JP2007184479A - Cooler, and semiconductor device having semiconductor element mounted thereon - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体素子等の電気・電子部品を冷却するための冷却器に関する。本発明はまた、冷却器上に半導体素子が実装されている半導体装置にも関する。 The present invention relates to a cooler for cooling electrical / electronic components such as semiconductor elements. The present invention also relates to a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a cooler.
半導体素子(IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、パワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)など)を利用して、電流のオン・オフを経時的に切り換える半導体装置は、様々な場面で用いられている。例えば、車載用のモータに供給する電流を経時的に切替えるためのインバータ用の半導体装置が知られている。この種のインバータ用の半導体装置は、エンジンの近くに設けられていることが多い。このため、インバータ用の半導体装置には、熱に対して何らかの対策を講じる必要がある。 Semiconductor devices that use semiconductor elements (IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors), power MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), etc.) to switch current on and off over time are used in various situations. . For example, a semiconductor device for an inverter for switching a current supplied to a vehicle-mounted motor over time is known. A semiconductor device for this type of inverter is often provided near the engine. For this reason, it is necessary to take some measures against heat in the semiconductor device for the inverter.
特許文献1には、電気部品又は回路用の冷却器が開示されている。図4に、特許文献1に開示されている冷却器220の概略的な断面図を模式的に示す。図4には、冷却器220に半導体素子244を実装した場合の半導体装置200を示す。
冷却器220は、セラミック下層229と、積層体221と、セラミック上層228を備えている。セラミック下層229及びセラミック上層228には、酸化アルミニウムが用いられている。積層体221は、銅を含む層の複数枚が積層されている(紙面上下方向に積層されている)。その積層体221を構成する層の各々は、開口を有している。例えば、一つの層は、開口222及び開口223を備えている。他の一つの層は、開口222、開口223及び開口224を備えている。また他の一つの層は、開口222、開口223及び開口225を備えている。また他の一つの層は、開口222、開口223及び開口226を備えている。ある層の開口(例えば、開口224)の少なくとも一部と、その層に隣接する層の開口(例えば、開口225)の少なくとも一部が積層方向に連通して流路227を形成している。積層体221の外表面には、第1外表面開口222aが形成されている。さらに、積層体221の外表面には、第1外表面開口222aとは別の第2外表面開口223aが形成されている。第1外表面開口222aと第2外表面開口223aは、流路227を介して連通している。
セラミック上層228の表面の一部には、導電層230が形成されている。その導電層230の表面には、はんだ242を介して半導体素子244が接合されている。半導体素子244は、縦型の素子であり、電流は縦方向に流れる。
The
A
冷却器220の積層体221には、銅が用いられている。銅は高い熱伝導率を有しており、半導体素子244で発生した熱を効率的に伝導することができる。さらに、冷却器220の積層体221では、冷却剤(典型的には冷却水)が第1外表面開口222aから流路227を介して第2外表面開口223aに向けて流れる。したがって、冷却器220は、高熱伝導の積層体221と流路227を流れる冷却剤を利用して、半導体素子224で発生した熱を効率的に外部に排出させることができる。
Copper is used for the
しかしながら、冷却器220は、以下に説明する2つの問題を備えている。
まず第1に、冷却器220は、積層体221に用いられている銅の熱膨張係数が大きいという問題を備えている。銅の熱膨張係数は、概ね17ppm/℃である。一方、半導体素子244の半導体材料には、Si、SiC、GaNなどが用いられており、その熱膨張係数は概ね3〜4ppm/℃である。したがって、半導体素子244と積層体221の間には、大きな熱膨張係数の差が存在している。この熱膨張係数の差に基づいて、半導体素子244と積層体221の間に熱応力が発生する。冷却器220では、セラミック下層229及びセラミック上層228が積層体221を挟み込むことによって、熱応力を緩和させる効果を多少備えているものの、その効果は十分でない。
第2に、冷却器220は、半導体素子244と積層体221の間の熱抵抗が大きいという問題を備えている。これは、セラミック上層228が、半導体素子244と積層体221の間に介在していることが原因である。セラミック上層228は、半導体素子244と積層体221を電気的に絶縁するために必要である。しかしながら、セラミック上層228を設けることによって、半導体素子244と積層体221の間の距離が大きくなってしまう。半導体素子244と積層体221の間の距離が大きいと、半導体素子244と積層体221の間の熱抵抗が大きくなってしまう。このため、半導体素子244に大電流が急激に流れた場合、冷却効果が追いつかず、ひいては半導体素子244やセラミック上層228が破壊されるという事態が発生してしまう。
本発明は、熱応力を緩和し、熱抵抗を低減することができる冷却器を提供することを目的としている。さらに、半導体素子と冷却器の間の熱応力が緩和され、半導体素子と冷却器の間の熱抵抗が低減された半導体装置を提供することを他の一つの目的としている。
However, the
First, the
Secondly, the
An object of this invention is to provide the cooler which can relieve | moderate a thermal stress and can reduce thermal resistance. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device in which the thermal stress between the semiconductor element and the cooler is relaxed and the thermal resistance between the semiconductor element and the cooler is reduced.
