LR, LG, LB for each color applied on the predetermined pixel electrode 11 are used. Are not mixed in contact with each color organic liquid LR, LG, LB applied on the adjacent pixel electrode 11. Further, since the insulating film 12 is made of silicon oxide (SiOx), it is not melted by the organic liquid materials LR, LG, LB. Accordingly, the various organic liquid materials LR, LG, LB applied on the hole transport layer 15a shown in FIG. 4B do not contain silicon oxide (SiOx) constituting the insulating film 12. In addition, since silicon oxide (SiOx) is lyophilic, the organic liquids LR, LG, and LB applied on the pixel electrode 11 are disposed so as to spread over the entire surface of the hole transport layer 15a.

続いて、正孔輸送層１５ａ上に塗布された有機液状体ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを乾燥する。本実施形態では、公知のホットプレート（図示略）上に前記基板Ｓを載置し該ホットプレートを例えば約１５０℃に加熱することで有機液状体ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを乾燥させる。この結果、図４（ｃ）に示すように、各有機液状体ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ中のキシレンが蒸発し、正孔輸送層１５ａ上に発光層１５ｂが形成される。 Subsequently, the organic liquid materials LR, LG, LB applied on the hole transport layer 15a are dried. In the present embodiment, the organic liquids LR, LG, and LB are dried by placing the substrate S on a known hot plate (not shown) and heating the hot plate to about 150 ° C., for example. As a result, as shown in FIG. 4C, xylene in each of the organic liquids LR, LG, LB evaporates, and a light emitting layer 15b is formed on the hole transport layer 15a.

その後、電子輸送層１５ｃを構成する電子輸送層材料をキシレンに溶解または分散して有機溶液を作成し、上記と同様にして、公知の液滴吐出ヘッドを使用することで、各発光層１５ｂ上に塗布する。このとき、絶縁膜１２の上部領域１２ａ表面は撥液性を示すため、所定の画素電極１１上に塗布された有機液状体Ｌ２は、他の隣接する画素電極１１上に塗布された有機液状体Ｌ２に接して混じり合うことはない。また、絶縁膜１２は酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成されているので、前記有機溶液は、絶縁膜１２を構成する酸化珪素（ＳｉＯｘ）を含まない。また、酸化珪素（ＳｉＯｘ）は親液性であることから、発光層１５ｂ上に塗布された有機溶液は、発光層１５ｂ上全面に濡れ広がって配置する。 Thereafter, an electron transport layer material constituting the electron transport layer 15c is dissolved or dispersed in xylene to prepare an organic solution. Similarly to the above, by using a known droplet discharge head, each light emitting layer 15b Apply to. At this time, since the surface of the upper region 12a of the insulating film 12 exhibits liquid repellency, the organic liquid material L2 applied on the predetermined pixel electrode 11 is replaced with the organic liquid material applied on the other adjacent pixel electrode 11. It doesn't mix in contact with L2. Further, since the insulating film 12 is made of silicon oxide (SiOx), the organic solution does not contain silicon oxide (SiOx) constituting the insulating film 12. Further, since silicon oxide (SiOx) is lyophilic, the organic solution applied on the light emitting layer 15b is spread over the entire surface of the light emitting layer 15b.

続いて、発光層１５ｂ上に塗布された前記有機溶液を乾燥することで、発光層１５ｂ上に電子輸送層１５ｃが形成される。このとき、発光層１５ｂ上に塗布された有機溶液中には、絶縁膜１２の膜材料が溶け込んでいないため、電子輸送層１５ｃは、不純物の含有がなく所望の特性を有したものとなる。また、前記有機溶液は、発光層１５ｂ上全面に濡れ広がって配置されるために電子輸送層１５ｃは均一な膜厚となる。このようにして、図５
（ａ）に示すように、正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ及び電子輸送層１５ｃから構成される有機機能膜１５を形成する。 Subsequently, the organic solution applied on the light emitting layer 15b is dried to form the electron transport layer 15c on the light emitting layer 15b. At this time, since the film material of the insulating film 12 is not dissolved in the organic solution applied on the light emitting layer 15b, the electron transport layer 15c does not contain impurities and has desired characteristics. In addition, since the organic solution is disposed so as to spread over the entire surface of the light emitting layer 15b, the electron transport layer 15c has a uniform thickness. In this way, FIG.
As shown to (a), the organic functional film 15 comprised from the positive hole transport layer 15a, the light emitting layer 15b, and the electron carrying layer 15c is formed.

