JP2007150102A - Exposure device, and cleaning method of optical element - Google Patents

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JP2007150102A JP2005344433A JP2005344433A JP2007150102A JP 2007150102 A JP2007150102 A JP 2007150102A JP 2005344433 A JP2005344433 A JP 2005344433A JP 2005344433 A JP2005344433 A JP 2005344433A JP 2007150102 A JP2007150102 A JP 2007150102A
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Koji Nozaki
Yoshikazu Ozawa
Makoto Sasaki
真 佐々木
美和 小澤
耕司 野崎
Original Assignee
Fujitsu Ltd
富士通株式会社
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<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure device and the like where contaminant adhered to an optical element can be removed without damaging the optical element and also spoiling resist functions, even when the device is cleaned in situ without the disattachment of the optical element in the exposure device, in the case of the exposure device using projection exposure, especially the liquid immersion exposure method. <P>SOLUTION: The exposure device 1 comprises at least an exposure means 3 for exposing in the image itself to the surface to be exposed (surface of an object 5 to be exposed), by carrying out the exposure light emitting from an optical element 2; and a cleaning means 10 for cleaning the optical element 2 with cleaning fluid L by supplying the cleaning fluid L, so that the optical element 2 may be brought into contact with the fluid in the exposure device 1. The cleaning fluid L is at least either ultrapure water containing a surface-active agent or functional water which is obtained by dissolving at least one sort chosen from hydrogen, ozone and carbon dioxide into ultrapure water. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、投影露光、特に液浸露光法を用いた露光装置において、露光装置内の光学素子を取り外すことなくin situで洗浄し、前記光学素子に付着した汚染物質を簡便に除去することができ、微細かつ高精細なレジストパターンを高効率で形成可能な露光装置及び露光方法、並びに、前記露光装置内にて前記光学素子をin situで洗浄可能な光学素子の洗浄装置及び光学素子の洗浄方法に関する。 The present invention, in an exposure apparatus using the projection exposure, especially immersion exposure method, washed with in situ without removal of the optical element in the exposure device, be conveniently remove contaminants adhering to the optical element can, fine and formable exposure apparatus and an exposure method of high-resolution resist pattern with high efficiency, as well as cleaning of the cleaning device and an optical element of washable optical element the optical element in situ, in the exposure apparatus a method for.

半導体素子や液晶表示素子等の微細な回路パターンを形成する際には、感光性のフォトレジスト膜を形成した基板に、短波長の光や電子線等を選択的に照射する露光装置が用いられている。 In forming a fine circuit pattern such as semiconductor devices and liquid crystal display elements, the substrate formed with the light-sensitive photoresist film, the exposure device is used to selectively irradiate short-wavelength light or an electron beam or the like ing. 現在、半導体集積回路の高集積化に伴って最小パターンのサイズは100nm以下の領域にまで及んでおり、このような超微細な回路パターンの形成には、ArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー光(波長193nm)を用いた投影露光装置が使用されている。 Currently, the size of the smallest pattern with the high integration of a semiconductor integrated circuit is extend to the following areas 100 nm, the formation of such ultra-fine circuit pattern, ArF (argon fluoride) excimer laser light ( projection exposure apparatus using a wavelength 193 nm) is used.

近年、更なるパターンの微細化に向け、最新の露光技術として、液浸露光法が注目されている。 Recently, for the miniaturization of a further pattern, as the latest exposure technique, a liquid immersion exposure method is attracting attention. 該液浸露光法は、顕微鏡の分野では既知である液浸技術を応用した露光技術であり、具体的には、露光装置の投影光学系と、回路パターンを形成する基板との間を、屈折率が1(空気の屈折率)よりも大きい液体、例えば水(露光光の波長が193nmのときの屈折率は1.44)で満たすことにより、解像度の向上を実現する技術である。 The liquid immersion exposure method is an exposure technique that applies the liquid immersion techniques known in the field of the microscope, in particular, a projection optical system of the exposure apparatus, between the substrate to form a circuit pattern, refraction the rate is larger than 1 (refractive index of air) liquid, such as water (refractive index at a wavelength of the exposure light is 193nm 1.44) by filling in a technique for realizing resolution enhancement. 前記液浸露光法によれば、同一の露光光源を用いた場合、通常の投影露光に比して、より微細なパターンを形成することができる。 According to the immersion exposure method, when using the same exposure light source, as compared with the conventional projection exposure, it is possible to form a finer pattern. このため、現在の露光光源であるArFエキシマレーザー光を引き続き使用することができ、露光波長の短波長化が不要となる点で、低コスト化を図ることができる。 Thus, the ArF excimer laser light as the current exposure light source can continue to be used, shorter exposure wavelength is in that unnecessary, it is possible to reduce the cost.

しかし、以前より投影光学系への汚染物質の付着が問題となっており、特に前記液浸露光法では、該問題が顕在化している。 However, and adhesion becomes a problem of contamination to the previous than the projection optical system, especially in the immersion exposure method, the problem is obvious. 即ち、ArFエキシマレーザー光等の短波長光は、極めて高いエネルギーを有しているため、該短波長光の照射により、レジストに含まれる有機物が化学的に分解され、ガス化したものが投影光学系における光学素子に付着する。 That is, short-wavelength light such as ArF excimer laser light, since it has a very high energy, by irradiation of the short wavelength light, organic substances contained in the resist is chemically decomposed, the projection optics that gasified It adheres to the optical element in the system. また、液浸露光法では、レジストに含まれる酸やその他の物質が、投影光学系と回路パターンを形成する基板との間に充填された溶液中に直接溶け出し、この溶出したものが液体を介して光学素子に付着する。 Also, in the immersion exposure method, acid and other substances contained in the resist, eluted directly into a solution that is filled between the substrate forming the projection optical system and the circuit pattern, which were the elution liquid through adhering to the optical element. このため、前記短波長光の照射により生じる汚染物質に加えて、液浸露光による新たな汚染物質が付着し、光学素子に付着する汚染物質の多様化及び付着頻度の増加を招く。 Therefore, in addition to the contaminants caused by irradiation of the short-wavelength light, it adheres new pollutants immersion exposure, leading to an increase in diversity and attachment frequency of contaminants adhering on the optical element. したがって、従来の空気を媒体とした露光法に比して、液浸露光では照射効率の低下による露光不良、光学素子の寿命の低下等の問題がより生じ易く、重要視すべき問題となっている。 Therefore, as compared with the conventional air a medium exposure method, exposure failure due to a reduction in irradiation efficiency in immersion exposure, liable more of a problem such as reduction of the lifetime of the optical element, is a problem to be important there.

光学素子に汚染物質が付着した場合には、該光学素子を洗浄することにより、露光不良等の問題を改善することができ、従来より、投影露光装置における投影光学系の洗浄方法として、例えば、光学素子を露光装置から分解して洗浄する方法が知られている。 If the contaminants adhering to the optical element, by washing the optical element, the exposure it is possible to improve the problems such as defective, conventionally, as a cleaning method of a projection optical system in a projection exposure apparatus, for example, method of cleaning by disassembling the optical element from the exposure apparatus is known. しかし、この場合、光学素子を分解する手間が大きく、また、光学素子を洗浄した後、再度露光装置に組み込む際、光学素子の精度にズレを生じることなく再現することが極めて困難である。 However, in this case, large time degrades optical element, also after washing the optical element, when incorporated into back exposure apparatus, it is extremely difficult to reproduce without causing deviation in accuracy of the optical element.
そこで、光学素子を露光装置から分解することなく、装着したままの状態で洗浄する方法が種々提案されている。 Therefore, without disassembling the optical element from the exposure apparatus, a method of washing in a state of mounting have been proposed. 例えば、光学素子を不織布で直接拭き取る方法が知られている(特許文献1参照)。 For example, a method of wiping the optical element directly in the nonwoven fabric are known (see Patent Document 1). しかし、この場合、光学素子に直に不織布が触れることとなるため、傷や位置ズレが生じ易く、しかも露光装置停止によるスループットの低下が生じる。 However, in this case, since it becomes possible to direct the nonwoven fabric is exposed to an optical element, likely to occur scratches and misalignment, moreover decrease in throughput by the exposure device stop is caused.
また、光学素子に、プラズマや紫外線を照射して汚染物質を除去する方法が提案されている(特許文献2参照)。 Further, the optical element, a method of removing contaminants by irradiating plasma or ultraviolet rays has been proposed (see Patent Document 2). しかし、この場合にも、光学素子へのダメージが生じたり、装置構造が複雑化するという問題がある。 However, even in this case, or cause damage to the optical element, there is a problem that the device structure is complicated. 特に、液浸露光では、従来の投影露光に比して、光学素子への汚染物質の付着が多いため、光学素子の洗浄頻度が高くなることが予想され、光学素子へのダメージが過大なものとなるおそれがある。 In particular, in the immersion exposure, as compared with the conventional projection exposure, since the adhesion of contaminants into an optical element is large, it is expected that the cleaning frequency of the optical element is increased, what is excessive damage to the optical element it may become.

したがって、より簡便に、かつデバイス製造のスループットを低下させることなく、しかも光学素子にダメージを与えることなく光学素子を洗浄する方法、及びこれを用いた関連技術は開発されていないのが現状であり、かかる技術の開発が望まれている。 Accordingly, more easily, and without lowering the throughput of the device production, moreover a method for cleaning the optical element without damaging the optical elements related art, and using the same is at present has not been developed , it has been desired development of such technology.

特開2002−336804号公報 JP 2002-336804 JP 特開2000−91207号公報 JP 2000-91207 JP

本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。 The present invention is to solve the problems in the art and, and achieving the following object. 即ち、 In other words,
本発明は、投影露光、特に液浸露光法を用いた露光装置において、露光装置内の光学素子を取り外すことなくin situで洗浄し、光学素子にダメージを与えず、しかもレジストの機能を損なわずに、前記光学素子に付着した汚染物質を簡便に除去することができ、露光不良を抑制して微細かつ高精細なレジストパターンを高効率で形成可能な露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。 The present invention, in the projection exposure, especially exposure apparatus using the liquid immersion exposure method, washed with in situ without removal of the optical element in the exposure apparatus, without damaging the optical element, yet without impairing the function of the resist , the purpose of the contaminants adhering to the optical element can be easily removed, a fine and highly precise resist pattern by suppressing exposure failure to provide a formable exposure apparatus and an exposure method with high efficiency to.
また、本発明は、投影露光、特に液浸露光法を用いた露光装置において、露光装置内の光学素子を取り外すことなくin situで洗浄し、前記光学素子にダメージを与えることなく、該光学素子に付着した汚染物質を簡便に除去することができる光学素子の洗浄装置及び光学素子の洗浄方法を提供することを目的とする。 Further, the present invention provides a projection exposure, especially exposure apparatus using the liquid immersion exposure method, washed with in situ without removal of the optical element in the exposure apparatus, without damaging the optical element, the optical element and to provide a method for cleaning the cleaning device and the optical elements of the optical element can be easily removed contaminants adhering to.

前記課題を解決するための手段としては、後述の付記に記載の通りである。 The means for solving the problems are as described in appendix below. 即ち、 In other words,
本発明の露光装置は、光学素子から露光光を出射し、被露光面に対して像様に露光する露光手段と、露光装置内にて前記光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する洗浄手段とを少なくとも有してなり、前記洗浄液が、界面活性剤を含む超純水、並びに、水素、オゾン及び二酸化炭素から選択される少なくとも1種を超純水に溶解させて得られる機能水の少なくともいずれかであることを特徴とする。 The exposure apparatus of the present invention, emits exposure light from the optical element, and supplying an exposure means for exposing imagewise against the exposed surface of the washing solution into contact with the optical element in the exposure apparatus, the cleaning liquid by it have at least a cleaning means for cleaning the optical element, wherein the cleaning liquid, ultrapure water containing a surfactant, and at least one of ultrapure water is selected from hydrogen, ozone and carbon dioxide dissolved in, characterized in that at least one of functional water obtained.
該露光装置においては、前記露光手段が、前記光学素子から前記露光光を出射し、前記被露光面に対して像様に露光する。 In the exposure apparatus, the exposure means, he said emits the exposure light from the optical element is exposed imagewise to the surface to be exposed. 前記洗浄手段が、前記露光装置内にて、前記光学素子に接触させるように前記洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する。 Wherein the cleaning means, in the exposure apparatus, the cleaning liquid is supplied so as to contact with the optical element, for cleaning the optical element by the cleaning liquid. このとき、前記洗浄液として、超純水、機能水等が用いられる。 At this time, as the cleaning liquid, ultrapure water, functional water or the like is used. その結果、レジストの溶解による機能の損失を発生することなく、また、前記露光装置から前記光学素子が取り外されることなくin situで洗浄され、該光学素子に付着した汚染物質が簡便に除去される。 As a result, without causing the loss of function due to dissolution of the resist, also said the exposure apparatus optical element is cleaned in situ, without removing contaminants adhering to the optical element is easily removed . このため、前記光学素子の汚れによる露光不良が抑制され、微細かつ高精細なレジストパターンを高効率で形成することができる。 Therefore, the defective exposure due to contamination of the optical element is suppressed, it is possible to form a fine and highly precise resist pattern with high efficiency.

本発明の光学素子の洗浄方法は、被露光面に対して像様に露光する露光手段を有する露光装置内にて、前記露光手段の露光光出射面である光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する洗浄工程を少なくとも含み、前記洗浄液が、界面活性剤を含む超純水、並びに、水素、オゾン及び二酸化炭素から選択される少なくとも1種を超純水に溶解させて得られる機能水の少なくともいずれかであることを特徴とする。 The method of cleaning an optical element of the present invention, in the exposure apparatus having an exposure means for exposing imagewise against the exposed surface, the cleaning liquid so as to contact with the optical element as the exposure light exit surface of said exposure means supplied, includes at least a step of cleaning said optical element by said cleaning liquid, the cleaning liquid, ultrapure water containing a surfactant, and at least one of ultrapure water is selected from hydrogen, ozone and carbon dioxide dissolved in, characterized in that at least one of functional water obtained.
該光学素子の洗浄方法では、前記洗浄工程において、前記露光装置内にて、前記光学素子に接触させるように前記洗浄液が供給され、該洗浄液により前記光学素子が洗浄される。 The cleaning method of the optical element, in the washing step, in the exposure apparatus, wherein the cleaning liquid so as to contact the optical element is supplied, the optical element is cleaned by the cleaning liquid. このとき、前記洗浄液として、超純水、機能水等が用いられる。 At this time, as the cleaning liquid, ultrapure water, functional water or the like is used. その結果、レジストの溶解による機能の損失を発生することなく、また、前記露光装置から前記光学素子が取り外されることなくin situで洗浄され、該光学素子に付着した汚染物質が簡便に除去される。 As a result, without causing the loss of function due to dissolution of the resist, also said the exposure apparatus optical element is cleaned in situ, without removing contaminants adhering to the optical element is easily removed .

