JP2007200359A - Storage device, address control method and system - Google Patents
Storage device, address control method and system Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007200359A JP2007200359A JP2007121297A JP2007121297A JP2007200359A JP 2007200359 A JP2007200359 A JP 2007200359A JP 2007121297 A JP2007121297 A JP 2007121297A JP 2007121297 A JP2007121297 A JP 2007121297A JP 2007200359 A JP2007200359 A JP 2007200359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- memory array
- access
- external
- storage device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
Description
近年、データ保持動作が随時必要な半導体メモリ(ダイナミックRAM:Dynamic RAM)は、顧客(システム側)から要求される記憶容量の増大、アクセス高速化(動作周波数の高周波化)、I/Oバス幅の拡張(1アクセスでデータを扱うビット数幅の増大)などにより、消費電流が増大する傾向にある。これに伴い、メモリデバイスを搭載したシステム機器全体の消費電流も増加する傾向となっており、顧客からメモリデバイスの消費電力削減が求められている。 In recent years, semiconductor RAM (Dynamic RAM), which requires data holding operations as needed, has increased storage capacity required by customers (system side), increased access speed (higher operating frequency), I / O bus width The current consumption tends to increase due to the expansion of (the increase in the number of bits for handling data in one access). Along with this, the current consumption of the entire system device equipped with the memory device tends to increase, and the customer is demanded to reduce the power consumption of the memory device.
また、前述の消費電流の増大は、メモリデバイスのチップ温度上昇を招く場合がある。一般に、DRAMセルのデータ保持特性(≒ Refresh特性:TREF)は高温で悪化する(保持時間が短くなる)ので、この理由からも消費電流の削減が求められる。 In addition, the increase in current consumption described above may lead to an increase in the chip temperature of the memory device. In general, the data retention characteristic (≈ Refresh characteristic: TREF) of a DRAM cell deteriorates at a high temperature (the retention time is shortened). Therefore, reduction of current consumption is also required for this reason.
従って、半導体メモリは、記憶容量の増大やアクセスの高速化、I/Oバス幅の拡張などの性能の向上と、消費電力の削減が同時に求められている。 Therefore, the semiconductor memory is required to improve performance such as increase in storage capacity, speed up access, and expansion of I / O bus width, and to reduce power consumption.
メモリデバイスは、複数のメモリセルがアレイ配置されたメモリセルアレイとセンスアンプを有している。各メモリセルはワード線とビット線に接続され、センスアンプはビット線に接続されている。センスアンプはビット線と対であり、1つのセルの情報(リードデータ)の増幅と保持を行う。 The memory device has a memory cell array in which a plurality of memory cells are arranged and a sense amplifier. Each memory cell is connected to a word line and a bit line, and the sense amplifier is connected to the bit line. The sense amplifier is paired with a bit line and amplifies and holds information (read data) of one cell.
メモリセルアレイは行アドレスによりワード線が展開されるX展開方向と、列アドレスによりビット線とセンスアンプが展開されるY展開方向とにアレイ展開される。1Mビットのメモリ容量であれば、一例としてメモリデバイスの論理アドレスを、10ビット(210=1024本のワード線:WL)のXアドレス(Row Address)と、10ビット(210=1024本のビット線:BL(1024個のセンスアンプ))のYアドレス(Column Address)から構成することができる(注:ビット線定義=一対の相補ビット線)。このとき、仮にワード線とビット線の配線ピッチが同じであれば、論理的なメモリアレイは正方形にイメージされる。 The memory cell array is array-developed in the X expansion direction in which word lines are expanded by row addresses and in the Y expansion direction in which bit lines and sense amplifiers are expanded by column addresses. If the memory capacity is 1 Mbit, for example, the logical address of the memory device is 10 bits (2 10 = 1024 word lines: WL) X address (Row Address) and 10 bits (2 10 = 1024). It can be configured from a Y address (Column Address) of a bit line: BL (1024 sense amplifiers) (note: bit line definition = a pair of complementary bit lines). At this time, if the wiring pitch of the word lines and the bit lines is the same, the logical memory array is imaged as a square.
メモリデバイスの内部動作を、システムクロックCLKに対して同期型であるSDRAM(Synchronous DRAM)を例にして説明する。
SDRAMは、制御コマンドとしてメモリデバイスが活性/非活性するためのシステムクロックCLKに同期したアクティブ/プリチャージコマンド(非同期型のメモリデバイスではチップイネーブル信号/CE(”/”はバーを示す)の立下りと立上り)と、メモリデバイスにデータを入出力する為のリード/ライトコマンドにより動作する。
The internal operation of the memory device will be described using an SDRAM (Synchronous DRAM) that is synchronous with the system clock CLK as an example.
The SDRAM establishes an active / precharge command (chip enable signal / CE (“/” indicates a bar) in an asynchronous memory device) in synchronization with the system clock CLK for activating / deactivating the memory device as a control command. And the read / write command for inputting / outputting data to / from the memory device.
システムクロックCLKの立上りエッジに於いてアクティブコマンドを外部印加されると、Xアドレスを取り込みXデコーダでデコードして1本のワード線を選択し、それを活性化させる。選択されたワード線に接続されたそれぞれのメモリセルがそれぞれのビット線にデータを出力し、それぞれのセンスアンプがデータを増幅し保持(データのラッチ)する。 When an active command is externally applied at the rising edge of the system clock CLK, the X address is taken in and decoded by the X decoder to select one word line and activate it. Each memory cell connected to the selected word line outputs data to each bit line, and each sense amplifier amplifies and holds the data (data latch).
その後、システムクロックCLKの立上りエッジに於いて(アクティブコマンドから数CLK遅れで)リードコマンドを外部印加されると、Yアドレスを取り込みYデコーダでデコードして一つのセンスアンプの保持されたデータをメモリデバイス外部に出力する。また、ライトコマンドを外部印加されると、Yアドレスを取り込みYデコーダでデコードして(ライトコマンド印加時に入力された)書込みデータを一つのセンスアンプを介してメモリセルに書き込む。その後、更に必要に応じてリード/ライトコマンドを随時行ない、希望のYアドレスに応じたメモリセルと外部とのアクセスを行なう。 After that, when a read command is externally applied at the rising edge of the system clock CLK (with a delay of several CLK from the active command), the Y address is fetched and decoded by the Y decoder to store the data held in one sense amplifier. Output outside the device. When a write command is externally applied, the Y address is fetched and decoded by the Y decoder (write data inputted at the time of applying the write command) is written into the memory cell via one sense amplifier. Thereafter, a read / write command is performed as necessary to access the memory cell corresponding to the desired Y address and the outside.
リード/ライトコマンドが終了した後は、システムクロックCLKの立上りエッジに於いて(リード/ライトコマンドから数CLK遅れで)プリチャージコマンドを印加して、活性化されたワード線とセンスアンプとビット線をリセット(イコライズ)してメモリアレイは初期状態(次のアクティブコマンドに備える)に戻る。 After the read / write command is completed, the precharge command is applied at the rising edge of the system clock CLK (several CLK delay from the read / write command) to activate the activated word line, sense amplifier, and bit line. Is reset (equalized) to return the memory array to the initial state (in preparation for the next active command).
リセット動作までは内部時間が掛かり、プリチャージコマンドから次のアクティブコマンドを印加するには数CLKの猶予(待ち)が必要である。同様に、アクティブコマンドからリード/ライトコマンドまで数CLKの猶予(待ち)が必要である。 The internal operation takes time until the reset operation, and a delay of several CLK is required to apply the next active command from the precharge command. Similarly, a delay of several CLK is required from the active command to the read / write command.
尚、ここでは説明の簡素化の為にメモリアレイの入出力ビット数が1の場合で説明したが、入出力のビット数がn(nI/Oと記す(ex.4I/O))の場合には、Yアドレスによって同時にn個のセンスアンプが活性化される。そして、各センスアンプはそれぞれn個のI/Oバスを介してそれぞれn個のI/Oポートに接続される。 Here, for simplification of explanation, the case where the number of input / output bits of the memory array is 1 has been described. However, the number of input / output bits is n (denoted as nI / O (ex.4I / O)). In this case, n sense amplifiers are simultaneously activated by the Y address. Each sense amplifier is connected to n I / O ports via n I / O buses.
Yアドレスの深さは、ページ長と呼ばれる。メモリデバイスは、1回のアクティブコマンドに応答し、少なくともI/Oバス幅×ページ長の数のセンスアンプを動作させる。例えば、Yアドレスが8ビット(YA<0:7> )に設定されたSDRAMの場合、ページ長は256である。このSDRAMが32ビットのI/Oバス幅を持つ場合、アクティブコマンドに応答して少なくとも8,192(=256×32)個のセンスアンプが動作する。 The depth of the Y address is called the page length. In response to one active command, the memory device operates at least the number of sense amplifiers of I / O bus width × page length. For example, in the case of an SDRAM in which the Y address is set to 8 bits (YA <0: 7>), the page length is 256. When this SDRAM has a 32-bit I / O bus width, at least 8,192 (= 256 × 32) sense amplifiers operate in response to an active command.
SDRAMは、随時入力されるリードコマンドによりアクティブコマンドで選択したワード線に接続された複数のメモリセルの情報を複数のセンスアンプにそれぞれラッチする。従って、1本のワード線を活性化すれば、ページ長分のメモリセルの情報を適宜外部に読み出すことができる。詳述すると、随時入力されるリード/ライトコマンド毎に該コマンドと同時に入力されるYアドレスによりYデコーダで随時センスアンプを選択することで、任意のYアドレスのメモリセルから情報を読み出す。即ち、Xアドレスは固定したままYアドレスをランダムにアクセスすることができる。このような動作をYアドレス優先動作と呼ぶ。尚、ライトコマンドに対しても同様に任意のYアドレスのメモリセルに情報を書き込むことができる。 The SDRAM latches information of a plurality of memory cells connected to a word line selected by an active command in response to a read command that is input as needed in a plurality of sense amplifiers. Therefore, if one word line is activated, the memory cell information for the page length can be appropriately read out. More specifically, information is read from a memory cell at an arbitrary Y address by selecting a sense amplifier at any time by a Y decoder according to a Y address input simultaneously with the command for each read / write command input at any time. That is, the Y address can be accessed randomly while the X address is fixed. Such an operation is called a Y address priority operation. Note that information can be written to a memory cell at an arbitrary Y address in the same way for a write command.
このYアドレス優先動作では、ランダムアクセスの優位性に加えて、一回のアクティブコマンドにより動作するセンスアンプ群のそれぞれのセンスアンプにラッチした複数のデータを効率的に利用することができる。つまり、一回のワード線の充放電電流と一回の(複数)センスアンプによる(複数)ビット線充放電電流により、256ページに含まれるメモリセルに対してランダムなアクセスが可能となる。 In this Y address priority operation, in addition to the advantage of random access, a plurality of data latched in each sense amplifier of the sense amplifier group operated by a single active command can be efficiently used. That is, random access to the memory cells included in 256 pages is possible by one charge / discharge current of the word line and one (plural) bit line charge / discharge current by the sense amplifier.
故に、1回のアクセスに要する消費電流は、同じ時に活性化されるページ内へのアクセス回数でワード線の充放電とビット線の充放電による消費電流を割った値となる。従って、同時に活性化されるページ内のアクセス回数が多いほど、SDRAMのアクセス回数あたりの消費電流は少なくなる。 Therefore, the current consumption required for one access is a value obtained by dividing the current consumption due to charging / discharging of the word line and charging / discharging of the bit line by the number of accesses to the page activated at the same time. Therefore, the greater the number of accesses in the simultaneously activated page, the smaller the current consumption per SDRAM access.
更に、Yアドレス優先動作では、アクティブコマンドからリード/ライトコマンドを印加するまでに必要なクロック数と、プリチャージコマンドから次のアクティブコマンドを印加するまでに必要なクロック数は、動作全体に占める割合が少ない。従って、入出力バスをデータが占有する割合(データ占有率)が高く、システムにおいてI/Oバスの効率がよい。これらは、システムクロックの周波数が高くなる(高周波になる)ほど、レイテンシを大きくとらなければならないSDRAMでは入出力バスのデータ占有率が高くできるという効果がある。 Further, in the Y address priority operation, the number of clocks required from the active command to the application of the read / write command and the number of clocks required from the precharge command to the application of the next active command are the ratio of the entire operation. Less is. Therefore, the ratio of data to the input / output bus (data occupation ratio) is high, and the efficiency of the I / O bus is good in the system. These have the effect that the higher the system clock frequency (higher frequency), the higher the data occupancy rate of the input / output bus in the SDRAM that must have a higher latency.
ところで、SDRAMを使用する顧客のシステムによっては、アクセスするビット長が少ない(例えば連続した4ビット、8ビットなど)ものがある。このようなシステムによるSDRAMのアクセスは、1回のアクティブコマンドからプリチャージコマンドの間に、ページ長より少ない数のリード/ライト動作しかせず、次のアクティブコマンドによりXアドレスが変更される。このような動作を、便宜的にXアドレス優先動作と呼ぶ。この動作では、1回のアクティブコマンドにより活性化されるセンスアンプが効率的に使用されていない。 By the way, depending on the customer's system using the SDRAM, there is a system having a small bit length to access (for example, continuous 4 bits, 8 bits, etc.). In the SDRAM access by such a system, the number of read / write operations smaller than the page length is not allowed between one active command and a precharge command, and the X address is changed by the next active command. Such an operation is called an X address priority operation for convenience. In this operation, a sense amplifier activated by a single active command is not efficiently used.
例えば、Yアドレスを変更(Xアドレスは一定)して4つのメモリセルに対してアクセスする。この場合、Xアドレスにより選択される1本のワード線の充放電電流と、活性化するセンスアンプの数(8192個)(センスアンプによるビット線の充放電電流を含む)に対応する電流を消費する。このときの消費電流をP(y)とする。従って1つのメモリセルに対するアクセスの消費電流は、P(y)/4となる。 For example, the Y address is changed (X address is constant) to access four memory cells. In this case, the current corresponding to the charge / discharge current of one word line selected by the X address and the number of sense amplifiers to be activated (8192) (including the charge / discharge current of the bit line by the sense amplifier) are consumed. To do. The current consumption at this time is P (y). Therefore, the current consumption for access to one memory cell is P (y) / 4.
一方、Xアドレスを変更(Yアドレスは任意)して4つのメモリセルをアクセスする場合、Xアドレスを変更する毎にアクティブコマンドとプリチャージコマンドを必要とする。従って、このアクセス方法の場合、Xアドレスを固定してアクセスするときの4倍(4×P(y))の消費電流となり、1つのメモリセルに対するアクセスの消費電流はP(y)となる。 On the other hand, when four memory cells are accessed by changing the X address (the Y address is arbitrary), an active command and a precharge command are required every time the X address is changed. Therefore, in the case of this access method, the current consumption is four times (4 × P (y)) when accessing with the X address fixed, and the current consumption for accessing one memory cell is P (y).
