JP2007242889A - Method and apparatus for growing semiconductor crystal - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シリコンカーバイドなどの半導体結晶の成長方法および成長装置に関する。 The present invention relates to a method and an apparatus for growing a semiconductor crystal such as silicon carbide.
シリコンカーバイド(SiC)は、シリコン(Si)に比べて絶縁破壊電界強度が約10倍であり、この他に熱伝導率、電子移動度、バンドギャップなどにおいても優れた物性値を有する半導体であることから、従来のシリコン系パワー半導体素子に比べて飛躍的な性能向上を実現する半導体材料として期待されている。 Silicon carbide (SiC) is a semiconductor that has a breakdown electric field strength of about 10 times that of silicon (Si), and also has excellent physical properties in terms of thermal conductivity, electron mobility, band gap, and the like. Therefore, it is expected as a semiconductor material that realizes a dramatic performance improvement as compared with conventional silicon-based power semiconductor elements.
従来の半導体用シリコンカーバイドの結晶成長を行なう成長装置としては、例えば図7に示すいわゆる横型結晶成長装置100のように、単結晶基板101を支持する筒状の基板支持台(以下、サセプタと呼ぶ)102をガス供給管104と同方向に設置したものがある。そして、サセプタ102の内周部の底面102b上に単結晶基板101が載置され、サセプタ102を誘導加熱する誘導コイル105がガス供給管104の周囲に設置されている。
As a conventional growth apparatus for crystal growth of silicon carbide for semiconductors, for example, a so-called horizontal
そして、誘導コイル105によりサセプタ102を誘導加熱して単結晶基板101を1500℃程度に加熱するとともに反応ガス103を矢印方向に供給することにより、単結晶基板101の表面に反応ガス103の成分元素あるいは化合物を連続的に析出成長させ、単結晶薄膜を成膜している。
Then, by induction heating the
ところで、このような結晶成長装置100では、サセプタ102は筒状で反応ガス103の流れ方向に平行に配置されているため、サセプタ102が誘導加熱されると、このサセプタ102が最も高温になる。すると、その高温時にサセプタ102の表面が反応ガス103あるいはキャリアガスによりエッチングされることがある。このようなサセプタ表面のエッチングは、サセプタからの不純物放出の要因となって、形成された単結晶膜の純度を下げてしまう。また、このサセプタ102の表面のエッチング作用は、サセプタ102の温度が高くなるにつれて顕著になるので、特に、高温(1500℃以上)かつ長時間の反応が必要となる膜厚の厚いシリコンカーバイド単結晶膜の成長を阻害するという問題があった。
By the way, in such a
一方、単結晶基板101は高温のサセプタ102からの伝熱により加熱されるので、温度上昇に伴って単結晶基板101とサセプタ102との温度差が大きくなる傾向がある。この単結晶基板101とサセプタ102との温度差は、サセプタ102のコーティング膜の寿命を短縮させる要因という問題があった。
On the other hand, since
また、図8に示したように、ガス供給管を縦型に配置したものも提供されている(特許文献2)。
この半導体結晶の成長装置10では、ガス供給管11が縦型に配置され、その外周に誘導加熱手段26が配置されている。そして、第1の隔壁18と第2の隔壁22とで断面矩形状に画成された内室12内に基板保持治具30が収容され、この基板保持治具30の各段に基板32が配置されている。
Moreover, as shown in FIG. 8, what has arrange | positioned the gas supply pipe | tube vertically is also provided (patent document 2).
