JP2007173608A - Aluminum nitride sintered body and ceramic circuit board employing it - Google Patents

Aluminum nitride sintered body and ceramic circuit board employing it Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aluminum sintered body in which the water resistance of aluminum nitride powder is raised by surface treatment and heat conductivity of a sintered body will not be deteriorated when the same is used as a sintered material, while having excellent appearance and prominent heat conductivity, and a ceramics circuit board employing it. <P>SOLUTION: The aluminum nitride sintered body employs aluminum nitride powder processed by aluminate series coupling agent as the material thereof, and the ceramics circuit board employs the aluminum nitride sintered body. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、窒化アルミニウム焼結体及びそれを用いたセラミック回路基板に関する。 The present invention relates to an aluminum nitride sintered body and a ceramic circuit board using the same.

パワーモジュール等に利用される回路用基板として、熱伝導率やコスト、安全性等の点から、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等のセラミック基板が利用されている。これらのセラミック基板は、CuやAl等の金属回路や放熱板を接合し、セラミック回路基板として用いられる。これらのセラミック回路基板は、樹脂基板や樹脂層を絶縁材とする金属回路基板に対し、熱伝導率が高いため電子部品から発生する熱の放熱に優れる点が特長である。これらセラミック基板の中でも窒化アルミニウムは熱伝導性が最も高く、発熱量の大きい電子部品用のセラミック回路基板材料として注目されている。 As circuit boards used for power modules and the like, ceramic substrates such as alumina, silicon nitride, and aluminum nitride are used from the viewpoint of thermal conductivity, cost, safety, and the like. These ceramic substrates are used as ceramic circuit substrates by joining metal circuits such as Cu and Al, and heat sinks. These ceramic circuit boards are characterized in that they are excellent in heat dissipation of heat generated from electronic components because of their high thermal conductivity compared to resin circuit boards and metal circuit boards using resin layers as insulating materials. Among these ceramic substrates, aluminum nitride has the highest thermal conductivity, and has attracted attention as a ceramic circuit substrate material for electronic components that generate a large amount of heat.

窒化アルミニウム基板原料として用いる窒化アルミニウム粉末は、大気中の水分等により加水分解しやすいという課題がある。そこで窒化アルミニウム粉末の耐水性を向上させるため、無機リン酸化合物で処理する方法(特許文献1)、アルミニウムの硫酸塩にて被膜を形成する方法(特許文献2)、表面に酸化アルミニウムあるいはリン酸系の皮膜を形成した後、有機珪素系カップリング剤、有機リン酸系カップリング剤及びホスフェート基含有有機チタン系カップリング剤を添加して処理する方法(特許文献3)により窒化アルミニウム粉末の耐水性を向上する試みがなされている。
特開平2−141409号公報 特開平7−33413号公報 特開平7−33415号公報
The aluminum nitride powder used as the aluminum nitride substrate material has a problem that it is easily hydrolyzed by moisture in the atmosphere. Therefore, in order to improve the water resistance of the aluminum nitride powder, a method of treating with an inorganic phosphoric acid compound (Patent Document 1), a method of forming a film with an aluminum sulfate (Patent Document 2), an aluminum oxide or phosphoric acid on the surface Water resistance of aluminum nitride powder by a method of adding an organosilicon coupling agent, an organophosphate coupling agent and a phosphate group-containing organotitanium coupling agent (Patent Document 3) Attempts have been made to improve performance.
Japanese Patent Laid-Open No. 2-141409 JP-A-7-33413 JP-A-7-33415

しかしながら、特許文献1〜3に示す方法では、窒化アルミニウム粉末の耐水性は向上するものの、焼結原料として用いた場合、リン、硫黄、珪素、チタン等が焼結体中に残留して熱伝導性を低下させるという課題がある。さらには特許文献3の方法では、一旦皮膜を形成後カップリング処理する為生産性が低下するという課題、前述のようにリンが残留するという課題、形成した酸化アルミニウム自体によって熱伝導性が低下するという課題がある。 However, in the methods shown in Patent Documents 1 to 3, the water resistance of the aluminum nitride powder is improved, but when used as a sintering raw material, phosphorus, sulfur, silicon, titanium, etc. remain in the sintered body to conduct heat. There is a problem of reducing the sex. Furthermore, in the method of Patent Document 3, the productivity is lowered due to the coupling treatment after the film is once formed, the problem that phosphorus remains as described above, and the thermal conductivity is lowered by the formed aluminum oxide itself. There is a problem.

