JP2007140256A - Drive circuit, latch circuit, array substrate using the same, and image display apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、駆動回路、ラッチ回路及びそれを用いたアレイ基板及び画像表示装置に係る発明に関するものである。 The present invention relates to a drive circuit, a latch circuit, an array substrate using the same, and an image display apparatus.
従来の駆動回路を内蔵した薄膜トランジスタ液晶表示装置では、行列状に配置された画素(サブ画素)、各画素(サブ画素)に設けられたTFT(Thin Film Transistor)、さらに当該TFTを駆動するゲート線駆動回路及びソース線駆動回路も同じ基板上に形成されている。 In a thin film transistor liquid crystal display device incorporating a conventional driving circuit, pixels (subpixels) arranged in a matrix, TFTs (Thin Film Transistors) provided in each pixel (subpixel), and gate lines for driving the TFTs The driver circuit and the source line driver circuit are also formed on the same substrate.
駆動回路を内蔵した薄膜トランジスタ液晶表示装置では、直列接続させた複数のラッチ回路を含むシフトレジスタがゲート線駆動回路及びソース線駆動回路に用いられている。そして、シフトレジスタを構成するラッチ回路には、従来、互いに位相が反転した相補のクロック信号が入力されている。しかし、相補のクロック信号にクロックスキューが生じると、シフトレジスタにデータ突き抜け等の誤動作が発生していた。 In a thin film transistor liquid crystal display device including a driver circuit, a shift register including a plurality of latch circuits connected in series is used for a gate line driver circuit and a source line driver circuit. Conventionally, complementary clock signals whose phases are inverted from each other are input to the latch circuit constituting the shift register. However, when a clock skew occurs in the complementary clock signal, a malfunction such as data penetration occurs in the shift register.
次に、シフトレジスタに生じるデータ突き抜け誤動作について説明する。図25に、従来のゲート線駆動回路を示す。また、当該ゲート線駆動回路に入出力される信号波形を図26(a)(b)に示す。図26(a)は、クロックスキューが生じていない正常動作の場合、図26(b)はクロックスキューが生じている異常動作の場合である。図26(a)(b)では、スタート信号STY、ゲートクロック信号(CLKY,/CLKY)、ラッチ回路101〜104の出力Q1〜Q4、ゲート線GL1〜GL3への出力信号の波形がそれぞれ示されている。
Next, a description will be given of a data punch-through malfunction occurring in the shift register. FIG. 25 shows a conventional gate line driving circuit. In addition, signal waveforms input to and output from the gate line driver circuit are shown in FIGS. FIG. 26A shows the case of normal operation with no clock skew, and FIG. 26B shows the case of abnormal operation with a clock skew. 26A and 26B show the waveforms of the start signal STY, the gate clock signal (CLKY, / CLKY), the outputs Q1 to Q4 of the
図26(b)では、クロックスキューにより、相補のゲートクロック信号(CLKY,/CLKY)がともに”H”レベルとなる期間T1が存在する。この期間T1において、スタート信号STYが”H”レベルの場合、図27に示す1段目のラッチ回路101における転送用インバータ111を構成するNチャネルトランジスタ(図示せず)と、第2段目のラッチ回路102における転送用インバータ113を構成するNチャネルトランジスタ(図示せず)とが、ともにON状態となる。そのため、スタート信号STYの”H”レベルが数段先のラッチ回路まで伝播するデータの突き抜け現象と呼ばれる誤動作が生じる。ここで、図26(b)に示す期間Tdは、ゲートクロック信号(CLKY,/CLKY)の切り換わり、または入力信号の切り換わりから出力Q1,Q2の切り換わりまでの信号伝播遅延時間を示す。
In FIG. 26B, there is a period T1 in which the complementary gate clock signals (CLKY, / CLKY) are both at the “H” level due to clock skew. In this period T1, when the start signal STY is at the “H” level, the N-channel transistor (not shown) constituting the
クロックスキューによるデータ突き抜け現象について、図28を用いてさらに詳しく説明する。図28は、図27に示すラッチ回路101,102をさらに詳しく示した回路図である。図28に示す回路において、スタート信号STYが”H”レベルの時、CLKY信号が”L”から”H”に切り換わると、NチャネルトランジスタMN10,MN11がON状態となり、ノードAが”L”に引き下げられ、ノードBはCLKYの切り換わりからTd後に”H”に引き上げられる。
The data punch-out phenomenon due to clock skew will be described in more detail with reference to FIG. FIG. 28 is a circuit diagram showing the
この時、/CLKY信号は、図26(a)に示すように”H”から”L”へと、同時に切り換わらなければならないが、クロックスキューにより図26(b)に示すように期間T1(T1>Td)の間”H”ままの状態である。そのため、2段目のラッチ回路102のNチャネルトランジスタMN12,MN13は、当該期間の間ON状態のままとなるので、スタート信号STYの”H”レベルが次段のラッチ回路まで突き抜けることになる。こうして、図26(b)のQ1(図28のノードB)が”H”になってからTd後、Q2が”H”になる。さらに、ラッチ回路103の転送用インバータを構成するNチャネルトランジスタも、そのゲート信号がCLKYのためON状態となり、Q2が”H”になってからTd後、Q3が”H”になる。なお、図26(a)(b)では、Q1,Q2,Q3,Q4からGL1,GL2,GL3,GL4までの遅延時間は省略している。
At this time, the / CLKY signal must be switched from “H” to “L” at the same time as shown in FIG. 26A. However, due to clock skew, the / CLKY signal has a period T1 (as shown in FIG. 26B). The state remains “H” for T1> Td). For this reason, the N-channel transistors MN12 and MN13 of the second-
そこで、クロックスキューを低減するため、特許文献1では、バッファ出力したグローバルクロック信号を、ラッチ回路の各段毎に設けられた第1インバータと第2インバータとを介して正相・逆相の2つのクロック信号を生成することで、クロックスキューを低減していた。
Therefore, in order to reduce the clock skew, in
しかし、特許文献1に記載のシフトレジスタの場合、グローバルクロック信号が接続されるゲート線の段数は数百段となり、インバータも数百段接続されることになる。そのため、特に特性が良くなく、ばらつきの大きい多結晶シリコン薄膜トランジスタをバッファやインバータ等に用いた場合、特性の悪い方にバラツキが生じると、グローバルクロック信号の波形が大きくなまることがある。
However, in the case of the shift register described in
従って、インバータを介して、波形のなまりの大きいグローバルクロック信号からクロック信号を生成しても、波形のなまりを十分に小さくすることができず、クロックスキューが軽減されない場合があった。これに対して、グローバルクロック信号の波形のなまりを小さくするために、グローバルクロック信号を生成する回路のバッファサイズを大きくすることが考えられる。しかし、この場合においても、逆にトランジスタ特性が良い方にばらつくと、回路の消費電力が非常に大きくなる。 Therefore, even if a clock signal is generated from a global clock signal having a large waveform round via an inverter, the rounding of the waveform cannot be sufficiently reduced, and the clock skew may not be reduced. On the other hand, in order to reduce the rounding of the waveform of the global clock signal, it is conceivable to increase the buffer size of the circuit that generates the global clock signal. However, even in this case, if the transistor characteristics vary, the power consumption of the circuit becomes very large.
そこで、本発明は、クロックスキューによる誤動作を防ぐことができる駆動回路、ラッチ回路及びそれを用いたアレイ基板及び画像表示装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a drive circuit, a latch circuit, an array substrate using the same, and an image display device that can prevent malfunction due to clock skew.
本発明に係る解決手段は、基準クロック信号を反転させ第1反転クロック信号を生成する第1インバータ回路と、第1インバータ回路で生成された第1反転クロック信号を反転させ第1クロック信号を生成する第2インバータ回路と、第2インバータ回路で生成された第1クロック信号を反転させ第2反転クロック信号を生成する第3インバータ回路と、第1クロック信号及び第2反転クロック信号に同期してパルス信号を伝送する、直列接続された複数のラッチ回路とを備える。 According to another aspect of the present invention, a first inverter circuit that inverts a reference clock signal to generate a first inverted clock signal, and inverts a first inverted clock signal generated by the first inverter circuit to generate a first clock signal. The second inverter circuit, the third inverter circuit that inverts the first clock signal generated by the second inverter circuit to generate the second inverted clock signal, and the first clock signal and the second inverted clock signal. A plurality of latch circuits connected in series for transmitting a pulse signal.
