JP2007141634A - Atmospheric-pressure plasma generation head - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an atmospheric-pressure plasma generation head capable of stably providing a highly-uniform processing region, in an atmospheric-pressure plasma head for generating a linear processing region. <P>SOLUTION: The shapes of both positive and negative electrodes 10 and 11A are each formed into a cylindrical or pipe-like form, and the positive and negative electrodes 10 and 11A are arranged in parallel with each other by perfectly fixing them. Then, the ratio of the diameter D1 of the positive electrode to the distance D2 between the surfaces of the positive and negative electrode is set between 1:0.5 and 1:3, and the negative electrodes 11A are arranged on the downstream side of the positive electrode 10 in a gas flow direction 14. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、プラズマプロセッシングに用いるプラズマの生成方法に係り、特に、大気圧程度もしくは大気圧以上の圧力範囲において均一なライン状の処理領域を得ることのできる大気圧プラズマ生成ヘッドに関する。   The present invention relates to a plasma generation method used for plasma processing, and more particularly to an atmospheric pressure plasma generation head capable of obtaining a uniform line-shaped processing region in a pressure range of about atmospheric pressure or higher.

従来、プラズマ処理に用いるプラズマの生成は、密閉したチャンバ内を真空排気し、前記チャンバ内に処理ガスを必要圧力まで導入した空間で行っている。   Conventionally, plasma used for plasma processing is generated in a space in which a sealed chamber is evacuated and a processing gas is introduced into the chamber up to a required pressure.

このため、処理対象であるワークを処理チャンバ内に出し入れするためには、一旦、処理チャンバを大気開放し、ワーク導入後真空排気する方法がとられる。また、処理チャンバに併設してロードさらにはアンロード専用のチャンバを設け、処理チャンバは真空を維持した状態で、前記ロード又はアンロードチャンバを大気開放及び真空排気することで、大気中のワークを真空の処理チャンバに出し入れする方法も取られる。   For this reason, in order to put a workpiece to be processed into and out of the processing chamber, a method is adopted in which the processing chamber is once opened to the atmosphere and evacuated after the workpiece is introduced. In addition, a chamber dedicated to loading and unloading is provided adjacent to the processing chamber, and with the processing chamber maintaining a vacuum, the load or unloading chamber is opened to the atmosphere and evacuated to remove workpieces in the atmosphere. A method of moving in and out of a vacuum processing chamber is also taken.

これらの方法は、ロード、アンロードチャンバの有無にかかわらず、真空排気及び大気開放時間を必要とするため処理タクトが低下する問題がある。また、ワークの処理がバッチ式となるため、フィルムのような長尺形状を持つワークに対しては不向きである。また、特にロード、アンロードチャンバを持つ場合、真空内でワークを移動する機構が必要となり、装置が複雑化すること及び装置コストの上昇が問題となる。   These methods have a problem that the processing tact is lowered because they require evacuation and open time regardless of whether or not there is a load / unload chamber. Moreover, since the process of a workpiece | work becomes a batch type, it is unsuitable with respect to the workpiece | work which has a long shape like a film. In particular, when a load / unload chamber is provided, a mechanism for moving the workpiece in a vacuum is required, which complicates the apparatus and raises the apparatus cost.

また、前記処理チャンバで生成されるプラズマは、荷電粒子の密度が低いため処理が遅いことも欠点である。これは、低気圧中で処理を行うため電極やワークの放熱が困難であり、プラズマ生成に大電流を投入できないことによる。このため、マグネトロンを用いて荷電粒子に回転運動を与え、荷電粒子密度を上げる等の手法も用いられるが、装置が煩雑化し、装置コストの上昇が問題となる。   Another disadvantage is that the plasma generated in the processing chamber is slow in processing due to the low density of charged particles. This is because it is difficult to dissipate the electrodes and workpieces because the treatment is performed at a low pressure, and a large current cannot be supplied to the plasma generation. For this reason, techniques such as applying a rotational motion to charged particles using a magnetron to increase the charged particle density are also used, but the apparatus becomes complicated and the cost of the apparatus becomes a problem.

