JP2007139969A - Liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make light from a backlight contribute even to a reflection type pixel with a simple construction. <P>SOLUTION: A liquid crystal display device having a liquid crystal interposed between a first substrate and a viewer side second substrate and the backlight disposed on the rear surface of the first substrate has: a first display region wherein a plurality of first pixels are arranged; and a second display region wherein a plurality of second pixels are arranged. When display is performed by using light from the rear surface, transmission efficiency of the first pixel is lower than that of the second pixel, and when display is performed by reflecting light from the viewer side, reflection efficiency of the first pixel is made to be higher than that of the second pixel. The second substrate has a reflection film reflecting light made incident from the first substrate side and the first pixel reflects light made incident from the first substrate side and reflected by the reflection film of the second substrate to the second substrate side to perform display. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は液晶表示装置に係り、たとえば、その液晶表示部にいわゆるメイン画面とサブ画面を有する液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, for example, a liquid crystal display device having a so-called main screen and sub screen in its liquid crystal display section.

たとえば携帯電話に組み込まれて形成される液晶表示装置は、その液晶表示部にメイン画面とサブ画面を有するのが一般的である。
サブ画面における主な用途は、待機時の省電力モードでバックライトが非点灯の際にたとえば時刻あるいは日付等を表示するように構成されている。
このため、メイン画面がいわゆる透過型の画素として構成し、サブ画面がいわゆる全反射型あるいは部分透過型の画素として構成することが主流となっている。
For example, a liquid crystal display device formed by being incorporated in a mobile phone generally has a main screen and a sub screen in the liquid crystal display portion.
The main use of the sub screen is configured to display, for example, time or date when the backlight is not lit in the power saving mode during standby.
For this reason, the main screen is configured as a so-called transmissive pixel, and the sub-screen is configured as a so-called total reflection or partially transmissive pixel.

そして、このような傾向にあって、たとえば下記の特許文献1に示されたものが知られている。すなわち、特許文献1には、その第1実施例において、図1、図2に示すように、液晶表示領域の一部を反射領域(51)、一部を反射・透過併用の領域(52)として構成されている。この場合、バックライトは反射・透過併用の領域(52)にのみ重畳するようにして配置され、反射領域(51)の下方には設けられていない構成となっている。
また、第2実施例は、図7に示すように、前記反射・透過併用の領域(52)を透過領域として構成した旨が開示されている。
In such a tendency, for example, the one shown in Patent Document 1 below is known. That is, in Patent Document 1, in the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, a part of the liquid crystal display area is a reflective area (51), and a part is a combined reflective / transmissive area (52). It is configured as. In this case, the backlight is arranged so as to overlap only with the reflection / transmission area (52), and is not provided below the reflection area (51).
Further, as shown in FIG. 7, the second embodiment discloses that the reflection / transmission combined region (52) is configured as a transmission region.

特開2002−303863号公報JP 2002-303863 A

しかし、上述した構成では、反射領域においては全くバックライトからの光が寄与されていない構成となっていることから、状況によっては、その表示が暗いものとなってしまう場合を免れないものとなっていた。
それ故、反射型の画素においても、必要とあれば、バックライトからの光も寄与させる構成が望まれるが、その際において、画素の構成が複雑化するのを回避するのが賢明とされる。
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、簡単な構成にも拘わらず、反射型の画素においてもバックライトからの光も寄与させるように構成した液晶表示装置を提供することにある。
However, in the above-described configuration, the light from the backlight is not contributed at all in the reflection region, and in some situations, the display is unavoidable. It was.
Therefore, even in the reflection type pixel, if necessary, it is desirable to have a configuration in which the light from the backlight also contributes, but at that time, it is wise to avoid complication of the pixel configuration. .
The present invention has been made based on such circumstances, and the object thereof is a liquid crystal display device configured to contribute light from a backlight to a reflection type pixel even in a simple configuration. Is to provide.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。   Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

(1)
本発明による液晶表示装置は、たとえば、第1の基板と、前記第1の基板よりも観察者側に近い側に配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持された液晶と、前記第1の基板の前記液晶とは反対側に配置されたバックライトとを有する液晶表示装置であって、
複数の第1の画素が配列された第1の表示領域と、複数の第2の画素が配列された第2の表示領域とを有し、
前記第1の基板側から入射した光を透過させて表示を行う場合、前記第1の画素の透過効率は前記第2の画素の透過効率よりも低く、
前記第2の基板側から入射した光を反射させて表示を行う場合、前記第1の画素の反射効率は前記第2の画素の反射効率よりも高く、
平面的に見た場合、前記バックライトは前記第1の表示領域と前記第2の表示領域との両方に重畳し、
前記第2の基板は、前記第1の基板側から入射した光を反射する反射膜を有し、
前記第1の画素は、前記第2の基板の前記反射膜で反射された前記第1の基板側から入射した光を前記第2の基板側へ反射させて表示を行うことを特徴とする。
(1)
The liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a first substrate, a second substrate disposed closer to an observer side than the first substrate, the first substrate, and the second substrate. A liquid crystal display device having a liquid crystal sandwiched between and a backlight disposed on a side opposite to the liquid crystal of the first substrate,
A first display area in which a plurality of first pixels are arranged; and a second display area in which a plurality of second pixels are arranged;
When performing display by transmitting light incident from the first substrate side, the transmission efficiency of the first pixel is lower than the transmission efficiency of the second pixel,
When performing display by reflecting light incident from the second substrate side, the reflection efficiency of the first pixel is higher than the reflection efficiency of the second pixel,
When viewed in plan, the backlight overlaps both the first display area and the second display area,
The second substrate has a reflective film that reflects light incident from the first substrate side,
The first pixel performs display by reflecting light incident from the first substrate side reflected by the reflective film of the second substrate toward the second substrate side.

(2)
本発明による液晶表示装置は、たとえば、(1)の構成を前提とし、前記第2の基板の前記反射膜は、互いに隣接する2つの前記第1の画素の隙間から入射した光を反射することを特徴とする。
(2)
The liquid crystal display device according to the present invention is based on, for example, the configuration of (1), and the reflection film of the second substrate reflects light incident from a gap between two adjacent first pixels. It is characterized by.

(3)
本発明による液晶表示装置は、たとえば、(1)または(2)の構成を前提とし、前記第2の基板の前記反射膜は、互いに隣接する2つの前記第1の画素の間隙に重畳する位置に形成されていることを特徴とする。
(3)
The liquid crystal display device according to the present invention is based on, for example, the configuration (1) or (2), and the reflective film of the second substrate overlaps with a gap between two adjacent first pixels. It is characterized by being formed.

(4)
本発明による液晶表示装置は、たとえば、(1)から(3)の何れかの構成を前提とし、 前記第2の基板の前記反射膜は、前記第1の基板側から入射して互いに隣接する2つの前記第1の画素の間隙を通過した光が直接前記第2の基板を通過して観察者に到達するのを遮蔽する遮光膜を兼ねることを特徴とする。
(4)
The liquid crystal display device according to the present invention is premised on, for example, any one of the constitutions (1) to (3), and the reflective films of the second substrate are incident from the first substrate side and are adjacent to each other. It also serves as a light-shielding film that shields light that has passed through the gap between the two first pixels from directly passing through the second substrate and reaching the viewer.

