JP2007241268A

JP2007241268A - 光波長フィルタ装置

Info

Publication number: JP2007241268A
Application number: JP2007030392A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Matano; 高宏俣野; Satoshi Yoshihara; 聡吉原; Akihiko Sakamoto; 明彦坂本; Tsutomu Imamura; 努今村; Ryota Suzuki; 良太鈴木; Shunsuke Fujita; 俊輔藤田
Original assignee: Nippon Electric Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date: 2006-02-13
Filing date: 2007-02-09
Publication date: 2007-09-20

Abstract

【課題】本発明の目的は、半値幅をあまり小さくすることなく、透過スペクトルにおけるピーク間の透過光量、すなわち、最小透過光量を低減することができる光波長フィルタ装置を提供することである。
【解決手段】本発明の光波長フィルタ装置は、ファイバエタロン素子を複数個直列に光接続してなることを特徴とし、また、本発明の光波長フィルタ装置は、ファイバエタロン素子を用いた光波長フィルタ装置において、最大透過光量と最小透過光量との差を示す遮断率（ＰＶ値）（ｄＢ）が-１０ｌｏｇ｛ｔａｎ²（π／２Ｆ）｝よりも大きいことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、特定の波長の光だけを選択的に透過する光波長フィルタ装置に関するものである。

光干渉素子およびそれを用いた光波長フィルタ装置は、波長多重光通信（ＷＤＭ）における合分波デバイスや各種の光学測定機に広く使用されている。これらの素子またはフィルタとしては、一般に、ファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）素子（例えば、特許文献１参照。）や誘電体多層膜フィルタ（例えば、特許文献２参照。）等の他、ファブリ・ペロ・エタロン素子（例えば、特許文献３参照。）が周知である。

ファブリ・ペロ・エタロン素子（以下、エタロン素子と称す）は、反射膜を有する二つの平行平面間の光多重反射を利用したものであり、前記のＦＢＧ素子や誘電体多層膜フィルタに比べて、透過する光の波長帯域が非常に狭いという特徴がある。

エタロン素子の透過する光の波長λは下記（１）式で表される。

λ＝２ｎｄ／ｍ・・・（１）
ここで、ｎは屈折率、ｄはエタロン素子を構成する反射膜の間隔、ｍは任意の自然数である。つまり、（１）式は、２ｎｄが波長λの整数倍となる光のみがエタロン素子を透過できることを示している。透過スペクトルのピーク形状は、反射膜の反射率に依存し、反射率が高いほどピーク幅は細く、透過スペクトルにおける最小透過光量を低く抑えることが可能となる。なお、最小透過光量とは図７に示す透過スペクトルのピーク間の最も少ない光量を示す。

エタロン素子を用いる場合は、入射光は平行光束である必要があり、平行光束を得るためにはコリメータを用いる必要がある。そのため光学系全体の小型化が困難であり、さらに、微妙な光学系の調整を要するという問題がある。

これらの問題を解決するため、光ファイバを中心軸に含む柱状のエタロン素子（ファイバエタロン素子）を割りスリーブ内に挿入した構成の光波長フィルタ装置が提案されている（例えば、特許文献４参照。）。この構成では、光信号が、割りスリーブ内でエタロン素子と精密に対向させた光コネクタプラグ（光ファイバが光コネクタフェルールによって保持されたもの）を介して直接エタロン素子に光が入射される。この場合、光の多重反射は光ファイバのコア部に限定されるため、コリメータを使用せずとも実質的に平行光束を入射した場合と等しい効果が得られ、エタロン素子に必要な光干渉条件が確保できるという利点を備えている。さらに、一般的な光コネクタに類似した構成により容易に光学結合できるため、微妙な光学系の調整を必要とせず、小型化に適しているという利点も備えている。
特開２００１-３０５３５６号公報特開平１１-２１８６１７号公報特開平３-４５９０４号公報特許２６８５６２０号公報