本発明に記載の駆動回路は、基準クロック信号を反転させ第1反転クロック信号を生成する第1インバータ回路と、第2インバータ回路と、第3インバータ回路と、ラッチ回路とを備えるので、クロックスキューを小さくすることができ、当該クロックスキューによる誤動作を防ぐことができる効果がある。また、本発明に記載のラッチ回路、駆動回路で構成された駆動回路を有する画像表示装置も、クロックスキューによる誤動作を防ぐことができる効果がある。 The drive circuit according to the present invention includes a first inverter circuit that inverts a reference clock signal to generate a first inverted clock signal, a second inverter circuit, a third inverter circuit, and a latch circuit. There is an effect that it is possible to reduce the error and prevent malfunction due to the clock skew. In addition, an image display device having a driving circuit including a latch circuit and a driving circuit described in the present invention can also prevent malfunction due to clock skew.
(実施の形態1)
図1に、本実施の形態に係る駆動回路を内蔵した画像表示装置である薄膜トランジスタ液晶表示装置(以下、単に液晶表示装置ともいう)のブロック図を示す。図1に示す液晶表示装置では、行列状に画素(サブ画素)が配置された(図示せず)液晶表示部1、各画素を駆動するゲート線駆動回路2及びソース線駆動回路3が示されている。さらに液晶表示部1の回路図を図2に示す。図2に示す液晶表示部1では、個々の画素(サブ画素)を駆動するトランジスタ(TFT11)と、このTFT11のドレイン電極(画素電極)に接続された液晶セル12と、TFT11のドレイン電極に接続された蓄積容量13とから構成されている。
(Embodiment 1)
FIG. 1 shows a block diagram of a thin film transistor liquid crystal display device (hereinafter also simply referred to as a liquid crystal display device) which is an image display device incorporating a driving circuit according to the present embodiment. The liquid crystal display device shown in FIG. 1 shows a liquid
さらに、図2に示す液晶表示部1は、TFT11のゲート電極が走査信号線であるゲート線GL(GL(m−1),GL(m)、GL(m+1),・・・)に接続され、TFT11のソース電極がデータ信号線であるソース線SL(SL(n−1),SL(n),SL(n+1),・・・)に接続されている。また、液晶セル12の対向電極及び蓄積容量13の他方の電極には、コモン電位VCOMが与えられる(図示せず)。なお、液晶表示部1の画素(サブ画素)は、カラーフィルタのRGBストライプと対応しており、3つのサブ画素(RGB)で1つの画素分の色表示を行っている。
Further, in the liquid
ゲート線駆動回路2は、ラッチ回路より構成される垂直シフトレジスタ14と、論理回路を含むゲート線駆動バッファ15とを備えている。また、各々のゲート線駆動バッファ15は、接続された各々のゲート線GLに対して走査信号が出力される。垂直シフトレジスタ14には、パネル外部よりゲートクロック信号CLKY及びスタート信号STYが入力される。
The gate
次に、垂直シフトレジスタ14の回路図を図3に示す。図3に示す垂直シフトレジスタ14では、直列接続されているラッチ回路(1)〜(4)が4段示されている。パネル外部より入力されたゲートクロック信号CLKYは、パネル内の基準クロック信号であるグローバルゲートクロック信号GCLKY(図3ではGCLK)となり、各々のラッチ回路に対して分配される。1段目のラッチ回路31には、スタート信号STY(図3ではST)が入力される。なお、2段目のラッチ回路32の入力には1段目のラッチ回路31の出力Q1が、3段目のラッチ回路33の入力には2段目のラッチ回路32の出力Q2が、4段目のラッチ回路34に入力には3段目のラッチ回路33の出力Q3がそれぞれ入力されている。
Next, a circuit diagram of the
次に、ゲート線駆動バッファ15の回路図を図4に示す。ゲート線駆動バッファ15では、1段目のラッチ回路31の出力Q1と2段目のラッチ回路32の出力Q2とのAND演算(AND素子35)を行い、さらにパルス幅を制御するためのENAB信号とAND演算(AND素子36)を行った信号を第1のゲート線GL1に出力している。同様に、ゲート線駆動バッファ15では、2段目のラッチ回路32の出力Q2と3段目のラッチ回路33の出力Q3とのAND演算(AND素子37)を行い、さらにパルス幅を制御するためのENAB信号とAND演算(AND素子38)を行った信号を第2のゲート線GL2に出力している。また、ゲート線駆動バッファ15では、3段目のラッチ回路33の出力Q3と4段目のラッチ回路34の出力Q4とのAND演算(AND素子39)を行い、さらにパルス幅を制御するためのENAB信号とAND演算(AND素子40)を行った信号を第3のゲート線GL3に出力している。
Next, a circuit diagram of the gate
次に、1段目のラッチ回路31と2段目のラッチ回路32の回路図を図5に示す。図5では、ゲートクロック信号(LCLK,/LCLK)が供給される転送用インバータ16と、転送用インバータ16と直列接続される帰還用インバータ17と、帰還用インバータ17と並列接続されたインバータ18により1つのラッチ回路が構成されている。なお、帰還用インバータ17にもゲートクロック信号(LCLK,/LCLK)が供給されている。
Next, a circuit diagram of the first-
次に、本実施の形態に係る垂直シフトレジスタ14(図3)では、クロックスキューを小さくすることができ、当該クロックスキューによる誤動作を防ぐことが可能である点について説明する。 Next, in the vertical shift register 14 (FIG. 3) according to the present embodiment, the point that the clock skew can be reduced and the malfunction due to the clock skew can be prevented will be described.
まず、グローバルクロック信号GCLKは、各々のラッチ回路と接続されたインバータ21に入力される。さらに、インバータ21の出力はインバータ22に入力され、インバータ22は、正相・逆相2つのクロック信号(LCLK,/LCLK)の一方のクロック信号を生成する(図3では、グローバルクロック信号GCLKと同相のクロック信号LCLKが生成される)。さらに、インバータ22の出力の一部はインバータ23に入力され、インバータ23は、正相・逆相2つのクロック信号(LCLK,/LCLK)の他方のクロック信号を生成する(図3では、グローバルクロック信号GCLKと逆相のクロック信号/LCLKが生成される)。
First, the global clock signal GCLK is input to the
本実施の形態に係るシフトレジスタでは、インバータ22で正相・逆相2つのクロック信号(LCLK,/LCLK)を生成する前に、グローバルクロック信号GCLKを、一旦インバータ21で受けている。そのため、本実施の形態では、たとえグローバルクロック信号GCLKの波形が非常になまっていても、インバータ21を介することで波形を整形することができる。従って、インバータ21からの出力は波形のなまりが小さくなり、インバータ22及びインバータ23で生成されるクロック信号(LCLK,/LCLK)の波形のなまりも小さくなる。つまり、インバータ21を設けることで、クロックスキューの小さいクロック信号(LCLK,/LCLK)を得ることができる。これは、インバータ21がクロック信号(LCLK,/LCLK)の波形を整形するように機能しているためである。
In the shift register according to the present embodiment, the global clock signal GCLK is once received by the
なお、本実施の形態では、ラッチ回路1段に対して1組のインバータ21〜インバータ23を有しているが、本発明はこれに限られず、複数段のラッチ回路に対して1組のインバータ21〜インバータ23を設ける構成であっても同様の効果を得ることができる。
In this embodiment, one set of
次に、ソース線駆動回路3の構成を示すブロック図を図6に示す。図6に示すソース線駆動回路3は、水平シフトレジスタ4と、デジタルデータバスライン19と、第1ラッチ回路5と、第2ラッチ回路6と、D/A変換回路(DAC)7と、アナログアンプ(Amp.)8とにより構成されている。本例では、4ビットのデジタル階調データ(DATA)の場合を示す。当該デジタル階調データ(DATA)は、水平シフトレジスタ4からのシフトパルス信号(第1ラッチ信号LAT1_1,LAT1_2,・・・LAT1_m)により、第1ラッチ回路5にラッチされる。第1ラッチ回路5での一水平ライン分のデジタル階調データ(DATA)のラッチが終了するまでの時間は一ライン期間と呼ばれる。第2ラッチ回路6は各第1ラッチ回路5がそれぞれ異なるタイミングでラッチしたデータを同タイミングでラッチする。第2ラッチ回路6でのラッチ動作が終了した後、各第1ラッチ回路5は次の水平ラインのラッチ動作を順に行う。第1ラッチ回路5がラッチ動作を行っている最中に、その直前の水平ラインについて、D/A変換回路(DAC)7は第2ラッチ回路でラッチされたデジタル階調データ(DATA)をアナログ階調電圧に変換する。このアナログ階調電圧は、アナログアンプ8を経て、対応するソース信号線SLに供給される。上述した動作を繰り返すことにより、アレイ基板内の全画素表示領域に画像が表示される。
Next, a block diagram showing a configuration of the source
水平シフトレジスタ4には、パネル外部よりソースクロック信号CLKX及びスタート信号STXが入力される。水平シフトレジスタ4は垂直シフトレジスタ14と同一の回路構成である(図3)。パネル外部より入力されたソースクロック信号CLKXは、パネル内のグローバルクロックGCLKX(図3ではGCLK)となり各々のラッチ回路に対して分配されている。1段目のラッチ回路31には、スタート信号STX(図3ではST)が入力される。なお、2段目のラッチ回路32の入力には1段目のラッチ回路31の出力Q1が、3段目のラッチ回路33の入力には2段目のラッチ回路32の出力Q2が、4段目のラッチ回路34に入力には3段目のラッチ回路33の出力Q3がそれぞれ入力されている。本実施の形態に係る水平シフトレジスタ4では、クロックスキューを小さくすることができ、当該クロックスキューによる誤動作を防ぐことができるのは垂直シフトレジスタ14の場合と同じである。
A source clock signal CLKX and a start signal STX are input to the
(実施の形態2)
図7に、本実施の形態に係る駆動回路を内蔵した液晶表示装置のブロック図を示す。図7に示す液晶表示装置において、図1に示す液晶表示装置と異なる点は複数のレベル変換回路(L/S)41〜45を備えている点である。
(Embodiment 2)
FIG. 7 shows a block diagram of a liquid crystal display device incorporating a driving circuit according to this embodiment. The liquid crystal display device shown in FIG. 7 is different from the liquid crystal display device shown in FIG. 1 in that a plurality of level conversion circuits (L / S) 41 to 45 are provided.
