JP2007242521A - Exchanging method of ion source - Google Patents

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Takanobu Oishi
孝信 大石
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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion source exchanging method in which the ion source can be exchanged efficiently without making an apparatus structure a complex one and by using an existing apparatus structure, when the ion source is exchanged in an ion implantation device. <P>SOLUTION: A turbo molecular pump 13a provided on the ion source 12 evacuates an arc-chamber 12a of an ion source 12 arranged for an exchange in a predetermined position of an ion implantation device. While evacuating, a filament 12b is electrically conducted and heated for a degassing treatment. At a time of the degassing treatment, a back pressure of the turbo molecular pump 13a of the ion source is measured by a vacuum gage 13f and a pressure information in the arc-chamber 12a during a conduction heating is obtained and a conduction heating and degassing status is monitored. Furthermore, a pressure information in the arc-chamber 12a during a conduction heating is measured by an ion gage provided in a chamber which is arranged in a subsequent process of the ion source and connected with the arc-chamber 12a, and a conduction heating and degassing status is monitored. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、イオン注入装置におけるイオン源の交換の際のイオン源のデガス処理を行うときのイオン源の交換方法に関する。   The present invention relates to a method for replacing an ion source when performing degassing of the ion source when replacing the ion source in an ion implantation apparatus.

半導体素子や液晶表示装置等の製造過程において、基板等に不純物導入を行うためにイオンビームを基板等に照射するイオン注入装置を用いる。イオン注入装置の構成ユニットであるイオン源には、プラズマ生成のために熱電子を放出するフィラメントが用いられるが、このフィラメントは寿命の短い消耗品である。すなわち、フィラメントによる熱電子の放出を長時間行うと、フィラメントはアークチャンバ内で生成されるプラズマに曝されるため、フィラメントは摩耗し、最終的に切断する。また、アークチャンバの内壁面も、プラズマに曝されるため、摩耗し又、腐蝕して交換が必要となる。   In the manufacturing process of a semiconductor element, a liquid crystal display device, or the like, an ion implantation apparatus that irradiates a substrate or the like with an ion beam is used to introduce impurities into the substrate or the like. An ion source that is a constituent unit of an ion implantation apparatus uses a filament that emits thermoelectrons for plasma generation. This filament is a consumable item with a short life. That is, if the thermoelectrons are emitted from the filament for a long time, the filament is exposed to plasma generated in the arc chamber, so that the filament is worn and finally cut. Further, since the inner wall surface of the arc chamber is also exposed to the plasma, it is worn or corroded and needs to be replaced.

このようなときイオン注入装置のイオン源のアークチャンバとフィラメントとを交換する。
まず、イオン源の交換前のアークチャンバ内を真空とし、このときアークチャンバの構成部材やフィラメントの表面から出る不純物ガスを排気した後、アークチャンバ内に窒素パージガスを流入させて大気圧とする。この後、イオン源から壁面が摩耗し又腐蝕したアークチャンバと摩耗して切断したフィラメントを取り外して新しいアークチャンバとフィラメントに交換して、所定の位置に取り付ける。次に、アークチャンバ内を排気して真空とする。真空度がある程度以上になると、新品のフィラメントを通電加熱する。これによって、新品のフィラメントによる空焼きが行われ、フィラメントやアークチャンバ内の絶縁部材の吸着ガス等をデガス処理し、イオン源を使用可能な状態とする。 In such a case, the arc chamber and filament of the ion source of the ion implantation apparatus are exchanged.
First, the inside of the arc chamber before the exchange of the ion source is evacuated. At this time, the impurity gas emitted from the surface of the constituent members and filaments of the arc chamber is exhausted, and then the nitrogen purge gas is introduced into the arc chamber to the atmospheric pressure. Thereafter, the arc chamber with worn or corroded wall and the worn and cut filament are removed from the ion source, replaced with a new arc chamber and filament, and attached to a predetermined position. Next, the arc chamber is evacuated to a vacuum. When the degree of vacuum exceeds a certain level, a new filament is energized and heated. As a result, empty baking is performed with a new filament, and the filament and the adsorption gas of the insulating member in the arc chamber are degassed to make the ion source usable.

上記空焼きの際、フィラメントに急激な通電を行うと、フィラメントの急激な加熱によって発生するガスによりイオン源のアークチャンバ内の高真空状態は破られ急激な圧力上昇となる。このとき、通電加熱、アークチャンバ内のデガスの状態の監視のために真空計であるイオンゲージ等の熱陰極電離真空計が用いられる。しかし、熱陰極電離真空計は、高真空状態においてフィラメントから放出される熱電子を介して流れる電流を計測する構成のため、真空度が低くなり圧力が上昇すると、イオンゲージの測定範囲を超えて真空度の測定が困難になるといった不具合が生じる。このため、フィラメントの通電加熱のために急激な通電を行わず、フィラメント電流を３０分〜１時間かけてなだらかに上昇させてデガス処理を行う。場合によっては、イオン源のアークチャンバの絶縁材から大量のガスが放出され、フィラメントによる空焼きに２時間程度を要する。
これに対して、下記特許文献１，２は、イオン源の交換時、イオン源の使用可能な状態にするまでの作業時間を短縮する方法、又はその装置を開示している。 When the filament is suddenly energized during the baking, the high vacuum state in the arc chamber of the ion source is broken by the gas generated by the rapid heating of the filament, resulting in a rapid pressure increase. At this time, a hot cathode ionization vacuum gauge such as an ion gauge, which is a vacuum gauge, is used for energization heating and monitoring of the degas state in the arc chamber. However, the hot cathode ionization vacuum gauge is configured to measure the current that flows through the thermoelectrons emitted from the filament in a high vacuum state, so if the vacuum level decreases and the pressure rises, it exceeds the measurement range of the ion gauge. There arises a problem that it becomes difficult to measure the degree of vacuum. For this reason, the degassing is performed by gradually increasing the filament current over 30 minutes to 1 hour without performing rapid energization for energization heating of the filament. In some cases, a large amount of gas is released from the insulating material of the arc chamber of the ion source, and it takes about 2 hours for baking with a filament.
On the other hand, Patent Documents 1 and 2 below disclose a method or an apparatus for shortening the work time until the ion source can be used when the ion source is replaced.

