JP2007244100A - Snubber module - Google Patents

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Kazuyuki Aoki
和幸 青木
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a snubber module that is small, that is light in weight, that makes the replacement of a snubber capacitor easy, and that is excellent in the snubber effect. <P>SOLUTION: In the snubber module structured by combining a plurality of snubber diodes connected in the bridge configuration with the snubber capacitor 3, the snubber diodes consists of a cathode-common diode portion 1, in which the cathodes of a first pair of the diodes are connected to each other, and an anode-common diode portion 2, in which the anodes of a second pair of the diodes are connected to each other. One ends of the cathode-common diode portion 1 and the anode-common diode portion 2 are connected to a first lead-out electrode member, while the other ends to the second lead-out electrode member so that both portions are connected in parallel to each other. The snubber capacitor is connected between the cathode of the cathode-common diode portion and the anode of the anode-common diode portion. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、スナバモジュール、特に互いに逆方向に並列接続されたIGBT又はFETなどからなる双方向性半導体スイッチ、あるいはその双方向性半導体スイッチを複数接続してなるマトリクスコンバータをサージ電圧から保護するのに適したスナバモジュールに関する。   The present invention protects a snubber module, particularly a bidirectional semiconductor switch made of IGBTs or FETs connected in parallel in opposite directions, or a matrix converter made by connecting a plurality of bidirectional semiconductor switches, from surge voltage. It is related with the snubber module suitable for.

インバータ回路などにあっては、IGBT又はFETなどの半導体スイッチをブリッジなど所定の回路構成に接続し、それら半導体スイッチをパルス幅制御することによって、直流電力を交流電力に変換している。このような半導体スイッチのスイッチング時、特に半導体スイッチのターンオフ時には、フィルタの平滑用チョークコイルのインダクタンス又は回路に含まれるインダクタンス成分に蓄えられたエネルギーを継続して流そうとするために、半導体スイッチの両端に過渡的に大きな電圧が発生するので、前記エネルギーを半導体スイッチからバイパスすることによって、過渡的な大きな電圧が発生するのを抑制するスナバ回路が前記半導体スイッチに並列に設けられる場合が多い。インバータ回路のようなDC−ACコンバータにあっては、半導体スイッチに一方向の電流が流れるだけであるので、スナバ回路としてはコンデンサ、あるいはコンデンサと抵抗、又はコンデンサと抵抗とコンデンサとを組み合わせた回路など種々のスナバ回路が提案されている。   In an inverter circuit or the like, DC power is converted into AC power by connecting semiconductor switches such as IGBTs or FETs to a predetermined circuit configuration such as a bridge and controlling the pulse width of these semiconductor switches. When such a semiconductor switch is switched, particularly when the semiconductor switch is turned off, in order to continuously flow the energy stored in the inductance of the smoothing choke coil of the filter or the inductance component included in the circuit, Since a transiently large voltage is generated at both ends, a snubber circuit that suppresses the generation of a transiently large voltage by bypassing the energy from the semiconductor switch is often provided in parallel with the semiconductor switch. In a DC-AC converter such as an inverter circuit, only a one-way current flows through a semiconductor switch. Therefore, a snubber circuit is a capacitor, or a circuit combining a capacitor and a resistor, or a capacitor, a resistor and a capacitor. Various snubber circuits have been proposed.

しかしながら、双方向性半導体スイッチ又はマトリクスコンバータなどの双方向性コンバータにあっては、電流が双方向に流れるために双方向性半導体スイッチに並列にコンデンサを接続、あるいは双方向性コンバータの各相間にコンデンサを接続してスナバ回路としている場合が多い。そのような中で、マトリクスコンバータの有効的なスナバ回路として、マトリクスコンバータの入力端子側に複数のスナバ用ダイオードをブリッジ接続してなるダイオード回路を接続すると共に、出力端子側に複数のスナバ用ダイオードをブリッジ接続した別のダイオード回路を接続し、さらにそのダイオード回路の出力端子間にスナバ用コンデンサを接続してなるスナバ回路が提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。
特開2003−333826公報 特開2004−096974公報
However, in a bidirectional converter such as a bidirectional semiconductor switch or a matrix converter, a capacitor is connected in parallel to the bidirectional semiconductor switch because current flows in both directions, or between each phase of the bidirectional converter. In many cases, a snubber circuit is formed by connecting a capacitor. Under such circumstances, as an effective snubber circuit of the matrix converter, a diode circuit formed by bridge-connecting a plurality of snubber diodes is connected to the input terminal side of the matrix converter, and a plurality of snubber diodes are connected to the output terminal side. There is proposed a snubber circuit in which another diode circuit that is bridge-connected is connected and a snubber capacitor is connected between the output terminals of the diode circuit (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
JP 2003-333826 A JP 2004-096974 A

前掲特許文献1で開示されたスナバモジュールにあっては、ディスクリートのダイオード部品で構成されているために小型化が難しく、また、それらダイオード部品間を接続している配線が長くなってしまうためにインダクタンスが大きくなってしまい、サージ電圧を抑制する効果が低くなることが知られている。前掲特許文献2で開示されたスナバモジュールは前掲特許文献1の欠点を除去できるが、複数のダイオード素子とコンデンサとそれらの間を接続している配線をすべて電気絶縁樹脂でモールドしているので、ダイオード素子の発熱が電気絶縁樹脂を介してコンデンサに伝達され、コンデンサの温度上昇の原因になっている。このことは容量のより大きなダイオード素子、コンデンサを用いねばならないことになり、スナバモジュールの大型化を招き、電気絶縁樹脂の使用量の増大と重量の増大とを招いている。また、コストアップの一因にもなっている。   In the snubber module disclosed in the above-mentioned Patent Document 1, since it is composed of discrete diode parts, it is difficult to reduce the size, and the wiring connecting the diode parts becomes long. It is known that the inductance is increased and the effect of suppressing the surge voltage is reduced. The snubber module disclosed in the above-mentioned Patent Document 2 can eliminate the drawbacks of the above-mentioned Patent Document 1, but a plurality of diode elements, capacitors, and wirings connecting them are all molded with an electrically insulating resin. The heat generated by the diode element is transmitted to the capacitor via the electrical insulating resin, causing the temperature of the capacitor to rise. This means that a diode element and a capacitor having a larger capacity must be used, leading to an increase in the size of the snubber module, leading to an increase in the amount of use of the electrically insulating resin and an increase in weight. It also contributes to an increase in cost.

したがって、本発明は前述の問題点を解決し、小型・軽量でスナバ用コンデンサの交換が容易なスナバモジュールを提案する。   Therefore, the present invention proposes a snubber module that solves the above-mentioned problems and is small and light and in which a snubber capacitor can be easily replaced.

第1の発明は、双方向の電流を開閉する双方向性半導体スイッチの両端に接続される複数のスナバ用ダイオードとスナバ用コンデンサとを組み合わせてなるスナバモジュールにおいて、前記スナバ用ダイオードは、第1の一対のダイオードのカソード同士が接続されているカソードコモンダイオード部と、第2の一対のダイオードのアノード同士が接続されているアノードコモンダイオード部とからなり、前記カソードコモンダイオード部は、前記第1の一対のダイオードのそれぞれのカソードがカソードコモン端子となる第1の金属ベース部材の一方の主面に接続されると共に、前記第1の金属ベース部材と対向する位置にそれぞれのアノード端子を有し、前記アノードコモンダイオード部は、前記第2の一対のダイオードのそれぞれのアノードがアノードコモン端子となる第2の金属ベース部材の一方の主面に接続されると共に、前記第2の金属ベース部材と対向する位置にそれぞれのカソード端子を有し、前記カソードコモンダイオード部の一方の前記アノード端子と前記アノードコモンダイオード部の一方の前記カソード端子とが、前記双方向性半導体スイッチの一端に接続される第1の引き出し電極部材で接続され、前記カソードコモンダイオード部の他方の前記アノード端子と前記アノードコモンダイオード部の他方の前記カソード端子とが、前記双方向性半導体スイッチの他端に接続される第2の引き出し電極部材で接続されることにより、前記カソードコモンダイオード部と前記アノードコモンダイオード部とが並列に接続されており、前記スナバ用コンデンサの双方の端子は、それぞれ前記第1の金属ベース部材の他方の主面と前記第2の金属ベース部材の他方の主面とに、直接的あるいは間接的に接続されていることを特徴とするスナバモジュールを提供するものである。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a snubber module in which a plurality of snubber diodes connected to both ends of a bidirectional semiconductor switch that opens and closes a bidirectional current and a snubber capacitor are combined. A cathode common diode portion in which the cathodes of a pair of diodes are connected to each other, and an anode common diode portion in which the anodes of a second pair of diodes are connected to each other. The cathodes of the pair of diodes are connected to one main surface of the first metal base member serving as a cathode common terminal, and each anode terminal is provided at a position facing the first metal base member. The anode common diode section includes respective anodes of the second pair of diodes. The cathode common diode portion is connected to one main surface of the second metal base member serving as an anode common terminal, and has a cathode terminal at a position facing the second metal base member. The one anode terminal of the anode and one cathode terminal of the anode common diode part are connected by a first lead electrode member connected to one end of the bidirectional semiconductor switch, and the other of the cathode common diode part The cathode common diode section is connected to the other cathode terminal of the anode common diode section by a second lead electrode member connected to the other end of the bidirectional semiconductor switch. And the anode common diode section are connected in parallel, and the snubber capacitor Each of the terminals is directly or indirectly connected to the other main surface of the first metal base member and the other main surface of the second metal base member. Provides a module.