(5)
本発明による液晶表示装置は、たとえば、(1)から(4)の何れかの構成を前提とし、 前記第2の基板の前記反射膜は、前記第1の基板側から入射した光を前記第1の画素に向けて反射させる傾斜部を有することを特徴とする。
(5)
The liquid crystal display device according to the present invention is premised on, for example, any one of the constitutions (1) to (4), and the reflection film of the second substrate receives light incident from the first substrate side. It has an inclined part that reflects toward one pixel.

(6)
本発明による液晶表示装置は、たとえば、(1)から(5)の何れかの構成を前提とし、 前記第1の画素は、1画素内のほぼ全域が反射表示領域であることを特徴とする。
(6)
The liquid crystal display device according to the present invention is premised on, for example, any one of the constitutions (1) to (5), and the first pixel is characterized in that almost the entire area in one pixel is a reflective display region. .

(7)
本発明による液晶表示装置は、たとえば、(1)から(6)の何れかの構成を前提とし、 前記第2の画素は、1画素内に反射表示領域と透過表示領域とを有することを特徴とする。
(7)
The liquid crystal display device according to the present invention is premised on, for example, any one of the constitutions (1) to (6), and the second pixel has a reflective display region and a transmissive display region in one pixel. And

(8)
本発明による液晶表示装置は、たとえば、(1)から(6)の何れかの構成を前提とし、 前記第2の画素は、1画素内のほぼ全域が透過表示領域であることを特徴とする。
(8)
The liquid crystal display device according to the present invention is premised on, for example, any one of the constitutions (1) to (6), and the second pixel is characterized in that almost the entire area of one pixel is a transmissive display region. .

なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。   In addition, this invention is not limited to the above structure, A various change is possible in the range which does not deviate from the technical idea of this invention.

以下、図面を用いて本発明による液晶表示装置の実施例について説明をする。
図1(a)、(b)は、それぞれ本発明による液晶表示装置の一実施例を示す正面図、側面図である。
Embodiments of a liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIGS. 1A and 1B are a front view and a side view, respectively, showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

まず、図1(a)に示すように、液晶表示装置は、その僅かな周辺を除く中央部に表示部ARを備え、この表示部ARは、反射型の表示部(以下、反射型表示部と称す)ARrと透過型の表示部(以下、透過型表示部と称す)ARtとを有するようになっている。   First, as shown in FIG. 1A, the liquid crystal display device includes a display unit AR in a central portion excluding a slight periphery thereof, and the display unit AR is a reflective display unit (hereinafter referred to as a reflective display unit). ARr) and a transmissive display portion (hereinafter referred to as a transmissive display portion) ARt.

反射型表示部ARrは反射型からなる画素がマトリクス状に配置されて形成され、透過型表示部ARtは透過型からなる画素がマトリクス状に配置されて形成されている。
なお、この実施例では、反射型表示部ARrの各画素は僅かな透過部(微透過部)を有するように構成され、透過型表示ARtの各画素は僅かな反射部(微反射部)を有するように構成されている。また、これら画素のそれぞれの構成は後に詳述する。
The reflective display area ARr is formed by arranging reflective pixels in a matrix, and the transmissive display area ARt is formed by arranging transmissive pixels in a matrix.
In this embodiment, each pixel of the reflective display area ARr is configured to have a slight transmission part (fine transmission part), and each pixel of the transmission type display ARt has a slight reflection part (fine reflection part). It is comprised so that it may have. The configuration of each of these pixels will be described in detail later.

反射型表示部ARrと透過型表示部ARtは表示部ARをたとえば図中x方向の仮想の線分を境界として区分けされている。また、反射型表示部ARrの占める面積は透過型表示部ARtの占める面積よりも小さく形成されている。透過型表示部ARtはメイン画像面として用いられるのに対し反射型表示部ARrはサブ画像面として用いられるからである。   The reflective display area ARr and the transmissive display area ARt are divided by using the display area AR as a boundary, for example, with a virtual line segment in the x direction in the figure. The area occupied by the reflective display area ARr is formed smaller than the area occupied by the transmissive display area ARt. This is because the transmissive display unit ARt is used as a main image plane, whereas the reflective display unit ARr is used as a sub-image plane.

なお、前記表示部ARには、たとえばそのx方向に延在しy方向に並設されるゲート信号線(図示せず)と、y方向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線(図示せず)とが形成され、これらの信号線によって囲まれる領域にてそれぞれ画素が形成されている。   In the display portion AR, for example, a gate signal line (not shown) extending in the x direction and arranged in parallel in the y direction, and a drain signal line extending in the y direction and arranged in parallel in the x direction. (Not shown) are formed, and pixels are formed in regions surrounded by these signal lines.

各画素は、ゲート信号線からの信号(走査信号)によってオンされる薄膜トランジスタ(図示せず)と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号(映像信号)が供給される画素電極(図示せず)と、この画素電極とで液晶に電界を発生させる対向電極と(図示せず)を備えた構成となっている。   Each pixel has a thin film transistor (not shown) turned on by a signal (scanning signal) from a gate signal line, and a pixel electrode (not shown) to which a signal (video signal) from a drain signal line is supplied via the thin film transistor. And a counter electrode (not shown) for generating an electric field in the liquid crystal with this pixel electrode.

表示部ARの周辺の外側の一部には表示部AR内の上記各画素を駆動させるためのドライバ回路DRが形成され、このドライバ回路DRによって前記ゲート信号線に走査信号を、ドレイン信号線に映像信号を供給するようになっている。   A driver circuit DR for driving each of the pixels in the display unit AR is formed on a part of the outer periphery of the display unit AR. The driver circuit DR sends a scanning signal to the gate signal line and a drain signal line to the driver signal DR. A video signal is supplied.

このドライバ回路DRはたとえばアモルファスシリコンからなる半導体装置を備えるもので、たとえば表示部ARの各画素にそれぞれ形成されている薄膜トランジスタTFTの形成の際に同時に形成されるようになっている。   The driver circuit DR includes a semiconductor device made of amorphous silicon, for example, and is formed at the same time as the thin film transistor TFT formed in each pixel of the display portion AR, for example.

液晶表示装置は、図1(b)に示すように、液晶を介在して配置される透明基板SUB1、SUB2を外囲器とするもので、その観察者側の面には該透明基板SUB2側から光学補償フィルムOCF2、偏光板POL2が配置され、また、該観察者側の面と反対側の面には該透明基板SUB1側から光学補償フィルムOCF1、偏光板POL1が配置されている。   As shown in FIG. 1 (b), the liquid crystal display device uses transparent substrates SUB1 and SUB2 arranged with liquid crystal interposed therebetween as an envelope, and the viewer side surface has the transparent substrate SUB2 side. The optical compensation film OCF2 and the polarizing plate POL2 are disposed on the surface opposite to the surface on the viewer side, and the optical compensation film OCF1 and the polarizing plate POL1 are disposed on the surface opposite to the observer side from the transparent substrate SUB1 side.

