JP2007208881A - Differential signal control circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To output phase-aligned differential output signals while completely excluding a through current in a differential signal control circuit. <P>SOLUTION: The differential signal control circuit comprising two push-pull circuits (constituted of NMOS transistors N1, N2 and PMOS transistors P1, P2) for inputting differential input signals (Ai, Bi) and outputting differential output signals (Ao, Bo), respectively includes a first delay circuit 11 for delaying one differential input signal, a second delay circuit 12 for delaying another differential input signal, and a condition determination circuit 10 which inputs outputs of these first and second delay circuits 11, 12 and the differential input signals and outputs a control signal for controlling the push-pull circuits, so that each of the push-pull circuits passes through a high impedance state without fail when inverting output levels of the differential output signals. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、USB(Universal Serial Bus)やIEEE1394(Institute of Electrical and Electronic Engineers 1394)、Rambus(登録商標)、DDR−DRAM(Double Data Rate Dynamic Random Access Memory)等で用いられる差動信号の転送制御を行う回路に係り、特に、差動入力信号間の位相ズレを改善すると共に、出力回路の貫通電流を完全に無くすのに好適な回路に関するものである。   The present invention controls transfer of differential signals used in USB (Universal Serial Bus), IEEE 1394 (Institute of Electrical and Electronic Engineers 1394), Rambus (registered trademark), DDR-DRAM (Double Data Rate Dynamic Random Access Memory), and the like. In particular, the present invention relates to a circuit suitable for improving a phase shift between differential input signals and completely eliminating a through current of an output circuit.

USBやIEEE1394、Rambus(登録商標)、DDR−DRAM等においては、信号転送の高速化、低電圧化、ノイズ耐性等に優れた差動方式による信号の転送が行われており、そのインタフェース部分においては、差動信号制御回路が用いられている。   In USB, IEEE 1394, Rambus (registered trademark), DDR-DRAM, etc., signal transfer is performed by a differential method excellent in high-speed signal transfer, low voltage, noise resistance, etc. A differential signal control circuit is used.

図4は、従来の差動信号制御回路の構成例を示す回路図である。この制御回路は、差動入力信号Ai、Biを差動出力信号Ao、Boとして出力する差動信号ドライブ回路である。   FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional differential signal control circuit. This control circuit is a differential signal drive circuit that outputs differential input signals Ai and Bi as differential output signals Ao and Bo.

差動入力信号Aiは、インバータ13とバッファ回路16の入力に接続されている。また、差動入力信号Biは、インバータ15とバッファ回路14の入力に接続されている。   The differential input signal Ai is connected to the inputs of the inverter 13 and the buffer circuit 16. The differential input signal Bi is connected to the inputs of the inverter 15 and the buffer circuit 14.

インバータ13の出力はPMOSトランジスタP1のゲートに、バッファ回路14の出力はNMOSトランジスタN1のゲートに、インバータ15の出力はPMOSトランジスタP2のゲートに、バッファ回路16の出力はNMOSトランジスタN2のゲートに接続されている。   The output of the inverter 13 is connected to the gate of the PMOS transistor P1, the output of the buffer circuit 14 is connected to the gate of the NMOS transistor N1, the output of the inverter 15 is connected to the gate of the PMOS transistor P2, and the output of the buffer circuit 16 is connected to the gate of the NMOS transistor N2. Has been.

PMOSトランジスタP1のソースは電源Vddに、ドレインはNMOSトランジスタN1のドレインに接続され、NMOSトランジスタN1のソースは接地Vssされて、プッシュプル回路を構成している。差動出力信号Aoは両トランジスタの共通ドレインから出力されている。差動出力信号Boを出力するプッシュプル回路も全く同じ構成である。   The source of the PMOS transistor P1 is connected to the power supply Vdd, the drain is connected to the drain of the NMOS transistor N1, and the source of the NMOS transistor N1 is connected to the ground Vss to constitute a push-pull circuit. The differential output signal Ao is output from the common drain of both transistors. The push-pull circuit that outputs the differential output signal Bo has the same configuration.

図5は、図4における差動信号ドライブ回路の動作例を示す説明図であり、差動入力信号Ai、Biのタイミングチャートと、各タイミングにおけるプッシュプル回路の各トランジスタ(P1、N1、P2、N2)のオン/オフ状態を記入したものである。   FIG. 5 is an explanatory diagram showing an operation example of the differential signal drive circuit in FIG. 4, and is a timing chart of the differential input signals Ai and Bi, and each transistor (P1, N1, P2,. The on / off state of N2) is entered.

図5(a)は、差動入力信号Ai、Biの位相が揃っている場合である。この場合は、差動出力信号のレベルが反転する際に、極短時間ではあるが出力回路のインピーダンスが低下し貫通電流が発生する。   FIG. 5A shows the case where the phases of the differential input signals Ai and Bi are aligned. In this case, when the level of the differential output signal is inverted, the impedance of the output circuit is lowered and a through current is generated in a very short time.

図5(b)は、差動入力信号Ai、Biの位相がずれている場合である。この場合は、区間D1において、プッシュプル回路を構成している全てのトランジスタがオンしており、大きな貫通電流が発生する。   FIG. 5B shows a case where the differential input signals Ai and Bi are out of phase. In this case, in the section D1, all the transistors constituting the push-pull circuit are on, and a large through current is generated.

このような差動信号ドライブ回路に発生する貫通電流問題に対処するための従来技術として、例えば、特許文献1に記載のものがある。この技術は、次の図6で説明するようにして、大きな貫通電流を改善したものである。   For example, Patent Document 1 discloses a conventional technique for coping with the through current problem occurring in such a differential signal drive circuit. This technique improves a large through current as described in FIG.

図6は、従来の差動信号制御回路の他の構成例を示す回路図である。この差動信号制御回路(「相補型バッファ回路」)は、インバータ61,63、遅延回路(図中「Delay」と記載)62,64、NMOSトランジスタQ1〜Q8,Q11,Q12、PMOSトランジスタQ9,Q10で構成されている。   FIG. 6 is a circuit diagram showing another configuration example of the conventional differential signal control circuit. This differential signal control circuit (“complementary buffer circuit”) includes inverters 61 and 63, delay circuits (denoted as “Delay” in the figure) 62 and 64, NMOS transistors Q1 to Q8, Q11 and Q12, PMOS transistor Q9, Q10.