特許文献１は、アークチャンバ内で交換用フィラメントに予め通電できるシステムを開示している。具体的には、このシステムでは、アークチャンバにスリットを設け、このスリットに蓋ができる構造とする。このアークチャンバにて、事前にフィラメントに通電してフィラメントからガスを放出させるとともにフィラメントを空焼きし、交換用フィラメントとする。このため、使用中のフィラメントが切断したとき、事前に空焼きしたフィラメントと交換するので、イオン源が使用可能状態になるまでの作業時間を短縮することができる。
又、特許文献２は、イオン源のアークチャンバに複数本のフィラメントを取り付けてスペアフィラメントとし、使用するフィラメントに電流を流して加熱するとき、このスペアフィラメントにも電流を流して加熱するので、交換時のデガスの処理時間を短縮することができ、イオン注入装置の稼動効率を向上することができる。 Patent document 1 is disclosing the system which can supply with electricity to the filament for a replacement | exchange beforehand within an arc chamber. Specifically, this system has a structure in which a slit is provided in the arc chamber and a lid can be formed on the slit. In this arc chamber, the filament is energized in advance to release gas from the filament, and the filament is baked to obtain a replacement filament. For this reason, when the filament in use is cut, the filament is replaced with a previously baked filament, so that the work time until the ion source becomes usable can be shortened.
In Patent Document 2, a plurality of filaments are attached to an arc chamber of an ion source to be used as a spare filament. When a current is supplied to a filament to be used for heating, the spare filament is also supplied with an electric current to be heated. The processing time of degas at the time can be shortened, and the operating efficiency of the ion implantation apparatus can be improved.

特開２００２−８５８１公報JP 2002-8581 A 特開平８−８３５９２号公報JP-A-8-83592

しかし、特許文献１では、交換用フィラメントに通電でき、真空引きできるアークチャンバが別途必要となり、装置構成が煩雑となるといった問題がある。また、特許文献２では、交換の対象とするアークチャンバのデガス処理を別途行う必要があり、交換処理の効率が低下するといった問題がある。   However, Patent Document 1 has a problem that an arc chamber that can energize and vacuum the replacement filament is required separately, and the apparatus configuration becomes complicated. Moreover, in patent document 2, it is necessary to perform the degas process of the arc chamber used as the object of exchange separately, and there exists a problem that the efficiency of an exchange process falls.

そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、装置構成を煩雑にすることなく、従来からある装置構成において、効率よくイオン源の交換を行うことができるイオン源の交換方法を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention provides an ion source replacement method capable of efficiently exchanging an ion source in a conventional apparatus configuration without complicating the apparatus configuration in order to solve the above problems. For the purpose.

上記目的を達成するために、本発明は、イオン注入装置に設けられるイオン源の交換方法であって、イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源のアークチャンバ内の排気を、前記イオン源に設けられたターボ分子ポンプを用いて行うステップと、前記排気の途中から、前記イオン源のフィラメントを通電加熱するステップと、前記イオン源のターボ分子ポンプの背圧を真空計により測定することにより、前記通電加熱中の前記アークチャンバ内の圧力の情報を取得してデガス処理を監視するステップと、を有することを特徴とするイオン源の交換方法を提供する。   In order to achieve the above object, the present invention provides a method for replacing an ion source provided in an ion implantation apparatus, wherein exhaust in an arc chamber of an ion source installed for replacement at a predetermined position of the ion implantation apparatus is provided. The step of performing using a turbo molecular pump provided in the ion source, the step of energizing and heating the filament of the ion source from the middle of the exhaust, and the back pressure of the turbo molecular pump of the ion source are measured with a vacuum gauge Thus, there is provided a method for exchanging an ion source, comprising: obtaining information on pressure in the arc chamber during the energization heating and monitoring degas processing.

また、本発明は、イオン注入装置に設けられるイオン源の交換方法であって、イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源のアークチャンバ内の排気を、前記イオン源に設けられたターボ分子ポンプを用いて行うステップと、前記排気の途中から、前記イオン源のフィラメントを通電加熱するステップと、前記通電加熱中の前記アークチャンバ内の圧力の情報を、前記イオン源の後工程に配置される、前記アークチャンバと連通するチャンバに設けられる熱陰極電離真空計を用いて計測することにより、デガス処理を監視するステップと、を有することを特徴とするイオン源の交換方法を提供する。   The present invention is also a method for replacing an ion source provided in an ion implantation apparatus, wherein the ion source is provided with exhaust in an arc chamber of an ion source installed for replacement at a predetermined position of the ion implantation apparatus. The step of using a turbo molecular pump, the step of energizing and heating the filament of the ion source from the middle of the exhaust, and the information on the pressure in the arc chamber during the energization heating, And a step of monitoring the degassing process by measuring using a hot cathode ionization vacuum gauge provided in the chamber communicating with the arc chamber. To do.

このとき、前記デガス処理の監視の結果、前記アークチャンバ内の圧力が時間とともに低下するとき、前記フィラメントの通電加熱を終了することが好ましい。   At this time, when the pressure in the arc chamber decreases with time as a result of monitoring the degas treatment, it is preferable to end the energization heating of the filament.

