JP2007241115A - Drive circuit of plasma display panel - Google Patents

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通孝 大沢
Junichi Sakano
順一 坂野
Kenji Awamoto
健司 粟本
Koji Shinohe
耕治 四戸
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Hitachi Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a drive circuit of a PDP capable of driving the PDP with high efficiency without destructing a semiconductor element of a scan drive circuit constituting a drive circuit of the PDP. <P>SOLUTION: A collector terminal of an IGMT 25 is connected to a power supply Vcc line and an emitter terminal of the IGBT 25 is connected to an output terminal of an output circuit 21, respectively. A cathode terminal (K) of a diode 29 is connected to a line on the side of a power supply Vcc and an anode terminal of the diode 29 is connected to the output terminal, respectively. A collector terminal of an IGBT 27 is connected to an output terminal and an emitter terminal of the IGBT 27 is connected to a common sustain circuit through a virtual ground line, respectively. A cathode terminal of a diode 31 is connected to the output terminal and an anode terminal of the diode 31 is connected to the common sustain circuit 1 through the virtual ground line, respectively. A rectangular wave pulse is output to the corresponding scan electrode from the output terminal from the common sustain circuit 1 through the virtual ground line and the diode 31. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネル(以下、「PDP」と表記する)を駆動するための駆動回路に関する。   The present invention relates to a driving circuit for driving a plasma display panel (hereinafter referred to as “PDP”).

従来、PDPの技術分野において、アドレス放電のための印加電圧の採り得る範囲をより広くし、又黒色表示の輝度を低減することにより表示品質を向上させることを目的とした面放電型PDPの駆動方法及び駆動回路が提案されている。この提案は、リセット期間では、第1、第2の維持電極同士間の放電開始電圧より高い電圧且つ放電により第3の維持電極側に生ずる壁電荷と第1の維持電極側に生ずる壁電荷との間の電圧を該放電開始電圧より高くするための電圧のパルスを、第1、第2の維持電極間に印加する。この際、アドレス電極電位を、第1、第2の維持電極の両電位の略平均値にする。アドレス期間では、選択した維持電極(第2の維持電極)に負電位のパルスを印加すると同時に、点灯させるアドレス電極に所定の正電位のパルスを印加する(例えば特許文献1参照)。   Conventionally, in the technical field of PDP, driving of surface discharge type PDP intended to improve the display quality by widening the range of applied voltage for address discharge and reducing the brightness of black display Methods and drive circuits have been proposed. In the reset period, a voltage higher than a discharge start voltage between the first and second sustain electrodes and a wall charge generated on the third sustain electrode side by discharge and a wall charge generated on the first sustain electrode side A voltage pulse for making the voltage between the first and second sustain electrodes higher than the discharge start voltage is applied between the first and second sustain electrodes. At this time, the address electrode potential is set to a substantially average value of both potentials of the first and second sustain electrodes. In the address period, a negative potential pulse is applied to the selected sustain electrode (second sustain electrode), and at the same time, a predetermined positive potential pulse is applied to the address electrode to be lit (see, for example, Patent Document 1).

また、蓄積キャリアの消滅を部分的に遅延させることにより、パワーMOSFET内蔵のダイオードを保護ダイオードとして利用できるソフトリカバリー特性にすることを目的とした絶縁ゲート型半導体装置が、提案されている。該提案に係る絶縁ゲート型半導体装置では、N+型層を有するN型半導体層の主面にP+型のベース領域を形成し、該ベース領域の表面にN+ソース領域を形成し、チャンネル部上にゲート電極を配置する。FET素子を配置するセル領域を囲むように、P+型の環状領域を形成し、該環状領域の表面にN+型の阻止領域を形成する。該阻止領域にソース電極をコンタクトさせると共に、環状領域には、その一部で部分的にコンタクトする(例えば特許文献2参照)。   In addition, an insulated gate semiconductor device has been proposed that aims to achieve a soft recovery characteristic in which a diode built in a power MOSFET can be used as a protection diode by partially delaying the disappearance of stored carriers. In the insulated gate semiconductor device according to the proposal, the P + type base region is formed on the main surface of the N type semiconductor layer having the N + type layer, the N + source region is formed on the surface of the base region, and the channel portion is formed. A gate electrode is disposed. A P + type annular region is formed so as to surround the cell region in which the FET element is arranged, and an N + type blocking region is formed on the surface of the annular region. A source electrode is brought into contact with the blocking region, and a part of the annular region is partially contacted (see, for example, Patent Document 2).

更に、上記と同様、蓄積キャリアの消滅を部分的に遅延させることにより、パワーMOSFET内蔵のダイオードを保護ダイオードとして利用できるソフトリカバリー特性にすることを目的とした絶縁ゲート型半導体装置が、提案されている。該提案に係る絶縁ゲート型半導体装置では、N+型層を有するN型半導体層の主面にP+型のベース領域を形成し、該ベース領域の表面にN+ソース領域を形成し、チャンネル部上にゲート電極を配置する。FET素子を配置するセル領域を囲むように、P+型の環状領域を形成する。該環状領域には間隔を隔てて複数個配置したコンタクトホールを介して部分的にソース電極とコンタクトする(例えば特許文献3参照)。   In addition, as described above, an insulated gate semiconductor device has been proposed that aims to achieve a soft recovery characteristic in which a diode built in a power MOSFET can be used as a protection diode by partially delaying the disappearance of stored carriers. Yes. In the insulated gate semiconductor device according to the proposal, the P + type base region is formed on the main surface of the N type semiconductor layer having the N + type layer, the N + source region is formed on the surface of the base region, and the channel portion is formed. A gate electrode is disposed. A P + type annular region is formed so as to surround the cell region in which the FET element is arranged. The annular region is partially contacted with the source electrode through a plurality of contact holes arranged at intervals (see, for example, Patent Document 3).

特開平7-160218号公報Japanese Laid-Open Patent Publication No. 7-20218 特開平8-172183号公報Japanese Patent Laid-Open No. 8-172183 特開平8-274311号公報JP-A-8-274311

面放電型PDPでは、発光させる箇所を決定するための複数の直線状のアドレス電極、及びスキャン電極の各々が、マトリクス状に配置された最小発光単位である複数個の表示セルの各々において直交するように配置されており、マトリクスを構成している。また、各々の表示セルにおいて発光を持続させるための直線状の複数の共通サステイン電極は、上記各々のスキャン電極に対し、夫々平行に配置されている。各アドレス電極には、アドレス駆動回路から駆動パルスが供給される。各スキャン電極には、共通サステイン回路において生成された矩形波パルスがグランドライン(後述の仮想グランドライン)を通じてグランドライン(後述の仮想グランドライン)に並列接続されている、各スキャン駆動回路に印加されることにより、各スキャン駆動回路から駆動パルスが供給される。   In the surface discharge type PDP, each of a plurality of linear address electrodes and scan electrodes for determining a location to emit light is orthogonal in each of a plurality of display cells which are the minimum light emission units arranged in a matrix. Are arranged so as to form a matrix. In addition, a plurality of linear common sustain electrodes for sustaining light emission in each display cell are arranged in parallel to the respective scan electrodes. A driving pulse is supplied to each address electrode from an address driving circuit. To each scan electrode, a rectangular wave pulse generated in the common sustain circuit is applied to each scan drive circuit connected in parallel to the ground line (virtual ground line described later) through the ground line (virtual ground line described later). Thus, a drive pulse is supplied from each scan drive circuit.

