JP2007201241A - Circuit board and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、回路基板及び半導体装置に関し、とくに半導体装置の実装効率を向上するための技術に関する。 The present invention relates to a circuit board and a semiconductor device, and more particularly to a technique for improving the mounting efficiency of the semiconductor device.
近年、機器の小型化や多機能化に伴い、半導体装置には実装効率のより一層の向上が求められるようになってきている。このため、半導体チップの基板への実装に際しては、回路基板の面積を変えずによりサイズの大きな半導体チップを搭載することが要求されている。
ここで半導体チップ側に設けられた電極パッドと回路基板上に設けられたボンディングパッドとをワイヤーボンディングにより接続するタイプの半導体装置において、回路基板によりサイズの大きな半導体チップを搭載しようとした場合、半導体チップとボンディングパッドとの間隔を狭くせざるを得ない。このため、半導体チップの基板への接合に用いられる液状(ペースト状)の接着剤が半導体チップの周囲に流出し、ボンディングパッド表面の汚染やボンディングワイヤーの接合不良、ボンディングパッド間のショートといった問題を生じやすくなる。 Here, in a semiconductor device of a type in which an electrode pad provided on the semiconductor chip side and a bonding pad provided on the circuit board are connected by wire bonding, when a semiconductor chip having a large size is to be mounted on the circuit board, the semiconductor The distance between the chip and the bonding pad must be narrowed. For this reason, the liquid (paste-like) adhesive used to bond the semiconductor chip to the substrate flows out around the semiconductor chip, causing problems such as contamination of the bonding pad surface, bonding wire bonding failure, and shorting between bonding pads. It tends to occur.
このような接着剤の流出による問題を防ぐため、例えば、特許文献1に記載の技術では、半導体素子が実装される領域を囲むようにダイパッドの表面の周辺部に溝を設け、半導体素子をロウ剤によってダイパッドに実装する際、広がったロウ剤の流出を上記溝により阻止するようにしている。 In order to prevent such a problem due to the outflow of the adhesive, for example, in the technique described in Patent Document 1, a groove is provided in the peripheral portion of the surface of the die pad so as to surround the region where the semiconductor element is mounted, and the semiconductor element is soldered. When the solder is mounted on the die pad by the agent, the spread of the spreading agent is prevented by the groove.
しかしながら、特許文献1に記載の技術では、その製造に際し溝を形成するためのプロセスが別途必要となり製造工程が複雑化してしまう。また、溝を設けることで回路基板に搭載可能な半導体チップのサイズが制約を受けることになる。 However, the technique described in Patent Document 1 requires a separate process for forming a groove in the manufacture thereof, and the manufacturing process becomes complicated. In addition, the provision of the groove restricts the size of the semiconductor chip that can be mounted on the circuit board.
またボンディングパッドが設けられている面とは逆の面に形成されている裏面電極とを電気的に接続する貫通孔が形成されている回路基板の場合、貫通孔の部分にボンディングワイヤーを接合するとボンディングパッド表面の凹凸により接合不良を生じやすくなるため、ワイヤーボンディングは貫通孔が設けられている部分を避けて行う必要がある。また、ボンディングパッドの剥離を防ぐため、ボンディングパッドの断面は回路基板の端面になるべく露出させないようにする必要もある。さらに、ボンディングワイヤーの接合位置が回路基板の端面に近すぎると、ダイシング時におけるボンディングワイヤーの切断や、接合部の脆弱化といった問題を生じるため、ボンディングワイヤー回路基板の端面からなるべく離間させた位置でボンディングパッドに接合する必要もある。 In addition, in the case of a circuit board having a through hole that electrically connects a back electrode formed on the surface opposite to the surface on which the bonding pad is provided, a bonding wire is bonded to the through hole portion. Since bonding defects easily occur due to unevenness on the surface of the bonding pad, it is necessary to perform wire bonding while avoiding portions where through holes are provided. In order to prevent the bonding pad from peeling off, it is necessary to prevent the cross section of the bonding pad from being exposed to the end face of the circuit board as much as possible. Furthermore, if the bonding position of the bonding wire is too close to the end face of the circuit board, problems such as cutting of the bonding wire at the time of dicing and weakening of the bonding section will occur, so at a position as far as possible from the end face of the bonding wire circuit board. It is also necessary to bond to the bonding pad.
