JP2007226045A - Organic el display device and coordinate input method - Google Patents

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Hiroshi Takahara
博司 高原
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Japan Display Central Inc
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To compactly and inexpensively provide a planar display device for performing image display and image capture. <P>SOLUTION: An object 651 (e.g. a color photograph or the like) scanning images on a display area 10 is closely arranged. An EL element 1411 of a display pixel 26 is emitted to make the emitted light 661 irradiate the object 651. Light intensity reflected on the object 651 is changed by the image drawn on the object 651. In other words, the light 661 is modulated by the image of the object 651. The modulated light reaches a photosensor pixel 27, and the photosensor pixel 27 changes an on-off state by receiving light intensity. The display pixel 26 makes white emission basic, and the photosensor pixel 27 has a RGB color filter. The three photosensor pixels 27 of RGB correspond to one display pixel 26. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、画像取込み機能を備えた有機EL装置および駆動方法に関するものである。   The present invention relates to an organic EL device having an image capturing function and a driving method.

有機EL表示装置は、ソース信号線、ゲート信号線及び画素トランジスタが形成されたアレイ基板と、ソース信号線を駆動するソースドライバ回路及びゲート信号線を駆動するゲートドライバ回路とを備えている。そして、最近の集積回路技術の進歩発展により、駆動回路の一部をアレイ基板上に形成するプロセス技術が実用化されている。これにより、有機EL表示装置全体を軽薄短小化することができ、携帯電話やノート型コンピュータなどの各種の携帯機器の表示装置として幅広く利用されている。また、有機EL表示装置は、自己発光デバイスであるので、バックライトが不要であり、より小型化、低消費電力化を実現できる。   The organic EL display device includes an array substrate on which source signal lines, gate signal lines, and pixel transistors are formed, a source driver circuit that drives the source signal lines, and a gate driver circuit that drives the gate signal lines. With the recent progress and development of integrated circuit technology, a process technology for forming a part of a drive circuit on an array substrate has been put into practical use. As a result, the entire organic EL display device can be made light and thin, and it is widely used as a display device for various portable devices such as mobile phones and notebook computers. Further, since the organic EL display device is a self-luminous device, a backlight is not required, and further downsizing and low power consumption can be realized.

ところで、アレイ基板上に、画像取込みを行う密着型エリアセンサを配置した画像取込み機能を備えた表示装置が提案されている(例えば、特許文献1,2を参照)。この種の画像取込み機能を備えた従来の表示装置は、センサに接続されたキャパシタの電荷量をセンサでの受光量に応じて変化させるようにし、キャパシタの両端電圧を検出することで、画像取込みを行っている。
特開2001−292276号公報 特開2001−339640号公報
By the way, a display device having an image capturing function in which a contact area sensor for capturing an image is arranged on an array substrate has been proposed (see, for example, Patent Documents 1 and 2). A conventional display device having this type of image capture function changes the charge amount of a capacitor connected to the sensor in accordance with the amount of light received by the sensor, and detects the voltage across the capacitor, thereby capturing the image. It is carried out.
JP 2001-292276 A JP 2001-339640 A

センサに流れる電流は微弱であるため、その電流によるキャパシタの両端電圧の変化を精度よく検出するのは困難であり、測定誤差が大きくなる。このため、取込画像にノイズが現れやすくなる。   Since the current flowing through the sensor is weak, it is difficult to accurately detect the change in the voltage across the capacitor due to the current, resulting in a large measurement error. For this reason, noise tends to appear in the captured image.

また、キャパシタの両端電圧を検出するために、キャパシタにSRAMやバッファ回路を接続する場合、SRAMやバッファ回路を構成するトランジスタのしきい値電圧を超えたか否かにより「0」か「1」かの判定が行われるが、トランジスタのしきい値電圧にばらつきがあるため、「0」と「1」の判定基準がずれるおそれがある。また、センサに流れる電流もばらつきがあるため、「0」と「1」の判定基準がずれるおそれがある。   When an SRAM or a buffer circuit is connected to the capacitor in order to detect the voltage across the capacitor, it is “0” or “1” depending on whether or not the threshold voltage of the transistors constituting the SRAM or buffer circuit is exceeded. However, since the threshold voltages of the transistors vary, the determination criteria of “0” and “1” may be shifted. In addition, since the current flowing through the sensor also varies, there is a possibility that the determination criteria of “0” and “1” are shifted.

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光リークのばらつきやトランジスタ等の電気的特性のばらつきの影響を受けることなく、画像取込みを行うことができる平面表示装置の駆動方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such a point, and the object thereof is a flat display capable of capturing an image without being affected by variations in light leakage and variations in electrical characteristics of transistors and the like. The object is to provide a method of driving the apparatus.

また、座標入力機能を有する平面表示装置(インプットディスプレイ)は、低温多結晶Siで各画素にホトセンサを作製している。しかし、ホトセンサはレーザーアニール方法によって作製するため、ホトセンサ特性の画面内傾斜、部分的な特性バラツキが発生する。ホトセンサ特性バラツキが発生すると、画面内(入力領域)で感度がばらつき、誤入力、入力できないという課題が発生する。   A flat display device (input display) having a coordinate input function is made of low-temperature polycrystalline Si, and a photosensor is produced for each pixel. However, since the photosensor is manufactured by a laser annealing method, the photosensor characteristics in-screen tilt and partial characteristic variations occur. When the variation in the photosensor characteristics occurs, the sensitivity varies within the screen (input area), and there arises a problem that incorrect input or input cannot be performed.

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、入力領域のホトセンサの特性を測定し、ホトセンサ特性を反映することにより、誤入力、入力できないと言う課題を解決するものである。   The present invention has been made in view of the above points, and solves the problem that erroneous input and input cannot be performed by measuring the characteristics of a photosensor in an input region and reflecting the photosensor characteristics.

また、本発明は、表示装置にEL素子からなる発光素子と、ホトセンサ画素27などの受光素子を形成している。したがって、発光素子からの光を対象物に照射し、反射光をホトセンサ画素27で受光することができる。   Further, according to the present invention, a light emitting element composed of an EL element and a light receiving element such as the photosensor pixel 27 are formed in the display device. Therefore, it is possible to irradiate the object with the light from the light emitting element and receive the reflected light with the photo sensor pixel 27.

また、本発明は、光ペンのLEDをオンオフさせて座標入力するが、オフ信号が発生した場合に遅延させてLEDを消灯させる機能を有する。   In addition, the present invention has a function of turning on and off the LED of the light pen and inputting coordinates, but delaying the LED when the off signal is generated.

本発明の有機EL表示装置は、表示画面が入力領域を兼ねるインプットディスプレイである。入力領域をマトリクス状のブロックに分割し、各分割ブロックのホトセンサ特性を測定し、EPROM等の記憶媒体に符号化して記録させる。また、発光はRGB独立で行うことができる。   The organic EL display device of the present invention is an input display whose display screen also serves as an input area. The input area is divided into matrix blocks, the photosensor characteristics of each divided block are measured, and encoded and recorded on a storage medium such as an EPROM. Light emission can be performed independently of RGB.

インプットディスプレイの入力時に、前記記憶媒体に記録された特性データを読み出して入力個所の閾値に一致した箇所で入力判断処理を行う。前記の処理(特性データとの一致性処理)で、入力領域のホトセンサ特性を反映させる。   At the time of input on the input display, the characteristic data recorded in the storage medium is read out, and input determination processing is performed at a location that matches the threshold value of the input location. The photo sensor characteristic of the input area is reflected by the above process (matching process with characteristic data).

本発明によれば、表示パネル内に、ホトセンサ素子27を形成することにより、画像表示と画像取り込みを行うことができる。したがって、イメージスキャナは不要である。したがって、平面表示装置をコンパクトにかつ安価に提供することができる。   According to the present invention, it is possible to perform image display and image capture by forming the photo sensor element 27 in the display panel. Therefore, an image scanner is not necessary. Therefore, the flat display device can be provided in a compact and inexpensive manner.

本発明を用いれば、別途スキャナなどを使用する必要がない。したがって、省電力化を実現できる。また、また、小型軽量化できるので、資源を消費しない。したがって、地球環境、宇宙環境に優しいことになる。   With the present invention, there is no need to use a separate scanner or the like. Therefore, power saving can be realized. Moreover, since it can be reduced in size and weight, resources are not consumed. Therefore, it is friendly to the global environment and space environment.

(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態の平面表示装置について説明する。まず、理解を容易にするため、表示画素は、液晶素子であるとして説明する。
(1)平面表示装置の構成
図1は本実施形態に係る平面表示装置の概略構成図である。本発明は、少なくとも画像表示領域10に配されたホトセンサ画素27による画像取込み機能を有することを特徴としている。
(First embodiment)
The flat display device according to the first embodiment of the present invention will be described below. First, in order to facilitate understanding, the display pixel will be described as a liquid crystal element.
(1) Configuration of Flat Display Device FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a flat display device according to this embodiment. The present invention is characterized by having an image capturing function by at least the photosensor pixels 27 arranged in the image display region 10.

図1の平面表示装置は、主としてアレイ基板11からなるパネル部と回路基板17とで構成されている。   The flat display device shown in FIG. 1 is mainly composed of a panel section made up of an array substrate 11 and a circuit board 17.

なお、座標入力機能を有する平面表示装置をインプットディスプレイと呼ぶ。
(1−1)アレイ基板11の構成
本実施形態の画素16(表示画素26+ホトセンサ画素27)は、水平方向320画素×垂直方向240画素の表示解像度を有する。画素は水平方向に赤(R)、青(B)、緑(G)の部分に分割され、それぞれにソース信号線21が設けられる。ソース信号線21の総数は、320×3=960本で、表示画素26を駆動するゲート信号線22の総数は240本である。
A flat display device having a coordinate input function is called an input display.
(1-1) Configuration of Array Substrate 11 The pixel 16 (display pixel 26 + photosensor pixel 27) of the present embodiment has a display resolution of 320 pixels in the horizontal direction × 240 pixels in the vertical direction. The pixel is divided into red (R), blue (B), and green (G) portions in the horizontal direction, and a source signal line 21 is provided for each. The total number of source signal lines 21 is 320 × 3 = 960, and the total number of gate signal lines 22 that drive the display pixels 26 is 240.

アレイ基板11上には、ソース信号線23及びゲート信号線22と、前記信号線により制御される画素16(表示画素26+ホトセンサ画素27)と、ソース信号線23を駆動するICよりなるソースドライバ回路14と、ゲート信号線22を駆動するICよりなるゲートドライバ回路12と、画像を取り込んで出力するホトセンサ処理回路18とが設けられている。これらの回路は、例えば低温ポリシリコン技術で形成されたトランジスタにより形成されている。   On the array substrate 11, a source driver circuit including a source signal line 23, a gate signal line 22, a pixel 16 (display pixel 26 + photosensor pixel 27) controlled by the signal line, and an IC that drives the source signal line 23. 14, a gate driver circuit 12 composed of an IC for driving the gate signal line 22, and a photo sensor processing circuit 18 for capturing and outputting an image. These circuits are formed by transistors formed by, for example, low-temperature polysilicon technology.

なお、トランジスタの形成は、低温ポリシリコン技術に限定されるものではなく、プロセス温度が450度(摂氏)以上の高温ポリシリコン技術によるものでもよい。また、固相(CGS)成長させた半導体膜を用いてトランジスタを形成してもよい。また、トランジスタは、アモルファスシリコン技術で形成または構成してもよい。画素16はマトリックス上に形成または構成されている。   The formation of the transistor is not limited to the low-temperature polysilicon technology, but may be performed by a high-temperature polysilicon technology having a process temperature of 450 degrees Celsius or higher. Alternatively, a transistor may be formed using a semiconductor film grown by solid phase (CGS). The transistor may also be formed or configured with amorphous silicon technology. The pixels 16 are formed or configured on a matrix.

また、画素16の表示画素26は液晶素子に限定されるものではなく、EL素子などから構成される自己発光素子で構成してもよい。
(1−2)各回路の構成
ソースドライバ回路14は、入力デジタル画素データを表示素子の駆動に適したアナログ電圧に変換するD/A変換回路を含む。また、ソースドライバ回路14はPWM変調などを実施するデジタル出力を行うものであってもよい。この場合はデジタルデータをパルス的にソース信号線23に印加する構成であるので、D/A変換回路は不要である。
Further, the display pixel 26 of the pixel 16 is not limited to a liquid crystal element, but may be a self-luminous element composed of an EL element or the like.
(1-2) Configuration of Each Circuit The source driver circuit 14 includes a D / A conversion circuit that converts input digital pixel data into an analog voltage suitable for driving a display element. The source driver circuit 14 may perform digital output for performing PWM modulation or the like. In this case, since digital data is applied to the source signal line 23 in a pulsed manner, a D / A conversion circuit is unnecessary.

表示部10がEL素子で構成されている場合は、ソースドライバ回路14は、電流出力の映像信号を出力するものであってもよい。EL素子の場合は、好ましくは、ソースドライバ回路14はシリコンなどのチップで形成したものをCOG(ガラスオンチップ)技術でアレイ基板11に実装した構成を採用することが好ましい。メモリ機能などをIC内に内蔵できコンパクト化を実現できるからである。   When the display unit 10 is configured by an EL element, the source driver circuit 14 may output a current output video signal. In the case of an EL element, it is preferable to adopt a configuration in which the source driver circuit 14 formed of a chip such as silicon is mounted on the array substrate 11 by COG (glass on chip) technology. This is because the memory function and the like can be built in the IC, and a compact size can be realized.

回路基板17上には、アレイ基板11上の各回路を制御するコントロールIC(図示せず)、画像データ等を記憶するメモリ(図示せず)と、アレイ基板11及び回路基板17で使用する各種の直流電圧を出力する電源回路(図示せず)とを実装してもよい。なお、コントロールIC(図示せず)とは別個にCPU、MPUを設けてもよいし、メモリや電源回路をICよりなる映像信号処理回路と一体化してもよいし、ディスクリート部品を回路基板17、アレイ基板11上に実装してもよい。   On the circuit board 17, a control IC (not shown) for controlling each circuit on the array board 11, a memory (not shown) for storing image data and the like, and various types used in the array board 11 and the circuit board 17. A power supply circuit (not shown) that outputs a direct current voltage may be mounted. In addition, a CPU and MPU may be provided separately from a control IC (not shown), a memory and a power supply circuit may be integrated with a video signal processing circuit made up of an IC, or discrete components may be connected to the circuit board 17, It may be mounted on the array substrate 11.

回路基板17に実装される素子、ICなどは、例えばポリシリコン技術で作製してもよい。また、アレイ基板11に直接に形成してもよい。以上の事項はソースドライバ回路14、信号処理回路18にも適用されることは言うまでもない。   The elements, ICs, etc. mounted on the circuit board 17 may be produced by, for example, polysilicon technology. Alternatively, it may be formed directly on the array substrate 11. Needless to say, the above items also apply to the source driver circuit 14 and the signal processing circuit 18.

ゲートドライバ回路12aは、アレイ基板11に低温ポリシリコン技術で形成することが好ましい。狭額縁化を実現できるからである。コストも低減できる。ゲートドライバ回路12aはゲート信号線22aを順次選択し、ソースドライバ回路14と同期をとって表示画素26に映像データを書き込む動作を行う。   The gate driver circuit 12a is preferably formed on the array substrate 11 by low temperature polysilicon technology. This is because a narrow frame can be realized. Cost can also be reduced. The gate driver circuit 12a sequentially selects the gate signal line 22a and performs an operation of writing video data to the display pixel 26 in synchronization with the source driver circuit 14.

ゲートドライバ回路12aはゲート信号線22b及びゲート信号線22cを順次選択し、ソースドライバ回路14と同期をとってホトセンサ画素27に書き込み信号(プリチャージ信号Vpまたはプリチャージ電流)を印加する。また、ホトセンサ画素27から出力電圧(センサ電圧)を取り出す動作を行う。   The gate driver circuit 12a sequentially selects the gate signal line 22b and the gate signal line 22c, and applies a write signal (precharge signal Vp or precharge current) to the photosensor pixel 27 in synchronization with the source driver circuit 14. In addition, an operation of taking out an output voltage (sensor voltage) from the photosensor pixel 27 is performed.

プリチャージ信号Vpは、電圧と電流がある。本明細書では主としてプリチャージ信号Vpは、電圧として説明をするが、図59、図60のように、プリチャージ信号Vpとしては電流の場合もある。   The precharge signal Vp has a voltage and a current. In this specification, the precharge signal Vp is mainly described as a voltage. However, as shown in FIGS. 59 and 60, the precharge signal Vp may be a current.

また、本発明の実施例において、トランジスタ32bの動作状態を読み出すとして説明するが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、ホトセンサ35の一端子をトランジスタ32cのドレイン端子に接続した構成の場合は、トランジスタ32bがなくとも、トランジスタ32cをクローズすることにより、ホトセンサ35の端子電圧を読み出すことができる。つまり、本発明は、光により変化するデバイスの端子電圧または電荷の変化状態を検出できるものであればいずれの構成であってもよい。なお、1つのホトセンサ画素27に複数のホトセンサ35が形成されている場合もある。   In the embodiment of the present invention, the operation state of the transistor 32b is read. However, the present invention is not limited to this. For example, in a configuration in which one terminal of the photosensor 35 is connected to the drain terminal of the transistor 32c, the terminal voltage of the photosensor 35 can be read by closing the transistor 32c without the transistor 32b. In other words, the present invention may have any configuration as long as it can detect a change state of a terminal voltage or a charge of a device that is changed by light. A plurality of photo sensors 35 may be formed on one photo sensor pixel 27.

ホトセンサ画素27は、光を照射されることによりホトセンサ35がリークし、出力状態が変化する。あるいは、ホトセンサ27が影にされることにより、リークがなく所定の状態を保持する。   When the photo sensor pixel 27 is irradiated with light, the photo sensor 35 leaks and the output state changes. Alternatively, the photo sensor 27 is shaded, so that there is no leak and a predetermined state is maintained.

画像表示の書き換え周期に同期してホトセンサ画素27にプリチャージ信号が印加される。また、ホトセンサ画素27は、画像表示の書き換え周期に同期して動作状態が読み出される。ただし、画像表示の書き換えは1フレームごとに実施され、ホトセンサ画素27にプリチャージ信号を印加する周期、あるいはホトセンサ画素27の動作状態を読み出す周期は、2フレーム周期で実施される場合がある。また、これらは、フレーム周期でなく、水平走査期間単位で実施される場合がある。水平走査期間単位で実施される場合であっても、画像表示の書き換えと同期を取って行われる。ただし、画素行を選択し、各画素行の表示の書き換えタイミングと、ホトセンサ画素27にプリチャージ信号を印加するタイミングは同時であることに限定されるものではない。一定の遅延時間を設定して実施されることもある。   A precharge signal is applied to the photosensor pixel 27 in synchronization with the rewrite cycle of the image display. Further, the operation state of the photosensor pixel 27 is read out in synchronization with the image display rewrite cycle. However, rewriting of the image display is performed for each frame, and the cycle for applying the precharge signal to the photosensor pixel 27 or the cycle for reading the operation state of the photosensor pixel 27 may be performed in a two-frame cycle. Also, these may be performed in units of horizontal scanning periods instead of frame periods. Even when it is performed in units of horizontal scanning periods, it is performed in synchronization with rewriting of the image display. However, the timing for rewriting the display of each pixel row by selecting a pixel row and the timing for applying the precharge signal to the photosensor pixel 27 are not limited to being the same. In some cases, a fixed delay time is set.

プリチャージ信号は、ホトセンサ画素27に印加され、ホトセンサ35を所定の状態にする。ホトセンサ35は光照射によりインピーダンスが変化し、また、変化状態を維持する。ホトセンサ35は、主として光照射により電流または電荷のリークが発生し、ホトセンサ35の端子電圧が変化する。   The precharge signal is applied to the photosensor pixel 27 and puts the photosensor 35 in a predetermined state. The impedance of the photo sensor 35 is changed by light irradiation, and the changed state is maintained. In the photosensor 35, current or charge leaks mainly due to light irradiation, and the terminal voltage of the photosensor 35 changes.

ホトセンサ画素27は、遮光されることより、プリチャージされた信号を維持する。または、電流または電荷をリークする速度が遅くなる。もしくは、ホトセンサ35に印加された電圧の電位低下が遅くなる。ホトセンサ画素27が遮光されず、光がホトセンサ35に照射されると、電流または電荷のリーク速度が速くなる。電流または電荷がリークし、ホトセンサ35の端子電圧が一定以上低下すると、図14のホトセンサ画素27では、トランジスタ32bがオフする。   The photosensor pixel 27 maintains a precharged signal by being shielded from light. Alternatively, the rate of leaking current or charge is reduced. Alternatively, the potential drop of the voltage applied to the photosensor 35 is delayed. When the photosensor pixel 27 is not shielded and light is irradiated onto the photosensor 35, the leak rate of current or charge increases. When current or charge leaks and the terminal voltage of the photosensor 35 decreases by a certain level or more, the transistor 32b is turned off in the photosensor pixel 27 in FIG.

プリチャージ信号が印加されることにホトセンサ画素27は初期状態あるいは所定状態にセットされ、ホトセンサ画素27に光が照射されることによりホトセンサ画素27の動作状態が変化する。ホトセンサ画素27に光が照射されないときは、初期状態または所定状態近傍の状態を保持する。つまり、プリチャージ信号とは、所定の閾値にホトセンサ画素27を設定する信号である。また、所定の閾値とは、光照射によりホトセンサ画素27の動作が変化できる値である。たとえば、プリチャージ信号の値が、図14のトランジスタ32bがオフ状態となる電圧であれば、最初からトランジスタ32bはオフ状態である。光をホトセンサ35に印加してもトランジスタ32bはオフ状態であるから変化しない。この状態は、プリチャージ信号が所定の閾値以下であり、図91などの実施例で応用する例など以外では、プリチャージ信号としては適正でない。つまり、プリチャージ信号は、所定の強さの光が、所定期間の間にホトセンサ画素27に照射された場合に、ホトセンサ画素27の動作状態が変化する値のものを、ホトセンサ画素27に印加する。   When the precharge signal is applied, the photosensor pixel 27 is set to an initial state or a predetermined state. When the photosensor pixel 27 is irradiated with light, the operation state of the photosensor pixel 27 changes. When the photosensor pixel 27 is not irradiated with light, the initial state or a state near a predetermined state is maintained. That is, the precharge signal is a signal for setting the photosensor pixel 27 to a predetermined threshold value. The predetermined threshold value is a value that can change the operation of the photosensor pixel 27 by light irradiation. For example, if the value of the precharge signal is a voltage at which the transistor 32b in FIG. 14 is turned off, the transistor 32b is turned off from the beginning. Even if light is applied to the photosensor 35, the transistor 32b is in an off state, and thus does not change. In this state, the precharge signal is equal to or lower than a predetermined threshold value and is not appropriate as a precharge signal except for an example applied in the embodiment such as FIG. That is, the precharge signal is applied to the photosensor pixel 27 with a value that changes the operating state of the photosensor pixel 27 when the photosensor pixel 27 is irradiated with light of a predetermined intensity during a predetermined period. .

ホトセンサ画素27には、プリチャージ信号が印加され、光が照射されることにより、ホトセンサ35に保持されたプリチャージ信号が変化する。本発明のホトセンサ35には所定の周期でプリチャージ信号が印加される。また、光はホトセンサ画素27に常時照射されている。プリチャージ信号は、所定周期で、ホトセンサ画素27を所定状態に設定するものである。また、ホトセンサ画素27を所定状態にリセットするものと考えても良い。たとえば、図14の実施例において、ホトセンサ35に光が照射されトランジスタ32bがオフ状態となっても、プリチャージ信号の印加によりトランジスタ32bがオン状態に設定される。   A precharge signal is applied to the photosensor pixel 27 and irradiated with light, whereby the precharge signal held in the photosensor 35 changes. A precharge signal is applied to the photosensor 35 of the present invention at a predetermined cycle. Further, the light is constantly radiated to the photosensor pixel 27. The precharge signal sets the photosensor pixel 27 in a predetermined state at a predetermined cycle. It may be considered that the photosensor pixel 27 is reset to a predetermined state. For example, in the embodiment of FIG. 14, even if light is irradiated to the photosensor 35 and the transistor 32b is turned off, the transistor 32b is set to the on state by the application of the precharge signal.

本明細書において、プリチャージ信号とは、プリチャージ電圧Vpとプリチャージ電流の場合がある。説明を容易にするため電圧を主として例示し、プリチャージ信号Vpとして説明する。また、プリチャージ電流によりホトセンサ35にプリチャージ電圧Vpが保持されると考えても良い。もちろん、プリチャージ電流がホトセンサ画素27に保持されることも本発明の技術的範疇である。   In this specification, the precharge signal may be a precharge voltage Vp and a precharge current. For ease of explanation, the voltage will be mainly exemplified and described as the precharge signal Vp. Further, it may be considered that the precharge voltage Vp is held in the photosensor 35 by the precharge current. Of course, it is also a technical category of the present invention that the precharge current is held in the photosensor pixel 27.

また、プリチャージ信号とは、ホトセンサ画素27をオン状態にする信号もしくはオフ状態にする信号として理解してもよい。また、プリチャージ信号とはホトセンサ画素27の動作状態を変化させる信号として理解してもよい。   The precharge signal may be understood as a signal for turning on or off the photosensor pixel 27. Further, the precharge signal may be understood as a signal for changing the operation state of the photosensor pixel 27.

また、ホトセンサ画素27がオン状態とは、プリチャージ信号が所定閾値以上で維持されている状態であり、オフ状態とは、プリチャージ信号が所定閾値以下となった状態である。ただし、この例は、図14のように、トランジスタ32bがNチャンネルトランジスタの場合である。トランジスタ32bがPチャンネルトランジスタの場合または構成が異なる場合は、オンオフ状態は逆の関係となる。または逆の関係の動作にすることができる。この場合も本発明の技術的範疇である。   The photosensor pixel 27 is in an on state when the precharge signal is maintained at a predetermined threshold value or higher, and the off state is a state where the precharge signal is at a predetermined threshold value or lower. However, this example is a case where the transistor 32b is an N-channel transistor as shown in FIG. When the transistor 32b is a P-channel transistor or when the configuration is different, the on / off state is reversed. Or, the operation can be reversed. This case is also a technical category of the present invention.

ホトセンサ画素27に印加するプリチャージ信号Vpは、ICからなるホトセンサ処理回路18から出力される。プリチャージ信号Vpはプリチャージ信号線24に印加される。ホトセンサ画素27からの出力電圧は、ホトセンサ出力信号線25に出力されホトセンサ処理回路18に取り込まれる。   The precharge signal Vp applied to the photosensor pixel 27 is output from the photosensor processing circuit 18 formed of an IC. The precharge signal Vp is applied to the precharge signal line 24. The output voltage from the photosensor pixel 27 is output to the photosensor output signal line 25 and taken into the photosensor processing circuit 18.

ホトセンサ出力信号線25には電圧を出力するとして説明するが、これに限定するものではなく、電流あるいは電荷がホトセンサ出力信号線25に出力される、もしくは入力される動作であってもよいことは言うまでもない。   Although it is described that a voltage is output to the photosensor output signal line 25, the present invention is not limited to this, and it may be an operation in which a current or a charge is output to or input to the photosensor output signal line 25. Needless to say.

また、ホトセンサ出力信号線25には、電流あるいは電圧が入出力されることにより、ホトセンサ35の動作状態を検出することに限定するものではない。ホトセンサ出力信号線25に電流あるいは電圧などが流入あるいは流出の方向を検出し、ホトセンサ35の動作状態を検出するものであってもよい。   Further, the present invention is not limited to detecting the operation state of the photosensor 35 by inputting or outputting current or voltage to the photosensor output signal line 25. It is also possible to detect the operating state of the photosensor 35 by detecting the direction of current or voltage flowing into or out of the photosensor output signal line 25.

本明細書において、ホトセンサ画素27の動作状態を測定するあるいは検出するとして説明する。しかし、本発明において、ホトセンサ35あるいはホトセンサ画素27の動作状態が変化したこと、あるいは所定状態が維持されていることがわかればよい。したがって、測定あるいは検出とは、ホトセンサ画素27の動作状態を認識するというような広範囲の意味である。あるいは、ホトセンサ画素27の動作状態を記憶し、前回の動作状態と比較するなどの意味である。また、ホトセンサ画素27のオン状態とオフ状態を検出することだけでなく、オン状態の変化状態あるいはオフ状態の変化状態を検出してもよい。たとえば、ホトセンサ画素27のオン状態の閾値が2.0Vであるとき、ホトセンサ画素27から読み出すときに得られた電圧あるいは電圧レベルが、2.5Vのオン状態、2.8Vのオン状態、1.8Vのオフ状態として区別して処理あるいは検出もしくは測定することが例示される。   In the present specification, the operation state of the photo sensor pixel 27 is described as being measured or detected. However, in the present invention, it is only necessary to know that the operating state of the photosensor 35 or the photosensor pixel 27 has changed or that the predetermined state is maintained. Therefore, measurement or detection has a broad meaning such as recognizing the operating state of the photosensor pixel 27. Alternatively, the operation state of the photosensor pixel 27 is stored and compared with the previous operation state. In addition to detecting the on state and the off state of the photosensor pixel 27, the on state change state or the off state change state may be detected. For example, when the threshold value of the on state of the photosensor pixel 27 is 2.0 V, the voltage or voltage level obtained when reading from the photosensor pixel 27 is 2.5 V on state, 2.8 V on state, 1. It is exemplified that processing, detection, or measurement is distinguished as an 8V off state.

ホトセンサ信号処理回路15はゲートドライバ回路12b及びホトセンサ処理回路18を制御するともに、ホトセンサ処理回路18からの出力データを演算あるいは比較処理などを実施する。また、光が照射あるいは遮光されているホトセンサ35の位置を判断し、その座標位置を出力するものである。また、外部のマイコン(図示せず)と制御データの入出力を制御するものである。   The photosensor signal processing circuit 15 controls the gate driver circuit 12b and the photosensor processing circuit 18, and performs calculation or comparison processing on output data from the photosensor processing circuit 18. Further, the position of the photosensor 35 irradiated or shielded with light is determined and the coordinate position is output. It also controls the input / output of control data with an external microcomputer (not shown).

ホトセンサ信号処理回路15は、シリコンなどのチップで形成したものをCOG(ガラスオンチップ)技術でアレイ基板11に実装した構成を採用することが好ましい。メモリ機能などをIC15内に内蔵でき、本発明の情報表示装置のコンパクト化を実現できるからである。   The photosensor signal processing circuit 15 preferably employs a configuration in which a chip made of silicon or the like is mounted on the array substrate 11 by COG (glass on chip) technology. This is because a memory function or the like can be built in the IC 15 and the information display device of the present invention can be made compact.

回路基板17上には、表示制御及び画像取込制御を行う映像信号処理回路(IC)21が実装されている。アレイ基板11と回路基板17とは、例えばフレキシブル基板(FPC)20を介して各種信号の送受信を行う。映像信号処理回路21からの出力映像信号はソースドライバ回路14に印加される。   A video signal processing circuit (IC) 21 that performs display control and image capture control is mounted on the circuit board 17. The array substrate 11 and the circuit substrate 17 transmit and receive various signals via, for example, a flexible substrate (FPC) 20. The output video signal from the video signal processing circuit 21 is applied to the source driver circuit 14.

ホトセンサ信号処理回路15は、回路の構成要素として、内部にホトセンサ35の撮像データを取り出し、平均階調を検出するカウンタを内蔵してもよい。ここで「平均階調」とは、出力データの階調を複数画素16にわたって平均したものをいう。最終的に256階調の画像を構成しようとする場合、10画素中5画素が白、残り5画素が黒のデータの場合、平均階調は、256[階調]x5[画素]/10[画素]=128[階調]とする。
(2)画素16の構成
図2、図3は画素16(表示画素26+ホトセンサ画素27)を中心として詳細に示した本実施形態の平面表示装置のブロック図である。なお、画素16は1つしか図示していないが、図1に図示したように、画素はマトリックス状に形成されている。また、他の構成要素も説明を容易にするために、省略をしている。図2の画素16は、表示画素26とホトセンサ画素27で構成される。
(2−1)表示画素26の構成
表示画素26は、縦横に列設されるソース信号線23及びゲート信号線22aの各交点もしくは近傍に形成される。表示画素26は、薄膜トランジスタ、FETあるいはバイポーラトランジスタ(以下、トランジスタという)36と、トランジスタ36の一端に形成された画素電極31と対向電極654間に構成される液晶層653、共通信号線38との間に接続される補助容量37から構成される(図3、図65)。
(2−2)ホトセンサ画素27の構成
ホトセンサ画素27は図3に図示されるように、ホトダイオードとして動作するトランジスタ35と、プリチャージ信号Vpを保持する補助容量(コンデンサ)34と、ソースフォロワとして動作するトランジスタ32bと、プリチャージ信号Vpを補助容量34に印加するスイッチング素子として動作するトランジスタ32aと、トランジスタ32bのソースフォロワ出力をホトセンサ出力信号線25に選択して出力するトランジスタ32cとから構成される。
The photosensor signal processing circuit 15 may incorporate a counter that takes out image data of the photosensor 35 and detects an average gradation as a circuit component. Here, the “average gradation” means an average of the gradation of the output data over the plurality of pixels 16. When an image having 256 gradations is finally formed, when 5 out of 10 pixels are white and the remaining 5 pixels are black, the average gradation is 256 [gradation] × 5 [pixel] / 10 [ Pixel] = 128 [gradation].
(2) Configuration of Pixel 16 FIG. 2 and FIG. 3 are block diagrams of the flat display device of the present embodiment shown in detail with the pixel 16 (display pixel 26 + photosensor pixel 27) as the center. Although only one pixel 16 is shown, the pixels are formed in a matrix as shown in FIG. Also, other components are omitted for ease of explanation. The pixel 16 in FIG. 2 includes a display pixel 26 and a photosensor pixel 27.
(2-1) Configuration of Display Pixel 26 The display pixel 26 is formed at or near each intersection of the source signal line 23 and the gate signal line 22a arranged in rows and columns. The display pixel 26 includes a thin film transistor, an FET or a bipolar transistor (hereinafter referred to as a transistor) 36, a liquid crystal layer 653 formed between one end of the transistor 36 and a counter electrode 654, and a common signal line 38. The auxiliary capacitor 37 is connected between them (FIGS. 3 and 65).
(2-2) Configuration of Photosensor Pixel 27 As shown in FIG. 3, the photosensor pixel 27 operates as a transistor 35 that operates as a photodiode, an auxiliary capacitor (capacitor) 34 that holds a precharge signal Vp, and a source follower. A transistor 32b that operates as a switching element that applies the precharge signal Vp to the auxiliary capacitor 34, and a transistor 32c that selects and outputs the source follower output of the transistor 32b to the photosensor output signal line 25. .

ホトセンサ素子35の一端子は、共通信号線38に接続されている。共通信号線38の電位は、グランド電位など固定値に保持することが好ましい。なお、補助容量37の一端子を構成する共通信号線38と、ホトセンサ素子(ホトダイオード)35の一端子を構成する共通信号線38とは分離し、同電位または別電位を印加できるように構成してもよい。
(2−3)ホトセンサ画素27の配置
一例として図4では、ホトセンサ画素27は各画素16に形成されている。つまり、表示画素26の形成数とホトセンサ画素27の形成数とは同一である。
One terminal of the photosensor element 35 is connected to the common signal line 38. The potential of the common signal line 38 is preferably held at a fixed value such as a ground potential. The common signal line 38 constituting one terminal of the auxiliary capacitor 37 and the common signal line 38 constituting one terminal of the photosensor element (photodiode) 35 are separated so that the same potential or different potential can be applied. May be.
(2-3) Arrangement of Photosensor Pixel 27 As an example, in FIG. 4, the photosensor pixel 27 is formed in each pixel 16. That is, the number of display pixels 26 and the number of photosensor pixels 27 are the same.

ホトセンサ画素は、図5に示すように、RGBの画素16(26R、26G、26B)に1つのホトセンサ画素27bを配してもよい。   As shown in FIG. 5, one photosensor pixel 27b may be arranged for each of the RGB pixels 16 (26R, 26G, and 26B).

図6に示すように、2画素に1つのホトセンサ画素(27a、27b、27c)を配置または形成してもよい。好ましくは、図6に示すように、偶数画素行の奇数画素列にホトセンサ画素27を配置し、奇数画素行の偶数画素列にホトセンサ画素27を配置するように構成する。   As shown in FIG. 6, one photosensor pixel (27a, 27b, 27c) may be arranged or formed for every two pixels. Preferably, as shown in FIG. 6, the photo sensor pixel 27 is arranged in the odd pixel column of the even pixel row, and the photo sensor pixel 27 is arranged in the even pixel column of the odd pixel row.

図7に図示するように、RGBの画素の組で、1つのホトセンサ画素27を配置あるいは形成してもよい。ホトセンサ画素27の形成面積を大きくでき、感度がよくなる。したがって、低照度であっても、入力対象物を検出できる。   As shown in FIG. 7, one photosensor pixel 27 may be arranged or formed by a set of RGB pixels. The formation area of the photosensor pixel 27 can be increased, and the sensitivity is improved. Therefore, the input object can be detected even with low illuminance.

図8に図示するように、6画素(26R×2、26G×2、26B×2)で、1つのホトセンサ画素27を配置あるいは形成するという構成であってもよい。図8では、ホトセンサ画素27を形成する行は、2画素行に1行としている。図8のように構成することにより、図7より大きなホトセンサ画素27の面積を確保することができ、感度が向上する。   As shown in FIG. 8, the configuration may be such that one photosensor pixel 27 is arranged or formed with six pixels (26R × 2, 26G × 2, 26B × 2). In FIG. 8, the number of rows forming the photosensor pixels 27 is one every two pixel rows. By configuring as shown in FIG. 8, the area of the photosensor pixel 27 larger than that of FIG. 7 can be secured, and the sensitivity is improved.

上記したように、ホトセンサ画素27は全ての表示画素26に対応して形成することには限定されない。図9に図示するように1画素16は、RGBの3つの副画素26R、26G、26Bからなる。各副画素27は、トランジスタ36と、コンデンサ34に電荷を蓄積するか否かを制御するトランジスタ32aと、画像取込ホトセンサ(光検出ホトセンサ)35と、プリチャージ信号Vpを保持するコンデンサ34と、コンデンサ34の蓄積電荷に応じた2値データを出力するトランジスタ32bと、トランジスタ32bの保持データを出力するトランジスタ32cとを具備する。   As described above, the photosensor pixels 27 are not limited to be formed corresponding to all the display pixels 26. As shown in FIG. 9, one pixel 16 is composed of three RGB sub-pixels 26R, 26G, and 26B. Each sub-pixel 27 includes a transistor 36, a transistor 32a for controlling whether or not electric charge is accumulated in the capacitor 34, an image capturing photosensor (photodetection photosensor) 35, a capacitor 34 for holding a precharge signal Vp, A transistor 32b that outputs binary data corresponding to the charge stored in the capacitor 34 and a transistor 32c that outputs data held by the transistor 32b are provided.

ホトセンサ35は、トランジスタをダイオード接続した構成を例示しているが、これに限定するものではない。光照射により抵抗値などが変化するものであればいずれのものであってもよい。たとえば、ホトダイオードが例示される。その他、大抵の半導体物質は光センサとして物理特性あるいは動作が変化する性質があるため、本発明の平面表示装置に使用することができる。   The photosensor 35 is exemplified by a configuration in which transistors are diode-connected, but is not limited thereto. Any one may be used as long as the resistance value changes by light irradiation. For example, a photodiode is exemplified. In addition, since most semiconductor materials have the property of changing physical characteristics or operation as an optical sensor, they can be used in the flat display device of the present invention.

画素16にSRAM(書き換え可能なメモリ)を形成してもよい。各画素16の輝度あるいは光透過率は、補助容量34に蓄積された電荷に基づいて決まる画素電極電位と、対向基板36上に形成されたコモン電極の電位との差によって階調制御される。   An SRAM (rewritable memory) may be formed in the pixel 16. The luminance or light transmittance of each pixel 16 is controlled in gradation by the difference between the pixel electrode potential determined based on the charge accumulated in the auxiliary capacitor 34 and the potential of the common electrode formed on the counter substrate 36.

画素16は、奇数画素行または奇数画素列にホトセンサ画素27を形成し、偶数画素行または偶数画素列にホトセンサ画素27を形成しない構成でもよい。さらに、偶数画素行または偶数画素列にホトセンサ画素27を形成し、奇数画素行または奇数画素列にホトセンサ画素27を形成しない構成でもよい。   The pixel 16 may have a configuration in which the photosensor pixel 27 is formed in the odd pixel row or the odd pixel column and the photosensor pixel 27 is not formed in the even pixel row or the even pixel column. Further, the photo sensor pixels 27 may be formed in even pixel rows or even pixel columns, and the photo sensor pixels 27 may not be formed in odd pixel rows or odd pixel columns.

また、3画素行あるいは3画素列あるいは4画素以上おきにホトセンサ画素27を形成または構成してもよい。表示領域10にランダムにホトセンサ画素27を形成または構成してもよい。一定間隔にホトセンサ画素27を構成してもよい。3x3画素などのようにマトリックス状にホトセンサ画素27を構成してもよい。   Further, the photosensor pixels 27 may be formed or configured every three pixel rows, three pixel columns, or every four or more pixels. The photo sensor pixels 27 may be formed or configured at random in the display area 10. The photosensor pixels 27 may be configured at regular intervals. The photo sensor pixels 27 may be configured in a matrix such as 3 × 3 pixels.

ホトセンサ画素27の位置は、表示領域10内に限定するものではなく、表示領域10外に構成してもよい。たとえば、表示領域10の周辺部にホトセンサ画素27を形成する構成が例示される。画素16に形成するホトセンサ画素27は1つに限定するものではなく、複数のホトセンサ画素26を1つの画素16に形成してもよい。   The position of the photosensor pixel 27 is not limited to the display area 10 and may be configured outside the display area 10. For example, the structure which forms the photo sensor pixel 27 in the peripheral part of the display area 10 is illustrated. The number of photosensor pixels 27 formed in the pixel 16 is not limited to one, and a plurality of photosensor pixels 26 may be formed in one pixel 16.

なお、ホトセンサ画素27のホトセンサ35に遮光膜を形成することが好ましい、ホトセンサ35が外光を感知し、バックライトからの光を感知しないようにする場合は、遮光膜は、ホトセンサ35とバックライト間に形成または配置する。
(2−4)ホトセンサ画素27の形成領域と表示領域
以上の実施例では、表示領域10にホトセンサ画素27と表示画素26を形成した実施例であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図10に図示するように、アレイ基板11の半分あるいは所定の領域10aに表示画素26をマトリックス状に形成し、他の領域に情報入力領域として、ホトセンサ画素27をマトリックス状に形成してもよい。
In addition, it is preferable to form a light-shielding film on the photosensor 35 of the photosensor pixel 27. When the photosensor 35 senses external light and does not sense light from the backlight, the light-shielding film includes the photosensor 35 and the backlight. Form or place between.
(2-4) Formation Area and Display Area of Photosensor Pixel 27 In the above embodiment, the photosensor pixel 27 and the display pixel 26 are formed in the display area 10. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 10, display pixels 26 are formed in a matrix in half of the array substrate 11 or in a predetermined area 10a, and photosensor pixels 27 are formed in a matrix in the other areas as information input areas. Also good.

図11に図示するように、アレイ基板11aに表示画素26をマトリックス状に形成し、アレイ基板11bにホトセンサ画素27をマトリックス状に形成してもよい。アレイ基板11aとアレイ基板11b間はフレキ基板20で結線し、フレキ基板20を介してアレイ基板11aとアレイ基板11b間で信号を送受信する。   As shown in FIG. 11, the display pixels 26 may be formed in a matrix on the array substrate 11a, and the photosensor pixels 27 may be formed on the array substrate 11b in a matrix. The array substrate 11a and the array substrate 11b are connected by the flexible substrate 20, and signals are transmitted and received between the array substrate 11a and the array substrate 11b via the flexible substrate 20.

図12に図示するように、アレイ基板11に表示画素26をマトリックス状に形成し、表示領域10の周辺あるいは4隅などに、ホトセンサ画素27を形成してもよい。   As shown in FIG. 12, the display pixels 26 may be formed in a matrix on the array substrate 11, and the photosensor pixels 27 may be formed around the display area 10 or at the four corners.

図13に図示するように、1つのアレイ基板11において、表示領域10aに表示画素26をマトリックス状に形成し、表示領域10bにホトセンサ画素27と表示画素26をマトリックス状に形成してもよい。
(3)ホトセンサ画素27の等価回路の構成と動作内容
画素16は図3に示すように、表示画素26とホトセンサ画素27から構成される。表示画素26はソースドライバ回路14により映像信号が印加される。映像信号の印加タイミングはゲートドライバ回路12aで制御される。
(3−1)等価回路の説明
ホトセンサ画素27の等価回路図を図14に図示する。ホトセンサ画素27は図3に図示されるように、ホトダイオードとして動作するトランジスタ(ホトセンサ)35を具備する。本実施形態ではホトセンサ35は、Nチャンネルのトランジスタをダイオード接続することにより形成している。Nチャンネルのトランジスタをダイオード接続することにより、構成が容易になり、電荷の保持特性も向上する。
As shown in FIG. 13, in one array substrate 11, the display pixels 26 may be formed in a matrix in the display area 10a, and the photosensor pixels 27 and the display pixels 26 may be formed in a matrix in the display area 10b.
(3) Configuration and Operational Content of Equivalent Circuit of Photosensor Pixel 27 The pixel 16 includes a display pixel 26 and a photosensor pixel 27 as shown in FIG. A video signal is applied to the display pixel 26 by the source driver circuit 14. The application timing of the video signal is controlled by the gate driver circuit 12a.
(3-1) Description of Equivalent Circuit An equivalent circuit diagram of the photosensor pixel 27 is shown in FIG. As shown in FIG. 3, the photosensor pixel 27 includes a transistor (photosensor) 35 that operates as a photodiode. In the present embodiment, the photosensor 35 is formed by diode-connecting N-channel transistors. By connecting the N-channel transistor as a diode, the configuration is simplified and the charge retention characteristics are improved.

本実施形態はこの構成に限定するものではない。例えば、ホトセンサ35をPチャンネルのトランジスタで形成してもよい。また、薄膜ダイオード(TFD)で構成してもよい。   The present embodiment is not limited to this configuration. For example, the photo sensor 35 may be formed of a P-channel transistor. Moreover, you may comprise with a thin film diode (TFD).

ホトセンサ画素27を構成するトランジスタもNチャンネルで構成しているがこれに限定するものではない。Pチャンネルトランジスタで構成してもよい。トランジスタ32などは、アレイ基板11に直接形成するとしているが、これに限定するものではなく、転写技術等で表示画素26、ホトセンサ画素27などを転写して、アレイ基板11上に形成または構成してもよいことは言うまでもない。   The transistors constituting the photosensor pixel 27 are also composed of N channels, but are not limited to this. A P-channel transistor may be used. The transistors 32 and the like are formed directly on the array substrate 11. However, the present invention is not limited to this, and the display pixels 26 and the photosensor pixels 27 are transferred or formed on the array substrate 11 by a transfer technique or the like. Needless to say.

ホトセンサ35に光が照射されると、ホトセンサ35は光の強度と光の照射時間に応じてリークする。このリークによりホトセンサ35の両端子間の電位が低下する(コンデンサ34に保持された電荷が放電される)。したがって、ホトセンサ35の両端子間電位を測定または検出することにより、ホトセンサに光が照射されたこと、あるいはホトセンサに照射された光の相対的な強度を把握することができる。   When the photosensor 35 is irradiated with light, the photosensor 35 leaks according to the light intensity and the light irradiation time. Due to this leakage, the potential between both terminals of the photosensor 35 is lowered (the charge held in the capacitor 34 is discharged). Therefore, by measuring or detecting the potential between both terminals of the photosensor 35, it is possible to grasp that the photosensor is irradiated with light or the relative intensity of the light irradiated to the photosensor.

プリチャージ信号Vpを保持する補助容量(コンデンサ)34は、ゲート絶縁膜を用いて構成する。ゲート絶縁膜を利用することにより小面積で容量の大きな補助容量を構成できる。   The auxiliary capacitor (capacitor) 34 that holds the precharge signal Vp is configured using a gate insulating film. By using the gate insulating film, an auxiliary capacitor having a small area and a large capacitance can be configured.

ソースフォロワとして動作するトランジスタ32bのゲート端子にはホトセンサ35の一端子が接続され、また、補助容量34の一端子が接続される。トランジスタ32bのゲート端子電圧が一定値以下(Vt電圧)になると、トランジスタ32bはオフ状態となる。Vt電圧以上であると、トランジスタ32cはオン状態となる。Vt電圧が所定閾値となるが、この所定閾値は、トランジスタ32b、ホトセンサ35の特性により異なる。したがって、所定閾値はホトセンサ画素27ごとに異なる。処理を容易にするため、複数の区分、複数のホトセンサ画素27に対して共通の所定閾値として用いても良い。   One terminal of the photosensor 35 is connected to the gate terminal of the transistor 32b operating as a source follower, and one terminal of the auxiliary capacitor 34 is connected to the gate terminal of the transistor 32b. When the gate terminal voltage of the transistor 32b becomes equal to or lower than a certain value (Vt voltage), the transistor 32b is turned off. When the voltage is equal to or higher than the Vt voltage, the transistor 32c is turned on. The Vt voltage becomes a predetermined threshold, and this predetermined threshold varies depending on the characteristics of the transistor 32b and the photosensor 35. Therefore, the predetermined threshold value is different for each photosensor pixel 27. In order to facilitate the processing, it may be used as a predetermined threshold common to a plurality of sections and a plurality of photosensor pixels 27.

なお、本明細書では、Vt電圧以上でホトセンサ画素27がオン状態となり、Vt電圧以下でホトセンサ画素27がオフ状態になるとして説明するが、これば理解を容易にするためである。実際には、バックライトなど光など外乱あるいは測定タイミングあるいは画素を構成するトランジスタなどの寄生容量により、Vt電圧は変化する。そのため、Vt電圧に所定のマージンの増減を行う。あるいはVt電圧に処理をおこなった電圧を所定閾値として用いる。   In this specification, it is assumed that the photosensor pixel 27 is turned on when it is equal to or higher than the Vt voltage, and that the photosensor pixel 27 is turned off when it is equal to or lower than the Vt voltage. This is for ease of understanding. Actually, the Vt voltage changes due to disturbance such as light such as backlight, measurement timing, or parasitic capacitance such as a transistor constituting a pixel. Therefore, a predetermined margin is increased or decreased for the Vt voltage. Or the voltage which processed to the Vt voltage is used as a predetermined threshold value.

トランジスタ32aはプリチャージ信号線24に印加されたプリチャージ信号Vpをホトセンサ35の一端子に印加する。ゲート信号線22cにオン電圧が印加されると、トランジスタ32aがオンする。プリチャージ信号Vpは、トランジスタ32bがオンする電圧(Vt電圧以上)である。ホトセンサ35に光が照射されると、コンデンサ34に保持された電荷がホトセンサ35のチャンネル間を通じて放電される。好ましくは、プリチャージ信号Vpは、1フィールドもしくは1フレーム(1画面の書き換え周期)毎に印加される。もちろん、複数フィールドもしくはフレーム(複数画面の書き換え周期)に1回印加してもよい。   The transistor 32 a applies the precharge signal Vp applied to the precharge signal line 24 to one terminal of the photosensor 35. When a turn-on voltage is applied to the gate signal line 22c, the transistor 32a is turned on. The precharge signal Vp is a voltage (Vt voltage or more) that turns on the transistor 32b. When the photosensor 35 is irradiated with light, the electric charge held in the capacitor 34 is discharged through the channel of the photosensor 35. Preferably, the precharge signal Vp is applied every field or frame (one screen rewrite cycle). Of course, it may be applied once in a plurality of fields or frames (a rewriting cycle of a plurality of screens).

ホトセンサ画素27には、トランジスタ32aにより、プリチャージ信号Vpがトランジスタ32bのゲート端子に印加される。トランジスタ32cはゲートドライバ回路12bで制御される。トランジスタ32cのゲート端子はゲート信号線22bに接続されている。ゲート信号線22bにオン電圧が印加されると、トランジスタ32cがオンする。トランジスタ32bがオン状態であれば、ホトセンサ出力信号線25の電荷は、トランジスタ32c、32bを介して、共通信号線38に放電される(共通信号線38の電位によっては充電される場合もある)。   A precharge signal Vp is applied to the photosensor pixel 27 by the transistor 32a to the gate terminal of the transistor 32b. The transistor 32c is controlled by the gate driver circuit 12b. The gate terminal of the transistor 32c is connected to the gate signal line 22b. When a turn-on voltage is applied to the gate signal line 22b, the transistor 32c is turned on. If the transistor 32b is in the on state, the charge of the photosensor output signal line 25 is discharged to the common signal line 38 via the transistors 32c and 32b (may be charged depending on the potential of the common signal line 38). .

ホトセンサ出力信号線25の電荷の変化により、ホトセンサ出力信号線25の電位が変化する。トランジスタ32cがオンしても、トランジスタ32bがオフ状態であれば、ホトセンサ出力信号線25の電荷は変化しない。   The potential of the photosensor output signal line 25 changes due to a change in the charge of the photosensor output signal line 25. Even if the transistor 32c is turned on, the charge of the photosensor output signal line 25 does not change if the transistor 32b is turned off.

以上のように、ホトセンサ出力信号線25の電荷の変化を検出すれば、トランジスタ32bがオン状態か、中間的なオン状態か、もしくはオフ状態かを検出することができる。つまり、この検出はトランジスタ32bのゲート端子の電位を検出していることになる。トランジスタ32bのゲート端子電圧は、プリチャージ信号Vpの大きさと、ホトセンサ35に照射された光の強度及び照射時間(露光時間Tc)により変化する。
(3−2)動作のタイミング
トランジスタ32cをオンさせる周期あるいはタイミングは、1フィールドもしくは1フレーム(1画面の書き換え周期)毎に実施される。あるいは、1フレーム期間もしくは1水平走査期間を1単位として実施される。たとえば、2フレーム期間、10水平走査期間周期でトランジスタ32cをオンさせてホトセンサ35の動作状態を読み出し、また、トランジスタ32aをオンさせてプリチャージ信号Vpをホトセンサ35に印加する。
As described above, by detecting a change in the charge of the photosensor output signal line 25, it is possible to detect whether the transistor 32b is in an on state, an intermediate on state, or an off state. That is, this detection detects the potential of the gate terminal of the transistor 32b. The gate terminal voltage of the transistor 32b varies depending on the magnitude of the precharge signal Vp, the intensity of light irradiated on the photosensor 35, and the irradiation time (exposure time Tc).
(3-2) Timing of Operation The cycle or timing at which the transistor 32c is turned on is performed every field or frame (one screen rewrite cycle). Alternatively, one frame period or one horizontal scanning period is used as one unit. For example, the operation state of the photosensor 35 is read by turning on the transistor 32c in a cycle of 2 frame periods and 10 horizontal scanning periods, and the precharge signal Vp is applied to the photosensor 35 by turning on the transistor 32a.

画像表示は、プリチャージ信号Vpを印加する周期及びタイミングと同期をとって実施される。トランジスタ32cをオンさせるタイミング(選択タイミング)は複数フィールドもしくは複数フレーム(複数画面の書き換え周期)周期としてもよい。   The image display is performed in synchronization with the period and timing of applying the precharge signal Vp. The timing at which the transistor 32c is turned on (selection timing) may be a plurality of fields or a plurality of frames (a plurality of screen rewriting cycles).

プリチャージ信号Vpの大きさ、露光時間Tc(トランジスタ32aをオン状態にしてトランジスタ32bのゲート端子にプリチャージ信号Vpを印加した時刻から、トランジスタ32cをオン状態にしてホトセンサ出力信号線25にトランジスタ32bの動作状態または、ホトセンサ35の動作状態を取りだすまでの時間)、ホトセンサ35の光リーク量(感度)からホトセンサ35に照射されている光の強弱を検出することができる。   The magnitude of the precharge signal Vp and the exposure time Tc (from the time when the transistor 32a is turned on and the precharge signal Vp is applied to the gate terminal of the transistor 32b, the transistor 32c is turned on and the transistor 32b is connected to the photosensor output signal line 25. Or the amount of light leaked (sensitivity) of the photosensor 35, the intensity of the light applied to the photosensor 35 can be detected.

光の強弱は、イメージスキャナのように画像の読み取りに動作にほかならない。本実施形態は、マトリックス状にホトセンサ画素27を形成している。したがって、各ホトセンサ画素27のトランジスタ32bのオンオフ状態を検出(測定)することにより、表示領域10に結像あるいは照明された画像イメージを取り込むことができる。また、物体の影、物体で反射した光を検出あるいはパネルに取り込むことができる。   The intensity of light is nothing but the operation of reading an image like an image scanner. In the present embodiment, the photosensor pixels 27 are formed in a matrix. Therefore, by detecting (measuring) the on / off state of the transistor 32b of each photosensor pixel 27, an image image formed or illuminated on the display region 10 can be captured. Further, the shadow of the object and the light reflected by the object can be detected or taken into the panel.

以降、ホトセンサ35の端子電圧により動作が変化するトランジスタ32bを検出トランジスタ32bと呼ぶ。また、スイッチング動作するトランジスタ32c、トランジスタ32aをスイッチトランジスタ32a、32cと呼ぶ。
(3−3)第1の変更例
図14における補助容量34の一端子を構成する共通信号線38と、ホトセンサ素子(ホトダイオード)35の一端子を構成する共通信号線38とは分離し、同電位または別電位を印加できるように構成してもよい。
(3−4)第2の変更例
共通信号線38に印加する電圧は可変できるように構成しておくことが好ましい。共通信号線38に印加する電圧により、ホトセンサ35に保持された電圧が、トランジスタ32bのVt電圧以下になる時間を調整あるいは可変することができるからである。あるいは、Vt電圧の前後の一定電圧範囲内に調整あるいは設定することにより、ホトセンサ35に保持された電圧がトランジスタ32bのVt電圧以下になる時間を調整あるいは可変することができるからである。
Hereinafter, the transistor 32b whose operation changes depending on the terminal voltage of the photosensor 35 is referred to as a detection transistor 32b. The transistors 32c and 32a that perform the switching operation are referred to as switch transistors 32a and 32c.
(3-3) First Modification The common signal line 38 constituting one terminal of the auxiliary capacitor 34 and the common signal line 38 constituting one terminal of the photosensor element (photodiode) 35 in FIG. You may comprise so that an electric potential or another electric potential can be applied.
(3-4) Second Modification It is preferable that the voltage applied to the common signal line 38 is variable. This is because the time during which the voltage held in the photosensor 35 is equal to or lower than the Vt voltage of the transistor 32b can be adjusted or varied by the voltage applied to the common signal line 38. Alternatively, by adjusting or setting within a certain voltage range before and after the Vt voltage, it is possible to adjust or vary the time during which the voltage held in the photosensor 35 is less than or equal to the Vt voltage of the transistor 32b.

「Vt電圧」とは、この電圧以上の電圧値をトランジスタ32bのゲート端子に印加することによりトランジスタ32bをオン状態あるいはオン状態に類似する状態に変化させ、トランジスタ32bのチャンネル間のインピーダンスが低下する、あるいはトランジスタ32bに電流が流れるあるいは流れやすくなる状態に変化させる電圧である。   “Vt voltage” means that a voltage value equal to or higher than this voltage is applied to the gate terminal of the transistor 32b to change the transistor 32b to an on state or a state similar to the on state, thereby reducing the impedance between the channels of the transistor 32b. Alternatively, the voltage is changed to a state in which a current flows through the transistor 32b or becomes easy to flow.

Vt電圧以下の電圧値をトランジスタ32bのゲート端子に印加することによりトランジスタ32bにオフ状態あるいはオフ状態に類似する状態に変化し、トランジスタ32bのチャンネル間のインピーダンスが高くなる。あるいはトランジスタ32bに電流が流れないあるいは流れにくくなる状態に変化する。以上は、トランジスタ32bがNチャンネルの場合である。Pチャンネルの場合は動作が逆になる。   By applying a voltage value equal to or lower than the Vt voltage to the gate terminal of the transistor 32b, the transistor 32b changes to an off state or a state similar to the off state, and the impedance between the channels of the transistor 32b increases. Alternatively, the current changes to a state where current does not flow or is difficult to flow through the transistor 32b. The above is the case where the transistor 32b is an N channel. In the case of the P channel, the operation is reversed.

トランジスタ32はNチャンネルとPチャンネルのいずれで形成してもよい。また、トランジスタ32bは印加されたVt電圧を電流変換する動作、印加されたVt電圧を増幅あるいは一定の電圧に変換する動作のいずれの動作でもよい。例えば、カレントミラー動作や、オフセットキャンセル動作を行う構成にしてもよい。これらは本実施形態の技術的範疇である。
(3−5)第3の変更例
トランジスタ32c、トランジスタ32b、トランジスタ32aは、トランジスタに限定するものではなく、TFDなどで形成してもよい。TFDの場合におけるVt電圧とは、TFDの一端子に印加された電圧によりTFDの動作状態(オン状態あるいはオン状態に類似する状態、オフ状態あるいはオフ状態に類似する状態)に変化する電圧を言う。
The transistor 32 may be formed of either an N channel or a P channel. In addition, the transistor 32b may be either an operation for converting the applied Vt voltage into a current, or an operation for amplifying or converting the applied Vt voltage into a constant voltage. For example, the current mirror operation or the offset cancel operation may be performed. These are technical categories of the present embodiment.
(3-5) Third Modification The transistor 32c, transistor 32b, and transistor 32a are not limited to transistors, and may be formed by TFD or the like. The Vt voltage in the case of TFD means a voltage that changes to an operating state of TFD (on state or state similar to on state, off state or state similar to off state) by a voltage applied to one terminal of TFD. .

トランジスタ32は薄膜トランジスタに限定するものではなく、FET、バイポーラトランジスタ、CMOSトランジスタなどで形成してもよい。また、バイポーラトランジスタとCMOSトランジスタを混在して画素16を形成してもよい。また、PチャンネルとNチャンネルのトランジスタを混在して画素16を形成してもよい。
(4)周辺部の構成
図15は、画素16の周辺部を図示した構成図である。ホトセンサ出力信号線25は、ホトセンサ処理回路18と接続されている。ホトセンサ処理回路18は、主として、コンパレータ回路155と選択回路151から構成される。選択回路31は一例としてアナログスイッチである。他にメカニカルなリレー回路、MOSリレーなどで構成あるいは形成してもよい。また、選択回路151はスイッチングあるいは選択回路の他、シフトレジスタ回路などを有している。
The transistor 32 is not limited to a thin film transistor, and may be formed of an FET, a bipolar transistor, a CMOS transistor, or the like. Further, the pixel 16 may be formed by mixing a bipolar transistor and a CMOS transistor. Further, the pixel 16 may be formed by mixing P-channel and N-channel transistors.
(4) Configuration of Peripheral Part FIG. 15 is a configuration diagram illustrating the peripheral part of the pixel 16. The photosensor output signal line 25 is connected to the photosensor processing circuit 18. The photo sensor processing circuit 18 mainly includes a comparator circuit 155 and a selection circuit 151. The selection circuit 31 is an analog switch as an example. In addition, a mechanical relay circuit, a MOS relay, or the like may be used. The selection circuit 151 includes a shift register circuit in addition to a switching or selection circuit.

ホトセンサ画素27とコンパレータ回路155の接続状態は図16に示している。コンパレータ回路155はオペアンプ回路あるいは差動アンプなどでもよい。つまり、一端子に比較電圧あるいは比較対照に対してコンパレータ回路155の出力が変化するものであればいずれでもよい。   The connection state between the photosensor pixel 27 and the comparator circuit 155 is shown in FIG. The comparator circuit 155 may be an operational amplifier circuit or a differential amplifier. That is, any one may be used as long as the output of the comparator circuit 155 changes with respect to the comparison voltage or the comparison reference at one terminal.

図15ではコンパレータ回路155によりホトセンサ出力信号線25に印加された電圧の変化などを検出するとしたがこれに限定するものでない。   In FIG. 15, the comparator circuit 155 detects a change in voltage applied to the photosensor output signal line 25, but the present invention is not limited to this.

図17に示すようにコンパレータ回路155などを構成せず、電圧(電流)出力をアナログ−デジタル変換回路(AD回路)171でデジタルデータに変換して処理を実施するものであってもよい。また、出力されるアナログデータを直接処理するものであってもよい。   As shown in FIG. 17, the comparator circuit 155 or the like may not be configured, and the voltage (current) output may be converted into digital data by an analog-digital conversion circuit (AD circuit) 171 to perform processing. Further, the output analog data may be directly processed.

コンパレータ回路155などは全てのホトセンサ出力信号線25の出力に配置または形成することに限定されるものではない。偶数画素列にのみにコンパレータ回路155などを形成する構成などでもよい。また、コンパレータ回路155の前段(ホトセンサ出力信号線とコンパレータ回路155間に選択回路151を配置し、コンパレータ回路155の形成数を減少させてもよい。   The comparator circuit 155 and the like are not limited to being arranged or formed at the outputs of all the photosensor output signal lines 25. A configuration in which the comparator circuit 155 or the like is formed only in the even pixel column may be used. In addition, a selection circuit 151 may be arranged before the comparator circuit 155 (a selection circuit 151 may be provided between the photosensor output signal line and the comparator circuit 155 to reduce the number of comparator circuits 155 formed.

コンパレータ回路155の特徴は、比較電圧Vrefに対して、大きいあるいは小さいかを判定し、ロジック的にHまたはLを出力(2値化)することに特徴ある。したがって、出力がロジック信号に変換されるため、以降のロジック処理が容易になる。つまり、コンパレータ回路155に印加した比較電圧Vrefとホトセンサ画素27からよみだされた信号とを比較し、比較電圧Vref以上か以下かの2値化信号に変換する。2値化信号に変換することにより、入力された座標位置の検出処理が容易になる。   A feature of the comparator circuit 155 is that it is determined whether it is larger or smaller than the comparison voltage Vref, and H or L is logically output (binarized). Therefore, since the output is converted into a logic signal, the subsequent logic processing becomes easy. That is, the comparison voltage Vref applied to the comparator circuit 155 is compared with the signal read from the photosensor pixel 27 and converted to a binary signal that is equal to or higher than the comparison voltage Vref. By converting to a binarized signal, the input coordinate position can be easily detected.

本実施形態はこれに限定するものではなく、アナログ的に出力するもの(オペアンプ回路などを使用する)であってもよい。また、コンパレータ回路155の出力が2値(大、小、一致)を出力するものであってもよい。また、コンパレータ回路、オペアンプ回路は一定の範囲内の電圧値あるいは電圧範囲では出力が変化しないようにヒステリシス特性を有するように構成あるいは形成することが好ましい。また、コンパレータ回路155は電流を電圧に変換する回路構成(例えば、オペアンプ素子を用いた電流−電圧変換回路などが例示される)であってもよい。   The present embodiment is not limited to this, and an analog output (using an operational amplifier circuit or the like) may be used. Further, the output of the comparator circuit 155 may output a binary value (large, small, coincidence). The comparator circuit and the operational amplifier circuit are preferably configured or formed to have a hysteresis characteristic so that the output does not change in a voltage value or voltage range within a certain range. Further, the comparator circuit 155 may have a circuit configuration that converts a current into a voltage (for example, a current-voltage conversion circuit using an operational amplifier element).

ゲートドライバ回路12はアレイ基板11のポリシリコン技術で直接に形成するとしたがこれに限定するものでなく、シリコンチップなどで構成し、アレイ基板11にCOG技術で実装あるいは積載してもよい。また、ソースドライバ回路14、ホトセンサ処理回路18、信号処理回路15にあっても同様である。   Although the gate driver circuit 12 is formed directly by the polysilicon technology of the array substrate 11, the present invention is not limited to this. The gate driver circuit 12 may be formed of a silicon chip or the like and mounted or loaded on the array substrate 11 by the COG technology. The same applies to the source driver circuit 14, the photosensor processing circuit 18, and the signal processing circuit 15.

ゲートドライバ回路12aは表示画素26のゲート信号線22aを制御する。ゲートドライバ回路12bはホトセンサ画素26のゲート信号線22b、ゲート信号線22cを制御する。ゲートドライバ回路12aとゲートドライバ回路12bは同期を取って動作する。したがって、ゲート信号線22aとゲート信号線22b、22cの選択クロックは同一のクロックあるいはこのクロック信号を基準に発生する。
(4−1)コンパレータ回路155の機能
以降、説明を容易にするため回路155はコンパレータ回路として説明する。図15などに示すようにプリチャージ信号線24にはプリチャージ信号端子153からプリチャージ信号Vpが印加される。プリチャージ信号Vpはソースドライバ回路14が出力する映像信号と同期をとって印加される。プリチャージ信号Vpは全てのプリチャージ信号線24に同一のプリチャージ信号Vpを印加するとして説明するがこれに限定するものではなく、変化あるいは調整してもよい。また、ホトセンサ35の特性に対応させて変化あるいは調整してもよい。
The gate driver circuit 12 a controls the gate signal line 22 a of the display pixel 26. The gate driver circuit 12b controls the gate signal line 22b and the gate signal line 22c of the photosensor pixel 26. The gate driver circuit 12a and the gate driver circuit 12b operate in synchronization. Therefore, the selection clocks of the gate signal line 22a and the gate signal lines 22b and 22c are generated based on the same clock or this clock signal.
(4-1) Function of Comparator Circuit 155 Hereinafter, the circuit 155 will be described as a comparator circuit for ease of explanation. As shown in FIG. 15 and the like, the precharge signal Vp is applied to the precharge signal line 24 from the precharge signal terminal 153. The precharge signal Vp is applied in synchronization with the video signal output from the source driver circuit 14. The precharge signal Vp is described as being applied to the same precharge signal Vp to all the precharge signal lines 24, but is not limited to this, and may be changed or adjusted. Further, it may be changed or adjusted according to the characteristics of the photosensor 35.

図15では全てのコンパレータ回路155の入力端子の一端子には、コンパレータ電圧端子154から比較電圧Vrefが印加される。比較電圧Vrefは全てのコンパレータ回路155に同一の電圧を印加するように示しているが、これに限定するものではなく、異ならせてもよい。例えば、偶数画素列と奇数画素列で印加するVref電圧を異ならせてもよい。また、ホトセンサ35の特性に対応させてVref電圧を異ならせてもよい。   In FIG. 15, the comparison voltage Vref is applied from one comparator voltage terminal 154 to one input terminal of all the comparator circuits 155. Although the comparison voltage Vref is shown to apply the same voltage to all the comparator circuits 155, it is not limited to this and may be different. For example, the Vref voltage applied between the even pixel column and the odd pixel column may be different. Further, the Vref voltage may be varied according to the characteristics of the photosensor 35.

図15に示すように、ホトセンサ出力信号線25の一端は、コンパレータ回路155の入力端子に接続されている。また、コンパレータ回路155の出力端子には選択回路151が接続されている。選択回路151のスイッチSk(k=1〜n、nは画素列数)が形成され、一つのスイッチSkが選択される。選択されたコンパレータ回路155の出力は電圧出力端子152に接続されている。したがって、電圧出力端子152には出力電圧が出力される。スイッチSk(k=1〜n)は1水平走査期間に1回以上選択されるように構成されている。ゲートドライバ回路12bが1水平走査期間(1H)クロックに同期してゲート信号線22bを選択し、ホトセンサ出力信号線25にトランジスタ32cの出力電圧を出力する(図18参照)。
(5)表示と読み取り方法
図18に示すように、映像信号は表示画像に対応して1水平走査期間(1H)単位でソース信号線23に印加される。映像信号の極性は1H毎あるいは1フレーム毎に反転する。また、各画素行に印加される極性は1フレーム(もしくは1フィールド、つまり画面を書き換える周期)毎に反転される。一方、ゲート信号線22aは1Hのクロックに同期して画素行を順次選択し、選択された画素16のトランジスタ32はソース信号線23に印加された映像信号を画素電極31に書き込む。
As shown in FIG. 15, one end of the photosensor output signal line 25 is connected to the input terminal of the comparator circuit 155. A selection circuit 151 is connected to the output terminal of the comparator circuit 155. A switch Sk (k = 1 to n, n is the number of pixel columns) of the selection circuit 151 is formed, and one switch Sk is selected. The output of the selected comparator circuit 155 is connected to the voltage output terminal 152. Therefore, an output voltage is output to the voltage output terminal 152. The switch Sk (k = 1 to n) is configured to be selected at least once in one horizontal scanning period. The gate driver circuit 12b selects the gate signal line 22b in synchronization with one horizontal scanning period (1H) clock, and outputs the output voltage of the transistor 32c to the photosensor output signal line 25 (see FIG. 18).
(5) Display and Reading Method As shown in FIG. 18, the video signal is applied to the source signal line 23 in units of one horizontal scanning period (1H) corresponding to the display image. The polarity of the video signal is inverted every 1H or every frame. In addition, the polarity applied to each pixel row is inverted every frame (or one field, that is, the cycle of rewriting the screen). On the other hand, the gate signal line 22a sequentially selects pixel rows in synchronization with the 1H clock, and the transistor 32 of the selected pixel 16 writes the video signal applied to the source signal line 23 to the pixel electrode 31.

図18に示すように、ゲートドライバ回路12bは、1H周期でゲート信号線22aを選択し、また順次選択するゲート信号線22cの位置をシフトさせる。シフトの方法は、ゲート信号線22aのシフト方向と一致させている。ゲート信号線22cにオン電圧が印加されると、このゲート信号線22cに接続された画素行に対応するスイッチング用トランジスタ32aはオンとなる。したがって、プリチャージ信号線24に印加されている。プリチャージ信号Vpがホトセンサ35に印加される。プリチャージ信号Vpは1H毎に変化させてもよいが、一定電圧とすることが好ましい。   As shown in FIG. 18, the gate driver circuit 12b selects the gate signal line 22a in the 1H cycle, and shifts the position of the gate signal line 22c to be sequentially selected. The shifting method is matched with the shift direction of the gate signal line 22a. When a turn-on voltage is applied to the gate signal line 22c, the switching transistor 32a corresponding to the pixel row connected to the gate signal line 22c is turned on. Therefore, it is applied to the precharge signal line 24. A precharge signal Vp is applied to the photosensor 35. The precharge signal Vp may be changed every 1H, but is preferably a constant voltage.

ホトセンサ35に光が照射されると、ホトセンサ35を介して電荷が放電し、ホトセンサ35の端子電圧がプリチャージ信号Vpより低下していく。低下は、ホトセンサ35に照射される光の強度と光照射時間(露光時間Tc)で決定される。印加されたプリチャージ信号Vpの低下が検出トランジスタ32のVt電圧以下であればトランジスタ32bはオフ動作となり、Vt電圧以上であればオン状態となる。   When the photosensor 35 is irradiated with light, electric charges are discharged through the photosensor 35, and the terminal voltage of the photosensor 35 is lowered from the precharge signal Vp. The decrease is determined by the intensity of light irradiated to the photosensor 35 and the light irradiation time (exposure time Tc). If the applied precharge signal Vp is lower than the Vt voltage of the detection transistor 32, the transistor 32b is turned off, and if it is higher than the Vt voltage, it is turned on.

同様に、ゲートドライバ回路12bはゲート信号線22bを1Hのクロックに同期して画素行を順次選択し、選択されたホトセンサ画素27のスイッチング用トランジスタ32cは検出トランジスタ32bの出力を電圧出力信号線25に出力する。ホトセンサ35に光が照射されると、ホトセンサ35を介して電荷が放電し、ホトセンサ35の端子電圧がプリチャージ信号Vpより低下していく。   Similarly, the gate driver circuit 12b sequentially selects pixel rows in synchronization with the 1H clock of the gate signal line 22b, and the switching transistor 32c of the selected photosensor pixel 27 outputs the output of the detection transistor 32b to the voltage output signal line 25. Output to. When the photosensor 35 is irradiated with light, electric charges are discharged through the photosensor 35, and the terminal voltage of the photosensor 35 is lowered from the precharge signal Vp.

