JP2007173457A - Rotating treating apparatus - Google Patents

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雅樹 伊藤
Masaki Kokuni
誠基 小國
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate holding technique that can hold a substrate, such as a wafer, by a simple mechanism and prevents turbulence from occurring in fluid, when fluid is supplied onto the surface of the substrate, such as a wafer, held on a turntable. <P>SOLUTION: A rotating treating apparatus comprises the turntable 1; and guide members 3a, 3b, 3c for guiding an object 4 placed on the turntable 1, where fluid is supplied onto the surface of the object 4 to be placed on the turntable 1 for treatment. In the rotating treating apparatus, the upper parts of the guide members 3a, 3b, 3c project at sides that oppose the object 4 to be placed. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は回転処理装置に関する。特に、例えばウェハやディスクと言った円板の表面処理装置と言った類の回転処理装置に関する。中でも、円板の保持機構に関する。すなわち、格別な効果を奏する保持機構を備えた回転処理装置に関する。   The present invention relates to a rotation processing apparatus. In particular, the present invention relates to a rotary processing apparatus of the kind such as a disk surface processing apparatus such as a wafer or a disk. In particular, the present invention relates to a disc holding mechanism. That is, it is related with the rotation processing apparatus provided with the holding mechanism which has a special effect.

スピンコータ等の回転しながらウェハに処理を施す装置では、大まかな位置決めを行う為、ターンテーブル上に3本以上のガイドピンが設けられている。このガイドピンは、厭くまでも、大まかな位置決めの為に設けられているに過ぎないものであるから、被処理物であるウェハ(ターンテーブル上に載置されたウェハ)の位置決めを再現性良く実現し、かつ、処理中も確実に保持する為、格別な保持手段が設けられている。或いは、ガイドピン自体が可動なように構成されていて、即ち、当接・離間可能にガイドピンが設けられていて、ガイドピンを出来るだけ離した状態にしてウェハを装着し、装着後にウェハに対してガイドピンを接近せしめて当接させ、ウェハを保持する装置が提案されている。   In an apparatus for processing a wafer while rotating, such as a spin coater, three or more guide pins are provided on the turntable in order to perform rough positioning. Since this guide pin is provided only for rough positioning, it is possible to position the wafer (wafer placed on the turntable) to be processed with good reproducibility. Special holding means are provided in order to achieve this and hold it securely during processing. Alternatively, the guide pins themselves are configured to be movable, that is, the guide pins are provided so as to be able to contact and separate, and the wafer is mounted with the guide pins separated as much as possible. On the other hand, there has been proposed an apparatus for holding a wafer by bringing guide pins into close contact with each other.