本発明では、イオン源を取り付けた後、フィラメントに通電加熱を行う際、アークチャンバに設けられたイオンゲージにより真空度の測定をせず、アークチャンバ内の排気を行うターボ分子ポンプの背圧ラインの圧力を用いて、アークチャンバ内の真空度の情報を取得する。このため、フィラメントの通電加熱によるデガス時の急激な真空度の低下により、アークチャンバのイオンゲージの測定範囲を越えても、アークチャンバ内の真空度の情報を取得することができ、従来のようにアークチャンバのイオンゲージが破損することもない。このため、フィラメントの通電加熱の際のフィラメント電流を急激に立ち上げることも可能となる。これにより、短時間でフィラメントの通電加熱によるデガスを短時間で行うことができる。
また、フィラメントの通電加熱中のアークチャンバ内の圧力の情報を、イオン源の後工程に配置されるチャンバに設けられるイオンゲージを用いて計測することにより、通電加熱を監視する。このため、フィラメントの通電加熱の際に、フィラメント電流を急激に立ち上げることも可能となる。これにより、短時間でフィラメントの通電加熱によるデガスを短時間で行うことができる。 In the present invention, after the ion source is attached, when the filament is energized and heated, the back pressure line of the turbo molecular pump that exhausts the arc chamber without measuring the degree of vacuum by the ion gauge provided in the arc chamber Information on the degree of vacuum in the arc chamber is acquired using the pressure of For this reason, information on the degree of vacuum in the arc chamber can be obtained even if the measurement range of the ion gauge of the arc chamber is exceeded, due to a sudden decrease in the degree of vacuum during degassing due to energization heating of the filament. In addition, the ion gauge of the arc chamber is not damaged. For this reason, it becomes possible to rapidly raise the filament current when the filament is energized and heated. Thereby, degassing by energization heating of the filament can be performed in a short time.
In addition, the current heating is monitored by measuring information on the pressure in the arc chamber during the current heating of the filament using an ion gauge provided in a chamber disposed in a subsequent process of the ion source. For this reason, the filament current can be rapidly increased when the filament is energized and heated. Thereby, degassing by energization heating of the filament can be performed in a short time.

以下、本発明のイオン源の交換方法について、添付の図面に示される好適実施形態を基に詳細に説明する。   Hereinafter, the ion source replacement method of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

図１は、本発明のイオン源の交換方法を行うときの対象となるイオン注入装置の概略構成図である。
イオン注入装置１０は、イオン源１２、質量分離ユニット１４、真空チャンバ１６，１８、ビーム制御ユニット２０及びエンドステーション２６を主に有する。 FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an ion implantation apparatus which is a target when performing the ion source replacement method of the present invention.
The ion implantation apparatus 10 mainly includes an ion source 12, a mass separation unit 14, vacuum chambers 16 and 18, a beam control unit 20, and an end station 26.

図２は、イオン源１２の断面図である。
イオン源１２は、原料ガスを供給しアーク放電することによりプラズマを生成し、このプラズマからイオンを取り出すことによりイオビームを生成するバーナス型イオン源である。イオン源１２は、図２に示す様に、アークチャンバ１２ａ、フィラメント１２ｂ、反射電極板（リペラープレート）１２ｃ、背面電極板１２ｄ、絶縁部材１２ｅ、フィラメント電源１２ｆ及びアーク電源１２ｇを有する。図２中のアークチャンバ１２ａの図示されない壁板（ベースプレート：図２中の紙面に垂直方向に位置する壁板）には原料ガスをアークチャンバ１２ａ内に供給する原料ガス供給口及びこの壁板と対向する他方の壁板には、イオンビームを取り出すイオンビーム取出口１２ｈを有する。アークチャンバ１２ａは、後述するターボ分子ポンプ１３ａによって減圧され、アークチャンバ１２ａ内で１０−２〜１０−３（Ｐａ）に減圧された高真空状態とされる。 FIG. 2 is a cross-sectional view of the ion source 12.
The ion source 12 is a Bernas ion source that generates a plasma by supplying a source gas and performing arc discharge, and generates an ion beam by extracting ions from the plasma. As shown in FIG. 2, the ion source 12 includes an arc chamber 12a, a filament 12b, a reflective electrode plate (repeller plate) 12c, a back electrode plate 12d, an insulating member 12e, a filament power source 12f, and an arc power source 12g. A wall plate (base plate: wall plate positioned in a direction perpendicular to the paper surface in FIG. 2) (not shown) of the arc chamber 12a in FIG. 2 and a raw material gas supply port for supplying the raw material gas into the arc chamber 12a and the wall plate The other opposite wall plate has an ion beam outlet 12h for extracting the ion beam. The arc chamber 12a is decompressed by a turbo molecular pump 13a, which will be described later, and is brought into a high vacuum state in which the pressure is reduced to 10 −2 to 10 −3 (Pa) in the arc chamber 12a.

アークチャンバ１２aは、耐高温性を有する導電性材料、例えばタングステン、モリブデン、タンタル、炭素等によって構成され、直方体形状の内部空間を有する放電箱であり、後述するフィラメント１２ｂを用いてアーク放電を行ってプラズマを生成する部分である。
アークチャンバ１２ａの内部空間の内壁面（エンドキャップ側の面）には、一方の端面から内部空間に突出するフィラメント１２ｂが設けられ、他方の端面には反射電極板１２ｃが設けられ、フィラメント１２ｂが反射電極板１２ｃに対向するように配置されている。なお、図２中のフィラメント１２ｂは、Ｕ字形状の発熱素子体であるが、タングステン等の抵抗導体線が１〜数回螺旋状に巻かれて折り返された発熱素子体であってもよい。 The arc chamber 12a is a discharge box made of a conductive material having a high temperature resistance, for example, tungsten, molybdenum, tantalum, carbon, etc. and having a rectangular parallelepiped internal space, and performs arc discharge using a filament 12b described later. This is the part that generates plasma.
The inner wall surface (the surface on the end cap side) of the inner space of the arc chamber 12a is provided with a filament 12b that protrudes from one end surface into the inner space, and the other end surface is provided with a reflective electrode plate 12c. It arrange | positions so that the reflective electrode plate 12c may be opposed. In addition, although the filament 12b in FIG. 2 is a U-shaped heating element body, it may be a heating element body in which a resistive conductor wire such as tungsten is spirally wound once or several times.

