JP2007227132A - Plasma display panel and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-reliability PDP capable of reducing the occurrence of a breakdown voltage failure even in high-definition display, and its manufacturing method. <P>SOLUTION: The plasma display panel is composed so that a discharge space is formed by sealing the periphery while oppositely arranging a front-face plate 2, in which a display electrode 6, a dielectric layer 8, and a protective layer 9 are formed on a front-face glass substrate 3, and a rear-face plate 10 in which address electrodes, barrier ribs 14, and a phosphor layer are formed on a rear-face glass substrate 11. The surface roughness of the protective layer 9 is set so as to be over 0.25 μm and not less than 0.49 μm in arithmetic average roughness Ra by setting a roughness curve cutoff value λc as λc=2.5 mm and a profile curve filter cutoff value λs as λs=8 μm. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a plasma display panel used for a display device and the like and a manufacturing method thereof.

プラズマディスプレイパネル(以下、PDPと呼ぶ)は、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、65インチクラスの大型高精細テレビなどが製品化されている。   A plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) can achieve high definition and a large screen, and therefore, a 65-inch class large-sized high-definition television has been commercialized.

PDPは、基本的には、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、フロート法による硼硅酸ナトリウム系ガラスのガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、この表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、この誘電体層上に形成された酸化マグネシウム(MgO)からなる保護層とで構成されている。   A PDP basically includes a front plate and a back plate. The front plate covers a display electrode composed of a glass substrate of sodium borosilicate glass by a float method, a striped transparent electrode and a bus electrode formed on one main surface of the glass substrate, and the display electrode. The dielectric layer functions as a capacitor, and a protective layer made of magnesium oxide (MgO) formed on the dielectric layer.

背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色および青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。   The back plate includes a glass substrate, stripe-shaped address electrodes formed on one main surface thereof, a base dielectric layer covering the address electrodes, a partition formed on the base dielectric layer, and a space between each partition And phosphor layers emitting red, green and blue light respectively.

前面板と背面板とは、その電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間にNe−Xeの放電ガスが400Torr〜600Torrの圧力で封入されている。PDPは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している。   The front plate and the back plate are hermetically sealed with their electrode forming surfaces facing each other, and Ne—Xe discharge gas is sealed at a pressure of 400 Torr to 600 Torr in a discharge space partitioned by a partition wall. PDP discharges by selectively applying a video signal voltage to the display electrodes, and the ultraviolet rays generated by the discharge excite each color phosphor layer to emit red, green, and blue light, thereby realizing color image display is doing.

またPDPは近年、従来のNTSC方式に比べて走査線数が2倍以上のフルスペックのハイビジョンへの適用が進んでいる。このようなハイビジョン化によって、走査線数が増加して表示電極の数が増加し、さらに表示電極間隔が小さくなってきた。   In recent years, PDP has been increasingly applied to full-spec high-definition televisions having more than twice the number of scanning lines as compared with the conventional NTSC system. As a result of such high definition, the number of scanning lines is increased, the number of display electrodes is increased, and the display electrode interval is further reduced.

そのため、表示電極を構成する銀電極から誘電体層やガラス基板への銀イオンの拡散が多くなるという現象が生じている。銀イオンが誘電体層やガラス基板に拡散すると、誘電体層中のアルカリ金属イオンやガラス基板中に含まれる2価の錫イオンによって還元作用を受け、銀のコロイドを形成する。その結果、酸化銀が還元作用を受けて酸素を発生して誘電体層中に気泡を発生する。   As a result, a phenomenon has occurred in which silver ions diffuse more from the silver electrode constituting the display electrode to the dielectric layer or the glass substrate. When silver ions diffuse into the dielectric layer or the glass substrate, they are reduced by alkali metal ions in the dielectric layer or divalent tin ions contained in the glass substrate to form silver colloids. As a result, the silver oxide undergoes a reducing action to generate oxygen and generate bubbles in the dielectric layer.

これら誘電体層に発生した気泡は、誘電体層上に形成された保護層の表面より突出した突起を形成し、前面板と背面板とを貼り合わせる際にこの突起と隔壁が接触することで気泡が割れ、誘電体層が電気絶縁に十分な膜厚を確保できなくなって、絶縁破壊を引き起こす場合があった。   Bubbles generated in these dielectric layers form protrusions that protrude from the surface of the protective layer formed on the dielectric layer, and the protrusions and the partition walls come into contact with each other when the front plate and the rear plate are bonded together. In some cases, the bubbles were broken and the dielectric layer could not secure a sufficient film thickness for electrical insulation, resulting in dielectric breakdown.

このような絶縁破壊に対する対策として、誘電体層を2層構造にするとともに、1層目で発生した気泡を製造時に破裂させ、2層目に形成する誘電体によって気泡部分を埋めて、電気絶縁に必要な誘電体層の膜厚を確保するという構成と製造方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−149937号公報
As countermeasures against such dielectric breakdown, the dielectric layer has a two-layer structure, and bubbles generated in the first layer are ruptured during manufacturing, and the bubble portion is filled with a dielectric formed in the second layer to electrically insulate. A structure and a manufacturing method for ensuring the necessary film thickness of the dielectric layer are disclosed (for example, see Patent Document 1).
JP 2005-149937 A

しかしながら、このような構成では、2層目で発生した気泡に対しては効果が得られないという課題に加え、高さが低い突起は、前面板1枚当たりの発生数が多く、隔壁との接触も高い確率で発生するが、気泡が割れているかどうかの判別が難しく、製造時検査において良否の判別が困難であるという課題も有していた。   However, in such a configuration, in addition to the problem that the effect is not obtained with respect to the bubbles generated in the second layer, the protrusions having a low height have a large number of occurrences per front plate, and Although contact also occurs with a high probability, it has been difficult to determine whether or not a bubble is broken, and it has been difficult to determine whether it is good or bad in an inspection at the time of manufacture.