第2の発明は、前記第1の発明において、前記第1の金属ベース部材と前記第2の金属ベース部材との前記他方の主面は、同一平面上にあることを特徴とするスナバモジュールを提供するものである。   According to a second aspect of the present invention, there is provided the snubber module according to the first aspect, wherein the other main surfaces of the first metal base member and the second metal base member are on the same plane. It is to provide.

第3の発明は、双方向の電流を開閉する双方向性半導体スイッチの両端に接続される複数のスナバ用ダイオードとスナバ用コンデンサとを組み合わせてなるスナバモジュールにおいて、前記スナバ用ダイオードは、一対のダイオードのカソード同士が接続されている第1、第2、第3のカソードコモンダイオード部と、一対のダイオードのアノード同士が接続されている第1、第2、第3のアノードコモンダイオード部とからなり、前記第1、第2、第3のカソードコモンダイオード部は、それぞれ、カソードコモン端子となる金属ベース部材と、それぞれの金属ベース部材と対向する位置に2つのアノード端子を有し、前記第1、第2、第3のアノードコモンダイオード部は、それぞれ、アノードコモン端子となる金属ベース部材と、それぞれの金属ベース部材と対向する位置に2つのカソード端子を有し、前記第1のカソードコモンダイオード部と前記第1のアノードコモンダイオード部、前記第2のカソードコモンダイオード部と前記第2のアノードコモンダイオード部、前記第3のカソードコモンダイオード部と前記第3のアノードコモンダイオード部が、それぞれ並列接続されるように、それぞれの一方のアノード端子と一方のカソード端子とが、他方のアノード端子と他方のカソード端子とが、それぞれ、第1の引き出し電極部材と第2の引き出し電極部材、第3の引き出し電極部材と第4の引き出し電極部材、第5の引き出し電極部材と第6の引き出し電極部材で接続され、前記第1、第2、第3のカソードコモンダイオード部のそれぞれの金属ベース部材は互いに第1の幅広導体に電気的にも機械的にも結合され、前記第1、第2、第3のアノードコモンダイオード部のそれぞれの金属ベース部材は互いに第2の幅広導体に電気的にも機械的にも結合され、前記スナバ用コンデンサは、前記第1の幅広導体と前記第2の幅広導体とに電気的にも機械的にも結合されることを特徴とするスナバモジュールを提供するものである。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a snubber module including a plurality of snubber diodes connected to both ends of a bidirectional semiconductor switch that opens and closes a bidirectional current and a snubber capacitor. From the first, second, and third cathode common diode portions where the cathodes of the diodes are connected, and the first, second, and third anode common diode portions where the anodes of the pair of diodes are connected The first, second, and third cathode common diode sections each have a metal base member that becomes a cathode common terminal, and two anode terminals at positions facing the respective metal base members. The first, second, and third anode common diode sections respectively include a metal base member that serves as an anode common terminal, Two cathode terminals at positions facing the metal base member, the first cathode common diode portion, the first anode common diode portion, the second cathode common diode portion, and the second anode The common diode part, the third cathode common diode part, and the third anode common diode part are connected in parallel to each other, and one anode terminal and one cathode terminal are connected to the other anode terminal. The other cathode terminal is a first lead electrode member and a second lead electrode member, a third lead electrode member and a fourth lead electrode member, a fifth lead electrode member and a sixth lead electrode member, respectively. The metal base members of the first, second, and third cathode common diode portions are connected to each other. The metal base members of the first, second, and third anode common diode portions are electrically and mechanically coupled to the second wide conductor. And the snubber capacitor is electrically and mechanically coupled to the first wide conductor and the second wide conductor to provide a snubber module. .

第4の発明は、前記第3の発明において、前記第1、第3、第5の引き出し電極部材と前記第2、第4、第6の引き出し電極部材は、それぞれ、三相交流電源と三相交流負荷との間に接続される9つの前記双方向性スイッチの内の3つの前記双方向性スイッチを1組とした3組共通の3つの入力端子、又は、各組で3つの出力端子を結合した3組それぞれの3つの出力端子のどちらかに接続されることを特徴とするスナバモジュールを提供するものである。   In a fourth aspect based on the third aspect, the first, third, and fifth lead electrode members and the second, fourth, and sixth lead electrode members are respectively a three-phase AC power source and a three-phase AC power source. Three input terminals that are common to three sets of the three bidirectional switches among the nine bidirectional switches connected to the phase AC load, or three output terminals in each set The snubber module is characterized in that it is connected to one of three output terminals of each of the three sets.

第5の発明は、前記第3の発明又は前記第4の発明において、前記第1、第2、第3のカソードコモンダイオード部、前記第1、第2、第3のアノードコモンダイオード部は、それらの金属ベース部材、及びアノード端子又はカソード端子が露出するようにそれぞれ電気絶縁材料でモールドされていることを特徴とするスナバモジュールを提供するものである。   In a fifth aspect based on the third aspect or the fourth aspect, the first, second, and third cathode common diode portions, and the first, second, and third anode common diode portions are: The present invention provides a snubber module characterized in that the metal base member and the anode terminal or the cathode terminal are respectively molded with an electrically insulating material so as to be exposed.

第6の発明は、前記第3の発明ないし前記第5の発明のいずれかにおいて、前記第1、第2、第3のカソードコモンダイオード部、前記第1、第2、第3のアノードコモンダイオード部は、それらの金属ベース部材、及びアノード端子又はカソード端子が露出するように、電気絶縁材料で一体的にモールドされていることを特徴とするスナバモジュールを提供するものである。   According to a sixth invention, in any one of the third invention to the fifth invention, the first, second and third cathode common diode sections, the first, second and third anode common diodes. The part provides a snubber module that is integrally molded with an electrically insulating material so that the metal base member and the anode terminal or the cathode terminal are exposed.

前記第1の発明又は前記第2の発明によれば、スナバ用ダイオードを金属ベース部材と引き出し電極部材との間に挟んで接着する構造であるので、配線インダクタンスを最小限にできると共に、スナバダイオードの放熱を極めて良好なものにできる。したがって双方向性半導体スイッチのいずれの方向のターンオフ時にも、双方向性半導体スイッチの両端に発生するサージ電圧を確実に制限することができるだけでなく、小型で経済性に優れたスナバモジュールを提供することができる。   According to the first invention or the second invention, since the snubber diode is sandwiched and bonded between the metal base member and the extraction electrode member, the wiring inductance can be minimized, and the snubber diode The heat dissipation can be made extremely good. Therefore, at the time of turning off the bidirectional semiconductor switch in any direction, not only can the surge voltage generated at both ends of the bidirectional semiconductor switch be surely limited, but also a small and economical snubber module is provided. be able to.

また、前記第3の発明ないし前記第6の発明によれば、配線を担うインダクタンスのより小さな部材を用いた簡単で経済的な構造のスナバモジュールでもって、マトリクスコンバータのいずれの方向の電流の開閉時にも、その両端に発生するサージ電圧を確実に制限することができる。また、第1、第2の幅広導体はカソードコモンダイオード部とカソードコモンダイオード部の放熱を良好なものにするだけでなく、スナバ用コンデンサやその放電回路を接続する端子も兼ねることができ、回路インダクタンスの低減とスナバモジュールの構造の簡単化に役立っている。   Further, according to the third to sixth inventions, the current can be opened and closed in any direction of the matrix converter with a snubber module having a simple and economical structure using a member having a smaller inductance for carrying the wiring. Sometimes, it is possible to reliably limit the surge voltage generated at both ends thereof. In addition, the first and second wide conductors can not only improve the heat dissipation of the cathode common diode part and the cathode common diode part, but can also serve as a terminal for connecting a snubber capacitor and its discharge circuit. This is useful for reducing inductance and simplifying the structure of the snubber module.

[実施形態1]
図1は本発明の実施形態1にかかるスナバモジュールの基本的な回路構成を示す図である。図2は実施形態1にかかるスナバモジュールの構造を説明するための図面である。図1において、スナバモジュール100は双方向性半導体スイッチQの両端に接続されている。双方向性半導体スイッチQは一般的なものであって、例えば2個のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)Q1、Q2を並列接続したものからなる。スナバモジュール100は、2個のダイオードD1とD2とのカソード同士を互いに接続してなるカソードコモンダイオード部1と、2個のダイオードD3とD4とのアノード同士を互いに接続してなるアノードコモンダイオード部2と、それら互いに接続されたカソード部とアノード部との間に接続されたスナバ用コンデンサ3と、スナバ用コンデンサ3に並列に接続された抵抗器4とからなる。
[Embodiment 1]
FIG. 1 is a diagram showing a basic circuit configuration of a snubber module according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a drawing for explaining the structure of the snubber module according to the first embodiment. In FIG. 1, a snubber module 100 is connected to both ends of a bidirectional semiconductor switch Q. The bidirectional semiconductor switch Q is a general one, and includes, for example, two IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) Q1 and Q2 connected in parallel. The snubber module 100 includes a cathode common diode portion 1 in which cathodes of two diodes D1 and D2 are connected to each other, and an anode common diode portion in which anodes of two diodes D3 and D4 are connected to each other. 2, a snubber capacitor 3 connected between the cathode part and the anode part connected to each other, and a resistor 4 connected in parallel to the snubber capacitor 3.