従って、Xアドレス優先動作を多用するシステムやアプリケーションの場合、Yアドレスが浅く(ページ数が少なく)Xアドレスが深いメモリデバイスが有効である。
しかし、メモリデバイスを使用するシステムのアクセス方法、アプリケーションのステップによりXアドレス優先動作とYアドレス優先動作が混在する場合がある。このような場合、Yアドレスが浅いメモリデバイスを使用すると、アクセスの順序によってアクセス速度が極めて遅くなる場合があり、速度向上の妨げとなる。一方、Xアドレスが浅いメモリデバイスを使用すると、消費電流低減の妨げとなる。
Therefore, in the case of a system or application that frequently uses the X address priority operation, a memory device having a shallow Y address (small number of pages) and a deep X address is effective.
However, the X address priority operation and the Y address priority operation may be mixed depending on the access method of the system using the memory device and the application step. In such a case, if a memory device with a shallow Y address is used, the access speed may become extremely slow depending on the order of access, which hinders speed improvement. On the other hand, if a memory device with a shallow X address is used, current consumption will be hindered.
更に、Xアドレス優先動作のような消費電流の大きい動作を繰り返すと、メモリデバイスのチップの温度(ジャンクション温度)を上昇させることがある。この場合、温度上昇によってデータ保持特性が悪化し、データ保持動作であるリフレッシュ動作を頻繁に行なわなければならなくなる。すると、メモリデバイスへのアクセスによる温度上昇にメモリデバイスのリフレッシュ動作による自己発熱を加えたチップ温度となり、データ保持特性の悪化と頻繁なリフレッシュ動作による消費電流の更なる増大を招く。また、データ保持動作を顧客システム側の制御に関係なく非同期で行なう場合(セルフリフレッシュ動作)には、これらリフレッシュ動作における外部からのアクセスに応答しないビジー状態が増加することになり、システムのパフォーマンスが低下(I/Oバスのデータ占有率の低下)する。 Furthermore, if an operation with a large current consumption such as the X address priority operation is repeated, the temperature (junction temperature) of the chip of the memory device may be increased. In this case, the data retention characteristic deteriorates due to the temperature rise, and the refresh operation as the data retention operation must be frequently performed. Then, the chip temperature is obtained by adding the self-heating due to the refresh operation of the memory device to the temperature rise due to the access to the memory device, resulting in deterioration of data retention characteristics and further increase in current consumption due to frequent refresh operations. In addition, when the data holding operation is performed asynchronously regardless of the control on the customer system side (self-refresh operation), the number of busy states not responding to external accesses in these refresh operations increases, and the system performance is reduced. Decrease (I / O bus data occupation rate decreases).
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は効率的なアクセスと消費電流の低減を図ることのできる記憶装置、アドレス制御方法及びシステムを提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a storage device, an address control method, and a system capable of efficiently accessing and reducing current consumption.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスを制御して該メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するマップ変更手段を備え、前記論理アドレスマップ形状の設定は、スタンバイ期間中もしくは外部アクセスによりスタンバイからアクティブへの切換わり時点に行われる。
In order to achieve the above object, the invention described in
請求項2に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスを制御して該メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するマップ変更手段を備え、少なくとも前記第1又は第2アドレスに基づく回路の活性化から非活性化までの期間の間、前記アドレスマップを変更する。 According to a second aspect of the present invention, in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, the logical address of the memory array is controlled by controlling the logical address of the memory array. Map change means for changing the map shape is provided, and the address map is changed at least during a period from activation to deactivation of the circuit based on the first or second address.
請求項3に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスを制御して該メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するマップ変更手段を備え、前記第1及び第2アドレスの少なくとも一方の深さを変更して前記論理アドレスマップ形状を変更する。 According to a third aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, the logical address of the memory array is controlled by controlling the logical address of the memory array. Map change means for changing the map shape is provided, and the logical address map shape is changed by changing the depth of at least one of the first and second addresses.
請求項4に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスを制御して該メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するマップ変更手段と、前記論理アドレスを制御するための制御端子とを備えた。 According to a fourth aspect of the present invention, in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, the logical address of the memory array is controlled by controlling the logical address of the memory array. Map change means for changing the map shape and a control terminal for controlling the logical address are provided.
請求項5に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスを制御して該メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するマップ変更手段を備え、前記メモリアレイは複数のバンクから構成され、論理アドレスマップ形状をバンク毎に設定可能である。 According to a fifth aspect of the present invention, in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, the logical address of the memory array is controlled by controlling the logical address of the memory array. Map changing means for changing the map shape is provided, the memory array is composed of a plurality of banks, and the logical address map shape can be set for each bank.
請求項6に記載の発明は、請求項1〜5の何れか一項記載の記憶装置において、前記マップ変更手段は、前記メモリアレイの活性化毎に前記論理アドレスマップ形状を変更する。 According to a sixth aspect of the present invention, in the storage device according to any one of the first to fifth aspects, the map changing unit changes the logical address map shape every time the memory array is activated.
請求項7に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換えるアドレス制御手段と、前記アクセス形態情報が印加される制御信号、又は複数の制御信号の組み合わせにより前記論理アドレスマップ形状の設定に応じたアドレス構成選択信号を生成するアドレス構成選択回路と、を備え、前記アドレス制御手段は、前記アドレス構成選択信号に基づいて前記置き換えを実行する。 According to a seventh aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, based on access mode information that changes a logical address map shape of the memory array. The address control means for replacing a part of the external address with the first address or the second address for each cycle in which the external address for access in the first address direction is input, and the access mode information An address configuration selection circuit that generates an address configuration selection signal according to the setting of the logical address map shape by a combination of a control signal to be applied or a plurality of control signals, and the address control means includes the address configuration selection The replacement is performed based on the signal.
請求項8に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換えるアドレス制御手段と、外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて、その出力信号を、前記第1アドレス方向の選択信号を生成する第1信号生成回路と前記第2アドレス方向の選択信号を生成する第2信号生成回路とに切り替える切り替え部を有するアドレス発生回路とを備えた。 According to an eighth aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, the memory device is based on access mode information that changes a logical address map shape of the memory array. In each cycle in which an external address for access in the first address direction is input, an address control means for replacing a part of the external address with the first address or the second address and an external address are input. Based on the address configuration selection signal, the output signal is switched between the first signal generation circuit that generates the selection signal in the first address direction and the second signal generation circuit that generates the selection signal in the second address direction. And an address generation circuit having a switching unit.
請求項9に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換えるアドレス制御手段と、外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて前記第1アドレス方向の選択信号を生成する第1信号発生回路と、外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて前記第2アドレス方向の選択信号を生成する第2信号発生回路とを備えた。 According to a ninth aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, based on access mode information that changes a logical address map shape of the memory array. In each cycle in which an external address for access in the first address direction is input, an address control means for replacing a part of the external address with the first address or the second address and an external address are input. A first signal generation circuit for generating a selection signal in the first address direction based on an address configuration selection signal and an external address are input, and a selection signal in the second address direction is generated based on the address configuration selection signal And a second signal generation circuit.
請求項10に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換えるアドレス制御手段と、前記アドレス制御手段は、前記アクセス形態情報を記憶するボンディングションもしくはFuseのROMを備える。 According to a tenth aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, based on access mode information that changes a logical address map shape of the memory array. The address control means for replacing a part of the external address with the first address or the second address for each cycle in which the external address for access in the first address direction is input, and And a bonding or fuse ROM for storing the access mode information.
請求項11に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換えるアドレス制御手段と、前記アドレス制御手段は、前記アクセス形態情報を記憶する外部から書換え可能なROMを備える。 According to an eleventh aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, based on access mode information that changes a logical address map shape of the memory array. The address control means for replacing a part of the external address with the first address or the second address for each cycle in which the external address for access in the first address direction is input, and And an externally rewritable ROM for storing the access mode information.
請求項12に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段を備え、前記アドレス無効化手段は、デコードの圧縮率を可変させるために任意のアドレスをクランプする手段を備える。 According to a twelfth aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, the access mode information changes the logical address map shape of the memory array. The address invalidating means invalidates the external address or a part thereof for each cycle in which the external address for accessing in the first address direction is input, and the address invalidating means includes decoding compression. Means are provided for clamping any address to vary the rate.
請求項13に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段と、前記アクセス形態情報が印加される制御信号、又は複数の制御信号の組み合わせにより前記論理アドレスマップ形状の設定に応じたアドレス構成選択信号を生成するアドレス構成選択回路とを備え、前記アドレス無効化手段は、前記アドレス構成選択信号に基づいて前記無効化を実行する。 According to a thirteenth aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, based on access mode information that changes a logical address map shape of the memory array. Each time an external address for access in the first address direction is input, an address invalidating means for invalidating the external address or a part thereof, and a control signal to which the access mode information is applied, Or an address configuration selection circuit that generates an address configuration selection signal in accordance with the setting of the logical address map shape by a combination of a plurality of control signals, and the address invalidating means is configured to invalidate the address based on the address configuration selection signal. Execute the conversion.
請求項14に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段と、外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて、その出力信号を、前記第1アドレス方向の選択信号を生成する第1信号生成回路と前記第2アドレス方向の選択信号を生成する第2信号生成回路とに切り替える切り替え部を有するアドレス発生回路とを備えた。 According to a fourteenth aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, based on access mode information that changes a logical address map shape of the memory array. The address invalidation means for invalidating the external address or a part thereof, and the external address are inputted every cycle in which the external address for accessing in the first address direction is inputted. And an address generator having a switching unit that switches the output signal between a first signal generation circuit that generates a selection signal in the first address direction and a second signal generation circuit that generates a selection signal in the second address direction. Circuit.
請求項15に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段と、外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて前記第1アドレス方向の選択信号を生成する第1信号発生回路と、外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて前記第2アドレス方向の選択信号を生成する第2信号発生回路とを備えた。 According to a fifteenth aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, the access mode information is used to change the logical address map shape of the memory array. The address invalidation means for invalidating the external address or a part thereof, and the external address are inputted every cycle in which the external address for accessing in the first address direction is inputted. A first signal generation circuit that generates a selection signal in the first address direction based on the second signal generation circuit that receives an external address and generates a selection signal in the second address direction based on the address configuration selection signal; Equipped with.
請求項16に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段と、前記アドレス無効化手段は、前記アクセス形態情報を記憶するボンディングションもしくはFuseのROMとを備える。 According to a sixteenth aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, based on access configuration information that changes a logical address map shape of the memory array. The address invalidating means for invalidating the external address or a part thereof for each cycle in which the external address for access in the first address direction is input, and the address invalidating means include the access form information And a Fuse ROM.
請求項17に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置において、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段と、前記アドレス無効化手段は、前記アクセス形態情報を記憶する外部から書換え可能なROMとを備える。 According to a seventeenth aspect of the present invention, in a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, based on access mode information that changes a logical address map shape of the memory array. The address invalidating means for invalidating the external address or a part thereof for each cycle in which the external address for access in the first address direction is input, and the address invalidating means include the access form information And a ROM rewritable from the outside.
請求項18に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置におけるアドレス制御方法であって、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換え、前記アクセス形態情報は、スタンバイ期間中もしくはアクティブ動作と同時に設定される。 The invention according to claim 18 is an address control method in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, and changes a logical address map shape of the memory array. Based on the access form information to be performed, each time an external address for access in the first address direction is input, a part of the external address is replaced with the first address or the second address, and the access form Information is set during the standby period or simultaneously with the active operation.
請求項19に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置におけるアドレス制御方法であって、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換え、前記論理アドレスマップ形状に応じてセンスアンプの活性化数を制御する。 The invention according to claim 19 is an address control method in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, and changes a logical address map shape of the memory array. Based on the access form information to be performed, for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input, a part of the external address is replaced with the first address or the second address, and the logical address The number of activations of the sense amplifier is controlled according to the map shape.
請求項20に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置におけるアドレス制御方法であって、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換え、前記論理アドレスマップ形状に応じてデコードの圧縮率を可変させる。 The invention according to claim 20 is an address control method in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address, and changes a logical address map shape of the memory array. Based on the access form information to be performed, for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input, a part of the external address is replaced with the first address or the second address, and the logical address The compression rate of decoding is varied according to the map shape.
請求項21に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置におけるアドレス制御方法であって、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換え、前記アクセス形態情報が印加される制御信号、又は複数の制御信号の組み合わせにより前記論理アドレスマップ形状の設定に応じたアドレス構成選択信号を生成し、該アドレス構成選択信号に基づいて前記置き換えを実行するアドレス制御方法。
The invention according to
請求項22に記載の発明は、請求項21に記載の記憶装置におけるアドレス制御方法であって、前記第1及び第2アドレスは共通アドレス発生手段にて生成され、該共通アドレス発生手段の出力先を前記アドレス構成選択信号により切り替える。 According to a twenty-second aspect of the present invention, in the address control method for a storage device according to the twenty-first aspect, the first and second addresses are generated by a common address generating unit, and an output destination of the common address generating unit Are switched by the address configuration selection signal.
請求項23に記載の発明は、請求項21に記載の記憶装置におけるアドレス制御方法であって、外部アドレスにより前記第1及び第2アドレスを生成する第1及び第2アドレス発生手段を備え、前記アドレス構成選択信号にて前記外部アドレスの入力先を切り替える。
The invention described in
請求項24に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置におけるアドレス制御方法であって、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化し、前記アクセス形態情報は、スタンバイ期間中もしくはアクティブ動作と同時に設定される。
The invention according to
請求項25に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置におけるアドレス制御方法であって、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化し、前記論理アドレスマップ形状に応じてセンスアンプの活性化数を制御する。
The invention according to
請求項26に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置におけるアドレス制御方法であって、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化し、前記論理アドレスマップ形状に応じてデコードの圧縮率を可変させる。
The invention according to
請求項27に記載の発明は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイをアクセスする記憶装置におけるアドレス制御方法であって、前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化し、前記アクセス形態情報が印加される制御信号、又は複数の制御信号の組み合わせにより前記論理アドレスマップ形状の設定に応じたアドレス構成選択信号を生成し、該アドレス構成選択信号に基づいて前記無効化を実行する。
The invention according to
請求項28に記載の発明は、請求項27に記載の記憶装置におけるアドレス制御方法であって、前記第1及び第2アドレスは共通アドレス発生手段にて生成され、該共通アドレス発生手段の出力先を前記アドレス構成選択信号により切り替える。
The invention according to
請求項29に記載の発明は、請求項27に記載の記憶装置におけるアドレス制御方法であって、外部アドレスにより前記第1及び第2アドレスを生成する第1及び第2アドレス発生手段を備え、前記アドレス構成選択信号にて前記外部アドレスの入力先を切り替える。
The invention according to
請求項30に記載の発明は、記憶手段と、それへのアクセスと制御を行う制御手段を備えたシステムにおいて、前記制御手段は、前記記憶手段に対するその時々のアクセス形態情報を供給し、前記アクセス形態情報の供給を、アクセスの開始と同時またはそれ以前に行い、前記記憶手段は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイの論理アドレスマップ形態を前記アクセス形態情報に応じて変更する。
The invention according to
請求項31に記載の発明は、前記制御手段は、前記アクセス形態情報の供給を、アドレスとデータと制御信号によるコード情報のうちのいずれかで行う。
請求項32に記載の発明は、記憶手段と、それへのアクセスと制御を行う制御手段を備えたシステムにおいて、前記制御手段は、前記記憶手段に対するその時々のアクセス形態情報を供給し、前記アクセス形態情報の供給を制御信号によるコード情報より行い、前記記憶手段は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイの論理アドレスマップ形態を前記アクセス形態情報に応じて変更し、前記コード情報を一定周期のパルス信号のエッジに合わせて受け取る。
According to a thirty-first aspect of the present invention, the control means supplies the access form information using one of address information, data, and code information based on a control signal.