本発明は、このような従来の課題を解決するもので、高精細表示においても、耐圧不良の発生を低減し、信頼性の高いPDPとその製造方法を提供することを目的としている。   The present invention solves such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a highly reliable PDP and a method for manufacturing the same that reduce the occurrence of breakdown voltage failure even in high-definition display.

上記の課題を解決するために、本発明のPDPは、第一のガラス基板上に電極と誘電体層と保護層とが形成された第一の基板と、第二のガラス基板上に電極と隔壁と蛍光体層とが形成された第二の基板とを対向配置したPDPであって、保護層の表面粗さが、粗さ曲線用カットオフ値λc=2.5mm、輪郭曲線フィルタカットオフ値λs=8μmとして、算術平均粗さRaで0.25μmを超え、0.49μm以下である構成である。   In order to solve the above problems, the PDP of the present invention includes a first substrate in which an electrode, a dielectric layer, and a protective layer are formed on a first glass substrate, and an electrode on a second glass substrate. A PDP in which a barrier rib and a second substrate on which a phosphor layer is formed are opposed to each other, wherein the surface roughness of the protective layer is a roughness curve cutoff value λc = 2.5 mm, and a contour curve filter cutoff Assuming that the value λs = 8 μm, the arithmetic average roughness Ra is more than 0.25 μm and 0.49 μm or less.

このような構成によれば、隔壁から受ける荷重を、保護層表面に形成された凹凸によって分散させることで、誘電体層中の気泡が割れることを低減することができ、高精細表示においても、耐圧不良の発生が少なく、信頼性の高いPDPを実現することができる。   According to such a configuration, by dispersing the load received from the partition wall by the unevenness formed on the surface of the protective layer, it is possible to reduce the breakage of the bubbles in the dielectric layer, even in high-definition display, It is possible to realize a highly reliable PDP with less occurrence of breakdown voltage failure.

また本発明のPDPの誘電体層を構成する誘電体ガラス材料は、酸化ビスマスを含むとともに、酸化モリブデンと酸化タングステンとのうちの少なくとも一つを含むようにしてもよい。   The dielectric glass material constituting the dielectric layer of the PDP of the present invention may contain bismuth oxide and at least one of molybdenum oxide and tungsten oxide.

誘電体ガラス材料として、このような材料を用いると、特に誘電体層の表面粗さを制御するのが容易である。   When such a material is used as the dielectric glass material, it is particularly easy to control the surface roughness of the dielectric layer.

また本発明は、第一のガラス基板上に電極と誘電体層と保護層とが形成された第一の基板と、第二のガラス基板上に電極と隔壁と蛍光体層とが形成された第二の基板とを対向配置したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、誘電体層を構成する誘電体ガラス材料の軟化点をTsとすると、誘電体ガラス材料の焼成温度Tfを(Ts−15℃)≦Tf≦Tsとする方法である。   According to the present invention, a first substrate in which an electrode, a dielectric layer, and a protective layer are formed on a first glass substrate, and an electrode, a partition, and a phosphor layer are formed on a second glass substrate. A method of manufacturing a plasma display panel in which a second substrate is disposed opposite to each other, where Ts is a softening point of the dielectric glass material constituting the dielectric layer, and a firing temperature Tf of the dielectric glass material is (Ts-15). ° C) ≦ Tf ≦ Ts.

このような温度範囲で誘電体層を焼成すれば、保護層の表面粗さを、上述の表面粗さの範囲に形成することができ、誘電体層中の気泡が割れることを低減することができる。   If the dielectric layer is baked in such a temperature range, the surface roughness of the protective layer can be formed within the above-mentioned surface roughness range, which can reduce the breakage of bubbles in the dielectric layer. it can.

以上のように、本発明によれば、隔壁から受ける荷重を、保護層表面に形成された凹凸によって分散させることで、誘電体層中の気泡が割れることを低減することができ、高精細表示においても、耐圧不良の発生が少なく、信頼性の高いPDPを実現することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the breakage of bubbles in the dielectric layer by dispersing the load received from the partition wall by the unevenness formed on the surface of the protective layer, and to achieve a high-definition display. However, it is possible to realize a highly reliable PDP with less occurrence of breakdown voltage failure.

以下、本発明の実施の形態によるPDPについて図面を用いて説明する。   Hereinafter, a PDP according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

(実施の形態)
図1は、本発明の実施の形態のPDPの構造を示す斜視図である。図1に示すように、PDP1は、第一のガラス基板の前面ガラス基板3などからなる第一の基板の前面板2と、第二のガラス基板の背面ガラス基板11などからなる第二の基板の背面板10とが対向して配置され、その外周部をガラス材料などからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、ネオン(Ne)およびキセノン(Xe)などの放電ガスが、400Torr〜600Torrの圧力で封入されている。
(Embodiment)
FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a PDP according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the PDP 1 includes a front plate 2 of a first substrate made of a front glass substrate 3 of a first glass substrate and a second substrate made of a rear glass substrate 11 of a second glass substrate. The back plate 10 is disposed so as to face the outer periphery, and the outer peripheral portion thereof is hermetically sealed with a sealing material made of a glass material or the like. A discharge gas such as neon (Ne) and xenon (Xe) is sealed in the sealed discharge space 16 inside the PDP 1 at a pressure of 400 Torr to 600 Torr.