各スキャン駆動回路の出力段は、電源ラインと出力端子(スキャン電極に接続する)との間、及び出力端子とグランドラインとの間に、例えば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(以下、「IGBT」と表記する)が夫々接続され、トーテムポール構成になっている。電源ラインと出力端子との間に接続されているIGBTには、アノード端子を出力端子側に、カソード端子を電源ライン側に接続されたダイオードが備えられる。また、出力端子とグランドライン(後述の仮想グランドライン)との間に接続されているIGBTには、アノード端子をグランドライン(後述の仮想グランドライン)側に、カソード端子を出力端子側に接続されたダイオードが備えられる。そして、共通サステイン回路からの矩形波パルスは、各スキャン駆動回路の出力段において出力端子とグランドライン(後述の仮想グランドライン)との間に接続されているIGBTに並列接続されたダイオードを通じてスキャン電極に出力される。   The output stage of each scan drive circuit is, for example, an insulated gate bipolar transistor (hereinafter referred to as “IGBT”) between the power supply line and the output terminal (connected to the scan electrode) and between the output terminal and the ground line. Are connected to each other and have a totem pole configuration. The IGBT connected between the power supply line and the output terminal is provided with a diode having an anode terminal connected to the output terminal side and a cathode terminal connected to the power supply line side. Also, the IGBT connected between the output terminal and the ground line (virtual ground line described later) has an anode terminal connected to the ground line (virtual ground line described later) side and a cathode terminal connected to the output terminal side. A diode is provided. Then, the rectangular wave pulse from the common sustain circuit passes through the scan electrode through a diode connected in parallel to the IGBT connected between the output terminal and the ground line (virtual ground line described later) at the output stage of each scan drive circuit. Is output.

しかし、上記各スキャン駆動回路の出力段において、出力端子とグランドライン(後述の仮想グランドライン)との間に接続すべく採用されるダイオードの種類によっては、共通サステイン回路から出力される駆動パルスの立ち上がりが急峻過ぎると、応答遅れにより駆動パルスの立ち上がりに追従することができないものがある。このようなダイオードは、共通サステイン回路から出力される駆動パルスが急峻に立ち上がった瞬間から暫くの間、ダイオードとしての本来の特性を示さずに、一般的な抵抗素子としての特性を示す(つまり、ダイオードが等価的に抵抗素子に見えてしまう)。換言すれば、ダイオードが応答遅れにより、一般的な抵抗素子としての特性から本来のダイオードとしての特性(順方向特性)を回復するまでには、一定の時間(ダイオードの順方向回復時間という。この順方向回復時間は、P/N接合において、キャリアが全く生成されていない状態からキャリアが生成されることによってダイオードの順方向電圧が0.6V〜0.7V位にまで戻る時間)を要することになる。   However, in the output stage of each scan drive circuit, depending on the type of diode employed to connect between the output terminal and a ground line (virtual ground line described later), the drive pulse output from the common sustain circuit If the rise is too steep, there are some that cannot follow the rise of the drive pulse due to a response delay. Such a diode does not show the original characteristic as a diode for a while from the moment when the drive pulse output from the common sustain circuit rises sharply, but shows the characteristic as a general resistance element (that is, The diode appears to be a resistive element equivalently). In other words, a certain time (referred to as a forward recovery time of the diode) is required until the characteristic of the original diode (forward characteristic) is recovered from the characteristic as a general resistance element due to a response delay. The forward recovery time requires a time required for the diode forward voltage to return to about 0.6V to 0.7V by generating carriers from a state where no carriers are generated at the P / N junction. .

そのため、立ち上がりの急峻過ぎる駆動パルスが共通サステイン回路より出力されてから上記一定の時間が経過するまでの間、共通サステイン回路から上記出力端子とグランドラインとの間に接続されるダイオードに流れる電流によってかなり大きな電圧が該ダイオードに印加されることになる。それにより、ダイオードが破壊される虞があるが、上記出力端子とグランドライン(後述の仮想グランドライン)との間に接続されているIGBTにもかなり大きな電圧が印加されることになり、該印加電圧が、該IGBTの逆耐圧(例えば約20V)を超えるような場合には、該IGBTが破壊される虞がある。   For this reason, during the period from when the drive pulse having a steep rise is output from the common sustain circuit until the predetermined time elapses, current flows from the common sustain circuit to the diode connected between the output terminal and the ground line. A fairly large voltage will be applied to the diode. As a result, the diode may be destroyed, but a considerably large voltage is also applied to the IGBT connected between the output terminal and a ground line (virtual ground line described later). When the voltage exceeds the reverse withstand voltage (for example, about 20V) of the IGBT, there is a possibility that the IGBT is destroyed.

このようなダイオードやIGBTの破壊を防止するための対策として、立ち上がりの遅い駆動パルスを共通サステイン回路から出力すると、ダイオードやIGBTの破壊を回避することができても、PDPを高効率で駆動することができなくなるという問題が生じる。   As a measure to prevent the destruction of such diodes and IGBTs, if a drive pulse with a slow rise is output from the common sustain circuit, the PDP can be driven with high efficiency even if the destruction of the diodes and IGBTs can be avoided. The problem of being unable to do so arises.

従って本発明の目的は、プラズマディスプレイパネルの駆動回路を構成するスキャン駆動回路の半導体素子を破壊することなしに、プラズマディスプレイパネルを高効率で駆動することが可能なプラズマディスプレイパネルの駆動回路を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a plasma display panel drive circuit capable of driving the plasma display panel with high efficiency without destroying the semiconductor elements of the scan drive circuit constituting the plasma display panel drive circuit. There is to do.