The invention according to
請求項33に記載の発明は、請求項30に記載のシステムにおいて、前記制御手段は、前記アクセス形態情報の供給を制御信号によるコード情報より行い、前記記憶手段は、前記コード情報を一定周期のパルス信号のエッジに合わせて受け取る。 According to a thirty-third aspect of the present invention, in the system according to the thirty-third aspect, the control means supplies the access mode information from code information based on a control signal, and the storage means stores the code information at a constant period. It is received at the edge of the pulse signal.
以上詳述したように、請求項1〜17に記載の発明によれば、効率的なアクセスと消費電流の低減を図ることのできる記憶装置を提供することができる。
以上詳述したように、請求項18〜29に記載の発明によれば、効率的なアクセスと消費電流の低減を図ることのできる記憶装置のアドレス制御方法を提供することができる。
As described above in detail, according to the inventions described in
As described in detail above, according to the invention described in claims 18 to 29, it is possible to provide a storage device address control method capable of achieving efficient access and reduction of current consumption.
以上詳述したように、請求項30〜33に記載の発明によれば、効率的なアクセスと消費電流の低減を図ることのできるシステムを提供することができる。
As described above in detail, according to the inventions described in
(第一実施形態)
以下、本発明を具体化した第一実施形態を図1〜図10に従って説明する。
図3は、モジュール10の概略構成図である。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the
モジュール10は、MCM(Multi Chip Module )であり、CPU11とメモリデバイス12を含み、それらは基板13上に搭載されている。CPU11は、メモリデバイス12と接続され、該メモリデバイス12にアクセスする。
The
CPU11は、アクセス開始前の1回又は随時アクセス形態情報をメモリデバイス12に与える。メモリデバイス12は、アクセス形態情報に従って論理アドレスマップ形状を変更する機能を持つ。詳述すると、メモリデバイス12は、外部(CPU11)より印加されるアクセス形態情報、Xアドレス、Yアドレスに応答して論理アドレスマップ形状を変更する。従って、CPU11は、メモリデバイス12の論理アドレスマップ形状を制御するメモリコントローラとして機能する。
The
論理アドレスマップ形状は、XアドレスとYアドレスの深さにより決定される。メモリセルアレイの容量は一定である。従って、メモリデバイス12は、Xアドレスの深さとYアドレスの深さを相補的に変更する。
The logical address map shape is determined by the depth of the X address and the Y address. The capacity of the memory cell array is constant. Accordingly, the
メモリデバイス12は、複数の論理アドレスマップ形状により、Xアドレスの最大値とYアドレスの最大値をそれぞれ指定するために必要なビット数のアドレス信号を入力する外部アドレス端子を備えている。
The
例えば、128Mビットの容量を持つメモリデバイス(32I/O,4バンク構成)は、一般的(標準規格)に、各バンクに1I/Oについて1MBのメモリセルを持つ。これらメモリセルは、12ビットのロウアドレス(Xアドレス)により選択される複数(4096本)のワード線と、8ビットのコラムアドレス(Yアドレス)により選択される複数(256本)のビット線によりアレイ配列されている。そして、SDRAM等のメモリデバイスは、アドレスマルチプレクス方式によりXアドレスとYアドレスを取り込むように構成されている。従って、一般的なメモリデバイスは、12ビットのXアドレスを取り込む12本のアドレスピンを備え、それらアドレスピンからYアドレスを取り込む。 For example, a memory device having a capacity of 128 Mbits (32 I / O, 4 bank configuration) generally (standard) has 1 MB of memory cells for 1 I / O in each bank. These memory cells include a plurality (4096) of word lines selected by a 12-bit row address (X address) and a plurality (256) of bit lines selected by an 8-bit column address (Y address). An array is arranged. A memory device such as an SDRAM is configured to capture an X address and a Y address by an address multiplex method. Accordingly, a general memory device has 12 address pins for capturing a 12-bit X address, and captures a Y address from these address pins.
これに対し、本実施形態のメモリデバイス12は、Xアドレスの深さとYアドレスの深さを論理アドレスマップ形状に応じて変更する。
図4は、上記の一般的なメモリデバイスと同様な論理アドレスマップ形状(第1の形状)に形成された第1のメモリアレイM1を示す。図5は、図4に比べて、Xアドレスを深くしYアドレスを浅くした論理アドレスマップ形状(第2の形状)に形成された第2のメモリアレイM2を示す。
On the other hand, the
FIG. 4 shows a first memory array M1 formed in a logical address map shape (first shape) similar to the general memory device described above. FIG. 5 shows a second memory array M2 formed in a logical address map shape (second shape) in which the X address is deeper and the Y address is shallower than FIG.
第1のメモリアレイM1は、論理アドレスマップ形状がXアドレス深さm(論理ワード線本数2m)、Yアドレス深さn(論理ページ長2n)である。尚、図には2mを2**mとして記す)第2のメモリアレイM2は、論理アドレスマップ形状がXアドレス深さm+1(論理ワード線本数2m+1)、Yアドレス深さn−1(論理ページ長2n-1)である。 The first memory array M1 has a logical address map shape of an X address depth m (number of logical word lines 2 m ) and a Y address depth n (logical page length 2 n ). Incidentally, mark the 2 m as 2 ** m in the figure) the second memory array M2, a logical address map shape X address depth m + 1 (logical number of word lines 2 m + 1), Y address depth n- 1 (logical page length 2 n-1 ).
第1のメモリアレイM1では、2m本のワード線のうちの論理的な1本が選択活性化され、2n個のメモリセルの情報が同一個数で対応するセンスアンプにより増幅され、保持される。 In the first memory array M1, a logical one of 2 m word lines is selectively activated, and the information of 2 n memory cells is amplified and held by the corresponding sense amplifier in the same number. The
第2のメモリアレイM2では、2m+1本のワード線のうちの論理的な1本が選択活性化され、2n-1個のメモリセルの情報が同一個数で対応するセンスアンプにより増幅され、保持される。 In the second memory array M2, a logical one of 2 m + 1 word lines is selectively activated, and the information of 2 n-1 memory cells is amplified by the corresponding sense amplifier by the same number. And retained.
ここで、外部から印加されるYアドレスに基づいたY方向に沿ったランダムアクセス要求により、任意のメモリセル情報がアクセスされる。
第1のメモリアレイM1(図4)の場合、メモリデバイス12は、外部より印加された1番目(図には丸を付して表す)のYアドレスY1に基づいてバースト長に応じて4つの内部Yアドレス信号(Y1+0,Y1+1,Y1+2,Y1+3 )を順次生成する。そして、メモリデバイス12は、該内部ロウアドレス信号にて選択されるメモリセルに対して連続的に外部とシリアルアクセスする。
Here, arbitrary memory cell information is accessed by a random access request along the Y direction based on the Y address applied from the outside.
In the case of the first memory array M1 (FIG. 4), the
次に、メモリデバイス12は、同様に2番目のYアドレスY2に基づいて4つの内部Yアドレス信号(Y2+0,Y2+1,Y2+2,Y2+3 )を順次生成し、該内部ロウアドレス信号にて選択されるメモリセルに対して連続的に外部とシリアルアクセスする。
Similarly, the
更に、メモリデバイス12は、同様に3番目のYアドレスY3に基づいて4つの内部Yアドレス信号(Y3+0,Y3+1,Y3+2,Y3+3 )を順次生成し、該内部Yアドレス信号にて選択されるメモリセルに対して連続的に外部とシリアルアクセスする。
Further, the
上記のシリアルアクセスは、Xアドレスが同一(共通)である各先頭アドレスY1,Y2,Y3へのアクセスをランダムアクセスによるページ動作と呼ぶ。そして、先頭アドレスY1,Y2,Y3に対して加算(+0,+1,+2,+3 )されたYアドレスに対するアクセスをバースト動作と呼ぶ(バースト動作のバースト長には、1,2,4,8,・・・などがあるが、ここではバースト長4で説明した)。 In the serial access described above, access to the head addresses Y1, Y2, and Y3 having the same (common) X address is called a page operation by random access. An access to the Y address added (+ 0, + 1, + 2, + 3) to the head address Y1, Y2, Y3 is called a burst operation (the burst length of the burst operation is 1, 2, 4, 8,..., But here the burst length is 4).
Xアドレスが変わる場合には、メモリデバイス12を一旦プリチャージ(イコライズ)した後に、変更されたXアドレスに対応したワード線を選択活性化し、Yアドレスに対応したビット線に接続されたメモリセルにアクセスする。ここでは、ページ動作を3回(3×4=12アクセス)で終了しているが、ページ動作を最大2n/4(2nアクセス)行うことができる。
When the X address changes, after precharging (equalizing) the
一方、第2のメモリアレイM2(図5)の場合、メモリデバイス12は、外部より印加された1番目(図には括弧を付して表す)のYアドレスY1に基づいてバースト長に応じて4つの内部Yアドレス信号(Y1+0,Y1+1,Y1+2,Y1+3 )を順次生成する。そして、メモリデバイス12は、該内部ロウアドレス信号にて選択されるメモリセルに対して連続的に外部とシリアルアクセスする。
On the other hand, in the case of the second memory array M2 (FIG. 5), the
次に、Xアドレスが変わる場合、メモリデバイス12は一旦プリチャージ(イコライズ)動作し、変更されたXアドレスに対応したワード線を選択活性化し、2番目のYアドレスY2に基づいて4つの内部Yアドレス信号(Y2+0,Y2+1,Y2+2,Y2+3 )を順次生成し、該内部Yアドレス信号にて選択されるメモリセルに対して連続的に外部とシリアルアクセスする。
Next, when the X address changes, the
更に、Xアドレスが変わる場合、メモリデバイス12は一旦プリチャージ(イコライズ)動作し、変更されたXアドレスに対応したワード線を選択活性化し、3番目のYアドレスY3に基づいて4つの内部Yアドレス信号(Y3+0,Y3+1,Y3+2,Y3+3 )を順次生成し、該内部ロウアドレス信号にて選択されるメモリセルに対して連続的に外部とシリアルアクセスする。ここでは、ページ動作を1回(4アクセス)で終了しているが、ページ動作を最大2n-1/4(2n-1アクセス)行うことができる。
Further, when the X address changes, the
上記第1のメモリアレイM1及び第2のメモリアレイM2におけるI/Oバスの占有率を考える。第1のメモリアレイM1では、1つのXアドレスに対して連続可能なアクセス数は2n回と多く、I/Oバスの占有率を高めることができる。一方、第2のメモリアレイM2では、1つのXアドレスに対して連続可能なアクセス数は2n-1回と第1のメモリアレイM1に比べて半分であり、I/Oバスの占有率が第1のメモリアレイM1よりも低く制限される可能性がある。 Consider the occupation ratio of the I / O bus in the first memory array M1 and the second memory array M2. In the first memory array M1, the number of accesses that can be continued with respect to one X address is as large as 2 n times, and the occupation ratio of the I / O bus can be increased. On the other hand, in the second memory array M2, the number of continuous accesses to one X address is 2 n-1 times, which is half that of the first memory array M1, and the I / O bus occupation ratio is There is a possibility of being limited lower than the first memory array M1.
次に、第1のメモリアレイM1及び第2のメモリアレイM2における消費電流を考える。各メモリアレイM1,M2の消費電流はワード線の活性化とセンスアンプの活性化による充放電電流とに対応する。 Next, consider the current consumption in the first memory array M1 and the second memory array M2. The current consumption of each memory array M1, M2 corresponds to the activation of the word line and the charge / discharge current due to the activation of the sense amplifier.
第1のメモリアレイM1を1回プリチャージした時のワード線の活性とセンスアンプの活性の消費電流をPとする。この時、第2のメモリアレイM2を1回プリチャージした時のそれはP/2である。第1のメモリアレイM1をXアドレス優先動作させたときの消費電流を考える。バースト長4、ページ動作1回(4アクセス)でXアドレスを変更しながらアクセスすると、1アクセスあたりのワード線の活性とセンスアンプの活性の消費電流の平均はP/4(=P÷4)である。第2のメモリアレイM2を同様に動作させると、1アクセスあたりのワード線の活性とセンスアンプの活性の消費電流の平均はP/8(=(P/2)÷4)となる。以上のように、ページを十分に活用しないXアドレス優先動作においては、消費電流の面で第2のメモリアレイM2の方が有利である。 Let P be the current consumption of the word line and the sense amplifier when the first memory array M1 is precharged once. At this time, when the second memory array M2 is precharged once, it is P / 2. Consider the current consumption when the first memory array M1 is operated with priority on the X address. When access is performed while changing the X address in a burst length of 4 and a page operation once (4 accesses), the average consumption current of the activation of the word line and the sense amplifier per access is P / 4 (= P ÷ 4) It is. When the second memory array M2 is operated in the same manner, the average current consumption of the word line and access of the sense amplifier per access is P / 8 (= (P / 2) / 4). As described above, in the X address priority operation in which the page is not fully utilized, the second memory array M2 is more advantageous in terms of current consumption.
よって、Yアドレス方向に優先した動作でメモリデバイスをアクセスする場合には、第1のメモリアレイM1の論理アドレスマップにするほうが、I/Oバスの占有率を高く使用できる場合がある。逆に、Xアドレス方向に優先した動作でメモリデバイスをアクセスする場合には、第2のメモリアレイM2の論理アドレスマップにするほうが、消費電流の効率が良い。 Therefore, when the memory device is accessed with an operation preferentially in the Y address direction, the I / O bus occupation rate may be higher when the logical address map of the first memory array M1 is used. On the other hand, when the memory device is accessed with an operation preferentially in the X address direction, the current consumption efficiency is better when the logical address map of the second memory array M2 is used.
図1は、メモリデバイス(SDRAM)12の概略を説明するためのブロック図である。
SDRAM12は、クロックバッファ21、コマンドデコーダ22、アドレスバッファ23、入出力バッファ24、制御信号ラッチ25、モードレジスタ26、アドレス発生回路27、書き込み・読み出し(I/O)制御回路28及びDRAMコア29を有する。
FIG. 1 is a block diagram for explaining an outline of a memory device (SDRAM) 12.