差動入力信号Biは、インバータ61の入力とNMOSトランジスタQ4およびQ5のゲートに接続されている。インバータ61の出力は、遅延回路62の入力とNMOSトランジスタQ12のゲートに接続されている。また、遅延回路62の出力はNMOSトランジスタQ3とQ6のゲートに接続されている。   The differential input signal Bi is connected to the input of the inverter 61 and the gates of the NMOS transistors Q4 and Q5. The output of the inverter 61 is connected to the input of the delay circuit 62 and the gate of the NMOS transistor Q12. The output of the delay circuit 62 is connected to the gates of the NMOS transistors Q3 and Q6.

差動入力信号Aiは、インバータ63の入力とNMOSトランジスタQ1およびQ8のゲートに接続されている。インバータ63の出力は、遅延回路64の入力とNMOSトランジスタQ11のゲートに接続されている。また、遅延回路64の出力はNMOSトランジスタQ2とQ7のゲートに接続されている。   The differential input signal Ai is connected to the input of the inverter 63 and the gates of the NMOS transistors Q1 and Q8. The output of the inverter 63 is connected to the input of the delay circuit 64 and the gate of the NMOS transistor Q11. The output of the delay circuit 64 is connected to the gates of the NMOS transistors Q2 and Q7.

NMOSトランジスタQ1〜Q4は、電源VddとVss間に順に直列接続されている。同様に、NMOSトランジスタQ5〜Q8も電源VddとVss間に順に直列接続されている。   The NMOS transistors Q1 to Q4 are sequentially connected in series between the power supplies Vdd and Vss. Similarly, NMOS transistors Q5 to Q8 are also connected in series between power supplies Vdd and Vss.

NMOSトランジスタQ1とQ8は、差動入力信号Aiによりオン/オフ制御され、NMOSトランジスタQ2とQ7は、遅延回路64の出力信号によりオン/オフ制御され、NMOSトランジスタQ4とQ5は、差動入力信号Biによりオン/オフ制御され、NMOSトランジスタQ3とQ6は、遅延回路62の出力信号によりオン/オフ制御される。   The NMOS transistors Q1 and Q8 are ON / OFF controlled by the differential input signal Ai, the NMOS transistors Q2 and Q7 are ON / OFF controlled by the output signal of the delay circuit 64, and the NMOS transistors Q4 and Q5 are differential input signals. On / off control is performed by Bi, and NMOS transistors Q3 and Q6 are on / off controlled by the output signal of the delay circuit 62.

さらに、NMOSトランジスタQ2とQ3の接続点は差動出力信号Boの出力端子に接続されており、NMOSトランジスタQ6とQ7の接続点は差動出力信号Aoの出力端子に接続されている。   Further, the connection point of the NMOS transistors Q2 and Q3 is connected to the output terminal of the differential output signal Bo, and the connection point of the NMOS transistors Q6 and Q7 is connected to the output terminal of the differential output signal Ao.

PMOSトランジスタQ9のソースは電源Vddに接続され、ドレインはNMOSトランジスタQ11のドレインに接続されると共に、差動出力信号Boの出力端子に接続されている。またゲートはPMOSトランジスタQ10のドレインに接続されている。   The source of the PMOS transistor Q9 is connected to the power supply Vdd, the drain is connected to the drain of the NMOS transistor Q11, and is connected to the output terminal of the differential output signal Bo. The gate is connected to the drain of the PMOS transistor Q10.

PMOSトランジスタQ10のソースは電源Vddに接続され、ドレインはNMOSトランジスタQ12のドレインに接続されると共に、差動出力信号Aoの出力端子に接続されている。またゲートはPMOSトランジスタQ9のドレインに接続されている。   The source of the PMOS transistor Q10 is connected to the power supply Vdd, the drain is connected to the drain of the NMOS transistor Q12, and is connected to the output terminal of the differential output signal Ao. The gate is connected to the drain of the PMOS transistor Q9.

この回路の動作は、差動入力信号(Ai,Bi)の一方の立ち上りエッジタイミングが他方の立下りエッジタイミングより早い場合に、一方の信号が立ち上がった時点で、他の差動出力信号を反転させるようにしている。   The operation of this circuit is to invert the other differential output signal when one signal rises when one rising edge timing of the differential input signal (Ai, Bi) is earlier than the other falling edge timing. I try to let them.

その結果、図4の制御回路のように、出力トランジスタが全てオンして、大きな貫通電流が流れるのを防止できる。   As a result, it is possible to prevent all the output transistors from being turned on and a large through current from flowing as in the control circuit of FIG.

しかしながら、この回路においても、差動出力信号(Ao,Bo)が反転する際に発生する短時間の貫通電流までは改善されていない。   However, even in this circuit, the short-time through current generated when the differential output signals (Ao, Bo) are inverted is not improved.

例えば、差動出力信号Boがハイレベルからローレベルに変化する場合を考察する。差動出力信号Boがハイレベルの状態では、PMOSトランジスタQ9がオン、NMOSトランジスタQ11がオフである。   For example, consider the case where the differential output signal Bo changes from a high level to a low level. When the differential output signal Bo is at a high level, the PMOS transistor Q9 is on and the NMOS transistor Q11 is off.

差動入力信号Aiがハイレベルからローレベルになると、インバータ3を介してNMOSトランジスタQ11がオンになるが、PMOSトランジスタQ9がオフになるのは、差動出力信号Boが低下して、PMOSトランジスタQ10がオンとなり、その結果PMOSトランジスタQ9のゲート電圧を引き上げてからである。   When the differential input signal Ai changes from the high level to the low level, the NMOS transistor Q11 is turned on via the inverter 3. The PMOS transistor Q9 is turned off because the differential output signal Bo is lowered and the PMOS transistor is turned off. This is after Q10 is turned on and, as a result, the gate voltage of the PMOS transistor Q9 is raised.

そのため、短時間ではあるが、NMOSトランジスタQ11とPMOSトランジスタQ9が同時にオンの期間が発生する。同様の動作は、PMOSトランジスタQ10とNMOSトランジスタQ12の間でも発生する。   Therefore, although it is a short time, the NMOS transistor Q11 and the PMOS transistor Q9 are simultaneously turned on. A similar operation occurs between the PMOS transistor Q10 and the NMOS transistor Q12.

特開2001−274669号公報JP 2001-274669 A

解決しようとする問題点は、従来の技術では、差動信号制御回路において、差動出力信号が反転する際に発生する極短時間の貫通電流を無くすことができない点である。   The problem to be solved is that the conventional technique cannot eliminate a very short through current generated when the differential output signal is inverted in the differential signal control circuit.

本発明の目的は、これら従来技術の課題を解決し、差動信号制御回路における貫通電流を完全に排除し、しかも、位相の揃った差動出力信号を出力することを可能とすることである。   An object of the present invention is to solve these problems of the prior art, to completely eliminate a through current in a differential signal control circuit, and to output a differential output signal having a uniform phase. .