本発明に従うプラズマディスプレイパネルを駆動するための駆動回路は、出力段が上記プラズマディスプレイパネル内部に配置される電極に接続される、上記電極に矩形波パルス電圧を出力するための矩形波パルス電圧出力回路、を備え、上記出力段が、入力される制御信号によりオン/オフ動作する半導体パワースイッチング素子と、上記半導体パワースイッチング素子に並列接続される、上記矩形波パルス電圧の立ち上がり時間よりも充分に小さい順方向回復時間を持つ半導体整流素子と、を有する。   A driving circuit for driving a plasma display panel according to the present invention includes a rectangular wave pulse voltage output for outputting a rectangular wave pulse voltage to the electrode, the output stage of which is connected to an electrode disposed inside the plasma display panel. A semiconductor power switching element that is turned on / off by an input control signal, and a rise time of the rectangular wave pulse voltage that is connected in parallel to the semiconductor power switching element. A semiconductor rectifying device having a small forward recovery time.

本発明に係る好適な実施形態では、上記プラズマディスプレイパネルが、交流型のプラズマディスプレイパネルである。   In a preferred embodiment according to the present invention, the plasma display panel is an AC type plasma display panel.

上記とは別の実施形態では、上記半導体パワースイッチング素子が、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタである。   In another embodiment, the semiconductor power switching element is an insulated gate bipolar transistor.

また、上記とは別の実施形態では、上記プラズマディスプレイパネル内部に配置される電極が、複数のスキャン電極である。   In an embodiment different from the above, the electrodes arranged inside the plasma display panel are a plurality of scan electrodes.

また、上記とは別の実施形態では、上記矩形波パルス電圧出力回路が、矩形波パルス電圧生成回路から供給される矩形波パルス電圧を受けて上記各々のスキャン電極に印加する、上記各々のスキャン電極毎に設けられる複数のスキャン駆動回路である。   In another embodiment, the rectangular wave pulse voltage output circuit receives the rectangular wave pulse voltage supplied from the rectangular wave pulse voltage generation circuit and applies the rectangular wave pulse voltage to the scan electrodes. It is a plurality of scan drive circuits provided for each electrode.

また、上記とは別の実施形態では、上記矩形波パルス電圧生成回路が、共通サステイン回路である。   In another embodiment different from the above, the rectangular wave pulse voltage generation circuit is a common sustain circuit.

また、上記とは別の実施形態では、上記半導体整流素子の順方向回復時間が、150ns以下である。   In another embodiment, the forward recovery time of the semiconductor rectifier element is 150 ns or less.

更に、上記とは別の実施形態では、上記半導体整流素子内部に荷電粒子が蓄積されている時間が、上記プラズマディスプレイパネルにおいて発光のための放電電流が流れ終わった後、上記矩形波パルス電圧が立ち下がるまでの時間よりも短くなっている。   Further, in another embodiment different from the above, after the discharge current for light emission finishes flowing in the plasma display panel, the rectangular wave pulse voltage is increased after the charged particles are accumulated in the semiconductor rectifier element. It is shorter than the time to fall.

本発明によれば、プラズマディスプレイパネルの駆動回路を構成するスキャン駆動回路の半導体素子を破壊することなしに、プラズマディスプレイパネルを高効率で駆動することが可能なプラズマディスプレイパネルの駆動回路を提供することができる。   According to the present invention, there is provided a driving circuit for a plasma display panel capable of driving the plasma display panel with high efficiency without destroying the semiconductor elements of the scan driving circuit constituting the driving circuit for the plasma display panel. be able to.

以下、本発明の実施の形態を、図面により詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係るPDPの駆動回路の回路構成を示す図である。   FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a PDP drive circuit according to an embodiment of the present invention.

上述したPDPの駆動回路は、図1に示す共通サステイン回路1、及びスキャン駆動回路群3と、図示しないアドレス駆動回路群と、を含む。   The PDP drive circuit described above includes the common sustain circuit 1 and scan drive circuit group 3 shown in FIG. 1, and an address drive circuit group (not shown).

PDP5は、2枚のガラス板(即ち、ガラス基板とガラス板)が適宜な間隔を置いて対向した状態で張り合わせた構造になっている。上記2枚のガラス板によって画定される内部空間には、図1の縦方向に平行に配置された直線状の複数個のアドレス電極(図示しない)と、図1の横方向に平行に配置された直線状の複数個のスキャン電極(図示しない)とが夫々直交してマトリクスを構成している。更に、直線状の複数個の共通サステイン電極(図示しない)が、上記各スキャン電極に対し、夫々平行に配置されている。上記各共通サステイン電極は、PDP5における発光を継続させるためのものである。   The PDP 5 has a structure in which two glass plates (that is, a glass substrate and a glass plate) are bonded to each other with an appropriate interval therebetween. In the internal space defined by the two glass plates, a plurality of linear address electrodes (not shown) arranged parallel to the vertical direction of FIG. 1 and the horizontal direction of FIG. 1 are arranged. A plurality of linear scan electrodes (not shown) are orthogonal to each other to form a matrix. Further, a plurality of linear common sustain electrodes (not shown) are arranged in parallel with the respective scan electrodes. Each of the common sustain electrodes is for continuing light emission in the PDP 5.

上記各アドレス電極と上記各スキャン電極とが夫々直交する箇所、及び上記各アドレス電極と上記各共通サステイン電極とが夫々直交する箇所により、最小発光単位の表示画素である表示セル(図示しない)が形成される。上記各アドレス電極には、アドレス駆動回路群を構成する各アドレス駆動回路(図示しない)から駆動パルスが供給され、また、上記各共通サステイン電極には、共通サステイン回路1から駆動パルスが供給される。   A display cell (not shown) which is a display pixel of the minimum light emission unit is formed by a location where each address electrode and each scan electrode are orthogonal and a location where each address electrode and each common sustain electrode are orthogonal. It is formed. A driving pulse is supplied to each address electrode from each address driving circuit (not shown) constituting an address driving circuit group, and a driving pulse is supplied from the common sustain circuit 1 to each common sustain electrode. .

共通サステイン回路1は、PDP5において発光放電を生じさせるためのもので、所定の矩形波パルスを生成し、該所定の矩形波パルスをスキャン駆動回路群3に出力する。   The common sustain circuit 1 generates light emission discharge in the PDP 5, generates a predetermined rectangular wave pulse, and outputs the predetermined rectangular wave pulse to the scan drive circuit group 3.

