JP2007123023A - Organic el display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent generation of visible stripe-like display irregularity in a display image when an upper surface emission type organic EL display device is sealed by using a sealing substrate. <P>SOLUTION: This upper surface emission type organic EL display device is provided with: an array substrate AS having an insulation substrate SUB and an insulation pattern layer PI; the sealing substrate CS facing to the array substrate AS by interposing the insulation pattern layer PI; and a sealing layer SS interlaid between the array substrate AS and the sealing substrate CS and surrounding the insulation pattern layer PI. The insulation pattern layer PI includes a barrier rib part located in a display region, and a spacer part located in a peripheral region; the respective facing surfaces of the barrier rib part and the spacer part to the sealing substrate CS come into contact with the sealing substrate CS; when viewed from a direction vertical to the principal surface of the insulation substrate SUB, an area ratio of the spacer part to a part located between the sealing layer SS and the display region out of the peripheral region is smaller than the area ratio of the barrier rib part to the display region. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL (electroluminescence) display device.

有機EL素子は、水分や酸素などと接触すると、容易に劣化する。したがって、有機EL表示装置では、有機EL素子を封止して、有機EL素子と水分や酸素などとの接触を防止している。   An organic EL element easily deteriorates when it comes into contact with moisture or oxygen. Therefore, in the organic EL display device, the organic EL element is sealed to prevent contact between the organic EL element and moisture or oxygen.

有機EL素子の封止方法としては、中空封止と薄膜封止とがある。中空封止では、例えば、ガラス等の封止基板を、アレイ基板の有機EL素子が形成された面と向き合うように及びアレイ基板から離間するように配置する。そして、それら基板の対向面周縁部同士を接着剤で貼り合わせて、中空体を形成する。この中空体の内部空間は、例えば、不活性ガスで満たすか又は真空とする。この場合、典型的には、有機EL表示装置に下面発光型を採用すると共に、先の内部空間に乾燥剤をさらに配置する。   As a sealing method of the organic EL element, there are hollow sealing and thin film sealing. In the hollow sealing, for example, a sealing substrate such as glass is disposed so as to face the surface of the array substrate on which the organic EL element is formed and to be separated from the array substrate. And the opposing surface peripheral parts of these board | substrates are bonded together with an adhesive agent, and a hollow body is formed. The internal space of the hollow body is filled with an inert gas or is evacuated, for example. In this case, typically, a bottom emission type is adopted for the organic EL display device, and a desiccant is further disposed in the inner space.

このように、中空封止を行う場合には、有機EL表示装置に下面発光型を採用するのが一般的である。本発明者らは、これに反し、上面発光型の有機EL表示装置で封止基板を用いた封止を行った。その結果、本発明者らは、上面発光型の有機EL表示装置では、封止基板を用いた封止を行うと、表示画像に縞状の表示ムラが生じる可能性があることを見出した。   As described above, when hollow sealing is performed, it is common to adopt a bottom emission type for an organic EL display device. On the contrary, the present inventors performed sealing using a sealing substrate in a top emission type organic EL display device. As a result, the present inventors have found that in a top emission type organic EL display device, when sealing is performed using a sealing substrate, striped display unevenness may occur in a display image.

本発明の目的は、上面発光型の有機EL表示装置で封止基板を用いた封止を行った場合に、視認され得る縞状の表示ムラが表示画像中に生じるのを防止することにある。   An object of the present invention is to prevent striped display unevenness that can be visually recognized from occurring in a display image when sealing is performed using a sealing substrate in a top emission type organic EL display device. .

本発明の第1側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第1電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第1電極と向き合った第2電極と前記第1及び第2電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機EL素子とを備えたアレイ基板と、前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、前記絶縁パターン層は、前記複数の有機EL素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第2電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、前記絶縁基板の前記主面に対して垂直な方向から見た場合に、前記周辺領域のうち前記シール層と前記表示領域との間に位置した部分に対する前記スペーサ部の面積比は、前記表示領域に対する前記隔壁部の面積比と比較してより小さいことを特徴とする上面発光型有機EL表示装置が提供される。   According to a first aspect of the present invention, an insulating substrate, an insulating pattern layer disposed on one main surface of the insulating substrate and provided with a plurality of openings, on the main surface of the insulating substrate, Each includes a first electrode disposed at a position corresponding to the opening, a second electrode covering the insulating pattern layer and facing the first electrode, and an organic material layer interposed between the first and second electrodes. An array substrate including a plurality of organic EL elements, a sealing substrate facing the array substrate with the insulating pattern layer interposed therebetween, and the insulating pattern interposed between the array substrate and the sealing substrate. A sealing layer surrounding the layer, and the insulating pattern layer is located in a partition wall located in a display area where the plurality of organic EL elements are arranged, and in a peripheral area surrounding the display area Special Each facing surface of the partition wall and the spacer portion with the sealing substrate is in contact with the sealing substrate through a layer including the second electrode, or the sealing The spacer for a portion of the peripheral area located between the seal layer and the display area when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the insulating substrate and in direct contact with the substrate A top emission organic EL display device is provided in which the area ratio of the portion is smaller than the area ratio of the partition wall to the display region.