この種の装置(例えば、スピンコータ)は、その平面図および側面図が図8に示される。図8中、50はターンテーブル、51は回転軸、52は120°間隔で設けられたガイドピン、53は120°間隔で設けられた楕円型回動保持部材、54は被処理物(ウェハ)である。すなわち、例えばレジスト膜をウェハ54上に設ける為に、レジスト溶液が回転しているウェハ54上に供給されるのであるが、それに先立って、先ず、ウェハ54がターンテーブル50上に載せられる。このウェハ54の載置時に、ガイドピン52や楕円型回動保持部材53とウェハ54との間は、十分な隙間が設けられてなければならない。なぜならば、隙間が十分で無ければ、ウェハ54の載置作業が非常に大変になる。すなわち、ガイドピン52は、厭くまでも、大まかな位置決めの為に設けられているに過ぎない。従って、ロボットアーム(図示せず)又はその他の手段で、ウェハ54が搬送されて来て、先ず、ガイドピン52で囲まれる領域のターンテーブル50上にウェハ54が載置される。この段階では、ウェハ54は、しっかり、固定されているものでは無い。この後、楕円型回動保持部材53が矢印方向に回動せしめられ、楕円型回動保持部材53がウェハ54の端面に当接せしめられ、この挟持力によってウェハ54は強固に保持されるものとなる。よって、この状態でターンテーブル50が回転させられても、ウェハ54にガタツキは起きない。すなわち、ウェハ54が飛散したり、脱落すると言った事故は起きない。従って、この後で、レジスト溶液がウェハ54上に供給される。
特開2003−282670
FIG. 8 shows a plan view and a side view of this type of apparatus (for example, a spin coater). In FIG. 8, 50 is a turntable, 51 is a rotating shaft, 52 is a guide pin provided at intervals of 120 °, 53 is an elliptical rotation holding member provided at intervals of 120 °, and 54 is an object to be processed (wafer). It is. That is, for example, in order to provide a resist film on the wafer 54, the resist solution is supplied onto the rotating wafer 54. First, the wafer 54 is first placed on the turntable 50. When the wafer 54 is mounted, a sufficient gap must be provided between the guide pins 52 and the elliptical rotation holding member 53 and the wafer 54. This is because if the gap is not sufficient, the work of placing the wafer 54 becomes very difficult. In other words, the guide pin 52 is provided only for rough positioning until it is rolled. Therefore, the wafer 54 is transferred by a robot arm (not shown) or other means, and first, the wafer 54 is placed on the turntable 50 in the area surrounded by the guide pins 52. At this stage, the wafer 54 is not firmly fixed. Thereafter, the elliptical rotation holding member 53 is rotated in the direction of the arrow, and the elliptical rotation holding member 53 is brought into contact with the end surface of the wafer 54, and the wafer 54 is firmly held by this clamping force. It becomes. Therefore, even if the turntable 50 is rotated in this state, the wafer 54 does not rattle. That is, an accident that the wafer 54 is scattered or dropped does not occur. Therefore, after this, a resist solution is supplied onto the wafer 54.
JP 2003-282670 A

さて、上記の如きの装置は、ガイドピン52や楕円型回動保持部材53を必要とし、それだけ複雑なものになる。特に、保持部材53は回動機構をも必要とした構造であるから、それだけ、複雑で、コスト高なものになる。   Now, the apparatus as described above requires the guide pin 52 and the elliptical rotation holding member 53, and is complicated accordingly. In particular, since the holding member 53 has a structure that also requires a rotation mechanism, it is complicated and expensive.

更に、楕円型回動保持部材53とウェハ54との接触領域(面積)が大きいことから、回転しているウェハ54面上にレジスト溶液などの流体が供給された場合、楕円型回動保持部材53との接触部近傍において流体が乱れ、綺麗に膜が形成されていないことが判って来た。又、エッチングガスやエッチング液が供給される場合には、エッチングが均一に出来ていないことが判って来た。又、洗浄液で洗浄する場合、洗浄液が綺麗に拡がらず、洗浄漏れが起きていることも判って来た。更には、供給された流体(レジスト溶液やエッチング液など)が飛び散り、周囲の汚染が引き起こされると言った問題も判って来た。   Furthermore, since the contact area (area) between the elliptical rotation holding member 53 and the wafer 54 is large, when a fluid such as a resist solution is supplied onto the rotating wafer 54 surface, the elliptical rotation holding member It has been found that the fluid is disturbed in the vicinity of the contact portion with 53 and a film is not clearly formed. Further, it has been found that etching is not uniformly performed when an etching gas or an etching solution is supplied. It has also been found that when cleaning with a cleaning solution, the cleaning solution does not spread cleanly and a cleaning leak has occurred. Further, it has been found that the supplied fluid (resist solution, etching solution, etc.) scatters and causes surrounding contamination.

従って、本発明は前記の問題点を解決することを目的とする。
すなわち、本発明が解決しようとする第1の課題は、簡単な機構によってウェハ等の基板を保持できる技術を提供することである。
本発明が解決しようとする第2の課題は、ターンテーブル上で保持された基板(ウェハ等)の表面に流体を供給した場合、該流体に乱れが起き難いような基板保持技術を提供することである。
Accordingly, an object of the present invention is to solve the aforementioned problems.
That is, the first problem to be solved by the present invention is to provide a technique capable of holding a substrate such as a wafer by a simple mechanism.
A second problem to be solved by the present invention is to provide a substrate holding technique in which when a fluid is supplied to the surface of a substrate (wafer or the like) held on a turntable, the fluid is hardly disturbed. It is.