上記目的を達成するため、本発明では、差動入力信号(Ai,Bi)を入力して差動出力信号(Ao,Bo)の各々を出力するための2つのプッシュプル回路(P1,N1,P2,N2)を備えた差動信号制御回路において、差動出力信号の出力レベルが反転する際に、各プッシュプル回路が必ずハイインピーダンス状態を経由するようにした。具体的には、一方の差動入力信号を遅延する第1の遅延回路(11)と、他方の差動入力信号を遅延する第2の遅延回路(12)と、これらの第1,第2の遅延回路(11,12)の出力と差動入力信号とを入力して各プッシュプル回路を制御するための制御信号を出力する条件判定回路(10)を備えた。さらに、この第1,第2の遅延回路の遅延時間は、差動入力信号の最大位相ズレ時間より長くした。また、条件判定回路(10)は、差動入力信号が同時に変化した場合と、差動入力信号の一方の信号がローレベルからハイレベルに変化したときに他方の信号がハイレベルの場合、および、差動入力信号の一方の信号がハイレベルからローレベルに変化したときに他方の信号がローレベルの場合に、一方の信号のレベルが変化した時点から、第1,第2の遅延回路(11,12)の遅延時間の間、各プッシュプル回路をハイインピーダンスにするための制御信号を出力するようにした。   In order to achieve the above object, in the present invention, two push-pull circuits (P1, N1, P2) for inputting a differential input signal (Ai, Bi) and outputting each of the differential output signals (Ao, Bo) are provided. In the differential signal control circuit provided with P2, N2), when the output level of the differential output signal is inverted, each push-pull circuit always passes through the high impedance state. Specifically, a first delay circuit (11) that delays one differential input signal, a second delay circuit (12) that delays the other differential input signal, and the first and second delay circuits. The condition determination circuit (10) for inputting the output of the delay circuit (11, 12) and the differential input signal and outputting a control signal for controlling each push-pull circuit is provided. Further, the delay time of the first and second delay circuits is longer than the maximum phase shift time of the differential input signal. In addition, the condition determination circuit (10) includes a case where the differential input signal changes simultaneously, a case where one signal of the differential input signal changes from low level to high level, and the other signal is high level, and When one of the differential input signals changes from a high level to a low level and the other signal is at a low level, the first and second delay circuits ( During the delay time of 11, 12), a control signal for making each push-pull circuit high impedance is output.

本発明によれば、差動出力信号(Ao、Bo)が反転する際に、出力のプッシュプル回路を構成している全てのトランジスタ(P1,N1,P2,N2)を、遅延回路(11,12)で設定された所定の時間オフするようにしたので、極短時間の貫通電流も完全に排除でき、しかも差動入力信号(Ai,Bi)に位相ズレが有っても、位相の揃った差動出力信号(Ao,Bo)を出力することができる。   According to the present invention, when the differential output signals (Ao, Bo) are inverted, all the transistors (P1, N1, P2, N2) constituting the output push-pull circuit are connected to the delay circuit (11, Since the signal is turned off for the predetermined time set in 12), a very short through current can be completely eliminated, and even if there is a phase shift in the differential input signals (Ai, Bi), the phases are aligned. The differential output signals (Ao, Bo) can be output.

以下、図を用いて本発明を実施するための最良の形態例を説明する。図1は、本発明に係る差動信号制御回路の構成例を示すブロック図であり、図2は、図1における差動信号制御回路の動作例を示す説明図、図3は、図1における差動信号制御回路の動作例を説明するタイミングチャートである。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a block diagram showing a configuration example of a differential signal control circuit according to the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing an operation example of the differential signal control circuit in FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram in FIG. It is a timing chart explaining the example of operation of a differential signal control circuit.

図1に示す差動信号制御回路は、本発明に係る保持手段を構成する遅延回路11,12と条件判定回路10を具備し、さらに、インバータ13,15とバッファ回路14,16、それぞれプッシュプル回路を構成するPMOSトランジスタP1,P2およびNMOSトランジスタN1,N2を具備した差動信号ドライブ回路である。   The differential signal control circuit shown in FIG. 1 includes delay circuits 11 and 12 and a condition determination circuit 10 that constitute holding means according to the present invention. Further, inverters 13 and 15 and buffer circuits 14 and 16 are respectively push-pull. This is a differential signal drive circuit comprising PMOS transistors P1, P2 and NMOS transistors N1, N2 constituting the circuit.

遅延回路11,12は、差動入力信号Ai,Biの条件判定回路10への入力を所定の時間だけ遅延させる。尚、この遅延時間は、差動入力信号Aiと差動入力信号Biの最大位相ズレ時間より長く設定されている。   The delay circuits 11 and 12 delay the input of the differential input signals Ai and Bi to the condition determination circuit 10 by a predetermined time. This delay time is set longer than the maximum phase shift time between the differential input signal Ai and the differential input signal Bi.

条件判定回路10は、差動入力信号Ai,Bi、および、これらの信号を所定の時間遅延した遅延信号Ad,Bdを入力して、入力した4つの信号をデコードして、プッシュプル回路を構成している各トランジスタP1,N1,P2,N2を制御するための制御信号を出力する。   The condition determination circuit 10 receives differential input signals Ai and Bi and delay signals Ad and Bd obtained by delaying these signals by a predetermined time, decodes the four input signals, and constitutes a push-pull circuit. A control signal for controlling each of the transistors P1, N1, P2, and N2 is output.

デコードの基本動作では、差動入力信号Aiがハイレベルの場合は、PMOSトランジスタP1をオン、NMOSトランジスタN1をオフにし、差動入力信号Aiがローレベルの場合は、PMOSトランジスタP1をオフ、NMOSトランジスタN1をオンにする。   In the basic operation of decoding, when the differential input signal Ai is at a high level, the PMOS transistor P1 is turned on and the NMOS transistor N1 is turned off. When the differential input signal Ai is at a low level, the PMOS transistor P1 is turned off. The transistor N1 is turned on.

同様に、差動入力信号Biがハイレベルの場合は、PMOSトランジスタP2をオン、NMOSトランジスタN2をオフにし、差動入力信号Biがローレベルの場合は、PMOSトランジスタP2をオフ、NMOSトランジスタN2をオンにする。   Similarly, when the differential input signal Bi is high, the PMOS transistor P2 is turned on and the NMOS transistor N2 is turned off. When the differential input signal Bi is low, the PMOS transistor P2 is turned off and the NMOS transistor N2 is turned off. turn on.