The
クロックバッファ21は、クロックイネーブル信号CKE及び外部クロック信号CLKを外部装置から入力し、それらに基づいて生成した内部クロック信号CLK1を各回路へ出力する。
The
コマンドデコーダ22は、クロックバッファ21からの内部クロック信号CLK1、つまりクロック信号CLKに応答して、外部装置から外部コマンドCOMを入力する。外部コマンドCOMは、本実施形態では、チップセレクト信号/CS、コラムアドレスストローブ信号/CAS、ライトイネーブル信号/WE及びロウアドレスストローブ信号/RASから構成されている。そして、コマンドデコーダ22は、内部クロック信号CLK1に応答して、その時に外部コマンドCOM、即ち、各信号/CAS,/WE,/CS,/RASの状態(Hレベル又はLレベル)からライトコマンド、リードコマンド、リフレッシュコマンド等の各種のコマンドをデコードする。そして、コマンドデコーダ22は外部コマンドCOMからこれらデコードした各種コマンドを内部コマンド及びイネーブル信号等としてアドレスバッファ23、入出力バッファ24、制御信号ラッチ25、モードレジスタ26及びI/O制御回路28に出力する。
The
アドレスバッファ23は、バッファ機能及びラッチ機能を有し、コマンドデコーダ22からの内部コマンドに基づいて外部装置からアドレス信号A0〜A12とバンクアドレス信号BA0,BA1を入力する。アドレスバッファ23は、入力したアドレス信号A0〜A12及びバンクアドレス信号BA0,BA1を増幅し、それらに基づくアドレスデータをラッチするとともに制御信号ラッチ25、モードレジスタ26及びアドレス発生回路27に出力する。
The
尚、このメモリデバイス12と実質的に同一のメモリ容量を持つ標準的なメモリデバイスは、12ビットのアドレス信号A0〜A11と2ビットのバンクアドレスBA0,BA1にて動作する。従って、このメモリデバイス12は、標準的なメモリデバイスに対して1ビットのアドレス信号A12を入力するアドレスピンが多くなっている。
Note that a standard memory device having substantially the same memory capacity as the
入出力バッファ24は、コマンドデコーダ22からのイネーブル信号に基づいて活性化され、外部装置からライトデータDQ0〜DQ31、マスク制御信号DQMを入力する。入出力バッファ24は、内部クロック信号CLK1に応答してライトデータDQ0〜DQ31をI/O制御回路28に出力する。また、入出力バッファ24は、内部クロック信号CLK1に応答してI/O制御回路28からのリードデータDQ0〜DQ31を外部装置に出力する。また、入出力バッファ24は、マスク制御信号DQMに応答してライトデータDQ0〜DQ31をマスクする。
The input /
制御信号ラッチ25は、コマンドデコーダ22からの内部コマンド及びアドレスバッファ23からのアドレスデータを入力する。そして、制御信号ラッチ25は、これら内部コマンド及びアドレスデータに基づいてDRAMコア29に対してライトデータの書き込み、リードデータの読み出し、リフレッシュ、セルフリフレッシュ等の各種の処理動作のための制御信号を出力する。
The
モードレジスタ26は、コマンドデコーダ22からの内部コマンド(モードレジスタセットコマンド)及びアドレスバッファ23からのアドレスデータを入力する。そして、モードレジスタ26は、これら内部コマンド及びアドレスデータに基づいてDRAMコア29に対して行う各種の処理動作のモードを保持する。
The
そして、モードレジスタ26は、保持したモードの情報に基づく制御信号を出力する。
モードレジスタ26が保持するモードの情報には、アクセス形態情報が含まれる。アクセス形態情報は、DRAMコア29の論理アドレスマップ形状を示す情報である。モードレジスタ26は、そのアクセス形態情報に基づいて生成したアドレス構成選択信号をアドレス発生回路27に出力する。
The
The mode information held by the
アドレス発生回路27は、アドレスバッファ23からアドレス信号A0〜A12に基づくアドレスデータを入力する。そして、アドレス発生回路27は、モードレジスタ26のモードとアドレス構成選択信号に基づいて、その時々のDRAMコア29の論理アドレスマップ形状に対応して生成したロウアドレスデータとコラムアドレスデータをDRAMコア29に出力する。アドレス発生回路27は、モードレジスタ26に設定されたバースト長に基づいて入力アドレスからインクリメントしたコラムアドレスを自動生成する機能を有する。
The
I/O制御回路28は、コマンドデコーダ22からの内部コマンドに基づいて、入力又は出力制御する。I/O制御回路28は、入出力バッファ24からのライトデータ(32ビット)をDRAMコア29に出力し、DRAMコア29からのリードデータ(32ビット)を入出力バッファ24に出力する。
The I /
DRAMコア29は、複数(本実施形態では4つ)のバンクから構成され、各バンクには、制御信号ラッチ25からの制御信号、アドレス発生回路27からのロウアドレスデータとコラムアドレスデータをそれぞれ入力する。即ち、アドレスバッファ23にはDRAMコアのバンクの数に対応するバンクアドレス信号BA0,BA1が入力され、制御信号ラッチ25及びアドレス発生回路27は、各バンク毎に設けられている。
The
DRAMコア29は、制御信号及びアドレスデータに基づいて内蔵したメモリセルアレイに対してライトデータの書き込み、リードデータの読み出し、リフレッシュ、セルフリフレッシュ等の各種の処理動作を実行する。従って、DRAMコア29は、入出力バッファ24から入力されたライトデータDQ0〜DQ31を制御信号及びアドレスデータに基づいて所定のアドレスのメモリセルに書き込む。
The
図2は、アクセス形態情報に従って論理アドレスマップ形状を変更する機能を説明するための原理図である。
メモリデバイス12は、アドレス構成選択回路30、切り替えスイッチ31、行系回路32、列系回路33、第1及び第2デコーダ34,35、メモリセルアレイ36を含む。例えば、アドレス構成選択回路30は図1のコマンドデコーダ22とモードレジスタ26を含む。切り替えスイッチ31、行系回路32及び列系回路33は図1のアドレス発生回路27に含まれ、第1及び第2デコーダ34,35とメモリセルアレイ36はDRAMコア29に含まれる。尚、構成は適宜変更されてもよい。また、アドレス構成選択回路30を別に備える構成としてもよい。
FIG. 2 is a principle diagram for explaining the function of changing the logical address map shape according to the access mode information.
The
アドレス構成選択回路30には複数の制御信号と複数のアドレス信号が入力される。アドレス構成選択回路30は複数の制御信号に基づいてそのときに外部から供給されるコマンドを解析する。そして、アドレス構成選択回路30は、そのときのコマンドが論理アドレスマップ形状を変更するためのコマンドの場合、そのときにアドレス信号に基づいて論理アドレスマップ形状を変更するべく生成したアドレス構成選択信号ASSを切り替えスイッチ31と第1及び第2デコーダ34,35に出力する。
The address
切り替えスイッチ31には、外部入力アドレスとアドレス構成選択信号ASSが入力される。切り替えスイッチ31は、アドレス構成選択信号ASSに応答して外部入力アドレスを行系回路32又は列系回路33に供給するよう切り替える。この切り替える対象となる信号は、同じメモリ容量を持つ標準のメモリデバイスに印加される外部アドレス信号に対して追加された外部アドレス信号である。
An external input address and an address configuration selection signal ASS are input to the
即ち、図1のメモリデバイス12の場合、外部アドレス信号A12がそれに相当する。メモリデバイス12は、その外部アドレス信号A12をアクセス形態情報に応答して行系回路32又は列系回路33に供給する。
That is, in the case of the
行系回路32は、供給されるアドレス信号に基づいて生成したコラムアドレスを第1デコーダ34に供給する。列系回路33は、供給されるアドレス信号に基づいて生成したコラムアドレスを第2デコーダ35に供給する。
The row-related
第1デコーダ34は、供給されるアドレス信号をデコードしてアドレス信号に対応するビット線(又はコラム線)を選択するコラム選択信号を生成し、該コラム選択信号をメモリセルアレイ36に供給する。選択可能なビット線の数は、選択される論理アドレスマップ形状により異なり、本実施形態ではアドレス信号A0〜A7(図1)により最大2n(n=8)となる。従って、第2デコーダ35は、2n本のビット線のうちの1本を選択する選択信号を生成するように構成されている。
The
第1デコーダ34はクランプ手段34aを含む。クランプ手段34aは、論理アドレスマップ形状によって必要とされない回路の入力をクランプするために設けられている。
図4に示す論理アドレスマップ形状(第1のメモリアレイM1)を選択した場合には2n本のビット線のうちの1本(2n個のセンスアンプのうちの1つ)を選択する選択信号がアドレス信号A0〜An-1に基づいて生成される。一方、図5に示す論理アドレスマップ形状(第2のメモリアレイM2)を選択した場合には2n-1本のビット線のうちの1本を選択する選択信号(実際には2n本のビット線のうちの2本)がアドレス信号A0〜An-2に基づいて生成される。
The
Selection of selecting one of 2 n bit lines (one of 2 n sense amplifiers) when the logical address map shape (first memory array M1) shown in FIG. 4 is selected A signal is generated based on the address signals A0 to An-1. On the other hand, when the logical address map shape (second memory array M2) shown in FIG. 5 is selected, a selection signal for selecting one of 2 n-1 bit lines (actually 2 n lines). Two of the bit lines) are generated based on the address signals A0 to An-2.
従って、第2のメモリアレイM2を選択した場合、アドレス信号An-1を入力する回路部分の動作を安定にする(実際には論理アドレスマップ形状に応じた複数本のビット線を同時に選択する)ためにその入力をクランプ手段34aにてクランプする。 Therefore, when the second memory array M2 is selected, the operation of the circuit portion to which the address signal An-1 is input is stabilized (actually, a plurality of bit lines corresponding to the logical address map shape are simultaneously selected). Therefore, the input is clamped by the clamping means 34a.
例えば、4本のビット線が接続されたデコーダは、2ビットのアドレス信号A0,A1により4本のビット線のうちの1本を選択する。デコーダに接続された配線の本数に対して選択する配線の本数を圧縮率という。従って、この時の第1デコーダ34の圧縮率は1/4である。
For example, a decoder to which four bit lines are connected selects one of the four bit lines based on 2-bit address signals A0 and A1. The number of wirings selected with respect to the number of wirings connected to the decoder is called a compression rate. Accordingly, the compression rate of the
クランプ手段は、一方のアドレス信号(例えばA1)を所定レベル(デコーダの形式が、NAND論理を用いた場合にはHレベル、NOR論理を用いた場合にはLレベル)にクランプする。この場合、デコーダは、1ビットのアドレス信号A0により接続された4本のビット線のうちの2本を選択する。この時のデコーダの圧縮率は1/2となる。 The clamping means clamps one address signal (for example, A1) to a predetermined level (decoder type is H level when NAND logic is used, and L level when NOR logic is used). In this case, the decoder selects two of the four bit lines connected by the 1-bit address signal A0. At this time, the compression rate of the decoder is ½.
即ち、クランプ手段は、デコーダの圧縮率を変更する。従って、本実施形態のクランプ手段34aは、第1デコーダ34の圧縮率を可変するべく所定のアドレスを、第1デコーダ34の構成に応じたレベルにクランプする。
That is, the clamp means changes the compression rate of the decoder. Therefore, the clamping
第2デコーダ35は、供給されるアドレス信号をデコードしてアドレス信号に対応するワード線を選択するロウ選択信号を生成し、該ロウ選択信号をメモリセルアレイ36に供給する。選択可能なワード線の数は、選択される論理アドレスマップ形状により異なり、本実施形態では図5に示すようにアドレス信号A0〜A12(図1)により最大2m+1(m=12)となる。従って、第1デコーダ34は、2m+1本のワード線のうちの1本を選択する選択信号を生成するように構成されている。
The
第2デコーダ35はクランプ手段35aを含む。クランプ手段35aは、論理アドレスマップ形状によって必要とされない回路の入力をクランプするために設けられている。
図4に示す論理アドレスマップ形状(第1のメモリアレイM1)を選択した場合には2m本のワード線のうちの1本を選択する選択信号がアドレス信号A0〜Amに基づいて生成される。一方、図5に示す論理アドレスマップ形状(第2のメモリアレイM2)を選択した場合には2m+1本のワード線のうちの1本を選択する選択信号がアドレス信号A0〜Am+1に基づいて生成される。
The
When the logical address map shape (first memory array M1) shown in FIG. 4 is selected, a selection signal for selecting one of 2 m word lines is generated based on the address signals A0 to Am. . On the other hand, when the logical address map shape (second memory array M2) shown in FIG. 5 is selected, selection signals for selecting one of 2 m + 1 word lines are address signals A0 to Am + 1. Is generated based on
従って、第1のメモリアレイM1を選択した場合、アドレス信号Am+1を入力する回路部分の動作を安定にする(実際には論理アドレスマップ形状に応じて複数本のサブワード線を同時に選択する)ためにその入力をクランプ手段35aにてクランプする。 Therefore, when the first memory array M1 is selected, the operation of the circuit portion to which the address signal Am + 1 is input is stabilized (actually, a plurality of sub word lines are simultaneously selected according to the logical address map shape). Therefore, the input is clamped by the clamping means 35a.
クランプ手段35aは、第1デコーダ34のクランプ手段34aと同様に、第2デコーダ35の圧縮率を可変するべく所定のアドレスを、第2デコーダ35の構成に応じたレベルにクランプする。
The
選択するワード線の数の変更は、一度に駆動するサブワード線の数を変更することで実施される。即ち、メモリセルアレイ36には、デコーダ35にて生成される選択信号により駆動されるメインワード線と、そのメインワード線に複数のゲートを介して接続されメインワード線の駆動により2次的に駆動されるサブワード線が設けられている。例えば、サブワード線はコラムブロック毎に設けられている。そして、メインワード線を駆動すると、その駆動に応答するゲートによってサブワード線が駆動される。従って、サブワード線を駆動するゲートにてメインワード線の駆動とアクセス形態情報との論理をとる事で駆動するサブワード線の数をアクセス形態情報に対応させる。これにより、アクセス形態情報に応じて論理アドレスマップ形状を実質的に変更することができる。
The number of selected word lines is changed by changing the number of sub word lines driven at one time. That is, the
図7は、メモリセルアレイの構成と、第1のメモリアレイM1(図4参照)に対応する選択の説明図である。
メモリセルアレイ36は、2m本のワード線と2n本のビット線によりアレイ配列されたセル37と、各ビット線に接続されたセンスアンプ38を有している。
FIG. 7 is an explanatory diagram of the configuration corresponding to the configuration of the memory cell array and the first memory array M1 (see FIG. 4).
