JP2007204802A - Method of manufacturing structure - Google Patents

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優介 畠中
Akio Uesugi
彰男 上杉
Yoshinori Hotta
吉則 堀田
Tadafumi Tomita
忠文 冨田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure having an anodized film having micropores with uniform regularity even in a large surface area and a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the structure for obtaining a structure at least partly having an aluminum member provided with an aluminum substrate and the anodized film present on the surface of the aluminum substrate and having the micropores having ≥50% degree of regularity and a S/N ratio of the degree of regularity of ≥20, includes an anodization process for applying the anodization on the surface of the aluminum substrate under a condition that the average flow rate of an electrolyte is 0.5-20.0 m/min. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、構造体およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a structure and a manufacturing method thereof.

金属および半導体の薄膜、細線、ドット等の技術領域では、ある特徴的な長さより小さいサイズにおいて自由電子の動きが閉じ込められることにより、電気的、光学的および化学的に特異な現象が見られることが知られている。このような現象は「量子力学的サイズ効果(量子サイズ効果)」と呼ばれている。このような特異な現象を応用した機能性材料の研究開発が、現在、盛んに行なわれている。具体的には、数百nmより微細な構造を有する材料が、「微細構造体」または「ナノ構造体」と称されており、材料開発の対象の一つとされている。   In the technical fields of metal and semiconductor thin films, thin wires, dots, etc., the phenomenon of electrical, optical and chemical peculiarities can be seen by confining the movement of free electrons in a size smaller than a certain characteristic length. It has been known. Such a phenomenon is called “quantum mechanical size effect (quantum size effect)”. Research and development of functional materials applying such a unique phenomenon is being actively conducted. Specifically, a material having a structure finer than several hundred nm is referred to as a “microstructure” or “nanostructure”, and is one of the objects of material development.

こうした微細構造体の作製方法としては、例えば、フォトリソグラフィ、電子線露光、X線露光等の微細パターン形成技術を初めとする半導体加工技術によって直接的にナノ構造体を作製する方法が挙げられる。   As a method for manufacturing such a fine structure, for example, a method for directly manufacturing a nano structure by a semiconductor processing technique including a fine pattern forming technique such as photolithography, electron beam exposure, and X-ray exposure can be given.

中でも、規則的な微細構造を有するナノ構造体を作製する方法についての研究が注目され、多く行われている。
例えば、自己規制的に規則的な構造が形成される方法として、電解液中でアルミニウムに陽極酸化処理を施して得られる酸化アルミニウム膜(陽極酸化皮膜)が挙げられる。陽極酸化皮膜には、数nm程度から数百nm程度の直径を有する複数の微細孔(マイクロポア)が規則的に形成されることが知られている。この陽極酸化皮膜の自己規則化を用い、完全に規則的な配列を得ると、理論的には、マイクロポアを中心に底面が正六角形である六角柱のセルが形成され、隣接するマイクロポアを結ぶ線が正三角形を成すことが知られている。
例えば、非特許文献1には、マイクロポアのポア径のばらつきが3%以下である陽極酸化皮膜が記載されている。また、非特許文献2には、陽極酸化皮膜には、酸化の進行に伴って、細孔が自然形成されることが記載されている。また、非特許文献3では、多孔質酸化皮膜をマスクとしてSi基板上にAuドットアレイを形成することも提案されている。
In particular, much research has been conducted on methods for producing nanostructures having a regular microstructure.
For example, as a method for forming a regular structure in a self-regulating manner, an aluminum oxide film (anodized film) obtained by subjecting aluminum to an anodizing treatment in an electrolytic solution can be mentioned. It is known that a plurality of fine pores (micropores) having a diameter of about several nm to several hundred nm are regularly formed in the anodized film. By using this self-ordering of the anodized film and obtaining a perfectly regular arrangement, theoretically, hexagonal prism cells with a regular hexagonal bottom centered around the micropores are formed, and adjacent micropores are formed. It is known that the connecting line forms an equilateral triangle.
For example, Non-Patent Document 1 describes an anodized film in which the pore diameter variation of micropores is 3% or less. Non-Patent Document 2 describes that pores are spontaneously formed in the anodized film as the oxidation proceeds. Non-Patent Document 3 also proposes forming an Au dot array on a Si substrate using a porous oxide film as a mask.

陽極酸化皮膜の材料としての最大の特徴は、複数のマイクロポアが、基板表面に対してほぼ垂直方向に、ほぼ等間隔に平行に形成されたハニカム構造を採る点にあるとされている。これに加え、ポア径、ポア間隔およびポア深さを比較的自由に制御することができる点もほかの材料にない特徴であるとされている(非特許文献3参照。)。   The greatest feature of the material of the anodic oxide film is that it adopts a honeycomb structure in which a plurality of micropores are formed in a direction substantially perpendicular to the substrate surface and in parallel at substantially equal intervals. In addition to this, the pore diameter, the pore interval, and the pore depth can be controlled relatively freely, which is a feature not found in other materials (see Non-Patent Document 3).

陽極酸化皮膜の応用例としては、ナノデバイス、磁気デバイス、発光体等の種々のデバイス類が知られている。
例えば、特許文献1には、磁気デバイスとして磁性金属であるCo、Niをマイクロポア内に充填したり、発光材料であるZnOをマイクロポア内に充填したり、バイオセンサーとして酵素/抗体をマイクロポア内に充填したりした応用例が記載されている。
As an application example of the anodized film, various devices such as a nano device, a magnetic device, and a light emitter are known.
For example, in Patent Document 1, Co and Ni, which are magnetic metals, are filled in a micropore as a magnetic device, ZnO, which is a light emitting material, is filled in a micropore, and an enzyme / antibody is used as a biosensor in a micropore. Application examples such as filling inside are described.

このような陽極酸化皮膜の自己規則化を用いて、規則的にマイクロポアが並んだ陽極酸化皮膜を作製する方法においては、マイクロポアの規則性の向上はもとより、より大面積の構造体を均一に、かつ効率よく製造できる技術が要求されている。   In the method of making anodized film with regularly arranged micropores by using such self-ordering of anodized film, not only the regularity of micropores is improved, but also a structure with a larger area is made uniform. In addition, there is a demand for technology that can be manufactured efficiently.

特開2000−31462号公報JP 2000-31462 A H.Masuda et.Al.,Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.37(1998),pp.L1340−1342,Part2,No.11A,1 November 1998(Fig.2.)H. Masuda et. Al. , Jpn. J. et al. Appl. Phys. , Vol. 37 (1998), pp. L1340-1342, Part 2, No. 1 11A, 1 November 1998 (FIG. 2.) 「表面技術便覧」、(社)表面技術協会編(1998)、日刊工業新聞社、p.490−553“Surface Technology Handbook”, edited by Surface Technology Association (1998), Nikkan Kogyo Shimbun, p. 490-553 益田秀樹,「陽極酸化アルミナにもとづく高規則性メタルナノホールアレー」,固体物理,1996年,第31巻,第5号,p.493−499Hideki Masuda, “Highly Ordered Metal Nanohole Array Based on Anodized Alumina”, Solid State Physics, 1996, Vol. 31, No. 5, p. 493-499

そこで、本発明は、大面積でも均一な規則性を有するマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を有する構造体およびその製造方法を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a structure having an anodic oxide film having micropores having uniform regularity even in a large area and a method for manufacturing the structure.

本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、陽極酸化皮膜を電解する際の電解液平均流速を制御することにより、大面積でも均一な規則性を有するマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を有する構造体を得ることができることを見出し、本発明を完成させた。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventor has controlled the average flow rate of the electrolyte when electrolyzing the anodic oxide film, thereby providing an anodic oxide film having micropores having uniform regularity even in a large area. The present inventors have found that a structure having can be obtained and completed the present invention.

即ち、本発明は、以下の(1)および(2)を提供する。
(1)アルミニウム基板と、該アルミニウム基板の表面に存在し、規則化度が50%以上で該規則化度のSN比が20以上となるマイクロポアを有する陽極酸化皮膜と、を有するアルミニウム部材を少なくとも一部に有する構造体を得る構造体の製造方法であって、
上記アルミニウム基板の表面に、電解液の平均流速が0.5〜20.0m/分となる条件で陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を具備する、構造体の製造方法。
(2)上記(1)に記載の構造体の製造方法により得られる構造体。
That is, the present invention provides the following (1) and (2).
(1) An aluminum member having an aluminum substrate and an anodized film having micropores present on the surface of the aluminum substrate and having a degree of ordering of 50% or more and an SN ratio of the degree of ordering of 20 or more. A structure manufacturing method for obtaining a structure having at least a part thereof,
The manufacturing method of a structure which comprises the anodizing process process which anodizes on the surface of the said aluminum substrate on the conditions from which the average flow rate of electrolyte solution is 0.5-20.0 m / min.
(2) A structure obtained by the method for producing a structure according to (1) above.

