JP2007168279A - Conductive laminate and display using it - Google Patents

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卓行 谷
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive laminate excellent in adhesion causing no exfoliation between a metal thin film layer and a metal oxide even in wet cloth friction, and a display having the conductive laminate provided to its front. <P>SOLUTION: The conductive laminate has a conductive multilayered film constituted so that a metal thin film layer and a metal oxide layer are laminated at least on a base material and an anti-fouling layer is provided to the uppermost layer. The Young's modulus of the conductive multilayered film is 75 GPa or above. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、湿布摩擦においても金属薄膜層と金属酸化物との間で剥離が生ずることない密着性に優れる導電性積層体およびその導電性積層体を前面に備えたディスプレイに関する。   TECHNICAL FIELD The present invention relates to a conductive laminate excellent in adhesion that does not cause separation between a metal thin film layer and a metal oxide even in compressive friction, and a display provided with the conductive laminate on the front surface.

ＣＲＴ、液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の光学表示装置においては、外光の表示画面上への写り込みによって画像を認識しづらくなるという問題がある。光学表示装置は、最近では屋内だけでなく屋外にも持ち出される機会が増加し、表示画面上への外光の写り込みは一層深刻な問題になっている。   In an optical display device such as a CRT, a liquid crystal display device, or a plasma display panel (PDP), there is a problem that it becomes difficult to recognize an image due to reflection of external light on a display screen. In recent years, optical display devices have been increasingly taken not only indoors but also outdoors, and the reflection of external light on the display screen has become a more serious problem.

外光の写り込みを低減するために、可視光領域の波長の広い範囲にわたって反射率の低い反射防止積層体を光学表示装置の前面に設けることが行われている。また、反射防止積層体に導電性を持たせることにより、電磁波シールド性能を付与できる。例えば、電磁波シールド性を付与した導電性積層体をＰＤＰの画像表示部の前面に設けることにより、ＰＤＰ内部から発生する不要電磁波をシールドすることができる。   In order to reduce reflection of external light, an antireflection laminate having a low reflectance over a wide range of wavelengths in the visible light region is provided on the front surface of the optical display device. Moreover, electromagnetic wave shielding performance can be imparted by imparting conductivity to the antireflection laminate. For example, an unnecessary electromagnetic wave generated from the inside of the PDP can be shielded by providing a conductive laminate having an electromagnetic wave shielding property on the front surface of the image display unit of the PDP.

しかしながら、金属合金酸化物層などに代表される透明薄膜層と金属薄膜層とを交互に積層するような積層体において、透明薄膜層と金属薄膜層との間の密着が良好でないことが問題となっており（例えば特許文献１参照）、例えば、湿った布で被覆表面をぬぐうことから成る簡単な摩擦試験によって立証されるとしている（例えば、特許文献１参照）。一方その対策として、チタン等の金属を金属合金酸化物層と金属層の間にプライマー層として成膜することで、湿った布で長時間はげしく擦っても目で見える変化が生じなくなるとしている（例えば、特許文献１参照）。   However, in a laminate in which transparent thin film layers and metal thin film layers typified by metal alloy oxide layers are alternately laminated, there is a problem that the adhesion between the transparent thin film layer and the metal thin film layer is not good. (See, for example, Patent Document 1), and is proved by, for example, a simple friction test consisting of wiping the coated surface with a wet cloth (see, for example, Patent Document 1). On the other hand, as a countermeasure, a metal such as titanium is formed as a primer layer between the metal alloy oxide layer and the metal layer, so that no visible change occurs even if it is rubbed hard for a long time with a wet cloth ( For example, see Patent Document 1).

透明薄膜層と金属薄膜層とを交互に積層するような積層体を、ＣＲＴ、液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の光学表示装置のディスプレイ最表面に設置する場合、湿った布等で表面を拭くことは容易に予想されるため、湿った布等で拭いても、透明薄膜層と金属層とが剥がれないようにしなければならない。しかし、前記した透明薄膜層と金属層との間に金属のプライマー層を成膜するような方法は、積層体の透過率を低くするという問題点がある。積層体が反射防止膜である場合などは、高い透過率を要求されるため、好ましくない。また、プライマー層を成膜することにより、全体的に層数が増えるため、実際に積層体を生産するという点では、成膜装置の設備費用や、プライマー層の材料費用が発生する上、工程が煩雑になるなどの問題点が多く発生するという点でも好ましくない。   When a laminated body in which transparent thin film layers and metal thin film layers are alternately laminated is placed on the outermost surface of an optical display device such as a CRT, a liquid crystal display device, or a plasma display panel (PDP), use a damp cloth or the like. Since wiping the surface is easily expected, the transparent thin film layer and the metal layer must not be peeled off even when wiping with a damp cloth or the like. However, the method of forming a metal primer layer between the transparent thin film layer and the metal layer has a problem that the transmittance of the laminate is lowered. A case where the laminate is an antireflection film is not preferable because high transmittance is required. In addition, since the number of layers generally increases by forming a primer layer, in terms of actually producing a laminate, the equipment cost of the film forming apparatus and the material cost of the primer layer are incurred, and the process This is also not preferable in that many problems such as complications occur.

導電性積層体の表面には、フッ素含有珪素化合物からなる、撥水性、撥油性および低摩擦性を有する防汚層が設けられている場合がある（例えば、特許文献２参照）。しかし、フッ素含有珪素化合物からなる防汚層は、撥水、撥油効果を持つものの、湿った布で被覆表面をぬぐう試験を長時間にわたって行った場合、その効果は不十分であった。   In some cases, a surface of the conductive laminate is provided with an antifouling layer made of a fluorine-containing silicon compound and having water repellency, oil repellency and low friction (for example, see Patent Document 2). However, the antifouling layer made of a fluorine-containing silicon compound has water and oil repellency effects, but when the test for wiping the coated surface with a damp cloth was performed for a long time, the effect was insufficient.

下記に特許文献を記す。
特開平２０００−１９２２２７号公報 特開平１１−１５６９８７号公報 Patent literature is described below.
JP 2000-192227 A Japanese Patent Laid-Open No. 11-156987

本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであって、湿布摩擦においても金属薄膜層と金属酸化物との間で剥離が生ずることない密着性に優れる導電性積層体およびその導電性積層体を前面に備えたディスプレイを提供することを目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and is a conductive laminate excellent in adhesion that does not cause separation between a metal thin film layer and a metal oxide even in compressive friction, and its It aims at providing the display which provided the electroconductive laminated body in the front surface.

上記の目的を達成するために、すなわち、
請求項１に係る発明は、少なくとも基材上に、金属薄膜層および金属酸化物層を積層してなる導電性多層膜を有し、最上層に防汚層を設けてなる導電性積層体であって、
前記導電性多層膜のヤング率が７５ＧＰａ以上であることを特徴とする導電性積層体である。 To achieve the above objectives, ie
The invention according to claim 1 is an electroconductive laminate comprising an electroconductive multilayer film formed by laminating a metal thin film layer and a metal oxide layer on at least a base material, and an antifouling layer provided on the uppermost layer. There,
The conductive multilayer film is characterized in that the conductive multilayer film has a Young's modulus of 75 GPa or more.

請求項２に係る発明は、前記導電性多層膜が、高屈折率金属酸化物層／金属薄膜層／高屈折率金属酸化物層を設けてなることを特徴とする請求項１記載の導電性積層体である。   The invention according to claim 2 is characterized in that the conductive multilayer film is provided with a high refractive index metal oxide layer / metal thin film layer / high refractive index metal oxide layer. It is a laminate.

請求項３に係る発明は、前記金属薄膜層が、銀または銀を含む合金であることを特徴とする請求項１または２記載の導電性積層体である。   The invention according to claim 3 is the conductive laminate according to claim 1 or 2, wherein the metal thin film layer is silver or an alloy containing silver.

請求項４に係る発明は、前記導電性多層膜と防汚層の間に、低屈折率層を設けてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性積層体である。   The invention according to claim 4 is characterized in that a low refractive index layer is provided between the conductive multilayer film and the antifouling layer. Is the body.

請求項５に係る発明は、前記防汚層がフッ素含有珪素化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性積層体である。   The invention according to claim 5 is the conductive laminate according to any one of claims 1 to 4, wherein the antifouling layer is a fluorine-containing silicon compound.

請求項６に係る発明は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性積層体をディスプレイの前面に設けたことを特徴とするディスプレイである。   The invention according to claim 6 is a display characterized in that the conductive laminate according to any one of claims 1 to 5 is provided on the front surface of the display.

本発明の導電性積層体は、金属薄膜層と金属酸化物との密着を強固にするために特別に層数を増やすことなく、湿った布で長時間にわたり、荷重を掛けて擦っても、金属薄膜層と金属酸化物との間で剥離を生ずることがない。したがって、本発明の導電性積層は、金属層を含む導電性が長期間持続できる。   The conductive laminate of the present invention is not particularly increased in the number of layers in order to strengthen the adhesion between the metal thin film layer and the metal oxide. No peeling occurs between the metal thin film layer and the metal oxide. Therefore, the conductive laminate of the present invention can maintain the conductivity including the metal layer for a long time.

以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

＜導電性積層体＞
図１は、本発明の導電性積層体の一例を示す断面図である。この導電性積層体１は、基材２と、基材２上に設けられたハードコート層３と、ハードコート層３上に設けられたプライマー層４と、プライマー層４上に設けられた導電性機能層５と、導電性機能層５上に設けられた低屈折率透明薄膜層６と、低屈折率透明薄膜層６上に設けられた防汚層７と、基材２の他方の面に設けられた粘着層８とを有して概略構成されるものである。 <Conductive laminate>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the conductive laminate of the present invention. The conductive laminate 1 includes a base material 2, a hard coat layer 3 provided on the base material 2, a primer layer 4 provided on the hard coat layer 3, and a conductive material provided on the primer layer 4. Functional layer 5, low refractive index transparent thin film layer 6 provided on conductive functional layer 5, antifouling layer 7 provided on low refractive index transparent thin film layer 6, and the other surface of substrate 2 And having an adhesive layer 8 provided on the substrate.

（基材）
本発明において使用される２としては、透明性を有する無機化合物成形物または有機化合物成形物が挙げられる。本発明における透明性とは、可視光領域の波長の光が透過すればよいことを意味する。成形物の形状としては、表面が平滑であれば特に限定されず、板状、ロール状等が挙げられる。また、基材２は、透明性を有する無機化合物成形物または有機化合物成形物の積層体であってもよい。 (Base material)
Examples of 2 used in the present invention include an inorganic compound molded product or an organic compound molded product having transparency. Transparency in the present invention means that light having a wavelength in the visible light region may be transmitted. The shape of the molded product is not particularly limited as long as the surface is smooth, and examples thereof include a plate shape and a roll shape. The substrate 2 may be a transparent inorganic compound molded product or an organic compound molded product laminate.