ただし、差動入力信号Aiと差動入力信号Biが同時に変化した場合と、差動入力信号Aiと差動入力信号Biの一方の信号がローレベルからハイレベルに変化したときに、他方の信号がハイレベルの場合、および、差動入力信号Aiと差動入力信号Biの一方の信号がハイレベルからローレベルに変化したときに、他方の信号がローレベルの場合は、一方の信号のレベルが変化した時点から、遅延時間経過する間、各プッシュプル回路を構成している全てのトランジスタP1,N1,P2,N2をハイインピーダンスにするための、制御信号を出力する。これにより、差動信号ドライブ回路における極短時間の貫通電流も完全に排除でき、しかも差動入力信号(Ai,Bi)に位相ズレが有っても、位相の揃った差動出力信号(Ao,Bo)を出力することができる。   However, when the differential input signal Ai and the differential input signal Bi change simultaneously and when one of the differential input signal Ai and the differential input signal Bi changes from low level to high level, the other signal When one of the differential input signal Ai and the differential input signal Bi changes from a high level to a low level when the other signal is a low level, While the delay time elapses from the time when changes, a control signal for setting all the transistors P1, N1, P2, and N2 constituting each push-pull circuit to high impedance is output. As a result, even a very short through current in the differential signal drive circuit can be completely eliminated, and even if there is a phase shift in the differential input signal (Ai, Bi), the differential output signal (Ao) having the same phase can be obtained. , Bo) can be output.

図2は、図1に示す差動信号ドライブ回路における条件判定回路10での真理値表である。条件判定回路10は、各入力信号(差動入力信号Ai,遅延信号Ad,差動入力信号Bi,遅延信号Bd)の入力に対して真理値表に示される対応付けに応じた各出力信号(Do1,Do2,Do3,Do4)を出力する論理回路からなる。尚、この真理値表は、差動信号ドライブ回路の回路構成で変化する。さらに、この真理値表中の網掛けしてある条件(No.0,5,10,15)は、通常の動作では発生しない条件の組合せである。   FIG. 2 is a truth table in the condition determination circuit 10 in the differential signal drive circuit shown in FIG. The condition determining circuit 10 outputs each output signal (differential input signal Ai, delayed signal Ad, differential input signal Bi, delayed signal Bd) corresponding to the correspondence shown in the truth table for the input of each input signal (differential input signal Ai, delayed signal Ad, differential input signal Bi, delayed signal Bd). It comprises a logic circuit that outputs Do1, Do2, Do3, Do4). This truth table varies depending on the circuit configuration of the differential signal drive circuit. Further, the shaded conditions (No. 0, 5, 10, 15) in this truth table are combinations of conditions that do not occur in normal operation.

図3は、図1における差動信号ドライブ回路の動作タイミングチャートである。図中の網掛け部分は、条件判定回路10により、プッシュプル回路の全てのトランジスタがオフしている期間である。   FIG. 3 is an operation timing chart of the differential signal drive circuit in FIG. A shaded portion in the figure is a period in which all the transistors of the push-pull circuit are turned off by the condition determination circuit 10.

図3(a)は、差動入力信号Aiと差動入力信号Biの位相が揃っている場合の例を示している。区間A1では、差動入力信号Aiと遅延信号Adがローレベル(「0」)で、差動入力信号Biと遅延信号Bdがハイレベル(「1」)なので、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.12」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=1」、出力「Do3=1」、出力「Do4=0」を出力する。その結果、PMOSトランジスタP1はオフ、NMOSトランジスタN1はオン、PMOSトランジスタP2はオン、NMOSトランジスタN2はオフになっている。   FIG. 3A shows an example in which the differential input signal Ai and the differential input signal Bi are in phase. In the section A1, the differential input signal Ai and the delay signal Ad are at a low level (“0”), and the differential input signal Bi and the delay signal Bd are at a high level (“1”). The output “Do1 = 0”, the output “Do2 = 1”, the output “Do3 = 1”, and the output “Do4 = 0” are output based on the condition of “No. 12” in the truth table shown in FIG. As a result, the PMOS transistor P1 is off, the NMOS transistor N1 is on, the PMOS transistor P2 is on, and the NMOS transistor N2 is off.

区間A2になると、差動入力信号Aiがハイレベルに、差動入力信号Biがローレベルに変化するが、遅延信号Ad,Bdはまだ変化していない(遅延信号Adがローレベル、遅延信号Bdがハイレベル)ので、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.9」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=0」を出力し、トランジスタ(P1,N1,P2,N2)を全てオフにして、これらのトランジスタ(P1,N1,P2,N2)からなるプッシュプル回路をハイインピーダンスにする。   In the section A2, the differential input signal Ai changes to high level and the differential input signal Bi changes to low level, but the delay signals Ad and Bd have not changed yet (the delay signal Ad is low level, the delay signal Bd). Therefore, the condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 0”, “Do2 = 0”, and “Do3 = 0” based on the condition of “No. 9” in the truth table shown in FIG. The output “Do4 = 0” is output, all the transistors (P1, N1, P2, N2) are turned off, and the push-pull circuit including these transistors (P1, N1, P2, N2) is set to high impedance.

遅延時間が経過して区間A3に入ると、差動入力信号Aiと遅延信号Adがハイレベルで、差動入力信号Biと遅延信号Bdがローレベルとなるので、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.3」の条件に基づき、出力「Do1=1」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=1」を出力する。その結果、PMOSトランジスタP1はオン、NMOSトランジスタN1はオフ、PMOSトランジスタP2はオフ、NMOSトランジスタN2はオンになる。   When the delay time elapses and the period A3 is entered, the differential input signal Ai and the delay signal Ad are at a high level, and the differential input signal Bi and the delay signal Bd are at a low level. The output “Do1 = 1”, the output “Do2 = 0”, the output “Do3 = 0”, and the output “Do4 = 1” are output based on the condition of “No. 3” in the truth table shown in FIG. As a result, the PMOS transistor P1 is turned on, the NMOS transistor N1 is turned off, the PMOS transistor P2 is turned off, and the NMOS transistor N2 is turned on.