本発明の構造体の製造方法によれば、大面積でも均一な規則性を有するマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を有する構造体を得ることができ、ウエブ処理を用いた高速連続処理による構造体の製造も可能となる。   According to the structure manufacturing method of the present invention, it is possible to obtain a structure having an anodized film having micropores having a uniform regularity even in a large area, and the structure of the structure by high-speed continuous processing using web processing can be obtained. Manufacturing is also possible.

以下に、本発明を詳細に説明する。
本発明の第1の態様に係る構造体の製造方法(以下、「本発明の製造方法」ともいう。)は、アルミニウム基板と、該アルミニウム基板の表面に存在し、規則化度が50%以上で該規則化度のSN比が20以上となるマイクロポアを有する陽極酸化皮膜と、を有するアルミニウム部材を少なくとも一部に有する構造体を得る構造体の製造方法であって、該アルミニウム基板の表面に、電解液の平均流速が0.5〜20.0m/分となる条件で陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を具備する、構造体の製造方法である。
次に、本発明の製造方法に用いられるアルミニウム基板および該アルミニウム基板に施す陽極酸化処理について詳述する。
The present invention is described in detail below.
The structure manufacturing method according to the first aspect of the present invention (hereinafter also referred to as “the manufacturing method of the present invention”) is present on an aluminum substrate and the surface of the aluminum substrate, and has a degree of ordering of 50% or more. And an anodized film having micropores having an order of SN ratio of 20 or more, and a method for producing a structure having an aluminum member having at least a part thereof, the surface of the aluminum substrate And an anodizing process in which an anodizing process is performed under the condition that the average flow rate of the electrolytic solution is 0.5 to 20.0 m / min.
Next, an aluminum substrate used in the production method of the present invention and an anodic oxidation treatment applied to the aluminum substrate will be described in detail.

[アルミニウム基板]
本発明の製造方法に用いられるアルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、市販のアルミニウム基板;アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミニウム(例えば、リサイクル材料)に高純度アルミニウムを蒸着させた基板;シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板;アルミニウムをラミネートした樹脂基板;等が挙げられる。
[Aluminum substrate]
The aluminum substrate used in the production method of the present invention is not particularly limited, and specific examples thereof include a commercially available aluminum substrate; an alloy plate containing aluminum as a main component and a trace amount of foreign elements; low purity aluminum (for example, recycled) Examples include a substrate on which high-purity aluminum is deposited on a material); a substrate in which high-purity aluminum is coated on the surface of a silicon wafer, quartz, glass or the like by a method such as vapor deposition or sputtering; a resin substrate on which aluminum is laminated;

本発明においては、アルミニウム基板のうち後述する陽極酸化処理により陽極酸化皮膜を設ける表面は、アルミニウム純度が、99.5質量%以上であるのが好ましく、99.9質量%以上であるのがより好ましく、99.99質量%以上であるのが更に好ましい。アルミニウム純度が上記範囲であると、マイクロポアの規則性がより向上する。   In the present invention, the surface of the aluminum substrate on which the anodized film is provided by an anodic oxidation treatment described later preferably has an aluminum purity of 99.5% by mass or more, more preferably 99.9% by mass or more. Preferably, it is 99.99 mass% or more. When the aluminum purity is within the above range, the regularity of the micropores is further improved.

また、本発明においては、アルミニウム基板のうち後述する陽極酸化処理により陽極酸化皮膜を設ける表面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましく、特に、本発明の製造方法により得られる構造体が光透過性であることを利用する用途に用いる場合は、マイクロポアが規則的に配列した領域を広くする観点から、あらかじめ熱処理が施されるのが好ましい。   In the present invention, the surface of the aluminum substrate on which the anodized film is provided by an anodic oxidation process to be described later is preferably preliminarily degreased and mirror-finished, and particularly obtained by the production method of the present invention. In the case where the structure is used for the purpose of utilizing light transparency, it is preferable to perform heat treatment in advance from the viewpoint of widening the region where the micropores are regularly arranged.

<熱処理>
熱処理は、200〜350℃で30秒〜2分程度施すのが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム基板を加熱オーブンに入れる方法等が挙げられる。
このような熱処理を施すことにより、後述する陽極酸化処理により生成するマイクロポアが規則的に配列した領域が広くなる。
また、熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水に直接投入する方法等が挙げられる。
<Heat treatment>
The heat treatment is preferably performed at 200 to 350 ° C. for about 30 seconds to 2 minutes. Specifically, for example, a method of placing an aluminum substrate in a heating oven can be used.
By performing such a heat treatment, a region in which micropores generated by an anodic oxidation process to be described later are regularly arranged becomes wide.
Moreover, it is preferable to cool the aluminum substrate after heat treatment rapidly. As a method for cooling, for example, a method of directly feeding into water can be mentioned.

<脱脂処理>
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。
<Degreasing treatment>
The degreasing treatment uses acid, alkali, organic solvent, etc. to dissolve and remove the organic components such as dust, fat, and resin adhered to the surface of the aluminum substrate, and in each treatment described later due to the organic components. This is done for the purpose of preventing the occurrence of defects.

脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール(例えば、メタノール等)、各種ケトン(例えば、メチルエチルケトン等)、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法(有機溶剤法);石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から80℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法(界面活性剤法);濃度10〜200g/Lの硫酸水溶液を常温から70℃までの温度でアルミニウム基板表面に30〜80秒間接触させ、その後、水洗する方法;濃度5〜20g/Lの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に30秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度1〜10A/dm2の直流電流を流して電解し、その後、濃度100〜500g/Lの硝酸水溶液を接触させて中和する方法;各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度1〜10A/dm2の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法;濃度10〜200g/Lのアルカリ水溶液を40〜50℃でアルミニウム基板表面に15〜60秒間接触させ、その後、濃度100〜500g/Lの硝酸水溶液を接触させて中和する方法;軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から50℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法(乳化脱脂法);炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から50℃までの温度でアルミニウム基板表面に30〜180秒間接触させ、その後、水洗する方法(リン酸塩法);等が挙げられる。 Specifically, as the degreasing treatment, for example, a method in which an organic solvent such as various alcohols (for example, methanol), various ketones (for example, methyl ethyl ketone), benzine, volatile oil or the like is brought into contact with the aluminum substrate surface at room temperature (organic Solvent method); a method of bringing a liquid containing a surfactant such as soap or neutral detergent into contact with the aluminum substrate surface at a temperature from room temperature to 80 ° C., and then washing with water (surfactant method); concentration of 10 to 200 g A method in which an aqueous solution of sulfuric acid / L is brought into contact with an aluminum substrate surface for 30 to 80 seconds at a temperature from room temperature to 70 ° C. and then washed with water; an aqueous sodium hydroxide solution having a concentration of 5 to 20 g / L is applied to the aluminum substrate surface at room temperature. while contacting about seconds, the aluminum substrate surface and the electrolyte by passing a direct current of a current density of 1 to 10 a / dm 2 in the cathode, the , A method of neutralizing by bringing a nitric acid aqueous solution having a concentration of 100 to 500 g / L into contact; while bringing various known anodizing electrolytes into contact with the aluminum substrate surface at room temperature, the aluminum substrate surface is used as a cathode and a current density of 1 to A method in which a 10 A / dm 2 direct current is applied or an alternating current is applied for electrolysis; an alkaline aqueous solution having a concentration of 10 to 200 g / L is brought into contact with the aluminum substrate surface at 40 to 50 ° C. for 15 to 60 seconds; A method of neutralizing by bringing a nitric acid aqueous solution having a concentration of 100 to 500 g / L into contact; an emulsion obtained by mixing light oil, kerosene, etc. with a surfactant, water, etc. is brought into contact with the aluminum substrate surface at a temperature from room temperature to 50 ° C. Then, a method of washing with water (emulsification and degreasing method); a mixed solution of sodium carbonate, phosphates, surfactant and the like on the surface of the aluminum substrate at a temperature from room temperature to 50 ° C. Contacting 0-180 seconds, then, a method of washing with water (phosphate method); and the like.

これらのうち、アルミニウム表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。   Among these, the organic solvent method, the surfactant method, the emulsion degreasing method, and the phosphate method are preferable from the viewpoint that the fat content on the aluminum surface can be removed while the aluminum hardly dissolves.

また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。   Moreover, a conventionally well-known degreasing agent can be used for a degreasing process. Specifically, for example, various commercially available degreasing agents can be used by a predetermined method.