スキャン駆動回路群3は、PDP5の内部空間において図1の横方向に平行に配置されたスキャン電極毎に設けられた複数のスキャン駆動回路(図1では、図示と説明の都合上、符号7、9、11の3個のスキャン駆動回路のみ示す)を含む。各スキャン駆動回路は、何れも同一の構成になっており、例えばスキャン駆動回路9に示すように、直流電源(蓄電池)であるスキャン回路電源Ec13と、出力回路15と、を備える。スキャン回路電源Ec13の−側端子と、出力回路15の−側電源端子とは、何れも仮想グランドラインに接続されており、何れの端子も所謂フローティング状態になっている。出力回路15は、上述した−側電源端子に加えて、+側電源端子と、スキャン信号入力端子17と、上記スキャン電極に接続する出力端子19と、を備える。出力回路15は、スキャン信号入力端子17に印加されるスキャン信号に基づいて、所定の回路動作(例えば、スイッチング動作)を行う。   The scan drive circuit group 3 includes a plurality of scan drive circuits provided for each scan electrode arranged in parallel in the horizontal direction of FIG. 1 in the internal space of the PDP 5 (in FIG. 9 and 11 are shown only). Each of the scan drive circuits has the same configuration, and includes a scan circuit power supply Ec13 that is a DC power supply (storage battery) and an output circuit 15, for example, as shown in the scan drive circuit 9. The negative side terminal of the scan circuit power supply Ec13 and the negative side power supply terminal of the output circuit 15 are all connected to a virtual ground line, and both terminals are in a so-called floating state. The output circuit 15 includes a + side power supply terminal, a scan signal input terminal 17, and an output terminal 19 connected to the scan electrode, in addition to the − side power supply terminal described above. The output circuit 15 performs a predetermined circuit operation (for example, switching operation) based on the scan signal applied to the scan signal input terminal 17.

本実施形態では、出力回路15は、例えばスキャン駆動回路7の出力回路21や、スキャン駆動回路11の出力回路23において示すように、2個のIGBTと、2個のダイオードと、を含む。以下では、出力回路21側のICBT、及びダイオードと、出力回路23側のIGBT、及びダイオードとに夫々同一の符号を付し、且つ、出力回路21側の内部構成のみを例にとることによって、説明の重複を回避した。   In the present embodiment, the output circuit 15 includes two IGBTs and two diodes as shown in the output circuit 21 of the scan drive circuit 7 and the output circuit 23 of the scan drive circuit 11, for example. In the following, by giving the same reference numerals to the ICBT and the diode on the output circuit 21 side, and the IGBT and the diode on the output circuit 23 side, respectively, and taking only the internal configuration on the output circuit 21 side as an example, Avoided duplication of explanation.

出力回路21において、電源Vcc側のラインと出力端子(スキャン電極に接続する)との間には、IGBT25が接続されていると共に、該IGBT25と並列にダイオード29が接続されている。また、出力端子と仮想グランドラインとの間には、IGBT27が接続されていると共に、該IGBT27と並列にダイオード31が接続されている。即ち、IGBT25とIGBT27とは、トーテムポール接続されている。また、電源ラインと出力端子との間のダイオード29は、アノード端子が出力端子側に、カソード端子が電源Vcc側のラインに、夫々接続されており、出力端子と仮想グランドラインとの間のダイオード31は、アノード端子が仮想グランドライン側に、カソード端子が出力端子側に、夫々接続されている。   In the output circuit 21, an IGBT 25 is connected between a line on the power supply Vcc side and an output terminal (connected to the scan electrode), and a diode 29 is connected in parallel with the IGBT 25. Further, an IGBT 27 is connected between the output terminal and the virtual ground line, and a diode 31 is connected in parallel with the IGBT 27. That is, the IGBT 25 and the IGBT 27 are connected by a totem pole connection. The diode 29 between the power supply line and the output terminal has an anode terminal connected to the output terminal side and a cathode terminal connected to the power supply Vcc side line, and a diode between the output terminal and the virtual ground line. 31 has an anode terminal connected to the virtual ground line side and a cathode terminal connected to the output terminal side.

IGBT25の動作(スイッチング動作)は、(図示しないコントロール部から)MOSFET構成のゲート端子に印加される電圧信号により、また、IGBT27の動作(スイッチング動作)は、同じく(図示しないコントロール部から)MOSFET構成のゲート端子に印加される電圧信号により、夫々制御される。   The operation (switching operation) of the IGBT 25 is performed by a voltage signal applied to the gate terminal of the MOSFET configuration (from a control unit (not shown)), and the operation (switching operation) of the IGBT 27 is the same (from a control unit (not shown)). Each is controlled by a voltage signal applied to the gate terminal of each.

図2は、図1で示したスキャン駆動回路の内部構成の要部拡大図である。   FIG. 2 is an enlarged view of a main part of the internal configuration of the scan drive circuit shown in FIG.

図1において説明した内容から明らかなように、IGBT25は、そのコレクタ端子(C)が電源Vcc側ラインに、そのエミッタ端子(E)が(出力回路21の)出力端子側に、夫々接続されている。IGBT25に並列接続されているダイオード29は、そのカソード端子(K)が電源Vcc側ラインに、そのアノード端子(A)が(出力回路21の)出力端子側に、夫々接続されている。   As is clear from the contents described in FIG. 1, the IGBT 25 has its collector terminal (C) connected to the power supply Vcc side line and its emitter terminal (E) connected to the output terminal side (of the output circuit 21). Yes. The diode 29 connected in parallel to the IGBT 25 has its cathode terminal (K) connected to the power supply Vcc side line and its anode terminal (A) connected to the output terminal side (of the output circuit 21).

一方、IGBT27は、そのコレクタ端子(C)が出力端子側に、そのエミッタ端子(E)が仮想グランドラインを通じて共通サステイン回路1に、夫々接続されている。IGBT27に並列接続されているダイオード31は、そのカソード端子(K)が出力端子側に、そのアノード端子(A)が仮想グランドラインを通じて共通サステイン回路1に、夫々接続されている。   On the other hand, the IGBT 27 has its collector terminal (C) connected to the output terminal side and its emitter terminal (E) connected to the common sustain circuit 1 through a virtual ground line. The diode 31 connected in parallel to the IGBT 27 has its cathode terminal (K) connected to the output terminal side and its anode terminal (A) connected to the common sustain circuit 1 through a virtual ground line.

共通サステイン回路1において生成された矩形波パルスは、共通サステイン回路1から仮想グランドライン、及びダイオード31を通じて(出力回路21の)出力端子から対応するスキャン電極(図示しない)に出力される。   The rectangular wave pulse generated in the common sustain circuit 1 is output from the output terminal (of the output circuit 21) to the corresponding scan electrode (not shown) through the virtual ground line and the diode 31 from the common sustain circuit 1.

図3は、一般的なダイオードの順方向特性を示す図である。   FIG. 3 is a diagram illustrating the forward characteristics of a general diode.

図1、及び図2に記載のダイオード(29、31)が、共通サステイン回路1からの矩形波パルスに対し、応答遅れをきたさなければ、ダイオード(29、31)の電流/アノード−カソード間電圧特性は、図3で示すような順方向特性を示す。つまり、ダイオード(29、31)における順方向電圧(アノード−カソード間電圧)は、図3で示すように、0.6V〜0.7V程度になる。   If the diode (29, 31) shown in FIG. 1 and FIG. 2 does not cause a response delay with respect to the rectangular wave pulse from the common sustain circuit 1, the current / anode-cathode voltage of the diode (29, 31). The characteristic indicates a forward characteristic as shown in FIG. That is, the forward voltage (anode-cathode voltage) in the diodes (29, 31) is about 0.6V to 0.7V as shown in FIG.