次に、図５（ｂ）に示すように、電子輸送層１５ｃ及び各自己組織化膜１４上にマグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）を蒸着して対向電極１６を形成して有機ＥＬ素子１８を作成する。その後、各有機ＥＬ素子１８を覆うように封止部材１９を基板Ｓ上に接続することで、有機ＥＬディスプレイ１０を完成する。 Next, as shown in FIG. 5 (b), magnesium-silver (Mg-Ag) is vapor-deposited on the electron transport layer 15c and each self-assembled film 14 to form the counter electrode 16, and the organic EL element 18 is formed. create. After that, the organic EL display 10 is completed by connecting the sealing member 19 on the substrate S so as to cover each organic EL element 18.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、絶縁膜１２を酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成するとともに、その絶縁膜１２の上部領域１２ａにフルオロ基を備えた自己組織化膜１４を形成した。フルオロ基は撥液性を有するので、絶縁膜１２の上部領域１２ａは撥液性を示すこととなる。従って、従来のように、プラズマ処理する必要なく絶縁膜１２の上部領域１２ａを撥液化することができる。 As described above, the present embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the insulating film 12 is made of silicon oxide (SiOx), and the self-organized film 14 having a fluoro group is formed in the upper region 12 a of the insulating film 12. Since the fluoro group has liquid repellency, the upper region 12a of the insulating film 12 exhibits liquid repellency. Therefore, unlike the prior art, the upper region 12a of the insulating film 12 can be made liquid repellent without the need for plasma treatment.

（２）本実施形態によれば、絶縁膜１２を酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成したので、有機機能膜１５を構成する各正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ及び電子輸送層１５ｃをインクジェット法によって形成する場合、その各層の材料を溶解した有機液状体Ｌ１，ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ，Ｌ２によって絶縁膜１２が溶解することはない。この結果、有機機能膜１５を構成する各層１５ａ〜１５ｃの膜質が変質することないので、所望の発光特性を備えた有機ＥＬ素子１８を実現することができる。 (2) According to the present embodiment, since the insulating film 12 is made of silicon oxide (SiOx), each hole transport layer 15a, light emitting layer 15b, and electron transport layer 15c constituting the organic functional film 15 is formed by an inkjet method. When formed, the insulating film 12 is not dissolved by the organic liquids L1, LR, LG, LB, L2 in which the material of each layer is dissolved. As a result, since the film quality of each layer 15a-15c which comprises the organic functional film 15 does not change, the organic EL element 18 provided with the desired light emission characteristic is realizable.

（３）本実施形態によれば、絶縁膜１２を酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成することによって有機液状体Ｌ１，ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ，Ｌ２に絶縁膜１２が溶出することはないことから、使用する有機溶媒の選択を広げることができる。また、使用可能な有機溶媒の選択が広がることから、各正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ及び電子輸送層１５ｃを構成する材料選択を広げることができる。 (3) According to the present embodiment, since the insulating film 12 is made of silicon oxide (SiOx), the insulating film 12 is not eluted into the organic liquids L1, LR, LG, LB, and L2. The selection of the organic solvent to be expanded can be expanded. Moreover, since selection of the usable organic solvent is expanded, selection of materials constituting each hole transport layer 15a, light emitting layer 15b, and electron transport layer 15c can be expanded.