本発明は、冷却器に用いられる材料に、窒化アルミニウムを含む材料を用いることを特徴にしている。窒化アルミニウムの熱膨張係数は、概ね4.5ppm/℃である。一方、半導体素子の半導体材料には、Si、SiC、GaNなどが用いられることが多く、その熱膨張係数は概ね3〜4ppm/℃である。したがって、窒化アルミニウムを含む材料と半導体素子との間の熱膨張係数の差は小さい。窒化アルミニウムを含む材料で形成されている冷却器は、半導体素子との間の熱応力の増大を抑制することができる。さらに、窒化アルミニウムは、絶縁性の物質である。このため、窒化アルミニウムを含む材料で形成されている冷却器では、半導体素子との間に絶縁性を確保するための構造が不必要になる。これにより、半導体素子と冷却器の間の距離を短縮化することができる。半導体素子と冷却器の間の距離を短縮化することができれば、半導体素子と冷却器の間の熱抵抗を低減することができる。
なお、本発明の冷却器は、冷却する対象を半導体素子に限定するものではない。冷却する対象の熱膨張係数が、窒化アルミニウムの熱膨張係数に近いものであれば、本発明の技術範囲の範疇に入り得る。
The present invention is characterized in that a material containing aluminum nitride is used as the material used for the cooler. The thermal expansion coefficient of aluminum nitride is approximately 4.5 ppm / ° C. On the other hand, Si, SiC, GaN or the like is often used as a semiconductor material of a semiconductor element, and its thermal expansion coefficient is approximately 3 to 4 ppm / ° C. Therefore, the difference in coefficient of thermal expansion between the material containing aluminum nitride and the semiconductor element is small. The cooler formed of a material containing aluminum nitride can suppress an increase in thermal stress with the semiconductor element. Furthermore, aluminum nitride is an insulating material. For this reason, in the cooler formed of a material containing aluminum nitride, a structure for ensuring insulation between the semiconductor element and the semiconductor device is unnecessary. Thereby, the distance between a semiconductor element and a cooler can be shortened. If the distance between the semiconductor element and the cooler can be shortened, the thermal resistance between the semiconductor element and the cooler can be reduced.
In addition, the cooler of this invention does not limit the object cooled to a semiconductor element. If the thermal expansion coefficient to be cooled is close to the thermal expansion coefficient of aluminum nitride, it can fall within the scope of the technical scope of the present invention.
本発明は、冷却器に具現化することができる。本発明の冷却器は、窒化アルミニウムを含む絶縁層の複数枚が積層されている絶縁性積層体を備えている。その絶縁性積層体を構成する少なくとも2枚以上の絶縁層の各々が開口を有している。各絶縁層の開口の少なくとも一部と、その絶縁層に隣接して積層されている絶縁層の開口の少なくとも一部が積層方向に連通して流路を形成している。さらに、絶縁性積層体の外表面には、第1外表面開口と第2外表面開口が形成されている。第1外表面開口と第2外表面開口は、流路を介して連通している。
本発明の冷却器には、窒化アルミニウムが用いられている。例えば、冷却する対象が半導体素子の場合、半導体素子と冷却器の間の熱膨張係数の差が低減され、半導体素子と冷却器の間の熱応力の増大が抑制される。さらに、半導体素子と冷却器の間の絶縁性を確保するための構造が不必要になり、半導体素子と冷却器の間の距離を短縮化することもできる。半導体素子と冷却器の間の熱抵抗を低減することができる。
The present invention can be embodied in a cooler. The cooler of the present invention includes an insulating laminate in which a plurality of insulating layers including aluminum nitride are laminated. Each of at least two insulating layers constituting the insulating laminate has an opening. At least a part of the opening of each insulating layer and at least a part of the opening of the insulating layer stacked adjacent to the insulating layer communicate with each other in the stacking direction to form a flow path. Further, a first outer surface opening and a second outer surface opening are formed on the outer surface of the insulating laminate. The first outer surface opening and the second outer surface opening communicate with each other through a flow path.
Aluminum nitride is used in the cooler of the present invention. For example, when the object to be cooled is a semiconductor element, the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor element and the cooler is reduced, and an increase in thermal stress between the semiconductor element and the cooler is suppressed. Furthermore, a structure for ensuring insulation between the semiconductor element and the cooler is unnecessary, and the distance between the semiconductor element and the cooler can be shortened. The thermal resistance between the semiconductor element and the cooler can be reduced.
本発明の冷却器は、上面絶縁層と導電性積層体をさらに備えていることが好ましい。上面絶縁層は、絶縁性積層体上に形成されており、窒化アルミニウムを含んでいる。導電性積層体は、上面絶縁層上に形成されており、導電性下層、導電性中間層、導電性上層を有している。導電性下層は、銅又はアルミニウムを含んでいる。導電性中間層は、モリブテンを含んでいる。導電性上層は、銅又はアルミニウムを含んでいる。
上面絶縁層は、開口が形成されていないスペースを備えている。そのスペースは、表面に導電性積層体を設置するための場を提供する。導電性積層体は、その表面に設置される半導体素子等の電気・電子部品に対して電気的な接続部分を提供する。例えば、電気・電子部品が半導体素子の場合、導電性積層体を用いることによって、縦型の半導体素子を利用することが可能になる。導電性積層体では、電流が横方向に流れる。
導電性積層体の熱膨張係数は、絶縁性積層体の熱膨張係数に近い値であることが好ましい。これにより、絶縁性積層体と導電性積層体の間において、熱膨張係数の差を低減し、熱応力の増大を抑制することができる。
モリブテン(Mo)の熱膨張係数は4ppm/℃程度であり、窒化アルミニウムの熱膨張係数(概ね4.5ppm/℃)にほぼ等しい。したがって、導電性中間層にモリブテンを用いることによって、導電性積層体と絶縁性積層体との間の熱膨張係数の差を低減することができる。さらに、導電性下層及び導電性上層には、銅又はアルミニウムが用いられている。銅(Cu)又はアルミニウム(Al)は、電気抵抗及び熱抵抗が小さい。したがって、モリブテン、銅、アルミニウムを組合せることによって、熱膨張係数と電気抵抗と熱抵抗が調整された導電性積層体を得ることができる。
The cooler of the present invention preferably further includes a top insulating layer and a conductive laminate. The upper surface insulating layer is formed on the insulating laminate and includes aluminum nitride. The conductive laminate is formed on the upper surface insulating layer, and has a conductive lower layer, a conductive intermediate layer, and a conductive upper layer. The conductive lower layer contains copper or aluminum. The conductive intermediate layer contains molybdenum. The conductive upper layer contains copper or aluminum.