前面板2の前面ガラス基板3上には、走査電極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表示電極6と、ブラックストライプ(遮光層)7とが互いに平行に、それぞれ複数列配置されている。また前面ガラス基板3上には、表示電極6と遮光層7とを覆うように、コンデンサとしての働きをする誘電体層8が形成され、さらにその表面に酸化マグネシウム(MgO)などからなる保護層9が形成されている。   On the front glass substrate 3 of the front plate 2, a pair of strip-like display electrodes 6 composed of scanning electrodes 4 and sustain electrodes 5 and black stripes (light shielding layers) 7 are arranged in a plurality of rows in parallel with each other. . A dielectric layer 8 serving as a capacitor is formed on the front glass substrate 3 so as to cover the display electrode 6 and the light shielding layer 7, and a protective layer made of magnesium oxide (MgO) or the like is further formed on the surface. 9 is formed.

背面板10の背面ガラス基板11上には、前面板2の走査電極4および維持電極5と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極12が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層13が被覆している。さらに、アドレス電極12間の下地誘電体層13上には、放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14間の溝にアドレス電極12毎に、紫外線によって赤色、青色、および緑色にそれぞれ発光する蛍光体層15が、順に形成されている。走査電極4および維持電極5と、アドレス電極12とが交差する位置に、放電セルが形成され、表示電極6方向に並んだ赤色、青色、緑色の蛍光体層15を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。   On the back glass substrate 11 of the back plate 10, a plurality of strip-like address electrodes 12 are arranged in parallel to each other in a direction orthogonal to the scanning electrodes 4 and the sustain electrodes 5 of the front plate 2. Is covered. Further, on the underlying dielectric layer 13 between the address electrodes 12, barrier ribs 14 having a predetermined height for partitioning the discharge space 16 are formed. A phosphor layer 15 that emits red, blue, and green light by ultraviolet rays is sequentially formed in each groove between the barrier ribs 14 for each address electrode 12. A discharge cell is formed at a position where the scan electrode 4 and the sustain electrode 5 and the address electrode 12 intersect, and the discharge cell having the red, blue, and green phosphor layers 15 arranged in the direction of the display electrode 6 performs color display. It becomes a pixel for.

図2は、図1のPDP1の前面板2の詳細構造を示す断面図である。図2は、図1を上下反転させて示している。図2に示すように、フロート法などにより製造された前面ガラス基板3に、走査電極4と維持電極5よりなる表示電極6と、ブラックストライプ7とがパターン形成されている。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing a detailed structure of the front plate 2 of the PDP 1 of FIG. FIG. 2 shows FIG. 1 upside down. As shown in FIG. 2, display electrodes 6 including scanning electrodes 4 and sustaining electrodes 5 and black stripes 7 are formed in a pattern on a front glass substrate 3 manufactured by a float method or the like.

走査電極4と維持電極5は、それぞれインジウムスズ酸化物(ITO)、酸化スズ(SnO)などからなる透明電極4a、5aと、透明電極4a、5a上に形成されたバス電極4b、5bとにより構成されている。バス電極4b、5bは透明電極4a、5aの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。 Scan electrode 4 and sustain electrode 5 include transparent electrodes 4a and 5a made of indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ) and the like, and bus electrodes 4b and 5b formed on transparent electrodes 4a and 5a, respectively. It is comprised by. The bus electrodes 4b and 5b are used for the purpose of imparting conductivity in the longitudinal direction of the transparent electrodes 4a and 5a, and are formed of a conductive material mainly composed of a silver material.

そして前面ガラス基板3上に形成されたこれらの透明電極4a、5aと、バス電極4b、5bと、ブラックストライプ7とを覆うように誘電体層8が形成され、さらに誘電体層8上に保護層9が形成されている。ここで保護層9の表面粗さは、粗さ曲線用カットオフ値λc=2.5mm、輪郭曲線フィルタカットオフ値λs=8μmとして、算術平均粗さRaで0.25μmを超え、0.49μm以下としている。   A dielectric layer 8 is formed on the front glass substrate 3 so as to cover the transparent electrodes 4a and 5a, the bus electrodes 4b and 5b, and the black stripes 7 formed on the front glass substrate 3. Further, a protective layer is formed on the dielectric layer 8. Layer 9 is formed. Here, the surface roughness of the protective layer 9 is such that the cutoff value for the roughness curve λc = 2.5 mm and the contour curve filter cutoff value λs = 8 μm, the arithmetic average roughness Ra exceeds 0.25 μm, and 0.49 μm. It is as follows.