本発明の目的は、良好な外観を有する熱伝導性に優れた窒化アルミニウム焼結体及びそれを用いたセラミック回路基板を提供することである。 An object of the present invention is to provide an aluminum nitride sintered body having a good appearance and excellent thermal conductivity, and a ceramic circuit board using the same.

即ち本発明は、アルミネート系カップリング剤で処理した窒化アルミニウム粉末を原料として用いる窒化アルミニウム焼結体であり、前記窒化アルミニウム焼結体を用いるセラミック回路基板である。 That is, the present invention is an aluminum nitride sintered body using aluminum nitride powder treated with an aluminate coupling agent as a raw material, and a ceramic circuit board using the aluminum nitride sintered body.

本発明によれば、良好な外観を有する熱伝導性に優れた窒化アルミニウム焼結体及びこれを用いたセラミックス回路基板が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the aluminum nitride sintered compact which was excellent in the thermal conductivity which has a favorable external appearance, and a ceramic circuit board using the same are provided.

本発明について詳細に説明する。本発明に用いるアルミネート系カップリング剤としては、アセトアルコキシアルミニウムジアセテート等を挙げることができる。本発明に係るアルミネート系カップリング剤の添加量は、窒化アルミニウム粉末100質量部に対して、0.5〜5質量部が好ましい。 The present invention will be described in detail. Examples of the aluminate coupling agent used in the present invention include acetoalkoxyaluminum diacetate. The addition amount of the aluminate coupling agent according to the present invention is preferably 0.5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the aluminum nitride powder.

本発明に係る窒化アルミニウム粉末は、特に限定されるものではなく、例えば、窒素中でアルミニウムを加熱する直接窒化法によって得られる粉末、窒素中で酸化アルミニウムと炭素を加熱する還元窒化法により得られる粉末等が使用できる。 The aluminum nitride powder according to the present invention is not particularly limited. For example, the powder is obtained by a direct nitriding method in which aluminum is heated in nitrogen, and is obtained by a reductive nitriding method in which aluminum oxide and carbon are heated in nitrogen. Powder or the like can be used.

本発明に係るアルミネート系カップリング剤と窒化アルミニウム粉末の混合方法は、特に限定されるものではなく、例えば、ヘンシェルミキサー、スパーミキサー等を用いる公知の混合方法でよい。 The mixing method of the aluminate coupling agent and the aluminum nitride powder according to the present invention is not particularly limited, and may be a known mixing method using a Henschel mixer, a spar mixer, or the like.

本発明の窒化アルミニウム粉末を用いた窒化アルミニウム焼結体、並びに、回路基板の製造方法について説明する。 An aluminum nitride sintered body using the aluminum nitride powder of the present invention and a method for producing a circuit board will be described.

本発明で使用される焼結助剤としては、例えばアルカリ土類金属の化合物、遷移金属の化合物が好適なものとして挙げられる。具体的には、アルカリ土類金属(Ca、Ba、Sr等)及び遷移金属(Y、La、Sc、Pr、Ce、Nd、Gd等)の酸化物、フッ化物、塩化物、硝酸塩、硫酸塩、炭酸塩等であり、中でも酸化イットリウム、酸化カルシウムが好ましい。これらの焼結助剤は、窒化アルミニウム粉末中の酸素すなわちアルミニウム酸化物と反応して複合酸化物の液相(例えば2Y・Al、Y・Al、3Y・5Al等)を形成し、この液相が焼結体の高密度化をもたらし、同時に窒化アルミニウム粒子中の不純物である酸素等を抽出し、結晶粒界の酸化物相として偏析させることによって高熱伝導化をもたらす。焼結助剤の使用量が少ないと液相焼結が不十分であり、逆に多いと結晶粒界の割合が多くなり、いずれの場合も熱伝導率が増大しない。本発明においては、焼結助剤の使用量は、窒化アルミニウム粉末100質量部あたり1〜5質量部であることが好ましい。 Suitable examples of the sintering aid used in the present invention include alkaline earth metal compounds and transition metal compounds. Specifically, oxides, fluorides, chlorides, nitrates, sulfates of alkaline earth metals (Ca, Ba, Sr, etc.) and transition metals (Y, La, Sc, Pr, Ce, Nd, Gd, etc.) , Carbonates, etc. Among them, yttrium oxide and calcium oxide are preferable. These sintering aids react with oxygen in the aluminum nitride powder, that is, aluminum oxide, to form a liquid phase of a composite oxide (for example, 2Y 2 O 3 .Al 2 O 3 , Y 2 O 3 .Al 2 O 3 , 3Y 2 O 3 · 5Al 2 O 3 etc.), and this liquid phase brings about an increase in the density of the sintered body, and at the same time, extracts oxygen etc., which are impurities in the aluminum nitride particles, High thermal conductivity is brought about by segregating as a phase. If the amount of the sintering aid used is small, liquid phase sintering is insufficient. Conversely, if it is large, the proportion of crystal grain boundaries increases, and in either case, the thermal conductivity does not increase. In the present invention, the amount of the sintering aid used is preferably 1 to 5 parts by mass per 100 parts by mass of the aluminum nitride powder.