先にも説明したように、電圧低下(電荷の放電)は、ホトセンサ35に照射される光の強度と露光時間Tcで決定される。また、コンデンサ34の容量で決定される。ホトセンサ35への光照射により、印加されたプリチャージ信号Vpが低下する。トランジスタ32bのゲート端子に印加される電圧が、Vt電圧以下であればトランジスタ32bはオフ動作となり、Vt電圧以上であればオン状態となる。したがって、スイッチング用トランジスタ32cをオン状態にすることにより、トランジスタ32bの動作状態をホトセンサ出力信号線25に出力することができる。
(6)露光時間Tc
次に露光時間Tcについて説明する。図18に示すようにゲート信号線22cを選択してから、A期間経過後にゲート信号線22bを選択する。このA期間を「露光時間Tc」と呼ぶ。つまり、露光時間Tcとは、任意のホトセンサ画素27にプリチャージ信号Vpを印加した時刻から、読み出すまでの時刻である。正確にはホトセンサ35に印加したプリチャージ信号Vpが確定してからホトセンサ出力信号線25に電圧が出力され、その出力状態が安定となり、電圧出力端子152から呼び出せるまでの時間である。
As described above, the voltage drop (discharge of electric charge) is determined by the intensity of light applied to the photosensor 35 and the exposure time Tc. Further, it is determined by the capacity of the capacitor 34. Due to light irradiation to the photosensor 35, the applied precharge signal Vp decreases. When the voltage applied to the gate terminal of the transistor 32b is equal to or lower than the Vt voltage, the transistor 32b is turned off, and when the voltage is higher than the Vt voltage, the transistor 32b is turned on. Therefore, the operating state of the transistor 32b can be output to the photosensor output signal line 25 by turning on the switching transistor 32c.
(6) Exposure time Tc
Next, the exposure time Tc will be described. As shown in FIG. 18, after the gate signal line 22c is selected, the gate signal line 22b is selected after the A period has elapsed. This period A is referred to as “exposure time Tc”. That is, the exposure time Tc is the time from when the precharge signal Vp is applied to an arbitrary photosensor pixel 27 to when it is read. More precisely, it is the time from when the precharge signal Vp applied to the photosensor 35 is determined until the voltage is output to the photosensor output signal line 25, the output state becomes stable, and it can be called from the voltage output terminal 152.

本明細書では、プリチャージ信号Vpがホトセンサ画素27に印加されたタイミングから、この印加されたホトセンサ画素27のホトセンサ35の保持電圧が読み出すタイミングまでの時間を露光時間Tcとする。ゲート信号線22bとゲート信号線22cの選択タイミングは同期を取っているため、露光時間Tcを可変あるいは調整してもホトセンサ35の端子電圧を検出する時間は相対的に比例する。したがって、精度よく、外光強度を把握することができる。また、ホトセンサ35がアレイ基板11のロットにより異なっていても問題がない。   In this specification, the exposure time Tc is the time from the timing when the precharge signal Vp is applied to the photosensor pixel 27 to the timing when the held voltage of the photosensor 35 of the applied photosensor pixel 27 is read. Since the selection timing of the gate signal line 22b and the gate signal line 22c is synchronized, the time for detecting the terminal voltage of the photosensor 35 is relatively proportional even if the exposure time Tc is varied or adjusted. Therefore, the external light intensity can be grasped with high accuracy. Further, there is no problem even if the photo sensor 35 differs depending on the lot of the array substrate 11.

露光時間Tcは、図19に示すように、変更できる。図19の(a)は、ゲート信号線22cの選択信号である。1水平走査期間(1H)の一定期間、ゲート信号線22cにオン電圧が印加され、ホトセンサ画素27にプリチャージ信号Vpが印加される。図19の(b)は、ゲート信号線22bの選択信号である。1水平走査期間(1H)の一定期間、ゲート信号線22bにオン電圧が印加され、ホトセンサ画素27からホトセンサ出力信号線25に電圧などが取り出される。   The exposure time Tc can be changed as shown in FIG. FIG. 19A shows a selection signal for the gate signal line 22c. During a certain period of one horizontal scanning period (1H), an ON voltage is applied to the gate signal line 22c, and a precharge signal Vp is applied to the photosensor pixel 27. FIG. 19B shows a selection signal for the gate signal line 22b. During a certain period of one horizontal scanning period (1H), an on-voltage is applied to the gate signal line 22b, and a voltage or the like is extracted from the photosensor pixel 27 to the photosensor output signal line 25.

図19の(b1)は、露光時間Tcが1水平走査期間(1H)以内の場合である。図19の(b2)は露光時間Tcが1H以上(図では2H近傍)の場合の実施形態である。図19の(b3)は露光時間TcがnH(nは整数)の場合の実施形態である。   (B1) in FIG. 19 is a case where the exposure time Tc is within one horizontal scanning period (1H). (B2) of FIG. 19 is an embodiment when the exposure time Tc is 1H or more (near 2H in the figure). FIG. 19B3 shows an embodiment in which the exposure time Tc is nH (n is an integer).

図19は1H単位であるが、1H以下の単位でもよい。たとえば、0.5H期間(1水平走査期間の1/2)、0.25H期間(1水平走査期間の1/4)が該当する。また、1フィールドあるいは1フレーム単位で露光時間Tcを変化あるいは調整してもよい。また、1フィールドあるいは1フレーム期間以内で露光時間Tcを変化あるいは調整してもよい。プリチャージ信号Vp、露光時間Tcは最適に電圧出力端子152から出力されるように調整する。   Although FIG. 19 shows 1H units, units of 1H or less may be used. For example, a 0.5H period (1/2 of one horizontal scanning period) and a 0.25H period (1/4 of one horizontal scanning period) are applicable. Further, the exposure time Tc may be changed or adjusted in units of one field or one frame. Further, the exposure time Tc may be changed or adjusted within one field or one frame period. The precharge signal Vp and the exposure time Tc are adjusted so as to be optimally output from the voltage output terminal 152.

露光時間Tcを1H以内の時間設定を実現するためには、図20のようにゲートドライバ回路12bにイネーブル(OEV)回路を付加することが好ましい。イネーブル端子(OEV)端子201にHロジック電圧が印加されている期間と、ゲートドライバ回路12bがゲート信号線22bを選択するHロジック電圧を出力している期間がANDされる期間にのみ、ゲート信号線22bにオン電圧が印加される。   In order to realize the time setting of the exposure time Tc within 1H, it is preferable to add an enable (OEV) circuit to the gate driver circuit 12b as shown in FIG. Only when the H logic voltage is applied to the enable terminal (OEV) terminal 201 and the period during which the gate driver circuit 12b outputs the H logic voltage for selecting the gate signal line 22b is ANDed. An on-voltage is applied to the line 22b.

図15などのゲートドライバ回路12bの構成では、イネーブル端子(OEV)端子201がない。したがって、ゲートドライバ回路12bがゲート信号線22bを選択するHロジック電圧を出力している期間がゲート信号線22cにオン電圧(選択電圧)が印加される。   In the configuration of the gate driver circuit 12b shown in FIG. 15 and the like, there is no enable terminal (OEV) terminal 201. Therefore, the ON voltage (selection voltage) is applied to the gate signal line 22c during the period in which the gate driver circuit 12b outputs the H logic voltage for selecting the gate signal line 22b.

図20の構成ではイネーブル端子(OEV)201のロジック電圧の制御により、ゲート信号線22bにオン電圧を印加する期間を1H以下とすることができる。   In the configuration of FIG. 20, the period during which the ON voltage is applied to the gate signal line 22b can be reduced to 1H or less by controlling the logic voltage of the enable terminal (OEV) 201.

したがって、ゲートドライバ回路22bにより、1H期間において、同一ホトセンサ画素27に形成されたゲート信号線22b、22cを選択し、プリチャージ信号Vpを印加するときはゲート信号線22bをOEV端子の制御により非選択状態にする。つまり、シフトレジスタ回路によりゲート信号線22bを選択しているが、OEV端子201によりオフ電圧がゲート信号線22bに印加されるようにする。ホトセンサ35にプリチャージ信号Vpを印加後、1H以内の露光時間Tc経過した後に、ゲート信号線22bに接続されたOEV端子201の制御により選択状態にする。つまり、OEV端子201によりオン電圧がゲート信号線22bに印加されるようにする。ゲート信号線22bの制御は、OEV端子のロジックとシフトレジスタ回路12bの出力をAND回路202でANDすることにより制御する。したがって、トランジスタ32cがオンし、トランジスタ32bの出力がホトセンサ出力信号線25に出力される。   Therefore, when the gate driver circuit 22b selects the gate signal lines 22b and 22c formed in the same photosensor pixel 27 in the 1H period and applies the precharge signal Vp, the gate signal line 22b is not controlled by controlling the OEV terminal. Select. In other words, the gate signal line 22b is selected by the shift register circuit, but the OFF voltage is applied to the gate signal line 22b by the OEV terminal 201. After the precharge signal Vp is applied to the photosensor 35, after the exposure time Tc within 1H elapses, the photosensor 35 is brought into a selected state by controlling the OEV terminal 201 connected to the gate signal line 22b. That is, the ON voltage is applied to the gate signal line 22b by the OEV terminal 201. The gate signal line 22 b is controlled by ANDing the logic of the OEV terminal and the output of the shift register circuit 12 b with the AND circuit 202. Therefore, the transistor 32c is turned on, and the output of the transistor 32b is output to the photosensor output signal line 25.

以上のOEVに関する構成あるいは動作は、ゲートドライバ回路12aにも適用できる。また、ゲートドライバ回路12bがゲート信号線22bを制御する動作は、ゲート信号線22a、ゲート信号線22cにも適用することが好ましい。また、本実施形態の他の実施形態にも適用できる。
(7)ホトセンサ35の端子電圧
ホトセンサ35の端子電圧は、ホトセンサ35に印加するプリチャージ信号Vpの大きさと、ホトセンサ35に照射される外光の強度などによって変化する。この変化を図21に示している。図21のA期間にプリチャージ信号Vpが印加される。
The configuration or operation related to the OEV described above can also be applied to the gate driver circuit 12a. The operation of the gate driver circuit 12b controlling the gate signal line 22b is preferably applied to the gate signal line 22a and the gate signal line 22c. Moreover, it is applicable also to other embodiment of this embodiment.
(7) Terminal voltage of the photosensor 35 The terminal voltage of the photosensor 35 varies depending on the magnitude of the precharge signal Vp applied to the photosensor 35, the intensity of external light applied to the photosensor 35, and the like. This change is shown in FIG. The precharge signal Vp is applied during the period A in FIG.

図21(1)はプリチャージ信号Vp=3.5Vの場合である。プリチャージ信号Vpが3.5V印加した後、ホトセンサ35に照射される外光が弱い場合は、aの直線でホトセンサ35の端子電圧が変化する。ホトセンサ35に照射される外光が強い場合は、bの直線でホトセンサ35の端子電圧が変化する。B期間後に、スイッチングトランジスタ32cがオンされ、ホトセンサ出力信号線25に電圧などが取り出される。t1でプリチャージ信号Vpを印加し、t2で読み出す時、B期間が露光時間Tcである。   FIG. 21 (1) shows the case where the precharge signal Vp = 3.5V. After the precharge signal Vp of 3.5 V is applied, when the external light applied to the photosensor 35 is weak, the terminal voltage of the photosensor 35 changes along the straight line a. When the external light irradiated to the photosensor 35 is strong, the terminal voltage of the photosensor 35 changes along the straight line b. After the period B, the switching transistor 32c is turned on, and a voltage or the like is taken out to the photosensor output signal line 25. When the precharge signal Vp is applied at t1 and reading is performed at t2, period B is the exposure time Tc.

トランジスタ32bのVtが2.5Vとし、トランジスタ32bのゲート端子電圧がVt以上でトランジスタ32bがオンとなり、2.5V未満でトランジスタ32bがオフ状態になるとする。   Assume that Vt of the transistor 32b is 2.5V, the transistor 32b is turned on when the gate terminal voltage of the transistor 32b is equal to or higher than Vt, and the transistor 32b is turned off when less than 2.5V.

図21(1)のb直線の場合は、t2で電圧が1.5Vである。したがって、トランジスタ32bのオフ状態がホトセンサ出力信号線25に取り出される。B期間が短ければ、ホトセンサ出力信号線25の電圧は、1.5V以上となる。B期間が長ければ、ホトセンサ出力信号線25の電圧は、1.5V以下となる。図21(1)のa直線の場合は、t2で電圧が3.0Vである。したがって、トランジスタ32bのオン状態がホトセンサ出力信号線25に取り出される。   In the case of the b line in FIG. 21 (1), the voltage is 1.5 V at t2. Therefore, the off state of the transistor 32b is taken out to the photosensor output signal line 25. If the B period is short, the voltage of the photosensor output signal line 25 becomes 1.5V or more. If the B period is long, the voltage of the photosensor output signal line 25 is 1.5 V or less. In the case of the a line in FIG. 21 (1), the voltage is 3.0 V at t2. Therefore, the ON state of the transistor 32b is taken out to the photosensor output signal line 25.

図21(2)はプリチャージ信号Vp=4.0Vの場合である。プリチャージ信号Vpが4.0V印加した後、ホトセンサ35に照射される外光が弱い場合は、aの直線でホトセンサ35の端子電圧が変化する。ホトセンサ35に照射される外光が強い場合は、bの直線でホトセンサ35の端子電圧が変化する。B期間後に、スイッチングトランジスタ32cがオンされ、ホトセンサ出力信号線25に電圧などが取り出される。   FIG. 21 (2) shows the case where the precharge signal Vp = 4.0V. After the precharge signal Vp of 4.0 V is applied, when the external light applied to the photosensor 35 is weak, the terminal voltage of the photosensor 35 changes along the straight line a. When the external light irradiated to the photosensor 35 is strong, the terminal voltage of the photosensor 35 changes along the straight line b. After the period B, the switching transistor 32c is turned on, and a voltage or the like is taken out to the photosensor output signal line 25.

光照射強度に対するホトセンサ35のインピーダンス変化が比例するのであれば、図21(1)のb直線の傾きと図21(2)のb直線の傾きは同一である。図21(1)のa直線の傾きと図21(2)のa直線の傾きは同一である。図21(2)では、t2では、aの直線では、トランジスタ32bはオン状態であり、bの直線では、トランジスタ32bはオフ状態である。図21(3)はプリチャージ信号Vp=4.5Vの場合であり、図21(4)はプリチャージ信号Vp=5.0Vの場合である。   If the change in impedance of the photosensor 35 with respect to the light irradiation intensity is proportional, the slope of the b line in FIG. 21 (1) and the slope of the b line in FIG. 21 (2) are the same. The slope of the straight line a in FIG. 21A is the same as the slope of the straight line a in FIG. In FIG. 21B, at t2, the transistor 32b is on in the straight line a, and the transistor 32b is off in the straight line b. FIG. 21 (3) shows a case where the precharge signal Vp = 4.5V, and FIG. 21 (4) shows a case where the precharge signal Vp = 5.0V.

図21において、トランジスタ32cのゲート端子電圧が、Vt=2.5(V)以上で、オン状態であり、それ以下でオフ状態であるとするならば、時間t2では、トランジスタ32bは、図21(1)では直線aではオン状態、直線bではオフ状態、図21(2)では直線aではオン状態、直線bではオフ状態、図21(3)では直線aではオン状態、直線bではオン状態、図21(4)では直線aではオン状態、直線bではオン状態となる。   In FIG. 21, if the gate terminal voltage of the transistor 32c is Vt = 2.5 (V) or more and the transistor is in the on state, and less than that, the transistor 32b is in FIG. In (1), the straight line a is on, the straight line b is off, the straight line a is on, the straight line b is off, the straight line b is off, the straight line a is on in FIG. In the state, in FIG. 21 (4), the straight line a is turned on, and the straight line b is turned on.

ゲート信号線22cを駆動するゲートドライバ回路22bと、ゲート信号線22bを駆動するゲートドライバ回路22bを別回路に構成してもよい。   The gate driver circuit 22b that drives the gate signal line 22c and the gate driver circuit 22b that drives the gate signal line 22b may be configured as separate circuits.

以上の実施例では、プリチャージ信号Vpを印加する期間Aは、同一であった(図21(1)(2)(3)(4))。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。たとえば、図22に図示するように駆動してもよい。図22の実施例では、図22(2)がプリチャージ信号Vpを印加する期間Aが短く、露光時間Tc=Bが最も長い。図22(3)がプリチャージ信号Vpを印加する期間Aが長く、露光時間Tc=Bが最も短い。図22(1)(2)(3)において、A期間+B期間=一定値とする。   In the above embodiment, the period A during which the precharge signal Vp is applied is the same (FIGS. 21 (1) (2) (3) (4)). However, the present invention is not limited to this. For example, it may be driven as shown in FIG. In the embodiment of FIG. 22, FIG. 22 (2) shows that the period A during which the precharge signal Vp is applied is short and the exposure time Tc = B is the longest. In FIG. 22 (3), the period A during which the precharge signal Vp is applied is long, and the exposure time Tc = B is the shortest. 22 (1), (2), and (3), A period + B period = a constant value.

図22において、トランジスタ32cのゲート端子電圧が、Vt=1.5(V)以上で、オン状態であり、それ以下でオフ状態であるとするならば、時間t2では、トランジスタ32cは、図22(1)では直線aではオン状態、直線bではオフ状態である。図22(2)では直線aではオン状態、直線bではオフ状態である。図22(3)では直線aではオン状態、直線bではオン状態となる。   In FIG. 22, if the gate terminal voltage of the transistor 32c is Vt = 1.5 (V) or more and the transistor is in the on state, and less than that, the transistor 32c is in FIG. In (1), the straight line a is on, and the straight line b is off. In FIG. 22 (2), the straight line a is on and the straight line b is off. In FIG. 22 (3), the straight line a is turned on, and the straight line b is turned on.

以上のように、露光時間Tcだけでなく、プリチャージ信号Vpの印加時間あるいは、所定の期間における露光時間Tcあるいはプリチャージ信号Vpの印加時間を変化あるいは調整することにより、トランジスタ32bのオンオフ状態、ホトセンサ35の状態を変化させることができる。
(8)複数回の画像取込み動作
ホトセンサ画素27の動作状態は、撮像条件(プリチャージ信号Vp、露光時間Tc)を変えて複数回、動作状態を検出(画像取り込み)することが好ましい。これら複数回の画像取込みの結果に基づいて、ホトセンサ35の動作状態分布、取込画像データを生成してもよい。
As described above, by changing or adjusting not only the exposure time Tc but also the application time of the precharge signal Vp or the exposure time Tc or the application time of the precharge signal Vp in a predetermined period, The state of the photo sensor 35 can be changed.
(8) Multiple Image Capture Operation It is preferable that the operation state of the photosensor pixel 27 is detected (image capture) a plurality of times while changing the imaging conditions (precharge signal Vp, exposure time Tc). Based on the results of these multiple image captures, the operating state distribution of the photosensor 35 and captured image data may be generated.

具体的には、図21に示すように、コンデンサ34へのプリチャージ信号Vpを複数回(図21では4通り)変化させて、各電圧Vpをコンデンサ34に印加した状態でそれぞれ画像取込みを行う。そのための制御信号をアレイ基板11のゲートドライバ回路12bに供給する。また、アレイ基板11から出力される画像取り込みの結果であるコンパレータ回路155からのデジタルデータもしくはアナログデータの演算処理を行う。
(9)選択回路の分割
図15の構成では、選択スイッチSkが1H期間毎に1回選択される必要がある。したがって、比較的高速の動作させる必要がある。この課題を対策するためには、選択回路を分割する。
(9−1)2分割の場合
図17では、奇数画素列を選択回路151bと接続し、偶数画素列を選択回路151aと接続している。選択回路151bからの電圧などは電圧出力端子152bから出力される。選択回路151aからの電圧などは電圧出力端子152aから出力される。したがって、図15に比較して、スイッチSkを選択する時間を2倍にすることができる。
Specifically, as shown in FIG. 21, the precharge signal Vp to the capacitor 34 is changed a plurality of times (four ways in FIG. 21), and each voltage Vp is applied to the capacitor 34 to perform image capture. . A control signal for this purpose is supplied to the gate driver circuit 12b of the array substrate 11. In addition, the digital data or the analog data is processed from the comparator circuit 155 as a result of image capture output from the array substrate 11.
(9) Division of Selection Circuit In the configuration of FIG. 15, the selection switch Sk needs to be selected once every 1H period. Therefore, it is necessary to operate at a relatively high speed. In order to deal with this problem, the selection circuit is divided.
(9-1) Two-divided case In FIG. 17, the odd pixel columns are connected to the selection circuit 151b, and the even pixel columns are connected to the selection circuit 151a. The voltage from the selection circuit 151b is output from the voltage output terminal 152b. The voltage from the selection circuit 151a is output from the voltage output terminal 152a. Therefore, the time for selecting the switch Sk can be doubled compared to FIG.

図17は、プリチャージ信号Vpは1つのプリチャージ信号端子153から、全てのプリチャージ信号線24に印加するように図示したが、これに限定するものではない。   Although FIG. 17 illustrates that the precharge signal Vp is applied to all the precharge signal lines 24 from one precharge signal terminal 153, the present invention is not limited to this.

例えば、複数のプリチャージ信号端子153を形成または配置し、各プリチャージ信号線24に印加するプリチャージ信号Vpを変化させてもよい。   For example, a plurality of precharge signal terminals 153 may be formed or arranged, and the precharge signal Vp applied to each precharge signal line 24 may be changed.

例えば、奇数画素列と偶数画素列のホトセンサ35に異なるプリチャージ信号Vpを印加することにより、外光強度に対して感度が高いプリチャージ信号Vpを印加した画素列を選択して座標検出処理を実施することができる。3画素列以上または2画素行以上周期で異なるプリチャージ信号Vpを印加するように構成してもよい。
(9−2)2分割以上の場合
図17は2つの選択回路151を形成した構成であったが、これに限定するものではない。例えば、図23、図24、図25に示すようにn個の選択回路151を構成してもよい。n数が増加すれば、するほど1H期間での1つのホトセンサ出力信号線25に印加された信号の処理時間が長くなる。したがって、安定した出力信号処理を実現できる。しかし、分割数が多くなるにつれ、出力データの再組み立て(並べなおし)が複雑になる。
For example, by applying different precharge signals Vp to the photosensors 35 of the odd-numbered pixel rows and even-numbered pixel rows, the pixel rows to which the precharge signal Vp having high sensitivity to the external light intensity is applied are selected and the coordinate detection process is performed. Can be implemented. Different precharge signals Vp may be applied in a cycle of 3 pixel columns or more or 2 pixel rows or more.
(9-2) In the case of two or more divisions Although FIG. 17 shows a configuration in which two selection circuits 151 are formed, the present invention is not limited to this. For example, n selection circuits 151 may be configured as shown in FIGS. As the number n increases, the processing time of the signal applied to one photosensor output signal line 25 in the 1H period becomes longer. Therefore, stable output signal processing can be realized. However, as the number of divisions increases, the reassembly (rearrangement) of output data becomes more complicated.

図23は画面の左端からm本のホトセンサ出力信号線25を選択回路151aに接続し、次のm本のホトセンサ出力信号線25を選択回路151bに接続し、m本のホトセンサ出力信号線25を選択回路151cに接続し、・・・・・とした構成である。   In FIG. 23, from the left end of the screen, m photosensor output signal lines 25 are connected to the selection circuit 151a, the next m photosensor output signal lines 25 are connected to the selection circuit 151b, and the m photosensor output signal lines 25 are connected. This is connected to the selection circuit 151c.

図24は画面の左端から2n本のホトセンサ出力信号線25を選択回路151a、151b、151c、151d・・・・151n、151a、151b、151c、・・・・・・・151nに接続し、次の2n本のホトセンサ出力信号線25を選択回路151a、151b、151c、151d・・・・151n、151a、151b、151c、・・・・・・・151n、次の2n本のホトセンサ出力信号線25を選択回路151a、151b、151c、151d・・・・151n、151a、151b、151c、・・・・・・・151nに接続した構成である。   In FIG. 24, 2n photosensor output signal lines 25 from the left end of the screen are connected to the selection circuits 151a, 151b, 151c, 151d... 151n, 151a, 151b, 151c,. 151n, 151b, 151c, 151d... 151n, 151a, 151b, 151c,... 151n, the next 2n photosensor output signal lines 25. Are connected to selection circuits 151a, 151b, 151c, 151d... 151n, 151a, 151b, 151c,.

図25は画面の左端からm本のホトセンサ出力信号線25を選択回路151a、151b、151c、151d・・・・151n、151a、151b、151c、・・・・・・・151nに接続し、次のm本のホトセンサ出力信号線25を選択回路151a、151b、151c、151d・・・・151n、151a、151b、151c、・・・・・・・151n、次のm本のホトセンサ出力信号線25を選択回路151a、151b、151c、151d・・・・151n、151a、151b、151c、・・・・・・・151nに接続した構成である。
(10)ソースドライバ回路14における選択機能
図15は全てのソース信号線23は、ソースドライバ回路14と接続するように構成した実施形態である。しかし、図17に示すように、ソースドライバ回路14は1水平走査期間に赤(R)の映像信号、緑(G)の映像信号、青(B)の映像信号を順次出力し、アレイ基板11に直接形成した切り替え回路172のスイッチSWでRの映像信号はRのソース信号線23に、Gの映像信号はGのソース信号線23に、Bの映像信号はBのソース信号線23に振り分けてもよい。つまり、ソースドライバ回路14は3選択回路の機能を有している。
In FIG. 25, m photosensor output signal lines 25 from the left end of the screen are connected to selection circuits 151a, 151b, 151c, 151d,... 151n, 151a, 151b, 151c,. 151 photosensor output signal lines 25 are selected from the selection circuits 151a, 151b, 151c, 151d... 151n, 151a, 151b, 151c,... 151n, the next m photosensor output signal lines 25. Are connected to selection circuits 151a, 151b, 151c, 151d... 151n, 151a, 151b, 151c,.
(10) Selection Function in Source Driver Circuit 14 FIG. 15 shows an embodiment in which all source signal lines 23 are configured to be connected to the source driver circuit 14. However, as shown in FIG. 17, the source driver circuit 14 sequentially outputs a red (R) video signal, a green (G) video signal, and a blue (B) video signal in one horizontal scanning period, and the array substrate 11. The R video signal is distributed to the R source signal line 23, the G video signal is distributed to the G source signal line 23, and the B video signal is distributed to the B source signal line 23 by the switch SW of the switching circuit 172 formed directly on May be. That is, the source driver circuit 14 has a function of a three selection circuit.

図17の構成では、ソースドライバ回路14の出力端子の数が図15の実施形態に比較して1/3ですむ。したがって、アレイ基板11とソースドライバ回路14の接続数も1/3ですみ、実装不良も発生しにくくなる。   In the configuration shown in FIG. 17, the number of output terminals of the source driver circuit 14 can be reduced to 1/3 as compared with the embodiment shown in FIG. Therefore, the number of connections between the array substrate 11 and the source driver circuit 14 is only 1/3, and mounting defects are less likely to occur.

なお、図17の実施形態において、切り替え回路172はポリシリコン技術でアレイ基板11に形成するとしたが、これに限定するものではなく、シリコンチップで形成し、アレイ基板11に実装してもよい。
(11)図17の動作タイミング
図17の動作タイミングを図26に示している。1水平走査期間(1H)の期間で切り替え回路172のSWが端子a、b、cを切り替える。また、ホトセンサ画素27のトランジスタ32a、トランジスタ32cが動作する。
In the embodiment of FIG. 17, the switching circuit 172 is formed on the array substrate 11 by the polysilicon technique. However, the switching circuit 172 is not limited to this and may be formed by a silicon chip and mounted on the array substrate 11.
(11) Operation Timing of FIG. 17 The operation timing of FIG. 17 is shown in FIG. The SW of the switching circuit 172 switches the terminals a, b, and c during one horizontal scanning period (1H). Further, the transistor 32a and the transistor 32c of the photosensor pixel 27 operate.

1H期間の最初にSWはa端子を選択し、ソースドライバ回路14からRの映像信号が出力される。したがって、Rの映像信号はRのソース信号線23に印加される。次に、切り替え回路172のSWはb端子を選択し、ソースドライバ回路14からGの映像信号が出力される。したがって、Gの映像信号はGのソース信号線23に印加される。次に、切り替え回路172のSWはc端子を選択し、ソースドライバ回路14からBの映像信号が出力される。したがって、Bの映像信号はBのソース信号線23に印加される。次のタイミングでは、ゲート信号線22cにオン電圧が印加され、トランジスタ32aがオンし、プリチャージ信号線24に印加されたプリチャージ信号Vpがホトセンサ画素27に印加される。1Hの最後にゲート信号線22bにオン電圧が印加され、ホトセンサ画素27のトランジスタ32cがオンしてトランジスタ32bの出力をホトセンサ出力信号線25に出力する。   At the beginning of the 1H period, SW selects the a terminal, and an R video signal is output from the source driver circuit 14. Therefore, the R video signal is applied to the R source signal line 23. Next, the SW of the switching circuit 172 selects the b terminal, and the G video signal is output from the source driver circuit 14. Therefore, the G video signal is applied to the G source signal line 23. Next, the SW of the switching circuit 172 selects the c terminal, and the B video signal is output from the source driver circuit 14. Therefore, the B video signal is applied to the B source signal line 23. At the next timing, the ON voltage is applied to the gate signal line 22c, the transistor 32a is turned ON, and the precharge signal Vp applied to the precharge signal line 24 is applied to the photosensor pixel 27. At the end of 1H, an ON voltage is applied to the gate signal line 22b, the transistor 32c of the photosensor pixel 27 is turned on, and the output of the transistor 32b is output to the photosensor output signal line 25.

図26において、t1の期間は、SWがa端子を選択し、ソースドライバ回路14からRの映像信号が出力されている期間である。t2の期間は、切り替え回路172のSWはb端子を選択し、ソースドライバ回路14からGの映像信号が出力されている期間である。t3の期間は、切り替え回路172のSWはc端子を選択し、ソースドライバ回路14からBの映像信号が出力される。したがって、Bの映像信号はBのソース信号線23に印加される。次のタイミングでは、ゲート信号線22cにオン電圧が印加され、トランジスタ32aがオンし、プリチャージ信号線24に印加されたプリチャージ信号Vpがホトセンサ画素27に印加される。 1Hの最後にゲート信号線22bにオン電圧が印加され、ホトセンサ画素27のトランジスタ32cがオンしてトランジスタ32bの出力をホトセンサ出力信号線25に出力する。   In FIG. 26, a period t1 is a period in which the SW selects the terminal a and the R video signal is output from the source driver circuit 14. The period t2 is a period in which the SW of the switching circuit 172 selects the b terminal and the G video signal is output from the source driver circuit 14. During the period t 3, the SW of the switching circuit 172 selects the c terminal, and the B video signal is output from the source driver circuit 14. Therefore, the B video signal is applied to the B source signal line 23. At the next timing, the ON voltage is applied to the gate signal line 22c, the transistor 32a is turned ON, and the precharge signal Vp applied to the precharge signal line 24 is applied to the photosensor pixel 27. At the end of 1H, an ON voltage is applied to the gate signal line 22b, the transistor 32c of the photosensor pixel 27 is turned on, and the output of the transistor 32b is output to the photosensor output signal line 25.

なお、t1、t2、t3、t4、t5の期間は同一にすることにより、ホトセンサ処理回路18などの回路構成が容易になるがこれに限定するものではない。例えば、映像信号を印加している期間t1、t2、t3に比較してプリチャージ信号Vpを印加する期間t4を長くすることが好ましい。   Note that, by making the periods t1, t2, t3, t4, and t5 the same, the circuit configuration of the photosensor processing circuit 18 and the like is facilitated, but is not limited thereto. For example, it is preferable that the period t4 during which the precharge signal Vp is applied is longer than the periods t1, t2, and t3 during which the video signal is applied.

特に、トランジスタ32cをオンさせる期間t5を最も長くすることが好ましい。安定した出力をコンパレータ回路155に供給できるからである。また、t1、t2、t3、t4、t5の期間の間にはt6の期間を確保することが好ましい。各スイッチSW、トランジスタ32がオン状態からオフ状態になる期間、切り替える期間は不安定となるからである。   In particular, it is preferable that the period t5 during which the transistor 32c is turned on is the longest. This is because a stable output can be supplied to the comparator circuit 155. Moreover, it is preferable to ensure the period of t6 between the periods of t1, t2, t3, t4, and t5. This is because the period during which each switch SW and transistor 32 is switched from the on state to the off state and the switching period are unstable.

なお、図18で説明したように、プリチャージ信号Vpを印加するホトセンサ画素27と、トランジスタ32cがホトセンサ出力信号線に出力するホトセンサ画素27とは一致している必要はない。
(12)露光時間Tcを短くする方法
図26では、プリチャージ信号Vpを印加した期間t4から、ホトセンサ35の出力期間t5までの期間(露光時間Tc)をきわめて短くすることができる。
Note that, as described with reference to FIG. 18, the photosensor pixel 27 to which the precharge signal Vp is applied and the photosensor pixel 27 that the transistor 32c outputs to the photosensor output signal line do not have to coincide with each other.
(12) Method of shortening the exposure time Tc In FIG. 26, the period (exposure time Tc) from the period t4 when the precharge signal Vp is applied to the output period t5 of the photosensor 35 can be extremely shortened.

図26において、t1の期間は、SWがa端子を選択し、ソースドライバ回路14からRの映像信号が出力されている期間である。t2の期間は、切り替え回路172のSWはb端子を選択し、ソースドライバ回路14からGの映像信号が出力されている期間である。t3の期間は、切り替え回路172のSWはc端子を選択し、ソースドライバ回路14からBの映像信号が出力される。したがって、Bの映像信号はBのソース信号線23に印加される。次のタイミングでは、ゲート信号線22cにオン電圧が印加され、トランジスタ32aがオンし、プリチャージ信号線24に印加されたプリチャージ信号Vpがホトセンサ画素27に印加される。   In FIG. 26, a period t1 is a period in which the SW selects the terminal a and the R video signal is output from the source driver circuit 14. The period t2 is a period in which the SW of the switching circuit 172 selects the b terminal and the G video signal is output from the source driver circuit 14. During the period t 3, the SW of the switching circuit 172 selects the c terminal, and the B video signal is output from the source driver circuit 14. Therefore, the B video signal is applied to the B source signal line 23. At the next timing, the ON voltage is applied to the gate signal line 22c, the transistor 32a is turned ON, and the precharge signal Vp applied to the precharge signal line 24 is applied to the photosensor pixel 27.

1Hの最後にゲート信号線22bにオン電圧が印加され、ホトセンサ画素27のトランジスタ32cがオンしてトランジスタ32bの出力をホトセンサ出力信号線25に出力する。
(13)露光時間Tcを長くする方法
露光時間Tcを比較的長くするには、図27のように構成することがよい。図27では、まず、1Hの最初のプリチャージ信号Vpがホトセンサ35に印加されている。1Hの最後にホトセンサ35の出力がホトセンサ出力信号線25に取り出されている。1Hの最初のt4の期間は、ゲート信号線22cが選択され、トランジスタ32aがオン状態となり、プリチャージ信号Vpがホトセンサ35に印加される。次のt1の期間は、SWがa端子を選択し、ソースドライバ回路14からRの映像信号が出力されている期間である。次のt2の期間は、切り替え回路172のSWはb端子を選択し、ソースドライバ回路14からGの映像信号が出力されている期間である。次のt3期間は、切り替え回路172のSWはc端子を選択し、ソースドライバ回路14からBの映像信号が出力される。したがって、Bの映像信号はBのソース信号線23に印加される。
At the end of 1H, an ON voltage is applied to the gate signal line 22b, the transistor 32c of the photosensor pixel 27 is turned on, and the output of the transistor 32b is output to the photosensor output signal line 25.
(13) Method of Increasing Exposure Time Tc In order to make the exposure time Tc relatively long, it is preferable to configure as shown in FIG. In FIG. 27, first, the first precharge signal Vp of 1H is applied to the photosensor 35. At the end of 1H, the output of the photosensor 35 is taken out to the photosensor output signal line 25. During the first t4 period of 1H, the gate signal line 22c is selected, the transistor 32a is turned on, and the precharge signal Vp is applied to the photosensor 35. The next period t1 is a period in which the SW selects the a terminal and the R video signal is output from the source driver circuit 14. The next period t 2 is a period in which the SW of the switching circuit 172 selects the b terminal and the G video signal is output from the source driver circuit 14. In the next t3 period, the SW of the switching circuit 172 selects the c terminal, and the source driver circuit 14 outputs the B video signal. Therefore, the B video signal is applied to the B source signal line 23.

1Hの最後のタイミングでは、ゲート信号線22bにオン電圧が印加され、トランジスタ32cがオンし、ホトセンサ画素27のトランジスタ32cがオンしてトランジスタ32bの出力がホトセンサ出力信号線25に出力される。
(14)第1の変更例
上記実施形態は、個々のホトセンサ画素27に対して、1Hの期間で、プリチャージ信号Vpの印加とホトセンサ出力の取り出しとを実施する。しかし、これに限定するものではない。そこで、図28の第1の変更例を示す。
(14−1)第1の変更例の動作
図28では、第1番目の水平走査期間(第1H目、例えば1番目の画素行を選択している期間)と、次の第2番目の水平走査期間(第2H目、例えば2番目の画素行を選択している期間)とトランジスタ32a、トランジスタ32cの動作が異なる。ソースドライバ回路14が出力する映像信号R、G、Bに関する動作は同一である(1H毎に映像信号が出力される)。
At the last timing of 1H, an on-voltage is applied to the gate signal line 22b, the transistor 32c is turned on, the transistor 32c of the photosensor pixel 27 is turned on, and the output of the transistor 32b is output to the photosensor output signal line 25.
(14) First Modification In the above embodiment, the application of the precharge signal Vp and the extraction of the photosensor output are performed for each photosensor pixel 27 in the period of 1H. However, the present invention is not limited to this. Therefore, a first modification of FIG. 28 is shown.
(14-1) Operation of First Modification In FIG. 28, the first horizontal scanning period (first H, for example, the period when the first pixel row is selected) and the next second horizontal The operation of the transistor 32a and the transistor 32c is different from the scanning period (second H, for example, a period in which the second pixel row is selected). The operations related to the video signals R, G, and B output from the source driver circuit 14 are the same (a video signal is output every 1H).

図28では第1H目の画素行に、トランジスタ32aがオンし、プリチャージ信号Vpが第1画素行目のホトセンサ画素27に印加される。図28でも明らかなように、第1画素行目のホトセンサ画素27のトランジスタ32cは選択されないから、第1画素行目のホトセンサ35の出力は読み出されない。第2H目の画素行に、ゲート信号線22cは選択されないからトランジスタ32aはオフ状態が維持される。したがって、プリチャージ信号Vpは第2画素行目の画素27には印加されない。図28でも明らかなように、第2画素行目のゲート信号線22bが選択されるから、ホトセンサ画素27のトランジスタ32cは選択される。したがって、第2画素行目のホトセンサ35の出力はホトセンサ出力信号線25に読み出される。   In FIG. 28, the transistor 32a is turned on in the first H pixel row, and the precharge signal Vp is applied to the photosensor pixel 27 in the first pixel row. As is apparent from FIG. 28, the transistor 32c of the photosensor pixel 27 in the first pixel row is not selected, so that the output of the photosensor 35 in the first pixel row is not read out. Since the gate signal line 22c is not selected in the second H pixel row, the transistor 32a is kept off. Therefore, the precharge signal Vp is not applied to the pixels 27 in the second pixel row. As is apparent from FIG. 28, the gate signal line 22b in the second pixel row is selected, so that the transistor 32c of the photosensor pixel 27 is selected. Therefore, the output of the photosensor 35 in the second pixel row is read out to the photosensor output signal line 25.

以上の動作から、第1フレームでは、奇数画素行にプリチャージ信号Vpが印加される。偶数画素行はホトセンサ35の出力が読み出される。第1フレームの次の第2フレームでは、偶数画素行にプリチャージ信号Vpが印加される。奇数画素行はホトセンサ35の出力が読み出される。したがって、露光時間Tcは1フレーム以上の時間を設定することができる。
(14−2)第1の変更例の変更例
第1の変更例は、各画素行に順次プリチャージ信号Vpを印加し、また、各画素行から順次ホトセンサ35の出力を読み出すことに限定されるものではない。例えば、1画素行飛ばし、あるいは、複数画素行飛ばしで実施してもよい。また、ランダムな画素行飛ばしでプリチャージ信号Vpの印加と、ホトセンサ35の出力の読み出しを実施してもよい。その他、以上の動作は画素列を単位として実施してもよい。
(15)第2の変更例
図29に第2の変更例を示す。図29のように、1H(1水平走査期間)つまり1画素行単位で、プリチャージ信号Vpの印加(トランジスタ32aが動作)と、ホトセンサ35の読み出し(トランジスタ32cが動作)を実施することは本実施形態の技術的範疇である。
From the above operation, in the first frame, the precharge signal Vp is applied to the odd pixel rows. In the even-numbered pixel row, the output of the photosensor 35 is read out. In the second frame following the first frame, the precharge signal Vp is applied to the even-numbered pixel rows. The output of the photosensor 35 is read out from the odd pixel rows. Accordingly, the exposure time Tc can be set to one frame or more.
(14-2) Modification Example of the First Modification Example The first modification example is limited to sequentially applying the precharge signal Vp to each pixel row and sequentially reading the output of the photosensor 35 from each pixel row. It is not something. For example, one pixel row may be skipped, or a plurality of pixel rows may be skipped. Alternatively, the precharge signal Vp may be applied and the output of the photosensor 35 may be read out by randomly skipping pixel rows. In addition, the above operation may be performed in units of pixel columns.
(15) Second Modification Example FIG. 29 shows a second modification example. As shown in FIG. 29, the application of the precharge signal Vp (transistor 32a operates) and the reading of the photosensor 35 (transistor 32c operates) in 1H (one horizontal scanning period), that is, in one pixel row unit. This is a technical category of the embodiment.

図29(a)は、1H期間の時間において、トランジスタ32aによるプリチャージ信号Vpの印加と、トランジスタ32cによるホトセンサ35の状態出力までの時間t1(露光時間Tc)が比較的短い実施形態である。   FIG. 29A shows an embodiment in which the time t1 (exposure time Tc) from the application of the precharge signal Vp by the transistor 32a to the state output of the photosensor 35 by the transistor 32c is relatively short in the time of 1H period.

図29(b)は、トランジスタ32aによるプリチャージ信号Vpの印加と、トランジスタ32cによるホトセンサ35の状態出力までの時間t2(露光時間Tc)が比較的長い実施形態である。以上のように本実施形態は、ゲートドライバ回路12bの制御(OEV端子制御を含む)により露光時間Tcを自由に設定あるいは調整することができる。
(16)第3の変更例
図30に第3の変更例を示す。図30のように、1F(1フィールドあるいは1フレーム)単位で、プリチャージ信号Vpの印加(トランジスタ32aが動作)と、ホトセンサ35の読み出し(トランジスタ32cが動作)を実施することは本実施形態の技術的範疇である。
FIG. 29B shows an embodiment in which the time t2 (exposure time Tc) between the application of the precharge signal Vp by the transistor 32a and the state output of the photosensor 35 by the transistor 32c is relatively long. As described above, in the present embodiment, the exposure time Tc can be freely set or adjusted by controlling the gate driver circuit 12b (including OEV terminal control).
(16) Third Modification FIG. 30 shows a third modification. As shown in FIG. 30, the application of the precharge signal Vp (the transistor 32a operates) and the reading of the photosensor 35 (the transistor 32c operates) are performed in units of 1F (1 field or 1 frame) in this embodiment. It is a technical category.

図30(a)は、1F期間の時間において、トランジスタ32aによるプリチャージ信号Vpの印加と、トランジスタ32cによるホトセンサ35の状態出力までの時間をnH(nは1以上の整数、n<=1Fの水平走査線数)で変化した実施形態である。   FIG. 30A shows the time from the application of the precharge signal Vp by the transistor 32a to the state output of the photosensor 35 by the transistor 32c in the time of 1F period, where nH is an integer of 1 or more and n <= 1F. In this embodiment, the number of horizontal scanning lines is changed.

図30(b)は、トランジスタ32aによるプリチャージ信号Vpの印加と、トランジスタ32cによるホトセンサ35の状態出力までの時間mF(mは1以上の整数)を可変した実施形態である。
(第2の実施形態)
図31は、第2の実施形態における画素構成である。なお、トランジスタ32a、トランジスタ32c、トランジスタ312などは説明を容易にするためスイッチとして示している。また、共通信号線38をグランド(GND)記号で示している。
(1)画素の構成
図31において、ゲート信号線22dはゲートドライバ回路12bで制御される信号線である。ゲート信号線22dのオン電圧が印加されると、トランジスタ312がオンする。トランジスタ312がオンするとVr電位がホトセンサ出力信号線25に印加される。
FIG. 30B shows an embodiment in which the time mF (m is an integer of 1 or more) between the application of the precharge signal Vp by the transistor 32a and the state output of the photosensor 35 by the transistor 32c is variable.
(Second Embodiment)
FIG. 31 shows a pixel configuration in the second embodiment. Note that the transistor 32a, the transistor 32c, the transistor 312 and the like are illustrated as switches for ease of explanation. Further, the common signal line 38 is indicated by a ground (GND) symbol.
(1) Configuration of Pixel In FIG. 31, a gate signal line 22d is a signal line controlled by the gate driver circuit 12b. When the on voltage of the gate signal line 22d is applied, the transistor 312 is turned on. When the transistor 312 is turned on, the Vr potential is applied to the photosensor output signal line 25.

Vr電圧は、プリチャージ信号Vpと一致させることが好ましい。プリチャージ信号線24にプリチャージ信号Vpを印加すると同時に、ホトセンサ出力信号線25にもプリチャージ信号Vpを印加する。ホトセンサ出力信号線25にプリチャージ信号Vpを印加するには、トランジスタ312をクローズさせる。また、トランジスタ32cをクローズし、トランジスタ32bの動作状態を取り出す前にも、トランジスタ312をクローズし、ホトセンサ出力信号線25にプリチャージ信号Vpを印加してもよい。   The Vr voltage is preferably matched with the precharge signal Vp. At the same time as applying the precharge signal Vp to the precharge signal line 24, the precharge signal Vp is also applied to the photosensor output signal line 25. In order to apply the precharge signal Vp to the photosensor output signal line 25, the transistor 312 is closed. Further, the transistor 312 may be closed and the precharge signal Vp may be applied to the photosensor output signal line 25 before the transistor 32c is closed and the operation state of the transistor 32b is taken out.

なお、ホトセンサ出力信号線25にプリチャージ信号Vpを印加する方法は、ホトセンサ処理回路18がプリチャージ信号Vpを発生し、ホトセンサ出力信号線25にプリチャージ信号Vpを印加してもよい。他の実施例として、Vr電位は一例としてGND電位である。また、Vr電位は一例としてプリチャージ信号Vpあるいはその近傍の電圧である。Vt電圧はリセット信号線311に供給する。   As a method of applying the precharge signal Vp to the photosensor output signal line 25, the photosensor processing circuit 18 may generate the precharge signal Vp and apply the precharge signal Vp to the photosensor output signal line 25. As another example, the Vr potential is a GND potential as an example. The Vr potential is, for example, the precharge signal Vp or a voltage in the vicinity thereof. The Vt voltage is supplied to the reset signal line 311.

以上の実施形態においてトランジスタ312のクローズによりGND電位、プリチャージ信号Vpをホトセンサ出力信号線25に印加するとしたが、GND電位、プリチャージ信号Vpに限定されるものではなく、他の電位でもよい。例えば、トランジスタ32bのVt電圧近傍の電圧が例示される。また、コンパレータ回路155の比較電圧Vref電圧が例示される。トランジスタ312で印加するVr電位は可変あるいは調整できるように構成することが好ましい。可変は電子ボリウムを付加することによりデジタル制御することができる。   In the above embodiment, the GND potential and the precharge signal Vp are applied to the photosensor output signal line 25 by closing the transistor 312. However, the potential is not limited to the GND potential and the precharge signal Vp, and other potentials may be used. For example, a voltage near the Vt voltage of the transistor 32b is exemplified. Further, the comparison voltage Vref voltage of the comparator circuit 155 is exemplified. The Vr potential applied by the transistor 312 is preferably configured to be variable or adjustable. The variable can be digitally controlled by adding an electronic volume.

Vr電圧の印加することにより、ホトセンサ出力信号線25の電位がVr電位となる。Vr電位を印加した後、ホトセンサ画素27のトランジスタ32cをオンし、ホトセンサ35の電位を読み出す。したがって、トランジスタ32cがオンされる出力変化がホトセンサ出力信号線25に現れるが、変化は必ず、Vt電位から変化する。したがって、安定してコンパレータ回路155に印加される。   By applying the Vr voltage, the potential of the photosensor output signal line 25 becomes the Vr potential. After applying the Vr potential, the transistor 32c of the photosensor pixel 27 is turned on, and the potential of the photosensor 35 is read. Therefore, an output change that turns on the transistor 32c appears on the photosensor output signal line 25, but the change always changes from the Vt potential. Therefore, it is stably applied to the comparator circuit 155.

Vt電圧の印加は、平面表示装置の使用を開始する時にも実施することが好ましい。また、1フレームの最初にも実施することが好ましい。また、1Hの最初に実施してもよい。つまり、一定の区切りの最初に実施することが好ましい。   The application of the Vt voltage is also preferably performed when the use of the flat display device is started. It is also preferable to carry out at the beginning of one frame. Moreover, you may implement at the beginning of 1H. That is, it is preferable to carry out at the beginning of a certain break.

Vref電圧を印加するコンパレータ信号線314は、全てのコンパレータ回路155に共通に印加する。しかし、本実施形態はこれに限定するものではない。例えば、図17に示すように複数の電圧出力端子152を有する場合は、複数のコンパレータ信号線314を形成または配置してもよい。以上のことは、リセット信号線311に対しても同様である。
(2)コンパレータ回路155の変更例
コンパレータ回路155も1つのホトセンサ出力信号線25に対して複数個を形成してもよい。複数形成するコンパレータ回路155の特性は異ならせる。
The comparator signal line 314 for applying the Vref voltage is applied to all the comparator circuits 155 in common. However, the present embodiment is not limited to this. For example, when a plurality of voltage output terminals 152 are provided as shown in FIG. 17, a plurality of comparator signal lines 314 may be formed or arranged. The same applies to the reset signal line 311.
(2) Modification Example of Comparator Circuit 155 A plurality of comparator circuits 155 may be formed for one photosensor output signal line 25. The characteristics of the plurality of comparator circuits 155 to be formed are different.

一例として、2種類のホトセンサ画素27を形成し、このホトセンサ画素27のホトセンサ35の特性を異ならせる。ホトセンサは光強度により感度が異なるものを構成する。このホトセンサの感度に対応して複数のコンパレータ回路155をそれぞれわり与える。   As an example, two types of photosensor pixels 27 are formed, and the characteristics of the photosensors 35 of the photosensor pixels 27 are made different. Photosensors are configured with different sensitivities depending on the light intensity. A plurality of comparator circuits 155 are provided corresponding to the sensitivity of the photosensor.

また、ホトセンサ画素27のトランジスタ32bの特性を異ならせる。この異なるトランジスタ32bに対応して複数のコンパレータ回路155をそれぞれわり与える。   Further, the characteristics of the transistor 32b of the photosensor pixel 27 are made different. A plurality of comparator circuits 155 are provided corresponding to the different transistors 32b.

例えば、異なるホトセンサ画素27のトランジスタ32b、異なるホトセンサ35を、表示領域10に1画素行毎に異ならせて構成する。すると、ホトセンサ出力信号線25には1H毎に異なる出力信号レベルが出力される。この出力信号レベルを異なるコンパレータ回路155を選択することにより、良好にレベル判定を実施することができる。   For example, the transistors 32b of the different photosensor pixels 27 and the different photosensors 35 are configured to be different for each pixel row in the display area 10. Then, a different output signal level is output to the photosensor output signal line 25 every 1H. By selecting a comparator circuit 155 having a different output signal level, the level can be determined satisfactorily.

異なるホトセンサ画素27のトランジスタ32b、異なるホトセンサ35を、表示領域10の上下に振り分けて形成する構成も例示される。この場合は、ホトセンサ出力信号線25には画面の上下(上半分の表示領域と下半分の表示領域)で異なる出力信号レベルが出力される。この出力信号レベルを異なるコンパレータ回路155を選択することにより、良好にレベル判定を実施することができる。   A configuration in which the transistors 32b of the different photosensor pixels 27 and the different photosensors 35 are divided and formed above and below the display region 10 is also exemplified. In this case, different output signal levels are output to the photosensor output signal line 25 at the top and bottom of the screen (upper half display area and lower half display area). By selecting a comparator circuit 155 having a different output signal level, the level can be determined satisfactorily.

図32(a)は1つのホトセンサ出力信号線25に対して、2つのコンパレータ回路155a、155bを形成したものである。2つのコンパレータ回路155a、155bには共通のコンパレータ電圧Vrefを印加しているが、これに限定するものでなく、コンパレータ電圧Vrefを異ならせてもよい。   In FIG. 32A, two comparator circuits 155a and 155b are formed for one photosensor output signal line 25. FIG. The common comparator voltage Vref is applied to the two comparator circuits 155a and 155b. However, the present invention is not limited to this, and the comparator voltage Vref may be different.

2つのコンパレータ回路155aと155bのいずれを選択し、電圧出力端子152に出力するかはスイッチSa、Sbにより選択する。スイッチSaとSbの制御は信号処理回路15で行う。スイッチSaをクローズすると、コンパレータ回路155aの出力が出力端子152に出力される。スイッチSbをクローズすると、コンパレータ回路155bの出力が出力端子152に出力される。   Which of the two comparator circuits 155a and 155b is selected and output to the voltage output terminal 152 is selected by the switches Sa and Sb. The signal processing circuit 15 controls the switches Sa and Sb. When the switch Sa is closed, the output of the comparator circuit 155a is output to the output terminal 152. When the switch Sb is closed, the output of the comparator circuit 155b is output to the output terminal 152.

図32(b)は1つのホトセンサ出力信号線25に対して、1つのコンパレータ回路155を形成したものである。図16と異なる点は、2つのコンパレータ電圧Vrefを選択できることである。コンパレータ信号線314a、314bにコンパレータ電圧Vref1、Vref2が印加される。Vref電圧は6ビットの電子ボリウム261bで64段階に可変することが可能である(図33参照)。   FIG. 32B shows a configuration in which one comparator circuit 155 is formed for one photosensor output signal line 25. The difference from FIG. 16 is that two comparator voltages Vref can be selected. Comparator voltages Vref1 and Vref2 are applied to the comparator signal lines 314a and 314b. The Vref voltage can be varied in 64 steps with a 6-bit electronic volume 261b (see FIG. 33).

図33では電子ボリウム261bによりコンパレータ信号線314に印加するVref電圧が6ビット(64段階)で可変することができる。ホトセンサ35、トランジスタ32bの特性などに合わせて良好な値となるようにVref電圧は調整される。また、スイッチSa、Sbを選択することにより、最適なVref電圧を瞬時にコンパレータ回路155に印加することができる。   In FIG. 33, the Vref voltage applied to the comparator signal line 314 can be varied by 6 bits (64 steps) by the electronic volume 261b. The Vref voltage is adjusted so as to be a good value in accordance with the characteristics of the photo sensor 35 and the transistor 32b. Further, by selecting the switches Sa and Sb, the optimum Vref voltage can be instantaneously applied to the comparator circuit 155.

コンパレータ回路155に印加されるVref電圧とホトセンサ出力信号線25の電圧と比較されて出力端子152に出力電圧が出力される。2つのVref電圧のいずれを選択するかはセンサ処理回路15により選択される。スイッチSaをクローズすると、Vref1電圧がコンパレータ回路155に印加される。スイッチSbをクローズすると、Vref2電圧がコンパレータ回路155に印加される。   The Vref voltage applied to the comparator circuit 155 is compared with the voltage of the photosensor output signal line 25, and an output voltage is output to the output terminal 152. Which of the two Vref voltages is selected is selected by the sensor processing circuit 15. When the switch Sa is closed, the voltage Vref1 is applied to the comparator circuit 155. When the switch Sb is closed, the Vref2 voltage is applied to the comparator circuit 155.

図34は共通信号線38の電位を変更できるように構成した実施形態である。図34ではRからなるボリウム回路で調整するように構成しているが、これに限定するものではなく、電子ボリウム261で調整あるいは可変できるように構成してもよい。   FIG. 34 shows an embodiment in which the potential of the common signal line 38 can be changed. In FIG. 34, the adjustment is made with the volume circuit composed of R, but the present invention is not limited to this, and the adjustment may be made with the electronic volume 261.

以上の実施形態は、Vref電圧を電子ボリウム261で変化するものであったが、プリチャージ信号Vpも電子ボリウムで変化してもよい。例えば、図33に示すようにプリチャージ信号線24には、電子ボリウム261aにより8ビット(256段階)のプリチャージ信号Vpが印加できるように構成されている。   In the above embodiment, the Vref voltage is changed by the electronic volume 261. However, the precharge signal Vp may also be changed by the electronic volume. For example, as shown in FIG. 33, the precharge signal line 24 is configured so that an 8-bit (256 steps) precharge signal Vp can be applied by the electronic volume 261a.

なお、プリチャージ信号Vpのほうが、コンパレータ電圧よりも刻みを小さくする(精度よくする)。本実施形態において、プリチャージ信号Vpは8ビットであり、コンパレータ電圧は6ビットとしている。コンパレータ電圧Vrefは比較電圧であり精度は不要であるが、プリチャージ信号Vpはホトセンサ35の感度、露光時間Tcに合わせて微妙な調整あるいは設定が必要だからである。
(第3の実施形態)
以上の実施形態は、ホトセンサ35の一方の電位をGND(接地電位または所定の固定電位)とした実施形態であった。しかし、本実施形態はこれに限定するものではない。
It should be noted that the precharge signal Vp has a smaller step (higher accuracy) than the comparator voltage. In this embodiment, the precharge signal Vp is 8 bits and the comparator voltage is 6 bits. This is because the comparator voltage Vref is a comparison voltage and does not require accuracy, but the precharge signal Vp needs to be finely adjusted or set in accordance with the sensitivity of the photosensor 35 and the exposure time Tc.
(Third embodiment)
The above embodiment is an embodiment in which one potential of the photosensor 35 is set to GND (a ground potential or a predetermined fixed potential). However, the present embodiment is not limited to this.

例えば、図35に示すように、共通信号線38をゲートドライバ回路12cに接続し、変化あるいは変更してもよい。例えば、ソースドライバ回路14が出力する映像信号の極性(図18参照)にあわせて共通信号線38の電位を変化させてもよい。ソース信号線23に印加される映像信号がホトセンサ出力信号線25などとカップリングし、出力を変動させるからである。映像信号の極性に同期させてあるいは一致させて共通信号線38の電位を変化させることにより、このカップリングの影響を軽減または除去することができる。   For example, as shown in FIG. 35, the common signal line 38 may be connected to the gate driver circuit 12c and changed or changed. For example, the potential of the common signal line 38 may be changed in accordance with the polarity of the video signal output from the source driver circuit 14 (see FIG. 18). This is because the video signal applied to the source signal line 23 is coupled with the photosensor output signal line 25 and the like, and the output is changed. The influence of this coupling can be reduced or eliminated by changing the potential of the common signal line 38 in synchronization with or in accordance with the polarity of the video signal.

一例として、映像信号の極性が正極性のときは、共通信号線38の電位をVc1とし、映像信号の極性が負極性のときは、共通信号線38の電位をVc2とする。以上のように共通信号線38に電位を設定すると、1画素行毎に共通信号線38の電位はVc1とVc2とが繰り返して設定(印加)される。また、ホトセンサ35の特性、トランジスタ32bの特性が同一であっても、共通信号線38の電位を変化させることにより、相対的にトランジスタ32bのVt電圧を変化させることができる。ホトセンサ35などのGND電位が変化することになるからである。したがって、形成されたホトセンサ35などの共通信号線38の電位を複数に印加することにより、外光に対して複数の感度を持つホトセンサを形成したのと同一の状態となる。   As an example, when the polarity of the video signal is positive, the potential of the common signal line 38 is Vc1, and when the polarity of the video signal is negative, the potential of the common signal line 38 is Vc2. As described above, when the potential is set to the common signal line 38, Vc1 and Vc2 are repeatedly set (applied) for the potential of the common signal line 38 for each pixel row. Even if the characteristics of the photosensor 35 and the transistor 32b are the same, the Vt voltage of the transistor 32b can be relatively changed by changing the potential of the common signal line 38. This is because the GND potential of the photo sensor 35 or the like changes. Therefore, by applying a plurality of potentials of the common signal line 38 such as the formed photosensor 35, the same state as that of forming a photosensor having a plurality of sensitivities to external light is obtained.

また、図33などの構成では、トランジスタ32bと、ホトセンサ35とは同一の電位(Vr)にしたように説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、トランジスタ32bの端子aをVr1電位とし、ホトセンサ35の端子bをVr2というように異ならせてもよい。Vr2の電位がVr1に比較して高ければ、相対的にトランジスタ32bのVtが高くなったのと同一の効果がある。したがって、形成されたホトセンサ35などが同一の特性であっても、外光に対して複数の感度を持つホトセンサを形成したのと同一の状態の効果がある。また、Vr1の電位を固定電位とし、Vr2を共通信号線38から供給するように構成し、共通信号線38をゲートドライバ12cで駆動するように構成してもよい。   In the configuration of FIG. 33 and the like, the transistor 32b and the photosensor 35 have been described as having the same potential (Vr), but the present embodiment is not limited to this. For example, the terminal a of the transistor 32b may be set to the potential Vr1, and the terminal b of the photosensor 35 may be changed to Vr2. If the potential of Vr2 is higher than Vr1, the same effect as the Vt of the transistor 32b becomes relatively high is obtained. Therefore, even if the formed photosensor 35 and the like have the same characteristics, there is an effect in the same state as when a photosensor having a plurality of sensitivities to external light is formed. Further, the configuration may be such that the potential of Vr1 is a fixed potential, Vr2 is supplied from the common signal line 38, and the common signal line 38 is driven by the gate driver 12c.

ゲートドライバ回路12cが出力する電位は複数とすることに限定されるものではない。例えば、共通信号線38に印加する電圧は1つであり、この1つの電圧をホトセンサ35の特性、露光時間Tc、トランジスタ32bの特性に対応させて変化させてもよい。他の構成は、図3などの構成と同一あるいは類似であるので説明を省略する。
(1)露光時間Tcとプリチャージ信号Vpの関係
上記各実施形態は主として、プリチャージ信号Vpを変化させることにより、外光に対する感度を調整している。また、露光時間Tcに対してもプリチャージ信号Vpを変化させることにより感度を調整している。
The potential output from the gate driver circuit 12c is not limited to a plurality. For example, the voltage applied to the common signal line 38 is one, and this one voltage may be changed corresponding to the characteristics of the photosensor 35, the exposure time Tc, and the characteristics of the transistor 32b. Other configurations are the same as or similar to the configurations in FIG.
(1) Relationship between exposure time Tc and precharge signal Vp In the above embodiments, the sensitivity to external light is adjusted mainly by changing the precharge signal Vp. Also, the sensitivity is adjusted by changing the precharge signal Vp with respect to the exposure time Tc.

図36はこの説明図である。ホトセンサ35のリーク量は、外光が強いほどリーク量が大きくなる。また、略露光時間Tcに比例して電荷が放電する。プリチャージ信号Vpは一定の電圧を印加するとし、略トランジスタ32bのVtに変化するように調整するためには、ホトセンサ35への外光が強い時は、露光時間Tcを短くする。ホトセンサ35への外光が弱いときは露光時間Tcを長くする。以上の関係は図36に図示される。したがって、外光が非常に強い時は、露光時間Tcをきわめて短くする。また、ホトセンサ35の感度が外光に対して非常によいときは、露光時間Tcを短くする。   FIG. 36 is an explanatory diagram of this. The leak amount of the photo sensor 35 increases as the outside light increases. In addition, the electric charge is discharged in proportion to the exposure time Tc. Assuming that a constant voltage is applied to the precharge signal Vp, the exposure time Tc is shortened when the external light to the photosensor 35 is strong in order to adjust the precharge signal Vp so as to change to approximately Vt of the transistor 32b. When the external light to the photosensor 35 is weak, the exposure time Tc is lengthened. The above relationship is illustrated in FIG. Therefore, when the external light is very strong, the exposure time Tc is made extremely short. Further, when the sensitivity of the photosensor 35 is very good with respect to outside light, the exposure time Tc is shortened.

露光時間Tcを短くしてもトランジスタ32bのゲート端子電圧がVt電圧以下にすぐに到達してしまい、ホトセンサ出力信号線25への変化信号が判別できない場合がある。たとえば、全画面のトランジスタ32bの出力がオフ状態として出力される場合である。つまり、本実施形態の表示パネルからの出力が同一撮像データを得ることができない状態である。   Even if the exposure time Tc is shortened, the gate terminal voltage of the transistor 32b immediately reaches the Vt voltage or less, and the change signal to the photosensor output signal line 25 may not be discriminated. For example, this is a case where the output of the transistor 32b of the full screen is output as an off state. That is, the output from the display panel of the present embodiment is in a state where the same imaging data cannot be obtained.

この場合は、プリチャージ信号Vpを電子ボリウム261aにより高く設定する。プリチャージ信号Vp電圧を高く設定することにより、トランジスタ32bのVt電圧に到達するまでの時間が長くなるから、撮像データ(撮像された画像データ、物体の影など)を得ることができる。   In this case, the precharge signal Vp is set higher by the electronic volume 261a. By setting the precharge signal Vp voltage high, it takes a long time to reach the Vt voltage of the transistor 32b, so that imaging data (captured image data, object shadow, etc.) can be obtained.

露光時間Tcを長くしてもトランジスタ32bのゲート端子電圧がVt電圧以下に程遠く、ホトセンサ出力信号線25への変化信号が判別できない場合がある。たとえば、全画面のトランジスタ32bの出力がオン状態として出力される場合である。つまり、本実施形態の表示パネルからの出力が同一撮像データを得ることができない状態である。この場合は、プリチャージ信号Vpを電子ボリウム261aにより低く設定する。   Even if the exposure time Tc is increased, the gate terminal voltage of the transistor 32b is far from the Vt voltage or less, and the change signal to the photosensor output signal line 25 may not be discriminated. For example, this is a case where the output of the transistor 32b of the full screen is output as an ON state. That is, the output from the display panel of the present embodiment is in a state where the same imaging data cannot be obtained. In this case, the precharge signal Vp is set lower by the electronic volume 261a.

プリチャージ信号Vp電圧を低く設定することにより、トランジスタ32bのVt電圧に到達するまでの時間が短くなるから、撮像データ(撮像された画像データ、物体の影など)を得ることができる。なお、露光時間Tcは1フィールド(1フレーム)以内とする方が良好な結果が得られる。映像信号が印加されたソース信号線23からのカップリングの影響を受けにくいためと思われる。映像データは1フィールド(1フレーム)毎に極性が反転し、この反転の影響によりホトセンサ35の電位がゆれてしまうからである。   By setting the precharge signal Vp voltage low, the time taken to reach the Vt voltage of the transistor 32b is shortened, so that imaging data (captured image data, object shadow, etc.) can be obtained. A better result is obtained when the exposure time Tc is within one field (one frame). This is presumably because it is not easily affected by the coupling from the source signal line 23 to which the video signal is applied. This is because the polarity of the video data is inverted every field (one frame), and the potential of the photosensor 35 is distorted due to the effect of the inversion.

以上のように、本実施形態は、露光時間Tc(ゲートドライバ回路12bの制御)と、プリチャージ信号Vpを調整あるいは設定することにより、撮像データを得ることを特徴としている。また、基本的にコンパレータ電圧Vrefは固定値に設定することを特徴としている。
(2)マトリックス処理
ホトセンサ35は、画素26と同一工程(同一プロセス)で形成される。ホトセンサ35を形成するのに使用するプロセスは、ポリシリコン技術である。ポリシリコン技術による半導体膜は、レーザーアニール技術で形成する。したがって、レーザー光の温度分布により特性が大きくばらつく。この課題に対して本実施形態は、図37に示すように、マトリックス処理を実施している。
As described above, the present embodiment is characterized in that imaging data is obtained by adjusting or setting the exposure time Tc (control of the gate driver circuit 12b) and the precharge signal Vp. Also, the comparator voltage Vref is basically set to a fixed value.
(2) Matrix processing The photosensor 35 is formed in the same process (same process) as the pixel 26. The process used to form the photosensor 35 is polysilicon technology. The semiconductor film by polysilicon technology is formed by laser annealing technology. Therefore, the characteristics vary greatly depending on the temperature distribution of the laser beam. In this embodiment, matrix processing is performed as shown in FIG.

マトリックス処理とは、マトリックス内のホトセンサ画素27の出力をカウントし、カウント値により信号処理を実施するものである。図33などで説明したように、本実施形態はコンパレータ回路155などにより、2値化されているものとする。   Matrix processing counts the output of the photosensor pixels 27 in the matrix and performs signal processing based on the count value. As described with reference to FIG. 33 and the like, it is assumed that the present embodiment is binarized by the comparator circuit 155 and the like.

レーザーアニ−ル方法などでは、トランジスタ32b、ホトセンサ35の特性は表示領域の一方の方向から他方の方向に傾きを持った特性分布となる。この特性分布を補正するためには、ホトセンサ35が形成された領域に均一な外光を照射し、露光時間Tcを一定にし、かつプリチャージ信号Vpを一定にして、マトリックス毎にトランジスタ32bの出力をカウントして加算する。   In the laser annealing method or the like, the characteristics of the transistor 32b and the photosensor 35 are characteristic distributions having an inclination from one direction of the display area to the other direction. In order to correct this characteristic distribution, the region where the photosensor 35 is formed is irradiated with uniform external light, the exposure time Tc is constant, the precharge signal Vp is constant, and the output of the transistor 32b for each matrix. Are counted and added.

電圧出力端子152からの出力はコンパレータ回路155により2値のデータ(オン(1)、オフ(0))に変換されているとする。例えば、10x10のマトリックスでは、カウント値は0から100までの範囲である。このカウント値をマトリックス内のホトセンサ35毎に集計してメモリする(キャリブレーションしたカウント値)。   Assume that the output from the voltage output terminal 152 is converted into binary data (on (1), off (0)) by the comparator circuit 155. For example, in a 10 × 10 matrix, the count value ranges from 0 to 100. This count value is totaled for each photosensor 35 in the matrix and stored (calibrated count value).

本実施形態の表示装置で撮像したデータも同一のマトリックス区分で処理を行い、処理を行ったカウント値から、先のキャリブレーションしたカウント値を一定比率で差分処理を行う。この行ったデータには、ホトセンサ35などの特性分布が減算されているため、良好な撮像データを得ることができる。   Data picked up by the display device of the present embodiment is also processed in the same matrix section, and a difference process is performed on the previously calibrated count value at a constant ratio from the processed count value. Since the characteristic distribution of the photo sensor 35 and the like is subtracted from the performed data, good imaging data can be obtained.

以上のように、差分処理を行った結果のデータは、ホトセンサ35、トランジスタ32bの分布の影響が除去あるいは軽減されている。また、小領域の特性分布によるバラツキは、マトリックス処理を行い、マトリックスの出力データを1つのデータとして取り扱うため、結果的に平均化されたことになる。したがって、ホトセンサ35、トランジスタ32bの特性ばらつきの影響を受けない。例えば、レーザーショットが弱く、Vt電圧が高いトランジスタ32bがマトリックス内に少数分布していても他のホトセンサ画素27のトランジスタ32bが良好であれば、Vt電圧が高いトランジスタ32bが少数であれば、全体として影響はない。   As described above, the influence of the distribution of the photosensor 35 and the transistor 32b is removed or reduced in the data resulting from the difference processing. In addition, the dispersion due to the characteristic distribution of the small region is subjected to matrix processing, and the output data of the matrix is handled as one data, so that it is averaged as a result. Therefore, it is not affected by variations in characteristics of the photosensor 35 and the transistor 32b. For example, even if a small number of transistors 32b having a low laser shot and a high Vt voltage are distributed in the matrix and the transistors 32b of other photosensor pixels 27 are good, a small number of the transistors 32b having a high Vt voltage There is no effect.

マトリックス処理の区分は、図37(a)に示すように、市松状にマトリックスする方式が例示される。図37(a)は、4x4のマトリックス処理の実施である。特に5x5のように、ブロックBLに含まれるホトセンサ35数が25以上となるようにする構成することが好ましい。さらには8x8のように50以上となるように構成することが好ましい。さらには、10x10のように100以上となるように構成することが好ましい。但し、35x35のように、マトリックスに含まれるホトセンサ数が1000を超えることがないようにする。   As shown in FIG. 37 (a), the matrix processing is exemplified by a method of matrixing in a checkered pattern. FIG. 37A shows an implementation of 4 × 4 matrix processing. In particular, it is preferable that the number of photosensors 35 included in the block BL is 25 or more, such as 5 × 5. Furthermore, it is preferable that the configuration is 50 or more, such as 8 × 8. Furthermore, it is preferable to configure the number to be 100 or more, such as 10 × 10. However, as in 35 × 35, the number of photosensors included in the matrix should not exceed 1000.

以上の実施形態はnxnのマトリックスに区分して処理するとしたが、マトリックスの概念はこれに限定されるものではない。例えば、図37(b)に示すように、BLは、縦方向に区分している。この区分も本実施形態のマトリックスの技術的範疇である。図37(b)では、3画素列単位でマトリックス状に区分している。なお、横方向(画素行方向)にマトリックス状に区分してもよい。   In the above embodiment, processing is performed by dividing into nxn matrices, but the concept of the matrix is not limited to this. For example, as shown in FIG. 37 (b), BL is partitioned in the vertical direction. This division is also a technical category of the matrix of the present embodiment. In FIG. 37 (b), it is divided into a matrix in units of three pixel columns. The horizontal direction (pixel row direction) may be divided into a matrix.

もちろん、図17に示すように、コンパレータ回路155を使用せず、アナログデータを直接に、またはアナログデータを多ビットのデジタルデータとして信号処理を実施する場合は、アナログデータはローパスフィルタにより平均化(DC化)する。なお、デジタルデータは加算することにより該当マトリックス範囲のデータとして処理してもよい。
(第4の実施形態)
以下、第4の実施形態として他の画素構成について説明をする。なお、画素構成について説明を行うが、他の構成は以前に説明した実施形態の構成、方式、動作が適用される。
Of course, as shown in FIG. 17, when the signal processing is performed directly without using the comparator circuit 155, or analog data is converted into multi-bit digital data, the analog data is averaged by a low-pass filter ( DC). Digital data may be processed as data in the corresponding matrix range by adding.
(Fourth embodiment)
Hereinafter, another pixel configuration will be described as a fourth embodiment. Although the pixel configuration will be described, the configurations, methods, and operations of the previously described embodiments are applied to other configurations.