ここでバス電極4b、5bは銀材料を主成分としているため、バス電極4b、5bから誘電体層8や前面ガラス基板3へ銀イオンが拡散する現象が発生する。これにより誘電体層8に含まれるアルカリ金属イオン、前面ガラス基板3に含まれる2価の錫イオンによって還元作用を受け、銀のコロイドを形成する。その結果、酸化銀が還元作用を受けて酸素を発生して誘電体層中に気泡21が発生する。そして、これら誘電体層8中に発生した気泡21は、誘電体層8上に形成された保護層9の表面に突出した突起22を形成する。   Here, since the bus electrodes 4b and 5b are mainly composed of a silver material, a phenomenon in which silver ions diffuse from the bus electrodes 4b and 5b to the dielectric layer 8 and the front glass substrate 3 occurs. As a result, the alkali metal ions contained in the dielectric layer 8 and the divalent tin ions contained in the front glass substrate 3 are subjected to a reducing action to form a silver colloid. As a result, the silver oxide receives a reducing action to generate oxygen, and bubbles 21 are generated in the dielectric layer. The bubbles 21 generated in the dielectric layer 8 form protrusions 22 protruding on the surface of the protective layer 9 formed on the dielectric layer 8.

しかし、上述の保護層9の表面粗さとすることで、保護層9の表面は全域にわたって無数の凹凸9aが形成された状態になっている。そのため、誘電体層8内に発生した気泡21によって保護層9の表面に形成された突起22は、これら無数の凹凸9aの一部になっている。   However, by setting the surface roughness of the protective layer 9 described above, the surface of the protective layer 9 is in a state where innumerable irregularities 9a are formed over the entire area. Therefore, the protrusions 22 formed on the surface of the protective layer 9 by the bubbles 21 generated in the dielectric layer 8 are a part of these innumerable irregularities 9a.

次に、PDP1の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the PDP 1 will be described.

前面板2は、次のようにして形成される。図1において、まず、前面ガラス基板3上に、走査電極4および維持電極5と、ブラックストライプ7とを形成する。これらの透明電極4a、5aと、バス電極4b、5bとは、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングして形成される。透明電極4a、5aは、薄膜プロセスなどを用いて形成され、バス電極4b、5bは、銀材料を含むペーストを所望の温度で焼成して、固化している。また、ブラックストライプ7も同様に、黒色顔料を含むペーストを、スクリーン印刷する方法や、黒色顔料をガラス基板の全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することにより形成される。   The front plate 2 is formed as follows. In FIG. 1, first, scan electrodes 4, sustain electrodes 5, and black stripes 7 are formed on a front glass substrate 3. The transparent electrodes 4a and 5a and the bus electrodes 4b and 5b are formed by patterning using a photolithography method or the like. The transparent electrodes 4a and 5a are formed using a thin film process or the like, and the bus electrodes 4b and 5b are solidified by baking a paste containing a silver material at a desired temperature. Similarly, the black stripe 7 is formed by screen printing a paste containing a black pigment, or by forming a black pigment on the entire surface of the glass substrate and then patterning and baking using a photolithography method. .

次に、走査電極4、維持電極5およびブラックストライプ7を覆うように前面ガラス基板3上に誘電体ペーストをダイコート法などにより塗布して誘電体層ペースト層を形成し、所定の時間放置することによって平坦な表面にする。その後、誘電体ペースト層を焼成固化することにより、走査電極4、維持電極5および遮光層7を覆う誘電体層8が形成される。   Next, a dielectric paste is applied on the front glass substrate 3 so as to cover the scan electrodes 4, the sustain electrodes 5 and the black stripes 7 by a die coating method or the like to form a dielectric layer paste layer, which is left for a predetermined time. To make a flat surface. Thereafter, the dielectric paste layer is baked and solidified to form the dielectric layer 8 that covers the scan electrode 4, the sustain electrode 5, and the light shielding layer 7.

なお、誘電体ペーストは誘電体ガラス材料、バインダおよび溶剤を含む塗料である。ここで、誘電体ガラス材料は、酸化ビスマス(Bi)を25重量%〜40重量%、酸化亜鉛(ZnO)を27.5重量%〜34重量%、酸化硼素(B)を17重量%〜36重量%、酸化硅素(SiO)を1.4重量%〜4.2重量%、酸化アルミニウム(Al)を0.5重量%〜4.4重量%含んでいる。さらに、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも1種を5重量%〜13重量%含み、酸化モリブデン(MoO)、酸化タングステン(WO)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含んでいる。このような誘電体ガラス材料を用いると、特に誘電体層の表面粗さを制御するのが容易となる。 The dielectric paste is a paint containing a dielectric glass material, a binder and a solvent. Here, the dielectric glass material is bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) 25 wt% to 40 wt%, zinc oxide (ZnO) 27.5 wt% to 34 wt%, boron oxide (B 2 O 3 ). 17 wt% to 36 wt%, silicon oxide (SiO 2 ) 1.4 wt% to 4.2 wt%, and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) 0.5 wt% to 4.4 wt%. Yes. Furthermore, it contains 5 wt% to 13 wt% of at least one selected from calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO), and is selected from molybdenum oxide (MoO 3 ) and tungsten oxide (WO 3 ). At least one selected from 0.1% by weight to 7% by weight. When such a dielectric glass material is used, it is particularly easy to control the surface roughness of the dielectric layer.

従来の誘電体層は、誘電体ガラス材料の軟化点580℃よりも少し高い590℃以上の温度で焼成していたが、本発明における誘電体層8は、誘電体ガラス材料の軟化点をTsとすると、誘電体ガラス材料の焼成温度Tfを(Ts−15℃)≦Tf≦Tsの温度範囲で焼成する。このことにより、誘電体層8の表面粗さを、従来の誘電体層に比べて粗く形成することができる。   The conventional dielectric layer was baked at a temperature of 590 ° C. or higher, which is slightly higher than the softening point 580 ° C. of the dielectric glass material, but the dielectric layer 8 in the present invention has a softening point of the dielectric glass material Ts. Then, the firing temperature Tf of the dielectric glass material is fired in a temperature range of (Ts−15 ° C.) ≦ Tf ≦ Ts. As a result, the surface roughness of the dielectric layer 8 can be formed rougher than that of the conventional dielectric layer.