このスナバ回路の動作を簡単に説明する。今、一方の半導体スイッチQ2がオフ状態で、他方の半導体スイッチQ1がオン状態にあり、半導体スイッチQ1がオンからオフに変ると、それまで半導体スイッチQ1を流れていた電流はスナバモジュール100のダイオードD1、スナバ用コンデンサ3、ダイオードD4を通して流れることによって、半導体スイッチQ1の両端に現出するサージ電圧を抑制する。スナバ用コンデンサ3に充電された電荷は抵抗器4を通して放電され、消費される。半導体スイッチQ1がオフで、半導体スイッチQ2がオン状態にあり、半導体スイッチQ2がオフする場合には、半導体スイッチQ2を流れていた電流はスナバモジュール100のダイオードD2、スナバ用コンデンサ3、ダイオードD3を通して流れることによって、半導体スイッチQ2の両端に現出するサージ電圧を抑制する。   The operation of this snubber circuit will be briefly described. Now, when one semiconductor switch Q2 is in an off state and the other semiconductor switch Q1 is in an on state and the semiconductor switch Q1 changes from on to off, the current that has been flowing through the semiconductor switch Q1 until then is the diode of the snubber module 100. By flowing through D1, the snubber capacitor 3, and the diode D4, the surge voltage appearing at both ends of the semiconductor switch Q1 is suppressed. The electric charge charged in the snubber capacitor 3 is discharged through the resistor 4 and consumed. When the semiconductor switch Q1 is off, the semiconductor switch Q2 is on, and the semiconductor switch Q2 is off, the current flowing through the semiconductor switch Q2 passes through the diode D2, the snubber capacitor 3, and the diode D3 of the snubber module 100. By flowing, the surge voltage appearing at both ends of the semiconductor switch Q2 is suppressed.

次に、このように動作するスナバモジュール100の構造について図2を用いて説明する。図2(A)はスナバモジュール100を下方から見た説明図であり、図2(B)はスナバモジュール100を側面から見た説明図であって、分かり易いように鎖線で表示する部分も実線で示している部分がある。カソードコモンダイオード部1とアノードコモンダイオード部2とは外形、寸法ともに同じである。カソードコモンダイオード部1は、フラットな金属ベース部材1Aと、金属ベース部材1Aの一方の主面に不図示のカソード電極がハンダ付けなどによって接着されたダイオードD1、D2(図1)をモールドしてなる電気絶縁材料1B、ダイオードD1のアノード端子1C、ダイオードD2のアノード端子1Dを有する。ここで、ダイオードD1は金属ベース部材1Aとアノード端子1Cとの間に挟まれており、ダイオードD2は金属ベース部材1Aとアノード端子1Dとの間に挟まれた構造になっている。アノードコモンダイオード部2も同様であり、フラットな金属ベース部材2Aと、金属ベース部材2Aの一方の主面に不図示のアノード電極がハンダ付けなどによって接着されたダイオードD3、D4(図1)をモールドしてなる電気絶縁材料2B、ダイオードD3のカソード端子2C、ダイオードD4のカソード端子2Dを有する。ダイオードD3は金属ベース部材2Aとカソード端子2Cとの間に挟まれており、ダイオードD4は金属ベース部材2Aとカソード端子2Dとの間に挟まれた構造になっている。したがって、この構造によればダイオードD1〜D4の放熱が良好である。ここで、ダイオードD1、D2のカソードが接着された金属ベース部材1Aの一方の主面とは反対側になる他方の主面、及びダイオードD3、D4のアノードが接着された金属ベース部材1Aの一方の主面とは反対側になる他方の主面は、互いにほぼ同じレベル、つまり同一平面上に位置する。   Next, the structure of the snubber module 100 that operates in this way will be described with reference to FIG. 2A is an explanatory view of the snubber module 100 as viewed from below, and FIG. 2B is an explanatory view of the snubber module 100 as viewed from the side, and the portion indicated by a chain line is also a solid line for easy understanding. There is a part shown in. The cathode common diode portion 1 and the anode common diode portion 2 have the same external shape and dimensions. The cathode common diode portion 1 is formed by molding a flat metal base member 1A and diodes D1 and D2 (FIG. 1) in which a cathode electrode (not shown) is bonded to one main surface of the metal base member 1A by soldering or the like. And an anode terminal 1C of the diode D1, and an anode terminal 1D of the diode D2. Here, the diode D1 is sandwiched between the metal base member 1A and the anode terminal 1C, and the diode D2 is sandwiched between the metal base member 1A and the anode terminal 1D. The same applies to the anode common diode section 2. A flat metal base member 2A and diodes D3 and D4 (FIG. 1) in which an anode electrode (not shown) is bonded to one main surface of the metal base member 2A by soldering or the like. It has a molded electrically insulating material 2B, a cathode terminal 2C of a diode D3, and a cathode terminal 2D of a diode D4. The diode D3 is sandwiched between the metal base member 2A and the cathode terminal 2C, and the diode D4 is sandwiched between the metal base member 2A and the cathode terminal 2D. Therefore, according to this structure, the heat radiation of the diodes D1 to D4 is good. Here, the other main surface opposite to one main surface of the metal base member 1A to which the cathodes of the diodes D1 and D2 are bonded, and one of the metal base members 1A to which the anodes of the diodes D3 and D4 are bonded. The other main surfaces opposite to the main surface are located at substantially the same level, that is, on the same plane.

これらカソードコモンダイオード部1とアノードコモンダイオード部2とは、アノード端子1Cと1D、カソード端子2Cと2Dとが樹脂ケース5内に位置し、かつ少なくとも金属ベース部材1Aと2Aとが樹脂ケース5から突出するように納められている。樹脂ケース5は、図2(B)において下方向から見て開いており、上方向から見たときには、ダイオードD1とダイオードD2とを包囲してなる電気絶縁材料1B、及びダイオードD3とダイオードD3とを包囲してなる電気絶縁材料2Bをそれぞれ納めるための不図示の開口を有する。樹脂ケース5の相対する一対の側壁5A、5Bからは内外に向けて第1の引き出し電極部材6、第2の引き出し電極部材7が延びている。第1、第2の引き出し電極部材6、7は、図1に示した双方向性半導体素子Qの不図示の取付け用外部端子に取り付けるための取付け部6A、7Aと、互いに相対する方向に延びる接続部6B、7Bとからなる。なお、第2の引き出し電極部材7の接続部7Bについては、分かり易いように樹脂ケース5内の部分を鎖線で示している。なお、樹脂ケース5は必要に応じて用いればよく、必ずしも必要ではない。   The cathode common diode portion 1 and the anode common diode portion 2 are configured such that the anode terminals 1C and 1D, the cathode terminals 2C and 2D are located in the resin case 5, and at least the metal base members 1A and 2A are from the resin case 5. It is stored so that it protrudes. The resin case 5 is opened when viewed from below in FIG. 2 (B). When viewed from above, the resin case 5 surrounds the diode D1 and the diode D2, and the diode D3 and the diode D3. Have an opening (not shown) for accommodating each of the electrical insulating materials 2B. A first extraction electrode member 6 and a second extraction electrode member 7 extend inward and outward from a pair of opposing side walls 5A and 5B of the resin case 5. The first and second lead electrode members 6 and 7 extend in directions opposite to the mounting portions 6A and 7A for mounting on the external terminals for mounting (not shown) of the bidirectional semiconductor element Q shown in FIG. It consists of connection parts 6B and 7B. In addition, about the connection part 7B of the 2nd extraction electrode member 7, the part in the resin case 5 is shown with the chain line so that it may be easy to understand. In addition, what is necessary is just to use the resin case 5 as needed, and is not necessarily required.

取付け部6A、7Aはそれぞれ長孔6a、7aを有し、これら長孔6a、7aに不図示のボルトを挿入して双方向性半導体スイッチQの両端における不図示の外部端子に取り付ける。接続部6B、7Bはそれぞれ二つのボルト用孔6b1と6b2、ボルト用孔7b1と7b2を有する。カソードコモンダイオード部1のアノード端子1C、アノードコモンダイオード部2のカソード端子2Cにそれぞれ設けられた不図示のネジ孔にボルト用孔6b1、6b2を位置合わせした上で、不図示のボルトをそれら孔に挿入して螺回することによって、第1の引き出し電極部材6がアノード端子1Cとカソード端子2Cとに固定され、かつ電気的に接続される。同様に、アノードコモンダイオード部2のカソード端子2D、カソードコモンダイオード部1のアノード端子1Dのそれぞれに設けられた不図示のネジ孔にボルト用孔7b1、7b2を位置合わせした上で、不図示のボルトを挿入して螺回することによって、第2の引き出し電極部材7がアノード端子1Dとカソード端子2Dとに固定され、かつ電気的に接続される。   The attachment portions 6A and 7A have long holes 6a and 7a, respectively, and bolts (not shown) are inserted into the long holes 6a and 7a to be attached to external terminals (not shown) at both ends of the bidirectional semiconductor switch Q. Each of the connecting portions 6B and 7B has two bolt holes 6b1 and 6b2 and bolt holes 7b1 and 7b2. Bolt holes 6b1 and 6b2 are aligned with screw holes (not shown) provided in the anode terminal 1C of the cathode common diode part 1 and the cathode terminal 2C of the anode common diode part 2, and bolts (not shown) are inserted into the holes. The first lead electrode member 6 is fixed to and electrically connected to the anode terminal 1C and the cathode terminal 2C by being inserted into and screwed. Similarly, bolt holes 7b1 and 7b2 are aligned with screw holes (not shown) provided in the cathode terminal 2D of the anode common diode part 2 and the anode terminal 1D of the cathode common diode part 1, respectively. By inserting and screwing the bolt, the second lead electrode member 7 is fixed to and electrically connected to the anode terminal 1D and the cathode terminal 2D.