In this semiconductor
また、この成長装置10では、装置本体の下方から反応ガスを導入するとともに上方を周回してきた反応ガスを下方から排出している。このような成長装置10では、得られた結晶の厚みにばらつきが生じるという問題があった。
Further, in this
加えて、この成長装置10では、ガスの導入および排出は、ノズルなどを用いて行なっているため、部品点数が多くなるとともに、構造が煩雑になるという問題もあった。
また、図7および図8に示した従来の成長装置10、100では、ガス供給管11、104の断熱性が十分でなく、反応室の保熱性が損なわれ、結晶の厚みやドーピング濃度等得られる結晶の品質にばらつきが生じるという問題がある。さらには、一度下がった温度を上昇させるための時間およびエネルギーが余分にかかるという問題があった。
In addition, in this
In addition, in the
一方、反応ガスの供給方向を縦型にした結晶成長装置においては、図9に示したように、反応ガスの給気口8をサセプタ3の直上に設けたものが知られている。このような縦型の結晶成長装置では、上部に設けた給気口8から基板4に対して反応ガスを直接噴きつけるのが一般的である(特許文献3)。
ところで、特許文献3のように、反応ガスをサセプタ3の直上から噴きつける場合には、基板4に形成される結晶は、回転軸2の中心に近いほど早く成長するため、直径方向において結晶の成長速度にバラツキが発生するという問題があった。
By the way, when the reactive gas is sprayed from directly above the
本発明は、このような実情に鑑み、例えば、大口径の基板に結晶を成長させるにあたり、結晶膜の純度が良好で、結晶の成長速度とドーピング濃度をどの位置においても略一定にすることができる半導体結晶の成長方法および製造装置を提供することを目的としている。 In view of such circumstances, the present invention, for example, in growing a crystal on a large-diameter substrate, has good crystal film purity, and makes the crystal growth rate and doping concentration substantially constant at any position. An object of the present invention is to provide a semiconductor crystal growth method and manufacturing apparatus that can be used.
上記目的を達成するための本発明に係る半導体結晶の成長方法は、
縦型に配置されたガス供給管の内部に外部から反応ガスを導入するとともに、前記ガス供給管の外部に配置された誘導加熱手段により基板の表面に半導体結晶を成長させる半導体結晶の成長方法であって、
前記限定された空間内に、前記誘導加熱手段の熱影響力の強い部分と弱い部分、あるいは前記反応ガスの流れの強い部分と弱い部分を、前記限定された空間の中心部に対してずれるように偏在的に設けるとともに、これらの環境下に前記基板を周回移動させることにより、前記基板における結晶の成長速度とドーピング濃度を全体として平均化させることを特徴としている。
In order to achieve the above object, a method for growing a semiconductor crystal according to the present invention comprises:
A semiconductor crystal growth method in which a reaction gas is introduced from the outside into a gas supply pipe arranged vertically, and a semiconductor crystal is grown on the surface of the substrate by induction heating means arranged outside the gas supply pipe. There,
In the limited space, a portion having a strong thermal influence and a weak portion of the induction heating means, or a portion having a strong and weak reactive gas flow may be shifted with respect to a central portion of the limited space. In addition, the crystal growth rate and the doping concentration in the substrate are averaged as a whole by moving the substrate around in these environments.
このような本発明に係る半導体結晶の成長方法によれば、結晶速度やドーピング濃度に違いがでる条件だとしても、サセプタに載置された基板がサセプタごと周回移動することにより、直径方向へのバラツキを積極的に均一化させることができる。 According to the method for growing a semiconductor crystal according to the present invention, even if the crystal speed and the doping concentration are different, the substrate placed on the susceptor moves around the susceptor and moves in the diameter direction. The variation can be made uniform evenly.
また、本願発明に係る半導体結晶の成長装置は、
縦型に配置され、内部の限定された空間内に外部から反応ガスが導入されるガス供給管と、
前記ガス供給管の外周面にラセン状に配置される誘導加熱手段と、
前記誘導加熱手段と対向するように前記ガス供給管の内周側に配置され、ガス導入口とガス排出口とがそれぞれ対向する側壁面に形成された有底筒構造の輻射部材と、
前記輻射部材の内方に挿入された軸に一体的に支持され、略水平方向に基板を支持できるように構成されたサセプタと、
前記サセプタを支持する軸に回転力および直線方向への移動力を付与する動力手段と、を備えた半導体結晶の成長装置であって、
前記ガス供給管内の前記限定された空間内へのガス導入口と、前記限定された空間内から空間外へのガス導出口を、前記ガス供給管の中心部以外の対称的な位置にそれぞれ設置したことを特徴としている。
In addition, a semiconductor crystal growth apparatus according to the present invention comprises:
A gas supply pipe which is arranged in a vertical shape and into which a reaction gas is introduced from the outside in a limited space inside,
Induction heating means disposed in a helical shape on the outer peripheral surface of the gas supply pipe;
A radiating member having a bottomed cylindrical structure which is disposed on the inner peripheral side of the gas supply pipe so as to face the induction heating means, and which has a gas inlet and a gas outlet formed on opposite side wall surfaces;
A susceptor that is integrally supported by a shaft inserted inward of the radiation member and configured to support a substrate in a substantially horizontal direction;
A power generation means for applying a rotational force and a moving force in a linear direction to a shaft supporting the susceptor, and a semiconductor crystal growth apparatus comprising:
The gas inlet into the limited space in the gas supply pipe and the gas outlet from the limited space to the outside of the space are respectively installed at symmetrical positions other than the center of the gas supply pipe. It is characterized by that.