<鏡面仕上げ処理>
鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸、例えば、アルミニウム基板の圧延時に発生した圧延筋等をなくして、電着法等による封孔処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。
本発明において、鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。
<Mirror finish processing>
The mirror finishing process is performed in order to eliminate unevenness on the surface of the aluminum substrate, for example, rolling streaks generated during the rolling of the aluminum substrate, and improve the uniformity and reproducibility of the sealing process by an electrodeposition method or the like.
In the present invention, the mirror finish is not particularly limited, and a conventionally known method can be used. Examples thereof include mechanical polishing, chemical polishing, and electrolytic polishing.

機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤(例えば、ダイヤ、アルミナ)とバフとを組み合わせた方法等が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる場合、使用する研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、#1500のものが好ましい。これにより、光沢度を50%以上(圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに50%以上)とすることができる。   Examples of the mechanical polishing include a method of polishing with various commercially available polishing cloths, a method of combining various commercially available abrasives (for example, diamond, alumina) and a buff. Specifically, when an abrasive is used, a method in which the abrasive used is changed from coarse particles to fine particles over time is preferably exemplified. In this case, the final polishing agent is preferably # 1500. Thereby, the glossiness can be 50% or more (in the case of rolled aluminum, both the rolling direction and the width direction are 50% or more).

化学研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」,第6版,(社)日本アルミニウム協会編,2001年,p.164−165に記載されている各種の方法等が挙げられる。
また、リン酸−硝酸法、Alupol I、Alupol V、Alcoa R5、H3PO4−CH3COOH−Cu法、H3PO4−HNO3−CH3COOH法が好適に例示される。中でも、リン酸−硝酸法、H3PO4−CH3COOH−Cu法、H3PO4−HNO3−CH3COOH法が好ましい。
化学研磨により、光沢度を70%以上(圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに70%以上)とすることができる。
As chemical polishing, for example, “Aluminum Handbook”, 6th edition, edited by Japan Aluminum Association, 2001, p. Examples thereof include various methods described in 164 to 165.
Further, phosphoric acid - nitric acid method, Alupol I, Alupol V, Alcoa R5, H 3 PO 4 -CH 3 COOH-Cu method, H 3 PO 4 -HNO 3 -CH 3 COOH method are preferably exemplified. Among these, the phosphoric acid-nitric acid method, the H 3 PO 4 —CH 3 COOH—Cu method, and the H 3 PO 4 —HNO 3 —CH 3 COOH method are preferable.
By chemical polishing, the glossiness can be made 70% or more (in the case of rolled aluminum, both the rolling direction and the width direction are 70% or more).

電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」,第6版,(社)日本アルミニウム協会編,2001年,p.164−165に記載されている各種の方法;米国特許第2708655号明細書に記載されている方法;「実務表面技術」,vol.33,No.3,1986年,p.32−38に記載されている方法;等が好適に挙げられる。
電解研磨により、光沢度を70%以上(圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに70%以上)とすることができる。
As electrolytic polishing, for example, “Aluminum Handbook”, 6th edition, edited by Japan Aluminum Association, 2001, p. 164-165; various methods described in US Pat. No. 2,708,655; “Practical Surface Technology”, vol. 33, no. 3, 1986, p. The method described in 32-38;
By electropolishing, the gloss can be 70% or more (in the case of rolled aluminum, both the rolling direction and the width direction are 70% or more).

これらの方法は、適宜組み合わせて用いることができる。具体的には、例えば、研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更する機械研磨を施し、その後、電解研磨を施す方法が好適に挙げられる。   These methods can be used in appropriate combination. Specifically, for example, a method of performing mechanical polishing in which the abrasive is changed from coarse particles to fine particles with time, and then performing electrolytic polishing is preferable.

鏡面仕上げ処理により、例えば、平均表面粗さRa0.1μm以下、光沢度50%以上の表面を得ることができる。平均表面粗さRaは、0.03μm以下であるのが好ましく、0.02μm以下であるのがより好ましい。また、光沢度は70%以上であるのが好ましく、80%以上であるのがより好ましい。
なお、光沢度は、圧延方向に垂直な方向において、JIS Z8741−1997の「方法3 60度鏡面光沢」の規定に準じて求められる正反射率である。具体的には、変角光沢度計(例えば、VG−1D、日本電色工業社製)を用いて、正反射率70%以下の場合には入反射角度60度で、正反射率70%を超える場合には入反射角度20度で、測定する。
By mirror finishing, for example, a surface having an average surface roughness R a of 0.1 μm or less and a glossiness of 50% or more can be obtained. The average surface roughness Ra is preferably 0.03 μm or less, and more preferably 0.02 μm or less. Further, the glossiness is preferably 70% or more, and more preferably 80% or more.
The glossiness is a regular reflectance obtained in accordance with JIS Z8741-1997 “Method 3 60 ° Specular Gloss” in the direction perpendicular to the rolling direction. Specifically, using a variable angle gloss meter (for example, VG-1D, manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.), when the regular reflectance is 70% or less, the incident reflection angle is 60 degrees and the regular reflectance is 70%. In the case of exceeding, the incident / reflection angle is 20 degrees.

[陽極酸化処理]
陽極酸化処理は、上記アルミニウム基板の表面に陽極酸化皮膜を形成する処理である。
本発明においては、アルミニウム基板の表面に陽極酸化処理を施す方法としては、マイクロポアを形成させる陽極酸化処理(以下、「本陽極酸化処理」ともいう。)の前に、本陽極酸化処理のマイクロポアの生成の起点となる窪みを形成させておくのが好ましい。
[Anodic oxidation treatment]
The anodizing treatment is a treatment for forming an anodized film on the surface of the aluminum substrate.
In the present invention, as the method for anodizing the surface of the aluminum substrate, the micro-layer of the present anodizing treatment is performed before the anodizing treatment for forming micropores (hereinafter also referred to as “the present anodizing treatment”). It is preferable to form a depression that is a starting point for pore generation.

<窪みの形成>
窪みを形成させる方法は、特に限定されず、例えば、陽極酸化皮膜の自己規則性を利用した自己規則化法が挙げられる。
<Formation of depression>
The method for forming the depression is not particularly limited, and examples thereof include a self-ordering method using the self-ordering property of the anodized film.

自己規則化法は、陽極酸化皮膜のマイクロポアが規則的に配列する性質を利用し、規則的な配列をかく乱する要因を取り除くことで、規則性を向上させる方法である。具体的には、高純度のアルミニウムを使用し、電解液の種類に応じた電圧で、長時間(例えば、数時間から十数時間)かけて、低速で陽極酸化皮膜を形成させ、その後、脱膜処理を行う。
この方法においては、ポア径は電圧に依存するので、電圧を制御することにより、ある程度所望のポア径を得ることができる。
The self-ordering method is a method of improving the regularity by utilizing the property that the micropores of the anodized film are regularly arranged and removing the factors that disturb the regular arrangement. Specifically, high-purity aluminum is used, and an anodized film is formed at a low speed over a long period of time (for example, several hours to several tens of hours) at a voltage corresponding to the type of electrolyte, and then removed. Perform membrane treatment.
In this method, since the pore diameter depends on the voltage, a desired pore diameter can be obtained to some extent by controlling the voltage.

自己規則化法の代表例としては、J.Electrochem.Soc.Vol.144,No.5,May 1997,p.L128(非特許文献4)、Jpn.J.Appl.Phys.Vol.35(1996)Pt.2,No.1B,L126(非特許文献5)、Appl.Phys.Lett,Vol.71,No.19,10 Nov 1997,p.2771(非特許文献6)、上記非特許文献1が知られている。具体的には、以下に示される条件で、自己規則化法を行っている。   As a representative example of the self-ordering method, J.A. Electrochem. Soc. Vol. 144, no. 5, May 1997, p. L128 (Non-Patent Document 4), Jpn. J. et al. Appl. Phys. Vol. 35 (1996) Pt. 2, no. 1B, L126 (Non-patent Document 5), Appl. Phys. Lett, Vol. 71, no. 19, 10 Nov 1997, p. 2771 (Non-Patent Document 6) and Non-Patent Document 1 are known. Specifically, the self-ordering method is performed under the conditions shown below.