前記の課題は、ターンテーブルと、このターンテーブル上に載置された載置物をガイドする為のガイド部材とを具備する回転処理装置であって、
前記ガイド部材は、前記載置物に対向する側において、その上側部が突出しているよう構成されてなる
ことを特徴とする回転処理装置によって解決される。
The above-described problem is a rotation processing apparatus including a turntable and a guide member for guiding a placement object placed on the turntable,
The guide member is solved by a rotation processing device characterized in that the upper portion of the guide member protrudes on the side facing the figurine.

特に、ターンテーブル及び該ターンテーブル上に載置された載置物をガイドする為のガイド部材を具備し、該ターンテーブル上に載置された載置物の表面に流体が供給されて処理される回転処理装置であって、
前記ガイド部材は、前記載置物に対向する側において、その上側部が突出しているよう構成されてなる
ことを特徴とする回転処理装置によって解決される。
In particular, the rotation is provided with a guide member for guiding the turntable and the placement object placed on the turntable, and the fluid is supplied to the surface of the placement object placed on the turntable and processed. A processing device comprising:
The guide member is solved by a rotation processing device characterized in that the upper portion of the guide member protrudes on the side facing the figurine.

又、上記回転処理装置であって、載置物の保持がガイド部材のみで行われるように構成されてなることを特徴とする回転処理装置によって解決される。   In addition, the above rotation processing device is configured to solve the rotation processing device characterized in that the object is held only by the guide member.

又、上記回転処理装置であって、載置物が載置されたターンテーブルの回転時において、ガイド部材と載置物とは複数箇所で当接しているよう該ガイド部材が設けられてなることを特徴とする回転処理装置によって解決される。   Further, in the rotation processing apparatus, the guide member is provided so that the guide member and the placement object are in contact with each other when the turntable on which the placement object is placed is rotated. This is solved by the rotation processing device.

又、上記回転処理装置であって、ガイド部材は、その断面形状がテーパー状に構成された箇所を有することを特徴とする回転処理装置によって解決される。   Further, in the above rotation processing device, the guide member is solved by the rotation processing device characterized in that the guide member has a portion whose cross-sectional shape is tapered.

又、上記回転処理装置であって、ガイド部材がガイドピンであることを特徴とする回転処理装置によって解決される。   Further, the present invention is solved by the above rotation processing device, wherein the guide member is a guide pin.

本発明によれば、ターンテーブル上に載置されたウェハ等の基板は、単なるガイド部材によって確実に保持される。すなわち、ターンテーブルの回転に基づく遠心力に対してはガイド部材からの抗力によって釣合いが取れ、そしてガイド部材は上側が飛び出したものであるから、基板が挟持されていなくとも、基板が吹っ飛ぶようなことも起きない。   According to the present invention, a substrate such as a wafer placed on a turntable is securely held by a simple guide member. In other words, the centrifugal force based on the rotation of the turntable can be balanced by the drag from the guide member, and the guide member protrudes from the upper side, so that even if the substrate is not sandwiched, the substrate blows away. Nothing happens.

しかも、このガイド部材には、格別な駆動機構が不要であるから、極めて簡単に構成でき、コストが低廉なものである。又、使用も簡単で、格別な動作を必要としない。従って、作業にミスが起きる余地も無い。   In addition, since this guide member does not require a special drive mechanism, it can be configured very simply and is low in cost. It is also easy to use and does not require any special operation. Therefore, there is no room for mistakes in work.

本発明にあっては、ガイド部材の形状を、例えば逆錐形状にしたものである。これによって、保持される基板との接触領域が非常に少ないものとなる。従って、基板上に供給された流体がガイド部材によって乱れ難く、レジスト液やエッチング液あるいは洗浄液が均一・綺麗に供給され、処理が均一に、かつ、綺麗に行われるようになる。   In the present invention, the shape of the guide member is, for example, an inverted cone shape. Thereby, the contact area with the substrate to be held becomes very small. Therefore, the fluid supplied onto the substrate is not easily disturbed by the guide member, and the resist solution, the etching solution, or the cleaning solution is supplied uniformly and cleanly, and the processing is performed uniformly and cleanly.