近年、機器の低消費電力化や低EMI(不要幅射対策)化のために、入出力の低電圧化が要求されるようになってきている。しかし、液晶表示装置においては、単結晶シリコントランジスタよりも動作電圧の高い多結晶シリコン薄膜トランジスタが用いられており、駆動回路の動作電圧を高くする必要がある。そこで、液晶表示装置では、駆動回路側にレベル変換回路(L/S)を搭載して、必要に応じてパネル内部に高い電圧を供給する構成とすることで、低電圧化を図っている。 In recent years, there has been a demand for lower input / output voltages in order to reduce the power consumption of devices and to reduce the EMI (measures against unwanted emission). However, in a liquid crystal display device, a polycrystalline silicon thin film transistor having an operating voltage higher than that of a single crystal silicon transistor is used, and the operating voltage of the driving circuit needs to be increased. In view of this, in the liquid crystal display device, a level conversion circuit (L / S) is mounted on the drive circuit side so that a high voltage is supplied to the inside of the panel as necessary, thereby reducing the voltage.
図8に、レベル変換回路(L/S)の回路図を示す。図8に示すレベル変換回路では、電源(VDD)にソースを接続したPチャネルMOSトランジスタMP3,MP4のゲートが、第2のCMOSインバータ(MP2,MN2)、第1のCMOSインバータ(MP1,MN1)の出力とそれぞれ接続されている。なお、第1のCMOSインバータ(MP1,MN1)には入力信号IN(図9,図10ではクロック信号CLKYが対応)が、第2のCMOSインバータ(MP2,MN2)には入力信号/IN(図9,図10ではクロック信号/CLKYが対応)がそれぞれ入力されている。ここで、図9及び図10は、図8に示すレベル変換回路を設けた場合のクロック信号の生成を説明するための図である。図9の場合は、レベル変換回路から2つのクロック信号が出力される構成で、図10の場合は、レベル変換回路から1つのクロック信号が出力され、それを2つに分ける構成である。 FIG. 8 shows a circuit diagram of the level conversion circuit (L / S). In the level conversion circuit shown in FIG. 8, the gates of the P-channel MOS transistors MP3 and MP4 whose sources are connected to the power supply (VDD) are the second CMOS inverter (MP2, MN2) and the first CMOS inverter (MP1, MN1). Are connected to each output. The first CMOS inverter (MP1, MN1) has an input signal IN (corresponding to the clock signal CLKY in FIGS. 9 and 10), and the second CMOS inverter (MP2, MN2) has an input signal / IN (see FIG. 9). 9 and FIG. 10, the clock signal / CLKY corresponds). Here, FIGS. 9 and 10 are diagrams for explaining generation of the clock signal when the level conversion circuit shown in FIG. 8 is provided. In the case of FIG. 9, two clock signals are output from the level conversion circuit, and in the case of FIG. 10, one clock signal is output from the level conversion circuit and is divided into two.
そして、図8に示すレベル変換回路では、ノードM2からバッファ回路を経て出力信号OUTが出力される。入力信号IN及び、その反転信号/INは低電圧レベル信号であり、このレベル変換回路により”H”レベルを電源(VDD)に変換する。なお、本レベル変換回路(L/S)では、入力信号として両相信号(入力信号INと、その反転信号/IN)を用いる構成としたが、入力信号は単相信号(入力信号INのみ)で、レベル変換回路(L/S)内でインバータ回路により、その反転信号/INを生成する構成としても良い。 In the level conversion circuit shown in FIG. 8, the output signal OUT is output from the node M2 through the buffer circuit. The input signal IN and its inverted signal / IN are low voltage level signals, and this level conversion circuit converts the “H” level to the power supply (VDD). In this level conversion circuit (L / S), a two-phase signal (input signal IN and its inverted signal / IN) is used as an input signal, but the input signal is a single-phase signal (only the input signal IN). Thus, the inverted signal / IN may be generated by an inverter circuit in the level conversion circuit (L / S).
図7を参照して、パネル外部よりクロック信号CLKYとその反転信号/CLKYが、レベル変換回路41の入力信号IN及びその反転信号/INが入力される入力端子にそれぞれ入力される。そして、レベル変換回路41の出力M2からバッファ回路を経て、グローバルクロック信号GCLKYが出力される。
Referring to FIG. 7, clock signal CLKY and its inverted signal / CLKY are input from the outside of the panel to the input terminals of
本実施の形態に係る垂直シフトレジスタ14は、図3に示す構成である。ゲートクロック用レベル変換回路の出力信号であるグローバルクロック信号GCLKYは各々のラッチ回路に対して分配されている。1段目のラッチ回路31には、スタート信号STYが入力される。なお、2段目のラッチ回路32の入力には1段目のラッチ回路31の出力Q1が、3段目のラッチ回路33の入力には2段目のラッチ回路32の出力Q2が、4段目のラッチ回路34に入力には3段目のラッチ回路33の出力Q3がそれぞれ入力されている。スタート信号STYも同様に、レベル変換回路42を経て、1段目のラッチ回路31に入力される。また、ENAB信号もレベル変換回路43を経て、ゲート線駆動バッファ15に入力される。
The
次に、本実施の形態に係る垂直シフトレジスタ14(図3)では、クロックスキューを小さくすることができ、当該クロックスキューによる誤動作を防ぐことが可能である点について説明する。 Next, in the vertical shift register 14 (FIG. 3) according to the present embodiment, the point that the clock skew can be reduced and the malfunction due to the clock skew can be prevented will be described.