0.3mol/L硫酸、0℃、27V、450分(非特許文献4)
0.3mol/L硫酸、10℃、25V、750分(非特許文献4)
0.3mol/Lシュウ酸、17℃、40V、600分;その後、ポアワイド処理(6重量%リン酸および1.8重量%クロム酸含有液、60℃、840分)(非特許文献5)
0.3mol/Lシュウ酸、17℃、40〜60V、36分;その後、ポアワイド処理(5重量%リン酸、30℃、70分)(非特許文献6)
0.04mol/Lシュウ酸、3℃、80V、膜厚3μm;その後、ポアワイド処理(5重量%リン酸、30℃、70分)(非特許文献6)
0.3mol/Lリン酸、0℃、195V、960分;その後、ポアワイド処理(10重量%リン酸、240分)(非特許文献1)
0.3 mol / L sulfuric acid, 0 ° C., 27 V, 450 minutes (non-patent document 4)
0.3 mol / L sulfuric acid, 10 ° C., 25 V, 750 minutes (Non-patent Document 4)
0.3 mol / L oxalic acid, 17 ° C., 40 V, 600 minutes; then pore-wide treatment (liquid containing 6 wt% phosphoric acid and 1.8 wt% chromic acid, 60 ° C., 840 minutes) (Non-patent Document 5)
0.3 mol / L oxalic acid, 17 ° C., 40-60 V, 36 minutes; then pore-wide treatment (5 wt% phosphoric acid, 30 ° C., 70 minutes) (Non-patent Document 6)
0.04 mol / L oxalic acid, 3 ° C., 80 V, film thickness 3 μm; then pore-wide treatment (5 wt% phosphoric acid, 30 ° C., 70 minutes) (Non-patent Document 6)
0.3 mol / L phosphoric acid, 0 ° C., 195 V, 960 minutes; then pore wide treatment (10 wt% phosphoric acid, 240 minutes) (Non-patent Document 1)

自己規則化法による陽極酸化皮膜の形成(以下、「自己規則化陽極酸化処理」という。)は、例えば、酸濃度1〜10質量%の溶液中で、アルミニウム基板を陽極として通電して行うことができる。自己規則化陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸等が挙げれ、これらを1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。中でも、リン酸、シュウ酸を用いるのが好ましい。   The formation of the anodized film by the self-ordering method (hereinafter referred to as “self-ordered anodizing treatment”) is performed, for example, in a solution having an acid concentration of 1 to 10% by mass with an aluminum substrate as an anode. Can do. Examples of the solution used for the self-ordering anodizing treatment include sulfuric acid, phosphoric acid, chromic acid, oxalic acid, sulfamic acid, benzenesulfonic acid, amidosulfonic acid and the like, and these may be used alone. More than one species may be used in combination. Of these, phosphoric acid and oxalic acid are preferably used.

自己規則化陽極酸化処理における電解液の平均流速は、0.5〜20.0m/分であるのが好ましく、1.0〜15.0m/分であるのがより好ましく、2.0〜10.0m/分であるのが特に好ましい。電解液の平均流速が上記範囲内にあると、後述する本陽極酸化処理においてマイクロポアの規則性をより向上させることができ、また、後述する本陽極酸化処理における電解液の平均流速を0.5〜20.0m/分の範囲外とすることもできる。
また、自己規則化陽極酸化処理において電解液を上記条件で流動させる方法は特に限定されないが、その具体例としては、スターラーのような一般的なかくはん装置を使用する方法等が挙げられる。特に、かくはん速度をデジタル表示でコントロールできるようなスターラーを用いると、平均流速が制御できるため好ましい。このようなかくはん装置としては、例えば「マグネティックスターラーHS−50D(AS ONE製)」等が挙げられる。
The average flow rate of the electrolytic solution in the self-ordering anodizing treatment is preferably 0.5 to 20.0 m / min, more preferably 1.0 to 15.0 m / min, and 2.0 to 10 Particularly preferred is 0.0 m / min. When the average flow rate of the electrolytic solution is within the above range, the regularity of the micropores can be further improved in the main anodizing treatment to be described later. It can also be outside the range of 5 to 20.0 m / min.
In addition, the method of flowing the electrolytic solution under the above-mentioned conditions in the self-ordering anodizing treatment is not particularly limited, but specific examples thereof include a method using a general stirring device such as a stirrer. In particular, it is preferable to use a stirrer that can control the stirring speed by digital display because the average flow velocity can be controlled. Examples of such a stirring apparatus include “Magnetic Stirrer HS-50D (manufactured by AS ONE)” and the like.

また、自己規則化陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には、電解液濃度0.1〜20質量%、液温−10〜30℃、電流密度0.01〜20A/dm2、電圧3〜300V、電解時間0.5〜30時間であるのが好ましく、電解液濃度0.5〜15質量%、液温−5〜25℃、電流密度0.05〜15A/dm2、電圧5〜250V、電解時間1〜25時間であるのがより好ましく、電解液濃度1〜10質量%、液温0〜20℃、電流密度0.1〜10A/dm2、電圧10〜200V、電解時間2〜20時間であるのが特に好ましい。 Further, the conditions of the self-ordering anodizing treatment cannot be determined unconditionally because they vary depending on the electrolytic solution used. In general, however, the electrolytic solution concentration is 0.1 to 20% by mass, and the liquid temperature is −10. ˜30 ° C., current density 0.01˜20 A / dm 2 , voltage 3˜300 V, electrolysis time 0.5˜30 hours are preferable, electrolyte concentration 0.5˜15 mass%, liquid temperature −5˜5 More preferably, the temperature is 25 ° C., the current density is 0.05 to 15 A / dm 2 , the voltage is 5 to 250 V, and the electrolysis time is 1 to 25 hours. The electrolyte concentration is 1 to 10% by mass, the liquid temperature is 0 to 20 ° C. Particularly preferred are 0.1 to 10 A / dm 2 , a voltage of 10 to 200 V, and an electrolysis time of 2 to 20 hours.

このような自己規則化法により形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、1〜300μmであることが好ましく、5〜150μmであることがより好ましく、10〜100μmであることが特に好ましい。   The film thickness of the anodized film formed by such a self-ordering method is preferably 1 to 300 μm, more preferably 5 to 150 μm, and particularly preferably 10 to 100 μm.

自己規則化法により形成される陽極酸化皮膜は、アルミニウム部分に近くなるほど規則性が高くなってくるので、一度脱膜して、アルミニウム部分に残存した陽極酸化皮膜の底部分を表面に出して、規則的な窪みを得ることができる。
そのため、脱膜処理においては、アルミニウムは溶解させず、酸化アルミニウムである陽極酸化皮膜のみを溶解させる。
具体的には、上述した非特許文献1および4〜7に記載されている方法と同様、50℃程度のクロム酸とリン酸の混合水溶液を用いて、3時間以上をかけることが好ましく、7時間以上がより好ましく、10時間以上が特に好ましい。なお、沸騰した水溶液を用いて処理すると、規則化の起点が破壊され、乱れるので、沸騰させないで用いる。
Since the anodic oxide film formed by the self-ordering method becomes more regular as it gets closer to the aluminum part, the film is removed once, and the bottom part of the anodic oxide film remaining in the aluminum part is put on the surface, Regular depressions can be obtained.
Therefore, in the film removal process, aluminum is not dissolved, but only the anodic oxide film that is aluminum oxide is dissolved.
Specifically, it is preferable to take 3 hours or more using a mixed aqueous solution of chromic acid and phosphoric acid at about 50 ° C., similarly to the methods described in Non-Patent Documents 1 and 4 to 7 described above. More preferably, the time is more than 10 hours. In addition, since the starting point of ordering will be destroyed and disturb | disturbed if it processes using the boiled aqueous solution, it uses without boiling.

このように、自己規則化法により、陽極酸化皮膜を形成させた後、これを溶解させて除去し、再度、同一の条件で後述する本陽極酸化処理を行うと、ほぼ真っ直ぐなマイクロポアが、膜面に対してほぼ垂直に形成される。   In this way, after forming the anodized film by the self-ordering method, this is dissolved and removed, and when the anodizing process described later is performed again under the same conditions, a substantially straight micropore is obtained. It is formed substantially perpendicular to the film surface.

本発明においては、自己規則化陽極酸化処理は、0.5〜30時間であるのが好ましく、1〜25時間であるのがより好ましく、2〜20時間であるのが更に好ましい。
また、脱膜処理は、0.5〜10時間であるのが好ましく、2〜10時間であるのがより好ましく、4〜10時間であるのが更に好ましい。
In the present invention, the self-ordering anodizing treatment is preferably 0.5 to 30 hours, more preferably 1 to 25 hours, and further preferably 2 to 20 hours.
The film removal treatment is preferably 0.5 to 10 hours, more preferably 2 to 10 hours, and further preferably 4 to 10 hours.

形成される窪みは、深さが約10nm以上であるのが好ましい。また、幅は、所望とするポア径の幅以下であるのが好ましい。   The depth of the depression formed is preferably about 10 nm or more. The width is preferably equal to or less than the desired pore diameter.