本発明は以上のような観点に基づいてなされたもので、半導体装置の実装効率を向上することが可能な回路基板及び半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made based on the above viewpoint, and an object thereof is to provide a circuit board and a semiconductor device capable of improving the mounting efficiency of the semiconductor device.
上記目的を達成するための本発明のうちの主たる発明は、半導体チップが搭載される回路基板であって、当該回路基板の端面に開口し当該回路基板を貫通して形成される貫通孔と、前記半導体チップが搭載される領域の周囲に設けられ、当該回路基板の端面に接するとともに前記貫通孔を塞ぐように設けられた第1の領域と、当該回路基板の端面に接することなく前記半導体チップの外形に沿って延出する、前記第1の領域に連続する第2の領域と、を有して形成される前記半導体チップの電極と電気的に接続するためのボンディングパッドと、を備えることとする。 A main invention of the present invention for achieving the above object is a circuit board on which a semiconductor chip is mounted, and has a through-hole formed at an end surface of the circuit board and penetrating the circuit board. A first region provided around the region where the semiconductor chip is mounted, contacting the end surface of the circuit board and closing the through-hole, and the semiconductor chip without contacting the end surface of the circuit substrate A bonding pad for electrically connecting to the electrode of the semiconductor chip formed to have a second region extending along the outer shape of the semiconductor chip and continuing to the first region. And
このように、ボンディングパッドの回路基板の端面に接する部分を第1の領域のみとすることで、ボンディングパッドの回路基板の端面に露出する部分が必要最小限となり、ボンディングパッドの剥がれやボンディングワイヤーの切断などの問題を防ぐことができる。また製造時における貫通孔の穿孔状態によっては、第1の領域にボンディングワイヤーを接合するための領域が充分に確保できない場合があるが、本発明の場合、第2の領域にボンディングワイヤーを接合することができるため、貫通孔の穿孔状態にかかわらずボンディングワイヤーを接合するための領域を確実に確保することができる。またボンディングワイヤーを第2の領域に接合するようにすることで、貫通孔の直上にボンディングワイヤーを接合する必要もなくなり、ボンディングワイヤーをボンディングパッドに確実に接合することができる。 In this way, the portion of the bonding pad that contacts the end surface of the circuit board is only the first region, so that the portion of the bonding pad that is exposed to the end surface of the circuit board is minimized, and the bonding pad is peeled off and the bonding wire is removed. Problems such as disconnection can be prevented. Further, depending on the state of drilling of the through hole at the time of manufacture, there may be a case where a sufficient area for bonding the bonding wire cannot be secured in the first area. In the present invention, the bonding wire is bonded to the second area. Therefore, the region for bonding the bonding wire can be surely ensured regardless of the drilled state of the through hole. Further, by bonding the bonding wire to the second region, it is not necessary to bond the bonding wire directly above the through hole, and the bonding wire can be reliably bonded to the bonding pad.
本発明によれば、半導体装置の実装効率を向上することができる。 According to the present invention, the mounting efficiency of a semiconductor device can be improved.