透明性を有する無機化合物成形物としては、例えば、ソーダライムガラス、硼珪酸ガラ
ス、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、無アルカリガラス、鉛ガラス等が挙げられる。 Examples of the inorganic compound molded product having transparency include soda lime glass, borosilicate glass, quartz glass, Pyrex (registered trademark) glass, alkali-free glass, lead glass, and the like.

透明性を有する有機化合物成形物としては、プラスチックが挙げられる。プラスチックとしては、例えば、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリウレタン、ポリエチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルフォン、ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース等が挙げられる。   An example of the organic compound molding having transparency is plastic. Examples of the plastic include polyester, polyamide, polyimide, polypropylene, polyethylpentene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetal, polyurethane, polyethyl methacrylate, polycarbonate, polystyrene, polyethylene sulfide, polyether sulfone, polyolefin, polyarylate, polyether ether. Examples thereof include ketones, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and triacetyl cellulose.

基材２の厚さは、目的の用途に応じて適宜選択され、通常２５〜３００μｍである。有機化合物成形物には、公知の添加剤、例えば、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、着色剤、酸化防止剤、難燃剤等が含有されていてもよい。   The thickness of the base material 2 is appropriately selected according to the intended use, and is usually 25 to 300 μm. The organic compound molded product may contain known additives such as ultraviolet absorbers, plasticizers, lubricants, colorants, antioxidants, flame retardants and the like.

（ハードコート層）
本発明におけるハードコート層３は、鉛筆等による引っ掻き傷、スチールウールによる擦り傷等の機械的外傷から基材２表面または基材２上に形成された各層を防護する層である。ハードコート層３を形成する材料としては、透明性、適度な硬度および機械的強度を有するものであればよく、アクリル系樹脂、有機シリコン系樹脂、ポリシロキサン等の樹脂材料が挙げられる。 (Hard coat layer)
The hard coat layer 3 in the present invention is a layer that protects the surface of the substrate 2 or each layer formed on the substrate 2 from mechanical injuries such as scratches by pencils and scratches by steel wool. The material for forming the hard coat layer 3 may be any material having transparency, appropriate hardness and mechanical strength, and examples thereof include resin materials such as acrylic resins, organic silicon resins, and polysiloxanes.

アクリル系樹脂としては、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングロコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、３−メチルペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールビスβ−（メタ）アクリロイルオキシプロピオネート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリ（２−ヒドロキシエチル）イソシアネートジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、２，３−ビス（メタ）アクリロイルオキシエチルオキシメチル［２．２．１］ヘプタン、ポリ１，２−ブタジエンジ（メタ）アクリレート、１，２−ビス（メタ）アクリロイルオキシメチルヘキサン、ノナエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラデカンエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１０−デカンジオール（メタ）アクリレート、３，８−ビス（メタ）アクリロイルオキシメチルトリシクロ［５．２．１０］デカン、水素添加ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロイルオキシジエトキシフェニル）プロパン、１，４−ビス（（メタ）アクリロイルオキシメチル）シクロヘキサン、ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、エポキシ変成ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。   Acrylic resins include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, and triethylene glycol di (Meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, 3-methylpentanediol di (meth) acrylate, diethylene glycol bis β- (meth) acryloyloxypropionate, trimethylol Ethanetri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, tri (2-h Roxyethyl) isocyanate di (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, 2,3-bis (meth) acryloyloxyethyloxymethyl [2.2.1] heptane, poly 1,2-butadiene di (meth) acrylate 1,2-bis (meth) acryloyloxymethylhexane, nonaethylene glycol di (meth) acrylate, tetradecane ethylene glycol di (meth) acrylate, 10-decanediol (meth) acrylate, 3,8-bis (meth) acryloyl Oxymethyltricyclo [5.2.10] decane, hydrogenated bisphenol A di (meth) acrylate, 2,2-bis (4- (meth) acryloyloxydiethoxyphenyl) propane, 1,4-bis ((meta ) Acryloyloxymethyl E) Cyclohexane, hydroxypivalate ester neopentyl glycol di (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether di (meth) acrylate, epoxy-modified bisphenol A di (meth) acrylate, and the like.

有機シリコン系樹脂としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラペンタエトキシシラン、テトラペンタイソプロキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、ジメチルプロポキシシラン、ジメチルブトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Examples of the organic silicon resin include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetrapentaethoxysilane, tetrapentaisoproxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltripropoxysilane, Examples include butoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethylethoxysilane, dimethylmethoxysilane, dimethylpropoxysilane, dimethylbutoxysilane, methyldimethoxysilane, methyldiethoxysilane, and hexyltrimethoxysilane.

ハードコート層３は、これら樹脂材料を基材２上に成膜し、熱硬化、紫外線硬化、または電離放射線硬化法によって硬化させることによって形成される。ハードコート層３の厚さは、物理膜厚で０．５μｍ以上、好ましくは３〜２０μｍ、より好ましくは３〜６μｍである。   The hard coat layer 3 is formed by depositing these resin materials on the substrate 2 and curing them by heat curing, ultraviolet curing, or ionizing radiation curing. The thickness of the hard coat layer 3 is 0.5 μm or more, preferably 3 to 20 μm, more preferably 3 to 6 μm in terms of physical film thickness.

ハードコート層３に、平均粒子径が０．０１〜３μｍの透明微粒子を分散させて、アンチグレアと呼ばれる処理を施してもよい。ハードコート層３中の微粒子により表面が微細な凹凸状になって光の拡散性が向上し、光の反射をより低減できる。   Transparent hard particles having an average particle diameter of 0.01 to 3 μm may be dispersed in the hard coat layer 3 and subjected to a process called antiglare. The fine particles in the hard coat layer 3 have fine irregularities on the surface, improving the light diffusibility and further reducing the reflection of light.

ハードコート層３は、表面処理が施されていることが好ましい。表面処理を施すことにより、隣接する層との密着性を向上させることができる。ハードコート層３の表面処理としては、例えば、コロナ処理法、蒸着処理法、電子ビーム処理法、高周波放電プラズマ処理法、スパッタリング処理法、イオンビーム処理法、大気圧グロー放電プラズマ処理法、アルカリ処理法、酸処理法等が挙げられる。   The hard coat layer 3 is preferably subjected to a surface treatment. By performing the surface treatment, the adhesion with an adjacent layer can be improved. Examples of the surface treatment of the hard coat layer 3 include corona treatment, vapor deposition, electron beam treatment, high frequency discharge plasma treatment, sputtering treatment, ion beam treatment, atmospheric pressure glow discharge plasma treatment, and alkali treatment. Method, acid treatment method and the like.

（プライマー層）
本発明におけるプライマー層４は、ハードコート層３と導電性機能層５との間の密着性を向上させる層である。プライマー層４の材料としては、例えば、シリコン、ニッケル、クロム、錫、金、銀、白金、亜鉛、チタン、タングステン、ジルコニウム、パラジウム等の金属；これら金属の２種類以上からなる合金；これらの酸化物、弗化物、硫化物、窒化物等が挙げられる。酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の化学組成は、密着性が向上するならば、化学量論的な組成と一致しなくてもよい。 (Primer layer)
The primer layer 4 in the present invention is a layer that improves the adhesion between the hard coat layer 3 and the conductive functional layer 5. Examples of the material of the primer layer 4 include metals such as silicon, nickel, chromium, tin, gold, silver, platinum, zinc, titanium, tungsten, zirconium, and palladium; alloys composed of two or more of these metals; Products, fluorides, sulfides, nitrides and the like. The chemical composition of oxides, fluorides, sulfides, and nitrides may not match the stoichiometric composition as long as adhesion is improved.

プライマー層４の厚さは、基材２の透明性を損なわない程度であればよく、好ましくは物理膜厚で０．１〜１０ｎｍである。プライマー層４は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、化学蒸着（ＣＶＤ）法、湿式塗工法等の従来公知の方法で形成できる。   The thickness of the primer layer 4 should just be a grade which does not impair the transparency of the base material 2, Preferably it is 0.1-10 nm by a physical film thickness. The primer layer 4 can be formed by a conventionally known method such as a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an ion beam assist method, a chemical vapor deposition (CVD) method, or a wet coating method.

（導電性機能層）
本発明における５は、基材２側から順に、高屈折率透明薄膜層１１（透明金属化合物層）、金属薄膜層１２（金属層）、および高屈折率透明薄膜層１３（透明金属化合物層）から構成される。導電性機能層５は、導電性積層体に、電磁波シールド性、赤外線カット性、反射防止性を付与するものである。 (Conductive functional layer)
In the present invention, 5 is, in order from the substrate 2 side, a high refractive index transparent thin film layer 11 (transparent metal compound layer), a metal thin film layer 12 (metal layer), and a high refractive index transparent thin film layer 13 (transparent metal compound layer). Consists of The conductive functional layer 5 imparts electromagnetic wave shielding properties, infrared ray cutting properties, and antireflection properties to the conductive laminate.

高屈折率透明薄膜層１１、１３は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．７以上であり、かつ波長５５０ｎｍの光の消衰係数が０．５以下である層である。   The high refractive index transparent thin film layers 11 and 13 are layers having a refractive index of light having a wavelength of 550 nm of 1.7 or more and an extinction coefficient of light having a wavelength of 550 nm of 0.5 or less.

高屈折率透明薄膜層１１、１３の材料としては、インジウム、錫、チタン、シリコン、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、マグネシウム、ビスマス、セリウム、クロム、タンタル、アルミニウム、ゲルマニウム、ガリウム、アンチモン、ネオジウム、ランタン、トリウム、ハフニウム等の金属；これらの金属の酸化物、弗化物、硫化物、窒化物；酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の混合物等が挙げられる。酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の化学組成は、透明性を保持した化学組成であれば、化学量論的な組成と一致しなくてもよい。   Examples of the material for the high refractive index transparent thin film layers 11 and 13 include indium, tin, titanium, silicon, zinc, zirconium, niobium, magnesium, bismuth, cerium, chromium, tantalum, aluminum, germanium, gallium, antimony, neodymium, lanthanum, Metals such as thorium and hafnium; oxides, fluorides, sulfides, and nitrides of these metals; oxides, fluorides, sulfides, and mixtures of nitrides. The chemical composition of oxides, fluorides, sulfides, and nitrides may not match the stoichiometric composition as long as the chemical composition maintains transparency.