このような製造装置によれば、反応ガスが一箇所に集中して供給されることがなく適宜分散されるとともに、サセプタとともに基板が回転するので、成膜速度やドーピング濃度に影響がでる条件であったとしても、そのバラツキを積極的に均一化するように調整することができる。 According to such a manufacturing apparatus, the reaction gas is appropriately distributed without being concentrated in one place, and the substrate is rotated together with the susceptor, so that the film forming speed and the doping concentration are affected. Even if there is, it can be adjusted so as to positively uniform the variation.
さらに、本願発明に係る半導体結晶の成長装置は、
縦型に配置され、内部の限定された空間内に外部から反応ガスが導入されるガス供給管と、
前記ガス供給管の外周面にラセン状に配置される誘導加熱手段と、
前記誘導加熱手段と対向するように前記ガス供給管の内周側に配置され、ガス導入口とガス排出口とがそれぞれ対向する側壁面に形成された有底筒構造の輻射部材と、
前記輻射部材の内方に挿入された軸に一体的に支持され、略水平方向に基板を支持できるように構成されたサセプタと、
前記サセプタを支持する軸に回転力および直線方向への移動力を付与する動力手段と、を備えた半導体結晶の成長装置であって、
前記誘導加熱手段を前記ガス供給管内の外周面の一部に設けたことを特徴としている。
Further, a semiconductor crystal growth apparatus according to the present invention is as follows:
A gas supply pipe which is arranged in a vertical shape and into which a reaction gas is introduced from the outside in a limited space inside,
Induction heating means disposed in a helical shape on the outer peripheral surface of the gas supply pipe;
A radiating member having a bottomed cylindrical structure which is disposed on the inner peripheral side of the gas supply pipe so as to face the induction heating means, and which has a gas inlet and a gas outlet formed on opposite side wall surfaces;
A susceptor that is integrally supported by a shaft inserted inward of the radiation member and configured to support a substrate in a substantially horizontal direction;
A power generation means for applying a rotational force and a moving force in a linear direction to a shaft supporting the susceptor, and a semiconductor crystal growth apparatus comprising:
The induction heating means is provided on a part of the outer peripheral surface in the gas supply pipe.
このような成長装置によれば、誘導加熱手段での加熱が予め不均衡になっているので、加熱状態に強弱ができた空間内を基板を周回移動することにより、基板が受ける温度差を調整し、結果として基板の直径方向における成膜速度とドーピング濃度の均一化を図ることができる。 According to such a growth apparatus, since the heating by the induction heating means is imbalanced in advance, the temperature difference received by the substrate is adjusted by moving the substrate around in the space where the heating state is strong or weak. As a result, the film formation rate and the doping concentration in the diameter direction of the substrate can be made uniform.
本発明に係る半導体結晶の成長方法によれば、予め成膜条件を異にしておき、その条件下で基板を周回移動させるので、基板の成長速度とドーピング濃度の均一化を図ることができる。 According to the method for growing a semiconductor crystal according to the present invention, since the film forming conditions are made different in advance and the substrate is moved around under the conditions, the growth rate and doping concentration of the substrate can be made uniform.