フィラメント１２ｂと内壁面の端面との間には背面電極板１２ｄが設けられ、カソードプレートとなっている。フィラメント１２ｂには、フィラメント１２ｂから熱電子を放出するように、フィラメント１２ｂの両端間に所定の電圧Ｖ1、例えば数Ｖ〜１０数Ｖを印加することでフィラメント電流を流すフィラメント電源１２ｆが設けられ、２０００℃程度に加熱されて白熱したフィラメント１２ｂからアークチャンバ１２ａの内部に熱電子を放出する。また、フィラメント１２ｂの負極側の端と導電性を有するアークチャンバ１２ａとの間にアーク電圧Ｖ2を印加するように、アーク電源１２ｇが設けられている。アーク電圧Ｖ2として数１０〜１００Ｖ印加され、プラズマが発生することによりアーク放電電流が流れる。なお、フィラメント１２ｂと導電性を有するアークチャンバ１２ａとの間は、それぞれ絶縁性部材１２ｅによって電気絶縁されている。 A back electrode plate 12d is provided between the filament 12b and the end surface of the inner wall surface to form a cathode plate. The filament 12b is provided with a filament power source 12f that applies a predetermined voltage V 1 , for example, several V to several tens V, between both ends of the filament 12b so as to emit thermoelectrons from the filament 12b. Thermionic electrons are emitted from the filament 12b heated to about 2000 ° C. and incandescent to the inside of the arc chamber 12a. Also, so as to apply an arc voltage V 2 between the arc chamber 12a having an anode side end and a conductive filament 12b, an arc power source 12g is provided. Is the number 10~100V applied as arc voltage V 2, the arc discharge current flows by plasma is generated. The filament 12b and the arc chamber 12a having conductivity are electrically insulated by an insulating member 12e.

反射電極板１２ｃは、フィラメント１２ｂに対向するように内部空間に設けられ、反射電極板１２ｃに向かって移動する熱電子を反射する反射板である。反射電極板１２ｃとアークチャンバ１２ａとの間は、絶縁性部材１２ｅによって電気絶縁されている。反射電極板１２ｃは、フィラメント電源の負極と接続されている。なお、フィラメント１２ｂに対して反射電極板１２ｃの方向と反対方向にある背面電極板１２ｄは、フィラメント１２ｂの陰極と接続されている。
一方、アークチャンバ１２ａの外側には、背面電極板１２ｄ、フィラメント１２ｂおよび反射電極板１２ｃの配置方向（図２中の左右方向）に沿って磁場が形成されるように図示されないＮ極、Ｓ極の磁石が設けられている。 The reflective electrode plate 12c is a reflective plate that is provided in the internal space so as to face the filament 12b and reflects the thermoelectrons that move toward the reflective electrode plate 12c. The reflective electrode plate 12c and the arc chamber 12a are electrically insulated by an insulating member 12e. The reflective electrode plate 12c is connected to the negative electrode of the filament power source. The back electrode plate 12d, which is opposite to the direction of the reflective electrode plate 12c with respect to the filament 12b, is connected to the cathode of the filament 12b.
On the other hand, on the outside of the arc chamber 12a, N poles and S poles (not shown) are formed so that a magnetic field is formed along the arrangement direction (left and right direction in FIG. 2) of the back electrode plate 12d, the filament 12b, and the reflective electrode plate 12c. The magnet is provided.

アークチャンバ１２ａのイオンビーム取出口１２ｈの近傍には、アークチャンバ１２ａ内でプラズマを及び原料ガスを用いて生成されたイオンをイオンビームとして取り出すための引出電極１２ｉが設けられ、図示されない引出電源と接続されている。   In the vicinity of the ion beam outlet 12h of the arc chamber 12a, an extraction electrode 12i is provided for extracting plasma generated in the arc chamber 12a and ions generated using the source gas as an ion beam. It is connected.

このようなイオン源１２におけるフィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａは、アークチャンバ１２ａの内部空間で生成されるプラズマ又イオンに曝され、イオン源１２を使用するにしたがって摩耗する。このため、フィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａは、比較的頻繁に交換が行われる。
イオン源１２のアークチャンバ１２ａは、ターボ分子ポンプ１３ａによって排気が行われ、さらに、イオンビームを分離する質量分離ユニット１４に導く真空チャンバ１６の経路は、ターボ分子ポンプ１３ｂによって排気が行われ、それぞれ真空度が所定の範囲になるように構成されている。アークチャンバ１２ａには、真空度を計測する熱陰極電離真空計であるイオンゲージ１３ｃが設けられている。 The filament 12b and the arc chamber 12a in the ion source 12 are exposed to plasma or ions generated in the inner space of the arc chamber 12a and wear as the ion source 12 is used. For this reason, the filament 12b and the arc chamber 12a are replaced relatively frequently.
The arc chamber 12a of the ion source 12 is evacuated by a turbo molecular pump 13a. Further, the path of the vacuum chamber 16 leading to the mass separation unit 14 for separating the ion beam is evacuated by the turbo molecular pump 13b. The degree of vacuum is configured to be within a predetermined range. The arc chamber 12a is provided with an ion gauge 13c, which is a hot cathode ionization vacuum gauge for measuring the degree of vacuum.