酸化物としては、例えば、酸化インジウムと酸化錫との混合物（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化セリウムとの混合物（ＩＣＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛との混合物、酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの混合物、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物、酸化錫と酸化アンチモンとの混合物、酸化錫中にアンチモンおよびインジウムを含んだ混合物、シリコン中にジルコニウムを含んだ混合物等が挙げられる。これらのうち、ＩＴＯおよびＩＣＯ
は、可視光における屈折率が２．０以上あり、かつ消衰係数がゼロに近いため、可視光領域での透明性に優れ、かつ材料による光の吸収が少ないことから、好適である。また、ＩＴＯおよびＩＣＯは、自由電子密度が高い、すなわち比抵抗が小さいため、直流電源によるスパッタ成膜を可能にする。直流電源の使用は、成膜速度を向上させ、結果として高い生産性に寄与する。 Examples of the oxide include a mixture of indium oxide and tin oxide (ITO), a mixture of indium oxide and cerium oxide (ICO), a mixture of indium oxide and zinc oxide, a mixture of zinc oxide and aluminum oxide, and an oxide. Examples thereof include a mixture of zinc and gallium oxide, a mixture of tin oxide and antimony oxide, a mixture containing antimony and indium in tin oxide, a mixture containing zirconium in silicon, and the like. Of these, ITO and ICO
Since the refractive index in visible light is 2.0 or more and the extinction coefficient is close to zero, it is excellent in transparency in the visible light region and less light absorption by the material. In addition, ITO and ICO have high free electron density, that is, low specific resistance, so that sputtering film formation by a DC power supply is possible. The use of a direct current power source increases the film formation rate and consequently contributes to high productivity.

高屈折率透明薄膜層１１と高屈折率透明薄膜層１３とは、必ずしも同一の材料でなくてもよく、目的に合わせて適宜選択される。高屈折率透明薄膜層１１、１３は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、ＣＶＤ法、湿式塗工法等の従来公知の方法で形成できる。   The high-refractive-index transparent thin film layer 11 and the high-refractive-index transparent thin film layer 13 are not necessarily the same material, and are appropriately selected according to the purpose. The high refractive index transparent thin film layers 11 and 13 can be formed by a conventionally known method such as an evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, an ion beam assist method, a CVD method, or a wet coating method.

本発明における金属薄膜層１２は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．０以下、消衰係数が１０．０以下であることが好ましい。金属薄膜層１２の材料としては例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、パラジウム等の金属；これら金属の２種類以上を含んだ合金が挙げられる。これらのうち。銀、銀を含む合金、銀を含む混合物が好適である。銀は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が０．０５５と小さく、一方、消衰係数は３．３２と大きい。屈折率に対する消衰係数の比が他の金属に比べて大きいため金属性が高い、つまり導電性が高い。   The metal thin film layer 12 in the present invention preferably has a refractive index of light having a wavelength of 550 nm of 1.0 or less and an extinction coefficient of 10.0 or less. Examples of the material of the metal thin film layer 12 include metals such as gold, silver, copper, platinum, aluminum, and palladium; and alloys containing two or more of these metals. Of these. Silver, an alloy containing silver, and a mixture containing silver are preferable. Silver has a small refractive index of light with a wavelength of 550 nm as 0.055, while its extinction coefficient is as large as 3.32. Since the ratio of the extinction coefficient to the refractive index is larger than that of other metals, the metallicity is high, that is, the electrical conductivity is high.

銀の薄膜は、酸素、硫黄、ハロゲン、アルカリ等によって腐食しやすく、結果として凝集、マイグレーション等を引き起こす。一方、銀に他の金属元素を含有させると銀の化学的安定性が向上することが知られている。銀に含有させる金属元素としては、例えば、金、銅、白金、錫、アルミニウム、ニッケル、マグネシウム、チタン、ビスマス、ジルコニウム、ネオジウム、パラジウム、亜鉛、インジウム、ゲルマニウム、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、レニウム、ロジウム等が挙げられる。これら金属元素は、２種類以上を銀に含有させてもよい。これらの金属元素を銀に含有させる場合、その含有量は、金属薄膜層１２または導電性積層体１の光学性能を悪化させずに、耐腐食性に寄与する程度であればよく、０．１原子％〜２０原子％程度である。   Silver thin films are easily corroded by oxygen, sulfur, halogen, alkali, and the like, resulting in aggregation, migration, and the like. On the other hand, it is known that the chemical stability of silver improves when silver contains other metal elements. Examples of metal elements contained in silver include gold, copper, platinum, tin, aluminum, nickel, magnesium, titanium, bismuth, zirconium, neodymium, palladium, zinc, indium, germanium, iridium, osmium, ruthenium, rhenium, and rhodium. Etc. Two or more of these metal elements may be contained in silver. In the case where these metal elements are contained in silver, the content thereof may be a level that contributes to corrosion resistance without deteriorating the optical performance of the metal thin film layer 12 or the conductive laminate 1. The atomic percent is about 20 atomic percent.

金属薄膜層１２の厚さは、物理膜厚で５〜１５ｎｍが好ましい。金属薄膜層１２は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、ＣＶＤ法、湿式塗工法等の従来公知の方法により形成できる。スパッタリング法を用いる場合は、直流電源にて成膜が可能であり、大きな成膜速度が得られるため生産性に優れる。   The metal thin film layer 12 preferably has a physical film thickness of 5 to 15 nm. The metal thin film layer 12 can be formed by a conventionally known method such as a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an ion beam assist method, a CVD method, or a wet coating method. When the sputtering method is used, film formation is possible with a direct current power source, and a high film formation rate is obtained, so that productivity is excellent.

導電性多層膜のヤング率が７５ＧＰａ以上、好ましくは８５ＧＰａ以上であることが必要である。薄膜のヤング率が７５ＧＰａ以上、好ましくは８５ＧＰａ以上でなければ、膜質が脆弱であり、濡れ雑巾等での摩擦には耐えられず、また薄膜のヤング率が１１０ＧＰａ以上であると、例えば金属層が銀である場合、微細な銀の凝集が発生した際、膜応力により薄膜にクラックが発生し、このクラックに沿って銀の凝集が２次的に拡大し易いという傾向があるため好ましくない。   The Young's modulus of the conductive multilayer film needs to be 75 GPa or more, preferably 85 GPa or more. If the Young's modulus of the thin film is not 75 GPa or more, preferably 85 GPa or more, the film quality is fragile and cannot withstand friction due to a wet cloth, and if the Young's modulus of the thin film is 110 GPa or more, for example, a metal layer In the case of silver, when fine silver aggregation occurs, a crack is generated in the thin film due to film stress, and the silver aggregation tends to secondarily expand along the crack, which is not preferable.

（低屈折率透明薄膜層）
本発明における低屈折率透明薄膜層６は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．７未満であり、かつ波長５５０ｎｍの光の消衰係数が０．５以下である層である。低屈折率透明薄膜層６を、導電性機能層５の高屈折率透明薄膜層１３に接するように設けることにより、導電性積層体１は、反射率が低くなる可視光領域の波長の範囲が充分に広くなる。 (Low refractive index transparent thin film layer)
The low refractive index transparent thin film layer 6 in the present invention is a layer having a refractive index of light having a wavelength of 550 nm of less than 1.7 and an extinction coefficient of light having a wavelength of 550 nm of 0.5 or less. By providing the low refractive index transparent thin film layer 6 so as to be in contact with the high refractive index transparent thin film layer 13 of the conductive functional layer 5, the conductive laminated body 1 has a wavelength range in the visible light region where the reflectance is low. Wide enough.

低屈折率透明薄膜層６の材料としては例えば、酸化シリコン、窒化チタン、弗化マグネシウム、弗化バリウム、弗化カルシウム、弗化セリウム、弗化ハフニウム、弗化ランタン、弗化ナトリウム、弗化アルミニウム、弗化鉛、弗化ストロンチウム、弗化イッテリビウ
ム等が挙げられる。 Examples of the material for the low refractive index transparent thin film layer 6 include silicon oxide, titanium nitride, magnesium fluoride, barium fluoride, calcium fluoride, cerium fluoride, hafnium fluoride, lanthanum fluoride, sodium fluoride, aluminum fluoride. Lead fluoride, strontium fluoride, ytterbium fluoride and the like.

低屈折率透明薄膜層６の厚さは、物理膜厚で１５〜７０ｎｍが好ましい。低屈折率透明薄膜層６は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、ＣＶＤ法、湿式塗工法等の方法で形成できる。   The thickness of the low refractive index transparent thin film layer 6 is preferably 15 to 70 nm in terms of physical film thickness. The low refractive index transparent thin film layer 6 can be formed by a method such as a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an ion beam assist method, a CVD method, or a wet coating method.

（防汚層）
本発明における防汚層７は、反応性官能基と結合している珪素原子を１つ以上有するフッ素含有珪素化合物から得られた層である。本発明における反応性官能基とは、低屈折率透明薄膜層６の材料と反応し、結合しうる基を意味する。よって、防汚層７は、具体的には、フッ素含有珪素化合物の反応性官能基と低屈折率透明薄膜層６の材料とを反応させ、また、フッ素含有珪素化合物の反応性官能基同士を反応させることにより形成される層である。 (Anti-fouling layer)
The antifouling layer 7 in the present invention is a layer obtained from a fluorine-containing silicon compound having one or more silicon atoms bonded to a reactive functional group. The reactive functional group in the present invention means a group capable of reacting with and bonding to the material of the low refractive index transparent thin film layer 6. Therefore, the antifouling layer 7 specifically reacts the reactive functional group of the fluorine-containing silicon compound with the material of the low refractive index transparent thin film layer 6, and reacts the reactive functional group of the fluorine-containing silicon compound with each other. It is a layer formed by reacting.

反応性官能基としては、加水分解性基、ハロゲン原子等が挙げられる。加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシ基；アリロキシ基、イソプロペノキシ基等のアルケニルオキシ基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアシロキシ基；ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基、ジエチルケトオキシム基、シクロペンタノキシム基、シクロヘキサノキシム基等のケトオキシム基；Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ−ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ−シクロヘキシルアミノ基等のアミノ基；Ｎ−メチルアセトアミド基、Ｎ−エチルアセトアミド基、Ｎ−メチルベンズアミド基等のアミド基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノオキシ基等のアミノオキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらのうち、メトキシ基、エトキシ基、イソプロペノキシ基が好適である。   Examples of the reactive functional group include a hydrolyzable group and a halogen atom. Hydrolyzable groups include alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, propoxy, and butoxy groups; alkoxyalkoxy groups such as methoxymethoxy, methoxyethoxy, and ethoxyethoxy groups; alkenyloxy groups such as allyloxy and isopropenoxy groups An acyloxy group such as an acetoxy group, a propionyloxy group, a butylcarbonyloxy group or a benzoyloxy group; a ketoxime group such as a dimethyl ketoxime group, a methyl ethyl ketoxime group, a diethyl ketoxime group, a cyclopentanoxime group or a cyclohexanoxime group; Amino groups such as N-methylamino group, N-ethylamino group, N-propylamino group, N-butylamino group, N, N-dimethylamino group, N, N-diethylamino group, N-cyclohexylamino group; N -Methylacetamide , N- ethyl acetamide group, an amido group such as N- methylbenzamide group; N, N- dimethylamino group, N, an amino group, such as N- diethylamino group and the like. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Of these, a methoxy group, an ethoxy group, and an isopropenoxy group are preferable.