さらに、区間A4になると、差動入力信号Aiがローレベルに、差動入力信号Biがハイレベルに変化するが、遅延信号Ad,Bdはまだ変化していない(遅延信号Adがハイレベル、遅延信号Bdがローレベル)ので、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.6」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=0」を出力し、区間A2と同様、トランジスタ(P1,N1,P2,N2)を全てオフにして、これらのトランジスタ(P1,N1,P2,N2)からなるプッシュプル回路をハイインピーダンスにする。   Further, in the section A4, the differential input signal Ai changes to low level and the differential input signal Bi changes to high level, but the delay signals Ad and Bd have not changed yet (the delay signal Ad is high level, delayed). Since the signal Bd is low level, the condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 0”, “Do2 = 0”, “Do3 = 0”, and “Do3 =” based on the condition of “No. 6” in the truth table shown in FIG. 0 ”and output“ Do4 = 0 ”, and in the same way as the section A2, all the transistors (P1, N1, P2, N2) are turned off, and the push-pull composed of these transistors (P1, N1, P2, N2) Make the circuit high impedance.

そして、区間A5は区間A1と同じであり、以下同様の動作を繰り返す。   The section A5 is the same as the section A1, and the same operation is repeated thereafter.

図3(b)は、差動入力信号Aiの位相が差動入力信号Biより進んでいる場合の例を示している。区間B1では、差動入力信号Aiと遅延信号Adがローレベル(「0」)で、差動入力信号Biと遅延信号Bdがハイレベル(「1」)なので、図3(a)における区間A1と同様、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.12」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=1」、出力「Do3=1」、出力「Do4=0」を出力し、その結果、PMOSトランジスタP1はオフ、NMOSトランジスタN1はオン、PMOSトランジスタP2はオン、NMOSトランジスタN2はオフになっている。   FIG. 3B shows an example in which the phase of the differential input signal Ai is ahead of the differential input signal Bi. In the section B1, the differential input signal Ai and the delay signal Ad are at a low level (“0”), and the differential input signal Bi and the delay signal Bd are at a high level (“1”), so the section A1 in FIG. Similarly to the above, the condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 0”, “Do2 = 1”, “Do3 = 1”, “Do3 = 1”, and “Output” based on the condition of “No. 12” in the truth table shown in FIG. Do4 = 0 "is output, and as a result, the PMOS transistor P1 is off, the NMOS transistor N1 is on, the PMOS transistor P2 is on, and the NMOS transistor N2 is off.

区間B2になると、差動入力信号Aiのみがローレベルからハイレベルになるが、遅延信号Adおよび差動入力信号Biと遅延信号Bdは区間B1と同じであり(遅延信号Adがローレベル、差動入力信号Biと遅延信号Bdがハイレベル)、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.13」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=0」を出力し、トランジスタ(P1,N1,P2,N2)を全てオフにして、これらのトランジスタ(P1,N1,P2,N2)からなるプッシュプル回路をハイインピーダンスにする。   In the section B2, only the differential input signal Ai changes from the low level to the high level. However, the delay signal Ad and the differential input signal Bi and the delay signal Bd are the same as those in the section B1 (the delay signal Ad is at the low level, the difference). The condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 0” and “Do2 = 0” based on the condition of “No. 13” in the truth table shown in FIG. , Output “Do3 = 0”, output “Do4 = 0”, turn off all the transistors (P1, N1, P2, N2), and push-pull comprising these transistors (P1, N1, P2, N2) Make the circuit high impedance.

区間B3では、差動入力信号Biがローレベルになるが、まだ、遅延回路11,12の遅延時間が経過していないので、差動入力信号Aiがハイレベル、遅延信号Adがローレベル、遅延信号Bdがハイレベルのままであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.9」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=0」を出力する。その結果、トランジスタ(P1,N1,P2,N2)は全てオフのままであり、これらのトランジスタ(P1,N1,P2,N2)からなるプッシュプル回路はハイインピーダンスのままである。   In the section B3, the differential input signal Bi becomes low level, but since the delay time of the delay circuits 11 and 12 has not yet elapsed, the differential input signal Ai is high level, the delay signal Ad is low level, and the delay is delayed. The signal Bd remains at the high level, and the condition determination circuit 10 outputs the output “Do1 = 0”, the output “Do2 = 0”, and the output “based on the condition“ No. 9 ”in the truth table shown in FIG. Do3 = 0 "and output" Do4 = 0 "are output. As a result, all the transistors (P1, N1, P2, N2) remain off, and the push-pull circuit composed of these transistors (P1, N1, P2, N2) remains high impedance.

区間B4では、遅延回路11の遅延時間が経過し、遅延信号Adがローレベルからハイレベルになり、差動入力信号Aiがハイレベル、差動入力信号Biがローレベル、遅延信号Bdがハイレベルとなり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.11」の条件に基づき、出力「Do1=1」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=1」を出力する。その結果、PMOSトランジスタP1はオン、NMOSトランジスタN1はオフ、PMOSトランジスタP2はオフ、NMOSトランジスタN2はオンとなる。   In section B4, the delay time of the delay circuit 11 elapses, the delay signal Ad changes from low level to high level, the differential input signal Ai is high level, the differential input signal Bi is low level, and the delay signal Bd is high level. Thus, the condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 1”, “Do2 = 0”, “Do3 = 0”, and “Do4” based on the condition “No. 11” in the truth table shown in FIG. = 1 "is output. As a result, the PMOS transistor P1 is turned on, the NMOS transistor N1 is turned off, the PMOS transistor P2 is turned off, and the NMOS transistor N2 is turned on.

区間B5では、遅延回路12の遅延時間が経過し、遅延信号Bdがハイレベルからローレベルになり、差動入力信号Aiと遅延信号Adがハイレベル、差動入力信号Biがローレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.3」の条件に基づき、区間B4と同様、出力「Do1=1」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=1」を出力し、その結果、PMOSトランジスタP1はオン、NMOSトランジスタN1はオフ、PMOSトランジスタP2はオフ、NMOSトランジスタN2はオンのままとなる。   In the interval B5, the delay time of the delay circuit 12 elapses, the delay signal Bd changes from high level to low level, the differential input signal Ai and the delay signal Ad are high level, and the differential input signal Bi is low level. The condition determination circuit 10 outputs the output “Do1 = 1”, the output “Do2 = 0”, the output “Do3 = 0”, similarly to the section B4, based on the condition of “No. 3” in the truth table shown in FIG. The output “Do4 = 1” is output, and as a result, the PMOS transistor P1 is on, the NMOS transistor N1 is off, the PMOS transistor P2 is off, and the NMOS transistor N2 remains on.

