JP2007232964A - フォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CVD原料ガス雰囲気中に置かれたフォトマスクにレーザ光を照射して欠陥を修正する欠陥修正装置におけるフォトマスクの欠陥修正方法において、欠陥修正工程と同時又はその前後に、フォトマスク60のレーザ光を照射する欠陥箇所に、フォトマスク60を使用した露光処理時の露光波長と同一の波長を有する測定光の光スポットを形成して測定光の第1の透過光強度を測定する工程と、測定結果に基づいて、欠陥修正装置が欠陥修正を行う際に制御するCVD原料ガス供給量、レーザ照射強度、レーザ照射時間及び照射パルス数等の条件を制御する工程と、を有する。
【選択図】図1
Description
2 ;光チョッパー
3 ;切り換え手段
4 ;可変開口
5 ;対物レンズ
6 ;観察光学系
7 ;落射照明
8 ;透過照明
10 ;CVD用レーザ
11 ;パルスレーザ
20 ;コンデンサレンズ
21 ;光路切り換え機構
22 ;干渉フィルタ
23 ;検出器
24 ;ロックインアンプ
30 ;制御部
40 ;XYステージ
50 ;CVD原料ガス給排装置
51 ;開放型反応器
52 ;窓板
60 ;フォトマスク
61 ;光スポット
62 ;非欠陥部の透過率測定箇所
70 ;遮光膜
80a;半透明遮光膜パターン
80b;半透明遮光膜パターン
80c;半透明遮光膜パターン
80d;半透明遮光膜パターン
80e;半透明遮光膜パターン
80f;半透明遮光膜パターン
90 ;白欠陥
100 ;LED光源
101 ;信号発生器
Claims (14)
- CVD原料ガス雰囲気中に置かれたフォトマスクの白欠陥箇所にレーザ光を照射して原料ガスを分解することにより薄膜を形成して白欠陥を修正する欠陥修正装置及び/又はフォトマスクの黒欠陥箇所にレーザ光を照射して黒欠陥を修正する欠陥修正装置におけるフォトマスクの欠陥修正方法において、前記欠陥の修正工程と同時又はその前後に、前記フォトマスクの前記レーザ光を照射する欠陥箇所に、前記フォトマスクを使用した露光処理時の露光波長と同一の波長を有する測定光の光スポットを形成して前記測定光の第1の透過光強度を測定する工程と、前記測定結果に基づいて、前記欠陥修正装置が欠陥修正を行う際に制御するCVD原料ガス供給量、レーザ照射強度、レーザ照射時間及び照射パルス数からなる群から選択された少なくとも1つの条件を制御する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
- CVD原料ガス雰囲気中に置かれたフォトマスクの白欠陥箇所にレーザ光を照射して原料ガスを分解することにより薄膜を形成して白欠陥を修正する欠陥修正装置及び/又はフォトマスクの黒欠陥箇所にレーザ光を照射して黒欠陥を修正する欠陥修正装置におけるフォトマスクの欠陥修正方法において、前記欠陥の修正工程と同時又はその前後に、前記フォトマスクの前記レーザ光を照射する欠陥箇所に、前記フォトマスクを使用した露光処理時の露光波長と同一の波長を有する測定光の光スポットを形成して前記測定光の第1の透過光強度を測定する工程と、前記フォトマスクにおける前記欠陥箇所を有するパターンと同一パターンであるが欠陥箇所を有しない無欠陥パターンの前記欠陥箇所に相当する非欠陥部に前記測定光の光スポットを形成して前記非欠陥部における前記測定光の第2の透過光強度を測定する工程と、前記第1の透過光強度と前記第2の透過光強度とを比較する工程と、前記比較結果に基づいて、前記欠陥修正装置が欠陥修正を行う際に制御するCVD原料ガス供給量、レーザ照射強度、レーザ照射時間及び照射パルス数からなる群から選択された少なくとも1つの条件を制御する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
- 前記第1及び第2の透過光強度を比較する工程と、前記欠陥修正装置が欠陥修正を行う際に制御する前記条件を制御する工程と、が並行して行われることを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
- 前記測定光の光スポットは、一定周波数で明滅する明滅光であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
- CVD原料ガス雰囲気中に置かれたフォトマスクの白欠陥箇所にレーザ光を照射して原料ガスを分解することにより薄膜を形成して白欠陥を修正する欠陥修正装置及び/又はフォトマスクの黒欠陥箇所にレーザ光を照射して黒欠陥を修正する欠陥修正装置において、前記フォトマスクの前記レーザ光を照射する欠陥箇所に、前記フォトマスクを使用した露光処理時の露光波長と同一の波長を有する測定光の光スポットを形成して前記測定光の第1の透過光強度を測定する手段と、前記測定結果に基づいて、前記欠陥修正装置が欠陥修正を行う際に制御するCVD原料ガス供給量、レーザ照射強度、レーザ照射時間及び照射パルス数からなる群から選択された少なくとも1つの条件を制御する手段と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正装置。
