JP2007164391A

JP2007164391A - メモリカードおよびその制御方法

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Publication number: JP2007164391A
Application number: JP2005358480A
Authority: JP
Inventors: Shingo Aso; 伸吾麻生
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2005-12-13
Filing date: 2005-12-13
Publication date: 2007-06-28

Abstract

【課題】迅速で効率のよいデータ書き換え動作を実行でき、媒体の寿命改善にも寄与できるメモリカードおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】ブロックＡに既存ファイルのデータ２１１、２１２、２１３が書き込まれており、そのうちのデータ２１２だけを書き換えたい場合である。
本実施の形態のデータ管理システムでは、まず一時書き換え管理ブロックとしてのブロックＢを用意する。なお、ブロックＡに既に一時書き換え管理ブロックが設定されている場合には、そのブロックを用いる。そして、データ２１２に替わるデータ２１２´をブロックＢに書き込む。また、この動作と前後して管理メモリ１５０に一時書き換え管理ブロックデータに必要なデータを書き込む。そして、書き換えないデータ２１１、２１３と書き換えたデータ２１２´を更新後のファイルのデータとして扱う。
【選択図】図４

Description

本発明は、各種形態で提供されるメモリカードに関し、特にデータ管理システムを改良したメモリカードおよびその制御方法に関する。

従来、各種のメモリカードが提供されている。このメモリカードでは、パーソナルコンピュータや映像機器等のホスト装置に挿着され、ホスト装置側のファイル管理システム（例えばＦＡＴシステム等）によってファイルの書き込み、読み出しの管理が行われる（特許文献１参照）。
また、メモリカード内部では、ホスト装置側のシステム（ホストシステム）に連動して動作するデータ管理システムが搭載されており、ホストシステム側に対応する論理アドレス空間とメモリ素子側に対応した物理アドレス空間との間でのデータの受け渡しや、メモリ素子へのデータの書き込み、読み出し等を管理している。
また、一般的なデータ管理システムでは、メモリ素子内の物理領域の消去単位をブロックとし、そのブロック内のデータ書き込み単位をページとして管理している。

ところで、このようなメモリカードに利用されるメモリ素子としては、例えばフラッシュメモリ等のように、データの上書きが直接できない（すなわち、一度消去した後に書き込みが可能となる）不揮発性半導体メモリ素子が知られている。
そして、このようなメモリ素子を用いたメモリカードでは、あるブロックに書き込んだデータの一部を書き換える場合、まず、そのブロック内の書き換えないデータを別のブロックにコピーした後、この別のブロックに新たに更新するデータを書き込み、最後に元のブロックを消去するような動作を行っていた。

図１３はこのようなデータ書き換え動作を示す図であり、メモリ素子内の２つのブロック（物理領域）Ａ、Ｂを示している。
まず、ブロックＡには既存ファイルのデータ１１、１２、１３が書き込まれている。
そして、このデータ１１、１２、１３のうち、データ１２だけをデータ１２´に書き換えたい場合、書き換えないデータ１１、１３を読み出してブロックＢにコピーする。
次いで、データ１２の代わりに新たなデータ１２´をブロックＢに書き込み、最後にブロックＡのデータを消去することにより、一部更新処理を完了する。
特開２００３−３０８２４１号公報

しかしながら、上述のような書き換え方式を用いた場合、データの書き込みや消去の動作回数が多くなり、処理速度が大幅に減少するという問題がある。また、データを書き換える度に消去動作が伴うため、媒体の種類によっては消耗も大きくなり、メモリカードの寿命も短くなるという問題がある。

本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、その目的は、迅速で効率のよいデータ書き換え動作を実行でき、媒体の寿命改善にも寄与できるメモリカードおよびその制御方法を提供することを目的とする。

上述の目的を達成するため、本発明のメモリカードは、メモリ領域が消去単位である複数のブロックに分割され、かつ、前記ブロック内が読み出し単位である複数のページに分割されるメモリ素子と、前記メモリ素子のアドレスを管理するアドレス管理部と、前記アドレス管理部の情報に基づいて前記メモリ素子に対するデータの書き込み、および読み出しを制御するメモリ制御部とを有し、前記メモリ制御部は、メモリ素子の第１のブロックに書き込まれたデータの一部を書き換える場合に、一時書き込み管理用の第２のブロックを設定し、書き換え用のデータを第２のブロックに新規に書き込み、書き換えに関するアドレス情報をアドレス管理部に登録することにより、第１のブロックの書き換えないデータと第２のブロックの新規の書き込みデータとを書き換え後のデータとして管理することを特徴とする。