反応性官能基と結合している珪素原子を１つ以上有しているフッ素含有珪素化合物としては、例えば、下記式（１）で表される化合物が挙げられる。
（Ｒ1）３−ｍ（Ｘ1）ｍＳｉ−Ｒ3−Ｏ−Ｒ5−Ｒｆ−Ｒ6−Ｏ−Ｒ4−Ｓｉ（Ｒ2）３−ｎ（Ｘ2）ｎ・・・・式（１）
式（１）中、Ｒ1、Ｒ2は、炭素数１〜８、好ましくは１〜３の一価の炭化水素基を表し、Ｘ1、Ｘ2は、反応性官能基を表し、Ｒ3、Ｒ4は、アルキレン基を表し、Ｒ5、Ｒ6は、アルキレン基またはオキシアルキレン基を表し、Ｒｆは、パーフルオロアルキレン基またはパーフルオロ（ポリ）オキシアルキレン基を表し、ｍ、ｎは、１〜３の整数を表す。Ｒ1、Ｒ2の一価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基等が挙げられる。 As a fluorine-containing silicon compound which has one or more silicon atoms couple | bonded with the reactive functional group, the compound represented by following formula (1) is mentioned, for example.
(R 1 ) 3-m (X 1 ) mSi—R 3 —O—R 5 —Rf—R 6 —O—R 4 —Si (R 2 ) 3-n (X 2 ) n 1)
In the formula (1), R 1 and R 2 represent a monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, preferably 1 to 3 carbon atoms, X 1 and X 2 represent a reactive functional group, and R 3 , R 4 represents an alkylene group, R 5 and R 6 represent an alkylene group or an oxyalkylene group, Rf represents a perfluoroalkylene group or a perfluoro (poly) oxyalkylene group, and m and n are Represents an integer of 1 to 3; Examples of the monovalent hydrocarbon group for R 1 and R 2 include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl and octyl; cyclopentyl and cyclohexyl A cycloalkyl group such as a phenyl group, a tolyl group and a xylyl group; an aralkyl group such as a benzyl group and a phenethyl group; an alkenyl group such as a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group and a hexenyl group. It is done.

反応性官能基と結合している珪素原子を１つ以上有するフッ素含有珪素化合物の具体例としては、ＣＦ3（ＣＦ2）p（ＣＨ2）qＳｉ（ＯＣＨ3）3、ＣＦ3（ＣＦ2）p（ＯＣ3Ｆ6）qＯＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ2（ＯＣＯＮＨ）ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）pＣＦ2ＣＦ２ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）2ＣＨ3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ２ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）pＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ２ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ４）ｑ（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）2ＣＨ3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ
Ｈ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2、（Ｃ2Ｈ5Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2Ｃ（＝ＣＨ2）ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ２ＣＦ2Ｏ）pＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2（ＣＨ2＝）ＣＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2Ｃ（＝ＣＨ2）ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2（ＣＨ2＝）ＣＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）2ＣＨ3ＳｉＣＨ2Ｃ（＝ＣＨ2）ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2（ＣＨ2＝）ＣＣＨ2ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2が挙げられる。ただし、ｐ＝１〜５０、ｑ＝１〜５０、ｒ＝１〜５０、ｑ＋ｒ＝１０〜１００の整数であり、式中の繰り返し単位はランダムである。 Specific examples of fluorine-containing silicon compounds having at least one silicon atom bonded to a reactive functional group include CF 3 (CF 2 ) p (CH 2 ) q Si (OCH 3 ) 3 , CF 3 (CF 2 P (OC 3 F 6 ) q OCF 2 CF 2 CH 2 CH 2 (OCONH) CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3 , (CH 3 O) 3 SiCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 CF 2 O) p CF 2 CF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3 , (CH 3 O) 2 CH 3 SiCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 CF 2 CF (CF 2 CF 2 CF 2 O) p CF 2 CF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH2SiCH 3 (OCH 3) 2, (CH 3 O) 3 SiCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 (OC 2 F4) q (OCF 2) r OCF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3 , (CH 3 O) 2 CH 3 SiCH 2 CH 2 CH 2 OC
H 2 CF 2 (OC 2 F 4 ) q (OCF 2 ) r OCF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3 ) 2 , (C 2 H 5 O) 3 SiCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 (OC 2 F 4) q (OCF 2) r OCF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Si (OC 2 H 5) 3, (CH 3 O) 3 SiCH 2 C (= CH 2) CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 CF 2 O) p CF 2 CF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 (CH 2 =) CCH 2 Si (OCH 3 ) 3 , (CH 3 O) 3 SiCH 2 C (= CH 2) CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 (OC 2 F 4) q (OCF 2) r OCF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 (CH 2 =) CCH 2 Si (OCH 3) 3, (CH 3 O ) 2 CH 3 SiCH 2 C (= CH 2) CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 C 2 (OC 2 F 4) q (OCF 2) r OCF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 (CH 2 =) CCH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2 and the like. However, it is an integer of p = 1-50, q = 1-50, r = 1-50, q + r = 10-100, and the repeating unit in a formula is random.

防汚層７は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、プラズマ重合法等の真空ドライプロセスの他、マイクログラビア法、スクリーンコート法、ディップコート法等のウェットプロセスにより形成できる。防汚層７の物理膜厚は、１〜３０ｎｍ程度であり、好ましくは３〜１５ｎｍ程度である。防汚層７表面における純水の接触角は、防水および防汚性の観点から、１００゜以上が好ましく、かつオレイン酸の接触角は、７０゜以上であることが好ましい。   The antifouling layer 7 can be formed by a wet process such as a microgravure method, a screen coating method, or a dip coating method in addition to a vacuum dry process such as an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or a plasma polymerization method. The physical film thickness of the antifouling layer 7 is about 1 to 30 nm, preferably about 3 to 15 nm. The contact angle of pure water on the surface of the antifouling layer 7 is preferably 100 ° or more from the viewpoint of waterproofing and antifouling properties, and the contact angle of oleic acid is preferably 70 ° or more.

（粘着層）
本発明における粘着層８は、可視光領域の波長の光を透過し、かつ粘着性を有するものであればよい。粘着層８は、光学的性能の観点から、波長５００〜６００ｎｍの光の屈折率が１．４５〜１．７であり、消衰係数がほぼ０であることが好ましい。粘着層８の材料としては例えば、アクリル系接着剤、シリコン系接着剤、ウレタン系接着剤、ポリビニルブチラール接着剤（ＰＶＡ）、エチレン−酢酸ビニル系接着剤（ＥＶＡ）、ポリビニルエーテル、飽和無定形ポリエステル、メラミン樹脂等が挙げられる。 (Adhesive layer)
The adhesive layer 8 in the present invention may be any layer that transmits light having a wavelength in the visible light region and has adhesiveness. From the viewpoint of optical performance, the pressure-sensitive adhesive layer 8 preferably has a refractive index of light having a wavelength of 500 to 600 nm of 1.45 to 1.7 and an extinction coefficient of approximately 0. Examples of the material of the pressure-sensitive adhesive layer 8 include acrylic adhesives, silicon adhesives, urethane adhesives, polyvinyl butyral adhesives (PVA), ethylene-vinyl acetate adhesives (EVA), polyvinyl ether, and saturated amorphous polyesters. And melamine resin.

（作用）
以上説明した導電性積層体１にあっては、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６の成膜方法として、スパッタリングの中でも特に、１０〜３００ｋＨｚ、好ましくは１０〜１００ｋＨｚのサイン波を２対のカソードに正負交互に電圧印加し、該２対のカソードが交互にアノードの役割も果たす放電方法において、該２対のカソードにそれぞれ所望の層を得るための材料がターゲットとして配置されたマグネトロンスパッタリング法を用いると良い。これは、一般にデュアルマグネトロンスパッタリング法（以下ＤＭＳ法）と呼ばれる方法であり、２つのカソードで正負交互に電圧印加されるため、成膜中の高エネルギー粒子による基板側へのボンバードメントが大きく、通常のＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリングと比較して、イオンアシスト効果が大きく、緻密で、膜硬度、膜応力が強い膜が成膜される。 (Function)
In the conductive laminate 1 described above, the method for forming the primer layer 4, the conductive functional layer 5, and the low refractive index transparent thin film layer 6 is 10 to 300 kHz, preferably 10 to 100 kHz, among sputtering. In the discharge method in which sine waves of 2 are applied to two pairs of cathodes alternately in positive and negative directions and the two pairs of cathodes alternately serve as anodes, a material for obtaining a desired layer on each of the two pairs of cathodes is a target. It is preferable to use a magnetron sputtering method arranged as follows. This is a method generally called a dual magnetron sputtering method (hereinafter referred to as DMS method). Since voltage is applied alternately between two cathodes, the bombardment to the substrate side due to high energy particles during film formation is large. Compared with DC sputtering and RF sputtering, a film having a large ion assist effect, a dense film with high film hardness, and high film stress is formed.

また、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６の成膜方法として、２対のカソードにＤＣパルスを正負交互に印加し、該２対のカソードが交互にアノードの役割も果たす放電方法において、該２対のカソードにそれぞれ所望の層を得るための材料がターゲットとして配置されたマグネトロンスパッタリング法を用いても良い。これは、一般にパルスマグネトロンスパッタリング法（以下ＰＭＳ法）と呼ばれる方法であり、ＤＭＳ法と同様に、２つのカソードで正負交互に電圧印加されるため、成膜中の高エネルギー粒子による基板側へのボンバードメントが大きく、通常のＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリングと比較して、イオンアシスト効果が大きく、緻密で、膜硬度、膜応力が強い膜が成膜される。このパルスマグネトロンスパッタリング法を用いる際のＤＣパルス印加周波数として、１０〜３００ｋＨｚが適当であり、好ましくは１０〜１００ｋＨｚが良い。   In addition, as a method for forming the primer layer 4, the conductive functional layer 5, and the low refractive index transparent thin film layer 6, a DC pulse is alternately applied to two pairs of cathodes, and the two pairs of cathodes function alternately as anodes. Alternatively, a magnetron sputtering method in which a material for obtaining a desired layer is disposed as a target on each of the two pairs of cathodes may be used. This is a method generally called a pulse magnetron sputtering method (hereinafter referred to as a PMS method). Like the DMS method, a voltage is alternately applied to two cathodes in the positive and negative directions. A bombardment is large, and an ion assist effect is large, a dense film having a high film hardness and a high film stress is formed as compared with normal DC sputtering and RF sputtering. The DC pulse application frequency when using this pulse magnetron sputtering method is suitably 10 to 300 kHz, preferably 10 to 100 kHz.

