JP2007187454A - Insulation resistance drop detector - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、絶縁抵抗低下検出器に関し、より特定的には、絶縁抵抗低下検出器自身の異常を検知する自己異常診断機能を備えた絶縁抵抗低下検出器に関する。 The present invention relates to an insulation resistance decrease detector, and more particularly to an insulation resistance decrease detector having a self-abnormality diagnosis function for detecting an abnormality of the insulation resistance decrease detector itself.
自動車などの車両に搭載されたバッテリ(直流電源)のように、アース(車体)に対して絶縁される電源については、当該電源およびアース間の絶縁抵抗の低下を検出する回路(絶縁抵抗低下検出器)を設ける必要がある。 A circuit that detects a decrease in insulation resistance between the power supply and the ground (insulation resistance drop detection) for a power supply that is insulated from the ground (vehicle body), such as a battery (DC power supply) mounted on a vehicle such as an automobile. It is necessary to provide a container.
絶縁抵抗低下検出器の故障診断を行なう回路が、たとえば特開2004−53367号公報(特許文献1)に開示されている。特開2004−53367号公報(特許文献1)に開示される故障診断装置は、第1の周波数の矩形波パルスが地絡検出回路(絶縁抵抗低下検出器)に供給された場合に、電圧振幅検出手段により検出される電圧振幅値に基づいて地絡の発生を検出する。この故障診断装置は、第1の周波数よりも大きい第2の周波数を有する矩形波パルスが地絡検出回路に供給された場合に、電圧振幅検出手段により検出される電圧振幅値に基づいて地絡検知回路の診断を行なう。
特開2004−53367号公報(特許文献1)に開示された絶縁抵抗低下検出器はバンドパスフィルタを含む。このバンドパスフィルタは、第1の周波数を有する信号を通過させて第2の周波数の信号を減衰させるよう設計される。 The insulation resistance reduction detector disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-53367 (Patent Document 1) includes a band-pass filter. The bandpass filter is designed to pass a signal having a first frequency and attenuate a signal having a second frequency.
しかし第2の周波数の信号の減衰率は個々のフィルタの特性に応じて異なる。そのため電圧振幅検出手段が検出する電圧振幅値が絶縁抵抗低下検出器ごとに異なる場合が生じ得る。よって、この絶縁抵抗低下検出器では精度の高い診断を行なうことは容易ではない。 However, the attenuation rate of the signal of the second frequency varies depending on the characteristics of each filter. For this reason, the voltage amplitude value detected by the voltage amplitude detecting means may be different for each insulation resistance drop detector. Therefore, it is not easy to perform a highly accurate diagnosis with this insulation resistance lowering detector.
本発明の目的は、高い精度で自己診断を行なうことが可能な絶縁抵抗低下検出器を提供することである。 An object of the present invention is to provide an insulation resistance lowering detector capable of performing self-diagnosis with high accuracy.
本発明は要約すれば絶縁された電源の絶縁抵抗の低下を検出する絶縁抵抗低下検出器である。絶縁抵抗低下検出器は、カップリングコンデンサと、検出抵抗と、バンドパスフィルタと、信号発生部と、制御回路とを備える。カップリングコンデンサは、絶縁抵抗にその一方端が接続される。検出抵抗は、カップリングコンデンサの他方端に、その一方端が接続される。バンドパスフィルタは、カップリングコンデンサと検出抵抗との接続点に入力端子が接続される。信号発生部は、検出抵抗の他方端に周期的に変化する信号を印加する。制御回路は、信号発生部を制御するとともに、バンドパスフィルタから出力される電圧を検出する。制御回路は、検出電圧に基づいて絶縁抵抗の低下を検出する。制御回路は、絶縁抵抗の低下を検出する通常動作時には、第1の信号を発生させるように信号発生部に指示し、絶縁抵抗低下検出器の自己診断時には、第1の信号と同一の周波数を有し、かつ、異なる波形の第2の信号を発生させるように信号発生部に指示する。 In summary, the present invention is an insulation resistance reduction detector that detects a reduction in insulation resistance of an isolated power supply. The insulation resistance lowering detector includes a coupling capacitor, a detection resistor, a bandpass filter, a signal generation unit, and a control circuit. One end of the coupling capacitor is connected to the insulation resistance. The detection resistor has one end connected to the other end of the coupling capacitor. The bandpass filter has an input terminal connected to a connection point between the coupling capacitor and the detection resistor. The signal generator applies a periodically changing signal to the other end of the detection resistor. The control circuit controls the signal generator and detects the voltage output from the bandpass filter. The control circuit detects a decrease in insulation resistance based on the detection voltage. The control circuit instructs the signal generator to generate the first signal during normal operation to detect a decrease in insulation resistance, and sets the same frequency as the first signal during self-diagnosis of the insulation resistance decrease detector. And instructing the signal generator to generate a second signal having a different waveform.