次に、誘電体層8上に酸化マグネシウム(MgO)からなる保護層9を真空蒸着法により形成する。以上の工程により前面ガラス基板3上に所定の構成物(走査電極4、維持電極5、遮光層7、誘電体層8、保護層9)が形成され、前面板2が完成する。保護層9は2μm以下の極めて薄い層なので、誘電体層8の表面粗さは、ほぼ保護層9の表面粗さと等しくなる。   Next, a protective layer 9 made of magnesium oxide (MgO) is formed on the dielectric layer 8 by a vacuum deposition method. Through the above steps, predetermined components (scanning electrode 4, sustaining electrode 5, light shielding layer 7, dielectric layer 8, and protective layer 9) are formed on front glass substrate 3, and front plate 2 is completed. Since the protective layer 9 is an extremely thin layer of 2 μm or less, the surface roughness of the dielectric layer 8 is substantially equal to the surface roughness of the protective layer 9.

また背面板10は、次のようにして形成される。まず、背面ガラス基板11上に、銀材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法、または金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などにより、アドレス電極12用の構成物となる材料層を形成し、それを所望の温度で焼成することによりアドレス電極12を形成する。   The back plate 10 is formed as follows. First, the structure for the address electrode 12 is formed by a method of screen printing a paste containing a silver material on the rear glass substrate 11 or a method of patterning using a photolithography method after forming a metal film on the entire surface. An address electrode 12 is formed by forming a material layer to be formed and firing it at a desired temperature.

次に、アドレス電極12が形成された背面ガラス基板11上に、ダイコート法などによりアドレス電極12を覆うように誘電体ペーストを塗布して誘電体ペースト層を形成する。その後、誘電体ペースト層を焼成することにより下地誘電体層13を形成する。なお、誘電体ペーストは、ガラス材料などの誘電体材料と、バインダ、および溶剤を含んだ塗料である。   Next, a dielectric paste layer is formed on the rear glass substrate 11 on which the address electrodes 12 are formed by applying a dielectric paste so as to cover the address electrodes 12 by a die coating method or the like. Thereafter, the base dielectric layer 13 is formed by firing the dielectric paste layer. The dielectric paste is a paint containing a dielectric material such as a glass material, a binder, and a solvent.

次に、下地誘電体層13上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布し、所定の形状にパターニングすることにより、隔壁材料層を形成した後、焼成することにより隔壁14を形成する。ここで、下地誘電体層13上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法、サンドブラスト法を用いることができる。   Next, a partition wall forming paste containing a partition wall material is applied on the base dielectric layer 13 and patterned into a predetermined shape to form a partition wall material layer, followed by firing to form the partition walls 14. Here, as a method of patterning the partition wall paste applied on the base dielectric layer 13, a photolithography method and a sand blast method can be used.

次に、隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上、および隔壁14の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布し、焼成することにより蛍光体層15が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材を有する背面板10が完成する。   Next, the phosphor layer 15 is formed by applying and baking a phosphor paste containing a phosphor material on the base dielectric layer 13 between the adjacent barrier ribs 14 and on the side surfaces of the barrier ribs 14. Through the above steps, the back plate 10 having predetermined components on the back glass substrate 11 is completed.

このようにして所定の構成部材を備えた前面板2と、背面板10とを、走査電極4と、アドレス電極12とが直交するように対向配置して、その周囲をガラス材料で封着し、放電空間16にネオン、キセノンなどを含む放電ガスを封入することによりPDP1が完成する。   In this way, the front plate 2 and the back plate 10 provided with predetermined constituent members are arranged to face each other so that the scanning electrodes 4 and the address electrodes 12 are orthogonal to each other, and the periphery thereof is sealed with a glass material. The PDP 1 is completed by enclosing a discharge gas containing neon, xenon, etc. in the discharge space 16.

図3は、図1のPDP1の前面板20と背面板10との詳細構造を示す断面図で、図1を上下反転させて示している。図3に示すように、保護層9の表面に形成された突起22と、背面板10に形成された隔壁14とが接触する場合に、保護層9の表面に形成された無数の凹凸9aによって、隔壁14から受ける荷重は分散されることになる。このことにより突起22にかかる応力が大きく低減され、気泡21が割れることを防ぐことができる。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing the detailed structure of the front plate 20 and the back plate 10 of the PDP 1 of FIG. 1 and is shown upside down. As shown in FIG. 3, when the protrusions 22 formed on the surface of the protective layer 9 and the partition walls 14 formed on the back plate 10 come into contact with each other, the countless unevenness 9 a formed on the surface of the protective layer 9 The load received from the partition wall 14 is dispersed. As a result, the stress applied to the protrusions 22 is greatly reduced, and the bubbles 21 can be prevented from cracking.

次に、保護層9を上述の表面粗さとすること、および誘電体層8を上述の範囲の焼成温度で焼成すればよい理由について説明する。   Next, the reason why the protective layer 9 has the above-described surface roughness and the dielectric layer 8 may be fired at the firing temperature in the above-described range will be described.