また、上記ＤＭＳ法、ＰＭＳ法は、反応性スパッタ時等にターゲットのエロ−ジョン部やその周辺に形成される絶縁性生成物のチャージアップを除去し、アーキングを防ぐことが可能であり、このため高電力投入が可能である。故に、アーキングが長時間にわたり殆ど無く、高速での成膜が可能であるため、ロール・ツー・ロールでの巻き取り成膜などには最適である。この場合、成膜材料によっては、スパッタ中のプラズマ発光など、プラズマ・パラメータのモニタリングを基本とした精密なプロセス制御技術との組み合わせで、大面積への膜厚均一性に優れた、更なる高速成膜が可能である。   In addition, the DMS method and the PMS method can remove the charge-up of the insulating product formed in the erosion portion of the target and the periphery thereof at the time of reactive sputtering, etc., and prevent arcing. Therefore, high power can be input. Therefore, since there is almost no arcing for a long time and film formation at high speed is possible, it is most suitable for roll-up roll film formation. In this case, depending on the film deposition material, it can be combined with precise process control technology based on plasma parameter monitoring, such as plasma emission during sputtering, and it has excellent film thickness uniformity over a large area. Film formation is possible.

＜光学機能性フィルタ＞
本発明の光学機能性フィルタは、本発明の導電性積層体を有するものである。本発明の光学機能性フィルタとしては、ＣＲＴ用フィルタ、液晶表示装置用フィルタ、プラズマディスプレイパネル用フィルタ、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ用フィルタ、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）用フィルタ、リアプロジェクションテレビ用フィルタ等が挙げられる。 <Optical functional filter>
The optical functional filter of the present invention has the conductive laminate of the present invention. The optical functional filter of the present invention includes a CRT filter, a liquid crystal display filter, a plasma display panel filter, an electroluminescence (EL) display filter, a field emission display (FED) filter, a rear projection television filter, and the like. Is mentioned.

プラズマディスプレイパネル用フィルタにおいては、本発明の導電性積層体以外に、他の層として、防眩性を確保するアンチグレア層、ニュートンリングの発生を抑制するアンチニュートンリング層、色補正層、赤外線カット層、紫外線カット層、ガスバリア層、帯電防止層、電磁波シールド層等を設けてもよい。   In the plasma display panel filter, in addition to the conductive laminate of the present invention, as other layers, an anti-glare layer that ensures anti-glare properties, an anti-Newton ring layer that suppresses the occurrence of Newton rings, a color correction layer, an infrared cut A layer, an ultraviolet cut layer, a gas barrier layer, an antistatic layer, an electromagnetic wave shielding layer, or the like may be provided.

＜光学表示装置＞
本発明の光学表示装置は、本発明の導電性積層体を有するものである。具体的には、ＣＲＴ、液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル等の光学表示装置の前面に、本発明の導電性積層体、または本発明の光学機能性フィルタを設けたものである。 <Optical display device>
The optical display device of the present invention has the conductive laminate of the present invention. Specifically, the conductive laminate of the present invention or the optical functional filter of the present invention is provided on the front surface of an optical display device such as a CRT, a liquid crystal display device, or a plasma display panel.

＜光学物品＞
本発明の光学物品としては、液晶表示装置に用いる光源のリフレクターとして本発明の導電性積層体を用いたものが挙げられる。本発明の光学機能性フィルタ、光学表示装置および光学物品にあっては、湿った布で長時間にわたり、荷重を掛けて擦っても、透明薄膜層と金属薄膜層とが剥がれてしまわず、金属層を含む導電性機能層の性能が長時間持続される。 <Optical article>
Examples of the optical article of the present invention include those using the conductive laminate of the present invention as a reflector of a light source used in a liquid crystal display device. In the optical functional filter, the optical display device and the optical article of the present invention, the transparent thin film layer and the metal thin film layer are not peeled off even when a load is rubbed with a wet cloth for a long time. The performance of the conductive functional layer including the layer is maintained for a long time.

以下、本発明の実施例を具体的に説明する。   Examples of the present invention will be specifically described below.

［実施例１］
基材２である、厚さ８０μｍのトリアセチルセルロースフィルム（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．５１）（以下、ＴＡＣフィルムと記す）上に、電離放射線硬化型アクリル系樹脂をウェットコーティングによって成膜し、物理膜厚５μｍのハードコート層３を形成した。 [Example 1]
An ionizing radiation curable acrylic resin is formed by wet coating on the base material 2, a triacetyl cellulose film having a thickness of 80 μm (refractive index of light having a wavelength of 550 nm of 1.51) (hereinafter referred to as TAC film). Then, a hard coat layer 3 having a physical film thickness of 5 μm was formed.

該ハードコート層成膜済ＴＡＣフィルム上に、図２に示すロール・ツー・ロールの真空成膜装置にて、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６を形成する。図２に示す真空成膜装置の概要を説明する。図２に示す真空成膜装置の概要を説明する。まず、スパッタ・カソード１、２、３、４、５は、ＤＭＳ法及びＰＭＳ法の切り替えが可能であり、本実施例１では、ＤＭＳ法を用いるため、ＤＭＳカソードが配置されており、それぞれのカソードで別々の成膜気圧を設定出来るように仕切りが設けてある。該成膜装置を用いることで、巻出しローラーａにＴＡＣ原反をセットし、巻き取りローラーｂ方向にＴＡＣフィルムを搬送させることで、本発明にて例示した導電性積層体１におけるプライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６全てを１往路のみで積層することが可
能である。 A primer layer 4, a conductive functional layer 5, and a low refractive index transparent thin film layer 6 are formed on the hard coat layer-deposited TAC film by a roll-to-roll vacuum film forming apparatus shown in FIG. An outline of the vacuum film forming apparatus shown in FIG. 2 will be described. An outline of the vacuum film forming apparatus shown in FIG. 2 will be described. First, the sputtering cathodes 1, 2, 3, 4, and 5 can be switched between the DMS method and the PMS method. In this embodiment 1, since the DMS method is used, the DMS cathode is arranged. A partition is provided so that different deposition pressures can be set at the cathode. By using this film forming apparatus, the TAC raw fabric is set on the unwinding roller a, and the TAC film is conveyed in the direction of the winding roller b, whereby the primer layer 4 in the conductive laminate 1 exemplified in the present invention. The conductive functional layer 5 and the low-refractive-index transparent thin film layer 6 can all be laminated in only one outward path.

図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、Ｓｉターゲットが配置されたスパッタカソード１にて、ハードコート層３上に、ＳｉＯｘ をＤＭＳ法により堆積させ、物理膜厚３ｎｍのプライマー層４を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 Using the film forming apparatus shown in FIG. 2, while transporting the TAC film, SiOx is deposited on the hard coat layer 3 by the DMS method on the sputter cathode 1 on which the Si target is arranged, and a primer having a physical film thickness of 3 nm. Layer 4 was formed. At this time, Ar was used as the sputtering gas, O 2 was used as the reactive gas, the flow rates were 200 sccm and 30 sccm, respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

ついで、以下のようにして高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３からなる導電性機能層５を形成した。   Subsequently, the conductive functional layer 5 including the high refractive index transparent thin film layer 11, the metal thin film layer 12, and the high refractive index transparent thin film layer 13 was formed as follows.

図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード２にて、プライマー層４上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＤＭＳ法により堆積させ、物理膜厚２７ｎｍの高屈折率透明薄膜層１１（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 A transparent conductive oxide material (ICO) containing 10 atomic% of cerium in indium is applied to the primer layer 4 on the sputter cathode 2 while the TAC film is conveyed using the film forming apparatus shown in FIG. Thus, a high refractive index transparent thin film layer 11 having a physical film thickness of 27 nm (a refractive index of light having a wavelength of 550 nm of 2.2 and an extinction coefficient of 0.001) was formed. At this time, Ar was used as the sputtering gas, O 2 was used as the reactive gas, the flow rates were 200 sccm and 3 sccm, respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

次に、図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード３にて、高屈折率透明薄膜層１１上に、銀中に金１．５原子％および銅０．５原子％を含有する合金をＤＭＳ法により堆積させ、物理膜厚９ｎｍの金属薄膜層１２（波長５５０ｎｍの光の屈折率０．０９、消衰係数３．５１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒを用い、流量は２００ｓｃｃｍ、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。   Next, using the film forming apparatus shown in FIG. 2, while transporting the TAC film, the sputter cathode 3 was used to deposit 1.5 atomic% of gold in silver and 0.5% of copper on the high refractive index transparent thin film layer 11. An alloy containing atomic% was deposited by the DMS method to form a metal thin film layer 12 having a physical film thickness of 9 nm (a refractive index of light having a wavelength of 550 nm of 0.09 and an extinction coefficient of 3.51). At this time, Ar was used as the sputtering gas, the flow rate was 200 sccm, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

更に、図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード４にて、金属薄膜層１２上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＤＭＳ法により堆積させ、物理膜厚２０ｎｍの高屈折率透明薄膜層１３（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 Further, a transparent conductive oxide material (ICO) containing 10 atomic% of cerium in indium on the metal thin film layer 12 on the sputter cathode 4 while transporting the TAC film using the film forming apparatus shown in FIG. Were deposited by the DMS method to form a high-refractive-index transparent thin film layer 13 having a physical film thickness of 20 nm (a refractive index of light having a wavelength of 550 nm of 2.2 and an extinction coefficient of 0.001). At this time, Ar was used as the sputtering gas, O 2 was used as the reactive gas, the flow rates were 200 sccm and 3 sccm, respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