The top insulating layer has a space where no opening is formed. The space provides a place to install the conductive laminate on the surface. The conductive laminate provides an electrical connection portion for electrical / electronic components such as semiconductor elements installed on the surface thereof. For example, when the electrical / electronic component is a semiconductor element, a vertical semiconductor element can be used by using a conductive laminate. In the conductive laminate, current flows in the lateral direction.
The thermal expansion coefficient of the conductive laminate is preferably a value close to the thermal expansion coefficient of the insulating laminate. Thereby, the difference of a thermal expansion coefficient can be reduced between an insulating laminated body and an electroconductive laminated body, and the increase in a thermal stress can be suppressed.
Molybdenum (Mo) has a thermal expansion coefficient of about 4 ppm / ° C, which is almost equal to that of aluminum nitride (approximately 4.5 ppm / ° C). Therefore, by using molybdenum for the conductive intermediate layer, the difference in thermal expansion coefficient between the conductive laminate and the insulating laminate can be reduced. Furthermore, copper or aluminum is used for the conductive lower layer and the conductive upper layer. Copper (Cu) or aluminum (Al) has low electrical resistance and thermal resistance. Therefore, by combining molybdenum, copper, and aluminum, it is possible to obtain a conductive laminate in which the thermal expansion coefficient, electrical resistance, and thermal resistance are adjusted.
本発明の導電性積層体では、導電性下層と導電性上層の厚みが略一致しており、導電性中間層の厚みが導電性下層及び導電性上層の厚みの5〜12倍であることが好ましい。即ち、本発明の導電性積層体は、膜厚な導電性中間層を膜薄な導電性下層及び導電性上層によって挟み込む構造を備えていることが好ましい。
導電性下層と導電性上層は対を成して形成されており、導電性中間層との間の熱膨張係数差に起因する熱応力を緩和する。
導電性中間層の厚みが導電性下層及び導電性上層の厚みの5倍以上に形成されていると、導電性積層体に占める導電性中間層の割合が大きくなる。これにより、導電性積層体の熱膨張係数は、導電性中間層の熱膨張係数が支配的になる。導電性中間層にはモリブテンが用いられているので、導電性中間層の熱膨張係数が支配的になると、導電性積層体と絶縁性積層体の間の熱膨張係数の差を低減することができる。
しかし、導電性積層体に占める導電性中間層の割合が大きくなりすぎると、導電性積層体の電気抵抗及び熱抵抗が高くなってしまう。したがって、導電性中間層の厚みが導電性下層及び導電性上層の厚みの12倍以下に形成されていることが好ましい。導電性下層及び導電性上層には、銅又はアルミニウムが用いられており、電気抵抗及び熱抵抗が小さい。導電性積層体に占める導電性下層及び導電性上層の割合が上記の範囲に形成されていると、導電性積層体の電気抵抗及び熱抵抗を小さい値にすることができる。
In the conductive laminate of the present invention, the thickness of the conductive lower layer and the conductive upper layer are substantially the same, and the thickness of the conductive intermediate layer is 5 to 12 times the thickness of the conductive lower layer and the conductive upper layer. preferable. That is, the conductive laminate of the present invention preferably has a structure in which a conductive intermediate layer having a thickness is sandwiched between a conductive lower layer and a conductive upper layer.
The conductive lower layer and the conductive upper layer are formed in a pair and relieve thermal stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the conductive lower layer and the conductive intermediate layer.
When the thickness of the conductive intermediate layer is formed to be 5 times or more the thickness of the conductive lower layer and the conductive upper layer, the proportion of the conductive intermediate layer in the conductive laminate is increased. Thereby, the thermal expansion coefficient of the conductive intermediate layer is dominant in the thermal expansion coefficient of the conductive intermediate layer. Since molybdenum is used for the conductive intermediate layer, if the thermal expansion coefficient of the conductive intermediate layer becomes dominant, the difference in the thermal expansion coefficient between the conductive laminate and the insulating laminate can be reduced. it can.
However, if the proportion of the conductive intermediate layer in the conductive laminate is too large, the electrical resistance and thermal resistance of the conductive laminate are increased. Therefore, it is preferable that the thickness of the conductive intermediate layer is 12 times or less the thickness of the conductive lower layer and the conductive upper layer. Copper or aluminum is used for the conductive lower layer and the conductive upper layer, and the electrical resistance and thermal resistance are small. When the ratio of the conductive lower layer and the conductive upper layer in the conductive laminate is formed in the above range, the electrical resistance and thermal resistance of the conductive laminate can be reduced.