まず、グローバルクロック信号GCLKは、各々のラッチ回路と接続されたインバータ21に入力される。さらに、インバータ21の出力はインバータ22に入力され、インバータ22は、正相・逆相2つのクロック信号(LCLK,/LCLK)の一方のクロック信号を生成する(図3では、グローバルクロック信号GCLKと同相のクロック信号LCLKが生成される)。さらに、インバータ22の出力の一部はインバータ23に入力され、インバータ23は、正相・逆相2つのクロック信号(LCLK,/LCLK)の他方のクロック信号を生成する(図3では、グローバルクロック信号GCLKと逆相のクロック信号/LCLKが生成される)。
First, the global clock signal GCLK is input to the
本実施の形態に係るシフトレジスタでは、インバータ22で正相・逆相2つのクロック信号(LCLK,/LCLK)を生成する前に、グローバルクロック信号GCLKを、一旦インバータ21で受けている。そのため、本実施の形態では、たとえグローバルクロック信号GCLKの波形が非常になまっていても、インバータ21を介することで波形を整形することができる。従って、インバータ21からの出力は波形のなまりが小さくなり、インバータ22及びインバータ23で生成されるクロック信号(LCLK,/LCLK)の波形のなまりも小さくなる。つまり、インバータ21を設けることで、クロックスキューの小さいクロック信号(LCLK,/LCLK)を得ることができる。これは、インバータ21がクロック信号(LCLK,/LCLK)の波形を整形するように機能しているためである。
In the shift register according to the present embodiment, the global clock signal GCLK is once received by the
また、インバータ22は、クロックスキューの小さいクロック信号(LCLK,/LCLK)を生成するために、トランジスタサイズ(チャネル幅及びチャネル長)を十分に小さくすることはできない。しかし、本実施の形態では、インバータ21をインバータ22の前段に設けているので、インバータ21のトランジスタサイズをインバータ22のトランジスタサイズより小さくすることが可能になる。例えば、インバータ21のトランジスタサイズをプロセスで許容可能な最小寸法とすることができる。これにより、グローバルクロック信号GCLKの負荷を小さくすることが可能となり、グローバルクロック信号GCLKを供給する側のバッファサイズを小さく抑えることができる。また、バッファサイズを小さくすることができることから、回路全体の消費電力の増加も抑えられる。さらに、バッファサイズを小さくできることから、バッファ部のレイアウトも容易となる。
Further, since the
なお、本実施の形態では、ラッチ回路1段に対して1組のインバータ21〜インバータ23を有しているが、本発明はこれに限られず、複数段のラッチ回路に対して1組のインバータ21〜インバータ23を設ける構成であっても同様の効果を得ることができる。
In this embodiment, one set of
次に、図7を参照して、パネル外部よりソースクロック信号CLKXとその反転信号/CLKXが、レベル変換回路44の入力信号IN及びその反転信号/INが入力される入力端子にそれぞれ入力される。そして、レベル変換回路44の出力M2からバッファ回路を経て、グローバルクロック信号GCLKXが出力される。本実施の形態に係る水平シフトレジスタ4は、図3(図3ではグローバルクロック信号GCLKXはGCLKである)に示す構成である。スタート信号STX(図3ではST)も同様に、レベル変換回路45を経て、1段目のラッチ回路31に入力される。同様に、クロックスキューを小さくすることができ、当該クロックスキューによる誤動作を防ぐことが可能となる。
Next, referring to FIG. 7, the source clock signal CLKX and its inverted signal / CLKX are input from the outside of the panel to the input terminal of the
(実施の形態3)
図11に、本実施の形態に係る駆動回路を内蔵した液晶表示装置のブロック図を示す。図11に示す液晶表示装置において、図7に示す液晶表示装置と異なる点はゲートクロック信号CLKY及びソースクロック信号CLKXを入力するレベル変換回路41,44の出力後にタイミング遅延回路46,47を有している点である。
(Embodiment 3)
FIG. 11 is a block diagram of a liquid crystal display device incorporating a drive circuit according to this embodiment. The liquid crystal display device shown in FIG. 11 is different from the liquid crystal display device shown in FIG. 7 in that
図12に,本実施の形態に係るタイミング遅延回路の回路図を示す。図13に、本実施の形態に係るシフトレジスタの回路図を示す。図12に示す回路では、レベル変換回路の出力がタイミング遅延回路46の基準クロック信号BCLKとなる。
FIG. 12 shows a circuit diagram of the timing delay circuit according to the present embodiment. FIG. 13 is a circuit diagram of the shift register according to this embodiment. In the circuit shown in FIG. 12, the output of the level conversion circuit becomes the reference clock signal BCLK of the
さらに、図12に示す回路では、基準クロック信号BCLKをタイミング遅延手段である立ち上がり遅延回路51及び立ち下がり遅延回路52に供給する。立ち上がり遅延回路51は、基準クロック信号BCLKB、立ち下がり遅延回路52は、基準クロック信号BCLKAをそれぞれ出力する。なお、基準クロック信号BCLKAと基準クロック信号BCLKBとは、互いに位相の異なる2相の基準クロック信号である。
Further, in the circuit shown in FIG. 12, the reference clock signal BCLK is supplied to the rising
また、基準クロック信号BCLKA,BCLKBは、それぞれ別系統のインバータ及びバッファに入力され、図5に示す相補の第1のクロック信号群(CLKA,/CLKA)及び第2のクロック信号群(CLKB,/CLKB)として出力される。 The reference clock signals BCLKA and BCLKB are respectively input to different systems of inverters and buffers, and the complementary first clock signal group (CLKA, / CLKA) and second clock signal group (CLKB, / CLKA) shown in FIG. CLKB).
本実施の形態に係るシフトレジスタでは、図13に示すように、第1のクロック信号群(CLKA,/CLKA)及び第2のクロック信号群(CLKB,/CLKB)が交互にラッチ回路31〜34の各段に入力される。このように駆動すると、図5に示すラッチ回路で構成される図13のシフトレジスタは、第1段目のラッチ回路31を構成する転送用インバータ16と第2段目のラッチ回路32を構成する転送用インバータ16等、隣り合う段のラッチ回路の転送用インバータ16が同時にON状態となることがなく、データ突き抜け現象の発生を抑えることが可能となる。なお、図14に示す波形では、クロック信号CLKAとクロック信号/CLKA間、及びクロック信号CLKBとクロック信号/CLKB間のクロックスキューは、第1のクロック信号群(CLKA,/CLKA)と第2のクロック信号群(CLKB,/CLKB)とのタイミング差に比べて十分に小さいため省略している。ここで、図14に示す期間Tdは、クロック信号(CLKY,/CLKY)の切り換わりから出力Q1の切り換わりまでの信号伝播遅延時間を示す。
In the shift register according to the present embodiment, as shown in FIG. 13, the first clock signal group (CLKA, / CLKA) and the second clock signal group (CLKB, / CLKB) are alternately latched. Are input to each stage. When driven in this manner, the shift register shown in FIG. 13 including the latch circuit shown in FIG. 5 constitutes the
本実施の形態に係るシフトレジスタにおいてデータ突き抜け現象が生じない理由について、図15を用いて説明する。なお、図15は、図13で示したラッチ回路31〜34の内、1段目と2段目のラッチ回路31,32を取り出して図示して回路図である。まず、図15に示すラッチ回路31,32では、入力されるスタート信号STYが”H”レベルの時、クロック信号CLKAが”L”から”H”に切り換わると、NチャネルトランジスタMN14,MN15がON状態となり、ノードAが”L”に引き下げられ、逆にノードBは”H”に引き上げられる。
The reason why the data punch-out phenomenon does not occur in the shift register according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a circuit diagram showing the
この時、クロック信号CLKBは、クロック信号CLKAが切り換わる前に”H”から”L”に切り換わっており、NチャネルトランジスタMN17はOFF状態となっているため、データの突き抜け現象は発生しない。また、クロック信号CLKBが”L”から”H”に切り換わる時でも、図示しない次段のラッチ回路に供給されるクロック信号CLKAは既に切り換わっているため、同様にデータの突き抜け現象は生じない。 At this time, since the clock signal CLKB is switched from “H” to “L” before the clock signal CLKA is switched, and the N-channel transistor MN17 is in the OFF state, the data punch-out phenomenon does not occur. Further, even when the clock signal CLKB is switched from “L” to “H”, the clock signal CLKA supplied to the latch circuit of the next stage (not shown) has already been switched, so that the data punch-out phenomenon does not occur similarly. .