以上の問題を解決する技術として、大気圧又は大気圧近傍にてプラズマを生成する技術が提案されている。   As a technique for solving the above problems, a technique for generating plasma at or near atmospheric pressure has been proposed.

大気圧プラズマ生成の第一の方法は、トーチ型と呼ばれ、細いノズル内部でプラズマを生成し、前記プラズマ中の荷電粒子を、ガスの圧力を持って処理対象物表面に導入するものである。   The first method of atmospheric pressure plasma generation is called a torch type, which generates plasma inside a thin nozzle and introduces charged particles in the plasma to the surface of the object to be processed with a gas pressure. .

大気圧プラズマ生成の第二の方法として、円柱状の電極を機械的に高速回転させることによって、大気中において高密度なプラズマを生成する方法(例えば、特許文献1参照)が提案されている。またこれを広い面に対して行う方法(例えば、特許文献2及び特許文献3参照)が提案されている。これらの方法においては、大気圧下でプラズマを生成すること、また、電極が高速で回転していることから放熱効果が高く高密度なプラズマを生成することが可能である。   As a second method of generating atmospheric pressure plasma, a method of generating high-density plasma in the atmosphere by mechanically rotating a cylindrical electrode at high speed (for example, see Patent Document 1) has been proposed. In addition, a method for performing this over a wide area (see, for example, Patent Document 2 and Patent Document 3) has been proposed. In these methods, it is possible to generate plasma under atmospheric pressure, and to generate high-density plasma with a high heat dissipation effect because the electrode rotates at high speed.

特開9−31670号公報JP 9-31670 A 特開2001−348665号公報JP 2001-348665 A 特開2002−261018号公報JP 2002-261018 A

トーチ型の大気圧プラズマ生成法は、トーチ型の形状から、処理対象領域がスポット状となる。大面積の処理対象物に対しては、トーチ型を、複数、一列に並べることで対応しているが、トーチ直下とトーチ間では、荷電粒子の密度が異なり、均一な処理を得ることが難しい。   In the torch type atmospheric pressure plasma generation method, the region to be processed has a spot shape due to the torch type shape. For large-scale processing objects, multiple torches are arranged in a row, but the density of charged particles differs between the torch directly below and the torch, making it difficult to obtain uniform processing. .

回転電極法は、ライン状の処理領域を得ることが可能である。しかしながら、前記特許文献3記載によると、回転電極の寸法は、直径300mm、回転速度5000回転/min−1と説明されているように、大きな電極と複雑な機械要素を必要とする。これらの結果、回転軸の安定が難しく、電極間のギャップ量の変化や回転数のばらつきに起因して、荷電粒子が不均一になり、均一な処理を得ることが難しい。 The rotating electrode method can obtain a line-shaped processing region. However, according to the description of Patent Document 3, the size of the rotating electrode requires a large electrode and a complicated mechanical element, as described as a diameter of 300 mm and a rotation speed of 5000 rotations / min −1 . As a result, it is difficult to stabilize the rotating shaft, and due to a change in the gap amount between the electrodes and a variation in the number of rotations, the charged particles become non-uniform and it is difficult to obtain a uniform treatment.

それゆえ本発明の目的はライン状の処理領域を生成する大気圧プラズマヘッドにおいて、均一性の良い処理領域を安定して得られる大気圧プラズマ生成ヘッドを提供することにある。   Therefore, an object of the present invention is to provide an atmospheric pressure plasma generation head capable of stably obtaining a uniform processing region in an atmospheric pressure plasma head generating a line-shaped processing region.

上記目的を達成する本発明の特徴とするところは、第一に、陽陰極共に電極の形状を円柱又はパイプとし、前記陽陰極を平行に配列することにある。なお、前記陽陰極は、その軸回りに対する回転も含め、完全に固定されている。   A feature of the present invention that achieves the above object is that, firstly, both the positive and negative electrodes have a cylindrical shape or a pipe shape, and the positive and negative electrodes are arranged in parallel. The positive cathode is completely fixed, including rotation about its axis.

