JP2007249243A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画面を上方位又は下方位から見ても適切な表示を行うことを課題とする。
【解決手段】一対の基板の間に液晶が封入された液晶パネルと、吸収軸が互いに直交するように前記液晶パネルの両側に配置された一対の偏光素子と、前記液晶パネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の表面に、突起、窪み、または電極に設けたスリットのいずれか、またはそれらの組み合わせの周期的パターンを含み、前記液晶パネル内の液晶分子の配向を規制するドメイン規制手段とを有する液晶表示装置であって、前記周期的に配置されたドメイン規制手段による液晶分子の配向方向が、前記偏光素子の吸収軸に対して４５度をなす方向とそれ以外の方向とを含み、電圧無印加時には、液晶分子が基板に対してほぼ垂直に配向しており、電圧印加時には、ドメイン規制手段により液晶分子が斜めになる方向が各画素内において複数の方向になるように規制される。
【選択図】 図４５

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

近年、液晶表示装置は薄型・軽量、低電圧駆動、低消費電力といった特徴を活かして、様々な用途に広く用いられるようになってきた。表示特性に関してもＣＲＴに匹敵するほどの特性が実現され、従来ＣＲＴが主流であったモニターやテレビなどの用途にも用いられるようになった。

液晶表示装置が大型化、階調表示化、高コントラスト化が図られ、パーソナルコンピュータのモニターあるいはテレビ画像表示装置として使用されるまでになっている。このようなアプリケーションにおいては、液晶表示装置があらゆる方向から見えることが必要とされている。

この広視野角を実現する技術として、富士通株式会社からＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示装置が提案されている。

図２（Ａ）、（Ｂ）に、ＭＶＡ型液晶表示装置の基本概念構成を示す。図２（Ａ）は基板２０１及び２０２に電圧を印加しないときの液晶表示装置を示し、図２（Ｂ）に基板２０１及び２０２に電圧を印加したときの液晶表示装置を示す。基板２０１に土手２０３が設けられ、基板２０２に土手２０４が設けられる。図２（Ａ）では液晶分子２１２が垂直配向し、土手２０３，２０４近辺の液晶分子２１１が傾きを持って配向する。図２（Ｂ）では、液晶分子２２１が電界の向きに応じて配向する。すなわち、電圧が印加されていない時には垂直に配向しており、電圧が印加されると、４つの領域に分かれて、それぞれ４方向に傾く。各領域の視角特性が混ざる結果、広い視野角が得られる。

このＭＶＡ型液晶表示装置の視角特性を更に向上させる技術（例えば、特開平１０−１５３７８２）、表示輝度を向上させる技術（特許出願番号２００１−１０６２８３）を富士通株式会社が特許出願している。

特開平１０−１５３７８２号公報

液晶表示装置は、より広い視野角を実現することが望まれている。また、高輝度の液晶表示装置が望まれている。さらに、高視野角及び高輝度の両方を備えた液晶表示装置が望まれている。
本発明の目的は、広視野角及び／又は高輝度を実現する液晶表示装置を提供することである。

本発明の一観点によれば、一対の基板の間に液晶が封入された液晶パネルと、吸収軸が互いに直交するように液晶パネルの両側に配置された一対の偏光素子と、液晶パネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の表面に、突起、窪み、または電極に設けたスリットのいずれか、またはそれらの組み合わせの周期的パターンを含み、液晶パネル内の液晶分子の配向を規制するドメイン規制手段とを有する液晶表示装置が提供される。周期的に配置されたドメイン規制手段による液晶分子の配向方向が、偏光素子の吸収軸に対して４５度をなす方向とそれ以外の方向とを含み、電圧無印加時には、液晶分子が基板に対してほぼ垂直に配向しており、電圧印加時には、ドメイン規制手段により液晶分子が斜めになる方向が各画素内において複数の方向になるように規制される。

ドメイン規制手段により液晶分子の配向方向が偏光素子の吸収軸に対して４５度をなす方向とそれ以外の方向とを含み、高輝度の表示を行うことができる。

（第１の実施形態）
図３は、ＭＶＡ型液晶表示装置（ＬＣＤ）の白黒のコントラストの視覚特性を示す。図３の円周上の角度表示は０°が右、９０°が上、１８０°が左、２７０°が下を示す。横軸及び縦軸は、表示面からの傾き角度を示し、中心が０°である。白黒の視野角は上下左右視角において傾き角８０度においてもコントラスト１０（ＣＲ＝１０）以上が実現されている。

しかしながら、中間調を表示した時に、正面から見ると正常な表示であるが、下視角から見ると全体が白っ茶けてコントラストが低下する現象が観察される。我々は、この白っ茶ける現象は、ＭＶＡあるいは垂直配向型のパネルあるいは配向分割したパネル特有の現象であることを発見した。

図４（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。図４（Ａ）は、表示面を正面から観察した図である。液晶表示装置４００が４つのドメイン４０１〜４０４に分割される場合を説明する。電圧が印加されていないあるいは液晶が略垂直に配向していて光漏れのない状態では、黒の光漏れは斜め視角においても非常に小さい。ドメイン４０１，４０２，４０３，４０４では、それぞれ液晶分子Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２が異なる方向に傾く。低電圧領域では液晶分子Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２は殆ど垂直であり、複屈折が小さい。

図４（Ｂ）は、表示面を手前（下視角）から観察した図である。斜め視角では、液晶分子は実質寝てくる。偏光板との角度が多少あるので、複屈折が発現し、光漏れする。

図４（Ｃ）は、横軸が印加電圧を示し、縦軸が透過光量を示す。特性線４１１は、図４（Ａ）に示すように正面から観察したときの特性を示す。特性線４１２Ａは、図４（Ｂ）に示すように手前から観察したときの液晶分子Ｂ１，Ｂ２の特性を示す。特性線４１２Ｂは、図４（Ｂ）に示すように手前から観察したときの液晶分子Ａ１，Ａ２の特性を示す。

電圧がしきい値電圧を僅かに超えて暗い階調を表示するような場合には、図４（Ｃ）に示すように透過光量が増すが、これは図４（Ｂ）に示すように、倒れた液晶分子の軸の投射軸が偏光板の軸の投射軸とずれるためである。これは、画素の上半分に位置する液晶分子においても、画素の下半分に位置する液晶分子においても同様である。ここで、この光漏れを補正するためにある光学物質を挿入する場合を考える。この場合、暗い中間調を補償することが出来るが、翻って、黒表示を行う時に、余分な光学的効果が発現することになってしまう。このため、斜め視角での黒浮きが生じ、コントラストの良好な視角範囲が狭められることになってしまう。

基本的には、上（右上、左上を含む）方向に傾く領域と下（右下、左下を含む）方向に傾く領域との比を崩すことにより、上記の問題点を解決する。

図５（Ａ）は、液晶分子Ａ１，Ａ２と液晶分子Ｂ１，Ｂ２の領域の比が同じ場合の透過光量−印加電圧（Ｔ−Ｖ）特性を示す。この場合、特性線の形が崩れて、表示面が白っ茶けてしまう。

図５（Ｂ）は、液晶分子Ａ１，Ａ２の領域と液晶分子Ｂ１，Ｂ２の領域との比を適正値に調整した場合のＴ−Ｖ特性を示す。印加電圧と透過光量がほぼ比例し、適切な表示を行うことができる。

図６（Ａ）、（Ｂ）に微細スリットにより配向規制を行った場合における構成を示す。図６（Ａ）では全ての液晶分子が画面下方位に傾くように構成した。１画素領域１０３は、２つの配向領域１０１及び１０２に分割される。ゲートライン１１４及びデータライン１１３に対応して、画素領域１０３が設けられる。画素領域１０３は、ＩＴＯ（インジウム酸化第一錫:indium tin oxide）透明電極１１１で構成される。透明電極１１１には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のドレインに接続するためのコンタクト領域１１２が設けられる。配向領域１０１及び１０２の比は１：１である。図６（Ｂ）では、上方位に傾く領域１２１と下方位に傾く領域１２２の比を１：１に設定した。領域１２１及び１２２の配向は、透明電極１２３のスリットの向きにより制御可能である。

図１（Ａ）では、透明電極１３３の形状を変え、上方位に傾く領域１３１と下方位に傾く領域１３２の比を１：３に設定した。このように、液晶分子の傾く方位について、通常は１：１に設定するところを、意図的にバランスを崩し、１：Ｘ（Ｘ＜＞１）とした。

このようにバランスを崩した場合には、図４（Ｃ）に示すところの上視角、下視角でのＴ−Ｖ特性を重ね合わせる比が変わることになる。この時、図４（Ｃ）に示す２本のＴ−Ｖ特性線４１２Ａ，４１２Ｂの比率に応じた和になる。ここで、図４（Ｃ）の特性線４１２Ａで示す領域を増やした場合には、黒っぽい映像が全体に白くなるが、黒白のコントラストは取れているので、このコントラストのおかげで良好な表示となる。一方、特性線４１２Ｂで示す領域を増やした場合には、黒っぽい映像は全体に黒く潰れ、一部反転する可能性がある。しかしながら、黒っぽい映像は白くはならず黒いままではある。この特性線４１２Ａの効果と特性線４１２Ｂの効果とを完全に１：１で混ぜてしまった場合には、双方の良好な特性が互いに打ち消されてしまい、良好な視角特性を実現することは難しかった。しかしながら、比率を調整する、特に、特性線４１２Ａの領域の割合を全体の７±２割とすることで、良好な表示が得られることが分かった。

図６（Ａ）、（Ｂ）をより詳細に説明する。図６（Ａ）は全ての配向を下向きにした例を示している。ＴＦＴ基板に形成されている透明電極をパターニングした。ここで、櫛歯状に透明電極１１１を設けた。ここで、画素を二つの領域１０１，１０２に分割し、上半分においては櫛歯の歯を右下に伸びるように設定した。一方、下半分においては櫛歯の歯を左下に伸びるように設定した。ここで、櫛歯の各電極の幅を３μｍに設定し、櫛歯の間隙を３μｍに設定した。図６（Ｂ）は開口率を最大限に設定し、上下比率を同一にした場合を示す。

図１（Ａ）は開口率を最大限に設定しつつ、上下比率を変えた例を示す。図６（Ｂ）と基本的な構成は変えずに上下比率を変えた。このＩＴＯ電極パターンから櫛歯状のＩＴＯ電極を上側領域１３１では右上方位に、下側領域１３２では左下方位に向けて設定した。ここで、上側の領域１３１の比率を全体の３割に設定した。

図１（Ｂ）は画素の左右中央に一本上下にＩＴＯ電極のパターンを設け、上下比率を変えた例を示す。画素領域１０３は、４つの領域１４１〜１４４に分割される。このＩＴＯ電極パターンから櫛歯状のＩＴＯ電極を上側領域１４１，１４２では上方位に、下側領域１４３，１４４では下方位に向けて設定した。櫛歯状のＩＴＯ電極の伸ばし方としては、画素の上側では腕を上に伸ばしたように設定した。一方、画素の下側では両腕を左右に広げつつ下げたように設定した。ここで、上側の領域１４１，１４２の比率を全体の３割に設定した。

図８（Ａ）は、液晶表示装置の主要構成を示す。ＴＦＴ８０１は、ゲートがゲートライン１１４に接続され、ソースがデータライン１１３に接続され、ドレインが透明電極１１１に接続される。液晶層８０２は、一端がＴＦＴ基板上の透明電極１１１に接続され、他端が対向基板の共通電極（グランド電極）に接続される。補助容量８０３は、一端がコンタクト領域７０１を介して透明電極１１１に接続され、他端がグランド電位に接続される。

図８（Ｂ）は、補助容量８０３及びその周辺の断面図である。補助容量８０３は、金属層８１１及び８１２の間に絶縁層を設けることにより形成される。金属層８１１は、ＴＦＴ８０１（図８（Ａ））のソース電極とは接続されていないがそれと同じ層に形成される。金属層８１２は、以下、補助容量（Ｃｓ）レイヤともいう。Ｃｓレイヤ８１２は、グランド電位に接続される。金属層８１１は、コンタクトホール８１３を介してコンタクト領域７０１に接続される。

図７、図９を参照して、すのこ状の電極のより正確なレイアウトを説明する。図７は図６（Ａ）に対応し、図９は図１（Ｂ）に対応する。

図７においては、画素の中央部には左右に補助容量（Ｃｓ）形成用の電極８１２（図８（Ｂ））が形成されており、ＩＴＯ電極１１１と金属層８１１（図８（Ｂ））との接触を行うためのコンタクト領域７０１が形成されている。図７の下部に示す拡大図のように、すのこ状の電極７０２の端を、コンタクト領域７０１から離す構成とした。

図１０は、ＴＦＴの断面図である。ゲート電極１００１の上には、絶縁膜１０１１を介して、ソース電極１００２及びドレイン電極１００３が形成される。さらに、その上には、絶縁膜１０１２を介してＩＴＯ電極１００５が形成される。ＩＴＯ電極１００５及びドレイン電極１００３は、コンタクトホール１００４を介して接続される。

図９の下部は、ＴＦＴのドレイン電極とＩＴＯ電極のコンタクト領域９０１の拡大図を示している。すのこ状の電極９０３の端は開いていることが重要であり、極力ドレイン電極との間にスリット状の部位を形成するように設計した。すのこ状の電極９０２は、コンタクト領域９０１に接続される。

図１１は、通常の液晶表示装置の断面図である。対向基板１１０１及びＴＦＴ基板１１０３の間には、液晶層１１０２が設けられる。対向基板１１０１は、ガラス基板１１１１、カラーフィルタ１１１２、及びＩＴＯ電極１１１３が順に積層される。ＴＦＴ基板１１０３は、ガラス基板１１２４、絶縁層１１２３、絶縁層１１２２、及びＩＴＯ電極１１２１が順に積層される。ゲート電極１１３１の上には、絶縁層１１２３を介して、ソース電極１１３３及びドレイン電極１１３２が形成される。ＩＴＯ電極１１２１は、ドレイン電極１１３２に接続される。

図１２（Ａ）、（Ｂ）は、カラーフィルタ１２２３をＴＦＴ基板１２０３に設けた液晶表示装置を示す。図１２（Ａ）は、液晶表示装置の平面図である。図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。対向基板１２０１及びＴＦＴ基板１２０３の間には、液晶層１２０２が設けられる。対向基板１２０１は、ガラス基板１２１１及びＩＴＯ電極１２１２が積層される。ＴＦＴ基板１２０３は、ガラス基板１２２６、絶縁層１２２５、絶縁層１２２４、カラーフィルタ１２２３、アクリル樹脂層１２２２、及びＩＴＯ電極１２２１が順に積層される。ゲート電極１２３１の上には、絶縁層１２２５を介して、ソース電極１２３３及びドレイン電極１２３２が形成される。ＩＴＯ電極１２２１は、ドレイン電極１２３２に接続される。