また本発明のメモリカードの制御方法は、メモリ領域が消去単位である複数のブロックに分割され、かつ、前記ブロック内が読み出し単位である複数のページに分割されるメモリ素子と、前記メモリ素子のアドレスを管理するアドレス管理部と、前記アドレス管理部の情報に基づいて前記メモリ素子に対するデータの書き込み、および読み出しを制御するメモリ制御部とを有するメモリカードの制御方法であって、前記メモリ素子の第１のブロックに書き込まれたデータの一部を書き換える場合に、一時書き込み管理用の第２のブロックを設定するステップと、書き換え用のデータを第２のブロックに新規に書き込むステップと、書き換えに関するアドレス情報をアドレス管理部に登録するステップと、第１のブロックの書き換えないデータと第２のブロックの新規の書き込みデータとを書き換え後のデータとして管理するステップとを有することを特徴とする。

本発明のメモリカードおよびその制御方法によれば、メモリ素子の第１のブロックに書き込まれたデータの一部を書き換える場合に、一時書き込み管理用の第２のブロックを設定し、書き換え用のデータを第２のブロックに新規に書き込み、書き換えに関するアドレス情報をアドレス管理部に登録することにより、第１のブロックの書き換えないデータと第２のブロックの新規の書き込みデータとを書き換え後のデータとして管理することから、メモリカードのデータの書き換えを行う場合に、メモリ素子に対する消去回数を削減でき、書き換え処理速度を向上できるとともに、メモリ素子（特に不揮発性半導体メモリ）の損耗を抑制して寿命の向上を図ることが可能となる。
また、第２のブロックが既に設定されている第１のブロックのデータの一部をさらに書き換える場合に、書き換え用のデータを第２のブロックに新規に書き込むようにし、また、第２のブロックに書き込んだデータを書き換える場合に、書き換え用のデータを第２のブロックに新規に書き込むようにしたことから、繰り返し生じる書き換え動作を最小のブロック数を用いて効率よく処理できる。
また、第２のブロックの空き容量が少なくなり、書き換え用のデータを書き込めなくなった場合に、第１のブロックおよび第２のブロックの書き換えないデータを第３のブロックにコピーするとともに、書き換え用のデータを第３のブロックに新規に書き込み、第１のブロックおよび第２のブロックのデータを消去するようにしたことから、繰り返し生じる書き換え動作を最小のブロック数を用いて継続的に処理することができる。

図１は本発明の実施の形態によるメモリカードの構成を示すブロック図である。
図示のように、本実施の形態のメモリカードは、ホスト装置とのインターフェースを取るためのホストインターフェース部１００と、本実施の形態の特徴となるデータ管理システムを含むメモリカード全体のシステムを制御するＣＰＵ１１０と、データを記録する不揮発性半導体メモリ素子としてのフラッシュメモリ１２０と、このフラッシュメモリ１２０とＣＰＵ１１０とのインターフェースをとるフラッシュメモリインターフェース部１３０と、ホスト装置側のファイルシステムに対応する論理アドレスとフラッシュメモリに対応する物理アドレスとの変換を行うアドレス変換テーブル１４０と、フラッシュメモリの各ブロックに対して書き換えデータが存在する場合に、その状況やアドレスを管理する一時書き換え管理ブロックデータを格納する管理メモリ１５０とを有する。
なお、本実施の形態においては、主にＣＰＵ１１０がメモリ制御部として機能する。また、主にアドレス変換テーブル１４０および管理メモリ１５０がアドレス管理部を構成している。