区間B6では、差動入力信号Aiがハイレベルからローレベルに変化し、遅延信号Adがハイレベル、差動入力信号Biと遅延信号Bdがローレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.2」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=0」を出力し、トランジスタ(P1,N1,P2,N2)を全てオフにして、これらのトランジスタ(P1,N1,P2,N2)からなるプッシュプル回路をハイインピーダンスにする。   In section B6, the differential input signal Ai changes from the high level to the low level, the delay signal Ad is at the high level, the differential input signal Bi and the delay signal Bd are at the low level, and the condition determination circuit 10 is shown in FIG. The output “Do1 = 0”, the output “Do2 = 0”, the output “Do3 = 0”, and the output “Do4 = 0” are output based on the condition of “No. 2” in the truth table shown in FIG. N1, P2, N2) are all turned off, and the push-pull circuit composed of these transistors (P1, N1, P2, N2) is set to high impedance.

区間B7では、差動入力信号Biがローレベルからハイレベルになるが、まだ遅延回路11,12の遅延時間が経過していないので、差動入力信号Aiがローレベル、遅延信号Adがハイレベル、遅延信号Bdがローレベルのままであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.6」の条件に基づき、区間B6と同様、出力「Do1=0」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=0」を出力し、トランジスタ(P1,N1,P2,N2)を全てオフのままであり、これらのトランジスタ(P1,N1,P2,N2)からなるプッシュプル回路はハイインピーダンスのままである。   In the section B7, the differential input signal Bi changes from the low level to the high level, but since the delay time of the delay circuits 11 and 12 has not yet elapsed, the differential input signal Ai is at the low level and the delay signal Ad is at the high level. The delay signal Bd remains at the low level, and the condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 0” and “output” as in the section B6 based on the condition “No. 6” in the truth table shown in FIG. Do2 = 0 ", output" Do3 = 0 ", output" Do4 = 0 ", and all the transistors (P1, N1, P2, N2) remain off, and these transistors (P1, N1, P2, The push-pull circuit consisting of N2) remains high impedance.

そして、区間B8では、遅延回路11の遅延時間が経過し、遅延信号Adがハイレベルからローレベルになり、差動入力信号Aiがローレベル、差動入力信号Biがハイレベル、遅延信号Bdがローレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.4」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=1」、出力「Do3=1」、出力「Do4=0」を出力し、PMOSトランジスタP1はオフ、NMOSトランジスタN1はオン、PMOSトランジスタP2はオン、NMOSトランジスタN2はオフとなる。   In the section B8, the delay time of the delay circuit 11 elapses, the delay signal Ad changes from high level to low level, the differential input signal Ai is low level, the differential input signal Bi is high level, and the delay signal Bd is Based on the condition of “No. 4” in the truth table shown in FIG. 2, the condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 0”, “Do2 = 1”, “Do3 = 1”, The output "Do4 = 0" is output, the PMOS transistor P1 is off, the NMOS transistor N1 is on, the PMOS transistor P2 is on, and the NMOS transistor N2 is off.

区間B9では、遅延回路12の遅延時間が経過し、遅延信号Bdがローレベルからハイレベルになり、差動入力信号Aiがローレベル、遅延信号Adがローレベル、差動入力信号Biがハイレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.12」の条件に基づき、区間8と同様、出力「Do1=0」、出力「Do2=1」、出力「Do3=1」、出力「Do4=0」を出力し、PMOSトランジスタP1はオフ、NMOSトランジスタN1はオン、PMOSトランジスタP2はオン、NMOSトランジスタN2はオフとなる。この区間B9の動作は区間B1と同じであり、以下同様の動作を繰り返す。   In the section B9, the delay time of the delay circuit 12 elapses, the delay signal Bd changes from low level to high level, the differential input signal Ai is low level, the delay signal Ad is low level, and the differential input signal Bi is high level. The condition determination circuit 10 outputs the “Do1 = 0”, the “Do2 = 1”, the “Do2 = 1”, and the “Do3 =” as in the section 8, based on the condition of “No. 12” in the truth table shown in FIG. 1 "and output" Do4 = 0 ", the PMOS transistor P1 is off, the NMOS transistor N1 is on, the PMOS transistor P2 is on, and the NMOS transistor N2 is off. The operation in the section B9 is the same as that in the section B1, and thereafter the same operation is repeated.

図3(c)は、差動入力信号Aiの位相が差動入力信号Biより遅れている場合の例を示している。区間C1では、差動入力信号Aiと遅延信号Adがローレベルで、差動入力信号Biと遅延信号Bdがハイレベルであり、図3(a),(b)における区間A1、B1と同様、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.12」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=1」、出力「Do3=1」、出力「Do4=0」を出力し、その結果、PMOSトランジスタP1はオフ、NMOSトランジスタN1はオン、PMOSトランジスタP2はオン、NMOSトランジスタN2はオフとなる。   FIG. 3C shows an example in which the phase of the differential input signal Ai is delayed from the differential input signal Bi. In the section C1, the differential input signal Ai and the delayed signal Ad are at a low level, and the differential input signal Bi and the delayed signal Bd are at a high level, as in the sections A1 and B1 in FIGS. The condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 0”, “Do2 = 1”, “Do3 = 1”, “Do4 = 1”, and “Do4 = 0” based on the condition of “No. 12” in the truth table shown in FIG. As a result, the PMOS transistor P1 is turned off, the NMOS transistor N1 is turned on, the PMOS transistor P2 is turned on, and the NMOS transistor N2 is turned off.

区間C2になると、差動入力信号Biがハイレベルからローレベルになるが、差動入力信号Aiはまだローレベルで、遅延信号Adがローレベル、遅延信号Bdがハイレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.8」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=0」を出力し、トランジスタ(P1,N1,P2,N2)を全てオフにして、これらのトランジスタ(P1,N1,P2,N2)からなるプッシュプル回路をハイインピーダンスにする。   In the section C2, the differential input signal Bi changes from the high level to the low level, but the differential input signal Ai is still at the low level, the delay signal Ad is at the low level, and the delay signal Bd is at the high level. 10 outputs the output “Do1 = 0”, the output “Do2 = 0”, the output “Do3 = 0”, and the output “Do4 = 0” based on the condition of “No. 8” in the truth table shown in FIG. Then, all the transistors (P1, N1, P2, N2) are turned off, and the push-pull circuit composed of these transistors (P1, N1, P2, N2) is set to high impedance.