カラーフィルタ１２２３がＴＦＴ基板１２０３上にあるときには、電極のパターンを自由にレイアウトすることが出来る。図１１の構成では、データラインからの横電界の影響によって輝度の低下が生じてしまい、また、所望の角度とは異なる方位に液晶分子が傾くため、視角特性が悪いという問題が生じていた。これに対して、図１２（Ｂ）に示すように、カラーフィルタ１２２３がＴＦＴ基板１２０３にある場合には、データラインはカラーフィルタ１２２３の下部に隠れている。ここで、スリット電極として、隣の画素との間に生じる斜め電界が配向不良の原因となる。そこで、逆に、隣の画素も配向を改善することに用いる構成とした。図１３（Ａ）に示すように、隣の画素の電極と、自画素との間の間隙１３２１を、画素中のスリットの間隙１３２２と同一とし、且つ、表示動作として、左右隣の画素と駆動の位相を合わせた。具体的には、フレーム反転あるいはライン反転駆動を行った。この時には例えば全面グレーの表示を行う時、自画素内の電界の分布と、画素間の電界の分布とは全く同一である。そして、配向不良は全く生じない。この場合には全面において配向は上下方向に均一な配向となり、良好な視角特性と均一で明るい表示を実現することが出来た。

図１３（Ａ）は、６画素の領域に対応するＩＴＯ電極１３１１〜１３１６を示す。各ＩＴＯ電極１３１１〜１３１６の左上には、ＴＦＴのドレイン電極に接続するためのコンタクト領域１３０１が設けられる。間隔１３２１は、各ＩＴＯ電極１３１１〜１３１６間の間隔である。間隔１３２２は、各ＩＴＯ電極１３１１〜１３１６内のすのこ状電極間の間隔である。間隔１３２１及び１３２２は、同じである。

図１３（Ｃ）は、ＴＦＴとの接続を得るためのコンタクトホール１３３１として、画素中央のすのこの連結部分に設けて開口率と配向の安定性を図った。

図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）、（Ｃ）のＩ−Ｉ線断面図である。ＴＦＴ基板１３４２において、各ＩＴＯ電極１３１４〜１３１６の間の下には、データライン１３４１が設けられる。

本実施形態によれば、図１２（Ｂ）に示すように、一対の基板１２０１，１２０３が設けられる。液晶層１２０２は、一対の基板１２０１，１２０３の間に挟まれ、基板１２０１，１２０３間の電圧無印加時に液晶分子が基板１２０１，１２０３に対して垂直配向し、基板１２０１，１２０３間の電圧の印加によって基板１２０１，１２０３に略平行となるように液晶分子が複数の方位に倒れる（図１（Ａ）、（Ｂ）参照）。液晶層１２０３は、図１（Ａ）に示すように、電圧印加時、画面右方位を０度としたときに反時計周りに角度を定義して、０〜１８０度方位に液晶分子が傾く領域１３１の割合と、１８０〜３６０度方位に液晶分子が傾く領域１３２の割合とが異なる。

また、液晶層１２０３は、電圧印加時、画面右方位を０度としたときに反時計周りに角度を定義して、図１（Ｂ）に示すように、４５度、１３５度方位に液晶分子が傾く領域１４１，１４２の割合と、２２５度、３１５度方位に液晶分子が傾く領域１４３，１４４の割合とが異なる。液晶層１２０３は、４５度、１３５度方位に液晶分子が傾く領域１４１，１４２の割合が全体の４割以下が好ましい。

図１（Ｂ）に示すように、画素電極は、幅が１０μｍ以下、間隙が１０μｍ以下のすのこ状の画素電極であり、ＴＦＴ基板１２０３（図１２（Ｂ））に設けられる。液晶層１２０２は、画素電極により液晶分子の配向方位が規制されて４方向に液晶分子が傾く。画素電極は、すのこの伸びる方向が４５、１３５、２２５、３１５度の形状を有し、液晶層１２０２は、液晶分子の傾く４方向がそれぞれ４５，１３５，２２５，３１５度である。

薄膜トランジスタは、ゲート、ソース、ドレインを含む。図９に示すように、画素電極は、薄膜トランジスタのドレインに接続するためのコンタクト領域９０１を有し、複数のすのこのうちの少なくとも一部９０３とコンタクト領域９０１との間にスリットが設けられる。ゲートラインは、薄膜トランジスタのゲートに接続される。画素電極は、複数のすのこのうちの最もゲートラインに近いすのこ９０２がコンタクト領域９０１に接続される。

図１３（Ａ）に示すように、画素電極は、自己のすのこ状画素電極の間隙１３２２と隣接する画素電極との間における間隙１３２１とが同一である。図１２（Ａ）に示すように、薄膜トランジスタは、ＴＦＴ基板１２０３において画素電極１２２１に接続される。カラーフィルタ層１２２３は、ＴＦＴ基板１２０３に形成される。

以上説明したように、本実施形態により視角特性の良好なディスプレイを実現することが出来た。

（第２の実施形態）
図１４及び図１５を参照して、ＭＶＡ型液晶表示装置の問題点を説明する。図１４はＭＶＡ型液晶表示装置を示している。ＴＦＴ基板側のＩＴＯ画素電極１４０４にはスリット１４０５が設けられており、対向基板のＩＴＯ電極上にはレジストを用いて土手１４０１が形成されている。さらに、ＴＦＴ基板上には、ゲートライン１４０２、データライン１４０３及び補助容量形成用電極１４０６が形成される。画素電極は、４つの領域１４１１〜１４１４に分割される。各領域１４１１〜１４１４の液晶分子は、それぞれ図４（Ａ）の液晶分子Ａ１、Ｂ２、Ａ２、Ｂ１の向きに配向される。ここで、ＴＮ型ディスプレイの構造と比較すると対向基板のＩＴＯ電極上にレジストのパターンを形成する必要があり、工程が増え、コストアップとなっていた。

図１５は、対向基板のＩＴＯ電極にスリット１５０４を設けた場合を示す。ＴＦＴ基板には、ゲートライン１５０１、データライン１５０２、補助容量形成用電極１５０５、ＩＴＯ画素電極１５０３が形成される。黒矢印１５２１は、スリット電極１５０４による配向規制の方向を示す。白矢印１５２２は、ゲートライン１５０１及びデータライン１５０２による配向規制の方向を示す。領域１５１１では、配向を規制する方向が２方向以上あるために応答が遅くなる。

さらに、この場合には、ＴＮ型ディスプレイと比較して、対向基板のＩＴＯ電極にスリット１５０４を設ける必要性から、工程が増え、コストアップとなる。また、対向基板にカラーフィルタが設けられている場合、スリット１５０４の部位においてはカラーフィルタ層がむき出しになっており、カラーフィルタ層からの不純物の落出により信頼性が低下する問題が生じる。更に、データライン１５０２あるいはゲートライン１５０１による配向規制方位と、スリット電極１５０４による配向規制方位とが４５度異なるため、配向が安定するための時間がかかり、応答が遅いという問題が生じる。

図１６は、本発明の実施形態による画素電極のパターンを示す。ＴＦＴ基板には、ゲートライン１６０１、データライン１６０２、微細スリット画素電極１６２１，１６２２が形成される。

黒矢印１６１２は、微細スリット画素電極１６２１，１６２２による配向規制の方向を示す。白矢印１６１１は、ゲートライン１６０１及びデータライン１６０２による配向規制の方向を示す。

データライン１６０２の近傍では横方向（データラインに垂直）に微細スリット画素電極１６２２を設ける。ゲートライン１６０１の近傍では縦方向（ゲートラインに垂直）に微細スリット画素電極１６２１を設ける。そして、これらの電極のつなぎ部分としては画素中央に上下にＩＴＯ電極１６１３を伸ばし、データライン１６０２とゲートライン１６０１との交差部に向けてＩＴＯ電極１６２３を伸ばした。ＩＴＯ電極１６２３が互いに交差する角度は４５度である。ＩＴＯ電極１６１３は、背骨状に形成され、その上の液晶分子はゲートライン１６０１の近傍の液晶分子の配向の影響で配向方向が決まる。ここで、微細な電極１６２１，１６２２の電極幅としては約３μｍ、電極１６２１，１６２２の間のスリットの幅としても約３μｍとした。

微細な電極１６２１，１６２２にあっては、ＴＦＴ基板上の電極と対向基板上の電極との間に電圧が印加された時に、液晶分子の倒れる方向は微細な電極の伸びる方向と平行な方向になる。この作用を図１７（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。

図１７（Ａ）は、画素電極パターンが粗い場合を示す。対向基板１７０１及びＴＦＴ基板１７０３の間に、液晶層１７０２が設けられる。対向基板１７０１上には、全面にＩＴＯ透明電極が形成される。ＴＦＴ基板１７０３上の電極パターン間隔は広い。領域１７１１では、電極の間隔が広いので、電界の傾きにより、液晶分子は倒れる。逆向きに倒れる領域との距離が離れているため相互干渉はなく、図の左右方向に倒れる。

図１７（Ｂ）は、ＴＦＴ基板１７０３上の電極パターンが微細な場合を示す。領域１７２１では、電極の間隙が狭いので、電界の傾きにより倒れようとする液晶分子がぶつかって倒れることが出来ない。ストレスから逃れるために電極と平行な方向（図では紙面に垂直な方向）に液晶分子１７２２が倒れる。

この原理を本実施形態は利用したものであって、図１６に示すように、データライン１６０２に垂直に伸びる微細電極１６２２が存在する部分においては、微細電極１６２２およびデータライン１６０２からの横電界の影響で液晶分子は横方向に倒れる。ここで、微細電極１６２２の配向規制方向とデータライン１６０２からの横電界による配向規制方向とが一致するため素直に液晶分子は倒れる。一方、ゲートライン１６０１と垂直な方向に伸びる微細電極１６２１が存在する部分においては、微細電極１６２１およびゲートライン１６０１からの横電界の影響で液晶分子は縦方向に倒れる。ここで、微細電極１６２１の配向規制方向とゲートライン１６０１からの横電界による配向規制方向とが一致するため素直に液晶分子は倒れる。

このように液晶分子にかかる配向規制が素直であるため、対向基板側には土手やスリットなどの特殊な構造を設ける必要はない。

図１６をより詳細に説明する。ゲートライン１６０１とデータライン１６０２とで囲まれた画素領域にＩＴＯ透明電極が設けられており、ＴＦＴにより表示電圧が印加されている。ＩＴＯ電極は櫛歯状にパターニングされており、その櫛の方向はデータライン１６０２近傍ではデータライン１６０２に垂直に、ゲートライン１６０１近傍ではゲートライン１６０１に垂直に設定されている。櫛の歯は画素の中央上下に伸びる電極１６１３に繋がっており、この背骨の如き電極１６１３はデータライン１６０２とゲートライン１６０１との交差部に向かって伸び、Ｙ字の形を取る。このＹ字の手を広げている角度としては、３０度から１２０度の間に設定した時に良好な配向を得ることが出来た。ここで、スリット電極のＩＴＯ電極の幅としては、３μｍから５μｍ、スリットのＩＴＯ間隙部分の幅としては、２μｍから５μｍに設定した。

図１８にはこの手を広げる角度が約６０度の場合を図示した。縦方向（ゲートライン１８０１に垂直）に伸びる櫛歯状の電極１８２１の長さが長くなっている。この場合には、ゲートライン１８０１からの横電界をより有効活用することが可能となっている。

図１９（Ａ）〜（Ｃ）にＩＴＯ電極のパターンの拡大図を示す。
図１９（Ａ）は最も単純な構成であって、櫛歯状のＩＴＯ電極の幅は一定である。領域１９０２では図の左右方向に液晶分子が傾き、領域１９０３では図の上下方向に液晶分子が傾き、領域１９０１では図の斜め４５度方向に液晶分子が傾く。

図１９（Ｂ）においては、櫛歯状の電極の方向を角度θ傾かせている。手を広げた背骨から上方向に伸びる櫛歯状電極の伸びる方向を、上方位から腕を広げた腕の方向に傾かせた。すなわち、櫛歯状電極１９２２は、ゲートライン近傍の電極であり、背骨状電極１９２１の長手方向に対して角度θ傾いている。また、櫛歯状電極１９２３は、データライン近傍の電極であり、背骨状電極１９２１の垂直方向に対して角度θ傾いている。傾ける角度θとしては、１度から４５度まで変化させた。

領域１９１１では図の斜め４５度方向に液晶分子が傾く。図１９（Ａ）の領域１９０２及び１９０３の液晶分子の傾きは９０度異なる。図１９（Ｂ）の領域１９１２及び１９１３の液晶分子の傾きの差は９０度より小さくなるので、領域１９１１〜１９１３の間で液晶分子の傾きがなだらかに変化する。

図１９（Ｃ）は電極の形状を先細りにした場合の構成を示す。ここで、先細りの電極１９３１，１９３２の角度θとしては、１度から２０度程度に設定した。電極の形状を先細りする効果を説明する。図２０（Ａ）は、微細電極２００１及び２００２が平行な場合を示す。微細電極２００１近傍の液晶分子２００３と微細電極２００２近傍の液晶分子２００４は傾きが１８０度異なる。図２０（Ｂ）は、微細電極２０１１及び２０１２の形状が先細りする場合を示す。微細電極２０１１近傍の液晶分子２０１３と微細電極２０１２近傍の液晶分子２０１４は傾きの違いが１８０度より小さい。液晶分子２０１３〜２０１５は傾きがなだらかに変化する。

図２１（Ａ）、（Ｂ）は補助容量形成用のＣｓラインを活用する場合の構成を示す。図２１（Ａ）は液晶表示装置の平面図である。Ｃｓライン２１０４からはゲートライン２１０２あるいはデータライン２１０３と同様に横方向の電界が形成されている。この横電界を積極的に配向に活用するものである。

金属層２１０５は、図８（Ｂ）の金属層８１１に相当し、ＩＴＯ画素電極２１０１に接続される。ここで、図１６、図１８、図１９（Ａ）〜（Ｃ）に示した場合と同様に、櫛歯状の電極の櫛の先端を横電界の原因となる電極（図１６、図１８、図１９（Ａ）〜（Ｃ）ではデータラインあるいはゲートライン）に向かわせることが重要である。

図２１（Ａ）においては、櫛歯状の電極として、画素の上半分２１０１ａ、下半分２１０１ｂそれぞれに櫛歯状の電極を上下左右に伸ばした。

図２１（Ｂ）は、図２１（Ａ）の線２１０６の断面図である。対向基板２１１１には、全面にＩＴＯ画素電極２１２１が形成される。ＴＦＴ基板２１１２には、Ｃｓライン２１３４の上に絶縁膜２１３２を介して金属層２１３３が形成される。金属層２１３３とＩＴＯ画素電極２１３１は接続されている。Ｃｓライン２１３４は図２１（Ａ）のＣｓライン２１０４に相当し、金属層２１３３は図２１（Ａ）の金属層２１０５に相当する。上記のように、Ｃｓライン２１３４から生じる斜め電界１３４１を積極的に配向に活用することができる。

なお、図２２に示すように、領域２１０１ａ及び２１０１ｂにおいてそれぞれＩＴＯ画素電極２１０１に背骨領域を設けてもよい。

図２３（Ａ）は、画素電極２３０１を右上、左上、左下、右下に伸ばした例を示す。ＴＦＴ基板には、画素電極２３０１の他、ゲートライン２３０２、データライン２３０３及びＣｓライン２３０４が形成される。画素電極２３０１は、Ｃｓライン２３０４に平行な電極２３０５を含む。