図２はアドレス変換テーブル１４０と管理メモリ１５０の構成を示す説明図である。
図２に示すように、アドレス変換テーブル１４０は、ファイルシステムで用いる論理アドレスとフラッシュメモリ側で用いる物理アドレスを対応させたテーブルである。
このアドレス変換テーブル１４０は、本実施の形態のメモリカードでは、既に利用されている物理ブロックに対して一部のデータを書き換える場合、他の物理ブロックを一時書き換え管理ブロックとして利用し、この一時書き換え管理ブロックに新規の書き込みデータを必要に応じて順次に書き込んでいき、読み出しの際にはアドレス制御によって元のブロックと一時書き換え管理用のブロックとを併用して最新のデータを読み出すような管理を行う。
そこで、このような一時書き換え管理用のブロックと元のブロックとを併用する制御に必要な情報が一時書き換え管理ブロックデータであり、管理メモリ１５０は、この一時書き換え管理ブロックデータを格納したものである。
この一時書き換え管理ブロックデータは、各論理アドレスに対応する物理ブロックに部分的な書き換えデータが存在する場合に設けられ、論理アドレスに対応して設けられている。

図３は一時書き換え管理ブロックデータの構成例を示す説明図である。
この一時書き換え管理ブロックデータは、データの書き換えに関するアドレス情報やその他のメモリ管理に必要な情報を構成するものであり、図示の例では、一時書き換え管理ブロックが存在することを示す一時書き換え管理ブロックフラグ１５１、どの論理アドレスで一時書き換え管理ブロックを使用しているかを示す論理ブロックアドレスデータ１５２、どの物理アドレスに一時書き換え管理ブロックが割り当てられているかを示す物理ブロックアドレスデータ１５３、使用されている一時書き換え管理ブロックの空きページ数のデータ１５４、使用されている一時書き換え管理ブロック内での論理ページアドレスと物理ページアドレスの対応関係を示す変換テーブルデータ１５５等が含まれる。
このうち、一時書き換え管理ブロックフラグ１５１はデータ管理システム全体で共有するフラグであり、このフラグを参照することで、１つでも一時書き換え管理ブロックが存在する場合には、それ以降の一時書き換え管理ブロックデータを探す処理を実行し、逆に全く一時書き換え管理ブロックが存在しない場合には、それ以降の一時書き換え管理ブロックデータに対する処理を全て省略できるようにし、無駄な処理をなくして効率化を図るためのものである。
また、一時書き換え管理ブロックフラグ以外のデータは、使用されているそれぞれの一時書き換え管理ブロックに対応して設けられ、適宜に追加更新されるデータである。
なお、アドレス変換テーブル１４０や管理メモリ１５０は、図１では独立したメモリ領域として示しているが、フラッシュメモリ内に確保してもよいし、他の処理を行うＲＡＭ等に確保してもよい。

以下、本実施の形態のメモリカードにおけるデータ書き換え時の動作について説明する。
図４は本実施の形態のシステムにおいて、あるブロックのデータの一部を書き換える場合の動作を示す説明図である。
図示の例は、ブロックＡ（第１のブロック）に既存ファイルのデータ２１１、２１２、２１３が書き込まれており、そのうちのデータ２１２だけを書き換えたい場合である。
本実施の形態のデータ管理システムでは、まず一時書き換え管理ブロックとしてのブロックＢ（第２のブロック）を用意する。なお、図４では新規にブロックＢを設定した場合を示しているが、ブロックＡに既に一時書き換え管理ブロックが設定されている場合には、そのブロックを用いる。
そして、本実施の形態では、データ２１２に替わるデータ２１２´をブロックＢに書き込む。また、この動作と前後して管理メモリ１５０に一時書き換え管理ブロックデータに必要なデータを書き込む。
これによってブロックＡに対する書き換え処理を終了し、ブロックＡには古いデータ２１２を残したままとし、一時書き換え管理ブロックデータに基づいて書き換えないデータ２１１、２１３と書き換えたデータ２１２´が更新後のファイルのデータであると分かるようにしておく。
この後、更新されたファイルを読み出す場合には、一時書き換え管理ブロックデータを参照し、ブロックＡとブロックＢにアクセスしてデータ２１１、２１２´、２１３を読み出す。