本発明によると、従来における問題を解決することができ、前記目的を達成することができる。 According to the present invention can solve the problems in the art, it is possible to achieve the object.
また、本発明によると、投影露光、特に液浸露光法を用いた露光装置において、露光装置内の光学素子を取り外すことなくin situで洗浄し、光学素子にダメージを与えず、しかもレジストの機能を損なわずに、前記光学素子に付着した汚染物質を簡便に除去することができ、露光不良を抑制して微細かつ高精細なレジストパターンを高効率で形成可能な露光装置及び露光方法を提供することができる。 Further, according to the present invention, the projection exposure, especially in exposure apparatus using the liquid immersion exposure method, washed with in situ without removal of the optical element in the exposure apparatus, without damaging the optical element, yet resist features without compromising the contaminants adhering to the optical element can be easily removed, a fine and highly precise resist pattern by suppressing exposure failure to provide a formable exposure apparatus and an exposure method with high efficiency be able to.
また、本発明によると、投影露光、特に液浸露光法を用いた露光装置において、露光装置内の光学素子を取り外すことなくin situで洗浄し、前記光学素子にダメージを与えることなく、該光学素子に付着した汚染物質を簡便に除去することができる光学素子の洗浄装置及び光学素子の洗浄方法を提供することができる。 Further, according to the present invention, the projection exposure, especially in exposure apparatus using the liquid immersion exposure method, washed with in situ without removal of the optical element in the exposure apparatus, without damaging the optical element, optical it is possible to provide a method for cleaning the cleaning device and the optical elements of the optical element can be easily removed contaminants adhering to the element.

(光学素子の洗浄方法及び光学素子の洗浄装置) (Cleaning apparatus cleaning method and an optical element of the optical element)
本発明の光学素子の洗浄方法は、洗浄工程を少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。 The method of cleaning an optical element of the present invention comprises a washing step at least, suitably selected if necessary, includes other steps.
本発明の光学素子の洗浄装置は、洗浄手段を少なくとも有してなり、更に必要に応じて適宜選択した、その他の部材を有してなる。 Cleaning apparatus of an optical element of the present invention, at least has become by a cleaning means, appropriately selected if necessary, further includes other members.
本発明の前記光学素子の洗浄方法は、本発明の前記光学素子の洗浄装置を使用して好適に実施することができ、本発明の前記光学素子の洗浄装置を用いて前記光学素子の洗浄を行うと、本発明の前記光学素子の洗浄方法を実施したこととなる。 The method of cleaning the optical element of the present invention can be suitably carried out using the cleaning apparatus of the optical element of the present invention, the cleaning of the optical element by using the cleaning apparatus of the optical element of the present invention It performed when, so that the method of cleaning the optical element of the present invention was performed.

<洗浄工程及び洗浄手段> <Washing and cleaning means>
前記洗浄工程は、露光手段を有する露光装置内にて、前記露光手段の露光光出射面である光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する工程である。 The washing step, in the exposure apparatus having an exposure unit, the cleaning liquid is supplied so as to contact with the optical element as the exposure light exit surface of said exposure means, a step of cleaning the optical element by the cleaning liquid.
前記洗浄手段は、露光手段を有する露光装置内にて、前記露光手段の露光光出射面である光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する機能を有する。 The cleaning means, in the exposure apparatus having an exposure unit, the cleaning liquid is supplied so as to contact with the optical element as the exposure light exit surface of said exposure means has a function for cleaning the optical element by the cleaning liquid.
前記洗浄工程は、前記洗浄手段により好適に実施することができる。 The washing step can be suitably performed by the cleaning unit.
前記洗浄手段及び前記洗浄工程においては、「in situ」、即ち、前記光学素子を前記露光装置から取り外す等の特段の作業を要することなく、前記露光装置内部にて、前記光学素子をそのままの状態で洗浄することができる。 Wherein in the cleaning unit and the cleaning process, "in situ", i.e., the without the optical element requires a special operation such as detached from the exposure apparatus at inside of the exposure apparatus, the optical element as it is state in can be cleaned.

前記露光手段は、被露光面に対して像様に露光する機能を有する。 It said exposure means has a function of imagewise exposed with respect to the surface to be exposed.
前記露光手段は、露光光出射面である前記光学素子を少なくとも有してなり、更に必要に応じて適宜選択した、その他の部材を有してなる。 It said exposure means comprises a said optical element as the exposure light exit surface at least, suitably selected if necessary, further includes other members.
前記光学素子は、前記露光手段における露光光出射面に相当し、該光学素子としては、例えば、光学レンズが挙げられる。 It said optical element corresponds to the exposure light exit surface in the exposure means, the optical element, for example, an optical lens.

前記被露光面としては、前記露光光が照射される対象(被露光対象)において露光される面である限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、シリコンウェハ等の基板、各種酸化膜などの半導体基材表面に形成されたレジスト膜が好適に挙げられる。 As the surface to be exposed is not particularly limited as long as a surface to be exposed in the subject (the exposed workpiece), wherein the exposure light is irradiated, can be appropriately selected depending on the purpose, a substrate such as a silicon wafer , the resist film formed on a semiconductor substrate surface, such as various oxide films, and the like.
前記露光手段により、像様に露光する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、一般には、所望の回路パターン等が描かれたレチクル(マスク)を通して、前記被露光面に前記露光光を照射することによりパターン像を形成する方法が挙げられる。 By the exposing unit, a method of exposing imagewise is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, generally, through a reticle (mask) like desired circuit pattern is drawn, the a method of forming a pattern image by irradiating the exposure light the exposed surface thereof. なお、前記被露光面の全面に、例えばベタの像を形成する場合には、前記レチクル(マスク)を通さず、前記被露光面に直接前記露光光を照射することによりベタの像を形成することができる。 Incidentally, the entire surface of the exposed surface, for example in the case of forming a solid image, the not through a reticle (mask), to form a solid image by irradiating directly the exposure light onto the exposure surface be able to.

前記露光の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の投影露光法により行うことができるが、より微細なパターンを形成可能な点で、また本発明の前記光学素子の洗浄効果がより顕著に現れる点で、液浸露光法による露光が好ましい。 As a method for the exposure is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, it can be carried out by a known projection exposure method in terms that can form a finer pattern, also of the present invention the cleaning effect of the optical element in that more remarkable, exposure by the liquid immersion exposure method is preferred.
前記液浸露光法においては、前記光学素子と前記被露光面との間に屈折率nが1(空気の屈折率)よりも大きい媒質(液体)で満たすことにより、解像度の向上を実現することができる。 In the immersion exposure method, the by filling with a medium refractive index n is greater than 1 (refractive index of air) between the optical element and the exposure surface (the liquid), to realize the improvement of the resolution can. 通常、前記露光手段の解像度は、解像度=k(係数)×λ(光源波長)/NA(開口数)、により表され、光源波長λが短く、前記光学素子の開口数NAが大きいほど、高い解像度が得られる。 Usually, the resolution of the exposure means, resolution = k (coefficient) × lambda (light source wavelength) / NA (numerical aperture) is represented by the shorter light source wavelength lambda is, the more the numerical aperture NA of the optical element is large, high resolution can be obtained. ここで、NAは、NA=n×sinα、で表され、nは露光光が通過する媒質の屈折率であり、αは露光光が形成する角度である。 Here, NA is, NA = n × sinα, in expressed, n is the refractive index of the medium through which the exposure light passes, alpha is the angle formed by the exposure light. 従来のパターン形成方法における露光は大気中で行われるため、屈折率nは1であるが、前記液浸露光法では、前記光学素子と前記被露光面との間に屈折率nが1より大きい液体を使用する。 Since the exposure in a conventional pattern formation method is carried out in air, but the refractive index n is 1, in the immersion exposure method, is greater than 1 the refractive index n between said optical element and said surface to be exposed the use of a liquid. したがって、前記開口数NAの式において、nを拡大することとなり、同一の露光光の入射角αでは、最小解像寸法を1/nに縮小させることができる。 Thus, in the formula of the numerical aperture NA, will be expanded to n, the angle of incidence α of the same exposure light, it is possible to reduce the minimum resolution in 1 / n. また、同一の開口数NAでは、αを小さくさせることができ、焦点深度をn倍に拡大させることができるという利点がある。 Also, the same numerical aperture NA, it is possible to reduce the alpha, there is an advantage that it is possible to enlarge the depth of focus n times.

前記光学素子と前記被露光面との間に満たされる液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、高解像度が得られる点で、空気の屈折率(屈折率=1)よりも大きい屈折率を有する液体であるのが好ましい。 As the liquid to be filled between the optical element and the exposed surface is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, in that the high resolution can be obtained, the refractive index of air (refractive index = 1) preferably a liquid having a refractive index greater than.
前記液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記屈折率が大きいほど好ましく、例えば、純水、オイル、グリセリン、アルコールなどが好適に挙げられる。 As the liquid is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, preferably as the refractive index is large, for example, pure water, oil, glycerin, alcohol suitably. これらの中でも、純水(屈折率=1.44)が好ましい。 Among them, pure water (refractive index = 1.44) is preferred.

前記液浸露光法では、前記光学素子と前記被露光面との間に前記液体を満たすため、該液体にレジスト膜(前記被露光面)が曝されると、露光の際に該レジスト膜中に発生する酸成分が液中に染み出したり、前記レジスト膜中に液が浸透した状態にて、前記露光光を照射した場合、何らかの化学反応が起こり、前記レジスト膜からの脱ガスにより前記光学素子が汚染され易く、露光不良が生じ易いという問題がある。 In the immersion exposure method, the order to satisfy the liquid between the optical element and the surface to be exposed, the resist film (the exposure surface) is exposed to the liquid, the resist film during exposure or exudes the acid component in the liquid that occurs, the resist film in in a state where the liquid has penetrated, when irradiated with the exposure light, occurs some chemical reactions, the optical degassing from the resist film liable elements is contaminated, there is a problem that exposure failure is likely to occur. しかし、本発明によれば、前記露光装置内にて、前記光学素子がin situで洗浄されるので、前記光学素子の汚染が抑制され、その洗浄効果が通常の露光法に比して顕著である。 However, according to the present invention, in the exposure apparatus, since the optical element is washed with in situ, the contamination of the optical element is suppressed, remarkable than its cleaning effect on the normal exposure method is there.

前記露光光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、短波長の光であるのが好ましく、例えば、KrFエキシマレーザー光(248nm)、ArFエキシマレーザー光(193nm)、F エキシマレーザー光(157nm)、EUV(波長5〜15nmの軟X線領域)などが好適に挙げられる。 As the exposure light is not particularly limited, it is preferable may be appropriately selected, the light of short wavelength depending on the purpose, for example, KrF excimer laser light (248 nm), ArF excimer laser light (193 nm) , F 2 excimer laser light (157 nm), such as EUV (soft X-ray region of the wavelength 5 to 15 nm) is preferably exemplified. これらの中でも、高精細なレジストパターンが得られる点で、ArFエキシマレーザー光が好ましい。 Among these, from the viewpoint of high definition resist pattern is obtained, ArF excimer laser light is preferable.

−洗浄液− - cleaning solution -
前記洗浄液としては、界面活性剤を含む超純水、水素、オゾン及び二酸化炭素から選択される少なくとも1種を超純水に溶解させて得られる機能水などを用いることが必要である。 As the cleaning liquid, it is necessary to use ultra pure water containing a surfactant, hydrogen, at least one kind of a like functional water obtained by dissolving in ultrapure water is selected from ozone and carbon dioxide. これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよく、前記光学素子に付着した、レジスト由来の有機系汚染物質の特性に応じて適宜選択することができる。 These may be used alone, it may be used in combination of two or more, attached to the optical element, can be appropriately selected depending on the characteristics of the organic contaminants from the resist.

前記界面活性剤を含む超純水としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記界面活性剤としては、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられる。 As the ultra-pure water containing a surfactant is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, as the surfactant, nonionic surfactants, cationic surfactants, anionic surfactants, and ampholytic surfactants. これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。 These may be used alone or in combination of two or more thereof. これらの中でも、安定性の点で、非イオン性界面活性剤が好ましい。 Among these, from the viewpoint of stability, non-ionic surfactants are preferred.
前記非イオン性界面活性剤としては、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤、及びエチレンジアミン系界面活性剤などが挙げられ、これらの具定例としては、例えば、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物系、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル系、ポリオキシエチレンアルキルエーテル系、ポリオキシエチレン誘導体、ソルビタン脂肪酸エステル系、グリセリン脂肪酸エステル系、第1級アルコールエトキシレート系、フェノールエトキシレート系、ノニルフェノールエトキシレート系、オクチルフェノールエトキシレート系、ラウリルアルコールエトキシレート系、オレイルアルコールエトキシレート系、脂肪酸エステル系、アミド系、天然アル The non-ionic surfactants, alkoxylate surfactant, a fatty acid ester surfactant, an amide surfactant, an alcohol-based surfactant, and ethylenediamine-based surfactants are exemplified, these ingredients the regular, for example, polyoxyethylene - polyoxypropylene condensate type, polyoxyalkylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene derivatives, sorbitan fatty acid esters, glycerin fatty acid esters, primary alcohol ethoxylates, phenol ethoxylates, nonylphenol ethoxylates, octylphenol ethoxylates, lauryl alcohol ethoxylates, oleyl alcohol ethoxylates, fatty acid esters, amide, natural Al ール系、エチレンジアミン系、第2級アルコールエトキシレート系、などが挙げられる。 Lumpur-based, ethylene diamine, secondary alcohol ethoxylate, and the like.
前記カチオン性界面活性剤としては、例えば、アルキルカチオン系界面活性剤、アミド又はエステル型4級カチオン系界面活性剤などが挙げられる。 The cationic surfactants include alkyl cationic surfactants, such as amide or ester quaternary cationic surfactants.
前記両性界面活性剤としては、例えば、アミンオキサイド系界面活性剤、ベタイン系界面活性剤などが挙げられる。 Examples of the amphoteric surfactants include amine oxide-based surfactants, and the like betaine surfactant.