本発明の第2側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第1電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第1電極と向き合った第2電極と前記第1及び第2電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機EL素子とを備えたアレイ基板と、前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、前記絶縁パターン層は、前記複数の有機EL素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第2電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、前記アレイ基板と前記封止基板とを互いから離間させた状態において、前記スペーサ部は、前記隔壁部と比較して、前記絶縁基板の前記主面に対する高さがより低いことを特徴とする上面発光型有機EL表示装置が提供される。   According to a second aspect of the present invention, an insulating substrate, an insulating pattern layer disposed on one main surface of the insulating substrate and provided with a plurality of openings, on the main surface of the insulating substrate, Each includes a first electrode disposed at a position corresponding to the opening, a second electrode covering the insulating pattern layer and facing the first electrode, and an organic material layer interposed between the first and second electrodes. An array substrate including a plurality of organic EL elements, a sealing substrate facing the array substrate with the insulating pattern layer interposed therebetween, and the insulating pattern interposed between the array substrate and the sealing substrate. A sealing layer surrounding the layer, and the insulating pattern layer is located in a partition wall located in a display area where the plurality of organic EL elements are arranged, and in a peripheral area surrounding the display area Special Each facing surface of the partition wall and the spacer portion with the sealing substrate is in contact with the sealing substrate through a layer including the second electrode, or the sealing In a state where the substrate is in direct contact with the array substrate and the sealing substrate and separated from each other, the spacer portion has a height relative to the main surface of the insulating substrate as compared with the partition wall portion. There is provided a top emission type organic EL display device characterized by having a lower value.

本発明によると、上面発光型の有機EL表示装置で封止基板を用いた封止を行った場合に、視認され得る縞状の表示ムラが表示画像中に生じるのを防止可能となる。   According to the present invention, when sealing using a sealing substrate is performed in a top emission type organic EL display device, it is possible to prevent striped display unevenness that can be visually recognized from occurring in a display image.

以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same referential mark is attached | subjected to the component which exhibits the same or similar function, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1は、本発明の第1態様に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図である。図2は、図1に示す有機EL表示装置のII−II線に沿った断面図である。図3は、図2に示す有機EL表示装置の一部を拡大して示す断面図である。図4は、図2に示す有機EL表示装置の他の一部を拡大して示す断面図である。図5は、図1に示す有機EL表示装置の等価回路図である。   FIG. 1 is a plan view schematically showing an organic EL display device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of the organic EL display device shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the organic EL display device shown in FIG. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing another part of the organic EL display device shown in FIG. FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the organic EL display device shown in FIG.

なお、図2乃至図4では、有機EL表示装置を、その表示面,すなわち前面又は光出射面,が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。また、後述するように、図3には絶縁パターン層PIの表示領域における構造を描き、図4には絶縁パターン層PIの周辺領域における構造を描いている。   2 to 4, the organic EL display device is illustrated such that its display surface, that is, the front surface or the light emitting surface faces upward, and the back surface faces downward. Further, as will be described later, FIG. 3 shows the structure in the display area of the insulating pattern layer PI, and FIG. 4 shows the structure in the peripheral area of the insulating pattern layer PI.

この有機EL表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機EL表示装置である。この有機EL表示装置は、図1及び図2に示すように、アレイ基板ASと封止基板CSとを含んでいる。アレイ基板ASと封止基板CSとは、互いに向き合うように配置されており、それらの対向面中央部同士を接触させている。アレイ基板ASと封止基板CSとの対向面周縁部間には、枠形状のシール層SSが介在している。   This organic EL display device is a top emission type organic EL display device adopting an active matrix driving method. As shown in FIGS. 1 and 2, the organic EL display device includes an array substrate AS and a sealing substrate CS. The array substrate AS and the sealing substrate CS are disposed so as to face each other, and the central portions of the opposing surfaces are in contact with each other. A frame-shaped seal layer SS is interposed between the peripheral portions of the opposing surfaces of the array substrate AS and the sealing substrate CS.

アレイ基板ASは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板SUBを含んでいる。   The array substrate AS includes, for example, an insulating substrate SUB such as a glass substrate.

基板SUB上には、図3及び図4に示すように、アンダーコート層UCとして、例えば、SiNx層とSiOx層とが順次積層されている。アンダーコート層UC上には、例えばチャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層SC、例えばTEOS(TetraEthyl OrthoSilicate)などを用いて形成され得るゲート絶縁膜GI、及び例えばMoWなどからなるゲート電極Gが順次積層されており、それらはトップゲート型のTFTを構成している。この例では、これらTFTは、pチャネルTFTであり、図5の画素PXが含む駆動制御素子DR及びスイッチSW1乃至SW3として利用している。 On the substrate SUB, as shown in FIGS. 3 and 4, for example, a SiN x layer and a SiO x layer are sequentially stacked as the undercoat layer UC. On the undercoat layer UC, for example, a gate insulating film GI that can be formed using a semiconductor layer SC that is a polysilicon layer in which a channel and a source / drain are formed, for example, TEOS (TetraEthyl OrthoSilicate), etc., and MoW, for example, The gate electrodes G are sequentially stacked, and they constitute a top gate type TFT. In this example, these TFTs are p-channel TFTs, and are used as the drive control element DR and switches SW1 to SW3 included in the pixel PX of FIG.