図２３（Ｂ）は、Ｃｓライン２３０４を積極的に活用する構成を示す。画素電極２３１１において、異なる配向の領域２３１１ａ，２３１１ｂが、各画素の上半分下半分に十字に形成されている。領域２３１１ａ及び２３１１ｂは、画素電極２３１２で接続されている。

図２１（Ａ）において、Ｃｓライン２１０４を跨いでＴＦＴからの電圧を伝達するための透明電極が設けられている。ここで、ＩＴＯ透明電極２１０１はＣｓライン２１０４の上ではＣｓライン２１０４上に伸ばして設定した。これにより、補助容量を実現した。

図２４は、上記の液晶パネルを一対のλ（波長）／４板で挟む構成を示す。液晶パネル２４０３をλ／４板２４０２及び２４０４で挟み、さらにその両側を偏光板２４０１及び２４０５で挟む。偏光板２４０１の吸収軸２４１１は、図の水平方向に対して４５度ずれている。λ／４板２４０２の光軸２４１２は、図の水平方向に対して９０度ずれている。λ／４板２４０４の光軸２４１４は、図の水平方向と同じ方向である。偏光板２４０５の吸収軸２４１５は、図の水平方向に対して１３５度ずれている。偏光板２４０１，２４０５は、それぞれ吸収軸２４１１，２４１５の光成分を吸収する。λ／４板２４０２，２４０４は、直線偏光と円偏光との間の変換を行って出力する。液晶パネル２４０３を一対のλ／４板２４０２，２４０４で挟むことにより輝度が向上する。

図２５（Ａ）は、図２３（Ｂ）と同じ構成であり、上半分の画素領域２３１１ａの透過光量分布を図２５（Ｂ）、（Ｃ）に示す。図２５（Ｂ）は、λ／４板がない場合の分布であり、画素に十字の黒い領域が生じてしまう。これは液晶分子が偏光板の光軸に垂直あるいは平行な方向に傾いてしまうためである。図２５（Ｃ）は、図２４に示すように、λ／４板２４０２，２４０４を適用した場合の分布であり、黒い領域は画素の中央部のみとなり、明るい表示が実現される。

本実施形態によれば、図１６に示すように、画素電極は、櫛歯状あるいはスリット状の画素電極であって、該櫛歯の方向がゲートライン１６０１近傍では該ゲートラインに向かって伸びており、データライン１６０２近傍では該データラインに向かって伸びている。

図２１（Ａ）に示すように、ＣＳライン（補助容量形成用電極ライン）２１０４は、画素の中央の左右方向に延びる。画素電極は、補助容量形成用電極ライン２１０４を境にして上下に分かれて形成され、補助容量形成用電極ライン２１０４近傍では該補助容量形成用電極ラインに重なるように該補助容量形成用電極ラインと同じ方向に向かって伸びる。

また、図１６に示すように、画素電極は、画素の中央に背骨状に上下方向に電極１６１３が形成されていて、ゲートライン１６０１に向かう櫛歯状の電極１６２１とデータライン１６０２に向かう櫛歯状の電極１６２２とに繋がる電極部１６２３が該背骨状の電極１６１３から四方に伸びてＹ字の腕状になる。

図２１（Ａ）に示すように、画素電極は、櫛歯の方向が補助容量形成用電極ライン２１０４近傍では該補助容量形成用電極ラインに向かって伸びる。その画素電極は、補助容量形成用電極ライン２１０４に向かう櫛歯状電極とデータライン２１０３に向かう櫛歯状電極とを繋げるＹ字の腕状の電極と、ゲートライン２１０２に向かう櫛歯状電極とデータライン２１０３に向かう櫛歯状電極とを繋げるＹ字の腕状の電極とを有する。

上記のＹ字の腕状の電極の腕がなす角度は、３０度以上１５０度以下が好ましい。また、図１９（Ｂ）に示すように、画素電極は、ゲートラインに向かって伸びている櫛歯状の電極１９２２の伸びる方向として、データライン近傍では該データラインに向かって傾いて伸び、データラインに向かって伸びている櫛歯状の電極１９２３の伸びる方向として、ゲートライン近傍では該ゲートラインに向かって傾いて伸びている。また、図１９（Ｃ）に示すように、画素電極は、櫛歯の形状として、歯の先端部分がより狭くあるいは細くなっている。

図２１（Ａ）に示すように、画素電極は、補助容量形成用電極ライン２１０４を跨いで薄膜トランジスタのドレインからの電圧を伝達するために設けられている電極が、補助容量形成用電極ライン２１０４近傍で該補助容量形成用電極ラインに重なるように同じ方向に伸びている。
また、図２４に示すように、一対の直交する１／４波長板２４０２，２４０４は、液晶パネル（液晶層を挟んだ一対の基板）２４０３を挟んでいる。

以上説明したように、本実施形態を用いることにより、明るい表示を実現できるとともに、視野角の広い液晶ディスプレイを実現することが出来た。

（第３の実施形態）
ＭＶＡ型液晶表示装置の視角特性をより改善するために、図２６に示すようなフィルム構成が提案されている。液晶層２６０５は、一対の面内位相差を有する位相差フィルム２６０４，２６０６で挟まれる。さらに、その両側が一対の負の位相差フィルム２６０３，２６０７で挟まれる。さらに、その両側が一対の偏光子２６０２，２６０８で挟まれる。さらに、その両側が一対の保護層２６０１，２６０９で挟まれる。偏光子２６０２の吸収軸２６１２と偏光子２６０８の吸収軸２６１８は、９０度ずれている。位相差フィルム２６０４の光軸２６１４と位相差フィルム２６０６の光軸２６１６は、９０度ずれている。偏光子２６０２の吸収軸２６１２と位相差フィルム２６０４の光軸２６１４は、９０度ずれている。視角特性としては、コントラスト１０以上の範囲は傾き角度にして全方位にて±８０度以上が実現されている。しかしながら、輝度を向上させることは出来ない。

一方、輝度を向上させるための技術として、図２７に示すような円偏光板を用いた技術が提案されている。液晶パネル２７０６は、２枚の基板の間に液晶層を挟んだものであり、一対のトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）２７０５，２７０７で挟まれる。さらに、その両側が一対のλ／４フィルム２７０４，２７０８で挟まれる。さらに、その両側が一対のＴＡＣ２７０３，２７０９で挟まれる。さらに、その両側が一対のポリビニールアルコール（ＰＶＡ）偏光層２７０２，２７１０で挟まれる。さらに、その両側が一対のＴＡＣ２７０１，２７１１で挟まれる。

偏光層２７０２の吸収軸２７２２は、図の水平方向に対して９０度ずれている。λ／４フィルム２７０４の光軸２７２４は、図の水平方向に対して４５度ずれている。λ／４フィルム２７０８の光軸２７２８は、図の水平方向に対して１３５度ずれている。偏光層２７１０の吸収軸２７３０は、図の水平方向と同じ方向である。

この構成によれば、輝度は２割から５割向上するものの、図２６に示した構成で実現される視角特性を得ることは出来ない。上下左右のコントラスト１０以上の範囲は±８０度あるものの、斜め４５度方位では±５０度に留まっている。

本発明の実施形態は図２６及び図２７の二つの特性を併せ持つ構成を有するものである。
図２８（Ａ）は、本実施形態の中の最も単純な原理構成を示すものである。λ（波長）／２板２８０２は、一対の偏光層２８０１，２８０３で挟まれている。偏光層２８０１の吸収軸２８１１は、図の水平方向と同じ方向である。λ／２板２８０２の光軸２８１２も、図の水平方向と同じ方向である。偏光層２８０３の吸収軸２８１３は、図の水平方向に対して９０度ずれている。λ／２板２８０２は、入射した直線偏光を９０度回転させた直線偏光の光に変換して出射する。

偏光層２８０１，２８０３は、ＰＶＡ偏光層を指し、一般に偏光板にはＰＶＡ偏光層の両側にトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）のフィルムが設けられているが、このＴＡＣフィルムのない状態を指している。一対の偏光層２８０１，２８０３の間に二分の一波長板２８０２が設けられており、この二分の一波長板２８０２のフィルムに対して垂直な方向の位相差（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄはゼロである。ここで、ｎｘ、ｎｙ、ｎｚは、各方向の屈折率であり、ｄは厚さである。この二分の一波長位相差板２８０２の光軸２８１２は、近接する偏光層２８０１，２８０３の吸収軸２８１１，２８１３に平行あるいは垂直である。この場合の漏れ光の様子を図２８（Ｂ）に示しているが、全方位に渡って漏れ光がほとんどないことが分かる。

液晶パネル全体の構成が実質的にこの構成と同一となるようにした。即ち、この構成に対して光学フィルム、液晶層が積層される訳だが、それらは互いに打ち消されて実質的になにもないのと同じとなり、結果、図２８（Ａ）と実質的に同一になるように構成した。

図２９（Ａ）は一対の四分の一波長フィルム２９０１，２９０２を、その光軸２９１１，２９１２が直交するように積層した場合を示す。四分の一波長フィルム２９０１，２９０２は、二分の一波長板２８０２と偏光層２８０３の間に挿入される。ここで、四分の一波長板２９０１，２９０２の光軸２９１１，２９１２の方位は偏光層２８０１，２８０３の吸収軸２８１１，２８１３と４５度の角度をなすように設定した。四分の一波長板２９０１，２９０２の負の位相差もゼロに設定した。四分の一波長板２９０１，２９０２は、直線偏光と円偏光との間の変換を行う。この場合の漏れ光の様子を図２９（Ｂ）に示しているが、全方位に渡って漏れ光が非常に小さいことが分かる。

図３０（Ａ）には、更に、垂直配向し得る液晶層３００１と、フィルム面に垂直な方向にのみ負の位相差
（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ＜０
を有するフィルム３００２とを積層した。垂直配向した液晶層３００１は液晶層３００１に垂直な方向にのみ正の位相差液晶の屈折率異方性
Δｎ×セル厚ｄ＞０
を有している。ここで、上記フィルム３００２の負の位相差と液晶層３００１の正の位相差とを同一に設定して完全に光学的に打ち消しあうようにした。Δｎはｎ//−ｎ⊥であり、ｎ//は液晶分子の長手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手方向に対して垂直方向の屈折率である。

液晶層３００１及びフィルム３００２の積層は、一対のλ／４板２９０１，２９０２の間に挿入される。フィルム３００２のΔｎ×ｄは、液晶層３００１のものと同じである。フィルム３００２のΔｎはｎｘ−ｎｚである。

図２８（Ａ）の構成を採用した場合、どの方位からみてもクロスニコルの偏光層２８０１，２８０３からの光の漏れは非常に小さいものになっている訳だがその作用について述べる。クロスニコルの偏光層２８０１，２８０３を斜めから観察する場合を考える。偏光層２８０１，２８０３の吸収軸２８１１，２８１３は正面から見た場合には直交している。斜めから見た場合、図２８（Ａ）のａ方向からでは、偏光層２８０１，２８０３の吸収軸２８１１，２８１３は依然として直交しており光は漏れない。これに対して図２８（Ａ）のｂ方向から見た場合には、偏光層２８０１，２８０３の吸収軸２８１１，２８１３は直交していない。これは、例えば２本の鉛筆を直交させておき、これをｂのような方向から観察すればよく分かる。このようなｂ方向にあっても入射した光の偏光状態を変化させて光を漏れないようにするのが図２８（Ａ）の二分の一波長板２８０２の作用である。ａ方向から観察する場合を考えつつ正面から観察した場合の偏光層２８０１，２８０３の吸収軸２８１１，２８１３の角度は、入射側が左上方向、出射側が右上方向、二分の一位相差板２８０２の光軸２８１２は右上方向である。ここでｂ方向で傾き角がついてくると、入射側は左上からより左方向に吸収軸がずれ、出射側の吸収軸は右上からより右方向に吸収軸がずれる。ところが、負の位相差が０の二分の一波長板２８０２の光軸は左上方位から動かない。このため、入射した光の偏光方向と二分の一位相差板２８０２とはｂ方位にてある角度をなす。そして、二分の一の波長の位相差を有するため、入射光の偏光方向は回転されるが、直線偏光となって位相差板２８０２を出射する。そして、その出射する光の偏光方向は出射側の偏光層の吸収軸方向と一致していて、完全に吸収される。このため、図２８（Ｂ）に示すようにどの方位から観察しても漏れ光は殆ど無い。

次に、図２９（Ａ）で採用した直交するλ／４板２９０１，２９０２についてその作用を述べる。先に二分の一波長位相差板２８０２について説明した時に述べたように、フィルム面に垂直な方向の位相差が０のため、光軸の方向は、観察する傾き角をつけた場合にも不変である。よって、正面において光軸が互いに直交するλ／４板２９０１，２９０２の光軸２９１１，２９１２は、どの方位、傾き角から観察した場合においても直交する。このため、λ／４板２９０１，２９０２としての効果は相殺されて何もないのと同じになる。

次に、図３０（Ａ）の液晶層３００１と積層された負の位相差を有するフィルム３００２の作用について述べる。ここで、垂直配向した液晶層３００１の持つ正の位相差とフィルム３００２の負の位相差とは同一である。このような関係にある二つの層の光学的な効果は完全に相殺され、ないのと同じになる。このため、液晶ディスプレイとしての黒表示はどこから見ても黒い。図３０（Ａ）においては、画素内が大きく４種類に分かれていて電圧の印加とともに右上、左上、左下、右下方位に液晶が傾くような液晶パネルについて示している。図３０（Ｂ）に示すように、全ての方位において、コントラストは１０以上が実現されていることが分かる。

λ／４板２９０１，２９０２は光軸２９１１，２９１２が互いに直交し、偏光層２８０１，２８０３の吸収軸２８１１，２８１３とは４５度の方向に設定されているが、この構成は所謂円偏光板に相当する。偏光層を通過した直線偏光を円偏光にする働きをする。ここまでの説明では、各フィルム、垂直配向した液晶層は互いに相殺されて光学的な効果はなかったが、電圧が液晶層３００１に印加されたときには状況は一変する。すなわち、光学的な効果を液晶層３００１がもつことで白表示が実現される。そして４分の一波長の位相差板２９０１，２９０２は、正面視角においては、上記の説明にて述べたように、白表示の輝度が向上する。

まず二分の一波長位相差板２８０２、４分の一波長位相差板２９０１，２９０２はポリカーボネイトフィルムあるいはノルボルネン系フィルムを延伸することにより実現した。延伸の仕方としては、面内に伸ばすとともに垂直方向にも応力がかかるように引いた。

ここで、二分の一波長位相差板２８０２としては、４分の一波長位相差板を二枚重ねることによっても実現した。このようなフィルムとしては、日東電工株式会社からＮＺフィルムの名称で、住友化学工業株式会社からＳＺフィルムの名称で市販されている。

負の位相差を有するフィルム３００２としては、ポリカーボネートあるいはノルボルネン系フィルムを二方向に延伸するか、あるいは、光学的効果のないフィルム上に樹脂をコートすることにより実現した。このようなフィルムも日東電工株式会社から市販されており、また、住友化学工業株式会社からはＶＡＣフィルムの名称で市販されている。