窒化アルミニウム粉末と焼結助剤の混合は特に限定されるものではなく、例えばボールミル、ロッドミル等の公知の混合装置が使用できる。混合粉末はそのまま成形してもよく、またスプレードライヤー法、転動造粒法等によって造粒してから成形してもよい。成形は、例えば乾式プレス成形法、冷間等方圧プレス成形法(CIP法)等の単独又は組み合わせて行うことができる。乾式プレス成形のプレス圧は50〜300MPa、特に100〜250MPaであることが好ましい。乾式プレス成形法、CIP法のいずれの場合においても、必要に応じて有機バインダーを使用する。さらには、窒化アルミニウム粉末、焼結助剤、有機バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を混合し、この混合物を押出成形又はドクターブレード成形することも可能である。 The mixing of the aluminum nitride powder and the sintering aid is not particularly limited, and a known mixing device such as a ball mill or a rod mill can be used. The mixed powder may be molded as it is, or may be molded after granulation by a spray dryer method, rolling granulation method or the like. The molding can be performed, for example, alone or in combination such as a dry press molding method and a cold isostatic press molding method (CIP method). The press pressure of the dry press molding is preferably 50 to 300 MPa, particularly preferably 100 to 250 MPa. In either case of the dry press molding method or the CIP method, an organic binder is used as necessary. Furthermore, it is also possible to mix aluminum nitride powder, a sintering aid, an organic binder, and, if necessary, a plasticizer, a dispersing agent, a solvent, etc., and to perform extrusion molding or doctor blade molding of this mixture.

有機バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、メチルセルロース、ポリエチレン、ワックス等を用いることができる。 As the organic binder, for example, polyvinyl butyral, polyacrylate, polymethyl methacrylate, methyl cellulose, polyethylene, wax and the like can be used.

本発明に於いてはアルミネート系カップリング剤に含まれる炭素分及び酸素分を除去するため、更に有機バインダーを除去する目的で、焼成する前に、窒素ガスや空気等の気流中、350〜700℃で1〜10時間加熱して、成形体からそれらを除去する。 In the present invention, in order to remove carbon and oxygen contained in the aluminate coupling agent, in order to further remove the organic binder, before firing, in an air stream such as nitrogen gas or air, 350 ~ Heat them at 700 ° C. for 1-10 hours to remove them from the compact.

焼成は、窒素ガス、アルゴンガス等の非酸化性雰囲気中、1600〜1900℃の温度域で、1〜10時間、好ましくは2〜7時間、保持して行われることが好ましい。焼成温度が1600℃未満であると、焼結不足となり熱伝導率180W/mK以上の窒化アルミニウム焼結体を製造することが困難となる場合がある。また、焼成温度が1900℃を超えると、炉内での窒化アルミニウムの蒸気圧が高くなり緻密化が困難となる場合がある。保持時間は、上記温度範囲内において、焼結体密度を98%以上にすることができる最も短い時間であることが好ましい。焼結体密度が98%以上となる温度領域にて長時間焼成すると、窒化アルミニウム粒子が必要以上に粒成長して粗大粒子となり、これにより2粒子界面の体積が3重点に比べて相対的に小さくなり、粒界相が窒化アルミニウムの二粒子界面よりも三重点に多く偏析してしまい、更には焼結体表面にアルミニウム複合酸化物の液相が染み出してしまう場合があるからである。 Firing is preferably carried out in a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen gas or argon gas, in a temperature range of 1600 to 1900 ° C. for 1 to 10 hours, preferably 2 to 7 hours. If the firing temperature is less than 1600 ° C., sintering may be insufficient and it may be difficult to produce an aluminum nitride sintered body having a thermal conductivity of 180 W / mK or more. On the other hand, if the firing temperature exceeds 1900 ° C., the vapor pressure of aluminum nitride in the furnace becomes high and densification may be difficult. The holding time is preferably the shortest time within which the sintered body density can be 98% or more within the above temperature range. When fired for a long time in a temperature range where the sintered body density is 98% or more, the aluminum nitride particles grow more than necessary and become coarse particles, which makes the volume of the two-particle interface relatively smaller than the triple point. This is because the grain boundary phase is segregated more at triple points than the two-particle interface of aluminum nitride, and the liquid phase of the aluminum composite oxide may ooze out on the surface of the sintered body.