図38は第4の実施形態の画素の等価回路図である。Vt電圧により動作するトランジスタ32bがNチャンネルトランジスタ32bnとPチャンネルのトランジスタ32bpで構成されている。つまり、トランジスタ32bはPチャンネルとNチャンネルのCMOS構成で構成されている。a点の電位により、Pチャンネルのトランジスタ32bpまたはトランジスタ32bnが動作する。トランジスタ32cがオンすると、Pチャンネルのトランジスタ32bpまたはNチャンネルのトランジスタ32bnが動作により変化したb点の電位が、ホトセンサ出力信号線25に出力される。
(第5の実施形態)
図39は、トランジスタ32bpとトランジスタ32bnとで構成するインバータ回路において、入力aと入力bを短絡するトランジスタ32dを形成した実施例である。トランジスタ32dのゲート端子はゲート信号線22dに接続されている。ゲート信号線22dにオン電圧が印加されると、トランジスタ32dがクローズし、インバータ回路の入力aと出力bが短絡する。
FIG. 38 is an equivalent circuit diagram of the pixel of the fourth embodiment. The transistor 32b operated by the Vt voltage is composed of an N-channel transistor 32bn and a P-channel transistor 32bp. That is, the transistor 32b has a P-channel and N-channel CMOS configuration. The P-channel transistor 32bp or transistor 32bn is operated by the potential at the point a. When the transistor 32c is turned on, the potential at the point b changed by the operation of the P-channel transistor 32bp or the N-channel transistor 32bn is output to the photosensor output signal line 25.
(Fifth embodiment)
FIG. 39 shows an embodiment in which a transistor 32d for short-circuiting the input a and the input b is formed in the inverter circuit composed of the transistor 32bp and the transistor 32bn. The gate terminal of the transistor 32d is connected to the gate signal line 22d. When the ON voltage is applied to the gate signal line 22d, the transistor 32d is closed, and the input a and output b of the inverter circuit are short-circuited.

短絡により、インバータ回路の入力端子と出力端子は中間電位となる。中間電位とすることにより、インバータオフセット状態となる。したがって、トランジスタ32bp、トランジスタ32bnの特性バラツキの影響を受けにくくなる。   Due to the short circuit, the input terminal and the output terminal of the inverter circuit become an intermediate potential. By setting the intermediate potential, an inverter offset state is set. Therefore, the transistor 32 bp and the transistor 32 bn are not easily affected by variations in characteristics.

なお、Pチャンネルのトランジスタ32bp、トランジスタ32bnの特性によっては、Pチャンネルのトランジスタ32bpとNチャンネルのトランジスタ32bnの両方が動作する場合も本実施形態の技術的範疇である。bの電位変化がホトセンサ出力信号線25に出力するという点では問題がないからである。他の構成は上記実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
(第6の実施形態)
図40は、ホトセンサ35をNチャンネルトランジスタ32bnとPチャンネルのトランジスタ32bpで構成した第5の実施形態である。
Note that depending on the characteristics of the P-channel transistor 32 bp and the transistor 32 bn, the case where both the P-channel transistor 32 bp and the N-channel transistor 32 bn operate is also in the technical category of this embodiment. This is because there is no problem in that the potential change of b is output to the photosensor output signal line 25. Other configurations are the same as or similar to those of the above-described embodiment, and thus description thereof is omitted.
(Sixth embodiment)
FIG. 40 shows a fifth embodiment in which the photosensor 35 is constituted by an N-channel transistor 32bn and a P-channel transistor 32bp.

つまり、ホトセンサ35は、PチャンネルとNチャンネルのダイオード接続したトランジスタを直列に連結して構成されている。Pチャンネルのトランジスタ35p、トランジスタ35nの特性のバラツキを補い、全体として特性バラツキが抑制される。   That is, the photosensor 35 is configured by connecting in series a P-channel and N-channel diode-connected transistor. Variations in the characteristics of the P-channel transistor 35p and transistor 35n are compensated for, and the characteristic variations are suppressed as a whole.

図40の構成では、Pチャンネルのトランジスタ324pとNチャンネルのトランジスタ35nを各1個で構成しているが、本実施形態はこれに限定するものではなく、Nチャンネルのトランジスタ35nとPチャンネルのトランジスタ35pが各複数個を形成または配置してもよい。   In the configuration of FIG. 40, each of the P-channel transistor 324p and the N-channel transistor 35n is constituted by one, but this embodiment is not limited to this, and the N-channel transistor 35n and the P-channel transistor are not limited thereto. 35p may form or arrange each plurality.

また、Nチャンネルのトランジスタ35nが複数個でホトセンサ35を構成してもよい。また、Pチャンネルのトランジスタ35pが複数個でホトセンサ35を構成してもよい。他の構成は上記実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
(第7の実施形態)
図41は、ホトセンサ出力信号線25をRの映像信号を印加するソース信号線23Rと共通にした第6の実施形態である。
The photosensor 35 may be composed of a plurality of N-channel transistors 35n. The photosensor 35 may be composed of a plurality of P-channel transistors 35p. Other configurations are the same as or similar to those of the above-described embodiment, and thus description thereof is omitted.
(Seventh embodiment)
FIG. 41 shows a sixth embodiment in which the photosensor output signal line 25 is shared with the source signal line 23R for applying the R video signal.

ソース信号線23Rには、Rの映像信号と、トランジスタ32cの出力(ホトセンサ出力)が多重される。ゲート信号線22bの選択は映像信号がソース信号線23に印加されていないタイミングで実施される。   The R video signal and the output (photosensor output) of the transistor 32c are multiplexed on the source signal line 23R. The selection of the gate signal line 22 b is performed at a timing when the video signal is not applied to the source signal line 23.

図41は、プリチャージ信号線24をBの映像を印加するソース信号線23Bと共通にした構成である。ソース信号線23Bには、プリチャージ信号Vpと、Bの映像信号が多重される。ゲート信号線22cの選択は映像信号がソース信号線23に印加されていないタイミングで実施される。他の構成は、上記他の実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
(変更例)
(1)第1の変更例
上記実施形態では、ホトセンサ出力信号線25と、Rの映像を印加するソース信号線23Rと共通にしたとして説明したが、本実施形態はこれに限定するものではない。
FIG. 41 shows a configuration in which the precharge signal line 24 is shared with the source signal line 23B for applying the B video. The precharge signal Vp and the B video signal are multiplexed on the source signal line 23B. The selection of the gate signal line 22 c is performed at a timing when the video signal is not applied to the source signal line 23. Other configurations are the same as or similar to those of the above-described other embodiments, and thus description thereof is omitted.
(Example of change)
(1) First Modification In the above embodiment, the photosensor output signal line 25 and the source signal line 23R for applying the R image are described as being common. However, the present embodiment is not limited to this. .

例えば、ホトセンサ出力信号線25をGの映像を印加するソース信号線23Gと共通にしてもよい。また、ホトセンサ出力信号線25をBの映像を印加するソース信号線23Bと共通にしてもよい。つまり、本実施形態は、ホトセンサ出力信号線25を映像信号線などの他の信号線と共通にし、共通にした信号線に、映像信号などとホトセンサ出力とを多重することに特徴がある。
(2)第2の変更例
上記実施形態は、ホトセンサ出力信号線25と映像を印加するソース信号線23と共通にするとした説明したがこれに限定するものではなく、例えば、ホトセンサ出力信号線25と共通信号線38などと共通にしてもよい。
(3)第3の変更例
図9に、第5の実施形態と図35の実施形態と組み合わせた実施形態を示している。
(4)第4の変更例
図42はトランジスタ32bをPチャンネルトランジスタで構成した実施形態である。トランジスタ32bの一端子は正側電源Vddに接続し、他端をトランジスタ32cと接続している。他の構成は図35、図9の実施形態と同様であるので説明を省略する。
(5)第5の変更例
上記実施形態では、プリチャージ信号線24と、Bの映像を印加するソース信号線23Bと共通にしたとして説明したが、本実施形態はこれに限定するものではない。
For example, the photosensor output signal line 25 may be shared with the source signal line 23G for applying the G video. Further, the photosensor output signal line 25 may be shared with the source signal line 23B for applying the B image. That is, this embodiment is characterized in that the photosensor output signal line 25 is shared with other signal lines such as a video signal line, and the video signal and the photosensor output are multiplexed on the common signal line.
(2) Second Modified Example In the above embodiment, the photosensor output signal line 25 and the source signal line 23 for applying the video are described as being shared. However, the present invention is not limited to this. For example, the photosensor output signal line 25 The common signal line 38 and the like may be shared.
(3) Third Modification FIG. 9 shows an embodiment in which the fifth embodiment and the embodiment of FIG. 35 are combined.
(4) Fourth Modification FIG. 42 shows an embodiment in which the transistor 32b is configured by a P-channel transistor. One terminal of the transistor 32b is connected to the positive power supply Vdd, and the other end is connected to the transistor 32c. Other configurations are the same as those of the embodiment of FIGS.
(5) Fifth Modification In the above embodiment, the precharge signal line 24 and the source signal line 23B for applying the B video are described as being common. However, the present embodiment is not limited to this. .

例えば、プリチャージ信号線24をGの映像を印加するソース信号線23Gと共通にしてもよい。また、プリチャージ信号線24をBの映像を印加するソース信号線23Bと共通にしてもよい。つまり、本実施形態は、プリチャージ信号線24を映像信号線などの他の信号線と共通にし、共通にした信号線に、映像信号などとプリチャージ信号Vpとを多重することに特徴がある。
(6)第6の変更例
上記実施形態は、プリチャージ信号線24と映像を印加するソース信号線23と共通にするとした説明したがこれに限定するものではなく、例えば、プリチャージ信号線24と共通信号線38などと共通にしてもよい。
(7)第7の変更例
プリチャージ信号線24、映像信号を印加するソース信号線23、ホトセンサ出力信号線25を共通にし、映像信号とプリチャージ信号Vpとホトセンサ出力とを多重してもよい。
(8)第8の変更例
図43は、ホトセンサ出力信号線25をRの映像を印加するソース信号線23Rと共通にし、プリチャージ信号線24と映像を印加するソース信号線23と共通にし、ホトセンサ35のGND電位の共通信号線38をGの映像を印加するソース信号線23Gと共通にした構成である。
For example, the precharge signal line 24 may be shared with the source signal line 23G for applying the G video. Further, the precharge signal line 24 may be shared with the source signal line 23B for applying the B video. That is, this embodiment is characterized in that the precharge signal line 24 is shared with other signal lines such as a video signal line, and the video signal and the precharge signal Vp are multiplexed on the common signal line. .
(6) Sixth Modification In the above embodiment, the precharge signal line 24 and the source signal line 23 to which the video is applied have been described in common. However, the present invention is not limited to this. For example, the precharge signal line 24 The common signal line 38 and the like may be shared.
(7) Seventh Modification The video signal, the precharge signal Vp, and the photosensor output may be multiplexed by sharing the precharge signal line 24, the source signal line 23 for applying the video signal, and the photosensor output signal line 25. .
(8) Eighth Modification FIG. 43 shows that the photosensor output signal line 25 is made common to the source signal line 23R for applying the R image, the precharge signal line 24 is made common to the source signal line 23 for applying the image, The common signal line 38 of the GND potential of the photosensor 35 is made common with the source signal line 23G for applying the G video.

ソース信号線23に印加される映像信号は、正極性と負極性が1H毎に交互に印加されるため、ホトセンサ35のGND電位がゆれても平均的には直流(DC)電位のように固定された電位に維持されていることになる。   Since the video signal applied to the source signal line 23 is alternately applied with positive polarity and negative polarity every 1H, even if the GND potential of the photosensor 35 fluctuates, it is fixed to a direct current (DC) potential on average. Thus, the potential is maintained.

ソース信号線23Rには、Rの映像信号と、トランジスタ32cの出力(ホトセンサ出力)が多重される。ゲート信号線22bの選択は映像信号がソース信号線23に印加されていないタイミングで実施される。プリチャージ信号線24をBの映像を印加するソース信号線23Bと共通にした構成である。ソース信号線23Bには、プリチャージ信号Vpと、Bの映像信号が多重される。ゲート信号線22cの選択は映像信号がソース信号線23に印加されていないタイミングで実施される。他の構成は図41で説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。   The R video signal and the output (photosensor output) of the transistor 32c are multiplexed on the source signal line 23R. The selection of the gate signal line 22 b is performed at a timing when the video signal is not applied to the source signal line 23. The precharge signal line 24 is configured in common with the source signal line 23B for applying the B video. The precharge signal Vp and the B video signal are multiplexed on the source signal line 23B. The selection of the gate signal line 22 c is performed at a timing when the video signal is not applied to the source signal line 23. Other configurations are the same as or similar to the embodiment described with reference to FIG.

図44は図43の画素構成でのタイミングチャートである。1Hの最初のt4の期間は、ゲート信号線22cが選択され、トランジスタ32aがオン状態となり、プリチャージ信号Vpがホトセンサ35に印加される。   FIG. 44 is a timing chart in the pixel configuration of FIG. During the first t4 period of 1H, the gate signal line 22c is selected, the transistor 32a is turned on, and the precharge signal Vp is applied to the photosensor 35.

次のt1の期間は、SWがa端子を選択し、ソースドライバ回路14からRの映像信号が出力されている期間である。次のt2の期間は、切り替え回路172のSWはb端子を選択し、ソースドライバ回路14からGの映像信号が出力されている期間である。次のt3期間は、切り替え回路172のSWはc端子を選択し、ソースドライバ回路14からBの映像信号が出力される。したがって、Bの映像信号はBのソース信号線23に印加される。   The next period t1 is a period in which the SW selects the a terminal and the R video signal is output from the source driver circuit 14. The next period t 2 is a period in which the SW of the switching circuit 172 selects the b terminal and the G video signal is output from the source driver circuit 14. In the next t3 period, the SW of the switching circuit 172 selects the c terminal, and the source driver circuit 14 outputs the B video signal. Therefore, the B video signal is applied to the B source signal line 23.

1Hの最後のタイミングでは、ゲート信号線22bにオン電圧が印加され、トランジスタ32cがオンし、ホトセンサ画素27のトランジスタ32cがオンしてトランジスタ32bの出力がホトセンサ出力信号線25に出力される。   At the last timing of 1H, an on-voltage is applied to the gate signal line 22b, the transistor 32c is turned on, the transistor 32c of the photosensor pixel 27 is turned on, and the output of the transistor 32b is output to the photosensor output signal line 25.

t1、t2、t3、t4、t5の期間は同一にすることにより、ホトセンサ処理回路18などの回路構成が容易になる。また、t1、t2、t3、t4、t5の期間の間にはt6の期間を確保することが好ましい。各スイッチSW、トランジスタ32がオン状態からオフ状態になる期間、切り替える期間は不安定となるからである。
(9)第9の変更例
図45は共通信号線38をゲート信号線22aと共通にした構成である。ゲート信号線22aは1フィールド(1フレーム)に1Hの期間オン電圧が印加される。他の期間はオフ電圧が印加される。したがって、ゲート信号線22aの電位は固定電位に維持されていると考えてよい。
By making the periods t1, t2, t3, t4, and t5 the same, the circuit configuration of the photosensor processing circuit 18 and the like is facilitated. In addition, it is preferable to secure a period t6 between the periods t1, t2, t3, t4, and t5. This is because the period during which each switch SW and transistor 32 is switched from the on state to the off state and the switching period are unstable.
(9) Ninth Modification FIG. 45 shows a configuration in which the common signal line 38 is shared with the gate signal line 22a. The gate signal line 22a is applied with an on-voltage for a period of 1H in one field (one frame). The off voltage is applied during other periods. Therefore, it can be considered that the potential of the gate signal line 22a is maintained at a fixed potential.

図45に示すように、共通信号線38をゲート信号線22aと共通にしても、ホトセンサ35及びトランジスタ32bの一端子はGND接地状態である。そのため、電位変動によるホトセンサ出力にはほとんど影響を与えない。但し、表示画素26とホトセンサ画素27を有する画素16もしくは、前記画素16に隣接した画素行に位置する画素16において、ゲート信号線22aとゲート信号線22b、ゲート信号線22cが同時に選択されないようにタイミング処理を行う必要がある。好ましくは、前記画素16において、ゲート信号線22aが選択する前後の2H以上の水平走査期間には、該当画素16のゲート信号線22b及びゲート信号線22cが選択されないようにタイミング処理を実施する。他の構成は図41で説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。   As shown in FIG. 45, even if the common signal line 38 is shared with the gate signal line 22a, one terminal of the photosensor 35 and the transistor 32b is in the GND ground state. Therefore, it hardly affects the photosensor output due to potential fluctuation. However, the gate signal line 22a, the gate signal line 22b, and the gate signal line 22c are not simultaneously selected in the pixel 16 having the display pixel 26 and the photosensor pixel 27 or in the pixel 16 located in the pixel row adjacent to the pixel 16. Timing processing needs to be performed. Preferably, in the pixel 16, timing processing is performed so that the gate signal line 22b and the gate signal line 22c of the corresponding pixel 16 are not selected during a horizontal scanning period of 2H or more before and after the gate signal line 22a is selected. Other configurations are the same as or similar to the embodiment described with reference to FIG.

以上の第1から第9の変更例は、本発明の他の実施例にも適用される。また、他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。
(第8の実施形態)
図46は、トランジスタ32bの特性バラツキを補償するため、オフセットキャンセルを実施する画素構成である。
The first to ninth modifications described above are also applied to other embodiments of the present invention. Needless to say, it can be combined with other embodiments.
(Eighth embodiment)
FIG. 46 shows a pixel configuration in which offset cancellation is performed to compensate for the characteristic variation of the transistor 32b.

オフセットキャンセルすることにより、トランジスタ32bはカットオフ電圧を基準に動作させることができる。したがって、トランジスタ32bのVtバラツキなどを補償することができ、安定したホトセンサ出力を得ることができる。トランジスタ32bのドレイン端子DはVbb電圧とし、ホトセンサ35に接続された共通信号線38と分離している。分離によりトランジスタ32bのVbb電圧の電位を自由に設定あるいは調整できるようになり、トランジスタ32bのリセット動作が容易になる。   By canceling the offset, the transistor 32b can be operated based on the cutoff voltage. Therefore, the Vt variation of the transistor 32b can be compensated, and a stable photosensor output can be obtained. The drain terminal D of the transistor 32b has a Vbb voltage and is separated from the common signal line 38 connected to the photosensor 35. The separation enables the Vbb voltage potential of the transistor 32b to be freely set or adjusted, and the reset operation of the transistor 32b is facilitated.

図46では、プリチャージ信号Vpを印加する前に、ゲート信号線22dにオン電圧が印加され、トランジスタ32dがオンする。トランジスタ32dがオンすると、トランジスタ32bのドレイン端子Dとゲート端子G間が短絡される。ゲート端子Gとドレイン端子Dの短絡によりトランジスタ32bはVt電圧にリセットされる。つまり、トランジスタ32bのゲート端子Gの電圧は、電流を流し始める電圧(基本的にはVt電圧)に設定される。この電圧をV0電圧とする。このとき、プリチャージ信号線は、所定の電位V1が印加される。   In FIG. 46, before applying the precharge signal Vp, an on-voltage is applied to the gate signal line 22d, and the transistor 32d is turned on. When the transistor 32d is turned on, the drain terminal D and the gate terminal G of the transistor 32b are short-circuited. Due to a short circuit between the gate terminal G and the drain terminal D, the transistor 32b is reset to the Vt voltage. That is, the voltage at the gate terminal G of the transistor 32b is set to a voltage at which current starts to flow (basically, the Vt voltage). This voltage is referred to as V0 voltage. At this time, a predetermined potential V1 is applied to the precharge signal line.

ゲート端子Gの電位は、ホトセンサ35の電位である。次に、ゲート信号線22cにオン電圧が印加されるとともに、プリチャージ信号線24にプリチャージ信号Vpが印加される。トランジスタ32aがオンし、プリチャージ信号Vpはカップリングコンデンサ461を介してホトセンサ35に印加される。つまり、トランジスタ32bのゲート端子には、V0電圧に加算された電圧V2が印加される。V2電圧は、基本的にはV1電圧に相関あるいは比例する。V1はコンデンサ461とコンデンサ34などで分圧されてV2電圧となる。   The potential of the gate terminal G is the potential of the photosensor 35. Next, an on-voltage is applied to the gate signal line 22 c and a precharge signal Vp is applied to the precharge signal line 24. The transistor 32 a is turned on, and the precharge signal Vp is applied to the photosensor 35 via the coupling capacitor 461. That is, the voltage V2 added to the V0 voltage is applied to the gate terminal of the transistor 32b. The V2 voltage is basically correlated or proportional to the V1 voltage. V1 is divided by a capacitor 461, a capacitor 34, and the like to become a V2 voltage.

以上の動作によりトランジスタ32bのゲート端子にはV2電圧が印加される。ゲート信号線22cにオフ電圧が印加される。したがって、トランジスタ32aがオフされ、V2電圧がホトセンサ35の一端子に保持される。   With the above operation, the V2 voltage is applied to the gate terminal of the transistor 32b. An off voltage is applied to the gate signal line 22c. Therefore, the transistor 32a is turned off, and the voltage V2 is held at one terminal of the photosensor 35.

以降の動作は他の実施形態と同様である。つまり、外光によりホトセンサ35がリークし、V2電圧が低下していく。V2電圧が、トランジスタ32bのVt電圧以下になれば、トランジスタ32bがオフ状態となる。トランジスタ32cをオンさせることにより、トランジスタ32bの状態をホトセンサ出力信号線25に出力する。
(1)第1の変更例
図47は図46の変更例である。トランジスタ32bのドレイン端子Dと共通信号線38と接続している。共通信号線38はゲートドライバ回路12cに接続している。他の構成は図46で説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
(2)第2の変更例
図48は図46の変更例である。トランジスタ32dをPチャンネルトランジスタで構成している。他の構成は図46で説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
(3)第3の変更例
図49は、図48の変更例である。図49では、トランジスタ32bのゲート端子とソース端子を短絡するトランジスタ32dが配置されている。また、ホトセンサ35の一端子は、所定電位(グランド電位)に固定されている。
Subsequent operations are the same as in the other embodiments. That is, the photo sensor 35 leaks due to external light, and the V2 voltage decreases. When the V2 voltage becomes equal to or lower than the Vt voltage of the transistor 32b, the transistor 32b is turned off. By turning on the transistor 32c, the state of the transistor 32b is output to the photosensor output signal line 25.
(1) First Modification Example FIG. 47 is a modification example of FIG. The drain terminal D of the transistor 32b and the common signal line 38 are connected. The common signal line 38 is connected to the gate driver circuit 12c. The other configurations are the same as or similar to the embodiment described with reference to FIG.
(2) Second Modified Example FIG. 48 is a modified example of FIG. The transistor 32d is a P-channel transistor. The other configurations are the same as or similar to the embodiment described with reference to FIG.
(3) Third Modification FIG. 49 is a modification of FIG. In FIG. 49, a transistor 32d for short-circuiting the gate terminal and the source terminal of the transistor 32b is provided. One terminal of the photosensor 35 is fixed to a predetermined potential (ground potential).

以上の第1、第2および第3の変更例は、本発明の他の実施例にも適用される。また、他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。
(第9の実施形態)
次に第9の実施形態について説明する。図50は、図46のトランジスタ32bを反転回路(インバータ)501に置き換えた第9の実施形態である。
The above first, second and third modification examples are also applied to other embodiments of the present invention. Needless to say, it can be combined with other embodiments.
(Ninth embodiment)
Next, a ninth embodiment will be described. FIG. 50 shows a ninth embodiment in which the transistor 32b of FIG. 46 is replaced with an inverting circuit (inverter) 501. In FIG.

図50は、ホトセンサ画素27のトランジスタ32bの特性バラツキを補償するため、インバータオフセットキャンセル回路を構成した実施形態である。オフセットキャンセルすることにより、カットオフ電圧を基準に設定させることができるようになる。
(1)反転回路501の構成
反転回路501は、図38に示すように、PチャンネルのトランジスタとNチャンネルのトランジスタで構成する。反転回路501はVddとVss電源で動作するとして説明するが、これに限定するものではなく、Vdd電源と共通信号線38電位で動作するとしてもよい。また、他の電位で動作するとしてもよい。
FIG. 50 shows an embodiment in which an inverter offset cancel circuit is configured to compensate for the characteristic variation of the transistor 32b of the photosensor pixel 27. By canceling the offset, the cutoff voltage can be set based on the reference.
(1) Configuration of Inverting Circuit 501 As shown in FIG. 38, the inverting circuit 501 includes a P-channel transistor and an N-channel transistor. Although the inverter circuit 501 is described as operating with Vdd and Vss power supplies, the invention is not limited to this, and the inverter circuit 501 may be operated with the Vdd power supply and the common signal line 38 potential. Further, it may be operated at another potential.

反転回路501のa点の電位により、反転回路501のPチャンネルトランジスタまたはNチャンネルトランジスタが動作し、b点に出力される。つまり、a点電位によりb点に出力される電圧が変化する。このb点の電圧は、トランジスタ32cをオンさせることによりホトセンサ出力信号線25に出力される。
(2)動作の内容
ゲート信号線22cはゲートドライバ回路12によって制御される。また、ゲート信号線22dには、Pチャンネルトランジスタ32dpのゲート端子が接続されている。ゲート信号線22dにオン電圧が印加されると、Pチャンネルトランジスタ32dpがオン(トランジスタ32dpのチャンネル間がクローズ)する。ゲート信号線22dにオフ電圧が印加されると、Pチャンネルトランジスタ32dpがオフ(トランジスタ32dpのチャンネル間がオープン)する。
The P-channel transistor or N-channel transistor of the inverting circuit 501 operates by the potential at the point a of the inverting circuit 501 and is output to the point b. That is, the voltage output to the point b changes depending on the potential at the point a. The voltage at the point b is output to the photosensor output signal line 25 by turning on the transistor 32c.
(2) Contents of Operation The gate signal line 22c is controlled by the gate driver circuit 12. Further, the gate terminal of the P channel transistor 32dp is connected to the gate signal line 22d. When an on-voltage is applied to the gate signal line 22d, the P-channel transistor 32dp is turned on (the channel between the transistors 32dp is closed). When the off voltage is applied to the gate signal line 22d, the P-channel transistor 32dp is turned off (the channel between the transistors 32dp is opened).

反転回路501をオフセット動作させるときは、ゲート信号線22dにオン電圧が印加し、Pチャンネルトランジスタ32dpがオン(トランジスタ32dpのチャンネル間がクローズ)する。他の動作状態のときは、ゲート信号線22dにオフ電圧が印加し、Pチャンネルトランジスタ32dpがオフ(トランジスタ32dpのチャンネル間がオープン)にする。   When the inverting circuit 501 is offset, a turn-on voltage is applied to the gate signal line 22d and the P-channel transistor 32dp is turned on (the channel between the transistors 32dp is closed). In other operating states, a turn-off voltage is applied to the gate signal line 22d, and the P-channel transistor 32dp is turned off (the channel between the transistors 32dp is opened).

以上ように、トランジスタ32dpはゲート信号線22dの印加されたオン電圧により動作する。トランジスタ32dpはオン電圧の印加により、チャンネル間のインピーダンスが低下し、反転回路501のa端子とb端子間が短絡状態となる。したがって、反転回路501はリセットされる。   As described above, the transistor 32dp operates with the on-voltage applied to the gate signal line 22d. In the transistor 32dp, the impedance between the channels decreases due to the application of the ON voltage, and the a terminal and the b terminal of the inverting circuit 501 are short-circuited. Therefore, the inverting circuit 501 is reset.

以上のリセット動作後、ゲート信号線22dpのオフ電圧が印加される。すると、トランジスタ32dpはオフ電圧の印加により、チャンネル間がオープンとなり、a端子とb端子間が切り離される。   After the above reset operation, the off voltage of the gate signal line 22dp is applied. Then, the transistor 32dp is opened between the channels by applying the off voltage, and the a terminal and the b terminal are disconnected.

図50では、プリチャージ信号Vpを印加する前に、ゲート信号線22dpにオン電圧が印加され、トランジスタ63dpがオンする。トランジスタ32dpがオンすると、トランジスタ32bpのドレイン端子Dとゲート端子G間が短絡される。ゲート端子Gとドレイン端子Dの短絡により反転回路501はVt電圧にリセットされる。つまり、反転回路501は、電流を流し始める電圧(基本的にはVt電圧)に設定される。この電圧をV0電圧とする。このとき、プリチャージ信号線は、所定の電位V1が印加される。   In FIG. 50, before applying the precharge signal Vp, an ON voltage is applied to the gate signal line 22dp, and the transistor 63dp is turned on. When the transistor 32dp is turned on, the drain terminal D and the gate terminal G of the transistor 32bp are short-circuited. Due to a short circuit between the gate terminal G and the drain terminal D, the inverting circuit 501 is reset to the Vt voltage. That is, the inverting circuit 501 is set to a voltage at which current starts to flow (basically, the Vt voltage). This voltage is referred to as V0 voltage. At this time, a predetermined potential V1 is applied to the precharge signal line.

ゲート端子Gの電位は、ホトセンサ35の電位である。次に、ゲート信号線22cにオン電圧が印加されるとともに、プリチャージ信号線24にプリチャージ信号Vpが印加される。トランジスタ32aがオンし、プリチャージ信号Vpはカップリングコンデンサ461を介してホトセンサ35に印加される。つまり、トランジスタ32bのゲート端子には、V0電圧に加算された電圧V2が印加される。V2電圧は、基本的にはV1電圧に相関あるいは比例する。V1はコンデンサ461とコンデンサ34などで分圧されてV2電圧となる。   The potential of the gate terminal G is the potential of the photosensor 35. Next, an on-voltage is applied to the gate signal line 22 c and a precharge signal Vp is applied to the precharge signal line 24. The transistor 32 a is turned on, and the precharge signal Vp is applied to the photosensor 35 via the coupling capacitor 461. That is, the voltage V2 added to the V0 voltage is applied to the gate terminal of the transistor 32b. The V2 voltage is basically correlated or proportional to the V1 voltage. V1 is divided by a capacitor 461, a capacitor 34, and the like to become a V2 voltage.

以上の動作によりトランジスタ32bのゲート端子にはV2電圧が印加される。ゲート信号線22cにオフ電圧が印加される。したがって、トランジスタ32aがオフされ、V2電圧がホトセンサ35の一端子に保持される。   With the above operation, the V2 voltage is applied to the gate terminal of the transistor 32b. An off voltage is applied to the gate signal line 22c. Therefore, the transistor 32a is turned off, and the voltage V2 is held at one terminal of the photosensor 35.

以降の動作は他の実施形態と同様である。つまり、外光によりホトセンサ35がリークしV2電圧が低下していく。V2電圧が、反転回路501のVt電圧の以上か以下になれば、それに対応してb点の電位が変化する。トランジスタ32cをオンさせることにより、トランジスタ32bの状態をホトセンサ出力信号線25に出力する。他の構成は先に説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
(3)第1の変更例
変更例として、図50の点線内で図示するトランジスタ32dnを付加する構成を説明する。この構成の場合は、ホトセンサ35のGND端子は必要ない。トランジスタ32dnによりGNDに接地されるからである。ゲート信号線22cはゲートドライバ回路12によって制御される。
Subsequent operations are the same as in the other embodiments. That is, the photosensor 35 leaks due to external light, and the V2 voltage decreases. If the V2 voltage is equal to or higher than the Vt voltage of the inverting circuit 501, the potential at the point b changes correspondingly. By turning on the transistor 32c, the state of the transistor 32b is output to the photosensor output signal line 25. Other configurations are the same as or similar to those of the above-described embodiment, and thus description thereof is omitted.
(3) First Modified Example As a modified example, a configuration in which the transistor 32dn illustrated within the dotted line in FIG. 50 is added will be described. In the case of this configuration, the GND terminal of the photosensor 35 is not necessary. This is because the transistor 32dn is grounded to GND. The gate signal line 22c is controlled by the gate driver circuit 12.

また、ゲート信号線22dには、Pチャンネルトランジスタ32dpとトランジスタ32dnのゲート端子が接続されている。ゲート信号線22dにオン電圧が印加されると、Pチャンネルトランジスタ32dpがオン(トランジスタ32dpのチャンネル間がクローズ)し、Nチャンネルトランジスタ32dnがオフ(トランジスタ32dnのチャンネル間がオープン)する。ゲート信号線22dにオフ電圧が印加されると、Nチャンネルトランジスタ32dnがオン(トランジスタ32dnのチャンネル間がクローズ)し、Pチャンネルトランジスタ32dpがオフ(トランジスタ32dpのチャンネル間がオープン)する。つまり、Pチャンネルトランジスタ32dpとNチャンネルトランジスタ32dnは逆動作する。   The gate terminal of the P channel transistor 32dp and the transistor 32dn is connected to the gate signal line 22d. When an on voltage is applied to the gate signal line 22d, the P-channel transistor 32dp is turned on (the channel between the transistors 32dp is closed), and the N-channel transistor 32dn is turned off (the channel between the transistors 32dn is opened). When the off voltage is applied to the gate signal line 22d, the N-channel transistor 32dn is turned on (the channel between the transistors 32dn is closed), and the P-channel transistor 32dp is turned off (the channel between the transistors 32dp is opened). That is, the P channel transistor 32dp and the N channel transistor 32dn operate in reverse.

反転回路501をオフセット動作させるときは、ゲート信号線22dにオン電圧が印加し、Pチャンネルトランジスタ32dpがオン(トランジスタ32dpのチャンネル間がクローズ)する。このとき、Nチャンネルトランジスタ32dnがオフ(トランジスタ32dnのチャンネル間がオープン)する。他の動作状態のときは、ゲート信号線22dにオフ電圧が印加し、Nチャンネルトランジスタ32dnがオン(トランジスタ32dnのチャンネル間がクローズ)させ、Pチャンネルトランジスタ32dpがオフ(トランジスタ32dpのチャンネル間がオープン)にする。   When the inverting circuit 501 is offset, a turn-on voltage is applied to the gate signal line 22d and the P-channel transistor 32dp is turned on (the channel between the transistors 32dp is closed). At this time, the N-channel transistor 32dn is turned off (the channel between the transistors 32dn is opened). In other operating states, a turn-off voltage is applied to the gate signal line 22d, the N-channel transistor 32dn is turned on (the channel between the transistors 32dn is closed), and the P-channel transistor 32dp is turned off (the channel between the transistors 32dp is open). ).

以上ように、トランジスタ32dp、トランジスタ32dnはゲート信号線22dの印加されたオン電圧により動作する。トランジスタ32dpはオン電圧の印加により、チャンネル間のインピーダンスが低下し、反転回路501のa端子とb端子間が短絡状態となる。したがって、反転回路501はリセットされ、ホトセンサ35の両端子間も短絡されるとともに、コンデンサ34の電荷も放電される。   As described above, the transistor 32dp and the transistor 32dn operate with the on-voltage applied to the gate signal line 22d. In the transistor 32dp, the impedance between the channels decreases due to the application of the ON voltage, and the a terminal and the b terminal of the inverting circuit 501 are short-circuited. Therefore, the inverting circuit 501 is reset, both terminals of the photosensor 35 are short-circuited, and the electric charge of the capacitor 34 is discharged.

以上のリセット動作後、ゲート信号線22dpのオフ電圧が印加される。すると、トランジスタ32dpはオフ電圧の印加により、チャンネル間がオープンとなり、a端子とb端子間が切り離される。一方、トランジスタ32dnがオン状態となり、ホトセンサ35のc端子が共通信号線38に接続され、共通信号線38の電位が印加される。のインピーダンスが低下し、反転回路501のa端子とb端子間が短絡状態となる。したがって、反転回路501はリセットされ、ホトセンサ35の両端子間も短絡されるとともに、コンデンサ34の電荷も放電される。   After the above reset operation, the off voltage of the gate signal line 22dp is applied. Then, the transistor 32dp is opened between the channels by applying the off voltage, and the a terminal and the b terminal are disconnected. On the other hand, the transistor 32dn is turned on, the c terminal of the photosensor 35 is connected to the common signal line 38, and the potential of the common signal line 38 is applied. , And the a terminal and the b terminal of the inverting circuit 501 are short-circuited. Therefore, the inverting circuit 501 is reset, both terminals of the photosensor 35 are short-circuited, and the electric charge of the capacitor 34 is discharged.

他の構成は先に説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
(4)第2の変更例
図51は図45と同様に、図50などのインバータオフセット回路において、共通信号線38をゲート信号線22aと共通にした変更例である。
Other configurations are the same as or similar to those of the above-described embodiment, and thus description thereof is omitted.
(4) Second Modified Example FIG. 51 is a modified example in which the common signal line 38 is shared with the gate signal line 22a in the inverter offset circuit of FIG.

他の構成は先に説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
(5)第3の変更例
図52もオフセットキャンセル回路の第3の変更例である。図52では、プリチャージ信号Vpを印加する前に、ゲート信号線22eにオン電圧が印加され、トランジスタ32eをオンさせる。トランジスタ32eはb点の電荷を放電する。
Other configurations are the same as or similar to those of the above-described embodiment, and thus description thereof is omitted.
(5) Third Modification Example FIG. 52 is also a third modification example of the offset cancel circuit. In FIG. 52, before applying the precharge signal Vp, an ON voltage is applied to the gate signal line 22e to turn on the transistor 32e. The transistor 32e discharges the charge at point b.

次に、ゲート信号線22dのオン電圧を印加する。トランジスタ32dがオンすると、トランジスタ32bのドレイン端子Dとゲート端子G間が短絡される。ゲート端子Gとドレイン端子Dの短絡によりトランジスタ32bはVt電圧にリセットされる。つまり、トランジスタ32bのゲート端子Gの電圧は、電流を流し始める電圧(基本的にはVt電圧)に設定される。この電圧をV0電圧とする。このとき、プリチャージ信号線は、所定の電位V1が印加される。   Next, the ON voltage of the gate signal line 22d is applied. When the transistor 32d is turned on, the drain terminal D and the gate terminal G of the transistor 32b are short-circuited. Due to a short circuit between the gate terminal G and the drain terminal D, the transistor 32b is reset to the Vt voltage. That is, the voltage at the gate terminal G of the transistor 32b is set to a voltage at which current starts to flow (basically, the Vt voltage). This voltage is referred to as V0 voltage. At this time, a predetermined potential V1 is applied to the precharge signal line.

ゲート端子Gの電位は、ホトセンサ35の電位である。次に、ゲート信号線22cにオン電圧が印加されるとともに、プリチャージ信号線24にプリチャージ信号Vpが印加される。トランジスタ32aがオンし、プリチャージ信号Vpはカップリングコンデンサ461を介してホトセンサ35に印加される。つまり、トランジスタ32bのゲート端子には、V0電圧に加算された電圧V2が印加される。V2電圧は、基本的にはV1電圧に相関あるいは比例する。V1はコンデンサ461とコンデンサ34などで分圧されてV2電圧となる。   The potential of the gate terminal G is the potential of the photosensor 35. Next, an on-voltage is applied to the gate signal line 22 c and a precharge signal Vp is applied to the precharge signal line 24. The transistor 32 a is turned on, and the precharge signal Vp is applied to the photosensor 35 via the coupling capacitor 461. That is, the voltage V2 added to the V0 voltage is applied to the gate terminal of the transistor 32b. The V2 voltage is basically correlated or proportional to the V1 voltage. V1 is divided by a capacitor 461, a capacitor 34, and the like to become a V2 voltage.

以上の動作によりトランジスタ32bのゲート端子にはV2電圧が印加される。ゲート信号線22cにオフ電圧が印加される。したがって、トランジスタ32aがオフされ、V2電圧がホトセンサ35の一端子に保持される。   With the above operation, the V2 voltage is applied to the gate terminal of the transistor 32b. An off voltage is applied to the gate signal line 22c. Therefore, the transistor 32a is turned off, and the voltage V2 is held at one terminal of the photosensor 35.

以降の動作は他の実施形態と同様である。つまり、外光によりホトセンサ35がリークしV2電圧が低下していく。V2電圧が、トランジスタ32bのVt電圧以下になれば、トランジスタ32bがオフ状態となる。トランジスタ32cをオンさせることにより、トランジスタ32bの状態をホトセンサ出力信号線25に出力する。他の構成は先に説明した実施形態と同様あるいは類似であるので説明を省略する。   Subsequent operations are the same as in the other embodiments. That is, the photosensor 35 leaks due to external light, and the V2 voltage decreases. When the V2 voltage becomes equal to or lower than the Vt voltage of the transistor 32b, the transistor 32b is turned off. By turning on the transistor 32c, the state of the transistor 32b is output to the photosensor output signal line 25. Since other configurations are the same as or similar to the above-described embodiment, the description thereof is omitted.

以上の第1、第2および第3の変更例は、本発明の他の実施例にも適用される。また、他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。
(第10の実施形態)
外光の強度は1ルックス〜10万ルックスまで広範囲である。アレイ基板11にホトセンサ35が作製される。ホトセンサ35の感度はホトセンサのサイズ、半導体膜特性で決定されるため、広範囲の外光に対応させるためには、露光時間Tcの調整、プリチャージ信号Vpの調整などにより行う。本実施形態は、より広範囲の外光に対応するための画素構成について説明する。
The first, second, and third modifications described above are also applied to other embodiments of the present invention. Needless to say, it can be combined with other embodiments.
(Tenth embodiment)
The intensity of outside light ranges widely from 1 lux to 100,000 lux. A photo sensor 35 is formed on the array substrate 11. Since the sensitivity of the photosensor 35 is determined by the size of the photosensor and the semiconductor film characteristics, adjustment to the exposure time Tc, adjustment of the precharge signal Vp, etc. is performed in order to cope with a wide range of external light. In the present embodiment, a pixel configuration for dealing with a wider range of outside light will be described.

図53に示す第9の実施形態は、プリチャージ信号Vpを印加するトランジスタ32aを複数個形成している。   In the ninth embodiment shown in FIG. 53, a plurality of transistors 32a for applying the precharge signal Vp are formed.

トランジスタ32aには直列に抵抗Rを形成している。抵抗Rは拡散抵抗で形成する。トランジスタ32a1には直列に抵抗R1を形成し、トランジスタ32a2には直列に抵抗R2を形成する。トランジスタ32a1とトランジスタ32a2をオンする時間が同一であっても、抵抗R(R1、R2)のインピーダンスが高いほどホトセンサ35に書き込まれるプリチャージ信号Vpは小さくなる。したがって、R1とR2の抵抗値を異ならせることによりトランジスタ32a1をオンさせたときのプリチャージ信号Vpとトランジスタ32a2をオンさせたときのプリチャージ信号Vpとを異ならせることができる。プリチャージ信号Vpにより必要な露光時間Tcを可変することができる。したがって、図53により外光の感度範囲を拡大することができる。
(1)第1の変更例
トランジスタ32a1のゲート端子に印加するオン電圧と、トランジスタ32a2のゲート端子に印加するオン電圧とを異ならせることにより、等価的にR1とR2の抵抗値を異ならせることができる。
A resistor R is formed in series with the transistor 32a. The resistor R is formed by a diffused resistor. A resistor R1 is formed in series with the transistor 32a1, and a resistor R2 is formed in series with the transistor 32a2. Even if the time for turning on the transistors 32a1 and 32a2 is the same, the precharge signal Vp written to the photosensor 35 becomes smaller as the impedance of the resistor R (R1, R2) is higher. Therefore, by making the resistance values of R1 and R2 different, the precharge signal Vp when the transistor 32a1 is turned on and the precharge signal Vp when the transistor 32a2 is turned on can be made different. The necessary exposure time Tc can be varied by the precharge signal Vp. Therefore, the sensitivity range of external light can be expanded by FIG.
(1) First Modification By making the ON voltage applied to the gate terminal of the transistor 32a1 different from the ON voltage applied to the gate terminal of the transistor 32a2, the resistance values of R1 and R2 are equivalently made different. Can do.

例えば、トランジスタ32aがNチャンネルの場合、印加するオン電圧が高いほどチャンネル間のインピーダンスが低下する(抵抗Rは小さくなる)。印加するオン電圧がVt電圧近傍になるほど、トランジスタ32aのチャンネル間のインピーダンスが高くなる(抵抗Rは高くなる)。この場合は、トランジスタ32a1とトランジスタ32a2を駆動するゲート信号線22cを別のゲート信号線に形成すれば容易に実現できる。
(2)第2の変更例
図53の実施形態は、トランジスタ32aを複数形成して、プリチャージ信号Vpを可変する構成であった。しかし、トランジスタ32aの他に、別途スイッチを形成してもよい。例えば、図54ではスイッチS1、S2を形成している。
(3)第3の変更例
図54は、トランジスタ32cの他に、スイッチS1、S2を形成し、抵抗R1、R2を形成した実施形態である。
For example, when the transistor 32a is an N channel, the higher the ON voltage to be applied, the lower the impedance between the channels (the resistance R becomes smaller). The closer the applied ON voltage is to the Vt voltage, the higher the impedance between the channels of the transistor 32a (the resistance R becomes higher). In this case, it can be easily realized if the gate signal line 22c for driving the transistors 32a1 and 32a2 is formed on another gate signal line.
(2) Second Modification The embodiment of FIG. 53 has a configuration in which a plurality of transistors 32a are formed and the precharge signal Vp is variable. However, a separate switch may be formed in addition to the transistor 32a. For example, in FIG. 54, switches S1 and S2 are formed.
(3) Third Modification FIG. 54 is an embodiment in which switches S1 and S2 are formed in addition to the transistor 32c, and resistors R1 and R2 are formed.

スイッチS1の選択により抵抗R1がトランジスタ32cに直列に接続される。スイッチS2の選択により抵抗R2がトランジスタ32cに直列に接続される。トランジスタ32cをオンする時間が同一であっても、抵抗R(R1、R2)のインピーダンスが高いほどホトセンサ出力信号線25に出力される電荷は小さくなる。したがって、R1とR2の抵抗値を異ならせることによりトランジスタ32cをオンさせたときの出力を異ならせることができる。したがって、図53により外光の感度範囲を拡大することができる。他の構成などは図53と同様であるので説明を省略する。   The resistor R1 is connected in series with the transistor 32c by the selection of the switch S1. The resistor R2 is connected in series with the transistor 32c by the selection of the switch S2. Even if the time to turn on the transistor 32c is the same, the higher the impedance of the resistor R (R1, R2), the smaller the charge output to the photosensor output signal line 25. Therefore, by making the resistance values of R1 and R2 different, the output when the transistor 32c is turned on can be made different. Therefore, the sensitivity range of external light can be expanded by FIG. Other configurations are the same as those in FIG.

以上の第1、第2および第3の変更例は、本発明の他の実施例にも適用される。また、他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。
(第11の実施形態)
図55(a)に示すように、トランジスタ32bを複数個形成し、このトランジスタ32bのWL比(チャンネル幅W、チャンネル長Lとの比)などを異ならせることにより、トランジスタ32bのVt電圧を異ならせることができる。Vt電圧が異なり、どのトランジスタ32bが動作しているかを検出できれば、外光の強度を相対的に知ることができる。
The above first, second and third modification examples are also applied to other embodiments of the present invention. Needless to say, it can be combined with other embodiments.
(Eleventh embodiment)
As shown in FIG. 55A, a plurality of transistors 32b are formed, and the Vt voltage of the transistor 32b is made different by changing the WL ratio (ratio of channel width W and channel length L) of the transistor 32b. Can be made. If the Vt voltage is different and it is possible to detect which transistor 32b is operating, the intensity of external light can be known relatively.

例えば、トランジスタ32b1のVt電圧が1.5Vで、トランジスタ32b2のVt電圧が2.0Vであるとする。また、露光時間Tcは一定とする。ホトセンサ35のa点の端子電圧が低下し、1.5V以下となれば、トランジスタ32b1とトランジスタ32b2の両方がオフ状態である。したがって、ホトセンサ35のa点の端子電圧は、1.5V以下であることを検出でき、外光が強く、ホトセンサ35のリーク量が大きいことがわかる。ホトセンサ35のa点の端子電圧が低下し、1.5V以上2.0以下であれば、トランジスタ32b1はオン状態であるが、トランジスタ32b2はオフ状態である。   For example, it is assumed that the Vt voltage of the transistor 32b1 is 1.5V and the Vt voltage of the transistor 32b2 is 2.0V. The exposure time Tc is constant. If the terminal voltage at the point a of the photosensor 35 decreases to 1.5 V or less, both the transistor 32b1 and the transistor 32b2 are in the off state. Therefore, it can be detected that the terminal voltage at point a of the photosensor 35 is 1.5 V or less, and it is understood that the ambient light is strong and the leak amount of the photosensor 35 is large. If the terminal voltage at point a of the photosensor 35 decreases and is 1.5 V or more and 2.0 or less, the transistor 32b1 is in the on state, but the transistor 32b2 is in the off state.

したがって、ホトセンサ35のa点の端子電圧は、1.5V以上2.0V以下であることを検出でき、外光が比較的強いことがわかる。ホトセンサ35のa点の端子電圧が低下し、2.0V以上であれば、トランジスタ32b1とトランジスタ32b2の両方がオン状態である。したがって、ホトセンサ35のa点の端子電圧は、2.0V以上であることを検出でき、外光が弱く、ホトセンサ35がほとんどリークしなかったことがわかる。   Therefore, it can be detected that the terminal voltage at the point a of the photosensor 35 is 1.5 V or more and 2.0 V or less, and it is understood that the external light is relatively strong. If the terminal voltage at the point a of the photosensor 35 decreases and is 2.0 V or higher, both the transistor 32b1 and the transistor 32b2 are in the on state. Therefore, it can be detected that the terminal voltage at point a of the photosensor 35 is 2.0 V or higher, the external light is weak, and the photosensor 35 hardly leaks.

図55(a)に示すように、トランジスタ32bを複数個形成し、この複数個のトランジスタ32bの特性が同一であっても、このトランジスタ32bのドレイン端子Dの電圧などを異ならせることにより、ホトセンサ35の端子電圧に対する感度を異ならせることができる。   As shown in FIG. 55 (a), a plurality of transistors 32b are formed, and even if the characteristics of the plurality of transistors 32b are the same, the voltage at the drain terminal D of the transistors 32b is made different, so that the photo sensor The sensitivity to the terminal voltage of 35 can be varied.

図55(a)では、トランジスタ32b1のドレイン端子D電圧は、Vg1とし、トランジスタ32b2のドレイン端子D電圧は、Vg2としている。したがって、どのトランジスタ32bが動作しているかを検出できれば、外光の強度を相対的に知ることができる。選択するトランジスタ32bはスイッチS(S1、S2)で行う。   In FIG. 55A, the drain terminal D voltage of the transistor 32b1 is Vg1, and the drain terminal D voltage of the transistor 32b2 is Vg2. Therefore, if it can be detected which transistor 32b is operating, the intensity of external light can be known relatively. The transistor 32b to be selected is performed by the switch S (S1, S2).

例えば、トランジスタ32b1のドレイン端子D電圧が0Vで、トランジスタ32b2のドレイン端子D電圧が−2.0Vであるとする。また、露光時間Tcは一定とする。ホトセンサ35のa点の端子電圧が低下すれば、トランジスタ32b1がトランジスタ32b2よりも先にオフする。外光が強く、ホトセンサ35のa端子電圧がさらに低下すれば、トランジスタ32b1とトランジスタ32b2の両方がオフする。外光が全くないか、微弱の場合は、トランジスタ32b1、トランジスタ32b2の両方はオン状態を保持する。いずれのトランジスタ32bがオン状態であるかは、スイッチS(S1、S2)を切り替えることにより選択できる。
(1)第1の変更例
上記実施形態は、トランジスタ32bのドレイン端子D電圧を異ならせるものであった。他に図55(b)に示すように、ホトセンサ35を複数個形成し、この端子電圧を異ならせることによっても実現できる。ホトセンサ35はトランジスタをダイオード接続して形成する。
For example, it is assumed that the drain terminal D voltage of the transistor 32b1 is 0V and the drain terminal D voltage of the transistor 32b2 is −2.0V. The exposure time Tc is constant. When the terminal voltage at the point a of the photosensor 35 decreases, the transistor 32b1 is turned off before the transistor 32b2. If the external light is strong and the a terminal voltage of the photosensor 35 further decreases, both the transistor 32b1 and the transistor 32b2 are turned off. When there is no external light or the light is weak, both the transistor 32b1 and the transistor 32b2 are kept on. Which transistor 32b is on can be selected by switching the switch S (S1, S2).
(1) First Modification In the above embodiment, the drain terminal D voltage of the transistor 32b is made different. In addition, as shown in FIG. 55 (b), it can be realized by forming a plurality of photosensors 35 and making the terminal voltages different. The photosensor 35 is formed by diode-connecting transistors.

ホトセンサ35を複数個形成し、この複数個のホトセンサ35の特性が同一であっても、このホトセンサ35の一端子の電圧を図55(b)に示すように、Vg2電圧と、共通信号線38の電位のように異ならせる。スイッチS(S1、S2)の選択により、ホトセンサ35の一端子に所定の電圧が印加される。ホトセンサ35の端子電圧が異なれば、保持する電荷量が異なるから、外光に対する感度を異ならせることができる。したがって、どのホトセンサが動作しているかを検出できれば、外光の強度を相対的に知ることができる。選択するホトセンサ35はスイッチS(S1、S2)で行う。   Even if a plurality of photosensors 35 are formed and the characteristics of the plurality of photosensors 35 are the same, the voltage at one terminal of the photosensor 35 is set to the Vg2 voltage and the common signal line 38 as shown in FIG. The potential is different. By selecting the switch S (S1, S2), a predetermined voltage is applied to one terminal of the photosensor 35. If the terminal voltage of the photosensor 35 is different, the amount of charge to be held is different, so that the sensitivity to external light can be made different. Therefore, if it can detect which photosensor is operating, the intensity of external light can be known relatively. The photo sensor 35 to be selected is performed by the switch S (S1, S2).

例えば、ホトセンサ35bに印加する端子電圧が0Vで、ホトセンサ35aに印加する端子電圧が−2.0Vであるとする。また、露光時間Tcは一定とする。外光によりホトセンサ35(35a、35b)のa点の端子電圧が低下する。この低下の差は、ホトセンサ35aと35bで異なる。スイッチS1とS2で選択することができる。もちろん、両方のホトセンサ35a、35bを選択してもよい。
(2)第2の変更例
また、図56に示すように、ホトセンサ35a、35bの一端子の電圧を共通信号線38の電位としておき、スイッチS1、S2によりホトセンサ35aと35bのいずれかを選択してもよいことはいうまでもない。ホトセンサ35a、ホトセンサ35bのリーク特性は異ならせる。リーク特性を異ならせるには、ホトセンサ35を形成するトランジスタのWL(W:チャンネル幅、L:チャンネル長)などを変化させればよい。
(3)第3の変更例
なお、図53、図54と同様に、ホトセンサ35に直列に抵抗Rを形成してもよい。抵抗Rは拡散抵抗で形成する。トランジスタ32a1には直列に抵抗R1を形成する。
For example, it is assumed that the terminal voltage applied to the photosensor 35b is 0V and the terminal voltage applied to the photosensor 35a is -2.0V. The exposure time Tc is constant. The terminal voltage at point a of the photosensor 35 (35a, 35b) decreases due to external light. The difference in decrease is different between the photosensors 35a and 35b. Selection can be made with the switches S1 and S2. Of course, both photosensors 35a and 35b may be selected.
(2) Second Modification As shown in FIG. 56, the voltage at one terminal of the photosensors 35a and 35b is set as the potential of the common signal line 38, and one of the photosensors 35a and 35b is selected by the switches S1 and S2. Needless to say. The leak characteristics of the photo sensor 35a and the photo sensor 35b are made different. In order to vary the leak characteristics, the WL (W: channel width, L: channel length) of the transistors forming the photosensor 35 may be changed.
(3) Third Modification Note that a resistor R may be formed in series with the photosensor 35, as in FIGS. The resistor R is formed by a diffused resistor. A resistor R1 is formed in series with the transistor 32a1.

例えば、ホトセンサセンサ35aに抵抗R1、ホトセンサ35bには直列に抵抗R2を形成する。ホトセンサ35aとホトセンサ35bに照射される外光が同一であり、ホトセンサ35a、35bの特性が略同一でリーク特性が一致していても、抵抗R(R1、R2)のインピーダンスが高いほどホトセンサ35から放電される単位時間あたりの電荷量は異なる。したがって、R1とR2の抵抗値を異ならせることによりホトセンサ35a、35bの端子電圧を異ならせることができる。したがって、スイッチS1とS2の選択により、露光時間Tcを可変することができる。したがって、外光の感度範囲を拡大することができる。   For example, a resistor R1 is formed in the photosensor sensor 35a, and a resistor R2 is formed in series in the photosensor 35b. Even if the external light irradiated to the photosensor 35a and the photosensor 35b is the same, and the characteristics of the photosensors 35a and 35b are substantially the same and the leak characteristics match, the higher the impedance of the resistor R (R1, R2), The amount of charge discharged per unit time is different. Therefore, the terminal voltages of the photosensors 35a and 35b can be made different by making the resistance values of R1 and R2 different. Therefore, the exposure time Tc can be varied by selecting the switches S1 and S2. Therefore, the sensitivity range of external light can be expanded.

また、ホトセンサ35はトランジスタをダイオード接続したもので構成している。したがって、このトランジスタのゲート端子を別途引出し、ゲート端子に印加する電圧を調整することにより、異なるダイオード特性のホトセンサを構成できる。前記ゲート電圧はボリウム回路で供給する。また、外光の強さにより調整あるいは設定するとよい。
(4)第4の変更例
本実施形態は、他の実施形態と組み合わせてよい。以上の事項は本実施形態の他の実施形態においての同様である。
(5)第5の変更例
共通信号線38に印加する電圧はDC電圧に限定するものではなく、交流電圧、矩形電圧でもよい。
(6)第6の変更例
矩形電圧などのレベルを変化させることによりホトセンサ35の露光時間Tcなどを調整できる。以上の事項は本実施形態の他の実施形態にも適用できることはいうまでもない。
(7)第7の変更例
図57に示すように、複数のコンデンサ34を形成し、一端子の電圧を共通信号線38の電位としておき、スイッチS1、S2によりいずれかのコンデンサ34をいずれかを選択してもよい。コンデンサ34の容量によりa点の電位変化は異なる。
The photosensor 35 is constituted by a diode-connected transistor. Therefore, a photosensor having different diode characteristics can be configured by separately pulling out the gate terminal of the transistor and adjusting the voltage applied to the gate terminal. The gate voltage is supplied by a volume circuit. Further, it may be adjusted or set according to the intensity of outside light.
(4) Fourth Modification This embodiment may be combined with other embodiments. The above matters are the same as in other embodiments of the present embodiment.
(5) Fifth Modification The voltage applied to the common signal line 38 is not limited to a DC voltage, but may be an AC voltage or a rectangular voltage.
(6) Sixth Modification The exposure time Tc of the photo sensor 35 can be adjusted by changing the level of the rectangular voltage or the like. It goes without saying that the above items can be applied to other embodiments of the present embodiment.
(7) Seventh Modification As shown in FIG. 57, a plurality of capacitors 34 are formed, the voltage at one terminal is set as the potential of the common signal line 38, and one of the capacitors 34 is selected by the switches S1 and S2. May be selected. The potential change at point a varies depending on the capacitance of the capacitor 34.

なお、両方(複数)のコンデンサ34を選択してもよい。したがって、スイッチS1とS2の選択により、露光時間Tcを可変することができる。したがって、外光の感度範囲を拡大することができる。
(8)第8の変更例
図58に示すように、複数のトランジスタ32b(32b1、32b2)を形成し、一端子の電圧を共通信号線38の電位としておき、スイッチS1、S2によりいずれかのトランジスタ32bをいずれかを選択してもよい。
Note that both (plurality) of capacitors 34 may be selected. Therefore, the exposure time Tc can be varied by selecting the switches S1 and S2. Therefore, the sensitivity range of external light can be expanded.
(8) Eighth Modified Example As shown in FIG. 58, a plurality of transistors 32b (32b1, 32b2) are formed, and the voltage at one terminal is set as the potential of the common signal line 38. Either of the transistors 32b may be selected.

トランジスタ32b(32b1、32b2)を形成するトランジスタのWL(W:チャンネル幅、L:チャンネル長)などを変化させる。スイッチS1とS2の選択により、露光時間Tcを可変することができる。したがって、外光の感度範囲を拡大することができる。   The WL (W: channel width, L: channel length) of the transistor forming the transistor 32b (32b1, 32b2) is changed. The exposure time Tc can be varied by selecting the switches S1 and S2. Therefore, the sensitivity range of external light can be expanded.

以上の第1から第8の変更例は、本発明の他の実施例にも適用される。また、他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。
(第12の実施形態)
図59は本発明の他の実施例である。図55、図56、図57、図58、図58はプリチャージ信号Vpをホトセンサ35などに印加する構成であった。図59の実施例は、ソースドライバ回路14より書き込み電流を出力し、この電流でホトセンサ35に電位設定を行う構成である。つまり、プリチャージ信号Vpの代わりに電流でホトセンサ画素27に電位設定を行う実施例である。
The first to eighth modifications described above are also applied to other embodiments of the present invention. Needless to say, it can be combined with other embodiments.
(Twelfth embodiment)
FIG. 59 shows another embodiment of the present invention. 55, 56, 57, 58, and 58 are configured to apply the precharge signal Vp to the photosensor 35 and the like. The embodiment of FIG. 59 has a configuration in which a write current is output from the source driver circuit 14 and a potential is set in the photosensor 35 with this current. That is, in this embodiment, the potential of the photosensor pixel 27 is set with a current instead of the precharge signal Vp.

図59において、SW1、SW2はトランジスタで構成されたスイッチである。スイッチSW1は、ソース信号線24(a接点)、またはグランド電位などの所定電位(b接点)を選択する。スイッチSW2は、ホトセンサ出力信号線25(b接点)、またはアノード電圧Vddなどの所定電位(a接点)を選択する。トランジスタ32bにゲート端子には、電荷保持用のコンデンサ34とホトセンサ35が接続されている。また、コンデンサ34とホトセンサ35の一端子は、アノード端子Vddと接続されている。トランジスタ32dはスイッチ用トランジスタであり、トランジスタ32bのゲート端子とドレイン端子を短絡する。   In FIG. 59, SW1 and SW2 are switches composed of transistors. The switch SW1 selects a source signal line 24 (a contact) or a predetermined potential (b contact) such as a ground potential. The switch SW2 selects a predetermined potential (a contact) such as the photosensor output signal line 25 (b contact) or the anode voltage Vdd. A charge holding capacitor 34 and a photosensor 35 are connected to the gate terminal of the transistor 32b. Further, one terminal of the capacitor 34 and the photosensor 35 is connected to the anode terminal Vdd. The transistor 32d is a switching transistor and short-circuits the gate terminal and the drain terminal of the transistor 32b.

図60、図61、図62は図59の動作の説明図である。図60は、ホトセンサ処理回路18により、ホトセンサ画素27に電圧V1を設定する動作の説明図である。   60, 61, and 62 are explanatory diagrams of the operation of FIG. FIG. 60 is an explanatory diagram of an operation of setting the voltage V1 to the photosensor pixel 27 by the photosensor processing circuit 18.

ホトセンサ処理回路18は、所定の定電流を出力する。定電流Iwの大きさは、可変可能である。出力する電流は吸い込み電流である。つまり、ホトセンサ画素27からホトセンサ処理回路18に向かって電流が流れ出る。ただし、トランジスタ32bがPチャンネルの場合である。トランジスタ32bがNチャンネルの場合は逆の電流方向となる。   The photo sensor processing circuit 18 outputs a predetermined constant current. The magnitude of the constant current Iw can be varied. The output current is a sink current. That is, current flows from the photosensor pixel 27 toward the photosensor processing circuit 18. However, the transistor 32b is a P channel. When the transistor 32b is an N channel, the current direction is reversed.

定電流の大きさは、0.1μA以上10μA以下が好ましい。0.1μA以下であると、プリチャージ信号線24の寄生容量により、トランジスタ32bに定常電流が流れるのに時間がかかり、所定時間内に、トランジスタ32bのゲート電位を設定することができない。一方、10μA以上だと、トランジスタ32bのサイズが大きくなりすぎ、画素16の開口率が取れなくなる。   The magnitude of the constant current is preferably 0.1 μA or more and 10 μA or less. If it is 0.1 μA or less, it takes time for the steady current to flow through the transistor 32b due to the parasitic capacitance of the precharge signal line 24, and the gate potential of the transistor 32b cannot be set within a predetermined time. On the other hand, if it is 10 μA or more, the size of the transistor 32b becomes too large and the aperture ratio of the pixel 16 cannot be obtained.

図60に図示するように、スイッチSW1がb端子を選択し、スイッチSW2がa端子を選択することにより、トランジスタ32bから定電流Iwがホトセンサ処理回路18に流れる。   As shown in FIG. 60, the switch SW1 selects the b terminal and the switch SW2 selects the a terminal, whereby the constant current Iw flows from the transistor 32b to the photosensor processing circuit 18.

トランジスタ32bは定電流Iwが流れるようにゲート端子電位を変化させる。トランジスタ32bに定電流Iwが流れている状態で、トランジスタ32bのゲート端子電位がV1であるとする。   The transistor 32b changes the gate terminal potential so that the constant current Iw flows. It is assumed that the gate terminal potential of the transistor 32b is V1 in the state where the constant current Iw flows through the transistor 32b.

図14で説明した画素構成では、トランジスタ32bの特性によらず、一定のプリチャージ信号Vpを印加する駆動方式である。したがって、トランジスタ32bの特性によらず、所定のプリチャージ信号Vpを印加するため、トランジスタ32bの特性によりホトセンサ出力信号線25への出力がばらつく。   The pixel configuration described in FIG. 14 is a driving method in which a constant precharge signal Vp is applied regardless of the characteristics of the transistor 32b. Therefore, since the predetermined precharge signal Vp is applied regardless of the characteristics of the transistor 32b, the output to the photosensor output signal line 25 varies depending on the characteristics of the transistor 32b.

図60の構成では、トランジスタ32bの特性により、定電流Iwが流れる各トランジスタ32bのゲート端子電位V1の値は異なる。V1の値は、トランジスタ32bの特性を反映したものとなっている。そのため、各ホトセンサ画素27のトランジスタ32bの特性がばらついていても、露光時間Tcを一定にすれば、ホトセンサ出力信号線25の出力は一定となる。   In the configuration of FIG. 60, the value of the gate terminal potential V1 of each transistor 32b through which the constant current Iw flows differs depending on the characteristics of the transistor 32b. The value of V1 reflects the characteristics of the transistor 32b. For this reason, even if the characteristics of the transistor 32b of each photosensor pixel 27 vary, the output of the photosensor output signal line 25 becomes constant if the exposure time Tc is made constant.

図60に図示するホトセンサ画素27に定電流Iwを流し、ゲート端子電位が定常状態のV1となると、図61に図示するように、スイッチSW1がb端子に切り交わる。また、トランジスタ32dがオフ(オープン)する。以上の動作により、トランジスタ32bに印加された電圧V1が保持される。したがって、ホトセンサ35には、Vp電圧−V1電圧が印加されることになる。なお、V1電圧は、トランジスタ32bがオンする電圧である。以上のように本発明は、定電流Iwの印加により、トランジスタ32bをオン状態にする。   When a constant current Iw is passed through the photosensor pixel 27 shown in FIG. 60 and the gate terminal potential reaches V1 in a steady state, the switch SW1 is switched to the b terminal as shown in FIG. Further, the transistor 32d is turned off (opened). With the above operation, the voltage V1 applied to the transistor 32b is held. Therefore, the Vp voltage−V1 voltage is applied to the photosensor 35. The V1 voltage is a voltage at which the transistor 32b is turned on. As described above, in the present invention, the transistor 32b is turned on by applying the constant current Iw.

ホトセンサ35に光が照射されると、ホトセンサ35はリークする。ホトセンサ35のリークによりトランジスタ32bのゲート端子電位が変化する。リークが大きいほど、トランジスタ32bのゲート端子電位は、Vp電圧に近づく。また、Vp電圧に近づけば、トランジスタ32bの特性により所定電位で、トランジスタ32bはオフする。   When the photosensor 35 is irradiated with light, the photosensor 35 leaks. Due to leakage of the photosensor 35, the gate terminal potential of the transistor 32b changes. The larger the leak, the closer the gate terminal potential of the transistor 32b approaches the Vp voltage. When the voltage approaches Vp, the transistor 32b is turned off at a predetermined potential due to the characteristics of the transistor 32b.

リークによりゲート端子電位がV2になったとする。ゲート端子電圧がV2電圧の印加状態で、トランジスタ32bがオン状態か、オフ状態かは、スイッチSW2をb端子に切り換えることにより検出(判断)できる。   It is assumed that the gate terminal potential becomes V2 due to leakage. Whether the transistor 32b is in an on state or an off state when the gate terminal voltage is applied with the V2 voltage can be detected (determined) by switching the switch SW2 to the b terminal.

図62に図示するように、スイッチSW2をb端子に切り換える。トランジスタ32bがオン状態であれば、ホトセンサ出力信号線25からトランジスタ32bを介してグランド(所定電位)に電流が流れる。したがって、コンパレータ回路155の入力電位が変化し、変化した電位とVref電圧が比較され、コンパレータ回路155の出力が変化する。   As shown in FIG. 62, the switch SW2 is switched to the b terminal. If the transistor 32b is on, a current flows from the photosensor output signal line 25 to the ground (predetermined potential) via the transistor 32b. Therefore, the input potential of the comparator circuit 155 changes, the changed potential is compared with the Vref voltage, and the output of the comparator circuit 155 changes.

トランジスタ32bがオフ状態であれば、スイッチSW2がb端子を選択しても、ホトセンサ出力信号線25からトランジスタ32bには電流が流れない。したがって、コンパレータ回路155の入力電位も変化せず、コンパレータ回路155の出力も変化しない。   If the transistor 32b is in the OFF state, no current flows from the photosensor output signal line 25 to the transistor 32b even if the switch SW2 selects the b terminal. Therefore, the input potential of the comparator circuit 155 does not change, and the output of the comparator circuit 155 does not change.

以上のようにして、本発明は、ホトセンサ35の電位を設定するのは、プリチャージ信号Vpだけでなく、定電流Iwによっても行うことができる。   As described above, according to the present invention, the potential of the photosensor 35 can be set not only by the precharge signal Vp but also by the constant current Iw.

以上の事項は本実施形態の他の実施形態にも適用できることはいうまでもない。また、本発明の他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。
(平面表示装置の説明)
図65は、本実施形態の表示パネル658を用いた平面表示装置の説明図である。表示パネル658は、上記で説明したアレイ基板11を用いて構成される。また、アレイ基板11、表示パネル658には本実施形態の駆動方法、駆動方式、構成、制御方式が適用される。
It goes without saying that the above items can be applied to other embodiments of the present embodiment. Moreover, it cannot be overemphasized that it can combine with the other Example of this invention.
(Description of flat display device)
FIG. 65 is an explanatory diagram of a flat display device using the display panel 658 of this embodiment. The display panel 658 is configured using the array substrate 11 described above. Further, the driving method, driving method, configuration, and control method of this embodiment are applied to the array substrate 11 and the display panel 658.

表示パネル658は、アレイ基板11と対向基板654間に液晶層653が挟持される。アレイ基板11は、外光が入射する側に配置されている。アレイ基板11に形成されたホトセンサ35に外光が直接入射するように構成するためである。   In the display panel 658, a liquid crystal layer 653 is sandwiched between the array substrate 11 and the counter substrate 654. The array substrate 11 is disposed on the side on which external light is incident. This is because the external light is directly incident on the photosensor 35 formed on the array substrate 11.

マトリックス状に配置あるいは形成された画素が、赤(R)、緑(G)、青(B)、白(W)の場合は、白(W)にホトセンサ35を形成するとよい。白の画素16には、カラーフィルタが形成されていないため、ホトセンサ35への入射光量を大きくできるからである。   When the pixels arranged or formed in a matrix are red (R), green (G), blue (B), and white (W), the photo sensor 35 may be formed in white (W). This is because the white pixel 16 is not formed with a color filter, so that the amount of light incident on the photosensor 35 can be increased.

この場合は、アレイ基板14は、図65の対向基板654の位置に配置し、対向基板654を図65のアレイ基板14の位置に配置してもよい。白(W)は、色素あるいは染料を含有したカラーフィルタが形成されていないため、入射光が減衰することがない。したがって、カラーフィルタが形成された対向基板654側から外光が入射しても、ホトセンサ35に良好に外光が到達するからである。   In this case, the array substrate 14 may be disposed at the position of the counter substrate 654 in FIG. 65, and the counter substrate 654 may be disposed at the position of the array substrate 14 in FIG. In white (W), since a color filter containing a pigment or a dye is not formed, incident light is not attenuated. Therefore, even if external light is incident from the counter substrate 654 side where the color filter is formed, the external light reaches the photosensor 35 satisfactorily.

本実施形態の表示パネル658は、液晶層653を有する表示パネルに限定されるものではなく、EL(有機EL、無機EL)層を有する表示パネルであってもよい。つまり、画素16にEL層が形成されたEL表示パネルであってもよい。   The display panel 658 of the present embodiment is not limited to the display panel having the liquid crystal layer 653, and may be a display panel having an EL (organic EL, inorganic EL) layer. That is, an EL display panel in which an EL layer is formed on the pixel 16 may be used.

また、液晶層は、TN(Twisted Nematic)、IPS(In−Plane Switching)、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal)、OCB(OpticallyCompensatory Bend)、STN(Supper Twisted Nematic)、VA(VerticallyAligned)、ECB(Electrically Controlled Birefringence )、高分子分散(PD)液晶、HAN(Hybrid Aligned Nematic)モードなどのいずれでもよい。特にOCB液晶が好ましい。また、表示パネル658の画素は、微反射構成、反射構成、半透過構成のいずれでもよい。   Further, the liquid crystal layer, TN (Twisted Nematic), IPS (In-Plane Switching), FLC (Ferroelectric Liquid Crystal), OCB (OpticallyCompensatory Bend), STN (Supper Twisted Nematic), VA (VerticallyAligned), ECB (Electrically Controlled Birefringence ), Polymer dispersed (PD) liquid crystal, HAN (Hybrid Aligned Nematic) mode and the like. An OCB liquid crystal is particularly preferable. Further, the pixels of the display panel 658 may have any of a slightly reflective configuration, a reflective configuration, and a semi-transmissive configuration.

以下、図65を参照しながら、表示パネル658及び平面表示装置について説明をする。
(1)アレイ基板11の構成
ガラスあるいは有機材料からなるアレイ基板11には、画素電極31などが形成されている。ガラス基板としては、ソーダガラス、石英ガラスが例示される。有機材料からなる基板としては板状のもの、フィルム状のいずれでもよく、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂から構成されたものが例示される。これらは加圧による一体成形で形成される。また、板厚としては0.2mm以上0.8mm以下で構成される。なお、アレイ基板11は光透過性を有すればよく、対向基板654は光透過性を有する必要はなく、シリコンあるいはアルミなどの金属基板で構成されていても、着色されたプラスチック基板で構成されていてもよい。
Hereinafter, the display panel 658 and the flat display device will be described with reference to FIG.
(1) Configuration of Array Substrate 11 Pixel electrodes 31 and the like are formed on the array substrate 11 made of glass or an organic material. Examples of the glass substrate include soda glass and quartz glass. The substrate made of an organic material may be either a plate-like material or a film-like material, and examples include those made of an epoxy resin, a polyimide resin, an acrylic resin, and a polycarbonate resin. These are formed by integral molding under pressure. The plate thickness is 0.2 mm or more and 0.8 mm or less. The array substrate 11 only needs to be light transmissive, and the counter substrate 654 does not have to be light transmissive, and may be formed of a colored plastic substrate even if it is formed of a metal substrate such as silicon or aluminum. It may be.