区間C3では、差動入力信号Aiがローレベルからハイレベルになるが、まだ遅延回路11,12の遅延時間が経過していないので、遅延信号Adがローレベル、差動入力信号Biがローレベル、遅延信号Bdがハイレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.9」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=0」を出力し、その結果、各トランジスタ(P1,N1,P2,N2)は全てオフのままであり、これらのトランジスタ(P1,N1,P2,N2)からなるプッシュプル回路はハイインピーダンスのままである。   In the section C3, the differential input signal Ai changes from the low level to the high level, but since the delay time of the delay circuits 11 and 12 has not yet elapsed, the delay signal Ad is at the low level and the differential input signal Bi is at the low level. The delay signal Bd is at the high level, and the condition determination circuit 10 outputs the output “Do1 = 0”, the output “Do2 = 0”, and the output “based on the condition“ No. 9 ”in the truth table shown in FIG. Do3 = 0 "and output" Do4 = 0 ", and as a result, all the transistors (P1, N1, P2, N2) remain off, and from these transistors (P1, N1, P2, N2) This push-pull circuit remains high impedance.

区間C4では、遅延回路12の遅延時間が経過し、遅延信号Bdがハイレベルからローレベルになり、差動入力信号Aiがハイレベル、遅延信号Adがローレベル、差動入力信号Biがローレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.1」の条件に基づき、出力「Do1=1」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=1」を出力し、その結果、PMOSトランジスタP1はオン、NMOSトランジスタN1はオフ、PMOSトランジスタP2はオフ、NMOSトランジスタN2はオンとなる。この状態は、区間C5まで続く。   In section C4, the delay time of the delay circuit 12 elapses, the delay signal Bd changes from high level to low level, the differential input signal Ai is high level, the delay signal Ad is low level, and the differential input signal Bi is low level. The condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 1”, “Do2 = 0”, “Do3 = 0”, “Do3 = 0”, and “No” based on the conditions of “No. 1” in the truth table shown in FIG. Do4 = 1 "is output, and as a result, the PMOS transistor P1 is turned on, the NMOS transistor N1 is turned off, the PMOS transistor P2 is turned off, and the NMOS transistor N2 is turned on. This state continues until section C5.

すなわち、区間C5では、遅延時間11の遅延時間が経過し、遅延信号Adがローレベルからハイレベルになり、差動入力信号Aiがハイレベル、差動入力信号Biと遅延信号Bdがローレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.3」の条件に基づき、出力「Do1=1」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=1」を出力し、その結果、PMOSトランジスタP1はオン、NMOSトランジスタN1はオフ、PMOSトランジスタP2はオフ、NMOSトランジスタN2はオンとなる。   That is, in the section C5, the delay time 11 has elapsed, the delay signal Ad changes from low level to high level, the differential input signal Ai is high level, and the differential input signal Bi and the delay signal Bd are low level. Yes, the condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 1”, output “Do2 = 0”, output “Do3 = 0”, and output “Do4” based on the condition of “No. 3” in the truth table shown in FIG. As a result, the PMOS transistor P1 is turned on, the NMOS transistor N1 is turned off, the PMOS transistor P2 is turned off, and the NMOS transistor N2 is turned on.

区間C6では、差動入力信号Biがハイレベルに変化するが、差動入力信号Aiはまだハイレベルであり、かつ、遅延信号Adがハイレベル、遅延信号Bdがローレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.7」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=0」を出力し、トランジスタ(P1,N1,P2,N2)を全てオフにして、これらのトランジスタ(P1,N1,P2,N2)からなるプッシュプル回路をハイインピーダンスにする。   In the section C6, the differential input signal Bi changes to a high level, but the differential input signal Ai is still at a high level, the delay signal Ad is at a high level, and the delay signal Bd is at a low level. 10 outputs the output “Do1 = 0”, the output “Do2 = 0”, the output “Do3 = 0”, and the output “Do4 = 0” based on the condition of “No. 7” in the truth table shown in FIG. Then, all the transistors (P1, N1, P2, N2) are turned off, and the push-pull circuit composed of these transistors (P1, N1, P2, N2) is set to high impedance.

区間C7では、差動入力信号Aiがローレベルになるが、まだ遅延回路11,12の遅延時間が経過していないので、遅延信号Adがハイレベル、差動入力信号Biがハイレベル、遅延信号Bdがローレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.6」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=0」、出力「Do3=0」、出力「Do4=0」を出力し、その結果、トランジスタ(P1,N1,P2,N2)を全てオフのままであり、これらのトランジスタ(P1,N1,P2,N2)からなるプッシュプル回路はハイインピーダンスのままである。   In the section C7, the differential input signal Ai is at a low level, but since the delay time of the delay circuits 11 and 12 has not yet elapsed, the delay signal Ad is at a high level, the differential input signal Bi is at a high level, and the delay signal. Bd is at the low level, and the condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 0”, “Do2 = 0”, and “Do3 = 0” based on the condition of “No. 6” in the truth table shown in FIG. Output "Do4 = 0", and as a result, all the transistors (P1, N1, P2, N2) remain off, and the push-pull circuit comprising these transistors (P1, N1, P2, N2) Remains high impedance.

そして、区間C8では、遅延回路12の遅延時間が経過し、遅延信号Bdがローレベルからハイレベルになると、差動入力信号Aiがローレベル、遅延信号Adがハイレベル、差動入力信号Biがハイレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.14」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=1」、出力「Do3=1」、出力「Do4=0」を出力し、その結果、PMOSトランジスタP1はオフ、NMOSトランジスタN1はオン、PMOSトランジスタP2はオン、NMOSトランジスタN2はオフとなる。この状態は、区間C9まで続く。   In the section C8, when the delay time of the delay circuit 12 elapses and the delay signal Bd changes from low level to high level, the differential input signal Ai is low level, the delay signal Ad is high level, and the differential input signal Bi is Based on the condition of “No. 14” in the truth table shown in FIG. 2, the condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 0”, “Do2 = 1”, “Do3 = 1”, The output “Do4 = 0” is output, and as a result, the PMOS transistor P1 is turned off, the NMOS transistor N1 is turned on, the PMOS transistor P2 is turned on, and the NMOS transistor N2 is turned off. This state continues until section C9.

すなわち、区間C9では、遅延時間12の遅延時間が経過し、遅延信号Adがハイレベルからローレベルになり、差動入力信号Aiがローレベル、差動入力信号Biと遅延信号Bdがハイレベルであり、条件判定回路10は、図2に示す真理値表の「No.12」の条件に基づき、出力「Do1=0」、出力「Do2=1」、出力「Do3=1」、出力「Do4=0」を出力し、その結果、PMOSトランジスタP1はオフ、NMOSトランジスタN1はオン、PMOSトランジスタP2はオン、NMOSトランジスタN2はオフとなる。尚、この区間C9の動作は区間C1と同じなので、以下同様の動作を繰り返す。   That is, in the section C9, the delay time 12 has elapsed, the delay signal Ad changes from the high level to the low level, the differential input signal Ai is at the low level, and the differential input signal Bi and the delay signal Bd are at the high level. Yes, the condition determination circuit 10 outputs “Do1 = 0”, output “Do2 = 1”, output “Do3 = 1”, and output “Do4” based on the condition of “No. 12” in the truth table shown in FIG. As a result, the PMOS transistor P1 is turned off, the NMOS transistor N1 is turned on, the PMOS transistor P2 is turned on, and the NMOS transistor N2 is turned off. Since the operation in the section C9 is the same as that in the section C1, the same operation is repeated thereafter.