以下、本発明の一実施形態につき詳細に説明する。図1A乃至図1Cに本発明の一実施形態として説明する半導体装置1の構成を示している。このうち図1Aは半導体装置1の表面側斜視図であり、図1Bは半導体装置1の下面側斜視図である。また図1Cは半導体装置1の側面図である。これらの図に示すように、半導体装置1は略正方形状の扁平な回路基板11と、回路基板11の表面2に搭載される電子デバイスである扁平直方体状の半導体チップ12(ベアチップ)とを含んで構成されている。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail. 1A to 1C show a configuration of a semiconductor device 1 described as an embodiment of the present invention. 1A is a perspective view of the front surface side of the semiconductor device 1, and FIG. 1B is a perspective view of the lower surface side of the semiconductor device 1. FIG. 1C is a side view of the semiconductor device 1. As shown in these drawings, the semiconductor device 1 includes a substantially square
半導体チップ12が搭載される回路基板11は、エポキシやポリエステル、ポリイミド等の樹脂を素材とするリジッド配線基板又はフレキシブル基板(FPC)等の有機基板である。なお、本発明は回路基板11がセラミック配線基板や金属配線基板などの無機基板である場合にも適用することができる。また本実施形態で説明する回路基板11は単層構造であるものとするが、回路基板11は多層構造であってもよい。
The
回路基板11の表面2には、回路基板11の端面112に沿って複数のボンディングパッド111が形成されている。ボンディングパッド111は、例えば、Ni/Au等の導体を無電解メッキ又は電解メッキすることにより形成されている。
A plurality of
回路基板11の端面112には、端面112に開口する貫通孔113(Via Hall)が形成されている。図2に貫通孔113の周辺部分の拡大斜視図を示している。同図に示すように、貫通孔113の断面は、回路基板11の端面112から所定長さの直線部分を有する扁平略半円状(長孔状)である。なお、貫通孔113の内側面には、Au/Ni等の導電体によるメッキが施されており、これによりボンディングパッド111は回路基板11の裏面3に形成された裏面電極114に電気的に接続されている。
A through hole 113 (Via Hall) that opens to the
図3Aに回路基板11の平面図を示している。同図に示すように、回路基板11の中央には、搭載される半導体チップ12の平面形状に合わせた形のダイパッド115が設けられている。
FIG. 3A shows a plan view of the
ボンディングパッド111はダイパッド115の周囲に設けられている。同図に示すように、ボンディングパッド111は、回路基板11の端面112とその面を一致させるとともに回路基板11の表面2の貫通孔113が形成されている部分を塞ぐように設けられる第1の領域1111と、回路基板11の端面112と一致することなく半導体チップ12の縁に沿って延出して設けられ第1の領域1111に連続する第2の領域1112とを有している。
The
なお、図3Aにおいて、ボンディングパッド111に示している破線は第1の領域1111と第2の領域1112との境界を表す。但し、図3Aは本発明の一例に過ぎず、第1の領域1111や第2の領域1112の形状や大きさは同図に示すものに限られるわけではない。第2の領域1112は、必要本数のボンディングワイヤー20を接合可能な形状及び面積に設定されている。ボンディングパッド111は、以上の構成によってその全体が略L字状を呈する。
In FIG. 3A, a broken line shown on the
ここでボンディングパッド111の端面が回路基板11の端面112と一致しているとボンディングパッド111が剥がれ易くなり、また回路基板11のダイシング時にボンディングワイヤー20が切断されてしまう可能性がある。しかしながら本実施形態の半導体装置1では、上記のようにボンディングパッド111の端面112に接する部分を第1の領域1111のみとすることでボンディングパッド111の端面112への露出を必要最小限としているため、ボンディングパッド111の剥がれやボンディングワイヤー20の切断を防ぐことができる。より具体的には、図3Aに示すL字のボンディングパッド111は6つの側辺を有しており、このうち半導体チップ12の外周側辺と平行で、最も外周に設けられている側辺が、半導体チップ12側に面する半導体チップ12の外周側辺と平行に設けられている側辺の長に渡って設けられていない事が、ボンディングパッド111の剥がれやボンディングワイヤー20の切断を防ぐ上で重要である。