ところで、エタロン素子は、特定の波長の光だけを選択的に透過するものであるが、その他の波長の光もわずかながら透過する。このような波長の透過光量（最小透過光量）を低く抑えるためには、エタロン素子を構成する反射膜として反射率の高い膜を使用する必要がある。しかし、反射膜に反射率の高い膜を使用すると、エタロン素子の透過スペクトルのピークは半値幅が非常に小さくなるため、例えば、ＬＤ光源からの入射波長がずれた場合、充分な透過光量を得にくくなる。このように、従来のエタロン素子では、原理上、最小透過光量を低く抑え、半値幅を大きくすることは困難である。なお、半値幅はピークの最大透過光量と最小透過光量の中間値におけるピークの波長幅を指し、ｄＢ表示では３ｄＢにおける波長幅に相当する。

本発明の目的は、半値幅をあまり小さくすることなく、透過スペクトルにおけるピーク間の透過光量、すなわち、最小透過光量を低減することができる光波長フィルタ装置を提供することである。

１個のエタロン素子を光波長フィルタ装置に用いた場合、理論上、透過スペクトルの最大透過光量と最小透過光量の差を示す遮断率（ＰＶ値）には反射膜の反射率との間に、遮断率（ＰＶ値）（ｄＢ）＝-１０ｌｏｇ｛（１-反射率）²／（１＋反射率）²｝の関係がある。

また、隣接する透過光の波長間隔、いわゆるＦＳＲ（ＦｒｅｅＳｐｅｃｔｒａｌＲａｎｇｅ）は、入射波長をλとしたとき、ＦＳＲ＝λ²／（２×ｎ×ｄ）で表され、ｎはエタロン素子の導波部の屈折率、ｄはエタロン素子の反射膜の間隔を示す。このことから、特定の波長帯域におけるＦＳＲはｎとｄのみに依存する。

すなわち、エタロン素子の反射膜の反射率と反射膜の間隔により、エタロン素子の透過スペクトルのＦＳＲ、最大透過光量と最小透過光量の差を示す遮断率（ＰＶ値）が一義的に決定されることがわかる。

また、１個のエタロン素子を用いた場合の遮断率（ＰＶ値）は、透過スペクトルから測定可能な半値幅とＦＳＲとからなる変数Ｆ（＝ＦＳＲ／半値幅）を用いて表すと、以下の関係が成り立つことを導き出した。なお、Ｆはフィネスと呼ばれる変数である。

遮断率（ＰＶ値）＝-１０ｌｏｇ｛ｔａｎ²（π／２Ｆ）｝（０＜１／Ｆ≦０．５）
以上のことから、遮断率（ＰＶ値）は反射膜の反射率が高くなるにつれて大きくなり、ＦＳＲが一定であれば、遮断率（ＰＶ値）が大きくなるにつれて、課題となる半値幅は小さくなる。なお、実際には遮断率（ＰＶ値）は、図７に示すｄＢ表示したエタロン素子の透過スペクトルから、最大透過光量と最小透過光量の差として求められる値である。また、半値幅は必要とされる波長に一番近いピークから求め、ＦＳＲは前記ピークと、それよりも長波長側の隣り合うピークとの間の波長差を求めたものである。

そこで、本発明者等は、種々の検討を行なった結果、エタロン素子として、光ファイバを保持部材の挿入孔に挿入固定してなるファイバエタロン素子を用い、そのファイバエタロン素子を複数個直列に光接続して用いると、１個のエタロン素子を光波長フィルタ装置に用いた場合には不可能な-１０ｌｏｇ｛ｔａｎ²（π／２Ｆ）｝よりも大きな遮断率（ＰＶ値）が得られること、つまり、透過スペクトルのピークの半値幅をあまり小さくすることなく、最小透過光量を充分に低減できることを突き止め、本発明として提案するものである。

すなわち、本発明の光波長フィルタ装置は、ファイバエタロン素子を複数個直列に光接続してなることを特徴とする。

また、本発明の光波長フィルタ装置は、ファイバエタロン素子を用いた光波長フィルタ装置において、最大透過光量と最小透過光量との差を示す遮断率（ＰＶ値）（ｄＢ）が-１０ｌｏｇ｛ｔａｎ²（π／２Ｆ）｝よりも大きいことを特徴とする。