質量分離ユニット１４は、ターゲット基板２８にイオン注入するためのイオン種のみを選択するために９０度偏向電磁石を用いてイオンビームと垂直方向に扇型の均一磁界を作り、９０度偏向電磁石の電流を制御して均一磁界の強さを変えることで、所望のイオン種を選択できるように構成されている。例えば、図１中のイオンビームａのみをターゲット基板２８に照射させ、イオン質量がイオンビームａと異なるイオンビームｂ、ｃはイオンビームａから分離される。
このような質量分離ユニット１４のイオンビームの経路は、チャンバを形成しており、ターボ分子ポンプやクライオポンプ等の真空ポンプ１３ｄによって排気が行われ、真空度が所定の範囲になるように構成されている。質量分離ユニット１４には、真空度を計測するイオンゲージ１４ｂが設けられている。 The mass separation unit 14 creates a fan-shaped uniform magnetic field in a direction perpendicular to the ion beam by using a 90-degree deflecting electromagnet in order to select only the ion species for ion implantation into the target substrate 28, and the current of the 90-degree deflecting electromagnet The desired ion species can be selected by controlling the intensity of the magnetic field and changing the strength of the uniform magnetic field. For example, the target substrate 28 is irradiated with only the ion beam a in FIG. 1, and the ion beams b and c whose ion mass is different from the ion beam a are separated from the ion beam a.
The ion beam path of the mass separation unit 14 forms a chamber, and is evacuated by a vacuum pump 13d such as a turbo molecular pump or a cryopump so that the degree of vacuum is within a predetermined range. ing. The mass separation unit 14 is provided with an ion gauge 14b for measuring the degree of vacuum.

真空チャンバ１８には、ビーム制御ユニット２０が設けられている。ビーム制御ユニット２０は、質量分離ユニット１４からのイオンビームを均一なプロファイルに成型するものであり、例えば、マルチポール電磁石を用いてイオンビームが整形される。真空チャンバ１８の排気は、ターボ分子ポンプやクライオポンプ等の真空ポンプ２０ｂによって行われ、この経路における真空度が所定の範囲になるようにイオンゲージ２０ａが設けられている。   The vacuum chamber 18 is provided with a beam control unit 20. The beam control unit 20 forms the ion beam from the mass separation unit 14 into a uniform profile. For example, the ion beam is shaped using a multipole electromagnet. The vacuum chamber 18 is evacuated by a vacuum pump 20b such as a turbo molecular pump or a cryopump, and an ion gauge 20a is provided so that the degree of vacuum in this path is in a predetermined range.

エンドステーション２６は、イオンビームを照射してイオン注入するターゲット基板２８を固定する基板ホルダ２６aが設けられて構成される。又、エンドステーション２６はプロセスチャンバ２６ｂを形成しており、ターボ分子ポンプやクライオポンプ等の真空ポンプ２６ｃによって排気が行われ、この経路における真空度が所定の範囲になるようにイオンゲージ２６ｄが設けられている。   The end station 26 is configured by being provided with a substrate holder 26a for fixing a target substrate 28 on which ion implantation is performed by irradiating an ion beam. The end station 26 forms a process chamber 26b, which is evacuated by a vacuum pump 26c such as a turbo molecular pump or a cryopump. An ion gauge 26d is provided so that the degree of vacuum in this path is within a predetermined range. It has been.

このような構成のイオン注入装置１０では、上述したように、イオン源１２のフィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａの交換頻度が高い。
本発明は、このフィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａの交換の際、フィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａのデガス処理を効率よく行うための方法に関する。 In the ion implantation apparatus 10 having such a configuration, as described above, the replacement frequency of the filament 12b and the arc chamber 12a of the ion source 12 is high.
The present invention relates to a method for efficiently degassing the filament 12b and the arc chamber 12a when the filament 12b and the arc chamber 12a are exchanged.

以下では、フィラメント１２ｂとアークチャンバ１２ａを同時に交換する場合を説明するが、本発明においては、フィラメント１２ｂのみの交換又はアークチャンバ１２ａのみの交換の場合であってもよい。   Hereinafter, a case where the filament 12b and the arc chamber 12a are simultaneously replaced will be described. However, in the present invention, only the filament 12b or only the arc chamber 12a may be replaced.

まず、アークチャンバ１２ａをイオン注入装置１０から取り外して新たなアークチャンバ１２ａと交換し、さらに、フィラメント１２ｂを新品のフィラメント１２ｂと交換してアークチャンバ１２ａに取り付け、このアークチャンバ１２ａをイオン注入装置１０の所定の位置にセットする。
次に、イオン源１２のアークチャンバ１２ａ内の排気が、イオン源１２に設けられたターボ分子ポンプ１３ａを用いて行われる。ターボ分子ポンプ１３ａには、図３に示すように大気側にドライポンプ１３ｅが設けられ、ターボ分子ポンプ１３ａとドライポンプ１３ｅとの間のライン、すなわち、ターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインに、ターボ分子ポンプ１３ａの背圧を計測する真空計１３ｆが設けられている。この真空計１３ｆを用いてターボ分子ポンプ１３ａの背圧が計測され、これによってアークチャンバ１２ａ内の真空度の情報が取得される。アークチャンバ内の真空度とターボ分子ポンプ１３ａの背圧との関係を予め調べておき、計測される圧力から、アークチャンバ１２ａ内の真空度の情報がわかるようにする。真空計１３ｆは、例えば、ピラニ真空計が用いられる。 First, the arc chamber 12a is removed from the ion implantation apparatus 10 and replaced with a new arc chamber 12a, and the filament 12b is replaced with a new filament 12b and attached to the arc chamber 12a. The arc chamber 12a is attached to the ion implantation apparatus 10. Set to a predetermined position.
Next, exhaust in the arc chamber 12 a of the ion source 12 is performed using a turbo molecular pump 13 a provided in the ion source 12. As shown in FIG. 3, the turbo molecular pump 13a is provided with a dry pump 13e on the atmosphere side, and the turbo molecular pump 13a is connected to a line between the turbo molecular pump 13a and the dry pump 13e, that is, a back pressure line of the turbo molecular pump 13a. A vacuum gauge 13f for measuring the back pressure of the molecular pump 13a is provided. The back pressure of the turbo molecular pump 13a is measured using the vacuum gauge 13f, and thereby the information on the degree of vacuum in the arc chamber 12a is acquired. The relationship between the degree of vacuum in the arc chamber and the back pressure of the turbo molecular pump 13a is examined in advance so that information on the degree of vacuum in the arc chamber 12a can be obtained from the measured pressure. For example, a Pirani vacuum gauge is used as the vacuum gauge 13f.