前記不図示のボルトによって第1、第2の引き出し電極部材6、7をカソードコモンダイオード部1とアノードコモンダイオード部2とに取り付ける工程は、図2(B)下方向から、つまり樹脂ケース5の開口から行われるので、取り付け作業は容易に行える。なお、フラットな金属ベース部材1A、2Aは図2(A)において、電気絶縁材料1B、2Bから上下方向に突出し、その突出した部分に任意の形状の取付け用孔1aと1b、2aと2bとを有するが、実施形態1では必ずしも電気絶縁材料1B、2Bから突出する必要は無く、また取付け用孔1aと1b、取付け用孔2aと2bとを有する必要も無い。この実施形態1では、図1に示したスナバ用コンデンサ3と抵抗器4との両端子がフラットな金属ベース部材1A、2Aにそれぞれハンダ付け、又は不図示のボルトとハトメを利用して取付け用孔1aと1b、取付け用孔2aと2bに固定されている。抵抗器4はスナバ用コンデンサ3の陰に位置するので図示されていない。   The step of attaching the first and second lead electrode members 6 and 7 to the cathode common diode portion 1 and the anode common diode portion 2 with the bolts (not shown) is performed from the lower side of FIG. Since it is performed from the opening, the mounting work can be easily performed. In FIG. 2A, the flat metal base members 1A and 2A protrude in the vertical direction from the electrical insulating materials 1B and 2B, and mounting holes 1a and 1b, 2a and 2b having arbitrary shapes are formed on the protruding portions. However, in Embodiment 1, it is not always necessary to protrude from the electrically insulating materials 1B and 2B, and it is not necessary to have the mounting holes 1a and 1b and the mounting holes 2a and 2b. In the first embodiment, both terminals of the snubber capacitor 3 and the resistor 4 shown in FIG. 1 are soldered to the flat metal base members 1A and 2A, respectively, or are mounted using bolts and eyelets (not shown). It is fixed to the holes 1a and 1b and the mounting holes 2a and 2b. The resistor 4 is not shown because it is located behind the snubber capacitor 3.

なお、図2(B)のスナバ用コンデンサ3は、電気的な接続を示す図であり、実際には、配線インダクタンスを低減するようにカソードコモン部1とアノードコモン部2とに取り付けることが好ましい。例えば、フラットな金属ベース部材1A、2Aそれぞれに、取付け用孔1aと1b、取付け用孔2aと2bとを利用して不図示のボルトなどによって、機械的な強度の補強と放熱も兼ねる幅広導体8、9(破線で示す)を取り付け、その幅広導体8、9にスナバ用コンデンサ3と抵抗器4とを取り付ける構造としてもよい。スナバ用コンデンサ3と幅広導体8、9とを接続する際には、配線インダクタンスを低減するために、幅広導体8、9から幅広の状態で、かつ最短距離でスナバ用コンデンサ3の両端に接続することが好ましい。具体的な構成については、実施形態2で説明する。このような構成にすることによって、スナバ用コンデンサ3と、それぞれカソードコモンダイオード部1及びアノードコモンダイオード部2との配線インダクタンスを低減することができるため、サージ電圧を抑制する効果を高めることができる。   Note that the snubber capacitor 3 shown in FIG. 2B is a diagram showing electrical connection, and is actually preferably attached to the cathode common portion 1 and the anode common portion 2 so as to reduce wiring inductance. . For example, the flat metal base members 1A and 2A are each provided with wide conductors that serve both as mechanical strength reinforcement and heat dissipation by means of bolts (not shown) using the mounting holes 1a and 1b and the mounting holes 2a and 2b. 8 and 9 (shown by broken lines) may be attached, and the snubber capacitor 3 and the resistor 4 may be attached to the wide conductors 8 and 9. When the snubber capacitor 3 and the wide conductors 8 and 9 are connected, in order to reduce wiring inductance, the snubber capacitor 3 is connected to both ends of the snubber capacitor 3 in the shortest distance from the wide conductors 8 and 9. It is preferable. A specific configuration will be described in Embodiment 2. By adopting such a configuration, the wiring inductance between the snubber capacitor 3 and the cathode common diode portion 1 and the anode common diode portion 2 can be reduced, so that the effect of suppressing the surge voltage can be enhanced. .

また、上記のように、カソードコモンダイオード部1及びアノードコモンダイオード部1の上にスナバ用コンデンサ3を配置する構成にしているため、比較的大きな容量のコンデンサを適用した場合でも、コンデンサの占有面積を十分に確保することがき、さらに、スナバモジュール全体を小型化することが可能となる。また、設計値に適したスナバ用コンデンサ3に変更する必要がある場合でも、容易に交換が可能となる。さらに、スナバ用コンデンサ3とカソードコモンダイオード部1及びアノードコモンダイオード部2とが、電気絶縁樹脂等によってモールドされていないため、スナバ用コンデンサ3とカソードコモンダイオード部1及びアノードコモンダイオード部2との間の空気の層によって、ダイオードの発熱を断熱することができる。したがって、スナバ用コンデンサ3の温度上昇を防止することができ、コンデンサの破損を防ぎ、寿命を延ばすことができる。   Moreover, since the snubber capacitor 3 is arranged on the cathode common diode part 1 and the anode common diode part 1 as described above, even when a capacitor having a relatively large capacity is applied, the area occupied by the capacitor Can be ensured sufficiently, and the entire snubber module can be downsized. Moreover, even when it is necessary to change to the snubber capacitor 3 suitable for the design value, it can be easily replaced. Further, since the snubber capacitor 3, the cathode common diode part 1 and the anode common diode part 2 are not molded by an electrically insulating resin or the like, the snubber capacitor 3, the cathode common diode part 1 and the anode common diode part 2 The layer of air in between can insulate the heat generation of the diode. Therefore, the temperature rise of the snubber capacitor 3 can be prevented, the capacitor can be prevented from being damaged, and the life can be extended.

また、必要に応じて、樹脂ケース5内に電気絶縁樹脂に注入してもよい。実施形態1の樹脂ケース5は、スナバ用コンデンサ3と抵抗器4とが樹脂ケース5の外側に位置し、カソードコモンダイオード部1とアノードコモンダイオード部2との下側部分のみが納められる程度の低い背高であるので、仮に樹脂ケース5内に電気絶縁樹脂に注入しても重量は少し増えるだけである。また、抵抗器4に代えて、半導体スイッチQ1、Q2の双方がオフの期間にオンしてスナバ用コンデンサ3の充電電荷を放電する不図示の半導体スイッチ用素子をスナバ用コンデンサ3の両端に並列に接続してもよい。   Moreover, you may inject | pour into an electrically insulating resin in the resin case 5 as needed. The resin case 5 of the first embodiment is such that the snubber capacitor 3 and the resistor 4 are located outside the resin case 5 and only the lower portions of the cathode common diode portion 1 and the anode common diode portion 2 are accommodated. Since the height is low, even if the resin case 5 is injected into the electrically insulating resin, the weight is only slightly increased. Further, instead of the resistor 4, a semiconductor switch element (not shown) that turns on and discharges the charge of the snubber capacitor 3 while both of the semiconductor switches Q 1 and Q 2 are off is connected in parallel to both ends of the snubber capacitor 3. You may connect to.

[実施形態2]
次に、図3及び図4によって本発明の実施形態2であるスナバモジュール200について説明する。図3はスナバモジュール200の回路構成を示し、図4はスナバモジュール200の構造を説明するための図である。図3及び図4において、図1、図2で用いた記号と同じ記号は同じ名称の部材を示すものとする。スナバモジュール200は、前掲の特許文献2に記載されたマトリクスコンバータのスナバモジュールとして用いるのに適しており、特に前掲の特許文献2の図4に示されるマトリクスコンバータ用の半導体スイッチモジュールのスナバ用として適している。その半導体スイッチモジュールについては参考のために図5に掲げるが、前掲の特許文献2で説明されているので詳しくは説明しない。なお、図4(A)は図4(B)において下方向から見た図である。
[Embodiment 2]
Next, the snubber module 200 which is Embodiment 2 of this invention is demonstrated with FIG.3 and FIG.4. FIG. 3 shows a circuit configuration of the snubber module 200, and FIG. 4 is a diagram for explaining the structure of the snubber module 200. 3 and 4, the same symbols as those used in FIGS. 1 and 2 indicate members having the same names. The snubber module 200 is suitable for use as a snubber module of the matrix converter described in the above-mentioned Patent Document 2, and particularly as a snubber for a semiconductor switch module for a matrix converter shown in FIG. Is suitable. The semiconductor switch module is shown in FIG. 5 for reference, but will not be described in detail because it is described in the above-mentioned Patent Document 2. Note that FIG. 4A is a view as seen from below in FIG.