本発明に係る窒化アルミニウム基板の厚みは使用目的により異なるが、0.3〜3.0mm程度のものを必要に応じて用いるのが一般的である。 The thickness of the aluminum nitride substrate according to the present invention varies depending on the purpose of use, but a thickness of about 0.3 to 3.0 mm is generally used as necessary.

本発明の窒化アルミニウム基板を回路基板として用いる場合、金属回路又は金属放熱板の材質としては、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン等が使用可能であるが、銅、アルミニウム又はそれらの合金が一般的である。金属板の厚みは特に限定されず、流れる電流に応じて適宜決められる。一般に、厚みが0.1〜1.0mmのものが用いられることが多い。セラミックス基板と金属板を接合する接合方法としては、DBC法、活性金属ろう付け法のいずれをも採用することができる。活性金属ろう付け法で用いられるろう材は、銀と銅を主成分とし、活性金属を副成分としたものである。活性金属の具体例をあげれば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バナジウムやこれらの化合物である。金属板にエッチングレジストにより回路パターンを描いた後、エッチング行う。エッチングレジストを除去する工程については、公知の方法を用いることができる。エッチングレジストとしては、公知の紫外線硬化型や熱硬化型のものを用いることができる。また、エッチング液は、用いる金属板の種類に応じて好適なエッチング液を選択して用いる。例えば金属が銅であるときには、塩化第2鉄溶液、塩化第2銅液、硫酸、過酸化水素水等の溶液が使用され、好ましいものとして、塩化第2鉄溶液、塩化第2銅溶液が挙げられる。 When the aluminum nitride substrate of the present invention is used as a circuit substrate, copper, aluminum, tungsten, molybdenum, or the like can be used as the material of the metal circuit or the metal heat sink, but copper, aluminum, or an alloy thereof is common. is there. The thickness of a metal plate is not specifically limited, It determines suitably according to the electric current which flows. In general, those having a thickness of 0.1 to 1.0 mm are often used. As a joining method for joining the ceramic substrate and the metal plate, either the DBC method or the active metal brazing method can be employed. The brazing material used in the active metal brazing method contains silver and copper as main components and an active metal as a minor component. Specific examples of the active metal include titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, vanadium, and compounds thereof. Etching is performed after a circuit pattern is drawn on the metal plate with an etching resist. A known method can be used for the step of removing the etching resist. As the etching resist, a known ultraviolet curing type or thermosetting type can be used. Further, as the etching solution, a suitable etching solution is selected according to the type of the metal plate to be used. For example, when the metal is copper, a solution such as a ferric chloride solution, a cupric chloride solution, sulfuric acid, or a hydrogen peroxide solution is used. Preferred examples include a ferric chloride solution and a cupric chloride solution. It is done.

直接窒化によって製造した窒化アルミニウム粉末100質量部にアルミネート系カップリング剤を1質量部添加し、ヘンシェルミキサーにて10分間混合してカップリング処理窒化アルミニウム粉末を得た。カップリング剤処理した窒化アルミニウム粉末95質量部に焼結助剤として酸化イットリウム粉末5質量部を添加し、ボールミルにて1時間混合して原料粉末を得た。原料粉末100質量部に有機バインダーとしてメチルセルロースを7質量部、可塑剤としてグリセリンを5質量部、分散剤としてステアリン酸エマルジョンを3質量部、オレイン酸を2質量部、溶剤としてイオン交換水7質量部をヘンシェルミキサーにて混合して混合物を得た。混合物を1軸混練機にて混練した後、1軸押出成形機にて板状に成型した。成形物を空気気流中570℃で5時間加熱し脱脂体を得た。脱脂体を窒素気流中1780℃で2時間加熱することで焼結体を得た。焼結体の外観および熱伝導率を評価した。結果を表1に示す。 1 part by mass of an aluminate coupling agent was added to 100 parts by mass of aluminum nitride powder produced by direct nitriding, and mixed for 10 minutes with a Henschel mixer to obtain a coupling-treated aluminum nitride powder. 5 parts by mass of yttrium oxide powder as a sintering aid was added to 95 parts by mass of the aluminum nitride powder treated with the coupling agent, and mixed for 1 hour in a ball mill to obtain a raw material powder. 7 parts by mass of methyl cellulose as an organic binder, 5 parts by mass of glycerin as a plasticizer, 3 parts by mass of stearic acid emulsion as a dispersant, 2 parts by mass of oleic acid, and 7 parts by mass of ion-exchanged water as a solvent Were mixed with a Henschel mixer to obtain a mixture. The mixture was kneaded with a uniaxial kneader and then molded into a plate shape with a uniaxial extruder. The molded product was heated in an air stream at 570 ° C. for 5 hours to obtain a degreased body. The degreased body was heated in a nitrogen stream at 1780 ° C. for 2 hours to obtain a sintered body. The appearance and thermal conductivity of the sintered body were evaluated. The results are shown in Table 1.