ゲート絶縁膜GI上には、ゲート電極Gと同一の工程で形成可能な走査信号線SL1及びSL2がさらに配置されている。走査信号線SL1及びSL2は、図5に示すように、各々が画素PXの行方向(X方向)に延びており、画素PXの列方向(Y方向)に交互に配列している。これら走査信号線SL1及びSL2は、走査信号線ドライバYDRに接続されている。   On the gate insulating film GI, scanning signal lines SL1 and SL2 that can be formed in the same process as the gate electrode G are further arranged. As shown in FIG. 5, each of the scanning signal lines SL1 and SL2 extends in the row direction (X direction) of the pixels PX, and is alternately arranged in the column direction (Y direction) of the pixels PX. These scanning signal lines SL1 and SL2 are connected to the scanning signal line driver YDR.

図3及び図4に示すように、ゲート絶縁膜GI、ゲート電極G、走査信号線SL1及びSL2は、例えばプラズマCVD法などにより成膜されたSiOxなどからなる層間絶縁膜IIで被覆されている。層間絶縁膜II上にはソース電極SE及びドレイン電極DEが配置されており、それらは、例えばSiNxなどからなるパッシベーション膜PSで埋め込まれている。ソース電極SE及びドレイン電極DEは、例えば、Mo/Al/Moの三層構造を有しており、層間絶縁膜IIに設けられたコンタクトホールを介してTFTのソース及びドレインに電気的に接続されている。 As shown in FIGS. 3 and 4, the gate insulating film GI, the gate electrode G, and the scanning signal lines SL1 and SL2 are covered with an interlayer insulating film II made of, for example, SiO x formed by a plasma CVD method or the like. Yes. A source electrode SE and a drain electrode DE are disposed on the interlayer insulating film II, and are embedded with a passivation film PS made of, for example, SiN x . The source electrode SE and the drain electrode DE have, for example, a three-layer structure of Mo / Al / Mo, and are electrically connected to the source and drain of the TFT through contact holes provided in the interlayer insulating film II. ing.

層間絶縁膜II上には、ソース電極SE及びドレイン電極DEと同一の工程で形成可能な映像信号線DLがさらに配置されている。映像信号線DLは、図5に示すように、各々がY方向に延びており、X方向に配列している。これら映像信号線DLは、映像信号線ドライバXDRに接続されている。なお、典型的には、走査信号線SL1及びSL2が配置された層間か、又は、映像信号線DLが配置された層間に、図5の電源線PSLを敷設する。   A video signal line DL that can be formed in the same process as the source electrode SE and the drain electrode DE is further disposed on the interlayer insulating film II. As shown in FIG. 5, the video signal lines DL each extend in the Y direction and are arranged in the X direction. These video signal lines DL are connected to a video signal line driver XDR. Typically, the power supply line PSL of FIG. 5 is laid between the layers where the scanning signal lines SL1 and SL2 are arranged, or between the layers where the video signal lines DL are arranged.

パッシベーション膜PS上には、図3及び図4に示すように、平坦化層FLが形成されている。平坦化層FL上には、反射層RFが配置されている。平坦化層FLの材料としては、例えば、硬質樹脂を使用することができる。反射層RFの材料としては、例えば、Alなどの金属材料を使用することができる。   On the passivation film PS, a planarization layer FL is formed as shown in FIGS. On the flattening layer FL, a reflective layer RF is disposed. As a material of the planarizing layer FL, for example, a hard resin can be used. As a material of the reflective layer RF, for example, a metal material such as Al can be used.

平坦化層FL及び反射層RFは、光取り出し層OCで被覆されている。この光取り出し層OCは必ずしも設けなくてもよいが、光取り出し層OCを設けると、後述する有機EL素子OLEDの内部で反射を繰り返しながら膜面方向に伝播する光の進行方向を変えることができる。こうすると、有機EL素子OLEDの発光層が放出する光を有機EL素子OLEDの外部へと高い効率で取り出すことを可能とする。光取り出し層OLEDとしては、例えば、光散乱層や回折格子などを使用することができる。   The planarization layer FL and the reflection layer RF are covered with the light extraction layer OC. The light extraction layer OC is not necessarily provided. However, when the light extraction layer OC is provided, the traveling direction of light propagating in the film surface direction can be changed while repeating reflection inside an organic EL element OLED described later. . In this way, light emitted from the light emitting layer of the organic EL element OLED can be extracted with high efficiency to the outside of the organic EL element OLED. As the light extraction layer OLED, for example, a light scattering layer or a diffraction grating can be used.

光取り出し層OLED上には、背面電極として、光透過性の第1電極PEが互いから離間して並置されている。各第1電極PEは、画素電極であり、反射層RFと向き合うように配置されている。また、各第1電極PEは、パッシベーション膜PSと平坦化層FLと光取り出し層OCとに設けた貫通孔を介して、ドレイン電極DEに接続されている。   On the light extraction layer OLED, the light transmissive first electrodes PE are juxtaposed apart from each other as a back electrode. Each first electrode PE is a pixel electrode and is disposed to face the reflective layer RF. Further, each first electrode PE is connected to the drain electrode DE through a through hole provided in the passivation film PS, the planarization layer FL, and the light extraction layer OC.

第1電極PEは、この例では陽極である。第1電極PEの材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)のような透明導電性酸化物を使用することができる。   The first electrode PE is an anode in this example. As a material of the first electrode PE, for example, a transparent conductive oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) can be used.