円柱及びパイプは、その加工工程において、平面や他の曲面と比較して、面精度が出しやすく、安価で高精度な電極を得ることができる。また、陽陰極を完全固定とすることで、電極間ギャップを、常に一定に保つことができ、荷電粒子を安定して生成することが可能となる。   In the machining process, the cylinder and the pipe are easy to obtain surface accuracy compared to a flat surface or other curved surface, and an inexpensive and highly accurate electrode can be obtained. Further, by completely fixing the positive and negative electrodes, the gap between the electrodes can always be kept constant, and charged particles can be generated stably.

第二に、陽極の直径と陽陰極表面間の距離の比を1:0.5から1:3の間とすることにある。前記とすることで陽極表面全域における電位勾配を大きくでき、効率的に荷電粒子を生成することが可能となる。   Second, the ratio of the anode diameter to the distance between the positive and negative electrode surfaces is between 1: 0.5 and 1: 3. By setting it as the above, the electric potential gradient in the whole anode surface can be enlarged, and it becomes possible to produce | generate a charged particle efficiently.

第三に、ガス流れ方向に対して、陰極を陽極より下流側に設置することにある。前記とすることで、陽陰極間にて生成した荷電粒子をガスの流れに乗せて、効率よく処理表面に導くことが可能となる。   Third, the cathode is installed downstream of the anode in the gas flow direction. By setting it as the above, the charged particle produced | generated between the positive and negative electrodes can be carried on the flow of gas, and can be efficiently guide | induced to the process surface.

本発明によれば、均一性良く、ライン状の処理領域を得ることが可能となる。   According to the present invention, it is possible to obtain a line-shaped processing region with good uniformity.

以下、図1乃至図5に示す一実施形態に基づいて、本発明を説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on one embodiment shown in FIGS.

図1は、本発明処理ヘッドの外観を示す図である。図1において、処理ヘッド1は、拡大ガス導入管1Bに放電ユニット1Aとノズルヘッド1Cが取り付けられた構成となっている。   FIG. 1 is a view showing the appearance of the processing head of the present invention. In FIG. 1, the processing head 1 has a configuration in which a discharge unit 1A and a nozzle head 1C are attached to an enlarged gas introduction tube 1B.

放電ユニット1Aの詳細を図2に示す。図3に放電ユニットの部分断面図を示す。図2において、放電ユニットベース12の内部に陽極10が取り付けてある。この陽極10は、図3に示すように、金属製の芯棒10Aの表面にガラスライニング10Bを施した構造となっている。   Details of the discharge unit 1A are shown in FIG. FIG. 3 shows a partial cross-sectional view of the discharge unit. In FIG. 2, the anode 10 is attached inside the discharge unit base 12. As shown in FIG. 3, the anode 10 has a structure in which a glass lining 10B is applied to the surface of a metal core rod 10A.

陽極10は、陽極コネクタ10Cにて、図示していない高周波電源装置、マッチングボックスの高周波印加線と結合される。   The anode 10 is coupled to a high-frequency power line (not shown) and a high-frequency application line of a matching box by an anode connector 10C.

なお、ここでの説明では、陽極10の全長は500mm、実処理幅は約300mmとしている。しかし、本発明は、陽極10の長さ等を限定するものではない。   In the description here, the total length of the anode 10 is 500 mm, and the actual processing width is about 300 mm. However, the present invention does not limit the length of the anode 10 or the like.

放電ユニットベース12の内部には陰極11が、ガスの流れ方向に対して、陽極10の下流側に位置するように設置されている。また、この陰極11は、陰極本体11Aを2つに分け、陽極10を挟み込むように設置されている。   A cathode 11 is installed inside the discharge unit base 12 so as to be positioned downstream of the anode 10 with respect to the gas flow direction. The cathode 11 is installed so that the cathode main body 11A is divided into two and the anode 10 is sandwiched therebetween.