ついで、図２に示す装置を用いて、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード５にて、高屈折率透明薄膜層１３上に、ＤＭＳ法によりＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。この際、図２中のスパッタカソード５において示される２対のカソードには、それぞれＳｉターゲットが配置されており、該２対のＳｉターゲットが配置されたカソードにサイン波を正負交互に印加するが、その周波数は４０ｋＨｚとした。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が１００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 Next, using the apparatus shown in FIG. 2, while transporting the TAC film, SiO 2 was deposited on the high refractive index transparent thin film layer 13 by the DMS method at the sputter cathode 5 to obtain a low refractive index with a physical film thickness of 40 nm. A transparent thin film layer 6 having a refractive index of 1.46 for light having a wavelength of 550 nm and an extinction coefficient of 0 was formed. At this time, Si targets are respectively arranged on the two pairs of cathodes shown in the sputter cathode 5 in FIG. 2, and sine waves are alternately applied to the cathodes on which the two pairs of Si targets are arranged. The frequency was 40 kHz. Further, the sputtering gas was Ar, the reactive gas was O 2 , the flow rates were 200 sccm for Ar and 100 sccm for O 2 , respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、下記式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、図２に示す真空成膜装置とは別の真空成膜装置を用いて、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着層８を形成し、導電性積層体１を得た。
（ＣＨ3Ｏ）3Ｓｉ−（ＣＨ2）2−Ｏ−（ＣＨ2）2−Ｏ−（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）6−（ＣＨ2）2−Ｏ−（ＣＨ2）2−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3・・・・式（２）
［実施例２］
該ハードコート層成膜済ＴＡＣフィルム上に、図２に示すロール・ツー・ロールの真空成膜装置にて、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６を形成する。 Furthermore, a fluorine-containing silicon compound represented by the following formula (2) is applied to the low refractive index transparent thin film layer 6 by resistance heating using a vacuum film forming apparatus different from the vacuum film forming apparatus shown in FIG. The antifouling layer 7 having a physical film thickness of 6 nm was formed by vacuum deposition. Furthermore, the adhesive layer 8 was formed on the other surface of the TAC film by applying an acrylic adhesive to obtain the conductive laminate 1.
(CH 3 O) 3 Si- ( CH 2) 2 -O- (CH 2) 2 -O- (CF 2 CF 2 CF 2 O) 6 - (CH 2) 2 -O- (CH 2) 2 -Si (OCH 3 ) 3 ... Formula (2)
[Example 2]
A primer layer 4, a conductive functional layer 5, and a low refractive index transparent thin film layer 6 are formed on the hard coat layer-deposited TAC film by a roll-to-roll vacuum film forming apparatus shown in FIG.

図２中のスパッタ・カソード１、２、３、４、５には、それぞれＰＭＳカソードが配置されており、それぞれのカソードで別々の成膜気圧を設定出来るように仕切りが設けてある。   PMS cathodes are arranged on the sputter cathodes 1, 2, 3, 4, and 5 in FIG. 2, respectively, and partitions are provided so that different film formation pressures can be set for each cathode.

図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード１にて、ハードコート層３上に、ＳｉＯｘをＰＭＳ法により堆積させ、物理膜厚３ｎｍのプライマー層４を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 Using the film forming apparatus shown in FIG. 2, while transporting the TAC film, SiOx was deposited on the hard coat layer 3 by the PMS method at the sputter cathode 1 to form a primer layer 4 having a physical film thickness of 3 nm. At this time, Ar was used as the sputtering gas, O 2 was used as the reactive gas, the flow rates were 200 sccm and 30 sccm, respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

ついで、以下のようにして高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３からなる導電性機能層５を形成した。   Subsequently, the conductive functional layer 5 including the high refractive index transparent thin film layer 11, the metal thin film layer 12, and the high refractive index transparent thin film layer 13 was formed as follows.

図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード２にて、プライマー層４上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＰＭＳ法により堆積させ、物理膜厚２７ｎｍの高屈折率透明薄膜層１１（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 A transparent conductive oxide material (ICO) containing 10 atomic% of cerium in indium is formed on the primer layer 4 on the sputter cathode 2 while the TAC film is conveyed using the film forming apparatus shown in FIG. Thus, a high refractive index transparent thin film layer 11 having a physical film thickness of 27 nm (a refractive index of light having a wavelength of 550 nm of 2.2 and an extinction coefficient of 0.001) was formed. At this time, Ar was used as the sputtering gas, O 2 was used as the reactive gas, the flow rates were 200 sccm and 3 sccm, respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

次に、図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード３にて、高屈折率透明薄膜層１１上に、銀中に金１．５原子％および銅０．５原子％を含有する合金をＰＭＳ法により堆積させ、物理膜厚９ｎｍの金属薄膜層１２（波長５５０ｎｍの光の屈折率０．０９、消衰係数３．５１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、流量は２００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。   Next, using the film forming apparatus shown in FIG. 2, while transporting the TAC film, the sputter cathode 3 was used to deposit 1.5 atomic% of gold in silver and 0.5% of copper on the high refractive index transparent thin film layer 11. An alloy containing atomic% was deposited by the PMS method to form a metal thin film layer 12 having a physical film thickness of 9 nm (a refractive index of light having a wavelength of 550 nm of 0.09 and an extinction coefficient of 3.51). At this time, Ar was used as the sputtering gas, the flow rate was 200 sccm, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

更に、図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード４にて、金属薄膜層１２上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＰＭＳ法により堆積させ、物理膜厚２０ｎｍの高屈折率透明薄膜層１３（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 Further, a transparent conductive oxide material (ICO) containing 10 atomic% of cerium in indium on the metal thin film layer 12 on the sputter cathode 4 while transporting the TAC film using the film forming apparatus shown in FIG. Were deposited by the PMS method to form a high-refractive-index transparent thin film layer 13 having a physical film thickness of 20 nm (a refractive index of light having a wavelength of 550 nm of 2.2 and an extinction coefficient of 0.001). At this time, Ar was used as the sputtering gas, O 2 was used as the reactive gas, the flow rates were 200 sccm and 3 sccm, respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

ついで、図２に示す装置を用いて、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード５にて、高屈折率透明薄膜層１３上に、ＰＭＳ法によりＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。この際、図２中のスパッタカソード５において示される２対のカソードには、それぞれＳｉターゲットが配置されており、該２対のＳｉターゲットが配置されたカソードにＤＣパルス波を正負交互に印加するが、その周波数は４０ｋＨｚとした。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が１００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 Next, using the apparatus shown in FIG. 2, while transporting the TAC film, SiO 2 is deposited on the high refractive index transparent thin film layer 13 by the sputtering cathode 5 by the PMS method, and the low refractive index having a physical film thickness of 40 nm is obtained. A transparent thin film layer 6 having a refractive index of 1.46 for light having a wavelength of 550 nm and an extinction coefficient of 0 was formed. At this time, Si targets are respectively disposed on the two pairs of cathodes shown in the sputter cathode 5 in FIG. 2, and DC pulse waves are alternately applied to the cathodes on which the two pairs of Si targets are disposed. However, the frequency was 40 kHz. Further, the sputtering gas was Ar, the reactive gas was O 2 , the flow rates were 200 sccm for Ar and 100 sccm for O 2 , respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、上記式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、図２に示す真空成膜装置とは別の真空成膜装置を用いて、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着層８を形成し、導電性積層体１を得た。   Further, the fluorine-containing silicon compound represented by the above formula (2) is applied to the low refractive index transparent thin film layer 6 by resistance heating using a vacuum film forming apparatus different from the vacuum film forming apparatus shown in FIG. The antifouling layer 7 having a physical film thickness of 6 nm was formed by vacuum deposition. Furthermore, the adhesive layer 8 was formed on the other surface of the TAC film by applying an acrylic adhesive to obtain the conductive laminate 1.

［実施例３］
該ハードコート層成膜済ＴＡＣフィルム上に、図３に示すロール・ツー・ロールの真空成膜装置にて、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６を形成する。 [Example 3]
The primer layer 4, the conductive functional layer 5, and the low refractive index transparent thin film layer 6 are formed on the hard coat layer-deposited TAC film by a roll-to-roll vacuum film forming apparatus shown in FIG.

図２に示す真空成膜装置の概要を説明する。図２に示す真空成膜装置の概要を説明する。まず、スパッタ・カソード１、７にはＲＦマグネトロン・スパッタカソードを、スパッタ・カソード２、３、４にはＤＣマグネトロン・スパッタ・カソードを、スパッタ・カソード５にはＤＭＳカソードを、スパッタ・カソード６にはＰＭＳカソードを配置してあり、それぞれのカソードで成膜気圧を設定出来るように仕切りが設けてある。該成膜装置を用いることで、巻出しローラーａにＴＡＣ原反をセットし、巻き取りローラーｂ方向にＴＡＣフィルムを搬送させることで、本発明にて例示した導電性積層体１におけるプライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６全てを１往路のみで積層することが可能である。   An outline of the vacuum film forming apparatus shown in FIG. 2 will be described. An outline of the vacuum film forming apparatus shown in FIG. 2 will be described. First, RF magnetron sputter cathode is used for the sputter cathodes 1 and 7, DC magnetron sputter cathode is used for the sputter cathodes 2, 3 and 4, DMS cathode is used for the sputter cathode 5, and sputter cathode 6 is used. PMS cathodes are arranged, and partitions are provided so that the film formation pressure can be set at each cathode. By using this film forming apparatus, the TAC raw fabric is set on the unwinding roller a, and the TAC film is conveyed in the direction of the winding roller b, whereby the primer layer 4 in the conductive laminate 1 exemplified in the present invention. The conductive functional layer 5 and the low-refractive-index transparent thin film layer 6 can all be laminated in only one outward path.

図３に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード１にて、ハードコート層３上に、ＳｉＯｘをＲＦマグネトロン・スパッタリング法により堆積させ、物理膜厚３ｎｍのプライマー層４を形成した。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が３０ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 Using the film forming apparatus shown in FIG. 3, while transporting the TAC film, SiOx is deposited on the hard coat layer 3 by the sputtering magnet 1 by the RF magnetron sputtering method, and the primer layer 4 having a physical film thickness of 3 nm is formed. Formed. Further, the sputtering gas was Ar, the reactive gas was O 2 , the flow rates were 200 sccm for Ar, 30 sccm for O 2 , and the film formation pressure was 0.3 Pa.

ついで、以下のようにして高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３からなる導電性機能層５を形成した。   Subsequently, the conductive functional layer 5 including the high refractive index transparent thin film layer 11, the metal thin film layer 12, and the high refractive index transparent thin film layer 13 was formed as follows.