本発明の光波長フィルタ装置は、上記した構成を有するため透過スペクトルの半値幅をあまり小さくすることなく、最小透過光量を充分に低減することができる。すなわち、遮断率（ＰＶ値）は-１０ｌｏｇ｛ｔａｎ²（π／２Ｆ）｝よりも大きな値を有する。最小透過光量を充分低減すること、つまり、遮断率（ＰＶ値）を大きくすることにより、不必要な波長の透過光を抑制することができるとともに、透過スペクトルの半値幅があまり小さくならないため、例えば、ＬＤ光源からの入射波長がずれた場合でも充分な透過光量を得ることができる。

尚、上記したファイバエタロン素子とは、筒状の保持部材と、保持部材の挿入孔に挿入固定された光ファイバと、少なくとも光ファイバの片端面に形成された反射膜とを備えているものと定義される。

また、本発明の光波長フィルタ装置は、ファイバエタロン素子を使用するためコリメータレンズ等を用いる必要がなく、小型化できるとともに、安価で作製することができる。

本発明の光波長フィルタ装置は、光路長および反射膜の反射率が同じファイバエタロン素子を複数個直列に光接続して用いると、個々のファイバエタロン素子の透過スペクトルが重なり、１個のファイバエタロン素子の場合とほぼ同じ半値幅で大きな遮断率（ＰＶ値）を得ることができる。また、光路長および反射膜の反射率の少なくとも一方が異なるファイバエタロン素子を直列に光接続しても、それぞれのファイバエタロン素子の透過スペクトルのピークが所望の位置で重なるのであれば問題なく使用できる。ちなみに、１個のファイバエタロン素子の端面に互いに異なる反射率を有する反射膜が形成されていても良い。

また、反射膜は、各々の保持部材に挿入固定された光ファイバの両端面に形成されていることが好ましいが、直列状に並んだ複数個のファイバエタロン素子のうち、両端に配置されたファイバエタロン素子の光ファイバプラグと対向した光ファイバの端面に反射膜が形成されずに、光ファイバプラグの挿入孔に挿入固定された光ファイバの端面に形成されていてもよい。

また、反射膜には、金属薄膜や誘電体多層膜等が使用される。反射膜の形成には、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ、ＰＶＤ、イオンプレーティング法等が使用可能である。特に、反射膜の機械的強度特性が強いため、スパッタ法を用いた反射膜の形成方法が好ましい。

本発明の光波長フィルタ装置は、複数個のファイバエタロン素子を光導波路部材を用いて個々に接続しても良いが、複数個のファイバエタロン素子を直接接続すると接続点が少なくなり、接続損失を小さくできるため好ましい。また、複数個のファイバエタロン素子をペルチェ素子等を用いて一度に温度調整できるため、温度依存性の小さいコンパクトな光波長フィルタ装置を作製することができる。

複数個のファイバエタロン素子を光導波路部材を用いて接続する場合、一部または全部のファイバエタロン素子を光導波路部材で接続しても良い。この場合、ファイバエタロン素子同士の間に間隔が設けられるため、各々のファイバエタロン素子をそれぞれ温度調節することによって、各ファイバエタロン素子の透過スペクトルを微調整でき、所望の波長におけるピークを重ね合わせることが容易になる。この場合すべてのファイバエタロン素子を温度調整しても良いが、一部のファイバエタロン素子だけを温度調整すると光波長フィルタ装置の大型化を抑制できる。

また、ファイバエタロン素子を透過させた光をもう一度サーキュレーターやカプラを使用して再びファイバエタロン素子に戻すことのできる構成の光波長フィルタ装置も、ファイバエタロン素子を複数個直列に配列したことと同義であるため本発明の範疇に入るものとする。

上記した構成において、ファイバエタロン素子の個数は、２又は３個であることが好ましい。ファイバエタロン素子の個数が４個以上になると、接続点が多いため接続損失が大きくなるとともに、それぞれのファイバエタロン素子のピーク波長を精度良く合致させることが難しくなり、それに従い、製造コストが高くなるからである。

本発明の光波長フィルタ装置は、複数個のファイバエタロン素子が互いにＰＣ（ｐｈｙｓｉｃａｌｃｏｎｔａｃｔ）接続されてなると接続損失が小さくなり、最小透過光量を充分に低減できるため好ましい。