なお、図16(a)(b)に、図12で示した立ち上がり遅延回路51及び立ち下がり遅延回路52の一例を示す。図16(a)に示す立ち上がり遅延回路51では、入力した基準クロック信号BCLKと、偶数段のインバータチェーン53を介した基準クロック信号BCLKとのAND演算(AND素子54)を行い、インバータ55を介して基準クロック信号BCLKBとして出力している。図16(b)に示す立ち下がり遅延回路では、入力した基準クロック信号BCLKと、偶数段のインバータチェーン56を介した基準クロック信号BCLKとのOR演算(OR素子57)を行い、インバータ58を介して基準クロック信号BCLKAとして出力している。
FIGS. 16A and 16B show an example of the rising
但し、図12に示す各信号線名は、垂直シフトレジスタ14の場合、それぞれ次のようになる。BCLKはBCLKY、STはSTY、CLKA及び/CLKAはCLKYA及び/CLKYA、CLKB及び/CLKBはCLKYB及び/CLKYBとなる。
However, the signal line names shown in FIG. 12 are as follows in the case of the
また、ラッチ回路に供給される2相クロック(第1のクロック信号群(CLKA,/CLKA)及び第2のクロック信号群(CLKB,/CLKB))の生成方法は、図12で示した立ち上がり遅延回路51及び立ち下がり遅延回路52を用いる方法に限られず、同様のタイミングが生成可能な別の方法を用いて構わない。さらに、本実施の形態では、シフトレジスタについて説明したが、本実施の形態に係る内容を後述するタイミングコントローラに適用しても同様の効果が得られる。
Further, the generation method of the two-phase clocks (the first clock signal group (CLKA, / CLKA) and the second clock signal group (CLKB, / CLKB)) supplied to the latch circuit is the rising delay shown in FIG. The method is not limited to the method using the
本発明に係るタイミング遅延回路、垂直シフトレジスタ14及び水平シフトレジスタ4を用いることで、データ突き抜け現象が生じない安定動作可能な画像表示装置が得られる。
By using the timing delay circuit, the
(実施の形態4)
図17に、本実施の形態に係る駆動回路を内蔵した液晶表示装置のブロック図を示す。図17に示す液晶表示装置において、図11に示す液晶表示装置と異なる点はタイミング遅延回路48,49の出力信号数が2本である点である(垂直シフトレジスタ14の場合、グローバルクロック信号GCLKYA,GCLKYB)。
(Embodiment 4)
FIG. 17 shows a block diagram of a liquid crystal display device incorporating a driving circuit according to this embodiment. The liquid crystal display device shown in FIG. 17 is different from the liquid crystal display device shown in FIG. 11 in that the number of output signals of the
図18に、本実施の形態に係るタイミング遅延回路の回路図を示す。図19に、本実施の形態に係るシフトレジスタの回路図を示す。図18に示すパルス生成回路48は、パルス生成手段である立ち上がり遅延回路51及び立ち下がり遅延回路52、バッファから構成されている。レベル変換回路の出力が基準クロック信号BCLKとなり、当該基準クロック信号BCLKが、バッファを介して立ち上がり遅延回路51及び立ち下がり遅延回路52に入力される。
FIG. 18 shows a circuit diagram of the timing delay circuit according to the present embodiment. FIG. 19 is a circuit diagram of the shift register according to this embodiment. The
そして、立ち上がり遅延回路51からは基準クロック信号BCLKB、立ち下がり遅延回路52からは基準クロック信号BCLKAがそれぞれ生成され、バッファを介してグローバルクロック信号GCLKB,GCLKAとして出力される。なお、基準クロック信号BCLKBと基準クロック信号BCLKA、グローバルクロック信号GCLKBとグローバルクロック信号GCLKAとは、互いに位相の異なる信号である。
A reference clock signal BCLKB is generated from the rising
さらに、グローバルクロック信号GCLKAは、図19に示す1段目及び3段目のラッチ回路31,33に供給され、グローバルクロック信号GCLKBは、図19に示す2段目及び4段目のラッチ回路32,34に供給される。供給されたグローバルクロック信号GCLKAは、まず1段目及び3段目のラッチ回路31,33に接続されたインバータ60に入力され、その出力がインバータ61で反転されクロック信号/LCLKAとして出力される。インバータ61の出力の一部は、さらにインバータ62に入力され、反転されクロック信号LCLKAとして出力される。同様に、供給されたグローバルクロック信号GCLKBは、まず2段目及び4段目のラッチ回路32,34に接続されたインバータ63に入力され、その出力がインバータ64で反転されクロック信号LCLKBとして出力される。インバータ64の出力の一部は、さらにインバータ65に入力され、反転されクロック信号/LCLKBとして出力される。
Further, the global clock signal GCLKA is supplied to the first and third
上述の方法で各々のラッチ回路に入力されるクロック信号(LCLKA,/LCLKA及びLCLKB,/LCLKB)を生成することで、相補のクロック信号間(LCLKAと/LCLKAとの間、LCLKBと/LCLKBとの間)のクロックスキューが小さくなり、より安定した動作が得られる。また、本実施の形態に係るシフトレジスタは、位相の異なる2相クロック信号を生成し、シフトレジスタを構成するラッチ回路へ1段おきに相の異なるクロック信号を入力する。このように構成することで、第1段目のラッチ回路を構成する転送用インバータと第2段目のラッチ回路を構成する転送用インバータ等、隣り合う段のラッチ回路の転送用インバータが同時にON状態となることがなく、データ突き抜け現象の発生を抑えることが可能となる。 By generating the clock signals (LCLKA, / LCLKA and LCLKB, / LCLKB) that are input to the respective latch circuits by the above-described method, between the complementary clock signals (between LCLKA and / LCLKA, LCLKB and / LCLKB, The clock skew becomes smaller and a more stable operation can be obtained. In addition, the shift register according to this embodiment generates a two-phase clock signal having different phases, and inputs a clock signal having a different phase every other stage to a latch circuit constituting the shift register. With this configuration, the transfer inverters in the adjacent latch circuits such as the transfer inverter constituting the first-stage latch circuit and the transfer inverter constituting the second-stage latch circuit are simultaneously turned on. It is possible to suppress the occurrence of a data punch-through phenomenon without entering a state.
但し、図18に示す各信号線名は、垂直シフトレジスタ14の場合、それぞれ次のようになる。BCLKはBCLKY、STはSTY、CLKA及び/CLKAはCLKYA及び/CLKYA、CLKB及び/CLKBはCLKYB及び/CLKYBとなる。
However, the signal line names shown in FIG. 18 are as follows in the case of the
なお、本発明の最大の趣旨は、CLKA,/CLKAとCLKB,/CLKBの位相をずらすことであり、このため各段のラッチ回路に入力される相補のクロック信号の生成方法は、図19で示した方法に限られるものではなく、例えば、インバータ60,63を設けない回路構成を用いて生成する方法であっても構わない。また、図18で示した立ち上がり遅延回路51及び立ち下がり遅延回路52を用いる方法に限られず、同様のタイミングが生成可能な別の方法を用いても構わない。
Note that the main purpose of the present invention is to shift the phases of CLKA, / CLKA and CLKB, / CLKB. For this reason, the method of generating complementary clock signals input to the latch circuits at each stage is shown in FIG. The method is not limited to the method shown, and for example, a method of generating using a circuit configuration in which the
(実施の形態5)
図20に、本実施の形態に係る駆動回路を内蔵した液晶表示装置のブロック図を示す。図20に示す液晶表示装置において、図1,図7,図11,図17に示す液晶表示装置と異なる点はタイミングコントローラ10を内蔵する点である。
(Embodiment 5)
FIG. 20 is a block diagram of a liquid crystal display device incorporating a drive circuit according to this embodiment. The liquid crystal display device shown in FIG. 20 is different from the liquid crystal display devices shown in FIGS. 1, 7, 11, and 17 in that a
図20に示すタイミングコントローラ10は、外部からレベル変換回路を介して入力されるマスタクロック信号MCLK、水平同期信号HSYNC、垂直同期信号VSYNCから、ゲート線駆動回路2の制御信号(CLKY,STY)及びソース線駆動回路のシフトレジスタ4の制御信号(CLKX,STX)、第2ラッチ回路6を制御する第2ラッチ信号、さらにD/A変換回路7、アナログアンプ8の各制御信号を生成する。図20に示すタイミングコントローラ10を内蔵する液晶表示装置では、一般に入力信号であるマスタクロック信号MCLK、水平同期信号HSYNC、垂直同期信号VSYNCは低電圧であり、レベル変換回路(L/S)により電圧レベルが変換された後、タイミングコントローラ10に入力される。また、図20に示す液晶表示装置では、マスタクロック信号MCLK、水平同期信号HSYNC、垂直同期信号VSYNCは単相入力である。図20におけるゲートクロック信号CLKY、垂直シフトレジスタ14、ソースクロック信号CLKX、水平シフトレジスタ4は、図3、図12、図18のいずれかの方法が適用される。
The
図21に、本実施の形態に係るタイミングコントローラの回路図を示す。図21に示すタイミングコントローラは、直列接続された2つのラッチ回路71〜74が4段設けられている。つまり、ラッチ回路71aとラッチ回路71bが直列接続され1段目を構成し、ラッチ回路72aとラッチ回路72bが直列接続され2段目を構成し、ラッチ回路73aとラッチ回路73bが直列接続され3段目を構成し、ラッチ回路74aとラッチ回路74bが直列接続され4段目を構成している。なお、図21に示すラッチ回路71a〜74bは、図5で示したものと同じ回路構成をそれぞれ有しており、クロック信号に同期してパルス信号を伝送する。