ここで、PDP5の構成について、更に説明する。   Here, the configuration of the PDP 5 will be further described.

PDP(5)には、AC(交流)型のPDPが用いられる。PDP(5)は、原理的には微小蛍光灯を、2枚のガラス板(即ち、ガラス基板とガラス板)によって画定された内面空間に多数配置したものと同一であり、等価的に、互いに対向関係にある電極同士を含むコンデンサ(ガラスコンデンサ)となっている。従って、共通サステイン回路1からスキャン駆動回路(7)を通じてPDP(5)の表面側の電極同士の間に印加されるサステイン駆動電圧が上昇して、該両電極間の電位差が該両電極間の放電開始電圧に達すると、該両電極間で放電が開始され、それによりPDP(5)が発光する。一方、サステイン駆動電圧が上記両電極間の放電開始電圧を下廻ると、上記両電極間での放電は停止され、それによりPDP(5)の発光が停止する。   As the PDP (5), an AC (alternating current) type PDP is used. The PDP (5) is in principle the same as a large number of micro fluorescent lamps arranged in an inner space defined by two glass plates (ie, a glass substrate and a glass plate), and equivalently, It is a capacitor (glass capacitor) including electrodes in an opposing relationship. Accordingly, the sustain drive voltage applied between the electrodes on the surface side of the PDP (5) through the scan drive circuit (7) from the common sustain circuit 1 rises, and the potential difference between the two electrodes is increased between the two electrodes. When the discharge start voltage is reached, discharge is started between the two electrodes, thereby causing the PDP (5) to emit light. On the other hand, when the sustain drive voltage falls below the discharge start voltage between the two electrodes, the discharge between the two electrodes is stopped, thereby stopping the light emission of the PDP (5).

更に、PDP(5)におけるサステイン駆動電圧とサステイン駆動電流との関係について説明する。   Further, the relationship between the sustain drive voltage and the sustain drive current in the PDP (5) will be described.

スキャン駆動回路(7)を通じて共通サステイン回路1からPDP(5)(回路から見ると等価的にガラスコンデンサを形成)に対し、サステイン駆動電圧(矩形波パルス)が印加されると、並行に並べられた電極同士で形成される容量(上記ガラスコンデンサ)を充電するため、まず、該容量(上記ガラスコンデンサ)を充電するための充電電流(サステイン駆動電流の無効成分)が流れる。この充電電流は、PDP(5)内において発生する放電とは無関係である。次に、上記充電電流が流れてから、或る時間(放電遅れの時間)が経過した後に、PDP(5)において実際に発光を生じさせるための放電電流(サステイン駆動電流)が、放電を生じさせるための並行に並べられた電極同士の間に流れる。   When a sustain drive voltage (rectangular wave pulse) is applied to the common sustain circuit 1 to the PDP (5) (equivalently forming a glass capacitor when viewed from the circuit) through the scan drive circuit (7), they are arranged in parallel. In order to charge the capacitance (the glass capacitor) formed between the electrodes, first, a charging current (ineffective component of the sustain drive current) for charging the capacitance (the glass capacitor) flows. This charging current is independent of the discharge that occurs in the PDP (5). Next, after a lapse of a certain time (discharge delay time) after the charging current flows, a discharge current (sustain drive current) for actually causing light emission in the PDP (5) causes discharge. It flows between the electrodes arranged in parallel for the purpose.

PDP(5)内において、発光を生じさせるための発光放電電流(サステイン駆動電流)が流れた後は、サステイン駆動電圧(矩形波パルス)の電圧レベルが"High"であっても、発光放電電流(サステイン駆動電流)は流れない。その理由は、PDP(5)がAC型PDPであることによる。   After the light emission discharge current (sustain drive current) for causing light emission flows in the PDP (5), even if the voltage level of the sustain drive voltage (rectangular wave pulse) is “High”, the light emission discharge current (Sustain drive current) does not flow. The reason is that PDP (5) is an AC type PDP.

AC型PDPの特性として、例えばPDP(5)の表面側の電極同士の間にサステイン駆動電圧(矩形波パルス電圧)が印加されると、該サステイン駆動電圧の印加により正電位になる一方の電極に対向する反対側の並行電極には、極性が逆の(つまり、負の)荷電粒子が張り付く。一方、上記サステイン駆動電圧の印加により負電位になる反対側の電極には、極性が逆の(つまり、正の)荷電粒子が張り付く。そのため、上記サステイン駆動電圧の印加によって、PDP(5)の内部に形成されるべき電界が、上記電極への、上述した正、負の荷電粒子の張り付きによりキャンセルされることになる。よって、PDP(5)に印加されるサステイン駆動電圧の電圧レベルが依然として"High"であったとしても、それによってPDP(5)内部に発光放電電流(サステイン駆動電流)が流れることはない。   As an AC type PDP, for example, when a sustain drive voltage (rectangular wave pulse voltage) is applied between the electrodes on the surface side of the PDP (5), one electrode that becomes a positive potential by the application of the sustain drive voltage On the opposite parallel electrode opposite to, charged particles of opposite polarity (that is, negative) stick. On the other hand, charged particles of opposite polarity (that is, positive) stick to the opposite electrode that becomes negative potential by the application of the sustain drive voltage. Therefore, the application of the sustain drive voltage cancels the electric field to be formed inside the PDP (5) due to the above-described sticking of the positive and negative charged particles to the electrode. Therefore, even if the voltage level of the sustain drive voltage applied to the PDP (5) is still “High”, no light emission discharge current (sustain drive current) flows through the PDP (5).

次に、PDP(5)に対する上述したサステイン駆動電圧の電圧レベルが"High"から"Low"に切り換わると、並行する電極間容量(前記のガラスコンデンサ)(PDP(5))側に蓄積されていた電荷が、放電電流(流れる向きが逆のサステイン駆動電流)となってPDP(5)側からスキャン駆動回路(7)側に流れる。   Next, when the voltage level of the sustain drive voltage described above for PDP (5) switches from "High" to "Low", it is accumulated on the parallel interelectrode capacitance (the glass capacitor) (PDP (5)) side. The charged electric charge becomes a discharge current (sustain drive current having a reverse flow direction) and flows from the PDP (5) side to the scan drive circuit (7) side.