本発明の光波長フィルタ装置は、直列状に光接続された複数個のファイバエタロン素子と、それらの両端のファイバエタロン素子に光接続され、挿入孔内に光ファイバが挿入固定された一対の光ファイバプラグと、ファイバエタロン素子及び光ファイバプラグを位置決めする位置決め部材とを備えていることが好ましい。

すなわち、位置決め部材として、円筒スリーブ、割りスリーブ等のスリーブや、Ｖ溝基板などの位置決め部材を用いると調芯作業を行なうことなくＰＣ接続が可能になる。特に、円筒スリーブは曲げ応力が加わっても変形しにくく軸ずれしにくいため好ましい。

また、スリーブ内にファイバエタロン素子を挿置し、ＬＣ、ＦＣ、ＭＵ、ＳＣ等のフェルールを組み込んだプラグをスリーブの両端から挿入すると、調芯作業を行なうことなく、ファイバエタロン素子とＰＣ接続でき、容易に光接続が可能となる。さらに、プラグの後端部にバネを設置すれば適切な押圧力を付与することも可能である。これらＰＣ接続される端面は、ＰＣ接続に好ましい端面研磨（ＰＣ研磨）が施されていることが好ましい。なお、端面が精度の高い平行面である場合、ＰＣ研磨のような曲面加工の必要はなく、屈折率整合剤を接続部に充填することによって接続損失を小さくすることができる。

本発明の光波長フィルタ装置は、ファイバエタロン素子が保持部材と光ファイバとを備え、光ファイバが保持部材の内孔に融着固定されていると、光ファイバに作用する応力が均一なため、接着剤で固定した場合に比べて、接着剤の劣化や接着剤の硬化収縮時に光ファイバに不均一に応力が加わることによって接続損失の増大やピークの分裂による半値幅のバラツキが生じるという問題が発生するおそれがなく好ましい。

本発明の光波長フィルタ装置において、遮断率（ＰＶ値）が、-１０ｌｏｇ｛ｔａｎ²（π／２Ｆ）｝よりも大きく、-１０ｌｏｇ｛ｔａｎ^2.5（π／２Ｆ）｝よりも大きいことが好ましく、-１０ｌｏｇ｛ｔａｎ³（π／２Ｆ）｝よりも大きいことがより好ましい。

また、１／Ｆは原理的に０〜０．５の範囲内で取ることが可能であるが、０．０５〜０．５であると好ましい。０．０５よりも小さいと半値幅が小さくなりすぎるため、好ましくない。より好ましい１／Ｆの範囲は０．１〜０．４であり、さらに好ましい範囲は０．１５〜０．３５である。

また、本発明の光波長フィルタ装置は、接続損失を小さくするには、軸ずれを小さくする必要があり、位置決め部材に円筒スリーブを用いることや、ファイバエタロン素子やフェルールに、その軸心に光ファイバを融着固定したものを用いることで達成できる。

以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。

表１は実施例１〜５を、表２は実施例６〜１０を、表３は比較例１〜６を示す。

また、図１は実施例１、３〜８の光波長フィルタ装置の断面図を示し、図２は実施例２の光波長フィルタ装置を示す。図３は、透過スペクトルの測定装置の説明図を示す。また、図４は実施例１、１０および比較例１の光波長フィルタ装置の透過スペクトルを示し、図５は実施例１および比較例４の光波長フィルタ装置の透過スペクトルを示し、図６は、実施例１〜１０（◆印）および比較例１〜６（●印）について１／Ｆに対する遮断率（ＰＶ値）をプロットしたグラフである。なお、実施例１および実施例３、実施例４および実施例８、比較例２、比較例５および比較例６は同じ点にプロットが重なっている。

［実施例１］
図１に示すように、実施例１の光波長フィルタ装置１０は、シリカガラスからなる光ファイバ１１とフェルール１２とからなる一対の光ファイバプラグ１３、１３と、２個の円柱状のファイバエタロン素子１４、１４と、円筒スリーブ１５とを備え、円筒スリーブ１５内で、光ファイバプラグ１３とファイバエタロン素子１４およびファイバエタロン素子１４、１４同士がバネ（図示せず）により５００ｇｆの力で押圧されてＰＣ接続されている。