そして、本発明にあっては、基板の端部を挟持して保持しているものでは無く、ターンテーブル自体の回転力(遠心力)とガイド部材とによって基板を保持しているに過ぎないから、成膜やエッチング処理あるいは洗浄処理後に基板を搬送する作業が簡単である。すなわち、格別な保持解除動作が不要であるから、次のステップに移り易い。   In the present invention, the substrate is not held by holding the end portion of the substrate, but only by the rotational force (centrifugal force) of the turntable itself and the guide member. The operation of transporting the substrate after film formation, etching, or cleaning is simple. That is, since no special holding release operation is required, it is easy to move to the next step.

更に、本発明は、例えば減圧装置の如きにおいても採用でき、汎用性が高い。例えば、真空吸着手段が保持手段として採用されているが、このような技術は減圧装置においては採用できないものの、本発明は掛かる制約が無い。   Furthermore, the present invention can be employed in a pressure reducing device, for example, and has high versatility. For example, although the vacuum suction means is employed as the holding means, such a technique cannot be employed in the decompression device, but the present invention has no restrictions.

本発明の回転処理装置は、ターンテーブルと、該ターンテーブル上に載置された載置物をガイドする為のガイド部材とを具備する。そして、特に、ターンテーブル上に載置された載置物の表面に流体が供給されて処理される装置である。前記ガイド部材は、前記載置物に対向する側において、その上側部が突出している。例えば、ガイド部材がガイドピンである場合、このガイドピンは、例えば逆円錐台形状である。そして、このようなガイドピンは、例えば2個以上、好ましくは3〜6個程度設けられる。
以下、更に詳しく説明する。
The rotation processing apparatus of the present invention includes a turntable and a guide member for guiding a placement object placed on the turntable. In particular, the apparatus is a device in which a fluid is supplied to the surface of the object placed on the turntable to be processed. The upper side of the guide member protrudes on the side facing the figurine. For example, when the guide member is a guide pin, the guide pin has, for example, an inverted truncated cone shape. And such a guide pin is provided, for example, 2 or more, preferably about 3-6.
This will be described in more detail below.

図1〜図4は本発明になる回転処理装置の第1実施形態を示すもので、図1は全体の平面図および側面図、図2はターンテーブル回転時における要部の拡大図、図3はターンテーブル回転時において表面に供給された流体の流れを説明する説明図、図4はターンテーブル回転停止時における基板搬送状態を示す説明図である。   1 to 4 show a first embodiment of a rotation processing apparatus according to the present invention. FIG. 1 is a plan view and a side view of the whole, FIG. 2 is an enlarged view of a main part during rotation of a turntable, and FIG. FIG. 4 is an explanatory view for explaining the flow of the fluid supplied to the surface when the turntable is rotated, and FIG. 4 is an explanatory view showing a substrate transport state when the turntable is stopped.

各図中、1はターンテーブル、2は回転軸である。   In each figure, 1 is a turntable and 2 is a rotating shaft.

3a,3b,3cは、ターンテーブル1面上に植設されたガイドピンである。このガイドピン3a,3b,3cは、特に、逆円錐台形状(最小半径a,最大半径b)に構成されている。そして、120°の間隔を持ってターンテーブル1の回転軸心を中心とした半径がcの円周上にガイドピン3a,3b,3cが設けられている。   Reference numerals 3a, 3b, 3c are guide pins implanted on the surface of the turntable 1. The guide pins 3a, 3b, 3c are particularly configured in an inverted truncated cone shape (minimum radius a, maximum radius b). Guide pins 3a, 3b, 3c are provided on a circumference having a radius c around the rotation axis of the turntable 1 with an interval of 120 °.

4は、半径が(c−b)未満の大きさの基板(ウェハ)である。すなわち、ターンテーブル1の上方からターンテーブル1上に基板4を載置できるようになっている。   Reference numeral 4 denotes a substrate (wafer) having a radius less than (c−b). That is, the substrate 4 can be placed on the turntable 1 from above the turntable 1.