スナバモジュール200は、基本的には実施形態1のスナバモジュール100を3個並列接続した構成を有するものである。スナバモジュール200はカソードコモンダイオード部1と同じ構成のカソードコモンダイオード部11〜13、アノードコモンダイオード部2と同じ構造のアノードコモンダイオード部21〜23を備える。カソードコモンダイオード部11〜13とアノードコモンダイオード部21〜23とは外形及び寸法はすべて同じである。図3に示すように、カソードコモンダイオード部11とアノードコモンダイオード部21とは、引き出し電極部材6、7と同様な第1、第2の引き出し電極部材61と71との間に並列接続されている。カソードコモンダイオード部12とアノードコモンダイオード部22とは引き出し電極部材61と71と同様な第3、第4の引き出し電極部材62と72との間に並列接続され、また、カソードコモンダイオード部13とアノードコモンダイオード部23とは引き出し電極部材61と71と同様な第5、第6の引き出し電極部材63と73との間に並列接続されている。図4に示すように、カソードコモンダイオード部11〜13は樹脂ケース5に縦一列に配置されており、また、アノードコモンダイオード部21〜23も樹脂ケース5に縦一列に配置されている。カソードコモンダイオード部11〜13とアノードコモンダイオード部21〜23との間には電気絶縁を確保できる間隔が存在する。なお、端子8’と9’は必ずしも必要でないが、端子8’と9’間に跨ってスナバ用コンデンサ3が接続されると共に、必要があればスナバ用コンデンサ3の充電電荷の放電を適切なタイミングで高速で行うための不図示の放電回路が接続される。実施形態1と同様にスナバ用コンデンサ3の充電電荷の放電を抵抗器で行う場合にはこの端子8’、9’は不要であり、予め前記抵抗器を組み込んでおけばよい。   The snubber module 200 basically has a configuration in which three snubber modules 100 of the first embodiment are connected in parallel. The snubber module 200 includes cathode common diode portions 11 to 13 having the same configuration as the cathode common diode portion 1 and anode common diode portions 21 to 23 having the same structure as the anode common diode portion 2. The cathode common diode portions 11 to 13 and the anode common diode portions 21 to 23 have the same outer shape and dimensions. As shown in FIG. 3, the cathode common diode portion 11 and the anode common diode portion 21 are connected in parallel between first and second lead electrode members 61 and 71 similar to the lead electrode members 6 and 7. Yes. The cathode common diode portion 12 and the anode common diode portion 22 are connected in parallel between third and fourth lead electrode members 62 and 72 similar to the lead electrode members 61 and 71, and the cathode common diode portion 13 and The anode common diode portion 23 is connected in parallel between fifth and sixth lead electrode members 63 and 73 similar to the lead electrode members 61 and 71. As shown in FIG. 4, the cathode common diode portions 11 to 13 are arranged in a vertical row in the resin case 5, and the anode common diode portions 21 to 23 are also arranged in a vertical row in the resin case 5. There is an interval between the cathode common diode portions 11 to 13 and the anode common diode portions 21 to 23 that can ensure electrical insulation. Although the terminals 8 'and 9' are not necessarily required, the snubber capacitor 3 is connected across the terminals 8 'and 9', and if necessary, the charging charge of the snubber capacitor 3 is appropriately discharged. A discharge circuit (not shown) for performing the operation at high speed with timing is connected. Similarly to the first embodiment, when discharging the charge of the snubber capacitor 3 with a resistor, the terminals 8 'and 9' are unnecessary, and the resistor may be incorporated in advance.

実施形態1で説明したカソードコモンダイオード部1、アノードコモンダイオード部2と同様に、カソードコモンダイオード部11は金属ベース部材11Aを備え、金属ベース11Aは取付け用孔11aと11bを有する。アノードコモンダイオード部21は金属ベース部材21Aを備え、金属ベース21Aは取付け用孔21aと21bを有する。カソードコモンダイオード部12と13も同様に、金属ベース12A、金属ベース13Aをそれぞれ備え、またアノードコモンダイオード部22と23も同様に、金属ベース22A、金属ベース23Aをそれぞれ備える。そして、図面が複雑となって見難くなるので、金属ベース部材11A、21A以外については取付け用孔について記号を付していないが、これら金属ベース部材も金属ベース部材11A、金属ベース部材21Aと同様な取付け用孔を図示のように備える。金属ベース11Aの取付け用孔11b、金属ベース21Aの取付け用孔21bは前記ボルトの位置の自由度を高めるために、切り欠いた取付け用孔になっている。取付け用孔11a、21aも同様な切り欠いた取付け用孔になっていてもよい。金属ベース12A、13A、金属ベース22A、23Aについても同様である。   Similar to the cathode common diode portion 1 and the anode common diode portion 2 described in the first embodiment, the cathode common diode portion 11 includes a metal base member 11A, and the metal base 11A includes mounting holes 11a and 11b. The anode common diode portion 21 includes a metal base member 21A, and the metal base 21A has mounting holes 21a and 21b. Similarly, the cathode common diode portions 12 and 13 include a metal base 12A and a metal base 13A, respectively, and the anode common diode portions 22 and 23 similarly include a metal base 22A and a metal base 23A, respectively. Since the drawings are complicated and difficult to see, symbols other than the metal base members 11A and 21A are not attached to the mounting holes, but these metal base members are also the same as the metal base member 11A and the metal base member 21A. A simple mounting hole is provided as shown. The mounting hole 11b of the metal base 11A and the mounting hole 21b of the metal base 21A are notched mounting holes in order to increase the degree of freedom of the bolt positions. The mounting holes 11a and 21a may be similar mounting holes. The same applies to the metal bases 12A and 13A and the metal bases 22A and 23A.

カソードコモンダイオード部11〜13の金属ベース部材11A、12A、13Aは、小型化の面、及び金属ベース11Aの取付け用孔11aと11bに対する金属ベース12A、金属ベース13Aの取付け用孔の位置が一定になるという面から互いに当接していた方が好ましいが、必ずしも接触していなくてもよい。アノードコモンダイオード部21〜23の金属ベース部材21A、22A、23Aも同様である。なお、少なくともカソードコモンダイオード部11〜13の金属ベース部材11A〜13A、及びアノードコモンダイオード部21〜23の金属ベース部材21A〜23Aは樹脂ケース5の外側、つまり図4(B)で樹脂ケース5の外部上側に位置する。なお、この実施形態2においても、樹脂ケース5は必要に応じて用いればよい。   The metal base members 11A, 12A, and 13A of the cathode common diode portions 11 to 13 have a reduced size and the positions of the metal base 12A and the mounting holes for the metal base 13A with respect to the mounting holes 11a and 11b for the metal base 11A are constant. It is preferable that they are in contact with each other from the viewpoint of becoming, but it is not always necessary to be in contact. The same applies to the metal base members 21A, 22A, and 23A of the anode common diode portions 21 to 23. Note that at least the metal base members 11A to 13A of the cathode common diode portions 11 to 13 and the metal base members 21A to 23A of the anode common diode portions 21 to 23 are outside the resin case 5, that is, the resin case 5 in FIG. Located on the upper outside. In the second embodiment, the resin case 5 may be used as necessary.

カソードコモンダイオード部11のアノード端子11Cとアノードコモンダイオード部21のカソード端子21Cとにそれぞれ設けられている不図示のネジ孔に、第1の引き出し電極部材61のボルト用孔61b1、61b2を位置合わせした上で、ボルト81、82をそれら孔に挿入して螺回することによって、第1の引き出し電極部材61が固定され、かつアノード端子11Cとカソード端子21Cとが電気的に接続される。同様に、カソードコモンダイオード部11のアノード端子11Dとアノードコモンダイオード部21のカソード端子21Dとにそれぞれ設けられた不図示のネジ孔に、第2の引き出し電極部材71のボルト用孔71b1、71b2を位置合わせした上で、ボルト83、84を挿入して螺回することによって、第2の引き出し電極部材71が固定され、かつアノード端子11Dとカソード端子21Dとが電気的に接続される。カソードコモンダイオード部12とアノードコモンダイオード部22、カソードコモンダイオード部13とアノードコモンダイオード部23についても全く同様であるので説明を省略する。また、図面が複雑となって見難くなるので、カソードコモンダイオード部12とアノードコモンダイオード部22、カソードコモンダイオード部13とアノードコモンダイオード部23のアノード端子、カソード端子については記号を図示していない。このようにして、カソードコモンダイオード部11〜13とアノードコモンダイオード部21〜23とは、樹脂ケース5の側壁から延びる引き出し電極部材61〜63、71〜73の対応するもの、つまり、カソードコモンダイオード部11とアノードコモンダイオード部21とは引き出し電極部材61、71に、カソードコモンダイオード部12とアノードコモンダイオード部22とは引き出し電極部材62、72に、カソードコモンダイオード部13とアノードコモンダイオード部23とは引き出し電極部材63と73に機械的結合及び電気的接続が行われる。   The bolt holes 61b1 and 61b2 of the first lead electrode member 61 are aligned with screw holes (not shown) provided in the anode terminal 11C of the cathode common diode part 11 and the cathode terminal 21C of the anode common diode part 21, respectively. After that, the first lead electrode member 61 is fixed by inserting the bolts 81 and 82 into the holes and screwing them, and the anode terminal 11C and the cathode terminal 21C are electrically connected. Similarly, bolt holes 71b1 and 71b2 of the second lead electrode member 71 are formed in screw holes (not shown) provided in the anode terminal 11D of the cathode common diode part 11 and the cathode terminal 21D of the anode common diode part 21, respectively. After alignment, the bolts 83 and 84 are inserted and screwed to fix the second lead electrode member 71, and the anode terminal 11D and the cathode terminal 21D are electrically connected. Since the cathode common diode portion 12 and the anode common diode portion 22 and the cathode common diode portion 13 and the anode common diode portion 23 are exactly the same, the description thereof is omitted. Further, since the drawing becomes complicated and difficult to see, symbols are not shown for the anode terminals and cathode terminals of the cathode common diode section 12 and the anode common diode section 22, and the cathode common diode section 13 and the anode common diode section 23. . In this way, the cathode common diode portions 11 to 13 and the anode common diode portions 21 to 23 correspond to the lead electrode members 61 to 63 and 71 to 73 extending from the side wall of the resin case 5, that is, the cathode common diode. The part 11 and the anode common diode part 21 are connected to the lead electrode members 61 and 71, the cathode common diode part 12 and the anode common diode part 22 are the lead electrode members 62 and 72, the cathode common diode part 13 and the anode common diode part 23. Are mechanically coupled and electrically connected to the extraction electrode members 63 and 73.