アレイ基板11、対向基板654の放熱性を良くするため、サファイアガラスで形成してもよい。その他、ダイヤモンド薄膜を形成した基板を使用したり、アルミナなどのセラミック基板を使用したり、銅などからなる金属板を使用してもよい。   In order to improve heat dissipation of the array substrate 11 and the counter substrate 654, sapphire glass may be used. In addition, a substrate on which a diamond thin film is formed, a ceramic substrate such as alumina, or a metal plate made of copper or the like may be used.

アレイ基板11などが空気と接する面には、反射防止膜(AIRコート)が形成される。アレイ基板11に偏光板などが張り付けられていない場合はアレイ基板11に直接に、偏光板(偏光フィルム)など他の構成材料が張り付けられている場合は、その構成材料の表面などにAIRコートが形成される。AIRコートは誘電体単層膜もしくは多層膜で形成する構成が例示される。その他、1.35〜1.45の低屈折率の樹脂を塗布してもよい。   An antireflection film (AIR coat) is formed on the surface of the array substrate 11 or the like that is in contact with air. When a polarizing plate or the like is not attached to the array substrate 11, an AIR coat is applied directly to the array substrate 11 or when another constituent material such as a polarizing plate (polarizing film) is attached to the surface of the constituent material. It is formed. A configuration in which the AIR coat is formed of a dielectric single layer film or a multilayer film is exemplified. In addition, a resin having a low refractive index of 1.35 to 1.45 may be applied.

AIRコートは3層の構成あるいは2層構成がある。なお、液晶表示パネルに静電気がチャージされることを防止するため、表示パネル21の表面に親水性の樹脂を塗布しておくことが好ましい。その他、表面反射を防止するため、また、指紋などの汚れを目立ちにくくするため、エンボス加工を行ってもよい。
(2)カラーフィルタ、偏光板、位相フィルム
表示画素26には、カラーフィルタが形成あるいは構成される。カラーフィルタは、対向基板654に形成する。
The AIR coat has a three-layer structure or a two-layer structure. Note that it is preferable to apply a hydrophilic resin to the surface of the display panel 21 in order to prevent the liquid crystal display panel from being charged with static electricity. In addition, embossing may be performed in order to prevent surface reflection and to make dirt such as fingerprints less noticeable.
(2) Color filter, polarizing plate, phase film A color filter is formed or configured in the display pixel 26. The color filter is formed on the counter substrate 654.

カラーフィルタはゼラチン、アクリルを染色した樹脂からなるカラーフィルタの他、光学的誘電体多層膜により形成したカラーフィルタ、ホログラムによるカラーフィルタでもよい。また、液晶層自身を直接着色することにより代用してもよい。   The color filter may be a color filter made of a resin dyed with gelatin or acrylic, a color filter formed with an optical dielectric multilayer film, or a color filter with a hologram. Alternatively, the liquid crystal layer itself may be substituted directly for coloring.

アレイ基板11と偏光板655間には1枚あるいは複数の位相フィルム(位相板、位相回転手段、位相差板、位相差フィルム)が配置される。位相フィルムとしてはポリカーボネートを使用することが好ましい。位相フィルム(図示せず)は入射光を出射光に位相差を発生させ、効率よく光変調を行うのに寄与する。   Between the array substrate 11 and the polarizing plate 655, one or a plurality of phase films (phase plate, phase rotating means, phase difference plate, phase difference film) are disposed. Polycarbonate is preferably used as the phase film. A phase film (not shown) generates a phase difference between incident light and outgoing light, and contributes to efficient light modulation.

位相フィルムとして、ポリエステル樹脂、PVA樹脂、ポリサルホン樹脂、塩化ビニール樹脂、ゼオネックス樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂等の有機樹脂板あるいは有機樹脂フィルムなどを用いてもよい。その他、水晶などの結晶を用いてもよい。1つの位相板26の位相差は一軸方向に50nm以上350nm以下とすることが好ましく、さらには80nm以上220nm以下とすることが好ましい。
(3)他の構成
アレイ基板11には画素16(表示画素26、ホトセンサ画素27)がマトリックス状に配置されている。アレイ基板11と対向基板654とは、封止壁652を挟持されている。対向基板654には対向電極657が形成されている。アレイ基板11には偏光板(偏光フィルム)655aが配置されており、対抗基板654には偏光板655bが配置されている。バックライト656の光源としては、蛍光管、白色LED、赤(R)緑(G)青(B)色のLEDが用いられる。バックライト656から放射(出射)された光661は、対向基板654側から入射し、液晶層653で変調されてアレイ基板11側から出射される。
(4)読み取り動作
図66に示すように、アレイ基板11側に指あるいはイメージスキャナ対象物(画像紙)などの物体651が配置されていると、物体651がない箇所から出射された光661aはそのまま透過する。物体651があると物体651で反射(光661b)される。反射された光661bはB位置のホトセンサ画素27に入射する。光661bが入射したホトセンサ画素27は、光661bの強度及び露光時間Tcに対応して電荷がリークする。電荷のリーク量に対応してトランジスタ32bのゲート端子電圧が変化し、トランジスタ32bのオンオフ状態が決定される。物体651で反射される光は部分毎に強弱分布があるので、強弱にあわせて各ホトセンサ画素27が反応し、物体651に対応するイメージ分布を形成できる。
As the phase film, an organic resin plate or organic resin film such as a polyester resin, a PVA resin, a polysulfone resin, a vinyl chloride resin, a ZEONEX resin, an acrylic resin, or a polystyrene resin may be used. In addition, crystals such as quartz may be used. The phase difference of one phase plate 26 is preferably 50 nm to 350 nm in a uniaxial direction, and more preferably 80 nm to 220 nm.
(3) Other Configurations Pixels 16 (display pixels 26 and photosensor pixels 27) are arranged in a matrix on the array substrate 11. The array substrate 11 and the counter substrate 654 sandwich a sealing wall 652. A counter electrode 657 is formed on the counter substrate 654. A polarizing plate (polarizing film) 655 a is arranged on the array substrate 11, and a polarizing plate 655 b is arranged on the counter substrate 654. As a light source of the backlight 656, a fluorescent tube, a white LED, and a red (R) green (G) blue (B) LED are used. Light 661 emitted (emitted) from the backlight 656 is incident from the counter substrate 654 side, modulated by the liquid crystal layer 653, and emitted from the array substrate 11 side.
(4) Reading Operation As shown in FIG. 66, when an object 651 such as a finger or an image scanner object (image paper) is disposed on the array substrate 11 side, the light 661a emitted from a place where the object 651 is not present It passes through as it is. When the object 651 is present, the object 651 is reflected (light 661b). The reflected light 661b is incident on the photosensor pixel 27 at the B position. The photosensor pixel 27 on which the light 661b is incident leaks electric charge corresponding to the intensity of the light 661b and the exposure time Tc. The gate terminal voltage of the transistor 32b changes corresponding to the amount of charge leakage, and the on / off state of the transistor 32b is determined. Since the light reflected by the object 651 has an intensity distribution for each part, each photosensor pixel 27 reacts according to the intensity, and an image distribution corresponding to the object 651 can be formed.

以上は、バックライト(表示装置658に配置された光発生手段)656からの光661を物体651に照射してホトセンサ35によるイメージ分布を形成する実施形態であった。
(5)遮光動作
図67は、物体651で外光661aを遮光し、ホトセンサ35で影と、光照射部を形成し、物体651の影のイメージ分布を形成するものである。外光661とは蛍光灯などの室内光、太陽光などである。
The above is an embodiment in which the object 651 is irradiated with light 661 from the backlight (light generating means disposed in the display device 658) 656 to form an image distribution by the photosensor 35.
(5) Shading Operation FIG. 67 shows the image distribution of the shadow of the object 651 by blocking the external light 661a by the object 651 and forming the shadow and the light irradiation unit by the photo sensor 35. The outside light 661 is indoor light such as a fluorescent lamp, sunlight, and the like.

図67に示すように、物体651がない箇所の外光661aはそのまま、ホトセンサ画素27に入射する。入射したホトセンサ画素27のホトセンサ35は外光661aの強度に応じて電荷をリークする。ほとんどの場合が、前記外光661aが入射したホトセンサ画素27は電荷を放電し、トランジスタ32bはオフ状態となる。   As shown in FIG. 67, the outside light 661a at a place where the object 651 is not present enters the photosensor pixel 27 as it is. The photosensor 35 of the incident photosensor pixel 27 leaks electric charge according to the intensity of the external light 661a. In most cases, the photosensor pixel 27 to which the external light 661a is incident discharges the charge, and the transistor 32b is turned off.

一方、図67に示すように、物体651がある箇所には外光661aが入射しない(物体651で遮光される)。したがって、B位置には外光は入射しない。したがって、B位置のホトセンサ画素27のホトセンサ35はほとんど電荷をリークしない。ほとんどの場合が、前記ホトセンサ画素27は電荷を保持し、トランジスタ32bはオン状態(トランジスタ32bがNチャンネルトランジスタの場合である。Pチャンネルトランジスタの場合は逆である)となる。したがって、物体651で外光661aを遮光し、ホトセンサ35で影と、光照射部を形成し、物体651の影のイメージ分布を形成することができる。
(6)光ペンによる動作
図68は光を発生するペン(光ペン)681の光発生手段からの光661b661bをホトセンサ画素27に照射し、照射された箇所をホトセンサ35で座標検出するものである。以上のように本実施形態は、光発生手段681で光を照射してホトセンサ35の挙動を引き起こすものであってもよい。他の構成、動作は以前に説明した実施形態と同様であるので説明を省略する。
(7)変更例
なお、本実施形態は、アレイ基板11を外光入射側に配置するとしたが(図67の外光661a)、これに限定するものではない。対向基板654側を外光入射側に配置してもよい。
On the other hand, as shown in FIG. 67, the outside light 661a does not enter the place where the object 651 is present (the light is blocked by the object 651). Therefore, no external light is incident on the B position. Therefore, the photosensor 35 of the photosensor pixel 27 at the B position hardly leaks charges. In most cases, the photosensor pixel 27 retains electric charge, and the transistor 32b is turned on (when the transistor 32b is an N-channel transistor, the opposite is true when it is a P-channel transistor). Therefore, the external light 661a can be shielded by the object 651, the shadow and the light irradiation unit can be formed by the photosensor 35, and the shadow image distribution of the object 651 can be formed.
(6) Operation by Optical Pen FIG. 68 irradiates the photo sensor pixel 27 with the light 661b 661b from the light generating means of the pen (optical pen) 681 that generates light, and the photo sensor 35 detects coordinates. . As described above, in the present embodiment, the light generation unit 681 may irradiate light to cause the behavior of the photosensor 35. Since other configurations and operations are the same as those of the previously described embodiment, the description thereof is omitted.
(7) Modified Example In the present embodiment, the array substrate 11 is arranged on the external light incident side (external light 661a in FIG. 67), but the present invention is not limited to this. The counter substrate 654 side may be disposed on the outside light incident side.

本発明の実施例では、外光の強度にあわせて、キャリブレーションを行い、また、プリチャージ信号Vpの設定、露光時間Tcの設定を行うとして説明している(図67)。しかし、本発明はこれに限定するものではない。図66に図示するように、バックライト656からの光の強度により、プリチャージ信号Vpの設定、露光時間Tcの設定などを行ってもよい。また、図68に図示するように、光発生源681からの光強度により、プリチャージ信号Vpの設定、露光時間Tcの設定を行っても良い。
(平面表示装置の駆動方法)
以下、図面を参照しながら、本発明の平面表示装置の駆動方法について説明をする。なお、以下の実施例において、画素16は以前に説明したいずれの画素構成であってもよいことは言うまでもない。
(第1の実施形態)
(1)オン出力領域と影
図69は、図70に図示するように対象物として、指701で表示領域10(ホトセンサ画素27の形成領域)を触れた状態を示している。また、図67のように、外光661を指701で遮光し、指の影を検出した状態を例として説明している。図69(a1)では、オン出力領域691a、691bが発生している。一方、図69(b1)はオン出力領域691が全く発生していない。
In the embodiment of the present invention, it is described that calibration is performed in accordance with the intensity of external light, the precharge signal Vp is set, and the exposure time Tc is set (FIG. 67). However, the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 66, the setting of the precharge signal Vp, the setting of the exposure time Tc, and the like may be performed according to the intensity of light from the backlight 656. Further, as shown in FIG. 68, the precharge signal Vp and the exposure time Tc may be set according to the light intensity from the light generation source 681.
(Driving method of flat display device)
Hereinafter, the driving method of the flat display device of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, it goes without saying that the pixel 16 may have any pixel configuration described previously.
(First embodiment)
(1) ON Output Area and Shadow FIG. 69 shows a state where the display area 10 (photosensor pixel 27 forming area) is touched with a finger 701 as an object as shown in FIG. In addition, as illustrated in FIG. 67, a state in which the external light 661 is blocked by the finger 701 and the shadow of the finger is detected is described as an example. In FIG. 69 (a1), ON output regions 691a and 691b are generated. On the other hand, in FIG. 69 (b1), the ON output region 691 is not generated at all.

図69(a1)のオン出力領域691aが実際の指701の影である。指701によりホトセンサ画素27がマトリックス状に形成または配置された表示領域10に、外光661が照射される領域と、指701による遮光領域が発生する。遮光された領域のホトセンサ画素27のトランジスタ32bはオン状態となる。この領域がオン出力領域691となる。   The ON output area 691a in FIG. 69 (a1) is the shadow of the actual finger 701. The display area 10 in which the photosensor pixels 27 are formed or arranged in a matrix by the finger 701 generates an area where the external light 661 is irradiated and a light shielding area by the finger 701. The transistor 32b of the photosensor pixel 27 in the shielded region is turned on. This area becomes the ON output area 691.

図69(a1)では、本来の指701にも、外光661の強弱分布がありオン出力領域691bが発生している。オン出力領域691a、691bもほぼ円状であるため、オン出力領域691aは中心座標692aを持ち、オン出力領域691bは中心座標692bを持つ。中心座標692はオン出力領域691の輪郭を円として近似し、複数の直径の線分から求める。   In FIG. 69 (a1), the original finger 701 also has an intensity distribution of the external light 661, and an ON output region 691b is generated. Since the ON output areas 691a and 691b are also substantially circular, the ON output area 691a has a center coordinate 692a, and the ON output area 691b has a center coordinate 692b. The center coordinate 692 is obtained from a line segment having a plurality of diameters by approximating the outline of the ON output area 691 as a circle.

本発明の実施例において、対象物701の影により、ホトセンサ画素27がオン状態を保持し、その集合としてオン出力領域691が発生するとして説明し、また、オン出力領域691の中心座標などを求めるとして説明する。しかし、本発明はこれに限定するものではない。ホトセンサ画素27のトランジスタ32bがPチャンネルトランジスタの場合は、対象物701の影の部分はオフ状態のホトセンサ画素27の集合となる。したがって、処理はオフ出力領域691として実施する。また、図66、図68の実施例でも動作は逆になる。また、ホトセンサ画素27のトランジスタ32bがNチャンネルトランジスタの場合であっても、オン出力領域691の周辺部はオフ出力領域である。したがって、周辺部のオフ出力領域を処理すれば、対象物701の中心座標などを検出することができる。
(1−1)図66の場合のオン出力領域とオフ出力領域
図66では、対象物651でバックライト656から出射される光661bを反射し、反射した光661bが、ホトセンサ画素27に照射される。ホトセンサ画素27には、周期定期にプリチャージ信号Vpが印加され、トランジスタ32bはオン状態にされている。ホトセンサ画素27に印加されたプリチャージ信号Vpは、対象物651からの反射光が照射されることに、急速に電荷をリークさせ、トランジスタ32bがオフ状態となる。対象物32bが光出射側にない領域は、オン状態を維持する。
In the embodiment of the present invention, it is described that the photosensor pixel 27 is kept in the ON state by the shadow of the object 701 and the ON output area 691 is generated as a set thereof, and the center coordinates of the ON output area 691 are obtained. Will be described. However, the present invention is not limited to this. When the transistor 32b of the photosensor pixel 27 is a P-channel transistor, the shaded portion of the object 701 is a set of off-state photosensor pixels 27. Therefore, the processing is performed as the off output area 691. Also, the operation is reversed in the embodiments of FIGS. Even if the transistor 32b of the photosensor pixel 27 is an N-channel transistor, the periphery of the ON output region 691 is an OFF output region. Therefore, the center coordinates of the object 701 can be detected by processing the off-output region in the peripheral portion.
(1-1) On Output Area and Off Output Area in FIG. 66 In FIG. 66, the object 651 reflects the light 661b emitted from the backlight 656, and the reflected light 661b is irradiated to the photosensor pixel 27. The A precharge signal Vp is applied to the photo sensor pixel 27 periodically, and the transistor 32b is turned on. The precharge signal Vp applied to the photosensor pixel 27 rapidly leaks charges when irradiated with the reflected light from the object 651, and the transistor 32b is turned off. A region where the object 32b is not on the light emitting side maintains the on state.

図66の実施例では、対象物651の下側にオフ出力領域が発生しやすく、他の領域にオン出力領域が発生しやすい。図66では、カラーフィルタあるいは遮光膜は、ホトセンサ画素27上に形成され、バックライト656から直接に、ホトセンサ画素27に入射する光を遮光する。オン出力領域とオフ出力領域の適正な発生状態はプリチャージ信号Vpと露光時間Tcで調整する。   In the embodiment of FIG. 66, an off output region is likely to occur below the object 651, and an on output region is likely to occur in other regions. In FIG. 66, the color filter or the light shielding film is formed on the photo sensor pixel 27 and shields light incident on the photo sensor pixel 27 directly from the backlight 656. Appropriate generation states of the ON output region and the OFF output region are adjusted by the precharge signal Vp and the exposure time Tc.

なお、図66の構成においては、アレイ基板11とバックライト656側に配置し、対向基板654を光出射側に配置してもよい。
(1−2)図67の場合のオン出力領域とオフ出力領域
図67では、外光661aが指などの対象物651で遮光される。つまり、対象物651の下面には対象物651の影が発生する。対象物651がない箇所(表示領域10)には、外光661aが直接に入射する。
66, the array substrate 11 and the backlight 656 may be disposed, and the counter substrate 654 may be disposed on the light emission side.
(1-2) On Output Area and Off Output Area in FIG. 67 In FIG. 67, external light 661a is shielded by an object 651 such as a finger. That is, a shadow of the object 651 is generated on the lower surface of the object 651. The outside light 661a is directly incident on the portion (display area 10) where the object 651 is not present.

ホトセンサ画素27には、周期定期にプリチャージ信号Vpが印加され、トランジスタ32bはオン状態にされる。ホトセンサ画素27に印加されたプリチャージ信号Vpは、対象物651の影が発生する箇所では、所定の露光時間Tc内では、一定の閾値以上を維持する。対象物661がなく、外光661aが照射される領域のホトセンサ画素27では、急速に電荷をリークさせ、トランジスタ32bがオフ状態となる。   A precharge signal Vp is applied to the photosensor pixel 27 periodically, and the transistor 32b is turned on. The precharge signal Vp applied to the photosensor pixel 27 is maintained at a certain threshold value or more within a predetermined exposure time Tc at a location where a shadow of the object 651 occurs. In the photosensor pixel 27 in the region where the object 661 is not present and the external light 661a is irradiated, charges are rapidly leaked, and the transistor 32b is turned off.

図67の実施例では、対象物651の下側にオン出力領域が発生しやすく、他の領域にオン出力領域が発生しにくい。外光661aがホトセンサ画素27に直接入射する領域では、オフ出力領域となる。図67では、カラーフィルタあるいは遮光膜は、対向基板654が側に形成され、バックライト656から直接に、ホトセンサ画素27に入射する光を遮光する。オン出力領域とオフ出力領域の適正な発生状態はプリチャージ信号Vpと露光時間Tcで調整する。
(1−3)図68の場合のオン出力領域とオフ出力領域
図68では、光ペン681でホトセンサ画素27に、光661bが照射される。光661bを照射された領域は、プリチャージ信号Vpが急速に放電され、オフ状態となる。他の外光の影響はほとんど受けない。
In the embodiment of FIG. 67, an ON output region is likely to occur below the object 651 and an ON output region is unlikely to occur in other regions. In the region where the external light 661a is directly incident on the photosensor pixel 27, it becomes an off output region. In FIG. 67, the color filter or the light shielding film is formed on the side of the counter substrate 654 and shields light incident on the photosensor pixel 27 directly from the backlight 656. Appropriate generation states of the ON output region and the OFF output region are adjusted by the precharge signal Vp and the exposure time Tc.
(1-3) On Output Area and Off Output Area in FIG. 68 In FIG. 68, light 661b is irradiated onto the photosensor pixel 27 with the light pen 681. In the region irradiated with the light 661b, the precharge signal Vp is rapidly discharged and the region is turned off. It is hardly affected by other outside light.

ホトセンサ画素27には、周期定期にプリチャージ信号Vpが印加され、トランジスタ32bはオン状態にされる。ホトセンサ画素27に印加されたプリチャージ信号Vpは、光ペン681の光が照射されない領域では、所定の露光時間Tc内では、一定の閾値以上を維持する。光661bが照射される領域のホトセンサ画素27では、急速に電荷をリークさせ、トランジスタ32bがオフ状態となる。   A precharge signal Vp is applied to the photosensor pixel 27 periodically, and the transistor 32b is turned on. The precharge signal Vp applied to the photosensor pixel 27 maintains a predetermined threshold value or more within a predetermined exposure time Tc in a region where the light of the light pen 681 is not irradiated. In the photosensor pixel 27 in the region irradiated with the light 661b, the charge is rapidly leaked, and the transistor 32b is turned off.

図68の実施例では、光ペン681からの光が照射される領域で、オフ出力領域となり、他の領域にオフ出力領域が発生しにくい。光661bが照射されない領域では、オン出力領域となる。図67では、カラーフィルタあるいは遮光膜は、対向基板654が側に形成され、バックライト656から直接に、ホトセンサ画素27に入射する光を遮光する。オン出力領域とオフ出力領域の適正な発生状態はプリチャージ信号Vpと露光時間Tcで調整する。
(1−4)オン出力とオフ出力領域
以上のように、本発明は、説明を容易にするため、対象物701により影により、オン出力領域691が発生するとして説明を行う。逆の動作の場合は、オン出力領域691をオフ出力領域691と読み替えればよい。
In the embodiment shown in FIG. 68, the light output from the light pen 681 is an off-output region, and an off-output region is unlikely to occur in other regions. In an area where the light 661b is not irradiated, an ON output area is obtained. In FIG. 67, the color filter or the light shielding film is formed on the side of the counter substrate 654 and shields light incident on the photosensor pixel 27 directly from the backlight 656. Appropriate generation states of the ON output region and the OFF output region are adjusted by the precharge signal Vp and the exposure time Tc.
(1-4) On Output and Off Output Region As described above, the present invention will be described on the assumption that the on output region 691 is generated by the object 701 due to a shadow in order to facilitate the explanation. In the reverse operation, the on output area 691 may be read as the off output area 691.

本発明は、対象物701により外光が遮断され、また、対象物701により光を反射し、また、光ペン681によりホトセンサ画素27に光が照射されることにより、ホトセンサ画素27のオンオフ状態が変化、あるいはオンオフ状態を保持することにより、対象物701の位置、光ペン681の光照射位置を検出するものである。また、図68などのように、光ペン681により光が照射されホトセンサ画素27がオフ状態となった箇所を検出するものである。
(1−5)オン画素数割合
オン画素数割合(%)とは、所定範囲におけるホトセンサ画素数がオン状態の割合を意味する。逆にオフ画素数割合(%)とは、所定範囲におけるホトセンサ画素数がオフ状態の割合を意味する。本明細書では、オン画素数割合(%)を例示して説明するが、オフ画素数割合(%)と読み替えても良いことはいうまでもない。
(2)キャリブレーション
本発明では、オン出力領域691を1つとするため、キャリブレーションを実施する。図69(a1)において、プリチャージ信号Vpを低下させる。なお、以下の説明では、プリチャージ信号Vpを変化させるとして説明する。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図59の実施例では、定電流Iwを変化させて設定する。
In the present invention, the external light is blocked by the object 701, the light is reflected by the object 701, and the photosensor pixel 27 is irradiated with light by the light pen 681, whereby the photosensor pixel 27 is turned on and off. The position of the object 701 and the light irradiation position of the light pen 681 are detected by holding the change or on / off state. Further, as shown in FIG. 68 and the like, a portion where light is irradiated by the light pen 681 and the photosensor pixel 27 is turned off is detected.
(1-5) On-pixel number ratio The on-pixel number ratio (%) means a ratio of the number of photosensor pixels in a predetermined range being in an on state. Conversely, the off pixel number ratio (%) means the ratio of the number of photosensor pixels in a predetermined range being in an off state. In the present specification, the on-pixel number ratio (%) will be described as an example.
(2) Calibration In the present invention, calibration is performed in order to have one ON output region 691. In FIG. 69 (a1), the precharge signal Vp is lowered. In the following description, it is assumed that the precharge signal Vp is changed. However, the present invention is not limited to this. For example, in the embodiment of FIG. 59, the constant current Iw is changed and set.

露光時間Tcは一定値(所定値)を維持する。プリチャージ信号Vpは電子ボリウム261aにより可変する。可変したプリチャージ信号Vpは、ホトセンサ処理回路18から出力される。プリチャージ信号Vpは0.1V刻みというように一定の刻みで変化させる。変化の割合はオン出力領域691の面積から判断する。   The exposure time Tc maintains a constant value (predetermined value). The precharge signal Vp is varied by the electronic volume 261a. The variable precharge signal Vp is output from the photosensor processing circuit 18. The precharge signal Vp is changed in constant increments, such as in increments of 0.1V. The rate of change is determined from the area of the ON output region 691.

なお、面積の意味は、オン画素数あるいはオン画素数割合(%)(オフ画素数あるいはオフ画素数割合(%))と等価あるいは近似もしくは同等である。   The meaning of the area is equivalent to, approximate to, or equivalent to the number of ON pixels or the ON pixel number ratio (%) (OFF pixel number or OFF pixel number ratio (%)).

プリチャージ信号Vpの刻み数は64段階以上にする。プリチャージ信号Vpの最大値は、5(V)とし、可変範囲は1V以上とする。オン出力領域691が大きい場合は、1度に変化させるプリチャージ信号Vpの可変幅を大きくする。オン出力領域691が小さい場合は、1度に変化させるプリチャージ信号Vpの可変幅を小さくする。   The number of steps of the precharge signal Vp is set to 64 steps or more. The maximum value of the precharge signal Vp is 5 (V), and the variable range is 1 V or more. When the ON output region 691 is large, the variable width of the precharge signal Vp that is changed at a time is increased. When the ON output region 691 is small, the variable width of the precharge signal Vp that is changed at a time is reduced.

オン出力領域691の面積は、表示領域10内のホトセンサ画素27のトランジスタ32bのオンしている個数である。つまり、オン出力領域691の面積は、表示領域10内のホトセンサ画素27のトランジスタ32bのオンしている個数をカウントすることにより得ることができる。オンしている個数をカウントすることは容易である。各ホトセンサ出力信号線25のコンパレータ回路155の出力をカウントすればよいからである。
(3)コンパレータ回路155によるデータ化
本発明は、ホトセンサ出力信号線25に印加されたデータ信号がコンパレータ回路155により出力が2値化されているため、個数カウントが容易になっている特長がある。なお、コンパレータ回路155の代わりにオペアンプを配置し、アナログデータを直接処理し、オン出力領域691を構成あるいは発生させてもよい。また、図17で説明したようにAD変換回路171で多値のデジタルデータとして処理してオン出力領域691を発生させてもよい。
The area of the on-output region 691 is the number of transistors 32b of the photosensor pixel 27 in the display region 10 that are on. That is, the area of the ON output region 691 can be obtained by counting the number of ON transistors 32b of the photosensor pixel 27 in the display region 10. It is easy to count the number that is on. This is because the output of the comparator circuit 155 of each photosensor output signal line 25 may be counted.
(3) Data Conversion by Comparator Circuit 155 The present invention has a feature that the number of data signals applied to the photosensor output signal line 25 is binarized by the comparator circuit 155, so that the number counting is easy. . Note that an operational amplifier may be arranged instead of the comparator circuit 155, and analog data may be directly processed to configure or generate the ON output region 691. In addition, as described with reference to FIG. 17, the on-output area 691 may be generated by processing as multi-value digital data in the AD conversion circuit 171.

図69などの本発明の実施例において、表示領域10にオン出力領域691が表示されているように図示しているが、これは説明を容易にするためである。図69の表示領域10とは、ホトセンサ27の出力をマトリックス状に配置して処理を行ったデータ配列である。このデータ配列を表示領域10と一致させて説明することにより、影の状況あるいは発生状態が理解しやすくなる。
(4)プリチャージ信号Vpによる操作と処理
プリチャージ信号Vpを低下させて(変化させて)、オン出力領域691を測定(検出)する。プリチャージ信号Vpの低下によりオン出力領域691の面積は縮小する。プリチャージ信号Vpの低下は、オン出力領域691bが消去するまで実施する。好ましくは、図69(a2)に図示するように、オン出力領域691bが消去し、オン出力領域691aが単独孤立の略円状になるまで、プリチャージ信号Vpを低下させる。
In the embodiment of the present invention such as FIG. 69, the ON output area 691 is displayed in the display area 10, but this is for ease of explanation. The display area 10 in FIG. 69 is a data array obtained by processing the outputs of the photosensors 27 in a matrix. By explaining this data arrangement in conformity with the display area 10, it becomes easy to understand the situation or occurrence of shadows.
(4) Operation and processing by the precharge signal Vp The precharge signal Vp is lowered (changed), and the ON output region 691 is measured (detected). The area of the ON output region 691 is reduced by the decrease of the precharge signal Vp. The precharge signal Vp is lowered until the ON output region 691b is erased. Preferably, as shown in FIG. 69 (a2), the precharge signal Vp is lowered until the ON output region 691b is erased and the ON output region 691a becomes a single isolated substantially circular shape.

たとえば、図71に示すように、オン出力領域691aはプリチャージ信号Vpの大きさにより変化する。プリチャージ信号Vpが高い場合は、図71(a)に図示するように、指701の影により、大きな面積のオン出力領域691aが形成されている。また、オン出力領域691aは表示領域10の一辺に接触している。   For example, as shown in FIG. 71, the ON output region 691a varies depending on the magnitude of the precharge signal Vp. When the precharge signal Vp is high, an ON output region 691a having a large area is formed by the shadow of the finger 701 as shown in FIG. Further, the ON output area 691a is in contact with one side of the display area 10.

プリチャージ信号Vpを低下させると、オン出力領域691aの面積は縮小していく。オン出力領域691aが縮小すると図71(b)のように、オン出力領域691aは表示領域10の一辺から離れ、孤立領域となる。図71(b)のオン出力領域691aでは、座標中心は692aと692bの2点が発生する。   When the precharge signal Vp is lowered, the area of the ON output region 691a is reduced. When the ON output area 691a is reduced, the ON output area 691a is separated from one side of the display area 10 and becomes an isolated area as shown in FIG. In the ON output area 691a in FIG. 71 (b), two coordinate centers 692a and 692b are generated.

さらにプリチャージ信号Vpを低下させると、オン出力領域691aの面積はさらに縮小していく。オン出力領域691aがさらに縮小すると図71(c)のように、オン出力領域691aは円状に近くなり、座標中心は692aの一点となる。   When the precharge signal Vp is further lowered, the area of the ON output region 691a is further reduced. When the ON output area 691a is further reduced, as shown in FIG. 71C, the ON output area 691a becomes nearly circular, and the coordinate center becomes one point of 692a.

以上の図71(c)の状態までプリチャージ信号Vpを低下させて時点で、キャリブレーションが完了となる。以上の実施例はプリチャージ信号Vpを変化させてキャリブレーションをする実施例である。
(4−1)プリチャージ信号Vpなどの保持
プリチャージ信号Vpは、図21、図22で説明したように、外光661の強さに対応して変化させる。特に初期値は外光の強さに基づいて設定する。また、前回のキャリブレーションでの値(プリチャージ信号Vp、露光時間Tcなど)をメモリしておき、この値を初期値として使用する。
(4−2)プリチャージ信号Vpの設定と最適化
オン出力領域691は、多種多様な発生状態になる。たとえば、図72(a)に図示するように、目的のオン出力領域691b以外にオン出力領域691a、691cが発生したりする。また、図72(b)に図示するように、目的のオン出力領域691aの周辺に円弧状にオン出力領域691bが発生する場合がある。図72(b)は光ペン681を使用した場合によく発生するオン出力領域691の分布である。以上の場合であっても、プリチャージ信号Vpを適正に設定あるいは調整することにより目的のオン出力領域691のみにすることができる。
The calibration is completed when the precharge signal Vp is lowered to the state shown in FIG. 71 (c). The above embodiment is an embodiment in which calibration is performed by changing the precharge signal Vp.
(4-1) Precharge Signal Vp and Other Precharge Signal Vp is changed according to the intensity of external light 661 as described with reference to FIGS. In particular, the initial value is set based on the intensity of outside light. Further, values (precharge signal Vp, exposure time Tc, etc.) obtained in the previous calibration are stored in memory, and these values are used as initial values.
(4-2) Setting and Optimization of Precharge Signal Vp The on output area 691 is in various generation states. For example, as shown in FIG. 72A, on output areas 691a and 691c are generated in addition to the target on output area 691b. In addition, as illustrated in FIG. 72B, an ON output region 691b may be generated in an arc shape around the target ON output region 691a. FIG. 72B shows the distribution of the ON output region 691 that often occurs when the light pen 681 is used. Even in the above case, only the target on-output region 691 can be obtained by appropriately setting or adjusting the precharge signal Vp.

オン出力領域691が1つであっても、プリチャージ信号Vpの設定により、オン出力領域691の形状は多種多様になる。たとえば、図73に図示するようになる。   Even if there is one ON output region 691, the shape of the ON output region 691 varies depending on the setting of the precharge signal Vp. For example, as shown in FIG.

図73(a)は、オン出力領域691が比較的大きく、中心座標692が1つの場合である。この場合は、オン出力領域691から中心座標を求めるときに中心座標692の位置が揺らぎやすい。したがって、中心座標692が指701の中心位置を示しているかの精度がない。したがって、図73(b)の状態となるように、プリチャージ信号Vpを低くするか、露光時間Tcを長くする。   FIG. 73A shows a case where the ON output area 691 is relatively large and the center coordinate 692 is one. In this case, the position of the center coordinate 692 is likely to fluctuate when the center coordinate is obtained from the ON output area 691. Therefore, there is no accuracy as to whether the center coordinates 692 indicate the center position of the finger 701. Therefore, the precharge signal Vp is lowered or the exposure time Tc is lengthened so that the state of FIG.

図73(b)は、オン出力領域691が狭く、中心座標692が1つの場合である。プリチャージ信号Vpあるいは露光時間Tcが適正に設定され、最も好ましい状態である。この場合は、オン出力領域691から中心座標を求めるときに中心座標692の位置が固定される。したがって、中心座標692が指701の中心位置を示す。   FIG. 73B shows a case where the ON output area 691 is narrow and the center coordinate 692 is one. The precharge signal Vp or the exposure time Tc is set appropriately, which is the most preferable state. In this case, the position of the center coordinate 692 is fixed when the center coordinate is obtained from the ON output area 691. Therefore, the center coordinate 692 indicates the center position of the finger 701.

図73(c)は、オン出力領域691が比較的大きく、形状が歪であるが、中心座標692が1つの場合である。この場合は、オン出力領域691から中心座標を求めるときに中心座標692の位置が揺らぎやすい。したがって、中心座標692が指701の中心位置を示しているかの精度がない。図73(c)の場合は、図73(a)よりも、プリチャージ信号Vpを低く、または露光時間Tcを長くする必要がある。   FIG. 73C shows a case where the ON output area 691 is relatively large and the shape is distorted, but the center coordinate 692 is one. In this case, the position of the center coordinate 692 is likely to fluctuate when the center coordinate is obtained from the ON output area 691. Therefore, there is no accuracy as to whether the center coordinates 692 indicate the center position of the finger 701. In the case of FIG. 73C, it is necessary to lower the precharge signal Vp or lengthen the exposure time Tc than in FIG. 73A.

図73(d)は、オン出力領域691が比較的大きく、形状が歪であり、中心座標692が2つの場合である。図73(d)のように、オン出力領域691が1つで、中心座標692が複数ある場合は、キャリブレーションは必ず再設定(再調整)する必要がある。図73(d)の場合は、図73(c)よりも、さらにプリチャージ信号Vpを低く、または露光時間Tcを長くする必要がある。   FIG. 73 (d) shows a case where the ON output area 691 is relatively large, the shape is distorted, and there are two central coordinates 692. As shown in FIG. 73D, when there is one ON output area 691 and there are a plurality of center coordinates 692, it is necessary to reset (re-adjust) the calibration. In the case of FIG. 73 (d), it is necessary to lower the precharge signal Vp or extend the exposure time Tc than in FIG. 73 (c).

オン出力領域691は、オン出力領域691内のホトセンサ画素27のすべてトランジスタ32bがオン状態となっているのではない。図74に図示するように、ホトセンサ画素27が完全にオン状態が維持されている領域691aの外側にオン状態とオフ状態のトランジスタ32bが混ざった混合オン出力領域691bが発生することが多い。   In the ON output region 691, not all the transistors 32b of the photosensor pixels 27 in the ON output region 691 are in the ON state. As shown in FIG. 74, there is often a mixed on output region 691b in which the on-state and off-state transistors 32b are mixed outside the region 691a in which the photosensor pixel 27 is completely maintained on.

図74(a)では、完全オン出力領域691aの周辺に広い面積で、混合オン出力領域691bが取り囲んでいる。図74(b)では、完全オン出力領域691aの周辺に狭い面積で、混合オン出力領域691bが取り囲んでいる。以上の場合は、単位面積あたりのホトセンサ画素27にオン状態の個数をカウントし、設定以上のオン状態の個数がある範囲(単位面積)をオン出力領域691として処理すればよい。
(5)ホトセンサ処理回路
ホトセンサ処理回路18は、表示領域10からコンパレータ回路155を介してホトセンサ出力情報を入手し、オン出力領域691の面積、中心座標値692を検出する。また、キャリブレーションを実施する。図63(a)に図示するように、ホトセンサ処理回路18は中心座標値(X座標値、Y座標値:X、Yは各8ビットである)をマイコン(図示せず)に送る。また、状態の信号ISTの8ビットをマイコンに送る。ISTの情報としては、図63(b)に図示するように、コード1のキャリブレーション中、コード2の座標検出中などである。
In FIG. 74A, the mixed ON output region 691b is surrounded by a wide area around the complete ON output region 691a. In FIG. 74 (b), the mixed ON output region 691b is surrounded by a small area around the complete ON output region 691a. In the above case, the number of ON states in the photo sensor pixels 27 per unit area may be counted, and a range (unit area) where the number of ON states equal to or greater than the set value may be processed as the ON output region 691.
(5) Photosensor processing circuit The photosensor processing circuit 18 obtains photosensor output information from the display area 10 via the comparator circuit 155 and detects the area of the ON output area 691 and the center coordinate value 692. Also, calibration is performed. As shown in FIG. 63A, the photo sensor processing circuit 18 sends a center coordinate value (X coordinate value, Y coordinate value: X and Y are 8 bits each) to a microcomputer (not shown). Also, 8 bits of the status signal IST are sent to the microcomputer. As the IST information, as shown in FIG. 63B, the calibration of the code 1 and the coordinate detection of the code 2 are being performed.

また、図64(b)に図示するように、オン出力領域691に関する情報もマイコンに送出する。たとえば、コード0はオン出力領域691がなかったことである。コード1はオン出力領域691の面積が所定値よりも大きかったことである。コード2はオン出力領域691の面積が所定値の範囲内であったことを示す。コード3はオン出力領域691の面積が所定値よりも小さく、したがって、キャリブレーションを実施すべきという情報である。コード4は中心座標が複数存在するという情報である。
(6)露光時間Tc
以上の実施例は、キャリブレーションにおいて、プリチャージ信号Vpを変化させる実施例であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図36で説明したように、露光時間Tcを調整しても図71の変化を実現できる。
In addition, as shown in FIG. 64B, information related to the ON output area 691 is also sent to the microcomputer. For example, code 0 means that there was no ON output area 691. Code 1 is that the area of the ON output region 691 is larger than a predetermined value. Code 2 indicates that the area of the ON output region 691 is within a predetermined value range. Code 3 is information that the area of the ON output region 691 is smaller than a predetermined value, and therefore calibration should be performed. Code 4 is information that there are a plurality of center coordinates.
(6) Exposure time Tc
In the above embodiment, the precharge signal Vp is changed in the calibration. However, the present invention is not limited to this. For example, as described with reference to FIG. 36, the change in FIG. 71 can be realized by adjusting the exposure time Tc.

たとえば、露光時間Tcが短い場合は、図71(a)に図示するように、指701の影により、大きな面積のオン出力領域691aが形成されている。また、オン出力領域691aは表示領域10の一辺に接触している。   For example, when the exposure time Tc is short, an ON output region 691a having a large area is formed by the shadow of the finger 701 as shown in FIG. Further, the ON output area 691a is in contact with one side of the display area 10.

露光時間Tcを長くすると、オン出力領域691aの面積は縮小していく。オン出力領域691aが縮小すると図71(b)のように、オン出力領域691aは表示領域10の一辺から離れ、孤立領域となる。図71(b)のオン出力領域691aでは、座標中心は692aと692bの2点が発生する。   When the exposure time Tc is increased, the area of the ON output region 691a is reduced. When the ON output area 691a is reduced, the ON output area 691a is separated from one side of the display area 10 and becomes an isolated area as shown in FIG. In the ON output area 691a in FIG. 71 (b), two coordinate centers 692a and 692b are generated.

さらに露光時間Tcを長くすると、オン出力領域691aの面積はさらに縮小していく。オン出力領域691aがさらに縮小すると図71(c)のように、オン出力領域691aは円状に近くなり、座標中心は692aの一点となる。   When the exposure time Tc is further increased, the area of the ON output region 691a is further reduced. When the ON output area 691a is further reduced, as shown in FIG. 71C, the ON output area 691a becomes nearly circular, and the coordinate center becomes one point of 692a.

露光時間Tcも、図36で説明したように、外光661の強さに対応して変化させる。特に初期値は外光の強さに基づいて設定する。また、前回のキャリブレーションでの値(プリチャージ信号Vp、露光時間Tcなど)をメモリしておき、この値を初期値として使用する。   The exposure time Tc is also changed in accordance with the intensity of the external light 661 as described with reference to FIG. In particular, the initial value is set based on the intensity of outside light. Further, values (precharge signal Vp, exposure time Tc, etc.) obtained in the previous calibration are stored in memory, and these values are used as initial values.

オン出力領域691の変化あるいは変更は、露光時間Tc、プリチャージ信号Vp単独の変化だけでなく、露光時間Tcとプリチャージ信号Vpの両方を組み合わせて実施してもよい。その他、比較電圧(コンパレータ)Vrefを変化させてもオン出力領域691を変化あるいは調整できることは言うまでもない。
(7)キャリブレーションと露光時間Tc
以上の実施例は、プリチャージ信号Vpを変化させて、オン出力領域691の面積、大きさを可変するものであった。しかし、本発明のキャリブレーションは、露光時間Tcを変化させてもよい。たとえば、図69(a1)の状態において、露光時間Tcが100H(水平走査期間(1H)の100倍)であるとする。露光時間Tcの調整または変化は、1H単位で実施することが好ましい。露光時間Tcもホトセンサ処理回路18で制御する。
The change or change of the on-output region 691 may be performed not only by changing the exposure time Tc and the precharge signal Vp alone, but also by combining both the exposure time Tc and the precharge signal Vp. In addition, it goes without saying that the ON output region 691 can be changed or adjusted by changing the comparison voltage (comparator) Vref.
(7) Calibration and exposure time Tc
In the above embodiment, the area and size of the ON output region 691 are varied by changing the precharge signal Vp. However, the calibration of the present invention may change the exposure time Tc. For example, in the state of FIG. 69 (a1), it is assumed that the exposure time Tc is 100H (100 times the horizontal scanning period (1H)). The adjustment or change of the exposure time Tc is preferably performed in units of 1H. The exposure time Tc is also controlled by the photo sensor processing circuit 18.

ホトセンサ処理回路18により、露光時間Tcを長くし、オン出力領域691を測定(検出)する。プリチャージ信号Vpは一定電圧を維持する。露光時間Tcの増大によりオン出力領域691の面積は縮小する。露光時間Tcの増大は、オン出力領域691bが消去するまで実施する。露光時間Tcを増大させると、ホトセンサ35をリークする電荷量が増大し、トランジスタ32bのゲート端子電圧が低下し、トランジスタ32bがオフ状態となる。したがって、オン出力領域691は減少する。また、好ましくは、図69(a2)に図示するように、オン出力領域691bが消去し、オン出力領域691aが単独孤立の略円状になるまで、露光時間Tcを増大させる。   The photo sensor processing circuit 18 increases the exposure time Tc and measures (detects) the ON output region 691. The precharge signal Vp maintains a constant voltage. As the exposure time Tc increases, the area of the ON output region 691 decreases. The exposure time Tc is increased until the ON output area 691b is erased. When the exposure time Tc is increased, the amount of charge leaking from the photosensor 35 is increased, the gate terminal voltage of the transistor 32b is lowered, and the transistor 32b is turned off. Therefore, the ON output area 691 decreases. Preferably, as shown in FIG. 69 (a2), the exposure time Tc is increased until the ON output region 691b is erased and the ON output region 691a becomes a single isolated substantially circular shape.

オン出力領域691の変化あるいは変更は、露光時間Tc、プリチャージ信号Vp単独の変化だけでなく、露光時間Tcとプリチャージ信号Vpの両方を組み合わせて実施してもよい。その他、比較電圧(コンパレータ)Vrefを変化させてもオン出力領域691を変化あるいは調整できることは言うまでもない。   The change or change of the ON output region 691 may be implemented by combining not only the exposure time Tc and the precharge signal Vp alone, but also a combination of both the exposure time Tc and the precharge signal Vp. In addition, it goes without saying that the ON output region 691 can be changed or adjusted by changing the comparison voltage (comparator) Vref.

ホトセンサ出力信号線25に出力されるトランジスタ32bの出力電圧は、トランジスタ32bのゲート端子の電圧により変化するからである。ゲート端子電圧はホトセンサ35のリーク量により変化する。したがって、ホトセンサ35の端子電圧でホトセンサ出力信号線25に出力するトランジスタ32bの電圧は異なる。コンパレータ回路155の比較電圧(コンパレータ電圧)Vrefを変化さることによりオン出力領域691を変化させることができる。
(8)その他の調整
トランジスタ32bの出力の取り込みタイミング、ソースドライバ回路(IC)14からの映像信号の大きさ/出力タイミング、表示画素26の画像表示状態、感度の異なるホトセンサ35の選択(図17で説明)によってもオン出力領域691を変化あるいは可変もしくは調整することができる。また、露光時間Tcの長さ、プリチャージ信号Vpの大きさ、比較電圧Vrefの大きさ、トランジスタ32bの出力の取り込みタイミング、ソースドライバ回路(IC)14からの映像信号の大きさ/出力タイミング、表示画素26の画像表示状態、感度の異なるホトセンサ35の選択のうち、1つ以上を選択し、また複数を組み合わせて、オン出力領域691の範囲、大きさ、オン出力領域691の発生の有無などを調整あるいは可変もよいことは言うまでもない。
This is because the output voltage of the transistor 32b output to the photosensor output signal line 25 varies depending on the voltage of the gate terminal of the transistor 32b. The gate terminal voltage varies depending on the leak amount of the photosensor 35. Therefore, the voltage of the transistor 32b output to the photosensor output signal line 25 differs depending on the terminal voltage of the photosensor 35. The on output region 691 can be changed by changing the comparison voltage (comparator voltage) Vref of the comparator circuit 155.
(8) Other adjustments The timing for capturing the output of the transistor 32b, the magnitude / output timing of the video signal from the source driver circuit (IC) 14, the image display state of the display pixel 26, and the selection of the photosensors 35 having different sensitivities (FIG. 17). The ON output area 691 can be changed, changed, or adjusted. Further, the length of the exposure time Tc, the magnitude of the precharge signal Vp, the magnitude of the comparison voltage Vref, the capture timing of the output of the transistor 32b, the magnitude / output timing of the video signal from the source driver circuit (IC) 14, One or more of the image display states of the display pixels 26 and the selection of the photosensors 35 having different sensitivities are selected, and a plurality of them are combined to determine the range and size of the on output area 691 and whether or not the on output area 691 is generated. Needless to say, it may be adjusted or variable.

なお、ホトセンサ画素27のトランジスタ32bがPチャンネルトランジスタの場合は、露光時間Tc、プリチャージ信号Vpの大きさ、比較電圧(コンパレータ電圧)Vrefの大きさなどの制御は、先の実施例と逆の方向に制御すればよいことは言うまでもない。
(第2の実施形態)
図69(a1)のように、本来の指701にも、外光661の強弱分布がありオン出力領域691bが発生している場合は、キャリブレーションを実施し、図69(a2)のように、表示領域10に1つの孤立領域となるように、かつ孤立領域691aが略円状となるようにする。オン出力領域691aの中心座標692aはマイコン(図示せず)に指の検出座標として送出される。
When the transistor 32b of the photosensor pixel 27 is a P-channel transistor, the control of the exposure time Tc, the magnitude of the precharge signal Vp, the magnitude of the comparison voltage (comparator voltage) Vref, and the like is the reverse of the previous embodiment. Needless to say, the direction can be controlled.
(Second Embodiment)
As shown in FIG. 69 (a1), when the original finger 701 also has the intensity distribution of the external light 661 and the on-output region 691b is generated, calibration is performed, as shown in FIG. 69 (a2). The display area 10 is formed as one isolated area, and the isolated area 691a is substantially circular. Center coordinates 692a of the on-output area 691a are sent to the microcomputer (not shown) as finger detection coordinates.

図69(b1)も図69(a1)と同様に表示領域10に指701の影が発生している。しかし、表示領域10にはオン出力領域691はない。この原因は、露光時間Tcが長すぎること、プリチャージ信号Vpが低すぎることが主として考えられる。
(1)キャリブレーションとプリチャージ信号Vp
図69(b1)の場合は、オン出力領域691を発生させるために、キャリブレーションを実施する。図69(b1)において、プリチャージ信号Vpを上昇させる。露光時間Tcは一定値を維持する。プリチャージ信号Vpは電子ボリウム261aにより、ホトセンサ処理回路18により制御する。プリチャージ信号Vpは0.1V刻みというように一定の刻みで変化させる。プリチャージ信号Vpを上昇させていくと、図69(b2)のようにオン出力領域691が出現する。
In FIG. 69 (b1), the shadow of the finger 701 is generated in the display area 10 as in FIG. 69 (a1). However, the display area 10 has no ON output area 691. This is mainly because the exposure time Tc is too long and the precharge signal Vp is too low.
(1) Calibration and precharge signal Vp
In the case of FIG. 69 (b1), calibration is performed to generate the ON output region 691. In FIG. 69 (b1), the precharge signal Vp is raised. The exposure time Tc maintains a constant value. The precharge signal Vp is controlled by the photosensor processing circuit 18 by the electronic volume 261a. The precharge signal Vp is changed in constant increments, such as in increments of 0.1V. When the precharge signal Vp is raised, an ON output region 691 appears as shown in FIG. 69 (b2).

プリチャージ信号Vpの刻み幅は、1刻みのプリチャージ信号Vpに対するオン出力領域691の面積の増大が大きいときは、変化するプリチャージ信号Vpは小刻みにする。1刻みのプリチャージ信号Vpに対するオン出力領域691の面積の増大が小さいときは、1度(1回)に変化させるプリチャージ信号Vpの変化は大きくする。   When the area of the on-output region 691 is greatly increased with respect to the precharge signal Vp in increments of 1, the precharge signal Vp is changed in small increments. When the increase in the area of the ON output region 691 with respect to the precharge signal Vp in increments of 1 is small, the change in the precharge signal Vp that is changed once (once) is increased.

プリチャージ信号Vpを上昇(高く)することにより、表示領域10のホトセンサ画素27内におけるトランジスタ32bのオン個数は増大していく。オン出力領域691の面積は、表示領域10内のホトセンサ画素27のトランジスタ32bのオンしている個数である。オン個数の増大あるいは減少の割合(変化速度、変化比率)は、表示領域10内のホトセンサ画素27のトランジスタ32bのオンしている個数を、プリチャージ信号Vpの変化に同期してカウントすることにより得ることができる。   By increasing (higher) the precharge signal Vp, the ON number of the transistors 32b in the photosensor pixel 27 in the display area 10 increases. The area of the on-output region 691 is the number of transistors 32b of the photosensor pixel 27 in the display region 10 that are on. The ratio of increase or decrease of the ON number (change speed, change ratio) is obtained by counting the number of ON of the transistor 32b of the photosensor pixel 27 in the display area 10 in synchronization with the change of the precharge signal Vp. Obtainable.

オンしている個数をカウントすることは容易である。各ホトセンサ出力信号線25のコンパレータ回路155の出力をカウントすればよいからである。以上の事項は図69(a)の実施例においても適用できる。   It is easy to count the number that is on. This is because the output of the comparator circuit 155 of each photosensor output signal line 25 may be counted. The above items can also be applied to the embodiment of FIG.

オン個数の割合(変化速度、変化比率)の検出は、ホトセンサ出力信号線25に印加されたデータ信号がコンパレータ回路155により出力が2値化されているため、個数カウントが容易になる。   Detection of the ON number ratio (change speed, change ratio) is easy because the data signal applied to the photosensor output signal line 25 is binarized by the comparator circuit 155.

なお、コンパレータ回路155の代わりにオペアンプを配置し、アナログデータを直接処理し、オン出力領域691を構成あるいは発生させてもよい。また、図17で説明したようにAD変換回路171で多値のデジタルデータとして処理してオン出力領域691を発生させてもよい。   Note that an operational amplifier may be arranged instead of the comparator circuit 155, and analog data may be directly processed to configure or generate the ON output region 691. In addition, as described with reference to FIG. 17, the on-output area 691 may be generated by processing as multi-value digital data in the AD conversion circuit 171.

プリチャージ信号Vpを上昇させて(変化させて)、オン出力領域691を測定(検出)する。プリチャージ信号Vpの上昇によりオン出力領域691の面積は拡大する。プリチャージ信号Vpの上昇は、オン出力領域691が複数になる直前か、オン出力領域691の面積が規定値の大きさとなるまで実施する。オン出力領域691が複数になれば、ホトセンサ処理回路18により容易に検出できる。オン出力領域691が複数になれば、プリチャージ信号Vpを低下させて、オン出力領域691が1つとなるプリチャージ信号Vpに設定しなおす。
(2)オン出力領域の面積
オン出力領域691の面積の最大面積はあらかじめ規定しておく。オン出力領域691の面積は、表示領域10内のホトセンサ画素27のトランジスタ32bのオンしている個数である。オン個数をカウントし、カウント値とあらかじめ規定されたカウント値とを比較することにより、所定のオン出力領域691の面積が超えたかどうかを判断できる。
The precharge signal Vp is raised (changed), and the ON output region 691 is measured (detected). As the precharge signal Vp rises, the area of the ON output region 691 increases. The precharge signal Vp is increased immediately before the ON output regions 691 become plural or until the area of the ON output regions 691 reaches a predetermined value. If there are a plurality of ON output regions 691, the photo sensor processing circuit 18 can easily detect them. If there are a plurality of ON output regions 691, the precharge signal Vp is lowered and set again to the precharge signal Vp having one ON output region 691.
(2) Area of ON output region The maximum area of the ON output region 691 is defined in advance. The area of the on-output region 691 is the number of transistors 32b of the photosensor pixel 27 in the display region 10 that are on. By counting the number of ONs and comparing the count value with a predetermined count value, it can be determined whether or not the area of the predetermined ON output region 691 has been exceeded.

オン出力領域691が最大面積を超えた場合は、プリチャージ信号Vpを低下させて、オン出力領域691が規定の面積以下となるようにする。
(3)中心座標
以上の動作により、図69(b2)に図示するように、オン出力領域691が単独孤立の略円状になるまで、プリチャージ信号Vpを低下させる。オン出力領域691の中心座標692aはマイコン(図示せず)に指の検出座標として送出される。
(4)変更例
以上の実施例は、プリチャージ信号Vpを変化させて、オン出力領域691の面積、大きさを可変するものであった。しかし、本発明のキャリブレーションは、図69(a)でも説明したように、露光時間Tcを変化させてもよい。たとえば、図69(b1)の状態において、露光時間Tcが100H(水平走査期間(1H)の100倍)であるとする。
When the ON output region 691 exceeds the maximum area, the precharge signal Vp is lowered so that the ON output region 691 becomes equal to or less than a specified area.
(3) Center Coordinates As described above, the precharge signal Vp is lowered until the ON output region 691 becomes a single isolated substantially circular shape as shown in FIG. 69 (b2). The center coordinates 692a of the on-output area 691 are sent to the microcomputer (not shown) as finger detection coordinates.
(4) Modification Example In the above embodiment, the area and size of the on-output region 691 are varied by changing the precharge signal Vp. However, in the calibration of the present invention, the exposure time Tc may be changed as described with reference to FIG. For example, in the state shown in FIG. 69 (b1), it is assumed that the exposure time Tc is 100H (100 times the horizontal scanning period (1H)).

ホトセンサ処理回路18により、露光時間Tcを短くかくし(短縮)、オン出力領域691を測定(検出)する。露光時間Tcの短縮によりオン出力領域691の面積が発生あるいは増大する。露光時間Tcの短縮は、オン出力領域691bが消去するまで実施する。また、好ましくは、図69(b2)に図示するように、オン出力領域691が発生し、オン出力領域691が一定の面積を注する単独孤立の略円状になるまで、露光時間Tcを短縮させる。   The photo sensor processing circuit 18 shortens (shortens) the exposure time Tc and measures (detects) the ON output region 691. By shortening the exposure time Tc, the area of the ON output region 691 is generated or increased. The exposure time Tc is shortened until the ON output area 691b is erased. Preferably, as shown in FIG. 69 (b2), the ON output region 691 is generated, and the exposure time Tc is shortened until the ON output region 691 becomes a single isolated substantially circular shape with a fixed area. Let

オン出力領域691の変化あるいは変更は、露光時間Tc、プリチャージ信号Vp単独の変化だけでなく、露光時間Tcとプリチャージ信号Vpの両方を組み合わせて実施してもよい。その他、比較電圧(コンパレータ)Vrefを変化させてもオン出力領域691を変化あるいは調整できることは言うまでもない。   The change or change of the ON output region 691 may be implemented by combining not only the exposure time Tc and the precharge signal Vp alone, but also a combination of both the exposure time Tc and the precharge signal Vp. In addition, it goes without saying that the ON output region 691 can be changed or adjusted by changing the comparison voltage (comparator) Vref.

トランジスタ32bの出力の取り込みタイミング、ソースドライバ回路(IC)14からの映像信号の大きさ/出力タイミング、表示画素26の画像表示状態、感度の異なるホトセンサ35の選択(図17で説明)によってもオン出力領域691の出現あるいは面積の変化あるいは可変もしくは調整することができる。   It is also turned on according to the timing of capturing the output of the transistor 32b, the magnitude / output timing of the video signal from the source driver circuit (IC) 14, the image display state of the display pixel 26, and the selection of the photosensor 35 having different sensitivity (explained in FIG. 17). Appearance of the output region 691, change in area, variable or adjustment can be performed.

露光時間Tcの長さ、プリチャージ信号Vpの大きさ、比較電圧Vrefの大きさ、トランジスタ32bの出力の取り込みタイミング、ソースドライバ回路(IC)14からの映像信号の大きさ/出力タイミング、表示画素26の画像表示状態、感度の異なるホトセンサ35の選択のうち、1つ以上を選択し、また複数を組み合わせて、オン出力領域691の範囲、大きさ、オン出力領域691の発生の有無などを調整あるいは可変もよいことは言うまでもない。   Length of exposure time Tc, magnitude of precharge signal Vp, magnitude of comparison voltage Vref, capture timing of output of transistor 32b, magnitude / output timing of video signal from source driver circuit (IC) 14, display pixel One or more of 26 image display states and photosensors 35 having different sensitivities are selected, and a plurality of them are combined to adjust the range and size of the ON output area 691, the presence / absence of occurrence of the ON output area 691, and the like. Needless to say, it may be variable.

なお、ホトセンサ画素27のトランジスタ32bがPチャンネルトランジスタの場合は、露光時間Tc、プリチャージ信号Vpの大きさ、比較電圧(コンパレータ電圧)Vrefの大きさなどの制御は、先の実施例と逆の方向に制御すればよいことは言うまでもない。   When the transistor 32b of the photosensor pixel 27 is a P-channel transistor, the control of the exposure time Tc, the magnitude of the precharge signal Vp, the magnitude of the comparison voltage (comparator voltage) Vref, and the like is the reverse of the previous embodiment. Needless to say, the direction can be controlled.

図69(b2)のように、表示領域10に1つの孤立領域となるように、かつ孤立領域のオン出力領域691が略円状となるようにする。オン出力領域691の中心座標692はマイコン(図示せず)に指の検出座標として送出される。   As shown in FIG. 69 (b2), the display area 10 is formed as one isolated area, and the ON output area 691 of the isolated area is substantially circular. Center coordinates 692 of the on-output area 691 are sent to the microcomputer (not shown) as finger detection coordinates.

以上のように、本発明は、オン出力領域691を操作(調整あるいは可変)することを目的としてキャリブレーションを実施することを特徴とする。また、キャリブレーションは、表示領域10(あるいはホトセンサ画素27の形成領域、この領域を本発明において表示領域10と同一あるいは略一致するとしている)において、オン出力領域691が1つとなるようにすることを特徴とする。さらに好ましくは、オン出力領域691が単独の孤立領域となるように(図69(a2)、(b2)の状態)することを特徴とする。さらに好ましくはオン出力領域691の単独の孤立状態の形状が略円状となり、前記略円状の中心座標(図69(a2)、(b2)の692)が1つに特定されるようにすることを特徴としている。   As described above, the present invention is characterized in that calibration is performed for the purpose of operating (adjusting or changing) the ON output region 691. In the calibration, the display area 10 (or the formation area of the photosensor pixel 27, which is the same as or substantially coincides with the display area 10 in the present invention) is set to one ON output area 691. It is characterized by. More preferably, the ON output region 691 is a single isolated region (the states shown in FIGS. 69 (a2) and (b2)). More preferably, the isolated state of the ON output region 691 is substantially circular, and the substantially circular center coordinates (692 in FIGS. 69 (a2) and (b2)) are specified as one. It is characterized by that.

表示領域10においてホトセンサ35、トランジスタ32bなどの特性バラツキに影響されないようにするため、表示領域10をマトリックス状に区分し、前記マトリックス状の区分内において平均値、あるいはオン出力数をカウントし一定以上のカウント数でオンまたはオフ状態のマトリックス区分と判定することにより、マトリックスの区分で1つの判断データとして処理を行う。   In order to prevent the display area 10 from being affected by variations in characteristics of the photosensor 35, the transistor 32b, etc., the display area 10 is divided into a matrix, and the average value or the number of ON outputs is counted within a certain range within the matrix. By determining that the matrix section is in the on or off state with the count number, processing is performed as one piece of judgment data in the matrix section.

この判断データでオン出力領域691を構成する。なお、マトリックスの区分とはホトセンサ画素27あるいは画素16が縦10個×横10個となるように区分して処理をすることを意味する。
(第3の実施形態)
以上の実施例は、入力対象物の位置座標を検出するとして説明しているが、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、表示領域10に指が触れられたことを検出することも、本発明の目的である。また、本発明の特徴である。
(1)指などが触れた位置の検出
指701で表示領域10を触れ、触れた位置を検出する場合は、指701の先端座標を検出することが重要になる。指701で表示画面10を触れた場合は、図76(a)に図示するように、指701で遮光される。指701の先端部が最も遮光されるため、指701の先端部にオン出力領域691が発生する。
An ON output area 691 is constituted by this determination data. The matrix division means that the processing is performed by dividing the photosensor pixels 27 or the pixels 16 so as to be 10 vertical × 10 horizontal.
(Third embodiment)
Although the above embodiment has been described as detecting the position coordinates of the input object, the present invention is not limited to this. For example, it is also an object of the present invention to detect that a finger touches the display area 10. It is also a feature of the present invention.
(1) Detection of the position touched by a finger
When the display area 10 is touched with the finger 701 and the touched position is detected, it is important to detect the tip coordinate of the finger 701. When the display screen 10 is touched with the finger 701, the light is shielded by the finger 701 as shown in FIG. Since the tip of the finger 701 is shielded most, an ON output region 691 is generated at the tip of the finger 701.

指などの物体701は遮光物であるため、指701の影が表示領域10に発生し、指の先端部以外にもオン出力領域691が発生する。特にキャリブレーション時にプリチャージ信号Vpが高く設定した場合は、指などの物体701の全体にオン出力領域691が発生する。   Since the object 701 such as a finger is a light-shielding object, the shadow of the finger 701 is generated in the display area 10, and an ON output area 691 is generated in addition to the tip of the finger. In particular, when the precharge signal Vp is set high during calibration, an ON output region 691 is generated in the entire object 701 such as a finger.

この場合は、プリチャージ信号Vpなどを調整し、オン出力領域691が円状になるように、またオン出力領域691の面積が小さくなるようにすることが重要である。   In this case, it is important to adjust the precharge signal Vp and the like so that the ON output region 691 is circular and the area of the ON output region 691 is small.

図76(b1)(b2)に図示するように、指701の入力座標を検出するためには、画面10の設定(配置)方向の情報も重要となる。図76(b)は携帯表示装置に本発明の表示パネル658を配置した構成である。図76(b1)は本発明の表示パネル658を横長方向になるようにして、指701による入力を行った場合である。図76(b2)は本発明の表示パネル658を縦長方向になるようにして、指701による入力を行った場合である。
(2)表示パネルの配置方向
図76(a)に図示するように、指701の根元のAの箇所は影になりやすい。したがって、オン出力領域691になりやすい。表示パネル658がどのような方向に配置されているかの情報を知ることができれば、指701の根元のAの箇所を判断することができ、このA箇所のオン出力領域691を除外して指701の先端部のオン出力領域691を抽出できる。以上のように、本発明は、表示パネルの配置方向の情報(図76(b1)(b2))を使用することにも特徴がある。
As shown in FIGS. 76 (b1) and 76 (b2), in order to detect the input coordinates of the finger 701, information on the setting (arrangement) direction of the screen 10 is also important. FIG. 76B shows a configuration in which the display panel 658 of the present invention is arranged in a portable display device. FIG. 76 (b1) shows the case where the input with the finger 701 is performed with the display panel 658 of the present invention in the horizontally long direction. FIG. 76 (b2) shows the case where the input with the finger 701 is performed with the display panel 658 of the present invention in the vertically long direction.
(2) Arrangement direction of display panel As shown in FIG. 76 (a), the portion A at the base of the finger 701 is likely to be a shadow. Therefore, the ON output region 691 is likely to occur. If the information indicating in which direction the display panel 658 is arranged can be known, the location A at the base of the finger 701 can be determined, and the finger 701 is excluded by removing the ON output area 691 of the location A. It is possible to extract the ON output region 691 at the front end portion. As described above, the present invention is also characterized in that information on the arrangement direction of the display panel (FIGS. 76 (b1) and (b2)) is used.

指701入力する箇所を表示領域10内で特定できれば、さらに指入力の座標位置あるいは指入力されたことを検出することが容易となる。   If the place where the finger 701 is input can be specified in the display area 10, it becomes easier to detect the coordinate position of the finger input or the input of the finger.

図76(b1)の場合に、Aの部分に影が発生し、オン出力領域691となっても、表示パネル658が横向きに配置されている情報があれば、Aの部分が、表示パネル658の表示領域10の端に該当していることがわかる。したがって、A位置のオン出力領域を除外することができ、指701の先端である真のオン出力領域691を入力座標位置として検出できる。   In the case of FIG. 76 (b1), even if a shadow occurs in the portion A and becomes the ON output area 691, if there is information indicating that the display panel 658 is arranged horizontally, the portion A is displayed on the display panel 658. It can be seen that this corresponds to the end of the display area 10. Therefore, the ON output area at position A can be excluded, and the true ON output area 691 that is the tip of the finger 701 can be detected as the input coordinate position.

図76(b2)の場合に、Aの部分に影が発生し、オン出力領域691となっても、表示パネル658が縦向きに配置されている情報があれば、Aの部分が、表示パネル658の表示領域10の端に該当していることがわかる。したがって、A位置のオン出力領域を除外することができ、指701の先端である真のオン出力領域691を入力座標位置として検出できる。
(3)圧力による方法
本発明は、対象物701の影の箇所であるオン出力領域691が検出し、入力座標位置を求めるとした。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、表示パネル658の表面を指701で押圧すると、液晶層653の厚みが変化する。液晶層653の厚みの変化により、各ホトセンサ画素27の容量成分が変化する。そのため、押圧を受けた箇所の前記ホトセンサ画素27がオン出力となるかオフ出力となるかを設定するプリチャージ信号Vpの値は異なる。
In the case of FIG. 76 (b2), even if a shadow is generated in the portion A and becomes the ON output area 691, if there is information indicating that the display panel 658 is arranged vertically, the portion A is displayed on the display panel. It can be seen that this corresponds to the end of the display area 10 at 658. Therefore, the ON output area at position A can be excluded, and the true ON output area 691 that is the tip of the finger 701 can be detected as the input coordinate position.
(3) Method by Pressure In the present invention, the ON output area 691 which is a shadow portion of the object 701 is detected and the input coordinate position is obtained. However, the present invention is not limited to this. For example, when the surface of the display panel 658 is pressed with the finger 701, the thickness of the liquid crystal layer 653 changes. Due to the change in the thickness of the liquid crystal layer 653, the capacitance component of each photosensor pixel 27 changes. Therefore, the value of the precharge signal Vp for setting whether the photosensor pixel 27 at the place where the pressure is applied is turned on or off is different.

表示領域10に同一のプリチャージ信号Vpが印加されている場合において、かつ押圧を受けていない状態で、前記箇所がオン出力領域またはオフ出力領域691の場合、押圧を受けた箇所はオフ出力領域またはオン出力領域に変化する。この変化した箇所を検出することによっても、座標検出を行うことができる。   In the case where the same precharge signal Vp is applied to the display area 10 and when the position is the on output area or the off output area 691 in a state where no pressure is applied, the place where the pressure is received is the off output area. Or it changes to the ON output region. Coordinate detection can also be performed by detecting the changed portion.

つまり、外光の大きさ、変化によらず、対象物701の押圧によって、座標位置検出と接触検出を行うことができる。本発明の平面表示装置において、プリチャージ信号Vpの印加手段、画素27に形成あるいは自然と形成された容量34、ソースフォロワなどのトランジスタ32b、トランジスタ32a、32cの機能および動作をしようしている。駆動方式は先に説明したものと同様である。   That is, coordinate position detection and contact detection can be performed by pressing the object 701 regardless of the size and change of the external light. In the flat display device of the present invention, the function and operation of the application means of the precharge signal Vp, the capacitor 34 formed in the pixel 27 or formed naturally, the transistor 32b such as the source follower, and the transistors 32a and 32c are intended. The driving method is the same as described above.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用することができる。また、本発明の他の実施例と組み合わせることができる。
(入力座標の検出方法)
図77に図示するように、露光時間Tcを一定とし、プリチャージ信号Vpを可変したとき、オン画素数割合(%)が変化する。ホトセンサ画素27のトランジスタ32bがNチャンネルの場合は、プリチャージ信号Vpが高くなるにしたがって、オン画素数割合(%)が増加する。オン画素数割合(%)の増加が開始するプリチャージ信号VpをV0とする。
The above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Moreover, it can combine with the other Example of this invention.
(Input coordinate detection method)
As shown in FIG. 77, when the exposure time Tc is constant and the precharge signal Vp is varied, the ON pixel number ratio (%) changes. When the transistor 32b of the photosensor pixel 27 is an N-channel, the on-pixel ratio (%) increases as the precharge signal Vp increases. The precharge signal Vp at which the increase of the on-pixel number ratio (%) starts is set to V0.

一例としてV0電圧からA電圧でオン画素数割合(%)が100%となるとする。A電圧の幅は、0.4以上0.6V程度である。   As an example, assume that the on-pixel ratio (%) is 100% from the V0 voltage to the A voltage. The width of the A voltage is about 0.4 to 0.6V.

V0電圧からV0+A間のプリチャージ信号Vpによりオン画素数割合(%)は0%から100%のいずれかのオン画素数割合(%)になる。つまり、V0と基準としてプリチャージ信号Vp=V0+Vxの印加により所定のオン画素数割合(%)が得られる。
(1)基準電圧位置
本発明ではV0電圧もしくは基準電圧位置を求めることが重要である。所定のオン画素数割合(%)を得るための基準となるからである。V0を求めるために、図77の特性を図78(a)のように直線で近似する。図77に示す表示領域10のホトセンサ画素27の特性は、ほぼ正規分布する。図77のグラフは、正確には、この正規分布を加算したものとなる。したがって、V0近傍、V0+A近傍はグラフが非線形となる。しかし、本平面表示装置のおいては、オン画素数割合(%)の変化量を問題とする。したがって、V0近傍などの非線形は、オン出力領域691の変化量には問題とならない。特に、オン画素数割合(%)が50%前後(20%以上80%)は、オン出力領域691の変化量は直線性があるので問題とならない。
The precharge signal Vp between the V0 voltage and V0 + A causes the ON pixel number ratio (%) to be any ON pixel number ratio (%) from 0% to 100%. That is, a predetermined on-pixel number ratio (%) is obtained by applying precharge signal Vp = V0 + Vx with V0 as a reference.
(1) Reference voltage position In the present invention, it is important to obtain the V0 voltage or the reference voltage position. This is because it becomes a reference for obtaining a predetermined ratio (%) of the number of ON pixels. In order to obtain V0, the characteristic of FIG. 77 is approximated by a straight line as shown in FIG. The characteristics of the photosensor pixels 27 in the display area 10 shown in FIG. 77 are almost normally distributed. The graph in FIG. 77 is precisely obtained by adding this normal distribution. Therefore, the graph is non-linear near V0 and near V0 + A. However, in this flat display device, the amount of change in the on-pixel ratio (%) is a problem. Therefore, non-linearity such as in the vicinity of V0 does not cause a problem in the amount of change in the ON output region 691. In particular, when the ON pixel number ratio (%) is around 50% (20% or more and 80%), there is no problem because the amount of change in the ON output region 691 is linear.

図78(a)は説明を容易にするため、図77のグラフを90度回転させたものである。図78(a)の点線が図77の特性である。これを図78(a)に図示するように、実線のように近似する。   FIG. 78A is a graph obtained by rotating the graph of FIG. 77 by 90 degrees for easy explanation. The dotted line in FIG. 78 (a) is the characteristic of FIG. This is approximated by a solid line as shown in FIG.

図77のV0位置と図78(a)のV0位置とは、ずれている。また、図77のV0+A位置と図78(a)のV3位置ともずれている。図78(a)のように近似して説明する。つまり、プリチャージ信号Vp=V0からオン画素数割合(%)が変化し始める。プリチャージ信号Vp=V3でオン画素数割合(%)は100%となる。また、プリチャージ信号Vp=V1を印加した時のオン画素数割合(%)=aとし、プリチャージ信号Vp=V2の時のオン画素数割合(%)=bとする。また、0〜V0をVaとし、V3−V0をVbとする。
(2)オン画素数割合
図79は、外光照度とオン画素数割合(%)の関係を図示している。図79(a)は図78(a)のグラフである。図79(b)は外光照度とプリチャージ信号Vpとの関係を図示している。
The V0 position in FIG. 77 is shifted from the V0 position in FIG. 78 (a). Also, the position V0 + A in FIG. 77 is shifted from the position V3 in FIG. Description will be made by approximating as shown in FIG. That is, the on-pixel ratio (%) starts to change from the precharge signal Vp = V0. When the precharge signal Vp = V3, the on-pixel ratio (%) is 100%. Further, the ratio of the number of ON pixels when the precharge signal Vp = V1 is applied (%) = a, and the ratio of the number of ON pixels when the precharge signal Vp = V2 (%) = b. Also, 0 to V0 is Va, and V3-V0 is Vb.
(2) On Pixel Number Ratio FIG. 79 illustrates the relationship between the external light illuminance and the on pixel number ratio (%). FIG. 79A is a graph of FIG. FIG. 79B illustrates the relationship between the ambient light illuminance and the precharge signal Vp.