導電性積層体の厚みは、0.05〜5mmであることが好ましい。
導電性積層体は、電流が横方向に流れる接続部分である。したがって、導電性積層体の電気抵抗は小さいことが望ましい。導電性積層体の厚みが0.05mm以上に形成されていると、導電性積層体の電気抵抗を小さくすることができる。また、導電性積層体は、冷却対象と絶縁性積層体の間に存在している。したがって、熱抵抗を小さくするためには、導電性積層体の厚みが小さいことが望ましい。導電性積層体の厚みが5mm以下に形成されていると、冷却対象と絶縁性積層体の間の距離を短くすることができ、熱抵抗を小さくすることができる。
The thickness of the conductive laminate is preferably 0.05 to 5 mm.
The conductive laminate is a connection portion where current flows in the lateral direction. Therefore, it is desirable that the electrical resistance of the conductive laminate is small. When the thickness of the conductive laminate is 0.05 mm or more, the electrical resistance of the conductive laminate can be reduced. Further, the conductive laminate is present between the object to be cooled and the insulating laminate. Therefore, in order to reduce the thermal resistance, it is desirable that the thickness of the conductive laminate is small. When the thickness of the conductive laminate is 5 mm or less, the distance between the object to be cooled and the insulating laminate can be shortened, and the thermal resistance can be reduced.
本発明は、冷却器に半導体素子が実装されている半導体装置にも具現化することができる。本発明の半導体装置は、冷却器と、その冷却器上に形成されている導電層と、その導電層上に形成されている半導体素子を備えている。冷却器は、窒化アルミニウムを含む絶縁層の複数枚が積層されている絶縁性積層体を備えている。その絶縁性積層体を構成する少なくとも2枚以上の絶縁層の各々が開口を有している。各絶縁層の開口の少なくとも一部と、その絶縁層に隣接して積層されている絶縁層の開口の少なくとも一部が積層方向に連通して流路を形成している。さらに、絶縁性積層体の外表面には第1外表面開口と第2外表面開口が形成されている。第1外表面開口と第2外表面開口は、流路を介して連通している。
本発明の半導体装置によると、半導体素子と冷却器の間の熱膨張係数の差が低減され、半導体素子と冷却器の間の熱応力の増大が抑制されている。さらに、半導体素子と冷却器の間の絶縁性を確保するための構造が不必要になり、半導体素子と冷却器の間の距離を短縮化することもできる。半導体素子と冷却器の間の熱抵抗を低減することもできる。
The present invention can also be embodied in a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a cooler. The semiconductor device of the present invention includes a cooler, a conductive layer formed on the cooler, and a semiconductor element formed on the conductive layer. The cooler includes an insulating laminate in which a plurality of insulating layers including aluminum nitride are laminated. Each of at least two insulating layers constituting the insulating laminate has an opening. At least a part of the opening of each insulating layer and at least a part of the opening of the insulating layer stacked adjacent to the insulating layer communicate with each other in the stacking direction to form a flow path. Further, a first outer surface opening and a second outer surface opening are formed on the outer surface of the insulating laminate. The first outer surface opening and the second outer surface opening communicate with each other through a flow path.
According to the semiconductor device of the present invention, the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor element and the cooler is reduced, and an increase in thermal stress between the semiconductor element and the cooler is suppressed. Furthermore, a structure for ensuring insulation between the semiconductor element and the cooler is unnecessary, and the distance between the semiconductor element and the cooler can be shortened. It is also possible to reduce the thermal resistance between the semiconductor element and the cooler.
本発明の半導体装置の導電層は、導電性下層、導電性中間層、導電性上層を有する導電性積層体であることが好ましい。この場合、導電性下層は、銅又はアルミニウムを含んでいる。導電性中間層は、モリブテンを含んでいる。導電性上層は、銅又はアルミニウムを含んでいる。
半導体素子の半導体材料には、Si、SiC、GaNなどが用いられることが多く、その熱膨張係数は概ね3〜4ppm/℃である。絶縁性積層体に用いられている窒化アルミニウムの熱膨張係数は、概ね4.5ppm/℃である。導電層が導電性積層体であり、その導電性中間層にモリブテン(熱膨張係数は4ppm/℃程度)を含んでいると、導電性積層体の熱膨張係数を半導体素子及び絶縁性積層体の熱膨張係数に近い値にすることができる。これにより、半導体素子と冷却器の間の熱膨張係数の差が低減され、半導体素子と冷却器の間の熱応力の増大が抑制されている。
The conductive layer of the semiconductor device of the present invention is preferably a conductive laminate having a conductive lower layer, a conductive intermediate layer, and a conductive upper layer. In this case, the conductive lower layer contains copper or aluminum. The conductive intermediate layer contains molybdenum. The conductive upper layer contains copper or aluminum.
Si, SiC, GaN, and the like are often used as semiconductor materials for semiconductor elements, and their thermal expansion coefficients are approximately 3 to 4 ppm / ° C. The thermal expansion coefficient of aluminum nitride used in the insulating laminate is approximately 4.5 ppm / ° C. If the conductive layer is a conductive laminate, and the conductive intermediate layer contains molybdenum (coefficient of thermal expansion of about 4 ppm / ° C.), the coefficient of thermal expansion of the conductive laminate is the same as that of the semiconductor element and the insulating laminate. The value can be close to the thermal expansion coefficient. Thereby, the difference of the thermal expansion coefficient between a semiconductor element and a cooler is reduced, and the increase in the thermal stress between a semiconductor element and a cooler is suppressed.