図３に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード２にて、プライマー層４上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＤＣマグネトロン・スパッタリング法により堆積させ、物理膜厚２７ｎｍの高屈折率透明薄膜層１１（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 A transparent conductive oxide material (ICO) containing 10 atomic% of cerium in indium is applied on the primer layer 4 on the sputter cathode 2 while the TAC film is conveyed using the film forming apparatus shown in FIG. A high refractive index transparent thin film layer 11 having a physical film thickness of 27 nm (refractive index of light having a wavelength of 550 nm, 2.2, extinction coefficient of 0.001) was formed by sputtering. At this time, Ar was used as the sputtering gas, O 2 was used as the reactive gas, the flow rates were 200 sccm and 3 sccm, respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

次に、図３に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード３にて、高屈折率透明薄膜層１１上に、銀中に金１．５原子％および銅０．５原子％を含有する合金をＤＣマグネトロン・スパッタリング法により堆積させ、物理膜厚９ｎｍの金属薄膜層１２（波長５５０ｎｍの光の屈折率０．０９、消衰係数３．５１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、流量は２００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。   Next, using the film forming apparatus shown in FIG. 3, while transporting the TAC film, the sputter cathode 3 was used to deposit 1.5 atomic% of gold in silver and 0.5% of copper on the high refractive index transparent thin film layer 11. An alloy containing atomic% was deposited by a DC magnetron sputtering method to form a metal thin film layer 12 having a physical thickness of 9 nm (refractive index of light having a wavelength of 550 nm of 0.09, extinction coefficient of 3.51). At this time, Ar was used as the sputtering gas, the flow rate was 200 sccm, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

更に、図３に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード４にて、金属薄膜層１２上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＤＣマグネトロン・スパッタリング法により堆積させ、物理膜厚２０ｎｍの高屈折率透明薄膜層１３（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 Further, a transparent conductive oxide material (ICO) containing 10 atomic% of cerium in indium on the metal thin film layer 12 on the sputter cathode 4 while transporting the TAC film using the film forming apparatus shown in FIG. Were deposited by a DC magnetron sputtering method to form a high refractive index transparent thin film layer 13 having a physical film thickness of 20 nm (a refractive index of light having a wavelength of 550 nm of 2.2 and an extinction coefficient of 0.001). At this time, Ar was used as the sputtering gas, O 2 was used as the reactive gas, the flow rates were 200 sccm and 3 sccm, respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

ついで、図３に示す装置を用いて、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード５にて、高屈折率透明薄膜層１３上に、ＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。図３中のスパッタカソード５において示される２対のカソードには、それぞれＳｉターゲットが配置されており、該２対のＳｉターゲットが配置されたカソードにサイン波を正負交互に印加するが、その周波数は４０ｋＨｚとした。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が１００ｓｃｃｍであり、成
膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 Next, using the apparatus shown in FIG. 3, while transporting the TAC film, SiO 2 is deposited on the high refractive index transparent thin film layer 13 at the sputter cathode 5 to form a low refractive index transparent thin film having a physical film thickness of 40 nm. Layer 6 (refractive index of light with a wavelength of 550 nm 1.46, extinction coefficient 0) was formed. Si targets are respectively arranged on the two pairs of cathodes shown in the sputter cathode 5 in FIG. 3, and sine waves are alternately applied to the cathodes on which the two pairs of Si targets are arranged. Was 40 kHz. Further, the sputtering gas was Ar, the reactive gas was O 2 , the flow rates were 200 sccm for Ar and 100 sccm for O 2 , respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、上記式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、図２に示す真空成膜装置とは別の真空成膜装置を用いて、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着層８を形成し、導電性積層体１を得た。   Further, the fluorine-containing silicon compound represented by the above formula (2) is applied to the low refractive index transparent thin film layer 6 by resistance heating using a vacuum film forming apparatus different from the vacuum film forming apparatus shown in FIG. The antifouling layer 7 having a physical film thickness of 6 nm was formed by vacuum deposition. Furthermore, the adhesive layer 8 was formed on the other surface of the TAC film by applying an acrylic adhesive to obtain the conductive laminate 1.

［実施例４］
実施例３と同様の手段により、プライマー層４、高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３の成膜を行ない、スパッタカソード６にて、高屈折率透明薄膜層１３上に、ＰＭＳ法を用いてＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。図２中のスパッタカソード５において示される２対のカソードには、それぞれＳｉターゲットが配置されており、該２対のＳｉターゲットが配置されたカソードに正負交互にＤＣパルス波の電圧を印加するが、その周波数は４０ｋＨｚとした。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が１００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 [Example 4]
The primer layer 4, the high refractive index transparent thin film layer 11, the metal thin film layer 12, and the high refractive index transparent thin film layer 13 are formed by the same means as in Example 3, and the high refractive index is transparent at the sputter cathode 6. On the thin film layer 13, SiO 2 was deposited using the PMS method to form a low refractive index transparent thin film layer 6 having a physical film thickness of 40 nm (a refractive index of 1.46 for light having a wavelength of 550 nm and an extinction coefficient of 0). In each of the two pairs of cathodes shown in the sputter cathode 5 in FIG. 2, Si targets are arranged, and a DC pulse wave voltage is applied alternately to the cathode on which the two pairs of Si targets are arranged. The frequency was 40 kHz. Further, the sputtering gas was Ar, the reactive gas was O 2 , the flow rates were 200 sccm for Ar and 100 sccm for O 2 , respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、上式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、実施例１と同様に、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着層８を形成し、導電性積層体１を得た。   Further, a fluorine-containing silicon compound represented by the above formula (2) is deposited on the low-refractive-index transparent thin film layer 6 by a vacuum evaporation method using resistance heating in the same manner as in Example 1 to prevent the physical film thickness of 6 nm. A dirty layer 7 was formed. Furthermore, the adhesive layer 8 was formed on the other surface of the TAC film by applying an acrylic adhesive to obtain the conductive laminate 1.

［比較例１］
実施例３と同様の手段により、プライマー層４、高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３の成膜を行ない、スパッタカソード７にて、高屈折率透明薄膜層１３上に、ＲＦマグネトロン・スパッタリング法を用いてＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。 [Comparative Example 1]
The primer layer 4, the high refractive index transparent thin film layer 11, the metal thin film layer 12, and the high refractive index transparent thin film layer 13 are formed by the same means as in Example 3, and the high refractive index is transparent at the sputter cathode 7. SiO 2 is deposited on the thin film layer 13 by RF magnetron sputtering, and a low refractive index transparent thin film layer 6 having a physical film thickness of 40 nm (a refractive index of 1.46 for light having a wavelength of 550 nm and an extinction coefficient of 0) is formed. Formed.

ＲＦマグネトロンスパッタリングの周波数は１３．５６ＭＨｚとした。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が１００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。 The frequency of RF magnetron sputtering was 13.56 MHz. Further, the sputtering gas was Ar, the reactive gas was O 2 , the flow rates were 200 sccm for Ar and 100 sccm for O 2 , respectively, and the film formation pressure was 0.3 Pa.

さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、上式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、
実施例１と同様に、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着層８を形成し、導電性積層体１を得た。 Furthermore, a fluorine-containing silicon compound represented by the above formula (2) is formed on the low refractive index transparent thin film layer 6.
In the same manner as in Example 1, the antifouling layer 7 having a physical film thickness of 6 nm was formed by vacuum deposition using resistance heating. Furthermore, the adhesive layer 8 was formed on the other surface of the TAC film by applying an acrylic adhesive to obtain the conductive laminate 1.

［比較例２］
実施例３と同様の手段により、プライマー層４、高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３の成膜を行なった後、図２に示すロール・ツー・ロール型真空成膜装置とは別のロール・ツー・ロール型真空成膜装置を用いて、高屈折率透明薄膜層１３上に、電子ビーム蒸着法を用いてＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。 [Comparative Example 2]
After the primer layer 4, the high refractive index transparent thin film layer 11, the metal thin film layer 12, and the high refractive index transparent thin film layer 13 are formed by the same means as in Example 3, the roll-to- Using a roll-to-roll type vacuum film forming apparatus different from the roll type vacuum film forming apparatus, SiO 2 is deposited on the high refractive index transparent thin film layer 13 by using an electron beam evaporation method to obtain a physical film thickness. A 40 nm low-refractive-index transparent thin film layer 6 (a refractive index of 1.46 light having a wavelength of 550 nm and an extinction coefficient of 0) was formed.

さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、上式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、
実施例１と同様に、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着
層８を形成し、導電性積層体１を得た。 Furthermore, a fluorine-containing silicon compound represented by the above formula (2) is formed on the low refractive index transparent thin film layer 6.
In the same manner as in Example 1, the antifouling layer 7 having a physical film thickness of 6 nm was formed by vacuum deposition using resistance heating. Furthermore, the adhesive layer 8 was formed on the other surface of the TAC film by applying an acrylic adhesive to obtain the conductive laminate 1.

＜評価＞
実施例１、２、３、４および比較例１、比較例２で得られた導電性積層体１について、以下の評価を行った。結果を表１〜３に示す。 <Evaluation>
The following evaluation was performed on the conductive laminate 1 obtained in Examples 1, 2, 3, 4 and Comparative Examples 1 and 2. The results are shown in Tables 1-3.

（１）耐湿布擦傷試験Ａ
実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、比較例１、比較例２によって成膜したサンプルに対し、純水を十分に染み込ませたクリーンウェス（ＧＵＡＲＤＮＥＲ ＣＯ．，Ｌｔｄ製ＣＬＥＡＮＲＯＯＭ ＷＩＰＥＲ）を擦傷試験機（ＴＥＳＴＥＲ ＳＡＮＧＹＯ ＣＯ．，Ｌｔｄ製 学振型摩擦堅牢度試験機ＡＢ−３０１）に固定し、５００ｇｆの荷重を掛けて、１００、２００、３００、４００、５００往復の擦傷試験を各サンプルに対して、それぞれ行ない、サンプルの磨耗状態を光学顕微鏡にて観察する。この際、高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面で層間剥離が起きた結果の磨耗であるかどうかについて、磨耗部をレンズ反射測定機（ＯＬＹＭＰＵＳ社製ＵＳＰＭ−ＲＵ）にてスポットサイズ１２．５μｍを測定し、得られる分光カーブより確認した（表１）。 (1) Wet cloth abrasion test A
Clean Wes (GUARDNER CO., Ltd. CLEANROOM WIPER manufactured by GUARDNER CO., Ltd.) in which the samples formed in Example 1, Example 2, Example 3, Example 4, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 were sufficiently impregnated with pure water. ) Is fixed to a scratch testing machine (Gakushoku-type friction fastness tester AB-301 manufactured by TESTER SANGYO CO., Ltd.), a load of 500 gf is applied, and a 100, 200, 300, 400, 500 round-trip scratch test is performed. This is performed for each sample, and the wear state of the sample is observed with an optical microscope. At this time, whether or not the wear is a result of delamination at the interface between the high refractive index thin film layer 11 / metal thin film layer 12 and the interface between the metal thin film layer 12 / high refractive index thin film layer 13 is determined by using a lens reflection measuring device. A spot size of 12.5 μm was measured by (USPM-RU manufactured by OLYMPUS) and confirmed from the obtained spectral curve (Table 1).