好ましくは、制御回路は、通常動作時には、第1の信号に応じた検出電圧と、しきい値電圧とを比較して絶縁抵抗の低下を検出する。制御回路は、自己診断時には、第2の信号に応じた検出電圧と、しきい値電圧とを比較して、絶縁抵抗低下検出器の異常を検出する。 Preferably, during the normal operation, the control circuit detects a decrease in insulation resistance by comparing a detection voltage corresponding to the first signal with a threshold voltage. During the self-diagnosis, the control circuit compares the detection voltage corresponding to the second signal with the threshold voltage to detect an abnormality in the insulation resistance lowering detector.
より好ましくは、第1および第2の信号は、デューティ比が互いに異なる信号である。
さらに好ましくは、バンドパスフィルタの通過帯域周波数は、バンドパスフィルタが第1の信号の周波数成分のうちの主成分を通過させるように設定される。
More preferably, the first and second signals are signals having different duty ratios.
More preferably, the passband frequency of the bandpass filter is set so that the bandpass filter passes the main component of the frequency components of the first signal.
さらに好ましくは、第1および第2の信号は、矩形波の信号である。
さらに好ましくは、第1の信号のデューティ比は、50%である。
More preferably, the first and second signals are rectangular wave signals.
More preferably, the duty ratio of the first signal is 50%.
本発明によれば、絶縁抵抗低下検出器の故障診断を高い精度で行なうことができる。 According to the present invention, failure diagnosis of an insulation resistance drop detector can be performed with high accuracy.
以下において、本発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
図1は、本実施の形態の絶縁抵抗低下検出器の構成を説明するブロック図である。
図1を参照して、絶縁抵抗低下検出器50は、直流電源10のアース30に対する絶縁抵抗Riの低下を検出する。直流電源10には、直流電源10から電源電圧を供給されて動作する回路系20が接続されている。直流電源10は、たとえば、電気自動車、ハイブリッド自動車等に搭載される車両駆動用モータ電源として用いられる二次電池・燃料電池あるいはキャパシタ等の蓄電装置である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating the configuration of the insulation resistance lowering detector of the present embodiment.
Referring to FIG. 1, insulation
このような車両においては、アース30は車体に対応する。絶縁抵抗Riが低下すると、車体に触れた人が感電する可能性があるため、絶縁抵抗Riの低下検出が安全上重要となる。したがって、絶縁抵抗低下検出器50による絶縁抵抗Riの低下検出のみならず、絶縁抵抗低下検出器50そのものが正常であるかどうかについても判定することが望ましい。また、車両への搭載を考慮すれば、絶縁抵抗低下検出器50を小型化して車載性を向上させることが好ましい。
In such a vehicle, the
絶縁抵抗低下検出器50は、信号発生部である発振回路60と、検出抵抗70と、カップリングコンデンサ80と、バンドパスフィルタ(BPF)90と、オフセット回路および増幅回路からなる回路ブロック91と、過電圧保護用ダイオード92と、抵抗93と、コンデンサ94と、制御回路110とを備える。
The insulation