<本陽極酸化処理>
本発明においては、所望によりアルミニウム基板表面に窪みを形成させた後、本陽極酸化処理により、規則化度が50%以上で該規則化度のSN比が20以上となるマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成させる。
本陽極酸化処理は、電解液の平均流速を0.5〜20.0m/分、好ましくは1.0〜15.0m/分、より好ましくは2.0〜10.0m/分とする以外は、従来公知の方法を用いることができ、上述した自己規則化陽極酸化処理と同一の条件で行うのが好ましい。なお、上述したように、自己規則化陽極酸化処理における電解液の平均流速を0.5〜20.0m/分の範囲内とした場合は、本陽極酸化処理における電解液の平均流速は0.5〜20.0m/分の範囲外であってもよい。
<This anodizing treatment>
In the present invention, an anodization having micropores having a degree of ordering of 50% or more and an SN ratio of the ordering degree of 20 or more is formed by the present anodizing treatment after forming a recess on the aluminum substrate surface as desired. A film is formed.
This anodizing treatment is performed except that the average flow rate of the electrolytic solution is 0.5 to 20.0 m / min, preferably 1.0 to 15.0 m / min, and more preferably 2.0 to 10.0 m / min. A conventionally known method can be used, and it is preferable to carry out under the same conditions as the above-described self-ordering anodizing treatment. As described above, when the average flow rate of the electrolytic solution in the self-ordering anodizing treatment is set within the range of 0.5 to 20.0 m / min, the average flow rate of the electrolytic solution in the present anodizing treatment is 0. It may be outside the range of 5 to 20.0 m / min.

特に、本陽極酸化処理においては、直流電圧を一定としつつ、断続的に電流のオンおよびオフを繰り返す方法;直流電圧を断続的に変化させつつ、電流のオンおよびオフを繰り返す方法;等が好適に例示される。これらの方法によれば、陽極酸化皮膜に形成されるマイクロポアの規則化度がより向上するため好ましい。
上述した電圧を断続的に変化させる方法においては、電圧を順次低くしていくのが好ましい。これにより、陽極酸化皮膜の抵抗を下げることが可能になるため好ましい。
In particular, in the present anodizing treatment, a method of repeatedly turning on and off the current intermittently while keeping the DC voltage constant; a method of repeatedly turning on and off the current while intermittently changing the DC voltage; Is exemplified. These methods are preferable because the degree of ordering of the micropores formed on the anodized film is further improved.
In the above-described method of intermittently changing the voltage, it is preferable to decrease the voltage sequentially. This is preferable because the resistance of the anodized film can be lowered.

自己規則化陽極酸化処理および本陽極酸化処理のいずれか一方または両方における電解液の平均流速を上記範囲内とすることにより、規則化度が50%以上で該規則化度のSN比が20以上となるマイクロポアを有する陽極酸化皮膜が形成され、大面積でも均一な規則性を有するマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を有する構造体を得ることができる。
これは、マイクロポアの成長過程において、電解液がポア内部に広く、均一に浸透することができるためであると考えられる。
ここで、規則化度は、マイクロポアの規則性の指標であり、下記式(1)により定義される。
By setting the average flow rate of the electrolyte in one or both of the self-ordering anodizing treatment and the main anodizing treatment within the above range, the degree of ordering is 50% or more and the SN ratio of the ordering degree is 20 or more. A structure having an anodic oxide film having micropores having a uniform regularity even in a large area can be obtained.
This is considered to be because the electrolyte solution can penetrate into the pores widely and uniformly permeate during the micropore growth process.
Here, the degree of ordering is an index of micropore regularity, and is defined by the following formula (1).

規則化度(%)=B÷A×100 (1)
ここで、上記式(1)中、Aは、測定範囲(1〜5μm2)におけるマイクロポアの全数を表す。Bは、Aのうち、一のマイクロポアを中心とし、該一のマイクロポアに最も近い距離にある他のマイクロポアの円周が内接する円を描いた場合に、該円の内部にマイクロポア(中心が該円の内部にあるマイクロポアを含む。)を6個有することになるマイクロポアの数を表す。
Order degree (%) = B ÷ A × 100 (1)
Here, in the above formula (1), A represents the total number of micropores in the measurement range (1 to 5 μm 2 ). B is a micropore that is centered on one micropore and in which the circumference of another micropore closest to the one micropore is inscribed. This represents the number of micropores that will have six (including the micropores whose center is inside the circle).

図1は、マイクロポアの規則化度を説明するための陽極酸化皮膜表面の模式図であり、以下に図1を用いて上記式(1)中のBについて詳述する。
図1(a)に示すように、一のマイクロポア1は、該一のマイクロポア1を中心とし、該一のマイクロポア1に最も近い距離にある他のマイクロポア2の円周が内接する円3を描いた場合に、該円3の内部にマイクロポアを6個有することになるマイクロポアとなるため、Bとして数えられる。なお、マイクロポア4は、円3からはみ出す部分もあるが、中心が円3の内部にあるため、円3の内部にあるマイクロポアの数として数える。
一方、図1(b)に示すように、一のマイクロポア5は、該一のマイクロポア5を中心とし、該一のマイクロポア5に最も近い距離にある他のマイクロポア6の円周が内接する円7を描いた場合に、該円7の内部にマイクロポアを5個有することになるマイクロポアとなるため、Bとして数えられない。なお、マイクロポア8は、その中心が円7からはみ出すため、円7の内部にあるマイクロポアの数として数えない。また、一のマイクロポア9は、該一のマイクロポア9を中心とし、該一のマイクロポア9に最も近い距離にある他のマイクロポア10の円周が内接する円11を描いた場合に、該円11の内部にマイクロポアを7個有することになるマイクロポアとなるため、Bとして数えられない。
FIG. 1 is a schematic diagram of the anodized film surface for explaining the degree of ordering of micropores. Hereinafter, B in the above formula (1) will be described in detail with reference to FIG.
As shown in FIG. 1 (a), one micropore 1 is centered on the one micropore 1, and the circumference of another micropore 2 closest to the one micropore 1 is inscribed therein. When the circle 3 is drawn, it becomes a micropore that has six micropores inside the circle 3, and is counted as B. Note that the micropore 4 has a portion protruding from the circle 3, but since the center is inside the circle 3, the micropore 4 is counted as the number of micropores inside the circle 3.
On the other hand, as shown in FIG. 1B, one micropore 5 is centered on the one micropore 5 and the circumference of another micropore 6 that is the closest to the one micropore 5 is When an inscribed circle 7 is drawn, it becomes a micropore that has five micropores inside the circle 7, and therefore cannot be counted as B. Note that the micropores 8 are not counted as the number of micropores inside the circle 7 because the center of the micropores 8 protrudes from the circle 7. Further, when one micropore 9 draws a circle 11 centered on the one micropore 9 and inscribed by the circumference of another micropore 10 at the closest distance to the one micropore 9, Since it is a micropore that has seven micropores inside the circle 11, it cannot be counted as B.

本発明においては、上記規則化度のSN比は、20以上である。SN比の値が大きいほど場所による規則化度のばらつきが小さいことを示し、SN比が20以上であると、規則化度のばらつきが約3%以内となる。
ここで、SN比は、上記式(1)で定義した規則化度を測定した測定範囲を任意に少なくとも10点選び、各点における規則化度を求め、各点における規則化度をX、X、・・・、Xとし、下記式(2)で算出される。
In the present invention, the SN ratio of the degree of ordering is 20 or more. The larger the S / N ratio value, the smaller the variation in the degree of ordering depending on the location. When the S / N ratio is 20 or more, the degree of ordering variation is within about 3%.
Here, the SN ratio is arbitrarily selected from at least 10 measurement ranges in which the degree of ordering defined by the above formula (1) is measured, the degree of ordering at each point is obtained, and the degree of ordering at each point is represented by X 1 , X 2 ,..., X n are calculated by the following formula (2).

SN比=10×log(m2/σ2) (2)
ここで、上記式(2)中、mは、各点の規則化度の平均値であり、m2=((X1+X2+‥+X)/n)2で表され、σは、誤差分散であり、((X1−m)2+(X2−m)2+‥+(X−m)2)/(n−1)で表される。
SN ratio = 10 × log (m 2 / σ 2 ) (2)
Here, in the above formula (2), m is an average value of the degree of ordering at each point, and is represented by m 2 = ((X 1 + X 2 +... + X n ) / n) 2 , It is error variance and is represented by ((X 1 −m) 2 + (X 2 −m) 2 +... + (X n −m) 2 ) / (n−1).

本発明においては、本陽極酸化処理を低温で行うと、マイクロポアの規則性をより向上させ、ポア径を均一にすることができる。   In the present invention, when the anodizing treatment is performed at a low temperature, the regularity of the micropores can be further improved and the pore diameter can be made uniform.