図79において、説明を容易にするため、オン画素数割合(%)を0%(あるいはわずかにオン画素数割合(%)が発生する位置あるいはポイント)を例示して説明する。   In FIG. 79, for ease of explanation, the on-pixel number ratio (%) will be described by exemplifying 0% (or a position or point where the on-pixel number ratio (%) slightly occurs).

しかし、本発明はオン画素数割合0%にして処理することに限定するものではない。たとえば、点線のようにオン画素数割合a(%)としてもよい。この場合は、ある外光照度Lのときは、A点のプリチャージ信号Vpとなる。A点のプリチャージ信号VpはVLaである。このVLa電圧をオン画素数割合(%)が0%となるプリチャージ信号Vp=VL0に変換するのは、図79(a)で容易に行える。オン画素数割合(%)とプリチャージ信号Vpの関係は、点線で図示しているように、VL0からVL100に線形と近似しているからである(図78)。   However, the present invention is not limited to processing with the on-pixel number ratio being 0%. For example, the ON pixel number ratio a (%) may be set as indicated by a dotted line. In this case, when the external light illuminance is L, the precharge signal Vp at point A is obtained. The precharge signal Vp at the point A is VLa. The conversion of the VLa voltage into the precharge signal Vp = VL0 in which the ON pixel number ratio (%) is 0% can be easily performed in FIG. This is because the relationship between the on-pixel ratio (%) and the precharge signal Vp is linearly approximated from VL0 to VL100 as shown by the dotted line (FIG. 78).

オン画素数割合(%)とプリチャージ信号VpのVL0〜VL100は比例関係になるから、容易にVL0の位置が計算で求まる。したがって、図79(b)のB点も求まる。なお、一般的に表現するため、以下にオン画素数割合(%)が0%の直線(実線)をオン画素数割合b(%)として説明する。   Since the ratio (%) of the number of on-pixels and VL0 to VL100 of the precharge signal Vp are in a proportional relationship, the position of VL0 can be easily obtained by calculation. Therefore, point B in FIG. 79 (b) is also obtained. For general expression, a straight line (solid line) with an ON pixel number ratio (%) of 0% will be described below as an ON pixel number ratio b (%).

任意の外光照度Lに対してプリチャージ信号Vpを調整し、目標とするオン画素数割合b(%)は、0%以上20%以下とすることが好ましい。特に、0%以上10%以下とすることが好ましい。   It is preferable that the precharge signal Vp is adjusted with respect to an arbitrary external light illuminance L, and the target on-pixel number ratio b (%) is 0% or more and 20% or less. In particular, it is preferably 0% or more and 10% or less.

VL0とVL100の間隔ΔVwは、温度、プリチャージ信号Vpなどにより変化するが、オン画素数割合(%)が変化し始める位置(プリチャージ信号Vp=VL0)のΔVの変化量は少ないからである。VL0=VLa−ΔVw・a/100で求めることができる。もちろん、オン画素数割合(%)は、70〜100%に設定してもよい。100%近傍は基準点として処理が容易である。
(4)補正係数
ΔVwの値は、ホトセンサ35の温度、入射光の強度(外光照度)により補正することが好ましい。特に、1000ルクス(Lx)以下の低照度領域における外光照度に対する依存性が大きい場合がある。この場合は、VL0とVL02との電圧差に対する補正係数Cvをあらかじめ設定しておき、ΔVw×(VL0−VL02)×Cvとする。なお、Cvは、m、nなどの値によりさらに補正することが好ましい。
This is because the interval ΔVw between VL0 and VL100 changes depending on the temperature, the precharge signal Vp, etc., but the change amount of ΔV at the position where the on-pixel number ratio (%) starts to change (precharge signal Vp = VL0) is small. . VL0 = VLa−ΔVw · a / 100. Of course, the ON pixel number ratio (%) may be set to 70 to 100%. The vicinity of 100% is easy to process as a reference point.
(4) The value of the correction coefficient ΔVw is preferably corrected by the temperature of the photosensor 35 and the intensity of incident light (external light illuminance). In particular, the dependence on the illuminance of outside light in a low illuminance region of 1000 lux (Lx) or less may be large. In this case, a correction coefficient Cv for the voltage difference between VL0 and VL02 is set in advance and is set to ΔVw × (VL0−VL02) × Cv. Note that Cv is preferably further corrected by values such as m and n.

mの大きさ、第1の露光時間Tc1でのプリチャージ信号VpとV0電圧差、第1の露光時間Tc1でのプリチャージ信号Vpの大きさ、第2の露光時間Tc2でのプリチャージ信号Vpの大きさを基準に補正係数Cvで補正してもよいことは言うまでもない。補正演算的には、前記値などに補正係数Cvをかけるとよい。
(4)露光時間Tcとの関係
本発明の特徴は、ある外光照度(もしくはホトセンサ画素27に任意の強度の光が照射された状態)において、任意のオン画素数割合(%)(たとえば、0%とか、5%とか、10%とか)になるように、プリチャージ信号Vpを調整あるいは設定するものである。また、複数の露光時間Tcにおいて、前記任意のオン画素数割合(%)となるようにプリチャージ信号Vpを調整あるいは設定するものである。
The magnitude of m, the voltage difference between the precharge signal Vp and the V0 at the first exposure time Tc1, the magnitude of the precharge signal Vp at the first exposure time Tc1, and the precharge signal Vp at the second exposure time Tc2. Needless to say, the correction coefficient Cv may be used as a reference. In terms of correction calculation, a correction coefficient Cv may be applied to the value or the like.
(4) Relationship with exposure time Tc A feature of the present invention is that any on-pixel number ratio (%) (for example, 0) in a certain external light illuminance (or a state in which light of arbitrary intensity is irradiated on the photosensor pixel 27). %, 5%, 10%, etc.) to adjust or set the precharge signal Vp. Further, the precharge signal Vp is adjusted or set so that the arbitrary ON pixel number ratio (%) is obtained in a plurality of exposure times Tc.

図79(b)では、複数の露光時間Tcとは、324H(324水平走査期間)と、その半分の162H(162H水平走査期間)としている。もちろん、本発明は、露光時間Tcを324Hなどに限定するものではない。本発明は、複数の露光時間Tcは、2つ以上設定すればよい。2つの露光時間Tcを選択する場合、1つの露光時間Tcは、1フレームに近い値を採用することが好ましい。たとえば、1フレームが340H(水平走査期間)であれば、340Hに近い方が好ましい。一例として、1フレームを構成する水平走査期間D(1フレーム=DH)とすれば、第1の露光時間Tcは、D×0.6以上D以下とすることが好ましい。特に、D×0.8以上D以下とすることが好ましい。説明を容易にするため(具体的にするため)、1フレーム=340Hとし、図79(b)は、第1の露光時間Tcは324Hとしている。   In FIG. 79 (b), the plurality of exposure times Tc are 324H (324 horizontal scanning period) and half of that are 162H (162H horizontal scanning period). Of course, the present invention does not limit the exposure time Tc to 324H or the like. In the present invention, two or more exposure times Tc may be set. When selecting two exposure times Tc, it is preferable to adopt a value close to one frame for one exposure time Tc. For example, if one frame is 340H (horizontal scanning period), it is preferable to be close to 340H. As an example, if the horizontal scanning period D (1 frame = DH) constituting one frame is set, the first exposure time Tc is preferably set to D × 0.6 or more and D or less. In particular, D × 0.8 or more and D or less are preferable. For ease of explanation (in order to make it concrete), 1 frame = 340H, and in FIG. 79 (b), the first exposure time Tc is 324H.

第2の露光時間Tcは、第1の露光時間Tcの1/2近傍とすることが好ましい。一例として、1フレームを構成する水平走査期間D(1フレーム=DH)とすれば、第2の露光時間Tcは、D×0.6×0.5以上D×0.8以下とすることが好ましい。特に、D×0.8×0.5以上D×0.6以下とすることが好ましい。説明を容易にするため、あるいは具体的にするため、1フレーム=340Hとし、図79(b)は、第2の露光時間Tcは324/2=162Hとしている。   The second exposure time Tc is preferably in the vicinity of ½ of the first exposure time Tc. As an example, if the horizontal scanning period D (1 frame = DH) constituting one frame is set, the second exposure time Tc may be set to D × 0.6 × 0.5 or more and D × 0.8 or less. preferable. In particular, D × 0.8 × 0.5 or more and D × 0.6 or less are preferable. In order to make the explanation easy or specific, one frame = 340H, and in FIG. 79 (b), the second exposure time Tc is 324/2 = 162H.

第2の露光時間Tcは、略第1の露光時間Tcの1/2とすることが好ましい。ビット処理では、第1の露光時間Tcのデータを右に1ビットシフトすることにより第2の露光時間Tcとなる。つまり、複数の露光時間Tcの変更は、データの右または左シフトにより求めるあるいは算出することが好ましい。
(5)m、nの値
オン画素数割合は、a%を目標として動作させる。オフ画素数からカウントして分布を求める時は、a%として100以下50以上の範囲とすることが好ましい。a%の点を求め、VL0=VLa−ΔVw・a/100などの演算によりオン画素数割合0%を求めることが好ましい。
The second exposure time Tc is preferably approximately ½ of the first exposure time Tc. In the bit processing, the second exposure time Tc is obtained by shifting the data of the first exposure time Tc to the right by 1 bit. That is, it is preferable that the change of the plurality of exposure times Tc is obtained or calculated by right or left shift of data.
(5) Values of m and n The on-pixel ratio is operated with a target of a%. When obtaining the distribution by counting from the number of off-pixels, it is preferable that a% is in the range of 100 or less and 50 or more. It is preferable to obtain the point of a% and obtain the ON pixel number ratio 0% by calculation such as VL0 = VLa−ΔVw · a / 100.

第1の露光時間Tcでオン画素数割合がa%となるプリチャージ信号Vpをもとめ、つぎに第2の露光時間Tcでオン画素数割合が2%となるプリチャージ信号Vpを求める際には、電圧値をVLa−VLa×(第2の露光時間Tc/第1の露光時間Tc)とすることにより、高速に次のプリチャージ信号Vpを設定できる。   When obtaining the precharge signal Vp whose on-pixel number ratio is a% in the first exposure time Tc and then obtaining the precharge signal Vp whose on-pixel number ratio is 2% in the second exposure time Tc By setting the voltage value to VLa−VLa × (second exposure time Tc / first exposure time Tc), the next precharge signal Vp can be set at high speed.

オン画素数割合のa%は第1の露光時間Tcと第2の露光時間Tcで異なっていてもよい。VL0=VLa−ΔVw・a/100などの演算により簡単に所定のオン画素数割合に変換できるからである。   The on-pixel ratio a% may be different between the first exposure time Tc and the second exposure time Tc. This is because it can be easily converted into a predetermined ratio of the number of ON pixels by a calculation such as VL0 = VLa−ΔVw · a / 100.

オン画素数割合のb直線は、外光照度(Lx)の時に、オン画素数割合(%)がb(%)(図79の実施例では、b=0)となるようにプリチャージ信号Vpを印加したものである。   The b straight line of the on-pixel number ratio indicates the precharge signal Vp so that the on-pixel number ratio (%) is b (%) (b = 0 in the embodiment of FIG. 79) at the outside light illuminance (Lx). Applied.

第1の露光時間Tc=324Hのときのオン画素数割合0(%)の直線は、外光照度Lの時、B点のプリチャージ信号Vp=VL0となる。第2の露光時間Tc=324/2Hのときのオン画素数割合0(%)の直線は、外光照度Lの時、C点のプリチャージ信号Vp=VL02となる。D点は、kキャリブレーション時に設定するプリチャージ信号Vp=Vkである。   When the first exposure time Tc = 324H, the straight line with the on-pixel number ratio 0 (%) becomes the precharge signal Vp = VL0 at the point B when the ambient light illuminance is L. When the second exposure time Tc is 324 / 2H, the straight line with the on-pixel number ratio 0 (%) becomes the precharge signal Vp = VL02 at the point C when the ambient light illuminance is L. Point D is a precharge signal Vp = Vk set during k calibration.

プリチャージ信号VpのVL0、VL02はプリチャージ信号Vpの変化あるいは調整により測定される電圧である。プリチャージ信号VpのVL0、VL02により、プリチャージ信号Vp=Vkが計算などにより求められる値である。   VL0 and VL02 of the precharge signal Vp are voltages measured by changing or adjusting the precharge signal Vp. The precharge signal Vp = Vk is a value obtained by calculation or the like based on VL0 and VL02 of the precharge signal Vp.

点Bと点C間距離は、VL0−VL02である。したがって、オン画素数割合b(%)(露光時間Tc=DH)と、オン画素数割合b(%)(露光時間Tc=D/2H)となるようにプリチャージ信号Vpを変化させることにより求まる。   The distance between point B and point C is VL0−VL02. Therefore, it is obtained by changing the precharge signal Vp so that the on-pixel number ratio b (%) (exposure time Tc = DH) and the on-pixel number ratio b (%) (exposure time Tc = D / 2H). .

点Bと点C間距離をmとし、点Cと点D間距離をnとする。m:nの比は、外光照度L、L’、L’’にあっても、同一である。また、温度、外光の波長によってもほとんど変化しない。パネルの出荷時あるいは検査時もしくは調整時などにm:nの比率もしくはm、nの値を求めておく。   The distance between point B and point C is m, and the distance between point C and point D is n. The ratio of m: n is the same even in the ambient light illuminances L, L ′, and L ″. Further, it hardly changes depending on the temperature and the wavelength of external light. The ratio of m: n or the values of m and n are obtained when the panel is shipped, inspected or adjusted.

mの値(もしくは相対的な大きさ)がわかれば、nの値(もしくは相対的な大きさ)を求めることができる。mの値は、プリチャージ信号VpとしてVL0、VL02は測定し、このプリチャージ信号Vpから求めることができる。   If the value (or relative size) of m is known, the value (or relative size) of n can be obtained. The value of m can be obtained from the precharge signal Vp by measuring VL0 and VL02 as the precharge signal Vp.

オン画素数割合のa%は第1の露光時間Tcと第2の露光時間Tcで異なっていてもよい。VL0=VLa−ΔVw・a/100などの演算により簡単に所定のオン画素数割合に変換できるからである。
(6)温度補正
ΔVwは、外光照度により変化する。一般的に外光照度が高くなれば、大きくなる。したがって、mの値または大きさ、プリチャージ信号Vpの値または大きさに比例して補正係数を掛けることが好ましい。また、ΔVwはホトセンサ35あるいはホトセンサ画素27もしくはパネル658の温度により変化する。そのため、温度センサなどで温度を検出(測定)し、補正することが好ましい。温度センサとしてサーミスタが例示される。
(7)プリチャージ信号Vpの処理方法
オン画素数割合のb直線は、外光照度(Lx)の時に、オン画素数割合(%)がb(%)(図79の実施例では、b=0)となるようにプリチャージ信号Vpを印加したものである。第1の露光時間Tc=324Hのときのオン画素数割合0(%)の直線は、外光照度Lの時、B点のプリチャージ信号Vp=VL0となる。第2の露光時間Tc=324/2Hのときのオン画素数割合0(%)の直線は、外光照度Lの時、C点のプリチャージ信号Vp=VL02となる。D点は、キャリブレーション時に設定するプリチャージ信号Vp=Vkである。
The on-pixel number ratio a% may be different between the first exposure time Tc and the second exposure time Tc. This is because it can be easily converted into a predetermined ratio of the number of ON pixels by calculation such as VL0 = VLa−ΔVw · a / 100.
(6) Temperature correction ΔVw varies depending on the illuminance of outside light. In general, the higher the external light illuminance, the larger it becomes. Therefore, it is preferable to multiply the correction coefficient in proportion to the value or magnitude of m and the value or magnitude of the precharge signal Vp. ΔVw varies depending on the temperature of the photosensor 35, the photosensor pixel 27, or the panel 658. Therefore, it is preferable to detect (measure) the temperature with a temperature sensor or the like and correct it. A thermistor is exemplified as the temperature sensor.
(7) Precharge signal Vp processing method The straight line b of the on-pixel number ratio indicates that the on-pixel number ratio (%) is b (%) when the ambient light illuminance (Lx) (b = 0 in the embodiment of FIG. 79). ) To which the precharge signal Vp is applied. When the first exposure time Tc = 324H, the straight line with the on-pixel number ratio 0 (%) becomes the precharge signal Vp = VL0 at the point B when the ambient light illuminance is L. When the second exposure time Tc is 324 / 2H, the straight line with the on-pixel number ratio 0 (%) becomes the precharge signal Vp = VL02 at the point C when the ambient light illuminance is L. Point D is a precharge signal Vp = Vk set during calibration.

プリチャージ信号VpのVL0、VL02はプリチャージ信号Vpの変化あるいは調整により測定される電圧である。プリチャージ信号VpのVL0、VL02により、プリチャージ信号Vp=Vkが計算などにより求められる値である。   VL0 and VL02 of the precharge signal Vp are voltages measured by changing or adjusting the precharge signal Vp. The precharge signal Vp = Vk is a value obtained by calculation or the like based on VL0 and VL02 of the precharge signal Vp.

点Bと点C間距離は、VL0−VL02である。したがって、オン画素数割合b(%)(露光時間Tc=DH)と、オン画素数割合b(%)(露光時間Tc=D/2H)となるようにプリチャージ信号Vpを変化させることにより求まる。   The distance between point B and point C is VL0−VL02. Therefore, it is obtained by changing the precharge signal Vp so that the on-pixel number ratio b (%) (exposure time Tc = DH) and the on-pixel number ratio b (%) (exposure time Tc = D / 2H). .

点Bと点C間距離をmとし、点Cと点D間距離をnとする。m:nの比は、外光照度L、L’、L’’にあっても、同一である。また、温度、外光の波長によってもほとんど変化しない。パネルの出荷時あるいは検査時もしくは調整時などにm:nの比率もしくは値を求めておくことにより、mの値(もしくは相対的な大きさ)がわかれば、nの値(もしくは相対的な大きさ)を求めることができる。mの値は、プリチャージ信号VpとしてVL0、VL02は測定し、このプリチャージ信号Vpから求めることができる。   The distance between point B and point C is m, and the distance between point C and point D is n. The ratio of m: n is the same even in the ambient light illuminances L, L ′, and L ″. Further, it hardly changes depending on the temperature and the wavelength of external light. If the value of m (or relative size) is known by obtaining the ratio or value of m: n at the time of shipment, inspection or adjustment of the panel, the value of n (or relative size) )). The value of m can be obtained from the precharge signal Vp by measuring VL0 and VL02 as the precharge signal Vp.

露光時間Tcを変化させた場合、目標とするオン画素数割合(%)が同一であれば、任意の外光照度に対して、m:nの比率は一定に保たれる。また、露光時間Tcを変化させて複数のオン画素数割合b(%)の直線は原点のE点を通過する。本発明はこの性質を利用している。オン画素数割合がa(%)(点線で示す)の直線は、原点Eを通過しない。しかし、先に説明したように、VL0=VLa−ΔVw・a/100で求めることができる。ΔVwは、パネルの出荷時あるいは検査時もしくは調整時などに求めておく。したがって、A−C:C−Dの比率からVkを求めることができる。   When the exposure time Tc is changed, the ratio of m: n is kept constant with respect to arbitrary external light illuminance if the target on-pixel ratio (%) is the same. Further, by changing the exposure time Tc, a plurality of on-pixel number ratio b (%) straight lines pass through the E point of the origin. The present invention takes advantage of this property. A straight line having an on-pixel ratio of a (%) (indicated by a dotted line) does not pass through the origin E. However, as described above, it can be obtained by VL0 = VLa−ΔVw · a / 100. ΔVw is obtained when the panel is shipped or inspected or adjusted. Therefore, Vk can be obtained from the ratio of AC: CD.

m:n=2:1とし、第1のプリチャージ信号Vp=VL0=2.0V、第2のプリチャージ信号Vp=VL02=1.2Vとすれば、m=0.8、n=0.4となる。このことから、Vk=0.8Vとなる。ホトセンサ画素27には、このプリチャージ信号Vp=Vk=0.8Vを印加する。   If m: n = 2: 1, the first precharge signal Vp = VL0 = 2.0 V, and the second precharge signal Vp = VL02 = 1.2 V, then m = 0.8, n = 0. 4 From this, Vk = 0.8V. This precharge signal Vp = Vk = 0.8 V is applied to the photosensor pixel 27.

なお、以上の実施例では、任意の外光照度(ホトセンサ35に入射する光束量)において、複数の露光時間Tcを設定し、第1のプリチャージ信号Vp=VL0、第2のプリチャージ信号Vp=VL02を求めるとした。   In the above embodiment, a plurality of exposure times Tc are set for any external light illuminance (the amount of light incident on the photosensor 35), and the first precharge signal Vp = VL0 and the second precharge signal Vp = VL02 was determined.

露光時間Tcの設定は、3つ以上であってもよい。任意の外光照度Lに対して、3つ以上の露光時間Tcを設定し、平均化処理あるいは比率処理などを行うことにより、Vkの値をより精度よく求めることができる。また、1つの露光時間Tcにより、プリチャージ信号Vp=VL0がもとまり、この絶対値から、既知のm:nの値から、直接にVkを求めてもよい。また、プリチャージ信号Vp=VL0、VL02の絶対値あるいは相対値もしくは近傍値と、m、nの値などから、Vkを求めてもよい。   The exposure time Tc may be set to three or more. By setting three or more exposure times Tc for an arbitrary external light illuminance L and performing an averaging process or a ratio process, the value of Vk can be obtained more accurately. Further, the precharge signal Vp = VL0 is obtained from one exposure time Tc, and Vk may be directly obtained from the known m: n value from this absolute value. Further, Vk may be obtained from the absolute value or relative value or the vicinity value of the precharge signals Vp = VL0 and VL02 and the values of m and n.

V0は、ホトセンサ画素27の温度依存性、ホトセンサ35の光の波長依存性などにより、変化する。図79で説明した方法では、任意の外光照度Lに対して、同一のホトセンサ画素27を用いて、所定のオン画素数割合b(%)を得るようにプリチャージ電圧を変化あるいは調整もしくは設定するものである。   V0 varies depending on the temperature dependency of the photosensor pixel 27, the wavelength dependency of light of the photosensor 35, and the like. In the method described with reference to FIG. 79, the precharge voltage is changed, adjusted, or set so as to obtain a predetermined on-pixel number ratio b (%) using the same photosensor pixel 27 with respect to an arbitrary external light illuminance L. Is.

V0を求めるのに、外光照度Lの値は不要である。つまり、どんな外光照度に対しても、異なる露光時間Tcに対して同一のオン画素数割合b(%)となるように、異なる2種類のプリチャージ信号を印加すればよい。   The value of the ambient light illuminance L is not necessary for obtaining V0. That is, it is only necessary to apply two different types of precharge signals so that the same on-pixel number ratio b (%) for different exposure times Tc for any external light illuminance.

異なる露光時間Tcに対して、同一のオン画素数割合b(%)となるように調整などするとしたが、同一のオン画素数割合b(%)とするものではない。第1の露光時間Tcに対するオン画素数割合(%)がb1(%)で、第2の露光時間Tcに対するオン画素数割合(%)がb2(%)であっても、VL0=VLa−ΔVw・a/100を応用することにより、b1=b2とすることができる。つまり、オン画素数割合(%)の直線が、原点Eを通らない場合でも、計算により原点Eを通貨するようにシフトさせることができるからである。
(8)ホトセンサ構成
図79の説明は、表示領域10に1種類のホトセンサ画素27を形成した実施例である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。表示領域10に複数種類のホトセンサ画素27を形成してもよい。複数のホトセンサ画素27から1つのホトセンサ画素27を抽出すれば、図79の方式を適用できる。また、複数のホトセンサ画素27を一体として処理すれば、図79の実施例を適用できる。
(第2の実施形態)
図79の実施例では、複数の露光時間Tcにより、オン画素数割合(%)を同一にするようにするとしたが、本発明はこれに限定するものではない。2以上のオン画素数割合(%)から、V0電圧を求めてもよい。多くの露光時間Tc、プリチャージ信号Vp、オン画素数割合(%)からVkをもとめ、また、もとめられたVkを平均化処理、中央値をピックアップすることにより、精度が向上する。
(第3の実施形態)
求められたVk電圧を用いて、キャリブレーションを行う。しかし、Vkはリアルタイムで変化させることに限定するものでない。理論的には外光照度Lの変化によりVkの値は、固定値であるが、実際には算出精度のよりVk電圧は揺らぐ。したがって、キャリブレーションに用いるVk電圧の変化はゆっくりと変化させる方がよい。また、ヒステリシス特性をもたせることが好ましい。したがって、求めたVk電圧は、一定個数をメモリに記憶し、移動平均化処理を行う。また、最大値、最小値を除外する処理を行う。また、一定期間に変化する変化量を規定範囲内となるようにする。
(第4の実施形態)
本明細書の説明において、説明を容易にするためVk電圧を求めるとするが、これに限定するものではない。Vkに近似する値、またそれに類する値を求めるものである。また、間接的にVkに対応する値を求めるもしくは得るものである。また、キャリブレーションはV0を直接使用する場合もあるが、Vk電圧に所定値を加減算する。また、所定の定数をかけて使用する。
Although the adjustment is made so that the same on-pixel number ratio b (%) is set for different exposure times Tc, it is not the same on-pixel number ratio b (%). Even if the ON pixel number ratio (%) with respect to the first exposure time Tc is b1 (%) and the ON pixel number ratio (%) with respect to the second exposure time Tc is b2 (%), VL0 = VLa−ΔVw. -By applying a / 100, b1 = b2. That is, even if the straight line of the on-pixel number ratio (%) does not pass through the origin E, the origin E can be shifted by calculation to be currencyd.
(8) Photosensor Configuration The description of FIG. 79 is an example in which one type of photosensor pixel 27 is formed in the display area 10. However, the present invention is not limited to this. A plurality of types of photosensor pixels 27 may be formed in the display area 10. If one photosensor pixel 27 is extracted from a plurality of photosensor pixels 27, the method of FIG. 79 can be applied. If the plurality of photosensor pixels 27 are processed as a unit, the embodiment of FIG. 79 can be applied.
(Second Embodiment)
In the embodiment of FIG. 79, the on-pixel ratio (%) is made the same by a plurality of exposure times Tc, but the present invention is not limited to this. The V0 voltage may be obtained from a ratio (%) of the number of ON pixels of 2 or more. Accuracy is improved by obtaining Vk from many exposure times Tc, precharge signal Vp, and on-pixel ratio (%), averaging the obtained Vk, and picking up the median.
(Third embodiment)
Calibration is performed using the obtained Vk voltage. However, Vk is not limited to changing in real time. Theoretically, the value of Vk is a fixed value due to a change in the ambient light illuminance L, but in reality the Vk voltage fluctuates due to the calculation accuracy. Therefore, it is better to change the Vk voltage used for calibration slowly. Moreover, it is preferable to have a hysteresis characteristic. Therefore, a fixed number of Vk voltages obtained are stored in the memory, and a moving average process is performed. In addition, processing for excluding the maximum value and the minimum value is performed. In addition, the amount of change that changes during a certain period is set within a specified range.
(Fourth embodiment)
In the description of the present specification, it is assumed that the Vk voltage is obtained for ease of explanation, but the present invention is not limited to this. A value approximate to Vk or a value similar thereto is obtained. In addition, a value corresponding to Vk is obtained or obtained indirectly. In some cases, V0 is directly used for calibration, but a predetermined value is added to or subtracted from the Vk voltage. Further, it is used with a predetermined constant.

プリチャージ信号Vpと露光時間Tc乗算値が一定あるいは所定の関係となるように、露光時間Tcとプリチャージ信号Vpの両方を同時に変化させてよいことは言うまでもない。その他、比較電圧(コンパレータ電圧)Vrefを変化させてもよい。
(第5の実施形態)
図78(a)はV0、V3で屈曲する特性カーブに近似したが本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図78(b)に図示するように、オン画素数割合(%)がx、yまたは、その位置に対応するプリチャージ信号VpがVa、Vbで屈曲あるいは角度が変化する特性カーブに近似してもよい。つまり、図78(a)の2点折れカーブだけでなく、図847(b)の4点折れカーブなどに近似してもよい。つまり複数の多点折れカーブもしくは曲線カーブに近似してもよい。このように近似することにより、より、V0位置などが正確に求めることができる。
(外部照度の取得方法)
図79で説明したように、m、nの値、n/m比などを用い、露光時間Tc1と露光時間Tc2の差電圧などをもとめることによりキャリブレーション電圧Vkを算出することができる。また、図80に図示するように、外光の照度を求めることもできる。
It goes without saying that both the exposure time Tc and the precharge signal Vp may be changed simultaneously so that the multiplication value of the precharge signal Vp and the exposure time Tc is constant or has a predetermined relationship. In addition, the comparison voltage (comparator voltage) Vref may be changed.
(Fifth embodiment)
FIG. 78A approximates a characteristic curve bent at V0 and V3, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 78 (b), the ON pixel number ratio (%) approximates to a characteristic curve in which the precharge signal Vp corresponding to the position is x, y, or the bending or the angle changes depending on Va, Vb. May be. That is, it may be approximated not only to the two-point bending curve of FIG. 78 (a) but also to the four-point bending curve of FIG. 847 (b). That is, it may be approximated to a plurality of multi-point bending curves or curved curves. By approximating in this way, the V0 position and the like can be obtained more accurately.
(External illuminance acquisition method)
As described with reference to FIG. 79, the calibration voltage Vk can be calculated by determining the voltage difference between the exposure time Tc1 and the exposure time Tc2 using the values of m and n, the n / m ratio, and the like. Further, as shown in FIG. 80, the illuminance of external light can also be obtained.

図80に図示するように、露光時間Tc1とし、オン画素数割合aとなるようにプリチャージ信号Vpを変化させることにより、キャリブレーション電圧VL0が求まる。一方、露光時間Tc2とし、先と同一のオン画素数割合aとなるようにプリチャージ信号Vpを変化させることにより、キャリブレーション電圧VL02が求まる。
(1)照度補正係数Hの調整
VL0−VL02はmの大きさである。ΔVp=VL0−VL02あるいは、m(もしくはn、n+m)は、外光照度Lに比例の関係にある。つまり、VL0−VL02の値に定数Hを掛けることにより、外光照度を推定することができる。Hの値は、パネル特性値として、パネルモジュールに実装されたEEPROM1401に書き込まれる。書き込まれたHの値は、パネルのアレイ基板11にCOG実装されたコントローラICにより、読み込まれ、外光照度などが計算される。計算された外部照度は、パネルモジュール外に配置または実装されたマイコン814に伝送される。
As shown in FIG. 80, the calibration voltage VL0 is obtained by changing the precharge signal Vp so that the exposure time is Tc1 and the ON pixel number ratio is a. On the other hand, the calibration voltage VL02 is obtained by changing the precharge signal Vp so that the exposure time Tc2 is the same as the previous ON pixel number ratio a.
(1) Adjustment of illuminance correction coefficient H VL0-VL02 is the magnitude of m. ΔVp = VL0−VL02 or m (or n, n + m) is proportional to the external light illuminance L. That is, the external light illuminance can be estimated by multiplying the value of VL0-VL02 by a constant H. The value of H is written in the EEPROM 1401 mounted on the panel module as a panel characteristic value. The written value of H is read by a controller IC mounted on the array substrate 11 of the panel by COG, and the illuminance of outside light is calculated. The calculated external illuminance is transmitted to the microcomputer 814 arranged or mounted outside the panel module.

Hの値は、パネルモジュールの出荷に検査あるいは調整工程にて測定する。調整は、設定する照度Lの光をパネルに照射し、露光時間Tc1の状態で、所定のオン画素数割合a%となるように、プリチャージ信号Vpを調整する。また、露光時間Tc2とし、所定のオン画素数割合a%となるように、プリチャージ信号Vpを調整する。この2つのプリチャージ信号Vpの差であるΔVpを求める。また、外光照度Lを測定する。H=L/ΔVpを求め、このHをEEPROMに記憶させる。Hは、ΔVpの大きさ1Vあたりの外光照度比率となる。   The value of H is measured in the inspection or adjustment process before shipping the panel module. The adjustment is performed by irradiating the panel with light of the illuminance L to be set and adjusting the precharge signal Vp so that the predetermined on-pixel number ratio is a% in the exposure time Tc1. Further, the precharge signal Vp is adjusted so that the exposure time Tc2 is obtained and the predetermined ON pixel number ratio a%. ΔVp, which is the difference between the two precharge signals Vp, is obtained. Further, the ambient light illuminance L is measured. H = L / ΔVp is obtained, and this H is stored in the EEPROM. H is the ambient light illuminance ratio per 1 V of ΔVp.

したがって、H×ΔVpを求めることにより、外光照度を求めることができる。なお、aの値として、30〜90%の値が好ましい。以上のように、本発明は、複数の露光時間Tcに対応するプリチャージ信号Vpと、測定時の外光照度Lから、換算係数Hを求める方法である。また、パネル動作時に換算係数Hを用いて、推定外光照度を求める方法である。   Therefore, the external light illuminance can be obtained by obtaining H × ΔVp. The value of a is preferably 30 to 90%. As described above, the present invention is a method for obtaining the conversion coefficient H from the precharge signal Vp corresponding to a plurality of exposure times Tc and the external light illuminance L at the time of measurement. Further, it is a method of obtaining the estimated external light illuminance using the conversion coefficient H during panel operation.

以上のことから、各パネルの特性を考慮して測定したHと、キャリブレーション動作時に測定されるΔVp(あるいは、mなどの値)から、外光照度を推定することができる。パネルのコントローラICで外光照度Lを求め、その値(H、Lなど)をマイコン814に伝送する(図81を参照のこと)。マイコン814は、本発明の表示装置をホトセンサとして外光照度を入手することができる。
(2)バックライト輝度の制御
マイコン814は、本発明の表示装置のバックライトのLEDドライバ813などを制御し、外光強度(外光照度)にあわせて適正な表示輝度となるようにバックライト656を調整する。たとえば、外光照度が低い時は、バックライト656輝度を低下させ、低消費電力化を実現する。一方、外光照度が高い時は、バックライト656の輝度を高くし、視認性を向上させる。
From the above, the ambient light illuminance can be estimated from H measured in consideration of the characteristics of each panel and ΔVp (or a value such as m) measured during the calibration operation. The panel controller IC calculates the ambient light illuminance L and transmits the value (H, L, etc.) to the microcomputer 814 (see FIG. 81). The microcomputer 814 can obtain ambient light illuminance using the display device of the present invention as a photosensor.
(2) Control of Backlight Luminance The microcomputer 814 controls the backlight LED driver 813 and the like of the display device of the present invention, and the backlight 656 so as to obtain appropriate display brightness according to the external light intensity (external light illuminance). Adjust. For example, when the illuminance of the outside light is low, the luminance of the backlight 656 is reduced to realize low power consumption. On the other hand, when the external light illuminance is high, the luminance of the backlight 656 is increased to improve the visibility.

以上のように、本発明の表示パネルに形成されたホトセンサ画素27を用い、外部照度の強度を検出することができる。また、検出した外部照度を用いてバックライトの輝度を制御でき、最適な表示輝度に設定することができる。
(3)プリチャージ信号(キャリブレーション電圧)の調整
求められた外光照度あるいは前記照度に相関する値またはデータが所定値以下の場合は、オン出力領域691の処理を変化させる駆動方式も例示される。たとえば、外光照度が50Lx以下のように非常に暗い場合である。この場合は、対象物701の影を検出するよりは、バックライト656から放射される光661が対象物701に反射し、反射する光をホトセンサ35で検出することが好ましい。したがって、プリチャージ信号Vpを最適に調整することにより、対象物701の箇所に対応するホトセンサ画素27はオフ出力領域691となる。他の箇所は、外光が弱いためオン出力領域をなる。したがって、図69とは逆の状態となる。
As described above, the intensity of external illuminance can be detected using the photosensor pixel 27 formed in the display panel of the present invention. Further, the brightness of the backlight can be controlled using the detected external illuminance, and the optimum display brightness can be set.
(3) Adjustment of precharge signal (calibration voltage) When the obtained external light illuminance or a value or data correlated with the illuminance is equal to or less than a predetermined value, a driving method for changing the processing of the on-output region 691 is also exemplified. . For example, it is a case where the external light illuminance is very dark such as 50 Lx or less. In this case, it is preferable that the light 661 emitted from the backlight 656 is reflected by the object 701 and the reflected light is detected by the photosensor 35 rather than detecting the shadow of the object 701. Therefore, the photosensor pixel 27 corresponding to the location of the object 701 becomes an off output region 691 by optimally adjusting the precharge signal Vp. Other locations are on-output regions due to weak external light. Therefore, the state is opposite to that in FIG.

以上の場合は、オン出力しているホトセンサ画素27とオフ出力をしているホトセンサ画素27の出力ロジックを反転処理することのより、以降の処理は以前に説明した処理方法を実施することができる。   In the above case, the subsequent processing methods can be implemented by inverting the output logic of the photosensor pixel 27 that is on and the photosensor pixel 27 that is off. .

本発明は、外光照度(あるいは外光照度の相対値)を検出できることである。外光照度の検出あるいは把握により低照度を検出し、ロジック変更して対象物701からの反射光を検出するという変更を実現できる。
(第2の実施形態)
Hを求める際は、1ポイントだけでなく、外光照度を複数に調整して多くのポイントでHの値を算出し、平均化処理などを行って求めることが好ましい。また、外光照度により、Hの値に誤差が発生する。そのため、屋内領域(低照度)、屋外領域(高照度)、超高照度領域(太陽光直射)など、複数の領域に区分してそれぞれのH(H1、H2、H3)を求める。あるいはあらかじめ求めておく。
The present invention is capable of detecting external light illuminance (or a relative value of external light illuminance). A change in which low illuminance is detected by detecting or grasping the illuminance of external light and the reflected light from the object 701 is detected by changing the logic can be realized.
(Second Embodiment)
When obtaining H, it is preferable to obtain not only one point but also adjust the external light illuminance to a plurality of points to calculate the value of H at many points and perform an averaging process or the like. Further, an error occurs in the value of H due to the illuminance of outside light. Therefore, it is divided into a plurality of areas such as an indoor area (low illuminance), an outdoor area (high illuminance), an ultra-high illuminance area (direct sunlight), and each H (H1, H2, H3) is obtained. Or it asks beforehand.

本発明において、mなどの値または大きさにより、キャリブレーション電圧Vt、外光照度などを算出あるいは求めるとした。しかし、第1の露光時間Tcにプリチャージ信号Vpの大きさ、第2の露光時間Tcのプリチャージ信号Vpの大きさ、キャリブレーション電圧Vtの大きさあるいは相対値もしくは絶対値などによっても、Hなどを求めることができる。以上のように、本発明は、1つ以上の露光時間Tcに対応するプリチャージ信号Vpなどにより、各種値の演算、キャリブレーションなどを実施するものである。   In the present invention, the calibration voltage Vt, the illuminance of external light, and the like are calculated or obtained based on a value or size such as m. However, the magnitude of the precharge signal Vp during the first exposure time Tc, the magnitude of the precharge signal Vp during the second exposure time Tc, the magnitude of the calibration voltage Vt, the relative value or the absolute value, etc. And so on. As described above, according to the present invention, various values are calculated and calibrated by the precharge signal Vp corresponding to one or more exposure times Tc.

ΔVwなどの値は、パネル温度(ホトセンサ画素27の温度)により、補正することが好ましい。また、外光などの主波長により補正することが好ましい。温度センサあるいはホトセンサをパネルに配置し、その出力により補正する。
(第3の実施形態)
本発明の表示装置は、指などの対象物701の影を検出する方式である。したがって、外光が弱い時は、オン画素領域691とオフ画素領域の差が発生しない。したがって、対象701に影を検出できず、座標検出の実現できない。つまり、対象物(指)入力不可である。指入力不可の場合は、操作者に入力不可を知らせる必要がある。
Values such as ΔVw are preferably corrected by the panel temperature (the temperature of the photosensor pixel 27). Moreover, it is preferable to correct by the dominant wavelength such as external light. A temperature sensor or photo sensor is placed on the panel and the output is corrected.
(Third embodiment)
The display device of the present invention is a method for detecting a shadow of an object 701 such as a finger. Therefore, when the outside light is weak, there is no difference between the on-pixel region 691 and the off-pixel region. Therefore, a shadow cannot be detected on the target 701, and coordinate detection cannot be realized. That is, an object (finger) cannot be input. If finger input is not possible, it is necessary to inform the operator that input is not possible.

本発明の表示装置は、EEPROM1401に記憶されたHの値と、ΔVpなどの測定値により外光照度Lを求めることができる。求めた外光照度の値をマイコン814に送ることにより、マイコン814側は、入力不可の低照度領域か否かを判断できる。   The display device of the present invention can obtain the external light illuminance L from the value of H stored in the EEPROM 1401 and a measured value such as ΔVp. By sending the calculated value of the external light illuminance to the microcomputer 814, the microcomputer 814 side can determine whether or not it is a low illuminance area where input is not possible.

たとえば、外光照度が50Lxなどの低照度領域で、入力不可の場合は、図83(a1)に図示するように、指入力×のアイコン831を表示する。また、比較的高い照度で入力可能な場合は、図83(a2)に図示するように、指入力○のアイコン831を表示する。   For example, when the input is not possible in a low illuminance region such as an external light illuminance of 50 Lx, a finger input x icon 831 is displayed as shown in FIG. 83 (a1). If input is possible with relatively high illuminance, a finger input ○ icon 831 is displayed as shown in FIG. 83 (a2).

また、図83(b2)に図示するように、指入力が可能な場合は、キャラクタのアイコン831を表示してもよい。また、入力不可の場合は、図83(b1)に図示するように、アイコンなどを表示しない。また、音声案内により入力可能、入力不可能を判別させてもよい。入力不可と可能な判別として、キャラクタなどの色を変化させてもよい。バイブレータの振動で操作者に知らせてもよい。外光照度の大きさを表示画面10に表示させてもよい。外光照度の大きさで、バックライト656の輝度を変化させてもよい。また、表示画面10の色を変化させてもよい。また、バックライトを点滅させてもよい。また、ブザー音を発生させてもよい。   In addition, as illustrated in FIG. 83 (b2), when a finger input is possible, a character icon 831 may be displayed. If the input is impossible, no icon or the like is displayed as shown in FIG. 83 (b1). Further, it may be determined whether or not input is possible by voice guidance. As a determination that the input is impossible, the color of the character or the like may be changed. The operator may be notified by vibration of the vibrator. The magnitude of the external light illuminance may be displayed on the display screen 10. The luminance of the backlight 656 may be changed depending on the illuminance of outside light. Further, the color of the display screen 10 may be changed. Further, the backlight may be blinked. Further, a buzzer sound may be generated.

以上のように、本発明は、外光照度を検出するホトセンサを有することなく、ホトセンサ画素27で外光照度を正確に検出できるという特徴ある効果を発揮する。
(第4の実施形態)
図82に図示するように、屋内(低照度)領域では、外光照度または推定外光が0以上L1a(Lx)の範囲をカバーする(Lw1)。そのときのプリチャージ信号Vpの範囲は、V1min以上V1maxとする。L1a(Lx)は露光時間Tcとプリチャージ信号Vpで調整あるいは設定できる。
As described above, the present invention exhibits a characteristic effect that the external light illuminance can be accurately detected by the photosensor pixel 27 without having a photosensor for detecting the external light illuminance.
(Fourth embodiment)
As shown in FIG. 82, in the indoor (low illuminance) region, the outside light illuminance or the estimated outside light covers a range of 0 or more L1a (Lx) (Lw1). The range of the precharge signal Vp at that time is set to V1min or more and V1max. L1a (Lx) can be adjusted or set by the exposure time Tc and the precharge signal Vp.

屋外(高照度)領域では、外光照度または推定外光がL1b以上L2aの範囲とカバーする(Lw2)。そのときのプリチャージ信号Vpの範囲は、V2min以上V2maxとする。範囲のL1b〜L2aは露光時間Tcとプリチャージ信号Vpで調整あるいは設定できる。   In the outdoor (high illuminance) region, the external light illuminance or the estimated external light covers the range of L1b to L2a (Lw2). The range of the precharge signal Vp at that time is V2min or more and V2max. The range L1b to L2a can be adjusted or set by the exposure time Tc and the precharge signal Vp.

太陽光直射(超高照度)領域では、外光照度または推定外光がL2b以上L3aの範囲とカバーする(Lw3)。そのときのプリチャージ信号Vpの範囲は、V3min以上V3maxとする。範囲のL2b〜L3aは露光時間Tcとプリチャージ信号Vpで調整あるいは設定できる。なお、L3a以上の範囲は、プリチャージ信号Vpの最大値V3maxを維持させる。この際、露光時間Tcを小さくしてもよい。   In the direct sunlight (ultra-high illuminance) region, the outside light illuminance or the estimated outside light covers the range of L2b or more and L3a (Lw3). The range of the precharge signal Vp at that time is V3min or more and V3max. The range L2b to L3a can be adjusted or set by the exposure time Tc and the precharge signal Vp. Note that the maximum value V3max of the precharge signal Vp is maintained in the range of L3a or more. At this time, the exposure time Tc may be reduced.

本発明は、図82に図示するように、カバーする照度範囲(Lw1、Lw2、Lw3)が重なっている点である。つまり、Lw1の範囲とLw2の範囲はa1の領域で重なっている。Lw2の範囲とLw3の範囲はa2の領域で重なっている。また、少なくとも、a1、a2は0以上とする。a1、a2の大きさは、各領域でのプリチャージ信号Vpの変化範囲(Vnmin、Vnmax ただし、図82の実施例ではnは、1、2、3のいずれかである)、露光時間Tcの設定で調整することができる。a1、a2の範囲を設けることにより、以下の効果を発揮する。
(1)キャリブレーション
まず、キャリブレーションのための調整動作について説明する。本発明の平面表示装置において、キャリブレーションを実施するため、プリチャージ信号Vpを変化させる場合を考える。外光照度はL2aとL3a間にあり、キャリブレーションはLw1の範囲のプリチャージ信号Vp=V1minから開始するとする。プリチャージ信号Vpは高い方向に変化する。
As shown in FIG. 82, the present invention is that the illuminance ranges (Lw1, Lw2, Lw3) to be covered overlap. That is, the range of Lw1 and the range of Lw2 overlap in the area a1. The range of Lw2 and the range of Lw3 overlap in the area a2. Moreover, at least a1 and a2 are 0 or more. The magnitudes of a1 and a2 are the range of change of the precharge signal Vp in each region (Vnmin, Vnmax where n is any one of 1, 2, and 3 in the embodiment of FIG. 82), and the exposure time Tc. Can be adjusted in settings. By providing the ranges of a1 and a2, the following effects are exhibited.
(1) Calibration First, an adjustment operation for calibration will be described. Consider a case where the precharge signal Vp is changed in order to perform calibration in the flat display device of the present invention. The external light illuminance is between L2a and L3a, and the calibration is started from the precharge signal Vp = V1min in the range of Lw1. The precharge signal Vp changes in the higher direction.

Lw1の範囲の最大のプリチャージ信号Vp=V1maxであるA1点に到達すると、Lw2の範囲に移行し、プリチャージ信号VpはB1点に変化する。この際、露光時間Tcも変化する。外光照度(または推定外光)はさらに高いため、Lw2の範囲でもキャリブレーション設定はできず、プリチャージ信号VpはLw2の範囲で上昇する。   When the point A1 where the maximum precharge signal Vp = V1max in the range of Lw1 is reached, the range shifts to the range of Lw2, and the precharge signal Vp changes to the point B1. At this time, the exposure time Tc also changes. Since the external light illuminance (or estimated external light) is higher, calibration cannot be set even in the range of Lw2, and the precharge signal Vp rises in the range of Lw2.

Lw2の範囲の最大のプリチャージ信号Vp=V2maxであるA2点に到達すると、Lw3の範囲に移行し、プリチャージ信号VpはB2点に変化する。また、露光時間TcもLw3の範囲で設定された値に変化する。Lw3の範囲でプリチャージ信号Vpは変化し、目標の外光照度(推定外光)に適正なプリチャージ信号Vpが決定される。
(2)ヒステリシス動作
外光は、たえず、変化している。また、対象物701の影などの影響により表示領域10に入射する光量は変化する。本発明は外光照度にあわせて、Lw1、Lw2・・・・・と変化させるものである。しかし、各範囲(Lw1、Lw2、Lw3・・・・)では、露光時間Tcが変化する。プリチャージ信号Vpも大きく変化し、また、精度も変化する。したがって、各範囲(Lw1、Lw2、Lw3・・・・)に移動は頻繁に発生しないことが好ましい。
When the point A2 where the maximum precharge signal Vp = V2max in the range of Lw2 is reached, the range shifts to the range of Lw3, and the precharge signal Vp changes to the point B2. The exposure time Tc also changes to a value set in the range of Lw3. The precharge signal Vp changes in the range of Lw3, and a precharge signal Vp appropriate for the target external light illuminance (estimated external light) is determined.
(2) Hysteresis operation Ambient light is constantly changing. Further, the amount of light incident on the display area 10 changes due to the influence of the shadow of the object 701 and the like. In the present invention, Lw1, Lw2,... Are changed in accordance with the illuminance of outside light. However, the exposure time Tc varies in each range (Lw1, Lw2, Lw3,...). The precharge signal Vp also changes greatly, and the accuracy also changes. Therefore, it is preferable that the movement does not occur frequently in each range (Lw1, Lw2, Lw3,...).

本発明は、a1、a2の範囲を設けることによりヒステリシス特性を構成している。たとえば、Lw1の範囲でプリチャージ信号Vpを調整する場合、プリチャージ信号VpがA1まで到達すると、Lw2の範囲のB1点に移動する。再び、Lw1の範囲に戻るのは、Lw2の範囲でC1点までプリチャージ信号Vpが低下した時である。   In the present invention, the hysteresis characteristics are configured by providing ranges of a1 and a2. For example, when the precharge signal Vp is adjusted in the range of Lw1, when the precharge signal Vp reaches A1, it moves to point B1 in the range of Lw2. Returning to the range of Lw1 again is when the precharge signal Vp drops to point C1 in the range of Lw2.

C1点に到達するとLw1の範囲のD1点に変化し、露光時間Tcなどが変化する。同様に、Lw2の範囲でプリチャージ信号Vpを調整する場合、プリチャージ信号VpがA2まで到達すると、Lw3の範囲のB2点に移動する。再び、Lw2の範囲に戻るのは、Lw3の範囲でC2点までプリチャージ信号Vpが低下した時である。C2点に到達するとLw2の範囲のD2点に変化し、露光時間Tcなどが変化する。   When the point C1 is reached, the point changes to the point D1 in the range of Lw1, and the exposure time Tc and the like change. Similarly, when the precharge signal Vp is adjusted in the range of Lw2, when the precharge signal Vp reaches A2, it moves to point B2 in the range of Lw3. Returning to the range of Lw2 again is when the precharge signal Vp drops to the point C2 in the range of Lw3. When the point C2 is reached, the point changes to the point D2 in the range of Lw2, and the exposure time Tc and the like change.

以上のように、各範囲(Lw1、Lw2、Lw3)間に、オーバーラップ範囲(a1、a2)を設けているため、各範囲の移動回数は減少する。したがって、安定した状態でキャリブレーションを実施できる。安定度は、a1、a2の大きさを調整することにより容易に実現できる。つまり、オーバーラップ範囲を設けることにより、一定範囲の外光変化ではレンジ移動が発生しないヒステリシス動作を実現している。   As described above, since the overlap ranges (a1, a2) are provided between the ranges (Lw1, Lw2, Lw3), the number of movements in each range decreases. Therefore, calibration can be performed in a stable state. The stability can be easily realized by adjusting the sizes of a1 and a2. That is, by providing an overlap range, a hysteresis operation that does not cause a range shift when a certain range of external light changes is realized.

各範囲(Lw1、Lw2、Lw3)のオーバーラップ期間(範囲)(a1、a2)は異ならせてもよいが、同一の方がキャリブレーション処理は容易である。また、最高範囲Lw3以上は、最大のプリチャージ信号Vp=V3maxとし、露光時間Tcを小さくしてキャリブレーション処理を行うことが好ましい。超高照度範囲では、キャリブレーション電圧のマージン範囲が広いからである。一定のプリチャージ信号Vpとしても問題なく動作し、また、キャリブレーション処理が容易になるからである。
(3)露光時間Tcの設定
各範囲(Lw1、Lw2、Lw3)の露光時間Tc1、Tc2は同一でもよいが、異ならせてもよい。最も小さい照度範囲Lw1の露光時間Tc1aと、次の照度範囲Lw2の露光時間Tc1bとの関係(Tc1a/Tc1b)は、2以上8以下を満足するようにする。最も大きい照度範囲Lw3の露光時間Tc1cと、前の照度範囲Lw2の露光時間Tc1bとの関係(Tc1b/Tc1c)は、4以上12以下を満足するようにする。つまり、低照度範囲では、露光時間Tcの変化は小さくし、高照度範囲では露光時間Tcの変化を大きくする。
(ホトセンサの特性補償)
入力画面(表示領域)10内に、ホトセンサ35などの特性ムラあるいは特性傾斜がない場合は、図79のVk電圧もしくはV0電圧は、基本的には表示領域10全体で求める。つまり、表示領域10のホトセンサ画素27の特性ばらつき全体で、1つのVkを求める(あるいは算出する)。
The overlap periods (ranges) (a1, a2) of the ranges (Lw1, Lw2, Lw3) may be different, but the calibration process is easier if they are the same. For the maximum range Lw3 or more, it is preferable to perform the calibration process by setting the maximum precharge signal Vp = V3max and reducing the exposure time Tc. This is because the margin range of the calibration voltage is wide in the ultra-high illuminance range. This is because the constant precharge signal Vp operates without any problem and the calibration process becomes easy.
(3) Setting of exposure time Tc The exposure times Tc1 and Tc2 of each range (Lw1, Lw2, Lw3) may be the same or different. The relationship (Tc1a / Tc1b) between the exposure time Tc1a of the smallest illuminance range Lw1 and the exposure time Tc1b of the next illuminance range Lw2 is set to satisfy 2 or more and 8 or less. The relationship (Tc1b / Tc1c) between the exposure time Tc1c of the largest illuminance range Lw3 and the exposure time Tc1b of the previous illuminance range Lw2 is set to satisfy 4 or more and 12 or less. That is, the change in the exposure time Tc is reduced in the low illuminance range, and the change in the exposure time Tc is increased in the high illuminance range.
(Photosensor characteristic compensation)
When there is no characteristic unevenness or characteristic inclination of the photosensor 35 or the like in the input screen (display area) 10, the Vk voltage or V0 voltage in FIG. That is, one Vk is obtained (or calculated) for the entire characteristic variation of the photosensor pixels 27 in the display area 10.

もちろん、各領域861にキャリブレーション電圧Vkを求めてもよいことはいうまでもない。図84に図示するように、表示領域10を複数の処理ブロック(BL)861に分割し、各処理ブロック(BL)861でVk電圧を求める。   Of course, it goes without saying that the calibration voltage Vk may be obtained for each region 861. As shown in FIG. 84, the display area 10 is divided into a plurality of processing blocks (BL) 861, and the Vk voltage is obtained in each processing block (BL) 861.

処理ブロックは、表示領域10の全体を複数に分割するか、もしくは、表示領域10の一部または所定範囲の部分を複数に分割する。処理ブロック(BL)はまた、複数の区分に分割される。この区分は複数のホトセンサ画素27を有するが、最小構成は、1ホトセンサ画素27=1区分である。また、処理ブロック(BL)=区分の場合もある。したがって、処理ブロックの最小構成は、1処理ブロック(BL)=1ホトセンサ画素27という場合がある。
(1)特性分布
表示領域10には、一定方向に特性傾斜がある。たとえば、図85(a)に図示するように、入力画面10内にホトセンサ35、トランジスタ32bなどの特性傾斜がある。また、図85(b)に図示するように、入力画面10の中央部と周辺部とでホトセンサ35、トランジスタ32bなどの特性が異なる場合がある。また、図85(c)に図示するように、入力画面10内に帯状に、ホトセンサ35、トランジスタ32bなどの特性分布が発生する場合がある。
The processing block divides the entire display area 10 into a plurality of parts, or divides a part of the display area 10 or a part of a predetermined range into a plurality of parts. The processing block (BL) is also divided into a plurality of sections. This section has a plurality of photosensor pixels 27, but the minimum configuration is one photosensor pixel 27 = 1 section. In some cases, processing block (BL) = section. Therefore, the minimum configuration of the processing block may be 1 processing block (BL) = 1 photo sensor pixel 27 in some cases.
(1) Characteristic distribution The display area 10 has a characteristic inclination in a certain direction. For example, as shown in FIG. 85A, the input screen 10 has characteristic gradients such as the photosensor 35 and the transistor 32b. In addition, as illustrated in FIG. 85B, the characteristics of the photosensor 35, the transistor 32b, and the like may be different between the central portion and the peripheral portion of the input screen 10. In addition, as illustrated in FIG. 85C, characteristic distributions of the photosensor 35, the transistor 32b, and the like may occur in a band shape in the input screen 10.

図85で説明したホトセンサ35、トランジスタ32bの特性ばらつきのため、図84(a)に図示する各処理ブロック(BL)861は、図84(b)に示すように、プリチャージ信号Vpに対するオン画素数割合(%)は一定の範囲で特性がばらつく。一例として、図84(b)の実線が入力画面10内の平均値であり、点線が最小値であり、一点鎖線が最大値である。たとえば、処理ブロック(BL)861のaでは点線の特性カーブであり、処理ブロック(BL)861のbでは、実線の特性カーブであり、処理ブロック(BL)861のcでは、一点鎖線の特性カーブとなる場合がある。
(2)処理ブロック(BL)
表示領域10の全体でVkを求めると、図84(b)の実線の開始電圧となる。一例としてプリチャージ信号Vpは1Vである。図78(a)に図示するように、直線近似しているので、V0としては、1.5V程度となる。なお、処理ブロックはBL、また861として記号を付加する。
Due to variations in characteristics of the photosensor 35 and the transistor 32b described with reference to FIG. 85, each processing block (BL) 861 illustrated in FIG. 84A is turned on by a pixel corresponding to the precharge signal Vp as illustrated in FIG. 84B. The number ratio (%) varies in a certain range. As an example, the solid line in FIG. 84B is the average value in the input screen 10, the dotted line is the minimum value, and the alternate long and short dash line is the maximum value. For example, in processing block (BL) 861 a, a characteristic curve is indicated by a dotted line, in processing block (BL) 861 b is a characteristic curve indicated by a solid line, and in processing block (BL) 861 c, a characteristic curve is indicated by a one-dot chain line. It may become.
(2) Processing block (BL)
When Vk is obtained in the entire display area 10, it becomes the start voltage of the solid line in FIG. As an example, the precharge signal Vp is 1V. As shown in FIG. 78A, since linear approximation is performed, V0 is about 1.5V. In addition, a process block adds a symbol as BL and 861.

表示領域10の各処理ブロックでは、図84に図示するように、各処理ブロック(BL)861でVkあるいはV0の値が異なる。そのため、入力画面(表示領域)10全体で、Vk、V0を求めると、キャリブレーションが適正値からはずれる。   In each processing block of the display area 10, the value of Vk or V0 is different in each processing block (BL) 861, as shown in FIG. For this reason, when Vk and V0 are obtained in the entire input screen (display area) 10, the calibration deviates from the appropriate value.

本発明はこの課題に対して、以下のようにして解決している。本発明は、図86にするように、処理ブロック(BL)861(例では、図84(a)に図示するように、BL1〜BL12に分けている)を、さらに複数の区分に分割している(図86)。各区分には、複数のホトセンサ画素27を有している。
(3)処理ブロック(BL)と区分
図86(a)は処理ブロック(BL)861内をマトリックス状に区分で分割した例である。図86(b)は処理ブロック(BL)861内をストライプ状に区分で分割した例である。図86(a)の各区分には、複数のホトセンサ画素27を有している。図86(b)のストライプ状の区分は、1画素行ごとに分割されている。つまり、1画素行または、1ホトセンサ画素27行ごとに区分されている。もちろん、これに限定されるものではなく、複数のホトセンサ画素27行ごとに区分してもよい。
(4)プリチャージ信号Vpの印加
以下、説明を容易にするため、図86(b)の実施例を例示して説明を行う。図86(a)の実施は、図86(b)の実施例を、画素列方向に分割して処理すればよいからである。
The present invention solves this problem as follows. In the present invention, as shown in FIG. 86, the processing block (BL) 861 (in the example, divided into BL1 to BL12 as shown in FIG. 84 (a)) is further divided into a plurality of sections. (FIG. 86). Each section has a plurality of photosensor pixels 27.
(3) Processing Block (BL) and Section FIG. 86A shows an example in which the processing block (BL) 861 is divided into sections in a matrix. FIG. 86 (b) shows an example in which the processing block (BL) 861 is divided into stripes. Each section in FIG. 86A has a plurality of photosensor pixels 27. The stripe-shaped section in FIG. 86 (b) is divided for each pixel row. That is, it is divided into one pixel row or 27 photosensor pixel rows. Of course, the invention is not limited to this, and the photosensor pixels may be divided into 27 rows.
(4) Application of Precharge Signal Vp Hereinafter, in order to facilitate the description, the embodiment of FIG. This is because the implementation of FIG. 86 (a) may be performed by dividing the embodiment of FIG. 86 (b) in the pixel column direction.

図87は、ホトセンサ35、トランジスタ32bの特性バラツキを補償する駆動方法あるいは制御方式の説明図である。図87(a)は、本発明の平面表示装置の調整工程を説明する説明図である。図87(b)は本発明の平面表示装置の動作状態(使用状態)の説明図である。   FIG. 87 is an explanatory diagram of a driving method or a control method that compensates for characteristic variations of the photosensor 35 and the transistor 32b. FIG. 87 (a) is an explanatory diagram illustrating an adjustment process of the flat display device of the present invention. FIG. 87 (b) is an explanatory diagram of the operation state (use state) of the flat display device of the present invention.

図87(a)において、処理ブロック(BL)861に複数のプリチャージ信号Vpを印加している。各区分には、同一のプリチャージ信号Vpが印加される。したがって、区分である画素行方向で同一で、処理ブロック(BL)861では複数のプリチャージ信号Vpを印加している。   87A, a plurality of precharge signals Vp are applied to the processing block (BL) 861. The same precharge signal Vp is applied to each section. Accordingly, a plurality of precharge signals Vp are applied in the processing block (BL) 861 which is the same in the pixel row direction as a section.

なお、図87(a)において、プリチャージ信号Vpをホトセンサ画素27あるいはホトセンサ35に印加するとして説明するが、このプリチャージ信号Vpは本発明の表示装置の調整用の信号である。プリチャージ信号Vpを印加し、また、このプリチャージ信号Vpを調整してホトセンサ画素27あるいはホトセンサ35の特性を測定あるいは検出する。したがって、プリチャージ信号Vpというよりは、特性検出信号と呼ぶべきものである。しかし、特性検出信号とプリチャージ信号Vpとは機能は同一であるため、ここではプリチャージ信号Vpとして説明を行う。   In FIG. 87A, the precharge signal Vp is described as being applied to the photosensor pixel 27 or the photosensor 35. The precharge signal Vp is a signal for adjusting the display device of the present invention. The precharge signal Vp is applied, and the precharge signal Vp is adjusted to measure or detect the characteristics of the photosensor pixel 27 or the photosensor 35. Therefore, it should be called a characteristic detection signal rather than the precharge signal Vp. However, since the characteristic detection signal and the precharge signal Vp have the same function, the description will be given here as the precharge signal Vp.

図87ではプリチャージ信号Vpの大きさの差異を1〜4の数字で示している。1(プリチャージ信号Vp1)、2(プリチャージ信号Vp2)、3(プリチャージ信号Vp3)、4(プリチャージ信号Vp4)とし、1を最も低いプリチャージ信号Vpとし、4を最も高いプリチャージ信号Vpとしている。プリチャージ信号Vpはホトセンサ処理回路18により、複数種類発生させる。
(4−1)プリチャージ信号Vpの大きさ
好ましくはプリチャージ信号Vpの大きさの種類は4以上がよいが、2以上であっても比較的広い外部光の範囲に対応できる。
In FIG. 87, the difference in the magnitude of the precharge signal Vp is indicated by numbers 1 to 4. 1 (precharge signal Vp1), 2 (precharge signal Vp2), 3 (precharge signal Vp3), 4 (precharge signal Vp4), 1 being the lowest precharge signal Vp, and 4 being the highest precharge signal Vp. A plurality of types of precharge signals Vp are generated by the photosensor processing circuit 18.
(4-1) The magnitude of the precharge signal Vp Preferably, the kind of the magnitude of the precharge signal Vp is 4 or more. However, even if it is 2 or more, it can cope with a relatively wide range of external light.

たとえば、プリチャージ信号Vpは、2.50V、2.52Vの2段階とする。また、プリチャージ信号Vpは、2.50V、2.51V、2.52V、2.53Vの4段階とする。8段階の時のプリチャージ信号Vpは、2.50V、2.51V、2.52V、2.53V、2.54V、2.55V、2.56V、2.57Vとする。
(4−2)プリチャージ信号Vpの差
各プリチャージ信号Vpの差は、0.05以上0.2V以下にすることが好ましい。また、図78(a)のV0電圧からV3電圧間を整数で分割することが好ましい。また、処理ブロック(BL)861ごとに変化できることが好ましい。たとえば、処理ブロック(BL)861のブロック1では、プリチャージ信号Vpを2.50V、2.51V、2.52V、2.53Vとし、処理ブロック(BL)861のブロック2では、プリチャージ信号Vpを2.53V、2.54V、2.55V、2.56Vとする。また、プリチャージ信号Vpの種類は、2の乗数とすることが好ましい。つまり、プリチャージ信号Vpの種類を2、4、6、8、・・・・・とする。
(4−3)プリチャージ信号Vpの印加位置
図87において、プリチャージ信号Vpの1〜4は、1画素行ごとに変化させることが最も好ましい。しかし、1画素行(1ホトセンサ画素行)ごとに変化させると、処理が複雑になり、また結果を格納するメモリ1401の容量も多く必要とする。そのため、図87に図示するように、1画素行ごとに変化させることが好ましい。もちろん、2画素行ごと、もしくは複数画素に変化させてもよい。
(5)液晶パネル駆動方法への対応
液晶パネルの駆動方式において、ライン反転駆動の場合は、1画素行ごとに正極性と負極性の映像信号を印加する。ソース信号線23とホトセンサ画素27とは寄生容量によりカップリングしている。そのため、映像信号の極性によりホトセンサ画素27の電位レベルが変動する。特に図43のように、プリチャージ信号Vpを印加する信号線と映像信号を印加するソース信号線とが共用されている場合にその影響は大きい。
For example, the precharge signal Vp has two stages of 2.50V and 2.52V. The precharge signal Vp has four stages of 2.50V, 2.51V, 2.52V, and 2.53V. The precharge signal Vp at the eight stages is 2.50V, 2.51V, 2.52V, 2.53V, 2.54V, 2.55V, 2.56V, and 2.57V.
(4-2) Difference in Precharge Signal Vp The difference in each precharge signal Vp is preferably 0.05 to 0.2V. Moreover, it is preferable to divide the V0 voltage to the V3 voltage in FIG. 78A by an integer. Moreover, it is preferable that it can change for every processing block (BL) 861. For example, in the block 1 of the processing block (BL) 861, the precharge signal Vp is set to 2.50V, 2.51V, 2.52V, and 2.53V, and in the block 2 of the processing block (BL) 861, the precharge signal Vp is set. Is 2.53V, 2.54V, 2.55V, and 2.56V. The type of the precharge signal Vp is preferably a multiplier of 2. That is, the type of the precharge signal Vp is 2, 4, 6, 8,.
(4-3) Precharge Signal Vp Application Position In FIG. 87, it is most preferable to change the precharge signals Vp 1 to 4 for each pixel row. However, if it is changed for each pixel row (one photosensor pixel row), the processing becomes complicated, and a large capacity of the memory 1401 for storing the result is required. Therefore, it is preferable to change for each pixel row as shown in FIG. Of course, every two pixel rows or a plurality of pixels may be changed.
(5) Response to liquid crystal panel drive method In the liquid crystal panel drive method, in the case of line inversion drive, positive and negative video signals are applied to each pixel row. The source signal line 23 and the photosensor pixel 27 are coupled by parasitic capacitance. Therefore, the potential level of the photosensor pixel 27 varies depending on the polarity of the video signal. In particular, as shown in FIG. 43, the influence is great when the signal line to which the precharge signal Vp is applied and the source signal line to which the video signal is applied are shared.

2画素行ごとにプリチャージ信号Vpの値を変化させれば、2画素行では正極性と負極性の映像信号が対で印加されているから、映像信号の極性の影響を受けないまたは軽減できる。したがって、プリチャージ信号Vpの電圧の変化は、2の倍数の画素行ごとに変化させることは効果がある。   If the value of the precharge signal Vp is changed for every two pixel rows, since the positive and negative video signals are applied in pairs in the two pixel rows, they are not affected by the polarity of the video signal or can be reduced. . Therefore, it is effective to change the voltage of the precharge signal Vp for each pixel row that is a multiple of two.

つまり、1、2番目の画素行にプリチャージ信号Vp1を印加し、3、4番目の画素行にプリチャージ信号Vp2を印加し、5、6番目の画素行にプリチャージ信号Vp3を印加し、7、8番目の画素行に・・・・・・印加する。また、1、2、3、4番目の画素行にプリチャージ信号Vp1を印加し、5、6、7、8番目の画素行にプリチャージ信号Vp2を印加し、9、10、11、12番目の画素行にプリチャージ信号Vp3を印加し、13、14、15、16番目の画素行に・・・・・・印加する。   That is, the precharge signal Vp1 is applied to the first and second pixel rows, the precharge signal Vp2 is applied to the third and fourth pixel rows, the precharge signal Vp3 is applied to the fifth and sixth pixel rows, Apply to the 7th and 8th pixel rows. Also, the precharge signal Vp1 is applied to the first, second, third, fourth and fourth pixel rows, and the precharge signal Vp2 is applied to the fifth, sixth, seventh and eighth pixel rows, and the ninth, tenth, eleventh and twelfth rows. The precharge signal Vp3 is applied to the pixel rows of, and... Are applied to the 13, 14, 15, 16th pixel rows.

以上のように、ライン反転駆動が1画素行ごとに映像信号の極性を変化させる場合は、2画素行ごとに、プリチャージ信号Vpを変化させる。つまり、映像信号の極性周期を1単位としてプリチャージ信号Vpを変化させる。したがって、区分は、映像信号の極性周期を考慮して分割する。   As described above, when the line inversion drive changes the polarity of the video signal for each pixel row, the precharge signal Vp is changed for every two pixel rows. That is, the precharge signal Vp is changed with the polarity period of the video signal as one unit. Therefore, the division is divided in consideration of the polarity period of the video signal.

以上の実施例は、画素行方向の分割の説明であった。液晶表示パネルの駆動方法がカラム反転などの列方方向に映像信号の極性を変化させる場合は、区分は、画素列に対応させて分割する。   The above embodiment is the description of the division in the pixel row direction. When the driving method of the liquid crystal display panel changes the polarity of the video signal in the column direction such as column inversion, the division is divided according to the pixel column.

プリチャージ信号Vpを、画素行ごとあるいは複数画素行ごとに変化させることは、1つのプリチャージ信号Vp発生源で実施することができる。1水平走査期間または複数水平走査期間ごとに、印加するプリチャージ信号Vpを変化させればよいからである。
(6)プリチャージ信号Vpの変化
各処理ブロック(BL)861のプリチャージ信号Vpは外光照度の大きさ、バックライト656の照度に応じて決定される。どのプリチャージ信号Vpを選択するかは、パネルの出荷前に検査工程で検査(測定)されて決定する。その際は、実際に使用するバックライト656またはそれに類する光発生源を装着して行われる。特に、表示領域10の周辺部ではバックライト656などの影響を受けて選択するプリチャージ信号Vpが異なる場合があるからである。
(7)基本プリチャージ信号Vp
プリチャージ信号Vpの絶対値ではなく、基本プリチャージ信号Vpの値からの差分で、設定してもよい。基本のプリチャージ信号VpをV0とし、差分値を0.1V、0.25V、0.32V、0.11Vなどとする。したがって、各ホトセンサ画素27に印加するプリチャージ信号Vpは、V0+0.10、V0+010、V0+0.25、V0+0.30、V0+0.32、・・・・・・・・となる。つまり、中央値のプリチャージ信号Vp(基本プリチャージ信号Vp)を定め、このプリチャージ信号Vpを中心として複数のプリチャージ信号Vpの大きさを決定する。
(8)調整方法
図87(a)は本発明の平面表示装置の調整方法の説明図である。図87(a)において、区分ごとに、プリチャージ信号Vpを印加する。印加するプリチャージ信号Vpは、ホトセンサ画素27の特性に対応させて印加する。まず、区分におけるオン画素数割合(%)を設定する。たとえば、区分でオン画素数割合(%)を0%、5%、50%、100%など測定あるいは把握しやすいオン画素数割合(%)を決めておく。ここでは、説明を容易にするため、オン画素数割合(%)を50%として設定する。
Changing the precharge signal Vp for each pixel row or for each of a plurality of pixel rows can be performed by one precharge signal Vp generation source. This is because the precharge signal Vp to be applied may be changed every one horizontal scanning period or every plural horizontal scanning periods.
(6) Change in Precharge Signal Vp The precharge signal Vp of each processing block (BL) 861 is determined according to the intensity of external light illuminance and the illuminance of the backlight 656. Which precharge signal Vp is selected is determined by inspection (measurement) in an inspection process before shipment of the panel. In that case, the backlight 656 actually used or a similar light generation source is attached. This is because the precharge signal Vp to be selected may be different in the peripheral area of the display area 10 due to the influence of the backlight 656 or the like.
(7) Basic precharge signal Vp
It may be set not by the absolute value of the precharge signal Vp but by the difference from the value of the basic precharge signal Vp. The basic precharge signal Vp is V0, and the difference values are 0.1V, 0.25V, 0.32V, 0.11V, and the like. Therefore, the precharge signal Vp applied to each photosensor pixel 27 is V0 + 0.10, V0 + 010, V0 + 0.25, V0 + 0.30, V0 + 0.32,. That is, a median precharge signal Vp (basic precharge signal Vp) is determined, and the sizes of the plurality of precharge signals Vp are determined with the precharge signal Vp as a center.
(8) Adjustment Method FIG. 87A is an explanatory diagram of the adjustment method of the flat display device of the present invention. In FIG. 87A, the precharge signal Vp is applied for each section. The precharge signal Vp to be applied is applied in accordance with the characteristics of the photosensor pixel 27. First, the ratio (%) of the number of ON pixels in the section is set. For example, the ON pixel number ratio (%) that is easy to measure or grasp, such as 0%, 5%, 50%, and 100%, is determined for each category. Here, for ease of explanation, the on-pixel number ratio (%) is set to 50%.