発振回路60は、ノードNAに所定周波数(所定周期Tp)で変化するパルス信号65を印加する。検出抵抗70は、ノードNAおよびノードN1の間に接続される。カップリングコンデンサ80は、漏電検出対象となる直流電源10とノードN1との間に接続される。バンドパスフィルタ90は、ノードN1に入力端子が接続され、ノードN2に出力端子が接続される。バンドパスフィルタ90の通過帯域周波数は、パルス信号65の周波数に合わせて設計される。
The
回路ブロック91は、ノードN2とノードN3との間に接続される。回路ブロック91は、バンドパスフィルタ90を通過したパルス信号のうち、絶縁抵抗検出時または自己診断時に設定されるしきい値電圧付近の電圧変化を増幅する。過電圧保護用ダイオード92は、定電圧ノードにカソードが接続され、ノードNBにアノードが接続されて、サージ電圧(高電圧,負電圧)を除去する。抵抗93はノードN3とノードNBとの間に接続される。コンデンサ94はノードNBとアース30との間に接続される。抵抗93およびコンデンサ94は、回路ブロック91から出力される信号のノイズを除去するフィルタとして機能する。
The
制御回路110は、発振回路60を制御する。また制御回路110は、ノードNBの電圧を検出して、検出電圧に基づいて絶縁抵抗Riの低下を検出する。制御回路110は、発振指令部111と、A/D変換部112と、判定部113とを含む。
The
発振指令部111は、発振回路60に対してパルス信号65を発生するよう指示を与えるとともに、パルス信号65のデューティ比を変更するよう指示する。A/D変換部112は所定のサンプリング周期Tsにより検出したノードNBの電圧(検出電圧)をA/D変換する。サンプリング周期Tsはパルス信号65の周期Tpよりも十分短いのでノードNBの最大電圧(ピーク電圧Vp)および最小電圧を検出できる。判定部113は、A/D変換部112から取得したピーク電圧Vpの値と、しきい値とを比較する。これにより、制御回路110は、絶縁抵抗Riの低下有無および絶縁抵抗低下検出器50自身の回路異常を検出する。
The
次に、絶縁抵抗Riの低下を検出する動作(絶縁監視動作)について説明する。
発振回路60によって発生されたパルス信号65は、検出抵抗70、カップリングコンデンサ80、絶縁抵抗Ri、およびバンドパスフィルタ90を含んで構成された直列回路に印加される。これにより、検出抵抗70およびカップリングコンデンサ80の接続点に相当するノードN1には、絶縁抵抗Riおよび検出抵抗70(抵抗値Rd)の分圧比:Ri/(Rd+Ri)とパルス信号65の振幅(電源電圧である電圧+B)との積を波高値とするパルス電圧が発生する。
Next, an operation (insulation monitoring operation) for detecting a decrease in the insulation resistance Ri will be described.
The
ノードN1に発生したパルス電圧は、バンドパスフィルタ90によってパルス信号65の周波数以外の成分が減衰される。バンドパスフィルタ90を通過したパルス信号65のうち、しきい値電圧付近の電圧変化のみが回路ブロック91によって増幅される。回路ブロック91から出力される信号はノードNBに伝達される。ノードN3からノードNBに信号が伝達されるに際して、過電圧保護用ダイオード92によりサージ電圧が除去されるとともに、抵抗93およびコンデンサ94によってノイズが除去される。
In the pulse voltage generated at the node N1, components other than the frequency of the
絶縁抵抗Riの正常時には、Ri>>Rdである。Riが高くなるに従って、ピーク電圧Vpは電圧+Bにほぼ等しくなる。一方、絶縁抵抗Riの低下時には、分圧比:Ri/(Rd+Ri)が低下するので、ピーク電圧Vpが低下する。 When the insulation resistance Ri is normal, Ri >> Rd. As Ri increases, the peak voltage Vp becomes substantially equal to the voltage + B. On the other hand, when the insulation resistance Ri is lowered, the voltage division ratio: Ri / (Rd + Ri) is lowered, so that the peak voltage Vp is lowered.
図2は、絶縁抵抗RiとノードNBにおける最大電圧(ピーク電圧Vp)との関係を説明する図である。 FIG. 2 is a diagram illustrating the relationship between the insulation resistance Ri and the maximum voltage (peak voltage Vp) at the node NB.