本陽極酸化処理により形成する陽極酸化皮膜の膜厚は、ポア径の0.5〜10倍であるのが好ましく、1〜8倍であるのがより好ましく、1〜5倍であるのが更に好ましい。
また、マイクロポアの平均ポア密度は50〜1500個/μm2であるのが好ましい。
更に、マイクロポアの占める面積率は、20〜50%であるのが好ましい。
マイクロポアの占める面積率は、アルミニウム表面の面積に対するマイクロポアの開口部の面積の合計の割合である。マイクロポアの占める面積率の算出においては、マイクロポアには、金属により充填されているものもいないものも含まれる。具体的には、封孔処理前に表面空隙率を測定して求められる。
The film thickness of the anodized film formed by this anodizing treatment is preferably 0.5 to 10 times the pore diameter, more preferably 1 to 8 times, and further preferably 1 to 5 times. preferable.
The average pore density of the micropores is preferably 50-1500 / μm 2 .
Further, the area ratio occupied by the micropores is preferably 20 to 50%.
The area ratio occupied by the micropore is a ratio of the total area of the opening of the micropore to the area of the aluminum surface. In the calculation of the area ratio occupied by the micropores, the micropores include those that are not filled with metal and those that are not filled with metal. Specifically, it is obtained by measuring the surface porosity before the sealing treatment.

<ポアワイド処理>
本発明においては、本陽極酸化処理後、必要に応じて、アルミニウム部材を酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸せきさせることにより、陽極酸化皮膜を溶解させ、マイクロポアのポア径を拡大するポアワイド処理を施すのが好ましい。
これにより、マイクロポアの規則性をより向上させ、ポア径のばらつきを制御することが容易となる。また、陽極酸化皮膜のマイクロポアの底部分のバリヤー皮膜を溶解させることにより、マイクロポア内部に選択的に電着させることおよびポア径のばらつきをやや大きくすることが可能となる。
<Pore wide processing>
In the present invention, after this anodizing treatment, if necessary, the aluminum member is immersed in an aqueous acid solution or an aqueous alkaline solution to dissolve the anodized film and perform pore-wide treatment for expanding the pore diameter of the micropore. Is preferred.
As a result, the regularity of the micropores can be further improved, and the pore diameter variation can be easily controlled. Further, by dissolving the barrier film at the bottom of the micropores of the anodized film, it is possible to selectively deposit the inside of the micropores and to slightly increase the pore diameter variation.

ポアワイド処理に酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。酸水溶液の濃度は1〜10質量%であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、25〜40℃であるのが好ましい。
ポアワイド処理にアルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は0.1〜5質量%であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、20〜35℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、50g/L、40℃のリン酸水溶液、0.5g/L、30℃の水酸化ナトリウム水溶液または0.5g/L、30℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、8〜60分であるのが好ましく、10〜50分であるのがより好ましく、15〜30分であるのが更に好ましい。
When an aqueous acid solution is used for the pore wide treatment, it is preferable to use an aqueous solution of an inorganic acid such as sulfuric acid, phosphoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, or a mixture thereof. The concentration of the acid aqueous solution is preferably 1 to 10% by mass. The temperature of the acid aqueous solution is preferably 25 to 40 ° C.
When an alkaline aqueous solution is used for the pore-wide treatment, it is preferable to use an aqueous solution of at least one alkali selected from the group consisting of sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide. The concentration of the alkaline aqueous solution is preferably 0.1 to 5% by mass. The temperature of the alkaline aqueous solution is preferably 20 to 35 ° C.
Specifically, for example, 50 g / L, 40 ° C. phosphoric acid aqueous solution, 0.5 g / L, 30 ° C. sodium hydroxide aqueous solution or 0.5 g / L, 30 ° C. potassium hydroxide aqueous solution is preferably used. .
The immersion time in the acid aqueous solution or the alkali aqueous solution is preferably 8 to 60 minutes, more preferably 10 to 50 minutes, and further preferably 15 to 30 minutes.

<その他の処理>
また、必要に応じて、その他の処理を施すことができる。
例えば、本発明の製造方法で得られた構造体を試料台にして、水溶液を垂らして膜状にしたい場合には、水との接触角を小さくするために、親水化処理を施してもよい。親水化処理は、従来公知の方法により施すことができる。
また、本発明の製造方法で得られた構造体を試料台にして、酸で変性し、または分解されるタンパク質を対象とする場合には、陽極酸化処理に用いられ、アルミニウム表面に残留している酸を中和するために、中和処理を施してもよい。中和処理は、従来公知の方法により施すことができる。
<Other processing>
Further, other processes can be performed as necessary.
For example, when the structure obtained by the production method of the present invention is used as a sample stage and it is desired to form a film by hanging an aqueous solution, a hydrophilization treatment may be performed in order to reduce the contact angle with water. . The hydrophilic treatment can be performed by a conventionally known method.
In addition, when the structure obtained by the production method of the present invention is used as a sample stage and targeted for a protein that is denatured with acid or decomposed, it is used for anodizing treatment and remains on the aluminum surface. In order to neutralize the acid, neutralization treatment may be performed. The neutralization treatment can be performed by a conventionally known method.

本発明の第2の態様に係る構造体(以下、「本発明の構造体」ともいう。)は、上述した本発明の製造方法により得られる構造体であって、規則化度が50%以上で該規則化度のSN比が20以上となるマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を有するアルミニウム部材を少なくとも一部に有する構造体である。
このような構造体は、大面積でも均一な規則性を有するマイクロポアを有するため、種々の用途に応用することができる。
例えば、封孔処理により、複数の窪みまたはマイクロポアに金属を充填することにより、ラマン分光分析用試料台等として用いることができる。
また、ナノプリント用金型として用いることができる。
The structure according to the second aspect of the present invention (hereinafter also referred to as “the structure of the present invention”) is a structure obtained by the production method of the present invention described above, and has a degree of ordering of 50% or more. The structure having at least a part of an aluminum member having an anodized film having micropores with an S / N ratio of 20 or more.
Since such a structure has micropores having uniform regularity even in a large area, it can be applied to various applications.
For example, it can be used as a sample table for Raman spectroscopic analysis by filling a plurality of depressions or micropores with metal by a sealing treatment.
It can also be used as a nanoprint mold.

以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
(実施例1〜31および比較例1〜4)
1.構造体の作製
第1表に示されるように、基板に、鏡面仕上げ処理、窪みの形成、本陽極酸化処理およびポアワイド処理を順次施して、各構造体を得た。なお、第1表中、「−」は該当する処理を施していないことを示す。
The present invention will be specifically described below with reference to examples. However, the present invention is not limited to these.
(Examples 1-31 and Comparative Examples 1-4)
1. Production of Structure As shown in Table 1, each structure was obtained by subjecting the substrate to a mirror finishing process, formation of a dent, this anodizing process and a pore-wide process in order. In Table 1, “-” indicates that the corresponding processing is not performed.

Figure 2007204802
Figure 2007204802

以下、基板および各処理について説明する。   Hereinafter, the substrate and each process will be described.

(1)基板
構造体の作製に用いた基板は、以下のとおりである。これらを10cm四方の面積で陽極酸化処理できるようカットして使用した。
・基板1:高純度アルミニウム、和光純薬工業社製、純度99.99質量%、厚さ0.4mm
・基板2:表面層Aを設けたアルミニウムJIS A1050材、日本軽金属社製、純度99.5質量%、厚さ0.24mm
・基板3:表面層Bを設けたアルミニウムJIS A1050材、日本軽金属社製、純度99.5質量%、厚さ0.24mm
・基板4:アルミニウムJIS A1050材、日本軽金属社製、純度99.5質量%、厚さ0.30mm
・基板5:表面層Cを設けたアルミニウムJIS A1050材、日本軽金属社製、純度99.5質量%、厚さ0.30mm
・基板6:表面層Dを設けたアルミニウムJIS A1050材、日本軽金属社製、純度99.5質量%、厚さ0.30mm
(1) Substrate The substrates used for manufacturing the structure are as follows. These were cut and used so that they could be anodized in an area of 10 cm square.
-Substrate 1: High-purity aluminum, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., purity 99.99 mass%, thickness 0.4 mm
-Substrate 2: Aluminum JIS A1050 material provided with surface layer A, manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd., purity 99.5% by mass, thickness 0.24 mm
-Substrate 3: Aluminum JIS A1050 material provided with surface layer B, manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd., purity 99.5% by mass, thickness 0.24 mm
-Substrate 4: Aluminum JIS A1050 material, manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd., purity 99.5% by mass, thickness 0.30 mm
-Substrate 5: Aluminum JIS A1050 material provided with a surface layer C, manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd., purity 99.5% by mass, thickness 0.30 mm
-Substrate 6: Aluminum JIS A1050 material provided with a surface layer D, manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd., purity 99.5% by mass, thickness 0.30 mm

・基板7:アルミニウム蒸着フィルム、トレファンAT80、東レ社製、純度99.9質量%、厚さ0.02mm
・基板8:表面層Aを設けたアルミニウムXL無処理材、住友軽金属工業社製、純度99.3質量%、厚さ0.30mm
・基板9:表面層Eを設けたガラス、アズワン社製、純度99.9質量%、厚さ5mm
・基板10:表面層Eを設けたシリコンウエハー、信越化学工業社製、純度99.99質量%以上
・基板11:表面層Eを設けた合成石英、VIOSIL−SG−2B、信越化学工業社製、純度99.99質量%以上、厚さ0.6mm
・基板12:表面層Eを設けた銅張積層板(RAS33S42、信越化学工業社製、純度不明、厚さ0.08mm)の表面にAl−Cu合金膜をスパッタリング法により設けたもの
-Substrate 7: Aluminum vapor deposition film, Trefan AT80, manufactured by Toray Industries, Inc., purity 99.9% by mass, thickness 0.02 mm
-Substrate 8: Aluminum XL untreated material provided with surface layer A, manufactured by Sumitomo Light Metal Industries, Ltd., purity 99.3 mass%, thickness 0.30 mm
-Substrate 9: Glass provided with surface layer E, manufactured by AS ONE, purity 99.9% by mass, thickness 5 mm
-Substrate 10: Silicon wafer provided with surface layer E, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., purity 99.99% by mass or more-Substrate 11: Synthetic quartz provided with surface layer E, VIOSIL-SG-2B, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Purity 99.99% by mass or more, thickness 0.6mm
-Substrate 12: A copper-clad laminate (RAS33S42, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., purity unknown, thickness 0.08 mm) provided with a surface layer E provided with an Al-Cu alloy film by sputtering.