上記のように構成させた装置を用いて、基板4上にレジスト膜を形成する場合を説明する。
先ず、基板4をターンテーブル1上に載置した後、ターンテーブル1を回転させる。そうすると、基板4は、遠心力の作用によって中心位置から少し偏倚し、3個あるガイドピンの中、例えばガイドピン3aとガイドピン3bとに当接し、その位置で位置規制を受け、その状態が維持される。尚、基板4は、自身の重みによって、浮上するのが抑制されるのみでなく、当接しているガイドピン3a,3bの傾斜部によっても、浮上が抑制される。従って、基板4が吹っ飛ぶのは防止される。
A case where a resist film is formed on the substrate 4 using the apparatus configured as described above will be described.
First, after placing the substrate 4 on the turntable 1, the turntable 1 is rotated. Then, the substrate 4 is slightly deviated from the center position by the action of the centrifugal force, and comes into contact with, for example, the guide pin 3a and the guide pin 3b among the three guide pins. Maintained. Note that the substrate 4 is not only restrained from floating due to its own weight, but also due to the inclined portions of the guide pins 3a and 3b in contact therewith. Therefore, the substrate 4 is prevented from blowing off.

ターンテーブル1の回転が始り、定常回転し始めた後、図示しないレジスト溶液供給ノズルから基板4の表面上にレジスト液が供給され始める。そうすると、基板4の回転に伴って、レジスト液は、基板4の表面に均一に拡がって行くようになる。このレジスト液の均一拡散に際して、ガイドピン3a,3bに当接している基板4の端部4a近傍におけるレジスト液の流れは図3に示されるようになる。すなわち、ガイドピン3a,3bと基板4との間では点接触の如きの当接が二箇所有るに過ぎないから、基板4の端部4a近傍におけるレジスト液の乱れが少なく、レジスト液が基板4上で均一に形成される。   After the turntable 1 starts to rotate and starts to rotate normally, the resist solution starts to be supplied onto the surface of the substrate 4 from a resist solution supply nozzle (not shown). Then, as the substrate 4 rotates, the resist solution spreads uniformly on the surface of the substrate 4. In the uniform diffusion of the resist solution, the flow of the resist solution in the vicinity of the end portion 4a of the substrate 4 in contact with the guide pins 3a and 3b is as shown in FIG. That is, since there are only two contact points such as point contacts between the guide pins 3a and 3b and the substrate 4, there is little disturbance of the resist solution in the vicinity of the end portion 4a of the substrate 4, and the resist solution is transferred to the substrate 4. Formed uniformly on top.

レジスト膜が形成された後、基板4を上方に持ち上げることで、ガイドピンの傾斜部に沿って基板4は中心位置側に偏倚させられながらガイドピン3a,3b,3cで囲まれた領域から取り出されるようになる。この時、図2,3,4からも判る通り、基板4端面とガイドピン3a端面との間の接触面積は少なく、両者の間には大きな隙間5が形成されている。従って、供給されたレジスト液が基板4の裏面側に回り込んで付着すると言った問題が起きないものであった。尚、従来のガイドピンは上記の如きの逆円錐形状で無いことから、上記隙間5が非常に小さなものであった。この為、毛細管現象(表面張力)によって、小さな隙間にレジスト液が嵌まり込み、基板の持ち上げ時にレジスト液が基板の裏面側に回り込んで付着することが縷々起きており、問題が引き起こされていたのである。   After the resist film is formed, the substrate 4 is lifted upward so that the substrate 4 is taken out from the region surrounded by the guide pins 3a, 3b, 3c while being biased toward the center position along the inclined portion of the guide pins. It comes to be. At this time, as can be seen from FIGS. 2, 3 and 4, the contact area between the end face of the substrate 4 and the end face of the guide pin 3a is small, and a large gap 5 is formed between them. Therefore, the problem that the supplied resist solution wraps around and adheres to the back side of the substrate 4 does not occur. Since the conventional guide pin does not have the inverted conical shape as described above, the gap 5 is very small. For this reason, it is often caused by the capillary phenomenon (surface tension) that the resist solution fits into a small gap, and when the substrate is lifted, the resist solution wraps around and adheres to the back side of the substrate. It was.