次に、断面がL字状に折り曲げられている第1の幅広導体8が金属ベース部材11A〜13Aに固定される。L字状の幅広導体8は、図4(A)のように金属ベース部材11A〜13Aを配置したときに、金属ベース部材11A〜13Aの両端の間隔にほぼ等しい長さを有すると共に、金属ベース部材11A〜13Aの幅、つまり図4(B)において金属ベース部材11Aの左右方向の幅とほぼ同程度の幅を有する。実施形態2では、図4(A)に示すように、カソードコモンダイオード部11〜13の金属ベース部材11A〜13Aが互いに当接しており、それら金属ベース部材11A〜13Aの大きさはほぼ等しいので、金属ベース部材11Aの取付け用孔11aと11bに対する金属ベース部材12A、金属ベース部材13Aの取付け用孔の間隔は予め決められた値であり、幅広導体8の平坦部分8Aにはその間隔で貫通孔が設けられている。したがって、これら貫通孔が金属ベース部材11Aの取付け用孔11aと11bに合致するように幅広導体8を金属ベース部材11A〜13Aの上に載せれば、他の貫通孔も金属ベース部材12A、13Aの取付け用孔に合致する。この状態でボルトを前記貫通孔を通して金属ベース部材11A〜13Aの取付け用孔に螺合させることによって、幅広導体8を金属ベース部材11A〜13Aに強固に固定することができる。例えば図4(B)では、ボルト91を前記貫通孔を通して金属ベース部材11Aの取付け用孔11aに螺合させており、同様に他の貫通孔を通して金属ベース部材11Aの取付け用孔11bに不図示のボルトを螺合させる。なお、前記ボルトに螺合するナットについては図示するのを省略している。   Next, the first wide conductor 8 whose cross section is bent in an L shape is fixed to the metal base members 11A to 13A. When the metal base members 11A to 13A are arranged as shown in FIG. 4A, the L-shaped wide conductor 8 has a length substantially equal to the distance between both ends of the metal base members 11A to 13A. The width of the members 11A to 13A, that is, the width in the left-right direction of the metal base member 11A in FIG. In the second embodiment, as shown in FIG. 4A, the metal base members 11A to 13A of the cathode common diode portions 11 to 13 are in contact with each other, and the sizes of the metal base members 11A to 13A are substantially equal. The spacing between the mounting holes of the metal base member 12A and the metal base member 13A with respect to the mounting holes 11a and 11b of the metal base member 11A is a predetermined value, and penetrates the flat portion 8A of the wide conductor 8 at that spacing. A hole is provided. Therefore, if the wide conductor 8 is placed on the metal base members 11A to 13A so that these through holes coincide with the mounting holes 11a and 11b of the metal base member 11A, the other through holes also form the metal base members 12A and 13A. It matches the mounting hole. In this state, the wide conductor 8 can be firmly fixed to the metal base members 11A to 13A by screwing the bolts into the mounting holes of the metal base members 11A to 13A through the through holes. For example, in FIG. 4B, the bolt 91 is screwed into the mounting hole 11a of the metal base member 11A through the through hole, and is not shown in the mounting hole 11b of the metal base member 11A through the other through hole. Screw the bolts. Note that illustration of the nut screwed to the bolt is omitted.

第1の幅広導体8と同様に断面がL字状に折り曲げられている第2の幅広導体9は金属ベース部材21A〜23Aに固定される。L字状の幅広導体9は、図4(A)のように金属ベース部材21A〜23Aを配置したときに、金属ベース部材21A〜23Aの両端の間隔にほぼ等しい長さを有すると共に、金属ベース部材21A〜23Aの幅、つまり図4(B)において金属ベース部材21Aの左右方向の幅とほぼ同程度の幅を有する。図4(A)に示すように、カソードコモンダイオード部21〜23の金属ベース部材21A〜23Aが互いに当接しているので、金属ベース部材11Aの取付け用孔21aと21bに対する金属ベース部材22A、金属ベース部材23Aの取付け用孔の間隔は予め決められた値であり、幅広導体9の平坦部分9Aにはその間隔で貫通孔が設けられている。したがって、幅広導体8の場合と同様にボルト92などを用いて幅広導体9を金属ベース部材11A〜13Aに固定することができる。なお、幅広導体8、9の幅を特に限定する必要は無い。   Similar to the first wide conductor 8, the second wide conductor 9 whose section is bent in an L shape is fixed to the metal base members 21A to 23A. When the metal base members 21A to 23A are arranged as shown in FIG. 4A, the L-shaped wide conductor 9 has a length substantially equal to the distance between both ends of the metal base members 21A to 23A. The width of the members 21A to 23A, that is, the width in the left-right direction of the metal base member 21A in FIG. As shown in FIG. 4A, since the metal base members 21A to 23A of the cathode common diode portions 21 to 23 are in contact with each other, the metal base member 22A with respect to the mounting holes 21a and 21b of the metal base member 11A, the metal The interval between the mounting holes of the base member 23A is a predetermined value, and the flat portion 9A of the wide conductor 9 is provided with through holes at that interval. Therefore, the wide conductor 9 can be fixed to the metal base members 11 </ b> A to 13 </ b> A by using the bolt 92 or the like as in the case of the wide conductor 8. It is not necessary to limit the width of the wide conductors 8 and 9 in particular.

前述からも分かるように、幅広導体8は電気的には図3のカソードコモンラインKLの働きを行い、幅広導体9は電気的には図3のアノードコモンラインALの働きを行う。そして、第1、第2の幅広導体8、9の起立部分8B、9Bは図3における端子8’9’の働きを行う。したがって、幅広導体8、9の起立部分8B、9Bにスナバ用コンデンサ3が接続される。その接続はハンダ付け、あるいは通常のハトメを用いてボルトとナットとで固定されてもよい。また、スナバ用コンデンサ3が1個の場合には背高が高くなるので、複数個のスナバ用コンデンサを用いればそれぞれのコンデンサは小型になり、例えば小型の3個のコンデンサを並列に幅広導体8、9の起立部分8B、9Bに接続すれば、このスナバモジュール200の背高を低くできる。幅広導体8、9の起立部分8B、9Bは図3における端子8’9’も兼ねるので、図示しない放電回路の端子が接続し易いような構造になっていても勿論構わない。   As can be seen from the above, the wide conductor 8 electrically functions as the cathode common line KL in FIG. 3, and the wide conductor 9 electrically functions as the anode common line AL in FIG. The raised portions 8B and 9B of the first and second wide conductors 8 and 9 function as terminals 8'9 'in FIG. Therefore, the snubber capacitor 3 is connected to the standing portions 8B and 9B of the wide conductors 8 and 9. The connection may be soldered or fixed with bolts and nuts using normal eyelets. In addition, since the height of the snubber capacitor 3 is increased when a single snubber capacitor 3 is used, each of the snubber capacitors is reduced in size. For example, the three small capacitors are arranged in parallel to form the wide conductor 8. , 9 can be connected to the upright portions 8B, 9B to reduce the height of the snubber module 200. Since the standing portions 8B and 9B of the wide conductors 8 and 9 also serve as the terminals 8'9 'in FIG. 3, it is a matter of course that the structure may be such that the terminals of the discharge circuit not shown are easily connected.

なお、スナバ用コンデンサ3の大きさに応じて、幅広導体8、9の起立部分8B、9Bの間隔を変えてもよい。このような構成にすることによって、配線インダクタンスを低減することができる。また、スナバ用コンデンサ3をカソードコモンダイオード部1とアノードコモンダイオード部2との間に形成された空間に搭載するようにしてもよい。このような構成にすることによって、スナバモジュール200全体の小型化が可能となる。なお、スナバモジュール100においても同様な構成が可能である。   Note that the interval between the standing portions 8B and 9B of the wide conductors 8 and 9 may be changed according to the size of the snubber capacitor 3. With such a configuration, the wiring inductance can be reduced. Further, the snubber capacitor 3 may be mounted in a space formed between the cathode common diode portion 1 and the anode common diode portion 2. With this configuration, the entire snubber module 200 can be reduced in size. The snubber module 100 can have the same configuration.

以上述べたようなスナバモジュール200は、図5に示す半導体スイッチモジュールSMの6個の端子T1、T2、T3、T4、T5、T6に図示しないボルトなどによって簡単に固定される。例えば、引き出し電極部材61は端子T1に、引き出し電極部材62は端子T2に、引き出し電極部材63は端子T3に、また、引き出し電極部材71は端子T4に、引き出し電極部材72は端子T5に、引き出し電極部材73は端子T6にそれぞれ固定され、電気的に接続される。なお、GTは、複数の双方向性半導体スイッチを駆動するゲート端子である。   The snubber module 200 as described above is simply fixed to the six terminals T1, T2, T3, T4, T5, and T6 of the semiconductor switch module SM shown in FIG. For example, the extraction electrode member 61 is extracted to the terminal T1, the extraction electrode member 62 is extracted to the terminal T2, the extraction electrode member 63 is extracted to the terminal T3, the extraction electrode member 71 is extracted to the terminal T4, and the extraction electrode member 72 is extracted to the terminal T5. The electrode members 73 are fixed to and electrically connected to the terminals T6, respectively. GT is a gate terminal for driving a plurality of bidirectional semiconductor switches.