図4は、共通サステイン回路1からスキャン駆動回路(7)を通じてPDP(5)に印加されるサステイン駆動電圧の波形を示す図、図5は、共通サステイン回路1からスキャン駆動回路(7)を通じてPDP(5)に流れるサステイン駆動電流の波形を示す図である。   FIG. 4 is a diagram showing a waveform of a sustain drive voltage applied from the common sustain circuit 1 to the PDP (5) through the scan drive circuit (7), and FIG. 5 shows a PDP from the common sustain circuit 1 through the scan drive circuit (7). It is a figure which shows the waveform of the sustain drive current which flows into (5).

図4において、縦軸はサステイン駆動電圧を横軸は時間を、夫々示し、また、図5において、縦軸はサステイン駆動電流(放電電流)を横軸は時間を、夫々示す。既述の内容から明らかなように、(共通サステイン回路1で生成され、スキャン駆動回路(7)を通じてPDP(5)に印加される)サステイン駆動電圧の波形は、理想的には、矩形波パルスである。しかし、実際のサステイン駆動電圧の波形は、図4に示すように、整った矩形波ではない。   4, the vertical axis represents the sustain drive voltage, the horizontal axis represents time, and in FIG. 5, the vertical axis represents the sustain drive current (discharge current), and the horizontal axis represents the time. As is clear from the above description, the waveform of the sustain drive voltage (generated by the common sustain circuit 1 and applied to the PDP (5) through the scan drive circuit (7)) is ideally a rectangular wave pulse. It is. However, the actual sustain drive voltage waveform is not a regular rectangular wave as shown in FIG.

図4において、時間trは、サステイン駆動電圧の立ち上がりに要する時間を、時間tfは、ダイオード(29、31)の順方向回復時間(P/N接合の近傍領域においてキャリアが全く生成されていない状態から、充分なキャリアが生成されるまでに要する時間)を、夫々示す。PDP(5)を、高効率で駆動するためには、trが充分に小さく、且つ、tfがさらに小さいという条件を満足する必要がある。上記時間tr、図5に示すように、共通サステイン回路1からスキャン駆動回路(7)を通じてPDP(5)にサステイン駆動電流(上述した充電電流)が流れる。   In FIG. 4, time tr is the time required for the sustain drive voltage to rise, and time tf is the forward recovery time of the diodes (29, 31) (the state in which no carriers are generated in the vicinity of the P / N junction). To the time required until sufficient carriers are generated). In order to drive the PDP (5) with high efficiency, it is necessary to satisfy the condition that tr is sufficiently small and tf is further small. As shown in FIG. 5 for the time tr, the sustain drive current (the charging current described above) flows from the common sustain circuit 1 to the PDP (5) through the scan drive circuit (7).

次に、該サステイン駆動電流(上述した充電電流)が流れ始めた時点から或る時間、即ち、放電遅れの時間が経過するまでの間(t1−tr)においては、サステイン駆動電圧の電圧レベルが図4に示すように"High"であったとしても、サステイン駆動電流(上述した発光放電のための放電電流)は流れない。上記放電遅れの時間が経過し、時間t1に達すると、図5に示すように、上述した発光放電のためのサステイン駆動電流が流れるが、そのときのサステイン駆動電圧は、図4に示すように、やや低下した状態になる。   Next, during a certain period of time from when the sustain driving current (the above-described charging current) starts to flow, that is, until the discharge delay time elapses (t1-tr), the voltage level of the sustain driving voltage is Even if it is “High” as shown in FIG. 4, the sustain drive current (the discharge current for the light emission discharge described above) does not flow. When the discharge delay time elapses and the time t1 is reached, as shown in FIG. 5, the sustain drive current for the light emission discharge described above flows. The sustain drive voltage at that time is as shown in FIG. It will be in a slightly lowered state.

上述した発光放電のためのサステイン駆動電流が流れ終わった時点から、サステイン駆動電圧が図4で示すように電圧レベル"High"から電圧レベル"Low"に移行を開始する時点までの時間t2においては、サステイン駆動電圧の電圧レベルが"High"であっても、既述のような理由により、サステイン駆動電流は流れない。そして、時間t2でサステイン駆動電圧の電圧レベルが"High"から"Low"に移行を開始するのに伴い、PDP(5)側からスキャン駆動回路(7)側に向かって放電電流(向きが逆のサステイン駆動電流)が流れ始め、サステイン駆動電圧の電圧レベルが"Low"になった時点で流れ終わる。   At the time t2 from the time when the sustain driving current for the light emission discharge ends to the time when the sustain driving voltage starts to shift from the voltage level “High” to the voltage level “Low” as shown in FIG. Even if the voltage level of the sustain drive voltage is “High”, the sustain drive current does not flow for the reasons described above. Then, as the voltage level of the sustain drive voltage starts to shift from “High” to “Low” at time t2, the discharge current (reverse direction) from the PDP (5) side toward the scan drive circuit (7) side. (Sustain driving current) starts to flow, and stops flowing when the voltage level of the sustain driving voltage becomes "Low".

なお、図4において、tsusとは、サステイン駆動電圧が電圧レベル"High"を示す時間幅を示し、tstgとは、ダイオード(29、31)において荷電粒子が蓄積されている時間であり、tstg<t2 の関係がある。換言すれば、発光のための放電電流が流れ終わった時点より、PDP(5)側からスキャン駆動回路(7)側に向かって放電電流が流れ始める時点までの時間の方が、ダイオード(29、31)中に電流が存在している時間よりも長いのである。   In FIG. 4, tsus indicates a time width during which the sustain drive voltage is at the voltage level “High”, tstg is a time during which charged particles are accumulated in the diodes (29, 31), and tstg < There is a relationship of t2. In other words, the time from when the discharge current for light emission ends to when the discharge current starts to flow from the PDP (5) side toward the scan drive circuit (7) is longer than the diode (29, 31) longer than the time during which the current is present.

一般に、ダイオード(29、31)の順方向回復特性の改善(順方向回復時間の短縮)を図るためには、特に該ダイオード(29、31)のP/N接合近傍でキャリアを沢山生成する必要がある。ところが、キャリアを沢山生成すると、ダイオード(29、31)の順方向回復時間の短縮が図れたとしても、これとは逆に、ダイオードの逆方向回復特性の悪化(逆方向回復時間が長くなる)をきたすことになる。   In general, in order to improve the forward recovery characteristics (shortening the forward recovery time) of the diode (29, 31), it is necessary to generate a large number of carriers particularly in the vicinity of the P / N junction of the diode (29, 31). There is. However, if a large number of carriers are generated, even if the forward recovery time of the diode (29, 31) can be shortened, the reverse recovery characteristic of the diode deteriorates (reverse recovery time becomes longer). Will come.