なお、上記アルミニウムJIS A1050材は、縦方向の正反射率40%(標準偏差10%)、横方向の正反射率15%(標準偏差10%)、純度99.5質量%(標準偏差0.1質量%)であった。
また、上記アルミニウムXL無処理材は、縦方向の正反射率85%(標準偏差5%)、横方向の正反射率83%(標準偏差5%)、純度99.3質量%(標準偏差0.1質量%)であった。
The aluminum JIS A1050 material has a regular reflectance of 40% in the vertical direction (standard deviation of 10%), a regular reflectance of 15% in the lateral direction (standard deviation of 10%), and a purity of 99.5% by mass (standard deviation of 0.1%). 1% by mass).
Further, the above-mentioned aluminum XL non-treated material has a vertical regular reflectance of 85% (standard deviation of 5%), a horizontal regular reflectance of 83% (standard deviation of 5%), and a purity of 99.3% by mass (standard deviation of 0). .1% by mass).

また、上記表面層A〜Eは、以下のように設けた。
表面層Aは、到達圧力:4×10-6Pa、蒸着電流:40A、基板:150℃加熱、蒸着材料:純度99.9質量%のアルミニウム線(ニラコ社製)の条件で、真空蒸着法により、基板上に形成した。表面層Aの厚さは、0.2μmであった。
表面層Bは、蒸着材料として純度99.99質量%のアルミニウム線(ニラコ社製)を用いた以外は、表面層Aと同様の方法により形成した。表面層Bの厚さは、0.2μmであった。
表面層Cは、到達圧力:4×10-6Pa、スパッタ圧力:10-2Pa、アルゴン流量:20sccm、基板:150℃制御(冷却有り)、バイアス:なし、スパッタ電源:RC、スパッタ電力:RF400W、スパッタ材料:純度99.9質量%の3Nバッキングプレート(協同インターナショナル社製)の条件で、スパッタリング法により、基板上に形成した。表面層Cの厚さは、0.5μmであった。
表面層Dは、スパッタ材料として純度99.99質量%の4Nバッキングプレート(協同インターナショナル社製)を用いた以外は、表面層Cと同様の方法により形成した。表面層Dの厚さは、0.5μmであった。
表面層Eは、厚さを1μmとした以外は、表面層Aと同様の方法により、形成された。
The surface layers A to E were provided as follows.
Surface layer A is a vacuum deposition method under the conditions of ultimate pressure: 4 × 10 −6 Pa, deposition current: 40 A, substrate: 150 ° C. heating, deposition material: aluminum wire with purity of 99.9% by mass (manufactured by Niraco) Was formed on the substrate. The thickness of the surface layer A was 0.2 μm.
The surface layer B was formed by the same method as the surface layer A, except that an aluminum wire (manufactured by Nilaco) having a purity of 99.99% by mass was used as the vapor deposition material. The thickness of the surface layer B was 0.2 μm.
Surface layer C has ultimate pressure: 4 × 10 −6 Pa, sputtering pressure: 10 −2 Pa, argon flow rate: 20 sccm, substrate: 150 ° C. control (with cooling), bias: none, sputtering power source: RC, sputtering power: RF400W, sputtering material: It was formed on the substrate by a sputtering method under the condition of a 3N backing plate (manufactured by Kyodo International Co., Ltd.) having a purity of 99.9% by mass. The thickness of the surface layer C was 0.5 μm.
The surface layer D was formed by the same method as the surface layer C except that a 4N backing plate (manufactured by Kyodo International Co., Ltd.) having a purity of 99.99% by mass was used as the sputtering material. The thickness of the surface layer D was 0.5 μm.
The surface layer E was formed by the same method as the surface layer A, except that the thickness was 1 μm.

なお、表面層の厚さは、PET基板にマスキングを施して、上記と同様の条件で、真空蒸着法およびスパッタリング法を時間を変化させて行い、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)でそれぞれの膜厚を測定することにより得られた時間と膜厚との相関検量線を用い、時間を調整することにより、調整した。
また、表面層の純度は、走査型X線光電子分光分析装置(Quantum 2000、アルバック・ファイ社製)を用いて、エッチング用イオン銃で深さ方向に掘りながら全定量分析を行い、異種金属元素の含有率を検量線法によって定量して求めた。その結果、いずれの表面層も、蒸着材料またはスパッタ材料の純度とほぼ同一の純度であった。
The thickness of the surface layer is determined by masking the PET substrate, performing the vacuum deposition method and the sputtering method while changing the time under the same conditions as described above, and using an atomic force microscope (AFM). It adjusted by adjusting time using the correlation calibration curve of the time and film thickness obtained by measuring each film thickness.
In addition, the purity of the surface layer was determined using a scanning X-ray photoelectron spectrometer (Quantum 2000, manufactured by ULVAC-PHI) to perform a full quantitative analysis while digging in the depth direction with an ion gun for etching. The content of was quantified by a calibration curve method. As a result, all the surface layers had substantially the same purity as the vapor deposition material or the sputtering material.

(2)鏡面仕上げ処理
上記基板1〜12のうち、基板1〜6については、以下の鏡面仕上げ処理を施した。
<鏡面仕上げ処理>
研磨布を用いた研磨、バフ研磨および電解研磨をこの順に行うことにより、鏡面仕上げ処理を施した。バフ研磨後には水洗を行った。
研磨布を用いた研磨は、研磨盤(Struers Abramin、丸本工業社製)および耐水研磨布(市販品)を用い、耐水研磨布の番手を#200、#500、#800、#1000および#1500の順に変更しつつ行った。
バフ研磨は、スラリー状研磨剤(FM No.3(平均粒径1μm)およびFM No.4(平均粒径0.3μm)、いずれもフジミインコーポレーテッド社製)を用いて行った。
電解研磨は、下記組成の電解液(温度70℃)を用いて、陽極を基板、陰極をカーボン電極とし、130mA/cm2の定電流で、2分間行った。電源としては、GP0110−30R(高砂製作所社製)を用いた。
(2) Mirror surface finishing process About the board | substrates 1-6 among the said substrates 1-12, the following mirror surface finishing processes were performed.
<Mirror finish processing>
By performing polishing using a polishing cloth, buffing and electrolytic polishing in this order, a mirror finish was applied. After buffing, it was washed with water.
Polishing using a polishing cloth uses a polishing disk (Struers Abramin, manufactured by Marumoto Kogyo Co., Ltd.) and a water-resistant polishing cloth (commercially available), and the number of the water-resistant polishing cloth is # 200, # 500, # 800, # 1000 and # The change was made in the order of 1500.
The buffing was performed using a slurry-like abrasive (FM No. 3 (average particle size 1 μm) and FM No. 4 (average particle size 0.3 μm), both manufactured by Fujimi Incorporated).
The electrolytic polishing was performed for 2 minutes using an electrolytic solution (temperature: 70 ° C.) having the following composition, using the anode as a substrate and the cathode as a carbon electrode at a constant current of 130 mA / cm 2 . As a power source, GP0110-30R (manufactured by Takasago Seisakusho) was used.

<電解液組成>
・85質量%リン酸(和光純薬社製試薬) 660mL
・純水 160mL
・硫酸 150mL
・エチレングリコール 30mL
<Electrolyte composition>
-660 mL of 85% by mass phosphoric acid (reagent manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
・ Pure water 160mL
・ Sulfuric acid 150mL
・ Ethylene glycol 30mL

(3)窪みの形成
鏡面仕上げを施した基板1〜6および鏡面仕上げを施していない基板7〜12の表面に、下記方法により、マイクロポア形成の開始点となる窪みを形成させた。
(3) Formation of a depression A depression serving as a starting point for forming micropores was formed on the surfaces of the substrates 1 to 6 subjected to mirror finishing and the surfaces of the substrates 7 to 12 not subjected to mirror finishing by the following method.