2つに分けられた陰極本体11Aは、陰極取り付けボルト11Bを介して、陰極結合プレート11Cにて電気的に結合されており、陰極結合プレート11C上の陰極コネクタ11Dを介して、高周波電源装置、マッチングボックスのグランド線と結合される。   The cathode main body 11A divided into two is electrically coupled by a cathode coupling plate 11C via a cathode mounting bolt 11B, and a high-frequency power supply device via a cathode connector 11D on the cathode coupling plate 11C. Combined with the ground line of the matching box.

放電ユニットベース12は、陽極又は陰極との間を絶縁するため、PTFEやベークライトを代表とする高誘電材料にて製作されている。陽極エンドプレート13は、放電ユニットベース12と同じく、高誘電材料にて製作されている。   The discharge unit base 12 is made of a high dielectric material typified by PTFE or bakelite in order to insulate between the anode or the cathode. As with the discharge unit base 12, the anode end plate 13 is made of a high dielectric material.

図4は、本発明処理ヘッドの断面を示す図である。   FIG. 4 is a view showing a cross section of the processing head of the present invention.

図4において、14は処理ガスの導入方向、15は放電活性領域、16は活性ガス噴射方向を示している。また、2は活性ガスによって処理される処理対象物を示している。   In FIG. 4, reference numeral 14 denotes a process gas introduction direction, 15 denotes a discharge active region, and 16 denotes an active gas injection direction. Moreover, 2 has shown the process target processed with active gas.

以下、本発明の特徴を、図4を用いて説明する。   The features of the present invention will be described below with reference to FIG.

陽極10は、心棒10Aを旋盤加工にて高精度に製作後、ガラスライニング10Bを施し、ガラスライニング10B表面を、再び、旋盤にて研磨し製作したものである。   The anode 10 is manufactured by manufacturing the mandrel 10A with a lathe process with high accuracy, applying a glass lining 10B, and polishing the surface of the glass lining 10B again with a lathe.

陰極11Aは、図4に示す11Eのように、金属棒を旋盤にて高精度の円柱状に加工後、陽極10に対面する面を除き、平面加工を施したものである。   The cathode 11A is obtained by processing a metal rod into a high-precision columnar shape with a lathe and performing planar processing except for the surface facing the anode 10 as shown in 11E shown in FIG.

以上のように製作された陽極10及び陰極11Aは、放電ユニットベース12、陽極エンドプレート13を解して、陽極10、陰極11Aの軸を基準として平行に完全固定される。このため、陽極10表面と陰極11A表面の間隔D2は不変である。   The anode 10 and the cathode 11A manufactured as described above are completely fixed in parallel with respect to the axis of the anode 10 and the cathode 11A through the discharge unit base 12 and the anode end plate 13. For this reason, the distance D2 between the surface of the anode 10 and the surface of the cathode 11A is unchanged.

このとき、陽極10の直径D1は、陽極10の全長が500mm以下の場合、5mm程度が望ましい。陽極10の直径が5mmより極端に小さい場合、処理ガスの動圧によって陽極10が変形し、陽極10と陰極11Aの間隔D2の均一性を損なう恐れがある。逆に、陽極10の直径が5mmより極端に大きい場合、それに伴い陰極11を大きくする必要があり、必要以上に大きな処理ヘッドとなるため、装置コストが増加する恐れがある。   At this time, the diameter D1 of the anode 10 is desirably about 5 mm when the total length of the anode 10 is 500 mm or less. When the diameter of the anode 10 is extremely smaller than 5 mm, the anode 10 may be deformed by the dynamic pressure of the processing gas, and the uniformity of the distance D2 between the anode 10 and the cathode 11A may be impaired. On the contrary, when the diameter of the anode 10 is extremely larger than 5 mm, it is necessary to enlarge the cathode 11 accordingly, resulting in an unnecessarily large processing head, which may increase the apparatus cost.