前記洗浄液の中でも、不純物の発生を防止し、前記光学素子及び露光装置の耐久性を向上させる点で、機能水が好ましく、レジスト膜から発生する有機系の汚染物質に対する洗浄効果が高い点で、オゾンを超純水に溶解させて得られる機能水が特に好ましい。 Among the cleaning, to prevent the occurrence of impurities, the viewpoint of improving the durability of the optical element and an exposure apparatus, functional water is preferable, from the viewpoint cleaning effect is high for organic contaminants generated from the resist film, functional water obtained ozone dissolved in ultrapure water is particularly preferable.
また、前記水素、前記オゾン及び前記二酸化炭素から2種以上を選択し併用して使用する場合、前記水素は、前記光学素子表面に付着した汚染物質の小片の除去に効果を発揮し、前記二酸化炭素は、前記光学素子表面に帯電防止効果を付与するため、前記水素及び前記二酸化炭素を前記オゾンと併用して使用するのが特に好ましい。 Further, the hydrogen, if used the ozone and the selected combination of two or more from the carbon dioxide, the hydrogen and effective in removing small pieces of contaminants attached to the surface of the optical element, wherein dioxide carbon, the order to impart antistatic effects to the optical element surface, it is particularly preferred to use the hydrogen and the carbon dioxide in combination with the ozone.

前記超純水に対する前記水素、前記オゾン、又は前記二酸化炭素の溶解量(超純水におけるガスの溶存濃度)としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、上限値としては、400ppmが好ましい。 The hydrogen to the ultra-pure water, the ozone, or dissolution amount of the carbon dioxide as (dissolved gas concentration of the gas in ultrapure water) is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, the upper limit value as, 400ppm is preferable. 該溶存濃度が、400ppmを超えると、前記光学素子にダメージを与えることがある。 Solution presence concentration is more than 400 ppm, it may damage the optical element. また、下限値としては、低濃度による弊害は少ないことから、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、洗浄処理時間の短縮化が可能な点で、1ppmが好ましい。 The lower limit value, since the adverse effect is small due to the low concentration is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, in terms that can shorten the cleaning time, 1 ppm is preferred.

前記洗浄手段は、前記露光装置内にて、前記光学素子に接触させるように前記洗浄液を供給することが必要である。 The cleaning means, in the exposure apparatus, it is necessary to supply the cleaning liquid into contact with the optical element. この場合、前記光学素子を前記露光装置から取り外すことなく、前記露光装置内にて、in situで前記光学素子を簡便に洗浄することができる。 In this case, without removing the optical element from the exposure apparatus at the exposure apparatus, it is possible to easily clean the optical elements in the in situ.
前記洗浄液を供給する位置としては、前記光学素子に接触させることができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記被露光面上であってもよいし、前記被露光面以外の部位であってもよい。 The position of supplying the cleaning liquid, said unless can be brought into contact with the optical element is no limitation and may be suitably selected according to the purpose, to the may be on an exposed surface, wherein the exposed it may be a site other than the surface. なお、前記被露光面以外の部位としては、例えば、露光装置内の前記シリコンウェハ等の基板を載置するステージの一部に設けた洗浄処理領域上や、洗浄処理用に別途用意した基材(ダミーウェハ)上などが挙げられる。 Incidentally, as the portion other than the exposed surface, for example, some cleaning region and provided on a stage for placing a substrate such as the silicon wafer in the exposure apparatus, separately prepared substrate to the cleaning process (dummy wafer) such as the above, and the like.

前記洗浄液の供給方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記洗浄手段により好適に行うことができる。 As the method of supplying the cleaning solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, it can be suitably performed by the cleaning means.
前記洗浄手段としては、前記洗浄液を前記光学素子に接触させるように噴出可能な噴出ノズルなどが好適に挙げられる。 As the cleaning means, etc. jettable jetting nozzle so as to contact with the cleaning liquid to the optical element it is preferably exemplified. なお、該噴出ノズルは、前記液浸露光用液体を供給するためのノズルと併用してもよい。 Incidentally, 該噴 out nozzles may be used in combination with a nozzle for supplying the liquid for liquid immersion lithography.
前記洗浄手段は、前記洗浄液を貯留する容器を更に有してなるのが好ましく、該容器に前記洗浄液を貯留しておくのが好ましい。 It said cleaning unit further is preferably made with a container for storing the washing liquid, preferably keep storing the cleaning liquid to the container.

前記洗浄液の供給回数としては、特に制限はなく、前記光学素子の汚染の程度により適宜選択することができ、1回であってもよいし、複数回であってもよい。 The supply frequency of the cleaning solution is not particularly limited, the can be appropriately selected depending on the degree of contamination of the optical element may be a single, or a plurality of times.
また、前記洗浄液の供給量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。 As the supply amount of the cleaning solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.

前記光学素子の洗浄方法としては、前記光学素子に前記洗浄液を接触させる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、(1)前記露光光を1ショット照射する毎に洗浄する方法、(2)前記露光光を1ロット照射する毎に洗浄する方法、(3)前記露光光の照射時間や照射量に応じて洗浄する方法、(4)前記光学素子の光透過率に応じて洗浄する方法、などが好適に挙げられる。 Each as a method for cleaning the optical element, wherein unless contacting the cleaning solution to the optical element is no limitation, may be appropriately selected depending on the intended purpose, e.g., for 1 shot irradiated with (1) the exposure light wash the method, (2) a method of washing the exposure light for each of one lot irradiation, (3) a method of washing in accordance with the irradiation time or irradiation amount of the exposure light, (4) the light transmittance of the optical element method of cleaning according to the rate, and the like.
具体的には、前記(1)に記載の洗浄方法では、前記被露光面上の一定の領域(面積)を1単位として前記露光光を1ショット照射する毎に前記洗浄液により前記光学素子を洗浄し、前記(2)に記載の洗浄方法は、例えば、前記シリコンウェハ等の基板数枚〜数十枚を1単位とした1ロットに対して前記露光光を照射する毎に前記洗浄液により前記光学素子を洗浄し、前記(3)に記載の洗浄方法は、前記露光光の一定の照射時間あるいは一定の照射量を1単位として、該単位について前記露光光を照射する毎に前記光学素子を洗浄し、前記(4)に記載の洗浄方法は、前記光学素子の汚染の程度を、例えば透過率検出器を用いて光透過率を計測することにより検出し、該透過率が特定値を超えた時点で、自動的に前記光学素子を洗浄する More specifically, in the cleaning method according to (1), cleaning the optical element by the cleaning liquid to the exposure light certain regions on the surface to be exposed (area) as one unit for each of irradiating one shot and the method of cleaning described in (2), for example, the optical by the washing liquid each time illuminating the exposure light several sheets to several tens substrate such as the silicon wafer per lot was 1 unit washing the element, method of cleaning described in (3), a fixed irradiation time or a fixed dose of the exposure light as a unit, washing the optical elements each for irradiating the exposure light for the unit and the method of cleaning described in (4), the degree of contamination of the optical element, for example by using a permeability detector is detected by measuring the light transmittance, the transmittance exceeds a certain value at the time, automatically clean the optical element

前記洗浄液の供給及び前記光学素子の洗浄を行う場所としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記被露光面上で行ってもよいし、前記被露光面以外の場所で行ってもよい。 The location where the supply and cleaning of the optical elements of the cleaning solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, the may be performed on the exposed surface, other than the surface to be exposed it may be carried out in places. 通常、前記(1)から(4)に記載の洗浄方法では、前記被露光面上で洗浄を行うが、前記被露光面以外の場所で行う場合、例えば、露光装置内の前記基板を載置するステージの一部に洗浄処理用領域を設け、該洗浄処理用領域上で洗浄を行ってもよいし、洗浄処理用に別途基材(ダミーウェハ)を用意し、該ダミーウェハ上で洗浄を行ってもよい。 Usually, in the cleaning method described in (1) (4), wherein at cleaned on the exposed surface, when performed in a location other than the surface to be exposed, for example, placing the substrate in the exposure device the cleaning processing area in a part of the stage that is provided, may be washed with the cleaning processing region, separately prepared substrate (dummy wafer) for cleaning, cleaning is performed on the dummy wafer it may be. なお、前記洗浄処理用領域にて洗浄を行う場合、前記光学素子を、該洗浄処理用領域まで移動させてから洗浄を行う。 In the case of performing washing with the washing processing area, for cleaning the optical element, the move to the cleaning area.

以上の工程により、前記露光装置内にて、前記光学素子に接触させるように前記洗浄液が供給され、該洗浄液により前記光学素子が洗浄される。 Through the above steps, in the exposure apparatus, wherein the cleaning liquid so as to contact the optical element is supplied, the optical element is cleaned by the cleaning liquid.

本発明の前記光学素子の洗浄方法においては、吸引工程を含んでいてもよく、本発明の前記光学素子の洗浄装置においては、吸引手段を有していてもよい。 In the method of cleaning the optical element of the present invention may comprise a suction step, in the cleaning device of the optical element of the present invention may have a suction device.
前記吸引工程は、洗浄後の前記洗浄液を吸引する工程である。 The suction step is a step of sucking the cleaning liquid after cleaning.
前記吸引手段は、洗浄後の前記洗浄液を吸引する機能を有する。 It said suction means has a function of sucking the cleaning liquid after cleaning.
前記吸引工程は、前記吸引手段により好適に実施することができる。 The suction step can be suitably performed by the suction means.

前記洗浄液の吸引方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記吸引手段により好適に行うことができる。 As a suction method of the cleaning solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, for example, it can be suitably performed by the suction means.
前記吸引手段としては、洗浄後の前記洗浄液を吸引可能な吸引ノズルなどが好適に挙げられる。 As the suction means, the cleaning liquid after cleaning such attractable suction nozzle is preferably exemplified. なお、該吸引ノズルは、前記液浸露光用液体を吸引するノズルと併用してもよい。 Incidentally, the suction nozzle may be used in combination with a nozzle for sucking the liquid for liquid immersion lithography.
以上の工程により、洗浄後の前記洗浄液が吸引される。 Through the above process, the cleaning liquid after cleaning is sucked.
前記吸引工程により吸引された前記洗浄液は、例えば回収容器に回収されるのが好ましい。 The cleaning liquid is sucked by the suction step is preferably for example being collected in the collection container.

本発明の前記光学素子の洗浄方法においては、前記洗浄工程において、前記露光装置内にて、前記光学素子に接触されるように前記洗浄液が供給され、該洗浄液により前記光学素子が洗浄される。 In the method of cleaning the optical element of the present invention, in the cleaning step, with the exposure apparatus, wherein the cleaning liquid to be in contact with the optical element is supplied, the optical element is cleaned by the cleaning liquid. このとき、前記洗浄液として、超純水、機能水等が用いられる。 At this time, as the cleaning liquid, ultrapure water, functional water or the like is used. その結果、前記露光装置から前記光学素子が取り外されることなくin situで洗浄され、前記光学素子にダメージを与えず、しかもレジストの機能を損なわずに、前記光学素子に付着した汚染物質を簡便に除去することができる。 As a result, the said from the exposure apparatus optical element is cleaned in situ, without being removed, without damaging the optical element, yet without impairing the function of the resist, conveniently contaminants adhering to the optical element it can be removed.

本発明の前記光学素子の洗浄装置においては、前記洗浄手段が、前記露光装置内にて、前記該光学素子に接触させるように前記洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する。 In the cleaning apparatus of the optical element of the present invention, the cleaning means, in the exposure apparatus, to supply the cleaning liquid into contact with the optical element, for cleaning the optical element by the cleaning liquid. このとき、前記洗浄液として、超純水、機能水等を用いる。 At this time, as the cleaning liquid, ultrapure water, functional water or the like is used. その結果、前記露光装置から前記光学素子が取り外されることなくin situで洗浄され、該光学素子に付着した汚染物質が簡便に除去され、しかも、レジストの溶解による機能の損失が発生しない。 As a result, the said from the exposure apparatus optical element is cleaned in situ, without removing contaminants adhering to the optical element is easily removed, yet, the loss of function due to dissolution of the resist does not occur.
したがって、本発明の前記光学素子の洗浄装置は、一括露光型のステッパ、走査露光型のスキャンニングステッパ、液浸露光装置、その他の型式の露光装置など、あらゆる態様の露光装置に好適に使用することができ、液浸露光装置に特に好適に使用することができる。 Thus, the cleaning apparatus of the optical element of the present invention, collective exposure type stepper, a scanning exposure type scanning stepper, an immersion exposure apparatus, such as other types of exposure apparatus, suitably used for the exposure apparatus of any aspect it can, can be particularly suitably used in the immersion exposure apparatus.

(露光方法及び露光装置) (Exposure method and an exposure apparatus)
本発明の露光方法は、露光工程と、洗浄工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。 The exposure method of the present invention comprises an exposure step, and a washing step at least, suitably selected if necessary, other steps.
本発明の露光装置は、露光手段と、洗浄手段とを少なくとも有してなり、更に必要に応じて適宜選択した、その他の部材を有してなる。 The exposure apparatus of the present invention, an exposure means, it and a cleaning means at least, suitably selected if necessary, further includes other members.
本発明の露光方法は、本発明の前記露光装置を使用して好適に実施することができ、本発明の前記露光装置を実施すると、本発明の前記露光方法を実施したこととなる。 The exposure method of the present invention, the exposure apparatus of the present invention suitably can be performed using, when implementing the exposure apparatus of the present invention, so that the said exposure method of the present invention is implemented.
前記露光装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、一括露光型のステッパ、走査露光型のスキャンニングステッパ、液浸露光装置、その他の型式の露光装置など、あらゆる態様の露光装置が挙げられる。 As the exposure apparatus is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, batch exposure type stepper, a scanning exposure type scanning stepper, an immersion exposure apparatus, such as other types of exposure apparatus, any aspect of the exposure apparatus.