まず、第2表に示される電解液の種類、濃度および電解液の流速、温度、電圧、電流密度ならびに処理時間で、自己規則化陽極酸化処理を行い、第2表に示される膜厚の陽極酸化皮膜を形成させた。自己規則化陽極酸化処理においては、冷却装置としてNeoCool BD36(ヤマト科学社製)、かくはん加温装置としてペアスターラー PS−100(EYELA社製)、電源としてGP0650−2R(高砂製作所社製)を用いた。また電解液の流速は渦式フローモニターFLM22−10PCW(AS ONE製)を用いて計測した。   First, self-ordered anodizing treatment was performed at the electrolytic solution type, concentration, electrolytic solution flow rate, temperature, voltage, current density, and processing time shown in Table 2, and the film thickness shown in Table 2 was obtained. An oxide film was formed. In the self-ordering anodizing treatment, NeoCool BD36 (manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd.) is used as a cooling device, Pear Stirrer PS-100 (manufactured by EYELA) is used as a stirring and heating device, and GP0650-2R (manufactured by Takasago Seisakusho) is used as a power source. It was. The flow rate of the electrolyte was measured using a vortex flow monitor FLM22-10PCW (manufactured by AS ONE).

Figure 2007204802
Figure 2007204802

表2中、リン酸、シュウ酸および硫酸は、いずれも関東化学社製の試薬を用いた。電流密度は安定時の値を示した。   In Table 2, for phosphoric acid, oxalic acid, and sulfuric acid, all reagents manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd. were used. The current density showed a stable value.

次いで、第3表に示される条件で、陽極酸化皮膜が形成された基板を処理液に浸せきさせて、陽極酸化皮膜を溶解させる脱膜処理を行った。   Next, film removal treatment was performed by immersing the substrate on which the anodized film was formed in the treatment liquid under the conditions shown in Table 3 to dissolve the anodized film.

Figure 2007204802
Figure 2007204802

第3表中、85質量%リン酸および無水クロム酸は、いずれも関東化学社製の試薬を用いた。なお、条件53および56に用いた処理液は、JIS H8688(1998)−H8688に規定されている組成である。   In Table 3, as for 85 mass% phosphoric acid and chromic anhydride, reagents manufactured by Kanto Chemical Co., Inc. were used. In addition, the process liquid used for conditions 53 and 56 is a composition prescribed | regulated to JISH8688 (1998) -H8688.

(4)本陽極酸化処理
窪みを形成させた基板に本陽極酸化処理を施した。本陽極酸化処理は、電解液中に基板を浸漬させ、第4表に示される電解液の種類、濃度および温度ならびに1回目の電圧の各条件(71〜80)から選択されるいずれかの条件で、1回または複数回、電解処理を施すことにより行った。
電解処理を複数回行う場合は、1回目は、定電圧の初期設定値V0に到達したら電解を中断し、2回目は、定電圧の初期設定値0.9×V0[V]に到達したら電解を中断し、3回目は、定電圧の初期設定値0.8×V0[V]に到達したら電解を中断するというように、n回目は、定電圧の初期設定値{1−0.1×(n−1)}×V0に到達したら電解を中断することを複数回繰り返した。
また、陽極酸化皮膜の膜厚を上記と同様の方法により測定し、増加分を第4表に示した。
(4) Main anodizing treatment The main anodizing treatment was applied to the substrate on which the depressions were formed. In this anodizing treatment, the substrate is immersed in the electrolytic solution, and any one of conditions (71 to 80) selected from the conditions (71 to 80) of the type, concentration and temperature of the electrolytic solution and the first voltage shown in Table 4 Then, the electrolytic treatment was performed once or a plurality of times.
When the electrolytic treatment is performed a plurality of times, the electrolysis is interrupted when the initial value V 0 of the constant voltage is reached for the first time, and the initial set value 0.9 × V 0 [V] of the constant voltage is reached the second time. Then, the electrolysis is interrupted, and the third time, the electrolysis is interrupted when the constant voltage initial setting value 0.8 × V 0 [V] is reached. The nth time, the constant voltage initial setting value {1-0 .1 × (n−1)} × V 0 was repeated several times to stop electrolysis.
Further, the thickness of the anodized film was measured by the same method as described above, and the increment was shown in Table 4.

Figure 2007204802
Figure 2007204802

(5)ポアワイド処理
ポアワイド処理は、基板を、第5表に示される種類、濃度および温度の処理液中に、第1表に示される時間浸せきさせることにより行った。
(5) Pore-wide treatment The pore-wide treatment was performed by immersing the substrate in a treatment solution of the type, concentration and temperature shown in Table 5 for the time shown in Table 1.

Figure 2007204802
Figure 2007204802

2.構造体の性状
(1)規則化度
上記で得られた構造体について、FE−SEMにより表面写真を撮り、上記式(1)に従い、マイクロポアの規則化度を測定した。結果を第6表に示す。なお、実施例においては、測定範囲1μm2で規則化度(%)を算出した。
2. Properties of Structure (1) Degree of Ordering About the structure obtained above, a surface photograph was taken by FE-SEM, and the degree of ordering of micropores was measured according to the above formula (1). The results are shown in Table 6. In the examples, the degree of ordering (%) was calculated in the measurement range of 1 μm 2 .

(2)SN比
上記で得られた構造体について、マイクロポアの規則化度のSN比を算出した。SN比は、10cm四方の構造体の表面から無作為に10点の測定範囲を選び、各点において規則化度を測定し、その平均値であるmを求め、上記式(2)に従い算出した。結果を第6表に示す。
(2) SN ratio The SN ratio of the degree of ordering of micropores was calculated for the structure obtained above. The S / N ratio was calculated according to the above formula (2) by selecting a measurement range of 10 points randomly from the surface of the 10 cm square structure, measuring the degree of ordering at each point, obtaining m as an average value thereof. . The results are shown in Table 6.

3.大面積処理
処理する支持体の大きさを50cm四方にした以外は実施例1および比較例1と同様の方法で得られた構造体をそれぞれ実施例31、比較例4とし、同様に評価した。結果を第6表に示す。
3. Large-area treatment The structures obtained by the same method as in Example 1 and Comparative Example 1 except that the size of the support to be treated was 50 cm square were evaluated as Example 31 and Comparative Example 4 respectively. The results are shown in Table 6.

Figure 2007204802
Figure 2007204802

第6表から明らかなように、電解液の平均流速が0.5〜20.0m/分となる条件で陽極酸化処理を施し、規則化度が50%以上で該規則化度のSN比が20以上となるマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化処理工程を具備する製造方法により得た本発明の構造体は、大面積でも均一な規則性を有するマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を有する構造体となることが分かった。   As is apparent from Table 6, the anodizing treatment was performed under the condition that the average flow rate of the electrolytic solution was 0.5 to 20.0 m / min, and the SN ratio of the degree of ordering was 50% or more. The structure of the present invention obtained by a manufacturing method comprising an anodizing treatment step for forming an anodic oxide film having micropores of 20 or more has an anodic oxide film having micropores having uniform regularity even in a large area. It turned out that it becomes a structure which has.

図1は、マイクロポアの規則化度を説明するための陽極酸化皮膜表面の模式図である。FIG. 1 is a schematic view of the anodized film surface for explaining the degree of ordering of micropores.

符号の説明Explanation of symbols

1、5、9 一のマイクロポア
2、6、10 他のマイクロポア
3、7、11 円
4、8 マイクロポア
1, 5, 9 One micropore 2, 6, 10 Other micropore 3, 7, 11 yen 4,8 Micropore

Claims (2)

アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に存在し、規則化度が50%以上で該規則化度のSN比が20以上となるマイクロポアを有する陽極酸化皮膜と、を有するアルミニウム部材を少なくとも一部に有する構造体を得る構造体の製造方法であって、
前記アルミニウム基板の表面に、電解液の平均流速が0.5〜20.0m/分となる条件で陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を具備する、構造体の製造方法。
At least a part of an aluminum member having an aluminum substrate and an anodized film having micropores present on the surface of the aluminum substrate and having a degree of ordering of 50% or more and an SN ratio of the ordering degree of 20 or more A structure manufacturing method for obtaining a structure having
The manufacturing method of a structure which comprises the anodizing process process which anodizes on the conditions which the average flow velocity of electrolyte solution will be 0.5-20.0 m / min on the surface of the said aluminum substrate.
請求項1に記載の構造体の製造方法により得られる構造体。   A structure obtained by the method for producing a structure according to claim 1.
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