Here, if the end surface of the
本実施形態の半導体装置1では、ボンディングワイヤー20は第2の領域1112に接合される。すなわち、製造時における貫通孔113の穿孔状態によっては、第1の領域1111にボンディングワイヤー20を接合するための領域を確保することができなくなる場合もあるが、第2の領域1112を設けていることで、ボンディングワイヤーを接合するための領域が確実に確保されることとなる。また第2の領域1112にボンディングワイヤー20を接合するようにすることで、表面の凹凸により接合強度が充分に確保できない可能性のある貫通孔113の直上にボンディングワイヤー20を接合する必要がなくなり、これによりボンディングパッド111にボンディングワイヤー20を確実に接合することができる。別の表現をすれば、第2の領域1112は、これに対応する電極パッド121とずれた位置に設けられ、ボンディングワイヤー20が半導体チップ12の側辺に対して斜めに交叉するように配置されている。なお、回路基板11の表面2の角隅部にはインデックスマーク116が設けられている。
In the semiconductor device 1 of the present embodiment, the
図3Bに回路基板11の裏面図を示している。回路基板11の下面のボンディングパッド111の第1の領域1111に対向する位置には複数の裏面電極114が設けられている。裏面電極114は一部切り欠きを有する略長方形状である。
FIG. 3B shows a back view of the
以上によって、回路基板11の端面には、ボンディングパッド111の第1の領域1111の断面、貫通孔113の内側面の断面、及び裏面電極114の断面が露出することとなる。
As a result, the cross section of the
ところで、回路基板11は、例えば、複数の回路基板11が形成された集合基板110から切り出される。この場合の集合基板110の平面図を図4Aに示している。同図に示すように、この例では隣接する位置に形成された回路基板11のボンディングパッド111が連続して形成されている。また図4Bは集合基板110の裏面図であるが、同図に示すように、隣接する位置に形成された回路基板11の裏面電極114は連続している。このように、集合基板110の状態で隣接するボンディングパッド111や裏面電極114を連続して形成することで、回路パターンが簡素化され、よってパターン形成や貫通孔113の穿孔にかかる工数を減らすことができる。
By the way, the
一方、集合基板110自体は、例えば、複数の集合基板110が形成された連続回路基板120から切り出される。図5に連続回路基板120の一例(平面図)を示している。連続回路基板120は、例えば、基板樹脂の片面又は両面に銅(Cu)箔(Resin Coated Copper Foil)をラミネートするラミネート工程、貫通孔113が形成される部分のフォトエッチング工程、レーザー光照射等による孔あけ工程、レーザー光照射やプラズマ等のドライデスミア処理あるいは化学的処理によるウェットデスミア処理による樹脂残渣工程、表面に銅(Cu)メッキ(無電解/電解)等の処理を行う導体層形成工程、フォトエッチングによりパターニングすることにより回路を形成する回路形成工程などの、各種の工程を経ることにより製造される。
On the other hand, the
一方、半導体チップ12の典型例は半導体基板に熱酸化法やCVD(Chemical Vapor Deposition)、スパッタ、リソグラフィ、不純物拡散等の各種前工程を行うことにより製造されたCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)である。しかしながら、CMOSに限らず、半導体チップ12は、例えば、バイCMOS、MOS、リニア(バイポーラ)IC等の他の集積回路であってもよい。また半導体チップ12はトランジスタ、ダイオードなどのディスクリートな素子であってもよい。
On the other hand, a typical example of the
半導体チップ12の上面には、その周辺縁部に沿って所定形状の複数の電極パッド121が形成されている。各電極パッド121は、各電極パッド121に近接する位置に形成されているボンディングパッド111と、Au/Alなどの導体線を用いたワイヤーボンディングによって接続されている。なお、ワイヤーボンディングの方法としては、ボールボンディング(Ball Bonding)や超音波接合法などが用いられる。
A plurality of