<露光工程及び露光手段> <Exposure process and the exposure means>
前記露光工程は、露光手段の露光光出射面である光学素子から露光光を出射し、被露光面に対して像様に露光する工程である。 The exposure step, the exposure light emitted from the optical element as the exposure light exit plane of the exposure means, a step of exposing imagewise against the exposed surface.
前記露光手段は、光学素子から露光光を出射し、被露光面に対して像様に露光する機能を有する。 It said exposure means emits exposure light from the optical element has a function of imagewise exposed with respect to the surface to be exposed.
前記露光工程は、前記露光手段により好適に実施することができる。 The exposure step can be preferably performed by the exposing unit.

前記露光手段は、光学素子を少なくとも有してなり、更に必要に応じて適宜選択した、その他の部材を有してなる。 The exposing unit contains at least an optical element, suitably selected if necessary, further includes other members.
前記光学素子は、前記露光手段における露光光出射面に相当し、該光学素子としては、例えば、光学レンズが挙げられる。 It said optical element corresponds to the exposure light exit surface in the exposure means, the optical element, for example, an optical lens.
なお、前記被露光面、前記像様に露光する方法、前記露光光などの詳細については、本発明の前記光学素子の洗浄方法及び前記光学素子の洗浄装置の説明において上述した通りである。 Incidentally, the exposure surface, a method of exposing the imagewise Details of such the exposure light is as described above in the description of the cleaning apparatus of the cleaning method and the optical element of the optical element of the present invention.

前記露光の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の投影露光法により行うことができるが、より微細なパターンを形成可能な点で、また前記光学素子の洗浄効果がより顕著に現れる点で、液浸露光法による露光が好ましい。 As a method for the exposure is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, it can be carried out by a known projection exposure method, more in terms that can form a fine pattern, also the optical element in that the cleaning effect of more remarkable, exposure by the liquid immersion exposure method is preferred.
なお、前記液浸露光法の詳細については、本発明の前記光学素子の洗浄装置及び本発明の前記光学素子の洗浄方法及び前記光学素子の洗浄装置の説明において上述した通りである。 The details of the immersion exposure method is as described above in the description of the cleaning apparatus of the cleaning method and the optical element of the optical elements of the cleaning device and the present invention of the optical element of the present invention.

<洗浄工程及び洗浄手段> <Washing and cleaning means>
前記洗浄工程は、露光装置内にて、露光手段の露光光出射面である光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する工程である。 The washing step, in the exposure apparatus, the cleaning liquid is supplied so as to contact with the optical element as the exposure light exit plane of the exposure means, a step of cleaning the optical element by the cleaning liquid.
前記洗浄手段は、露光装置内にて、露光手段の露光光出射面である光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する機能を有する。 The cleaning means, in the exposure apparatus, the cleaning liquid is supplied so as to contact with the optical element as the exposure light exit surface of the exposure unit has a function for cleaning the optical element by the cleaning liquid.
前記洗浄工程は、前記洗浄手段により好適に実施することができる。 The washing step can be suitably performed by the cleaning unit.

−洗浄液− - cleaning solution -
前記洗浄液としては、界面活性剤を含む超純水、水素、オゾン及び二酸化炭素から選択される少なくとも1種を超純水に溶解させて得られる機能水などを用いることが必要である。 As the cleaning liquid, it is necessary to use ultra pure water containing a surfactant, hydrogen, at least one kind of a like functional water obtained by dissolving in ultrapure water is selected from ozone and carbon dioxide. これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよく、前記光学素子に付着した、レジスト由来の有機系汚染物質の特性に応じて適宜選択することができる。 These may be used alone, it may be used in combination of two or more, attached to the optical element, can be appropriately selected depending on the characteristics of the organic contaminants from the resist.

前記界面活性剤を含む超純水としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記界面活性剤としては、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられる。 As the ultra-pure water containing a surfactant is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, as the surfactant, nonionic surfactants, cationic surfactants, anionic surfactants, and ampholytic surfactants. これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。 These may be used alone or in combination of two or more thereof. これらの中でも、安定性の点で、非イオン性界面活性剤が好ましい。 Among these, from the viewpoint of stability, non-ionic surfactants are preferred.
前記非イオン性界面活性剤としては、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤、及びエチレンジアミン系界面活性剤などが挙げられ、これらの具定例としては、例えば、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物系、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル系、ポリオキシエチレンアルキルエーテル系、ポリオキシエチレン誘導体、ソルビタン脂肪酸エステル系、グリセリン脂肪酸エステル系、第1級アルコールエトキシレート系、フェノールエトキシレート系、ノニルフェノールエトキシレート系、オクチルフェノールエトキシレート系、ラウリルアルコールエトキシレート系、オレイルアルコールエトキシレート系、脂肪酸エステル系、アミド系、天然アル The non-ionic surfactants, alkoxylate surfactant, a fatty acid ester surfactant, an amide surfactant, an alcohol-based surfactant, and ethylenediamine-based surfactants are exemplified, these ingredients the regular, for example, polyoxyethylene - polyoxypropylene condensate type, polyoxyalkylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene derivatives, sorbitan fatty acid esters, glycerin fatty acid esters, primary alcohol ethoxylates, phenol ethoxylates, nonylphenol ethoxylates, octylphenol ethoxylates, lauryl alcohol ethoxylates, oleyl alcohol ethoxylates, fatty acid esters, amide, natural Al ール系、エチレンジアミン系、第2級アルコールエトキシレート系、などが挙げられる。 Lumpur-based, ethylene diamine, secondary alcohol ethoxylate, and the like.
前記カチオン性界面活性剤としては、例えば、アルキルカチオン系界面活性剤、アミド又はエステル型4級カチオン系界面活性剤などが挙げられる。 The cationic surfactants include alkyl cationic surfactants, such as amide or ester quaternary cationic surfactants.
前記両性界面活性剤としては、例えば、アミンオキサイド系界面活性剤、ベタイン系界面活性剤などが挙げられる。 Examples of the amphoteric surfactants include amine oxide-based surfactants, and the like betaine surfactant.

前記洗浄液の中でも、不純物の発生を防止し、前記光学素子及び露光装置の耐久性を向上させる点で、機能水が好ましく、レジスト膜から発生する有機系の汚染物質に対する洗浄効果が高い点で、オゾンを超純水に溶解させて得られる機能水が特に好ましい。 Among the cleaning, to prevent the occurrence of impurities, the viewpoint of improving the durability of the optical element and an exposure apparatus, functional water is preferable, from the viewpoint cleaning effect is high for organic contaminants generated from the resist film, functional water obtained ozone dissolved in ultrapure water is particularly preferable.
また、前記水素、前記オゾン及び前記二酸化炭素から2種以上を選択し併用して使用する場合、前記水素は、前記光学素子表面に付着した汚染物質の小片の除去に効果を発揮し、前記二酸化炭素は、前記光学素子表面に帯電防止効果を付与するため、前記水素及び前記二酸化炭素を前記オゾンと併用して使用するのが特に好ましい。 Further, the hydrogen, if used the ozone and the selected combination of two or more from the carbon dioxide, the hydrogen and effective in removing small pieces of contaminants attached to the surface of the optical element, wherein dioxide carbon, the order to impart antistatic effects to the optical element surface, it is particularly preferred to use the hydrogen and the carbon dioxide in combination with the ozone.

前記超純水に対する前記水素、前記オゾン、又は前記二酸化炭素の溶解量(超純水におけるガスの溶存濃度)としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、上限値としては、400ppmが好ましい。 The hydrogen to the ultra-pure water, the ozone, or dissolution amount of the carbon dioxide as (dissolved gas concentration of the gas in ultrapure water) is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, the upper limit value as, 400ppm is preferable. 該溶存濃度が、400ppmを超えると、前記光学素子にダメージを与えることがある。 Solution presence concentration is more than 400 ppm, it may damage the optical element. また、下限値としては、低濃度による弊害は少ないことから、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、洗浄処理時間の短縮化が可能な点で、1ppmが好ましい。 The lower limit value, since the adverse effect is small due to the low concentration is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, in terms that can shorten the cleaning time, 1 ppm is preferred.

前記洗浄手段は、前記露光装置内にて、前記光学素子に接触させるように前記洗浄液を供給することが必要である。 The cleaning means, in the exposure apparatus, it is necessary to supply the cleaning liquid into contact with the optical element. この場合、前記光学素子を前記露光装置から取り外すことなく、前記露光装置内にて、in situで前記光学素子を簡便に洗浄することができる。 In this case, without removing the optical element from the exposure apparatus at the exposure apparatus, it is possible to easily clean the optical elements in the in situ.
前記洗浄液を供給する位置としては、前記光学素子に接触させることができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記被露光面上であってもよいし、前記被露光面以外の部位であってもよい。 The position of supplying the cleaning liquid, said unless can be brought into contact with the optical element is no limitation and may be suitably selected according to the purpose, to the may be on an exposed surface, wherein the exposed it may be a site other than the surface. なお、前記被露光面以外の部位としては、例えば、露光装置内の前記シリコンウェハ等の基板を載置するステージの一部に設けた洗浄処理領域上や、洗浄処理用に別途用意した基材(ダミーウェハ)上などが挙げられる。 Incidentally, as the portion other than the exposed surface, for example, some cleaning region and provided on a stage for placing a substrate such as the silicon wafer in the exposure apparatus, separately prepared substrate to the cleaning process (dummy wafer) such as the above, and the like.

前記洗浄液の供給方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、洗浄手段により好適に行うことができる。 As the method of supplying the cleaning solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, for example, it can be suitably performed by the cleaning unit.
前記洗浄手段としては、前記洗浄液を前記光学素子に接触させるように噴出可能な噴出ノズルなどが好適に挙げられる。 As the cleaning means, etc. jettable jetting nozzle so as to contact with the cleaning liquid to the optical element it is preferably exemplified. なお、該噴出ノズルは、前記液浸露光用液体を供給するためのノズルと併用してもよい。 Incidentally, 該噴 out nozzles may be used in combination with a nozzle for supplying the liquid for liquid immersion lithography.
前記洗浄手段は、前記洗浄液を貯留する容器を更に有してなるのが好ましく、該容器に前記洗浄液を貯留しておくのが好ましい。 It said cleaning unit further is preferably made with a container for storing the washing liquid, preferably keep storing the cleaning liquid to the container.

前記洗浄液の供給回数としては、特に制限はなく、前記光学素子の汚染の程度により適宜選択することができ、1回であってもよいし、複数回であってもよい。 The supply frequency of the cleaning solution is not particularly limited, the can be appropriately selected depending on the degree of contamination of the optical element may be a single, or a plurality of times.
また、前記洗浄液の供給量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。 As the supply amount of the cleaning solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.

前記光学素子の洗浄方法としては、前記光学素子に前記洗浄液を接触させる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、(1)前記露光光を1ショット照射する毎に洗浄する方法、(2)前記露光光を1ロット照射する毎に洗浄する方法、(3)前記露光光の照射時間や照射量に応じて洗浄する方法、(4)前記光学素子の光透過率に応じて洗浄する方法、などが好適に挙げられる。 Each as a method for cleaning the optical element, wherein unless contacting the cleaning solution to the optical element is no limitation, may be appropriately selected depending on the intended purpose, e.g., for 1 shot irradiated with (1) the exposure light wash the method, (2) a method of washing the exposure light for each of one lot irradiation, (3) a method of washing in accordance with the irradiation time or irradiation amount of the exposure light, (4) the light transmittance of the optical element method of cleaning according to the rate, and the like.
具体的には、前記(1)に記載の洗浄方法では、前記被露光面上の一定の領域(面積)を1単位として前記露光光を1ショット照射する毎に前記洗浄液により前記光学素子を洗浄し、前記(2)に記載の洗浄方法は、例えば、前記シリコンウェハ等の基板数枚〜数十枚を1単位とした1ロットに対して前記露光光を照射する毎に前記洗浄液により前記光学素子を洗浄し、前記(3)に記載の洗浄方法は、前記露光光の一定の照射時間あるいは一定の照射量を1単位として、該単位について前記露光光を照射する毎に前記光学素子を洗浄し、前記(4)に記載の洗浄方法は、前記光学素子の汚染の程度を、例えば透過率検出器を用いて光透過率を計測することにより検出し、該透過率が特定値を超えた時点で、自動的に前記光学素子を洗浄する More specifically, in the cleaning method according to (1), cleaning the optical element by the cleaning liquid to the exposure light certain regions on the surface to be exposed (area) as one unit for each of irradiating one shot and the method of cleaning described in (2), for example, the optical by the washing liquid each time illuminating the exposure light several sheets to several tens substrate such as the silicon wafer per lot was 1 unit washing the element, method of cleaning described in (3), a fixed irradiation time or a fixed dose of the exposure light as a unit, washing the optical elements each for irradiating the exposure light for the unit and the method of cleaning described in (4), the degree of contamination of the optical element, for example by using a permeability detector is detected by measuring the light transmittance, the transmittance exceeds a certain value at the time, automatically clean the optical element

前記洗浄液の供給及び前記光学素子の洗浄を行う場所としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記被露光面上で行ってもよいし、前記被露光面以外の場所で行ってもよい。 The location where the supply and cleaning of the optical elements of the cleaning solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, the may be performed on the exposed surface, other than the surface to be exposed it may be carried out in places. 通常、前記(1)から(4)に記載の洗浄方法では、前記被露光面上で洗浄を行うが、前記被露光面以外の場所で行う場合、例えば、露光装置内の前記基板を載置するステージの一部に洗浄処理用領域を設け、該洗浄処理用領域上で洗浄を行ってもよいし、洗浄処理用に別途基材(ダミーウェハ)を用意し、該ダミーウェハ上で洗浄を行ってもよい。 Usually, in the cleaning method described in (1) (4), wherein at cleaned on the exposed surface, when performed in a location other than the surface to be exposed, for example, placing the substrate in the exposure device the cleaning processing area in a part of the stage that is provided, may be washed with the cleaning processing region, separately prepared substrate (dummy wafer) for cleaning, cleaning is performed on the dummy wafer it may be. なお、前記洗浄処理用領域にて洗浄を行う場合、前記光学素子を、該洗浄処理用領域まで移動させてから洗浄を行う。 In the case of performing washing with the washing processing area, for cleaning the optical element, the move to the cleaning area.