（４）本実施形態によれば、絶縁膜１２の上部領域１２ａ上に金属膜１３を形成するとともに、自己組織化膜１４をチオール基とフルオロ基を備えた有機材料（撥液性有機材料）で構成した。従って、自己組織化膜１４を有機溶媒に溶解または分散させてなる液状体中に浸すことで、金属膜１３とチオール基とが結合するので、撥液性を示すフルオロ基を絶縁膜１２の上部領域１２ａ上表面に選択的に形成することができる。 (4) According to the present embodiment, the metal film 13 is formed on the upper region 12a of the insulating film 12, and the self-assembled film 14 is formed of an organic material having a thiol group and a fluoro group (liquid repellent organic material). Consists of. Accordingly, the metal film 13 and the thiol group are bonded by immersing the self-assembled film 14 in a liquid material dissolved or dispersed in an organic solvent. It can be selectively formed on the upper surface of the region 12a.

（５）本実施形態によれば、絶縁膜１２を酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成した。従って、特別な材料を用意することなく、有機溶媒に対して耐性を有した絶縁膜を構成することができる。また、絶縁膜１２は親液性を有することから、各正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ及び電子輸送層１５ｃをインクジェット法によって形成する場合、その各層の材料を溶解した有機液状体Ｌ１，ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ，Ｌ２を絶縁膜１２によって囲まれた画素電極１１上に濡れ広がって配置させることができる。この結果、均一な正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ及び電子輸送層１５ｃを形成することができる。 (5) According to the present embodiment, the insulating film 12 is made of silicon oxide (SiOx). Therefore, an insulating film having resistance to an organic solvent can be formed without preparing a special material. In addition, since the insulating film 12 is lyophilic, when the hole transport layer 15a, the light emitting layer 15b, and the electron transport layer 15c are formed by the ink jet method, the organic liquids L1, LR in which the materials of the respective layers are dissolved. , LG, LB, and L2 can be disposed so as to spread over the pixel electrode 11 surrounded by the insulating film 12. As a result, a uniform hole transport layer 15a, light emitting layer 15b, and electron transport layer 15c can be formed.

（６）本実施形態によれば、自己組織化膜１４を構成するチオール基とフルオロ基を備えた有機材料をＣＨ_２Ｃ_１２に溶解させてなる液状体中に浸し、その後、乾燥させることによってＣＨ_２Ｃ_１２を除去して自己組織化膜１４を形成した。従って、大型の真空チャンバーを使用することなく簡単に自己組織化膜１４を形成することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイについて図６に従って説明する。本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ５０は、素子形成面Ｓａを光出射面とした、所謂トップエミッションタイプの有機ＥＬディスプレイである。 (6) According to the present embodiment, by immersing an organic material having a thiol group and a fluoro group constituting the self-assembled film 14 in a liquid obtained by dissolving in CH ₂ C ₁₂ , and then drying it. CH ₂ C ₁₂ was removed to form a self-assembled film 14. Therefore, the self-assembled film 14 can be easily formed without using a large vacuum chamber.
(Second Embodiment)
Next, an organic EL display as an electro-optical device according to a second embodiment of the invention will be described with reference to FIG. The organic EL display 50 according to this embodiment is a so-called top emission type organic EL display in which the element formation surface Sa is a light emitting surface.

詳しくは、図６に示すように、各画素電極１１の図中下方には、光反射層５２を備えている。光反射層５２は、本実施形態においては、アルミニウム（Ａｌ）で構成されている。本実施形態の対向電極１６は、光透過性を有した導電性材料で構成されている。本実施形態では、対向電極１６をマグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）を１０ｎｍ程度の極薄膜にすることで実現している。また、本実施形態の対向電極１６は、金属膜１３の一部と接触するようにして形成されている。 Specifically, as shown in FIG. 6, a light reflecting layer 52 is provided below each pixel electrode 11 in the drawing. In the present embodiment, the light reflecting layer 52 is made of aluminum (Al). The counter electrode 16 of the present embodiment is made of a conductive material having optical transparency. In the present embodiment, the counter electrode 16 is realized by forming a very thin film of about 10 nm of magnesium-silver (Mg-Ag). Further, the counter electrode 16 of the present embodiment is formed so as to be in contact with a part of the metal film 13.