しかし、図5で示した時間t2においては、サステイン駆動電圧の電圧レベルが図4で示すように"High"になっていても、サステイン駆動電流(放電電流)は、既述のようなAC型PDP(5)の特性によって流れていないから、ダイオード(29、31)中には残留キャリアのみとなり、t2の間にそれらが消滅していればよい。よって、ダイオード(29、31)の順方向回復特性の改善において、ダイオード(29、31)の逆方向回復特性への悪影響を考慮しなくてよい。   However, at time t2 shown in FIG. 5, even if the voltage level of the sustain drive voltage is “High” as shown in FIG. 4, the sustain drive current (discharge current) is the AC type as described above. Since it does not flow due to the characteristics of the PDP (5), only residual carriers exist in the diodes (29, 31), and it is sufficient that they disappear during t2. Therefore, in improving the forward recovery characteristic of the diode (29, 31), it is not necessary to consider the adverse effect on the reverse recovery characteristic of the diode (29, 31).

図6は、本発明の一実施形態に係るPDPの駆動回路からPDP(5)に対して印加したサステイン駆動電圧の波形を示す図である。図6において、縦軸は電圧(単位V)を、横軸は時間(単位ns)を、夫々示す。   FIG. 6 is a diagram showing a waveform of the sustain drive voltage applied to the PDP (5) from the PDP drive circuit according to the embodiment of the present invention. In FIG. 6, the vertical axis represents voltage (unit V), and the horizontal axis represents time (unit ns).

図6(a)は、立ち上がりが80ns/div.のサステイン駆動電圧の波形を、図6(b)は、立ち上がりが200ns/div.のサステイン駆動電圧の波形を、夫々示す。本発明者等は、上述した構成のPDPの駆動回路を用いて図6(a)で示す立ち上がりが80ns/div.のサステイン駆動電圧と、図6(b)で示す立ち上がりが200ns/div.のサステイン駆動電圧とを、夫々PDP(5)に印加することによって、図1で示したスキャン駆動回路(7、9、11)を構成するスキャンICの耐圧実験を行った。なお、耐圧実験の対象としてのスキャンICには、型番がSTV-7697A(STマイクロ社製)のものを使用した。   6A shows the waveform of the sustain drive voltage with a rise of 80 ns / div. FIG. 6B shows the waveform of the sustain drive voltage with a rise of 200 ns / div. The inventors of the present invention have used the PDP drive circuit configured as described above, and the sustain drive voltage shown in FIG. 6 (a) is 80 ns / div. And the rise shown in FIG. 6 (b) is 200 ns / div. By applying a sustain drive voltage to the PDP (5), a breakdown voltage experiment of the scan ICs constituting the scan drive circuit (7, 9, 11) shown in FIG. 1 was performed. A scan IC having a model number of STV-7697A (manufactured by ST Micro) was used as a scan IC as an object of the pressure resistance experiment.

この実験の結果として、PDP(5)に、図6(a)で示す立ち上がりが80ns/div.のサステイン駆動電圧を印加したときの方が、図6(b)で示す立ち上がりが200ns/div.のサステイン駆動電圧波形を印加したときよりも、図1で示したスキャン駆動回路(7、9、11)を構成するスキャンICの破壊頻度が非常に高くなることが判明した。なお、立ち上がりが200ns/div.のサステイン駆動電圧を印加したときには、上記スキャンICは殆ど破壊しなかった。   As a result of this experiment, when the sustain drive voltage having a rise of 80 ns / div. Shown in FIG. 6A is applied to the PDP (5), the rise shown in FIG. 6B is 200 ns / div. It was found that the scan IC constituting the scan drive circuit (7, 9, 11) shown in FIG. 1 has a much higher frequency of destruction than when the sustain drive voltage waveform is applied. Note that when the sustain drive voltage with a rise of 200 ns / div. Was applied, the scan IC was hardly destroyed.

よって、本発明者等は、この実験結果に基づいて、スキャン駆動回路(7、9、11)を破壊することなしに、プラズマディスプレイパネルを高効率で駆動することが可能なサステイン駆動電圧の立ち上がり時間を、130ns乃至150ns、好ましくは150nsとしたものである。換言すれば、上述したダイオード(29、31)に、順方向回復時間が150ns程度の素子を採用した場合に、ダイオード(29、31)の両端に大きな電圧が発生することがなくなり、スキャンICがサステイン駆動電圧の印加によって破壊されることがなく、しかも、高効率でPDP(5)を駆動することが可能になるのである。本発明は、このような新規な知見に基づくものである。   Therefore, the inventors of the present invention based on the results of this experiment, raised the sustain drive voltage that can drive the plasma display panel with high efficiency without destroying the scan drive circuit (7, 9, 11). The time is set to 130 ns to 150 ns, preferably 150 ns. In other words, when an element having a forward recovery time of about 150 ns is used for the diode (29, 31), a large voltage is not generated at both ends of the diode (29, 31). The PDP (5) can be driven with high efficiency without being destroyed by the application of the sustain drive voltage. The present invention is based on such novel findings.

なお、上述したダイオード(29、31)の順方向回復時間に係わる技術文献として、E.sukegawa et.al. "Well-tempered combination of ultra-high voltage IGBT and Diode rated 6.5kV" Proc. of The 15th international Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits(ISPSD'03),P.160を参照されたい。   As a technical document related to the forward recovery time of the diodes (29, 31) described above, E.sukegawa et.al. "Well-tempered combination of ultra-high voltage IGBT and Diode rated 6.5kV" Proc. Of The 15th See international Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits (ISPSD'03), p.160.

因みに、ダイオード(29、31)の順方向回復時間は、上記文献中のFig2に記載されているように、ダイオード(29、31)内のn-層内に伝導キャリアを満たすことにより、ダイオード(29、31)の抵抗が低減されるまでの時間を短縮することで短縮される。更に、ダイオード(29、31)の過渡的な最大順方向電圧VF transientも低減させることが可能になる。なお、上述した文献には、ダイオード(29、31)における順方向回復時間の短縮を図るための具体的な手法についての記載は見当たらないが、本発明者等の知見として、ダイオード(29、31)内を過剰伝導キャリアで満たすことができる時間を短縮する手段の一例を以下に列挙する。   Incidentally, the forward recovery time of the diode (29, 31) is obtained by filling the conduction carrier in the n-layer in the diode (29, 31) as shown in FIG. 29, 31) by shortening the time until the resistance is reduced. Furthermore, the transient maximum forward voltage VF transient of the diode (29, 31) can also be reduced. In the above-mentioned document, there is no description about a specific method for shortening the forward recovery time in the diode (29, 31). However, as knowledge of the present inventors, the diode (29, 31) is not found. Examples of means for shortening the time during which the inside can be filled with excess conductive carriers are listed below.

(1)アノード側のp層の不純物濃度を高めるか、又はカソード側のn+層の不純物濃度を高めると共に、不純物の濃度勾配を高めた急峻な接合とすることで、n-層への過剰キャリアの注入効率を高め、これによりキャリアの蓄積に要する時間を短縮する方法。   (1) Excess carriers to the n− layer by increasing the impurity concentration of the p-layer on the anode side or increasing the impurity concentration of the n + layer on the cathode side and increasing the impurity concentration gradient To increase the injection efficiency of the carrier and thereby reduce the time required for carrier accumulation.