- CVD原料ガス雰囲気中に置かれたフォトマスクの白欠陥箇所にレーザ光を照射して原料ガスを分解することにより薄膜を形成して白欠陥を修正する欠陥修正装置及び/又はフォトマスクの黒欠陥箇所にレーザ光を照射して黒欠陥を修正する欠陥修正装置において、前記フォトマスクの前記レーザ光を照射する欠陥箇所に、前記フォトマスクを使用した露光処理時の露光波長と同一の波長を有する測定光の光スポットを形成して前記測定光の第1の透過光強度を測定する手段と、前記フォトマスクにおける前記欠陥箇所を有するパターンと同一パターンであるが欠陥箇所を有しない無欠陥パターンの前記欠陥箇所に相当する非欠陥部に前記測定光の光スポットを形成して前記非欠陥部における前記測定光の第2の透過光強度を測定する手段と、前記第1及び第2の透過光強度を比較する手段と、前記比較結果に基づいて、前記欠陥修正装置が欠陥修正を行う際に制御するCVD原料ガス供給量、レーザ照射強度、レーザ照射時間及び照射パルス数からなる群から選択された少なくとも1つの条件を制御する手段と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正装置。
- CVD原料ガス雰囲気中に置かれたフォトマスクの白欠陥箇所にレーザ光を照射して原料ガスを分解することにより薄膜を形成して白欠陥を修正する欠陥修正装置及び/又はフォトマスクの黒欠陥箇所にレーザ光を照射して黒欠陥を修正する欠陥修正装置において、前記フォトマスクを使用した露光処理時の露光波長と同一の波長を有する測定光源と、前記測定光及び前記レーザ光を同一の可変開口を透過させ前記フォトマスクの前記欠陥箇所に光スポットを形成する光学系と、前記測定光の光スポットの前記フォトマスク透過光強度を測定するための測定部と、CVD原料ガス供給量、レーザ照射強度、レーザ照射時間及び照射パルス数からなる群から選択された少なくとも1つの条件を制御する制御部と、を有し、前記光学系は前記欠陥箇所に前記光スポットを形成し、前記測定部は、前記フォトマスクの前記欠陥箇所を透過する前記測定光の光スポットの第1の透過光強度と、前記フォトマスクにおける前記欠陥箇所を有するパターンと同一パターンであるが欠陥箇所を有しない無欠陥パターンの前記欠陥箇所に相当する非欠陥部に形成した前記測定光の光スポットの第2の透過光強度とを測定し、前記第1及び第2の透過光強度を比較し、前記制御部は、前記第1及び第2の透過光強度が等しくなるように前記少なくとも1つの条件を制御することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正装置。
- 前記測定光源は、出射光を一定周波数で明滅させる光変調手段を有することを特徴とする請求項7に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。
- 前記測定部は、前記測定光源の明滅の周波数に同期して前記光スポットからの光を同期検出することを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。
- 前記第1及び第2の透過光強度を比較する工程と、前記欠陥修正装置が欠陥修正を行う際に制御する前記条件を制御する工程と、が並行して行われることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。
- 前記フォトマスクを観察照明する落射照明手段及び/又は前記フォトマスクを下方より観察照明する透過照明手段を有することを特徴とする請求項5乃至10のいずれか1項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。
- 前記フォトマスクを観察する観察手段を有することを特徴とする請求項5乃至11のいずれか1項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。
- 前記測定部は、前記フォトマスクを透過する前記レーザ光を遮断し、前記フォトマスクを透過する前記測定光を透過する光フィルタを有することを特徴とする請求項7乃至12のいずれか1項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。
- 前記測定光源は、発光ダイオードであることを特徴とする請求項7乃至13のいずれか1項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。
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