以上の工程により、前記露光装置内にて、前記光学素子に接触させるように前記洗浄液が供給され、該洗浄液により前記光学素子が洗浄される。 Through the above steps, in the exposure apparatus, wherein the cleaning liquid so as to contact the optical element is supplied, the optical element is cleaned by the cleaning liquid.

本発明の前記露光方法においては、吸引工程を含んでいてもよく、本発明の前記露光装置においては、吸引手段を有していてもよい。 In the exposure method of the present invention may comprise a suction step, in the exposure apparatus of the present invention may have a suction device.
前記吸引工程は、洗浄後の前記洗浄液を吸引する工程である。 The suction step is a step of sucking the cleaning liquid after cleaning.
前記吸引手段は、洗浄後の前記洗浄液を吸引する機能を有する。 It said suction means has a function of sucking the cleaning liquid after cleaning.
前記吸引工程は、前記吸引手段により好適に実施することができる。 The suction step can be suitably performed by the suction means.

前記洗浄液の吸引方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記吸引手段により好適に行うことができる。 As a suction method of the cleaning solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, for example, it can be suitably performed by the suction means.
前記吸引手段としては、洗浄後の前記洗浄液を吸引可能な吸引ノズルなどが好適に挙げられる。 As the suction means, the cleaning liquid after cleaning such attractable suction nozzle is preferably exemplified. なお、該吸引ノズルは、前記液浸露光用液体を吸引するノズルと併用してもよい。 Incidentally, the suction nozzle may be used in combination with a nozzle for sucking the liquid for liquid immersion lithography.

以上の工程により、洗浄後の前記洗浄液が吸引される。 Through the above process, the cleaning liquid after cleaning is sucked.
前記吸引工程により吸引された前記洗浄液は、例えば回収容器に回収されるのが好ましい。 The cleaning liquid is sucked by the suction step is preferably for example being collected in the collection container.

ここで、本発明の露光装置及び露光方法の一例を、以下に図面を参照しながら説明する。 Here, an example of an exposure apparatus and an exposure method of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明の露光装置(液浸露光方式)の一例を示す概略説明図である。 Figure 1 is a schematic explanatory view showing an example of an exposure apparatus (immersion exposure method) of the present invention. 該露光装置1は、前記光学素子(露光光出射面)としての投影レンズ2を有する露光手段3と、ウエハステージ4とを備えている。 The exposure apparatus 1 includes an exposure means 3 having a projection lens 2 as the optical element (exposure light emitting surface), and a wafer stage 4. ウエハステージ4は、被露光対象(シリコンウェハ等の基板)5が搭載可能に設けられており、また、投影レンズ2とウエハステージ4上の被露光対象5との間には、媒質(液体)8が満たされるようになっており、露光前に、不図示の液体供給装置により、液浸露光用の液体8を投影レンズ2と被露光面との間に供給し、露光後に、不図示の液体回収装置により、前記液体8を回収するようになっている。 The wafer stage 4 is exposed workpiece (substrate such as a silicon wafer) 5 is provided to be mounted, also, between the exposed workpiece 5 on the projection lens 2 and the wafer stage 4, the medium (liquid) 8 is adapted to be filled, before the exposure, the liquid supply apparatus (not shown), supplying a liquid 8 for immersion exposure between the projection lens 2 and the exposed surface, after exposure, not shown the liquid recovery unit, so as to recover the liquid 8. そして、照明光学系6から露光光をレチクル7に照射すると、該レチクル7により形成されたパターン像が、露光手段3における投影レンズ2を通じて被露光対象5に投影され、該被露光面(被露光対象5)上に、例えば回路パターンが形成されるようになっている。 When irradiated from the illumination optical system 6 exposure light to the reticle 7, the pattern image formed by the reticle 7 is projected onto the exposure target 5 through the projection lens 2 in the exposure means 3, 該被 exposed surface (the exposed on the subject 5), for example, as circuit patterns are formed.

また、露光装置1は、前記光学素子の洗浄装置を有してなる。 The exposure apparatus 1 is composed of a cleaning device of the optical element. 即ち、図2に示すように、前記洗浄手段としての洗浄液噴出装置10と、前記吸引手段としての洗浄液吸引装置20とを備えている。 That is, as shown in FIG. 2, includes a cleaning liquid discharge device 10 as the cleaning means, and a cleaning liquid suction device 20 as the suction means. なお、洗浄液噴出装置10及び洗浄液吸引装置20が、本発明の前記光学素子の洗浄装置に相当する。 Incidentally, the washing liquid jetting apparatus 10 and the cleaning liquid suction device 20 corresponds to the cleaning apparatus of the optical element of the present invention.
洗浄液噴出装置10は、洗浄液Lを貯留する洗浄液収容器12と、洗浄液を噴出する噴出ノズル14とからなり、洗浄液吸引装置20は、洗浄液Lを吸引する吸引ノズル24と、吸引した洗浄液Lを回収する洗浄液回収器22とからなる。 Cleaning liquid ejection device 10 includes a cleaning liquid container 12 for storing a cleaning liquid L, made from the ejection nozzle 14 for ejecting a cleaning liquid, the cleaning liquid suction device 20 includes a suction nozzle 24 for sucking the cleaning liquid L, collect the aspirated cleaning liquid L consisting washing liquid recovery device 22 for.

まず、シリコンウェハ等の基板上にレジスト膜を形成して被露光対象5を作製する。 First, a exposed workpiece 5 to form a resist film on a substrate such as a silicon wafer. なお、前記被露光面は、被露光対象5におけるレジスト膜表面に相当する。 Incidentally, the exposed surface corresponds to the surface of the resist film in the exposed workpiece 5.
次いで、図1に示すように、露光装置1のウエハステージ4上に、被露光対象5を載せ、照明光学系6から露光光(例えば、ArFエキシマレーザー光)をレチクル7に照射する。 Then, as shown in FIG. 1, on the wafer stage 4 in the exposure apparatus 1, placing the exposed workpiece 5, the exposure light from the illumination optical system 6 (for example, ArF excimer laser light) irradiates the reticle 7. すると、レチクル7によりパターン像が形成され、該パターン像が露光手段3における投影レンズ2を通過し、更に屈折率が1より大きい液体8を通過することにより縮小されて被露光対象5に投影される。 Then, the pattern image by a reticle 7 is formed, the pattern image passes through the projection lens 2 in the exposure means 3, is projected to the exposed workpiece 5 is reduced by further refractive index passes greater than 1. Liquid 8 that. その結果、被露光面(被露光対象5)上に、例えば回路パターンが形成される。 As a result, on the exposed surface (the exposed workpiece 5), for example, a circuit pattern is formed. なお、露光前に、不図示の液体供給装置により、液浸露光用の液体8を投影レンズ2と被露光面との間に供給し、露光後に、不図示の液体回収装置により、前記液体8を回収する。 Incidentally, before the exposure, the liquid supply apparatus (not shown), the liquid 8 for immersion exposure and the projection lens 2 is supplied between the exposed surface, after exposure, the liquid recovery apparatus (not shown), the liquid 8 It is recovered. 以上が、前記露光工程である。 The above is the exposure step.
液浸露光用の液体8を回収した後、図2に示すように、洗浄液噴出装置10における、洗浄液収容器12に貯留された洗浄液Lを、噴出ノズル14から被露光面上に噴出し、投影レンズ2と被露光面との間に洗浄液Lを介在させて、該洗浄液Lを投影レンズ2に接触させる。 After recovering the liquid 8 for immersion exposure, as shown in FIG. 2, the cleaning liquid discharge device 10, the cleaning liquid L stored in the cleaning liquid container 12, and ejected from the ejection nozzle 14 to the exposed surface on the projection lens 2 and with a cleaning liquid L is interposed between the surface to be exposed, contacting the cleaning liquid L to the projection lens 2. すると、洗浄液Lにより投影レンズ2に付着した汚染物質が除去される。 Then, contaminants adhering on the projection lens 2 by the cleaning liquid L is removed. 以上が、前記洗浄工程である。 The above is the cleaning process.
その後、洗浄後の洗浄液Lを、洗浄液吸引装置20における、吸引ノズル24を用いて吸引し、吸引した洗浄液Lを洗浄液回収器22に回収する。 Thereafter, the cleaning liquid L after washing, the washing liquid suction device 20, and sucked using a suction nozzle 24, and recovering the sucked cleaning liquid L in the washing liquid recovery device 22. 以上が、前記吸引工程である。 The above is the suction process.
そして、必要に応じて、液体8の供給、露光、液体8の回収、洗浄液Lの洗浄、及び洗浄液Lの回収を、この順に繰り返し行い、最後に、アルカリ現像処理を行うと、レジスト膜の内、ArFエキシマレーザー光が照射されなかった領域が溶解除去され、被露光面(被露光対象5)上にレジストパターンが形成(現像)される。 Then, if necessary, the supply of the liquid 8, exposure, recovery of the liquid 8, the cleaning of the cleaning liquid L, and the recovery of the cleaning liquid L, repeated in this order, and finally, when the alkali development process, of the resist film , ArF region excimer laser light is not irradiated been dissolved and removed, a resist pattern on the exposed surface (the exposed workpiece 5) is formed (developed).

図3は、本発明の露光装置の一例を示す概略説明図である。 Figure 3 is a schematic explanatory view showing an example of an exposure apparatus of the present invention.
図3に示す露光装置30は、図1及び図2に示す露光装置1において、ウエハステージ4上の被露光面(被露光対象5)以外の部位の少なくとも一部に、投影レンズ2の洗浄処理用領域Sを設け、該洗浄処理用領域Sの位置まで投影レンズ2を移動させる。 The exposure apparatus shown in FIG. 3 30, in the exposure apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2, the exposed surface of the wafer stage 4 on at least a part of the portion other than (the exposed workpiece 5), the cleaning process of the projection lens 2 the use region S provided to move the projection lens 2 to a position of the cleaning area S. そして、ウエハステージ4上の洗浄処理用領域Sに、洗浄液収容器12に貯留された洗浄液Lを噴出ノズル14から噴出し、投影レンズ2に接触させて洗浄した後、吸引ノズル24から吸引して洗浄液回収器22内に回収する。 Then, the cleaning processing area S on the wafer stage 4, the cleaning liquid L stored in the cleaning liquid container 12 and ejected from the ejection nozzle 14, washed by contacting the projection lens 2, and sucked from the suction nozzle 24 It recovered in the washing liquid recovery device 22.

図4は、本発明の露光装置の一例を示す概略説明図である。 Figure 4 is a schematic explanatory view showing an example of an exposure apparatus of the present invention.
図4に示す露光装置40は、液体収容器42に貯留された液体と、洗浄液収容器43に貯留された洗浄液Lとを、それぞれ同一の前記洗浄手段としての噴出ノズル44から噴出し、露光後の液体と、洗浄後の洗浄液Lとを同一の前記吸引手段としての吸引ノズル47により吸引し、それぞれ液体回収器45及び洗浄液回収器46に回収する。 An exposure device 40 shown in FIG. 4, the liquid stored in the liquid container 42, a cleaning liquid L stored in the cleaning liquid container 43, and ejected from the ejection nozzle 44 as the same of the cleaning means, respectively, after exposure and liquid, the cleaning liquid L sucked by the suction nozzle 47 as the same of the suction means after washing, respectively recovered by the liquid recovery unit 45 and the washing liquid recovery device 46.

本発明の前記露光方法においては、前記洗浄工程において、前記露光装置内にて、前記光学素子に接触されるように前記洗浄液が供給され、該洗浄液により前記光学素子が洗浄される。 In the exposure method of the present invention, in the cleaning step, with the exposure apparatus, wherein the cleaning liquid to be in contact with the optical element is supplied, the optical element is cleaned by the cleaning liquid. このとき、前記洗浄液として、超純水、機能水等が用いられる。 At this time, as the cleaning liquid, ultrapure water, functional water or the like is used. その結果、前記露光装置から前記光学素子が取り外されることなくin situで洗浄され、前記光学素子にダメージを与えず、しかもレジストの機能を損なわずに、前記光学素子に付着した汚染物質を簡便に除去することができる。 As a result, the said from the exposure apparatus optical element is cleaned in situ, without being removed, without damaging the optical element, yet without impairing the function of the resist, conveniently contaminants adhering to the optical element it can be removed.

本発明の露光装置においては、前記洗浄手段が、前記露光装置内にて、前記光学素子に接触させるように前記洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する。 In the exposure apparatus of the present invention, the cleaning means, in the exposure apparatus, to supply the cleaning liquid into contact with the optical element, for cleaning the optical element by the cleaning liquid. このとき、前記洗浄液として、超純水、機能水等を用いる。 At this time, as the cleaning liquid, ultrapure water, functional water or the like is used. その結果、前記露光装置から前記光学素子が取り外されることなくin situで洗浄され、該光学素子に付着した汚染物質が簡便に除去され、しかも、レジストの溶解による機能の損失が発生しない。 As a result, the said from the exposure apparatus optical element is cleaned in situ, without removing contaminants adhering to the optical element is easily removed, yet, the loss of function due to dissolution of the resist does not occur.
したがって、露光不良を抑制して微細かつ高精細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができ、該レジストパターンは、例えば、マスクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、LCD(液晶ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプレイパネル)、SAWフィルタ(弾性表面波フィルタ)等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、半導体装置などの電子デバイスの製造に好適に適用することができる。 Thus, a fine and highly precise resist pattern by suppressing exposure failure can be easily and efficiently formed, the resist pattern is, for example, a mask pattern, reticle pattern, magnetic heads, LCD (liquid crystal display), PDP (plasma display panel), functional components such as SAW filters (surface acoustic wave filters), optical components used for connecting optical wiring, fine parts such as microactuators, suitably applied to the manufacture of electronic devices such as semiconductor devices be able to.