図５は図４に示したブロックＡのファイルからさらに一部のデータ２１４を書き換える場合を示している。
この場合にも図４で示した手順と同様に、データ２１４に書き換えるデータ２１４´をブロックＢに新規に書き込み、その内容を示すデータを一時書き換え管理ブロックデータとして追加する。
また、図６は一旦書き換えたブロックＢのデータ２１２´をさらに書き換える場合を示している。この場合には、ブロックＢにデータ２１２´´を新規に書き込み、その内容を示すデータを一時書き換え管理ブロックデータとして追加する。
また、図７は一時書き換え管理ブロックであるブロックＢが一杯になって空き領域が新規に書き込むデータ量より小さくなった場合の処理を示している。
この場合、ブロックＢの空き領域が新規に書き込むデータ量より小さくなったことを認識し、新たなブロックＣ（第３のブロック）を設定する。そして、ブロックＡとブロックＢから最新のファイルを構成するデータだけを読み出し、ブロックＣにコピーすることにより、最新ファイルのブロックＣを作成する。これにより、ブロックＡ、ブロックＢはともに不要となり、それぞれのデータを消去する。
この後、ブロックＣのデータの一部を書き換える必要が生じた場合、図４に戻って新たに一時書き換え管理ブロックを設定し、新規のデータを書き込んで行く。
本実施の形態の場合、処理速度を低下させるコピー処理および消去処理を実行することになるが、従来の方法に比べて大幅にコピー処理および消去処理を減らすことができるため、処理効率を大幅に改善でき、処理時間を短縮できる。

以上はメモリカード内の固有のデータ管理システムの処理として説明したが、次に、このデータ管理システムをＦＡＴファイルシステムで制御した場合の例について説明する。
図８はＦＡＴファイルシステムでフォーマット化されたメモリカードのデータ構成を示す説明図である。
図示のように、このメモリカードは、ＭＢＲ、ＰＢＲ、ＦＡＴ、ルートディレクトリ、データ領域の３つに分割されている。そして、ＭＢＲ、ＰＢＲはメディア内の領域の区切りを示している。また、ＦＡＴにはファイルとして格納されたデータの繋がり情報（どのブロックにどのような順番で格納されているかの情報）が格納されている。
また、ルートディレクトリにはファイル名称、ファイルの大きさ、ファイルが格納されたブロック内の最初のファイル番号が格納されている。さらに、データ領域にはデータが入っている多数のブロックが格納されている。
このようなＦＡＴファイルシステムの構造は、上述したデータ管理システムの構造と対比すると、ルートディレクトリ下の各ディレクトリはブロックに対応し、サブディレクトリがページに対応している。

図９は図８に示すような構造のファイルでデータの一部を書き換える場合の従来の動作を示している。
図１３に示した場合と同様に、ブロックＡの一部のサブディレクトリ３１２を書き換える場合に、新たなブロックＢに対して書き換えないファイルデータ３１１、３１３をコピーし、さらに、新規のサブディレクトリ３１２´を書き込む。そして、ブロックＡを消去し、データの書き換えを完了する。
図１０は、このような書き換え動作に本実施の形態の機能を適用した場合を示している。
すなわち、図４に示した例と同様に、ブロックＡとは別に一時書き換え管理ブロックとしてのブロックＢを設定し、このブロックＢにデータ更新の度に新規のサブディレクトリ３１２´、３１２´´、……順次書き込んでいき、一時書き換え管理ブロックデータのアドレス制御によって読み出しや書き込み等を管理する。
このように本実施の形態の機能は、ＦＡＴファイルシステムに容易に適用できるものである。

最後に、上述した一時書き換え管理ブロックフラグを用いた本実施の形態の概要動作をフローチャートに沿って説明する。
図１１はデータの書き込み動作を示すフローチャートである。なお、データの書き込みが指定された論理ブロックをｍとする。
まず、一時書き換え管理ブロックフラグを参照し、システム全体で一時書き換え管理ブロックが使用されているか否かを判断する（ステップＳ１）。
ステップＳ１で一時書き換え管理ブロックが使用されていなければ、一時管理ブロックデータが使用可能であるか、すなわち、一時管理ブロックデータを作成するための空きがあるか否かを判断する（ステップＳ６）。
ステップＳ６で一時管理ブロックデータが使用不能である、すなわち、一時管理ブロックデータを作成する空きがないと判断されたならば従来の書き込み動作を行う（ステップＳ８）。
ステップＳ６で一時管理ブロックデータが使用可能である、すなわち、一時管理ブロックデータを作成できる空きがあると判断されたならば、一時書き込み管理ブロックデータを新たに作成し（一時書き込み管理ブロックデータを新たに設定し）（ステップＳ７）、ステップＳ４に移行して新規の書き込みデータのフラッシュメモリへの書き込みを行う（ステップＳ４）。この後、一時書き換え管理ブロックデータの更新などの管理を行い（ステップＳ５）、動作を終了する。
一方、ステップＳ１で一時書き換え管理ブロックが使用可能であれば、次に指定論理ブロックｍで一時書き換え管理ブロックが使用されているか否かを判断し（ステップＳ２）、使用されていない場合には、ステップＳ６に進んで上述と同様にステップＳ７またはステップＳ８に移行する。
また、ステップＳ２において指定論理ブロックｍで一時書き換え管理ブロックが使用されていれば、該当する一時書き換え管理ブロックデータを読み出し（ステップＳ３）、その内容に沿って新規の書き込みデータをフラッシュメモリに書き込む（ステップＳ４）。この後、一時書き換え管理ブロックデータの内容の更新などの管理を行い（ステップＳ５）、動作を終了する。