図6に、スナバモジュール200を半導体スイッチモジュールSMに接続した回路図を示す。この実施例では、半導体スイッチモジュールSMの端子T1、T2、T3は、それぞれ、三相交流電源のR、S、T相に接続され、端子T4、T5、T6は、それぞれ、三相交流負荷のU、V、W相に接続されている。Q11〜Q19は、それぞれ2個のIGBTを並列接続した双方向性半導体スイッチであり、実施形態1で説明した双方向性半導体スイッチQと同様な構成である。9つの双方向性半導体スイッチQ11〜Q19を3つの双方向性半導体スイッチにより構成された3組の双方向性半導体スイッチQ11〜Q13、Q14〜Q16、Q17〜Q19に分け、各組の3つの入力端子をそれぞれR、S、T相に接続し、3つの出力端子を結合した各組1つの出力端子をそれぞれU、V、W相に接続している。なお、スナバモジュール200及び半導体スイッチモジュールSMの回路動作については、従来と同様であるので説明を省略する。 FIG. 6 shows a circuit diagram in which the snubber module 200 is connected to the semiconductor switch module SM. In this embodiment, the terminals T1, T2, and T3 of the semiconductor switch module SM are connected to the R, S, and T phases of the three-phase AC power source, respectively, and the terminals T4, T5, and T6 are respectively connected to the three-phase AC load. Connected to U, V, and W phases. Q 11 to Q 19 are each a bidirectional semiconductor switch in which two IGBTs are connected in parallel, and has the same configuration as the bidirectional semiconductor switch Q described in the first embodiment. Nine bidirectional semiconductor switches Q 11 to Q 19 are changed to three sets of bidirectional semiconductor switches Q 11 to Q 13 , Q 14 to Q 16 , and Q 17 to Q 19 constituted by three bidirectional semiconductor switches. The three input terminals of each group are connected to the R, S, and T phases, respectively, and one output terminal that combines the three output terminals is connected to the U, V, and W phases. Note that the circuit operations of the snubber module 200 and the semiconductor switch module SM are the same as those in the prior art, and a description thereof is omitted.

以上述べた実施形態1、2のスナバモジュールのカソードコモンダイオード部、アノードコモンダイオード部ではそれぞれ2個のダイオードを用いたが、4個又は6個など偶数個のダイオードを用いても勿論よい。また、アノード端子、例えばアノード端子1Cと1D、カソード端子、例えばカソード端子2Cと2Dの構造は特に限定されず、ハンダ付けによって引き出し電極部材に固定されてもよい。また、スナバモジュールのカソードコモンダイオード部、アノードコモンダイオード部の金属ベース部材1Aと2A、11A〜13A、21A〜23Aは抵抗溶接によって対応する引き出し電極部材に固定されてもよい。特に、図示しないコンデンサに蓄えたエネルギーを短時間(例えば10〜20ms程度)で放電して、パルス状電流を前記金属ベース部材と前記引き出し電極部材との間に流して抵抗溶接を行うスポット溶接法によれば、溶接時に発生する熱がほとんど拡散されないので、ダイオード素子に悪影響を与えることがなく、好ましい。勿論、ハンダ付けなどによっても互いに固定と接続とを行うことができる。このような溶接又はハンダ付けによる場合には、各金属ベース部材の取付け用孔、例えば金属ベース部材11Aの取付け用孔11a、11bは不要である。   Although two diodes are used in each of the cathode common diode portion and the anode common diode portion of the snubber modules of Embodiments 1 and 2 described above, it is of course possible to use an even number of diodes such as four or six. Further, the structures of the anode terminals, for example, the anode terminals 1C and 1D and the cathode terminals, for example, the cathode terminals 2C and 2D, are not particularly limited, and may be fixed to the lead electrode member by soldering. Further, the metal base members 1A and 2A, 11A to 13A, and 21A to 23A of the cathode common diode portion and the anode common diode portion of the snubber module may be fixed to the corresponding lead electrode members by resistance welding. In particular, spot welding is a method of performing resistance welding by discharging energy stored in a capacitor (not shown) in a short time (for example, about 10 to 20 ms) and causing a pulsed current to flow between the metal base member and the extraction electrode member. According to the method, since the heat generated during welding is hardly diffused, the diode element is not adversely affected, which is preferable. Of course, they can be fixed and connected to each other by soldering or the like. In the case of such welding or soldering, the mounting holes for each metal base member, for example, the mounting holes 11a and 11b of the metal base member 11A are unnecessary.

また、幅広導体8、9は基本的には断面がL字状に折り曲げられている構造が好ましいが、幅広導体8、9の熱膨張又は収縮が幅広導体8、9の材質、厚みなどの条件によってカソードコモンダイオード部、アノードコモンダイオード部に悪影響を与える場合には、それぞれの前記金属ベース部材と幅広導体8、9との固定に邪魔にならないように、幅広導体8、9の起立部分8B、9Bから起立部分8A、9Aの幅方向に延びる微小なスリットを必要な本数備えていてもよい。このようにすることによって、幅広導体8、9から前記金属ベース部材に与えられる応力を緩和することができる。また、実施形態2のスナバモジュール200でも、樹脂ケース5内に位置するアノード端子、カソード端子と対応する引き出し電極部材との固定部をエポキシ樹脂のような電気絶縁樹脂でモールドしてもよい。   The wide conductors 8 and 9 basically have a structure in which the cross section is bent in an L shape. However, the thermal expansion or contraction of the wide conductors 8 and 9 is a condition such as the material and thickness of the wide conductors 8 and 9. In the case where the cathode common diode portion and the anode common diode portion are adversely affected by the above, the raised portions 8B of the wide conductors 8 and 9 are not disturbed to fix the metal base member and the wide conductors 8 and 9, respectively. A necessary number of minute slits extending from 9B in the width direction of the upright portions 8A and 9A may be provided. By doing in this way, the stress given to the said metal base member from the wide conductors 8 and 9 can be relieved. Also, in the snubber module 200 of the second embodiment, the fixing portion between the anode terminal and the cathode terminal located in the resin case 5 and the corresponding extraction electrode member may be molded with an electrically insulating resin such as an epoxy resin.

本発明の実施形態1に係るスナバモジュール100の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the snubber module 100 which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1に係るスナバモジュール100の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the snubber module 100 which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態2に係るスナバモジュール200の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the snubber module 200 which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態2に係るスナバモジュール200の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the snubber module 200 which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明のスナバモジュールが接続される半導体スイッチモジュールの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the semiconductor switch module to which the snubber module of this invention is connected. 本発明に係る実施形態2のスナバモジュール200を半導体スイッチモジュールSMに接続した回路図構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit diagram structure which connected the snubber module 200 of Embodiment 2 which concerns on this invention to semiconductor switch module SM.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・カソードコモンダイオード部
1A・・・金属ベース部材
1B・・・電気絶縁材料
1C、1D・・・アノード端子
2・・・アノードコモンダイオード部
2A・・・金属ベース部材
2B・・・電気絶縁材料
2C、2D・・・カソード端子
3・・・スナバ用コンデンサ
4・・・抵抗器
5・・・樹脂ケース
6、7・・・引き出し電極部材
6A、7A・・・取付け部
6B、7B・・・接続部
6a、7a・・・長孔
8’、9’・・・端子
8、9・・・第1、第2の幅広導体
10・・・インバータ回路又はスイッチ回路
11〜13・・・カソードコモンダイオード部
11A〜13A・・・金属ベース部材
11C、11D・・・カソードコモンダイオード部11のアノード端子
11a、11b・・・カソードコモンダイオード部11の取付け用孔
21〜23・・・アノードコモンダイオード部
21A〜23A・・・金属ベース部材
21C、21D・・・アノードコモンダイオード部21のカソード端子
21a、21b・・・アノードコモンダイオード部21の取付け用孔
61〜63・・・引き出し電極部材
61b1、61b2・・・引き出し電極部材61のボルト用孔
71〜73・・・引き出し電極部材
71b1、71b2・・・引き出し電極部材71のボルト用孔
81〜84・・・ボルト
91、92・・・ボルト
100、200・・・スナバモジュール
Q・・・双方向性半導体スイッチ
D1〜D4・・・ダイオード
SM・・・半導体スイッチモジュール
GT・・・ゲート端子
T1〜T6・・・端子
11〜Q19・・・双方向性半導体スイッチ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cathode common diode part 1A ... Metal base member 1B ... Electrical insulation material 1C, 1D ... Anode terminal 2 ... Anode common diode part 2A ... Metal base member 2B ... Electricity Insulating material 2C, 2D ... Cathode terminal 3 ... Capacitor for snubber 4 ... Resistor 5 ... Resin case 6, 7 ... Lead electrode member 6A, 7A ... Mounting portion 6B, 7B ..Connecting portions 6a, 7a ... long holes 8 ', 9' ... terminals 8, 9 ... first and second wide conductors 10 ... inverter circuits or switch circuits 11-13 ... Cathode common diode part 11A-13A ... Metal base member 11C, 11D ... Anode terminal 11a, 11b of cathode common diode part 11 ... Removal of cathode common diode part 11 Holes 21-23 ... Anode common diode part 21A-23A ... Metal base member 21C, 21D ... Cathode terminals 21a, 21b ... Anode common diode part 21 for mounting the anode common diode part 21 Holes 61 to 63... Extraction electrode members 61 b 1 and 61 b 2... Bolt holes for extraction electrode member 61 71 to 73... Extraction electrode members 71 b 1 and 71 b 2. ... Bolts 91, 92 ... Bolts 100, 200 ... Snubber module Q ... Bidirectional semiconductor switch D1-D4 ... Diode SM ... Semiconductor switch module GT ... Gate terminal T1- T6 ··· terminal Q 11 ~Q 19 ··· bidirectional semiconductor switch