以下に、本発明の前記露光装置を用いて行う電子デバイスの製造方法の一例について説明する。 Hereinafter, an example of a method for fabricating an electronic device carried out using the exposure apparatus of the present invention.
前記電子デバイスの製造方法は、レジストパターン形成工程と、パターニング工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。 Manufacturing method of the electronic device includes a resist pattern forming step comprises at least a patterning step, and other steps suitably selected as necessary.

<レジストパターン形成工程> <Resist pattern forming step>
前記レジストパターン形成工程は、被加工面上にレジスト膜を形成した後、本発明の前記露光装置を用いて前記レジスト膜を露光し、現像することによりレジストパターンを形成する工程である。 The resist pattern forming step is a step of forming a resist pattern by forming a resist film on the processed surface, which the resist film is exposed using the exposure apparatus of the present invention, and developed. 該レジストパターン形成工程により、前記被加工面上にレジストパターンが形成される。 By the resist pattern forming step, a resist pattern is formed on the surface to be processed.

前記レジスト膜は、前記被加工面上に形成されてなる。 The resist film is formed of the formed on the surface to be processed.
前記レジスト膜の材料としては、特に制限はなく、公知のレジスト材料の中から目的に応じて適宜選択することができ、ネガ型、ポジ型のいずれであってもよく、例えば、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、F エキシマレーザーなどでパターニング可能なKrFレジスト、ArFレジスト、F レジストなどが好適に挙げられる。 As the resist film material is not particularly limited and may be suitably selected from among known resist materials, negative type may be either a positive type, for example, KrF excimer laser, ArF excimer laser, F 2 excimer laser patternable KrF resists, etc., ArF resists, such as F 2 resist are preferably exemplified. これらは、化学増幅型であってもよいし、非化学増幅型であってもよい。 These may be a chemically amplified, it may be a non-chemically amplified. これらの中でも、KrFレジスト、ArFレジスト、アクリル系樹脂を含んでなるレジスト、などが好ましく、より微細なパターニング、スループットの向上等の観点からは、解像限界の延伸が急務とされているArFレジスト、及びアクリル系樹脂を含んでなるレジストの少なくともいずれかがより好ましい。 Among these, KrF resists, ArF resists, preferably such as a resist, comprising an acrylic resin, finer patterning, from the viewpoint of improvement in throughput, ArF resists stretching of the resolution limit is urgently needed and at least one of the resist is more preferably contains an acrylic resin.
前記レジスト膜形成材料の具体例としては、ノボラック系レジスト、PHS系レジスト、アクリル系レジスト、シクロオレフィン−マレイン酸無水物系(COMA系)レジスト、シクロオレフィン系レジスト、ハイブリッド系(脂環族アクリル系−COMA系共重合体)レジストなどが挙げられる。 Specific examples of the above resist film forming material, novolac resist, PHS based resist, an acrylic resist, a cycloolefin - maleic acid anhydride (COMA system) resist, a cycloolefin resist, a hybrid system (alicyclic acrylic -COMA copolymer) resists, and the like. これらは、フッ素修飾等されていてもよい。 These may be modified by fluorine.
前記レジスト膜の形成方法、大きさ、厚みなどについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の方法、例えば塗布等により形成することができる。 The resist film forming method, size, for such thickness is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, it is possible to form a known method, for example by coating or the like. 前記厚みについては、加工対象である被加工面、エッチング条件等により適宜決定することができるが、一般に50〜400nm程度である。 Wherein the thickness, the surface to be processed, which is a processing object, can be appropriately determined by the etching conditions or the like, it is generally about 50 to 400 nm.

前記被加工面(基材)としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記レジスト膜が半導体装置等の電子デバイスに形成される場合には、該被加工面(基材)としては、半導体基材表面が挙げられ、具体的には、シリコンウェハ等の基板、各種酸化膜などが好適に挙げられる。 Wherein when as the surface of a workpiece (base material) is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose of the resist film is formed on an electronic device such as a semiconductor device, surface of the workpiece the (base), include a semiconductor substrate surface, specifically, a substrate such as a silicon wafer, and various oxide films, and the like.

−露光− - exposure -
前記露光は、本発明の前記露光装置を用いて行う。 The exposure is performed using the exposure apparatus of the present invention. 該露光により、前記露光光が前記レジスト膜の一部の領域に対して照射されると、該一部の領域が硬化され、後述の現像において、該硬化させた一部の領域以外の未硬化領域が除去されてレジストパターンが形成される。 By the exposure, when the exposure light is irradiated to a portion of a region of the resist film is hardened part of the region the can, in the development of later uncured except part of the region was cured region is removed to form a resist pattern.
前記露光の方法としては、本発明の前記露光装置を用いる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、液浸露光法により行うのが好ましい。 Examples The method of exposure is not particularly limited as long as the use of the exposure apparatus of the present invention, can be appropriately selected depending on the intended purpose, preferably carried out by immersion exposure method.
なお、前記露光装置、前記液浸露光法の詳細については、本発明の前記露光装置及び露光方法の説明において上述した通りである。 Incidentally, the exposure apparatus, the details of the immersion exposure method is as described above in the description of the exposure apparatus and the exposure method of the present invention.

−現像− - developing -
前記現像は、本発明の前記露光装置を用いて前記レジスト膜を露光し、該レジスト膜の露光した領域を硬化させた後、未硬化領域を除去することにより行う。 The development, by using the exposure apparatus of the present invention exposing the resist film, after curing the exposed areas of the resist film, carried out by removing the uncured region. 該現像により、レジストパターンが形成される。 By developing the resist pattern is formed.
前記未硬化領域の除去方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、現像液を用いて除去する方法などが挙げられる。 As the method for removing the uncured area is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include a method of removing by using a developing solution.
前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、アルカリ現像液であるのが好ましい。 The developer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, is preferably an alkali developer. 該アルカリ現像液による現像を行うことにより、前記レジスト膜の前記露光光が照射されていない部分が溶解除去され、レジストパターンが形成(現像)される。 By performing the development with the alkaline developer, the resist said portion which the exposure light is not irradiated film is dissolved and removed, a resist pattern is formed (developed).

<パターニング工程> <Patterning process>
前記パターニング工程は、前記レジストパターンをマスクとして用いて(マスクパターンなどとして用いて)、エッチングにより前記被加工基板をパターニングする工程である。 The patterning step, the resist pattern (used as such mask pattern) using as a mask, a step of patterning the substrate to be processed by etching.
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ドライエッチングが好適に挙げられる。 The method of etching is not particularly limited and may be suitably selected from among known methods, for example, dry etching is preferable. 該エッチングの条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。 The etching conditions are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose.

前記電子デバイスの製造方法によると、本発明の前記露光装置を用いるので、前記光学素子の汚れによる露光不良が抑制され、微細かつ高精細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成可能であり、該レジストパターンを用いて形成した微細な配線パターンを有する高性能な電子デバイス、例えば、フラッシュメモリ、DRAM、FRAM、薄膜磁気ヘッド等を初めとする各種半導体装置などの電子デバイスを効率的に量産することができる。 According to the manufacturing method of the electronic device, since use of the exposure apparatus of the present invention, the defective exposure due to contamination of the optical element is suppressed, can be formed a fine and highly precise resist pattern easily and efficiently, the high-performance electronic devices having fine interconnection patterns formed by using the resist pattern, for example, a flash memory, DRAM, FRAM, be mass-produced efficiently electronic devices such as various semiconductor device including the thin film magnetic head, etc. can.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。 EXAMPLES The following explains Examples of the present invention, the present invention is not intended to be limited to the following examples.

(実施例1) (Example 1)
まず、Si基板上に、脂環族ポリマーを含むArFエキシマレーザー光用試作レジスト材料を、スピンコート法により3,500rpm、45sの条件で回転塗布し、110℃のホットプレートで60秒間ベークして、厚み300nmのレジスト膜を形成し、該レジスト膜を前記被露光面とする前記被露光対象を作製した。 First, on a Si substrate, a prototype resist material for ArF excimer laser light including alicyclic polymer, 3,500 rpm by a spin coating method, and spin coating under conditions of 45s, and baked for 60 seconds on a hot plate of 110 ° C. , to form a resist film having a thickness of 300 nm, was the resist film to produce said exposed workpiece to the exposure surface.
次いで、ArFエキシマレーザー試作液浸露光装置のウエハステージ上に、得られた被露光対象(表面にレジスト膜が形成されたSi基板)を載せた。 Then, on the wafer stage of the ArF excimer laser prototype immersion exposure apparatus was placed and the resulting exposed workpiece (Si substrate having a resist film formed on the surface). 液体収容器に収容された屈折率が1より大きい媒体としての水を、投影レンズとレジスト膜との間に供給し、この状態で、前記露光光としてのArFエキシマレーザー光を、投影レンズから出射させて、前記被露光面としてのレジスト膜に合計で500J/cm 照射した。 Water accommodated index of refraction in the liquid container is a greater than one medium is supplied between the projection lens and the resist film, in this state, the ArF excimer laser light as the exposure light, emitted from the projection lens by, said to 500 J / cm 2 irradiated to the resist film by the sum of the surface to be exposed. 以上が、本発明の前記露光方法における前記露光工程である。 The above is the exposure step in the exposure method of the present invention. 照射後、照度計(「IL1400」;International Light社製)を用いて照射効率を測定したところ、照射前に対する照度は75.0%であった。 After irradiation, luminometer; was measured radiation efficiency with ( "IL1400" International Light Inc.), insolation of the pre-irradiation was 75.0%.

次いで、超純水に、溶存濃度が15ppmとなるようにオゾンを溶解させた機能水を、前記洗浄液として調製した。 Then, ultrapure water, the dissolved concentration of the functional water prepared by dissolving ozone so that 15 ppm, was prepared as the washing liquid. 得られた機能水(洗浄液)をテフロン製の容器に入れ、この液表面を投影レンズに接触させるように設置して投影レンズを洗浄した。 The obtained functional water (the washing solution) placed in a Teflon vessel, and washed projection lens the liquid surface and placed so as to contact with the projection lens. 以上が、本発明の前記光学素子の洗浄方法及び本発明の前記露光方法における前記洗浄工程である。 The above is the cleaning step in said exposure method cleaning method and the present invention an optical element of the present invention. このときの照度を前記照度計を用いて測定し、洗浄時間と照度との関係より、投影レンズの洗浄性を評価した。 The illuminance at that time was measured using the luminometer, the relationship between the cleaning time and illuminance was evaluated washability of the projection lens. 結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.

表1より、洗浄液を投影レンズに3秒間接触させて洗浄すると、照度が98%以上に回復することが判った。 From Table 1, and washed by contacting 3 seconds a cleaning liquid to the projection lens, illumination was found to recover more than 98%.
また、実施例1では、ArFエキシマレーザー光を合計500J/cm 照射することにより、75%に照度が低下した汚染に対して、3秒間で充分な効果が得られていることが明確であり、これに対して、例えば、洗浄方法として前述した1ショット照射する毎に洗浄を行う方法を採る場合には、実施例1に比較して投影レンズに付着する汚れも軽微であると考えられるため、1〜3秒間程度洗浄を行うと、投影レンズの汚れを充分に除去することができるといえる。 In Example 1, by irradiating total 500 J / cm 2 the ArF excimer laser beam, with respect to the illuminance is reduced to 75% contamination is clear that sufficient effects can be obtained in 3 seconds , whereas, for example, for the case of adopting a method of cleaning each time the one shot irradiation described above as a cleaning method, dirt adhering to the projection lens in comparison to example 1 it is also considered to be insignificant , it can be said that performed for about 1-3 seconds washed to sufficiently remove dirt of the projection lens. また、露光光を1ロット照射する毎に洗浄する場合や、露光光を一定時間照射する毎に洗浄する場合でも、30秒間程度洗浄を行えば、汚れを充分に除去することができると認められた。 Further, and when cleaning the exposure light for each of one lot irradiation, even when cleaning the exposure light for each irradiating a predetermined time, recognized to be performed washed about 30 seconds, it is possible to sufficiently remove dirt It was.

(実施例2) (Example 2)
−機能水の特性評価− - characteristics of functional water evaluation -
前記洗浄液としての機能水によるレジスト膜の溶解性を、下記方法により測定した。 The solubility of the resist film due to functional water as the cleaning solution were measured by the following method.
まず、Si基板上に、脂環族ポリマーを含むArFエキシマレーザー光用試作レジスト材料を、スピンコート法により3,500rpm、45sの条件で回転塗布し、110℃のホットプレートで60秒間ベークしてレジスト膜を形成した。 First, on a Si substrate, a prototype resist material for ArF excimer laser light including alicyclic polymer, 3,500 rpm by a spin coating method, and spin coating under conditions of 45s, and baked for 60 seconds on a hot plate of 110 ° C. the resist film was formed.
また、超純水に、溶存濃度が15ppmとなるようにオゾンを溶解させて、前記洗浄液としての機能水を調製した。 Also, ultrapure water, dissolved gas concentration is dissolved ozone so that 15 ppm, to prepare a functional water as the cleaning liquid.
得られたレジスト膜の表面に、機能水2mLを滴下し、滴下部分にて、機能水がレジスト膜の表面に接触した時間(洗浄時間)とレジスト膜の膜厚変化との関係を測定した。 On the surface of the obtained resist film was dropped functional water 2 mL, dropwise moiety, functional water was measured the relationship between the time in contact with the surface of the resist film and (cleaning time) and the change in the film thickness of the resist film. なお、レジスト膜の厚みは、接触式膜厚計(「αステップ3000」;テンコール社製)を用いて測定した。 The resist film has a thickness of contact-type film thickness meter ( "α Step 3000"; Tencor Corp.) was used for the measurement. 結果を表2に示す。 The results are shown in Table 2.