光取り出し層OC上には、さらに、絶縁パターン層PIが配置されている。絶縁パターン層PIのうち、図1に示す一点鎖線Lで囲まれた表示領域内に位置した部分は隔壁部であり、表示領域を取り囲む周辺領域内に位置した部分はスペーサ部である。図3には絶縁パターン層PIの隔壁部を描いており、図4には絶縁パターン層PIのスペーサ部を描いている。   An insulating pattern layer PI is further disposed on the light extraction layer OC. In the insulating pattern layer PI, a portion located in the display region surrounded by the alternate long and short dash line L shown in FIG. 1 is a partition wall portion, and a portion located in the peripheral region surrounding the display region is a spacer portion. FIG. 3 shows a partition portion of the insulating pattern layer PI, and FIG. 4 shows a spacer portion of the insulating pattern layer PI.

絶縁パターン層PIの隔壁部には、第1電極PEに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、第1電極PEが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、絶縁パターン層PIの隔壁部には、第1電極PEに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。   In the partition portion of the insulating pattern layer PI, a through hole is provided at a position corresponding to the first electrode PE, or a slit is provided at a position corresponding to the column or row formed by the first electrode PE. . Here, as an example, the partition portion of the insulating pattern layer PI is provided with a through hole at a position corresponding to the first electrode PE.

また、絶縁パターン層PIのスペーサ部は、複数箇所で開口した1つの層からなるか、又は、互いから離間した複数の島状部分で構成されている。基板SUBの主面に対して垂直な方向から見た場合に、周辺領域のうちシール層SSと表示領域との間に位置した部分に対するスペーサ部の面積比は、表示領域に対する隔壁部の面積比と比較してより小さい。すなわち、スペーサ部は、隔壁部と比較して、基板SUBの主面に対して垂直な方向から見た面密度がより小さい。   In addition, the spacer portion of the insulating pattern layer PI is composed of one layer opened at a plurality of locations, or is composed of a plurality of island-shaped portions separated from each other. When viewed from a direction perpendicular to the main surface of the substrate SUB, the area ratio of the spacer portion to the portion of the peripheral region located between the seal layer SS and the display region is the area ratio of the partition wall portion to the display region. Smaller than That is, the spacer portion has a smaller surface density when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the substrate SUB than the partition wall portion.

絶縁パターン層PIは、例えば、有機絶縁層である。絶縁パターン層PIは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。   The insulating pattern layer PI is, for example, an organic insulating layer. The insulating pattern layer PI can be formed using, for example, a photolithography technique.

第1電極PE上には、発光層を含んだ有機物層ORGが配置されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ORGは、発光層以外の層をさらに含むことができる。例えば、有機物層ORGは、第1電極PEから発光層への正孔の注入を媒介する役割を果たすバッファ層をさらに含むことができる。また、有機物層ORGは、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。   An organic layer ORG including a light emitting layer is disposed on the first electrode PE. The light emitting layer is, for example, a thin film containing a luminescent organic compound whose emission color is red, green, or blue. The organic layer ORG can further include layers other than the light emitting layer. For example, the organic layer ORG may further include a buffer layer that serves to mediate hole injection from the first electrode PE to the light emitting layer. The organic layer ORG can further include a hole transport layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like.

絶縁パターン層PI及び有機物層ORGは、前面電極である光透過性の第2電極CEで被覆されている。第2電極CEは、この例では、各画素共通に連続して設けられた陰極である。第2電極CEは、例えば、パッシベーション膜PSと平坦化層FLと光取り出し層OCと絶縁パターン層PIとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線DLと同一の層上に形成された電極配線(図示せず)に電気的に接続されている。各々の有機EL素子OLEDは、第1電極PE、有機物層ORG及び第2電極CEで構成されている。   The insulating pattern layer PI and the organic layer ORG are covered with a light transmissive second electrode CE which is a front electrode. In this example, the second electrode CE is a cathode provided continuously in common with each pixel. For example, the second electrode CE is formed on the same layer as the video signal line DL through contact holes provided in the passivation film PS, the planarization layer FL, the light extraction layer OC, and the insulating pattern layer PI. It is electrically connected to electrode wiring (not shown). Each organic EL element OLED includes a first electrode PE, an organic layer ORG, and a second electrode CE.

各画素PXは、有機EL素子OLEDと画素回路とを含んでいる。この例では、画素回路は、図5に示すように、駆動制御素子DRと、出力制御スイッチSW1と、映像信号供給制御スイッチSW2と、ダイオード接続スイッチSW3と、キャパシタCとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動制御素子DR及びスイッチSW1乃至SW3はpチャネルTFTである。   Each pixel PX includes an organic EL element OLED and a pixel circuit. In this example, the pixel circuit includes a drive control element DR, an output control switch SW1, a video signal supply control switch SW2, a diode connection switch SW3, and a capacitor C as shown in FIG. As described above, in this example, the drive control element DR and the switches SW1 to SW3 are p-channel TFTs.

駆動制御素子DRと出力制御スイッチSW1と有機EL素子OLEDとは、第1電源端子ND1と第2電源端子ND2との間で、この順に直列に接続されている。この例では、第1電源端子ND1は高電位電源端子であり、第2電源端子ND2は低電位電源端子である。   The drive control element DR, the output control switch SW1, and the organic EL element OLED are connected in series in this order between the first power supply terminal ND1 and the second power supply terminal ND2. In this example, the first power supply terminal ND1 is a high potential power supply terminal, and the second power supply terminal ND2 is a low potential power supply terminal.