以下の説明において、1つのオン画素数割合(%)でプリチャージ信号Vpを決定するとして説明するが、これに限定するものではない。たとえば、オン画素数割合(%)が5%と20%のそれぞれになるようにプリチャージ信号Vpを調整し、複数のプリチャージ信号Vpを考慮あるいは演算して所定の1つのプリチャージ信号Vpを求めても良い。また、以下の説明においてオン画素数割合(%)を所定値にするとして説明するがこれに限定するものではない。たとえば、各区分でオン画素数を所定値となるようにプリチャージ信号Vpを調整し、決定してもよい。   In the following description, it is assumed that the precharge signal Vp is determined based on one on-pixel number ratio (%), but the present invention is not limited to this. For example, the precharge signal Vp is adjusted so that the ratio (%) of the number of ON pixels is 5% and 20%, and a predetermined one precharge signal Vp is obtained by considering or calculating a plurality of precharge signals Vp. You may ask. In the following description, the on-pixel ratio (%) is described as a predetermined value, but the present invention is not limited to this. For example, the precharge signal Vp may be adjusted and determined so that the number of ON pixels becomes a predetermined value in each section.

図87(a)において、区分1にプリチャージ信号Vpを印加し、オン画素数割合(%)を測定する。オン画素数割合(%)が50%よりも小さい場合は、先に印加したプリチャージ信号Vpよりも高いプリチャージ信号Vpを印加する。オン画素数割合(%)が50%よりも大きい場合は、先に印加したプリチャージ信号Vpよりも低いプリチャージ信号Vpを印加する。以上のように印加するプリチャージ信号Vpを変化させ、オン画素数割合(%)が50%あるいはその近傍の値となるように調整する。近傍の値とは、±10%以下である。さらに好ましくは、±5%以下となるようにプリチャージ信号Vpを調整あるいは設定する。   In FIG. 87A, the precharge signal Vp is applied to the section 1, and the on-pixel number ratio (%) is measured. When the on-pixel number ratio (%) is smaller than 50%, a precharge signal Vp higher than the previously applied precharge signal Vp is applied. When the on-pixel number ratio (%) is larger than 50%, a precharge signal Vp lower than the previously applied precharge signal Vp is applied. As described above, the precharge signal Vp to be applied is changed, and the on-pixel number ratio (%) is adjusted to 50% or a value in the vicinity thereof. The value in the vicinity is ± 10% or less. More preferably, the precharge signal Vp is adjusted or set to be ± 5% or less.

以上のように、プリチャージ信号Vpを調整し、オン画素数割合(%)が50%となるプリチャージ信号Vp1(プリチャージ信号Vp1を印加したとき、オン画素数割合(%)が50%となったとする)を求め、区分1のプリチャージ信号VpとしてEEPROM1401にプリチャージ信号Vp1を示す値またはデータを記憶させる。以上の動作は、MPU814で、ホトセンサ処理回路18を制御することにより行う。   As described above, the precharge signal Vp is adjusted so that the on pixel number ratio (%) is 50%. When the precharge signal Vp1 is applied, the on pixel number ratio (%) is 50%. And the value or data indicating the precharge signal Vp1 is stored in the EEPROM 1401 as the precharge signal Vp of section 1. The above operation is performed by controlling the photo sensor processing circuit 18 with the MPU 814.

同様に、区分2にプリチャージ信号Vpを印加し、オン画素数割合(%)を測定する。オン画素数割合(%)が50%よりも小さい場合は、先に印加したプリチャージ信号Vpよりも高いプリチャージ信号Vpを印加する。オン画素数割合(%)が50%よりも大きい場合は、先に印加したプリチャージ信号Vpよりも低いプリチャージ信号Vpを印加する。以上のように印加するプリチャージ信号Vpを変化させ、オン画素数割合(%)が50%あるいはその近傍の値となるように調整する。近傍の値とは、±10%以下である。さらに好ましくは、±5%以下となるようにプリチャージ信号Vpを調整あるいは設定する。   Similarly, the precharge signal Vp is applied to the section 2 and the on-pixel number ratio (%) is measured. When the on-pixel number ratio (%) is smaller than 50%, a precharge signal Vp higher than the previously applied precharge signal Vp is applied. When the on-pixel number ratio (%) is larger than 50%, a precharge signal Vp lower than the previously applied precharge signal Vp is applied. As described above, the precharge signal Vp to be applied is changed, and the on-pixel number ratio (%) is adjusted to 50% or a value in the vicinity thereof. The value in the vicinity is ± 10% or less. More preferably, the precharge signal Vp is adjusted or set to be ± 5% or less.

以上のように、区分2においても、プリチャージ信号Vpを調整し、オン画素数割合(%)が50%となるプリチャージ信号Vp2(プリチャージ信号Vp2を印加したとき、オン画素数割合(%)が50%となったとする)を求め、区分2のプリチャージ信号VpとしてEEPROM1401にプリチャージ信号Vp2を示す値またはデータを記憶させる。   As described above, also in the category 2, the precharge signal Vp is adjusted, and the on-pixel number ratio (%) is 50%. When the precharge signal Vp2 is applied, the on-pixel number ratio (% ) Is determined to be 50%), and the value or data indicating the precharge signal Vp2 is stored in the EEPROM 1401 as the precharge signal Vp of section 2.

同様の処理を、各区分で実施し、各区分のホトセンサ画素27特性に最適なプリチャージ信号Vp(オン画素数割合(%)が50%になるプリチャージ信号Vp)を測定あるいは設定し、測定あるいは設定したプリチャージ信号VpをEEPROM1401などの記憶手段に格納する。   Similar processing is performed in each section, and a precharge signal Vp (precharge signal Vp in which the on-pixel number ratio (%) is 50%) optimum for the characteristics of the photosensor pixel 27 of each section is measured or set, and measured. Alternatively, the set precharge signal Vp is stored in storage means such as the EEPROM 1401.

以上のようにして、区分のプリチャージ信号Vpを決定していく。図87(a)では、区分1、区分2、区分3、区分4・・・・・・・に対し、プリチャージ信号Vp1、プリチャージ信号Vp2、プリチャージ信号Vp2、プリチャージ信号Vp4、・・・・・と設定し、設定した値は、EEPROM1401に格納される。   As described above, the precharge signal Vp for the section is determined. 87 (a), for section 1, section 2, section 3, section 4,..., Precharge signal Vp1, precharge signal Vp2, precharge signal Vp2, precharge signal Vp4,. ... And the set value is stored in the EEPROM 1401.

図87(a)のプリチャージ信号Vpの印加動作を実施する時は、ホトセンサ画素27には光が照射されないようにして行う。もしくは、所定の既知の強さの光を表示領域10または形成されたホトセンサ画素27に均一に照射する。または、調整を行うホトセンサ画素27に均一に照射する。以上の事項は、図88に対しても同様である。また、露光時間Tc、パネル温度も所定値に固定して行う。   When the application operation of the precharge signal Vp in FIG. 87A is performed, the photosensor pixel 27 is not irradiated with light. Alternatively, the display area 10 or the formed photosensor pixels 27 are uniformly irradiated with light having a predetermined known intensity. Alternatively, the photosensor pixels 27 to be adjusted are irradiated uniformly. The above matters are the same as in FIG. Further, the exposure time Tc and the panel temperature are fixed to predetermined values.

この処理により、図79において、a=50とし、その原点位置が決定する。a=0(オン画素数割合(%)=0)とすれば、E点が求まる。同様に、露光時間Tc/2として同様に処理を行えば、E点あるいはV0点が決定される(図79、図80の説明を参照のこと)。したがって、ホトセンサ画素27の特性補償を行える。また、EEPROM1401に記憶されたプリチャージ信号Vpのデータは、各区分のホトセンサ画素27の特性に対応している。   By this processing, in FIG. 79, a = 50 and the origin position is determined. If a = 0 (on-pixel ratio (%) = 0), point E is obtained. Similarly, if the same processing is performed as the exposure time Tc / 2, the point E or the point V0 is determined (see the description of FIGS. 79 and 80). Therefore, the characteristic compensation of the photosensor pixel 27 can be performed. Further, the data of the precharge signal Vp stored in the EEPROM 1401 corresponds to the characteristics of the photosensor pixels 27 in each section.

EEPROM1401のプリチャージ信号Vpxを用いて、各区分に印加するプリチャージ信号Vpを発生し、各区分に印加すれば、ホトセンサ画素27の特性補償を実施できる。EEPROM1401に格納されたデータは、各区分のホトセンサ画素27の特性を反映したものだからである。
(8−1)動作状態
本発明の動作状態の説明を図87(b)に図示する。動作状態では、EEPROM1401からプリチャージ信号Vpあるいはプリチャージ信号Vpに対応するデータを読み出し、各区分のホトセンサ画素27の特性に対応した(補償する)プリチャージ信号Vpを求めて、ホトセンサ画素27に印加する。
The precharge signal Vp to be applied to each section is generated using the precharge signal Vpx of the EEPROM 1401, and the characteristics of the photosensor pixel 27 can be compensated by applying the precharge signal Vp to each section. This is because the data stored in the EEPROM 1401 reflects the characteristics of the photosensor pixels 27 of each section.
(8-1) Operation State Description of the operation state of the present invention is shown in FIG. 87 (b). In the operating state, the precharge signal Vp or data corresponding to the precharge signal Vp is read from the EEPROM 1401, and the precharge signal Vp corresponding to (compensating for) the characteristics of the photosensor pixel 27 of each section is obtained and applied to the photosensor pixel 27. To do.

図87(b)では、理解を容易にするため、各区分では、図87(a)のプリチャージ信号Vpと図87(b)のプリチャージ信号Vpとは同一であるとしている。しかし、図79で説明したように、印加するプリチャージ信号Vpは、V0、Vkなどに対応するように処理を行い、処理をおこなった後のプリチャージ信号Vpをホトセンサ画素27に印加すればよいことは言うまでもない。   In FIG. 87 (b), for easy understanding, it is assumed that the precharge signal Vp in FIG. 87 (a) and the precharge signal Vp in FIG. 87 (b) are the same in each section. However, as described with reference to FIG. 79, the precharge signal Vp to be applied is processed so as to correspond to V0, Vk, etc., and the precharge signal Vp after the processing is applied to the photosensor pixel 27. Needless to say.

以上のように駆動あるいは制御することにより、キャリブレーション処理、オン画素数割合(%)処理などを良好に実施できる。また、図87のように、駆動あるいは制御することにより、図85に図示したような、ホトセンサ画素27の特性ムラ、分布があっても、補償することができる。したがって、全入力領域10において誤入力が発生せず、良好に座標入力を行える。
(8−2)調整方法の変更例
図87の実施例は、各区分で、最適なプリチャージ信号Vpを決定し、決定したプリチャージ信号Vpあるいはプリチャージ信号Vpに対応するデータをEEPROM1401に格納する方式であった。
By driving or controlling as described above, calibration processing, on-pixel number ratio (%) processing, and the like can be favorably performed. In addition, by driving or controlling as shown in FIG. 87, even if there is characteristic unevenness and distribution of the photosensor pixel 27 as shown in FIG. 85, it can be compensated. Therefore, erroneous input does not occur in all the input areas 10, and coordinate input can be performed satisfactorily.
(8-2) Modification Example of Adjustment Method In the embodiment of FIG. 87, the optimum precharge signal Vp is determined for each section, and the data corresponding to the determined precharge signal Vp or precharge signal Vp is stored in the EEPROM 1401. It was a method to do.

図88は、調整工程において、処理ブロック(BL)861内のホトセンサ画素27特性に適合するプリチャージ信号Vpを測定し、この処理ブロック(BL)861のプリチャージ信号Vpまたはプリチャージ信号Vpを示すデータをEEPROM1401に格納する方法の説明図である。   FIG. 88 shows a precharge signal Vp or a precharge signal Vp of the processing block (BL) 861 by measuring the precharge signal Vp suitable for the characteristics of the photosensor pixel 27 in the processing block (BL) 861 in the adjustment step. 4 is an explanatory diagram of a method of storing data in an EEPROM 1401. FIG.

動作時は、各処理ブロック(BL)861内の区分に異なるプリチャージ信号Vpを印加し、先のEEPROM1401に記憶したプリチャージ信号Vpに対応する区分を抽出して、抽出した区分のオン画素数割合(%)を求めてキャリブレーション処理などを実施するものである。   During operation, a different precharge signal Vp is applied to each section in each processing block (BL) 861, the section corresponding to the precharge signal Vp stored in the EEPROM 1401 is extracted, and the number of on pixels of the extracted section A ratio (%) is obtained and a calibration process or the like is performed.

図88(a)は、調整工程の説明図である。各処理ブロック(BL)861あるいは表示領域10全体にプリチャージ信号Vpを印加する。ここでは、説明を容易にするため、処理ブロック(BL)861ごとにプリチャージ信号Vpを印加し、最適なプリチャージ信号Vpを測定あるいは調整するとして説明をする。   FIG. 88A is an explanatory diagram of the adjustment process. A precharge signal Vp is applied to each processing block (BL) 861 or the entire display area 10. Here, for ease of explanation, it is assumed that the precharge signal Vp is applied to each processing block (BL) 861 and the optimum precharge signal Vp is measured or adjusted.

図88(a)において、処理ブロック(BL1)861にプリチャージ信号Vpを印加し、オン画素数割合(%)を測定する。オン画素数割合(%)が50%よりも小さい場合は、先に印加したプリチャージ信号Vpよりも高いプリチャージ信号Vpを印加する。オン画素数割合(%)が50%よりも大きい場合は、先に印加したプリチャージ信号Vpよりも低いプリチャージ信号Vpを印加する。以上のように印加するプリチャージ信号Vpを変化させ、オン画素数割合(%)が50%あるいはその近傍の値となるように調整する。   In FIG. 88A, the precharge signal Vp is applied to the processing block (BL1) 861, and the on-pixel number ratio (%) is measured. When the on-pixel number ratio (%) is smaller than 50%, a precharge signal Vp higher than the previously applied precharge signal Vp is applied. When the on-pixel number ratio (%) is larger than 50%, a precharge signal Vp lower than the previously applied precharge signal Vp is applied. As described above, the precharge signal Vp to be applied is changed, and the on-pixel number ratio (%) is adjusted to 50% or a value in the vicinity thereof.

以上のように、プリチャージ信号Vpを調整し、オン画素数割合(%)が50%となるプリチャージ信号Vp1(プリチャージ信号Vp1を印加したとき、オン画素数割合(%)が50%となったとする)を求め、区分1のプリチャージ信号VpとしてEEPROM1401にプリチャージ信号Vp1を示す値またはデータを記憶させる。   As described above, the precharge signal Vp is adjusted so that the on pixel number ratio (%) is 50%. When the precharge signal Vp1 is applied, the on pixel number ratio (%) is 50%. And the value or data indicating the precharge signal Vp1 is stored in the EEPROM 1401 as the precharge signal Vp of section 1.

同様に、処理ブロック(BL2)861にプリチャージ信号Vpを印加し、オン画素数割合(%)を測定する。オン画素数割合(%)が50%よりも小さい場合は、先に印加したプリチャージ信号Vpよりも高いプリチャージ信号Vpを印加する。オン画素数割合(%)が50%よりも大きい場合は、先に印加したプリチャージ信号Vpよりも低いプリチャージ信号Vpを印加する。以上のように印加するプリチャージ信号Vpを変化させ、オン画素数割合(%)が50%あるいはその近傍の値となるように調整する。   Similarly, the precharge signal Vp is applied to the processing block (BL2) 861, and the on-pixel number ratio (%) is measured. When the on-pixel number ratio (%) is smaller than 50%, a precharge signal Vp higher than the previously applied precharge signal Vp is applied. When the on-pixel number ratio (%) is larger than 50%, a precharge signal Vp lower than the previously applied precharge signal Vp is applied. As described above, the precharge signal Vp to be applied is changed, and the on-pixel number ratio (%) is adjusted to 50% or a value in the vicinity thereof.

以上のように、処理ブロック(BL2)861においても、プリチャージ信号Vpを調整し、オン画素数割合(%)が50%となるプリチャージ信号Vp2(プリチャージ信号Vp2を印加したとき、オン画素数割合(%)が50%となったとする)を求め、処理ブロック(BL)861のプリチャージ信号VpとしてEEPROM1401にプリチャージ信号Vp2を示す値またはデータを記憶させる。   As described above, also in the processing block (BL2) 861, when the precharge signal Vp is adjusted and the precharge signal Vp2 (the precharge signal Vp2 is applied) in which the ON pixel number ratio (%) is 50%, And the value or data indicating the precharge signal Vp2 is stored in the EEPROM 1401 as the precharge signal Vp of the processing block (BL) 861.

同様の処理を、各区分で実施し、各区分のホトセンサ画素27特性に最適なプリチャージ信号Vp(オン画素数割合(%)が50%になるプリチャージ信号Vp)を測定あるいは設定し、測定あるいは設定したプリチャージ信号VpをEEPROM1401などの記憶手段に格納する。   Similar processing is performed in each section, and a precharge signal Vp (precharge signal Vp in which the on-pixel number ratio (%) is 50%) optimum for the characteristics of the photosensor pixel 27 of each section is measured or set, and measured. Alternatively, the set precharge signal Vp is stored in storage means such as the EEPROM 1401.

以上のようにして、処理ブロック(BL)861プリチャージ信号Vpを決定していく。図87(a)では、処理ブロック(BL1)861、処理ブロック(BL2)861、処理ブロック(BL3)861・・・・・・・に対し、プリチャージ信号Vp1、プリチャージ信号Vp2、プリチャージ信号Vp4、プリチャージ信号Vp2、・・・・・と設定し、設定した値は、EEPROM1401に格納される。   As described above, the processing block (BL) 861 precharge signal Vp is determined. 87A, for the processing block (BL1) 861, the processing block (BL2) 861, the processing block (BL3) 861,..., The precharge signal Vp1, the precharge signal Vp2, and the precharge signal. Vp4, precharge signal Vp2,... Are set, and the set values are stored in the EEPROM 1401.

図88(a)のプリチャージ信号Vpの印加動作を実施する時は、図87と同様に、ホトセンサ画素27には光が照射されないようにして行う。もしくは、所定の既知の強さの光をホトセンサ画素27に印加した状態で行う。既知の強さの光は、ホトセンサ画素27が形成された領域に均一に照射する。また、露光時間Tc、パネル温度も所定値に固定して行う。また、温度設定は、動作状態の温度あるいはその近傍に設定する。他の事項は、図87(a)と同様であるので説明を省略する。   When applying the precharge signal Vp shown in FIG. 88A, the photosensor pixel 27 is not irradiated with light as in FIG. Alternatively, it is performed in a state where light of a predetermined known intensity is applied to the photosensor pixel 27. The light having a known intensity is uniformly applied to the area where the photosensor pixels 27 are formed. Further, the exposure time Tc and the panel temperature are fixed to predetermined values. The temperature is set at or near the operating temperature. Since other matters are the same as those in FIG.

図88(a)において、プリチャージ信号Vpを処理ブロック(BL)691に印加するとして説明するが、このプリチャージ信号Vpは本発明の表示装置の調整用の信号である。プリチャージ信号Vpを印加し、また、このプリチャージ信号Vpを調整して処理ブロック691の特性を測定あるいは検出する。したがって、プリチャージ信号Vpというよりは、特性検出信号と呼ぶべきものである。   88A, the precharge signal Vp is described as being applied to the processing block (BL) 691, and this precharge signal Vp is a signal for adjusting the display device of the present invention. The precharge signal Vp is applied, and the precharge signal Vp is adjusted to measure or detect the characteristics of the processing block 691. Therefore, it should be called a characteristic detection signal rather than the precharge signal Vp.

図88(b)の動作状態は、図87(b)の動作状態とは異なる。図87(b)では、各区分には、EEPROM1401から読み出したプリチャージ信号Vpあるいはプリチャージ信号Vpに対応するデータからプリチャージ信号Vpを発生させて印加した。   The operation state in FIG. 88 (b) is different from the operation state in FIG. 87 (b). In FIG. 87 (b), the precharge signal Vp read from the EEPROM 1401 or data corresponding to the precharge signal Vp is generated and applied to each section.

図88(b)は、各区分に、所定のプリチャージ信号Vpを中心として、所定刻みのプリチャージ信号Vpを印加する。所定のプリチャージ信号Vpとは、図88(a)でEEPROM1401に格納したプリチャージ信号Vpあるいはこのプリチャージ信号Vpから発生させたプリチャージ信号Vpである。このプリチャージ信号Vpを中心として前後の所定刻みの複数のプリチャージ信号Vpを発生させ、各区分に順番に印加する。   In FIG. 88 (b), a precharge signal Vp in predetermined increments is applied to each section with a predetermined precharge signal Vp as the center. The predetermined precharge signal Vp is the precharge signal Vp stored in the EEPROM 1401 in FIG. 88A or the precharge signal Vp generated from the precharge signal Vp. A plurality of precharge signals Vp at predetermined intervals around the precharge signal Vp are generated and applied in order to each section.

図88(b)では、理解を容易にするため、プリチャージ信号Vpの種類はプリチャージ信号Vp1〜Vp5の5種類とする。また、各処理ブロック(BL)861でのプリチャージ信号Vpの平均値によらず、5種類のプリチャージ信号Vpを各区分に順番に印加するものとする。   In FIG. 88 (b), for easy understanding, the precharge signal Vp has five types of precharge signals Vp1 to Vp5. Further, it is assumed that five types of precharge signals Vp are sequentially applied to the respective sections regardless of the average value of the precharge signal Vp in each processing block (BL) 861.

図88(b)では、処理ブロック(BL1)861において、区分1にプリチャージ信号Vp1、
区分2にプリチャージ信号Vp2、区分3にプリチャージ信号Vp3、区分4にプリチャージ信号Vp4、区分5にプリチャージ信号Vp5、区分6にプリチャージ信号Vp1、区分7にプリチャージ信号Vp2、区分8にプリチャージ信号Vp3、・・・・・・・・と5種類のプリチャージ信号Vpを順次に印加する。
88B, in the processing block (BL1) 861, the precharge signal Vp1,
Precharge signal Vp2 for section 2, precharge signal Vp3 for section 3, precharge signal Vp4 for section 4, precharge signal Vp5 for section 5, precharge signal Vp1 for section 6, precharge signal Vp2 for section 7, section 8 , And five kinds of precharge signals Vp are sequentially applied.

各処理ブロック(BL)861に印加するプリチャージ信号Vpの中心値は、処理ブロック(BL)861で異ならせてもよい。たとえば、プリチャージ信号Vp1=2.0(V)、プリチャージ信号Vp2=2.2(V)、プリチャージ信号Vp3=2.4(V)、プリチャージ信号Vp4=2.6(V)、プリチャージ信号Vp5=2.8(V)とし、刻みを0.2(V)とする。処理ブロック(BL1)861は、プリチャージ信号Vp1=2.0(V)であるから、プリチャージ信号Vp1を中心として、前後に2段階のプリチャージ信号Vpを発生して、処理ブロック(BL1)861に印加する。したがって、各区分に印加するプリチャージ信号Vpは、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4の5種類の電圧となる。   The central value of the precharge signal Vp applied to each processing block (BL) 861 may be different in the processing block (BL) 861. For example, precharge signal Vp1 = 2.0 (V), precharge signal Vp2 = 2.2 (V), precharge signal Vp3 = 2.4 (V), precharge signal Vp4 = 2.6 (V), The precharge signal Vp5 = 2.8 (V) and the increment is 0.2 (V). Since the processing block (BL1) 861 is the precharge signal Vp1 = 2.0 (V), the precharge signal Vp1 is generated around the precharge signal Vp1, and two stages of precharge signals Vp are generated before and after the processing block (BL1). 861 is applied. Accordingly, the precharge signal Vp applied to each section has five types of voltages of 1.6, 1.8, 2.0, 2.2, and 2.4.

また、処理ブロック(BL2)861は、プリチャージ信号Vp2=2.2(V)であるから、プリチャージ信号Vp2を中心として、前後に2段階のプリチャージ信号Vpを発生し、処理ブロック(BL1)861に印加する。したがって、各区分に印加するプリチャージ信号Vpは、1.8、2.0、2.2、2.4、2.6の5種類の電圧となる。   Further, since the processing block (BL2) 861 has the precharge signal Vp2 = 2.2 (V), the precharge signal Vp2 is generated around the precharge signal Vp2, and the precharge signal Vp is generated in two stages before and after the processing block (BL1). ) 861 is applied. Accordingly, the precharge signal Vp applied to each section has five types of voltages of 1.8, 2.0, 2.2, 2.4, and 2.6.

図101に図示するように、処理ブロック(BL)691ごとの差ΔVpを設定し、選定するNoにより指定してもよい。たとえば、No.=2を指定すれば、ΔVp=0.1Vであり、プリチャージ信号Vp=V0+0.10となる。EEPROMに、差ΔVpデータを格納する。   As shown in FIG. 101, a difference ΔVp for each processing block (BL) 691 may be set and specified by No to be selected. For example, no. When = 2 is specified, ΔVp = 0.1V and the precharge signal Vp = V0 + 0.10. The difference ΔVp data is stored in the EEPROM.

図101のΔVpは処理ブロック(BL)691ごとの差であるとしたが、本発明はこれに限定するものではない。ΔVpは区分(図87、図88などを参照のこと)の差であってもよい。なお、ΔVpは正方向(たとえば、No.3は、+3.0V、)だけでなく、負方向(たとえば、No.2を−0.10V、No.3を−0.25V)としてもよい。   Although ΔVp in FIG. 101 is a difference for each processing block (BL) 691, the present invention is not limited to this. ΔVp may be a difference between sections (see FIG. 87, FIG. 88, etc.). ΔVp is not limited to the positive direction (for example, No. 3 is +3.0 V), but may be the negative direction (for example, No. 2 is −0.10 V and No. 3 is −0.25 V).

図101の実施例において、V0は、入力領域のホトセンサ画素27の特性を平均したプリチャージ信号Vpとし、ΔVpはプリチャージ信号Vp=V0と各区分のホトセンサ画素27の特性差としてもよい。たとえば、基準のプリチャージ信号Vp=V0=2.5Vの場合、区分1(No.1)のΔVp=0.10V、区分2(No.2)のΔVp=0.10V、区分3(No.3)のΔVp=0.25V、区分4(No.4)のΔVp=0.30V、区分5(No.5)のΔVp=0.32V、・・・・とする。この実施例では、区分1(No.1)には、プリチャージ信号Vp=(2.5+0.10)Vを印加し、区分2(No.2)には、プリチャージ信号Vp=(2.5+0.10)Vを印加し、区分3(No.3)には、プリチャージ信号Vp=(2.5+0.25)Vを印加し、区分4(No.4)には、プリチャージ信号Vp=(2.5+0.30)Vを印加し、区分5(No.5)には、プリチャージ信号Vp=(2.5+0.32)Vを印加する。   In the embodiment of FIG. 101, V0 may be a precharge signal Vp obtained by averaging the characteristics of the photosensor pixels 27 in the input region, and ΔVp may be a difference in characteristics between the precharge signal Vp = V0 and the photosensor pixels 27 in each section. For example, when the reference precharge signal Vp = V0 = 2.5V, ΔVp = 0.10V in section 1 (No. 1), ΔVp = 0.10V in section 2 (No. 2), section 3 (No. 3) ΔVp = 0.25 V, Section 4 (No. 4) ΔVp = 0.30 V, Section 5 (No. 5) ΔVp = 0.32 V,. In this embodiment, the precharge signal Vp = (2.5 + 0.10) V is applied to the section 1 (No. 1), and the precharge signal Vp = (2. 5 + 0.10) V is applied, precharge signal Vp = (2.5 + 0.25) V is applied to section 3 (No. 3), and precharge signal Vp is applied to section 4 (No. 4). = (2.5 + 0.30) V is applied, and the precharge signal Vp = (2.5 + 0.32) V is applied to the section 5 (No. 5).

基準のプリチャージ信号Vp=V0電圧は、外部照度、パネル温度により最適値があるので、キャリブレーションにより変化させる。つまり、基準となるプリチャージ信号Vp=V0は外部照度などによりたえず変化する。ΔVpは区分あるいは処理ブロック(BL)691のホトセンサ画素27の相対的な特性差を示す。キャリブレーションにより入力領域のホトセンサ画素27のオン画素数割合(%)を所定値あるいは所定範囲に調整し、その時に印加されているプリチャージ信号Vpを基準のプリチャージ信号Vp=V0とする。この基準のプリチャージ信号Vp=V0に各区分もしくは処理ブロック(BL)691のホトセンサ画素27の特性差を示すΔVpを加算する(ΔVpが負方向の場合は、減算される)。なお、ΔVpはホトセンサなどの特性差としたが、これに限定するものではなく、バックライトから出射される光の影響などを考慮したものであってもよい。特に、パネルの周辺部はバックライトからの光が回り込み、パネル中央部とは最適なプリチャージ信号Vpの値が異なる。この差をΔVpとして測定などして、EEPROMに記憶させる。   The reference precharge signal Vp = V0 voltage has an optimum value depending on the external illuminance and the panel temperature, and is therefore changed by calibration. That is, the reference precharge signal Vp = V0 constantly changes depending on the external illuminance or the like. ΔVp indicates a relative characteristic difference of the photosensor pixel 27 in the section or processing block (BL) 691. The on-pixel ratio (%) of the photosensor pixels 27 in the input area is adjusted to a predetermined value or a predetermined range by calibration, and the precharge signal Vp applied at that time is set as a reference precharge signal Vp = V0. ΔVp indicating the characteristic difference of the photosensor pixel 27 of each section or processing block (BL) 691 is added to this reference precharge signal Vp = V0 (if ΔVp is in the negative direction, it is subtracted). Note that ΔVp is a characteristic difference of a photo sensor or the like, but is not limited thereto, and may be one that takes into account the influence of light emitted from the backlight. In particular, the light from the backlight wraps around the peripheral portion of the panel, and the optimum value of the precharge signal Vp is different from the central portion of the panel. This difference is measured as ΔVp and stored in the EEPROM.

各区分あるいは処理ブロック(BL)691には、パネルの調整工程で、各区分あるいは各処理ブロック(BL)691のホトセンサ画素27あるいはホトセンサ35の特性差ΔVpが測定あるいは取得される。あるいはバックライトの影響などを考慮させる。この特性差ΔVpがEEPROMに記憶される。パネル動作時は、キャリブレーションで得られる基準となるプリチャージ信号Vp=V0に、EEPROMに記憶された各区分あるいは各処理ブロック(BL)691の特性差ΔVpが加減算されて、各区分あるいは各処理ブロック(BL)691に印加されるプリチャージ信号Vp(V0+ΔVp)が求められる。求められたプリチャージ信号Vp(V0+ΔVp)が各処理ブロック(BL)691あるいは各区分に印加される。   In each section or processing block (BL) 691, the characteristic difference ΔVp of the photosensor pixel 27 or the photosensor 35 of each section or processing block (BL) 691 is measured or acquired in the panel adjustment process. Or consider the influence of the backlight. This characteristic difference ΔVp is stored in the EEPROM. During panel operation, the characteristic difference ΔVp of each section or each processing block (BL) 691 stored in the EEPROM is added to or subtracted from the reference precharge signal Vp = V0 obtained by calibration, so that each section or each processing is performed. A precharge signal Vp (V0 + ΔVp) applied to the block (BL) 691 is obtained. The obtained precharge signal Vp (V0 + ΔVp) is applied to each processing block (BL) 691 or each section.

以上のように構成あるいは実施することにより、ホトセンサ画素27などの特性分布などの影響をキャンセルすることができ、良好な座標入力、対象物の接触判定を実現できる。なお、以上の実施例では、区分、処理ブロック(BL)691のΔVpを取得するとしたが、これに限定するものではなく、各ホトセンサ画素27でΔVpデータを取得し、メモリなどに記憶させ、また、ΔVpデータを用いてプリチャージ信号Vpを発生させてもよい。また、以上の実施例では、ΔVpデータはEEPROMなどに記憶させるとしたが、これに限定するものではなく、サンプルホールド回路を用いてΔVpなど、取得したデータを一時的に保持してもよい。   By configuring or implementing as described above, it is possible to cancel the influence of the characteristic distribution of the photosensor pixel 27 and the like, and to realize favorable coordinate input and object contact determination. In the above embodiment, ΔVp of the classification and processing block (BL) 691 is acquired. However, the present invention is not limited to this. ΔVp data is acquired by each photosensor pixel 27 and stored in a memory. , ΔVp data may be used to generate the precharge signal Vp. In the above embodiment, the ΔVp data is stored in the EEPROM or the like. However, the present invention is not limited to this, and the acquired data such as ΔVp may be temporarily stored using a sample hold circuit.

以上の事項は本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、図87、図88、図101などの本発明の実施例を相互に組み合わせることができることも言うまでもない。つまり、本発明の実施例は、単独でまた組み合わせて実施することができる。   Needless to say, the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. It goes without saying that the embodiments of the present invention such as FIGS. 87, 88 and 101 can be combined with each other. That is, the embodiments of the present invention can be implemented alone or in combination.

オン画素数割合(%)に採用する区分は、図88(a)の処理ブロック(BL)861のプリチャージ信号Vpと一致したものである。たとえば、処理ブロック(BL1)861はプリチャージ信号Vp=Vp1であるから、図88(b)の処理ブロック(BL1)861の区分1、区分6などのプリチャージ信号Vp=Vp1を印加した箇所である。他の箇所にはオン画素数割合(%)の算出あるいは処理には用いない。   The classification adopted for the on-pixel number ratio (%) is the same as the precharge signal Vp of the processing block (BL) 861 in FIG. For example, since the processing block (BL1) 861 has the precharge signal Vp = Vp1, the processing block (BL1) 861 of FIG. is there. It is not used for calculation or processing of the ratio of the number of on pixels (%) in other places.

同様に、処理ブロック(BL2)861はプリチャージ信号Vp=Vp2であるから、図88(b)の処理ブロック(BL2)861の区分は、プリチャージ信号Vp=Vp2を印加した箇所を採用する。同様に、処理ブロック(BL3)861はプリチャージ信号Vp=Vp4であるから、図88(b)の処理ブロック(BL3)861の区分においてプリチャージ信号Vp=Vp4を印加した箇所(区分)を採用する。   Similarly, since the processing block (BL2) 861 has the precharge signal Vp = Vp2, the section of the processing block (BL2) 861 in FIG. 88 (b) adopts a place where the precharge signal Vp = Vp2 is applied. Similarly, since the processing block (BL3) 861 has the precharge signal Vp = Vp4, the portion (section) where the precharge signal Vp = Vp4 is applied is adopted in the section of the processing block (BL3) 861 in FIG. 88 (b). To do.

採用した区分は、図88(a)の調整工程において、各処理ブロック(BL)861のホトセンサ35などの特性を測定し、中心的あるいは平均的な特性のプリチャージ信号Vpあるいはプリチャージ信号Vpに対応するデータを求めている。したがって、図88(b)の選択した区分は、処理ブロック(BL)861の特性に一致したプリチャージ信号Vpを印加した区分である。   In the adjustment step shown in FIG. 88A, the characteristics of the photosensor 35 and the like of each processing block (BL) 861 are measured, and the precharge signal Vp or the precharge signal Vp having a central or average characteristic is used. Seeking corresponding data. Therefore, the selected section in FIG. 88B is a section to which the precharge signal Vp that matches the characteristics of the processing block (BL) 861 is applied.

したがって、各処理ブロック(BL)861の特性に一致したプリチャージ信号Vpを印加した区分を選択して、他の区分を不選択とすることにより、誤入力、誤検出がなくなる。選択した区分のホトセンサ画素27のオンオフ状態を用いて、オン画素数割合(%)、接近、接触、離脱などの処理を実施する。   Therefore, by selecting a section to which the precharge signal Vp that matches the characteristics of each processing block (BL) 861 is selected and deselecting the other sections, erroneous input and erroneous detection are eliminated. Using the on / off state of the photosensor pixels 27 of the selected section, processing such as the ratio of the number of on-pixels (%), approach, contact, and separation is performed.

1つの処理ブロック(BL)861に印加するプリチャージ信号Vpの種類は、2の倍数が好ましい。特に、4以上8以下が好ましい。また、種類は、2以上16以下が好ましい。プリチャージ信号Vpの種類が少ないと表示領域10でのバラツキを吸収できない。多すぎると、1種類あたりのホトセンサ画素数が減少し、座標検出精度が低下する。
(9)処理ブロックに印加するプリチャージ信号Vpの種類
1つの処理ブロック(BL)861に印加するプリチャージ信号Vp種類は外光あるいはバックライト656の強さ(輝度あるいは照度)に対応させて決定するとよい。低照度の時は1つの処理ブロック(BL)861に印加するプリチャージ信号Vp種類を多くする。高照度の範囲では、1つの処理ブロック(BL)861に印加するプリチャージ信号Vp種類は少なくする。低照度範囲では、キャリブレーションのマージンが狭くなるからである。
(10)プリチャージ信号Vpの変化
また、1つの処理ブロック(BL)861に印加する複数のプリチャージ信号Vpの変化幅は外光あるいはバックライト656の強さ(輝度あるいは照度)に対応させて決定するとよい。低照度の時はプリチャージ信号Vpの幅を大きくする。高照度の範囲では、プリチャージ信号Vpの変化幅は小さくする。低照度範囲では、キャリブレーションのマージンが狭くなるからである。
The kind of the precharge signal Vp applied to one processing block (BL) 861 is preferably a multiple of 2. Particularly, 4 or more and 8 or less are preferable. The type is preferably 2 or more and 16 or less. If the number of precharge signals Vp is small, variations in the display area 10 cannot be absorbed. If the number is too large, the number of photosensor pixels per type decreases, and the coordinate detection accuracy decreases.
(9) Type of Precharge Signal Vp Applied to Processing Block The type of precharge signal Vp applied to one processing block (BL) 861 is determined according to the external light or the intensity (luminance or illuminance) of the backlight 656. Good. When the illumination is low, the types of precharge signals Vp applied to one processing block (BL) 861 are increased. In the high illuminance range, the number of precharge signals Vp applied to one processing block (BL) 861 is reduced. This is because the calibration margin is narrow in the low illumination range.
(10) Change in Precharge Signal Vp The change width of a plurality of precharge signals Vp applied to one processing block (BL) 861 corresponds to the intensity of external light or backlight 656 (luminance or illuminance). It is good to decide. When the illuminance is low, the width of the precharge signal Vp is increased. In the high illuminance range, the change width of the precharge signal Vp is reduced. This is because the calibration margin is narrow in the low illumination range.

以上の事項(プリチャージ信号Vpの種類と、変化幅)は、外光照度などに対して組み合わせて用いてもよいことはいうまでもない。   Needless to say, the above items (type of precharge signal Vp and change width) may be used in combination with the illuminance of outside light.

以上の図87、図88の実施例は、処理ブロック(BL)861、区分のホトセンサ画素27の特性を測定し、特性に一致したプリチャージ信号Vpを印加あるいは所定電位に設定することにより、オン画素数割合(%)処理などを実施するものであった。つまり、ホトセンサ画素27の特性に一致するように、プリチャージ信号Vpを印加する方式であった。特性に一致させることにより、ホトセンサ画素27の特性バラツキを吸収でき、誤入力などがなくなる。
(入力不可領域の設定)
ホトセンサ画素27の特性に全く一致しないプリチャージ信号Vpを印加すれば、該当ホトセンサ画素27は動作しなくなる。たとえば、最適プリチャージ信号Vpが1.5(V)のホトセンサ画素27に、5.0(V)のプリチャージ信号Vpを印加すれば常時オン状態を維持する。または、外光の入射によりオン状態またはオフ状態が維持され、正規のプリチャージ信号Vpを印加した箇所を動作と差異がでる。したがって、この差異を区別することにより、動作を変化させることができる。
The embodiment shown in FIGS. 87 and 88 measures the characteristics of the processing block (BL) 861 and the photosensor pixels 27 of the section, and applies the precharge signal Vp that matches the characteristics or sets it to a predetermined potential to turn it on. Pixel number ratio (%) processing and the like were performed. That is, the precharge signal Vp is applied so as to match the characteristics of the photosensor pixel 27. By matching the characteristics, variations in characteristics of the photosensor pixels 27 can be absorbed, and erroneous input or the like is eliminated.
(Setting of non-inputtable area)
If a precharge signal Vp that does not completely match the characteristics of the photosensor pixel 27 is applied, the corresponding photosensor pixel 27 does not operate. For example, if a precharge signal Vp of 5.0 (V) is applied to the photosensor pixel 27 having an optimal precharge signal Vp of 1.5 (V), the on state is always maintained. Alternatively, the on state or the off state is maintained by the incidence of external light, and the portion where the normal precharge signal Vp is applied is different from the operation. Therefore, the operation can be changed by distinguishing this difference.

また、最適プリチャージ信号Vpが2.5(V)のホトセンサ画素27に、0.5(V)のプリチャージ信号Vpを印加すれば、常時オフ状態を維持する。または、外光の入射によりオン状態またはオフ状態が維持され、正規のプリチャージ信号Vpを印加した箇所を動作と差異がでる。したがって、この差異を区別することにより、本発明の平面表示装置の動作を変化させることができる。   Further, when the precharge signal Vp of 0.5 (V) is applied to the photosensor pixel 27 having the optimum precharge signal Vp of 2.5 (V), the off state is always maintained. Alternatively, the on state or the off state is maintained by the incidence of external light, and the portion where the normal precharge signal Vp is applied is different from the operation. Therefore, by distinguishing this difference, the operation of the flat display device of the present invention can be changed.

説明を容易にするため、以下の仮定条件をつけて本発明の実施例について説明をする。外光を指などの遮蔽物701で遮光することにより、本発明の平面表示装置に入力するものとする。そのため、ホトセンサ画素27にはトランジスタ32bがオン状態となるプリチャージ信号Vpを印加し、指701で遮光したホトセンサ画素27はオン状態を維持し、外光が照射されたホトセンサ画素27はオフ状態になるものとする。   For ease of explanation, embodiments of the present invention will be described with the following assumptions. It is assumed that outside light is input to the flat display device of the present invention by shielding the light with a shield 701 such as a finger. Therefore, a precharge signal Vp for turning on the transistor 32b is applied to the photosensor pixel 27, the photosensor pixel 27 shielded by the finger 701 is kept on, and the photosensor pixel 27 irradiated with external light is turned off. Shall be.

反応させない処理ブロック(BL)861には、当初からホトセンサ画素27がオフ状態となるプリチャージ信号Vpを印加するか、もしくはプリチャージ信号Vpを印加しない。なお、反応しないホトセンサ画素27に非常に高いプリチャージ信号Vpを印加し、外光が照射されてもオン状態を維持する実施例も例示される。   The processing block (BL) 861 that is not reacted is applied with the precharge signal Vp for turning off the photosensor pixel 27 from the beginning, or is not applied with the precharge signal Vp. An example in which a very high precharge signal Vp is applied to the non-reactive photosensor pixel 27 and the on state is maintained even when external light is irradiated is also exemplified.

処理ブロック(BL)861に最適なプリチャージ信号Vpは、ホトセンサ画素27の特性ばらつきにより異なる(図85)。しかし、説明を容易にするため、各処理ブロック(BL)861に最適なプリチャージ信号Vpは2.5(V)とする。印加するプリチャージ信号Vpが低下するにつれてホトセンサ画素27はオフ状態となり、反応しなくなるとする。つまり、プリチャージ信号Vp=2.5(V)から低くなるにつれ反応しにくくなり、1.5(V)以下では全く反応しないものとする。
(1)プリチャージ信号Vpの設定
図89(a)は、全処理ブロック(BL)861にプリチャージ信号Vp=2.5(V)を印加した実施例である。すべての処理ブロック(BL)861は、指などの対象物701によりオンオフ出力領域が変化し、入力の有無、入力座標の検出を行うことができる。
The precharge signal Vp optimum for the processing block (BL) 861 varies depending on the characteristic variation of the photosensor pixel 27 (FIG. 85). However, for ease of explanation, the precharge signal Vp optimum for each processing block (BL) 861 is 2.5 (V). As the precharge signal Vp to be applied decreases, the photosensor pixel 27 is turned off and stops responding. That is, it becomes difficult to react as the precharge signal Vp becomes lower than 2.5 (V), and it does not react at all below 1.5 (V).
(1) Setting of Precharge Signal Vp FIG. 89A shows an embodiment in which the precharge signal Vp = 2.5 (V) is applied to all the processing blocks (BL) 861. All processing blocks (BL) 861 can detect the presence / absence of input and input coordinates by changing the on / off output area by an object 701 such as a finger.

図89(b)は、処理ブロック(BL)861のBL1、BL3、BL10、BL12にプリチャージ信号Vp=2.5(V)を印加し、他の処理ブロック(BL)861にプリチャージ信号Vp=1.5(V)を印加する。このようにプリチャージ信号Vpを印加することにより、処理ブロック(BL)861のBL1、BL3、BL10、BL12のみが、入力判定、座標検出を行うことができる。   In FIG. 89B, the precharge signal Vp = 2.5 (V) is applied to BL1, BL3, BL10, BL12 of the processing block (BL) 861, and the precharge signal Vp is applied to the other processing block (BL) 861. = 1.5 (V) is applied. By applying the precharge signal Vp in this way, only BL1, BL3, BL10, and BL12 of the processing block (BL) 861 can perform input determination and coordinate detection.

図89(c)は、処理ブロック(BL)861のBL5、BL8にプリチャージ信号Vp=2.5(V)を印加し、他の処理ブロック(BL)861にプリチャージ信号Vp=1.5(V)を印加する。   In FIG. 89C, the precharge signal Vp = 2.5 (V) is applied to BL5 and BL8 of the processing block (BL) 861, and the precharge signal Vp = 1.5 is applied to the other processing block (BL) 861. Apply (V).

このようにプリチャージ信号Vpを印加することにより、処理ブロック(BL)861のBL5、BL82のみが、入力判定、座標検出を行うことができる。つまり、表示領域10の中央部のみが座標入力することができ、他の箇所は、入力禁止領域または、入力しようとしても反応しない領域とすることができる。   By applying the precharge signal Vp in this way, only BL5 and BL82 of the processing block (BL) 861 can perform input determination and coordinate detection. That is, only the central portion of the display area 10 can be input with coordinates, and the other portions can be input-prohibited areas or areas that do not react even if input is attempted.

以上のように、処理ブロック(BL)861ごとにプリチャージ信号Vpを印加し、印加するプリチャージ信号Vpを変化あるいは調整することにより、座標入力、入力の有無の有効、無効を調整あるいは設定することができる。   As described above, the precharge signal Vp is applied to each processing block (BL) 861, and the precharge signal Vp to be applied is changed or adjusted, thereby adjusting or setting the coordinate input and the validity / invalidity of the presence / absence of the input. be able to.

図89の実施例では、処理ブロック(BL)861ごとにプリチャージ信号Vpなどを設定し、座標入力、入力の有無の有効、無効を調整あるいは設定するとした。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図86などで説明した区分ごとに、プリチャージ信号Vpなどを設定あるいは調整してもよいことは言うまでもない。
(2)入力動作
図90は動作の説明図である。図90(a)において、処理ブロック(BL)861のBL1、BL2、BL3、BL10、BL11、BL12にプリチャージ信号Vp=2.5(V)を印加し、他の処理ブロック(BL)861にプリチャージ信号Vp=1.5(V)を印加している。このようにプリチャージ信号Vpを印加することにより、処理ブロック(BL)861のBL1、BL2、BL3、BL10、BL11、BL12のみが、入力判定、座標検出を行うことができる。つまり、表示領域10の中央部には座標入力することができない。
In the embodiment of FIG. 89, a precharge signal Vp or the like is set for each processing block (BL) 861, and coordinate input, whether input is valid or invalid is adjusted or set. However, the present invention is not limited to this. For example, it goes without saying that the precharge signal Vp or the like may be set or adjusted for each of the sections described with reference to FIG.
(2) Input Operation FIG. 90 is an explanatory diagram of the operation. 90A, a precharge signal Vp = 2.5 (V) is applied to BL1, BL2, BL3, BL10, BL11, and BL12 of the processing block (BL) 861, and the other processing block (BL) 861 is applied. A precharge signal Vp = 1.5 (V) is applied. By applying the precharge signal Vp in this manner, only BL1, BL2, BL3, BL10, BL11, and BL12 of the processing block (BL) 861 can perform input determination and coordinate detection. That is, it is not possible to input coordinates at the center of the display area 10.

したがって、図90(b)に示すように処理ブロック(BL)861のBL8に入力対象物701の影があっても、入力を行うことができない。図90(c)に示すように処理ブロック(BL)861のBL3に入力対象物701の影があれば、オン出力領域691が発生し、入力することができる。
(3)画面表示との連動
図91は、処理ブロック(BL)861の操作の詳細な実施例である。図91は、複数の選択画面表示を行い、画面表示と同期して各処理ブロック(BL)861に印加するプリチャージ信号Vpを変化させる実施例である。以下は、画面10に表示されたフィルム画像を選択する実施例である。
Therefore, as shown in FIG. 90B, even if there is a shadow of the input object 701 in BL8 of the processing block (BL) 861, input cannot be performed. If there is a shadow of the input object 701 in BL3 of the processing block (BL) 861 as shown in FIG. 90 (c), an ON output area 691 is generated and can be input.
(3) Linkage with Screen Display FIG. 91 is a detailed example of the operation of the processing block (BL) 861. FIG. 91 shows an embodiment in which a plurality of selection screens are displayed and the precharge signal Vp applied to each processing block (BL) 861 is changed in synchronization with the screen display. The following is an example of selecting a film image displayed on the screen 10.

図91(a1)では、フィルムの画像911を表示画面10に表示している。処理ブロック(BL)861のBL1にフィルム画像911aが対応し、処理ブロック(BL)861のBL4にフィルム画像911bが対応する。また、処理ブロック(BL)861のBL7にフィルム画像911cが対応し、処理ブロック(BL)861のBL10にフィルム画像911dが対応する。   In FIG. 91 (a 1), a film image 911 is displayed on the display screen 10. The film image 911a corresponds to BL1 of the processing block (BL) 861, and the film image 911b corresponds to BL4 of the processing block (BL) 861. Further, the film image 911c corresponds to BL7 of the processing block (BL) 861, and the film image 911d corresponds to BL10 of the processing block (BL) 861.

処理ブロック(BL)861のBL3にフィルム画像911eが対応し、処理ブロック(BL)861のBL6にフィルム画像911fが対応する。また、処理ブロック(BL)861のBL9にフィルム画像911gが対応し、処理ブロック(BL)861のBL12にフィルム画像911hが対応する。   The film image 911e corresponds to BL3 of the processing block (BL) 861, and the film image 911f corresponds to BL6 of the processing block (BL) 861. The film image 911g corresponds to BL9 of the processing block (BL) 861, and the film image 911h corresponds to BL12 of the processing block (BL) 861.

以上の状態で、処理ブロック(BL)861のBL1、BL4、BL7、BL10、BL3、BL6、BL9、BL12にプリチャージ信号Vp=2.5(V)を印加し、入力可能状態とする。一方、処理ブロック(BL)861のBL2、BL5、BL8、BL11には、プリチャージ信号Vp=1.5(V)を印加して動作しないように(選択できないように)設定する。   In the above state, the precharge signal Vp = 2.5 (V) is applied to BL1, BL4, BL7, BL10, BL3, BL6, BL9, and BL12 of the processing block (BL) 861 to make it ready for input. On the other hand, the precharge signal Vp = 1.5 (V) is applied to BL2, BL5, BL8, and BL11 of the processing block (BL) 861 so as not to operate (cannot be selected).

したがって、表示領域の中央部が入力不可で、左右部が入力可能な状態に設定されていることになる。なお、最終的に選択したいフィルム画像は、図91(a1)のフィルム911aに丸印で示している。   Therefore, the center part of the display area cannot be input, and the left and right parts are set in a state where input is possible. Note that the film image to be finally selected is indicated by a circle on the film 911a in FIG. 91 (a1).

この状態で、対象物701で選択したいフィルム画像がある911aを選択する。すると、図91(b1)の表示状態に変化する。図91(b1)では、フィルム画像911aのみが表示領域10に表示される。一方、処理ブロック(BL)861のBL4、BL5、BL6にプリチャージ信号Vp=2.5(V)が印加され、入力可能なように設定される。他の処理ブロック(BL)861には、プリチャージ信号Vp=1.5(V)が印加され、反応しないように設定される。   In this state, 911a having a film image to be selected by the object 701 is selected. Then, the display state changes to that shown in FIG. In FIG. 91 (b1), only the film image 911a is displayed in the display area 10. On the other hand, a precharge signal Vp = 2.5 (V) is applied to BL4, BL5, and BL6 of the processing block (BL) 861, so that input is possible. The other processing block (BL) 861 is applied with the precharge signal Vp = 1.5 (V) and set so as not to react.

以上のように、入力できないようにプリチャージ信号Vpを設定するのは、不要な箇所が選択されることによる誤入力、誤動作を防止するためである。   As described above, the precharge signal Vp is set so that it cannot be input in order to prevent erroneous input and malfunction due to selection of unnecessary portions.

図91(b1)では、処理ブロック(BL)861のBL4、BL5、BL6の位置にフィルム画像911aa、911ab、911acが表示されている。フィルム画像911aaが処理ブロック(BL)861のBL4に対応し、フィルム画像911abが処理ブロック(BL)861のBL5に対応し、フィルム画像911acが処理ブロック(BL)861のBL6に対応する。対象物701により、処理ブロック(BL)861のBL5に触れることにより、フィルム画像911abが選択される。   In FIG. 91 (b1), film images 911aa, 911ab, and 911ac are displayed at positions BL4, BL5, and BL6 of the processing block (BL) 861. The film image 911aa corresponds to BL4 of the processing block (BL) 861, the film image 911ab corresponds to BL5 of the processing block (BL) 861, and the film image 911ac corresponds to BL6 of the processing block (BL) 861. The film image 911ab is selected by touching BL5 of the processing block (BL) 861 with the object 701.

次に、表示画面は、図91(c1)の表示状態となる。また、処理ブロック(BL)861には、BL2、BL5、BL8にプリチャージ信号Vp=2.5(V)が印加される(図91(c2))。また、他の処理ブロック(BL)861には、プリチャージ信号Vp=1.5(V)が印加される(図91(c2))。したがって、処理ブロック(BL)861のBL2、BL5、BL8のみが入力可能になり、他の処理ブロック(BL)861は入力不可の設定になる。   Next, the display screen is in the display state of FIG. 91 (c1). In the processing block (BL) 861, the precharge signal Vp = 2.5 (V) is applied to BL2, BL5, and BL8 (FIG. 91 (c2)). Further, the precharge signal Vp = 1.5 (V) is applied to the other processing block (BL) 861 (FIG. 91 (c2)). Therefore, only BL2, BL5, and BL8 of the processing block (BL) 861 can be input, and the other processing blocks (BL) 861 are set to input disabled.

以上の状態で、対象物701で処理ブロック(BL)861のBL2を触れることにより、フィルム911abaが選択される。以上のように、本発明は、処理ブロック(BL)861、区分などにプリチャージ信号Vpを印加し、プリチャージ信号Vpの大きさを変化させることにより、入力可能領域と不可領域を形成する。また、処理ブロック(BL)861などの位置に対応させて選択画像を表示する。また、プリチャージ信号Vpの印加と画像表示状態とを連動させることにより、良好な制御と、座標入力を実現することができる。
(9−1)第1の変更例
以上の実施例では、プリチャージ信号Vpを各処理ブロック(BL)861に印加し、入力可能か、不可かの2値に設定するという実施例であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。
In the above state, the film 911aba is selected by touching BL2 of the processing block (BL) 861 with the object 701. As described above, according to the present invention, the precharge signal Vp is applied to the processing block (BL) 861, the section, and the like, and the size of the precharge signal Vp is changed to form the input enabled area and the disabled area. Further, the selected image is displayed in correspondence with the position of the processing block (BL) 861 or the like. Further, by controlling the application of the precharge signal Vp and the image display state, good control and coordinate input can be realized.
(9-1) First Modification In the above embodiment, the precharge signal Vp is applied to each processing block (BL) 861, and is set to a binary value indicating whether input is possible or not. . However, the present invention is not limited to this.

図92(a)は、3種類のプリチャージ信号Vpを印加した実施例である。処理ブロック(BL)861のBL5、BL8は、プリチャージ信号Vp=2.5(V)を印加した領域である。処理ブロック(BL)861のBL2、BL4、BL6、BL7、BL9、BL11は、プリチャージ信号Vp=2.0(V)を印加した領域である。処理ブロック(BL)861のBL1、BL3、BL10、BL12は、プリチャージ信号Vp=1.5(V)を印加した領域である。   FIG. 92A shows an embodiment in which three types of precharge signals Vp are applied. BL5 and BL8 of the processing block (BL) 861 are regions to which the precharge signal Vp = 2.5 (V) is applied. BL2, BL4, BL6, BL7, BL9, and BL11 of the processing block (BL) 861 are regions to which the precharge signal Vp = 2.0 (V) is applied. BL1, BL3, BL10, and BL12 of the processing block (BL) 861 are regions to which the precharge signal Vp = 1.5 (V) is applied.

入力が適正に行えるのは、処理ブロック(BL)861のBL5、BL8であり、処理ブロック(BL)861のBL2、BL4、BL6、BL7、BL9、BL11は、入力が比較的困難な範囲である。ただし、外光の強度により入力が可能になる。たとえば、外光の強度が急変し、弱くなった場合、処理ブロック(BL)861のBL2、BL4、BL6、BL7、BL9、BL11でのプリチャージ信号Vp設定が最適になり、入力が可能になる。   Inputs can be performed properly in BL5 and BL8 of the processing block (BL) 861, and BL2, BL4, BL6, BL7, BL9 and BL11 of the processing block (BL) 861 are in a relatively difficult range. . However, input is possible depending on the intensity of external light. For example, when the intensity of external light changes suddenly and becomes weak, the precharge signal Vp setting in BL2, BL4, BL6, BL7, BL9, and BL11 of the processing block (BL) 861 is optimized and input is possible. .

逆に、処理ブロック(BL)861のBL5、BL8はプリチャージ信号Vpが高すぎ、オン状態を維持したままとなる。そのため、入力ができなくなる。処理ブロック(BL)861のBL1、BL3、BL10、BL12は、入力不可の範囲である。
(9−2)第2の変更例
図92(b)は、2種類のプリチャージ信号Vpを印加した実施例である。処理ブロック(BL)861のBL1、BL3、BL7、BL9は、プリチャージ信号Vp=2.5(V)を印加した領域である。他の処理ブロック(BL)861はプリチャージ信号Vp=1.5(V)を印加した領域である。入力が適正に行えるのは、処理ブロック(BL)861のBL1、BL3、BL7、BL9であり、他の処理ブロック(BL)861は入力が不可の領域となる。
(9−3)第3の変更例
図92(c)は、4種類のプリチャージ信号Vpを印加した実施例である。処理ブロック(BL)861のBL1、BL2、BL3は、プリチャージ信号Vp=2.5(V)を印加した領域である。
処理ブロック(BL)861のBL4、BL5、BL6は、プリチャージ信号Vp=2.25(V)を印加した領域である。処理ブロック(BL)861のBL7、BL8、BL9は、プリチャージ信号Vp=2.0(V)を印加した領域である。処理ブロック(BL)861のBL10、BL11、BL12は、プリチャージ信号Vp=1.75(V)を印加した領域である。
On the other hand, the precharge signal Vp is too high for BL5 and BL8 of the processing block (BL) 861, and the ON state is maintained. Therefore, it becomes impossible to input. BL1, BL3, BL10, and BL12 of the processing block (BL) 861 are ranges incapable of input.
(9-2) Second Modification FIG. 92B shows an embodiment in which two types of precharge signals Vp are applied. BL1, BL3, BL7, and BL9 of the processing block (BL) 861 are regions to which the precharge signal Vp = 2.5 (V) is applied. The other processing block (BL) 861 is a region to which the precharge signal Vp = 1.5 (V) is applied. Inputs can be performed properly in BL1, BL3, BL7, and BL9 of the processing block (BL) 861, and the other processing blocks (BL) 861 are areas in which input is not possible.
(9-3) Third Modification FIG. 92 (c) is an embodiment in which four types of precharge signals Vp are applied. BL1, BL2, and BL3 of the processing block (BL) 861 are regions to which the precharge signal Vp = 2.5 (V) is applied.
BL4, BL5, and BL6 of the processing block (BL) 861 are regions to which the precharge signal Vp = 2.25 (V) is applied. BL7, BL8, and BL9 of the processing block (BL) 861 are regions to which the precharge signal Vp = 2.0 (V) is applied. BL10, BL11, and BL12 of the processing block (BL) 861 are regions to which the precharge signal Vp = 1.75 (V) is applied.

図92(c)の実施例では、縦方向の処理ブロック(BL)861の組(たとえば、BL1、BL4、BL7、BL10)に対して、プリチャージ信号Vpが2.5(V)、2.25(V)。2.00(V)、1.75(V)が印加されている。   In the embodiment of FIG. 92 (c), the precharge signal Vp is 2.5 (V) for the set of vertical processing blocks (BL) 861 (for example, BL1, BL4, BL7, BL10). 25 (V). 2.00 (V) and 1.75 (V) are applied.

本発明は外光の強度に対してキャリブレーションを実施し、適正なプリチャージ信号Vpおよび露光時間Tc設定を実施する。しかし、外光の強度は急変しやすいため、プリチャージ信号Vpおよび露光時間Tcが適正値から外れることがある。キャリブレーションを頻繁に実施すると、外光の強度変化に追従できるが、座標入力処理などが間に合わなくなる。   In the present invention, calibration is performed for the intensity of external light, and an appropriate precharge signal Vp and exposure time Tc are set. However, since the intensity of external light is likely to change suddenly, the precharge signal Vp and the exposure time Tc may deviate from appropriate values. If calibration is frequently performed, it is possible to follow changes in the intensity of external light, but the coordinate input processing and the like will not be in time.

図92(c)のように、プリチャージ信号Vp(あるいは露光時間Tc)の値を処理ブロック(BL)861で変化させておけば、いずれかの処理ブロック(BL)861で座標入力が可能となる。したがって、キャリブレーション設定もラフでよい。
(9−4)第4の変更例
以上の実施例は、プリチャージ信号Vpなどを処理ブロック(BL)861で変化させるとした。しかし、本発明はこれに限定するものではなく、各区分で変化させてもよい。また、プリチャージ信号Vpの設定は、固定的に行われることに限定するものではなく、時分割で変化させてもよい。
If the value of the precharge signal Vp (or exposure time Tc) is changed in the processing block (BL) 861 as shown in FIG. 92C, coordinates can be input in any of the processing blocks (BL) 861. Become. Therefore, the calibration setting may be rough.
(9-4) Fourth Modification In the above embodiment, the precharge signal Vp and the like are changed by the processing block (BL) 861. However, the present invention is not limited to this, and may be changed for each section. Further, the setting of the precharge signal Vp is not limited to being fixed, but may be changed in a time division manner.

たとえば、第1の期間に、全処理ブロック(BL)861にプリチャージ信号Vp=2.5(V)を印加し、第1の期間の次の第2の期間に、全処理ブロック(BL)861にプリチャージ信号Vp=2.25(V)を印加する。また、第2の期間の次の第3の期間に、全処理ブロック(BL)861にプリチャージ信号Vp=2.00(V)を印加し、第3の期間の次の第4の期間に、全処理ブロック(BL)861にプリチャージ信号Vp=1.75(V)を印加する。以降、前述の処理を繰り返す。   For example, a precharge signal Vp = 2.5 (V) is applied to all the processing blocks (BL) 861 in the first period, and all processing blocks (BL) are applied in the second period following the first period. A precharge signal Vp = 2.25 (V) is applied to 861. In addition, in the third period following the second period, the precharge signal Vp = 2.00 (V) is applied to all the processing blocks (BL) 861, and in the fourth period following the third period. The precharge signal Vp = 1.75 (V) is applied to all the processing blocks (BL) 861. Thereafter, the above process is repeated.

したがって、プリチャージ信号Vpは、処理ブロック(BL)861に2.50(V)、2.25(V)、2.00(V)、1.75(V)、2.50(V)、2.25(V)、・・・・・・と印加される。もちろん、表示領域10の複数の処理ブロック(BL)861に異なるプリチャージ信号Vpを印加し、この印加したプリチャージ信号Vpを時分割で変化させてもよい。また、プリチャージ信号Vpの代わりに露光時間Tcを変化させてもよい。また、プリチャージ信号Vpと露光時間Tcの両方を変化させてもよい。また、プリチャージ信号Vpあるいは露光時間Tcは処理ブロック(BL)861単位でなく、区分を単位として変化させてもよい。もちろん、プリチャージ信号Vp、露光時間Tcは、処理ブロック(BL)861などのホトセンサ画素27の特性に合わせて設定あるいは調整もしくは印加してもよいことはいうまでもない(図87、図88)。
(9−5)第5の変更例
以上の実施例は、処理ブロック(BL)861単位でプリチャージ信号Vpを変化させる実施例であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図94に図示するように、処理ブロック(BL)861のBL1に配置された区分ごとに複数のプリチャージ信号Vpを印加してもよい。
Therefore, the precharge signal Vp is supplied to the processing block (BL) 861 at 2.50 (V), 2.25 (V), 2.00 (V), 1.75 (V), 2.50 (V), 2.25 (V), ... are applied. Of course, different precharge signals Vp may be applied to the plurality of processing blocks (BL) 861 in the display area 10, and the applied precharge signals Vp may be changed in a time-sharing manner. Further, the exposure time Tc may be changed instead of the precharge signal Vp. Further, both the precharge signal Vp and the exposure time Tc may be changed. Further, the precharge signal Vp or the exposure time Tc may be changed not in units of processing block (BL) 861 but in units of sections. Needless to say, the precharge signal Vp and the exposure time Tc may be set, adjusted, or applied in accordance with the characteristics of the photosensor pixel 27 such as the processing block (BL) 861 (FIGS. 87 and 88). .
(9-5) Fifth modification example
In the above embodiment, the precharge signal Vp is changed in units of the processing block (BL) 861. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 94, a plurality of precharge signals Vp may be applied to each section arranged in BL1 of the processing block (BL) 861.

図94の実施例では、プリチャージ信号Vpの大きさを色の濃さで示している。プリチャージ信号Vpの設定値は、6段階で2画素行ごとに行っている。たとえば、プリチャージ信号Vpは、3.00(V)、2.75(V)、2.50(V)、2.25(V)、2.00(V)、1.75(V)の6段階である。また、隣接する区分には異なるプリチャージ信号Vpを設定している。   In the embodiment of FIG. 94, the magnitude of the precharge signal Vp is indicated by the color intensity. The precharge signal Vp is set every two pixel rows in six steps. For example, the precharge signal Vp is 3.00 (V), 2.75 (V), 2.50 (V), 2.25 (V), 2.00 (V), 1.75 (V). There are 6 stages. Further, different precharge signals Vp are set for adjacent sections.

以上のように、処理ブロック(BL)861内の区分に対して、プリチャージ信号Vpを異ならせることは、処理ブロック(BL)861単位で入力判定をする時に有効な効果を発揮する。処理ブロック(BL)861内で複数のプリチャージ信号Vpが印加されているため、いずれかのプリチャージ信号Vpを印加された区分が、外光の強度対して適切な動作を行うからである。適切な動作を行う区分を抽出して入力判定、座標検出を実施することにより精度のより処理を実現できる。   As described above, making the precharge signal Vp different for the section in the processing block (BL) 861 exhibits an effective effect when input determination is performed in units of the processing block (BL) 861. This is because a plurality of precharge signals Vp are applied in the processing block (BL) 861, and the section to which any of the precharge signals Vp is applied performs an appropriate operation with respect to the intensity of external light. Processing with higher accuracy can be realized by extracting classifications for performing appropriate operations and performing input determination and coordinate detection.

なお、図94においても、処理ブロック(BL)861単位で印加するプリチャージ信号Vpの値を変化させてもよい。たとえば、処理ブロック(BL)861のBL1では、プリチャージ信号Vpを3.00(V)、2.75(V)、2.50(V)、2.25(V)、2.00(V)、1.75(V)の6段階とし、処理ブロック(BL)861のBL2では、プリチャージ信号Vpを2.50(V)、2.25(V)、2.00(V)、1.75(V)、1.50(V)、1.25(V)の6段階とする。   In FIG. 94, the value of the precharge signal Vp applied in units of processing block (BL) 861 may be changed. For example, in BL1 of the processing block (BL) 861, the precharge signal Vp is set to 3.00 (V), 2.75 (V), 2.50 (V), 2.25 (V), 2.00 (V ) And 6.75 (V), and the precharge signal Vp is 2.50 (V), 2.25 (V), 2.00 (V), 1 in BL2 of the processing block (BL) 861. .75 (V), 1.50 (V), and 1.25 (V).

図94は、処理ブロック(BL)861内の区分を細分して複数のプリチャージ信号Vpを印加した実施例であった。図95は、3種類のプリチャージ信号Vpをストライプ状に印加した実施例である。
(9−6)第6の変更例
本発明は、処理ブロック(BL)861あるいは区分で変化させるのは、プリチャージ信号Vpだけでなく、露光時間Tcであってもよい。露光時間Tcを変化させる場合は、図96のように構成する。図96の実施例では、2つのゲートドライバ回路12b(12b1、12b2)が形成されている。ゲートドライバ回路12b1は、奇数行のホトセンサ画素27を制御する。ゲートドライバ回路12b2は、偶数行のホトセンサ画素27を制御する。以上のように構成することにより、偶数行のホトセンサ画素27の露光時間Tcと、奇数行のホトセンサ画素27の露光時間Tcを独立に変化あるいは制御することができる。
(9−7)第7の変更例
本発明の駆動方式において、露光時間Tc時分割で変化せてもよい。たとえば、第1の期間に、露光時間Tcを5msecとし、第1の期間の次の第2の期間に、露光時間Tcを4msecとする。第2の期間の次の第3の期間に、露光時間Tcを3msecとする。第3の期間の次の第4の期間に、露光時間Tcを2msecとする。以降、前述の処理を繰り返す。したがって、露光時間Tcは、5msec、4msec、3msec、2msec、5msec、4msec・・・・・・・と変化させる。もちろん、表示領域10の複数の処理ブロック(BL)861ごとに露光時間Tcを設定してもよい。
(9−8)第8の変更例
本発明において、プリチャージ信号Vpは処理ブロック(BL)単位、区分単位で変化あるいは制御するとしたが、これに限定するものではない。ホトセンサ画素27単位でおこなってもよい。図97に図示するように、ホトセンサ画素27はプリチャージ信号線24に接続されている。したがって、プリチャージ信号線24に印加するプリチャージ信号Vpを画素列あるいは画素行ごとに変化させることは容易である。
FIG. 94 shows an example in which a plurality of precharge signals Vp are applied by subdividing a section in the processing block (BL) 861. FIG. 95 shows an embodiment in which three types of precharge signals Vp are applied in a stripe shape.
(9-6) Sixth Modification In the present invention, the processing block (BL) 861 or section may change not only the precharge signal Vp but also the exposure time Tc. When changing the exposure time Tc, it is configured as shown in FIG. In the embodiment of FIG. 96, two gate driver circuits 12b (12b1, 12b2) are formed. The gate driver circuit 12b1 controls the photosensor pixels 27 in the odd rows. The gate driver circuit 12b2 controls the photosensor pixels 27 in even rows. With the above configuration, the exposure time Tc of the even-numbered photosensor pixels 27 and the exposure time Tc of the odd-numbered photosensor pixels 27 can be changed or controlled independently.
(9-7) Seventh Modification In the driving method of the present invention, the exposure time Tc may be changed by time division. For example, the exposure time Tc is set to 5 msec in the first period, and the exposure time Tc is set to 4 msec in the second period following the first period. In the third period following the second period, the exposure time Tc is set to 3 msec. In a fourth period subsequent to the third period, the exposure time Tc is set to 2 msec. Thereafter, the above process is repeated. Therefore, the exposure time Tc is changed to 5 msec, 4 msec, 3 msec, 2 msec, 5 msec, 4 msec,. Of course, the exposure time Tc may be set for each of a plurality of processing blocks (BL) 861 in the display area 10.
(9-8) Eighth Modification In the present invention, the precharge signal Vp is changed or controlled in units of processing blocks (BL) or in units of sections. However, the present invention is not limited to this. This may be done in units of 27 photosensor pixels. As shown in FIG. 97, the photosensor pixel 27 is connected to the precharge signal line 24. Therefore, it is easy to change the precharge signal Vp applied to the precharge signal line 24 for each pixel column or pixel row.

図98は、プリチャージ信号Vpを2.0(V)、2.2(V)、2.4(V)、2.6(V)とし、画素列で変化させた実施例である。図99は、リチャージ電圧Vpを2.0(V)、2.2(V)、2.4(V)、2.6(V)とし、画素行で変化させた実施例である。   FIG. 98 shows an embodiment in which the precharge signal Vp is set to 2.0 (V), 2.2 (V), 2.4 (V), 2.6 (V) and changed in the pixel column. FIG. 99 shows an embodiment in which the recharge voltage Vp is 2.0 (V), 2.2 (V), 2.4 (V), 2.6 (V), and is changed in the pixel row.

なお、図100に図示するように、プリチャージ信号Vpを印加するときは、プリチャージ信号線24に印加すると同時に、ホトセンサ出力信号線25にも印加することが好ましい。スイッチSWa、SWbをプリチャージ信号Vpの出力と同期させてオンオフ制御する。   As shown in FIG. 100, when the precharge signal Vp is applied, it is preferably applied to the photosensor output signal line 25 simultaneously with the precharge signal line 24. The switches SWa and SWb are on / off controlled in synchronization with the output of the precharge signal Vp.

各処理ブロック(BL)861でどのプリチャージ信号Vpが最適であるかの選択は、外光照度の大きさ、バックライト656の照度に応じて決定される。どのプリチャージ信号Vpをせんたくするかは、パネルの出荷前に検査工程で検査(測定)されて決定する。その際は、実際に使用するバックライト656またはそれに類する光発生源を装着して行われる。特に、表示領域10の周辺部ではバックライト656などの影響を受けて選択するプリチャージ信号Vpが異なる場合があるからである。
(9−9)第9の変更例
1つの画素に複数のプリチャージ信号Vpを印加し、また、変化させてキャリブレーション、接近、接触、離脱処理などを行ってもよいことはいうまでもない。たとえば、プリチャージ信号Vpはフレームで変化させる。フレームは、複数フレームで変化させてもよい。たとえば、2フレームごとにプリチャージ信号Vpを変化させる。
The selection of which precharge signal Vp is optimal in each processing block (BL) 861 is determined according to the illuminance of the external light and the illuminance of the backlight 656. Which precharge signal Vp is to be selected is determined by inspection (measurement) in an inspection process before shipment of the panel. In that case, the backlight 656 actually used or a similar light generation source is attached. This is because the precharge signal Vp to be selected may be different in the peripheral area of the display area 10 due to the influence of the backlight 656 or the like.
(9-9) Ninth Modification It goes without saying that a plurality of precharge signals Vp may be applied to one pixel, and may be changed to perform calibration, approach, contact, separation processing, and the like. . For example, the precharge signal Vp is changed in each frame. The frame may be changed in a plurality of frames. For example, the precharge signal Vp is changed every two frames.