FIG. 21 shows a circuit diagram of the timing controller according to the present embodiment. The timing controller shown in FIG. 21 is provided with four stages of two
図22に、マスタクロック信号MCLKから、グローバルハーフクロック信号GHCLKを生成する回路図を示す。図22では、マスタクロック信号MCLKの電圧レベルを変換するレベル変換回路78と、レベル変換後の信号を分周する分周回路79と、分周後の信号をグローバルハーフクロック信号GHCLKとして出力するバッファとを備えている。この分周回路とバッファ回路はタイミングコントローラ10に含まれる。
FIG. 22 shows a circuit diagram for generating global half clock signal GHCLK from master clock signal MCLK. In FIG. 22, a
次に、図22で生成されたグローバルハーフクロック信号GHCLKは、タイミングコントローラ10内の各ラッチ回路に分配され、タイミングコントローラ10の各種タイミング制御を行う。なお、図21に示す各段のラッチ回路71〜74には、それぞれ信号1〜信号4が入力されている。この信号1〜信号4は、タイミングコントローラ10で生成される信号で、水平シフトレジスタ4、第2ラッチ回路6、D/A変換回路7、アナログアンプ8及びゲート線駆動回路2を制御するために使用される信号であり、例えば、HSYNC信号をレベル変換回路により電圧レベルを変換し、バッファ回路を経て出力された信号である。
Next, the global half clock signal GHCLK generated in FIG. 22 is distributed to each latch circuit in the
図22では、グローバルハーフクロック信号GHCLKが、まず各ラッチ回路に接続されたインバータ75に入力される。さらに、インバータ75の出力はインバータ76に入力され、インバータ76はグローバルハーフクロック信号GHCLKと同相のクロック信号LHCLKが生成される。さらに、インバータ76の出力はインバータ77に入力され、インバータ77はグローバルハーフクロック信号GHCLKと逆相のクロック信号/LHCLKが生成される。
In FIG. 22, the global half clock signal GHCLK is first input to an
本実施の形態に係るタイミングコントローラは、実施の形態2と同様、インバータ76,77でクロック信号(LHCLK,/LHCLK)を生成する前に、グローバルハーフクロック信号GHCLKを、一旦インバータ75で受けている。そのため、本実施の形態に係るタイミングコントローラでは、たとえグローバルハーフクロック信号GHCLKの波形が非常になまっていても、インバータ75を介すことで波形を整形できる。よって、インバータ75からの出力は波形のなまりが小さくなるので、インバータ76及びインバータ77で生成されるクロック信号(LHCLK,/LHCLK)は波形のなまりも小さくなる。つまり、インバータ75を設けることで、クロックスキューの小さいクロック信号(LHCLK,/LHCLK)を得ることができる。
The timing controller according to the present embodiment receives the global half clock signal GHCLK by the
なお、本実施の形態に係るタイミングコントローラのクロック信号生成回路は、実施の形態2で説明を行ったが、実施の形態3、実施の形態4であっても良い。 The clock signal generation circuit of the timing controller according to the present embodiment has been described in the second embodiment, but may be the third and fourth embodiments.
(実施の形態6)
図23に、本実施の形態に係るラッチ回路の回路図を示す。本実施の形態では、実施の形態1や実施の形態2で示したラッチ回路の帰還用インバータ17を構成するトランジスタサイズ(チャネル幅(W)及びチャネル長(L))を、転送用インバータ16を構成するトランジスタサイズと同等かそれ以上にする。図23に示す例では、転送用インバータ16のトランジスタサイズはPチャネルトランジスタがW/L=10μm/5μm、NチャネルトランジスタがW/L=5μm/5μmであるのに対し、帰還用インバータ17のトランジスタサイズはPチャネルトランジスタがW/L=20μm/5μm、NチャネルトランジスタがW/L=10μm/5μmとしている。
(Embodiment 6)
FIG. 23 shows a circuit diagram of the latch circuit according to the present embodiment. In this embodiment, the transistor size (channel width (W) and channel length (L)) constituting the
一般的なラッチ回路では、転送用インバータ16のサイズに比べ、帰還用インバータ17のサイズを小さくしている。しかし、このようなサイズでラッチ回路を構成すると、クロック信号(CLK,/CLK)の波形がなまっている場合に、入力される信号の誤ラッチが発生する。図24に示すラッチ回路の回路図を用いて、データの誤ラッチの発生について説明する。
In a general latch circuit, the size of the
まず、図24に示すラッチ回路は、入力信号INが”L”レベル、ノードBが”L”レベルの時、/CLK信号が”L”から”H”に切り換わるとPチャネルトランジスタMP20がOFF状態となる。一方、CLK信号が”H”から”L”に切り換わるとPチャネルトランジスタMP22,MP23がON状態となりラッチが動作する。その後、入力信号INが”H”レベルに切り換わってもノードBは”L”をラッチした状態となる。 First, in the latch circuit shown in FIG. 24, when the / CLK signal is switched from “L” to “H” when the input signal IN is “L” level and the node B is “L” level, the P-channel transistor MP20 is turned off. It becomes a state. On the other hand, when the CLK signal is switched from “H” to “L”, the P-channel transistors MP22 and MP23 are turned on and the latch operates. Thereafter, even if the input signal IN is switched to the “H” level, the node B is in a state of latching “L”.
ところが、このクロック信号(CLK,/CLK)の波形がなまっていると、CLK信号が”H”から”L”に切り換わる遷移時間が長くなる。そのため、CLK信号の電圧レベルが電源(VDD)とGNDとの中間程度の時に、入力信号INが”H”レベルに切り換わると、NチャネルトランジスタMN20,MN21がPチャネルトランジスタMP22,MP23と同時にON状態となる。転送用インバータのトランジスタ(MP20,MP21,MN20,MN21)サイズが、帰還用インバータのトランジスタ(MP22,MP23,MN22,MN23)サイズより大きいと、ノードAはNチャネルトランジスタMN20,MN21により”L”へ引き下げられ、ノードBは誤って”H”にラッチした状態となる。特に、MOSトランジスタとして多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた場合、その閾値電圧等のトランジスタ特性は単結晶シリコントランジスタに比べて非常に大きく、且つ、そのバラツキも非常に大きくなる。また、配線間の寄生容量も大きいため、信号線を十分高速に駆動できずに波形が鈍っていた。 However, when the waveform of the clock signal (CLK, / CLK) is rounded, the transition time for switching the CLK signal from “H” to “L” becomes long. Therefore, when the input signal IN switches to the “H” level when the voltage level of the CLK signal is approximately between the power supply (VDD) and GND, the N-channel transistors MN20 and MN21 are turned on simultaneously with the P-channel transistors MP22 and MP23. It becomes a state. When the size of the transfer inverter transistors (MP20, MP21, MN20, MN21) is larger than the size of the feedback inverter transistors (MP22, MP23, MN22, MN23), the node A is set to “L” by the N-channel transistors MN20, MN21. The node B is erroneously latched to “H”. In particular, when a polycrystalline silicon thin film transistor is used as a MOS transistor, its transistor characteristics such as threshold voltage are much larger than that of a single crystal silicon transistor, and its variation is very large. In addition, since the parasitic capacitance between the wirings is large, the signal line cannot be driven at a sufficiently high speed, and the waveform is dull.
図23に示す例では、帰還用インバータ17のトランジスタサイズを、転送用インバータ16のトランジスタサイズより大きくしている。本実施の形態に係るラッチ回路を上述のように構成することで、クロック信号の波形のなまりによって転送用インバータ16と帰還用インバータ17とが同時にON状態となり、信号衝突が起こったとしても帰還用インバータ17のトランジスタサイズが転送用インバータ16のトランジスタサイズに比べ大きいため、ラッチされた信号レベルが変化することはない。従って、本実施の形態に係るラッチ回路は、上述のように構成することで入力信号の誤ラッチを防ぐことが可能になる。本実施の形態に係るラッチ回路を垂直シフトレジスタ14、水平シフトレジスタ4、タイミングコントローラ10に用いることで、誤ラッチのない安定した動作を行う画像表示装置が得られる。
In the example shown in FIG. 23, the transistor size of the
なお、上述した駆動回路は、ラッチ回路としてクロックドインバータを用いた場合について説明したが、本発明はこれに限られずトランスミッションゲートを用いた場合でも同様の効果を得られることができる。 In the above-described drive circuit, the case where a clocked inverter is used as a latch circuit has been described. However, the present invention is not limited to this, and the same effect can be obtained even when a transmission gate is used.