出力制御スイッチSW1のゲートは、走査信号線SL1に接続されている。映像信号供給制御スイッチSW2は映像信号線DLと駆動制御素子DRのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線SL2に接続されている。ダイオード接続スイッチSW3は駆動制御素子DRのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線SL2に接続されている。キャパシタCは、駆動制御素子DRのゲートと定電位端子ND1’との間に接続されている。   The gate of the output control switch SW1 is connected to the scanning signal line SL1. The video signal supply control switch SW2 is connected between the video signal line DL and the drain of the drive control element DR, and its gate is connected to the scanning signal line SL2. The diode connection switch SW3 is connected between the drain and gate of the drive control element DR, and the gate thereof is connected to the scanning signal line SL2. The capacitor C is connected between the gate of the drive control element DR and the constant potential terminal ND1 '.

封止基板CSは、例えば、ガラス基板などのように光透過性を有する絶縁基板である。封止基板CSは、典型的には平板状である。封止基板CSは、この例では、第2電極CEを介して、絶縁パターン層PIの隔壁部及びスペーサ部と接触している。なお、絶縁パターン層PIのスペーサ部上に第2電極CEを配置せず、封止基板CSとスペーサ部とを直に接触させてもよい。   The sealing substrate CS is an insulating substrate having optical transparency such as a glass substrate. The sealing substrate CS is typically a flat plate shape. In this example, the sealing substrate CS is in contact with the partition wall portion and the spacer portion of the insulating pattern layer PI via the second electrode CE. Note that the second substrate CE may not be disposed on the spacer portion of the insulating pattern layer PI, and the sealing substrate CS and the spacer portion may be in direct contact with each other.

シール層SSは、図2に示すようにアレイ基板ASと封止基板CSとの間に介在している。シール層SSは、図1に示すように枠形状を有しており、絶縁パターン層PIを取り囲んでいる。シール層SSの材料としては、例えば、接着剤やフリットガラスなどを使用することができる。   As shown in FIG. 2, the seal layer SS is interposed between the array substrate AS and the sealing substrate CS. As shown in FIG. 1, the seal layer SS has a frame shape and surrounds the insulating pattern layer PI. As a material of the seal layer SS, for example, an adhesive or frit glass can be used.

シール層SSは、封止基板CSをアレイ基板ASに結合させる役割を果たすのに加え、封止基板CSと共に有機EL素子OLEDを密閉する役割を果たしている。アレイ基板ASと封止基板CSとシール層SSとに囲まれた空間は、真空とするか又は不活性ガスなどを充填する。   The sealing layer SS plays a role of sealing the organic EL element OLED together with the sealing substrate CS in addition to the role of bonding the sealing substrate CS to the array substrate AS. The space surrounded by the array substrate AS, the sealing substrate CS, and the seal layer SS is evacuated or filled with an inert gas or the like.

この有機EL表示装置では、例えば、走査信号線SL1及びSL2の各々を線順次駆動する。そして、或る画素PXに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバYDRから、先の画素PXが接続された走査信号線SL1にスイッチSW1を開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素PXが接続された走査信号線SL2にスイッチSW2及びSW3を閉じる走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバXDRから、先の画素PXが接続された映像信号線に映像信号を電流信号として出力し、駆動制御素子DRのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバYDRから、先の画素PXが接続された走査信号線SL2にスイッチSW2及びSW3を開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素PXが接続された走査信号線SL1にスイッチSW1を閉じる走査信号を電圧信号として出力する。   In this organic EL display device, for example, each of the scanning signal lines SL1 and SL2 is line-sequentially driven. In a writing period in which a video signal is written to a certain pixel PX, first, a scanning signal for opening the switch SW1 is output as a voltage signal from the scanning signal line driver YDR to the scanning signal line SL1 to which the previous pixel PX is connected. Subsequently, a scanning signal for closing the switches SW2 and SW3 is output as a voltage signal to the scanning signal line SL2 to which the previous pixel PX is connected. In this state, the video signal line driver XDR outputs the video signal as a current signal to the video signal line to which the previous pixel PX is connected, and the gate-source voltage of the drive control element DR corresponds to the previous video signal. Set the size to Thereafter, a scanning signal for opening the switches SW2 and SW3 is output as a voltage signal from the scanning signal line driver YDR to the scanning signal line SL2 to which the previous pixel PX is connected, and then the scanning signal to which the previous pixel PX is connected. A scanning signal for closing the switch SW1 is output as a voltage signal to the line SL1.

スイッチSW1を閉じている有効表示期間では、有機EL素子OLEDには、駆動制御素子DRのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機EL素子OLEDは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。   In the effective display period in which the switch SW1 is closed, a drive current having a magnitude corresponding to the gate-source voltage of the drive control element DR flows through the organic EL element OLED. The organic EL element OLED emits light with a luminance corresponding to the magnitude of the drive current.

ところで、この有機EL表示装置の製造においては、アレイ基板ASと封止基板CSとを貼り合わせる際に、高い密着性を実現すべく、シール層SSの位置で、封止基板CSをアレイ基板ASに対して強い力で押圧する。そのため、この有機EL表示装置では、シール層SSの位置における絶縁基板SUBと封止基板CSとの間の距離は、表示領域の中央に対応した位置における絶縁基板SUBと封止基板CSとの間の距離と比較してより短い。すなわち、この有機EL表示装置では、封止基板CSは、その外面が凸面となるように僅かに撓んでいる。   By the way, in the manufacture of the organic EL display device, when the array substrate AS and the sealing substrate CS are bonded together, the sealing substrate CS is attached to the array substrate AS at the position of the seal layer SS in order to achieve high adhesion. Press with a strong force against. Therefore, in this organic EL display device, the distance between the insulating substrate SUB and the sealing substrate CS at the position of the seal layer SS is between the insulating substrate SUB and the sealing substrate CS at a position corresponding to the center of the display region. Shorter compared to the distance. That is, in this organic EL display device, the sealing substrate CS is slightly bent so that the outer surface thereof is a convex surface.