なお、図1(b)においては、分離して描かれているが、光学補償フィルムOCF2は透明基板SUB2に貼付され、偏光板POL2は該光学補償フィルムOCF2に貼付されて配置され、光学補償フィルムOCF1は透明基板SUB1に貼付され、偏光板POL1は該光学補償フィルムOCF1に貼付されて配置されて配置されている。   Although shown separately in FIG. 1B, the optical compensation film OCF2 is attached to the transparent substrate SUB2, and the polarizing plate POL2 is attached to the optical compensation film OCF2 and arranged. OCF1 is attached to the transparent substrate SUB1, and the polarizing plate POL1 is attached to the optical compensation film OCF1.

さらに、液晶表示装置の背面(観察者側と反対側の面)にはバックライトBLが配置され、このバックライトBLは少なくとも該液晶表示装置の反射型表示部ARrと透過型表示部ARtに対向して配置される大きさとなっている。   Further, a backlight BL is disposed on the back surface (the surface opposite to the viewer side) of the liquid crystal display device, and this backlight BL faces at least the reflective display portion ARr and the transmissive display portion ARt of the liquid crystal display device. The size is arranged.

このように構成された液晶表示装置は、上述したように、反射型表示部ARrの各画素において僅かな透過部(微透過部)を有するように構成され、透過型表示ARtの各画素において僅かな反射部(微反射部)を有するように構成されている。このため、前記透明基板SUB1側から入射した光を透過させて表示を行う場合、前記反射型表示部ARrの各画素の透過効率は前記透過型表示ARtの各画素の透過効率よりも低く、前記透明基板SUB2側から入射した光を反射させて表示を行う場合、前記反射型表示部ARrの各画素の反射効率は前記透過型表示ARtの各画素の反射効率よりも高くなる関係を有するようになっている。   As described above, the liquid crystal display device configured as described above is configured to have a small transmission part (slight transmission part) in each pixel of the reflection type display unit ARr, and slightly in each pixel of the transmission type display ARt. It is comprised so that it may have a reflective part (fine reflection part). For this reason, when performing display by transmitting light incident from the transparent substrate SUB1 side, the transmission efficiency of each pixel of the reflective display area ARr is lower than the transmission efficiency of each pixel of the transmissive display ARt, When displaying by reflecting light incident from the transparent substrate SUB2 side, the reflection efficiency of each pixel of the reflective display area ARr is higher than the reflection efficiency of each pixel of the transmissive display ARt. It has become.

図2は、前記透過型表示部ARtにて形成される透過型画素の一実施例を示す平面図である。上述のようにこの画素には僅かな反射部(微反射部)を有するように構成されている。図2のIV−IV線における断面図を図4に示している。
なお、図2に示す画素は、図中x方向に延在する一対のゲート信号線GLと図中y方向に延在する一対のドレイン信号線DLとで囲まれる領域に形成されている。
FIG. 2 is a plan view illustrating an example of a transmissive pixel formed in the transmissive display unit ARt. As described above, this pixel is configured to have a small number of reflection portions (fine reflection portions). A sectional view taken along line IV-IV in FIG. 2 is shown in FIG.
The pixel shown in FIG. 2 is formed in a region surrounded by a pair of gate signal lines GL extending in the x direction in the drawing and a pair of drain signal lines DL extending in the y direction in the drawing.

この画素領域はその大部分を透過型領域TRとして形成されているが、図中x方向に延在する仮想の線分を境にした一方の側の一部の領域に反射型領域RRが形成されるようになっている。   Most of this pixel area is formed as a transmissive area TR, but a reflective area RR is formed in a partial area on one side of a virtual line segment extending in the x direction in the figure. It has come to be.

まず、透明基板SUB1の液晶側の面(主表面)に、図中x方向に延在するゲート信号線GLが形成されている。このゲート信号線GLは画素領域内の一部において該画素領域内に延在して線太となる部分を有している。この部分は後述する薄膜トランジスタTFTのゲート電極GTを形成するようになっている。   First, the gate signal line GL extending in the x direction in the figure is formed on the liquid crystal side surface (main surface) of the transparent substrate SUB1. The gate signal line GL has a portion that extends into the pixel region and becomes thick in a part of the pixel region. This portion forms a gate electrode GT of a thin film transistor TFT described later.

また、画素を囲む一対のゲート信号線GLのうち一方のゲート信号線GL(図中下側に位置づけられるゲート信号線GL)に隣接して保持容量信号線CPLが形成されている。この保持容量信号線CPLは、画素領域内において、その両側辺から比較大きく延在された部分を有し、換言すれば、ゲート信号線GLと交差する部分と比較して大きな幅を有する部分を有し、この幅広の部分は後述の容量素子CDの各電極のうちの1つの電極を構成するようになっている。   In addition, a storage capacitor signal line CPL is formed adjacent to one gate signal line GL (gate signal line GL positioned on the lower side in the drawing) of the pair of gate signal lines GL surrounding the pixel. The storage capacitor signal line CPL has a portion that is largely extended from both sides in the pixel region. In other words, the storage capacitor signal line CPL has a portion that has a larger width than the portion that intersects the gate signal line GL. The wide portion constitutes one electrode of each electrode of a capacitive element CD described later.

そして、透明基板SUB1の主表面には該ゲート信号線GLをも被って第1絶縁膜GI(図4参照)が形成されている。この絶縁膜は該薄膜トランジスタTFTの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するもので、それに合わせて膜厚が設定されるようになっている。
絶縁膜GIの表面の薄膜トランジスタTFTの形成領域には該薄膜トランジスタTFTの半導体層ASとなるたとえばアモルファスシリコンが形成されている。
A first insulating film GI (see FIG. 4) is formed on the main surface of the transparent substrate SUB1 so as to cover the gate signal line GL. This insulating film functions as a gate insulating film in the formation region of the thin film transistor TFT, and the film thickness is set in accordance with this.
In the formation region of the thin film transistor TFT on the surface of the insulating film GI, for example, amorphous silicon serving as the semiconductor layer AS of the thin film transistor TFT is formed.

薄膜トランジスタTFTの形成領域は画素領域を囲む後述の一対のドレイン信号線DLのうちの一方のドレイン信号線DL(図中左側のドレイン信号線DL)に近接して設けられ、前記半導体層ASは近接する前記ドレイン信号線DLの形成領域であって前記ゲート信号線との交差部にも及んで一体となって形成されている。後述のドレイン信号線DLの形成にあってゲート信号線GLにおける段差の部分で段切れが生じないようするための配慮からである。   The formation region of the thin film transistor TFT is provided in the vicinity of one drain signal line DL (the drain signal line DL on the left side in the figure) of a pair of drain signal lines DL (described later) surrounding the pixel region, and the semiconductor layer AS is in proximity. The drain signal line DL is formed in an integrated manner extending to the intersection with the gate signal line. This is because consideration is given to the formation of a drain signal line DL, which will be described later, in order to prevent a step break at a step portion in the gate signal line GL.

また、同様の配慮は、保持容量信号線CPL上のドレイン信号線DLとの交差部においてもなされ、ここに形成される半導体層ASは薄膜トランジスタTFTの半導体層ASと分離されて形成されている。   The same consideration is also made at the intersection of the storage capacitor signal line CPL and the drain signal line DL, and the semiconductor layer AS formed here is formed separately from the semiconductor layer AS of the thin film transistor TFT.