そして、有機機能膜１５（発光層１５ｂ）から発せられた光は、対向電極１６と光反射層５２との間で繰り返して反射されることで、対向電極１６と光反射層５２との間の距離に応じた波長の光Ｌが強めあう、所謂マイクロキャビティ構造を形成している。 The light emitted from the organic functional film 15 (light emitting layer 15b) is repeatedly reflected between the counter electrode 16 and the light reflecting layer 52, so that the light between the counter electrode 16 and the light reflecting layer 52 is reflected. A so-called microcavity structure is formed in which light L having a wavelength corresponding to the distance is strengthened.

また、対向電極１６上には、光透過性を有したパッシベーション膜５３が形成されている。従って、有機機能膜１５（発光層１５ｂ）から発せられた光のうち、対向電極１６と光反射層５２との間の距離に応じた波長の光Ｌは、パッシベーション膜５３を透過して外部に出射される。 A passivation film 53 having optical transparency is formed on the counter electrode 16. Accordingly, among the light emitted from the organic functional film 15 (the light emitting layer 15b), the light L having a wavelength corresponding to the distance between the counter electrode 16 and the light reflecting layer 52 is transmitted through the passivation film 53 to the outside. Emitted.

上記のように構成された有機ＥＬディスプレイ５０は、上記第１実施形態と同様に、絶縁膜１２を酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成し、その絶縁膜１２の上部領域１２ａに金（Ａｕ）で構成された金属膜１３が形成されている。また、金属膜１３上には、チオール基とフルオロ基を備えた有機材料（撥液性有機材料）で構成された自己組織化膜１４が形成されている。 In the organic EL display 50 configured as described above, the insulating film 12 is made of silicon oxide (SiOx), and the upper region 12a of the insulating film 12 is made of gold (Au), as in the first embodiment. The formed metal film 13 is formed. On the metal film 13, a self-assembled film 14 made of an organic material (liquid repellent organic material) having a thiol group and a fluoro group is formed.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、画素電極１１の下方に光反射層５２を設けるとともに対向電極１６上に光透過性のパッシベーション膜５３を設けた。従って、有機機能膜１５の発光層１５ｂにて発せられた光は、基板Ｓの素子形成面Ｓａ側から外部に出射される。このような有機ＥＬディスプレイ５０は、絶縁膜１２を酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成し、その絶縁膜１２の上部領域１２ａにフルオロ基を備えた自己組織化膜１４を形成した。従って、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。 As described above, the present embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the light reflecting layer 52 is provided below the pixel electrode 11 and the light transmissive passivation film 53 is provided on the counter electrode 16. Therefore, the light emitted from the light emitting layer 15b of the organic functional film 15 is emitted to the outside from the element forming surface Sa side of the substrate S. In such an organic EL display 50, the insulating film 12 is made of silicon oxide (SiOx), and the self-organized film 14 having a fluoro group is formed in the upper region 12a of the insulating film 12. Therefore, the same effect as the first embodiment can be obtained.

（２）本実施形態によれば、金属膜１３を金（Ａｕ）で構成した。また、対向電極１６を金属膜１３の一部と接触するようにして形成した。金属膜１３は抵抗率が低いので、対向電極１６の補助電極として機能する。従って、対向電極１６が高抵抗材料である場合でも、各有機ＥＬ素子１８に対向電極１６の電位を均一にすることができることから、輝度ムラのない画像を表示させることができる。
（第３実施形態）
次に、第１及び第２実施形態で説明した発光装置としての有機ＥＬディスプレイ１０，５０の電子機器の適用について図７に従って説明する。 (2) According to this embodiment, the metal film 13 is made of gold (Au). Further, the counter electrode 16 was formed in contact with a part of the metal film 13. Since the metal film 13 has a low resistivity, it functions as an auxiliary electrode for the counter electrode 16. Therefore, even when the counter electrode 16 is made of a high resistance material, the potential of the counter electrode 16 can be made uniform in each organic EL element 18, so that an image without luminance unevenness can be displayed.
(Third embodiment)
Next, application of the electronic devices of the organic EL displays 10 and 50 as the light emitting devices described in the first and second embodiments will be described with reference to FIG.