陽極10の直径D1と陽陰極表面間の距離D2の比は、1:0.5から1:3の間とすることが望ましい。前記比率以上に陽極10の直径D1を大きくすることにより、陽極表面の電位勾配が小さくなり、生成される荷電粒子の量が減少する。逆に、前記比率以下に陽極10の直径D1を小さくすることにより、2つの陰極11Aの内、片方にのみ放電し易くなり、放電の不均一性が増すと共に、生成される荷電粒子の量が減少する。   The ratio of the diameter D1 of the anode 10 to the distance D2 between the positive and negative electrode surfaces is preferably between 1: 0.5 and 1: 3. By making the diameter D1 of the anode 10 larger than the above ratio, the potential gradient on the anode surface is reduced, and the amount of generated charged particles is reduced. Conversely, by making the diameter D1 of the anode 10 smaller than the above ratio, it becomes easier to discharge only one of the two cathodes 11A, increasing the non-uniformity of the discharge and the amount of charged particles generated. Decrease.

処理ガス導入方向14に対して、2つの陰極11Aは、陽極10より下流側にあることが望ましい。この時、陽極10の中心と、2つの陰極の円弧の中心(破線の円の中心11E)とがなす角度θは、60°以上180°未満が望ましい。このようにすることで、陽極10と陰極11Aの間で生成された荷電粒子は、ガスの流れに沿って、陽極10、陰極11Aに衝突することなく、効果的に、活性ガス噴射方向16へと導かれる。   The two cathodes 11 </ b> A are desirably downstream of the anode 10 with respect to the processing gas introduction direction 14. At this time, the angle θ formed by the center of the anode 10 and the center of the arcs of the two cathodes (the center 11E of the dashed circle) is preferably 60 ° or more and less than 180 °. By doing in this way, the charged particles generated between the anode 10 and the cathode 11A are effectively moved in the active gas injection direction 16 without colliding with the anode 10 and the cathode 11A along the gas flow. It is guided.

図5は本発明処理ヘッドの適用例を示す図である。   FIG. 5 is a diagram showing an application example of the processing head of the present invention.

図5において、処理対象物2を搬送する上流側コンベア3Aと、処理対象物2を搬送する下流側コンベア3Bとの間の上方に配置されたプラズマ生成ヘッド1を通過するときに処理対象物2の表面がプラズマ処理される。なお、図5においては、図が煩雑化することを避けるため、高周波電源、マッチングボックス、ガス導入装置、ガス拡散防止カバー等は省略してある。   In FIG. 5, the processing object 2 passes through the plasma generation head 1 disposed above between the upstream conveyor 3 </ b> A that conveys the processing object 2 and the downstream conveyor 3 </ b> B that conveys the processing object 2. The surface of the substrate is plasma treated. In FIG. 5, the high-frequency power source, the matching box, the gas introduction device, the gas diffusion prevention cover, and the like are omitted in order to avoid complication of the drawing.

処理ヘッド1にガス導入方向14より処理ガスを導入し、陽極10と陰極11Aの間高電圧を印加して、荷電粒子を生成し、荷電粒子を処理ガスの流れに乗せて活性ガスとして、活性ガス噴射方向16より噴射する。   A processing gas is introduced into the processing head 1 from the gas introduction direction 14, a high voltage is applied between the anode 10 and the cathode 11 </ b> A to generate charged particles, and the charged particles are placed on the flow of the processing gas as an active gas. The gas is injected from the gas injection direction 16.

プラズマ生成ヘッド1から活性ガスが噴射されている領域下に、上流側コンベア3Aと、下流側コンベア3Bとを駆動することで、処理対象物2を移動、通過させる。これによって、処理対象物2表面に活性ガスが衝突し、処理対象物2の表面処理が連続して行われる。   The processing object 2 is moved and passed by driving the upstream conveyor 3A and the downstream conveyor 3B below the region where the active gas is jetted from the plasma generation head 1. As a result, the active gas collides with the surface of the processing object 2 and the surface treatment of the processing object 2 is continuously performed.