アークチャンバ１２ａ内の真空度が所定値以下になると、フィラメント１２ｂの通電加熱が開始される。アークチャンバ１２ａの真空度が所定値以下でない場合、フィラメント１２ｂの周りのガス分子と反応し、また、残存する酸素ガスによりフィラメント１２ｂが焼き切れるおそれもあるためである。
こうして、フィラメント１２ｂの通電加熱により、フィラメント１２ｂに吸着していた不純物がガスとして放出され、さらに、フィラメント１２ｂの過熱によって加温されたアークチャンバ１２ａの内壁面からガスが放出される。これらのガスの放出により、高い真空度に保たれていたアークチャンバ１２ａ内は、一気に真空度が低下（圧力が上昇）する。この圧力上昇は、アークチャンバ１２ａ内の真空度を直接計測するイオンゲージ１３ｃの測定範囲を超えるものであるため、イオンゲージ１３ｃで通電加熱によるデガスの状態を監視することはできない。本発明では、通電加熱によるデガスの状態を監視するために、上述したターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインに設けられる真空計１３ｆを用いる。ターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインに設けられる真空計１３ｆは、デガス処理のときアークチャンバ１２ａ内の真空度が低くなっても、イオンゲージ１３ｃに比べて十分に測定可能に設定されている。このため、アークチャンバ１２ａ内の真空度が低下しても、真空計１３ｃの計測により、アークチャンバ１２ａ内の真空度の情報を取得することができる。すなわち、フィラメント１２ｂの通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の圧力の情報を、ターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインの圧力を計測することにより取得する。この取得によって、通電加熱、さらにはデガス処理の状態を監視することができる。 When the degree of vacuum in the arc chamber 12a becomes a predetermined value or less, energization heating of the filament 12b is started. This is because when the degree of vacuum in the arc chamber 12a is not less than a predetermined value, it reacts with gas molecules around the filament 12b and the filament 12b may be burned out by the remaining oxygen gas.
Thus, by the current heating of the filament 12b, the impurities adsorbed on the filament 12b are released as gas, and further, the gas is released from the inner wall surface of the arc chamber 12a heated by overheating of the filament 12b. Due to the release of these gases, the degree of vacuum decreases (the pressure increases) in the arc chamber 12a that has been maintained at a high degree of vacuum. Since this pressure rise exceeds the measurement range of the ion gauge 13c that directly measures the degree of vacuum in the arc chamber 12a, it is not possible to monitor the degas state due to energization heating with the ion gauge 13c. In the present invention, the vacuum gauge 13f provided in the back pressure line of the turbo molecular pump 13a described above is used in order to monitor the state of degas due to energization heating. The vacuum gauge 13f provided in the back pressure line of the turbo molecular pump 13a is set to be sufficiently measurable as compared with the ion gauge 13c even when the degree of vacuum in the arc chamber 12a is lowered during the degassing process. For this reason, even if the vacuum degree in the arc chamber 12a falls, the information of the vacuum degree in the arc chamber 12a can be acquired by measurement of the vacuum gauge 13c. That is, the information on the pressure in the arc chamber 12a during energization heating of the filament 12b is obtained by measuring the pressure in the back pressure line of the turbo molecular pump 13a. By this acquisition, it is possible to monitor the state of energization heating and further degassing.

上記真空計１３ｆによる監視の結果、アークチャンバ１２ａ内の圧力が時間とともに低下するとき、デガス処理のために行ったフィラメント１２ｂの通電加熱を終了する。この状態は、少なくとも、フィラメント１２ｂやアークチャンバ１２ａの内壁面からのガスの放出が無くなり、ターボ分子ポンプ１３ａの排気により、圧力が低下する状態である。   When the pressure in the arc chamber 12a decreases with time as a result of monitoring by the vacuum gauge 13f, the energization heating of the filament 12b performed for the degas treatment is terminated. This state is a state in which at least gas is not released from the filament 12b and the inner wall surface of the arc chamber 12a, and the pressure is lowered by the exhaust of the turbo molecular pump 13a.