まず、誘電体層中の気泡の直径と、突起高さとの関係について説明する。図4は、本発明の実施の形態のPDPの誘電体層中の気泡の直径と突起高さとの関係を示す図である。図4に示すように、気泡21の直径は、およそ20μmから80μmの間に分布し、平均的には40μm程度の大きさである。40μmの直径の気泡に起因する突起の高さは、2μm程度である。   First, the relationship between the diameter of the bubbles in the dielectric layer and the protrusion height will be described. FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the diameter of the bubbles in the dielectric layer of the PDP according to the embodiment of the present invention and the protrusion height. As shown in FIG. 4, the diameter of the bubbles 21 is distributed between about 20 μm and 80 μm, and has an average size of about 40 μm. The height of the protrusion due to the bubble having a diameter of 40 μm is about 2 μm.

図5は、本発明の実施の形態のPDPの誘電体層の表面の粗さを説明する図で、誘電体層の表面の粗さを、粗さ曲線用カットオフ値λc=2.5mm、輪郭曲線フィルタカットオフ値λs=8μmとして、異なる算術平均粗さRaでの突起高さ毎の個数、および割れた気泡数の関係を示す図である。   FIG. 5 is a diagram for explaining the roughness of the surface of the dielectric layer of the PDP according to the embodiment of the present invention. The roughness of the surface of the dielectric layer is represented by a roughness curve cutoff value λc = 2.5 mm, It is a figure which shows the relationship between the number for every protrusion height in different arithmetic mean roughness Ra, and the number of cracked bubbles by setting the contour curve filter cutoff value λs = 8 μm.

図5(a)は誘電体層8の表面のRaが0.25μmである場合、図5(b)はRaが0.49μmである場合であり、どちらも、突起数を100個とした場合の気泡21の割れる割合を比較した図である。ここで、白い棒グラフは突起22の高さの分布を表し、斜線の棒グラフは各分布中で気泡21が割れた数を示している。図4にも示したように、突起の高さは平均して2μm程度であり、図5のグラフから、突起高さは3μm以下が多く、Raが0.25μmでは、突起高さ3μm以下で割れた気泡数の多いことが分かる。例えば、突起高さの分布が最も多い2μmの高さの突起についてみると、Raが0.25μmでは、突起30個中に18個の気泡21の割れが有るのに対し、Raが0.49μmでは、突起31個中に7個と大幅に低減している。   5A shows a case where Ra on the surface of the dielectric layer 8 is 0.25 μm, and FIG. 5B shows a case where Ra is 0.49 μm. In both cases, the number of protrusions is 100. It is the figure which compared the ratio which the bubble 21 breaks. Here, the white bar graph represents the height distribution of the protrusions 22, and the hatched bar graph represents the number of bubbles 21 broken in each distribution. As shown in FIG. 4, the average height of the protrusion is about 2 μm. From the graph of FIG. 5, the protrusion height is often 3 μm or less, and when Ra is 0.25 μm, the protrusion height is 3 μm or less. It can be seen that there are many broken bubbles. For example, in the case of a protrusion having a height of 2 μm with the largest distribution of protrusion height, when Ra is 0.25 μm, 18 bubbles 21 are cracked in 30 protrusions, while Ra is 0.49 μm. Then, the number is significantly reduced to 7 out of 31 protrusions.

図6は、本発明の実施の形態のPDPの誘電体層の焼成温度範囲を説明する図で、誘電体層8の焼成温度と、誘電体層8の表面の算術平均粗さRaとの関係を示す図である。図6は、表面粗さ測定器(株式会社アルバック製、Dektak3ST)で誘電体層8の表面を計測した変位を縦軸に、移動距離を横軸に示したものである。図6(a)(b)(c)は、それぞれ軟化点580℃の誘電体ガラス材料を焼成温度595℃とした場合、580℃とした場合、565℃とした場合の結果である。   FIG. 6 is a diagram for explaining the firing temperature range of the dielectric layer of the PDP according to the embodiment of the present invention, and the relationship between the firing temperature of the dielectric layer 8 and the arithmetic average roughness Ra of the surface of the dielectric layer 8. FIG. FIG. 6 shows the displacement measured on the surface of the dielectric layer 8 with a surface roughness measuring device (manufactured by ULVAC, Inc., Dektak 3ST) on the vertical axis and the moving distance on the horizontal axis. 6A, 6B, and 6C show the results when the dielectric glass material having a softening point of 580 ° C. is set to a firing temperature of 595 ° C., 580 ° C., and 565 ° C., respectively.

図6(a)に示すように、誘電体層8の焼成温度を595℃とすると、誘電体層8のRaは0.25μmである。また図6(b)に示すように、誘電体層8の焼成温度を580℃とすると、誘電体層8のRaは0.30μmである。また図6(c)に示すように、誘電体層8の焼成温度を565℃とすると、誘電体層8のRaは0.49μmである。このように、誘電体層8の焼成温度を低くするほど、誘電体層8のRaは大きくなるが、Raが0.49μmを超えると散乱光の割合が増加するので望ましくない。また、この粗さ曲線は、粗さ曲線用カットオフ値λc=2.5mm、輪郭曲線フィルタカットオフ値λs=8μmの範囲内とし、極端な凹凸のある表面粗さのものを、除外している。すなわち、本発明は、平均的な凹凸を多数必要とし、その凹凸で荷重を分散させるためである。   As shown in FIG. 6A, when the firing temperature of the dielectric layer 8 is 595 ° C., the Ra of the dielectric layer 8 is 0.25 μm. As shown in FIG. 6B, when the firing temperature of the dielectric layer 8 is 580 ° C., the Ra of the dielectric layer 8 is 0.30 μm. As shown in FIG. 6C, when the firing temperature of the dielectric layer 8 is 565 ° C., the Ra of the dielectric layer 8 is 0.49 μm. Thus, as the firing temperature of the dielectric layer 8 is lowered, Ra of the dielectric layer 8 increases, but if Ra exceeds 0.49 μm, the ratio of scattered light increases, which is not desirable. This roughness curve is within the range of the roughness curve cutoff value λc = 2.5 mm and the contour curve filter cutoff value λs = 8 μm, excluding those with extremely rough surface roughness. Yes. That is, the present invention requires a large number of average irregularities and disperses the load with the irregularities.