また、本発明に係る駆動回路(シフトレジスタやタイミングコントローラなど)は、上述の説明では主として液晶表示装置の駆動回路に用いられると説明したが、これに限られず液晶以外の画像表示装置や、他の装置の駆動回路にも用いることができる。さらに、本発明に係るシフトレジスタやタイミングコントローラなどの駆動回路で構成されるソース線駆動回路及びゲート線駆動回路、画像表示装置を構成する画素に含まれる能動素子は多結晶シリコン薄膜トランジスタである。 Further, in the above description, the drive circuit (shift register, timing controller, etc.) according to the present invention has been described as being mainly used for a drive circuit of a liquid crystal display device. It can also be used for the drive circuit of the apparatus. Furthermore, the active element included in the source line driving circuit and the gate line driving circuit configured by driving circuits such as the shift register and the timing controller according to the present invention, and the pixel configuring the image display device is a polycrystalline silicon thin film transistor.
なお、アレイ基板には、マトリクス状に配置された複数の画素及び各画素を制御する薄膜トランジスタ等が形成される以外に、ソース線駆動回路やゲート線駆動回路、タイミングコントローラが形成される。これら、アレイ基板上に形成されるソース線駆動回路やゲート線駆動回路、タイミングコントローラは、本発明に係るラッチ回路や駆動回路が適用されることになる。但し、アレイ基板上に形成される回路の組合せは、ソース線駆動回路のみ、ゲート線駆動回路のみ、ソース線駆動回路及びゲート線駆動回路、ソース線駆動回路及びゲート線駆動回路、タイミングコントローラ等様々考えられる。 Note that a source line driver circuit, a gate line driver circuit, and a timing controller are formed on the array substrate in addition to a plurality of pixels arranged in a matrix and a thin film transistor for controlling each pixel. The latch circuit and driving circuit according to the present invention are applied to the source line driving circuit, gate line driving circuit, and timing controller formed on the array substrate. However, there are various combinations of circuits formed on the array substrate, such as only the source line driver circuit, only the gate line driver circuit, source line driver circuit and gate line driver circuit, source line driver circuit and gate line driver circuit, and timing controller. Conceivable.
1 液晶表示部、2 ゲート線駆動回路、3 ソース線駆動回路、4 水平シフトレジスタ、5 第1ラッチ回路、6 第2ラッチ回路、7 D/A変換回路、8 アナログアンプ、10 タイミングコントローラ、11 TFT、12 液晶セル、13 蓄積容量、14 垂直シフトレジスタ、15 ゲート線駆動バッファ、16,111,113 転送用インバータ、17,112,114 帰還用インバータ、18,21,22,23,55,58,60,61,62,63,64,65,75,76,77 インバータ、19 デジタルデータバスライン、31,32,33,34,71,72,73,74,101,102,103,104 ラッチ回路、35,36,37,38,39,40,54 AND素子、41,42,43,44,45 レベル変換回路、46,47,48,49 タイミング遅延回路、78 パルス生成回路、51 立ち上がり遅延回路、52 立ち下がり遅延回路、53,56 偶数段インバータチェーン、57 OR素子、79 分周回路。
DESCRIPTION OF
Claims (16)
前記第1インバータ回路で生成された前記第1反転クロック信号を反転させ第1クロック信号を生成する第2インバータ回路と、
前記第2インバータ回路で生成された前記第1クロック信号を反転させ第2反転クロック信号を生成する第3インバータ回路と、
前記第1クロック信号及び前記第2反転クロック信号に同期してパルス信号を伝送する、直列接続された複数のラッチ回路とを備える駆動回路。 A first inverter circuit that inverts a reference clock signal to generate a first inverted clock signal;
A second inverter circuit for generating a first clock signal by inverting the first inverted clock signal generated by the first inverter circuit;
A third inverter circuit that inverts the first clock signal generated by the second inverter circuit to generate a second inverted clock signal;
A drive circuit comprising a plurality of serially connected latch circuits that transmit a pulse signal in synchronization with the first clock signal and the second inverted clock signal.
前記第1インバータを構成するトランジスタのチャネル幅及びチャネル長の値は、前記第2インバータを構成するトランジスタのチャネル幅及びチャネル長の値以下であることを特徴とする駆動回路。 The drive circuit according to claim 1,
The drive circuit characterized in that the channel width and the channel length of the transistors constituting the first inverter are not more than the channel width and the channel length of the transistors constituting the second inverter.
前記ラッチ回路は、データ転送用インバータと、前記データ転送用インバータと直列接続される帰還用インバータとを備え、
前記データ帰還用インバータを構成するトランジスタのチャネル幅及びチャネル長の値は、前記転送用インバータを構成するのチャネル幅及びチャネル長の値以上であることを特徴とする駆動回路。 The drive circuit according to claim 1 or 2,
The latch circuit includes a data transfer inverter and a feedback inverter connected in series with the data transfer inverter,
A drive circuit characterized in that the channel width and the channel length of the transistors constituting the data feedback inverter are equal to or greater than the channel width and the channel length of the transfer inverter.
前記第1の基準クロック信号又は前記第2の基準クロック信号から第1クロック信号を生成する第1インバータ回路と、
前記第1インバータ回路で生成された前記第1クロック信号を反転させ第2クロック信号を生成する第2インバータ回路と、
前記第1クロック信号及び前記第2クロック信号に同期してパルス信号を伝送する、直列接続された複数のラッチ回路とを備え、
前記第1の基準クロックは、奇数段の前記ラッチ回路に接続された前記第1インバータ回路に、前記第2の基準クロックは、偶数段の前記ラッチ回路に接続された前記第1インバータ回路にそれぞれ供給されることを特徴とする駆動回路。 A reference clock signal generating means for generating a first reference clock and a second reference clock having different phases from each other;
A first inverter circuit that generates a first clock signal from the first reference clock signal or the second reference clock signal;
A second inverter circuit that inverts the first clock signal generated by the first inverter circuit and generates a second clock signal;
A plurality of latch circuits connected in series for transmitting a pulse signal in synchronization with the first clock signal and the second clock signal;
The first reference clock is supplied to the first inverter circuit connected to the odd-numbered latch circuits, and the second reference clock is supplied to the first inverter circuit connected to the even-numbered latch circuits. A driving circuit which is supplied.
前記基準クロック信号生成手段は、立ち上がり遅延回路及び立ち下がり遅延回路とを有し、前記立ち上がり遅延回路及び前記立ち下がり遅延回路により前記第1の基準クロック信号及び前記第2の基準クロック信号を生成することを特徴とする駆動回路。 The drive circuit according to claim 4,
The reference clock signal generation means includes a rising delay circuit and a falling delay circuit, and generates the first reference clock signal and the second reference clock signal by the rising delay circuit and the falling delay circuit. A drive circuit characterized by that.
前記第1の基準クロック信号群又は前記第2の基準クロック信号群に同期してパルス信号を伝送する、直列接続された複数のラッチ回路とを備える駆動回路であって、
前記ラッチ回路の奇数段には、前記第1の基準クロック信号群が供給され、前記ラッチ回路の偶数段には、前記第2の基準クロック信号群が供給されることを特徴とする駆動回路。 A reference clock signal generating means for generating a first reference clock signal group and a second reference clock signal group having different phases from each other from the reference clock signal;
A drive circuit comprising a plurality of latch circuits connected in series for transmitting a pulse signal in synchronization with the first reference clock signal group or the second reference clock signal group;
The drive circuit, wherein the first reference clock signal group is supplied to an odd-numbered stage of the latch circuit, and the second reference clock signal group is supplied to an even-numbered stage of the latch circuit.