図７は、電子機器の一例たる携帯電話の表示画面に適用した携帯電話６０の斜視構成図である。図７において、この携帯電話６０は、有機ＥＬディスプレイ１０，５０を用いた表示ユニット６１と、複数の操作ボタン６２とを備えている。この場合でも、有機ＥＬディスプレイ１０，５０を用いた表示ユニット６１は、図１及び図６に示した有機機能膜１５を構成する各層１５ａ〜１５ｃの膜質が変質することないので、所望の発光特性を備えた有機ＥＬ素子１８を備えている。従って、高画質の画像を表示する携帯電話６０を実現できる。 FIG. 7 is a perspective configuration diagram of a mobile phone 60 applied to a display screen of a mobile phone as an example of an electronic device. In FIG. 7, the cellular phone 60 includes a display unit 61 using the organic EL displays 10 and 50 and a plurality of operation buttons 62. Even in this case, the display unit 61 using the organic EL displays 10 and 50 does not change the film quality of the layers 15a to 15c constituting the organic functional film 15 shown in FIG. 1 and FIG. The organic EL element 18 provided with is provided. Therefore, the mobile phone 60 that displays a high-quality image can be realized.

尚、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
・上記各実施形態では、自己組織化膜１４としてチオール基とフルオロ基とを有した撥
液性有機材料で構成したが、本発明はこれに限定されず、他の撥液性有機材料で構成してもよい。要は、金属膜１３と結合し、その他端に撥液性を示す有機材料であればよい。 In addition, this invention can also be changed and embodied as follows.
In each of the above embodiments, the self-assembled film 14 is composed of a liquid repellent organic material having a thiol group and a fluoro group. However, the present invention is not limited to this and is composed of another liquid repellent organic material. May be. In short, any organic material that binds to the metal film 13 and exhibits liquid repellency at the other end may be used.

・上記各実施形態では、金属膜１３を金（Ａｕ）で構成したが、金（Ａｕ）以外の他の金属で構成してもよい。例えば、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）またはパラジウム（Ｐｄ）であってもよい。 In each of the above embodiments, the metal film 13 is made of gold (Au), but may be made of metal other than gold (Au). For example, silver (Ag), platinum (Pt), or palladium (Pd) may be used.

・上記各実施形態では、有機機能膜１５を、正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ及び電子輸送層１５ｃで構成したが、本発明はこれに限定されず、上記各層１５ａ〜１５ｃ以外の有機層を含んでいてもよい。例えば、正孔注入層及び電子注入層等を含んでいてもよい。 In each of the above embodiments, the organic functional film 15 includes the hole transport layer 15a, the light emitting layer 15b, and the electron transport layer 15c. However, the present invention is not limited to this, and the organic layers other than the above layers 15a to 15c. May be included. For example, a hole injection layer and an electron injection layer may be included.

・上記各実施形態では、有機ＥＬ素子１８の有機機能膜１５を構成する正孔輸送層１５ａ、発光層１５ｂ及び電子輸送層１５ｃを、それぞれインクジェット法によって形成したが、本発明はこれに限定されず、公知のスピンコート法を使用して形成してもよい。 In each of the above embodiments, the hole transport layer 15a, the light emitting layer 15b, and the electron transport layer 15c constituting the organic functional film 15 of the organic EL element 18 are formed by the ink jet method, but the present invention is not limited thereto. Instead, it may be formed using a known spin coating method.

・上記各実施形態では、絶縁膜１２を酸化珪素（ＳｉＯｘ）で構成したが、本発明はこれに限定されない。要は、有機液状体に対して耐性を有した無機材料であればよい。例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）であってもよい。 In each of the above embodiments, the insulating film 12 is made of silicon oxide (SiOx), but the present invention is not limited to this. In short, any inorganic material having resistance to an organic liquid may be used. For example, silicon nitride (SiN) may be used.

・上記各実施形態では、発光素子として有機ＥＬ素子１８に具体化したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の形態を成した発光素子に具体化してもよい。たとえば、発光ダイオードであってもよい。 In each of the above embodiments, the organic EL element 18 is embodied as a light emitting element, but the present invention is not limited to this, and may be embodied in a light emitting element having another form. For example, a light emitting diode may be used.