ところで、配線されたボンディングワイヤー20の曲率が大きいと、ボンディングワイヤー20の不良が生じ易くなる。そこで本実施形態の半導体装置1では、ボンディングパッド111の領域のうち電極パッド121の直近ではなく、ボンディングワイヤー20を電極パッド121の直近から斜めにずれた位置にある第2の領域1112に接合するようにしている。これによりボンディングワイヤー20の曲率の増大を緩和してボンディングワイヤー20の過剰変形を防ぐことができる。そしてこれにより本実施形態の半導体装置1は、回路基板11のサイズにより近いサイズの半導体チップ12をボンディングワイヤー20の曲率を増大させることなく搭載することが可能となる。
By the way, if the curvature of the wired
本実施形態において、半導体チップ12は、ダイアタッチフィルム(Die Attach Film)(以下、DAF13という。)を用いて回路基板11に接合するようにしている。ここでDAF13としては、例えば、耐熱性及び接着強度を得るための熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を70〜80%、保持力向上及びテープ製造の適正化を図るためのバインダー樹脂としてアクリルポリマーを10〜15%、ピックアップ性及びダイシング性を向上させるためのUV硬化型樹脂としてアクリル樹脂を10〜15%を含む組成ものを用いることができる。なお、半導体チップ12をDAF13によりダイパッド115に接合するようにした場合、半導体チップ12を回路基板11に押圧した際に半導体チップ12の周囲に接着剤が流出するようなことが無く、ボンディングパッドの汚染やボンディングワイヤー20の接合不良やボンディングパッド間のショートといった前述の問題を生じない。また回路基板11表面の状態は個体ごとに異なるため、液状(ペースト状)の接着剤を用いた場合には、接着剤の量のコントロールが難しいが、DAF13ではそのような問題も生じない。さらに、DAF13の厚みは通常は高精度で一定であるため、回路基板11に接合された半導体チップ12に殆ど傾きが無く、各電極パッド121と各電極パッド121が接続されるボンディングパッド111との間の距離の精度が確保され、ワイヤーボンディングによる製品間のばらつきが抑えられる。
In the present embodiment, the
DAF13によって半導体チップ12を回路基板11に接合する場合の工程の一例を図6に示している。同図における(a)に示す工程では、DAF13(20μm)を、複数の半導体チップ12が形成されたダイシング前の半導体基板15の裏面に透明な基材16(100μm)とともに貼付している(貼付工程)。続く(b)に示す工程では、DAF13にUV照射を行って、DAF13の弾性率を向上させ、回路基板11への接着性を向上させている。(c)に示す工程では、DAF13及び基材16とともに半導体基板15をダイシングしている。なお、DAF13層が完全に切断されるようにするため、ダイシングはフルカットダイシングで行う。またピックアップ時にDAF13を基材16から剥がしやすくするためにダイシング深度は基材16が20〜30μm切り込まれる程度としている。(d)に示す工程では、ダイシング後の半導体チップ12をDAF13ごと基材16からピックアップし、例えば120℃に加温した回路基板11上のダイパッド115に仮マウントしている。(e)に示す工程では、半導体チップ12が仮マウントされた回路基板11を例えば160℃に昇温(キュア処理)し、半導体チップ12を回路基板11に接合している。
FIG. 6 shows an example of a process when the
なお、以上の工程を経て製造された回路基板11、半導体チップ12、及びボンディングワイヤー20の全体は、絶縁性樹脂の被覆工程を経て、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、又はポリイミド樹脂やポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂によって樹脂封入される。樹脂封入は、例えば、トランスファモールド法やインジェクションモールド法等の金型モールド法、ポッティング法、シート接着法などによって行う。なお、このように通常は樹脂封入が行われるが、樹脂封入は必ずしも行わなくてもよい。
The
以上の実施形態の説明は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明はその趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。 The above description of the embodiment is for facilitating the understanding of the present invention, and does not limit the present invention. It goes without saying that the present invention can be changed and improved without departing from the gist thereof, and that the present invention includes equivalents thereof.