薄膜トランジスタTFTの形成領域における前記半導体層AStにおいて、その表面にドレイン電極およびソース電極を形成することにより該薄膜トランジスタTFTが形成されることになるが、該ドレイン電極およびソース電極はたとえばドレイン信号線DLの形成の際に同時に形成されるようになっている。   In the semiconductor layer ASt in the region where the thin film transistor TFT is formed, the thin film transistor TFT is formed by forming the drain electrode and the source electrode on the surface thereof. The drain electrode and the source electrode are, for example, the drain signal line DL It is formed at the same time as forming.

すなわち、図中y方向に延在するドレイン信号線DLが形成され、その一部が前記半導体層AStの表面に延在するようにして形成することにより該ドレイン電極DTが形成されるようになっている。また、この際に、該ドレイン電極DTと薄膜トランジスタTFTのチャネル長に相当する距離だけ離間させてソース電極STが形成されるようになっている。   That is, the drain signal line DL extending in the y direction in the drawing is formed, and a part of the drain signal line DL extends on the surface of the semiconductor layer ASt, whereby the drain electrode DT is formed. ing. At this time, the source electrode ST is formed at a distance corresponding to the channel length of the drain electrode DT and the thin film transistor TFT.

ここで、ソース電極STは前記半導体層ASの形成領域外にまで延在され、画素領域内において、比較的大きな面積として形成した保持容量信号線CPLのほぼ全域に重なり合うようにして形成されている。上述したように保持容量信号線CPLは後述の容量素子CDの各電極のうちの1つを構成し、それに重なり合うソース電極STの前記延在部も該容量素子CDの各電極のうちの1つを構成するようになっている。この場合、これらの電極の間に介在された前記絶縁膜GIが該容量素子CDの1つの誘電体膜を構成するようになっている。
また、これにより、ソース電極STは、反射型領域PRの大部分に形成され、反射膜RPとして機能するようになっている。
Here, the source electrode ST extends to the outside of the formation region of the semiconductor layer AS, and is formed so as to overlap almost the entire region of the storage capacitor signal line CPL formed as a relatively large area in the pixel region. . As described above, the storage capacitor signal line CPL constitutes one of the electrodes of the later-described capacitor element CD, and the extending portion of the source electrode ST overlapping therewith is also one of the electrodes of the capacitor element CD. Is configured. In this case, the insulating film GI interposed between these electrodes constitutes one dielectric film of the capacitive element CD.
Thereby, the source electrode ST is formed in most of the reflective region PR and functions as the reflective film RP.

前記絶縁膜GIが容量素子CDの1つの誘電体膜を構成すると称したのは、後述するように、該容量素子CDは複合的に構成されているからであって、後述するように、他の残りの電極として画素電極PX(T)が兼用するからである。   The reason why the insulating film GI is referred to as one dielectric film of the capacitive element CD is that the capacitive element CD is composed in a complex manner as will be described later. This is because the pixel electrode PX (T) is also used as the remaining electrode.

透明基板SUB1の主表面にはドレイン信号線DLおよびソース電極STをも被って第2絶縁膜INS2が形成されている(図4参照)。この第2絶縁膜INS2は前記容量素子CDの他の誘電体膜を構成するもので、それに基づき膜厚が設定されるようになっている。   A second insulating film INS2 is formed on the main surface of the transparent substrate SUB1 so as to cover the drain signal line DL and the source electrode ST (see FIG. 4). The second insulating film INS2 constitutes another dielectric film of the capacitive element CD, and the film thickness is set based on this.

そして、第2絶縁膜INS2の表面には画素電極PX(T)が形成されている。この画素電極PX(T)はたとえばITO(Indium Tin Oxide)等の透光性の導電膜で形成され、画素領域の僅かな周辺を除く中央部の全域、すなわち反射領域RRおよび透過領域TRのいずれにも形成されている。   A pixel electrode PX (T) is formed on the surface of the second insulating film INS2. The pixel electrode PX (T) is formed of a light-transmitting conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide), for example, and the entire central region excluding a slight periphery of the pixel region, that is, any of the reflection region RR and the transmission region TR. Also formed.

この画素電極PX(T)は反射領域PRにおける一部に該第2絶縁膜INS2に予め形成されたスルーホールTHを通してソース電極STの延在部に接続されている。これにより、薄膜トランジスタTFTがゲート信号線GLからの信号(走査信号)によってオンされた場合に該薄膜トランジスタTFTを介してドレイン信号線DLからの信号(映像信号)が該ソース電極STの延在部を通して画素電極PX(T)に供給されるようになる。   The pixel electrode PX (T) is connected to the extending portion of the source electrode ST through a through hole TH formed in advance in the second insulating film INS2 in a part of the reflection region PR. Accordingly, when the thin film transistor TFT is turned on by a signal (scanning signal) from the gate signal line GL, a signal (video signal) from the drain signal line DL passes through the extending portion of the source electrode ST via the thin film transistor TFT. It is supplied to the pixel electrode PX (T).

なお、ソース電極STの延在部とこれに重ねて形成される画素電極PX(T)との間には該第2絶縁膜INSを誘電体膜とする容量素子が形成され、上述した容量素子SDの複合された一つの容量素子として構成されている。これにより該容量素子SDは比較的大きな容量を有するものとして構成されるようになる。   A capacitive element using the second insulating film INS as a dielectric film is formed between the extending portion of the source electrode ST and the pixel electrode PX (T) formed over the extended portion. It is configured as one capacitive element combined with SD. As a result, the capacitive element SD is configured to have a relatively large capacitance.

透明基板SUB1の主表面には該画素電極PX(T)をも被って配向膜ORI1(図4参照)が形成されている。この配向膜ORI1は液晶LCと直接に接触する膜で、液晶の分子の初期配向を規制するようになっている。   An alignment film ORI1 (see FIG. 4) is formed on the main surface of the transparent substrate SUB1 so as to cover the pixel electrode PX (T). This alignment film ORI1 is a film that is in direct contact with the liquid crystal LC, and regulates the initial alignment of liquid crystal molecules.

液晶LCを介して透明基板SUB1と対向配置される対向基板SUB2の液晶側の面(主表面)には、図4に示すように、まず、ブラックマトリクスBMが形成されている。このブラックマトリクスBMは、図2にも示されているように、ゲート信号線GLおよびドレイン信号線DLを充分に被うようにして形成され、これにより形成される画素領域内の開口部の輪郭は実質的に画素として機能する領域を画するように構成されている。なお、このブラックマトリクスBMはたとえば樹脂等の材料から構成されている。しかし、反射効率の良好な金属等で構成されていてもよいことはいうまでもない。   A black matrix BM is first formed on the liquid crystal side surface (main surface) of the counter substrate SUB2 disposed to face the transparent substrate SUB1 via the liquid crystal LC, as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the black matrix BM is formed so as to sufficiently cover the gate signal line GL and the drain signal line DL, and the outline of the opening in the pixel region formed thereby. Is configured to delineate a region that substantially functions as a pixel. The black matrix BM is made of a material such as a resin. However, it goes without saying that it may be made of a metal or the like having good reflection efficiency.