また、本発明に係る半導体結晶の成長装置によれば、反応ガスの供給あるいは加熱条件を予め異にするようにしてあるので、成長速度とドーピング濃度に影響がでる条件であったとしても、基板を周回移動させることによりその差を縮めて結晶の均一化を向上させることができる。 Further, according to the semiconductor crystal growth apparatus of the present invention, since the reaction gas supply or heating conditions are made different in advance, the substrate can be used even if the growth rate and the doping concentration are affected. Rotating and moving can reduce the difference and improve the uniformity of the crystal.
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明する。
図1は本発明の一実施例に係る半導体結晶の成長装置の一部を示したものである。なお、本明細書において、「上」「下」「右」「左」などは、説明の都合上便宜的に用いたもので、「上」とは図1において紙面の上を、「右」とは図1において紙面の右を示しているが、上下左右逆転した状態に配置することも可能である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a part of a semiconductor crystal growth apparatus according to an embodiment of the present invention. In the present specification, “upper”, “lower”, “right”, “left” and the like are used for convenience of explanation, and “upper” means “right” on the paper surface in FIG. 1 shows the right side of the page in FIG. 1, but it can also be arranged upside down, left and right.
すなわち、この結晶の成長装置50は、略筒状のガス供給管52と、ガス供給管52の外周面に配置される誘導加熱手段54と、誘導加熱手段54と対向するようにガス供給管52の内周面に配置され、かつ天井面が閉塞された筒状の輻射部材56と、下方から輻射部材56の内方に挿入された軸59と、軸59に支持されたサセプタ58と、軸59に回転力および直線移動力を付与する動力手段60と、を有している。
That is, the
さらに、本実施例では、略筒状のガス供給管52と輻射部材56との間に内側断熱材62が、輻射部材56の上部に上部断熱材64が、サセプタ58の下面に下部断熱部材66が、それぞれ設置されている。上部断熱材64は、炭素繊維などからなるもので、輻射部材56の天井面72に固定的に設けられている。
Further, in this embodiment, the inner
これら上部断熱材64および下部断熱部材66は、輻射部材56内の空間Sにおける断熱性を向上させるものである。さらに、ガス供給管52の内周面に配置された内側断熱材62は、炭素繊維またはガラスウールなどからなるもので、輻射部材56の外周側を断熱している。
The upper
このように本実施例による結晶の成長装置50では、上方が上部断熱材64で断熱され、外周面が筒状の内側断熱材62で断熱され、下部側が下部断熱部材66で断熱されているので、空間Sの保熱性が極めて良好である。
Thus, in the
上記ガス供給管52は、誘導加熱されないように、具体的には石英管により形成され縦型に配置されている。また、誘導加熱手段54は、より具体的には交流電流により磁界を発生する誘導コイルである。
Specifically, the
上記輻射部材56は、外側の誘導加熱手段54により誘導加熱されるもので、例えば、表面がシリコンカーバイドにより被覆された導電性材料から構成されている。本実施例の輻射部材56は、有底二重筒構造で、上下逆転した姿勢、すなわち、閉塞された底部分が天井面72を構成するように配置されている。このように、本実施例では、輻射部材56が二重の円筒状に形成されているので、空間S内の加熱が促進される。
The
輻射部材56の環状の内側筒68と環状の外側筒70とは互いに連結されているが、図1において左側の上部領域には、開口72aが形成され、この開口72aは空間Sに連通している。一方、開口72aの下方は、内側筒68と外側筒70とを連結する隔壁72cにより閉塞されている。さらに、天井面72の図1において右側の上部領域すなわち開口72aの対称位置は、天井面72の一部を構成する隔壁72bにより閉塞されている。さらに、隔壁72cの対称位置は開放され、ここに外部に通じる開口72dが形成されている。
The annular