図４は、アークチャンバ１２ａにおける真空度の時間経過を示す模式図である。
大気圧状態の圧力から、ターボ分子ポンプ１３ａにて排気が行われ、真空計１３ｆの測定結果からアークチャンバ１２ａ内の真空度を取得する。この真空度が、所定の値以下になると、フィラメント１２ｂの通電加熱が開始される。通電加熱によってフィラメント１２ｂ及びアークチャンバ１２ａからガスが放出されて、アークチャンバ１２ａの真空度が低下する（圧力が上昇する）。通常、この圧力上昇により、真空度はイオンゲージ１３ｃの測定範囲を超える。しかし、本発明では、ターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインの圧力を真空計１３ｆを用いて計測することにより、アークチャンバ１２ａ内の真空度の情報を取得するので、アークチャンバ１２ａ内の真空度の情報を常時取得することができる。イオンゲージ１３ｃを用いてアークチャンバ１２内の真空度を直接測定した場合、図４に示す実線のように、フィラメント１２ｂの通電加熱によるガスの放出により、イオンゲージ１３ｃでは測定不可能な範囲に真空度は低下する。このため、イオンゲージ１３ｃを用いてフィラメント１２ｂの通電加熱、デガス状態を監視することはできない。イオンゲージ１３ｃを用いる場合、フィラメント１２ｂやアークチャンバ１２ａの内壁面から放出されるガスの発生量と、ターボ分子ポンプ１２ｅの排気量とを概略つりあわせながら、アークチャンバ１２ａ内の真空度がイオンゲージ１３ｃの測定範囲内にとどまるように、フィラメント１２ｂの通電加熱を制御しなければならない。しかし、このような通電加熱を行うためには、フィラメント電流の増加率を極めて緩やかに設定する必要がある。このため、図４に示す一点鎖線のように、デガス処理が終了して、イオン源１２を使用状態とするまでの必要な作業時間は極めて長くなる。これに対して、本発明では、フィラメント電流を急激に上げても、真空計１３ｆでターボ分子ポンプ１３ａの背圧を計測するので、常時真空度の情報を取得でき、フィラメント１２ｂの通電加熱によるデガス処理を短時間に行うことができる。 FIG. 4 is a schematic diagram showing the passage of time of the degree of vacuum in the arc chamber 12a.
The turbo molecular pump 13a is evacuated from the pressure in the atmospheric pressure state, and the degree of vacuum in the arc chamber 12a is acquired from the measurement result of the vacuum gauge 13f. When the degree of vacuum is equal to or lower than a predetermined value, energization heating of the filament 12b is started. Gas is released from the filament 12b and the arc chamber 12a by energization heating, and the degree of vacuum of the arc chamber 12a decreases (pressure increases). Usually, this pressure rise causes the degree of vacuum to exceed the measurement range of the ion gauge 13c. However, in the present invention, information on the degree of vacuum in the arc chamber 12a is obtained by measuring the pressure in the back pressure line of the turbo molecular pump 13a using the vacuum gauge 13f. Information can always be acquired. When the degree of vacuum in the arc chamber 12 is directly measured using the ion gauge 13c, as shown by the solid line in FIG. 4, due to the release of gas by energization heating of the filament 12b, the vacuum is in a range that cannot be measured by the ion gauge 13c. The degree drops. For this reason, it is impossible to monitor the energization heating and degas state of the filament 12b using the ion gauge 13c. In the case of using the ion gauge 13c, the degree of vacuum in the arc chamber 12a is adjusted by roughly balancing the amount of gas released from the filament 12b and the inner wall surface of the arc chamber 12a and the exhaust amount of the turbo molecular pump 12e. The energization heating of the filament 12b must be controlled so that it remains within the measurement range of 13c. However, in order to perform such energization heating, it is necessary to set the increase rate of the filament current very gently. For this reason, as shown by the alternate long and short dash line shown in FIG. In contrast, in the present invention, even if the filament current is suddenly increased, the back pressure of the turbo molecular pump 13a is measured by the vacuum gauge 13f. Therefore, information on the degree of vacuum can always be obtained, and degassing by heating the filament 12b is performed. Processing can be performed in a short time.

なお、本発明においては、フィラメント１２ｂの通電加熱によるデガス処理の監視のために、ターボ分子ポンプ１３ａの背圧ラインに設けられた真空ポンプ１３ｄを用いるほか、通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の真空度の情報を、イオン源１０の後工程のチャンバに配置されるイオンゲージ１４ｂ，２０ａ，２６ｄを用いて計測することにより、デガス状態を監視することもできる。
上述したイオン注入装置１０におけるイオンビームの経路の空間（真空チャンバ１６，１８、質量分離ユニット１４及びエンドステーション２６のプロセスチャンバ）は互いに連通しているので、アークチャンバ１２ａ及びフィラメント１２ｂの通電加熱によりガスが放出しても、これらの連通した空間では真空度がイオンゲージ１４ｂ，２０ａ，２６ｄの測定範囲を逸脱する程度に低下しない。このため、イオンゲージ１４ｂ，２０ａ，２６ｄで真空度を直接測定することができる。これにより、フィラメント電流を急激に上げても、イオンビームの経路となる空間の真空度をイオンゲージ１４ｂ，２０ａ，２６ｄで測定することができ、デガス状態を短時間に行うことができる。 In the present invention, a vacuum pump 13d provided in the back pressure line of the turbo molecular pump 13a is used for monitoring the degassing process by energization heating of the filament 12b, and the vacuum in the arc chamber 12a during energization heating is used. The degas state can be monitored by measuring the degree information using the ion gauges 14b, 20a, and 26d disposed in the chamber in the subsequent process of the ion source 10.
Since the ion beam path space (the vacuum chambers 16 and 18, the mass separation unit 14 and the process chamber of the end station 26) in the ion implantation apparatus 10 is in communication with each other, the arc chamber 12a and the filament 12b are energized and heated. Even if the gas is released, the degree of vacuum does not decrease to such a degree that it deviates from the measurement range of the ion gauges 14b, 20a, and 26d in these communicating spaces. For this reason, the degree of vacuum can be directly measured by the ion gauges 14b, 20a, and 26d. Thereby, even if the filament current is rapidly increased, the degree of vacuum in the space serving as the path of the ion beam can be measured by the ion gauges 14b, 20a, and 26d, and the degas state can be performed in a short time.

以上、本発明のイオン源交換方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。   The ion source replacement method of the present invention has been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and various improvements and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. It is.