Claims (6)

双方向の電流を開閉する双方向性半導体スイッチの両端に接続される複数のスナバ用ダイオードとスナバ用コンデンサとを組み合わせてなるスナバモジュールにおいて、
前記スナバ用ダイオードは、第1の一対のダイオードのカソード同士が接続されているカソードコモンダイオード部と、第2の一対のダイオードのアノード同士が接続されているアノードコモンダイオード部とからなり、
前記カソードコモンダイオード部は、前記第1の一対のダイオードのそれぞれのカソードがカソードコモン端子となる第1の金属ベース部材の一方の主面に接続されると共に、前記第1の金属ベース部材と対向する位置にそれぞれのアノード端子を有し、
前記アノードコモンダイオード部は、前記第2の一対のダイオードのそれぞれのアノードがアノードコモン端子となる第2の金属ベース部材の一方の主面に接続されると共に、前記第2の金属ベース部材と対向する位置にそれぞれのカソード端子を有し、
前記カソードコモンダイオード部の一方の前記アノード端子と前記アノードコモンダイオード部の一方の前記カソード端子とが、前記双方向性半導体スイッチの一端に接続される第1の引き出し電極部材で接続され、前記カソードコモンダイオード部の他方の前記アノード端子と前記アノードコモンダイオード部の他方の前記カソード端子とが、前記双方向性半導体スイッチの他端に接続される第2の引き出し電極部材で接続されることにより、前記カソードコモンダイオード部と前記アノードコモンダイオード部とが並列に接続されており、
前記スナバ用コンデンサの双方の端子は、それぞれ前記第1の金属ベース部材の他方の主面と前記第2の金属ベース部材の他方の主面とに、直接的あるいは間接的に接続されていることを特徴とするスナバモジュール。
In a snubber module that combines a plurality of snubber diodes connected to both ends of a bidirectional semiconductor switch that opens and closes a bidirectional current and a snubber capacitor,
The snubber diode comprises a cathode common diode portion in which the cathodes of the first pair of diodes are connected to each other, and an anode common diode portion in which the anodes of the second pair of diodes are connected to each other.
The cathode common diode portion is connected to one main surface of the first metal base member where each cathode of the first pair of diodes serves as a cathode common terminal, and is opposed to the first metal base member. Have each anode terminal in a position to
The anode common diode portion is connected to one main surface of a second metal base member, in which each anode of the second pair of diodes serves as an anode common terminal, and is opposed to the second metal base member. Each cathode terminal in a position to
The one anode terminal of the cathode common diode portion and the one cathode terminal of the anode common diode portion are connected by a first lead electrode member connected to one end of the bidirectional semiconductor switch, and the cathode The other anode terminal of the common diode portion and the other cathode terminal of the anode common diode portion are connected by a second lead electrode member connected to the other end of the bidirectional semiconductor switch, The cathode common diode part and the anode common diode part are connected in parallel,
Both terminals of the snubber capacitor are directly or indirectly connected to the other main surface of the first metal base member and the other main surface of the second metal base member, respectively. Snubber module featuring.
請求項1において、
前記第1の金属ベース部材と前記第2の金属ベース部材との前記他方の主面は、同一平面上にあることを特徴とするスナバモジュール。
In claim 1,
The snubber module, wherein the other main surface of the first metal base member and the second metal base member is on the same plane.
双方向の電流を開閉する双方向性半導体スイッチの両端に接続される複数のスナバ用ダイオードとスナバ用コンデンサとを組み合わせてなるスナバモジュールにおいて、
前記スナバ用ダイオードは、一対のダイオードのカソード同士が接続されている第1、第2、第3のカソードコモンダイオード部と、一対のダイオードのアノード同士が接続されている第1、第2、第3のアノードコモンダイオード部とからなり、
前記第1、第2、第3のカソードコモンダイオード部は、それぞれ、カソードコモン端子となる金属ベース部材と、それぞれの金属ベース部材と対向する位置に2つのアノード端子を有し、
前記第1、第2、第3のアノードコモンダイオード部は、それぞれ、アノードコモン端子となる金属ベース部材と、それぞれの金属ベース部材と対向する位置に2つのカソード端子を有し、
前記第1のカソードコモンダイオード部と前記第1のアノードコモンダイオード部、前記第2のカソードコモンダイオード部と前記第2のアノードコモンダイオード部、前記第3のカソードコモンダイオード部と前記第3のアノードコモンダイオード部が、それぞれ並列接続されるように、それぞれの一方のアノード端子と一方のカソード端子とが、他方のアノード端子と他方のカソード端子とが、それぞれ、第1の引き出し電極部材と第2の引き出し電極部材、第3の引き出し電極部材と第4の引き出し電極部材、第5の引き出し電極部材と第6の引き出し電極部材で接続され、
前記第1、第2、第3のカソードコモンダイオード部のそれぞれの金属ベース部材は互いに第1の幅広導体に電気的にも機械的にも結合され、
前記第1、第2、第3のアノードコモンダイオード部のそれぞれの金属ベース部材は互いに第2の幅広導体に電気的にも機械的にも結合され、
前記スナバ用コンデンサは、前記第1の幅広導体と前記第2の幅広導体とに電気的にも機械的にも結合されることを特徴とするスナバモジュール。
In a snubber module that combines a plurality of snubber diodes connected to both ends of a bidirectional semiconductor switch that opens and closes a bidirectional current and a snubber capacitor,
The snubber diode includes a first, second, and third cathode common diode portion in which the cathodes of a pair of diodes are connected to each other, and a first, second, and second in which the anodes of the pair of diodes are connected to each other. 3 anode common diode sections,
The first, second, and third cathode common diode portions each have a metal base member that becomes a cathode common terminal, and two anode terminals at positions facing the respective metal base members,
The first, second, and third anode common diode sections each have a metal base member that serves as an anode common terminal, and two cathode terminals at positions facing each metal base member,
The first cathode common diode portion and the first anode common diode portion, the second cathode common diode portion and the second anode common diode portion, the third cathode common diode portion and the third anode Each of the anode terminals and the cathode terminals, the other anode terminal and the other cathode terminal are respectively connected to the first lead electrode member and the second so that the common diode portions are connected in parallel. A lead electrode member, a third lead electrode member and a fourth lead electrode member, a fifth lead electrode member and a sixth lead electrode member,
The respective metal base members of the first, second, and third cathode common diode portions are electrically and mechanically coupled to the first wide conductor,
The respective metal base members of the first, second, and third anode common diode portions are electrically and mechanically coupled to the second wide conductor,
The snubber capacitor is characterized in that the snubber capacitor is electrically and mechanically coupled to the first wide conductor and the second wide conductor.
請求項3において、
前記第1、第3、第5の引き出し電極部材と前記第2、第4、第6の引き出し電極部材は、それぞれ、三相交流電源と三相交流負荷との間に接続される9つの前記双方向性スイッチの内の3つの前記双方向性スイッチを1組とした3組共通の3つの入力端子、又は、各組で3つの出力端子を結合した3組それぞれの3つの出力端子のどちらかに接続されることを特徴とするスナバモジュール。
In claim 3,
The first, third, and fifth lead electrode members and the second, fourth, and sixth lead electrode members are respectively connected between a three-phase AC power source and a three-phase AC load. Either of the three input terminals common to the three sets of the three bidirectional switches in the bidirectional switch, or the three output terminals of the three sets obtained by combining the three output terminals in each set. Snubber module characterized in that it is connected to the crab.
請求項3又は請求項4において、
前記第1、第2、第3のカソードコモンダイオード部、前記第1、第2、第3のアノードコモンダイオード部は、それらの金属ベース部材、及びアノード端子又はカソード端子が露出するようにそれぞれ電気絶縁材料でモールドされていることを特徴とするスナバモジュール。
In claim 3 or claim 4,
The first, second, and third cathode common diode sections and the first, second, and third anode common diode sections are electrically connected so that their metal base members and anode terminals or cathode terminals are exposed. A snubber module characterized by being molded with an insulating material.
請求項3ないし請求項5のいずれかにおいて、
前記第1、第2、第3のカソードコモンダイオード部、前記第1、第2、第3のアノードコモンダイオード部は、それらの金属ベース部材、及びアノード端子又はカソード端子が露出するように、電気絶縁材料で一体的にモールドされていることを特徴とするスナバモジュール。
In any one of Claim 3 thru | or 5,
The first, second, and third cathode common diode portions and the first, second, and third anode common diode portions are electrically connected so that their metal base members and anode terminals or cathode terminals are exposed. A snubber module characterized by being molded integrally with an insulating material.
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WO2010097113A1 (en) * 2009-02-26 2010-09-02 Areva T&D Uk Limited Solid state damping resistor
JP2012029373A (en) * 2010-07-20 2012-02-09 Yaskawa Electric Corp Matrix converter

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