図2を参照して、Riが高くなるに従ってピーク電圧Vpは高くなり、ほぼ電圧+Bに等しくなる。したがって、絶縁抵抗Riの許容下限値と検出抵抗70の抵抗値Rdとの分圧比に従ってしきい値電圧Vtを決定すれば、制御回路110において、ノードNBにおいて変化する電圧の最大値(ピーク電圧Vpの値)と、しきい値電圧Vtの値とを比較することで絶縁抵抗Riの低下を検出することができる。
Referring to FIG. 2, as Ri increases, peak voltage Vp increases and becomes substantially equal to voltage + B. Therefore, if threshold voltage Vt is determined according to the voltage division ratio between the allowable lower limit value of insulation resistance Ri and resistance value Rd of
図3は、絶縁抵抗Riの低下検出時に図1の制御回路110によって検出される電圧波形を説明する図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining voltage waveforms detected by the
図3を参照して、絶縁正常時には、ピーク電圧Vpはしきい値電圧Vtを超えて、最大電圧Vmax(この電圧はほぼ電圧+Bに等しい)に達する。一方、絶縁異常時には、ピーク電圧Vpはしきい値電圧Vtよりも小さくなる。 Referring to FIG. 3, when insulation is normal, peak voltage Vp exceeds threshold voltage Vt and reaches maximum voltage Vmax (this voltage is approximately equal to voltage + B). On the other hand, when insulation is abnormal, the peak voltage Vp is smaller than the threshold voltage Vt.
続いて絶縁抵抗低下検出器50の自己診断動作について説明する。
図4は、通常時と自己診断時とにおけるパルス信号65の波形を示す図である。なお「通常時」とは、「絶縁抵抗の低下を検出する通常動作時」のことを意味する。
Next, the self-diagnosis operation of the insulation
FIG. 4 is a diagram showing the waveform of the
図4を参照して、通常時のパルス信号65(第1の信号)および自己診断時のパルス信号65(第2の信号)は、矩形波の信号である。自己診断時のパルス信号65は、通常時のパルス信号65と同一周波数を有し、かつ、波形が異なる。具体的に説明すると、通常時のパルス信号65は振幅+B、周期Tpである。また、通常時のパルス信号65のデューティ比は50%であり、電圧が+Bである期間T1と電圧が0である期間T2とが等しくなる。
Referring to FIG. 4, pulse signal 65 (first signal) during normal time and pulse signal 65 (second signal) during self-diagnosis are rectangular wave signals. The
一方、自己診断時のパルス信号65は、通常時と同じ振幅(+B)および同じ周期(Tp)を有するが、デューティ比がX%(0<X<100、ただしXは50以外の値)となる。図4では、自己診断時のパルス信号65の周期T1,T2がT1>T2となる例(デューティ比Xが50<X<100となる例)を示す。このように、自己診断時にはパルス信号65のデューティ比が50%から変更される。バンドパスフィルタ90の通過帯域周波数は、通常動作時にバンドパスフィルタ90がパルス信号65の周波数成分のうちの主成分を通過させるように設定される。これにより、自己診断時にはバンドパスフィルタ90を通過した後の信号における発振周波数成分のスペクトル(いわば基本波成分)が小さくなる。
On the other hand, the
なお、パルス信号65において制御回路110からの制御により変更可能な要素としては、周波数(周期)、デューティ比、およびパルス信号の種類(矩形波、正弦波等)がある。本実施の形態では絶縁監視時と自己診断時とでパルス信号65のデューティ比を変えることで、パルス信号の制御を容易に行なうことができる。
Elements that can be changed by the control from the
図5は、絶縁抵抗低下検出器50の正常時および異常時における、絶縁抵抗Riとピーク電圧Vpとの関係を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining the relationship between the insulation resistance Ri and the peak voltage Vp when the insulation
図6は、図1の制御回路110が自己診断時に検出する電圧波形を説明する図である。
図5および図6を参照して、絶縁抵抗低下検出器50が正常である場合には、絶縁抵抗Riの最大値においてもピーク電圧Vpがしきい値電圧Vtより低くなる。パルス信号65のデューティ比を調整することで、自己診断時におけるピーク電圧Vpをこのように設定できる。
FIG. 6 is a diagram for explaining voltage waveforms detected by the
Referring to FIGS. 5 and 6, when insulation
一方、たとえば、検出抵抗70の抵抗値の低下、バンドパスフィルタ90の特性の変化、コンデンサ(カップリングコンデンサ80やコンデンサ94)の容量低下等により絶縁抵抗低下検出器50が異常となることがある。異常時には正常時よりもピーク電圧Vpが高くなる。よって、制御回路110では、通常時と同様にノードNBでのピーク電圧Vpの値と、しきい値電圧Vtの値とを比較することで、絶縁抵抗低下検出器50自身の異常を検出できる。
On the other hand, the insulation
図6に示すように、絶縁抵抗低下検出器50の正常時には、ピーク電圧Vpはしきい値電圧Vtよりも小さくなる。一方、絶縁抵抗低下検出器50の異常時には、ピーク電圧Vpはしきい値電圧Vtを超える。
As shown in FIG. 6, when the insulation
図7は、本実施の形態の絶縁抵抗低下検出器の処理を説明するフローチャートである。
図7および図1を参照して、処理が開始すると、ステップS1においてイグニッションスイッチがオンの位置に設定される(IG端子がオンする)。これにより検出器に電源が供給される。次にステップS2において、絶縁抵抗低下検出器50が起動する。
FIG. 7 is a flowchart for explaining processing of the insulation resistance lowering detector of the present embodiment.