ブラックマトリクスBMの開口部にはカラーフィルタCFが形成されている。このカラーフィルタCFは、通常、ブラックマトリクスBMの開口部の全域に形成されるが、この実施例では、反射型領域PRにおいて、その一部を開口したいわゆる色穴CHLと称される部分が設けられている。カラーフィルタCFを通した光を明るくするためである。
そして、ブラックマトリクスBMおよびカラーフィルタCFをも被って平坦化膜OCが形成されている。
A color filter CF is formed in the opening of the black matrix BM. The color filter CF is usually formed over the entire area of the opening of the black matrix BM. In this embodiment, a part called a color hole CHL having a part opened in the reflective region PR is provided. It has been. This is to brighten the light passing through the color filter CF.
A planarization film OC is formed so as to cover the black matrix BM and the color filter CF.

さらに、この平坦化膜OCの上面であって、反射型領域PRに相当する領域に突起部PRJ(頂部が平坦化されている)が形成されている。この突起部PRJは反射型領域PRにおいて透過型領域TRよりも液晶LCの層厚を小さくするために設けられるもので、光が反射型領域PRにおいて液晶内を2往復する事情に鑑み、その光学的距離を透過型領域TRにおける光学的距離とほぼ等しくするようにしている。   Further, a protrusion PRJ (the top is flattened) is formed in a region corresponding to the reflective region PR on the upper surface of the planarizing film OC. This projection PRJ is provided in order to reduce the layer thickness of the liquid crystal LC in the reflective region PR than in the transmissive region TR. The optical distance is made substantially equal to the optical distance in the transmissive region TR.

そして、この突起部PRJをも含めて平坦化膜OCの表面にはたとえばITOからなる対向電極CTが形成され、さらに、この対向電極CTの表面には配向膜ORI2が形成されている。   A counter electrode CT made of, for example, ITO is formed on the surface of the flattening film OC including the protrusion PRJ, and an alignment film ORI2 is formed on the surface of the counter electrode CT.

図3は、前記反射型表示部ARrにて形成される反射型画素の一実施例を示す平面図である。上述のようにこの画素には僅かな透過部(微透過部)を有するように構成されている。図3のV−V線における断面図を図5に、VI−VI線における断面図を図6に示している。   FIG. 3 is a plan view showing an embodiment of a reflective pixel formed in the reflective display area ARr. As described above, this pixel is configured to have a slight transmissive portion (slight transmissive portion). FIG. 5 shows a cross-sectional view taken along the line VV in FIG. 3, and FIG. 6 shows a cross-sectional view taken along the line VI-VI.

図3に示す画素も、図2に示した画素の場合と同様に、図中x方向に延在する一対のゲート信号線GLと図中y方向に延在する一対のドレイン信号線DLとで囲まれる領域に形成されている。   3 also includes a pair of gate signal lines GL extending in the x direction in the drawing and a pair of drain signal lines DL extending in the y direction in the drawing, as in the case of the pixel shown in FIG. It is formed in the enclosed area.

この画素領域はその大部分を反射型領域PRとして形成されているが、ドレイン信号線DLの近傍であって反射膜として機能する画素電極PXとの間の領域に透過型領域TRが形成されるようになっている。   Most of this pixel region is formed as a reflective region PR, but a transmissive region TR is formed in the region between the pixel electrode PX functioning as a reflective film in the vicinity of the drain signal line DL. It is like that.

なお、この透過型領域TRは、実質的な画素領域(たとえばブラックマトリクスBMの開口部)内に特別に形成されるものではなく、該ブラックマトリクスBMの形成部に対向して形成され、バックライトBLからの光の通路部という意味合いが強いものとなっている。   The transmissive region TR is not specially formed in a substantial pixel region (for example, an opening portion of the black matrix BM), but is formed to face the formation portion of the black matrix BM. The meaning of the light passage from BL is strong.

図2に示した画素の構成と比較した場合、画素電極PX(Al)が反射膜で形成されていること、突起部PRJが画素領域の大部分の領域に形成されていること、透明基板SUB2の液晶側の面に反射膜が設けられていること、等において大きな相違を有し、その余りはほぼ類似した構成となっている。
しかし、重複を省みずに、以下、図3に示す画素の説明をする。
Compared with the configuration of the pixel shown in FIG. 2, the pixel electrode PX (Al) is formed of a reflective film, the protrusion PRJ is formed in most of the pixel region, and the transparent substrate SUB2 There is a great difference in that a reflective film is provided on the surface on the liquid crystal side, and the remainder is substantially similar.
However, the pixel shown in FIG. 3 will be described below without omitting duplication.

まず、透明基板SUB1の液晶側の面(主表面)に、図中x方向に延在するゲート信号線GLが形成されている。このゲート信号線GLは画素領域内の一部において該画素領域内に延在して線太となる部分を有している。この部分は後述する薄膜トランジスタTFTのゲート電極GTを形成するようになっている。   First, the gate signal line GL extending in the x direction in the figure is formed on the liquid crystal side surface (main surface) of the transparent substrate SUB1. The gate signal line GL has a portion that extends into the pixel region and becomes thick in a part of the pixel region. This portion forms a gate electrode GT of a thin film transistor TFT described later.

また、画素を囲む一対のゲート信号線GLのうち一方のゲート信号線GL(図中下側に位置づけられるゲート信号線GL)に隣接して保持容量信号線CPLが形成されている。この保持容量信号線CPLは、画素領域内において、その両側辺から比較大きく延在された部分を有し、換言すれば、ゲート信号線GLと交差する部分と比較して大きな幅を有する部分を有し、この幅広の部分は後述の容量素子CDの各電極のうちの1つの電極を構成するようになっている。   In addition, a storage capacitor signal line CPL is formed adjacent to one gate signal line GL (gate signal line GL positioned on the lower side in the drawing) of the pair of gate signal lines GL surrounding the pixel. The storage capacitor signal line CPL has a portion that is largely extended from both sides in the pixel region. In other words, the storage capacitor signal line CPL has a portion that has a larger width than the portion that intersects the gate signal line GL. The wide portion constitutes one electrode of each electrode of a capacitive element CD described later.

そして、透明基板SUB1の主表面には該ゲート信号線GLをも被って第1絶縁膜GI(図5、図6参照)が形成されている。この絶縁膜は該薄膜トランジスタTFTの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するもので、それに合わせて膜厚が設定されるようになっている。   A first insulating film GI (see FIGS. 5 and 6) is formed on the main surface of the transparent substrate SUB1 so as to cover the gate signal line GL. This insulating film functions as a gate insulating film in the formation region of the thin film transistor TFT, and the film thickness is set in accordance with this.

絶縁膜GIの表面の薄膜トランジスタTFTの形成領域には該薄膜トランジスタTFTの半導体層ASとなるたとえばアモルファスシリコンが形成されている。   In the formation region of the thin film transistor TFT on the surface of the insulating film GI, for example, amorphous silicon serving as the semiconductor layer AS of the thin film transistor TFT is formed.