また、図１２はデータの読み出し動作を示すフローチャートである。なお、ここでもデータの読み出しが指定された論理ブロックをｍとする。
まず、一時書き換え管理ブロックフラグを参照し、システム全体で一時書き換え管理ブロックが使用されているか否かを判断する（ステップＳ１１）。ここで一時書き換え管理ブロックが使用されていなければ、ステップＳ１５に進んで論理−物理のアドレス変換テーブル１４０を用いた読み出しを行う。
また、一時書き換え管理ブロックが使用されている場合、次に指定論理ブロックｍで一時書き換え管理ブロックが使用されているか否かを判断し（ステップＳ１２）、使用されていない場合には、ステップＳ１５に進んで論理−物理のアドレス変換テーブル１４０を用いた読み出しを行う。
また、指定論理ブロックｍで一時書き換え管理ブロックが使用されていれば、該当する一時書き換え管理ブロックデータを読み出し（ステップＳ１３）、その内容に沿ってフラッシュメモリからの読み出しを行い（ステップＳ１４）、動作を終了する。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は本実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。
例えば、本実施の形態では、不揮発性半導体メモリ素子にフラッシュメモリを採用したが、他のメモリ素子を用いてもよい。
また、書き換えに関するアドレス情報として図３に示すような一時書き換え管理ブロックデータを設けたが、この一時書き換え管理ブロックデータの具体的構成、さらには書き込みや読み出し時の具体的処理手順等は、システムの仕様等に基づいて適宜変更することが可能である。
また、メモリカードとしては、種々の形態を有するものであってよく、例えばスティック状の外形のものも含まれるものとする。さらに、本発明はホスト装置のＦＡＴファイルシステムに限らず、各種のＯＳやファイルシステムに適用できるものである。

本発明の実施の形態によるメモリカードを示すブロック図である。図１に示すメモリカードのアドレス変換テーブルと管理メモリを示す説明図である。図２に示す管理メモリに格納された一時書き込み管理ブロックデータを示す説明図である。図１に示すメモリカードにおけるデータ書き換え動作を示す説明図である。図１に示すメモリカードにおけるデータ書き換え動作を示す説明図である。図１に示すメモリカードにおけるデータ書き換え動作を示す説明図である。図１に示すメモリカードにおけるデータ書き換え動作を示す説明図である。ＦＡＴファイルシステムに対応したメモリカードのデータ構造を示す説明図である。図８に示すファイルでデータの一部を書き換える場合の従来の動作を示す説明図である。図８に示すファイルでデータの一部を書き換える場合に本発明の実施の形態の機能を適用した動作を示す説明図である。図１に示すメモリカードの書き込み動作の概要を示すフローチャートである。図１に示すメモリカードの読み出し動作の概要を示すフローチャートである。従来のメモリカードにおけるデータ書き換え動作を示す説明図である。

符号の説明

１００……ホストインターフェース部、１１０……ＣＰＵ、１２０……フラッシュメモリ、１３０……フラッシュメモリインターフェース部、１４０……アドレス変換テーブル、１５０……管理メモリ。