Referring to FIGS. 7 and 1, when the process is started, the ignition switch is set to the on position (IG terminal is turned on) in step S1. As a result, power is supplied to the detector. Next, in step S2, the insulation
絶縁抵抗低下検出器50が起動して所定の期間(たとえば数秒間)の後に、ステップS3において制御回路110は自己診断処理を開始する。ステップS4において制御回路110は発振回路60にデューティ比を50%からX%に変更するよう指示する。
After a predetermined period (for example, several seconds) after activation of the insulation
続いてステップS5において、制御回路110は、波高値(ピーク電圧Vpの値)がしきい値電圧Vtの値よりも低いか否かを判定する。ステップS5において、波高値<Vtの場合(ステップS5においてYES)、ステップS6において制御回路110は絶縁抵抗低下検出器が正常(回路が正常)と判定する。
Subsequently, in step S5, the
一方、ステップS5において波高値≧Vtの場合(ステップS5においてNO)、ステップS12において、制御回路110は、絶縁抵抗低下検出器が異常である(回路異常である)旨を表示する処理を行なう。この場合、たとえば制御回路110は警告灯を点灯させる。ステップS12の処理が終了すると全体の処理が終了する。
On the other hand, if the crest value ≧ Vt in step S5 (NO in step S5), in step S12, the
ステップS6に続いてステップS7では、制御回路110は発振回路60に対して、パルス信号65のデューティ比をX%から50%に戻すよう指示する。続いてステップS8において、制御回路110は絶縁抵抗Riの監視を開始する。
In step S7 following step S6, the
ステップS9において、制御回路110は波高値がしきい値電圧Vtの値よりも高いか否かを判定する。ステップS9において波高値>Vtの場合(ステップS9においてYES)、ステップS10において制御回路110は絶縁抵抗Riが正常であると判定する。ステップS10の処理が終了すると、全体の処理が終了する。
In step S9, the
一方、ステップS9において波高値≦Vtの場合(ステップS9においてNO)、制御回路110は、絶縁抵抗Riが低下したと判定する。この場合、ステップS11において、制御回路110は絶縁抵抗が低下した旨を表示する処理を行なう。制御回路110は、たとえば警告灯を点灯させる。ステップS11の処理が終了すると、全体の処理が終了する。
On the other hand, if the peak value ≦ Vt in step S9 (NO in step S9),
なお、自己検出時におけるしきい値電圧と絶縁抵抗Riの低下検出時のしきい値電圧Vtとが異なってもよい。その理由は、パルス信号65のデューティ比を適切に設定することで、ピーク電圧Vpを、自己検出時におけるしきい値電圧よりも低くなるように設定できるからである。
Note that the threshold voltage at the time of self-detection may be different from the threshold voltage Vt at the time of detecting a decrease in insulation resistance Ri. This is because the peak voltage Vp can be set to be lower than the threshold voltage during self-detection by appropriately setting the duty ratio of the
以上のように本実施の形態によれば、制御回路は通常時(絶縁抵抗監視時)と自己診断時とで発振回路から出力するパルス信号のデューティ比を異ならせる(すなわち制御を変える)だけで自己診断を行なうことができる。よって、本実施の形態によれば従来の絶縁抵抗低下検出器に新たな回路や部品を追加することなく自己診断が可能になる。 As described above, according to the present embodiment, the control circuit simply changes the duty ratio of the pulse signal output from the oscillation circuit (ie, changes the control) between the normal time (insulation resistance monitoring) and the self-diagnosis. Self-diagnosis can be performed. Therefore, according to the present embodiment, self-diagnosis can be performed without adding a new circuit or component to the conventional insulation resistance lowering detector.