これにより、図1における開口72aから供給された反応ガスは、図中矢印で示したように二重筒68,70間の壁面に沿い下方に案内されるとともに、空間S内に広がるように送出され、しかる後、反対側の右下方の開口72dから外部に排出される。
As a result, the reaction gas supplied from the
このように、輻射部材56にこのような開口72aおよび開口72dが形成されることにより、反応ガスの多くは、最初は真っ直ぐに、その後周囲に広がるように案内され、しかる後開口72dから外部に排出されることになる。
Thus, by forming
上記軸59は、動力手段60からの力によりサセプタ58に回転力と直線移動力を付与する。したがって、駆動中においては、動力手段60により軸59に回転力が付与され、これによりサセプタ58上の基板71が空間S内で回転する。
The
このように、本実施例によれば、軸59が回転駆動され、かつ反応ガスが基板71に対して斜め方向から吹き付けられることにより、仮に反応ガスの濃淡、量などに差が生じているとしても、サセプタ58がこれらの領域を万遍なく移動するので、基板71における結晶成長の均一化を積極的に促進することができる。
As described above, according to the present embodiment, the
なお、上記サセプタ58は、1個の基板71を載置できるように構成されているが、サセプタを棚状に設けて、複数枚の基板71を載置するようにしても良い。
以下、本実施例による半導体結晶の成長装置50の作用について、図2を参照しながら説明する。
The
The operation of the semiconductor
今、図2(A)の状態でサセプタ58には基板71、例えば、シリコンカーバイド基板71が略水平状態に載置されている。また、空間S内は上記減圧手段により所定の圧力に減圧され、さらに軸59によりサセプタ58が回転している。
2A, a
このように減圧された空間S内にサセプタ58が回転自在にセットされたら、誘導加熱手段54に高周波電力を印加することにより、輻射部材56を誘導加熱し、基板71を例えば1500℃に加熱する。そして、図の上方側から矢印で示したように、ガス供給管52内に所定の反応ガスを開口72aから二重筒内に導入すれば、基板71上にエピタキシャル層を成長させることが可能になる。
When the
このように本実施例では、反応ガスは、サセプタ58上の基板71に対して一方側から偏在的に導入されるとともに、この状態で軸59が回転移動するので、反応ガスの量、濃淡などに差があるとしても、基板71に成長する結晶が部分的に速くなることがない。また、結晶速度やドーピング濃度の差が生じる場合は、その差を積極的に縮めることが促進される。
As described above, in this embodiment, the reaction gas is introduced unevenly from one side with respect to the
なお、反応ガスとしてはモノシランおよびプロパンなどを例示することができる。
こうして、エピタキシャル層の形成が完了したら、図2(B)に示したように、ガス供給管52の下端を開放し、軸59を下方向に移動し、軸59とともにサセプタ58を成長装置50の外方に取り出す。この状態から、サセプタ58に収納された基板71を新たなものと入れ替える。なお、この入れ替え作業を行なう場合に、誘導加熱手段54を継続して駆動しておき輻射部材56を加熱しておくことが好ましい。このようにすれば、空間S内の温度を高温状態に維持することができる。
Examples of the reaction gas include monosilane and propane.
When the formation of the epitaxial layer is completed in this manner, as shown in FIG. 2B, the lower end of the
次いで、図2(C)に示したように、再び軸59を上動させ再びセットする。
このようにすれば、成長装置全体の温度を上げ下げする必要がないので、昇温時間の短縮化が図れる。
Next, as shown in FIG. 2C, the
In this way, since it is not necessary to raise or lower the temperature of the entire growth apparatus, the temperature raising time can be shortened.
以上、本発明の一実施例について説明したが、本発明は上記実施例に何ら限定されない。例えば、上記実施例では、上方から反応ガスを導入し、下方から反応ガスを排出するようにしているが、逆の態様で設置することもできる。 As mentioned above, although one Example of this invention was described, this invention is not limited to the said Example at all. For example, in the above-described embodiment, the reaction gas is introduced from the upper side and the reaction gas is discharged from the lower side.