表2より、初期膜厚300.2nmに対し、接触時間が120秒間までは、膜厚変化がないことが判った。 From Table 2, with respect to the initial thickness 300.2Nm, the contact time is up to 120 seconds, it was found that no change in film thickness. 前記表1より、光学素子の洗浄時間(レジスト膜と洗浄液との接触時間)は、数秒間で充分な洗浄効果が得られており、最長でも30秒間程度の洗浄時間で充分に洗浄することができるため、該洗浄時間(接触時間)内では、機能水によりレジスト膜へダメージを与えることなく、光学素子の洗浄が可能であることが判った。 From Table 1, (contact time between the resist film and the cleaning liquid) cleaning time of the optical element is sufficient cleaning effect can be obtained in a few seconds, be thoroughly washed with washing time of about 30 seconds at the longest can therefore, within the washing time (contact time), without damage to the resist film by functional water was found to be washable optical element.

(実施例3) (Example 3)
次に、機能水の特性のオゾン濃度依存性を評価した。 Next, to evaluate the ozone concentration dependence of the properties of the functional water.
超純水に、溶存濃度が80ppmとなるようにオゾンを溶解させて、前記洗浄液としての機能水を調製した。 Of ultrapure water, the dissolved concentration is dissolved ozone so that 80 ppm, to prepare a functional water as the cleaning liquid. 得られた機能水を用い、実施例1のオゾン濃度15ppmの場合と同様にして、投影レンズを浸漬して洗浄し、このときの照度を測定し、機能水が投影レンズに接触した時間(洗浄時間)と照度との関係を評価した。 Using the obtained functional water, as in the case of ozone concentration 15ppm of Example 1 was cleaned by dipping the projection lens, the illumination at this time was measured, time which functional water is in contact with the projection lens (wash time) and was evaluated the relationship between the illumination. 結果を表3に示す。 The results are shown in Table 3.

また、実施例2と同様にして機能水がレジスト膜の表面に接触した時間(洗浄時間)とレジスト膜の膜厚変化との関係を測定した。 It was also measured the relationship between the film thickness change of time functional water in the same manner as in Example 2 is in contact with the surface of the resist film and (cleaning time) resist film. 結果を表4に示す。 The results are shown in Table 4.

表3より、オゾン濃度が80ppmでは、洗浄効果が向上し、短時間で投影レンズ(光学素子)の照度が回復することが判った。 From Table 3, the ozone concentration 80 ppm, the cleaning effect is improved, the illumination of the projection lens (optical element) was found to recover in a short time. 一方、表4より、長時間処理すると、レジスト膜厚が若干減少するため、このような場合には、例えば、図3に示す露光装置のように、被露光面以外の部位に洗浄処理用領域Sを設け、該洗浄処理用領域Sにて投影レンズの洗浄を行うのが好ましい。 On the other hand, from Table 4, treatment for a long time, since the resist film thickness is reduced slightly, in such a case, for example, as in the exposure apparatus shown in FIG. 3, region cleaning process at a site other than the exposed surface the provided S, preferably to clean the projection lens at the cleaning processing area S.

(実施例4) (Example 4)
実施例1と同様に、まず、Si基板上に、脂環族ポリマーを含むArFエキシマレーザー光用試作レジスト材料を用いて、厚み300nmのレジスト膜を形成し、該レジスト膜を前記被露光面とする前記被露光対象を作製した。 As in Example 1, first, on a Si substrate, using an ArF excimer laser beam for trial resist material containing an alicyclic polymer, to form a resist film having a thickness of 300 nm, the resist film using the surface to be exposed and wherein to produce the exposed workpiece to.
次いで、ArFエキシマレーザー試作液浸露光装置のウエハステージ上に、得られた被露光対象(表面にレジスト膜が形成されたSi基板)を載せた。 Then, on the wafer stage of the ArF excimer laser prototype immersion exposure apparatus was placed and the resulting exposed workpiece (Si substrate having a resist film formed on the surface). 液体収容器に収容された屈折率が1より大きい媒体としての水を、投影レンズとレジスト膜との間に供給し、この状態で、前記露光光としてのArFエキシマレーザー光を、投影レンズから出射させて、前記被露光面としてのレジスト膜に合計で5,000mJ/cm 照射した。 Water accommodated index of refraction in the liquid container is a greater than one medium is supplied between the projection lens and the resist film, in this state, the ArF excimer laser light as the exposure light, emitted from the projection lens by, said to 5,000 mJ / cm 2 irradiated to the resist film by the sum of the surface to be exposed.
次いで、超純水に、溶存濃度が15ppmとなるようにオゾンを溶解させた機能水を前記洗浄液として調製し、これを投影レンズに接触させるように1mL/sの流速で供給すると同時に、同流速で接触後の水を吸引する洗浄方法を2秒間行い、投影レンズを洗浄した。 Then, ultrapure water, at the same time as the dissolved concentration to prepare functional water containing dissolved ozone so that 15ppm as the washing liquid, which is supplied at a flow rate of 1 mL / s so as to contact with the projection lens, the same flow rate in a cleaning process for sucking the water after contacting performed 2 seconds to wash the projection lens. 以上が、本発明の前記光学素子の洗浄方法及び本発明の前記露光方法における前記洗浄工程である。 The above is the cleaning step in said exposure method cleaning method and the present invention an optical element of the present invention. ArFエキシマレーザー光の照射(5,000mJ/cm )と、前記機能水による光学素子の洗浄操作とを100回繰り返した後、照度を前記照度計を用いて測定したところ、照度は本実験前と変化がなかった。 Irradiation of ArF excimer laser light and (5,000mJ / cm 2), after repeated 100 times and a washing operation of the optical element according to the functional water, where the illuminance was measured using the luminometer, illuminance this experiment before and there has been no change.

(実施例5) (Example 5)
実施例4と同様に、Si基板上に、脂環族ポリマーを含むArFエキシマレーザー光用試作レジスト材料を用いて、厚み300nmのレジスト膜を形成し、該レジスト膜を前記被露光面とする前記被露光対象を作製した。 As in Example 4, on a Si substrate, using an ArF excimer laser beam for trial resist material containing an alicyclic polymer, to form a resist film having a thickness of 300 nm, to the resist film and the surface to be exposed the We were prepared to be subject to exposure.
次いで、ArFエキシマレーザー試作液浸露光装置のウエハステージ上に、得られた被露光対象(表面にレジスト膜が形成されたSi基板)を載せた。 Then, on the wafer stage of the ArF excimer laser prototype immersion exposure apparatus was placed and the resulting exposed workpiece (Si substrate having a resist film formed on the surface). 液体収容器に収容された屈折率が1より大きい媒体としての水を、投影レンズとレジスト膜との間に供給し、この状態で、前記露光光としてのArFエキシマレーザー光を、レチクルを通して投影レンズから出射させ、レジスト膜に100mJ/cm 照射を1ショットとして、合計50ショット露光した。 Water accommodated index of refraction in the liquid container is a greater than one medium is supplied between the projection lens and the resist film, in this state, the ArF excimer laser light as the exposure light, a projection lens through a reticle It is emitted from the one shot of 100 mJ / cm 2 irradiated to the resist film, and a total of 50 shots exposure. その際、1ショット毎に液浸露光媒体としての水を交換すると共に、該媒体としての水を交換する間に、オゾンを15ppmの濃度で溶解した機能水を1mL/sの流速で1秒間、投影レンズに接触させるように供給し、更にこれと同時に、同流速で接触後の水を吸引する洗浄方法で、投影レンズを洗浄した。 At that time, the exchange of water as an immersion exposure medium for each shot, while replacing the water as the medium, one second functional water prepared by dissolving ozone in a concentration of 15ppm at a flow rate of 1 mL / s, It was supplied so as to contact with the projection lens, further the same time, in the cleaning method of sucking the water after contact at the same flow rate and washed the projection lens. ArFエキシマレーザー光の照射(100mJ/cm ×50ショット=5,000mJ/cm )後、レジスト膜を115℃/90秒間ホットプレートでベークした後、2.38質量%TMAH水溶液でアルカリ現像を行い、レジスト膜の未露光部分を溶解除去した結果、レチクルパターンと同様のレジストパターンが得られた。 After irradiation of ArF excimer laser light (100mJ / cm 2 × 50 shots = 5,000mJ / cm 2), after the resist film was baked at 115 ° C. / 90 seconds on a hot plate, an alkali development with a 2.38 wt% TMAH aqueous solution performed, the resist film results unexposed portions were dissolved and removed in the same resist pattern and the reticle pattern is obtained.

本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。 By appending a preferred embodiment of the present invention is as follows.
(付記1) 光学素子から露光光を出射し、被露光面に対して像様に露光する露光手段と、露光装置内にて前記光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する洗浄手段とを少なくとも有してなり、 (Supplementary Note 1) emits exposure light from the optical element, and supplying an exposure means for exposing imagewise against the exposed surface of the washing solution into contact with the optical element in the exposure apparatus, wherein the said cleaning solution having at least will have a cleaning means for cleaning the optical element,
前記洗浄液が、界面活性剤を含む超純水、並びに、水素、オゾン及び二酸化炭素から選択される少なくとも1種を超純水に溶解させて得られる機能水の少なくともいずれかであることを特徴とする露光装置。 Wherein the cleaning liquid, ultrapure water containing a surfactant, and hydrogen, and wherein the at least one selected from ozone and carbon dioxide, at least one of functional water obtained by dissolving in ultrapure water exposure apparatus that.
(付記2) 露光が、液浸露光により行われる付記1に記載の露光装置。 (Supplementary Note 2) exposure, the exposure apparatus according to Note 1 performed by the liquid immersion exposure.
(付記3) 洗浄後の洗浄液を吸引する吸引手段を有する付記1から2のいずれかに記載の露光装置。 (Supplementary Note 3) The apparatus according to any one of Appendixes 1 having a suction means for sucking the washing liquid after washing 2.
(付記4) 洗浄液が、オゾンを超純水に溶解させて得られる機能水である付記1から3のいずれかに記載の露光装置。 (Supplementary Note 4) washing liquid, the exposure apparatus according to any one of ozone from Appendix 1 is a functional water obtained by dissolving in ultrapure water 3.
(付記5) 光学素子の洗浄が、露光光が1ショット照射される毎に行われる付記1から4のいずれかに記載の露光装置。 (Supplementary Note 5) cleaning of the optical element, the exposure light is exposure apparatus according to any one of annexes 1 is performed every time one shots 4.
(付記6) 光学素子の洗浄が、露光光が1ロット照射される毎に行われる付記1から4のいずれかに記載の露光装置。 (Supplementary Note 6) washing of the optical element, an exposure apparatus according to any one of Appendixes 1 to 4 in which the exposure light is performed for each of the one lot irradiation.
(付記7) 露光光が、193nmの波長を有するArFエキシマレーザー光、157nmの波長を有するF エキシマレーザー光、及び5〜15nmの波長を有するEUVの少なくともいずれかである付記1から6のいずれかに記載の露光装置。 (Supplementary Note 7) exposure light, either ArF excimer laser light having a wavelength of 193 nm, F 2 excimer laser beam having a wavelength of 157 nm, and the appended 1 is at least one of the EUV having a wavelength of 5 to 15 nm 6 of the exposure apparatus of crab described.
(付記8) 露光手段の露光光出射面である光学素子から露光光を出射し、被露光面に対して像様に露光する露光工程と、露光装置内にて、前記光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する洗浄工程とを少なくとも含むことを特徴とする露光方法。 (Supplementary Note 8) emits exposure light from the optical element as the exposure light exit surface of the exposure means, an exposure step of exposing imagewise against the surface to be exposed at the exposure device, so as to contact with the optical element exposure method in the cleaning liquid supply, characterized in that the said cleaning liquid comprises at least a cleaning process for cleaning the optical element.
(付記9) 被露光面に対して像様に露光する露光手段を有する露光装置内にて、前記露光手段の露光光出射面である光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する洗浄工程を少なくとも含み、 At (Supplementary Note 9) in the exposure apparatus having an exposure means for exposing imagewise against the exposed surface, the cleaning liquid is supplied so as to contact with the optical element as the exposure light exit surface of said exposure means, by the cleaning liquid includes at least a step of cleaning said optical element,
前記洗浄液が、界面活性剤を含む超純水、並びに、水素、オゾン及び二酸化炭素から選択される少なくとも1種を超純水に溶解させて得られる機能水の少なくともいずれかであることを特徴とする光学素子の洗浄方法。 Wherein the cleaning liquid, ultrapure water containing a surfactant, and hydrogen, and wherein the at least one selected from ozone and carbon dioxide, at least one of functional water obtained by dissolving in ultrapure water the method of cleaning an optical element.
(付記10) 露光が、液浸露光により行われる付記9に記載の光学素子の洗浄方法。 (Supplementary Note 10) exposure, the method of cleaning an optical element according to Appendix 9 performed by immersion exposure.
(付記11) 洗浄後の洗浄液を吸引する吸引工程を含む付記9から10のいずれかに記載の光学素子の洗浄方法。 (Supplementary Note 11) The method of cleaning an optical element as set forth in Appendix 9 to 10 either comprising a suction step for sucking the cleaning liquid after cleaning.
(付記12) 洗浄液が、オゾンを超純水に溶解させて得られる機能水である付記9から11のいずれかに記載の光学素子の洗浄方法。 (Supplementary Note 12) washing liquid, a method of cleaning an optical element according to any one of Appendixes 9-11 is a functional water obtained by dissolving ozone in ultra pure water.
(付記13) 光学素子の洗浄が、露光光を1ショット照射する毎に行われる付記9から12のいずれかに記載の光学素子の洗浄方法。 (Supplementary Note 13) washing of the optical element, a method of cleaning an optical element according to any one of Supplementary Note 9 12 performed the exposure light for each of one shot irradiation.
(付記14) 光学素子の洗浄が、露光光を1ロット照射する毎に行われる付記9から12のいずれかに記載の光学素子の洗浄方法。 (Supplementary Note 14) washing of the optical element, a method of cleaning an optical element according to any one of Supplementary Note 9 12 performed the exposure light for each of one lot irradiation.
(付記15) 露光光が、193nmの波長を有するArFエキシマレーザー光、157nmの波長を有するF エキシマレーザー光、及び5〜15nmの波長を有するEUVの少なくともいずれかである付記9から14のいずれかに記載の光学素子の洗浄方法。 (Supplementary Note 15) exposure light, either ArF excimer laser light having a wavelength of 193 nm, F 2 excimer laser beam having a wavelength of 157 nm, and the appended 9 at least either of the EUV having a wavelength of 5 to 15 nm 14 of the method of cleaning an optical element crab according.
(付記16) 被露光面に対して像様に露光する露光手段を有する露光装置内にて、前記露光手段の露光光出射面である光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する洗浄手段を少なくとも有してなり、 At (Supplementary Note 16) in the exposure apparatus having an exposure means for exposing imagewise against the exposed surface, the cleaning liquid is supplied so as to contact with the optical element as the exposure light exit surface of said exposure means, by the cleaning liquid it has at least a washing means for washing the optical element,
前記洗浄液が、界面活性剤を含む超純水、並びに、水素、オゾン及び二酸化炭素から選択される少なくとも1種を超純水に溶解させて得られる機能水の少なくともいずれかであることを特徴とする光学素子の洗浄装置。 Wherein the cleaning liquid, ultrapure water containing a surfactant, and hydrogen, and wherein the at least one selected from ozone and carbon dioxide, at least one of functional water obtained by dissolving in ultrapure water cleaning apparatus of optical elements.