第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの構成を説明するための図。The figure for demonstrating the structure of the organic electroluminescent display which concerns on 1st Embodiment. （ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。(A)-(c) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display which concerns on 1st Embodiment, respectively. 同じく、（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, (a)-(c) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display which concerns on 1st Embodiment, respectively. 同じく、（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, (a)-(c) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display which concerns on 1st Embodiment, respectively. 同じく、（ａ），（ｂ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, (a), (b) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display which concerns on 1st Embodiment, respectively. 第２実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの構成を説明するための図。The figure for demonstrating the structure of the organic electroluminescent display which concerns on 2nd Embodiment. 第３実施形態に係る電子機器としての携帯電話の構成を説明するための図。The figure for demonstrating the structure of the mobile telephone as an electronic device which concerns on 3rd Embodiment.

Explanation of symbols

Ｑｏ…開口部、Ｓ…基板、１０，５０…発光装置としての有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、１１…第１の電極としての画素電極、１２…絶縁膜、１２ａ…上部領域、１３…金属膜、１４…撥液性有機膜としての自己組織化膜、１５…有機機能膜、１５ｃ…発光膜、１６…第２の電極としての対向電極、１８…発光素子としての有機ＥＬ素子、６０…電子機器としての携帯電話。 Qo ... opening, S ... substrate, 10, 50 ... organic electroluminescence display as light emitting device, 11 ... pixel electrode as first electrode, 12 ... insulating film, 12a ... upper region, 13 ... metal film, 14 ... Self-assembled film as liquid repellent organic film, 15 ... organic functional film, 15c ... light emitting film, 16 ... counter electrode as second electrode, 18 ... organic EL element as light emitting element, 60 ... as electronic equipment mobile phone.

Claims

On the substrate, an insulating film having an opening, and a first electrode, a second electrode, and the first electrode and the second electrode are disposed at a position facing the opening. In a light emitting device comprising a light emitting element having an organic functional film including a light emitting film composed of at least an organic light emitting material,
A light emitting device characterized in that a liquid repellent organic film is provided in an upper region of the insulating film.

The light-emitting device according to claim 1.
A metal film is formed on the insulating film,
The light-emitting device, wherein the liquid repellent organic film is a self-assembled film formed on the metal film.

The light-emitting device according to claim 2.
The self-assembled film includes a thiol group and a fluoro group.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-3,
The light emitting device, wherein the insulating film is made of an inorganic material.

The light-emitting device according to claim 4.
The light emitting device, wherein the inorganic material is composed of silicon oxide or silicon nitride.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-5,
The light emitting device, wherein the metal film contains gold or silver.

An organic functional film including a light emitting film disposed between a first electrode, a second electrode, and the first electrode and the second electrode, the light emitting film being formed of at least an organic light emitting material on a substrate. In the film forming method,
Forming an insulating film having an opening at a position facing the first electrode;
Forming a liquid repellent organic film in an upper region of the insulating film;
Applying an organic liquid material obtained by dissolving or dispersing an organic light emitting material in an organic solvent on the first electrode through the opening;
Removing the organic solvent from the organic liquid to form the organic functional film on the first electrode;
And a step of forming the second electrode on the organic functional film.

The film forming method according to claim 7,
The film forming method, wherein the liquid repellent organic film is formed by immersing in a liquid material containing a liquid repellent organic material constituting the liquid repellent organic film and drying.

The film forming method according to claim 7 or 8,
The liquid repellent organic film is a self-assembled film having a thiol group and a fluoro group,
A film forming method comprising forming a metal film on the insulating film and then forming the self-assembled film on the metal film.

In the film formation method according to any one of claims 7 to 9,
The film forming method, wherein the insulating film is made of an inorganic material.

The film forming method according to claim 10,
The film forming method, wherein the inorganic material is composed of silicon oxide or silicon nitride.

In the film formation method according to any one of claims 7 to 11,
The film forming method, wherein the metal film contains gold or silver.

An electronic apparatus comprising the light emitting device according to claim 1.