また、本実施の形態によれば、絶縁抵抗の監視時と自己診断時とでパルス信号の周波数を変化させないため、バンドパスフィルタによる減衰率のばらつきの影響を除くことができる。よって本実施の形態によれば、精度の高い自己診断を行なうことができる。 Further, according to the present embodiment, since the frequency of the pulse signal is not changed between the monitoring of the insulation resistance and the self-diagnosis, it is possible to eliminate the influence of the variation in the attenuation factor due to the band pass filter. Therefore, according to the present embodiment, highly accurate self-diagnosis can be performed.
なお、本実施の形態において、発振回路から発せられる信号の波形は矩形波であると説明した。しかし図1の発振回路60において信号のデューティ比を変えることができるのであれば、発振回路60から発せられる信号の波形は矩形波に限定されない。
In the present embodiment, it has been described that the waveform of a signal generated from the oscillation circuit is a rectangular wave. However, the waveform of the signal emitted from the
図8は、図1の発振回路60から発せられる信号の別の波形の例を示す図である。
図8を参照して、信号65Aの波形は三角波である。図8に示すように、信号65Aでは、周期Tpにおいて電圧Vが時間経過に応じて上昇する期間T1と低下する期間T2とが異なる。
FIG. 8 is a diagram illustrating another waveform example of a signal generated from the
Referring to FIG. 8, the waveform of
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
10 直流電源、20 回路系、30 アース、50 絶縁抵抗低下検出器、60 発振回路、70 検出抵抗、80 カップリングコンデンサ、90 バンドパスフィルタ、91 回路ブロック、92 過電圧保護用ダイオード、93 抵抗、94 コンデンサ、110 制御回路、111 発振指令部、112 A/D変換部、113 判定部、N1〜N3,NA,NB ノード、Ri 絶縁抵抗、S1〜S12,S5A ステップ。 10 DC power supply, 20 circuit system, 30 ground, 50 insulation resistance drop detector, 60 oscillation circuit, 70 detection resistor, 80 coupling capacitor, 90 band pass filter, 91 circuit block, 92 diode for overvoltage protection, 93 resistor, 94 Capacitor, 110 control circuit, 111 oscillation command section, 112 A / D conversion section, 113 determination section, N1-N3, NA, NB node, Ri insulation resistance, S1-S12, S5A steps.
Claims (6)
前記絶縁抵抗に一方端が接続されるカップリングコンデンサと、
前記カップリングコンデンサの他方端に、一方端が接続される検出抵抗と、
前記カップリングコンデンサと前記検出抵抗との接続点に入力端子が接続されるバンドパスフィルタと、
前記検出抵抗の他方端に、周期的に変化する信号を印加する信号発生部と、
前記信号発生部を制御するとともに、前記バンドパスフィルタから出力される電圧を検出して、検出電圧に基づいて前記絶縁抵抗の低下を検出する制御回路とを備え、
前記制御回路は、前記絶縁抵抗の低下を検出する通常動作時には、第1の信号を発生させるように前記信号発生部に指示し、前記絶縁抵抗低下検出器の自己診断時には、前記第1の信号と同一の周波数を有し、かつ、異なる波形の第2の信号を発生させるように前記信号発生部に指示する、絶縁抵抗低下検出器。 An insulation resistance decrease detector for detecting a decrease in insulation resistance of an insulated power source,
A coupling capacitor having one end connected to the insulation resistance;
A detection resistor having one end connected to the other end of the coupling capacitor;
A bandpass filter having an input terminal connected to a connection point between the coupling capacitor and the detection resistor;
A signal generator for applying a periodically changing signal to the other end of the detection resistor;
A control circuit that controls the signal generation unit, detects a voltage output from the band-pass filter, and detects a decrease in the insulation resistance based on a detection voltage;
The control circuit instructs the signal generation unit to generate a first signal during a normal operation for detecting a decrease in the insulation resistance, and the first signal during a self-diagnosis of the insulation resistance decrease detector. An insulation resistance lowering detector that instructs the signal generator to generate a second signal having the same frequency as that of the second waveform but having a different waveform.
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