以上説明した実施形態に関わらず次のように実施しても良い。   Regardless of the embodiment described above, it may be carried out as follows.

本方式を真空または低気圧中で行っても良い。   You may perform this system in a vacuum or low pressure.

高周波電源に変わり、直流電源を用いても良い。   Instead of the high frequency power source, a DC power source may be used.

本発明処理ヘッドの外観を示す図である。It is a figure which shows the external appearance of this invention processing head. 本発明の放電ユニットをしめす図である。It is a figure which shows the discharge unit of this invention. 本発明電極レイアウトを示す図である。It is a figure which shows this invention electrode layout. 本発明処理ヘッドの断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section of this invention processing head. 本発明処理ヘッドの適用例を示す図である。It is a figure which shows the example of application of this invention processing head.

符号の説明Explanation of symbols

1…処理ヘッド、1A…放電ユニット、1B…拡大ガス導入管、1C…ノズルヘッド、2…処理対象物、3A…上流側コンベア、3B…下流側コンベア、10…陽極、10A…芯棒、10B…ガラスライニング、10C…陽極コネクタ、11…陰極、11A…陰極本体、11B…陰極取り付けボルト、11C…陰極結合プレート、11D…陰極コネクタ、11E…陰極本体第一加工形状、12…放電ユニットベース、13…陽極エンドプレート、14…ガス導入方向、15…放電活性領域、16…活性ガス噴射方向。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Processing head, 1A ... Discharge unit, 1B ... Expansion gas introducing pipe, 1C ... Nozzle head, 2 ... Processing object, 3A ... Upstream conveyor, 3B ... Downstream conveyor, 10 ... Anode, 10A ... Core rod, 10B Glass lining, 10C ... Anode connector, 11 ... Cathode, 11A ... Cathode body, 11B ... Cathode mounting bolt, 11C ... Cathode coupling plate, 11D ... Cathode connector, 11E ... Cathode body first processed shape, 12 ... Discharge unit base, 13 ... anode end plate, 14 ... gas introduction direction, 15 ... discharge active region, 16 ... active gas injection direction.

Claims (3)

少なくとも一つ以上の陽極及び陰極を有し、前記陽極と陰極に電圧を印加する電源を備え、前記陽極と陰極との間の気体を電離してプラズマを生成する大気圧プラズマ生成ヘッドにおいて、
前記陽極と陰極とは導体を主材料として、円柱又はパイプ状に形成され、陽極の長手方向面に対向する陰極の長手方向面が平行になるように配置したことを特徴とする大気圧プラズマ生成ヘッド。
In an atmospheric pressure plasma generation head that includes at least one anode and a cathode, includes a power source that applies a voltage to the anode and the cathode, and ionizes a gas between the anode and the cathode to generate plasma.
The atmospheric pressure plasma generation characterized in that the anode and the cathode are formed in a cylindrical shape or a pipe shape with a conductor as a main material, and the longitudinal direction surfaces of the cathode facing the longitudinal direction surface of the anode are parallel to each other. head.
請求項1記載の大気圧プラズマ生成ヘッドにおいて、陽極の直径と、陽極表面から陰極表面までの距離の比が1:0.5〜1:3の範囲になるように陽極と陰極とを配置したことを特徴とする大気圧プラズマ生成ヘッド。   2. The atmospheric pressure plasma generation head according to claim 1, wherein the anode and the cathode are arranged so that the ratio of the diameter of the anode and the distance from the anode surface to the cathode surface is in the range of 1: 0.5 to 1: 3. An atmospheric pressure plasma generation head characterized by that. 請求項1記載の大気圧プラズマ生成ヘッドにおいて、ガス流れ方向に対して、陰極を陽極より下流側に設置することを特徴とする大気圧プラズマ生成ヘッド。
2. The atmospheric pressure plasma generation head according to claim 1, wherein the cathode is installed downstream of the anode in the gas flow direction.
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