本発明の半導体装置は、半導体素子にGaN系又はSiC系の半導体材料が用いられていることが好ましい。
これらの半導体材料は、絶縁破壊電界および飽和電子密度等が大きいことから、高耐圧で大電流を制御できるものと期待されている。このため、この種の半導体素子の特性が発揮するように動作させると、半導体素子自身の発熱量が極めて大きくなる。したがって、この種の半導体素子が実装されている半導体装置は、熱に対する対策が極めて重要である。本発明の半導体装置は、この種の半導体素子が実装された場合に、極めて有用である。
In the semiconductor device of the present invention, a GaN-based or SiC-based semiconductor material is preferably used for the semiconductor element.
These semiconductor materials are expected to be capable of controlling a large current with a high breakdown voltage because they have a large dielectric breakdown electric field and saturated electron density. For this reason, if the semiconductor element is operated so as to exhibit the characteristics of this type of semiconductor element, the amount of heat generated by the semiconductor element itself becomes extremely large. Therefore, a countermeasure against heat is extremely important for a semiconductor device on which this type of semiconductor element is mounted. The semiconductor device of the present invention is extremely useful when this type of semiconductor element is mounted.
本発明の冷却器は、熱応力を緩和し、熱抵抗を低減することができる。本発明の半導体装置は、半導体素子と冷却器の間の熱応力が緩和され、半導体素子と冷却器の間の熱抵抗を低減することができる。 The cooler of the present invention can relieve thermal stress and reduce thermal resistance. In the semiconductor device of the present invention, the thermal stress between the semiconductor element and the cooler is relaxed, and the thermal resistance between the semiconductor element and the cooler can be reduced.
本発明の主要な特徴を列記する。
(第1形態) 本発明の冷却器の冷却対象は、半導体素子であることが好ましい。この場合、冷却器と半導体素子の間の熱膨張係数の差を小さくすることができる。
(第2形態) 冷却器内に形成されている流路は、複数枚の絶縁層に亘って形成されている。流路は、積層方向と、積層方向に直交する方向の成分を持って伸びている。流路は、3次元的に伸びていると観念することができる。これにより、流路を画定する側壁の面積が大きくなり、冷却効果を増大させることができる。
(第3形態) 流路は、導電性積層体の下方において、絶縁性積層体の上面に最も接近している。これにより、導電性積層体の表面に設置される電気・電子部品からの発熱を効率的に冷却することができる。
The main features of the present invention are listed.
(First Embodiment) The cooling target of the cooler of the present invention is preferably a semiconductor element. In this case, the difference in thermal expansion coefficient between the cooler and the semiconductor element can be reduced.
(2nd form) The flow path currently formed in the cooler is formed over several insulating layers. The flow path extends with components in the stacking direction and a direction orthogonal to the stacking direction. It can be considered that the flow path extends three-dimensionally. Thereby, the area of the side wall which defines a flow path becomes large, and a cooling effect can be increased.
(3rd form) The flow path is the closest to the upper surface of an insulating laminated body under the conductive laminated body. Thereby, the heat_generation | fever from the electric / electronic component installed in the surface of an electroconductive laminated body can be cooled efficiently.
(第1実施例)
図1に、半導体装置10の構成の概略を模式的に示す。図1(a)に、半導体装置10の要部断面図を示す。図1(b)に、半導体装置10の要部平面図を示す。
半導体装置10は、冷却器20と、その冷却器20上に形成されている導電性積層体30と、導電性積層体30上に形成されている半導体素子44を備えている。半導体素子44は、はんだ42を介して導電性積層体30の表面に接合されている。半導体素子44の半導体材料には、GaNが用いられている。半導体素子44は、縦型の素子であり、電流は縦方向に流れる。
(First embodiment)
FIG. 1 schematically shows a schematic configuration of the
The