薄膜トランジスタTFTの形成領域は画素領域を囲む後述の一対のドレイン信号線DLのうちの一方のドレイン信号線DL(図中左側のドレイン信号線DL)に近接して設けられ、前記半導体層ASは近接する前記ドレイン信号線DLの形成領域であって前記ゲート信号線との交差部にも及んで一体となって形成されている。後述のドレイン信号線DLの形成にあってゲート信号線GLにおける段差の部分で段切れが生じないようするための配慮からである。   The formation region of the thin film transistor TFT is provided in the vicinity of one drain signal line DL (the drain signal line DL on the left side in the figure) of a pair of drain signal lines DL (described later) surrounding the pixel region, and the semiconductor layer AS is in proximity. The drain signal line DL is formed in an integrated manner extending to the intersection with the gate signal line. This is because consideration is given to the formation of a drain signal line DL, which will be described later, in order to prevent a step break at a step portion in the gate signal line GL.

また、同様の配慮は、保持容量信号線CPL上のドレイン信号線DLとの交差部においてもなされ、ここに形成される半導体層ASは薄膜トランジスタTFTの半導体層ASと分離されて形成されている。   The same consideration is also made at the intersection of the storage capacitor signal line CPL and the drain signal line DL, and the semiconductor layer AS formed here is formed separately from the semiconductor layer AS of the thin film transistor TFT.

薄膜トランジスタTFTの形成領域における前記半導体層AStにおいて、その表面にドレイン電極およびソース電極を形成することにより該薄膜トランジスタTFTが形成されることになるが、該ドレイン電極およびソース電極はたとえばドレイン信号線DLの形成の際に同時に形成されるようになっている。   In the semiconductor layer ASt in the region where the thin film transistor TFT is formed, the thin film transistor TFT is formed by forming the drain electrode and the source electrode on the surface thereof. The drain electrode and the source electrode are, for example, the drain signal line DL It is formed at the same time as forming.

すなわち、図中y方向に延在するドレイン信号線DLが形成され、その一部が前記半導体層AStの表面に延在するようにして形成することにより該ドレイン電極DTが形成されるようになっている。また、この際に、該ドレイン電極DTと薄膜トランジスタTFTのチャネル長に相当する距離だけ離間させてソース電極STが形成されるようになっている。   That is, the drain signal line DL extending in the y direction in the drawing is formed, and a part of the drain signal line DL extends on the surface of the semiconductor layer ASt, whereby the drain electrode DT is formed. ing. At this time, the source electrode ST is formed at a distance corresponding to the channel length of the drain electrode DT and the thin film transistor TFT.

ここで、ソース電極STは前記半導体層ASの形成領域外にまで延在され、画素領域内において、比較的大きな面積として形成した保持容量信号線CPLのほぼ全域に重なり合うようにして形成されている。上述したように保持容量信号線CPLは後述の容量素子CDの各電極のうちの1つを構成し、それに重なり合うソース電極STの前記延在部も該容量素子CDの各電極のうちの1つを構成するようになっている。この場合、これらの電極の間に介在された前記絶縁膜GIが該容量素子CDの1つの誘電体膜を構成するようになっている。   Here, the source electrode ST extends to the outside of the formation region of the semiconductor layer AS, and is formed so as to overlap almost the entire region of the storage capacitor signal line CPL formed as a relatively large area in the pixel region. . As described above, the storage capacitor signal line CPL constitutes one of the electrodes of the later-described capacitor element CD, and the extending portion of the source electrode ST overlapping therewith is also one of the electrodes of the capacitor element CD. Is configured. In this case, the insulating film GI interposed between these electrodes constitutes one dielectric film of the capacitive element CD.

図2に示した画素では、このソース電極STに相当する電極は反射膜RPとして機能するように構成されたが、図3に示す画素においては、その機能は全く果たさないものとなっている。ソース電極STを被って上層に形成される後述の画素電極PX(Al)がその役割を果たすようになるからである。   In the pixel shown in FIG. 2, the electrode corresponding to the source electrode ST is configured to function as the reflective film RP. However, in the pixel shown in FIG. 3, the function is not performed at all. This is because the pixel electrode PX (Al), which will be described later, formed on the upper layer covering the source electrode ST plays a role.

前記絶縁膜GIが容量素子CDの1つの誘電体膜を構成すると称したのは、後述するように、該容量素子CDは複合的に構成されているからであって、後述するように、他の残りの電極として画素電極PX(Al)が兼用するからである。   The reason why the insulating film GI is referred to as one dielectric film of the capacitive element CD is that the capacitive element CD is composed in a complex manner as will be described later. This is because the pixel electrode PX (Al) is also used as the remaining electrode.

透明基板SUB1の主表面にはドレイン信号線DLおよびソース電極STをも被って第2絶縁膜INS2が形成されている(図5、図6参照)。この第2絶縁膜INS2は前記容量素子CDの他の誘電体膜を構成するもので、それに基づき膜厚が設定されるようになっている。   A second insulating film INS2 is formed on the main surface of the transparent substrate SUB1 so as to cover the drain signal line DL and the source electrode ST (see FIGS. 5 and 6). The second insulating film INS2 constitutes another dielectric film of the capacitive element CD, and the film thickness is set based on this.

そして、第2絶縁膜INS2の表面には画素電極PX(Al)が形成されている。この画素電極PX(Al)はたとえばAl等の反射効率の良好な導電膜で形成され、画素領域の僅かな周辺を除く中央部の全域に形成されている。   A pixel electrode PX (Al) is formed on the surface of the second insulating film INS2. The pixel electrode PX (Al) is formed of a conductive film having good reflection efficiency, such as Al, and is formed in the entire central portion excluding a slight periphery of the pixel region.

これにより、透明基板SUB2側に形成されるブラックマトリクスBMの開口部の領域にあって、その領域の全てにおいて反射膜を兼ねる画素電極PX(Al)が形成されることになる。   As a result, the pixel electrode PX (Al) which is also in the region of the opening of the black matrix BM formed on the transparent substrate SUB2 side and also serves as a reflective film is formed in the entire region.

この画素電極PX(Al)は反射領域PRにおける一部に該第2絶縁膜INS2に予め形成されたスルーホールTHを通してソース電極STの延在部に接続されている。これにより、薄膜トランジスタTFTがゲート信号線GLからの信号(走査信号)によってオンされた場合に該薄膜トランジスタTFTを介してドレイン信号線DLからの信号(映像信号)が該ソース電極STの延在部を通して画素電極PX(Al)に供給されるようになる。   The pixel electrode PX (Al) is connected to the extending portion of the source electrode ST through a through hole TH formed in advance in the second insulating film INS2 in a part of the reflection region PR. Accordingly, when the thin film transistor TFT is turned on by a signal (scanning signal) from the gate signal line GL, a signal (video signal) from the drain signal line DL passes through the extending portion of the source electrode ST via the thin film transistor TFT. The pixel electrode PX (Al) is supplied.

なお、ソース電極STの延在部とこれに重ねて形成される画素電極PX(Al)との間には該第2絶縁膜INSを誘電体膜とする容量素子が形成され、上述した容量素子SDの複合された一つの容量素子として構成されている。これにより該容量素子SDは比較的大きな容量を有するものとして構成されるようになる。   A capacitive element using the second insulating film INS as a dielectric film is formed between the extending portion of the source electrode ST and the pixel electrode PX (Al) formed to overlap therewith. It is configured as one capacitive element combined with SD. As a result, the capacitive element SD is configured to have a relatively large capacitance.