液晶パネル３００１としては、富士通株式会社より市販されているＭＶＡ型液晶パネルを用いた。その配向方向としては、一つの画素は大きく４種類の領域に分割されていて、それぞれ液晶分子は電圧の印加により右上、左上、左下、右下方位に傾く。

偏光板２８０１，２８０３については、通常偏光板の保持材としてトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムが用いられているが、偏光層２８０１，２８０３と液晶層３００１との間にこのＴＡＣフィルムが存在するとその光学的な効果が悪影響を及ぼしてしまう。このため、フィルムの積層に際しては、この保持材は片側のみに用い、液晶層側には設定しないこととした。実際このような、ＴＡＣフィルムを偏光層の片側のみに設けた偏光板は、例えば住友化学工業株式会社からウルトラスィン偏光板（Ｕｌｔｒａ−Ｔｈｉｎ−Ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）として市販されている。この偏光板に光学フィルムを積層することにより図３０（Ａ）に示すフィルム構成を実現した。

以上のフィルム、液晶層を図３０（Ａ）に示すように積層した場合の視角特性の計算例が図３０（Ｂ）である。
図３０（Ａ）の構成にあっては、その視角特性は図３０（Ｂ）のようになるが、コントラストが特に高い方位は図３０（Ｂ）より明らかなように右上、左上、左下、右下方位となっている。上下左右の視角方位の視角の広いことが特に求められており、これに対応したのが図３１（Ａ）の構成である。ここでは、偏光層の吸収軸の方向、フィルムの光軸の方向を図３０（Ａ）から４５度回転させた。この時の視角特性の計算結果が図３１（Ｂ）である。コントラストは全方位にて１０以上あり、更に、視角特性が上下対称、左右対称で、上下左右の視角範囲が特に広くなっている。これにより、明るく且つ視野角特性としても申し分のない表示を実現することが出来る。

試作した液晶パネルの視角特性の実測値を図３２に示す。フィルムの特性が完全ではないため、計算とは異なった特性になってはいるが、広い視野角を得ることが出来た。また、同時に、正面の白の表示輝度は、フィルムを適用しない場合に比べて２割向上させることが出来た。

ここまでの説明では、図２８（Ａ）のλ／２板２８０２を前提に説明したが、一対の特殊なλ／２板を積層したものを用いるとより良好な視角特性が得られる。この配置については東北大学よりＳＩＤ００にて報告されている。

二分の一波長の位相差を有するフィルムが二枚積層されていて、そのフィルム面に垂直な方位の屈折率をｎｚ、フィルムの光軸に平行な方向の屈折率をｎｘ、フィルムの光軸に垂直なフィルム面内方向の屈折率をｎｙとして、
Ｎｚ係数＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）
が０．２５のフィルムと０．７５のフィルムとを、光軸を平行にして積層し、近接する偏光層の吸収軸に対してフィルムの遅相軸を平行あるいは垂直に設定する。この配置を図２８（Ａ）の代わりに適用し、以下、図２９（Ａ）、図３０（Ａ）、図３１（Ａ）のようにフィルムや液晶層を配置した。

さらには、二枚のフィルムの（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）の値がそれぞれ０．５以下と０．５以上とであり、望ましくは０．２５と０．７５、あるいは、０．１５と０．８５の如く和が約１であれば同様の良好な漏れ光特性が得られる。

以上述べてきたフィルムの負の位相差であるが、λ／２板、λ／４板にて負の位相差を完全に０とするのは製造として困難である。この負の位相差の範囲として、各々±２０ｎｍ以下、望ましくは±１０ｎｍ以下であれば良好な視野角特性が得られることが分かった。

本実施形態によれば、図３１（Ａ）に示すように、１／２波長板２８０２は、１／２波長の位相差を有するフィルムが積層されていてそのフィルム面に垂直な方向の位相差（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ（フィルム面に垂直な方位の屈折率をｎｚ、フィルムの光軸に平行な方向の屈折率をｎｘ、フィルムの光軸に垂直なフィルム面内方向の屈折率をｎｙ、フィルムの膜厚をｄとする）が０あるいは±２０ｎｍ以下であり、フィルムの光軸は近接する偏光層２８０１の吸収軸に平行あるいは垂直である。

また、１／２波長板２８０２は、１／２波長の位相差を有するフィルムが二枚積層されていて、そのフィルム面に垂直な方位の屈折率をｎｚ、フィルムの光軸に平行な方向の屈折率をｎｘ、フィルムの光軸に垂直なフィルム面内方向の屈折率をｎｙとして、二枚のフィルムの（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）の値がそれぞれ０．５以下と０．５以上とであり、二枚のフィルムの光軸は平行であり、近接する偏光層２８０１の吸収軸に平行あるいは垂直であってもよい。

フィルム３００２は、液晶層３００１のΔｎ×ｄ（Δｎはｎ//−ｎ⊥であり、ｎ//は液晶分子の長手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手方向に対して垂直方向の屈折率であり、ｄは厚さである）と同一の大きさの負の位相差を有し、液晶層３００１に近接して設けられている。

一対の１／４波長板２９０１，２９０２は、負の位相差が０あるいは±１０ｎｍ以下であり、液晶層３００１とフィルム３００２とを挟むように設けられる。一対の１／４波長板２９０１，２９０２の光軸は互いに直交しており、且つ、一対の偏光層２８０１，２８０３の吸収軸と４５度の角度をなす。光入射側の偏光層の吸収軸の方位が、画面右側を０度として、０度、４５度、９０度、１３５度のいずれかに設定されている。

図３１（Ａ）に示すように、図３０（Ａ）の光入射側の偏光層、光出射側の偏光層、１／４波長板、１／２波長板の光軸の関係を保ちつつ、コントラストが最大となる方位が上下左右方位となるように、偏光層の吸収軸の方位を調整する。

液晶層３００１は、電圧無印加状態で液晶分子が垂直配向し、電圧印加状態にて液晶分子が画素の中で大きく２種類以上の方向に傾く配向をなす。好ましくは、液晶層３００１は、電圧印加状態にて液晶分子が画素の中で大きく４種類、右上、左上、左下、右下方位に傾き、電極に設けたスリット及び／又は電極上に設けた突起物（土手）を用いて液晶の配向を制御する。

以上説明したように、本実施形態を用いることにより、明るく且つ視野角の広い液晶ディスプレイを実現することが出来た。

（第４の実施形態）
ＭＶＡ型液晶表示装置の視角特性をより改善するために、図３３に示すようなフィルム構成が提案されている。液晶層３３０４は、一対の面内位相差を有する位相差フィルム３３０３，３３０５で挟まれる。さらに、その両側が一対の負の位相差フィルム３３０２，３３０６で挟まれる。さらに、その両側が一対の偏光板３３０１，３３０７で挟まれる。偏光板３３０１の吸収軸３３１１と偏光板３３０７の吸収軸３３１７は、９０度ずれている。位相差フィルム３３０３の光軸３３１３と位相差フィルム３３０５の光軸３３１５は、９０度ずれている。偏光板３３０１の吸収軸３３１１と位相差フィルム３３０３の光軸３３１３は、９０度ずれている。

視角特性としては、コントラスト１０以上の範囲は傾き角度にして全方位にて±８０度以上が実現されている。しかしながら、フィルムが二枚使用されており、また、フィルムの屈折率として
ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚ
の関係にある特殊なフィルムが使われることがあった。

図３４に示すように、本発明の実施形態は、このような特殊なフィルムを用いることなく良好な視野角特性を有するディスプレイを実現するものである。本実施形態では、偏光板３４０１，３４０４に追加するフィルムとして、一枚のみのフィルム３４０２とし、フィルム３４０２の屈折率も
ｎｘ＞ｎｚ＞＝ｎｙ
の関係にあるフィルムを用いる。

偏光板３４０１，３４０４としては、偏光板全体の厚みを１００ミクロン以上とした。一方、フィルムの面内位相差（ｎｘ−ｎｙ）×ｄは４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下（好ましくは４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下）に設定した。

液晶層３４０３が垂直配向した時の位相差を
ＲＬＣ＝（ｎ//−ｎ⊥）×ｄ
とする。

偏光板３４０１，３４０４の保護フィルムの層の負の位相差、面内位相差を有するフィルム３４０２の負の位相差、その他負の位相差を有する層の負の位相差の和を
Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ
とする時、
２０ｎｍ ＜ ＲＬＣ−Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ ＜ １５０ｎｍ
に設定した。これにより、全視角方位にて、コントラスト１０以上を確保できる傾き角として±７０度以上を実現することが出来た。

面内位相差を有するフィルム３４０２の面内位相差は、偏光の偏光方向を回転させる働きを行う。層に垂直な方向に負の位相差を有するフィルムは液晶層３４０３の正の位相差を打ち消す働きをする。そして、完全に打ち消したわけではない差としての正の位相差
ＲＬＣ−Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ
は、偏光を直線偏光から楕円偏光とし、その楕円率を調整する働きを有する。また、楕円偏光の偏光の回転方向を変化させる作用を行う。

フィルム３４０２の屈折率として
ｎｘ＞ｎｚ＞＝ｎｙ
の関係にあるフィルムとしては、ノルボルネン系の樹脂フィルムを一方向に延伸して実現した。

偏光板３４０１，３４０４の厚みの厚い偏光板は従来より用いられており、トリアセチルセルロース製の保護フィルムを有し、その厚さが１００μｍ以上のものを用いた。

位相差フィルム３４０２及び液晶層３４０４は一対の偏光板３４０１，３４０４で挟まれる。偏光板３４０１の吸収軸３４１１と近接する位相差フィルム３４０２の光軸３４１２とを直交させた。偏光板３４０１の吸収軸３４１１と偏光板３４０４の吸収軸３４１４は直交している。

図３５では、面内位相差が４０から１３０ｎｍ（望ましくは６０から１１０ｎｍ）のフィルム３５０３を偏光板３５１０の保護フィルムとして用いる構成をとった。偏光板３５１０は、保護フィルム３５０１、偏光層３５０２、位相差フィルム兼保護フィルム３５０３の積層により構成される。液晶層３５０４は、偏光板３５１０及び３５０５で挟まれる。偏光層３５０２、位相差フィルム兼保護フィルム３５０３、液晶層３５０４、偏光板３５０５は、それぞれ図３４の偏光板３４０１、位相差フィルム３４０２、液晶層３４０３、偏光板３４０４に相当する。

位相差フィルム３５０３が偏光板３５１０の保護フィルムを兼ねるため、全体の使用されるフィルムの数が少なくなり、コストを下げることが出来る。このフィルムの負の位相差も上記に記した位相差の関係を満たすように調整した。

負の位相差を有するフィルムとしては、例えばノルボルネン系の樹脂を二方向以上に延伸して実現した。

図３６は一般化した構成であり、図３５の下側の偏光板３５０５を変えた。偏光板３５０５の代わりに偏光板３６１０を用いる。偏光板３６１０は、フィルム３６０１、偏光層３６０２、保護フィルム３６０３を積層することにより構成される。偏光層３６０２の吸収軸３６１２は、図３５の偏光板３５０５の吸収軸３５１５と同じ向きである。

フィルム３６０１については、面内位相差を有することも可能である。その場合、光軸は近接する偏光層３６０２の吸収軸３６１２に垂直に設定した。また、フィルム３６０１の面内位相差をほぼゼロにすることも可能である。また、面内位相差がなく負の位相差のみを有するフィルムを使用することも可能である。

本実施形態によれば、図３４において、液晶層３４０３は、液晶分子が垂直配向しうる。位相差フィルム３４０２は、面内に位相差のある位相差フィルムであって、近接する偏光層３４１１の吸収軸にその光軸が垂直になるように設けられ、その屈折率はｎｘ＞ｎｚ＞＝ｎｙ（ｎｘは光軸方向の屈折率、ｎｙはｎｘに垂直な面内方向の屈折率、ｎｚは面に鉛直な方向の屈折率）の関係にある。第１の偏光板３４０１は、厚みが１００ミクロン以上の保護フィルムを設けている。位相差フィルム３４０２は、面内位相差（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ｄは厚さ）が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であり、好ましくは４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である。

液晶層３４０３は、液晶分子が垂直配向した時の位相差ＲＬＣ＝（ｎ//−ｎ⊥）×ｄ（ｎ//は液晶分子の長手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手方向に対して垂直方向の屈折率であり、ｄは厚さである）を有し、偏光板３４０１の保護フィルムの負の位相差、位相差フィルム３４０２の負の位相差、及びその他負の位相差を有する層を付与した場合にはその負の位相差の和をＲｎｅｇａｔｏｔａｌとする時、２０ｎｍ ＜ ＲＬＣ−Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ ＜ １５０ｎｍの関係を有する。偏光板３４１１は、トリアセチルセルロース、ノルボルネン系樹脂、又はポリカーボネートの保護フィルムを含む。

図３５において、偏光板３５１０は、面内位相差を有する保護フィルム３５０３を含む。保護フィルム３５０３の光軸が偏光層３５０２の吸収軸に対して垂直になるように設けられる。保護フィルム３５０３の面内位相差（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ｎｘは光軸方向の屈折率、ｎｙはｎｘに垂直な面内方向の屈折率、ｄは厚さ）が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下（好ましくは４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下）、保護フィルムが２枚のときは２枚の面内位相差の和が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下（好ましくは４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下）に設定してなる。

液晶層３５０４は、液晶分子が垂直配向した時の位相差ＲＬＣ＝（ｎ//−ｎ⊥）×ｄを有し、保護フィルム３５０３の負の位相差及びその他負の位相差を有する層を付与した場合にはその負の位相差の和をＲｎｅｇａｔｏｔａｌとする時、２０ｎｍ ＜ ＲＬＣ−Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ ＜ １５０ｎｍの関係を有する。

以上説明したように、本実施形態を用いることにより、明るく且つ視野角の広い液晶ディスプレイを実現することが出来た。

（第５の実施形態）
広視野角を実現するため、ＭＶＡ型液晶表示装置は、電圧が印加されていない時には垂直に配向しており、電圧が印加されると、４つの領域に分かれて、それぞれ４方向に傾く。各領域の視角特性が混ざる結果、広い視野角が得られる。このような場合、配向領域の境が黒くなるため、白の表示輝度が高くないという問題が生じていた。そこで、二分割に限定して、明るい表示を実現する手法が検討されている。

図３７に、２分割の液晶表示装置の配向の仕方の例を示す。ＴＦＴ基板には、ゲートライン３７０１、データライン３７０２、Ｃｓライン３７０３及びＩＴＯ画素電極３７０４が形成される。太い矢印３７１１及び３７１２で示すように、画素中央を走るＣｓ用のライン３７０３と、ゲートライン３７０１とで配向を分割する形になっている。配向の境界は、ゲートライン３７０１及びＣｓライン３７０３により隠れる。このような２分割ディスプレイでは、４分割型に比べて視野角が狭いという問題がある。特に、斜め視角での色付きが問題となる。

図３８（Ａ）に、その方位などを示す。矢印３７１１及び３７１２に示すように、液晶分子が図の上下方向に倒れるように分割して配向させた場合を例にとる。アナライザ（偏光板）の吸収軸３８１１及びポラライザ（偏光板）の吸収軸３８１２は直交して、図３８（Ａ）の向きに設けられる。このディスプレイにおいて、電圧無印加では液晶分子は垂直配向しており、表示は黒表示となっている。一方、電圧が印加されると、液晶分子は図の上下方向に傾き、液晶の複屈折により光が透過してきて白表示となる。