本発明者らは、この凸面の表示領域に対応した位置における曲率が大きいと、表示画像に縞状の表示ムラが生じる可能性があることを見い出した。そして、周辺領域のシール層SSと表示領域とに挟まれた部分に上記のスペーサ部を配置することにより、アレイ基板ASと封止基板CSとの密着性を損ねることなく、封止基板CSの大きく撓んでいる部分を周辺領域に対応した位置のみに制限することができることを見い出した。   The present inventors have found that when the curvature at the position corresponding to the convex display region is large, striped display unevenness may occur in the display image. Then, by arranging the spacer portion in a portion sandwiched between the sealing layer SS and the display region in the peripheral region, the adhesion of the array substrate AS and the sealing substrate CS is not impaired, and the sealing substrate CS is not damaged. It has been found that the greatly bent portion can be limited only to the position corresponding to the peripheral region.

すなわち、スペーサ部は、周辺領域に対応した位置において、絶縁基板SUBと封止基板CSとの間の距離を十分に広げる役割を果たす。そのため、シール層SSに起因した封止基板CSの変形が表示領域に対応した部分に及ぶのを防止することができる。   In other words, the spacer portion serves to sufficiently widen the distance between the insulating substrate SUB and the sealing substrate CS at a position corresponding to the peripheral region. Therefore, it is possible to prevent the deformation of the sealing substrate CS due to the seal layer SS from reaching the portion corresponding to the display area.

また、スペーサ部の面密度は隔壁部の面密度よりも小さいため、スペーサ部は隔壁部よりも変形し易い。それゆえ、封止基板CSは、シール層SSと表示領域とに挟まれた部分に対応した位置で適度に変形することができる。このため、例えば、封止基板CSとシール層SSとの間などに作用する張力が過度に大きくなることがない。すなわち、上記構造を採用しても、アレイ基板ASと封止基板CSとの密着性が損ねられることはない。   Further, since the surface density of the spacer portion is smaller than the surface density of the partition wall portion, the spacer portion is more easily deformed than the partition wall portion. Therefore, the sealing substrate CS can be appropriately deformed at a position corresponding to a portion sandwiched between the seal layer SS and the display region. For this reason, for example, the tension acting between the sealing substrate CS and the seal layer SS does not become excessively large. That is, even if the above structure is adopted, the adhesion between the array substrate AS and the sealing substrate CS is not impaired.

したがって、本態様によると、表示画像に縞状の表示ムラが生じるのを防止することができる。   Therefore, according to this aspect, it is possible to prevent the occurrence of striped display unevenness in the display image.

基板SUBの主面に対して垂直な方向から見た場合における、周辺領域のうちシール層SSと表示領域との間に位置した部分に対するスペーサ部の幅W1は、例えば、1mm乃至5mmの範囲内とする。スペーサ部の幅W1が小さい場合、シール層SSに起因した封止基板CSの変形が表示領域に対応した部分に及ぶ可能性がある。また、スペーサ部の幅W1が大きい場合、アレイ基板ASと封止基板CSとの密着性が不十分となる可能性がある。 When viewed from a direction perpendicular to the main surface of the substrate SUB, the width W 1 of the spacer portion with respect to the portion located between the seal layer SS and the display region in the peripheral region is, for example, in the range of 1 mm to 5 mm. Within. If the width W 1 of the spacer portion is small, can range to a portion the deformation of the sealing substrate CS due to the sealing layer SS is corresponding to the display area. In addition, when the width W 1 of the spacer portion is large, the adhesion between the array substrate AS and the sealing substrate CS may be insufficient.

表示領域からシール層SSまでの距離Lは、例えば、0.75mm以上とする。距離Lが短い場合、封止基板CSとシール層SSとの間などに大きな張力が作用し、アレイ基板ASと封止基板CSとの密着性が不十分となる可能性がある。なお、距離Lに上限はないが、通常は1.5mm以下とする。   The distance L from the display area to the seal layer SS is, for example, 0.75 mm or more. When the distance L is short, a large tension acts between the sealing substrate CS and the seal layer SS, and the adhesion between the array substrate AS and the sealing substrate CS may be insufficient. The distance L has no upper limit, but is usually 1.5 mm or less.

シール層SSの内周位置における絶縁基板SUBと封止基板CSとの間の距離D1と、表示領域と周辺領域との境界の位置における絶縁基板SUBと封止基板CSとの間の距離D2との差D2−D1は、典型的には、0.5μm乃至10μmの範囲内とする。差D2−D1がこの範囲内にある場合、十分な密着性を実現できる。 The distance D 1 between the insulating substrate SUB and the sealing substrate CS at the inner peripheral position of the seal layer SS, and the distance D between the insulating substrate SUB and the sealing substrate CS at the boundary position between the display region and the peripheral region. the difference D 2 -D 1 and 2 is typically a 0.5μm or in the range of 10 [mu] m. When the difference D 2 −D 1 is within this range, sufficient adhesion can be realized.