透明基板SUB1の主表面には該画素電極PX(Al)をも被って配向膜ORI1(図5、図6参照)が形成されている。この配向膜ORI1は液晶LCと直接に接触する膜で、液晶の分子の初期配向を規制するようになっている。   An alignment film ORI1 (see FIGS. 5 and 6) is formed on the main surface of the transparent substrate SUB1 so as to cover the pixel electrode PX (Al). This alignment film ORI1 is a film that is in direct contact with the liquid crystal LC, and regulates the initial alignment of liquid crystal molecules.

以上の説明から明らかとなるように、透明基板SUB1側の構成において、図2に示した画素と比較して、画素電極PX(Al)が非透光性の反射機能を有する金属で形成されている点を除き、殆ど同じとなっている。このため、製造の煩雑さを回避できる構成となっている。   As is clear from the above description, in the configuration on the transparent substrate SUB1 side, the pixel electrode PX (Al) is formed of a metal having a non-transparent reflection function as compared with the pixel shown in FIG. It is almost the same except that there is. For this reason, it is the structure which can avoid the complexity of manufacture.

液晶LCを介して透明基板SUB1と対向配置される対向基板SUB2の液晶側の面(主表面)には、図5、図6に示すように、まず、ブラックマトリクスBMが形成されている。このブラックマトリクスBMは、図2にも示されているように、ゲート信号線GLおよびドレイン信号線DLを充分に被うようにして形成され、これにより形成される画素領域内の開口部の輪郭は実質的に画素として機能する領域を画するように構成されている。   A black matrix BM is first formed on the liquid crystal side surface (main surface) of the counter substrate SUB2 that is disposed to face the transparent substrate SUB1 via the liquid crystal LC, as shown in FIGS. As shown in FIG. 2, the black matrix BM is formed so as to sufficiently cover the gate signal line GL and the drain signal line DL, and the outline of the opening in the pixel region formed thereby. Is configured to delineate a region that substantially functions as a pixel.

そして、このブラックマトリクスBMは遮光膜としての機能の他に反射膜としての機能をも兼ね備えたものとなっている。たとえばCr層を多層(たとえば3層)に積層させて形成したものとなっている。この理由については後に詳述する。   The black matrix BM has a function as a reflection film in addition to a function as a light shielding film. For example, it is formed by laminating Cr layers in multiple layers (for example, three layers). The reason for this will be described in detail later.

ブラックマトリクスBMの開口部にはカラーフィルタCFが形成されている。このカラーフィルタCFは、通常、ブラックマトリクスBMの開口部の全域に形成されるが、この実施例では、たとえば画素領域のほぼ中央を図中x方向に切りかかれた開口からなるいわゆる色穴CHLと称される部分が設けられている。カラーフィルタCFを通過した光を明るくするためである。
そして、ブラックマトリクスBMおよびカラーフィルタCFをも被って平坦化膜OCが形成されている。
A color filter CF is formed in the opening of the black matrix BM. The color filter CF is normally formed over the entire opening of the black matrix BM. In this embodiment, for example, a so-called color hole CHL made up of an opening cut in the x direction in the figure at the approximate center of the pixel region. The part called is provided. This is to brighten the light that has passed through the color filter CF.
A planarization film OC is formed so as to cover the black matrix BM and the color filter CF.

さらに、この平坦化膜OCの上面であって、反射型領域PRに相当する領域に突起部PRJ(その頂部は平坦化されている)が形成されている。この突起部PRJは反射型領域PRにおいて透過型領域TRよりも液晶LCの層厚を小さくするために設けられるもので、光が反射型領域PRにおいて液晶内を2往復する事情に鑑み、その光学的距離を透過型領域TRにおける光学的距離とほぼ等しくするようにしている。   Further, a protrusion PRJ (the top is flattened) is formed on the upper surface of the planarizing film OC in a region corresponding to the reflective region PR. This projection PRJ is provided in order to reduce the layer thickness of the liquid crystal LC in the reflective region PR than in the transmissive region TR. The optical distance is made substantially equal to the optical distance in the transmissive region TR.

そして、この突起部PRJをも含めて平坦化膜OCの表面にはたとえばITOからなる対向電極CTが形成され、さらに、この対向電極CTの表面には配向膜ORI2が形成されている。   A counter electrode CT made of, for example, ITO is formed on the surface of the flattening film OC including the protrusion PRJ, and an alignment film ORI2 is formed on the surface of the counter electrode CT.

図6に示す断面図は、上述した透過型領域TRにおいて、バックライトBL側からの光が観察者側に至る透過光の経路LPを示した図となっている。   The cross-sectional view shown in FIG. 6 is a diagram showing a path LP of transmitted light from the backlight BL side to the observer side in the transmissive region TR described above.

透過型領域TRは、ドレイン信号線DLの両脇であって画素電極PXとの間の僅かな領域として形成されている。換言すれば、該透過型領域TRは隣接する2つの画素の間隙において形成されるようになっている。このことから、該透過型領域TRは実質的な画素領域(ブラックマトリクスBMの開口内の領域)の外側(ブラックマトリクスBMと対向、あるいは重畳する領域)に形成されたものとなっている。   The transmissive region TR is formed as a slight region on both sides of the drain signal line DL and between the pixel electrode PX. In other words, the transmissive region TR is formed in the gap between two adjacent pixels. Therefore, the transmissive region TR is formed outside the substantial pixel region (region in the opening of the black matrix BM) (region facing or overlapping with the black matrix BM).

ここで、ブラックマトリクスBMは、上述したように、反射膜としての機能を有していることから、前記透過型領域TRから入射された光は該ブラックマトリクスBMに反射されるようになり、この反射された光は画素電極PX側に指向されるようになる。
このようにして、画素電極PXに入射された光は該画素電極PXで反射され、ブラックマトリクスBMの開口を通して出射されるようになる。
Here, as described above, since the black matrix BM functions as a reflective film, the light incident from the transmissive region TR is reflected by the black matrix BM. The reflected light is directed to the pixel electrode PX side.
In this way, the light incident on the pixel electrode PX is reflected by the pixel electrode PX and is emitted through the openings of the black matrix BM.

図7は、図6に対応する図で、透過光の経路Lを規制するドレイン信号線DL、画素電極PX、ブラックマトリクスBMの配置関係が明瞭に把握できるように描いた概略図である。
また、図8は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図7に対応させた図として示している。
FIG. 7 is a diagram corresponding to FIG. 6, and is a schematic diagram drawn so that the arrangement relationship of the drain signal line DL, the pixel electrode PX, and the black matrix BM that regulates the path L of transmitted light can be clearly understood.
FIG. 8 is a block diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention and is shown as a diagram corresponding to FIG.

すなわち、図8において、ブラックマトリクスBMは、それと対向するドレイン信号線DLの長手方向に沿った中心軸に対向するようにして頂部を有した断面が三角形状を備えるものとなっている。換言すれば、ブラックマトリクスBMは、その長手方向に対する両側の各画素側に斜面(傾斜部)を有する形状として構成され、該斜面(傾斜部)は、ドレイン信号線DLの両側から入射される光を各画素の画素電極PX側へ導く反射面として構成されている。   That is, in FIG. 8, the black matrix BM has a triangular cross section having a top so as to face the central axis along the longitudinal direction of the drain signal line DL facing the black matrix BM. In other words, the black matrix BM is configured to have a slope (inclined portion) on each pixel side on both sides with respect to the longitudinal direction, and the inclined surface (inclined portion) is incident on both sides of the drain signal line DL. Is formed as a reflecting surface that guides the pixel to the pixel electrode PX side.