Claims

メモリ領域が消去単位である複数のブロックに分割され、かつ、前記ブロック内が読み出し単位である複数のページに分割されるメモリ素子と、
前記メモリ素子のアドレスを管理するアドレス管理部と、
前記アドレス管理部の情報に基づいて前記メモリ素子に対するデータの書き込み、および読み出しを制御するメモリ制御部とを有し、
前記メモリ制御部は、メモリ素子の第１のブロックに書き込まれたデータの一部を書き換える場合に、一時書き込み管理用の第２のブロックを設定し、書き換え用のデータを第２のブロックに新規に書き込み、書き換えに関するアドレス情報をアドレス管理部に登録することにより、第１のブロックの書き換えないデータと第２のブロックの新規の書き込みデータとを書き換え後のデータとして管理する、
ことを特徴とするメモリカード。
前記第２のブロックが既に設定されている第１のブロックのデータの一部をさらに書き換える場合に、書き換え用のデータを第２のブロックに新規に書き込み、書き換えに関するアドレス情報をアドレス管理部に登録することにより、第１のブロックの書き換えないデータと第２のブロックの書き込みデータとを書き換え後のデータとして管理することを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
前記第２のブロックに書き込んだデータを書き換える場合に、書き換え用のデータを第２のブロックに新規に書き込み、書き換えに関するアドレス情報をアドレス管理部に登録することにより、第１のブロックの書き換えないデータと第２のブロックの書き換えられたデータとを書き換え後のデータとして管理することを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
前記第２のブロックの空き容量が少なくなり、書き換え用のデータを書き込めなくなった場合に、第１のブロックおよび第２のブロックの書き換えないデータを第３のブロックにコピーするとともに、書き換え用のデータを第３のブロックに新規に書き込み、書き換えに関するアドレス情報をアドレス管理部に登録することを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
前記第３のブロックにデータを書き込んだ後、前記第１のブロックおよび第２のブロックのデータを消去することを特徴とする請求項４記載のメモリカード。
前記メモリ素子が不揮発性半導体メモリであることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
メモリ領域が消去単位である複数のブロックに分割され、かつ、前記ブロック内が読み出し単位である複数のページに分割されるメモリ素子と、
前記メモリ素子のアドレスを管理するアドレス管理部と、
前記アドレス管理部の情報に基づいて前記メモリ素子に対するデータの書き込み、および読み出しを制御するメモリ制御部とを有するメモリカードの制御方法であって、
前記メモリ素子の第１のブロックに書き込まれたデータの一部を書き換える場合に、一時書き込み管理用の第２のブロックを設定するステップと、書き換え用のデータを第２のブロックに新規に書き込むステップと、書き換えに関するアドレス情報をアドレス管理部に登録するステップと、第１のブロックの書き換えないデータと第２のブロックの新規の書き込みデータとを書き換え後のデータとして管理するステップと、
を有することを特徴とするメモリカードの制御方法。
前記第２のブロックが既に設定されている第１のブロックのデータの一部をさらに書き換える場合に、書き換え用のデータを第２のブロックに新規に書き込むステップと、書き換えに関するアドレス情報をアドレス管理部に登録するステップと、第１のブロックの書き換えないデータと第２のブロックの書き込みデータとを書き換え後のデータとして管理するステップとを有することを特徴とする請求項７記載のメモリカードの制御方法。
前記第２のブロックに書き込んだデータを書き換える場合に、書き換え用のデータを第２のブロックに新規に書き込むステップと、書き換えに関するアドレス情報をアドレス管理部に登録するステップと、第１のブロックの書き換えないデータと第２のブロックの書き換えられたデータとを書き換え後のデータとして管理するステップとを有することを特徴とする請求項７記載のメモリカードの制御方法。
前記第２のブロックの空き容量が少なくなり、書き換え用のデータを書き込めなくなった場合に、第１のブロックおよび第２のブロックの書き換えないデータを第３のブロックにコピーするステップと、書き換え用のデータを第３のブロックに新規に書き込むブロックと、書き換えに関するアドレス情報をアドレス管理部に登録するステップとを有することを特徴とする請求項７記載のメモリカードの制御方法。
前記第３のブロックにデータを書き込んだ後、前記第１のブロックおよび第２のブロックのデータを消去するステップを有することを特徴とする請求項１０記載のメモリカードの制御方法。
前記メモリ素子が不揮発性半導体メモリであることを特徴とする請求項７記載のメモリカードの制御方法。