The
複数のワード線のうち、Xデコーダ35(図2)にてアドレス信号XA<0:m> (アドレス信号A0〜A11)の論理に基づく1本が活性化される。更に、選択されたワード線に対応する2n個のセンスアンプ38が活性化される。その選択されたワード線に接続された2n個のセル37からセル情報がそれぞれ対応するセンスアンプ38に読み出される。そして、複数のセンスアンプ38のうち、Yデコーダ34(図2)にてアドレス信号YA<0:n> (アドレス信号A0〜A7)の論理に基づく1つが図示しないデータバス線に接続される。このようにデータバス線に接続されたセンスアンプ38を介して選択されたセル37に対してリード又はライト動作が実施される。
Of the plurality of word lines, one of the word lines based on the logic of the address signal XA <0: m> (address signals A0 to A11) is activated by the X decoder 35 (FIG. 2). Further, 2 n
図8は、メモリセルアレイの構成と、第2のメモリアレイM2(図5参照)に対応する選択の説明図である。
メモリセルアレイ36は分割された2つのコラムブロックからなり、ブロックはアドレス信号XAm+1にて何れか一方が選択される。各ブロックは2m本のサブワード線と2n-1個のセンスアンプ38をそれぞれ備える。従って、メモリセルアレイ36は、実質的に同じXアドレスにより選択される2本のサブワード線を有し、これらワード線は図7の1本のワード線に相当する。
FIG. 8 is an explanatory diagram of the configuration corresponding to the configuration of the memory cell array and the second memory array M2 (see FIG. 5).
The
複数のサブワード線のうち、Xデコーダ35にてアドレス信号XA<0:m+1> (アドレス信号A0〜A12)の論理に基づく1本が活性化される。そして、選択されたサブワード線に対応する2n-1個のセンスアンプ38が活性化され、サブワード線に接続された複数のセル37からセル情報がそれぞれ対応するセンスアンプ38に読み出される。そして、複数のセンスアンプ38のうち、Yデコーダ34(図2)にてアドレス信号YA<0:n-1> (アドレス信号A0〜A6)の論理に基づく1つが図示しないデータバス線に接続される。このようにデータバス線に接続されたセンスアンプ38を介して選択されたセル37に対してリード又はライト動作が実施される。
One of the plurality of sub word lines is activated by the
従って、図7に示すメモリセルアレイ36では、1つのXアドレスXAにより活性化されたワード線に接続された2n個のセル37からのセル情報がそれぞれセンスアンプ38にラッチされる。従って、同一のXアドレスにて選択されるセル37に対するアクセスは、Yアドレスを指定するだけで実施されるため、アクセス時間が短く消費電流が少ない。
Accordingly, in the
一方、図8に示す論理アドレスマップ形状に対応するメモリセルアレイ36では、1つの活性化されたサブワード線に接続された2n-1個のセル37からのセル情報がセンスアンプ38にラッチされる。このとき活性化されるサブワード線は、図7のワード線の長さの1/2である。また、活性化されるセンスアンプ38の数は、図7に示す場合に比べて1/2である。従って、同一のXアドレスにてアクセス可能なセル37の数は1/2であるが、消費電流も1/2となる。
On the other hand, in the
尚、図8において、メモリセルアレイ36を構成する2つのコラムブロックは、拡張されたXアドレスXAm+1により選択される。従って、XアドレスXAm+1の出力先を、行系回路32から列系回路33に切り替える。即ち、メモリデバイス12は、外部より与えられたXアドレスXAm+1を、Xアドレスによりワード線を選択する方向からYアドレスによりビット線を選択する方向に置き換える。
In FIG. 8, the two column blocks constituting the
このXアドレスXAm+1によりコラムブロックをサブワード線を選択するとともに、センスアンプ38を選択する。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
The X
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1)メモリデバイス12は論理アドレスマップ形状が変更可能に構成されている。CPU11は、アクセス形態に応じてメモリデバイス12の論理アドレスマップ形状を制御する。その結果、効率的なアクセスを行うことができる。
(1) The
(2)メモリデバイス12は、論理アドレスマップ形状に基づいて、Xアドレスの一部により活性化するセンスアンプ38の数を変更するようにした。その結果、消費電流を低減することができる。
(2) The
(2)論理アドレスマップ形状に応じて、外部から供給されるアドレス信号の一部をX方向からY方向へ、又はその逆に置き換えるようにした。その結果、論理アドレスマップ形状を容易に変更することができる。 (2) Depending on the logical address map shape, part of the address signal supplied from the outside is replaced from the X direction to the Y direction or vice versa. As a result, the logical address map shape can be easily changed.
(3)アドレス構成設定をモードレジスタ設定コマンドにて行うようにした。
その結果、専用の端子を設ける必要がなく、メモリデバイス12の形状増大を抑えることができる。
(3) The address configuration is set by the mode register setting command.
As a result, there is no need to provide a dedicated terminal, and an increase in the shape of the
尚、前記実施形態は、以下の態様に変更してもよい。
・上記実施形態では、アドレス構成選択回路30を備えてアドレス構成選択信号ASSを生成し、切り替えスイッチ31、第1及び第2デコーダ34,35はその信号ASSに応答してアドレス信号をX方向からY方向に置き換えるようにしたが、図9に示すように、切り替えスイッチ31、第1及び第2デコーダ34,35が外部から供給されるアクセス形態情報を受け付け、該情報に直接応答して論理アドレスマップ形状を変更するように構成してもよい。
In addition, you may change the said embodiment into the following aspects.
In the above embodiment, the address
・上記実施形態では、X方向をワード線選択方向(ロウ方向)、Y方向をビット線選択方向(コラム方向)としたが、X方向とコラム方向、Y方向をロウ方向としてもよい。その場合、外部から供給されるアドレス信号をY方向からX方向に置き換える。 In the above embodiment, the X direction is the word line selection direction (row direction) and the Y direction is the bit line selection direction (column direction). However, the X direction and the column direction may be the row direction. In that case, the address signal supplied from the outside is replaced from the Y direction to the X direction.
(第二実施形態)
以下、本発明を具体化した第二実施形態を図10〜図12に従って説明する。
尚、説明の便宜上、第一実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を一部省略する。
(Second embodiment)
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
For convenience of explanation, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a part of the explanation is omitted.
図10は、メモリデバイス40の概略ブロック図である。
メモリデバイス40は、コマンド発生回路41、モードレジスタ42、アドレス発生回路43を含む。例えば、コマンド発生回路41は、図1に示すクロックバッファ21とコマンドデコーダ22を含む。この図に示すように、所望の機能(論理アドレスマップ形状を変更する機能)を有していれば、回路は適宜変更されても良い。
FIG. 10 is a schematic block diagram of the
The
コマンド発生回路41は、クロック端子とコマンド端子に接続され、図1に示すクロック信号CLKと外部コマンドCOMを入力する。コマンド発生回路41は、クロック信号CLKに応答して、そのときに外部コマンドCOM、すなわち各信号/CAS,/WE,/CS,/RAS(図1参照)の状態から各種コマンドをデコードする。コマンド発生回路41は、アクティブコマンドの場合にはACT信号を、リード/ライトコマンドの場合にはREAD/WRITE信号(以下、RD/WR信号)、モードレジスタセットコマンドの場合にはMRS信号を出力する。
The
モードレジスタ42は、アドレス端子に接続され、外部アドレス信号A0〜A12を入力する。モードレジスタ42は、コマンド発生回路41からのMRS信号とアドレス信号A0〜A12に基づいて、DRAMコア29に対して行う各種の処理動作のモード情報を保持する。モード情報にはアクセス形態情報が含まれる。
The
即ち、モードレジスタ42は、外部(図3のCPU11)からインカサレルアクセス形態情報をモードレジスタ42にて保持する。そして、モードレジスタ42は、保持したアクセス形態情報に対応するアドレス構成セレクト信号(以下、単にセレクト信号)ASSを出力する。
That is, the
アドレス発生回路43は、Xアドレス発生回路44とYアドレス発生回路45を含む。Xアドレス発生回路44には、ACT信号、セレクト信号ASS、アドレス信号A0〜A12が入力される。Xアドレス発生回路44は、ACT信号に応答してアドレス信号A0〜A12をロウアドレスとして受け付け、該ロウアドレスをDRAMコア29に出力する。この時、Xアドレス発生回路44は、セレクト信号ASSに基づいて、アドレス信号A0〜A12の一部を有効又は無効とする。
図4に示す論理アドレスマップ形状(第1のメモリアレイM1)の場合、ワード線はアドレス信号A0〜A11により選択・活性化される。一方、図5に示す論理アドレスマップ形状(第2のメモリアレイM2)の場合、ワード線(サブワード線)はアドレス信号A0〜A12により選択・活性化される。 In the case of the logical address map shape (first memory array M1) shown in FIG. 4, the word lines are selected and activated by address signals A0 to A11. On the other hand, in the case of the logical address map shape (second memory array M2) shown in FIG. 5, the word lines (sub-word lines) are selected and activated by the address signals A0 to A12.
従って、Xアドレス発生回路44は第1のメモリアレイM1としてメモリデバイス40が動作するように設定されている場合、アドレス信号A12を無効とし、アドレス信号A0〜A11をロウアドレスとして出力する。一方、Xアドレス発生回路は第2のメモリアレイM2としてメモリデバイス40が動作するように設定されている場合、アドレス信号A12を有効とし、アドレス信号A0〜A12をロウアドレスとして出力する。
Therefore, when the
Yアドレス発生回路45には、ACT信号、セレクト信号ASS、アドレス信号A0〜A7が入力される。Yアドレス発生回路45は、ACT信号に応答してアドレス信号A0〜A7をコラムアドレスとして受け付け、該コラムアドレスをDRAMコア29に出力する。この時、Yアドレス発生回路45は、セレクト信号ASSに基づいて、アドレス信号A0〜A7の一部を有効又は無効とする。
The Y
図4に示す論理アドレスマップ形状(第1のメモリアレイM1)の場合、ビット線はアドレス信号A0〜A7により選択・活性化される。一方、図5に示す論理アドレスマップ形状(第2のメモリアレイM2)の場合、ビット線はアドレス信号A0〜A6により選択・活性化される。 In the case of the logical address map shape (first memory array M1) shown in FIG. 4, the bit lines are selected and activated by address signals A0 to A7. On the other hand, in the case of the logical address map shape (second memory array M2) shown in FIG. 5, the bit lines are selected and activated by the address signals A0 to A6.
従って、Yアドレス発生回路45は第1のメモリアレイM1としてメモリデバイス40が動作するように設定されている場合、アドレス信号A7を有効とし、アドレス信号A0〜A7をコラムアドレスとして出力する。一方、Yアドレス発生回路45は第2のメモリアレイM2としてメモリデバイス40が動作するように設定されている場合、アドレス信号A7を無効とし、アドレス信号A0〜A6をコラムアドレスとして出力する。
Therefore, when the
図11は、図10の動作波形図である。
メモリデバイス40は、クロック信号CLKの立ち上がりに応答し、外部と信号の入出力を行う。メモリデバイス40は、外部コマンドCOMがモードレジスタセットコマンド(MRS)の場合にそのときのアドレス信号BA0,BA1,A0〜A12またはその一部をレジスタ設定情報Vとして受け取り、その情報Vに基づいて各種モードを設定する。
FIG. 11 is an operation waveform diagram of FIG.
The
時刻t1において、メモリデバイス40はレジスタ設定情報Vに基づいて論理アドレスマップ形状を第1のメモリアレイM1に設定する。次に、メモリデバイス40は、次のアクティブコマンド(ACT)に応答して受け取るアドレス信号A0〜A12の一部(アドレス信号A12)を無効とし、アドレス信号A0〜A11に基づいて4096本のワード線の中から選択した1本のワード線を活性化する。これにより、ワード線に接続されたメモリセルのセル情報がセンスアンプに読み出される。
At time t1, the
次に、メモリデバイス40は、リードコマンド(RD)に応答してアドレス信号A0〜A7を受け取り、該アドレス信号A0〜A7により256個のセンスアンプの中から選択されたセンスアンプ(図7に示す#00のセンスアンプ38)をデータバス線に接続する。これにより、リードコマンドにより受け取るアドレス信号A0〜A7(Yアドレス)に対応するメモリセルのセル情報が外部に出力される。
Next, the
この後、メモリデバイス40は、システムクロックCLK毎に連続してまたは断続的にリードコマンドRDとYアドレスA0〜A7を受け取り、それらによるページ動作(#80→#7F→#FF)が可能である。I/Oデータバスには連続してYアドレスである256個の番地のデータまで読み出すことができる。従って、この時、I/Oデータバスには連続して256個のメモリセルからのリードデータを読み出すことができ、該リードデータによるI/Oデータバスの占有率が高い。
Thereafter, the
時刻t2において、メモリデバイス40はモードレジスタセットコマンド(MRS)に応答して受け取るレジスタ設定情報Vにより論理アドレスマップ形状を第2のメモリアレイM2に設定する。次に、メモリデバイス40は、次のアクティブコマンド(ACT)に応答して受け取るアドレス信号A0〜A12(A12(図8ではXAm+1)=”L”)に基づいて8192本のサブワード線の中から選択した1本のサブワード線を活性化する。これにより、サブワード線に接続されたメモリセルのセル情報がセンスアンプに読み出される。
At time t2, the
次に、メモリデバイス40は、リードコマンド(RD)に応答してアドレス信号A0〜A7を受け取り、該アドレス信号A0〜A7の一部(アドレス信号A7)を無効とし、アドレス信号A0〜A6により128個のセンスアンプの中から選択されたセンスアンプ(図8に示す最下段の#00のセンスアンプ38)をデータバス線に接続する。これにより、リードコマンドにより受け取るアドレス信号A0〜A6(Yアドレス)に対応するメモリセルのセル情報が外部に出力される。
Next, the
この後、メモリデバイス40は、リードコマンドRDとYアドレスA0〜A7を受け取り、それらによるページ動作(#7F)を行う。次に、メモリデバイス40は、プリチャージコマンド(PRE)によりワード線(サブワード線)とセンスアンプを非活性化してスタンバイ状態に戻る。次に、メモリデバイス40は、規定クロック(図11では4クロック)後のアクティブコマンド(ACT)に応答して受け取るアドレス信号A0〜A12(A12(図8ではXAm+1)=”H”)に基づいて8192本のサブワード線の中から選択した1本のサブワード線を活性化する。これにより、サブワード線に接続されたメモリセルのセル情報がセンスアンプに読み出される。
Thereafter, the
次に、メモリデバイス40は、リードコマンド(RD)に応答してアドレス信号A0〜A7を受け取り、該アドレス信号A0〜A7の一部(アドレス信号A7)を無効とし、アドレス信号A0〜A6により128個のセンスアンプの中から選択されたセンスアンプ(図8に示す中段の#00のセンスアンプ38)をデータバス線に接続する。これにより、リードコマンドにより受け取るアドレス信号A0〜A6(Yアドレス)に対応するメモリセルのセル情報が外部に出力される。
Next, the
この時、活性化されるサブワード線の長さは第1のメモリアレイM1のワード線に比べて短く、活性化されるセンスアンプの数も第1のメモリアレイM1のそれより少ない。従って、第2のメモリアレイM2は、ページ長が半分に制限されるものの、YアドレスYA<6:0> 内のアクセスであれば同一アクセス数に要するアクティブとプリチャージの消費電流は半分になる。 At this time, the length of the activated sub word line is shorter than the word line of the first memory array M1, and the number of sense amplifiers activated is smaller than that of the first memory array M1. Therefore, although the page length of the second memory array M2 is limited to half, if the access is within the Y address YA <6: 0>, the current consumption of active and precharge required for the same number of accesses is halved. .