同時にあるいはプリチャージ信号Vpの変化と同期せずに、露光時間Tcを変化させてもよい。また、プリチャージ信号Vpと露光時間Tcを同時に変化させてもよい。たとえば、プリチャージ信号Vpを3.5V、露光時間Tcを324Hとして、処理ブロック(BL)861のオン画素数の変化を検出し(オン画素数が1以上になるかどうかなど)、キャリブレーション動作としては、プリチャージ信号Vp4.0Vに一定の定数bをかけて演算してもよい(たとえば、b=0.5とすれば、プリチャージ信号Vpは4.0×0.5=2Vとなる)。つまり、キャリブレーション時は、プリチャージ信号Vp=2.0V、露光時間Tc=324Hとする。なお、露光時間Tcの変化ステップは、2H以上にすることが好ましい。   At the same time or without synchronizing with the change of the precharge signal Vp, the exposure time Tc may be changed. Further, the precharge signal Vp and the exposure time Tc may be changed simultaneously. For example, the precharge signal Vp is set to 3.5 V, the exposure time Tc is set to 324H, and a change in the number of ON pixels in the processing block (BL) 861 is detected (for example, whether the number of ON pixels is 1 or more). May be calculated by multiplying the precharge signal Vp4.0V by a constant b (for example, if b = 0.5, the precharge signal Vp becomes 4.0 × 0.5 = 2V). ). That is, at the time of calibration, the precharge signal Vp = 2.0V and the exposure time Tc = 324H. Note that the change step of the exposure time Tc is preferably 2H or more.

処理ブロック(BL)861のオン画素数の変化を検出する動作は、プリチャージ信号Vp=4.0V、露光時間Tc=324Hを始点あるいは中心として変化させ、キャリブレーション時は、プリチャージ信号Vp=2.0V、露光時間Tc=324Hを始点あるいは中心として変化させる。このオン画素数の検出動作と、キャリブレーション動作とを交互に実施する。
(10)接近、接触、離脱
なお、接近とは、パネル面に指などが近づくことを検出あるいは判断することを意味する。また、処理する動作を意味する。また、接近とは、パネル面に指などが近づくことを処理する動作を意味する。
The operation of detecting the change in the number of ON pixels in the processing block (BL) 861 is performed by changing the precharge signal Vp = 4.0V and the exposure time Tc = 324H from the start point or the center, and during calibration, the precharge signal Vp = 2.0V and exposure time Tc = 324H are changed as the starting point or the center. This on-pixel count detection operation and the calibration operation are performed alternately.
(10) Approach, contact, separation The approach means detecting or judging that a finger or the like approaches the panel surface. Also, it means an operation to be processed. Also, the approach means an operation for processing that a finger or the like approaches the panel surface.

接触とは、パネル面に指などが接触していることを検出あるいは判断することを意味する。また、処理する動作を意味する。また、接触とは、パネル面に指などが接触している処理する動作を意味する。   Contact means detecting or judging that a finger or the like is in contact with the panel surface. Also, it means an operation to be processed. Further, the contact means a processing operation in which a finger or the like is in contact with the panel surface.

離脱とは、パネル面に指などから離脱(離れる)することを検出あるいは判断することを意味する。また、離脱することを処理する動作を意味する。   Detachment means detecting or determining that the panel surface is detached (separated) from a finger or the like. In addition, it means an operation for processing to leave.

各処理ブロック(BL)861の画素行に印加してプリチャージ信号Vpあるいは露光時間Tcのうち、どのプリチャージ信号Vpあるいは露光時間Tcを採用するかは、あらかじめパネルの出荷時に、処理ブロック(BL)861ごとに決定しておき、EEPROMにデータをして格納しておくことが好ましい。
(11)プリチャージ信号Vpと露光時間Tcの変化
プリチャージ信号Vpは連続した画素行に印加してもよい。また、プリチャージ信号Vpは画素行にランダムに印加してもよい。また、一定の周期(2次元状に、時間軸方向に)でプリチャージ信号Vpの強度を変化させてもよい。各画素行に印加するプリチャージ信号Vpをフレームごとに変化させる。
Which precharge signal Vp or exposure time Tc of the precharge signal Vp or exposure time Tc to apply to the pixel row of each processing block (BL) 861 is determined in advance at the time of shipment of the panel. ) It is preferable to determine every 861 and store the data in the EEPROM.
(11) Change in Precharge Signal Vp and Exposure Time Tc The precharge signal Vp may be applied to successive pixel rows. Further, the precharge signal Vp may be applied randomly to the pixel rows. Further, the intensity of the precharge signal Vp may be changed at a constant period (two-dimensionally and in the time axis direction). The precharge signal Vp applied to each pixel row is changed for each frame.

露光時間Tcも同様である。露光時間Tcは連続した画素行に印加してもよい。また、露光時間Tcは画素行にランダムに印加してもよい。また、一定の周期(2次元状に、時間軸方向に)で露光時間Tcの長さを変化させてもよい。各画素行に印加する露光時間Tcをフレームごとに変化させてもよい。   The same applies to the exposure time Tc. The exposure time Tc may be applied to successive pixel rows. The exposure time Tc may be applied randomly to the pixel rows. Further, the length of the exposure time Tc may be changed at a constant cycle (two-dimensionally and in the time axis direction). The exposure time Tc applied to each pixel row may be changed for each frame.

プリチャージ信号Vpと露光時間Tcは同時に変化させてもよい。露光時間Tcとプリチャージ信号Vpはフレームあるいは画素行単位で交互に変化させてもよい。   The precharge signal Vp and the exposure time Tc may be changed simultaneously. The exposure time Tc and the precharge signal Vp may be alternately changed in units of frames or pixel rows.

また、ホトセンサ画素27の感度を複数の種類を構成あるいは形成し、これらのホトセンサ画素27に複数のプリチャージ信号Vpを印加する構成とすることにより、また、複数の露光時間Tcを設定することにより、より幅の広い外部光の強度範囲に対応することができることはいうまでもない。さらに、コンパレータ回路155のコンパレータ電圧も複数発生させ、印加してもよいことは言うまでもない。   In addition, by configuring or forming a plurality of types of sensitivity of the photosensor pixel 27 and applying a plurality of precharge signals Vp to these photosensor pixels 27, and by setting a plurality of exposure times Tc. Needless to say, it is possible to cope with a wider range of external light intensity. Furthermore, it goes without saying that a plurality of comparator voltages of the comparator circuit 155 may be generated and applied.

以上の事項は、本発明の他の実施例に、単独であるいは組み合わせて実施できることは言うまでもない。他の事項においても同様である。
(12)外乱の影響
バックライト656からの光661aは、パネル658内でハレーションする。また、対象物701を照明する。光661aの影響を含めてキャリブレーションを実施することは、外光照度がない場合である原点V0(図79のE点)を変動させる。
It goes without saying that the above items can be implemented alone or in combination with other embodiments of the present invention. The same applies to other matters.
(12) Influence of disturbance The light 661 a from the backlight 656 halates in the panel 658. In addition, the object 701 is illuminated. Performing the calibration including the influence of the light 661a varies the origin V0 (point E in FIG. 79), which is a case where there is no external light illuminance.

ここで、照度0(遮光状態)でのキャリブレーション電圧をV0とする。このV0電圧とは、照度0状態で、オン画素数割合(%)が0%の値もしくは、オン画素数割合(%)が発生を検出あるいは把握できるプリチャージ信号Vpである。外光照度などが高くなるにつれて、ホトセンサ35はリークするからオン画素数割合(%)が発生するプリチャージ信号Vpは外光照度に合わせて高くする必要がある。したがって、図79のキャリブレーション電圧の直線に示すように、外光照度(バックライト656などからの光も含む)に対応させてV0(E点)から上昇する。   Here, the calibration voltage at an illuminance of 0 (light shielding state) is V0. The V0 voltage is a precharge signal Vp that can detect or grasp the occurrence of the on-pixel number ratio (%) at a value of 0% or the on-pixel number ratio (%) when the illuminance is zero. As the illuminance of outside light increases, the photosensor 35 leaks, so the precharge signal Vp for generating the on-pixel ratio (%) needs to be increased in accordance with the illuminance of outside light. Therefore, as shown by the calibration voltage line in FIG. 79, the voltage rises from V0 (point E) in correspondence with the external light illuminance (including light from the backlight 656 and the like).

このキャリブレーション電圧の直線に一致するようにプリチャージ信号Vpをホトセンサ画素27に印加することにより、良好なキャリブレーションを実施できる。   By applying the precharge signal Vp to the photosensor pixel 27 so as to coincide with the straight line of the calibration voltage, good calibration can be performed.

原点であるV0電圧は、図102に図示するように、温度変化、トランジスタのVtシフト、外光などの波長(主波長で規定する)、対象物701(指など)からの反射光661でシフトする。   As shown in FIG. 102, the origin V0 voltage is shifted by temperature change, transistor Vt shift, wavelength of external light (defined by the main wavelength), and reflected light 661 from the object 701 (finger, etc.). To do.

図79で説明したように、オン画素数割合0(%)(Tc=324Hなど)は、定数をa、b、外光照度をLxとすれば、Va=a(La)+V0と表現できる。キャリブレーション電圧の直線は、Vb=ab(Lx)+V0と表現できる。つまり、オン画素数割合(%)の直線にあらかじめ求めておいた定数bを掛け算すれば、キャリブレーション電圧Vbが求まる。   As described with reference to FIG. 79, the on-pixel number ratio 0 (%) (Tc = 324H or the like) can be expressed as Va = a (La) + V0, where a and b are constants and Lx is the illuminance of outside light. The straight line of the calibration voltage can be expressed as Vb = ab (Lx) + V0. In other words, the calibration voltage Vb can be obtained by multiplying the straight line of the ON pixel number ratio (%) by the constant b obtained in advance.

キャリブレーション電圧の直線と、オン画素数割合(%)の直線は両方ともV0を通過する。また、定数a、bは温度、Vt、主波長などの影響を受けない。したがって、いずれの外光照度であっても、所定のオン画素数割合(%)の直線をもとめることにより、最適なキャリブレーション電圧をもとめることができる。
(V0電圧の取得)
図70などにおいて、対象物701でホトセンサ画素27を遮光することにより、外光661などでオフ状態であったホトセンサ画素27がオン状態となる。ホトセンサ画素27に印加するプリチャージ信号Vpは、遮光状態(基本的には0Lx)でホトセンサ画素27がオン状態となる電圧を印加する。また、外光がホトセンサ画素27に印加されている時は、前記プリチャージ信号Vpではオフ状態となるようにする。
Both the calibration voltage line and the on-pixel number ratio (%) line pass V0. The constants a and b are not affected by temperature, Vt, dominant wavelength, and the like. Therefore, an optimum calibration voltage can be obtained by obtaining a straight line having a predetermined on-pixel ratio (%) at any external light illuminance.
(Acquisition of V0 voltage)
In FIG. 70 and the like, the photosensor pixel 27 is shielded by the object 701, whereby the photosensor pixel 27 that has been turned off by the external light 661 or the like is turned on. The precharge signal Vp applied to the photosensor pixel 27 applies a voltage that turns on the photosensor pixel 27 in a light-shielded state (basically 0Lx). When external light is applied to the photosensor pixel 27, the precharge signal Vp is turned off.

図70のように、指などの対象物701の下(影)の部分の照度あるいはホトセンサ画素27の状態がわかれば、V0またはキャリブレーション電圧を知ることができる。つまり、図79に図示するV0または外光強度の応じたキャリブレーション電圧は、遮光状態のホトセンサ画素27がオン状態を保持する電圧もしくはこれに相関する電圧である。   As shown in FIG. 70, if the illuminance of the lower part (shadow) of the object 701 such as a finger or the state of the photosensor pixel 27 is known, V0 or the calibration voltage can be known. That is, the calibration voltage corresponding to V0 or the intensity of external light illustrated in FIG. 79 is a voltage at which the photosensor pixel 27 in the light-shielded state maintains the on state or a voltage correlated therewith.

したがって、表示領域10に常時あるいはキャリブレーション時に遮光状態を構成あるいは形成する。ただし、遮光部は他の表示領域10から入射する光の一部あるいは一定割合の光(図70の151a、151b)により、対象物701の裏面(パネルとの接触面)が照明されている必要がある。   Therefore, a light shielding state is configured or formed in the display area 10 at all times or during calibration. However, the light shielding portion needs to illuminate the back surface (the contact surface with the panel) of the object 701 with a part of the light incident from the other display region 10 or a certain percentage of light (151a and 151b in FIG. 70). There is.

以上の状態を発生するため、本発明は、図107に図示するように、遮光板あるいはフィルム1071をキャリブレーション時に配置する。遮光板1071は支点801で回転し、キャリブレーション時以外は、表示領域10から取り除けるように構成されている。遮光板1071を、キャリブレーション時に表示パネルの表面に実装あるいは配置される。   In order to generate the above-described state, according to the present invention, as shown in FIG. 107, a light shielding plate or film 1071 is arranged at the time of calibration. The light shielding plate 1071 rotates around a fulcrum 801 and is configured to be removed from the display area 10 except during calibration. The light shielding plate 1071 is mounted or disposed on the surface of the display panel during calibration.

なお、遮光板1071は、完全な遮光物を意味する物ではない。透過率が20%以下のものであれば十分対応できる。また、ホトセンサ35に感度がある光を遮光するものであればよい。ホトセンサ35がポリシリコンで構成されている場合は、主波長が500nm以下の光を遮光させる。遮光板1071は、常時、表示パネルのホトセンサ画素27が形成された面に配置しておいてもよい。この箇所が座標入力箇所として使用できないだけである。   The light shielding plate 1071 does not mean a complete light shielding material. If the transmittance is 20% or less, it can be sufficiently handled. Further, the photosensor 35 may be anything that blocks sensitive light. When the photosensor 35 is made of polysilicon, light having a dominant wavelength of 500 nm or less is blocked. The light shielding plate 1071 may be always disposed on the surface of the display panel where the photosensor pixels 27 are formed. This location cannot be used as a coordinate input location.

以上の事項は本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。
(1)第1の変更例
図108の実施例は、表示領域10に遮光板1071の替わりに遮光シール1081を貼り付けたあるいは配置した構成である。図108のように、遮光シール1081の下(影)の部分の照度あるいはホトセンサ画素27の状態がわかれば、V0またはキャリブレーション電圧を知ることができる。つまり、図79に図示するV0または外光強度の応じたキャリブレーション電圧は、遮光状態のホトセンサ画素27がオン状態を保持する電圧もしくはこれに相関する電圧である。
(2)第2の変更例
図109は、表示領域10の一部に遮光部1091を形成あるいは構成した実施例である。遮光部1091はバックライト656からの光661の一部を反射し、ホトセンサ画素27を照明する。図109のように、遮光部1091の下(影)の部分の照度あるいはホトセンサ画素27の状態がわかれば、V0またはキャリブレーション電圧を知ることができる。他の事項は本発明の実施例と同様であるので説明を省略する。
(3)第3の変更例
図110は遮光部1091を分散して形成または配置した構成である。他の事項は図108、図109などの他の実施例と同様であるので説明を省略する。
(接触検出)
外光が強い時は、ホトセンサ画素27に印加したプリチャージ信号Vpでは十分オフ状態となっている。また、オフ状態を維持するプリチャージ信号Vpは比較的高い。たとえば、図103に図示するように、実線で外光500Lxでのプリチャージ信号Vpとオン画素数割合(%)の関係を示す。実線において、オン画素数割合0(%)のプリチャージ信号VpはV500aである。
Needless to say, the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Moreover, it cannot be overemphasized that it can combine with another Example.
(1) First Modification The embodiment of FIG. 108 has a configuration in which a light shielding sticker 1081 is pasted or arranged in the display area 10 instead of the light shielding plate 1071. As shown in FIG. 108, if the illuminance at the lower part (shadow) of the light shielding seal 1081 or the state of the photosensor pixel 27 is known, V0 or the calibration voltage can be known. That is, the calibration voltage corresponding to V0 or the intensity of external light illustrated in FIG. 79 is a voltage at which the photosensor pixel 27 in the light-shielded state maintains the on state or a voltage correlated therewith.
(2) Second Modification Example FIG. 109 is an example in which a light shielding portion 1091 is formed or configured in a part of the display area 10. The light shielding unit 1091 reflects part of the light 661 from the backlight 656 and illuminates the photosensor pixel 27. As shown in FIG. 109, V0 or the calibration voltage can be known if the illuminance at the lower part (shadow) of the light shielding unit 1091 or the state of the photosensor pixel 27 is known. Since other matters are the same as those of the embodiment of the present invention, description thereof is omitted.
(3) Third Modification FIG. 110 shows a configuration in which the light shielding portions 1091 are formed or arranged in a distributed manner. Since other matters are the same as those of the other embodiments such as FIGS.
(Contact detection)
When the external light is strong, the precharge signal Vp applied to the photosensor pixel 27 is sufficiently off. Further, the precharge signal Vp for maintaining the off state is relatively high. For example, as shown in FIG. 103, the solid line shows the relationship between the precharge signal Vp and the ON pixel number ratio (%) in the external light 500Lx. In the solid line, the precharge signal Vp with the ON pixel number ratio 0 (%) is V500a.

V500aから求めたキャリブレーション電圧は、V500bである。遮光時(0Lx)でのプリチャージ信号Vpとオン画素数割合(%)を点線で示す。   The calibration voltage obtained from V500a is V500b. The precharge signal Vp and the ON pixel number ratio (%) at the time of light shielding (0Lx) are indicated by dotted lines.

以上のことから、プリチャージ信号Vp=V500bを印加したホトセンサ画素27は、対象物701で遮光されることにより、矢印のようにオン画素数割合(%)が変化する。図103は、オン画素数割合(%)は0%から、90%以上に変化する。したがって、高照度領域では、オン画素数割合(%)の変化が大きく、対象物701の検出が容易である。   From the above, the photosensor pixel 27 to which the precharge signal Vp = V500b is applied is shielded from light by the object 701, whereby the ON pixel number ratio (%) changes as indicated by an arrow. In FIG. 103, the ON pixel number ratio (%) changes from 0% to 90% or more. Therefore, in the high illuminance region, the change in the on-pixel number ratio (%) is large, and the detection of the object 701 is easy.

外光が弱い時は、ホトセンサ画素27に印加するプリチャージ信号Vpは低い。図104に図示するように、実線で外光100Lxでのプリチャージ信号Vpとオン画素数割合(%)の関係を示す。実線において、オン画素数割合0(%)のプリチャージ信号VpはV100aである。   When the external light is weak, the precharge signal Vp applied to the photosensor pixel 27 is low. As shown in FIG. 104, the solid line indicates the relationship between the precharge signal Vp and the on-pixel number ratio (%) in the external light 100Lx. In the solid line, the precharge signal Vp with the ON pixel number ratio 0 (%) is V100a.

V100aから求めたキャリブレーション電圧は、V100bである。V100bとV0の電位差は小さい。遮光時(0Lx)でのプリチャージ信号Vpとオン画素数割合(%)を点線で示す。プリチャージ信号Vp=V100bを印加したホトセンサ画素27は、対象物701で遮光されることにより、矢印のようにオン画素数割合(%)が変化する。   The calibration voltage obtained from V100a is V100b. The potential difference between V100b and V0 is small. The precharge signal Vp and the ON pixel number ratio (%) at the time of light shielding (0Lx) are indicated by dotted lines. The photosensor pixel 27 to which the precharge signal Vp = V100b is applied is shielded from light by the object 701, whereby the ON pixel number ratio (%) changes as indicated by an arrow.

図104は、オン画素数割合(%)は0%から、5%程度まで変化しない。したがって、低照度領域では、オン画素数割合(%)の変化が小さく、対象物701の検出が困難である。   In FIG. 104, the ON pixel number ratio (%) does not change from 0% to about 5%. Therefore, in the low illuminance region, the change in the on-pixel number ratio (%) is small, and it is difficult to detect the object 701.

重要なことは、外光照度に対応して、オン画素数割合(%)数が変化することである。高照度の時は、対象物701で遮光されることによるオン画素数割合(%)は大きい。低照度のときは、対象物701で遮光されることによりオン画素数割合(%)は少ない。本発明は、この課題に対応するため、キャリブレーション電圧の絶対値により、想定されるオン画素数割合(%)の最大値を考慮し、接触、接近、離脱などの判定を行う。   What is important is that the number of on-pixel ratio (%) changes corresponding to the illuminance of outside light. When the illuminance is high, the ON pixel number ratio (%) due to light shielding by the object 701 is large. When the illuminance is low, the ON pixel number ratio (%) is small due to light shielding by the object 701. In order to cope with this problem, the present invention determines contact, approach, separation, and the like in consideration of the maximum value of the assumed on-pixel number ratio (%) based on the absolute value of the calibration voltage.

オン画素数割合(%)の変化量の判断は、図79に図示あるいは説明したm、nの大きさ、割合でもよいことは言うまでもない。m、nが小さくなれば、外光照度Lが弱いことを意味している。また、VLa、VL0、VL100の値あるいは、これらの値とV0との電位差によっても判定あるいは判断もしくは算出してもよい。つまり、m、nの大きさ、割合、VLa、VL0、VL100の値あるいは、これらの値とV0と電位差の大きさから、対象物701で遮光した時のオン画素数割合(%)Kを設定あるいは把握する。   Needless to say, the amount of change in the on-pixel number ratio (%) may be determined based on the magnitude and ratio of m and n shown or described in FIG. If m and n become small, it means that the external light illuminance L is weak. Further, determination, determination, or calculation may be performed based on the values of VLa, VL0, and VL100, or the potential difference between these values and V0. That is, the on-pixel ratio (%) K when the object 701 is shielded from light is set based on the magnitudes and ratios of m and n, the values of VLa, VL0, and VL100, or the magnitude of these values and the potential difference between V0 and V0. Or grasp.

図114は接近、接触および離脱に関してオン画素数割合(%)を図示している。横軸は時間である。対象物701が「接近」すると、オン画素数割合(%)は増加する。対象物701が「接触」すると、オン画素数割合(%)は一定値で安定する。対象物701が「離脱」する時は、オン画素数割合(%)が低下する。   FIG. 114 illustrates the on-pixel number ratio (%) for approach, contact, and withdrawal. The horizontal axis is time. When the object 701 “approaches”, the on-pixel ratio (%) increases. When the object 701 “contacts”, the on-pixel ratio (%) is stabilized at a constant value. When the object 701 “leaves”, the on-pixel ratio (%) decreases.

高照度では、オン画素数割合(%)は100%に近くなる。しかし、低照度では、オン画素数割合(%)は100%以下のK%となる。したがって、接近および離脱時の単位時間あたいのオン画素数割合(%)は、高照度時は100/経過時間である。低照度時は、K/経過時間である。なお、Kは100以下0以上の実数である。   At high illuminance, the on-pixel ratio (%) is close to 100%. However, at low illuminance, the on-pixel ratio (%) is K% of 100% or less. Accordingly, the ratio of the number of ON pixels per unit time at the time of approaching and leaving is 100 / elapsed time at high illumination. At low illuminance, K / elapsed time. Note that K is a real number of 100 or less and 0 or more.

経過時間(たとえば、対象物701としての指が接近を開始しパネルに接触するまでの時間。パネルから離脱を開始し完全離脱するまでの時間)は、ほぼ一定である。   The elapsed time (for example, the time from when the finger as the object 701 starts to approach and touches the panel. The time from when the finger starts to leave the panel and completely leaves) is substantially constant.

本発明は、外光照度に対応し、オン画素数割合(%)のK(Kは0以上100%以下)を考慮して、オン画素数割合(%)の変化割合を求める。外光照度が低い時は、単位時間のオン画素数割合(%)の変化は小さい。したがって、オン画素数割合(%)の変化が小さくとも、接近あるいは離脱判定を行う。また、一定以上のオン画素数割合(%)があるときは、異常状態として接近あるいは離脱判定を行わない。外光照度が高い時は、単位時間のオン画素数割合(%)の変化は大きい。したがって、オン画素数割合(%)の変化が一定以下の大きさの場合は、接近あるいは離脱判定を行わない。一定以上の変化があるときは、接近あるいは離脱判定を行う。   In the present invention, the change rate of the on-pixel number ratio (%) is obtained in consideration of the illuminance of outside light and taking into account the K of the on-pixel number ratio (%) (K is 0 to 100%). When the external light illuminance is low, the change in the number of ON pixels per unit time (%) is small. Therefore, even if the change in the on-pixel number ratio (%) is small, the approach or departure determination is performed. Further, when there is a ratio (%) of the number of on-pixels that exceeds a certain level, an approach or departure determination is not performed as an abnormal state. When the external light illuminance is high, the change in the number of ON pixels per unit time (%) is large. Therefore, when the change in the on-pixel number ratio (%) is a certain level or less, the approach or departure determination is not performed. When there is a change beyond a certain level, an approach or departure determination is performed.

図114に図示するように、m、nの大きさ、割合、VLa、VL0、VL100の値あるいは、これらの値とV0と電位差の大きさから、対象物701で遮光した時のオン画素数割合K(%)を設定する。   As shown in FIG. 114, the ratio of the number of pixels when light is shielded by the object 701 from the magnitudes and ratios of m and n, the values of VLa, VL0, and VL100, or the magnitudes of these values and V0 and the potential difference. Set K (%).

m、nの大きさ、割合、VLa、VL0、VL100の値あるいは、これらの値とV0と電位差の大きさは、相対的に外光照度Lを示している。図105は、各外光照度に対するプリチャージ信号Vpとオン画素数割合(%)の変化を示している。比較的低照度の領域では、プリチャージ信号Vpとオン画素数割合(%)のカーブは、傾きを維持したまま照度に応じてシフトする。外光照度が高いほど、0Lxのカーブとのオン画素数割合(%)の差(変化量)が大きくなる。   The magnitudes and ratios of m and n, the values of VLa, VL0, and VL100, or the magnitudes of these values and V0 and the potential difference relatively indicate the external light illuminance L. FIG. 105 shows changes in the precharge signal Vp and the on-pixel number ratio (%) with respect to each external light illuminance. In a relatively low illuminance region, the curve of the precharge signal Vp and the ON pixel number ratio (%) shifts according to the illuminance while maintaining the inclination. The higher the external light illuminance, the larger the difference (change amount) in the ON pixel number ratio (%) from the 0Lx curve.

以上のことから、本発明では、m、nなどの大きさに比例して、あるいは相関してオン画素数割合(%)を設定する。たとえば、mの値が1.0V以上ではオン画素数割合(%)を100%とし、1.0以下では、mの値と定数0.9を掛け算したものをオン画素数割合(%)とする。
(1)処理ブロック(BL)のサイズ
処理ブロック(BL)861は、遮光物701で完全に遮光される状態を構成することにより、対象物701の接近と接触および離脱検出が確実になる。そのため、図106(a)の斜線に図示するように、処理ブロック(BL)861の面積は表示領域10を分割し、かつ分割した領域の一部を占めるように構成している(設定している)。
From the above, in the present invention, the on-pixel number ratio (%) is set in proportion to or in correlation with the magnitudes of m, n, and the like. For example, when the value of m is 1.0 V or more, the on-pixel number ratio (%) is 100%, and when it is 1.0 or less, the value of m multiplied by a constant 0.9 is the on-pixel number ratio (%). To do.
(1) Size of processing block (BL) The processing block (BL) 861 constitutes a state where it is completely shielded by the light shielding object 701, so that the approach, contact and separation detection of the object 701 are ensured. Therefore, as shown in the hatched area in FIG. 106 (a), the area of the processing block (BL) 861 is configured to divide the display area 10 and occupy a part of the divided area. )

図106のように構成する(設定する)ことにより、遮光物701aで処理ブロック(BL)861が良好に遮光されるようになる。遮光物701b、701cが処理ブロック701よりも小さい場合は、接近、接触などの判定が不確実となる。そのため、指など対象物(遮光物)701aの大きさを想定して、処理ブロック(BL)861の面積を規定する。つまり、対象物701と処理ブロック861のサイズは比例関係あるいは相関関係にする。   By configuring (setting) as shown in FIG. 106, the processing block (BL) 861 is well shielded by the light shield 701a. When the light shields 701b and 701c are smaller than the processing block 701, determinations such as approach and contact are uncertain. For this reason, the area of the processing block (BL) 861 is defined assuming the size of the target object (light shielding object) 701a such as a finger. That is, the sizes of the object 701 and the processing block 861 are proportional or correlated.

本発明の表示装置は、対象物701の影をホトセンサ画素27により検出する。影の中心位置を求めるなどして、対象物701の座標位置を検出する。従来の座標入力装置は、タッチパネルなどを有して押圧された箇所で座標位置を検出する。
(2)影位置の検出
本発明は、一例として影を検出する方式であるから、対象物701が表示パネルなどに接触しなくとも、座標位置検出を行える。つまり、対象物701の影が表示領域に発生すると、影の中心位置を求めることができる。したがって、対象物701が空中にあるときでも対象物701がどこにあるかを求めることができる。中心位置692を求める方法などは図69などに記載している。
The display device of the present invention detects the shadow of the object 701 by the photosensor pixel 27. The coordinate position of the object 701 is detected by determining the center position of the shadow. A conventional coordinate input device has a touch panel or the like and detects a coordinate position at a pressed position.
(2) Detection of Shadow Position Since the present invention is a method of detecting a shadow as an example, coordinate position detection can be performed even when the object 701 does not touch the display panel or the like. That is, when the shadow of the object 701 occurs in the display area, the center position of the shadow can be obtained. Therefore, even when the object 701 is in the air, it can be determined where the object 701 is. The method for obtaining the center position 692 is described in FIG.

図111に図示するように、対象物701の影が表示領域に発生すると影の領域であるオン出力領域691が発生する。したがって、オン出力領域691の中心位置692を求めることができる。したがって、対象物701が空中にあるときでも対象物701がどこにあるかを求めることができる。中心位置692を検出できると、カーソル表示751を表示領域に表示する。   As shown in FIG. 111, when a shadow of the object 701 occurs in the display area, an on-output area 691 that is a shadow area is generated. Therefore, the center position 692 of the ON output area 691 can be obtained. Therefore, even when the object 701 is in the air, it can be determined where the object 701 is. When the center position 692 can be detected, a cursor display 751 is displayed in the display area.

図75のように、表示パネル658上に対象物701aがあると、対象物701aの影が発生する。影の位置はホトセンサ画素27がオン出力領域691となる。オン出力領域691の中心位置692aを求める。あるいは算出する。
(3)カーソル表示
図75に図示するように、中心位置692aを検出あるいは検出できると、表示領域10には、十字カーソル線(751xa、751ya)を表示する。つまり、対象物701があることを検出できる位置にあれば、中心位置692aを表示する。したがって、対象物701で入力する前から、入力する座標位置を操作者に知らせることができる。これは従来のタッチパネルにない効果である。
As shown in FIG. 75, when the object 701a is on the display panel 658, a shadow of the object 701a is generated. The photosensor pixel 27 is an ON output area 691 at the shadow position. A center position 692a of the ON output area 691 is obtained. Or calculate.
(3) Cursor Display As shown in FIG. 75, when the center position 692a can be detected or detected, cross cursor lines (751xa, 751ya) are displayed in the display area 10. That is, if the object 701 can be detected, the center position 692a is displayed. Therefore, it is possible to notify the operator of the input coordinate position before inputting with the object 701. This is an effect not found in conventional touch panels.

図75のように、表示パネル658上に対象物701aがあると、対象物701aの影が発生する。影の位置はホトセンサ画素27がオン出力領域691となる。オン出力領域691の中心位置692aを求める。あるいは算出する。   As shown in FIG. 75, when the object 701a is on the display panel 658, a shadow of the object 701a is generated. The photosensor pixel 27 is an ON output area 691 at the shadow position. A center position 692a of the ON output area 691 is obtained. Or calculate.

次に対象物701が移動し、701bの位置にくる。対象物701bの中心位置692bを検出あるいは検出できると、表示領域10には、十字カーソル線(751xb、751yb)を表示する。つまり、対象物701bがあることを検出できる位置にあれば、中心位置692bを表示する。   Next, the object 701 moves and comes to the position 701b. When the center position 692b of the object 701b can be detected or detected, cross cursor lines (751xb, 751yb) are displayed in the display area 10. That is, if it is at a position where it can be detected that the object 701b is present, the center position 692b is displayed.

なお、上記実施例では、十字カーソルを表示するとしたが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、点、円などのカーソルを表示してもよい。つまり、本発明は、対象物701が表示パネルの入力面10に接触しない状態でも、対象物701の影などから対象物701の位置がわかるように表示パネルに表示することを特徴とする。逆にカーソルなどが表示されれば、表示位置あるいはその近傍に入力可能な状態となっていることを意味する。   In the above embodiment, the cross cursor is displayed, but the present invention is not limited to this. For example, a cursor such as a point or a circle may be displayed. In other words, the present invention is characterized in that even when the object 701 is not in contact with the input surface 10 of the display panel, it is displayed on the display panel so that the position of the object 701 can be seen from the shadow of the object 701 or the like. Conversely, if a cursor or the like is displayed, it means that input is possible at or near the display position.

図75のように、表示パネル658上に対象物701bがあると、対象物701bの影が発生する。影の位置はホトセンサ画素27がオン出力領域691となる。オン出力領域691の中心位置692bを求める。あるいは算出する。以上のように、対象物701の移動に伴い、十字カーソル(751x、751y)が同時に移動する。一方、対象物701が表示領域10から一定の距離離れると、影が弱くなり、またホトセンサ画素27のオン出力領域691も減少する。したがって、中心位置692も求められなくなる。そのため、十字カーソル表示も消滅する。   As shown in FIG. 75, when there is an object 701b on the display panel 658, a shadow of the object 701b is generated. The photosensor pixel 27 is an ON output area 691 at the shadow position. A center position 692b of the ON output area 691 is obtained. Or calculate. As described above, the cross cursors (751x, 751y) move simultaneously with the movement of the object 701. On the other hand, when the object 701 moves away from the display area 10 by a certain distance, the shadow becomes weak and the ON output area 691 of the photosensor pixel 27 also decreases. Accordingly, the center position 692 is not obtained. Therefore, the cross cursor display disappears.

以上ことから、操作者はカーソル表示751の有無で、座標入力できる状態であるかを判断できる。また、どの位置に入力できるかを判断できる。
(3−1)第2の変更例
中心位置692を求めることができる状態であっても、操作的に十字カーソル表示751をしない方法も例示される。たとえば、入力禁止領域に中心座標692が発生した場合である。十字カーソル表示751を行うか否かは、マイコンからの制御信号で制御する。本発明の表示装置からは、中心座標値が求められているか否かの判定信号と、そのx、y座標位置をマイコンに出力する。マイコンは、判定信号と、x、y座標位置により表示領域10に十字カーソル表示を行う。
From the above, the operator can determine whether or not the coordinate input is possible by the presence or absence of the cursor display 751. Further, it can be determined at which position the input can be made.
(3-1) Second Modification Example A method in which the cross cursor display 751 is not operatively operated even when the center position 692 can be obtained is exemplified. For example, this is a case where the center coordinate 692 occurs in the input prohibited area. Whether or not to perform the cross cursor display 751 is controlled by a control signal from the microcomputer. From the display device of the present invention, a determination signal as to whether or not the center coordinate value is obtained and its x and y coordinate positions are output to the microcomputer. The microcomputer displays a cross cursor in the display area 10 based on the determination signal and the x and y coordinate positions.

図75は十字カーソル表示751を行うとしたがこれに限定するものではない。たとえば、図112に図示するように、対象物701の座標位置から対象物701の先端位置を計算し、その先端部など操作者が視覚的に見える位置に、アイコン831を表示する。   In FIG. 75, the cross cursor display 751 is performed, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 112, the tip position of the object 701 is calculated from the coordinate position of the object 701, and an icon 831 is displayed at a position where the operator can visually see the tip.

アイコン831は、対象物701の移動に伴って移動させる。また、図112(a)は対象物701の移動速度が遅い時であり、図112(b)は対象物701の移動速度が速い時である。対象物701の移動速度は、検出する座標位置692の変化速度より判断する。対象物701の移動速度に対応してアイコン831の表示画像を変化させることが好ましい。
(3−2)第3の変更例
図113はアイコン831の表示を変化させた実施例である。図113(a)はキャラクタの表示である。アイコン891aは対象物701の移動方向を追いかけて表示される。図113(b)はボールの表示である。対象物701の移動速度により表示されるキャラクタを変化させる。
The icon 831 is moved as the object 701 moves. FIG. 112 (a) shows a time when the moving speed of the object 701 is slow, and FIG. 112 (b) shows a time when the moving speed of the object 701 is high. The moving speed of the object 701 is determined from the changing speed of the coordinate position 692 to be detected. It is preferable to change the display image of the icon 831 corresponding to the moving speed of the object 701.
(3-2) Third Modification FIG. 113 shows an embodiment in which the display of the icon 831 is changed. FIG. 113A shows a character display. The icon 891a is displayed following the moving direction of the object 701. FIG. 113 (b) shows a ball display. The displayed character is changed according to the moving speed of the object 701.

図113(c)と図113(d)は対象物701の影の大きさあるいは検出される対象物701の大きさから表示されるアイコン891のサイズを変化させた実施例である。
(3−3)第4の変更例
以上の実施例は、対象物として指などを用いたものであった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図68などで説明したものであっても、座標入力などを実現することができる。
FIG. 113C and FIG. 113D are examples in which the size of the icon 891 displayed is changed based on the size of the shadow of the object 701 or the size of the detected object 701.
(3-3) Fourth Modified Example In the above example, a finger or the like is used as an object. However, the present invention is not limited to this. For example, even the one described with reference to FIG.

図154は、光661を出射する光ペン681の構成図である。光ペン681の筐体1513の内部には、プッシュスイッチ1541が内蔵されている。スイッチ1541はオンオフの接点が形成されたスイッチ部1541aと、押圧により収縮する変化部1541bからなる。スイッチ1541の先には、透明部材からなる導光体1544が配置される。導光体1544の内部には、光発生手段としての青色(主波長が430nm以上510nm以下)の発光ダイオード(LED)1543が内蔵されている。   FIG. 154 is a configuration diagram of the optical pen 681 that emits the light 661. A push switch 1541 is built in the housing 1513 of the optical pen 681. The switch 1541 includes a switch portion 1541a in which an on / off contact is formed and a change portion 1541b that contracts when pressed. A light guide 1544 made of a transparent member is disposed at the tip of the switch 1541. Inside the light guide 1544, a light emitting diode (LED) 1543 of blue (main wavelength is 430 nm or more and 510 nm or less) as a light generating means is incorporated.

LED1543から放射された光は、導光体1544内を反射し、ペン先1545に集められる。導光体1544の形状は、LED1543から放射された光が効率よく、ペン先1545に集められるような傾斜を持たせて構成されている。また、導光体1544が空気と接する面には、金属膜などからなる反射膜を形成することが好ましい。反射膜は、ペン先1545には形成しない。また、反射膜の代わりに、無機材料の多層干渉膜からなる反射膜を形成してもよい。   Light emitted from the LED 1543 is reflected inside the light guide 1544 and collected by the pen tip 1545. The shape of the light guide 1544 is configured to have an inclination that allows light emitted from the LED 1543 to be efficiently collected at the pen tip 1545. In addition, it is preferable to form a reflective film made of a metal film or the like on the surface where the light guide 1544 is in contact with air. The reflective film is not formed on the pen tip 1545. Further, instead of the reflective film, a reflective film made of a multilayer interference film made of an inorganic material may be formed.

スイッチ1541が押されていない状態では、LED1543は点灯しない(図154(a))。ペン先が本発明のパネル面に触れ、ペン先に押圧が印加されると、ペン先1545と一体となった導光体1544も押圧される。したがって、導光体1544はスイッチの変化部1541bを押圧し、スイッチ部1541aの接点が閉じる。接点のオンオフ信号は、コントロール回路(図示せず)に伝送される。コントローラ回路は、オン信号を受信すると、LED1543を発光させる。また、同時にコントローラ回路は、ホトセンサ画素27の状態を検出し、光661が照射されている座標位置を検出する。   When the switch 1541 is not pushed, the LED 1543 is not lit (FIG. 154 (a)). When the pen tip touches the panel surface of the present invention and a pressure is applied to the pen tip, the light guide 1544 integrated with the pen tip 1545 is also pressed. Therefore, the light guide 1544 presses the switch changing portion 1541b, and the contact of the switch portion 1541a is closed. The contact ON / OFF signal is transmitted to a control circuit (not shown). When the controller circuit receives the ON signal, the controller circuit causes the LED 1543 to emit light. At the same time, the controller circuit detects the state of the photosensor pixel 27 and detects the coordinate position irradiated with the light 661.

スイッチ1541は、スイッチが閉じたこと(オン)とスイッチが開いたこと(オフ)の信号を発生する。コントローラ回路は、このオンオフ信号を直接用いてLED1543をオン(点灯)、オフ(消灯)させるのではない。   The switch 1541 generates a signal indicating that the switch is closed (ON) and that the switch is open (OFF). The controller circuit does not directly turn on (turn on) or turn off (turn off) the LED 1543 using this on / off signal.

ペン先1545が押さえられている時は、スイッチ1541がオンする。しかし、スイッチ1541がオンしている時に、必ず、LED1543が点灯しているとは限らない。スイッチ1541がオフしている時に、必ず、LED1543が消灯しているとは限らない。LED1543の点灯、消灯は、スイッチ1541のオンオフ信号に基づき、コントローラ回路が処理してLED1543を点灯、消灯制御する。   When the pen tip 1545 is pressed, the switch 1541 is turned on. However, the LED 1543 is not always lit when the switch 1541 is on. When the switch 1541 is off, the LED 1543 is not always turned off. The lighting and extinguishing of the LED 1543 is processed by the controller circuit based on the on / off signal of the switch 1541 to control the lighting and extinguishing of the LED 1543.

図155(a)では、光ペン681のペン先1545が本発明のパネル面に押圧されている。押圧により、導光体1544は、スイッチの変化部1544bに圧力をかけ、スイッチ1541aをオンさせる。スイッチ1541のオン信号によりコントローラ回路はLED1543を点灯させる。   In FIG. 155 (a), the pen tip 1545 of the optical pen 681 is pressed against the panel surface of the present invention. By pressing, the light guide 1544 applies pressure to the switch changing portion 1544b to turn on the switch 1541a. The controller circuit turns on the LED 1543 according to the ON signal of the switch 1541.

図155(b)では、光ペン681のペン先1545が本発明のパネル面から離れている。したがって、導光体1544は、スイッチの変化部1544bに圧力をかけていないから、スイッチ1541aはオフである。オフ信号は、コントローラ回路にリアルタイムで送られているから、本来は、LED1543は消灯するはずである。しかし、コントローラ回路は、スイッチ1541からの信号がオフ信号にもかかわらず、LED1543を点灯させる。   In FIG. 155 (b), the nib 1545 of the optical pen 681 is separated from the panel surface of the present invention. Therefore, since the light guide 1544 does not apply pressure to the switch changing portion 1544b, the switch 1541a is off. Since the OFF signal is sent to the controller circuit in real time, the LED 1543 should be extinguished originally. However, the controller circuit lights the LED 1543 even though the signal from the switch 1541 is an off signal.

光ペン681を用いてパネル面に文字などを書く場合、ペン先1545が文字を書いている間じゅう、常時パネル面に接しているのではない。線の書き始めを書き終わりではペン先1545がパネル面(入力面)に接しているが、線を書く中間部はペン先1545の移動速度が速く、筆圧が弱くなる、もしくはパネル面に非接触状態となる。   When writing characters or the like on the panel surface using the optical pen 681, the pen tip 1545 is not always in contact with the panel surface while writing characters. The pen tip 1545 is in contact with the panel surface (input surface) at the beginning of writing the line, but the middle part where the line is written has a high movement speed of the pen tip 1545 and the writing pressure is weak or is not on the panel surface. It becomes a contact state.

筆圧が弱くなるなどすると、スイッチ1541がオフ状態となり、スイッチ1543のオンオフ信号によりリアルタイムでLED1543を点灯/消灯制御したのでは、線が点線状なる。または連続しない。   When the writing pressure becomes weak, the switch 1541 is turned off. When the LED 1543 is turned on / off in real time by the on / off signal of the switch 1543, the line becomes a dotted line. Or not continuous.

この課題を解決するため、本発明は、一度スイッチ1541からオン信号を受信すると、一定の期間、LED1543の点灯状態を保持する。点灯保持時間は、筆記速度によるが、10msec以上100msec以内にすることが好ましい。点灯保持時間が短すぎると、線が間欠になり、点灯保持時間が長すぎると、線と線とが連続し、楷書文字が草書文字になってしまう。点灯保持期間は、ユーザーにより調整できるように構成することが好ましい。また、使用者の学習機能により点灯期間を自動調整するように構成することが好ましい。たとえば、使用者が入力前に、練習画面で線を書き、線が連続するように速度調整あるいは点灯保持期間設定を行うことが例示される。   In order to solve this problem, in the present invention, once an ON signal is received from the switch 1541, the lighting state of the LED 1543 is held for a certain period. The lighting holding time is preferably 10 msec or more and 100 msec or less depending on the writing speed. If the lighting holding time is too short, the lines are intermittent, and if the lighting holding time is too long, the lines are continuous, and the calligraphy characters become cursive letters. The lighting holding period is preferably configured to be adjustable by the user. Moreover, it is preferable to comprise so that a lighting period may be adjusted automatically by a user's learning function. For example, the user writes a line on the practice screen before inputting, and the speed adjustment or the lighting holding period is set so that the line is continuous.

LED1543が点灯すると一定期間、点灯状態を保持する。スイッチ1541がオフし、点灯保持期間が完了する前に、再び、スイッチ1541からオン信号が出力されると点灯保持期間のカウンタはリセットされる。したがって、点灯保持期間以内に、オフ信号が発生しても、オン信号が発生すれば、LED1543の点灯状態は保持される。   When the LED 1543 is turned on, the lighting state is maintained for a certain period. If the ON signal is output again from the switch 1541 before the switch 1541 is turned off and the lighting holding period is completed, the lighting holding period counter is reset. Therefore, even if an off signal is generated within the lighting holding period, if the on signal is generated, the lighting state of the LED 1543 is held.

以上のように、本発明は、コントローラ回路により、LED1543の点灯保持期間を設けている。座標位置(光661の照射位置)の検出は、LED1543が点灯している期間の間、実施する。なお、線の書き始めに発生するスイッチ1541のオン信号は、遅滞なくコントローラ回路に伝送され、コントローラ回路は、LED1543を点灯させる。   As described above, in the present invention, the lighting holding period of the LED 1543 is provided by the controller circuit. The detection of the coordinate position (irradiation position of the light 661) is performed during the period in which the LED 1543 is lit. Note that an ON signal of the switch 1541 generated at the beginning of line writing is transmitted to the controller circuit without delay, and the controller circuit lights the LED 1543.

なお、以上の実施例では、コントローラ回路により、点灯保持期間を制御するとした。しかし、本発明はこれに限定するものではなく、スイッチ1541をオンオフする配線にコンデンサ、抵抗などを挿入あるいは配置し、信号波形を遅延させてもよい。   In the above embodiment, the lighting holding period is controlled by the controller circuit. However, the present invention is not limited to this, and a signal waveform may be delayed by inserting or arranging a capacitor, a resistor, or the like in a wiring for turning on / off the switch 1541.

また、本発明はスイッチ1541のオンオフ信号によりLED1543を点灯制御するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、ペン先1545がパネル面に触れることにより発生する振動、音によりオンオフ信号を発生し、コントローラ回路に信号を伝達する構成であってもよい。たとえば、圧力センサ、圧電スピーカが例示される。また、スイッチ1541を電磁コイルとし、導電体1544の一部を磁性体、導電体とすることにより、ペン先1545が押圧されることにより、前記磁性体などの移動により電磁コイルに起電力を発生させ、この起電力あるいは電流の変化によりオンオフ信号あるいはそれらに類する信号を発生させてもよい。   In the present invention, the LED 1543 is controlled to be turned on by an on / off signal of the switch 1541, but the present invention is not limited to this. For example, an on / off signal may be generated by vibration or sound generated when the pen tip 1545 touches the panel surface, and the signal may be transmitted to the controller circuit. For example, a pressure sensor and a piezoelectric speaker are exemplified. In addition, the switch 1541 is an electromagnetic coil, and a part of the conductor 1544 is a magnetic body or a conductor, so that when the pen tip 1545 is pressed, an electromotive force is generated in the electromagnetic coil by the movement of the magnetic body or the like. Then, an on / off signal or a similar signal may be generated by the change in electromotive force or current.

図113では、対象物より影が発生した位置をアイコン831が追いかける実施例を例示した。光ペン681によっても同様の動作を実現できる。図156にその実施例を例示する。光ペン831aにより、パネル面に光661が照射され、光661が照射された位置に光スポット1561が発生する。光スポット1561のホトセンサ画素27が反応するから、光スポット1561の座標位置が検出される。この検出された座標位置に向かってアイコン表示831aなどを移動させる。   FIG. 113 illustrates an example in which the icon 831 follows the position where the shadow is generated from the object. The same operation can be realized by the light pen 681. FIG. 156 illustrates an example thereof. The light pen 831a irradiates the panel surface with light 661, and a light spot 1561 is generated at the position where the light 661 is irradiated. Since the photo sensor pixel 27 of the light spot 1561 reacts, the coordinate position of the light spot 1561 is detected. The icon display 831a or the like is moved toward the detected coordinate position.

したがって、図156の実施例でも、光ペン861がパネル面に接触することなく、光661の座標検出を行うことができ、また、検出した座標からアイコン表示831を移動する、画面表示を変更することなど、多様な動作あるいは表示の切り替えを実現できる。また、光ペン861がパネル面に触れた時は、スイッチ1541のオンオフ情報が得られるから、この情報により、LEDの点灯あるいは消灯を実現でき、さらに接触位置の座標情報から多様な動作あるいは表示の切り替えを実現できる。
(4)オン出力領域と入力検出ホトセンサ
図115に図示するように、対象物701で発生するオン出力領域691を検出するホトセンサ画素27bと、接近、接触などの動作(図114などを参照のこと)により入力を検出する入力用ホトセンサ画素27aを別途形成あるいは構成することが好ましい。
(5)座標位置の特定
図116(a)に図示するように、オン出力領域691が1つであり、オン出力領域691が円形に近似する場合は、1つの座標位置692を検出できる。また、図116(a)に図示する場合のように、オン出力領域691が円形から多少離れていても、単独の孤立状態であれば、1つの座標位置692を検出できる。しかし、図116(b)に図示するように、オン出力領域691が歪であり、オン出力領域691が円形からはなれている場合は、複数の座標位置692が検出される場合がある。もちろん、図117(b)に図示するように、オン出力領域691が複数発生している場合は、座標位置692は複数個発生する。
Therefore, also in the embodiment of FIG. 156, the coordinates of the light 661 can be detected without the optical pen 861 touching the panel surface, and the icon display 831 is moved from the detected coordinates, and the screen display is changed. Various operations or display switching can be realized. Further, when the light pen 861 touches the panel surface, the on / off information of the switch 1541 can be obtained. Therefore, this information can be used to turn on / off the LED, and various operations or display can be performed from the coordinate information of the contact position. Switching can be realized.
(4) On-output area and input detection photosensor As shown in FIG. 115, the photosensor pixel 27b that detects the on-output area 691 generated in the object 701, and operations such as approach and contact (see FIG. 114, etc.) It is preferable to separately form or configure the input photosensor pixel 27a for detecting the input.
(5) Identification of Coordinate Position As shown in FIG. 116A, when there is one ON output area 691 and the ON output area 691 approximates a circle, one coordinate position 692 can be detected. In addition, as shown in FIG. 116A, even if the ON output region 691 is slightly separated from a circle, one coordinate position 692 can be detected if it is a single isolated state. However, as illustrated in FIG. 116B, when the ON output area 691 is distorted and the ON output area 691 is not circular, a plurality of coordinate positions 692 may be detected. Of course, as shown in FIG. 117B, when a plurality of ON output areas 691 are generated, a plurality of coordinate positions 692 are generated.

影の領域を適正とするため、図118に図示するように、フレームごとにキャリブレーションするプリチャージ信号Vpを変化させる。プリチャージ信号Vpの変化により、オン出力領域691のサイズが変化する。複数のフレームで一致するオン出力領域691で中心座標を検出する。   In order to make the shadow area appropriate, as shown in FIG. 118, the precharge signal Vp to be calibrated is changed for each frame. Due to the change of the precharge signal Vp, the size of the ON output region 691 changes. The center coordinates are detected in the ON output area 691 that matches in a plurality of frames.

以上の課題を解決するため、本発明は、本来の接近、接触、離脱による入力判定との一致性をANDして座標位置を検出する。たとえば、図119は表示領域10の斜線部の処理ブロック(BL)861に接触判定が発生したとする。また、オン出力領域の中心座標692も同一の処理ブロック(BL)861の範囲内に発生しているとする。この場合は、A位置の処理ブロックが入力箇所である。
(5−1)複数の座標位置処理
接近、接触、離脱もしくは接近、接触による入力判定(接触判定)は複数の処理ブロック(BL)861で発生する場合がある。たとえば、図120の斜線部の処理ブロック(BL)861で発生したとする。図120(a)では5つの処理ブロック(BL)861で判定されているとしている。オン出力領域691による中心位置692はAとBが出力されている。接触判定と中心位置が一致する処理ブロック(BL)861はB点である。したがって、B点が入力位置と判定される。
In order to solve the above problems, the present invention detects the coordinate position by ANDing the consistency with the input determination based on the original approach, contact, and separation. For example, in FIG. 119, it is assumed that a contact determination has occurred in the processing block (BL) 861 in the shaded area of the display area 10. Further, it is assumed that the center coordinates 692 of the ON output area are also generated within the same processing block (BL) 861. In this case, the processing block at position A is the input location.
(5-1) Multiple Coordinate Position Processing Input determination (contact determination) based on approach, contact, separation or approach, or contact may occur in a plurality of processing blocks (BL) 861. For example, it is assumed that the error occurred in the processing block (BL) 861 in the shaded area in FIG. In FIG. 120A, it is assumed that the determination is made by five processing blocks (BL) 861. A and B are output at the center position 692 in the ON output area 691. The processing block (BL) 861 whose center position matches the contact determination is point B. Therefore, the point B is determined as the input position.

図120(b)では図120(a)と同様に、5つの処理ブロック(BL)861で接触と判定されているとしている。オン出力領域691による中心位置692はA、BとCが出力されている。接触判定と中心位置が一致する処理ブロック(BL)861はC点である。したがって、C点が入力位置と判定される。   In FIG. 120 (b), as in FIG. 120 (a), the five processing blocks (BL) 861 are determined to be in contact. A, B, and C are output at the center position 692 by the ON output area 691. The processing block (BL) 861 whose center position matches the contact determination is point C. Therefore, point C is determined as the input position.

図121では、図120と同様に、5つの処理ブロック(BL)861で接触と判定されているとしている。オン出力領域691による中心位置692は1、2と3が出力されている。接触判定と中心位置が一致する処理ブロック(BL)861は1、2、3である。したがって、どの箇所に入力されたのか判定できない。   In FIG. 121, as in FIG. 120, it is assumed that contact is determined by five processing blocks (BL) 861. 1, 2, and 3 are output at the center position 692 in the ON output area 691. Processing blocks (BL) 861 whose center positions coincide with the contact determination are 1, 2, and 3. Therefore, it cannot be determined in which part the input is made.

この場合は、図121(a)に図示するように、対象物701の移動方向を考慮する。対象物701が矢印方向に移動することにより、対象物701による影の発生位置が移動する。同時にオン出力領域691の位置も移動する。オン出力領域691の中心座標位置も移動し、中心位置は、図121(b)に図示するように、1→2→3と移動する。最終位置が入力箇所である確立が高いため、中心座標692cを入力箇所と判断する。
(5−2)対象物の入力方向
座標位置検出では、対象物701の位置と、表示装置の位置関係が重要となる場合がある。たとえば、図122に図示するように、対象物701と表示パネル658の表示位置関係が重要である。図122において、図122(a)は横配置で、図122(b)はその左右逆配置である。図122(c)は縦配置であり、図122(d)はその上下逆配置である。
In this case, the moving direction of the object 701 is considered as illustrated in FIG. As the object 701 moves in the direction of the arrow, the position where a shadow is generated by the object 701 moves. At the same time, the position of the ON output area 691 moves. The center coordinate position of the on-output area 691 also moves, and the center position moves from 1 → 2 → 3 as shown in FIG. 121 (b). Since the final position is highly likely to be an input location, the center coordinate 692c is determined as the input location.
(5-2) Input Direction of Object In the coordinate position detection, the position relationship between the object 701 and the display device may be important. For example, as shown in FIG. 122, the display positional relationship between the object 701 and the display panel 658 is important. In FIG. 122, FIG. 122 (a) is a horizontal arrangement, and FIG. 122 (b) is a left-right reverse arrangement. 122 (c) is a vertical arrangement, and FIG. 122 (d) is an upside-down arrangement.

本発明の平面表示装置およびその駆動方法では、画面10の配置方向情報と、対象物701の入力方向のうち少なくとも一方の入力情報を入力し、また明示して操作を実施する。   In the flat display device and the driving method thereof according to the present invention, input information on at least one of the arrangement direction information of the screen 10 and the input direction of the object 701 is input, and the operation is explicitly performed.

図123(a)は本発明の表示装置の表示画面10を対象物701として左手で入力した場合である。図123(b)は本発明の表示装置の表示画面10を対象物701として右手で入力した場合である。   FIG. 123A shows a case where the display screen 10 of the display device of the present invention is input with the left hand as the object 701. FIG. 123B shows a case where the display screen 10 of the display device of the present invention is input with the right hand as the object 701.

図123(a)(b)は両方とも、画面10の中央部のA点に入力した場合を示している。しかし、図123(a)の左手で入力した場合は、B点も対象物701(左手)で影ができる。しかし、C点は全く影ができない。図123(a)の場合において、プリチャージ信号Vpが比較的最適値から離れている場合、A点とともに、B点も座標入力位置として判断してしまう場合がある。この場合であって、対象物701が左手入力か右手入力かをあらかじめ設定しておくことにより、B点は座標検出対象から除外することができる。   123 (a) and 123 (b) both show a case where an input is made at point A in the center of the screen 10. FIG. However, when input is performed with the left hand of FIG. 123 (a), the point B can also be shaded by the object 701 (left hand). However, point C cannot be shaded at all. In the case of FIG. 123A, when the precharge signal Vp is relatively far from the optimum value, the point B as well as the point A may be determined as the coordinate input position. In this case, by setting in advance whether the object 701 is left-hand input or right-hand input, the point B can be excluded from the coordinate detection target.

図123(b)は右手で入力した場合である。画面10の中央部のA点に入力した場合を示している。しかし、図123(b)の右手で入力した場合は、C点も対象物701(右)で影ができる。しかし、B点は全く影ができない。図123(b)の場合において、プリチャージ信号Vpが比較的最適値から離れている場合、A点とともに、C点も座標入力位置として判断してしまう場合がある。この場合であって、対象物701が右手入力であることをあらかじめ設定しておくことにより、C点は座標検出対象から除外することができる。
(5−3)表示画面の配置方向
表示画面10の設定あるいは配置方向上方も入力座標位置の特定に重要な情報となる。たとえば、図124(a)(b)のように、画面が縦長と横長に配置された場合を想定する。なお、対象物701は右手入力で図124(a)(b)とも同一方向であるとする。
FIG. 123 (b) shows a case where input is performed with the right hand. The case where it inputs into the A point of the center part of the screen 10 is shown. However, when inputting with the right hand of FIG. 123 (b), the point C can also be shaded by the object 701 (right). However, point B cannot be shaded at all. In the case of FIG. 123 (b), when the precharge signal Vp is relatively far from the optimum value, the C point may be determined as the coordinate input position together with the A point. In this case, the point C can be excluded from the coordinate detection target by setting in advance that the object 701 is a right-hand input.
(5-3) Display Screen Layout Direction Setting of the display screen 10 or above the layout direction is also important information for specifying the input coordinate position. For example, it is assumed that the screens are arranged vertically and horizontally as shown in FIGS. 124 (a) and 124 (b). It is assumed that the object 701 is a right-hand input and is in the same direction as FIGS. 124 (a) and 124 (b).

図124(a)のように、本発明の表示装置658の表示画面10が縦長方向に配置された場合を仮定する。座標位置の検出の処理は図124(a)に図示するように、矢印1、2、3、4と実施する。すると、A点で対象物701によるオン出力領域691を検出し、次に、B点で対象物701によるオン出力領域691を検出する。対象物701の入力方向(たとえば、右手あるいは左手など)、画面10の配置方向(縦長、横長、上下、左右)が既知であれば、自動的に、A点が入力座標位置であることがわかる。したがって、B点を除外することができる。   As shown in FIG. 124 (a), it is assumed that the display screen 10 of the display device 658 of the present invention is arranged in the vertically long direction. The coordinate position detection process is performed with arrows 1, 2, 3, 4 as shown in FIG. Then, an ON output area 691 due to the object 701 is detected at point A, and then an ON output area 691 due to the object 701 is detected at point B. If the input direction of the object 701 (for example, right hand or left hand) and the arrangement direction of the screen 10 (vertically long, horizontally long, up and down, left and right) are known, it is automatically understood that the point A is the input coordinate position. . Therefore, the point B can be excluded.

画面10の配置方向(縦長、横長、上下、左右)は、DSP、マイコンなどにより画像が表示されていることからシステムとしては既知である。したがって、これらの上方を活用して、対象物701の座標位置を特定すればよい。   The arrangement direction (vertically long, horizontally long, up and down, left and right) of the screen 10 is known as a system since an image is displayed by a DSP, a microcomputer, or the like. Therefore, it is only necessary to specify the coordinate position of the object 701 by utilizing these upper portions.

図124(b)のように、本発明の表示装置658の表示画面10が横長方向に配置された場合を仮定する。座標位置の検出の処理は図124(b)に図示するように、矢印1、2、3、4と実施する。すると、A点で対象物701によるオン出力領域691を検出し、次に、B点で対象物701によるオン出力領域691を検出する。先の図124(a)と同様に、対象物701の入力方向(たとえば、右手あるいは左手など)、画面10の配置方向(縦長、横長、上下、左右)が既知であれば、自動的に、A点が入力座標位置であることがわかる。したがって、B点を除外することができる。   As shown in FIG. 124 (b), it is assumed that the display screen 10 of the display device 658 of the present invention is arranged in the horizontally long direction. The coordinate position detection process is performed with arrows 1, 2, 3, 4 as shown in FIG. Then, an ON output area 691 due to the object 701 is detected at point A, and then an ON output area 691 due to the object 701 is detected at point B. If the input direction (for example, right hand or left hand) of the object 701 and the arrangement direction of the screen 10 (vertically long, horizontally long, up and down, left and right) are known as in FIG. It can be seen that point A is the input coordinate position. Therefore, the point B can be excluded.

対象物701の入力方向などは、キー入力などによる明示的設定に限定されるものではない。たとえば、図151の携帯電話装置において、左手または右手で筐体1513をもつことにより、右手と左手で筐体1513に触れる箇所に差異が発生する位置にスイッチを形成しておく。つまり、右手で筐体1513を持つことによりスイッチが押され、左手で筐体1513を持った場合にはスイッチは押されないように構成しておく。指701入力は、筐体1513を持たない方の手で入力するとする。このように構成することにより、対象物701が右手か左手かを明示的に設定せずとも判定(判断)することができる。   The input direction of the object 701 is not limited to explicit setting by key input or the like. For example, in the cellular phone device shown in FIG. 151, a switch is formed at a position where a difference occurs in a position where the right hand and the left hand touch the casing 1513 by holding the casing 1513 with the left hand or the right hand. That is, the switch is pushed by holding the housing 1513 with the right hand, and the switch is not pushed when the housing 1513 is held by the left hand. It is assumed that the finger 701 is input with the hand that does not have the housing 1513. By configuring in this way, it is possible to determine (determine) without explicitly setting whether the object 701 is the right hand or the left hand.

対象物701の入力方向が既知であれば、表示領域10に多くのオン出力領域691が発生し、また、多くの処理ブロック(BL)861に座標検出位置が発生しても容易に入力位置を判断することができる。たとえば、図125(a)(図125(a1)、(a2))は表示画面10に対して、右下からの対象物(指)701で入力を行った場合である。図125(b)(図125(b1)、(b2))は表示画面10に対して、左上からの対象物(指)701で入力を行った場合である。   If the input direction of the object 701 is known, many ON output areas 691 are generated in the display area 10, and the input positions can be easily set even if coordinate detection positions are generated in many processing blocks (BL) 861. Judgment can be made. For example, FIG. 125 (a) (FIGS. 125 (a1) and (a2)) is a case where an input is performed on the display screen 10 with an object (finger) 701 from the lower right. 125B (FIGS. 125B1 and 125B2) is a case where an input is performed on the display screen 10 with an object (finger) 701 from the upper left.

図125(a1)は、対象物701でオン出力領域691が発生し、2つの処理ブロック(BL)861で座標検出されたことを示している。なお、図125において、1は座標が検出さえた処理ブロック(BL)861を示している。0は検出されていない処理ブロック(BL)861を示している。   FIG. 125A1 shows that an ON output area 691 is generated in the object 701, and coordinates are detected in the two processing blocks (BL) 861. In FIG. 125, reference numeral 1 denotes a processing block (BL) 861 whose coordinates have been detected. 0 indicates a processing block (BL) 861 that has not been detected.

図125(a2)では表示画面10に対して、右下からの対象物(指)701で入力を行った場合である。そのため、処理ブロック(BL)861のD2、E3に座標位置が発生している。しかし、本発明では対象物701の入力方向が既知であるため、図125(a3)に図示するように、D2が入力位置と検出(判断)することができる。   FIG. 125 (a2) shows a case where an input is performed on the display screen 10 with an object (finger) 701 from the lower right. Therefore, coordinate positions are generated in D2 and E3 of the processing block (BL) 861. However, in the present invention, since the input direction of the object 701 is known, D2 can be detected (determined) as the input position as illustrated in FIG. 125 (a3).

図125(b1)は、対象物701でオン出力領域691が発生し、3つの処理ブロック(BL)861で座標検出されたことを示している(検出される可能性を示している)。図125(b)では表示画面10に対して、左上からの対象物(指)701で入力を行った場合である。そのため、処理ブロック(BL)861のC1、D2、E3に座標位置が発生している。しかし、本発明では対象物701の入力方向が既知であるため、図125(b3)に図示するように、E3が入力位置と検出(判断)することができる。   FIG. 125 (b1) shows that the ON output area 691 is generated in the object 701, and the coordinates are detected in the three processing blocks (BL) 861 (the possibility of being detected). FIG. 125B shows a case where an input is performed with the object (finger) 701 from the upper left on the display screen 10. Therefore, coordinate positions are generated in C1, D2, and E3 of the processing block (BL) 861. However, in the present invention, since the input direction of the object 701 is known, E3 can be detected (determined) as the input position as shown in FIG. 125 (b3).

図125(a2)と図125(b2)では、座標位置として検出される可能性がある箇所は、D2、E3が共通である。しかし、図125(a1)(b1)に図示するように、対象物701の入力方向が既知であることから、この入力情報を用いて、対象物701による入力座標位置を特定できる。   In FIG. 125 (a2) and FIG. 125 (b2), D2 and E3 are common in a portion that may be detected as a coordinate position. However, as shown in FIGS. 125 (a1) and (b1), since the input direction of the object 701 is known, the input coordinate position of the object 701 can be specified using this input information.

誤入力が発生しても動作上問題ないものは、検出した入力座標をそのまま確定座標として用いてもよい。しかし、110番通信のように、誤動作が発生すると問題となる場合は、図126(b)に図示するように、確認アイコン831を表示する。
(5−4)入力確認
図126(a)は、通常の入力画面である。入力部a、b、c、d、e、fが表示されている。今、bの処理ブロック(BL)861が入力されたとすると、図126(b)に図示するように、bの処理ブロック(BL)861がそのまま表示されるとともに、入力OK?の確認アイコン831が表示される。入力がOKの場合は、bの処理ブロック(BL)861または確認アイコン831を抑え、入力を確定させる。
(5−5)キャリブレーションの開始
指入力を開始するために、図127(a)に図示するように、特定のキー1512aに触れることにより指示する。また、図127(b)に図示するように、表示領域10の特定の処理ブロック(BL)861に対象物701を触れることによりキャリブレーションを実施する。
If there is no problem in operation even if an erroneous input occurs, the detected input coordinates may be used as the definite coordinates as they are. However, if there is a problem if a malfunction occurs as in communication No. 110, a confirmation icon 831 is displayed as shown in FIG. 126 (b).
(5-4) Input Confirmation FIG. 126 (a) is a normal input screen. Input portions a, b, c, d, e, and f are displayed. If the processing block (BL) 861 of b is input, as shown in FIG. 126 (b), the processing block (BL) 861 of b is displayed as it is and input OK? A confirmation icon 831 is displayed. If the input is OK, the processing block (BL) 861 or the confirmation icon 831 of b is suppressed and the input is confirmed.
(5-5) Start of calibration To start finger input, an instruction is given by touching a specific key 1512a as shown in FIG. 127 (a). Further, as illustrated in FIG. 127B, calibration is performed by touching an object 701 with a specific processing block (BL) 861 in the display area 10.

図127(b)に図示するように、表示領域10は、処理ブロック(BL)861に表示部が表示される。表示部には、この領域に指701を押し当てることの指示と、指701を押し当てる輪郭などが表示されている。表示部の表示は、ソースドライバ回路14により行う。   As shown in FIG. 127 (b), in the display area 10, the display unit is displayed in the processing block (BL) 861. The display unit displays an instruction for pressing the finger 701 against this area, an outline for pressing the finger 701, and the like. The display on the display unit is performed by the source driver circuit 14.

処理ブロック(BL)861に指701を触れると、キャリブレーションを実施する。もしくはキャリブレーションはキー1512を押さえることにより開始する。もしくは、指701が触れたことを検出して開始する。キー1512を押さえるか、表示部10に指701が触れると、キャリブレーションが開始する。プリチャージ信号Vpを変化させ、オン出力領域691を検出する。   When the finger 701 is touched on the processing block (BL) 861, calibration is performed. Alternatively, calibration is started by pressing the key 1512. Alternatively, it is started by detecting that the finger 701 has touched. When the key 1512 is pressed or the finger 701 touches the display unit 10, the calibration starts. By changing the precharge signal Vp, the ON output region 691 is detected.

プリチャージ信号Vpを変化させると、プリチャージ信号Vpに応じてオン出力領域691の状態は変化する。プリチャージ信号Vpは低い電圧から高い電圧にゆっくりと変化し、また、プリチャージ信号Vpは高い電圧から低い電圧に変化する。つまり、プリチャージ信号Vpは所定の電圧範囲内で高低を繰り返す。   When the precharge signal Vp is changed, the state of the ON output region 691 changes according to the precharge signal Vp. The precharge signal Vp changes slowly from a low voltage to a high voltage, and the precharge signal Vp changes from a high voltage to a low voltage. That is, the precharge signal Vp repeats high and low within a predetermined voltage range.

操作者は、表示領域10の表示状態を見ながら、最もオン出力画像が黒表示になる時点、表示部10の白、黒が最もはっきりと識別できる範囲で、指701を表示部10から離す。指701を離すことにより、プリチャージ信号Vpの変化を停止、停止した時のプリチャージ信号Vpを記憶する。または、キー1512を押圧して終了させる。キー1512の押圧により、プリチャージ信号Vpの変化を停止、停止した時のプリチャージ信号Vpを記憶する。また、必要に応じて、このプリチャージ信号Vpから一定の電圧を加算あるいは減算した値と真のプリチャージ信号Vpとして記憶する。   While viewing the display state of the display area 10, the operator releases the finger 701 from the display unit 10 when the on-output image is most displayed in black, within a range where white and black of the display unit 10 can be most clearly identified. By releasing the finger 701, the change of the precharge signal Vp is stopped, and the precharge signal Vp when the stop is stopped is stored. Alternatively, the key 1512 is pressed to finish. When the key 1512 is pressed, the change of the precharge signal Vp is stopped, and the precharge signal Vp when the key 1512 is stopped is stored. If necessary, a value obtained by adding or subtracting a constant voltage from the precharge signal Vp and a true precharge signal Vp are stored.

図106、図120などでも説明したが、接近、接触、離脱状態には変動要因が多い。したがって、オン出力領域の変化速度などを調整あるいは最適に設定する必要がある。
(6)接近、接触、離脱時のオン画素数割合(%)の変化
図128は接近、接触、離脱時のオン画素数割合(%)の変化を示している。図128(a)は、接近と離脱のオン画素数変化を示している。対象物701が接近すると、オン画素数変化が発生する。変化はオン画素数割合(%)が増加する方向であるので正方向である。対象物701が離脱しても当然オン画素数変化が発生する。変化はオン画素数割合(%)が減少する方向であるので負方向である。接近と離脱まで期間を図128(a)に図示するように、Tdとする。この期間が短期間であれば、処理が間に合わず、対象物701を検出できない。また、長すぎても誤入力が発生する。
As described in FIG. 106, FIG. 120, etc., there are many fluctuation factors in the approach, contact, and withdrawal states. Therefore, it is necessary to adjust or optimally set the changing speed of the ON output region.
(6) Change in ON Pixel Number Ratio (%) at Approaching, Contacting, and Leaving FIG. 128 shows a change in ON pixel number ratio (%) at approaching, contacting, and leaving. FIG. 128A shows a change in the number of ON pixels between approach and departure. When the object 701 approaches, a change in the number of on-pixels occurs. The change is in the positive direction since the on-pixel number ratio (%) increases. Even if the object 701 leaves, the on-pixel number change naturally occurs. The change is in the negative direction since the on-pixel number ratio (%) decreases. As shown in FIG. 128A, the period from the approach to the departure is Td. If this period is short, the process is not in time and the object 701 cannot be detected. If it is too long, an erroneous input occurs.

図128(b)に図示するように、接触は、オン画素数割合(%)が増加する。変化速度を検出するのではなく、安定したオン画素数割合(%)を検出する。安定した状態は、オン画素数割合(%)の最終値を100%としたとき、70%に到達した時点から、70%以下となるまでの期間Tbで示す。この期間が短期間であれば、処理が間に合わず、対象物701を検出できない。また、長すぎても誤入力が発生する。
(7)入力判定方式
以上は、接近、接触、離脱の3動作で座標検出を行う方式である。本発明は、3動作だけでなく、接近、接触の2動作で座標検出を行う方式もある。3動作方式と2動作方式とはコマンドで切替えすることができる。また、自動的に切替えることもできる。
As shown in FIG. 128B, the on-pixel ratio (%) increases in contact. Rather than detecting the rate of change, a stable on-pixel ratio (%) is detected. The stable state is indicated by a period Tb from when it reaches 70% to 70% or less when the final value of the on-pixel ratio (%) is 100%. If this period is short, the process is not in time and the object 701 cannot be detected. If it is too long, an erroneous input occurs.
(7) Input determination method The above is a method of performing coordinate detection by three actions of approach, contact, and separation. In the present invention, there is a method of performing coordinate detection not only by three operations but also by two operations of approach and contact. The three-operation method and the two-operation method can be switched by a command. It can also be switched automatically.

図129は、接近、接触の2動作で座標検出を行う方式である。図129(a)の接近の検出後、図129(b1)の接触信号を検出する。接触信号を検出する閾値Aは可変することができる。通常のAは、オン画素数割合(%)の最終値を100%としたとき、70%の点である。図114で説明したように低照度の時は、閾値Aを低減する。低減する照度は図80で説明したように、Hなどで求めた推定照度Lから判断する。また、推定照度Lの値に応じてAの値は変化させてもよい。   FIG. 129 shows a method of detecting coordinates by two actions of approach and contact. After detecting the approach in FIG. 129 (a), the contact signal in FIG. 129 (b1) is detected. The threshold A for detecting the contact signal can be varied. Ordinary A is a point of 70% when the final value of the on-pixel ratio (%) is 100%. As described with reference to FIG. 114, the threshold A is reduced when the illumination is low. The illuminance to be reduced is determined from the estimated illuminance L obtained by H or the like as described with reference to FIG. Further, the value of A may be changed according to the value of the estimated illuminance L.