以上、図1〜図3を用いて説明したように、本例では、差動出力信号Ao,Boが反転する際に、出力のプッシュプル回路を構成している全てのトランジスタP1,N1,P2,N2を、遅延回路11,12で設定された所定の時間だけオフするようにした。これにより、極短時間の貫通電流も完全に排除でき、しかも差動入力信号Aiと差動入力信号Biに位相ズレがあっても、位相の揃った差動出力信号Aoと差動出力信号Boを出力することができる。   As described above with reference to FIGS. 1 to 3, in this example, when the differential output signals Ao and Bo are inverted, all the transistors P1, N1, and P2 that constitute the output push-pull circuit are inverted. , N2 are turned off for a predetermined time set by the delay circuits 11, 12. As a result, even a very short through current can be completely eliminated, and even if the differential input signal Ai and the differential input signal Bi are out of phase, the differential output signal Ao and the differential output signal Bo having the same phase can be obtained. Can be output.

尚、本発明は、図1〜図3を用いて説明した例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。   In addition, this invention is not limited to the example demonstrated using FIGS. 1-3, In the range which does not deviate from the summary, various changes are possible.

本発明に係る差動信号制御回路(差動信号ドライブ回路)の構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of the differential signal control circuit (differential signal drive circuit) which concerns on this invention. 図1における差動信号制御回路(差動信号ドライブ回路)の動作例を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating an operation example of a differential signal control circuit (differential signal drive circuit) in FIG. 1. 図1における差動信号制御回路(差動信号ドライブ回路)の動作例を説明するタイミングチャートである。2 is a timing chart illustrating an operation example of a differential signal control circuit (differential signal drive circuit) in FIG. 1. 従来の差動信号制御回路(差動信号ドライブ回路)の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of the conventional differential signal control circuit (differential signal drive circuit). 図4における差動信号制御回路の動作例を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating an operation example of the differential signal control circuit in FIG. 4. 従来の差動信号制御回路(相補型バッファ回路)の他の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other structural example of the conventional differential signal control circuit (complementary buffer circuit).

符号の説明Explanation of symbols

10:条件判定回路、11,12:遅延回路(「Delay」)、13,15:インバータ、14,16:バッファ回路、P1,P2:PMOSトランジスタ、N1,N2:NMOSトランジスタ、Ai,Bi:差動入力信号、Ao,Bo:差動出力信号、Ad,Bd:遅延信号、Do1〜Do4:制御信号、N1G,N2G,P1G,P2G:ゲート信号、Vdd:電源、Vss:接地、61,63:インバータ、62,64:遅延回路(「Delay」)、Q1〜Q8,Q11,Q12:NMOSトランジスタ、Q9,Q10:PMOSトランジスタ。   10: Condition determination circuit, 11, 12: Delay circuit (“Delay”), 13, 15: Inverter, 14, 16: Buffer circuit, P1, P2: PMOS transistor, N1, N2: NMOS transistor, Ai, Bi: Difference Dynamic input signal, Ao, Bo: differential output signal, Ad, Bd: delay signal, Do1 to Do4: control signal, N1G, N2G, P1G, P2G: gate signal, Vdd: power supply, Vss: ground, 61, 63: Inverters, 62, 64: delay circuit (“Delay”), Q1 to Q8, Q11, Q12: NMOS transistors, Q9, Q10: PMOS transistors.

Claims (4)

各々差動入力信号を入力して差動出力信号を出力する2つのプッシュプル回路を具備した差動信号制御回路であって、
前記差動出力信号の出力レベルが反転する際に、前記プッシュプル回路のそれぞれをハイインピーダンス状態に一時保持する保持手段を有する
ことを特徴とする差動信号制御回路。
A differential signal control circuit comprising two push-pull circuits that each receive a differential input signal and output a differential output signal,
A differential signal control circuit comprising holding means for temporarily holding each of the push-pull circuits in a high impedance state when the output level of the differential output signal is inverted.
請求項1に記載の差動信号制御回路であって、
前記保持手段は、
一方の差動入力信号を遅延する第1の遅延回路と、
他方の差動入力信号を遅延する第2の遅延回路と、
前記差動入力信号と前記第1,第2の遅延回路の出力を入力して前記プッシュプル回路のそれぞれを制御するための制御信号を生成して出力する条件判定回路と
を有することを特徴とする差動信号制御回路。
The differential signal control circuit according to claim 1,
The holding means is
A first delay circuit for delaying one differential input signal;
A second delay circuit for delaying the other differential input signal;
A condition determination circuit that inputs the differential input signal and the outputs of the first and second delay circuits and generates and outputs a control signal for controlling each of the push-pull circuits; Differential signal control circuit.
請求項2に記載の差動信号制御回路であって、
前記第1,第2の遅延回路の遅延時間は、前記差動入力信号の最大位相ズレ時間より長くしたことを特徴とする差動信号制御回路。
The differential signal control circuit according to claim 2,
The differential signal control circuit according to claim 1, wherein a delay time of the first and second delay circuits is longer than a maximum phase shift time of the differential input signal.
請求項2もしくは請求項3のいずれかに記載の差動信号制御回路であって、
前記条件判定回路は、
前記差動入力信号が同時に変化した場合と、
前記差動入力信号の一方の信号がローレベルからハイレベルに変化したときに他方の信号がハイレベルの場合、および、
前記差動入力信号の一方の信号がハイレベルからローレベルに変化したときに他方の信号がローレベルの場合に、
前記一方の信号のレベルが変化した時点から前記遅延時間の間だけ前記プッシュプル回路のそれぞれをハイインピーダンスにするための制御信号を生成して出力する手段
を有することを特徴とする差動信号制御回路。
A differential signal control circuit according to any one of claims 2 and 3,
The condition determination circuit includes:
When the differential input signals change simultaneously;
When one signal of the differential input signal changes from low level to high level and the other signal is high level; and
When one signal of the differential input signal changes from high level to low level and the other signal is low level,
Differential signal control characterized by comprising means for generating and outputting a control signal for setting each of the push-pull circuits to high impedance only during the delay time from the time when the level of the one signal changes circuit.
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