ここで、観察者３８０１がこのディスプレイを上下方向から観察した場合を説明する。図３８（Ｂ）は、図３８（Ａ）を左右方向から見た断面図である。液晶分子３８２１の長さ３８２２は、観察者３８０１から見ると短く見える。このため、液晶の実質的な複屈折が小さくなり、白表示は多少暗くなるか、あるいは青味がかる程度である。

一方、図３８（Ａ）において、観察者３８０２がこのディスプレイを左右方向から観察した場合を説明する。図３８（Ｃ）は、図３８（Ａ）を上下方向から見た断面図である。観察者３８０２が見る液晶層の光路３８２２は、液晶層を正面から観察したときの光路３８３３よりも長くなる。この場合、液晶自体の複屈折は変わらないが、光路が長くなるため液晶層としての複屈折が大きくなる。このため、表示は白から黄色味がかるものになってしまうという問題が生じていた。

本発明の実施形態は、これらの青味がかる、あるいは、黄色味がかる現象を軽減することを目的とするものである。バックライトの輝度を上げるために「コレステリック層およびλ／４層を組み合わせて用いる技術」が提案されているが、その斜め視角での色付きを活用して、液晶ディスプレイとしての斜め視角での色付きの軽減を図るのが本実施形態の骨子である。

図３９に示すように、液晶配向方向３７１１及び３７１２は互いに逆向きである。コレステリック型反射層を積層した偏光板の吸収軸３９０１とアナライザの吸収軸３９０２は直交している。λ／４位相差層の光軸３９０３は、上記の吸収軸３９０１及び３９０２に対して４５度傾いている。コレステリック層に近接するλ／４層の光軸３９０３は、液晶分子の配向方向３７１１，３７１２に垂直となるように設置した。

図４１（Ａ）に示すように、液晶表示装置は、バックライト４１０１、コレステリック層４１０２、λ／４板４１０３、液晶層（偏光板を含む）４１０４が順に積層される。コレステリック層４１０２とそれに近接するλ／４板４１０３について述べる。コレステリック層４１０２はバックライト４１０１から入射した光の内、左回り円偏光４１２２を左回り円偏光４１２３として反射し、右回り円偏光４１２１を右回り円偏光４１３１のまま通過させる。そして、コレステリック層４１０２で反射した左回り円偏光４１２３はバックライト４１０１の反射板により右回り円偏光４１２４として反射し、再度コレステリック層４１０２に入射して通過する。即ち、コレステリック層４１０２はバックライト４１０１と協力して、入射した自然光を右回り円偏光の光４１３１に変換する。λ／４板４１０３は入射した円偏光を直線偏光に変換する働きを有している。λ／４板について、図４０（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら説明する。

図４０（Ａ）は、λ／４板４００１の光軸４００２が図の奥行き方向に向いている場合を示す。λ／４板４００１は、円偏光の光４０１２，４０２２を入射してそれぞれ直線偏光の光４０１３，４０２３を出射する。正面からの観察者４０１１は光４０１３を受け、斜めからの観察者４０２１は光４０２３を受ける。

λ／４板４００１が一軸の光学フィルムである場合、このλ／４板４００１の光軸４００２に垂直な方位の斜めの観察者４０２１に出射する光４０２３は一般的に黄色味がかる。この方位においては、垂直に入射する円偏光の光４０１２の光路長（図中Ａ−Ｂ）に対して、斜めに入射する円偏光の光４０２２の光路長（図中Ｃ−Ｄ）が長くなり、複屈折が大きくなる。このため、正面で色付きのない白となるように調整されている系においては、斜め視角にて複屈折が過剰となり黄色く色付くことになる。この現象は、図３８（Ｂ）の現象に対応する。

図４０（Ｂ）は、λ／４板４０３１の光軸４０３２が図の水平方向に向いている場合を示す。λ／４板４０３１は、円偏光の光４０４２，４０５２を入射してそれぞれ直線偏光の光４０４３，４０５３を出射する。正面からの観察者４０４１は光４０４３を受け、斜めからの観察者４０５１は光４０５３を受ける。

λ／４板４０３１の光軸４０３２に平行な方位の斜めに出射する光４０５３は一般的に青味がかる。この方位においては、斜め視角での屈折率の異方性自体が小さくなり、光路長は長くなるものの、複屈折の効果は小さくなる。このため、斜め視角での複屈折が足りなくなり、青く色付くことになる。この現象は、図３８（Ｃ）の現象に対応する。

図４１（Ａ）の液晶層４１０４について考えると、以上のλ／４板の光軸の方向を液晶分子の配向している方向として読み替え、位相差としてλ／２を有すると読み替え、入射する光をポラライザを通過した直線偏光と読み替えると、色付きについて全く同様のことが言える。すなわち、図３８（Ｂ）、（Ｃ）の現象が生じる。

図４１（Ａ）、（Ｂ）は、液晶層（偏光板を含む）４１０４、λ／４板４１０３、コレステリック層４１０２、バックライト４１０１の全体構成を示し、それぞれλ／４板４１０３の光軸４１１１，４１５１と液晶層の液晶分子の光軸４１１２，４１５２を互いに垂直に設定した。図４１（Ａ）は図３９の上方位あるいは下方位から観察した場合を、図４１（Ｂ）は、右方位あるいは左方位から観察した場合を示している。

図４１（Ａ）についてまず解説する。正面観察者４１３３は、光４１３１がλ／４板４１０３及び液晶層４１０４を介して出射した光４１３２を受ける。斜め観察者４１４３は、光４１４１がλ／４板４１０３及び液晶層４１０４を介して出射した光４１４２を受ける。コレステリック層４１０２に近接するλ／４板４１０３を通過する光４１４２は光路長が長くなる効果により黄色味がかる。この現象は、図４０（Ａ）の現象に相当する。次に、この光４１４２は液晶層４１０４を通過するが、液晶の実質的な複屈折が小さくなるため、青味がかる。この現象は、図３８（Ｂ）の現象に相当する。以上により、λ／４板４１０３の影響（黄色味がかり）と液晶層４１０４の影響（青味がかり）とが相殺されて色付きの殆ど無い表示が実現される。

図４１（Ｂ）は、図４１（Ａ）と９０度異なる方位から観察した場合を示している。正面観察者４１６３は、光４１６１がλ／４板４１０３及び液晶層４１０４を介して出射した光４１６２を受ける。斜め観察者４１７３は、光４１７１がλ／４板４１０３及び液晶層４１０４を介して出射した光４１７２を受ける。コレステリック層４１０２に近接するλ／４板４１０３を通過する光４１７２はλ／４板４１０３の実質的な複屈折が小さくなるため青味がかる。この現象は、図４０（Ｂ）の現象に相当する。次に、この光４１７２は液晶層４１０４を通過するが、光路長が長くなる効果により黄色味がかる。この現象は、図３８（Ｂ）の現象に相当する。以上により、λ／４板４１０３の影響（黄色味がかり）と液晶層４１０４の影響（青味がかり）とが相殺されて色付きの殆ど無い表示が実現される。

このように、液晶層４１０４の色付きとλ／４板４１０３の色付きが相殺されることにより良好な表示が実現されるものである。

図３７が典型的な２分割配向を行う時の配向状態である。ゲートライン３７０１、データライン３７０２で囲まれる画素エリアを設定した。各画素にはＴＦＴが設けられている。液晶分子は電圧無印加状態にあっては垂直配向している。電圧印加に伴う液晶分子の倒れる方位としては、紫外線の配向膜表面への照射あるいは配向膜表面のラビングによるプレチルトで制御した。液晶分子の倒れる方位としては、ゲートライン３７０１に垂直な方向とし、ゲートライン３７０１から見て、腕を広げるように液晶分子が倒れるように設定した。

図３９に、このＴＦＴ−ＬＣＤに対する配向方向３７１１，３７１２、偏光板の吸収軸３９０１，３９０２、λ／４位相差板の光軸３９０３の向きを示す。図４１（Ａ）、（Ｂ）において、λ／４位相差板４１０３としてはポリカーボネートを延伸したフィルムを用いた。５５０ｎｍにおいての複屈折の値としては、１３７．５ｎｍ±１０ｎｍの範囲に設定した。コレステリック液晶層４１０２としては、基板フィルムとしてＴＡＣフィルムを用いた。コレステリック液晶のピッチとして、可視光を反射する範囲を包含し、更に、赤外域をも包含するように設定した。これにより、コレステリック液晶層４１０２からの反射波長は斜め傾き角においても大きな変化の無い特性を実現することが出来た。このコレステリック層４１０２のねじれ方向としては、右ねじれのものを用いた。このコレステリック液晶層４１０２の形成の仕方としては、数回に渡って塗布し、個々の層について室温にて乾燥させ、硬化させた。

図３９は平面図を示しているが、図４１（Ａ）、（Ｂ）を用いて断面構成を説明する。バックライト４１０１としてはサイドエッジ型を用いた。このバックライト４１０１から見て、コレステリック液晶層４１０２、λ／４板４１０３、ポラライザ４１０４、液晶パネル４１０４、アナライザ４１０４の順に積層した。液晶層のΔｎ×ｄとしては、２００ｎｍから４００ｎｍの範囲に設定した。

λ／４板４１０３と液晶基板４１０４との間に光散乱層を設けることが有効であった。その構成を図４２に示す。コレステリック層４２０１の上に、λ／４板４２０２及び散乱層４２０３を積層する。この散乱層４２０３としては、λ／４板４２０２と偏光板とを接着する接着剤に散乱物質を混ぜることにより実現した。そしてその散乱性としては、ヘイズ値として４０以上のものを適用した。

図４３に実際に本実施形態を適用した時の視角特性についての測定結果を示す。正面から傾き角７０度において、全方位１５度刻みに白表示の色付きを測定した。領域４３０１は赤色、領域４３０２は黄色、領域４３０３は緑色、領域４３０４は青色を示し、これらの真中の領域が白色を示す。

菱形で示すグラフは、コレステリック層４１０２及びλ／４板４１０３を使用していない、上下２分割配向のパネル（図中、ノーマルと表記）の場合であり、黄色く色付く現象が見られる。正方形で示すグラフは、図４１（Ａ）、（Ｂ）に示す散乱層無しの場合（図中、散乱層無しと表記）である。三角で示すグラフは、図４２に示す散乱層を付与した構成（図中散乱層付きと表記）を適用した液晶パネルであり、どの視角方位にあっても色付きを軽減することが出来た。

以上は電圧無印加にて垂直配向の場合について示したが、ここで、水平配向のディスプレイに適用する実施形態を説明する。図４４（Ａ）、（Ｂ）にＩＰＳ（インプレインスイッチングモード）型液晶ディスプレイに適用した場合の例を示す。

図４４（Ａ）は、ＩＰＳ型液晶ディスプレイの断面図である。対向基板４４０１及びＴＦＴ基板４４０３の間に、液晶層４４０２が設けられる。ＴＦＴ基板４４０３に、コモン電極４４１２とドレイン電極４４１１とが絶縁膜４４１３を介して形成されている。対向基板４４０１には、電極が設けられない。ドレイン電極４４１１に電圧を印加すると、ドレイン電極４４１１とコモン電極（グランド電位）の間に電界が生じる。

図４４（Ｂ）は、図４４（Ａ）の液晶ディスプレイのＴＦＴ基板４４０３の平面図である。ＴＦＴ基板には、ゲートライン４４２１、データライン４４２２、ドレイン電極４４２３、コモン電極４４２４が形成される。電圧無印加では液晶分子４４３２はドレイン電極４４２３の伸びている方向に対して右回りに１５度の方位に配向している。この電圧無印加での液晶分子４４３２の配向方向に対して光入射側の偏光板の吸収軸（ポラライザの吸収軸）４４４２を垂直に設定した。電圧の印加に伴って液晶分子４４３１の配向はドレイン電極４４２３に垂直な方位へと傾く。図４４（Ｂ）では、白表示時に右回りに６０度の方位に配向している。ここで、この白での液晶分子４４３１の配向方位とほぼ垂直で、且つ、ポラライザの吸収軸４４４２と４５度の角度をなす方位にλ／４板の光軸４４４３を設定した。アナライザの吸収軸は４４４１は、ポラライザの吸収軸４４４２と垂直である。

ここで、ＩＰＳ型のようなディスプレイにおいては、白表示での液晶分子の配向方向は完全には特定できない。この場合、液晶分子が回転して、配向していると考えられる方位に対してなるべくλ／４板の方位を直交するように、且つ、λ／４とポラライザの吸収軸とが４５度の角度をなすように設定した。

本実施形態によれば、図４１（Ａ）、（Ｂ）において、バックライト４１０１は光を供給する。コレステリック液晶層４１０２及び１／４波長板４１０３は、バックライト４１０１及び液晶パネル４１０４の間に挟まれる。液晶パネル４１０４の液晶分子の配向方向と１／４波長板４１０３の光軸とが直交している。

図３９に示すように、液晶パネルは液晶分子の配向が電圧無印加状態にて垂直配向であり、電圧の印加により互いに１８０度異なる２方位３７１１，３７１２に分かれて傾く。また、電圧の印加により一方位に傾くようにしてもよい。

図４２において、１／４波長板４２０２と液晶パネル４１０４（図４１（Ａ）、（Ｂ））との間に散乱層４２０３が形成される。散乱層４２０３はヘイズ値が４０以上である。

図４４（Ａ）、（Ｂ）において、液晶パネルは液晶分子４４３１の配向が電圧の印加状態にて水平配向であり、その配向方位と１／４波長板の光軸４４４３とが垂直である。なお、液晶パネルは液晶分子の配向が電圧の無印加状態にて水平配向であり、その配向方位と１／４波長板の光軸とが垂直であってもよい。液晶パネルは、表示モードがインプレインスイッチングモードである。

以上説明したように、本実施形態を用いることにより、明るい表示を実現できるとともに、視野角の広い液晶ディスプレイを実現することが出来た。

（第６の実施形態）
図４５（Ａ）、（Ｂ）はＭＶＡ方式の液晶パネルの電極構造例を示す。図４５（Ａ）は４ドメイン、図４３（Ｂ）は２ドメインの場合を示す。ＭＶＡ方式の液晶パネルは、一対の基板の少なくとも一方の表面に、突起、窪み、または電極４５１０、４５４０に設けたスリットのいずれか、またはそれらの組み合わせよりなるドメイン規制手段を備えている。負の誘電率異方性を有するネマティック液晶を用い、電圧無印加時には、液晶分子が基板に対してほぼ垂直に配向している。電圧印加時には、ドメイン規制手段により、液晶分子が斜めになる方向が各画素内において複数の方向になるように規制される。液晶パネルの両側には、吸収軸４５０１，４５０２（吸収軸４５３１，４５３２）が互いに直交するように一対の偏光素子が配置される。

ピッチが６μｍ（ライン／スペース：３μｍ／３μｍ）程度の微細なスリット電極４５１０，４５４０の場合、電圧印加時に液晶分子がスリットと平行な方向に傾斜する性質がある。