冷却器20は、窒化アルミニウムを含む絶縁層の複数枚が積層して形成されている(紙面上下方向に積層している)。この様子を図2に示す。冷却器20は、複数枚の絶縁層20a〜20gを備えている。複数枚の絶縁層20a〜20gが積層して、冷却器20を構成している。本明細書では、冷却器20のことを絶縁性積層体ともいう。絶縁層20b〜20gは、開口23〜26を有している。絶縁層20aは、開口を有していない。絶縁層20aは、開口を有していない点で他の絶縁層20b〜20gから区別される。本明細書では、この絶縁層20aを上面絶縁層20aともいう。上面絶縁層20aは、開口26が外部に露出するのを防止する。さらに、上面絶縁層20aは、開口が形成されていないスペースを備えている。このスペースは、表面に導電性積層体30を設置するための場を提供する。絶縁層20bは、開口26を備えている。絶縁層20cは、一対の開口25を備えている。開口25は、絶縁層20c内に分散して形成されている。絶縁層20dは、一対の開口24を備えている。開口24は、絶縁層20d内に分散して形成されている。絶縁層20e、絶縁層20f及び絶縁層20gは、同一の構造である。絶縁層20e〜20gは、一対の開口23を備えている。開口23は、絶縁層20e〜20g内に分散して形成されている。
なお、上面絶縁層20aと絶縁層20bは、一体で形成されていてもよい。即ち、上面絶縁層20aと絶縁層20bに代えて、下面に凹状の窪みを有する一枚の絶縁層を用いてもよい。この場合も、その窪みを介して、絶縁層20cの一対の開口25を連通させることができる。
The cooler 20 is formed by laminating a plurality of insulating layers containing aluminum nitride (laminated in the vertical direction on the paper surface). This is shown in FIG. The cooler 20 includes a plurality of insulating
Note that the upper
図1(a)に示すように、絶縁層20b〜20gの開口23〜25は、冷却器20内に流路27を形成している。例えば、絶縁層20bの開口26の一部と、その絶縁層20bに隣接して積層されている絶縁層20cの開口25の一部は、積層方向に連通している(27a参照)。同様に、それぞれの絶縁層の開口の一部は、それに隣接して積層されている絶縁層の開口に連通している。流路27は、複数の開口23〜25が連通することによって形成されている。流路27は、開口23〜25が積層方向に連通することによって、積層方向に伸びている。さらに、流路27は、開口23〜25の幅に応じて積層方向に直交する方向にも伸びている。即ち、流路27は、冷却器20内を積層方向と積層方向に直交する方向のそれぞれに伸びている。流路27は、冷却器20内を3次元的に伸びていると観念することができる。これにより、冷却器20内において、流路27を画定する側壁の面積は大きくなり、冷却効果を増大させることができる。また、流路27のうち冷却器20の上面に最も接近する部分(この例では、開口26に相当する)は、導電性積層体30の下方に配置されている。したがって、半導体素子44で発生した熱を効率的に外部に排出することができる。
冷却器20は、冷却器20の外表面に第1外表面開口22aを備えている。さらに、冷却器20は、冷却器の外表面に、第1外表面開口22aとは別の第2外表面開口23aも備えている。第1外表面開口22aと第2外表面開口23aは、流路27を介して連通している。冷却剤(典型的には冷却水)は、第1外表面開口22aから流路27を介して第2外表面開口23aに向けて流れる。
As shown in FIG. 1A, the
The cooler 20 includes a first outer surface opening 22 a on the outer surface of the cooler 20. Furthermore, the cooler 20 includes a second outer surface opening 23a different from the first outer surface opening 22a on the outer surface of the cooler. The first outer surface opening 22 a and the second outer surface opening 23 a communicate with each other through the
冷却器20は、具体的には次の手順で作製することができる。
絶縁層20a〜20gには、窒化アルミニウムのセラミックグリーンシートが用いられている。絶縁層20a〜20gの一枚の厚みは、概ね0.5mmである。絶縁層20b〜20gの開口23〜26は、プレス機によって作製することができる。絶縁層20a〜20gは、全体を金属板で挟んだ状態で加圧した後に、窒素ガス中で1600℃の熱処理を実施することによって接合される。なお、絶縁層20a〜20gは、ねじ52、54を利用して、図示しない樹脂モジュールに固定されている。
The cooler 20 can be specifically manufactured by the following procedure.
Aluminum nitride ceramic green sheets are used for the insulating
導電性積層体30は、半導体素子44の裏面電極(この例では、コレクタ電極である)に電気的な接続部分を提供する。導電性積層体30の厚みは、概ね0.5mmに調整されている。導電性積層体30は、導電性下層32、導電性中間層34、導電性上層36を有している。導電性下層32には、銅が用いられている。導電性中間層34には、モリブテンが用いられている。導電性上層36には、銅が用いられている。導電性積層体30は、ロウ材を用いて加圧・加熱し、導電性下層32、導電性中間層34、導電性上層36を接合することによって得ることができる。導電性下層32及び導電性上層36の厚みは、0.05mmである。導電性中間層34の厚みは、0.4mmである。導電性積層体30では、導電性下層32と導電性上層36の厚みが略一致している。導電性下層32と導電性上層36は対を成して形成されており、導電性中間層34との間の熱膨張係数差に起因する熱応力を緩和する。
The
半導体素子44の半導体材料にはGaNが用いられており、その熱膨張係数は概ね3〜4ppm/℃である。冷却器20に用いられている窒化アルミニウムの熱膨張係数は、概ね4.5ppm/℃である。導電性積層体30の導電性中間層34には、モリブテン(Mo)が用いられている。モリブテンの熱膨張係数は4ppm/℃程度であり、半導体素子44及び冷却器20の熱膨張係数にほぼ等しい。したがって、導電性積層体30の熱膨張係数は、半導体素子44及び冷却器20の熱膨張係数に近い値になる。これにより、熱膨張係数の差は、半導体素子44、導電性積層体30、冷却器20の間に亘って小さく保たれる。熱応力の増大は、半導体素子44、導電性積層体30、冷却器20の間に亘って抑制される。
GaN is used as the semiconductor material of the
導電性中間層34の厚みなどを調整することによって、導電性積層体30と半導体素子44の間の熱膨張係数の差、導電性積層体30と冷却器20の間の熱膨張係数の差を調整することができる。また、導電性積層体30の導電性下層32及び導電性上層36には、銅が用いられている。銅は、電気抵抗及び熱抵抗が小さい。したがって、導電性下層32の厚み及び導電性上層36の厚みなどを調製することによって、導電性積層体30の電気抵抗及び熱抵抗を調整することができる。モリブテンと銅を組合せることによって、熱膨張係数と電気抵抗と熱抵抗が調整された導電性積層体30を得ることができる。