図12は、アドレス発生回路43の一例を示すブロック図である。
アドレス発生回路43は、Xアドレス発生回路44、Yアドレス発生回路45、インバータ回路46を含む。
FIG. 12 is a block diagram showing an example of the
The
Xアドレス発生回路44は、アドレス信号A0〜A11に対応する12個の第1バッファラッチ回路44aと、アドレス信号A12に対応する第2バッファラッチ回路44bを備える。第2バッファラッチ回路44bはクランプ手段(図示略)を含む。尚、クランプ手段とコラムデコーダ48に設ける、また別の回路として接続するなど、回路構成を適宜変更しても良い。
The X
Yアドレス発生回路45は、アドレス信号A0〜A6に対応する7個の第1バッファラッチ回路45aと、アドレス信号A7に対応する第2バッファラッチ回路45bを備える。第2バッファラッチ回路45bはクランプ手段(図示略)を含む。尚、クランプ手段をロウデコーダ47に設ける、また、別の回路として接続するなど、回路構成を適宜変更しても良い。
The Y
インバータ回路46は、入力されるセレクト信号ASSを論理反転した反転セレクト信号をXアドレス発生回路44の第2バッファラッチ回路44bに出力する。Yアドレス発生回路45の第2バッファラッチ回路45bにはセレクト信号ASSが入力される。従って、両第2バッファラッチ回路44b,45bは相補的に動作する。
The inverter circuit 46 outputs an inverted select signal obtained by logically inverting the input select signal ASS to the second buffer latch circuit 44 b of the X
Xアドレス発生回路44において、第1バッファラッチ回路44aは、アドレス信号A0〜A11をそれぞれラッチし、ラッチ信号をロウデコーダ47に出力する。第2バッファラッチ回路44bはアドレス信号A12をラッチし、反転セレクト信号に応答してラッチ信号又は所定レベルにクランプした信号を出力する。
In the X
Yアドレス発生回路45において、第1バッファラッチ回路45aは、アドレス信号A0〜A6をそれぞれラッチし、ラッチ信号をコラムデコーダ48に出力する。第2バッファラッチ回路45bはアドレス信号A7をラッチし、セレクト信号ASSに応答してラッチ信号又は所定レベルにクランプした信号を出力する。
In the Y
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)メモリデバイス40は、変更された論理アドレスマップ形状に応じてXアドレス又はYアドレスの一部を無効化するようにした。その結果、外部アドレス入力は形状に関わらず一定であるため、供給する信号をマップ形状に合わせて変更する手間を省くことができる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The
尚、前記実施形態は、以下の態様に変更してもよい。
・Xアドレス発生回路44が、無効化したアドレス信号A12に対応する後段の回路(例えばデコーダ)が誤動作しないように出力信号をクランプする手段を有する構成としてもよい。また、更に、Yアドレス発生回路45が、無効化したアドレス信号A7に対応する後段の回路(例えばデコーダ)が誤動作しないように出力信号をクランプする手段を有する構成としてもよい。
In addition, you may change the said embodiment into the following aspects.
The X
(第三実施形態)
以下、本発明を具体化した第三実施形態を図13,図14に従って説明する。
尚、説明の便宜上、第一及び第二実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を一部省略する。
(Third embodiment)
A third embodiment embodying the present invention will be described below with reference to FIGS.
For convenience of explanation, the same reference numerals are given to the same configurations as those in the first and second embodiments, and a part of the explanation is omitted.
図13は、メモリデバイス50の概略ブロック図であり、図14はその動作波形図である。
メモリデバイス50は、コマンド発生回路41、アドレス構成レジスタ51、アドレス発生回路43を含む。
FIG. 13 is a schematic block diagram of the
The
アドレス構成レジスタ51は、アドレス構成設定端子に接続され、アドレス構成設定信号を入力する。また、アドレス構成レジスタ51は、コマンド発生回路41からのACT信号を入力する。
The
アドレス構成レジスタ51は、ACT信号に応答してアドレス構成信号が変更されたか否かを判断する。アドレス構成信号は、論理アドレスマップ形状に対応する論理にて外部(例えば図3のCPU11)から供給される。即ち、アドレス構成レジスタ51は、ACT信号に基づいてアクティブコマンドを受け付ける毎に論理アドレスマップ形状が変更されたか否かを判断し、その判断結果に基づいてアドレス構成設定を記憶する。そして、アドレス構成レジスタ51は、設定に対応するセレクト信号ASSを出力する。
The
このようなメモリデバイス50は、アドレス構成信号を印加する端子が必要であるが、モードレジスタセットコマンドを使用することなく論理アドレスマップ形状を変更することができる。従って、アクティブコマンドを受け付けるサイクル(クロック数)が上記実施形態に比べて少なくなり、全体としてアクセス速度を向上させることができる。
Such a
尚、前記実施形態は、以下の態様に変更してもよい。
・アドレス構成の設定をシステムクロック信号CLKにより判断しても良い。
即ち、アドレス構成レジスタ51はクロック端子に接続され、システムクロック信号CLKを入力する。アドレス構成レジスタ51は、システムクロック信号CLKの立ち上がり(又は、立ち下がり、立ち上がり及び立ち下がり)に応答してアドレス構成信号に基づいて論理アドレスマップ形状が変更されたか否かを判断し、その判断結果に基づいてアドレス構成設定を記憶する。そして、アドレス構成レジスタ51は、設定に対応するセレクト信号ASSを出力する。このように構成した場合、モードレジスタセットコマンドを印加する場合に比べて容易に論理アドレスマップ形状を変更することができる。更に、上記実施形態に比べて、セレクト信号ASSをコマンド発生回路41が各種コマンドを受け付けるよりも早いクロック信号CLKにより生成させることができる。従って、Xアドレス信号を受け取るアドレス発生回路43の動作を遅らせることがなく、アクセス遅延を防止することができる。
In addition, you may change the said embodiment into the following aspects.
The address configuration setting may be determined by the system clock signal CLK.
That is, the
・第二,第三実施形態において、Xアドレス発生回路とYアドレス発生回路を共用してもよい。即ち、図15に示すように、メモリデバイス60は、X・Y共用アドレス発生回路61、切り替えスイッチ62、ラッチ回路63,64、列系回路65、行系回路66を含む。切り替えスイッチ62はアドレス信号A0〜A12に対応して設けられ、アドレス構成セレクト信号ASS2に応答して共用アドレス発生回路61を列系回路65又は行系回路66に接続する。
In the second and third embodiments, the X address generation circuit and the Y address generation circuit may be shared. That is, as shown in FIG. 15, the
列系回路65はXデコーダを含む回路であり、行系回路66はYデコーダを含む回路である。列系回路65と切り替えスイッチ62の間にはラッチ回路63が挿入接続され、行系回路66と切り替えスイッチ62の間にはラッチ回路64が挿入接続されている。
The column related
アドレス構成セレクト信号ASS2は、共用アドレス発生回路61の出力信号をその動作に応じて列系回路65または行系回路66に供給するべく切り替えを制御する制御信号の論理と、アドレス構成セレクト信号ASSの論理を含む信号である。
The address configuration select signal ASS2 includes the logic of a control signal for controlling switching so that the output signal of the shared
図16は、共用アドレス発生回路61の一例を示すブロック図である。
共用アドレス発生回路61は、アドレス信号A0〜A6に対応する7個の第1バッファラッチ回路61a、アドレス信号A7に対応する第2バッファラッチ回路61b、アドレス信号A8〜A11に対応する5個の第3バッファラッチ回路61c、アドレス信号A12に対応する第4バッファラッチ回路61dを備える。
FIG. 16 is a block diagram showing an example of the shared
The shared
切り替えスイッチ62は、第1〜第3スイッチ62a〜62cを含む。第1スイッチ62aは、第1バッファラッチ回路61aの出力信号を行系回路66又は列系回路65に供給する。第2スイッチ62bは、第2バッファラッチ回路61bの出力信号を行系回路66に対して無効/有効とするか、又は列系回路65に供給する。第3スイッチ62cは、第4バッファラッチ回路61dの出力信号を列系回路65に対して無効/有効とするかを決定する。
The
このような構成は、アドレス発生回路が占める面積を小さくすることができ、メモリデバイスの小型化に有効である。
(第四実施形態)
以下、本発明を具体化した第四実施形態を図17〜図27に従って説明する。
Such a configuration can reduce the area occupied by the address generation circuit, and is effective in reducing the size of the memory device.
(Fourth embodiment)
Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
本実施形態は、非同期型メモリにて論理アドレスマップ形状を変更可能に構成したものである。尚、非同期型メモリの概略構成は既に公知であるため図面及び説明を省略する。
このメモリデバイスは、チップイネーブル信号(/CE)もしくはロウアドレスストローブ信号(/RAS)の立ち下がりでアドレス信号ADDをXアドレス(ロウアドレス)として確定する。次に、メモリデバイスは、リードもしくはライト制御信号等でアドレス信号ADDをYアドレス(コラムアドレス)として確定し、それらアドレスにて指定されるセルに対してアクセスを行なう。そのときの動作波形を図17に示す。
In the present embodiment, the logical address map shape can be changed in an asynchronous memory. Incidentally, since the schematic configuration of the asynchronous memory is already known, the drawings and description are omitted.
This memory device determines the address signal ADD as an X address (row address) at the falling edge of the chip enable signal (/ CE) or the row address strobe signal (/ RAS). Next, the memory device determines the address signal ADD as a Y address (column address) by a read or write control signal or the like, and accesses a cell specified by the address. The operation waveform at that time is shown in FIG.
論理アドレスマップ形状の変更は、チップイネーブル信号/CE(又はロウアドレスストローブ信号/RAS)の立ち下がり時に使用されていない端子に印加する。例えば、I/O端子、拡張したアドレス端子ADD2、アドレス構成設定端子を用いる。 The change of the logical address map shape is applied to a terminal that is not used when the chip enable signal / CE (or the row address strobe signal / RAS) falls. For example, an I / O terminal, an extended address terminal ADD2, and an address configuration setting terminal are used.
また、SRAM(Static RAM)やフラッシュメモリの様な完全非同期仕様のメモリデバイスにて論理アドレスマップ形状を変更するように構成してもよい。そのときの動作波形を図18に示す。 Further, the logical address map shape may be changed by a completely asynchronous memory device such as SRAM (Static RAM) or flash memory. The operation waveform at that time is shown in FIG.
尚、非同期のメモリデバイスでは、アドレスマップの制御を以下のイリーガルエントリー方式(通常外部からのアクセスでは使用しない外部からの制御方法)におり行っても良い。 In an asynchronous memory device, the address map may be controlled in accordance with the following illegal entry method (control method from outside that is not normally used for access from outside).
イリーガルエントリー方式は、同期式でのモードレジスタセットコマンドを使用(MRS方式)した場合と同様に、メモリデバイス内部のアドレス構成セレクト信号をチップイネーブル信号/CEからのワード線活性化信号よりも早く生成する。これにより、Xアドレス発生回路もしくはその出力を切換える切換えスイッチ(図15参照)の動作を遅らせることなくアクセス遅延を防止できる。 In the illegal entry method, the address configuration select signal in the memory device is generated earlier than the word enable signal from the chip enable signal / CE, as in the case of using the synchronous mode register set command (MRS method). To do. As a result, the access delay can be prevented without delaying the operation of the X address generation circuit or the selector switch (see FIG. 15) for switching its output.
イリーガルエントリー方式について詳述する。
図19は、アドレス構成の為のモード設定サイクルを説明する波形図である。
メモリデバイスは、アドレス構成の為のモード設定用の専用端子を備え、その専用端子からアドレス構成の種類毎を決める為の情報に必要な情報を取り込むことで、外部アクセス遅延を防止でき誤動作を防止し通常動作の安全動作を保証できる。
The illegal entry method will be described in detail.
FIG. 19 is a waveform diagram illustrating a mode setting cycle for address configuration.
The memory device has a dedicated terminal for setting the mode for address configuration, and imports necessary information for determining the type of address configuration from the dedicated terminal, thereby preventing external access delay and preventing malfunction. And safe operation of normal operation can be guaranteed.
即ち、メモリデバイスはチップイネーブル信号/CE1がHレベルの時に通常動作を行わない。この期間に、専用端子から入力されるプログラムモード信号/PE(=アドレス構成設定端子)に応答してアドレス信号ADDに基づくアドレスコードCodeを取り込む。詳しくは、メモリデバイスは、プログラムモード信号/PEの立ち下がりでアドレスコードの入力を活性化し、同信号/PEの立ち上がりでアドレスコード情報をラッチする。 That is, the memory device does not perform normal operation when the chip enable signal / CE1 is at the H level. During this period, the address code Code based on the address signal ADD is taken in response to the program mode signal / PE (= address configuration setting terminal) input from the dedicated terminal. Specifically, the memory device activates the input of the address code at the fall of the program mode signal / PE, and latches the address code information at the rise of the signal / PE.
一方、メモリデバイスは、チップイネーブル信号/CE1がLレベルの時、外部アクセスに対応した動作状態となり外部アクセスに対応したアドレス信号ADDを取り込む。
尚、図中t1〜t5は外部仕様タイミング条件である。
On the other hand, when the chip enable signal / CE1 is at the L level, the memory device enters an operation state corresponding to external access and takes in an address signal ADD corresponding to external access.
In the figure, t1 to t5 are external specification timing conditions.
尚、図のタイミングにおいて、プログラムモード信号/PEの立ち下がりで外部専用端子の入力回路を活性化し、アドレス信号に対するデコード動作を開始する。そして、プログラムモード信号/PEの立ち上がりでデコード結果を確定し、前記入力回路を非活性化する。この動作によって、消費電力の低減を図ることができる。 At the timing shown in the drawing, the input circuit of the external dedicated terminal is activated at the fall of the program mode signal / PE, and the decoding operation for the address signal is started. Then, the decoding result is determined at the rising edge of the program mode signal / PE, and the input circuit is deactivated. With this operation, power consumption can be reduced.
上記したアドレス構成の為のモード設定サイクルにおいて、プログラムモード信号/PEの論理を反転してもよい。また、アドレスコードはデータ端子(DQやI/OPinと呼んでいる)から入力しても良い。 In the mode setting cycle for the address configuration described above, the logic of the program mode signal / PE may be inverted. The address code may be input from a data terminal (referred to as DQ or I / OPin).
更に、後述の様に、前記コード方式によるプログラムサイクルを数回繰り返した後に、モードを確定するようにしても良い。
図20は、コマンドの説明図である。
Further, as will be described later, the mode may be determined after repeating the program cycle by the code method several times.
FIG. 20 is an explanatory diagram of commands.