(2)n-層の厚みを薄くしてキャリアの蓄積に要する時間を短縮する方法。   (2) A method for reducing the time required for carrier accumulation by reducing the thickness of the n− layer.

以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、これらは本発明の説明のための例示であって、本発明の範囲をこれらの実施形態にのみ限定する趣旨ではない。本発明は、他の種々の形態でも実施することが可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but these are merely examples for explaining the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these embodiments. The present invention can be implemented in various other forms.

本発明の一実施形態に係るPDPの駆動回路の回路構成を示す図。The figure which shows the circuit structure of the drive circuit of PDP which concerns on one Embodiment of this invention. 図1で示したスキャン駆動回路の内部構成の要部拡大図。FIG. 2 is an enlarged view of a main part of the internal configuration of the scan drive circuit shown in FIG. 一般的なダイオードの順方向特性を示す図。The figure which shows the forward direction characteristic of a general diode. PDPに印加されるサステイン駆動電圧の波形を示す図。The figure which shows the waveform of the sustain drive voltage applied to PDP. PDPに流れるサステイン駆動電流の波形を示す図。The figure which shows the waveform of the sustain drive current which flows into PDP. 本発明の一実施形態に係るPDPの駆動回路からPDPに対して印加したサステイン駆動電圧の波形を示す図。The figure which shows the waveform of the sustain drive voltage applied with respect to PDP from the drive circuit of PDP which concerns on one Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 共通サステイン回路
3 スキャン駆動回路群
5 交流型プラズマディスプレイパネル(AC型PDP)
7、9、11 スキャン駆動回路
13 直流電源(蓄電池)であるスキャン回路電源Ec
15、21、23 出力回路
17 スキャン信号入力端子
19 (スキャン電極に接続する)出力端子
25、27 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)
29、31 ダイオード
1 Common sustain circuit 3 Scan drive circuit group 5 AC type plasma display panel (AC type PDP)
7, 9, 11 Scan drive circuit 13 Scan circuit power supply Ec which is a DC power supply (storage battery)
15, 21, 23 Output circuit 17 Scan signal input terminal 19 Output terminal (connected to scan electrode) 25, 27 Insulated gate bipolar transistor (IGBT)
29, 31 Diode

Claims (8)

プラズマディスプレイパネルを駆動するための駆動回路において、
出力段が前記プラズマディスプレイパネル内部に配置される電極に接続される、前記電極に矩形波パルス電圧を出力するための矩形波パルス電圧出力回路、
を備え、
前記出力段が、
入力される制御信号によりオン/オフ動作する半導体パワースイッチング素子と、
前記半導体パワースイッチング素子に並列接続される、前記矩形波パルス電圧の立ち上がり時間よりも充分に小さい順方向回復時間を持つ半導体整流素子と、
を有するプラズマディスプレイパネルの駆動回路。
In a drive circuit for driving a plasma display panel,
A rectangular wave pulse voltage output circuit for outputting a rectangular wave pulse voltage to the electrode, wherein an output stage is connected to an electrode disposed inside the plasma display panel;
With
The output stage is
A semiconductor power switching element that is turned on / off by an input control signal;
A semiconductor rectifier element connected in parallel to the semiconductor power switching element and having a forward recovery time sufficiently smaller than a rise time of the rectangular wave pulse voltage;
A driving circuit for a plasma display panel.
請求項1記載のプラズマディスプレイパネルの駆動回路において、
前記プラズマディスプレイパネルが、交流型のプラズマディスプレイパネルであるプラズマディスプレイパネルの駆動回路。
In the drive circuit of the plasma display panel according to claim 1,
A driving circuit for a plasma display panel, wherein the plasma display panel is an AC type plasma display panel.
請求項1記載のプラズマディスプレイパネルの駆動回路において、
前記半導体パワースイッチング素子が、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであるプラズマディスプレイパネルの駆動回路。
In the drive circuit of the plasma display panel according to claim 1,
A driving circuit of a plasma display panel, wherein the semiconductor power switching element is an insulated gate bipolar transistor.
請求項1記載のプラズマディスプレイパネルの駆動回路において、
前記プラズマディスプレイパネル内部に配置される電極が、複数のスキャン電極であるプラズマディスプレイパネルの駆動回路。
In the drive circuit of the plasma display panel according to claim 1,
A driving circuit for a plasma display panel, wherein the electrodes arranged inside the plasma display panel are a plurality of scan electrodes.
請求項1記載のプラズマディスプレイパネルの駆動回路において、
前記矩形波パルス電圧出力回路が、矩形波パルス電圧生成回路から供給される矩形波パルス電圧を受けて前記各々のスキャン電極に印加する、前記各々のスキャン電極毎に設けられる複数のスキャン駆動回路であるプラズマディスプレイパネルの駆動回路。
In the drive circuit of the plasma display panel according to claim 1,
A plurality of scan driving circuits provided for each of the scan electrodes, wherein the rectangular wave pulse voltage output circuit receives the rectangular wave pulse voltage supplied from the rectangular wave pulse voltage generation circuit and applies the rectangular wave pulse voltage to the scan electrodes; A driving circuit for a plasma display panel.
請求項5記載のプラズマディスプレイパネルの駆動回路において、
前記矩形波パルス電圧生成回路が、共通サステイン回路であるプラズマディスプレイパネルの駆動回路。
In the driving circuit of the plasma display panel according to claim 5,
A driving circuit for a plasma display panel, wherein the rectangular wave pulse voltage generation circuit is a common sustain circuit.
請求項1記載のプラズマディスプレイパネルの駆動回路において、
前記半導体整流素子の順方向回復時間が、150ns以下であるプラズマディスプレイパネルの駆動回路。
In the drive circuit of the plasma display panel according to claim 1,
A driving circuit for a plasma display panel, wherein a forward recovery time of the semiconductor rectifier element is 150 ns or less.
請求項1記載のプラズマディスプレイパネルの駆動回路において、
前記半導体整流素子内部に荷電粒子が蓄積されている時間が、前記プラズマディスプレイパネルにおいて発光のための放電電流が流れ終わった後、前記矩形波パルス電圧が立ち下がるまでの時間よりも短くなっているプラズマディスプレイパネルの駆動回路。
In the drive circuit of the plasma display panel according to claim 1,
The time during which charged particles are accumulated in the semiconductor rectifier element is shorter than the time until the rectangular wave pulse voltage falls after the discharge current for light emission finishes flowing in the plasma display panel. Driving circuit for plasma display panel.
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