図129(b2)に図示するように、Tbの期間は連続しない場合がある。図のように、オン画素数割合(%)が途中で低下し閾値Aより下がる場合がある。したがって、期間はTcとなる。この場合は、Tbの期間とTcの期間の長さを判断して座標検出判断をするか否かを実施する。   As illustrated in FIG. 129 (b2), the period of Tb may not be continuous. As shown in the figure, the ON pixel number ratio (%) may drop in the middle and drop below the threshold value A. Therefore, the period is Tc. In this case, whether or not to perform coordinate detection is determined by determining the length of the period Tb and the period Tc.

また、図130(a)に図示するように、接近信号のオン画素数変化がA期間と比較的遅い場合もある。また、図130(b)に図示するように、接近信号のオン画素数変化がB期間と比較的速い場合もある。どの範囲までを接近信号と判断するかは、閾値を設ける。また、図130(c)に図示するように、接近信号が途中で減衰する場合(減少する場合)がある。この場合は、誤入力の可能性が高い。したって、接近信号をキャンセルする。
(8)接近と離脱信号処理
接近あるいは離脱信号の有無は、ホトセンサ画素27が形成された領域全体と、各処理ブロック(BL)861の両方で判断することが好ましい。図131は、この説明図である。
Further, as shown in FIG. 130A, the change in the number of ON pixels of the approach signal may be relatively slow as compared to the A period. In addition, as shown in FIG. 130B, the change in the number of ON pixels of the approach signal may be relatively fast as in the B period. A threshold is set for which range is determined as the approach signal. Further, as illustrated in FIG. 130C, the approach signal may be attenuated (decreased) in the middle. In this case, there is a high possibility of erroneous input. Therefore, the approach signal is canceled.
(8) Approaching and leaving signal processing The presence or absence of an approaching or leaving signal is preferably determined by both the entire region where the photosensor pixel 27 is formed and each processing block (BL) 861. FIG. 131 is an explanatory diagram of this.

図131(a)に図示するように、表示領域10は15の処理ブロック(BL)861(1〜15の番号で示す)が配置もしくは設定されている。図129、図130などで説明した接触、離脱の判断あるいは処理は、表示領域10の全体でオン画素数割合(%)がどのように変化するかで判断する。この判断を図131(b)でNo.0に記載している。全体で概略に、対象物が接近、離脱などが発生したかを判断する。また、各処理ブロック(BL)861に、各処理ブロックのホトセンサ画素のオン画素数割合(%)の変化を検出し、どの処理ブロック(BL)861に接近、離脱などが発生したかを判断する。図131(b)では、処理ブロックNo.8に発生したこと’1’を表示している。   As shown in FIG. 131A, the display area 10 has 15 processing blocks (BL) 861 (indicated by numbers 1 to 15) arranged or set. The determination or processing of contact and separation described with reference to FIGS. 129, 130, and the like is based on how the on-pixel ratio (%) changes in the entire display area 10. This determination is shown in FIG. 0. In general, it is determined whether or not an object has approached or detached. Further, in each processing block (BL) 861, a change in the on-pixel number ratio (%) of the photosensor pixels of each processing block is detected, and it is determined which processing block (BL) 861 is approaching or leaving. . In FIG. 131 (b), the processing block No. “1” occurring in FIG. 8 is displayed.

図131(b)では、全体でも接近あるいは離脱が発生したと判断され、処理ブロックNo.8で接近あるいは離脱が発生したと判断されているため、処理ブロックNo.8に入力があったことを判定される。全体でも接近あるいは離脱が発生したと判断され、すべての処理ブロックで接近あるいは離脱がなかった場合は、入力があったとは判定さない。全体でも接近あるいは離脱の発生が検出されず、1つ以上の処理ブロックNoに接近あるいは離脱が発生したと判断された場合は、再度入力を促すか、マイコン処理で最も入力と判定される処理ブロックを指定する。   In FIG. 131 (b), it is determined that the approaching or leaving has occurred in the whole, and processing block No. 8, it is determined that an approach or departure has occurred. 8 is determined to have been input. If it is determined that an approach or departure has occurred as a whole, and there is no approach or departure in all processing blocks, it is not determined that there has been an input. If no approach or departure is detected as a whole and it is determined that one or more processing block Nos. Are approaching or leaving, the processing block that prompts input again or is determined to be the most input by the microcomputer processing Is specified.

図131の判断または処理は、接近、離脱ごとに実施する。接近、接触、離脱の3動作で入力判定を行う場合は、図132に図示するように、接近判断と、離脱判断が一致した場合に入力として判定する。また、接近の判断後、離脱の判断が発生するというように順番も監視する。   The determination or processing in FIG. 131 is performed for each approach and departure. When the input determination is performed by the three actions of approach, contact, and separation, as illustrated in FIG. 132, the determination is made as an input when the approach determination and the departure determination match. In addition, the order is monitored such that the determination of separation occurs after the determination of approach.

図132において、ステップは時間を示し、また、所定の区切りで行う判断出力タイミングを示している。ただし、理解を容易にするため、接触の判断は省略している。   In FIG. 132, steps indicate time, and determination output timings performed at predetermined intervals. However, contact determination is omitted for easy understanding.

事例aでは、時間を示すステップ1で、接近の判断が出力され、次に時間タイミングのステップ2で離脱の判断がされている。したがって、判定は、入力ありである。   In case a, the approach determination is output in step 1 indicating time, and then the departure determination is performed in step 2 of the time timing. Therefore, the determination is input.

事例bでは、時間を示すステップ1で、接近の判断が出力され、次に時間タイミングのステップ2で離脱の判断がされている。さらに、ステップ4で接近の判断が出力され、ステップ5で離脱の判断が出力される。この場合は、接近と離脱が対になっているので判断は、入力ありである。ダブルクリック入力は場合もある。   In case b, the approach determination is output in step 1 indicating time, and then the departure determination is performed in step 2 of time timing. Further, an approach determination is output in step 4, and a departure determination is output in step 5. In this case, since the approach and the withdrawal are paired, the determination is input. Sometimes double-click input.

事例cでは、時間を示すステップ1、2で、連続して接近の判断が出力され、次に時間タイミングのステップ5、6で連続して離脱の判断がされている。したがって、判定は、入力ありである。   In case c, the approach determination is continuously output in steps 1 and 2 indicating the time, and then the disconnection determination is continuously performed in steps 5 and 6 of the time timing. Therefore, the determination is input.

事例dでは、時間を示すステップ1で、接近の判断が出力され、次に時間タイミングのステップ2で離脱の判断がされている。しかし、ステップ4で再び接近の信号が出力され、その後、離脱信号がない。この場合は、誤入力状態と判断し、判定は、入力なしあるいはキャンセルである。   In the case d, the approach determination is output in step 1 indicating time, and then the departure determination is performed in step 2 of time timing. However, an approach signal is output again at step 4, and thereafter there is no departure signal. In this case, an erroneous input state is determined, and the determination is no input or cancellation.

事例eでは、時間を示すステップ1、2で、連続して接近の判断が出力され、次に時間タイミングのステップ4で離脱の判断がされている。この場合は、操作者が入力選択に時間が要した場合であるが、入力されたと判断し、入力ありとする。ただし、判定には他の事由も用いて行う必要がある。   In case e, the approach determination is continuously output in steps 1 and 2 indicating the time, and then the departure determination is performed in step 4 of the time timing. In this case, the operator takes time to select an input, but it is determined that the input has been made and it is assumed that there is an input. However, the determination must be made using other reasons.

本発明の表示装置の入力判断(判定)は、図133に図示する動作を選択することができる。これらはコマンド設定あるいは操作者が必要に応じて切替えることができる。また、外光照度に対応して、切替えることができる。たとえば、低照度の場合は、誤入力が発生しやすいため、モード2の接近+接触+離脱で判断する。高照度の場合は、モード1の接近+接触で入力判断を行う。この切替えは、外光を検出するホトセンサから出力で行うか、図80などで説明したように、推定照度の大きさで切替える。   For the input determination (determination) of the display device of the present invention, the operation shown in FIG. 133 can be selected. These can be switched as required by command setting or the operator. Moreover, it can switch according to external light illumination intensity. For example, in the case of low illuminance, an erroneous input is likely to occur, so determination is made based on mode 2 approach + contact + detachment. In the case of high illuminance, input determination is performed by approaching + touching in mode 1. This switching is performed by output from a photo sensor that detects external light, or is switched according to the magnitude of the estimated illuminance as described with reference to FIG.

図133のモード3はダブルクリックによる入力である。接近+接触+離脱+接近+接触で判断する。もちろん、接近+接触+離脱+接近+接触+離脱で判断してもよい。また、接近+離脱+接近+離脱で判断してもよい。ダブルクリック入力は特定パターンであるので誤動作が少ない。   Mode 3 in FIG. 133 is input by double clicking. Judge by approach + contact + separation + approach + contact. Of course, you may judge by approach + contact + separation + approach + contact + separation. Alternatively, it may be determined by approach + leave + close + leave. Since double-click input is a specific pattern, there are few malfunctions.

接近、接触の判断は表示領域10全体で行うとともに、処理ブロック(BL)861ごとにも実施し、入力判断とする。図134は処理ブロック(BL)861で行う判断例を図示している。なお、図134の実施例は、接近+接触の2動作モードを例示している。なお、接近+接触+離脱などの3動作モード場合も同様である。   The determination of approach and contact is performed for the entire display area 10 and is also performed for each processing block (BL) 861 as input determination. FIG. 134 illustrates an example of determination performed in the processing block (BL) 861. Note that the example of FIG. 134 exemplifies two operation modes of approach + contact. The same applies to the three operation modes such as approach + contact + separation.

図134(a1)(b1)の組の実施例は、図134(a1)に示すように接近と判断(処理)された処理ブロック(BL)861は、A2である。また、図134(b1)に図示するように、接触と判断(処理)された処理ブロック(BL)861はA2である。したがって、接近と判断された処理ブロック(BL)861と接触と判断された処理ブロック(BL)861とは完全一致している。したがって、入力箇所は処理ブロックのA2である。なお、図131で説明したように、表示領域10の全体で接近と接触判断されていることが好ましい。   In the embodiment shown in FIGS. 134 (a1) and (b1), the processing block (BL) 861 determined to be approaching (processed) as shown in FIG. 134 (a1) is A2. Further, as illustrated in FIG. 134 (b1), the processing block (BL) 861 determined (processed) as a contact is A2. Therefore, the processing block (BL) 861 determined to be close and the processing block (BL) 861 determined to be in contact completely coincide with each other. Therefore, the input location is A2 of the processing block. Note that, as described with reference to FIG. 131, it is preferable that the display area 10 is determined to be in close contact with the entire display area 10.

図134(a2)(b2)の組の実施例は、図134(a2)に示すように接近と判断(処理)された処理ブロック(BL)861は、B2である。また、図134(b2)に図示するように、接触と判断(処理)された処理ブロック(BL)861はA2である。したがって、接近と判断された処理ブロック(BL)861と接触と判断された処理ブロック(BL)861とは一致していない。したがって、図134(a2)(b2)の接近、接触状態は、誤入力となる可能性が高いため、入力処理は行われない。もしくは、図126(b)で説明したように、入力確認処理が実施される。   In the embodiment shown in FIGS. 134 (a2) and (b2), the processing block (BL) 861 determined to be approached (processed) is B2, as shown in FIG. 134 (a2). Further, as illustrated in FIG. 134 (b2), the processing block (BL) 861 determined to be contact (process) is A2. Therefore, the processing block (BL) 861 determined as approaching does not match the processing block (BL) 861 determined as contact. Accordingly, the approach and contact states in FIGS. 134 (a2) and 134 (b2) are not likely to be erroneously input, so input processing is not performed. Alternatively, as described with reference to FIG. 126 (b), input confirmation processing is performed.

図134(a3)(b3)の組の実施例は、図134(a3)に示すように接近と判断(処理)された処理ブロック(BL)861は、A2、B2である。また、図134(b2)に図示するように、接触と判断(処理)された処理ブロック(BL)861はA2である。したがって、接近と判断された処理ブロック(BL)861と接触と判断された処理ブロック(BL)861とA2で一致している。したがって、入力箇所は処理ブロックのA2であると判断する。なお、図131で説明したように、表示領域10の全体で接近と接触判断されていることが好ましい。また、接触状態は、誤入力となる可能性があるため、図126(b)で説明したように、入力確認処理を実施することが好ましい。   In the example of the pair of FIGS. 134 (a3) and (b3), the processing block (BL) 861 determined (processed) as approaching as shown in FIG. 134 (a3) is A2 and B2. Further, as illustrated in FIG. 134 (b2), the processing block (BL) 861 determined to be contact (process) is A2. Therefore, the processing block (BL) 861 determined to be close matches the processing block (BL) 861 determined to be in contact with A2. Therefore, it is determined that the input location is A2 of the processing block. Note that, as described with reference to FIG. 131, it is preferable that the display area 10 is determined to be in close contact with the entire display area 10. In addition, since the contact state may cause an erroneous input, it is preferable to perform an input confirmation process as described with reference to FIG. 126 (b).

100Lx以下の低照度領域では、外光などに対するホトセンサ35の感度が不足する。したがって、複数回(複数STEP、図132などを参照のこと)にわたり、接触判断が継続するかを検出することが好ましい。図135はその実施例である。   In a low illuminance region of 100 Lx or less, the sensitivity of the photosensor 35 with respect to outside light is insufficient. Therefore, it is preferable to detect whether the contact determination continues over a plurality of times (see a plurality of STEPs, see FIG. 132, etc.). FIG. 135 shows an example.

図135(c)は図131(a)と同様に、処理ブロック(BL)861の区分を記載している。図135(a)(a1、a2、a3)は、3回の接触判断を実施した例である。図135(a1)では、接触を判断された箇所はA2である。図135(a2)では、接触を判断された箇所はB2である。図135(a3)では、接触を判断された箇所はB2である。したがって、3回(3STEP)で接触と判断された処理ブロック(BL)861はA2が一回、B2が2回である。したがって、B2である処理ブロック(BL)861の5(図135(c)を参照のこと)に接触が発生したと判断する。なお、接近、離脱に関しても同様である。   FIG. 135 (c) describes the division of the processing block (BL) 861 as in FIG. 131 (a). FIG. 135 (a) (a1, a2, a3) is an example in which contact determination is performed three times. In FIG. 135 (a1), the location where contact is determined is A2. In FIG. 135 (a2), the location where contact is determined is B2. In FIG. 135 (a3), the location where contact is determined is B2. Accordingly, the processing block (BL) 861 determined to be contacted three times (3 STEP) has A2 once and B2 twice. Therefore, it is determined that contact has occurred in 5 of the processing block (BL) 861 (see FIG. 135C) which is B2. The same applies to approaching and leaving.

図135(b)(b1、b2、b3、b4、b5)は、5回の接触判断を実施した例である。図135(b1)では、接触を判断された箇所はB3である。図135(b2)では、接触を判断された箇所はB3である。図135(b3)では、接触を判断された箇所はA3である。図135(b4)では、接触を判断された箇所はA2である。図135(b5)では、接触を判断された箇所はB3である。したがって、3回(3STEP)で接触と判断された処理ブロック(BL)861はB3が3回、A3が1回、A2が1回である。したがって、B3である処理ブロック(BL)861の8(図135(c)を参照のこと)に接触が発生したと判断する。なお、接近、離脱に関しても同様である。
(8−1)第1の変更例
以上の実施例は、露光時間Tcを同一の状態で接近、接触および/または離脱を判断した実施例であった。本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図136に図示するように、露光時間Tcを変化させて判断あるいは検出処理をしてもよい。
FIG. 135 (b) (b1, b2, b3, b4, b5) is an example in which contact determination is performed five times. In FIG. 135 (b1), the location where contact is determined is B3. In FIG. 135 (b2), the location where contact is determined is B3. In FIG. 135 (b3), the place where contact is determined is A3. In FIG. 135 (b4), the location where contact is determined is A2. In FIG. 135 (b5), the location where contact is determined is B3. Therefore, in the processing block (BL) 861 determined to be contacted three times (3 STEP), B3 is three times, A3 is one time, and A2 is one time. Therefore, it is determined that contact has occurred at 8 of the processing block (BL) 861 (see FIG. 135 (c)) which is B3. The same applies to approaching and leaving.
(8-1) First Modification The above examples are examples in which approach, contact, and / or separation are determined in the same exposure time Tc. The present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 136, determination or detection processing may be performed by changing the exposure time Tc.

図136(a)は、露光時間Tcを180Hとした実施例である。プリチャージ信号Vpは適正な値になるように設定する。図136(b)は、露光時間Tcを200Hとした実施例である。図136(c)は、露光時間Tcを220Hとした実施例である。本来、使用する露光時間Tcである200Hの前後に変化させる。以上のようにして、接触、離脱などが検出される処理ブロック(BL)861を判断する。   FIG. 136 (a) shows an example in which the exposure time Tc is 180H. The precharge signal Vp is set to an appropriate value. FIG. 136 (b) shows an example in which the exposure time Tc is 200H. FIG. 136 (c) shows an example in which the exposure time Tc is 220H. Originally, the exposure time is changed to around 200H, which is the exposure time Tc to be used. As described above, the processing block (BL) 861 in which contact or separation is detected is determined.

図136(a)は、B2、C2で検出されている。図136(b)では、B2、B3で検出されている。図136(c)では、A4で検出されている。この状態では検出状態は不安定であるが、3回中、2回に処理ブロックのB2が検出されており、他の検出された箇所も近い。したがって、およそB2に検出されていると判断できる。
(8−2)第2の変更例
同様に、プリチャージ信号Vpを変化させてよい。図137(a)は、プリチャージ信号Vpを1.9Vとした実施例である。露光時間Tcは適正な値になるように設定する。図137(b)は、プリチャージ信号Vpを2.0Vとした実施例である。図137(c)は、プリチャージ信号Vpを2.1Vとした実施例である。本来、使用するプリチャージ信号Vpの2.0Vの前後に変化させる。以上のようにして、接触、離脱などが検出される処理ブロック(BL)861を判断する。
In FIG. 136 (a), B2 and C2 are detected. In FIG. 136 (b), detection is performed at B2 and B3. In FIG. 136 (c), it is detected at A4. In this state, the detection state is unstable, but B2 of the processing block is detected twice in three times, and other detected locations are close. Therefore, it can be determined that the detection is performed at about B2.
(8-2) Second Modification Similarly, the precharge signal Vp may be changed. FIG. 137 (a) shows an embodiment in which the precharge signal Vp is 1.9V. The exposure time Tc is set to an appropriate value. FIG. 137 (b) shows an embodiment in which the precharge signal Vp is set to 2.0V. FIG. 137 (c) shows an example in which the precharge signal Vp is 2.1V. Originally, the precharge signal Vp to be used is changed around 2.0V. As described above, the processing block (BL) 861 in which contact or separation is detected is determined.

図137(a)は、B2、C2で検出されている。図136(b)では、B2、B3で検出されている。図136(c)では、A4で検出されている。この状態では検出状態は不安定であるが、3回中、2回に処理ブロックのB2が検出されており、他の検出された箇所も近い。したがって、およそB2に検出されていると判断できる。処理としては多数決判断である。どの程度で多数決を有効とするかは可変できるように構成する。
(8−3)第3の変更例
特に、低照度領域では、接近(離脱)時のオン画素数の変化速度にも着目する必要がある。図138は接近のオン画素数割合(%)を示している。図138(c)が最も変化割合が小さく、(b)が最も多い。(a)は(c)と(b)の中間である。変化割合は低照度になるほど小さくなる傾向がある。したがって、外光の照度にあわせてオン画素数割合(%)の判断する変化量を設定することが好ましい。
(8−4)第4の変更例
図139(a)は接近のオン画素数割合(%)の例である。図139(b)は離脱のオン画素数割合(%)の例である。外光の照度にあわせてオン画素数割合(%)の判断する変化量を設定することが好ましい。また、図139のように、複数のパターンを設定しておき、推定照度に応じて(図80など)、任意のパターンを選択するように構成すればよい。
(回路構成と動作)
図81において、ソースドライバ回路(IC)14は、ゲートドライバ回路(IC)12aなどの信号を送出する。信号としては、ゲートドライバ回路のスタート信号(STV)、上下反転回路(U/D)、正方向のシフトクロック(CKV1)、またCKV1の逆相のCKV2、イネーブル信号(OEV)、メインクロック(CLK)である。
FIG. 137 (a) is detected at B2 and C2. In FIG. 136 (b), detection is performed at B2 and B3. In FIG. 136 (c), it is detected at A4. In this state, the detection state is unstable, but B2 of the processing block is detected twice in three times, and other detected locations are close. Therefore, it can be determined that the detection is performed at about B2. The process is a majority decision. The degree to which the majority vote is effective is configured to be variable.
(8-3) Third Modification In particular, in the low illuminance region, it is necessary to pay attention to the changing speed of the number of ON pixels when approaching (leaving). FIG. 138 shows the ratio (%) of the number of on-pixels approaching. FIG. 138 (c) has the smallest change rate and FIG. (A) is intermediate between (c) and (b). The rate of change tends to decrease as the illuminance decreases. Therefore, it is preferable to set the amount of change determined by the on-pixel ratio (%) in accordance with the illuminance of outside light.
(8-4) Fourth Modified Example FIG. 139 (a) is an example of the percentage (%) of on pixels that are approaching. FIG. 139 (b) shows an example of the ratio (%) of the number of on-pixels to be removed. It is preferable to set the amount of change determined by the on-pixel ratio (%) in accordance with the illuminance of outside light. Also, as shown in FIG. 139, a plurality of patterns may be set and an arbitrary pattern may be selected according to the estimated illuminance (such as FIG. 80).
(Circuit configuration and operation)
In FIG. 81, a source driver circuit (IC) 14 sends signals from a gate driver circuit (IC) 12a and the like. The signals include a gate driver circuit start signal (STV), a vertical inversion circuit (U / D), a forward shift clock (CKV1), a CKV2 having a phase opposite to CKV1, an enable signal (OEV), and a main clock (CLK ).

これらの信号は、パネルのガラス基板とフレキ20との接続端子(OLB)811a、811bを介して、ホトセンサ回路(IC)18の入力パッド(入力PAD)812に入力される。   These signals are input to an input pad (input PAD) 812 of the photosensor circuit (IC) 18 via connection terminals (OLB) 811 a and 811 b between the glass substrate of the panel and the flexible board 20.

本発明の表示装置におけるホトセンサ処理回路18は、入力された信号により、プリチャージ信号Vpのタイミング信号、コンパレータ電圧Vrefのタイミング信号などを発生する。また、ゲートドライバ回路12bの制御に必要なゲートドライバ回路のシフトクロック(HCX)、プリチャージ信号Vpの位置制御信号(CRT)、出力取り出しタイミング信号(OPT)などを発生させる。   The photo sensor processing circuit 18 in the display device of the present invention generates a timing signal for the precharge signal Vp, a timing signal for the comparator voltage Vref, and the like based on the input signal. Further, a shift clock (HCX) of the gate driver circuit necessary for controlling the gate driver circuit 12b, a position control signal (CRT) of the precharge signal Vp, an output extraction timing signal (OPT), and the like are generated.

本発明の表示装置は、図140に図示するように、パネル特性データあるいは設定データ(図80などで説明したTc1、Tc2、H、m、nなど)は、EEPROM1401に入力される。本発明のホトセンサ回路18はI2Cコントローラ1402、各データのレジスタ1404、1405、キャリブレーションなどのロジック回路(図示せず)などで構成される。   In the display device of the present invention, as shown in FIG. 140, panel characteristic data or setting data (Tc1, Tc2, H, m, n, etc. described with reference to FIG. 80, etc.) are input to the EEPROM 1401. The photosensor circuit 18 according to the present invention includes an I2C controller 1402, data registers 1404 and 1405, a logic circuit (not shown) such as calibration, and the like.

I2Cコントローラ1402は、EEPROM1401のデータを読み出し、レジスタ1404aに転送する。レジスタは、EEPROM用レジスタ1404a、コマンド(COMMND)用レジスタ1404b、ステータス用(STATUS)レジスタ1404cなどを有する。また、マイコン(MPU)1183は、各レジスタ内容の読み出しと、書き込みを行うことができる。実動作は、コマンドレジスタ1404bまたはレジスタ1404aのいずれかをCRsel(コマンドとROMの選択コード)により一方が選択されてDATAセレクタ(DataSel)1405に格納される。
(1)第1の変更例
以上の本発明の表示装置およびその駆動方法において、ホトセンサ画素27の大きさは主として1種類として説明した。しかし、本発明はこれに限定するものではなく、複数の感度を有するホトセンサ画素27あるいはホトセンサ35を有してもよいことはいうまでのない。
The I2C controller 1402 reads the data of the EEPROM 1401 and transfers it to the register 1404a. The registers include an EEPROM register 1404a, a command (COMMND) register 1404b, a status (STATUS) register 1404c, and the like. The microcomputer (MPU) 1183 can read and write the contents of each register. In actual operation, either the command register 1404b or the register 1404a is selected by CRsel (command and ROM selection code) and stored in the DATA selector (DataSel) 1405.
(1) First Modification In the display device and the driving method thereof according to the present invention described above, the size of the photosensor pixel 27 has been mainly described as one type. However, the present invention is not limited to this, and needless to say, the photosensor pixel 27 or the photosensor 35 having a plurality of sensitivities may be provided.

たとえば、図79、図80などの実施例においても、1つのホトセンサ画素27あるいはホトセンサ35の構成、変化あるいは動作もしくは調整について説明している。ホトセンサ画素27あるいはホトセンサ35の種類が複数形成された場合は、そのうち、1種類のホトセンサ画素27あるいはホトセンサ35について本発明を実施する。もしくは、複数のホトセンサ画素27あるいはホトセンサ35について実施し、平均してあるいは総合して本発明の処理などを行う。
(有機EL入力装置)
(1)EL画素構成
図141は、本発明のEL表示装置の表示画素26の構成図である。1画素内に4つのトランジスタ(TFT)36(36a、36b、36c、36d)を有している。駆動用トランジスタ36aのゲート端子は、トランジスタ36bのソース端子に接続されている。トランジスタ36bおよびトランジスタ36cのゲート端子は、ゲート信号線22a1に接続されている。トランジスタ36bのドレイン端子は、トランジスタ36cのソース端子ならびにトランジスタ36dのソース端子に接続され、トランジスタ36cのドレイン端子は、ソース信号線23に接続されている。トランジスタ36dのゲート端子はゲート信号線22a2に接続され、トランジスタ36dのドレイン端子はEL素子1411のアノード電極(端子)に接続されている。
For example, in the embodiments of FIGS. 79 and 80, the configuration, change, operation or adjustment of one photosensor pixel 27 or photosensor 35 is described. When a plurality of types of photosensor pixels 27 or photosensors 35 are formed, the present invention is implemented for one type of photosensor pixel 27 or photosensor 35. Alternatively, the processing of the present invention is performed on a plurality of photosensor pixels 27 or photosensors 35, and averaged or integrated.
(Organic EL input device)
(1) EL Pixel Configuration FIG. 141 is a configuration diagram of the display pixel 26 of the EL display device of the present invention. One pixel has four transistors (TFT) 36 (36a, 36b, 36c, 36d). The gate terminal of the driving transistor 36a is connected to the source terminal of the transistor 36b. The gate terminals of the transistors 36b and 36c are connected to the gate signal line 22a1. The drain terminal of the transistor 36 b is connected to the source terminal of the transistor 36 c and the source terminal of the transistor 36 d, and the drain terminal of the transistor 36 c is connected to the source signal line 23. The gate terminal of the transistor 36d is connected to the gate signal line 22a2, and the drain terminal of the transistor 36d is connected to the anode electrode (terminal) of the EL element 1411.

トランジスタ36b、36cは、ゲート信号線22a1に印加されたオンオフ制御信号によりオン(クローズ)、オフ(オープン)制御される。トランジスタ36dは、ゲート信号線22a2に印加されたオンオフ制御信号によりオン(クローズ)、オフ(オープン)制御される。ゲートドライバ12は、ゲート信号線22a1、22a2を制御する。   The transistors 36b and 36c are on (closed) and off (open) controlled by an on / off control signal applied to the gate signal line 22a1. The transistor 36d is on (closed) and off (open) controlled by an on / off control signal applied to the gate signal line 22a2. The gate driver 12 controls the gate signal lines 22a1 and 22a2.

図141に図示する有機ELの画素構成では、第1のトランジスタ36bは、画素を選択するためのスイッチング用トランジスタとして機能させる。また、第2のトランジスタ36aは、EL素子1411に電流を供給するための駆動用トランジスタとして機能させている。   In the pixel configuration of the organic EL illustrated in FIG. 141, the first transistor 36b functions as a switching transistor for selecting a pixel. The second transistor 36 a functions as a driving transistor for supplying current to the EL element 1411.

ゲートドライバ回路12が同時に選択するゲート信号線22は、1ゲート信号線に限定されるものではない。複数の画素行を同時に選択してもよい。たとえば、2本のゲート信号線22a1を同時に選択してもよい。つまり、2画素行を同時に選択する。   The gate signal lines 22 simultaneously selected by the gate driver circuit 12 are not limited to one gate signal line. A plurality of pixel rows may be selected simultaneously. For example, two gate signal lines 22a1 may be selected simultaneously. That is, two pixel rows are selected simultaneously.

表示領域10には、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の画素がマトリックス状に形成されている。RGBの画素は塗りわけ蒸着により形成する。なお、R、G、Bに限定されるものではない。単色でもよく、また、シアン、イエロー、マゼンダなどでもよく、RGBに加えて、白色(W)の4色などでもよい。R、G、B、Wの場合は、カラーフィルタにより形成する。以上の事項は、図3などの表示画素26が液晶素子である場合も同様である。   In the display area 10, pixels of three primary colors of red (R), green (G), and blue (B) are formed in a matrix. RGB pixels are formed by coating and vapor deposition. Note that the present invention is not limited to R, G, and B. It may be a single color, may be cyan, yellow, magenta, or the like, and may be four colors of white (W) in addition to RGB. In the case of R, G, B, W, it is formed by a color filter. The above matters are the same when the display pixel 26 shown in FIG. 3 is a liquid crystal element.

表示領域10は複数画面を有してもよい。たとえば、メイン画面とサブ画面である。メイン画面とサブ画面のゲートドライバ回路は独立して形成し、ソース信号線23を共通にする。また、ソースドライバIC(回路)14もメイン画面とサブ画面を共通にする。   The display area 10 may have a plurality of screens. For example, a main screen and a sub screen. The gate driver circuits for the main screen and the sub screen are formed independently, and the source signal line 23 is shared. The source driver IC (circuit) 14 also has a common main screen and sub screen.

表示領域10において、表示画素26のトランジスタを構成する膜は、図109に図示するように、レーザーアニール時に、レーザー照射スポットの長手方向をソース信号線に略平行となるように照射して作製している。以上の事項も図3のように、表示画素26が液晶素子である場合も同様である。   In the display region 10, the film constituting the transistor of the display pixel 26 is manufactured by irradiating the laser irradiation spot so that the longitudinal direction of the laser irradiation spot is substantially parallel to the source signal line, as shown in FIG. 109. ing. The same applies to the case where the display pixel 26 is a liquid crystal element as shown in FIG.

図141などで示す本発明の表示パネルの表示画素26を構成するトランジスタ36は、p−チャンネルポリシリコン薄膜トランジスタに構成される。また、トランジスタ36b、36dは、デュアルゲート以上であるマルチゲート構造としている。   The transistor 36 constituting the display pixel 26 of the display panel of the present invention shown in FIG. 141 and the like is configured as a p-channel polysilicon thin film transistor. In addition, the transistors 36b and 36d have a multi-gate structure that is more than a dual gate.

図141において、本発明の表示パネルの表示画素26を構成するトランジスタ36bは、トランジスタ36aのソース−ドレイン間のスイッチとして作用する。したがって、トランジスタ36bは、できるだけ低リーク電流特性が要求される。トランジスタ36bのゲートの構造をデュアルゲート構造以上のマルチゲート構造とすることにより低リーク電流特性を実現できる。   In FIG. 141, the transistor 36b constituting the display pixel 26 of the display panel of the present invention functions as a switch between the source and drain of the transistor 36a. Therefore, the transistor 36b is required to have as low a leakage current characteristic as possible. Low leakage current characteristics can be realized by making the gate structure of the transistor 36b a multi-gate structure having a dual gate structure or more.

パネルを低コストで作製するためには、画素を構成するトランジスタ36をすべてPチャンネルで形成し、ゲートドライバ回路12もPチャンネルで形成することが好ましい。このようにアレイをPチャンネルのみのトランジスタで形成することにより、マスク枚数が5枚となり、低コスト化、高歩留まり化を実現できる。
(2)EL表示画素の動作
第1の本発明のEL表示装置およびその駆動方法では、基本的には第1の動作(書き込み動作)と第2の動作(発光動作)の2つの動作状態からなる。また、第1の動作は、プリチャージ電圧Vpなどをソース信号線23に印加し、ソース信号線23の電位を強制的に変化させる電位変化動作(表示画素26の駆動用トランジスタ36aのゲート端子電位を変化させることも含む)と、プログラム電流を駆動用トランジスタ36aなどに印加する電流プログラム動作に分離される。また、必要に応じて、第1の動作前に、ソース信号線23に定電流(0(A)も含む)を印加し、ソース信号線23の電位を測定あるいは取得する初期動作を実施する。
In order to manufacture the panel at a low cost, it is preferable that all the transistors 36 constituting the pixel are formed by the P channel and the gate driver circuit 12 is also formed by the P channel. By forming the array with only P-channel transistors in this way, the number of masks becomes five, and cost reduction and high yield can be realized.
(2) Operation of EL Display Pixel In the EL display device and the driving method thereof according to the first aspect of the present invention, basically, there are two operation states of the first operation (writing operation) and the second operation (light emission operation). Become. The first operation is a potential changing operation in which the precharge voltage Vp or the like is applied to the source signal line 23 to forcibly change the potential of the source signal line 23 (the gate terminal potential of the driving transistor 36a of the display pixel 26). And the current program operation for applying the program current to the driving transistor 36a and the like. Further, if necessary, before the first operation, a constant current (including 0 (A)) is applied to the source signal line 23, and an initial operation for measuring or acquiring the potential of the source signal line 23 is performed.

第2の動作は、プログラムされた電流を表示画素26のEL素子1411に印加し、もしくは、表示画素26のEL素子1411にプログラムされた電流を流れるようにし、EL素子1411を発光させる期間である。この第2の動作において、必要に応じて、ゲート信号線22a2にオンオフ電圧を印加し、駆動用トランジスタ36aからEL素子1411に供給される電流を印加または遮断動作を行う。   The second operation is a period in which the programmed current is applied to the EL element 1411 of the display pixel 26 or the programmed current is caused to flow through the EL element 1411 of the display pixel 26 to cause the EL element 1411 to emit light. . In the second operation, an on / off voltage is applied to the gate signal line 22a2 as necessary, and a current supplied from the driving transistor 36a to the EL element 1411 is applied or cut off.

図142は図141の動作の説明図である。図142(a)は、ソースドライバIC(回路)14から定電流を供給し、駆動用トランジスタ36aから定電流IwがソースドライバIC(回路)14に向かって流れている状態を示している。駆動用トランジスタ36aが定電流Iwを流している時は、トランジスタ36b、36cがクローズ(オン)状態である。したがって、駆動用トランジスタ36aのゲート端子電位とソース信号線23の電位は同一である。   FIG. 142 is an explanatory diagram of the operation of FIG. FIG. 142A shows a state in which a constant current is supplied from the source driver IC (circuit) 14 and the constant current Iw flows from the driving transistor 36 a toward the source driver IC (circuit) 14. When the driving transistor 36a is passing the constant current Iw, the transistors 36b and 36c are closed (on). Therefore, the gate terminal potential of the driving transistor 36a and the potential of the source signal line 23 are the same.

図142(b)は、駆動用トランジスタ36aからEL素子1411に電流Ieを供給している状態を示している。つまり、EL素子1411に電流を供給し、画像表示を行っている状態である。   FIG. 142B shows a state in which the current Ie is supplied from the driving transistor 36a to the EL element 1411. That is, a current is supplied to the EL element 1411 to perform image display.

図141の画素構成の場合は、図142(a)に示すように、電流Iwが駆動用トランジスタ36aを流れ、プログラム電流Iwを流す電流が保持されるように、コンデンサ37に電圧設定(プログラム)される。または、駆動用トランジスタ36aのゲート端子にプログラム電流Iwを流す電流が流れるように電圧が保持される。このとき、トランジスタ36dはオープン状態(オフ状態)である。   In the case of the pixel configuration of FIG. 141, as shown in FIG. 142A, voltage setting (programming) is performed on the capacitor 37 so that the current Iw flows through the driving transistor 36a and the current flowing the program current Iw is held. Is done. Alternatively, the voltage is held such that a current that flows the program current Iw flows to the gate terminal of the driving transistor 36a. At this time, the transistor 36d is in an open state (off state).

次に、EL素子1411に電流を流す期間は図142(b)のように、トランジスタ36c、36bがオフし、トランジスタ36dが動作する。つまり、ゲート信号線22aにオフ電圧(VGH)が印加され、トランジスタ36b、36cがオフする。一方、ゲート信号線22a2にオン電圧(VGL)が印加され、トランジスタ36dがオンする。
(3)スキャナ動作
EL表示装置は、自己発光デバイスである。したがって、ELの表示画素26が発光し、発光した光661を対象物651に照射し、対象物651からの反射光661をホトセンサ画素27で受光することにより、対処物651をイメージスキャンすることができる。
Next, during a period in which current flows to the EL element 1411, as shown in FIG. 142B, the transistors 36c and 36b are turned off and the transistor 36d is operated. That is, the off voltage (VGH) is applied to the gate signal line 22a, and the transistors 36b and 36c are turned off. On the other hand, a turn-on voltage (VGL) is applied to the gate signal line 22a2, and the transistor 36d is turned on.
(3) Scanner operation The EL display device is a self-luminous device. Accordingly, the EL display pixel 26 emits light, the emitted light 661 is irradiated onto the object 651, and the reflected light 661 from the object 651 is received by the photosensor pixel 27, whereby the countermeasure object 651 can be image-scanned. it can.

EL素子1411は、赤(R)、緑(G)、青(B)で発光する。ホトセンサ画素27にカラーフィルタを形成し、カラーフィルタでRGBの光のいずれかを選択して、ホトセンサ画素27で受光できるように構成する。特に、図141に図示するようなアクティブ型のEL表示装置は、ゲート信号線22aを選択することにより、該当の画素行を選択してEL素子1411を発光させることができる。また、ホトセンサ画素27もゲート信号線22b、22cを選択することにより、該当ホトセンサ画素行のプリチャージ信号Vpの印加あるいは受光動作を実施することができる。   The EL element 1411 emits light in red (R), green (G), and blue (B). A color filter is formed in the photosensor pixel 27, and any one of RGB lights is selected by the color filter so that the photosensor pixel 27 can receive light. In particular, the active EL display device as illustrated in FIG. 141 can select the corresponding pixel row and cause the EL element 1411 to emit light by selecting the gate signal line 22a. In addition, the photosensor pixel 27 can also perform the application of the precharge signal Vp or the light receiving operation of the corresponding photosensor pixel row by selecting the gate signal lines 22b and 22c.

したがって、ゲート信号線22aと、ゲート信号線22b、22cの選択位置とを同期を取って制御し、発光するEL画素行と、受光するホトセンサ画素行とを順次移動させることにより、イメージスキャン動作を行える。
(3−1)第1の実施例
図143は本発明の第1の実施例である。図143(b)に図示するように、表示領域10上にイメージスキャンする対象物651(たとえば、カラー写真など)が密接して配置されている。表示画素26のEL素子1411が発光し、発光した光661は、対象物651に照射される。対象物651に描かれている画像により、対象物651で反射する光の強度は変化する。つまり、光661は対象物651の画像により変調される。
Therefore, the gate signal line 22a and the selection positions of the gate signal lines 22b and 22c are controlled in synchronization, and the image scan operation is performed by sequentially moving the light emitting EL pixel row and the light receiving photosensor pixel row. Yes.
(3-1) First Example FIG. 143 is a first example of the present invention. As shown in FIG. 143 (b), an object 651 (for example, a color photograph) for image scanning is closely arranged on the display area 10. The EL element 1411 of the display pixel 26 emits light, and the emitted light 661 is applied to the object 651. The intensity of light reflected by the object 651 changes depending on the image drawn on the object 651. That is, the light 661 is modulated by the image of the object 651.

変調された光は、ホトセンサ画素27に到達し、ホトセンサ画素27は受光する光の強度により、オンオフ状態が変化する。   The modulated light reaches the photo sensor pixel 27, and the on / off state of the photo sensor pixel 27 changes depending on the intensity of the received light.

なお、プリチャージ信号Vpの印加、オン出力領域691など、本発明の表示装置、ホトセンサ画素27などの動作、構成、データ処理方法、座標検出動作などに関しては以前に説明しているので説明を省略する。
(3−1−1)走査動作
図143(a)に図示するように、選択されて発光するEL素子1411の画素行Aと、選択されて受光するホトセンサ画素行Bとは、隣接して制御される。選択するAとB位置の間隔は等距離である。好ましくは、画素行Aと画素行Bと同一画素16である。
The operation, configuration, data processing method, coordinate detection operation, etc. of the display device of the present invention, such as the application of the precharge signal Vp and the ON output region 691, the photosensor pixel 27, etc. have been described previously, and thus the description thereof is omitted. To do.
(3-1-1) Scanning Operation As shown in FIG. 143 (a), the pixel row A of the EL element 1411 that is selected to emit light and the photosensor pixel row B that is selected to receive light are adjacently controlled. Is done. The distance between the selected A and B positions is equidistant. Preferably, pixel row A and pixel row B are the same pixel 16.

画素行Aと画素行Bは、図143(a)の矢印の示す方向に走査される。本発明では表示領域10の上辺から下辺に走査され、選択位置が下辺に到達すると、画面10の上辺から再び開始される。
(3−1−2)
表示画素26は白色発光を基本とし、ホトセンサ画素27にはRGBのカラーフィルタを有する。1つの表示画素26に対して、RGBの3つのホトセンサ画素27(27R、27G、27B)が対応する。
The pixel row A and the pixel row B are scanned in the direction indicated by the arrow in FIG. In the present invention, the display area 10 is scanned from the upper side to the lower side, and when the selected position reaches the lower side, the display area 10 starts again from the upper side.
(3-1-2)
The display pixel 26 is based on white light emission, and the photosensor pixel 27 has an RGB color filter. Three photosensor pixels 27 (27R, 27G, 27B) of RGB correspond to one display pixel 26.

ただし、本発明はこの実施例に限定するものではなく、1つの表示画素26に対して1つのホトセンサ画素27を対応させてもよい。また、複数の表示画素27(たとえば、RGBの3原色の3つの表示画素)に対して、1つのホトセンサ画素27を対応させてもよい。また、複数の表示画素26に対して複数のホトセンサ画素27を対応させてもよい。   However, the present invention is not limited to this embodiment, and one photosensor pixel 27 may correspond to one display pixel 26. Further, one photosensor pixel 27 may correspond to a plurality of display pixels 27 (for example, three display pixels of three primary colors of RGB). In addition, a plurality of photosensor pixels 27 may correspond to a plurality of display pixels 26.

なお、表示画素27の発光色はRGBの3原色に限定するものではない。イエロー(Y)、マゼンダ(M)、シアン(C)などであってもよい。また、ホトセンサ画素27が受光する光は、RGBに限定するものではなく、イエロー(Y)、マゼンダ(M)、シアン(C)などであってもよい。   The emission color of the display pixel 27 is not limited to the three primary colors RGB. It may be yellow (Y), magenta (M), cyan (C), or the like. The light received by the photosensor pixel 27 is not limited to RGB, and may be yellow (Y), magenta (M), cyan (C), or the like.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。
(3−2)多階調化
本発明の表示装置は、ホトセンサ画素27の動作状態を2値化データとして処理をおこなう。したがって、1回の画像取り込みでは、2値の画像データとなる。
It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Moreover, it cannot be overemphasized that it can combine with another Example.
(3-2) Multi-gradation The display device of the present invention processes the operation state of the photosensor pixel 27 as binary data. Therefore, binary image data is obtained in one image capture.

図144は、この課題を解決するものである。多階調化の画像データを取得するため、複数の露光時間Tcで、対象物651をスキャンする。図144(b)は、画像データを8ビット階調(256階調)にするためのスキャン動作の表である。   FIG. 144 solves this problem. In order to acquire multi-gradation image data, the object 651 is scanned with a plurality of exposure times Tc. FIG. 144B is a table of a scanning operation for changing the image data to 8-bit gradation (256 gradations).

スキャンは、8回実施される。各スキャンにおける単位露光時間Tcは、2の乗数となっている。第1回目のスキャン(No.0)での露光時間Tcは、第8回目のスキャン(No.7)の128倍である。各スキャンでのプリチャージ信号Vpは同一に設定される。つまり、各スキャンでは、プリチャージ信号Vpの大きさを同一にし、露光時間Tcを変化させて、2値化データを取得する。   The scan is performed 8 times. The unit exposure time Tc in each scan is a multiplier of 2. The exposure time Tc in the first scan (No. 0) is 128 times that in the eighth scan (No. 7). The precharge signal Vp in each scan is set to be the same. That is, in each scan, the precharge signal Vp has the same magnitude and the exposure time Tc is changed to obtain binarized data.

露光時間Tcが短いと、ホトセンサ画素27のほとんどは、オン出力状態となる。露光時間Tcが長くなるにつれ、オン出力状態のホトセンサ画素27の数が低減し、オフ出力状態のホトセンサ画素27が多くなる。   When the exposure time Tc is short, most of the photosensor pixels 27 are turned on. As the exposure time Tc increases, the number of photosensor pixels 27 in the on output state decreases, and the number of photosensor pixels 27 in the off output state increases.

第1回目のスキャン(No.0)での単位露光時間=128とし、第2回目のスキャン(No.1)での単位露光時間=64とする。また、第3回目のスキャン(No.2)での単位露光時間=32とし、第4回目のスキャン(No.3)での単位露光時間=16とする。第5回目のスキャン(No.4)での単位露光時間=8とし、第6回目のスキャン(No.5)での単位露光時間=4とする。また、第7回目のスキャン(No.6)での単位露光時間=2とし、第8回目のスキャン(No.7)での単位露光時間=1とする。   The unit exposure time in the first scan (No. 0) = 128, and the unit exposure time in the second scan (No. 1) = 64. Further, the unit exposure time in the third scan (No. 2) = 32, and the unit exposure time in the fourth scan (No. 3) = 16. The unit exposure time in the fifth scan (No. 4) = 8, and the unit exposure time in the sixth scan (No. 5) = 4. In addition, the unit exposure time in the seventh scan (No. 6) = 2, and the unit exposure time in the eighth scan (No. 7) = 1.

以上のように、単位露光時間つまり露光時間Tcを変化させることにより、ホトセンサが画素27に受光する光量が増大し、ホトセンサ画素27のオンオフ状態が変化する。単位露光時間が1/2ずつ変化しているので、ホトセンサ画素27が受光する光量も1/2となる。したがって、取り込んだ画像は、多階調化される。第1回目のスキャンで得られた2値化データは、8ビットの最上位ビット(MSB)となり、第8回目のスキャンで得られた2値化データは、8ビットの最下位ビット(LSB)となる。   As described above, by changing the unit exposure time, that is, the exposure time Tc, the amount of light received by the photosensor at the pixel 27 increases, and the on / off state of the photosensor pixel 27 changes. Since the unit exposure time changes by ½, the amount of light received by the photosensor pixel 27 is also halved. Therefore, the captured image is multi-graded. The binarized data obtained by the first scan is the most significant bit (MSB) of 8 bits, and the binarized data obtained by the eighth scan is the least significant bit (LSB) of 8 bits. It becomes.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。
(3−3)第1の変更例
対象物651が写真フィルムのように透過型の場合は、図143(c)のように対象物651を配置する。図143(c)において、148bはホトセンサ画素27がマトリックス状に形成されたパネルである。構成などは以前に説明しているので説明を諸略する。148aはEL素子1411がマトリックス状に形成された表示素子26からなるパネルである。
It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Moreover, it cannot be overemphasized that it can combine with another Example.
(3-3) First Modification When the object 651 is a transmission type like a photographic film, the object 651 is arranged as shown in FIG. 143 (c). In FIG. 143 (c), reference numeral 148b denotes a panel in which the photosensor pixels 27 are formed in a matrix. Since the configuration and the like have been described before, the description will be omitted. Reference numeral 148a denotes a panel including the display elements 26 in which EL elements 1411 are formed in a matrix.

パネル148aのEL素子1411が発光する光661は、対象物651を透過し、ホトセンサ画素27に到達する。到達する光661の強度は、対象物651の対象箇所の透過率により変化する。   The light 661 emitted from the EL element 1411 of the panel 148 a passes through the object 651 and reaches the photo sensor pixel 27. The intensity of the reaching light 661 varies depending on the transmittance of the target portion of the target object 651.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。
(3−4)第2の変更例
図143の実施例は、発光する表示画素26行は1画素行であり、また、受光するホトセンサ画素27行も1画素行であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、隣接した複数の表示画素26行を発光させてもよい。また、隣接した複数のホトセンサ画素27で光661を受光させてもよい。
It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Moreover, it cannot be overemphasized that it can combine with another Example.
(3-4) Second Modification In the example of FIG. 143, the 26 display pixel rows that emit light are one pixel row, and the 27 photosensor pixel rows that receive light are also one pixel row. However, the present invention is not limited to this. For example, a plurality of adjacent display pixel rows 26 may emit light. Further, the light 661 may be received by a plurality of adjacent photosensor pixels 27.

また、図145に図示するように、R発光の表示画素26R行(A1位置)とR光を受光するホトセンサ画素27R行(B1位置)と対にして動作させ、G発光の表示画素26G行(A2位置)とG光を受光するホトセンサ画素27G行(B2位置)と対にして動作させ、B発光の表示画素26B行(A3位置)とB光を受光するホトセンサ画素27B行(B3位置)と対にして動作させてもよい。   Further, as shown in FIG. 145, the display pixel 26R row (R1 position) that emits R light and the photosensor pixel 27R row (B1 position) that receives R light are paired to operate the display pixel 26G row (G1) (G light emission). (A2 position) and a photosensor pixel 27G row (B2 position) that receives G light are operated in pairs to display a B light emitting display pixel 26B row (A3 position) and a photosensor pixel 27B row (B3 position) that receives B light. You may operate in pairs.

図146に図示するように、対の画素行(26、27)は表示装置148の画面10の上辺から下辺に向かって走査し、対象物651の画像データを取り込む。また、図144の実施例を実施する。   As shown in FIG. 146, the pair of pixel rows (26, 27) are scanned from the upper side to the lower side of the screen 10 of the display device 148, and image data of the object 651 is captured. Also, the embodiment of FIG. 144 is implemented.

以上のように構成し、また動作させることにより、対象物651のカラー画像を高速に取り込むことができる。   By configuring and operating as described above, a color image of the object 651 can be captured at high speed.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。
(3−5)第3の変更例
図145の実施例は、RGBの画素16(表示画素26、ホトセンサ画素27)を対にして走査する方式であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図147に図示するように、EL素子1411を白色(W)発光とし、また、表示領域10に複数の画素16(表示画素26、ホトセンサ画素27)を対にして走査させてもよい。
(3−6)第4の変更例
また、図146に図示するように、RGBだけでなく、イエロー(Y)の画素16(表示画素26、ホトセンサ画素27)を対にして走査あるいは動作させてもよい。
It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Moreover, it cannot be overemphasized that it can combine with another Example.
(3-5) Third Modification The example of FIG. 145 is a method of scanning with RGB pixels 16 (display pixels 26, photosensor pixels 27) paired. However, the present invention is not limited to this. For example, as illustrated in FIG. 147, the EL element 1411 may emit white (W) light, and the display area 10 may be scanned with a plurality of pixels 16 (display pixels 26, photosensor pixels 27) as a pair.
(3-6) Fourth Modification As shown in FIG. 146, not only RGB but also yellow (Y) pixels 16 (display pixels 26, photosensor pixels 27) are scanned or operated in pairs. Also good.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。
(3−7)第5の変更例
また、図148に図示するように、画素行として動作させることに限定するものでない。単独の画素16(表示画素26、ホトセンサ画素27)を対にして、行方向および列方向に走査あるいは動作させてもよい。
It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Moreover, it cannot be overemphasized that it can combine with another Example.
(3-7) Fifth Modification Example Further, as illustrated in FIG. 148, the present invention is not limited to operating as a pixel row. A single pixel 16 (display pixel 26, photosensor pixel 27) may be paired and scanned or operated in the row direction and the column direction.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。
(3−7)第6の変更例
本発明の実施例において、選択した表示画素26のみを発光させ、対象物651の画像をスキャンするとして説明したが、これに限定するものではない。たとえば、選択した表示画素26を高輝度(高出力)に発光させて、対象物651をスキャンさせ、他の表示画素は通常の輝度で発光させて映像表示を行っても良い。この場合は、高輝度で発光する表示画素を順次選択し、画面10の上辺から下辺に走査する。もちろん、画面10の下辺から上辺に向かって走査してもよい。
It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Moreover, it cannot be overemphasized that it can combine with another Example.
(3-7) Sixth modification example
In the embodiment of the present invention, it has been described that only the selected display pixel 26 emits light and the image of the object 651 is scanned. However, the present invention is not limited to this. For example, the selected display pixel 26 may emit light with high luminance (high output), the object 651 may be scanned, and the other display pixels may emit light with normal luminance to perform video display. In this case, display pixels that emit light with high luminance are sequentially selected and scanned from the upper side to the lower side of the screen 10. Of course, you may scan from the lower side of the screen 10 toward the upper side.

また、選択表示画素行は、複数画素行、好ましくは16画素行以上を同時に選択し、選択した表示画素行を帯状に画面10を走査してもよい。以上の事項は、ホトセンサ画素行に対しても同様である。   Further, as the selected display pixel row, a plurality of pixel rows, preferably 16 pixel rows or more may be simultaneously selected, and the screen 10 may be scanned in the selected display pixel row in a strip shape. The above matters are the same for the photo sensor pixel rows.

また、表示画面10を通常輝度で表示し、対象物651の表示画像をスキャンしてもよい。この場合は、表示画面10をR、G、Bのラスター表示を行い、ラスター表示の色変更に同期してホトセンサ画素27を駆動して対象物651の画像を取り込む。もちろん、表示画面10を白多スター表示して対象物651の画像を取り込んでも良い。また、R、G、B表示領域を帯状に表示画面10に表示し、ホトセンサ画素27を選択して対象物651の画像を取り込んでもよい。
(EL表示装置とLCD)
EL表示装置と、LCDとを組み合わせることにより、薄型で軽量は表示装置を構成できる。図149は、その実施例である。
Alternatively, the display screen 10 may be displayed with normal luminance, and the display image of the object 651 may be scanned. In this case, R, G, and B raster display is performed on the display screen 10, and the photosensor pixel 27 is driven in synchronization with the color change of the raster display to capture an image of the object 651. Of course, the display screen 10 may be displayed as a white star to capture the image of the object 651. Alternatively, the R, G, and B display regions may be displayed on the display screen 10 in a band shape, and the photosensor pixel 27 may be selected to capture an image of the object 651.
(EL display and LCD)
By combining an EL display device and an LCD, a thin and lightweight display device can be configured. FIG. 149 shows an example.

アレイ基板11の表面には、図3などで説明した表示画素26、ホトセンサ画素27がマトリックス状に形成されている。また、アレイ基板11の裏面には、図141で説明したEL素子1411からなる表示画素26がマトリックス状に形成されている。なお、1493はEL層1492に水分が入らないようにする封止基板であり、1493は封止基板1491とアレイ基板11とを貼り付ける接着剤である。
(1)第1の実施例
EL素子1411の集合体からなるEL層1492は、両面発光に構成されている。EL層1492から出射するB方向の光661は、EL表示装置の表示画像を形成する。A方向に出射するA方向の光661は、LCDを照明するバックライト光として機能する。
On the surface of the array substrate 11, the display pixels 26 and the photosensor pixels 27 described in FIG. 3 and the like are formed in a matrix. Further, on the back surface of the array substrate 11, display pixels 26 including the EL elements 1411 described with reference to FIG. 141 are formed in a matrix. Note that 1493 is a sealing substrate that prevents moisture from entering the EL layer 1492, and 1493 is an adhesive that adheres the sealing substrate 1491 and the array substrate 11.
(1) First Example An EL layer 1492 composed of an assembly of EL elements 1411 is configured to emit light from both sides. The B-direction light 661 emitted from the EL layer 1492 forms a display image of the EL display device. The A-direction light 661 emitted in the A-direction functions as backlight light that illuminates the LCD.

以上のように構成することにより、EL表示部Aは、全表示領域がELの表示領域となり、その逆の面は、LCD表示部と、EL表示部の2つの表示部が構成される。   With the above configuration, the EL display unit A has the entire display region as an EL display region, and the opposite surface includes two display units, an LCD display unit and an EL display unit.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。
(2)第2の実施例
図150のように、構成する実施例も例示される。アレイ基板11の片面には、図3などで説明した表示画素26、ホトセンサ画素27がマトリックス状に形成されている。また、図141で説明したEL素子1411からなる表示画素26がマトリックス状に形成されている。
It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Moreover, it cannot be overemphasized that it can combine with another Example.
(2) Second Example As shown in FIG. 150, an example of the configuration is also illustrated. On one surface of the array substrate 11, the display pixels 26 and the photosensor pixels 27 described with reference to FIG. 3 and the like are formed in a matrix. In addition, the display pixels 26 including the EL elements 1411 described in FIG. 141 are formed in a matrix.

LCD表示部は、バックライト146からの光で照明されて画像を表示する。EL表示部は、EL表示部AとEL表示部Bに示すように両面から画像を見ることができる。
(適用例)
以下、本実施形態の適用例について説明をする。以下の適用例は、以前に説明した本実施形態の装置または方法を実施する。
(1)携帯電話
図151は情報端末装置の一例としての携帯電話の平面図である。筐体1513にアンテナ1511、テンキー1512などが取り付けられている。1512などが表示色切換キーあるいは電源オンオフ、フレームレート切り換えキーである。
The LCD display unit is illuminated with light from the backlight 146 and displays an image. The EL display unit can see images from both sides as shown in the EL display unit A and the EL display unit B.
(Application example)
Hereinafter, application examples of the present embodiment will be described. The following application examples implement the apparatus or method of the present embodiment described previously.
(1) Mobile phone FIG. 151 is a plan view of a mobile phone as an example of an information terminal device. An antenna 1511, a numeric keypad 1512, and the like are attached to the housing 1513. Reference numeral 1512 denotes a display color switching key or a power on / off / frame rate switching key.

以上のキー1512操作は、本実施形態の表示装置658にあっては表示画面を指で触ることに実現できる。つまり、表示画面10にはキー、プッシュスイッチなどを表示し、このキー、スイッチ画像を指で押さえることにより同様の動作を実現できる。
(2)ビデオカメラ
図152はビデオカメラの斜視図である。ビデオカメラは撮影(撮像)レンズ部1522とビデオかメラ本体1513と具備し、撮影レンズ部1522とビューファインダ部1513とは背中合わせとなっている。本実施形態の表示パネル658は表示モニターとしても使用されている。表示部10は支点1521で角度を自由に調整できる。表示部10を使用しない時は、格納部1523に格納される。
In the display device 658 of this embodiment, the above key 1512 operation can be realized by touching the display screen with a finger. That is, a similar operation can be realized by displaying a key, a push switch, or the like on the display screen 10 and pressing the key or switch image with a finger.
(2) Video Camera FIG. 152 is a perspective view of a video camera. The video camera includes a photographing (imaging) lens unit 1522 and a video or mela body 1513, and the photographing lens unit 1522 and the viewfinder unit 1513 are back to back. The display panel 658 of this embodiment is also used as a display monitor. The display unit 10 can freely adjust the angle at a fulcrum 1521. When the display unit 10 is not used, it is stored in the storage unit 1523.

スイッチ1524は以下の機能を実施する切り換えあるいは制御スイッチである。スイッチ1524を操作することにより、表示画面10に指で触ることにより操作できる表示モードとなる。   Switch 1524 is a changeover or control switch that performs the following functions. By operating the switch 1524, the display mode can be operated by touching the display screen 10 with a finger.

本実施形態の表示装置などはビデオカメラだけでなく、図153に示すような電子カメラ、スチルカメラなどにも適用することができる。表示装置658はカメラ本体1531に付属されたモニターとして用いる。また、指入力装置として用いる。カメラ本体1531にはシャッタ1533の他、スイッチ1524が取り付けられている。   The display device of this embodiment can be applied not only to a video camera but also to an electronic camera, a still camera, etc. as shown in FIG. The display device 658 is used as a monitor attached to the camera body 1531. It is also used as a finger input device. In addition to the shutter 1533, a switch 1524 is attached to the camera body 1531.

本発明は、液晶表示パネルだけでなく、他の表示パネルなどにも適用できる。   The present invention can be applied not only to a liquid crystal display panel but also to other display panels.

例えば、EL(有機、無機)表示パネル、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、SED(商標)、PDP(プラズマディスプレイパネル)、液晶表示デバイス、カーボンナノチューブ(Carbon nano tube、CNTと略されることがある)を用いたディスプレイ、陰極線管(CRT、Cathode Ray Tube)などの他のディスプレイにも適用できることは言うまでもない。また、アクティブマトリックス表示パネルだけでなく、単純マトリックス表示パネルに本実施形態の技術的思想を用いてもよい。   For example, EL (organic, inorganic) display panel, field emission display (FED), SED (trademark), PDP (plasma display panel), liquid crystal display device, carbon nanotube (sometimes abbreviated as carbon nano tube, CNT) Needless to say, the present invention can be applied to other displays such as a display using a cathode ray tube and a cathode ray tube (CRT). Further, the technical idea of the present embodiment may be used not only for an active matrix display panel but also for a simple matrix display panel.

本発明は、ビデオカメラ、プロジェクター、立体(3D)テレビ、プロジェクションテレビなどに適用できる。   The present invention can be applied to a video camera, a projector, a stereoscopic (3D) television, a projection television, and the like.

また、ビューファインダ、携帯電話のメインモニター及びサブモニターあるいは時計表示部、PHS、携帯情報端末及びそのモニター、デジタルカメラ、衛星テレビ、衛星モバイルテレビ及びそのモニターにも適用できる。   The present invention can also be applied to a viewfinder, a main monitor and a sub monitor of a mobile phone or a clock display unit, a PHS, a portable information terminal and its monitor, a digital camera, a satellite TV, a satellite mobile TV and a monitor thereof.

また、スキャナ、イメージセンサ、電子写真システム、ヘッドマウントディスプレイ、直視モニターディスプレイ、ノートパーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子スチルカメラにも適用できる。   The present invention can also be applied to scanners, image sensors, electrophotographic systems, head mounted displays, direct-view monitor displays, notebook personal computers, video cameras, digital still cameras, and electronic still cameras.

また、現金自動引き出し機のモニター、公衆電話、テレビ電話、パーソナルコンピュータ、腕時計及びその表示装置などにも適用できる。また、バーコードなどの情報の発生機器にも適用することができる。これらの技術的思想などは、一部あるいは全部を問わず相互に組み合わせることができる。   Further, the present invention can be applied to a monitor of an automatic cash drawer, a public telephone, a videophone, a personal computer, a wristwatch and its display device. The present invention can also be applied to a device that generates information such as a barcode. These technical ideas and the like can be combined with each other regardless of part or all of them.

本発明は、炊飯器などの家庭電器機器の表示モニター、カーオーディオの表示部、車のスピードメーター、ひげそりの表示部、ポケットゲーム機器及びそのモニター、電話器の番号、工場の計測器のインジケーターなどの表示モニター、電車の行き先表示モニター、ネオン表示装置の置き換え、表示パネル用バックライトあるいは家庭用もしくは業務用の照明装置、天井灯、窓ガラス、車のヘッドライトなどの照明装置などにも適用あるいは応用展開できることは言うまでもない。   The present invention includes a display monitor for home appliances such as a rice cooker, a display unit for car audio, a car speedometer, a shaving display unit, a pocket game device and its monitor, a telephone number, an indicator of a factory measuring instrument, etc. Applicable to display monitors, train destination display monitors, replacement of neon display devices, backlights for display panels or lighting devices for home or commercial use, ceiling lights, window glass, car headlights, etc. Needless to say, it can be applied.

また、広告あるいはポスターなどの表示装置、RGBの信号器、警報表示灯などにも応用できる。これらの技術的思想などは、一部あるいは全部を問わず相互に組み合わせることができる。   It can also be applied to display devices such as advertisements or posters, RGB traffic lights, warning indicator lights, and the like. These technical ideas and the like can be combined with each other regardless of part or all of them.

本発明の第1の実施形態の表示装置のブロック図である。1 is a block diagram of a display device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の画素の拡大説明図である。It is an expansion explanatory view of the pixel of the present invention. 本発明の画素の配置を示す図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of the pixel of this invention. 本発明のホトセンサ画素の配置を示す図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of the photo sensor pixel of this invention. 本発明のホトセンサ画素の他の配置を示す図である。It is a figure which shows other arrangement | positioning of the photo sensor pixel of this invention. 本発明のホトセンサ画素の他の配置を示す図である。It is a figure which shows other arrangement | positioning of the photo sensor pixel of this invention. 本発明のホトセンサ画素の他の配置を示す図である。It is a figure which shows other arrangement | positioning of the photo sensor pixel of this invention. 本発明のホトセンサ画素の他の配置を示す図である。It is a figure which shows other arrangement | positioning of the photo sensor pixel of this invention. 本発明のホトセンサ画素の他の配置を示す図である。It is a figure which shows other arrangement | positioning of the photo sensor pixel of this invention. 本発明のホトセンサ形成領域を示す図である。It is a figure which shows the photo sensor formation area | region of this invention. 本発明のホトセンサ形成領域を示す図である。It is a figure which shows the photo sensor formation area | region of this invention. 本発明のホトセンサ形成領域を示す図である。It is a figure which shows the photo sensor formation area | region of this invention. 本発明のホトセンサ形成領域を示す図である。It is a figure which shows the photo sensor formation area | region of this invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の表示装置のブロック図である。It is a block diagram of a display device of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の表示装置のブロック図である。It is a block diagram of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法のタイミングチャート図である。It is a timing chart figure of the drive method of the display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法のタイミングチャート図である。It is a timing chart figure of the drive method of the display device of the present invention. 本発明の表示装置のブロック図である。It is a block diagram of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置のブロック図である。It is a block diagram of a display device of the present invention. 本発明の表示装置のブロック図である。It is a block diagram of a display device of the present invention. 本発明の表示装置のブロック図である。It is a block diagram of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法のタイミングチャート図である。It is a timing chart figure of the drive method of the display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法のタイミングチャート図である。It is a timing chart figure of the drive method of the display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法のタイミングチャート図である。It is a timing chart figure of the drive method of the display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法のタイミングチャート図である。It is a timing chart figure of the drive method of the display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法のタイミングチャート図である。It is a timing chart figure of the drive method of the display device of the present invention. 本発明の画素および周辺回路部の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel and a peripheral circuit unit of the present invention. 本発明の画素および周辺回路部の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel and a peripheral circuit unit of the present invention. 本発明の画素および周辺回路部の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel and a peripheral circuit unit of the present invention. 本発明の画素および周辺回路部の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel and a peripheral circuit unit of the present invention. 本発明の画素および周辺回路部の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel and a peripheral circuit unit of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素および周辺回路部の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel and a peripheral circuit unit of the present invention. 本発明の画素および周辺回路部の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel and a peripheral circuit unit of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法のタイミングチャート図である。It is a timing chart figure of the drive method of the display device of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the pixel of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の画素および周辺回路部の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel and a peripheral circuit unit of the present invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の回路構成の説明図である。It is explanatory drawing of the circuit structure of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 携帯電話に適用した表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus applied to the mobile phone. ビデオカメラの説明図である。It is explanatory drawing of a video camera. 電子カメラの説明図である。It is explanatory drawing of an electronic camera. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 表示領域
11 アレイ基板
12 ゲートドライバ回路
14 ソースドライバ回路
15 信号処理回路
16 画素
17 回路基板
18 ホトセンサ処理回路
19 表示領域(+ホトセンサ形成領域)
20 フレキブル基板(FPC)
21 映像信号処理回路
22 ゲート信号線
23 ソース信号線
24 プリチャージ信号線
25 ホトセンサ出力信号線
26 表示画素
27 ホトセンサ画素
31 画素電極
32 薄膜トランジスタ(TFT)
34 補助容量
35 ホトダイオード(ホトセンサ)
36 薄膜トランジスタ
37 補助容量
38 グランド(共通信号線)
151 選択回路
152 電圧出力端子
153 プリチャージ信号端子
154 コンパレータ電圧端子
171 アナログ−デジタル変換回路(AD回路)
172 切り替え回路
173 接続端子
201 イネーブル信号線
202 AND回路
261 フレキ基板
311 リセット信号線
312 リセットスイッチ(TFT)
314 コンパレータ信号線
501 インバータ(反転回路)
651 物体(遮光物、反射物)
652 封止壁
653 液晶層
654 対向基板
655 偏光板(偏光フィルム)
656 バックライト(光発生手段)
657 対向電極
658 表示パネル
661 光(光路)
681 光ペン(光発生手段)
691 オン出力領域(またはオフ出力領域)
692 中心座標
751 カーソル表示
814 MPU
811 接続端子
812 入力端子(PAD)
813 LEDドライバ
831 アイコン表示
861 処理ブロック
911 フィルム画像
1071 導光板
1081 遮光シール
1091 遮光部
1401 EEPROM
1402 I2Cコントローラ
1404 レジスタ
1405 レジスタ
1411 EL素子
1491 封止基板
1492 EL層
1493 接着剤
1511 アンテナ
1512 キー
1513 筐体
1521 支点
1522 撮影レンズ
1523 格納部
1524 スイッチ
1531 一体
1532 撮影部
1533 シャッタスイッチ
1541 スイッチ
1543 発光ダイオード(LED)
1544 導光体
1545 ペン先
1561 光スポット
10 Display area 11 Array substrate 12 Gate driver circuit 14 Source driver circuit
15 Signal processing circuit 16 Pixel 17 Circuit board 18 Photo sensor processing circuit 19 Display area (+ photo sensor formation area)
20 Flexible substrate (FPC)
21 video signal processing circuit 22 gate signal line 23 source signal line 24 precharge signal line 25 photosensor output signal line 26 display pixel 27 photosensor pixel 31 pixel electrode 32 thin film transistor (TFT)
34 Auxiliary capacitance 35 Photodiode (photosensor)
36 Thin Film Transistor 37 Auxiliary Capacitor 38 Ground (Common Signal Line)
151 Selection circuit 152 Voltage output terminal 153 Precharge signal terminal 154 Comparator voltage terminal 171 Analog-digital conversion circuit (AD circuit)
172 Switching circuit 173 Connection terminal 201 Enable signal line 202 AND circuit 261 Flexible substrate 311 Reset signal line 312 Reset switch (TFT)
314 Comparator signal line 501 Inverter (inverting circuit)
651 object (shading object, reflection object)
652 Sealing wall 653 Liquid crystal layer 654 Counter substrate 655 Polarizing plate (polarizing film)
656 Backlight (light generation means)
657 Counter electrode 658 Display panel 661 Light (optical path)
681 Optical pen (light generation means)
691 ON output area (or OFF output area)
692 Center coordinates 751 Cursor display 814 MPU
811 Connection terminal 812 Input terminal (PAD)
813 LED driver 831 Icon display 861 Processing block 911 Film image 1071 Light guide plate 1081 Light shielding seal 1091 Light shielding part 1401 EEPROM
1402 I2C controller 1404 Register 1405 Register 1411 EL element 1491 Sealing substrate 1492 EL layer 1493 Adhesive 1511 Antenna 1512 Key 1513 Case 1521 Supporting point 1522 Shooting lens 1523 Storage unit 1524 Switch 1531 Integrated 1532 Shooting unit 1533 Shutter switch 1541 Switch 1543 Light emitting diode (LED)
1544 light guide 1545 nib 1561 light spot

Claims (5)

アレイ基板にマトリクス状にEL素子を有する表示画素が形成されるとともに、前記アレイ基板にホトセンサ画素も形成された平面表示装置にあって、
前記表示画素の画素行と、前記ホトセンサ画素の画素行と順次選択するゲートドライバ回路と、
前記ホトセンサ画素の動作状態を処理する処理回路を具備することを特徴とするEL表示装置。
In the flat display device in which display pixels having EL elements are formed in a matrix on the array substrate, and photosensor pixels are also formed on the array substrate,
A gate driver circuit that sequentially selects a pixel row of the display pixel, a pixel row of the photosensor pixel, and
An EL display device comprising a processing circuit for processing an operation state of the photosensor pixel.
EL素子は、RGBの画素を有することを特徴とする請求項1記載のEL表示装置。   The EL display device according to claim 1, wherein the EL element has RGB pixels. 表示画素は、画素行が順次選択され、線状に点灯制御されることを特徴とする請求項1記載のEL表示装置。   2. The EL display device according to claim 1, wherein the display pixels are controlled to be turned on linearly by sequentially selecting pixel rows. 選択される表示画素行と、選択されるホトセンサ画素行は、等間隔が維持されて順次選択されることを特徴とする請求項1記載のEL表示装置。   2. The EL display device according to claim 1, wherein the selected display pixel row and the selected photosensor pixel row are sequentially selected while maintaining an equal interval. 押圧の有無によりオンオフ信号を発生する信号発生手段と、
前記オンオフ信号により光の照射あるいは消灯する光発生手段を具備し、
前記光発生手段から照射された光の座標位置を検出し、
前記信号発生手段からオン信号が発生した後、所定期間は前記光発生手段の点灯状態を維持することを特徴とする座標入力方法。
Signal generating means for generating an on / off signal depending on the presence or absence of pressing;
Comprising light generating means for irradiating or extinguishing light by the on / off signal;
Detecting the coordinate position of the light emitted from the light generating means;
A coordinate input method characterized by maintaining the lighting state of the light generating means for a predetermined period after an ON signal is generated from the signal generating means.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009116205A1 (en) 2008-03-21 2009-09-24 シャープ株式会社 Liquid crystal display device with touch sensor housed therein
JP2010145583A (en) * 2008-12-17 2010-07-01 Hitachi Displays Ltd Image display device with built-in sensor section
WO2011033764A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-24 パナソニック株式会社 Solid-state imaging device
US8526065B2 (en) 2010-04-13 2013-09-03 Pfu Limited Contact-type image reading apparatus
JP2015226161A (en) * 2014-05-27 2015-12-14 キヤノン株式会社 Imaging device, control method thereof, and imaging apparatus
US11604543B2 (en) 2021-06-08 2023-03-14 Japan Display Inc. Detection device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009116205A1 (en) 2008-03-21 2009-09-24 シャープ株式会社 Liquid crystal display device with touch sensor housed therein
US8358288B2 (en) 2008-03-21 2013-01-22 Sharp Kabushiki Kaisha Touch-sensor-provided liquid crystal display device
JP2010145583A (en) * 2008-12-17 2010-07-01 Hitachi Displays Ltd Image display device with built-in sensor section
WO2011033764A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-24 パナソニック株式会社 Solid-state imaging device
US8526065B2 (en) 2010-04-13 2013-09-03 Pfu Limited Contact-type image reading apparatus
JP2015226161A (en) * 2014-05-27 2015-12-14 キヤノン株式会社 Imaging device, control method thereof, and imaging apparatus
US11604543B2 (en) 2021-06-08 2023-03-14 Japan Display Inc. Detection device

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