図7は、本発明の実施の形態のPDPの耐圧不良率と誘電体層の表面の粗さとの関係を示す図である。ここで耐圧不良率とは、完成したPDPの点灯試験を行い、絶縁耐圧不良で点灯しないパネルの割合である。図7は、縦軸にPDPの耐圧不良率を、横軸に誘電体層の表面の粗さが、粗さ曲線用カットオフ値λc=2.5mm、輪郭曲線フィルタカットオフ値λs=8μmとし、算術平均粗さRaをとったものである。   FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the breakdown voltage failure rate of the PDP and the surface roughness of the dielectric layer according to the embodiment of the present invention. Here, the withstand voltage failure rate is a ratio of panels that are not lit due to insulation withstand voltage failure when a completed PDP lighting test is performed. In FIG. 7, the vertical axis represents the breakdown voltage failure rate of the PDP, the horizontal axis represents the roughness of the surface of the dielectric layer, the roughness curve cutoff value λc = 2.5 mm, and the contour curve filter cutoff value λs = 8 μm. The arithmetic average roughness Ra is taken.

図7において、Ra=0.2μmでは耐圧不良率は1.7%と大きいが、Ra=0.25μmでの耐圧不良率は0.8%と下がり、Ra=0.49μmでは耐圧不良率は0.5%まで低減される。このように誘電体層8の表面粗さが粗くなるにつれ、耐圧不良率が改善している。これは、Raが0.25μm以下の表面粗さが比較的滑らかな表面であると、誘電体層中の気泡による突起の高さの方が高くなることが多く、この気泡に隔壁からの荷重がかかるためと考えられる。また、Raが0.25μmを超えると、気泡による突起の高さが、表面粗さの凹凸より小さくなる場合が多く、気泡に隔壁からの荷重がかからなくなるため、耐圧不良率が低下すると考えられる。   In FIG. 7, when Ra = 0.2 μm, the breakdown voltage failure rate is as large as 1.7%, but when Ra = 0.25 μm, the breakdown voltage failure rate decreases to 0.8%, and when Ra = 0.49 μm, the breakdown voltage failure rate is Reduced to 0.5%. Thus, as the surface roughness of the dielectric layer 8 becomes rough, the breakdown voltage failure rate is improved. This is because when the surface roughness Ra is 0.25 μm or less and the surface roughness is relatively smooth, the height of the protrusion due to the bubbles in the dielectric layer is often higher, and the load from the partition wall on the bubbles It is thought that it takes. Further, if Ra exceeds 0.25 μm, the height of the protrusion due to the bubbles is often smaller than the unevenness of the surface roughness, and the load from the partition walls is not applied to the bubbles, so that the breakdown voltage failure rate is considered to decrease. It is done.

なお、本発明の実施の形態では、誘電体層8の表面の算術平均粗さRaとして説明したが、上述したように誘電体層8は40μm程度の厚みに対して、保護層9は2μm以下であるため、誘電体層8の表面粗さを、保護層9の表面粗さと考えてよい。   In the embodiment of the present invention, the arithmetic average roughness Ra of the surface of the dielectric layer 8 has been described. As described above, the dielectric layer 8 has a thickness of about 40 μm, and the protective layer 9 has a thickness of 2 μm or less. Therefore, the surface roughness of the dielectric layer 8 may be considered as the surface roughness of the protective layer 9.

以上のように、本発明のPDPによれば、隔壁から受ける荷重を、保護層表面に形成された凹凸によって分散させることで誘電体層中の気泡が割れることを低減することができ、高精細表示においても、耐圧不良の発生が少なく信頼性の高いPDPを実現することができる。   As described above, according to the PDP of the present invention, it is possible to reduce the breakage of the bubbles in the dielectric layer by dispersing the load received from the partition wall by the unevenness formed on the surface of the protective layer, and high definition. Also in display, a PDP with less occurrence of breakdown voltage failure and high reliability can be realized.

以上述べてきたように本発明のPDPは、耐圧不良の発生が少なく、高精細で大画面の表示デバイスなどに有用である。   As described above, the PDP of the present invention is less likely to cause a breakdown voltage failure and is useful for a high-definition and large-screen display device.