さらに、上記実施例では、ガス導入口とガス排出口を構成する開口72aと開口72dを図3(A)に示したように、互いに対向する側壁の一部に直線的な開口として設けているが、例えば、図3(B)に示したように、半円弧状に開口部72a、72dを設けることもできる。また、図3(C)に示したように、開口72a、72dを小さな丸孔としても良い。このように図3(A)〜図3(C)のような開口であったとしても同様の作用効果を奏することができる。
Further, in the above embodiment, the
図4は、本発明の他の実施例による基板の成長装置の概略を、図1と同一要素を同一符号で示したものである。すなわち、この成長装置80では、誘導加熱手段54の軸心が、輻射部材56およびサセプタ58の同心円の中心からずれて楕円状に設置されている。
FIG. 4 shows an outline of a substrate growth apparatus according to another embodiment of the present invention, in which the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. That is, in this
この状態でサセプタ58が回転駆動すれば、サセプタ58上の基板は、加熱誘導54から熱影響を強く受ける部分と、弱く受ける部分との領域を交互に周回することになる。こ
れにより、例えば、サセプタ58が例えば、矢印で示したように回転すれば、サセプタ58上の図示しない基板は誘導加熱手段54により強く加熱されたり、弱く加熱されたりしながら周回する。結果として結晶成長速度とドーピング濃度に違いがあるとしても、その差を積極的に縮めることができる。図5は、図4のように誘導加熱手段54を配置した場合の空間S内の温度分布を、楕円の長軸方向の断面位置で表示したもので、点Oは、サセプタ58の中心軸を示している。
If the
すなわち、図5(A)に示したように、基板が回転しない場合はサセプタ58の中心Oから、誘導加熱手段54に近い程(左側に近づく程)温度は高くなり、誘導加熱手段54に遠い程(右側に近づく程)温度は低くなる。しかしながら、基板が回転した場合には、図5(B)に示したように、点Oからの距離に何ら関係なく、空間S内の温度が略一定になるように調整される。
That is, as shown in FIG. 5A, when the substrate does not rotate, the temperature increases from the center O of the
本実施例では、このように誘導加熱手段54の配設姿勢を調整することにより熱影響の受ける部分を調整することができる。また、これに代えて、誘導加熱手段54で基板の温度分布を調整するにあたり、図6に示したように誘導加熱手段54の配置位置を部分的に設けることによっても、温度分布を調整することができる。 In the present embodiment, the portion affected by the heat can be adjusted by adjusting the arrangement posture of the induction heating means 54 in this way. Alternatively, in adjusting the temperature distribution of the substrate by the induction heating means 54, the temperature distribution can also be adjusted by partially providing the arrangement position of the induction heating means 54 as shown in FIG. Can do.
図6に示したように誘導加熱手段54のコイルを配置すれば、輻射部材56が誘導加熱手段54により積極的に加熱される部分と、あまり加熱されない部分の両方が具備されるので、この状態でサセプタ58が回転駆動されれば、基板に対する熱影響力が周期的に変化するので、基板の成長を均一化することができる。
If the coil of the induction heating means 54 is arranged as shown in FIG. 6, the
このように基板の成長速度とドーピング濃度を調整するには、空間S内に誘導加熱手段54の熱影響力の強い部分と弱い部分を設けるか、あるいは反応ガスの流れの強い部分と弱い部分を設け、これに加えて基板を周回移動させれば良い。このように本発明に係る半導体結晶の製造方法およびこれを実施するための装置によれば、基板における半導体結晶の成長速度とドーピング濃度を略均一に調整することができる。 In order to adjust the growth rate and doping concentration of the substrate in this way, a portion having a strong thermal influence and a weak portion of the induction heating means 54 are provided in the space S, or a portion having a strong and weak reactive gas flow is provided. In addition to this, the substrate may be moved around. As described above, according to the method for manufacturing a semiconductor crystal and the apparatus for carrying out the method according to the present invention, the growth rate and doping concentration of the semiconductor crystal on the substrate can be adjusted substantially uniformly.