By adjusting the thickness of the conductive
導電性積層体30では、導電性中間層34の厚みが、導電性下層32及び導電性上層36の厚みの5〜12倍に調整されているのが好ましい。即ち、導電性積層体30は、膜厚な導電性中間層34を膜薄な導電性下層32及び導電性上層36によって挟み込む構造を有している。
導電性中間層34の厚みが導電性下層32及び導電性上層36の厚みの5倍以上に形成されていると、導電性積層30に占める導電性中間層34の割合が大きくなる。これにより、導電性積層体30の熱膨張係数は、導電性中間層34の熱膨張係数が支配的になる。導電性中間層34にはモリブテンが用いられているので、導電性中間層34の熱膨張係数が支配的になると、半導体素子44との間の熱膨張係数及び冷却器20との間の熱膨張係数の差を小さくすることができる。
しかし、導電性積層体30に占める導電性中間層34の割合が大きくなりすぎると、導電性積層体30の電気抵抗及び熱抵抗が高くなってしまう。したがって、導電性中間層34の厚みが導電性下層32及び導電性上層36の厚みの12倍以下に形成されていることが好ましい。導電性下層32及び導電性上層36には、銅が用いられており、電気抵抗及び熱抵抗が小さい。導電性積層体30に占める導電性下層32及び導電性上層36の割合が上記の範囲に形成されていると、導電性積層30の電気抵抗及び熱抵抗を小さい値にすることができる。
In the
When the thickness of the conductive
However, if the proportion of the conductive
半導体装置10に対して冷熱サイクル試験を実施した。冷熱サイクル試験とは、−40℃と200℃の状態を交互に繰返す試験のことをいう。本実施例では、−40℃→200℃→−40℃を1サイクルとし、2000サイクルの冷熱サイクル試験を実施した。同様の冷熱サイクル試験を図4に示す従来の半導体装置200に対しても実施した。
従来の半導体装置200では、冷熱サイクル試験後に半導体装置200を観察すると、はんだ242、導電層230において、変形、空隙及び亀裂が見られた。また、セラミック上層228にクラックが見られた。
一方、本実施例の半導体装置10では、冷熱サイクル試験の前後において半導体装置10に顕著な変化は見られなかった。半導体装置10は、温度変化に対して極めて安定であることが確認された。
また、半導体素子44に一定の発熱を加え、半導体素子44の中央の温度を熱電対で測定することによって、半導体素子44と流路27までの熱抵抗を測定した。本実施例の半導体装置10の熱抵抗は、0.2K/Wであった。一方、図4に示す従来の半導体装置200の熱抵抗は、0.4K/Wであった。本実施例の半導体装置10の熱抵抗が極めて小さいことが確認された。
A thermal cycle test was performed on the
In the
On the other hand, in the
Further, a certain amount of heat was applied to the
(第2実施例)
図3に、第1実施例の半導体装置10の技術思想を利用した車載用の駆動システム300を示す。
駆動システム300は、インバータ100(インバータ用の半導体装置ともいう)と、高電圧なバッテリ101と、モータ170を備えている。図3では、インバータ100は、その構造が平面図によって示されている。バッテリ101とモータ170は、回路図によって示されている。
(Second embodiment)
FIG. 3 shows an in-
The
インバータ100は、高電圧なバッテリ101からの電力を交流電力に変換し、モータ170に供給する。インバータ100は、p端子104及びn端子105を介して高電圧なバッテリ101から電力を入力する。インバータ100は、U端子160(U)とV端子160(V)とW端子160(W)を備えており、それらの端子を介して3相交流電流をモータ170に出力する。インバータ100は、U端子160(U)とV端子160(V)とW端子160(W)に対応した3つのユニットから構成されている。それぞれのユニットは同一の構成を備えている。U端子160(U)とV端子160(V)とW端子160(W)からの単相電流は、図示しない制御回路によって位相差をもって出力される。これにより、U端子160(U)とV端子160(V)とW端子160(W)は、3相交流電流を出力している。各ユニットは、樹脂モジュール180上に形成されている冷却器120の表面に並べられている。冷却器120は、第1実施例の冷却器20の技術思想を利用したものが採用されている。即ち、冷却器120は、窒化アルミニウムを含む絶縁層の複数個が積層して形成されている。冷却器120の内部には、3次元的に伸びている流路が形成されている。
次に、W相のユニットに関して説明する。なお、U相とV層のユニットの説明は省略する。W相のユニットは、冷却器120の表面に形成されている2つの導電性積層体130a、130bを備えている。導電性積層体130a、130bは、第1実施例の導電性積層体30の技術思想を利用したものが採用されている。即ち、導電性積層体130a、130bは、導電性下層、導電性中間層、導電性上層を有している。導電性下層は、銅又はアルミニウムを含んでいる。導電性中間層は、モリブテンを含んでいる。導電性上層は、銅又はアルミニウムを含んでいる。導電性積層体130a、130bの熱膨張係数は、冷却器120の熱膨張係数に近い値に設定されている。
Next, the W-phase unit will be described. A description of the U-phase and V-layer units is omitted. The W-phase unit includes two
一方の導電性積層体130aの表面には、半導体素子144aが形成されている。半導体素子144aに対して、ダイオード145aが並列に形成されている。他方の導電性積層体130bの表面にも、半導体素子144bが形成されている。半導体素子144bに対しても、ダイオード145bが並列に形成されている。半導体素子144a、144bは縦型の素子であり、その半導体材料には、GaNが用いられている。
半導体素子144aと半導体素子144bは、p端子104とn端子105の間に直列に接続されている。半導体素子144aと半導体素子144bの中間点は、W端子160(W)に接続されている。
A
The
この種の車載用のインバータ100は、エンジンの近くに設けられていることが多い。このため、インバータ100には、半導体素子144a、144bの発熱の他に、エンジンからの熱も加えられる。本実施例のインバータ100は、半導体素子144a、144bと、導電性積層体130a、130b、冷却器120の間に亘って熱膨張係数の差が小さく保たれている。したがって、半導体素子144a、144bと、導電性積層体130a、130b、冷却器120の間に亘って熱応力の増大が抑制されている。したがって、車載用のインバータのように、熱に関して過酷な環境下であっても、本実施例のインバータ100は、長期に亘って安定して動作することができる。
This type of in-
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
Specific examples of the present invention have been described in detail above, but these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above.