例えば、回路基板11の形状は、上述したものに限られず、ボンディングパッド111の第1の領域1111と第2の領域1112とが連続する部分に、図1Aに破線円Cで示した如く、第1の領域1111及び第2の領域1112の幅よりも細幅の括れを形成するようにしてもよい。このようにすることでボンディングパッド111とボンディングワイヤー20を経路とする外部から半導体チップ12への水分の浸入を防ぐことができる。
For example, the shape of the
1 半導体装置
11 回路基板
111 ボンディングパッド
1111 第1の領域
1112 第2の領域
113 貫通孔
114 裏面電極
115 ダイパッド
116 インデックスマーク
12 半導体チップ
121 電極パッド
13 DAF
15 半導体基板
20 ボンディングワイヤー
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
15
Claims (8)
当該回路基板の端面に開口し当該回路基板を貫通して形成される貫通孔と、
前記半導体チップが搭載される領域の周囲に設けられ、当該回路基板の端面に接するとともに前記貫通孔を塞ぐように設けられた第1の領域と、当該回路基板の端面に接することなく前記半導体チップの外形に沿って延出する、前記第1の領域に連続する第2の領域と、を有して形成される前記半導体チップの電極と電気的に接続するためのボンディングパッドと、
を備えたこと
を特徴とする回路基板。 A circuit board on which a semiconductor chip is mounted,
A through hole formed in the end face of the circuit board and penetrating the circuit board;
A first region provided around the region where the semiconductor chip is mounted, contacting the end surface of the circuit board and closing the through-hole, and the semiconductor chip without contacting the end surface of the circuit substrate A bonding pad for electrically connecting to the electrode of the semiconductor chip formed to extend along the outer shape of the semiconductor chip, and a second region continuous to the first region;
A circuit board characterized by comprising:
前記貫通孔によって、前記ボンディングパッドと、前記回路基板の前記ボンディングパッドが設けられている面とは逆の面に形成されている他の電極とが電気的に接続されていること
を特徴とする回路基板。 The circuit board according to claim 1,
The bonding pad and the other electrode formed on the surface opposite to the surface on which the bonding pad is provided of the circuit board are electrically connected by the through hole. Circuit board.
前記ボンディングパッドは、前記第1の領域と前記第2の領域とによって全体が略L字状を呈してなること
を特徴とする回路基板。 The circuit board according to claim 1,
The circuit board according to claim 1, wherein the bonding pad is formed in a substantially L shape by the first region and the second region.
前記第1の領域と前記第2の領域とが連続する部分に括れが形成されてなること
を特徴とする回路基板。 The circuit board according to claim 1,
A circuit board, wherein a constriction is formed at a portion where the first region and the second region are continuous.
前記半導体チップが搭載される回路基板と
を含み、
前記回路基板は、前記回路基板の端面に開口し、前記回路基板を貫通して形成される貫通孔を有し、
前記回路基板は、前記半導体チップが搭載される領域の周囲に設けられ前記回路基板の端面に接するとともに前記貫通孔を塞ぐように設けられた第1の領域と、前記回路基板の端面に接することなく前記半導体チップの外形に沿って延出する、前記第1の領域に連続する第2の領域とから形成される前記半導体チップと電気的に接続するためのボンディングパッドを有すること
を特徴とする半導体装置。 A semiconductor chip;
A circuit board on which the semiconductor chip is mounted,
The circuit board has an opening at an end surface of the circuit board, and has a through hole formed through the circuit board,
The circuit board is provided around a region where the semiconductor chip is mounted, is in contact with an end surface of the circuit board and is in contact with an end surface of the circuit board, and is provided so as to close the through hole. And a bonding pad for extending electrical connection with the semiconductor chip formed from the second region continuous with the first region and extending along the outer shape of the semiconductor chip. Semiconductor device.
前記貫通孔によって、前記ボンディングパッドと、前記回路基板の前記ボンディングパッドが設けられている面とは逆の面に形成されている他の電極とが電気的に接続されていること
を特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 5,
The bonding pad and the other electrode formed on the surface opposite to the surface on which the bonding pad is provided of the circuit board are electrically connected by the through hole. Semiconductor device.
前記半導体チップは、扁平直方体状であり、
前記半導体チップは、その上面周辺縁部に沿って形成された電極パッドを有し、
一端が前記ボンディングパッドの前記第2の領域に接合され、他端が前記電極パッドに接合されるボンディングワイヤーを含むこと
を特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 5,
The semiconductor chip has a flat rectangular parallelepiped shape,
The semiconductor chip has an electrode pad formed along the peripheral edge of the upper surface,
A semiconductor device comprising: a bonding wire having one end bonded to the second region of the bonding pad and the other end bonded to the electrode pad.
前記半導体チップは、ダイアタッチフィルムによって前記回路基板に接合されてなること
を特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 5,
The semiconductor device, wherein the semiconductor chip is bonded to the circuit board by a die attach film.
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