前記基準クロック信号生成手段は、立ち上がり遅延回路及び立ち下がり遅延回路とを有し、前記立ち上がり遅延回路及び前記立ち下がり遅延回路により前記第1の基準クロック信号群及び前記第2の基準クロック信号群を生成することを特徴とする駆動回路。 The drive circuit according to claim 6,
The reference clock signal generation means includes a rising delay circuit and a falling delay circuit, and the first reference clock signal group and the second reference clock signal group are obtained by the rising delay circuit and the falling delay circuit. A drive circuit characterized by generating.
外部より供給される入力信号の電圧レベルを変換して前記基準クロック信号を生成する昇圧手段を備えていることを特徴とする駆動回路。 A drive circuit according to any one of claims 1 to 7,
A drive circuit comprising boosting means for converting the voltage level of an input signal supplied from the outside to generate the reference clock signal.
前記基準クロック信号は駆動バッファを介して出力されるとともに、少なくとも前記昇圧手段と前記駆動バッファとは同一基板上に形成されることを特徴とする駆動回路。 The drive circuit according to claim 8, wherein
The reference clock signal is output through a drive buffer, and at least the booster and the drive buffer are formed on the same substrate.
データ転送用インバータと、
前記データ転送用インバータと直列接続される帰還用インバータとを備え、
前記データ帰還用インバータを構成するトランジスタのチャネル幅及びチャネル長の値は、前記転送用インバータを構成するトランジスタのチャネル幅及びチャネル長の値以上であることを特徴とするラッチ回路。 A latch circuit that transmits a pulse signal in synchronization with a clock signal,
An inverter for data transfer;
A feedback inverter connected in series with the data transfer inverter;
2. A latch circuit according to claim 1, wherein the channel width and channel length of the transistor constituting the data feedback inverter are equal to or greater than the channel width and channel length of the transistor constituting the transfer inverter.
データ信号線を介して各画素に画像データを供給するソース線駆動回路と、
走査信号線を介して各画素に走査信号を供給するゲート線駆動回路と、
前記ソース線駆動回路及び前記ゲート線駆動回路を制御するタイミングコントローラとを備える画像表示装置であって、
前記ソース線駆動回路及び前記ゲート線駆動回路、前記タイミングコントローラのうち、少なくとも1つは請求項1乃至請求項9のいずれか1つに記載された駆動回路により構成されていることを特徴とする画像表示装置。 A plurality of pixels arranged in a matrix;
A source line driving circuit for supplying image data to each pixel via a data signal line;
A gate line driving circuit for supplying a scanning signal to each pixel via the scanning signal line;
A timing controller that controls the source line driving circuit and the gate line driving circuit,
At least one of the source line driving circuit, the gate line driving circuit, and the timing controller is configured by the driving circuit according to any one of claims 1 to 9. Image display device.
データ信号線を介して各画素に画像データを供給するソース線駆動回路と、
走査信号線を介して各画素に走査信号を供給するゲート線駆動回路と、
前記ソース線駆動回路及び前記ゲート線駆動回路を制御するタイミングコントローラとを備える画像表示装置であって、
前記ソース線駆動回路及び前記ゲート線駆動回路、前記タイミングコントローラのうち、少なくとも1つは請求項10に記載されたラッチ回路により構成されていることを特徴とする画像表示装置。 A plurality of pixels arranged in a matrix;
A source line driving circuit for supplying image data to each pixel via a data signal line;
A gate line driving circuit for supplying a scanning signal to each pixel via the scanning signal line;
A timing controller that controls the source line driving circuit and the gate line driving circuit,
The image display device according to claim 10, wherein at least one of the source line driver circuit, the gate line driver circuit, and the timing controller is configured by a latch circuit according to claim 10.
前記ソース線駆動回路、前記ゲート線駆動回路、前記タイミングコントローラ及び前記画素を構成する能動素子は、多結晶シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする画像表示装置。 The image display device according to claim 11 or 12,
The image display device, wherein the source line driver circuit, the gate line driver circuit, the timing controller, and the active elements constituting the pixel are polycrystalline silicon thin film transistors.
データ信号線を介して各画素に画像データを供給するソース線駆動回路及び走査信号線を介して各画素に走査信号を供給するゲート線駆動回路、前記ソース線駆動回路及び前記ゲート線駆動回路を制御するタイミングコントローラのうちの少なくとも1つの回路とを備えるアレイ基板であって、
前記ソース線駆動回路及び前記ゲート線駆動回路、前記タイミングコントローラは、請求項1乃至請求項9のいずれか1つに記載された駆動回路により構成されていることを特徴とするアレイ基板。 A plurality of pixels arranged in a matrix;
A source line driving circuit for supplying image data to each pixel via a data signal line; a gate line driving circuit for supplying a scanning signal to each pixel via a scanning signal line; the source line driving circuit; and the gate line driving circuit. An array substrate comprising at least one circuit of a timing controller to be controlled,
10. The array substrate according to claim 1, wherein the source line driving circuit, the gate line driving circuit, and the timing controller are configured by the driving circuit according to claim 1.
データ信号線を介して各画素に画像データを供給するソース線駆動回路及び走査信号線を介して各画素に走査信号を供給するゲート線駆動回路、前記ソース線駆動回路及び前記ゲート線駆動回路を制御するタイミングコントローラのうちの少なくとも1つの回路とを備えるアレイ基板であって、
前記ソース線駆動回路及び前記ゲート線駆動回路、前記タイミングコントローラは、請求項10に記載されたラッチ回路により構成されていることを特徴とするアレイ基板。 A plurality of pixels arranged in a matrix;
A source line driving circuit for supplying image data to each pixel via a data signal line; a gate line driving circuit for supplying a scanning signal to each pixel via a scanning signal line; the source line driving circuit; and the gate line driving circuit. An array substrate comprising at least one circuit of a timing controller to be controlled,
The array substrate according to claim 10, wherein the source line driving circuit, the gate line driving circuit, and the timing controller are configured by a latch circuit according to claim 10.
前記ソース線駆動回路、前記ゲート線駆動回路、前記タイミングコントローラ及び前記画素を構成する能動素子は、多結晶シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とするアレイ基板。
The array substrate according to claim 14 or 15,
The array substrate, wherein the source line driving circuit, the gate line driving circuit, the timing controller, and the active elements constituting the pixels are polycrystalline silicon thin film transistors.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005335591A JP2007140256A (en) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | Drive circuit, latch circuit, array substrate using the same, and image display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005335591A JP2007140256A (en) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | Drive circuit, latch circuit, array substrate using the same, and image display apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007140256A true JP2007140256A (en) | 2007-06-07 |
Family
ID=38203173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005335591A Pending JP2007140256A (en) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | Drive circuit, latch circuit, array substrate using the same, and image display apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007140256A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9147372B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
WO2016106926A1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-07-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Goa drive circuit applied to flat panel display, and flat panel display |
WO2016106925A1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-07-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Nand gate latch drive circuit and nand gate latch shift register |
US9727162B2 (en) | 2014-12-30 | 2017-08-08 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | GOA driving circuit applied for flat panel display device and flat panel display device |
-
2005
- 2005-11-21 JP JP2005335591A patent/JP2007140256A/en active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9147372B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
WO2016106926A1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-07-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Goa drive circuit applied to flat panel display, and flat panel display |
WO2016106925A1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-07-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Nand gate latch drive circuit and nand gate latch shift register |
GB2546684A (en) * | 2014-12-30 | 2017-07-26 | Shenzhen China Star Optoelect | Goa drive circuit applied to flat panel display, and flat panel display |
GB2546924A (en) * | 2014-12-30 | 2017-08-02 | Shenzhen China Star Optoelect | Nand gate latch drive circuit and nand gate latch shift register |
US9727162B2 (en) | 2014-12-30 | 2017-08-08 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | GOA driving circuit applied for flat panel display device and flat panel display device |
KR20170142987A (en) * | 2014-12-30 | 2017-12-28 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | GOA driving circuit and flat panel display for flat panel display |
JP2018503122A (en) * | 2014-12-30 | 2018-02-01 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | GOA drive circuit applied to flat panel display device and flat panel display device |
KR102043534B1 (en) | 2014-12-30 | 2019-11-11 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | GOA drive circuits and flat panel displays for flat panel displays |
GB2546924B (en) * | 2014-12-30 | 2021-02-17 | Shenzhen China Star Optoelect | NAND gate latched driving circuit and NAND gate latched shift register |
GB2546684B (en) * | 2014-12-30 | 2021-05-05 | Shenzhen China Star Optoelect | Goa driving circuit applied for flat panel display device and flat panel display device |
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