このコマンドを利用する場合は、基準クロック(システムクロックCLKやチップイネーブル信号/CE1)に対して、コマンド認識して外部アクセス動作を行なう仕様方式のメモリデバイスが対象となる。 When this command is used, a memory device of a specification system that recognizes a command with respect to a reference clock (system clock CLK or chip enable signal / CE1) and performs an external access operation is targeted.
よって、上記の図17や図18のようなチップイネーブル信号/CE1に対してコマンドで動作しない仕様方式のメモリデバイスでは、前記図19を基本に単にアドレスをアドレス構成の種類毎を決める為の情報として対応し、モード設定の為の回数として利用すればよい。 Accordingly, in the memory device of the specification system that does not operate by a command with respect to the chip enable signal / CE1 as shown in FIG. 17 or FIG. 18, information for simply determining the address for each type of address configuration based on FIG. And may be used as the number of times for mode setting.
コマンド(1)〜(6),(8)〜(10)は通常動作にて用いられるコマンドであり、コマンド(7),(11)は通常動作では意味をなさないコマンドである。コマンド7は、ライト(WR)動作であるが信号/LB,/UBがHレベルであるためデータを入力しない(マスクされている)。コマンド(11)は、リード(RD)動作であるが、同様に信号/LB,/IBによりマスクされているためデータを出力しない。
Commands (1) to (6) and (8) to (10) are commands used in normal operation, and commands (7) and (11) are commands that do not make sense in normal operation.
このように、通常動作に用いないコマンド(イリーガルコマンド)をアドレス構成の種類毎を決める為の情報として取り込むことで、専用端子を設けることなく情報の設定を行うことができる。 In this manner, by setting a command not used for normal operation (an illegal command) as information for determining each type of address configuration, information can be set without providing a dedicated terminal.
図21は、アドレス構成の為のモード設定サイクルを説明する波形図であり、図20のコマンド(11)を複数継続して入力することでアドレス構成の為のモード設定に必要な情報をアドレスコードとして取り込む場合を示す。 FIG. 21 is a waveform diagram for explaining a mode setting cycle for address configuration. By continuously inputting a plurality of commands (11) in FIG. 20, information necessary for mode setting for address configuration is indicated by an address code. The case where it takes in as is shown.
メモリデバイスは、コマンド(11)に応答してアドレス信号ADDをアドレスコードCodeとして取り込む。この動作をN回繰り返す。1回目からN回目までコマンド(11)に対応して取り込んだN個のアドレスコードCodeが全て一致する場合に、そのアドレスコードCodeを有効にしてアドレス構成の為のモード設定を行う。 The memory device captures the address signal ADD as the address code Code in response to the command (11). This operation is repeated N times. When the N address codes Code fetched corresponding to the command (11) from the first time to the Nth time all match, the address code Code is validated to set the mode for address configuration.
尚、コマンド(11)がN−1回一致した場合に、N回目のコマンド(11)に対応して取り込んだアドレスコードCodeに基づいてアドレス構成の為のモード設定を行うようにしてもよい。また、アドレスコードCodeの取り込みを任意のサイクル(例えば1回目)に変更して実施しても良い。他にも種々の応用が展開できる。 When the command (11) matches N-1 times, the mode setting for address configuration may be performed based on the address code Code fetched corresponding to the Nth command (11). Further, the address code Code may be taken in any cycle (for example, the first time). Various other applications can be developed.
モードを設定するアドレスコードは、アドレス構成の種類数に対応してアドレスビット数を確定すればよい。
図21の様にN回のモード設定サイクルの場合、デバイス内部ではカウンタ回路を用いる。N回のモード設定サイクルのエントリに対してカウンタ回路の上位ビットが変化したら、モードを確定する回路構成となる。
The address code for setting the mode may be determined by determining the number of address bits corresponding to the number of types of address configurations.
In the case of N mode setting cycles as shown in FIG. 21, a counter circuit is used inside the device. When the upper bits of the counter circuit change with respect to N mode setting cycle entries, the circuit configuration is determined.
図22は、プログラムアドレス構成の為のモード設定回路であるエントリコントロール回路の動作波形図である。
図22(a)に示すように、第1エントリ回路は、3回目のサイクルでHレベルの第1のアドレスイネーブル信号proaddz を出力し、4回目のサイクルで第1のエントリ信号proentz を出力する。そして、第1エントリ回路は、第1のアドレスイネーブル信号proaddz 及び第1のエントリ信号proentz を同時にリセットする。これによりメモリデバイスは前に確定したアドレス構成の情報を、第1のエントリ信号proentz により4回目のサイクルで取り込んだアドレスコード情報に従った最新のアドレス構成の情報に変更される。
FIG. 22 is an operation waveform diagram of the entry control circuit which is a mode setting circuit for program address configuration.
As shown in FIG. 22A, the first entry circuit outputs the first address enable signal proaddz at the H level in the third cycle, and outputs the first entry signal proentz in the fourth cycle. Then, the first entry circuit simultaneously resets the first address enable signal proaddz and the first entry signal proentz. Thus, the memory device changes the previously determined address configuration information to the latest address configuration information according to the address code information fetched in the fourth cycle by the first entry signal proentz.
図22(b)に示すように、第1エントリ回路は、カウントの途中でその他のコマンド(デバイス活性のアクティブコマンドやリード/ライトコマンド)を受け付けるとカウントをリセットする。その結果、第1のアドレスイネーブル信号proaddz 及びイネーブル信号proaddz をLレベルに保持する。 As shown in FIG. 22B, the first entry circuit resets the count when it receives another command (device active active command or read / write command) during the counting. As a result, the first address enable signal proaddz and the enable signal proaddz are held at the L level.
つまりアドレス構成の種類毎を決める為のモード設定において、その為の同じコマンドが連続して規定回数続かなければキャンセルされる。(メモリデバイスは前に確定したアドレス構成の情報を維持する)
図23は、図19に対応したプログラムアドレス構成の為のモード設定回路であるエントリコントロール回路(第2エントリ回路)の動作波形図である。
That is, in the mode setting for determining each type of address configuration, if the same command for that purpose does not continue for a specified number of times, it is canceled. (The memory device maintains the previously determined address configuration information)
FIG. 23 is an operation waveform diagram of the entry control circuit (second entry circuit) which is a mode setting circuit for the program address configuration corresponding to FIG.
第2エントリ回路は、Lレベルのプログラムモード信号/PEに応答してHレベルのアドレスイネーブル信号peaddzを出力した後、Hレベルのプログラムモード信号/PEに応答してHレベルのイネーブル信号peaddzを出力する。これによりメモリデバイスは前に確定したアドレス構成の情報を、第2のエントリ信号proentz により取り込んだアドレスコード情報に従った最新のアドレス構成の情報に変更される。 The second entry circuit outputs the H level address enable signal peaddz in response to the L level program mode signal / PE, and then outputs the H level enable signal peaddz in response to the H level program mode signal / PE. To do. As a result, the memory device changes the previously determined address configuration information to the latest address configuration information according to the address code information fetched by the second entry signal proentz.
図24は、エントリ信号生成回路の動作波形図である。
図24(a)に示すように、信号生成回路は、第1のエントリ信号proentz に応答して合成信号entzを出力する。また、図24(b)に示すように、信号生成回路は、エントリ信号peentzに応答して合成信号entzを出力する。
FIG. 24 is an operation waveform diagram of the entry signal generation circuit.
As shown in FIG. 24A, the signal generation circuit outputs a composite signal entz in response to the first entry signal proentz. Further, as shown in FIG. 24B, the signal generation circuit outputs a composite signal entz in response to the entry signal pentz.
図25は、アドレス構成の為のモード設定用アドレスバッファの動作波形図である。
アドレスバッファは、Hレベルのアドレスイネーブル信号peaddzに応答して入力回路を活性化してアドレス信号az<0:3> を出力する。尚、第1のアドレスイネーブル信号proaddz に応答して同様に動作する。
FIG. 25 is an operation waveform diagram of the mode setting address buffer for address configuration.
The address buffer activates the input circuit in response to the H level address enable signal peaddz and outputs the address signal az <0: 3>. The same operation is performed in response to the first address enable signal proaddz.
図26は、アドレス構成の為のモード設定用アドレスラッチの動作波形図である。
アドレスラッチは、Hレベルのアドレスイネーブル信号peaddzに応答して出力されたアドレス信号az<0:3> を合成信号entzに応答してラッチしたコードCodeをアドレス構成の為のモード設定用アドレス信号paz<0:3>として出力する。尚、第1のアドレスイネーブル信号proaddz に応答して同様に動作する。
FIG. 26 is an operation waveform diagram of the mode setting address latch for address configuration.
The address latch is a mode setting address signal paz for address configuration of the code code obtained by latching the address signal az <0: 3> output in response to the H level address enable signal peaddz in response to the composite signal entz. Output as <0: 3>. The same operation is performed in response to the first address enable signal proaddz.
アドレス構成の為のモード設定用デコーダは、アドレス構成の為のモード設定用アドレス信号paz<0:3>をデコードして数種類のアドレスマップのためのアドレス構成セレクト信号を出力する。 The mode setting decoder for address configuration decodes the mode setting address signal paz <0: 3> for address configuration and outputs address configuration selection signals for several types of address maps.
図27は、モード設定用デコーダの動作波形図である。
デコーダは、モード設定用アドレス信号paz<0:3>をデコードして数種類のアドレスマップのためのアドレス構成セレクト信号のうちの1つを選択してそれをHレベルにする。
FIG. 27 is an operation waveform diagram of the mode setting decoder.
The decoder decodes the mode setting address signal paz <0: 3>, selects one of several types of address configuration select signals for the address map, and sets it to the H level.
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)非同期型メモリデバイスにおいても、上記各実施形態と同様に、論理アドレスマップ形状を変更することで、効率的なアクセスと消費電流の低減を図ることができる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) In the asynchronous memory device, as in the above embodiments, it is possible to achieve efficient access and reduce current consumption by changing the logical address map shape.
(2)イリーガルエントリー方式を採用することで、従来の部分を変更する必要がなく、手間が少なく容易に対応することができる。
尚、前記実施形態は、以下の態様に変更してもよい。
(2) By adopting the illegal entry method, it is not necessary to change the conventional part, and it can be easily handled with little effort.
In addition, you may change the said embodiment into the following aspects.
・メモリセルのビット数、アドレス構成、アドレス構成の切り替え種類等を適宜変更してもよい。
・Xアドレスの深さ<Yアドレスの深さの場合は、アドレス構成設定端子は、アクティブ時に使用されないアドレス端子にて共用することも可能である。また、アドレス構成を設定するコマンドは、アクティブコマンドの他に、プリチャージコマンドや、別の新規コマンドでも可能である。
The number of bits of the memory cell, the address configuration, the address configuration switching type, and the like may be changed as appropriate.
If the depth of the X address <the depth of the Y address, the address configuration setting terminal can be shared by address terminals that are not used when active. In addition to the active command, the command for setting the address configuration can be a precharge command or another new command.
・アドレスマップを変更できる機能は、バンク毎に独立して機能化されている。バンク毎に論理アドレスマップを(変更)設定できる事で、システムのパフォーマンスはさらに向上する。 -The function that can change the address map is functionalized independently for each bank. The ability to set (change) the logical address map for each bank further improves system performance.
・アドレスマップを変更できる機能は、ボンディングションや内部Fuseによる製品固定化、内部ROM機能により顧客が任意固定化しても良い。
・ベンダーが特定用途向けに製品毎に固定化してもよいし、もしくは顧客がシステム(の特徴)毎にメモリデバイス内部のROMを書換えて使用しても良い。
-The function that can change the address map may be fixed arbitrarily by the customer by bonding, product fixing by internal fuse, or internal ROM function.
The vendor may fix each product for a specific application, or the customer may rewrite and use the ROM in the memory device for each system (characteristic).
・クランプするアドレスビットの位置を適宜変更してもよい。
・無効化するアドレスビットの位置を適宜変更してもよい。
・上記各実施形態では、外部から論理アドレスマップ形状を随時変更可能に構成したが、ボンディングションもしくはFuseなどのROMを備え、出荷時やユーザ使用時に論理アドレスマップ形状を所望の形状に変更し、その形状を維持するようにしてもよい。また、外部から書き換え可能なROMを備え、必要に応じて論理アドレスマップ形状を変更するようにしてもよい。これらの場合、論理アドレスマップ形状が短期又は長期に亘って固定される。従って、既存のプログラムやCPUを使用することができる。また、行アクセスサイクル毎に論理アドレスマップ形状を変更する手間を省くことができる。
-The position of the address bit to be clamped may be changed as appropriate.
-You may change the position of the address bit to invalidate suitably.
In each of the above embodiments, the logical address map shape can be changed at any time from the outside, but a ROM such as bonding or Fuse is provided, and the logical address map shape is changed to a desired shape at the time of shipment or user use. You may make it maintain the shape. Further, a ROM rewritable from the outside may be provided, and the logical address map shape may be changed as necessary. In these cases, the logical address map shape is fixed over a short period or a long period. Therefore, existing programs and CPUs can be used. Further, the trouble of changing the logical address map shape for each row access cycle can be saved.
・上記各実施形態では、アドレスマルチプレクス方式にてXアドレスとYアドレスを取り込むメモリデバイスに具体化したが、XアドレスとYアドレスに対応する全ての外部入力端子を備えたメモリデバイスに具体化しても良い。 In each of the above embodiments, the memory device that takes in the X address and the Y address by the address multiplex method is embodied. Also good.
11 制御手段としてのCPU
12 記憶手段としてのメモリデバイス
10 システム
11 CPU as control means
12 Memory Device as
Claims (33)
前記メモリアレイの論理アドレスを制御して該メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するマップ変更手段を備え、
前記論理アドレスマップ形状の設定は、スタンバイ期間中もしくは外部アクセスによりスタンバイからアクティブへの切換わり時点に行われる記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
Map changing means for controlling the logical address of the memory array to change the logical address map shape of the memory array;
The logical address map shape is set in the storage device during the standby period or at the time of switching from standby to active by external access.
前記メモリアレイの論理アドレスを制御して該メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するマップ変更手段を備え、
少なくとも前記第1又は第2アドレスに基づく回路の活性化から非活性化までの期間の間、前記アドレスマップを変更する記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
Map changing means for controlling the logical address of the memory array to change the logical address map shape of the memory array;
A storage device that changes the address map during a period from activation to deactivation of a circuit based on the first or second address.
前記メモリアレイの論理アドレスを制御して該メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するマップ変更手段を備え、
前記第1及び第2アドレスの少なくとも一方の深さを変更して前記論理アドレスマップ形状を変更する記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
Map changing means for controlling the logical address of the memory array to change the logical address map shape of the memory array;
A storage device that changes the logical address map shape by changing the depth of at least one of the first and second addresses.
前記メモリアレイの論理アドレスを制御して該メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するマップ変更手段と、
前記論理アドレスを制御するための制御端子とを備えた記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
Map changing means for controlling the logical address of the memory array to change the logical address map shape of the memory array;
A storage device comprising a control terminal for controlling the logical address.