次に、本発明の第2態様について説明する。
第2態様は、アレイ基板ASに以下の構造を採用したこと以外は、第1態様と同様である。すなわち、本態様では、アレイ基板ASと封止基板CSとを互いから離間させた状態において、絶縁基板SUBの主面に対するスペーサ部の高さH1を、絶縁基板SUBの主面に対する隔壁部の高さH2と比較してより低くする。そして、高さH1は、距離D1と比較してより高くする。
Next, the second aspect of the present invention will be described.
The second mode is the same as the first mode except that the following structure is adopted for the array substrate AS. In other words, in this aspect, in the state where the array substrate AS and the sealing substrate CS are separated from each other, the height H 1 of the spacer portion with respect to the main surface of the insulating substrate SUB is set to the height of the partition wall portion with respect to the main surface of the insulating substrate SUB. Lower than the height H 2 . The height H 1 is set higher than the distance D 1 .

こうすると、第1態様と同様、アレイ基板ASと封止基板CSとの密着性を損ねることなく、封止基板CSの大きく撓んでいる部分を周辺領域に対応した位置のみに制限することができる。すなわち、本態様でも、表示画像に縞状の表示ムラが生じるのを防止することができる。   In this way, as in the first aspect, the greatly bent portion of the sealing substrate CS can be limited only to the position corresponding to the peripheral region without impairing the adhesion between the array substrate AS and the sealing substrate CS. . That is, even in this aspect, it is possible to prevent the display image from causing striped display unevenness.

スペーサ部の高さH1を隔壁部の高さH2よりも低くするために、例えば、以下の構造を採用してもよい。 In order to make the height H 1 of the spacer portion lower than the height H 2 of the partition wall portion, for example, the following structure may be adopted.

図6は、本発明の第2態様に係る有機EL表示装置で採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図6に描いた部分は、有機EL表示装置のうち、図4に描いた部分に相当している。   FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing an example of a structure that can be employed in the organic EL display device according to the second aspect of the present invention. The portion depicted in FIG. 6 corresponds to the portion depicted in FIG. 4 in the organic EL display device.

図6の構造では、図4の構造と比較して、絶縁パターン層PIのスペーサ部と絶縁基板SUBとの間の距離をより短くしている。ここでは、一例として、平坦化層FL及び光取り出し層OCは、表示領域に対応した位置にのみ配置し、周辺領域に対応した位置では省略している。このような構造を採用すると、スペーサ部の厚さと隔壁部の厚さとが等しい場合であっても、スペーサ部の高さH1を隔壁部の高さH2よりも低くすることができる。 In the structure of FIG. 6, the distance between the spacer portion of the insulating pattern layer PI and the insulating substrate SUB is shorter than that of the structure of FIG. Here, as an example, the planarization layer FL and the light extraction layer OC are disposed only at positions corresponding to the display area, and are omitted at positions corresponding to the peripheral area. By adopting such a structure, the height H 1 of the spacer part can be made lower than the height H 2 of the partition part even when the thickness of the spacer part is equal to the thickness of the partition part.

高さH2と高さH1との差と距離D1との比(H2−H1)/D1は、例えば、250乃至1000の範囲内とする。比(H2−H1)/D1が大きい場合、シール層SSに起因した封止基板CSの変形が表示領域に対応した部分に及ぶ可能性がある。比(H2−H1)/D1が小さい場合、アレイ基板ASと封止基板CSとの密着性が不十分となる可能性がある。 The ratio of the difference and the distance D 1 of the the height between H 2 height H 1 (H 2 -H 1) / D 1 , for example, in the range of 250 to 1000. When the ratio (H 2 −H 1 ) / D 1 is large, the deformation of the sealing substrate CS due to the seal layer SS may reach a portion corresponding to the display region. When the ratio (H 2 −H 1 ) / D 1 is small, the adhesion between the array substrate AS and the sealing substrate CS may be insufficient.

距離Lは、例えば、第1態様と同様に設定する。また、距離D1と距離D2との比D1/D2も、例えば、第1態様と同様に設定する。 The distance L is set in the same manner as in the first mode, for example. Further, the ratio D 1 / D 2 between the distance D 1 and the distance D 2 is set in the same manner as in the first mode, for example.

本発明の第1態様に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図。1 is a plan view schematically showing an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. 図1に示す有機EL表示装置のII−II線に沿った断面図。Sectional drawing along the II-II line of the organic electroluminescent display apparatus shown in FIG. 図2に示す有機EL表示装置の一部を拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows a part of organic EL display apparatus shown in FIG. 図2に示す有機EL表示装置の他の一部を拡大して示す断面図。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing another part of the organic EL display device shown in FIG. 2. 図1に示す有機EL表示装置の等価回路図。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the organic EL display device shown in FIG. 1. 本発明の第2態様に係る有機EL表示装置で採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows roughly an example of the structure employable with the organic electroluminescence display which concerns on the 2nd aspect of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