本発明の実施の形態のPDPの構造を示す斜視図The perspective view which shows the structure of PDP of embodiment of this invention 図1のPDPの前面板の詳細構造を示す断面図Sectional drawing which shows the detailed structure of the front plate of PDP of FIG. 図1のPDPの前面板と背面板との詳細構造を示す断面図Sectional drawing which shows the detailed structure of the front plate and back plate of PDP of FIG. 本発明の実施の形態のPDPの誘電体層中の気泡の直径と突起高さとの関係を示す図The figure which shows the relationship between the diameter of the bubble in the dielectric material layer of PDP of embodiment of this invention, and protrusion height 同PDPの誘電体層の表面の粗さを説明する図で(a)Raが0.25μmである場合を示す図(b)Raが0.49μmである場合を示す図The figure explaining the surface roughness of the dielectric layer of the PDP, (a) showing the case where Ra is 0.25 μm, (b) showing the case where Ra is 0.49 μm 同PDPの誘電体層の焼成温度範囲を説明する図で(a)焼成温度595℃とした場合を示す図(b)焼成温度580℃とした場合を示す図(c)焼成温度565℃とした場合を示す図The figure explaining the firing temperature range of the dielectric layer of the PDP (a) The figure showing the case where the firing temperature is 595 ° C. (b) The figure showing the case where the firing temperature is 580 ° C. (c) The firing temperature is 565 ° C. Illustration showing the case 同PDPの耐圧不良率と誘電体層の表面の粗さとの関係を示す図The figure which shows the relationship between the pressure | voltage resistant defect rate of the same PDP, and the roughness of the surface of a dielectric material layer

符号の説明Explanation of symbols

1 PDP
2 前面板(第一の基板)
3 前面ガラス基板(第一のガラス基板)
4 走査電極
4a,5a 透明電極
4b,5b バス電極
5 維持電極
6 表示電極
7 ブラックストライプ(遮光層)
8 誘電体層
9 保護層
9a 凹凸
10 背面板(第二の基板)
11 背面ガラス基板(第二のガラス基板)
12 アドレス電極
13 下地誘電体層
14 隔壁
15 蛍光体層
16 放電空間
21 気泡
22 突起
1 PDP
2 Front plate (first substrate)
3 Front glass substrate (first glass substrate)
4 Scan electrode 4a, 5a Transparent electrode 4b, 5b Bus electrode 5 Sustain electrode 6 Display electrode 7 Black stripe (light shielding layer)
8 Dielectric layer 9 Protective layer 9a Concavity and convexity 10 Back plate (second substrate)
11 Back glass substrate (second glass substrate)
12 Address electrode 13 Base dielectric layer 14 Partition 15 Phosphor layer 16 Discharge space 21 Bubble 22 Projection

Claims (3)

第一のガラス基板上に電極と誘電体層と保護層とが形成された第一の基板と、第二のガラス基板上に電極と隔壁と蛍光体層とが形成された第二の基板とを対向配置したプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層の表面粗さが、粗さ曲線用カットオフ値λc=2.5mm、輪郭曲線フィルタカットオフ値λs=8μmとして、算術平均粗さRaで0.25μmを超え、0.49μm以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 A first substrate in which an electrode, a dielectric layer and a protective layer are formed on a first glass substrate; and a second substrate in which an electrode, a partition and a phosphor layer are formed on a second glass substrate; The surface roughness of the protective layer is set to a roughness curve cutoff value λc = 2.5 mm and a contour curve filter cutoff value λs = 8 μm in terms of arithmetic average roughness Ra. A plasma display panel, wherein the plasma display panel is more than 0.25 μm and not more than 0.49 μm. 前記誘電体層を構成する誘電体ガラス材料は、酸化ビスマスを含むとともに、酸化モリブデンと酸化タングステンとのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 1, wherein the dielectric glass material constituting the dielectric layer contains bismuth oxide and at least one of molybdenum oxide and tungsten oxide. 第一のガラス基板上に電極と誘電体層と保護層とが形成された第一の基板と、第二のガラス基板上に電極と隔壁と蛍光体層とが形成された第二の基板とを対向配置したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記誘電体層を構成する誘電体ガラス材料の軟化点をTsとすると、前記誘電体ガラス材料の焼成温度Tfを(Ts−15℃)≦Tf≦Tsとすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 A first substrate in which an electrode, a dielectric layer and a protective layer are formed on a first glass substrate; and a second substrate in which an electrode, a partition and a phosphor layer are formed on a second glass substrate; Is a method for manufacturing a plasma display panel in which the dielectric glass material composing the dielectric layer is Ts, where Ts is a softening point of the dielectric glass material, and the firing temperature Tf of the dielectric glass material is (Ts−15 ° C.) ≦ A manufacturing method of a plasma display panel, wherein Tf ≦ Ts.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001206732A (en) * 1999-11-19 2001-07-31 Asahi Glass Co Ltd Low melting point glass for coating electrode, and plasma display device
JP2003096305A (en) * 2001-09-19 2003-04-03 Jsr Corp Inorganic particle-containing composition, transfer film, and method for producing plasma display panel
JP2004006259A (en) * 2002-03-28 2004-01-08 Nippon Electric Glass Co Ltd Dielectric formation paste for plasma display panel, and glass powder therefor
JP2005317247A (en) * 2004-04-27 2005-11-10 Nippon Electric Glass Co Ltd Dielectric structure of plasma display panel

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001206732A (en) * 1999-11-19 2001-07-31 Asahi Glass Co Ltd Low melting point glass for coating electrode, and plasma display device
JP2003096305A (en) * 2001-09-19 2003-04-03 Jsr Corp Inorganic particle-containing composition, transfer film, and method for producing plasma display panel
JP2004006259A (en) * 2002-03-28 2004-01-08 Nippon Electric Glass Co Ltd Dielectric formation paste for plasma display panel, and glass powder therefor
JP2005317247A (en) * 2004-04-27 2005-11-10 Nippon Electric Glass Co Ltd Dielectric structure of plasma display panel

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