したがって、図４５（Ａ）に示されるように、液晶分子４５２１〜４５２４が４つの方位に傾斜するようにスリット電極４５１０を形成した場合には、４ドメイン４５１１〜４５１４の配向が実現される。また、図４５（Ｂ）に示されるように、液晶分子４５５１，４５５２が２つの方位に傾斜するようにスリット電極４５４０を形成した場合には、２ドメイン４５４１，４５４２の配向が実現される。

次に、液晶分子の傾斜方位と偏光素子の吸収軸方向との関係について、図４６（Ａ）〜（Ｄ）により説明する。図４６（Ａ）に示すように、電圧がオフのときには、液晶分子４６０２は基板面に対して垂直に配向している。図４６（Ａ）に、このときの液晶分子４６０２と一対の偏光素子の吸収軸４６０１，４６０３との関係を示す。一方の偏光素子を通過した光は、液晶分子４６０２の複屈折の影響を受けることなく液晶中を通過し、もう一方の偏光素子により遮断され、黒表示が得られる。

図４６（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、電圧がオンのときには、負の誘電率異方性を有する液晶分子は基板面に対して傾き、十分大きな電圧を印加したときには液晶分子４６１２，４６２２は基板面に対してほぼ平行になる。最適な白表示を実現するためには、液晶分子が傾斜する方位は吸収軸の方向に対して制約を受ける。

図４６（Ｂ）は、電圧がオンのときに、液晶分子４６１２が吸収軸４６１３と平行あるいは直交する方位に傾斜した場合を示す。この場合、電圧がオフのときと同様に、一方の偏光素子を通過した光は、液晶分子４６１２の複屈折の影響を受けることなく液晶中を通過し、もう一方の偏光素子により遮断される。したがって、白表示を得ることができない。

最適な白表示を得るためには、図４６（Ｃ）に示されるように、液晶分子４６２２の傾斜方位が吸収軸４６２１，４６２３に対して４５度をなすようにしなければならない。この場合、一方の偏光素子を通過した直線偏光の光は、液晶分子４６２２の複屈折の影響を受け楕円偏光となり、もう一方の偏光素子を通過する光が生じて、白表示が得られる。

したがって、図４６（Ｄ）に示すように、ＭＶＡ方式の液晶パネルでは、電圧印加時に液晶分子４６４１〜４６４４が傾斜すべき４方位は、吸収軸４６３１，４６３２に対して４５度をなす方位に限られる。

一画素内で電圧印加時に液晶分子が傾斜する方位が互いに異なる領域を混在させたＭＶＡ方式の液晶パネルにおいて、液晶分子の傾斜する方位が図４６（Ｄ）に示される４方位のみであることが望ましい。しかし、実際には図４６（Ｄ）に示される４方位以外の方位に傾斜する液晶分子が存在する。

図４７に示される４ドメイン４７１１〜４７１４の電極４７１０を有するＭＶＡ方式の液晶パネルを例にとり説明する。一対の偏光素子の吸収軸４７０１，４７０２に対して４５度をなすように形成された微細なスリット電極４７１０により、液晶分子４７２１〜４７２４はそれぞれ異なる４つの方位に傾斜する。しかし、各領域が隣接する境界の領域においては、液晶分子４７２５〜４７２８は吸収軸４７０１，４７０２に対して平行あるいは直交する方位に傾斜せざるを得ない。

液晶分子４７２５〜４７２８が吸収軸４７０１，４７０２に対して平行あるいは直交する方位に傾斜した領域においては、光は透過しない。したがって、図４７に示される電極構造の場合、白表示において十字状に黒い領域が生じ、透過率を低下させる大きな要因となる。

本発明の実施形態では、ＭＶＡ方式の液晶パネルにおいて、微細なピッチで周期的に配置されたドメイン規制手段の方向が、偏光素子の吸収軸に対して４５度をなす方向とそれ以外の方向とを含むようにする。

これまで説明したように、ＭＶＡ方式の液晶パネルでは、液晶分子が偏光素子の吸収軸に対して４５度以外の方位に傾斜した場合、その領域は光を透過させないため、透過率を低下させる要因となった。この問題点を解決するための手段について、以下に説明する。

第一の手段は、液晶材料中にカイラル剤を添加することである。カイラル剤を添加することにより、電圧印加時に液晶分子は一方の基板から他方の基板へとねじれながら傾斜する。これは、一般にＴＮモードと呼ばれている水平配向の液晶パネルと同様の原理を利用するものである。したがって、液晶分子のねじれ角は９０度近辺であることが望ましい。

すなわち、液晶パネルのセルギャップをｄ、カイラル剤のヘリカルピッチをpとしたとき、ｄ／ｐ＝１／４であることが望ましく、少なくとも１／８≦ｄ／ｐ≦３／８が満たされなければならない。

第二の手段は、図４８に示されるように、液晶パネル４８０３の両側に一対の１／４波長板４８０２，４８０４を配置し、さらにその両側に一対の偏光素子４８０１，４８０５を配置する。１／４波長板４８０２，４８０４の遅相軸４８１２，４８１４とそれらに隣接する偏光素子４８０１，４８０５の吸収軸４８１１，４８１５とがそれぞれ４５度をなす。１／４波長板４８０２，４８０４の遅相軸４８１２，４８１４が互いに直交し、偏光素子４８０１，４８０５の吸収軸４８１１，４８１５が互いに直交するように配置する。

偏光素子を通過した光は直線偏光となり、さらに１／４波長板を通過することにより円偏光となる。このとき、透過光強度は液晶分子の傾斜方位に依存せず、液晶セルのリタデーションのみにより決まる。

図４９（Ａ）〜（Ｃ）に、周期的に配置されたドメイン規制手段（ＩＴＯ画素電極）のパターンの例を示す。図４９（Ａ）に示されるように、ドメイン規制手段である画素電極４９０１をほぼ放射線状に配置することにより、液晶分子の傾斜方位をほぼ０度から３６０度にわたり連続的に変化させることができる。

同様に、図４９（Ｂ）に示されるように、液晶分子の傾斜方位が８通りになるような画素電極４９０２のパターン、図４９（Ｃ）に示されるように、同心円状の画素電極４９０３のパターンなど、さまざまなバリエイションが可能である。図４９（Ａ）〜（Ｃ）の画素電極４９０１〜４９０３は、それぞれ連結された１つの画素電極である。

以上説明したように、微細なピッチで周期的に配置されたドメイン規制手段の方向が、偏光素子の吸収軸に対して４５度をなす方向とそれ以外の方向とを含むようにし、カイラル剤添加や１／４波長板と組み合わせることにより、広視野角および高輝度を同時に実現することができる。

本実施形態をより具体的に説明する。液晶パネルを構成する一対の基板のうち、一方の基板上には、表示領域全面にベタ電極が形成されている。もう一方の基板上には、画素電極が形成されている。画素電極は、図４９（Ａ）に示されるように、放射線状パターンの微細なスリット電極４９０１からなる。さらに基板上には、カラーフィルタ、ゲートバスライン、データバスライン、ＴＦＴ素子などが形成されている。

両基板上に垂直配向膜を形成する。両基板をスペーサを介して貼り合わせ、ｄ／ｐ＝１／４となるようにカイラル剤を添加した負の誘電率異方性を有するネマティック液晶を封入して、液晶パネルを作製する。液晶パネルの両側に、吸収軸が互いに直交するように偏光素子を配置する。

他の構成例を説明する。液晶パネルを構成する一対の基板のうち、一方の基板上には、表示領域全面にベタ電極が形成されている。もう一方の基板上には、画素電極が形成されている。画素電極は、図４９（Ａ）に示されるように、放射線状パターンの微細なスリット電極４９０１からなる。さらに基板上には、カラーフィルタ、ゲートバスライン、データバスライン、ＴＦＴ素子などが形成されている。

両基板上に垂直配向膜を形成する。両基板をスペーサを介して貼り合わせ、負の誘電率異方性を有するネマティック液晶を封入して、液晶パネルを作製する。

液晶パネルの両側に、吸収軸が互いに直交するように偏光素子を配置する。液晶パネルと両側の偏光素子との間に１／４波長板を一層ずつ配置し、１／４波長板の遅相軸と隣接する偏光素子の吸収軸とが４５度をなし、１／４波長板の遅相軸が互いに直交するように配置する。

本実施形態によれば、図４８に示すように、液晶パネル４８０３は一対の基板の間に液晶が封入されている。一対の偏光素子４８０１，４８０５は、吸収軸が互いに直交するように液晶パネル４８０３の両側に配置される。液晶パネル４８０３を構成する一対の基板の少なくとも一方の表面にはドメイン規制手段が設けられる。ドメイン規制手段は、土手等の突起、窪み、または電極に設けたスリット（図４７）のいずれか、またはそれらの組み合わせの周期的パターンを含み、液晶パネル内の液晶分子の配向を規制する。

図４７に示すように、ドメイン規制手段による液晶分子４７２１〜４７２８の配向方向が、偏光素子の吸収軸４７０１，４７０２に対して４５度をなす４つの方向とそれ以外の方向とを含む。液晶パネルは、電圧無印加時には、液晶分子が基板に対してほぼ垂直に配向しており、電圧印加時には、ドメイン規制手段により液晶分子が斜めになる方向が各画素内において複数の方向になるように規制される。

図４９（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、液晶パネルはドメイン規制手段による液晶分子の配向方向が連続的に変化する領域を含み、０度から３６０度にわたり連続的に変化する領域を含んでもよい。図４９（Ａ）では、ドメイン規制手段が放射線状に配置された領域を含み、そのドメイン規制手段の幅が放射線状パターンの中心から外側へゆくにしたがって広くなる。図４９（Ｃ）では、ドメイン規制手段が同心円状に配置された領域を含む。

液晶パネルは、液晶材料中にカイラル剤が添加されている。液晶パネルのセルギャップをｄ、カイラル剤のヘリカルピッチをpとしたとき、１／８≦ｄ／ｐ≦３／８が満たされる。

図４８に示すように、一対の１／４波長板４８０２，４８０４は、一対の偏光素子４８０１，４８０５の間において液晶パネル４８０３を挟むように設けられる。一対の１／４波長板４８０２，４８０４の遅相軸とそれらに隣接する一対の偏光素子４８０１，４８０５の吸収軸とがそれぞれ４５度をなし、一対の１／４波長板４８０２，４８０４の遅相軸が互いに直交する。

以上説明したように、本実施形態によれば、広視野角および高輝度の液晶表示装置を実現することが可能となる。

（第７の実施形態）
ＭＶＡ型の配向制御技術には、以下のものが挙げられる。
（１）土手、或いはスリットによる配向制御
図５０（Ａ）及び（Ｂ）は土手による配向制御を示す。対向基板５００１及びＴＦＴ基板５００３の間に液晶層５００２が設けられる。対向基板５００１には、透明電極５０１２及び土手５０１１が設けられる。ＴＦＴ基板５００３には、透明電極５０１６及び土手５０１５が設けられる。図５０（Ａ）に示すように、電圧無印加の場合、土手５０１１，５０１５の近傍の液晶分子５０１３は土手５０１１，５０１５の形状に応じて傾く。土手５０１１，５０１５から離れた液晶分子５０１４は垂直配向する。図５０（Ｂ）に示すように、電圧印加の場合、電界５０２１は土手５０１１，５０１５の形状に応じて形成される。液晶分子５０２２には電界５０２１に対して垂直方向に配向させようとする力が作用する。このように、土手５０１１，５０１５により液晶分子の配向を制御することができる。

図５０（Ｃ）及び（Ｄ）は電極スリットによる配向制御を示す。対向基板５０３１及びＴＦＴ基板５０３３の間に液晶層５０３２が設けられる。対向基板５０３１には、透明電極５０４１が設けられる。ＴＦＴ基板５０３３には、スリットを有する透明電極５０４２が設けられる。図５０（Ｃ）に示すように、電圧無印加の場合、液晶分子５０４３は基板に対して垂直配向する。図５０（Ｄ）に示すように、電圧印加の場合、透明電極５０４２のスリットによる斜め電界５０５１が生じる。液晶分子５０５２には電界５０５１に対して垂直方向に配向させようとする力が作用する。このように、スリット状電極５０４２により液晶分子の配向を制御することができる。なお、土手及びその近傍の液晶の動作は、図５０（Ｂ）と同様であるため、図示を省略してある。

（２）補助土手、補助スリットによる配向制御
図５１（Ａ）は補助土手による配向制御を示す。画素電極５１０１はＴＦＴ基板に設けられ、土手５１０２は対向基板に設けられる。さらに、補助土手５１０３が画素電極５１０１のエッジ部に対応して対向基板に設けられる。液晶分子５１０４は、土手５１０２及び補助土手５１０３の間においても液晶の配向方向を揃えることができる。補助土手５１０３がないと、図５１（Ｃ）に示すように、土手５１０２により制御された液晶５１２２の配向と画素電極５１０１のエッジ部の電界で制御された液晶５１２１の配向とが競合してしまう。

図５１（Ｂ）は補助スリットによる配向制御を示す。画素電極５１１３にはスリット５１１１が設けられる。さらに、補助スリット５１１２が画素電極５１１３のエッジ部の近傍に設けられる。画素電極５１１３のエッジ部による配向とスリット５１１１による配向との競合を防止し、液晶分子の配向方向を揃えることができる。

（３）微細パターン（土手、スリット）による配向制御
図５２（Ａ）は微細スリットによる配向制御を示す。画素電極５２０１は微細スリットを持つ。電界５２０２は、微細スリットの形状に応じて形成される。液晶分子５２０３は、電界５２０２に応じて配向する。図５２（Ｂ）に示すように、画素電極５２１１及び５２１３の間にスリット５２１２を設け、さらに土手５２１４を設ける。液晶分子５２２１は、画素電極５２１３のスリット５２１２近傍に発生する電界により、電圧印加時の配向方向が制御される。液晶分子５２２３は土手５２１４により配向制御される。画素電極５２１３に図５２（Ａ）の微細スリットを形成すれば、液晶分子５２２１及び５２２３の間の液晶分子５２２２をも配向制御することができる。

（４）田の字パターンによる配向制御
図５３は田の字パターン（十字パターン）による配向制御を示す。画素電極５３０３はＴＦＴ基板に設けられる。十字パターンの土手５３０１及び５３０２は対向基板に設けられる。土手５３０１及び５３０２により４つの領域が形成され、各領域の液晶分子５３１１〜５３１４を異なる方向に配向させることができる。

上記の（１）〜（４）の配向制御にはそれぞれ特徴が有り、用途により使い分けることが望ましい。しかし、例えば、（１）による制御では、土手及びスリットを多数配置する必要が有り、また、図１４では画素電極１４０４の左上及び左下コーナー部のように画素エッジのすぐ内側にスリットが来るレイアウトとなる場合が有る。画素エッジは、スリットと等価のため左上及び左下コーナーではスリットの制御が隣接して相互に影響することになる。画素コーナーに不安定ドメインが発生し、これにより輝度が低下していた。

（１）〜（４）の内の１種類の制御のみで画素内全域の配向を完壁に制御することは難しい。特にこの問題は、
ａ）高輝度化（透過率アップ）
ｂ）高精細化
ｃ）高速応答化
を行う場合などには、重大な問題となってくる。