このような構成からなるブラックマトリクスBMはその膜厚が変化する層体として構成できることから、いわゆるハーフ露光技術を適用することにより、容易に形成することができる。   Since the black matrix BM having such a configuration can be configured as a layered body whose thickness changes, it can be easily formed by applying a so-called half exposure technique.

すなわち、フォトマスクの遮光膜としてたとえば線状の遮光膜を複数並設されたパターンを備え、該遮光膜の幅、あるいは隣接する遮光膜との間隔の調整により遮光膜を透過する光の量を加減でき、これにより膜厚の異なるフォトレジストからなるマスクを被エッチング膜の上面に形成することができる。   That is, for example, a light-shielding film of a photomask is provided with a pattern in which a plurality of linear light-shielding films are arranged in parallel. Thus, a mask made of a photoresist having a different film thickness can be formed on the upper surface of the film to be etched.

そして、該マスクをもエッチングさせながら該被エッチング膜をエッチングすることにより、パターン化された該被エッチング膜は膜厚を異ならしめて形成できるようになる。   Then, by etching the film to be etched while also etching the mask, the patterned film to be etched can be formed with different thicknesses.

上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。   Each of the embodiments described above may be used alone or in combination. This is because the effects of the respective embodiments can be achieved independently or synergistically.

本発明による液晶表示装置の一実施例を示す平面図および側面図である。It is the top view and side view which show one Example of the liquid crystal display device by this invention. 本発明による液晶表示装置の表示部の透過型表示部にて形成される透過型画素の一実施例を示す平面図である。It is a top view which shows one Example of the transmissive pixel formed in the transmissive display part of the display part of the liquid crystal display device by this invention. 本発明による液晶表示装置の表示部の反射型表示部にて形成される反射型画素の一実施例を示す平面図である。It is a top view which shows one Example of the reflection type pixel formed in the reflection type display part of the display part of the liquid crystal display device by this invention. 図2のIV−IV線における断面図である。It is sectional drawing in the IV-IV line of FIG. 図3のV−V線における断面図である。It is sectional drawing in the VV line of FIG. 図3のVI−VI線における断面図である。It is sectional drawing in the VI-VI line of FIG. 図6の構成を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of FIG. 6 typically. 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す断面図で、図7に対応した図となっている。It is sectional drawing which shows the other Example of the liquid crystal display device by this invention, and is a figure corresponding to FIG.

符号の説明Explanation of symbols

SUB……透明基板、OCF……光学補償フィルム、POL……偏光板、GL……ゲート信号線、DL……ドレイン信号線、TFT……薄膜トランジスタ、DT……ドレイン電極、ST……ソース電極、PX……画素電極、ORI……配向膜、BM……ブラックマトリクス、CF……カラーフィルタ、OC……平坦化膜、PRJ……突起部、CT……対向電極。 SUB ... Transparent substrate, OCF ... Optical compensation film, POL ... Polarizing plate, GL ... Gate signal line, DL ... Drain signal line, TFT ... Thin film transistor, DT ... Drain electrode, ST ... Source electrode, PX ... Pixel electrode, ORI ... Alignment film, BM ... Black matrix, CF ... Color filter, OC ... Flattening film, PRJ ... Projection, CT ... Counter electrode.

Claims (8)

第1の基板と、前記第1の基板よりも観察者側に近い側に配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持された液晶と、前記第1の基板の前記液晶とは反対側に配置されたバックライトとを有する液晶表示装置であって、
複数の第1の画素が配列された第1の表示領域と、複数の第2の画素が配列された第2の表示領域とを有し、
前記第1の基板側から入射した光を透過させて表示を行う場合、前記第1の画素の透過効率は前記第2の画素の透過効率よりも低く、
前記第2の基板側から入射した光を反射させて表示を行う場合、前記第1の画素の反射効率は前記第2の画素の反射効率よりも高く、
平面的に見た場合、前記バックライトは前記第1の表示領域と前記第2の表示領域との両方に重畳し、
前記第2の基板は、前記第1の基板側から入射した光を反射する反射膜を有し、
前記第1の画素は、前記第2の基板の前記反射膜で反射された前記第1の基板側から入射した光を前記第2の基板側へ反射させて表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate, a second substrate disposed closer to the viewer side than the first substrate, a liquid crystal sandwiched between the first substrate and the second substrate, A liquid crystal display device having a backlight disposed on a side opposite to the liquid crystal of the first substrate,
A first display area in which a plurality of first pixels are arranged; and a second display area in which a plurality of second pixels are arranged;
When performing display by transmitting light incident from the first substrate side, the transmission efficiency of the first pixel is lower than the transmission efficiency of the second pixel,
When performing display by reflecting light incident from the second substrate side, the reflection efficiency of the first pixel is higher than the reflection efficiency of the second pixel,
When viewed in plan, the backlight overlaps both the first display area and the second display area,
The second substrate has a reflective film that reflects light incident from the first substrate side,
The first pixel performs display by reflecting light incident from the first substrate side reflected by the reflective film of the second substrate toward the second substrate side. Display device.
前記第2の基板の前記反射膜は、互いに隣接する2つの前記第1の画素の隙間から入射した光を反射することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reflective film of the second substrate reflects light incident from a gap between two adjacent first pixels. 前記第2の基板の前記反射膜は、互いに隣接する2つの前記第1の画素の間隙に重畳する位置に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。   3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reflective film of the second substrate is formed at a position overlapping with a gap between two adjacent first pixels. 4. 前記第2の基板の前記反射膜は、前記第1の基板側から入射して互いに隣接する2つの前記第1の画素の間隙を通過した光が直接前記第2の基板を通過して観察者に到達するのを遮蔽する遮光膜を兼ねることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の液晶表示装置。   In the reflection film of the second substrate, light that has entered from the first substrate side and passed through the gap between the two adjacent first pixels passes directly through the second substrate to an observer. 4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device also serves as a light-shielding film that shields the light from reaching the light source. 前記第2の基板の前記反射膜は、前記第1の基板側から入射した光を前記第1の画素に向けて反射させる傾斜部を有することを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の液晶表示装置。   The reflective film of the second substrate has an inclined portion that reflects light incident from the first substrate side toward the first pixel. The liquid crystal display device described. 前記第1の画素は、1画素内のほぼ全域が反射表示領域であることを特徴とする請求項1から5の何れかに記載の液晶表示装置。   6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first pixel has a reflective display region almost entirely within one pixel. 前記第2の画素は、1画素内に反射表示領域と透過表示領域とを有することを特徴とする請求項1から6の何れかに記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second pixel has a reflective display region and a transmissive display region in one pixel. 前記第2の画素は、1画素内のほぼ全域が透過表示領域であることを特徴とする請求項1から6の何れかに記載の液晶表示装置。   7. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein substantially the entire area of the second pixel is a transmissive display area. 8.
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