本発明の露光装置は、微細かつ高精細なレジストパターンの形成に好適に使用可能であり、該レジストパターンは、例えば、マスクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、LCD(液晶ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプレイパネル)、SAWフィルタ(弾性表面波フィルタ)等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、半導体装置などの電子デバイスの製造に好適に適用することができ、該電子デバイスは、フラッシュメモリ、DRAM、FRAM、薄膜磁気ヘッド等を初めとする各種半導体装置などの分野で好適に使用可能である。 The exposure apparatus of the present invention is suitably used in the formation of fine and highly precise resist pattern, the resist pattern is, for example, a mask pattern, reticle pattern, magnetic heads, LCD (liquid crystal display), PDP (Plasma Display panel), functional components such as SAW filters (surface acoustic wave filters), optical components used for connecting optical wiring, can be suitably applied fine parts such as microactuators, the fabrication of electronic devices such as semiconductor devices , the electronic device, a flash memory, DRAM, FRAM, can be suitably used in the field of various semiconductor devices including the thin-film magnetic heads, and the like.
本発明の光学素子の洗浄方法は、投影露光、特に液浸露光法を用いた露光装置において、露光装置内の光学素子を取り外すことなくin situで洗浄し、前記光学素子に付着した汚染物質を除去するのに好適に使用可能である。 The method of cleaning an optical element of the present invention, in the projection exposure, especially exposure apparatus using the liquid immersion exposure method, washed with in situ without removal of the optical element in the exposure device, contaminants adhering to the optical element It can be suitably used to remove.

図1は、本発明の露光装置の一例を示す概略説明図である。 Figure 1 is a schematic explanatory view showing an example of an exposure apparatus of the present invention. 図2は、本発明の露光装置の一例を示す概略説明図であり、洗浄手段及び吸引手段の態様を示す。 Figure 2 is a schematic explanatory view showing an example of an exposure apparatus of the present invention, showing an aspect of a cleaning means and a suction means. 図3は、本発明の露光装置の一例を示す概略説明図であり、洗浄処理用領域を設けて、該洗浄処理用領域にて洗浄を行う態様を示す。 Figure 3 is a schematic explanatory view showing an example of an exposure apparatus of the present invention, by providing a cleaning area, showing the manner of cleaning by the cleaning processing area. 図4は、本発明の露光装置の一例を示す概略説明図である。 Figure 4 is a schematic explanatory view showing an example of an exposure apparatus of the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 露光装置 2 投影レンズ(光学素子) 1 exposure device 2 a projection lens (optical element)
3 露光手段 4 ウエハステージ 5 被露光対象(基板) 3 exposure means 4 wafer stage 5 the exposed workpiece (substrate)
6 照明光学系 7 レチクル 8 媒質(液体) 6 the illumination optical system 7 reticle 8 medium (liquid)
10 洗浄液噴出装置(洗浄手段) 10 cleaning liquid jetting device (cleaning means)
12 洗浄液収容器 14 噴出ノズル 20 洗浄液吸引装置(吸引手段) 12 the washing liquid container 14 jet nozzle 20 cleaning liquid suction device (suction means)
22 洗浄液回収器 24 吸引ノズル 30 露光装置 40 露光装置 42 液体収容器 43 洗浄液収容器 44 噴出ノズル(洗浄手段) 22 washing liquid recovery device 24 suction nozzle 30 exposure device 40 exposing device 42 liquid container 43 the washing liquid container 44 jet nozzle (cleaning means)
45 液体回収器 46 洗浄液回収器 47 吸引ノズル(吸引手段) 45 Liquid collector 46 washing liquid recovery device 47 the suction nozzle (suction means)
L 洗浄液 S 洗浄処理用領域 L cleaning liquid S for cleaning processing region

Claims (5)

  1. 光学素子から露光光を出射し、被露光面に対して像様に露光する露光手段と、露光装置内にて前記光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する洗浄手段とを少なくとも有してなり、 Emits exposure light from the optical element, cleaning and exposure means for exposing imagewise the cleaning liquid is supplied so as to contact with the optical element in the exposure apparatus, by said cleaning liquid to said optical element with respect to the exposed surface having at least will have a cleaning means for,
    前記洗浄液が、界面活性剤を含む超純水、並びに、水素、オゾン及び二酸化炭素から選択される少なくとも1種を超純水に溶解させて得られる機能水の少なくともいずれかであることを特徴とする露光装置。 Wherein the cleaning liquid, ultrapure water containing a surfactant, and hydrogen, and wherein the at least one selected from ozone and carbon dioxide, at least one of functional water obtained by dissolving in ultrapure water exposure apparatus that.
  2. 露光が、液浸露光により行われる請求項1に記載の露光装置。 Exposure, exposure apparatus according to claim 1 which is performed by the liquid immersion exposure.
  3. 洗浄後の洗浄液を吸引する吸引手段を有する請求項1から2のいずれかに記載の露光装置。 An apparatus according to any one of claims 1 having a suction means for sucking the washing liquid after washing 2.
  4. 洗浄液が、オゾンを超純水に溶解させて得られる機能水である請求項1から3のいずれかに記載の露光装置。 The cleaning liquid, the exposure apparatus according to any one of ozone claim 1 is a functional water obtained by dissolving in ultrapure water 3.
  5. 被露光面に対して像様に露光する露光手段を有する露光装置内にて、前記露光手段の露光光出射面である光学素子に接触させるように洗浄液を供給し、該洗浄液により前記光学素子を洗浄する洗浄工程を少なくとも含み、 At an exposure apparatus having an exposure means for exposing imagewise against the exposed surface, the cleaning liquid is supplied so as to contact with the optical element as the exposure light exit surface of said exposure means, said optical element by said cleaning liquid includes a cleaning step of cleaning at least,
    前記洗浄液が、界面活性剤を含む超純水、並びに、水素、オゾン及び二酸化炭素から選択される少なくとも1種を超純水に溶解させて得られる機能水の少なくともいずれかであることを特徴とする光学素子の洗浄方法。 Wherein the cleaning liquid, ultrapure water containing a surfactant, and hydrogen, and wherein the at least one selected from ozone and carbon dioxide, at least one of functional water obtained by dissolving in ultrapure water the method of cleaning an optical element.
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016421A (en) * 2007-07-02 2009-01-22 Nikon Corp Aligner, device manufacturing method, and cleaning method
JP2009033163A (en) * 2007-07-24 2009-02-12 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
JP2009033161A (en) * 2007-07-24 2009-02-12 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
WO2009072352A1 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Cleaning liquid and cleaning method
JP2009177143A (en) * 2007-12-20 2009-08-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus
WO2010018825A1 (en) * 2008-08-11 2010-02-18 株式会社ニコン Light exposure device, maintenance method, and device manufacturing method
JP2010103530A (en) * 2008-10-21 2010-05-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of removing contamination
KR101005511B1 (en) * 2007-09-27 2011-01-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Lithographic apparatus and method of cleaning a lithographic apparatus
US7927428B2 (en) 2006-09-08 2011-04-19 Nikon Corporation Cleaning member, cleaning method, and device manufacturing method
JP2011082511A (en) * 2009-10-02 2011-04-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of operating the lithography apparatus
US8339572B2 (en) 2008-01-25 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8587762B2 (en) 2007-09-27 2013-11-19 Asml Netherlands B.V. Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
US8941811B2 (en) 2004-12-20 2015-01-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US9013672B2 (en) 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US9289802B2 (en) 2007-12-18 2016-03-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus
US10061207B2 (en) 2005-12-02 2018-08-28 Asml Netherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05303209A (en) * 1992-02-10 1993-11-16 Canon Inc Lithographic process
JP2002118085A (en) * 2000-10-06 2002-04-19 M Fsi Kk Substrate-treating method and apparatus therefor
JP2005079222A (en) * 2003-08-29 2005-03-24 Nikon Corp Immersion projection aligner mounting cleaning mechanism of optical component, and immersion optical component cleaning method
JP2005236047A (en) * 2004-02-19 2005-09-02 Canon Inc Exposure system and method therefor
JP2005252239A (en) * 2004-01-23 2005-09-15 Air Products & Chemicals Inc Immersion lithographic fluid
JP2006049757A (en) * 2004-08-09 2006-02-16 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method
JP2006073951A (en) * 2004-09-06 2006-03-16 Toshiba Corp Immersion optical device and cleaning method
JP2006179909A (en) * 2004-12-20 2006-07-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006523031A (en) * 2003-04-11 2006-10-05 株式会社ニコン The method of cleaning an optical element in the immersion lithography
WO2006137410A1 (en) * 2005-06-21 2006-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, maintenance method and device manufacturing method
JP2007114609A (en) * 2005-10-21 2007-05-10 Nikon Corp Liquid immersion microscope device
WO2007060971A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Washing liquid for photolithography, and method for washing exposure device using the same

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05303209A (en) * 1992-02-10 1993-11-16 Canon Inc Lithographic process
JP2002118085A (en) * 2000-10-06 2002-04-19 M Fsi Kk Substrate-treating method and apparatus therefor
JP2006523031A (en) * 2003-04-11 2006-10-05 株式会社ニコン The method of cleaning an optical element in the immersion lithography
JP2005079222A (en) * 2003-08-29 2005-03-24 Nikon Corp Immersion projection aligner mounting cleaning mechanism of optical component, and immersion optical component cleaning method
JP2005252239A (en) * 2004-01-23 2005-09-15 Air Products & Chemicals Inc Immersion lithographic fluid
JP2005236047A (en) * 2004-02-19 2005-09-02 Canon Inc Exposure system and method therefor
JP2006049757A (en) * 2004-08-09 2006-02-16 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method
JP2006073951A (en) * 2004-09-06 2006-03-16 Toshiba Corp Immersion optical device and cleaning method
JP2006179909A (en) * 2004-12-20 2006-07-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006137410A1 (en) * 2005-06-21 2006-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, maintenance method and device manufacturing method
JP2007114609A (en) * 2005-10-21 2007-05-10 Nikon Corp Liquid immersion microscope device
WO2007060971A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Washing liquid for photolithography, and method for washing exposure device using the same

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9703210B2 (en) 2004-12-20 2017-07-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8941811B2 (en) 2004-12-20 2015-01-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10061207B2 (en) 2005-12-02 2018-08-28 Asml Netherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7927428B2 (en) 2006-09-08 2011-04-19 Nikon Corporation Cleaning member, cleaning method, and device manufacturing method
US9013672B2 (en) 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
JP2009016421A (en) * 2007-07-02 2009-01-22 Nikon Corp Aligner, device manufacturing method, and cleaning method
US9019466B2 (en) 2007-07-24 2015-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, reflective member and a method of irradiating the underside of a liquid supply system
US9599908B2 (en) 2007-07-24 2017-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
US7916269B2 (en) 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
US9158206B2 (en) 2007-07-24 2015-10-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
JP2009033163A (en) * 2007-07-24 2009-02-12 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
JP2009033161A (en) * 2007-07-24 2009-02-12 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
JP2011193017A (en) * 2007-07-24 2011-09-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus
JP2011199304A (en) * 2007-07-24 2011-10-06 Asml Netherlands Bv Immersion lithographic apparatus, method of preventing or reducing contamination of the apparatus, and method of manufacturing device
JP2009033162A (en) * 2007-07-24 2009-02-12 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, reflective member and method of irradiating underside of liquid supply system
KR101059489B1 (en) * 2007-09-27 2011-08-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. The lithographic apparatus
KR101005511B1 (en) * 2007-09-27 2011-01-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Lithographic apparatus and method of cleaning a lithographic apparatus
US8587762B2 (en) 2007-09-27 2013-11-19 Asml Netherlands B.V. Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
US8638421B2 (en) 2007-09-27 2014-01-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of cleaning a lithographic apparatus
WO2009072352A1 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Cleaning liquid and cleaning method
US9289802B2 (en) 2007-12-18 2016-03-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus
JP2009177143A (en) * 2007-12-20 2009-08-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus
US8243255B2 (en) 2007-12-20 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus
US9036128B2 (en) 2007-12-20 2015-05-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus
US9785061B2 (en) 2007-12-20 2017-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus
US9405205B2 (en) 2007-12-20 2016-08-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus
US8339572B2 (en) 2008-01-25 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2010018825A1 (en) * 2008-08-11 2010-02-18 株式会社ニコン Light exposure device, maintenance method, and device manufacturing method
JP2010103530A (en) * 2008-10-21 2010-05-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of removing contamination
US8432531B2 (en) 2009-10-02 2013-04-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
JP2011082511A (en) * 2009-10-02 2011-04-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of operating the lithography apparatus

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