50 結晶装置
52 ガス供給管
54 誘導加熱手段
56 輻射部材
58 サセプタ
59 軸
60 動力手段
68 内側筒
70 外側筒
72 天井面
72a 開口
72d 開口
80 結晶装置
S 空間
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記限定された空間内に、前記誘導加熱手段の熱影響力の強い部分と弱い部分、あるいは前記反応ガスの流れの強い部分と弱い部分を、前記限定された空間の中心部に対してずれるように偏在的に設けるとともに、これらの環境下に前記基板を周回移動させることにより、前記基板における結晶の成長速度とドーピング濃度を全体として平均化させることを特徴とする半導体結晶の成長方法。 A semiconductor crystal growth method in which a reaction gas is introduced from the outside into a gas supply pipe arranged vertically, and a semiconductor crystal is grown on the surface of the substrate by induction heating means arranged outside the gas supply pipe. There,
In the limited space, a portion having a strong thermal influence and a weak portion of the induction heating means, or a portion having a strong and weak reactive gas flow may be shifted with respect to a central portion of the limited space. A semiconductor crystal growth method characterized in that the crystal growth rate and doping concentration on the substrate are averaged as a whole by providing the substrate in an unevenly distributed manner and rotating the substrate in these environments.
前記ガス供給管の外周面にラセン状に配置される誘導加熱手段と、
前記誘導加熱手段と対向するように前記ガス供給管の内周側に配置され、ガス導入口とガス排出口とがそれぞれ対向する側壁面に形成された有底筒構造の輻射部材と、
前記輻射部材の内方に挿入された軸に一体的に支持され、略水平方向に基板を支持できるように構成されたサセプタと、
前記サセプタを支持する軸に回転力および直線方向への移動力を付与する動力手段と、を備えた半導体結晶の成長装置であって、
前記ガス供給管内の前記限定された空間内へのガス導入口と、前記限定された空間内から空間外へのガス導出口を、前記ガス供給管の中心部以外の対称的な位置にそれぞれ設置したことを特徴とする半導体結晶の成長装置。 A gas supply pipe which is arranged in a vertical shape and into which a reaction gas is introduced from the outside in a limited space inside,
Induction heating means disposed in a helical shape on the outer peripheral surface of the gas supply pipe;
A radiating member having a bottomed cylindrical structure which is disposed on the inner peripheral side of the gas supply pipe so as to face the induction heating means, and which has a gas inlet and a gas outlet formed on opposite side wall surfaces;
A susceptor that is integrally supported by a shaft inserted inward of the radiation member and configured to support a substrate in a substantially horizontal direction;
A power generation means for applying a rotational force and a moving force in a linear direction to a shaft supporting the susceptor, and a semiconductor crystal growth apparatus comprising:
The gas inlet into the limited space in the gas supply pipe and the gas outlet from the limited space to the outside of the space are respectively installed at symmetrical positions other than the center of the gas supply pipe. An apparatus for growing a semiconductor crystal.
前記ガス供給管の外周面にラセン状に配置される誘導加熱手段と、
前記誘導加熱手段と対向するように前記ガス供給管の内周側に配置され、ガス導入口とガス排出口とがそれぞれ対向する側壁面に形成された有底筒構造の輻射部材と、
前記輻射部材の内方に挿入された軸に一体的に支持され、略水平方向に基板を支持できるように構成されたサセプタと、
前記サセプタを支持する軸に回転力および直線方向への移動力を付与する動力手段と、を備えた半導体結晶の成長装置であって、
前記誘導加熱手段を前記ガス供給管内の外周面の一部に設けたことを特徴とする半導体結晶の成長装置。 A gas supply pipe which is arranged in a vertical shape and into which a reaction gas is introduced from the outside in a limited space inside,
Induction heating means disposed in a helical shape on the outer peripheral surface of the gas supply pipe;
A radiating member having a bottomed cylindrical structure which is disposed on the inner peripheral side of the gas supply pipe so as to face the induction heating means, and which has a gas inlet and a gas outlet formed on opposite side wall surfaces;
A susceptor that is integrally supported by a shaft inserted inward of the radiation member and configured to support a substrate in a substantially horizontal direction;
A power generation means for applying a rotational force and a moving force in a linear direction to a shaft supporting the susceptor, and a semiconductor crystal growth apparatus comprising:
An apparatus for growing a semiconductor crystal, wherein the induction heating means is provided on a part of an outer peripheral surface in the gas supply pipe.
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JPH02118758A (en) * | 1988-10-27 | 1990-05-07 | Nec Corp | Data transfer system |
JPH0669133A (en) * | 1992-08-18 | 1994-03-11 | Fujitsu Ltd | Vapor phase epitaxial growth system |
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