The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology exemplified in this specification or the drawings can achieve a plurality of objects at the same time, and has technical usefulness by achieving one of the objects.
20:冷却器
22、23、24、25、26:開口
22a:第1外表面開口
23a:第2外表面開口
27:流路
30:導電性積層体
32:導電性下層
34:導電性中間層
36:導電性上層
44:半導体素子
20: cooler 22, 23, 24, 25, 26: opening 22a: first
Claims (9)
窒化アルミニウムを含む絶縁層の複数枚が積層されている絶縁性積層体を備えており、
その絶縁性積層体を構成する少なくとも2枚以上の絶縁層の各々が開口を有しており、
各絶縁層の開口の少なくとも一部と、その絶縁層に隣接して積層されている絶縁層の開口の少なくとも一部が積層方向に連通して流路を形成しており、
その絶縁性積層体の外表面には、第1外表面開口と第2外表面開口が形成されており、
第1外表面開口と第2外表面開口が前記流路を介して連通していることを特徴とする冷却器。 A cooler,
Comprising an insulating laminate in which a plurality of insulating layers including aluminum nitride are laminated;
Each of at least two or more insulating layers constituting the insulating laminate has an opening,
At least a part of the opening of each insulating layer and at least a part of the opening of the insulating layer laminated adjacent to the insulating layer communicate with each other in the lamination direction to form a flow path,
A first outer surface opening and a second outer surface opening are formed on the outer surface of the insulating laminate,
The cooler, wherein the first outer surface opening and the second outer surface opening communicate with each other through the flow path.
その上面絶縁層上に形成されている導電性積層体を備えており、
前記導電性積層体は、導電性下層、導電性中間層、導電性上層を有し、
導電性下層は、銅又はアルミニウムを含んでおり、
導電性中間層は、モリブテンを含んでおり、
導電性上層は、銅又はアルミニウムを含んでいることを特徴とする請求項1の冷却器。 An upper surface insulating layer containing aluminum nitride formed on the insulating laminate;
Comprising a conductive laminate formed on the upper insulating layer;
The conductive laminate has a conductive lower layer, a conductive intermediate layer, a conductive upper layer,
The conductive lower layer contains copper or aluminum,
The conductive intermediate layer contains molybdenum,
The cooler according to claim 1, wherein the conductive upper layer contains copper or aluminum.
導電性中間層の厚みは、導電性下層及び導電性上層の厚みの5〜12倍であることを特徴とする請求項2の冷却器。 The thickness of the conductive lower layer and the conductive upper layer are substantially the same,
The cooler according to claim 2, wherein the thickness of the conductive intermediate layer is 5 to 12 times the thickness of the conductive lower layer and the conductive upper layer.
冷却器と、
その冷却器上に形成されている導電層と、
その導電層上に形成されている半導体素子を備えており、
前記冷却器は、
窒化アルミニウムを含む絶縁層の複数枚が積層されている絶縁性積層体を備えており、
その絶縁性積層体を構成する少なくとも2枚以上の絶縁層の各々が開口を有しており、
各絶縁層の開口の少なくとも一部と、その絶縁層に隣接して積層されている絶縁層の開口の少なくとも一部が積層方向に連通して流路を形成しており、
その絶縁性積層体の外表面には、第1外表面開口と第2外表面開口が形成されており、
第1外表面開口と第2外表面開口が前記流路を介して連通していることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device,
A cooler,
A conductive layer formed on the cooler;
Comprising a semiconductor element formed on the conductive layer;
The cooler is
Comprising an insulating laminate in which a plurality of insulating layers including aluminum nitride are laminated;
Each of at least two or more insulating layers constituting the insulating laminate has an opening,
At least a part of the opening of each insulating layer and at least a part of the opening of the insulating layer laminated adjacent to the insulating layer communicate with each other in the lamination direction to form a flow path,
A first outer surface opening and a second outer surface opening are formed on the outer surface of the insulating laminate,
A semiconductor device, wherein the first outer surface opening and the second outer surface opening communicate with each other through the flow path.
導電性下層は、銅又はアルミニウムを含んでおり、
導電性中間層は、モリブテンを含んでおり、
導電性上層は、銅又はアルミニウムを含んでいることを特徴とする請求項5の半導体装置。 The conductive layer is a conductive laminate having a conductive lower layer, a conductive intermediate layer, a conductive upper layer,
The conductive lower layer contains copper or aluminum,
The conductive intermediate layer contains molybdenum,
6. The semiconductor device according to claim 5, wherein the conductive upper layer contains copper or aluminum.
導電性中間層の厚みは、導電性下層及び導電性上層の厚みの5〜12倍であることを特徴とする請求項6の半導体装置。 The thickness of the conductive lower layer and the conductive upper layer are substantially the same,
7. The semiconductor device according to claim 6, wherein the thickness of the conductive intermediate layer is 5 to 12 times the thickness of the conductive lower layer and the conductive upper layer.
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