本発明のイオン源の交換方法を行うときの対象となるイオン注入装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the ion implantation apparatus used as the object when performing the ion source replacement | exchange method of this invention. 図１に示すイオン注入装置に用いるイオン源の断面図である。It is sectional drawing of the ion source used for the ion implantation apparatus shown in FIG. 図１に示すイオン注入装置に用いるターボ分子ポンプの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the turbo-molecular pump used for the ion implantation apparatus shown in FIG. 本発明のイオン源の交換方法を行うときの真空度の時間経過を模式的に説明する図である。It is a figure which illustrates typically the time passage of the degree of vacuum when performing the exchange method of the ion source of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０ イオン注入装置
１２ イオン源
１２ａ アークチャンバ
１２ｂ フィラメント
１２ｃ 反射電極板
１２ｄ 背面電極板
１２ｅ 絶縁部材
１２ｆ フィラメント電源
１２ｇ アーク電源
１２ｈ イオンビーム取出口
１２ｉ 引出電極
１３ａ，１３ｂ，１３ｄ，２０ｂ，２６ｃ ターボ分子ポンプ
１３ｃ，１４ｂ，２０ａ，２６ｄ イオンゲージ
１４ 質量分離ユニット
１６，１８ 真空チャンバ
２０ ビーム制御ユニット
２６ エンドステーション
２６ａ 基板ホルダ
２６ｂ プロセスチャンバ
２８ ターゲット基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Ion implantation apparatus 12 Ion source 12a Arc chamber 12b Filament 12c Reflective electrode plate 12d Back electrode plate 12e Insulation member 12f Filament power supply 12g Arc power supply 12h Ion beam extraction port 12i Extraction electrode 13a, 13b, 13d, 20b, 26c Turbo molecular pump 13c , 14b, 20a, 26d Ion gauge 14 Mass separation unit 16, 18 Vacuum chamber 20 Beam control unit 26 End station 26a Substrate holder 26b Process chamber 28 Target substrate

Claims (3)

イオン注入装置に設けられるイオン源の交換方法であって、
イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源のアークチャンバ内の排気を、前記イオン源に設けられたターボ分子ポンプを用いて行うステップと、
前記排気の途中から、前記イオン源のフィラメントを通電加熱するステップと、
前記イオン源のターボ分子ポンプの背圧を真空計により測定することにより、前記通電加熱中の前記アークチャンバ内の圧力の情報を取得してデガス処理を監視するステップと、を有することを特徴とするイオン源の交換方法。 An ion source replacement method provided in an ion implantation apparatus,
Evacuating the arc chamber of the ion source installed for replacement at a predetermined position of the ion implantation apparatus using a turbo molecular pump provided in the ion source; and
Energizing and heating the filament of the ion source from the middle of the exhaust;
Measuring the back pressure of the turbo molecular pump of the ion source with a vacuum gauge to obtain information on the pressure in the arc chamber during the energization heating and monitoring the degassing process. To replace the ion source. イオン注入装置に設けられるイオン源の交換方法であって、
イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源のアークチャンバ内の排気を、前記イオン源に設けられたターボ分子ポンプを用いて行うステップと、
前記排気の途中から、前記イオン源のフィラメントを通電加熱するステップと、
前記通電加熱中の前記アークチャンバ内の圧力の情報を、前記イオン源の後工程に配置される、前記アークチャンバと連通するチャンバに設けられる熱陰極電離真空計を用いて計測することにより、デガス処理を監視するステップと、を有することを特徴とするイオン源の交換方法。 An ion source replacement method provided in an ion implantation apparatus,
Evacuating the arc chamber of the ion source installed for replacement at a predetermined position of the ion implantation apparatus using a turbo molecular pump provided in the ion source; and
Energizing and heating the filament of the ion source from the middle of the exhaust;
By measuring the pressure information in the arc chamber during the energization heating by using a hot cathode ionization vacuum gauge provided in a chamber communicating with the arc chamber, which is disposed in a subsequent process of the ion source, degassing is performed. And a step of monitoring the process. 前記デガス処理の監視の結果、前記アークチャンバ内の圧力が時間とともに低下するとき、前記フィラメントの通電加熱を終了する請求項１又は２に記載のイオン源の交換方法。   The ion source replacement method according to claim 1 or 2, wherein when the pressure in the arc chamber decreases with time as a result of monitoring the degassing process, the heating of the filament is terminated.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04206238A (en) * 1990-11-30 1992-07-28 Hitachi Ltd Hot-cathode hollow cathode ion source
JPH11283552A (en) * 1998-03-31 1999-10-15 Tadamoto Tamai Device and method for ion implantation, ion-beam source and variable slit mechanism
JP2001295761A (en) * 2000-04-11 2001-10-26 Ebara Corp Evacuation system
JP2002008581A (en) * 2000-06-21 2002-01-11 Seiko Epson Corp Ion implantation device and replacement method of its source head
JP2004043860A (en) * 2002-07-10 2004-02-12 Hitachi High-Technologies Corp Milling method for sample
JP2005005098A (en) * 2003-06-11 2005-01-06 Sumitomo Eaton Noba Kk Ion implanter and its control method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04206238A (en) * 1990-11-30 1992-07-28 Hitachi Ltd Hot-cathode hollow cathode ion source
JPH11283552A (en) * 1998-03-31 1999-10-15 Tadamoto Tamai Device and method for ion implantation, ion-beam source and variable slit mechanism
JP2001295761A (en) * 2000-04-11 2001-10-26 Ebara Corp Evacuation system
JP2002008581A (en) * 2000-06-21 2002-01-11 Seiko Epson Corp Ion implantation device and replacement method of its source head
JP2004043860A (en) * 2002-07-10 2004-02-12 Hitachi High-Technologies Corp Milling method for sample
JP2005005098A (en) * 2003-06-11 2005-01-06 Sumitomo Eaton Noba Kk Ion implanter and its control method

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