因みに、第1実施形態の回転処理装置を用いて、基板(半導体ウェハ)上にレジスト膜を形成した。この場合、レジスト溶液は粘性が高いことから、図8に示される従来装置が用いられた場合には、レジスト溶液の拡散工程において乱れが起き、部分的に厚さが厚い不均一なレジスト膜が形成され、レジスト膜の成膜性が劣るものであった。又、レジスト溶液が基板の裏面側にも回り込むことが認められた。しかしながら、図1に示される本発明の装置が用いられた場合には、斯かる問題も認められなかった。   Incidentally, a resist film was formed on a substrate (semiconductor wafer) using the rotation processing apparatus of the first embodiment. In this case, since the resist solution is highly viscous, when the conventional apparatus shown in FIG. 8 is used, the resist solution diffusion process is disturbed, resulting in a partially thick non-uniform resist film. It was formed, and the film formability of the resist film was inferior. Moreover, it was recognized that the resist solution also wraps around the back side of the substrate. However, such a problem was not recognized when the apparatus of the present invention shown in FIG. 1 was used.

又、半導体ウェハのエッチング装置に用いた。この場合、図8の従来装置が用いられた場合、エッチング液の乱れに起因したエッチングの不均一性とか過剰エッチング等の問題が認められた。しかしながら、図1に示される本発明の装置が用いられた場合には、斯かる問題も認められなかった。   Further, it was used in an etching apparatus for semiconductor wafers. In this case, when the conventional apparatus of FIG. 8 was used, problems such as etching non-uniformity and excessive etching due to the disorder of the etching solution were recognized. However, such a problem was not recognized when the apparatus of the present invention shown in FIG. 1 was used.

又、半導体ウェハの洗浄装置に用いた。この場合、図8の従来装置が用いられた場合、洗浄液の乱れに起因した洗浄不足の問題が認められた。しかしながら、図1に示される本発明の装置が用いられた場合には、斯かる問題も認められなかった。   It was also used in a semiconductor wafer cleaning apparatus. In this case, when the conventional apparatus of FIG. 8 was used, a problem of insufficient cleaning due to the disturbance of the cleaning liquid was recognized. However, such a problem was not recognized when the apparatus of the present invention shown in FIG. 1 was used.

又、本発明を半導体ウェハの減圧エッチング装置や減圧洗浄装置に用いた処、各々、何等の問題も起きなかった。すなわち、減圧下においても、本発明は使用できるものであった。   Further, when the present invention was used in a semiconductor wafer vacuum etching apparatus or vacuum cleaning apparatus, no problems occurred. That is, the present invention can be used even under reduced pressure.

図5及び図6は、本発明になる回転処理装置の他の実施形態の要部(ガイドピン)の説明図である。   5 and 6 are explanatory views of a main part (guide pin) of another embodiment of the rotation processing apparatus according to the present invention.

図5に示されるガイドピン3は、円柱状台座の上に逆円錐台形部が設けられた構造(形状)のものである。図5中、4は基板であり、基板4はガイドピン3の円柱状台座の上に載置されるようになる。   The guide pin 3 shown in FIG. 5 has a structure (shape) in which an inverted frustoconical portion is provided on a cylindrical pedestal. In FIG. 5, reference numeral 4 denotes a substrate, and the substrate 4 is placed on the cylindrical pedestal of the guide pins 3.

図6に示されるガイドピン3は、図5に示されるガイドピンと同様、円柱状台座の上に逆半楕円錐台形部が設けられた構造(形状)のものである。図6中、4は基板であり、基板4はガイドピン3の円柱状台座の上に載置されるようになる。   The guide pin 3 shown in FIG. 6 has a structure (shape) in which an inverted semi-elliptical frustum-shaped portion is provided on a cylindrical pedestal, similarly to the guide pin shown in FIG. In FIG. 6, reference numeral 4 denotes a substrate, and the substrate 4 is placed on a cylindrical pedestal of the guide pins 3.

尚、図1,5,6において、ガイドピンは逆円錐台形や逆半楕円錐台形と言った略円錐形状のものを挙げたが、これに限られるものでは無い。又、逆円錐台の斜線部は、所謂、直線状であるが、これは、曲線状であっても良い。つまり、逆ドーム形状のようなものでも良い。   In FIGS. 1, 5 and 6, the guide pin has a substantially conical shape such as an inverted frustoconical shape or an inverted semi-elliptical frustum shape. However, the guide pin is not limited to this. The shaded portion of the inverted truncated cone is a so-called linear shape, but it may be a curved shape. That is, a reverse dome shape may be used.