AS…アレイ基板、CE…第2電極、CS…封止基板、DE…ドレイン電極、DL…映像信号線、DR…駆動制御素子、FL…平坦化層、G…ゲート電極、GI…ゲート絶縁膜、II…層間絶縁膜、L…表示領域と周辺領域との境界、ND1…第1電源端子、ND1’…定電位端子、ND2…第2電源端子、OC…光取り出し層、OLED…有機EL素子、
ORG…有機物層、PE…第1電極、PI…絶縁パターン層、PS…パッシベーション膜、PSL…電源線、PX…画素、RF…反射層、SC…半導体層、SE…ソース電極、SL1…走査信号線、SL2…走査信号線、SS…シール層、SUB…絶縁基板、SW1…出力制御スイッチ、SW2…映像信号供給制御スイッチ、SW3…ダイオード接続スイッチ、UC…アンダーコート層、XDR…映像信号線ドライバ、YDR…走査信号線ドライバ。
AS ... array substrate, CE ... second electrode, CS ... sealing substrate, DE ... drain electrode, DL ... video signal line, DR ... drive control element, FL ... flattening layer, G ... gate electrode, GI ... gate insulating film II ... interlayer insulating film, L ... border between display region and peripheral region, ND1 ... first power supply terminal, ND1 '... constant potential terminal, ND2 ... second power supply terminal, OC ... light extraction layer, OLED ... organic EL element ,
ORG: Organic layer, PE: First electrode, PI: Insulating pattern layer, PS: Passivation film, PSL ... Power supply line, PX ... Pixel, RF ... Reflective layer, SC ... Semiconductor layer, SE ... Source electrode, SL1 ... Scanning signal Line, SL2 ... Scanning signal line, SS ... Sealing layer, SUB ... Insulating substrate, SW1 ... Output control switch, SW2 ... Video signal supply control switch, SW3 ... Diode connection switch, UC ... Undercoat layer, XDR ... Video signal line driver YDR: Scanning signal line driver.

Claims (4)

絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第1電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第1電極と向き合った第2電極と前記第1及び第2電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機EL素子とを備えたアレイ基板と、
前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、
前記絶縁パターン層は、前記複数の有機EL素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、
前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第2電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、
前記絶縁基板の前記主面に対して垂直な方向から見た場合に、前記周辺領域のうち前記シール層と前記表示領域との間に位置した部分に対する前記スペーサ部の面積比は、前記表示領域に対する前記隔壁部の面積比と比較してより小さいことを特徴とする上面発光型有機EL表示装置。
An insulating substrate; an insulating pattern layer disposed on one main surface of the insulating substrate and provided with a plurality of openings; and disposed on the main surface of the insulating substrate at a position corresponding to the opening. A plurality of organic EL elements each covering a first electrode and a second electrode facing the first electrode and an organic material layer interposed between the first and second electrodes and covering the insulating pattern layer; Array substrate,
A sealing substrate facing the array substrate across the insulating pattern layer;
A seal layer interposed between the array substrate and the sealing substrate and surrounding the insulating pattern layer;
The insulating pattern layer includes a partition wall portion located in a display area, which is an area where the plurality of organic EL elements are arranged, and a spacer portion located in a peripheral area surrounding the display area,
Each facing surface of the partition wall portion and the spacer portion with the sealing substrate is in contact with the sealing substrate through a layer including the second electrode, or is in direct contact with the sealing substrate. And
When viewed from a direction perpendicular to the main surface of the insulating substrate, an area ratio of the spacer portion to a portion of the peripheral region located between the seal layer and the display region is the display region. A top emission organic EL display device having a smaller area ratio than that of the partition wall with respect to the organic EL display.
絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に配置されると共に複数の開口が設けられた絶縁パターン層と、前記絶縁基板の前記主面上であって前記開口に対応した位置に配置された第1電極と前記絶縁パターン層を被覆すると共に前記第1電極と向き合った第2電極と前記第1及び第2電極間に介在した有機物層とを各々が含んだ複数の有機EL素子とを備えたアレイ基板と、
前記絶縁パターン層を挟んで前記アレイ基板と向き合った封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記絶縁パターン層を取り囲んだシール層とを具備し、
前記絶縁パターン層は、前記複数の有機EL素子が配置された領域である表示領域内に位置した隔壁部と、前記表示領域を取り囲む周辺領域内に位置したスペーサ部とを含み、
前記隔壁部及び前記スペーサ部の前記封止基板との各対向面は、前記第2電極を含む層を介して前記封止基板と接触しているか、又は、前記封止基板と直に接触しており、
前記アレイ基板と前記封止基板とを互いから離間させた状態において、前記スペーサ部は、前記隔壁部と比較して、前記絶縁基板の前記主面に対する高さがより低いことを特徴とする上面発光型有機EL表示装置。
An insulating substrate; an insulating pattern layer disposed on one main surface of the insulating substrate and provided with a plurality of openings; and disposed on the main surface of the insulating substrate at a position corresponding to the opening. A plurality of organic EL elements each covering a first electrode and a second electrode facing the first electrode and an organic material layer interposed between the first and second electrodes and covering the insulating pattern layer; Array substrate,
A sealing substrate facing the array substrate across the insulating pattern layer;
A seal layer interposed between the array substrate and the sealing substrate and surrounding the insulating pattern layer;
The insulating pattern layer includes a partition wall portion located in a display area, which is an area where the plurality of organic EL elements are arranged, and a spacer portion located in a peripheral area surrounding the display area,
Each facing surface of the partition wall portion and the spacer portion with the sealing substrate is in contact with the sealing substrate through a layer including the second electrode, or is in direct contact with the sealing substrate. And
In the state in which the array substrate and the sealing substrate are separated from each other, the spacer portion has a lower height than the main surface of the insulating substrate compared to the partition wall portion. Light-emitting organic EL display device.
前記封止基板は、その外面周縁部が凸面となるように撓んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the sealing substrate is bent so that a peripheral edge portion of the sealing substrate becomes a convex surface. 前記シール層はフリットガラスからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the seal layer is made of frit glass.
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