（２）耐湿布擦傷試験Ｂ
実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、比較例１、比較例２によって成膜したサンプルに対し、鉱物系油剤及び非イオン系界面活性剤を含んだ化学雑巾（大日本除虫菊株式会社製サッサ）を擦傷試験機（ＴＥＳＴＥＲ ＳＡＮＧＹＯ ＣＯ．，Ｌｔｄ製 学振型摩擦堅牢度試験機ＡＢ−３０１）に固定し、５００ｇｆの荷重を掛けて、１００、２００、３００、４００、５００往復の擦傷試験を各サンプルに対して、それぞれ行ない、サンプルの磨耗状態を光学顕微鏡にて観察する。この際、高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面で層間剥離が起きた結果の磨耗であるかどうかについて、磨耗部をレンズ反射測定機（ＯＬＹＭＰＵＳ社製ＵＳＰＭ−ＲＵ）にてスポットサイズ１２．５μｍを測定し、得られる分光カーブより確認した（表２）。 (2) Wet cloth abrasion test B
For the samples formed according to Example 1, Example 2, Example 3, Example 4, Comparative Example 1 and Comparative Example 2, a chemical cloth containing a mineral oil agent and a nonionic surfactant (Dainipaku Chrysanthemum) Sassa Co., Ltd.) is fixed to an abrasion tester (Gakushoku-type friction fastness tester AB-301 manufactured by TESTER SANGYO CO., Ltd.), applied with a load of 500 gf, and reciprocated 100, 200, 300, 400, 500 The scratch test is performed on each sample, and the wear state of the sample is observed with an optical microscope. At this time, whether or not the wear is a result of delamination at the interface between the high refractive index thin film layer 11 / metal thin film layer 12 and the interface between the metal thin film layer 12 / high refractive index thin film layer 13 is determined by using a lens reflection measuring device. A spot size of 12.5 μm was measured by (USPM-RU manufactured by OLYMPUS) and confirmed from the obtained spectral curve (Table 2).

（３）薄膜強度試験
特許第３５６２０７０号記載の薄膜強度評価装置を用いて、実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、比較例１、比較例２にて作成したサンプルの薄膜部のヤング率（ＧＰａ）を測定する（表３）。 (3) Thin film strength test Sample thin films prepared in Example 1, Example 2, Example 3, Example 4, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 using the thin film strength evaluation apparatus described in Japanese Patent No. 3562070. The Young's modulus (GPa) of the part is measured (Table 3).

Figure 2007168279
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（１）（２）の評価における比較例１、比較例２のサンプルについて、磨耗が発生した箇所をレンズ反射測定機（ＯＬＹＭＰＵＳ社製ＵＳＰＭ−ＲＵ）にて測定した結果、得られる分光カーブより、表１、表２にて「傷多数」「膜剥離」と示した条件では、高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面で層間剥離が起きていることが確認出来た。また、特に「膜剥離」と示した条件では、高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面での層間剥離が完全に起きており、分光カーブからは、ハードコート層３ないしプライマー層４ないし高屈折率薄膜層１１までしか確認されなかった。   (1) About the sample of the comparative example 1 and the comparative example 2 in evaluation of (2), as a result of measuring the location where abrasion occurred with a lens reflection measuring device (USPM-RU manufactured by OLYMPUS), from the obtained spectral curve, In the conditions shown in Tables 1 and 2 as “many scratches” and “film separation”, delamination occurs at the interface between the high refractive index thin film layer 11 / metal thin film layer 12 and at the interface between metal thin film layer 12 / high refractive index thin film layer 13 I was able to confirm that it was happening. In particular, delamination at the interface between the high refractive index thin film layer 11 and the metal thin film layer 12 occurred completely under the condition indicated as “film peeling”. From the spectral curve, the hard coat layer 3 to the primer layer 4 to Only the high refractive index thin film layer 11 was confirmed.

一方、（１）（２）の評価における実施例１、実施例２、実施例３、実施例４のサンプ
ルについては、膜自体に傷がついておらず、高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面で層間剥離が起きいないことが確認出来た。 On the other hand, with respect to the samples of Example 1, Example 2, Example 3, and Example 4 in the evaluations of (1) and (2), the film itself is not damaged, and the high refractive index thin film layer 11 / metal thin film layer It was confirmed that no delamination occurred at the 12 interface and the metal thin film layer 12 / high refractive index thin film layer 13 interface.

本実施例１、２の導電性積層体１におけるスパッタ成膜層全てがＤＭＳ法、またはＰＭＳ法である場合、もしくは、本実施例２、３の導電性積層体１におけるスパッタ成膜層の内、基材から最も遠い低屈折率透明薄膜層６がＤＭＳ法、またはＰＭＳ法である場合は、ＤＭＳ法、ＰＭＳ法成膜層がＤＣ、ＲＦのマグネトロン・スパッタ膜、電子ビーム蒸着法と比較して緻密であるため、湿布擦傷試験に対し傷が入りにくく、結果として高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面での密着力が弱くても、剥離していないことが確認された。   When all the sputtered film formation layers in the conductive laminates 1 of the first and second embodiments are the DMS method or the PMS method, or among the sputtered film formation layers in the conductive laminates 1 of the second and third embodiments In the case where the low refractive index transparent thin film layer 6 farthest from the substrate is the DMS method or the PMS method, the DMS method or the PMS method film formation layer is compared with the DC or RF magnetron / sputtered film or the electron beam evaporation method. Because of its high density, it is difficult for scratches to be applied to the poultice scratch test. As a result, the adhesion at the interfaces of the high refractive index thin film layer 11 / metal thin film layer 12 and the metal thin film layer 12 / high refractive index thin film layer 13 is weak. It was also confirmed that no peeling occurred.

これは、評価（３）の導電性積層体１における薄膜のヤング率測定結果より確認することが出来る。低屈折率透明薄膜層６をＲＦマグネトロン・スパッタリング法、電子ビーム蒸着法により成膜した比較例１、比較例２の薄膜のヤング率は、低屈折率透明薄膜層６のみをＤＭＳ法、ＰＭＳ法で成膜した実施例３、実施例４の薄膜のヤング率より低く、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６全てをＤＭＳ法、ＰＭＳ法で成膜した実施例１、実施例２のヤング率が最も高いことが確認出来る。本実施例、比較例より、薄膜のヤング率が少なくとも７５ＧＰａ以上であれば、湿布擦傷試験に対し傷が入りにくく、結果として高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面での密着力が弱くても、剥離しないことが確認された。   This can be confirmed from the Young's modulus measurement result of the thin film in the conductive laminate 1 of the evaluation (3). The Young's modulus of the thin films of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 in which the low-refractive-index transparent thin film layer 6 is formed by RF magnetron sputtering or electron beam evaporation is used for the low-refractive-index transparent thin film layer 6 only in the DMS method or PMS method. Example 3 and Example 1 in which the primer layer 4, the conductive functional layer 5, and the low refractive index transparent thin film layer 6 were all formed by the DMS method and the PMS method. It can be confirmed that the Young's modulus of Example 2 is the highest. From this example and the comparative example, if the Young's modulus of the thin film is at least 75 GPa or more, scratches are difficult to enter in the compressive scratch test, and as a result, the interface between the high refractive index thin film layer 11 / metal thin film layer 12 and the metal thin film layer 12 / It was confirmed that even if the adhesion at the interface of the high refractive index thin film layer 13 was weak, it did not peel.

本発明の導電性積層体は、ＣＲＴ、液晶表示装置、ＰＤＰ等の光学表示装置の前面に設けられるフィルタとして有用であり、前面に導電性積層体からなるフィルタを備えた光学表示装置（ディスプレイ）を提供できる。   The conductive laminate of the present invention is useful as a filter provided on the front surface of an optical display device such as a CRT, a liquid crystal display device, or a PDP, and an optical display device (display) having a filter made of a conductive laminate on the front surface. Can provide.

本発明の導電性積層体の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the electroconductive laminated body of this invention. 本発明の導電性積層体を成膜するロール・ツー・ロール型真空成膜装置の概略模式図である。It is a schematic diagram of the roll-to-roll type vacuum film-forming apparatus which forms the conductive laminated body of this invention into a film. 本発明の導電性積層体を成膜するロール・ツー・ロール型真空成膜装置の概略模式図である。It is a schematic diagram of the roll-to-roll type vacuum film-forming apparatus which forms the conductive laminated body of this invention into a film.

符号の説明Explanation of symbols

１ 導電性積層体
２ 基材
５ 導電性機能層
７ 防汚層
１１ 高屈折率透明薄膜層（透明金属化合物層）
１２ 金属薄膜層（金属層）
１３ 高屈折率透明薄膜層（透明金属化合物層） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conductive laminated body 2 Base material 5 Conductive functional layer 7 Antifouling layer 11 High refractive index transparent thin film layer (transparent metal compound layer)
12 Metal thin film layer (metal layer)
13 High refractive index transparent thin film layer (transparent metal compound layer)

Claims (6)

少なくとも基材上に、金属薄膜層および金属酸化物層を積層してなる導電性多層膜を有し、最上層に防汚層を設けてなる導電性積層体であって、
前記導電性多層膜のヤング率が７５ＧＰａ以上であることを特徴とする導電性積層体。 It has a conductive multilayer film formed by laminating a metal thin film layer and a metal oxide layer on at least a substrate, and is a conductive laminate formed by providing an antifouling layer as the uppermost layer,
A conductive laminate, wherein the conductive multilayer film has a Young's modulus of 75 GPa or more. 前記導電性多層膜が、高屈折率金属酸化物層／金属薄膜層／高屈折率金属酸化物層を設けてなることを特徴とする請求項１記載の導電性積層体。   2. The conductive laminate according to claim 1, wherein the conductive multilayer film is provided with a high refractive index metal oxide layer / metal thin film layer / high refractive index metal oxide layer. 前記金属薄膜層が、銀または銀を含む合金であることを特徴とする請求項１または２記載の導電性積層体。   The conductive laminate according to claim 1, wherein the metal thin film layer is silver or an alloy containing silver. 前記導電性多層膜と防汚層の間に、低屈折率層を設けてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性積層体。   The conductive laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein a low refractive index layer is provided between the conductive multilayer film and the antifouling layer. 前記防汚層がフッ素含有珪素化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性積層体。   The conductive laminate according to any one of claims 1 to 4, wherein the antifouling layer is a fluorine-containing silicon compound. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性積層体をディスプレイの前面に設けたことを特徴とするディスプレイ。   A display comprising the conductive laminate according to claim 1 provided on a front surface of the display.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012158096A (en) * 2011-01-31 2012-08-23 Dainippon Printing Co Ltd Gas barrier sheet and method for producing the same
WO2015194587A1 (en) * 2014-06-18 2015-12-23 ジオマテック株式会社 Laminate, method for manufacturing same, and electronic device

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