上記実施形態にあっては、ガイド部材はガイドピンの場合で説明した。しかしながら、これは、ピン状のものに限られない。例えば、図7に示されるようなものでも良い。すなわち、ガイド部材11は、例えば略C形状あるいはリング状であり、ターンテーブルからの立設壁12が、例えば逆テーパー状に構成されたものでも良い。尚、このような場合には、供給された流体がガイド部材11の内側から外側に抜け出ることが出来るように孔13が形成されていることが好ましい。尚、14は基板である。   In the above embodiment, the guide member has been described as a guide pin. However, this is not limited to the pin-shaped one. For example, it may be as shown in FIG. That is, the guide member 11 may be substantially C-shaped or ring-shaped, for example, and the standing wall 12 from the turntable may be configured to have, for example, a reverse taper shape. In such a case, it is preferable that the hole 13 is formed so that the supplied fluid can escape from the inside of the guide member 11 to the outside. Reference numeral 14 denotes a substrate.

本発明の第1実施形態になる回転処理装置の説明図Explanatory drawing of the rotation processing apparatus which becomes 1st Embodiment of this invention. 第1実施形態のターンテーブル回転時における要部拡大図The principal part enlarged view at the time of turntable rotation of 1st Embodiment 第1実施形態のターンテーブル回転時における流体の説明図Explanatory drawing of the fluid at the time of turntable rotation of 1st Embodiment 第1実施形態のターンテーブル回転停止時での基板搬送説明図Substrate conveyance explanatory drawing at the time of turntable rotation stop of a 1st embodiment 第2実施形態におけるガイド部材の説明図Explanatory drawing of the guide member in 2nd Embodiment 第3実施形態におけるガイド部材の説明図Explanatory drawing of the guide member in 3rd Embodiment 第4実施形態におけるガイド部材の説明図Explanatory drawing of the guide member in 4th Embodiment 従来の回転処理装置の説明図Explanatory drawing of a conventional rotation processing device

符号の説明Explanation of symbols

1 ターンテーブル
3a,3b,3c ガイドピン
4 基板

代 理 人 宇 高 克 己
1 Turntable 3a, 3b, 3c Guide pin 4 Substrate

Representative Katsumi Udaka

Claims (6)

ターンテーブルと、このターンテーブル上に載置された載置物をガイドする為のガイド部材とを具備する回転処理装置であって、
前記ガイド部材は、前記載置物に対向する側において、その上側部が突出しているよう構成されてなる
ことを特徴とする回転処理装置。
A rotation processing apparatus comprising a turntable and a guide member for guiding a placement object placed on the turntable,
The rotation processing device according to claim 1, wherein the guide member is configured such that an upper portion thereof protrudes on a side facing the figurine.
載置物が載置されたターンテーブルの回転時において、ガイド部材と載置物とは複数箇所で当接しているよう該ガイド部材が設けられてなることを特徴とする請求項1の回転処理装置。   2. The rotation processing apparatus according to claim 1, wherein the guide member is provided so that the guide member and the placement object are in contact with each other at a plurality of locations when the turntable on which the placement object is placed is rotated. ガイド部材は、その断面形状がテーパー状に構成された箇所を有することを特徴とする請求項1又は請求項2の回転処理装置。   The rotation processing apparatus according to claim 1, wherein the guide member has a portion whose cross-sectional shape is tapered. ガイド部材はガイドピンであることを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの回転処理装置。   The rotation processing apparatus according to claim 1, wherein the guide member is a guide pin. 載置物の保持がガイド部材のみで行われる装置であることを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかの回転処理装置。   The rotation processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the placed object is held by only a guide member. ターンテーブル上に載置された載置物の表面に流体が供給されて処理される装置であることを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかの回転処理装置。
The rotation processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the rotation processing apparatus is a device in which a fluid is supplied to a surface of an object placed on a turntable and processed.
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