なお、ファイバエタロン素子１４は、結晶化ガラスからなる円筒状の保持部材と、その挿入孔内に挿入固定された光ファイバと、その両端面に形成された反射膜とを備えている。尚、このファイバエタロン素子は、以下のようにして作製される。まず、円筒状に成形した結晶化ガラス製の予備成形体を準備し、その内孔に光ファイバを挿通した状態で、円筒状の予備成形体を加熱延伸しながら光ファイバの表面に結晶化ガラスを融着させることによって、導波路部品を作製する。次いで、この導波路部品を適当な長さに切断し、その両端面をＰＣ研磨する。研磨後に研磨面（光ファイバの両端面）に反射膜を形成することによって、ファイバエタロン素子を作製する。実施例１ではファイバエタロン素子１４は、長さ１．２６ｍｍ、直径１．２４９ｍｍの円柱形状を有し、両端面には反射率３８％の反射膜が形成されている。反射膜は誘電体多層膜からなり、Ｎｂ₂Ｏ₅とＳｉＯ₂が交互に合計８層積層されたものである。

［実施例２］
図２に示すように、実施例２の光波長フィルタ装置１０は、光ファイバ１１とフェルール１２とからなる一対の光ファイバプラグ１３、１３と、実施例１と同じ１個の円柱状のファイバエタロン素子１４と、円筒スリーブ１５とを備え、円筒スリーブ１５内で、光ファイバプラグ１３とファイバエタロン素子１４がバネ（図示せず）により５００ｇｆの力で押圧されてＰＣ接続されている２個のフィルタ１６が、長さが１００ｃｍの光ファイバで接続されている。

［実施例３］
実施例1で使用した２個のファイバエタロン素子１４のうち、一方のファイバエタロン素子１４の長さを１．３ｍｍ、もう一方のファイバエタロン素子１４の長さを１．２２ｍｍとした以外は実施例１と同様に構成されている。

［実施例４］
実施例１の光波長フィルタ装置１０のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、両端面に反射率が４６．５％の反射膜が形成されたファイバエタロン素子を２個用いた以外は実施例１と同様に構成されている。

［実施例５］
実施例１の光波長フィルタ装置１０のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、両端面に反射率が５５％の反射膜が形成されたファイバエタロン素子を２個用いた以外は実施例１と同様に構成されている。

［実施例６］
実施例１の光波長フィルタ装置１０のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、両端面に反射率が７６％の反射膜が形成されたファイバエタロン素子を２個用いた以外は実施例１と同様に構成されている。

［実施例７］
実施例1のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、一方の端面に反射率が４６．５％の反射膜を、もう一方の端面に反射率が３８％の反射膜を形成したファイバエタロン素子を２個使用し、４６．５％の反射率の反射膜を形成した端面と、３８％の反射率の反射膜を形成した端面とが対向するように配置した以外は実施例１と同様に構成されている。

［実施例８］
実施例1の２個のファイバエタロン素子１４の長さを２．５５ｍｍとした以外は実施例１と同様に構成されている。

［実施例９］
実施例１の光波長フィルタ装置１０のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、両端面に反射率が４６．５％の反射膜が形成され、長さが１．２６ｍｍのファイバエタロン素子を３個用いた以外は実施例１と同様に構成されている。

［実施例１０］
実施例１の光波長フィルタ装置１０のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、両端面に反射率が３８％の反射膜が形成され、長さが１．２６ｍｍのファイバエタロン素子を３個用いた以外は実施例１と同様に構成されている。

［比較例１］
実施例１の光波長フィルタ装置１０の２個のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、両端面に反射率が５０％の反射膜が形成された１個のファイバエタロン素子を用いた以外は実施例１と同様に構成されている。

［比較例２］
実施例１の光波長フィルタ装置１０の２個のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、両端面に反射率が４６．５％の反射膜が形成された１個のファイバエタロン素子を用いた以外は実施例１と同様に構成されている。

［比較例３］
実施例１の光波長フィルタ装置１０の２個のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、両端面に反射率が６６．８％の反射膜が形成された１個のファイバエタロン素子を用いた以外は実施例１と同様に構成されている。