(比較例1)
窒化アルミニウム粉末をアルミネート系カップリング剤で処理しないこと以外は実施例1と同様にして焼結体を得た。焼結体の外観および熱伝導率を評価した。結果を表1に示す。
(Comparative Example 1)
A sintered body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the aluminum nitride powder was not treated with an aluminate coupling agent. The appearance and thermal conductivity of the sintered body were evaluated. The results are shown in Table 1.

(比較例2)
窒化アルミニウム粉末をシラン系カップリング剤で処理したこと以外は実施例1と同様にして焼結体を得た。焼結体の外観および熱伝導率を評価した。結果を表1に示す。
(Comparative Example 2)
A sintered body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the aluminum nitride powder was treated with a silane coupling agent. The appearance and thermal conductivity of the sintered body were evaluated. The results are shown in Table 1.

〈使用材料〉
窒化アルミニウム粉末:アルミニウム粉末を窒素気流中で加熱し、アルミニウム液滴を微小に分散し窒素と反応、あるいは、アルミニウム蒸気と窒素を反応させ、粉砕することなく得られた直接窒化法による窒化アルミニウム粉末「電気化学工業社製 平均粒径:1.5μm」
アルミネート系カップリング剤:味の素社製 商品名「プレンアクトAL−M」
シラン系カップリング剤:日本ユニカー社製 商品名「A−137」
酸化イットリウム:信越化学工業社製 商品名「酸化イットリウム UUグレード」
メチルセルロース:信越化学工業社製 商品名「メトローズ」
グリセリン:ミヨシ油脂 商品名「精製グリセリン」
ステアリン酸エマルジョン:中京油脂 商品名「セロゾール」
オレイン酸:関東化学社製 試薬1級
<Materials used>
Aluminum nitride powder: Aluminum nitride powder by direct nitriding obtained by heating aluminum powder in a nitrogen stream, finely dispersing aluminum droplets and reacting with nitrogen, or by reacting aluminum vapor with nitrogen and crushing “Average particle size: 1.5 μm, manufactured by Denki Kagaku Kogyo”
Aluminate coupling agent: Ajinomoto Co., Inc. Trade name “Plenact AL-M”
Silane coupling agent: Nippon Unicar Co., Ltd. trade name “A-137”
Yttrium oxide: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Trade name “Yttrium oxide UU grade”
Methyl cellulose: manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Glycerin: Miyoshi oil and fat Product name “Purified Glycerin”
Stearic acid emulsion: Chukyo Yushi
Oleic acid: Reagent grade 1 manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.

〈評価方法〉
熱伝導率:装置名(真空理工社製 TC−7000)を用い、レーザーフラッシュ法により測定した。
<Evaluation methods>
Thermal conductivity: Measured by a laser flash method using a device name (TC-7000 manufactured by Vacuum Riko Co., Ltd.).

Figure 2007173608
Figure 2007173608

本発明によれば、色むらのない均一な色調の窒化アルミニウム焼結体が得られ、更に回路基板として好適に用いられる。
According to the present invention, an aluminum nitride sintered body having a uniform color tone with no color unevenness can be obtained, and it can be suitably used as a circuit board.

Claims (2)

アルミネート系カップリング剤で処理した窒化アルミニウム粉末を原料として用いることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 An aluminum nitride sintered body characterized by using an aluminum nitride powder treated with an aluminate coupling agent as a raw material. 請求項1の窒化アルミニウム焼結体を使用したセラミック回路基板。 A ceramic circuit board using the aluminum nitride sintered body according to claim 1.
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