前記メモリアレイの論理アドレスを制御して該メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するマップ変更手段を備え、
前記メモリアレイは複数のバンクから構成され、論理アドレスマップ形状をバンク毎に設定可能である記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
Map changing means for controlling the logical address of the memory array to change the logical address map shape of the memory array;
The memory array includes a plurality of banks, and a logical address map shape can be set for each bank.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換えるアドレス制御手段と、
前記アクセス形態情報が印加される制御信号、又は複数の制御信号の組み合わせにより前記論理アドレスマップ形状の設定に応じたアドレス構成選択信号を生成するアドレス構成選択回路と、を備え、
前記アドレス制御手段は、前記アドレス構成選択信号に基づいて前記置き換えを実行する記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
On the basis of access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, a part of the external address is assigned to the first address or every cycle when an external address for access in the first address direction is input. Address control means for replacing with the second address;
An address configuration selection circuit that generates an address configuration selection signal according to the setting of the logical address map shape by a combination of a control signal to which the access form information is applied, or a plurality of control signals,
The address control means is a storage device that performs the replacement based on the address configuration selection signal.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換えるアドレス制御手段と、
外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて、その出力信号を、前記第1アドレス方向の選択信号を生成する第1信号生成回路と前記第2アドレス方向の選択信号を生成する第2信号生成回路とに切り替える切り替え部を有するアドレス発生回路とを備えた記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
On the basis of access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, a part of the external address is assigned to the first address or every cycle when an external address for access in the first address direction is input. Address control means for replacing with the second address;
A first signal generation circuit for generating a selection signal in the first address direction and a second signal for generating a selection signal in the second address direction based on an address configuration selection signal and inputting an external address. A storage device comprising: an address generation circuit having a switching unit for switching to a generation circuit.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換えるアドレス制御手段と、
外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて前記第1アドレス方向の選択信号を生成する第1信号発生回路と、
外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて前記第2アドレス方向の選択信号を生成する第2信号発生回路とを備えた記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
On the basis of access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, a part of the external address is assigned to the first address or every cycle when an external address for access in the first address direction is input. Address control means for replacing with the second address;
A first signal generation circuit for inputting an external address and generating a selection signal in the first address direction based on an address configuration selection signal;
A storage device comprising: a second signal generation circuit for inputting an external address and generating a selection signal in the second address direction based on an address configuration selection signal.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換えるアドレス制御手段と、
前記アドレス制御手段は、前記アクセス形態情報を記憶するボンディングションもしくはFuseのROMを備える記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
On the basis of access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, a part of the external address is assigned to the first address or every cycle when an external address for access in the first address direction is input. Address control means for replacing with the second address;
The address control means is a storage device comprising a bonding or fuse ROM for storing the access mode information.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換えるアドレス制御手段と、
前記アドレス制御手段は、前記アクセス形態情報を記憶する外部から書換え可能なROMを備える記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
On the basis of access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, a part of the external address is assigned to the first address or every cycle when an external address for access in the first address direction is input. Address control means for replacing with the second address;
The address control means is a storage device comprising an externally rewritable ROM for storing the access mode information.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段を備え、
前記アドレス無効化手段は、デコードの圧縮率を可変させるために任意のアドレスをクランプする手段を備える記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
An address that invalidates the external address or a part thereof for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input based on access mode information that changes the logical address map shape of the memory array With invalidation means,
The address invalidating means includes a means for clamping an arbitrary address in order to vary the compression rate of decoding.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段と、
前記アクセス形態情報が印加される制御信号、又は複数の制御信号の組み合わせにより前記論理アドレスマップ形状の設定に応じたアドレス構成選択信号を生成するアドレス構成選択回路とを備え、
前記アドレス無効化手段は、前記アドレス構成選択信号に基づいて前記無効化を実行する記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
An address that invalidates the external address or a part thereof for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input based on access mode information that changes the logical address map shape of the memory array Invalidation means,
An address configuration selection circuit that generates an address configuration selection signal according to the setting of the logical address map shape by a combination of a control signal to which the access form information is applied, or a plurality of control signals;
The address invalidating means is a storage device that performs the invalidation based on the address configuration selection signal.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段と、
外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて、その出力信号を、前記第1アドレス方向の選択信号を生成する第1信号生成回路と前記第2アドレス方向の選択信号を生成する第2信号生成回路とに切り替える切り替え部を有するアドレス発生回路とを備えた記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
An address that invalidates the external address or a part thereof for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input based on access mode information that changes the logical address map shape of the memory array Invalidation means,
A first signal generation circuit for generating a selection signal in the first address direction and a second signal for generating a selection signal in the second address direction based on an address configuration selection signal and inputting an external address. A storage device comprising: an address generation circuit having a switching unit for switching to a generation circuit.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段と、
外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて前記第1アドレス方向の選択信号を生成する第1信号発生回路と、
外部アドレスを入力し、アドレス構成選択信号に基づいて前記第2アドレス方向の選択信号を生成する第2信号発生回路とを備えた記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
An address that invalidates the external address or a part thereof for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input based on access mode information that changes the logical address map shape of the memory array Invalidation means,
A first signal generation circuit for inputting an external address and generating a selection signal in the first address direction based on an address configuration selection signal;
A storage device comprising: a second signal generation circuit for inputting an external address and generating a selection signal in the second address direction based on an address configuration selection signal.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段と、
前記アドレス無効化手段は、前記アクセス形態情報を記憶するボンディングションもしくはFuseのROMとを備える記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
An address that invalidates the external address or a part thereof for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input based on access mode information that changes the logical address map shape of the memory array Invalidation means,
The address invalidating means includes a bonding or Fuse ROM for storing the access form information.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化するアドレス無効化手段と、
前記アドレス無効化手段は、前記アクセス形態情報を記憶する外部から書換え可能なROMとを備える記憶装置。 In a storage device that accesses a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
An address that invalidates the external address or a part thereof for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input based on access mode information that changes the logical address map shape of the memory array Invalidation means,
The address invalidating means is a storage device comprising an externally rewritable ROM that stores the access mode information.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換え、
前記アクセス形態情報は、スタンバイ期間中もしくはアクティブ動作と同時に設定されるアドレス制御方法。 An address control method in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
On the basis of access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, a part of the external address is assigned to the first address or every cycle when an external address for access in the first address direction is input. Replace with the second address,
The access mode information is an address control method set during a standby period or simultaneously with an active operation.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換え、
前記論理アドレスマップ形状に応じてセンスアンプの活性化数を制御するアドレス制御方法。 An address control method in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
On the basis of access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, a part of the external address is assigned to the first address or every cycle when an external address for access in the first address direction is input. Replace with the second address,
An address control method for controlling the number of activations of a sense amplifier in accordance with the logical address map shape.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換え、
前記論理アドレスマップ形状に応じてデコードの圧縮率を可変させるアドレス制御方法。 An address control method in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
On the basis of access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, a part of the external address is assigned to the first address or every cycle when an external address for access in the first address direction is input. Replace with the second address,
An address control method for varying a decoding compression rate in accordance with the logical address map shape.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、該外部アドレスの一部を前記第1アドレス又は前記第2アドレスに置き換え、
前記アクセス形態情報が印加される制御信号、又は複数の制御信号の組み合わせにより前記論理アドレスマップ形状の設定に応じたアドレス構成選択信号を生成し、該アドレス構成選択信号に基づいて前記置き換えを実行するアドレス制御方法。 An address control method in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
On the basis of access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, a part of the external address is assigned to the first address or every cycle when an external address for access in the first address direction is input. Replace with the second address,
An address configuration selection signal corresponding to the setting of the logical address map shape is generated by a control signal to which the access form information is applied or a combination of a plurality of control signals, and the replacement is executed based on the address configuration selection signal Address control method.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化し、
前記アクセス形態情報は、スタンバイ期間中もしくはアクティブ動作と同時に設定されるアドレス制御方法。 An address control method in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
Based on access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, the external address or a part thereof is invalidated for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input,
The access mode information is an address control method set during a standby period or simultaneously with an active operation.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化し、
前記論理アドレスマップ形状に応じてセンスアンプの活性化数を制御するアドレス制御方法。 An address control method in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
Based on access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, the external address or a part thereof is invalidated for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input,
An address control method for controlling the number of activations of a sense amplifier in accordance with the logical address map shape.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化し、
前記論理アドレスマップ形状に応じてデコードの圧縮率を可変させるアドレス制御方法。 An address control method in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
Based on access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, the external address or a part thereof is invalidated for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input,
An address control method for varying a decoding compression rate in accordance with the logical address map shape.
前記メモリアレイの論理アドレスマップ形状を変更するアクセス形態情報に基づいて、前記第1アドレス方向のアクセスのための外部アドレスが入力されるサイクル毎に、前記外部アドレス又はその一部を無効化し、
前記アクセス形態情報が印加される制御信号、又は複数の制御信号の組み合わせにより前記論理アドレスマップ形状の設定に応じたアドレス構成選択信号を生成し、該アドレス構成選択信号に基づいて前記無効化を実行するアドレス制御方法。 An address control method in a storage device for accessing a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address,
Based on access mode information that changes the logical address map shape of the memory array, the external address or a part thereof is invalidated for each cycle in which an external address for access in the first address direction is input,
An address configuration selection signal corresponding to the setting of the logical address map shape is generated by a control signal to which the access form information is applied or a combination of a plurality of control signals, and the invalidation is executed based on the address configuration selection signal Address control method.
前記制御手段は、前記記憶手段に対するその時々のアクセス形態情報を供給し、前記アクセス形態情報の供給を、アクセスの開始と同時またはそれ以前に行い、
前記記憶手段は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイの論理アドレスマップ形態を前記アクセス形態情報に応じて変更するシステム。 In a system comprising storage means and control means for accessing and controlling the storage means,
The control means supplies occasional access form information to the storage means, and the access form information is supplied simultaneously with or before the start of access,
The storage means changes a logical address map form of a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address according to the access form information.
前記制御手段は、前記記憶手段に対するその時々のアクセス形態情報を供給し、前記アクセス形態情報の供給を制御信号によるコード情報より行い、
前記記憶手段は、第1アドレスと第2アドレスにてメモリセルがアレイ配列されたメモリアレイの論理アドレスマップ形態を前記アクセス形態情報に応じて変更し、前記コード情報を一定周期のパルス信号のエッジに合わせて受け取るシステム。 In a system comprising storage means and control means for accessing and controlling the storage means,
The control means supplies occasional access form information to the storage means, performs the supply of the access form information from code information by a control signal,
The storage means changes a logical address map form of a memory array in which memory cells are arrayed at a first address and a second address according to the access form information, and changes the code information to an edge of a pulse signal having a constant period. System to receive according to.
前記記憶手段は、前記コード情報を一定周期のパルス信号のエッジに合わせて受け取る請求項30記載のシステム。 The control means performs the supply of the access form information from code information by a control signal,
The system according to claim 30, wherein the storage means receives the code information in accordance with an edge of a pulse signal having a constant period.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007121297A JP2007200359A (en) | 2007-05-01 | 2007-05-01 | Storage device, address control method and system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007121297A JP2007200359A (en) | 2007-05-01 | 2007-05-01 | Storage device, address control method and system |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001342164A Division JP4050042B2 (en) | 2001-11-07 | 2001-11-07 | Storage device and address control method thereof, system and control method of storage means in system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007200359A true JP2007200359A (en) | 2007-08-09 |
Family
ID=38454830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007121297A Pending JP2007200359A (en) | 2007-05-01 | 2007-05-01 | Storage device, address control method and system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007200359A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012150565A (en) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Elpida Memory Inc | Semiconductor device |
JP5212100B2 (en) * | 2006-03-30 | 2013-06-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Semiconductor memory and memory system |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6098200U (en) * | 1983-12-06 | 1985-07-04 | 日本電気株式会社 | random access memory |
JPS6369093A (en) * | 1986-09-11 | 1988-03-29 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory device |
JPH10208468A (en) * | 1997-01-28 | 1998-08-07 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory and synchronous semiconductor memory |
JP2000163952A (en) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
JP2002093159A (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor memory |
JP2003151273A (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Fujitsu Ltd | Storage device, internal control method for storage device, system, and control method for storage means in system |
-
2007
- 2007-05-01 JP JP2007121297A patent/JP2007200359A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6098200U (en) * | 1983-12-06 | 1985-07-04 | 日本電気株式会社 | random access memory |
JPS6369093A (en) * | 1986-09-11 | 1988-03-29 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory device |
JPH10208468A (en) * | 1997-01-28 | 1998-08-07 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory and synchronous semiconductor memory |
JP2000163952A (en) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
JP2002093159A (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor memory |
JP2003151273A (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Fujitsu Ltd | Storage device, internal control method for storage device, system, and control method for storage means in system |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5212100B2 (en) * | 2006-03-30 | 2013-06-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Semiconductor memory and memory system |
JP2012150565A (en) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Elpida Memory Inc | Semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100618070B1 (en) | Dynamic memory circuit with automatic refresh function | |
US6741515B2 (en) | DRAM with total self refresh and control circuit | |
KR100953880B1 (en) | A memory device, a control method thereof, and an internal control method thereof, a system including the memory device | |
US5796669A (en) | Synchronous semiconductor memory device | |
US7911862B2 (en) | Latency control circuit and method thereof and an auto-precharge control circuit and method thereof | |
US6636446B2 (en) | Semiconductor memory device having write latency operation and method thereof | |
KR100719377B1 (en) | Semiconductor memory device reading out data pattern | |
JP2002216473A (en) | Semiconductor memory | |
US20140126300A1 (en) | Semiconductor Memory Device, Information Processing System Including the Same, and Controller | |
US6518595B2 (en) | Semiconductor memory device for reducing power consumption during refresh | |
JP4439033B2 (en) | Semiconductor memory device | |
KR100642759B1 (en) | Semiconductor memory device for selectively refreshing wordlines | |
KR100510491B1 (en) | Semiconductor memory device, having partial activation structure, capable page mode operation and Operation method there-of | |
US7263021B2 (en) | Refresh circuit for use in semiconductor memory device and operation method thereof | |
JPH10240617A (en) | Memory constitution circuit and method therefor | |
KR20230069241A (en) | Systems and methods for driving word lines using set-reset latches | |
JP2006073188A (en) | Semiconductor memory device capable of varying the number of bank to be refreshed in executing refresh and its operation method | |
US6829195B2 (en) | Semiconductor memory device and information processing system | |
JPH10134569A (en) | Synchronous-type dynamic random access memory | |
JP2007200359A (en) | Storage device, address control method and system | |
JP4012393B2 (en) | Storage device, internal control method and system for storage device, and control method for storage means in system | |
JP4050042B2 (en) | Storage device and address control method thereof, system and control method of storage means in system | |
JP2000268566A (en) | Synchronous type semiconductor storage device | |
JP2012113819A (en) | Automatic precharge control circuit, semiconductor memory device and precharging operation control method | |
JP2004342219A (en) | Semiconductor memory device and electronic equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070501 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101221 |