（１）〜（４）の制御手段を夫々単独で使うよりも、画素の要所要所に適した制御手段を複合的に組み合わせた方が効果が大きい。
図５４は、第１の構成例を示す。データライン５４０１及びゲートライン５４０２に対応して画素電極が設けられる。先ず、第一に画素コーナー部に微細スリット５４１６をレイアウトし、コーナー部でのレイアウトを容易にしている。図５４では画素内に２本の直線の土手５４１１，５４１７をレイアウトし、そこから画素コーナーに向かって微細スリット５４１６を伸ばすだけでよい。レイアウトが簡単なだけでなく、不安定ドメインも形成されず、透過率がアップする。その他、スリット５４１２、微細スリット５４１５、補助スリット５４１４、補助土手５４１３により、配向制御する。なお、土手及び補助土手は対向基板に設けられ、データライン、ゲートライン、画素電極、電極スリットはＴＦＴ基板に設けられる。

この構成によれば、（１）の単独の技術に比べ、透過率は１〜２割改善される。画素内には液晶の配向方位を９０度以下の範囲で変化させた方が良い箇所と９０〜１８０度の範囲で変化させた方が良い箇所が存在する。例えば（１）の土手による制御は、１８０度配向方位を変えるのに適した制御手段であるが、それを９０度変形が要求される箇所に適用しても理想的な制御は難しい。

（１）は１８０度
（２）、（４）は９０度
（３）は付ける角度により、どちらにも対応できる。

図５４をより詳細に説明する。画素右上右下コーナーに微細スリット５４１６を延長し、コーナー形状に合わせた。メインスリット５４１２に直交する向きに（３）微細スリット５４１５を設け制御性を高めている。また、画素エッジ部の微細スリット５４１５を部分的に深くして（２）補助微細スリット５４１４とし、異常ドメインの発生を抑えた。もちろん（１）ＭＶＡの基本となる土手５４１１，５４１７も設けて有り、適材適所に（１）〜（３）の技術をレイアウトしている。（１）ＭＶＡの基本となる土手とスリットのみによる制御に比べ透過率が約１．１５倍に改善した。

図５５に第２の構成例を示す。ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極５５１２、補助微細電極スリット５５１３が設けられる。対向基板には、土手５５１１が設けられる。第２の構成例では第１の構成例よりも更に積極的に（３）の技術を利用し、微細スリット５５１３を、画素コーナーと画素中央の配向方位が９０°変形する箇所の形状に合わせて設けた。この場合ドメイン数が４つのみとなり配向分割部での透過率ロスも最小限に抑えることができる。透過率は第１の構成例よりも更に１．０９倍改善した。

図５６に第３の構成例を示す。ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極５６１２、補助微細電極スリット５６１３が設けられる。対向基板には、土手５６１１が設けられる。第３の構成例も第２の構成例と同じくドメイン数が４つの構成である。基本的には第２の構成例と類似しているが、土手５６１１をＴ字型（（２）と（４）の制御）に配置している点と画素中央にメインスリット５６１４を斜めに設けた点が異なる。第３の構成例では（１）〜（４）の制御方法全てを含む。透過率は第１の構成例に比べ１．１２倍改善した。

図５７に第４の構成例を示す。ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極５７１２、補助微細電極スリット５７１３が設けられる。対向基板には、土手５７１１が設けられる。第３の構成例と似ているが土手５７１１の付き方が異なる。透過率は第１の構成例に比べ約１割の改善であった。

図５８〜６０に第５の構成例を示す。図５８では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極５８１１、コンタクト領域５８１２が設けられる。図５９では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極５９１１、コンタクト領域５９１２が設けられ、対向基板には土手５９１３が設けられる。図６０では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極６０１１、コンタクト領域６０１２が設けられ、対向基板には土手６０１３が設けられる。第５の構成例では、微細電極が画素の中央の十字パターンで連結する形で繋がっている。どれも（２）〜（４）の制御を複合的に組み合せたレイアウトとなっている。透過率は第１の構成例に比べ概ね２割改善した。

図６１及び図６２に第６の構成例を示す。図６１では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極６１１１が設けられ、対向基板には土手６１１２が設けられる。図６２では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極６２１１が設けられ、対向基板には土手６２１２が設けられる。第６の構成例は、第５の構成例と類似しているが微細電極の接続方法が異なり、画素中央の直線パターンで連結する。透過率は第５の構成例と同様で第１の構成例に比べ約２割改善した。第２〜第６の構成例は全てドメイン数が４つの構成で有り、特に高精細に適用した場合により有利になる。

図６３〜６６に第７の構成例を示す。図６３では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極６３１１が設けられ、対向基板には土手６３１２が設けられる。図６４では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極６４１１が設けられ、対向基板には土手６４１２が設けられる。図６５では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極６５１１が設けられる。図６６では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極６６１１が設けられ、対向基板には土手６６１２が設けられる。第７の構成例は、全て分割ドメイン数は６個となる。これらは比較的画素が大きい場合に向いている（第２〜第６の構成例が大きい画素に対応できないという意味では無い）。大きい画素で分割数を少なくすると、１つの分割領域の面積が大きくなり、１つの制御要素でカバーしなければならない領域が広くなるからである。第７の構成例でも透過率は、第１の構成例に比べ概ね１割改善した。

図６７及び図６８に第８の構成例を示す。図６７では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極６７１１、微細スリット６７１２が設けられ、対向基板には土手６７１３が設けられる。図６８では、ＴＦＴ基板には、データライン５５０１、ゲートライン５５０２、画素電極６８１１、土手６８１３が設けられ、対向基板には土手６８１２が設けられる。第８の構成例は、第１の構成例の改良版である６ドメインの構成である。第１の構成例よりも画素内にある土手面積が少ない分透過率は高くなる。第１の構成例に比べ約０．５割改善した。

第９の構成例は他の構成例とは多少異なる発想を取り入れている。第９の構成例では、図６７は１つの画素のみを記した図であるが、この隣の画素はパターンを左右反転させてレイアウトする（必ずしも隣接画素が逆である必要は無く近接した画素で反転していれば良い）。２画素１セットで４方向ドメインが得られる。透過率は第１の構成例に対し１割程度の改善であった。

図６９に第１０の構成例を示す。土手６９０１は対向基板（上基板）に設けられ、土手６９０２はＴＦＴ基板（下基板）に設けられる。配向方向が９０°変化する領域で土手のパターンを上下基板で入れ替える。こうすることで液晶方位の変化が無理無く行え、安定した配向が得られる。本パターンを第１の構成例の画素中央に適用した結果、透過率が約０．５割改善した。

以上の構成例は、ほんの一例に過ぎず、基本的に（１）〜（４）の制御を適材適所に組合せれば上記のような透過率改善効果が期待できる（もちろん誤った組み合わせを行えば効果が落ちる）。また、当然ではあるが、液晶中に混入したモノマーを重合させてポリマー化させる方法により更に配向を安定化し、応答速度を速めることも可能である。更に、λ／４板と組み合わせて透過率を更に高めることが可能である。

本実施形態によれば、図５０（Ａ）に示すように、２枚の基板５００１，５００３は、基板表面に垂直配向処理が施されており、電圧無印加で液晶層５００２が垂直配向する。図５０（Ｂ）に示すように、液晶層５００２は、基板間に挟持され、電圧印加による電界５０２１に対して液晶分子が垂直方向に向くネガ型液晶層である。ドメイン規制手段は、電圧を印加した時に液晶の配向が斜めになる方向が、各画素内において複数の液晶ドメインの方向になるように規制し、第１及び第２のドメイン規制手段を含む。第１の規制手段は、画素あるいはその周辺領域に部分的に備え、部分的に設けたドメイン規制手段の中心を挟んで液晶の配向方向を９０〜１８０度の範囲で異ならせる。第２のドメイン規制手段は、液晶の配向方向を０〜９０度の範囲で異ならせる。第１及び第２のドメイン規制手段は、画素内に形成されるドメイン数が４〜１２個となるように液晶ドメインを規制することが好ましい。

第１のドメイン規制手段は、液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる向きに伸びた誘電体突起（土手）５２１４（図５２（Ｂ））、液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる向きに伸びた電極スリット５２１３，５２１２（図５２（Ｂ））、液晶ドメインの向きに細長く、液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる向きに周期的に繰り返した電極スリット５２０１（図５２（Ａ））、液晶ドメインの向きに細長く、及び液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる向きに周期的に繰り返した誘電体突起のいずれか又はこれらのうちの複数の組み合わせで構成される。

第２のドメイン規制手段は、液晶ドメインの向きと０〜４５度異なる向きに伸びた誘電体突起（土手）５３０１，５３０２（図５３）、又は液晶ドメインの向きと４５度異なる向きに伸びた電極スリットである。

なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。

本発明の実施形態は、例えば以下のように種々の適用が可能である。
（付記１）一対の基板と、
前記一対の基板の間に挟まれ、前記基板間の電圧無印加時に液晶分子が前記基板に対して垂直配向し、前記基板間の電圧の印加によって前記基板に略平行となるように液晶分子が複数の方位に倒れる液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記液晶層は、前記電圧印加時、画面右方位を０度としたときに反時計周りに角度を定義して、０〜１８０度方位に液晶分子が傾く領域の割合と、１８０〜３６０度方位に液晶分子が傾く領域の割合とが異なる液晶表示装置。
（付記２）前記液晶層は、前記電圧印加時、画面右方位を０度としたときに反時計周りに角度を定義して、４５度、１３５度方位に液晶分子が傾く領域の割合と、２２５度、３１５度方位に液晶分子が傾く領域の割合とが異なる付記１記載の液晶表示装置。
（付記３）前記液晶層は、前記４５度、１３５度方位に液晶分子が傾く領域の割合が全体の４割以下である付記２記載の液晶表示装置。
（付記４）さらに、前記一対の基板のうちの少なくともいずれか一方の基板に設けられ、幅が１０μｍ以下、間隙が１０μｍ以下のすのこ状の画素電極を有し、
前記液晶層は、前記画素電極により液晶分子の配向方位が規制されて４方向に液晶分子が傾く付記２記載の液晶表示装置。
（付記５）さらに、ゲート、ソース、ドレインを含む薄膜トランジスタを有し、
前記画素電極は、前記薄膜トランジスタのドレインに接続するためのコンタクト領域を有し、前記複数のすのこのうちの少なくとも一部と前記コンタクト領域との間にスリットが設けられる付記１記載の液晶表示装置。
（付記６）第１及び第２の基板と、
前記第１の基板に設けられ、幅が１０μｍ以下、間隙が１０μｍ以下のすのこ状の画素電極と、
前記第１及び第２の基板の間に挟まれ、前記画素電極により配向方位が規制され、画面の上下２方向に液晶分子が傾く方向が分割される液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記画素電極は、自己のすのこ状画素電極の間隙と隣接する画素電極との間における間隙とが同一である液晶表示装置。
（付記７）さらに、前記第１の基板において前記画素電極に接続される薄膜トランジスタと、
前記第１の基板に形成されるカラーフィルタ層とを有する付記６記載の液晶表示装置。
（付記８）第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板の間に挟まれ、前記第１及び第２の基板間の電圧無印加状態にて液晶分子が前記第１及び第２の基板に対して垂直配向する液晶層と、
前記第１の基板に設けられ、ゲート、ソース及びドレインを含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲートに接続されるゲートラインと、
前記薄膜トランジスタのソースに接続されるデータラインと、
前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、櫛歯状あるいはスリット状の画素電極であって、該櫛歯の方向が前記ゲートライン近傍では該ゲートラインに向かって伸びており、前記データライン近傍では該データラインに向かって伸びている画素電極とを有する液晶表示装置。
（付記９）さらに、画素の中央の左右方向に延びる補助容量形成用電極ラインを有し、
前記画素電極は、前記補助容量形成用電極ラインを境にして上下に分かれて形成され、前記補助容量形成用電極ライン近傍では該補助容量形成用電極ラインに重なる付記８記載の液晶表示装置。
（付記１０）前記画素電極は、画素の中央に背骨状に上下方向に電極が形成されていて、前記ゲートラインに向かう櫛歯状の電極と前記データラインに向かう櫛歯状の電極とに繋がる電極部が該背骨状の電極から四方に伸びてＹ字の腕状になる付記８記載の液晶表示装置。
（付記１１）前記画素電極は、櫛歯の方向が前記補助容量形成用電極ライン近傍では該補助容量形成用電極ラインに向かって伸びる付記９記載の液晶表示装置。
（付記１２）前記画素電極は、前記ゲートラインに向かって伸びている櫛歯状の電極の伸びる方向として、前記データライン近傍では該データラインに向かって傾いて伸びている付記８記載の液晶表示装置。
（付記１３）前記画素電極は、前記データラインに向かって伸びている櫛歯状の電極の伸びる方向として、前記ゲートライン近傍では該ゲートラインに向かって傾いて伸びている付記８記載の液晶表示装置。
（付記１４）前記画素電極は、櫛歯の形状として、歯の先端部分がより狭くあるいは細くなっている付記８記載の液晶表示装置。
（付記１５）前記画素電極は、前記補助容量形成用電極ラインを跨いで前記薄膜トランジスタのドレインからの電圧を伝達するために設けられている電極が、前記補助容量形成用電極ライン近傍で該補助容量形成用電極ラインに重なるように同じ方向に伸びている付記８記載の液晶表示装置。
（付記１６）さらに、前記液晶層を挟んだ前記第１及び第２の基板を挟む一対の直交する１／４波長板を有する付記８記載の液晶表示装置。
（付記１７）互いに吸収軸が直交する一対の偏光層と、
前記一対の偏光層に挟まれる１／２波長の位相差を有する１／２波長板と、
前記一対の偏光層に挟まれ、液晶分子が垂直配向し得る液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記１／２波長板は、
１／２波長の位相差を有するフィルムが積層されていてそのフィルム面に垂直な方向の位相差（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ（フィルム面に垂直な方位の屈折率をｎｚ、フィルムの光軸に平行な方向の屈折率をｎｘ、フィルムの光軸に垂直なフィルム面内方向の屈折率をｎｙ、フィルムの膜厚をｄとする）が０あるいは±２０ｎｍ以下であり、フィルムの光軸は近接する前記偏光層の吸収軸に平行あるいは垂直であり、
又は、１／２波長の位相差を有するフィルムが二枚積層されていて、そのフィルム面に垂直な方位の屈折率をｎｚ、フィルムの光軸に平行な方向の屈折率をｎｘ、フィルムの光軸に垂直なフィルム面内方向の屈折率をｎｙとして、二枚のフィルムの（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）の値がそれぞれ０．５以下と０．５以上とであり、二枚のフィルムの光軸は平行であり、近接する前記偏光層の吸収軸に平行あるいは垂直である液晶表示装置。
（付記１８）前記１／２波長板は、位相差（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄが±１０ｎｍ以下であり、又は前記二枚のフィルムの（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）の値の和が略１である付記１７記載の液晶表示装置。
（付記１９）さらに、前記垂直配向している液晶層のΔｎ×ｄ（Δｎはｎ//−ｎ⊥であり、ｎ//は液晶分子の長手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手方向に対して垂直方向の屈折率であり、ｄは厚さである）と同一の大きさの負の位相差を有するフィルムが前記液晶層に近接して設けられている付記１７記載の液晶表示装置。
（付記２０）さらに、前記液晶層と前記フィルムとを挟むように、負の位相差が０あるいは±１０ｎｍ以下の一対の１／４波長板を有し、
前記一対の１／４波長板の光軸は互いに直交しており、且つ、前記一対の偏光層の吸収軸と４５度の角度をなす付記１９記載の液晶表示装置。
（付記２１）前記光入射側の偏光層の吸収軸の方位が、画面右側を０度として、０度、４５度、９０度、１３５度のいずれかに設定されている付記２０記載の液晶表示装置。
（付記２２）前記光入射側の偏光層、前記光出射側の偏光層、前記１／４波長板、前記１／２波長板の光軸の関係は前記の関係を保ちつつ、コントラストが最大となる方位が上下左右方位となるように、前記偏光層の吸収軸の方位を調整してなる付記２０記載の液晶表示装置。
（付記２３）第１及び第２の偏光板と、
前記第１及び第２の偏光板に挟まれ、液晶分子が垂直配向しうる液晶層と、
前記第１及び第２の偏光板に挟まれる面内に位相差のある位相差フィルムであって、近接する偏光板の吸収軸にその光軸が垂直になるように設けられ、その屈折率はｎｘ＞ｎｚ＞＝ｎｙ（ｎｘは光軸方向の屈折率、ｎｙはｎｘに垂直な面内方向の屈折率、ｎｚは面に鉛直な方向の屈折率）の関係にある位相差フィルムとを有する液晶表示装置。
（付記２４）前記第１の偏光板は、厚みが１００ミクロン以上の保護フィルムを表面に設けている付記２３記載の液晶表示装置。
（付記２５）前記位相差フィルムは、面内位相差（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ｄは厚さ）が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下（好ましくは４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下）である付記２３記載の液晶表示装置。
（付記２６）前記液晶層は、液晶分子が垂直配向した時の位相差ＲＬＣ＝（ｎ//−ｎ⊥）×ｄ（ｎ//は液晶分子の長手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手方向に対して垂直方向の屈折率であり、ｄは厚さである）を有し、
前記第１の偏光板の保護フィルムの負の位相差、前記位相差フィルムの負の位相差、及びその他負の位相差を有する層を付与した場合にはその負の位相差の和をＲｎｅｇａｔｏｔａｌとする時、
２０ｎｍ ＜ ＲＬＣ−Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ ＜ １５０ｎｍ
の関係を有する付記２３記載の液晶表示装置。
（付記２７）第１及び第２の偏光板と、
前記第１及び第２の偏光板に挟まれ、液晶分子が垂直配向しうる液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記第１の偏光板は、面内位相差を有する保護フィルム及び偏光層を含み、前記保護フィルムの光軸が前記偏光層の吸収軸に対して垂直又は平行になるように設けられる液晶表示装置。
（付記２８）前記保護フィルムの面内位相差（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ｎｘは光軸方向の屈折率、ｎｙはｎｘに垂直な面内方向の屈折率、ｄは厚さ）が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下（好ましくは４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下）、前記保護フィルムが２枚のときは２枚の面内位相差の和が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下（好ましくは４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下）に設定してなる付記２７記載の液晶表示装置。
（付記２９）前記液晶層は、液晶分子が垂直配向した時の位相差ＲＬＣ＝（ｎ//−ｎ⊥）×ｄ（ｎ//は液晶分子の長手方向の屈折率であり、ｎ⊥は液晶分子の長手方向に対して垂直方向の屈折率であり、ｄは厚さである）を有し、
前記保護フィルムの負の位相差及びその他負の位相差を有する層を付与した場合にはその負の位相差の和をＲｎｅｇａｔｏｔａｌとする時、
２０ｎｍ ＜ ＲＬＣ−Ｒｎｅｇａｔｏｔａｌ ＜ １５０ｎｍ
の関係を有する付記２７記載の液晶表示装置。
（付記３０）コレステリック液晶層と、
１／４波長板と、
光を供給するバックライトと、
液晶分子が配向可能な液晶パネルとを有する液晶表示装置であって、
前記コレステリック液晶層及び前記１／４波長板は、前記バックライト及び前記液晶パネルの間に挟まれ、前記液晶パネルの液晶分子の配向方向と前記１／４波長板の光軸とが直交している液晶表示装置。
（付記３１）前記液晶パネルは、液晶分子の配向が電圧無印加状態にて垂直配向であり、電圧の印加により一方位に傾く付記３０記載の液晶表示装置。
（付記３２）前記液晶パネルは、液晶分子の配向が電圧無印加状態にて垂直配向であり、電圧の印加により互いに１８０度異なる２方位に分かれて傾く付記３０記載の液晶表示装置。
（付記３３）前記１／４波長板と前記液晶パネルとの間に散乱層が形成されている付記３０記載の液晶表示装置。
（付記３４）前記液晶パネルは、液晶分子の配向が電圧の無印加状態にて水平配向であり、その配向方位と前記１／４波長板の光軸とが垂直である付記３０記載の液晶表示装置。
（付記３５）前記液晶パネルは、液晶分子の配向が電圧の印加状態にて水平配向であり、その配向方位と前記１／４波長板の光軸とが垂直である付記３０記載の液晶表示装置。
（付記３６）一対の基板の間に液晶が封入された液晶パネルと、
吸収軸が互いに直交するように前記液晶パネルの両側に配置された一対の偏光素子と、
前記液晶パネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の表面に、突起、窪み、または電極に設けたスリットのいずれか、またはそれらの組み合わせの周期的パターンを含み、前記液晶パネル内の液晶分子の配向を規制するドメイン規制手段とを有する液晶表示装置であって、
前記周期的に配置されたドメイン規制手段による液晶分子の配向方向が、前記偏光素子の吸収軸に対して４５度をなす方向とそれ以外の方向とを含み、電圧無印加時には、液晶分子が基板に対してほぼ垂直に配向しており、電圧印加時には、ドメイン規制手段により液晶分子が斜めになる方向が各画素内において複数の方向になるように規制される液晶表示装置。
（付記３７）前記周期的に配置されたドメイン規制手段による液晶分子の配向方向が、前記偏光素子の吸収軸に対して４５度をなす４つの方向とそれ以外の方向とを含む付記３６記載の液晶表示装置。
（付記３８）前記液晶パネルは、前記周期的に配置されたドメイン規制手段による液晶分子の配向方向が連続的に変化する領域を含む付記３６記載の液晶表示装置。
（付記３９）前記周期的に配置されたドメイン規制手段が、放射線状に配置された領域を含む付記３６記載の液晶表示装置。
（付記４０）前記周期的に配置されたドメイン規制手段が、同心円状に配置された領域を含む付記３６記載の液晶表示装置。
（付記４１）前記液晶パネルは、液晶材料中にカイラル剤が添加されている付記３６記載の液晶表示装置。
（付記４２）さらに、前記一対の偏光素子の間において前記液晶パネルを挟むように設けられる一対の１／４波長板を有する付記３６記載の液晶表示装置。
（付記４３）基板表面に垂直配向処理を施した２枚の基板と、
前記基板間に挟持されるネガ型液晶と、
各画素内において複数の液晶ドメインの方向になるように規制するドメイン規制手段であって、画素あるいはその周辺領域に部分的に備え、前記部分的に設けたドメイン規制手段の中心を挟んで前記液晶の配向方向を９０〜１８０度の範囲で異ならせる第１のドメイン規制手段と、前記液晶の配向方向を０〜９０度の範囲で異ならせる第２のドメイン規制手段とを含むドメイン規制手段とを有する液晶表示装置。
（付記４４）前記第１のドメイン規制手段は、前記液晶ドメインの向きと直交する向きに伸びた誘電体突起である付記４３記載の液晶表示装置。
（付記４５）前記第１のドメイン規制手段は、前記液晶ドメインの向きと直交する向きに伸びた電極スリットである付記４３記載の液晶表示装置。
（付記４６）前記第１のドメイン規制手段は、前記液晶ドメインの向きに細長く、前記液晶ドメインの向きに直交する向きに周期的に繰り返した誘電体突起である付記４３記載の液晶表示装置。
（付記４７）前記第１のドメイン規制手段は、前記液晶ドメインの向きに細長く、前記液晶ドメインの向きに直交する向きに周期的に繰り返した電極スリットである付記４３記載の液晶表示装置。
（付記４８）前記第１のドメイン規制手段は、前記液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる向きに伸びた誘電体突起、前記液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる向きに伸びた電極スリット、前記液晶ドメインの向きに細長く、前記液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる向きに周期的に繰り返した誘電体突起、及び前記液晶ドメインの向きに細長く、前記液晶ドメインの向きと４５〜９０度異なる向きに周期的に繰り返した電極スリットのうちの複数の組み合わせで構成される付記４３記載の液晶表示装置。
（付記４９）前記第２のドメイン規制手段は、前記液晶ドメインの向きと０〜４５度異なる向きに伸びた誘電体突起である付記４３記載の液晶表示装置。
（付記５０）前記第２のドメイン規制手段は、前記液晶ドメインの向きと０〜４５度異なる向きに伸びた電極スリットである付記４３記載の液晶表示装置。

図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第１の実施形態による画素電極のパターンを示す図である。 ＭＶＡ型液晶表示装置の基本構成を示す斜視図である。 ＭＶＡ型液晶表示装置の白黒コントラストの視角特性を示す図である。 図４（Ａ）〜（Ｃ）は、表示面の白っ茶け現象が生じる理由及び原理を説明するための図である。 図５（Ａ）、（Ｂ）は、透過光量−印加電圧の特性を示す図である。 図６（Ａ）、（Ｂ）は、画素電極のパターンを示す図である。 画素電極と補助容量を接続するためのコンタクト領域を示す図である。 図８（Ａ）、（Ｂ）は、液晶表示装置の基本的構成を示す図である。 画素電極とＴＦＴを接続するためのコンタクト領域を示す図である。 ＴＦＴの断面図である。 液晶表示装置の断面図である。 図１２（Ａ）は液晶表示装置の平面図、図１２（Ｂ）は液晶表示装置の断面図である。 図１３（Ａ）、（Ｃ）は画素電極のパターンを示す図、図１３（Ｂ）はＴＦＴ基板の断面図である。 ４分割配向のＭＶＡ型液晶表示装置を示す図である。 対向基板にＹ字状のスリットを設けて液晶分子を配向させる技術を示す図である。 本発明の第２の実施形態による液晶表示装置を示す図である。 図１７（Ａ）、（Ｂ）は、微細なスリットを設けた時の液晶分子の倒れる原理構成を示す図である。 画素電極のＹ字の開き角を変えた例を説明するための図である。 図１９（Ａ）〜（Ｃ）は、微細なスリットの形の変形例を説明するための図である。 図２０（Ａ）、（Ｂ）は、画素電極が先細りの形状を持つ場合を効果を説明するための図である。 図２１（Ａ）、（Ｂ）は、Ｃｓラインからの斜め電界を活用する液晶表示装置の平面図及び断面図である。 他の液晶表示装置の平面図である。 図２３（Ａ）は電極を斜めに形成する構成を示す図、図２３（Ｂ）はＣｓラインからの斜め電界を活用する構成を示す図である。 λ／４板を適用する場合の液晶表示装置を示す図である。 図２５（Ａ）は液晶表示装置の平面図、図２５（Ｂ）はλ／４板を適用しない場合の透過光量分布を示す図、図２５（Ｃ）はλ／４板を適用した場合の透過光量分布を示す図である。 広視野角実現のためのフィルム構成を示す図である。 高輝度を実現するためのフィルム構成を示す図である。 図２８（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第３の実施形態によるフィルム構成及び特性を示す図である。 図２９（Ａ）、（Ｂ）は本実施形態によるフィルム構成及び特性を示す図である。 図３０（Ａ）、（Ｂ）は本実施形態によるフィルム構成及び特性を示す図である。 図３１（Ａ）、（Ｂ）は本実施形態によるフィルム構成及び特性を示す図である。 視角特性を示す図である。 フィルム構成を示す図である。 本発明の第４の実施形態によるフィルム構成を示す図である。 他のフィルム構成を示す図である。 他のフィルム構成を示す図である。 ２分割配向の液晶表示装置を示す図である。 図３８（Ａ）〜（Ｃ）は二分割配向の問題点を示す図である。 本発明の第５の実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。 図４０（Ａ）、（Ｂ）はλ／４板を説明するための図である。 図４１（Ａ）、（Ｂ）は本実施形態の液晶表示装置の断面図である。 フィルムに散乱層を付与した構成を示す図である。 正面で白表示となっているディスプレイを斜め方位から観察した時の色付きの測定結果を示す図である。 図４４（Ａ）、（Ｂ）はＩＰＳ型液晶表示装置を示す図である。 図４５（Ａ）、（Ｂ）はＭＶＡ型液晶表示装置の電極構成を示す図である。 図４６（Ａ）〜（Ｄ）は液晶分子の配向を示す図である。 ４ドメインの電極構成を示す図である。 フィルム構成を示す図である。 図４９（Ａ）〜（Ｃ）は画素電極の構成を示す図である。 図５０（Ａ）〜（Ｄ）は土手及びスリットによる配向制御を示す図である。 図５１（Ａ）〜（Ｃ）は補助土手及び補助スリットによる配向制御を示す図である。 図５２（Ａ）、（Ｂ）は微細スリットによる配向制御を示す図である。 十字パターンの土手による配向制御を示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 液晶表示装置のレイアウトを示す図である。 土手のレイアウトを示す図である。

符号の説明

１０１，１０２ 配向領域
１０３ 画素領域
１１１ 画素電極
１１２ コンタクト領域
１１３ データライン
１１４ ゲートライン
１２１，１２２ 配向領域
１２３ 画素電極
１３１，１３２ 配向領域
１３３ 画素領域
１４１〜１４４ 配向領域
２０１ ＴＦＴ基板
２０２ 対向基板
２０３，２０４ 土手

Claims (3)

1. 一対の基板の間に液晶が封入された液晶パネルと、
   吸収軸が互いに直交するように前記液晶パネルの両側に配置された一対の偏光素子と、
   前記液晶パネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の表面に、突起、窪み、または電極に設けたスリットのいずれか、またはそれらの組み合わせの周期的パターンを含み、前記液晶パネル内の液晶分子の配向を規制するドメイン規制手段とを有する液晶表示装置であって、
   前記周期的に配置されたドメイン規制手段による液晶分子の配向方向が、前記偏光素子の吸収軸に対して４５度をなす方向とそれ以外の方向とを含み、電圧無印加時には、液晶分子が基板に対してほぼ垂直に配向しており、電圧印加時には、ドメイン規制手段により液晶分子が斜めになる方向が各画素内において複数の方向になるように規制される液晶表示装置。
2. 前記液晶パネルは、液晶材料中にカイラル剤が添加されている請求項１記載の液晶表示装置。
3. さらに、前記一対の偏光素子の間において前記液晶パネルを挟むように設けられる一対の１／４波長板を有する請求項１記載の液晶表示装置。

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