［比較例４］
実施例１の光波長フィルタ装置１０の２個のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、両端面に反射率が７９％の反射膜が形成された１個のファイバエタロン素子を用いた以外は実施例１と同様に構成されている。

［比較例５］
実施例１の光波長フィルタ装置１０の２個のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、１個のファイバエタロン素子１４を使用し、その長さが２．５５ｍｍである以外は実施例１と同様に構成されている。

［比較例６］
実施例１の光波長フィルタ装置１０の２個のファイバエタロン素子１４、１４の替わりに、１個のファイバエタロン素子１４を使用し、その長さが３．８５ｍｍである以外は実施例１と同様に構成されている。

図３に示すように、透過スペクトルは光波長フィルタ装置２０の一方の光ファイバ２０ａの一端を波長１５５０ｎｍ帯の赤外光を発する光源２１に、もう一方の光ファイバ２０ｂの一端を光スペクトラムアナライザ２２にそれぞれ接続して、透過スペクトルを測定した。図４に実施例１、１０および比較例１の透過スペクトルを、図５に実施例１および比較例４の透過スペクトルをそれぞれ示す。なお、ここで用いた透過スペクトルのピークは、透過波長がもっとも１５５０ｎｍに近いでものあり、ＦＳＲは隣り合う長波長側のピークとの間隔である。

図４から明らかなように、実施例１は比較例１とほとんど同じ半値幅を有するが比較例１よりも大きな遮断率（ＰＶ値）を有していた。さらに、実施例１０は実施例１とほとんど同じ半値幅を有し、実施例１よりも更に大きな遮断率（ＰＶ値）を有していた。また、図５から明らかなように、実施例１は比較例４とほとんど同じ遮断率（ＰＶ値）を有するが比較例４よりも大きな半値幅を有していた。

また、図６から明らかなように実施例１〜１０は、遮断率（ＰＶ値）（ｄＢ）が-１０ｌｏｇ｛ｔａｎ²（π／２Ｆ）｝よりも大きな値を有しており、特に実施例１および実施例３〜１０は、遮断率（ＰＶ値）（ｄＢ）が-１０ｌｏｇ｛ｔａｎ³（π／２Ｆ）｝よりも大きな値を有していた。一方、比較例１〜６は、遮断率（ＰＶ値）（ｄＢ）が-１０ｌｏｇ（｛ｔａｎ²（π／２Ｆ）｝の関係に従っていた。なお、実施例１〜１０において、エタロン素子を挿入することによる損失、挿入損失はいずれも１．５ｄＢ以下と良好であった。

実施例１の光波長フィルタ装置の断面図である。実施例２の光波長フィルタ装置の断面図である。透過スペクトルの測定装置の説明図である。実施例1、１０および比較例１の光波長フィルタ装置の透過スペクトルである。実施例１および比較例４の光波長フィルタ装置の透過スペクトルである。実施例１〜８および比較例１〜６の１／Ｆ（半値幅／ＦＳＲ）に対する遮断率（ＰＶ値）の関係を示すグラフである。半値幅、ＦＳＲおよび遮断率（ＰＶ値）の関係を示す透過スペクトルである。

符号の説明

１０、２０光波長フィルタ装置
１１、２０ａ、２０ｂ光ファイバ
１２フェルール
１３光ファイバプラグ
１４ファイバエタロン素子
１５円筒スリーブ
１６フィルタ
２１光源
２２スペクトラムアナライザ

Claims

ファイバエタロン素子を複数個直列に光接続してなることを特徴とする光波長フィルタ装置。
光路長および反射膜の反射率が同じファイバエタロン素子を複数個直列に光接続してなることを特徴とする請求項１に記載の光波長フィルタ装置。
隣接するファイバエタロン素子がＰＣ接続されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の光波長フィルタ装置。
ファイバエタロン素子を用いた光波長フィルタ装置において、最大透過光量と最小透過光量との差を示す遮断率（ＰＶ値（ｄＢ））が-１０ｌｏｇ｛ｔａｎ²（π／２Ｆ）｝、（Ｆ：フィネス）よりも大きいことを特徴とする光波長フィルタ装置。