JP2007117833A - Thin film formation method and thin film forming apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film formation method capable of adjusting an amount of a liquid drop delivered at a real time and preventing generation of failure, and a thin film forming apparatus. <P>SOLUTION: In the thin film formation method, an ink of a function liquid delivered from an ink jet head 20 is deposited on a substrate to form a thin film. A volume of the ink i delivered by the ink jet head 20 is measured and an amount of the ink delivered by the ink jet head 20 is controlled based on the measured volume of the ink i. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、基体上に機能液の液滴を着弾させて薄膜を形成する薄膜形成方法及び薄膜形成装置に関する。   The present invention relates to a thin film forming method and a thin film forming apparatus for forming a thin film by landing droplets of a functional liquid on a substrate.

近年、液滴吐出ヘッドにより機能液のインク(液滴)を吐出する液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いて、機能膜(薄膜)を形成することが提案されている(例えば、特許文献1,2を参照。)。このインクジェット法は、一般に、基板と液滴吐出ヘッドとを相対的に移動させながら、液滴吐出ヘッドに設けられた複数のノズルから吐出されたインクを基板上に繰り返し着弾させて薄膜を形成するものである。このインクジェット法は、微小なインクをドット状に吐出するため、インクの大きさやピッチの均一性の面で極めて精度が高く、また、スピンコート法などの従来の塗布技術に比べて、液の消費に無駄が少ない。さらに、フォトリソグラフィーなどのパターニング技術を用いずに、任意のパターンを直接形成することができる。このため、例えば、液晶装置のカラーフィルタや、有機EL装置の発光層などの薄膜形成に応用されている。
特開平9−118024号公報 特開平11−248927号公報
In recent years, it has been proposed to form a functional film (thin film) by using a droplet discharge method in which functional liquid ink (droplets) is discharged by a droplet discharge head, a so-called inkjet method (for example, Patent Document 1). , 2). In general, the inkjet method forms a thin film by repeatedly landing ink ejected from a plurality of nozzles provided on a droplet discharge head on the substrate while relatively moving the substrate and the droplet discharge head. Is. This inkjet method ejects minute ink in dots, so it is extremely accurate in terms of ink size and pitch uniformity, and it consumes more liquid than conventional coating techniques such as spin coating. There is little waste. Furthermore, an arbitrary pattern can be directly formed without using a patterning technique such as photolithography. For this reason, for example, it is applied to the formation of thin films such as a color filter of a liquid crystal device and a light emitting layer of an organic EL device.
Japanese Patent Laid-Open No. 9-118024 Japanese Patent Laid-Open No. 11-248927

ところで、上述したインクジェット法を用いて基板上に機能膜を形成する場合には、通常、インクの広がりを防止するために、バンクと呼ばれる隔壁を形成し、このバンクにより区画されたドット領域内にインクをインクジェット法により塗布することが行われる。この場合、機能膜の膜厚は、液滴吐出ヘッドのノズルから吐出されるインクの吐出量に依存するため、このインクの吐出量を正確に把握し、機能膜の膜厚が均一となるようにインクの吐出量を管理する必要がある。   By the way, when a functional film is formed on a substrate using the above-described ink jet method, a partition called a bank is usually formed in order to prevent the ink from spreading, and a dot area defined by the bank is formed. Ink is applied by an inkjet method. In this case, since the film thickness of the functional film depends on the discharge amount of the ink discharged from the nozzles of the droplet discharge head, the ink discharge amount is accurately grasped so that the functional film thickness is uniform. In addition, it is necessary to manage the ink discharge amount.

しかしながら、上述した液晶装置や有機EL装置などの表示装置では、大型ディスプレイになるほど、ドットマトリックス状に配置された各ドット領域間でのインク管理が難しくなり、各ドット領域間でのインクの吐出量にばらつきが生じやすくなる。   However, in a display device such as the above-described liquid crystal device or organic EL device, the larger the display, the more difficult it is to manage ink between the dot areas arranged in a dot matrix, and the amount of ink discharged between the dot areas. Variation tends to occur.

そこで、インクジェット法を用いた薄膜の形成方法では、液滴吐出ヘッドから吐出されるインクの重量を測定し、この測定されたインクの重量に基づいて、インクの吐出量を調整することが行われている。具体的に、例えば10枚や20枚といった単位で基板の薄膜形成を行った後に、別途に設けられた電子天秤の受け皿にインクを吐出させて、このインクの重量を測定し、測定されたインクの重量からインクの吐出量を求め、その値が規格から外れた場合には、液滴吐出ヘッドの駆動素子に印加される駆動電圧を所定の吐出量が得られるまで調整する。   Therefore, in the thin film formation method using the inkjet method, the weight of ink ejected from the droplet ejection head is measured, and the ink ejection amount is adjusted based on the measured weight of ink. ing. Specifically, for example, after forming a thin film of the substrate in units of, for example, 10 sheets or 20 sheets, the ink is ejected to a tray of a separately provided electronic balance, the weight of the ink is measured, and the measured ink The ink discharge amount is obtained from the weight of the ink, and when the value is out of the standard, the drive voltage applied to the drive element of the droplet discharge head is adjusted until a predetermined discharge amount is obtained.

しかしながら、この薄膜形成方法では、測定と測定との間でインクの吐出不良が生じると、その間に作製された基板に不良が発生してしまう可能性があった。また、実際の描画中の欠落や、ヘッドの経時変化に対して検出する方法はなく、完成後の検査で初めて不良が発見されることが多かった。   However, in this thin film forming method, if ink ejection failure occurs between measurements, there is a possibility that the substrate produced during that time will be defective. In addition, there is no method for detecting missing during actual drawing or temporal change of the head, and defects are often found for the first time after completion of the inspection.

本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、液滴の吐出量をリアルタイムで調整することができ、不良の発生を防ぐことができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。   The present invention has been proposed in view of such conventional circumstances, and provides a thin film forming method and a thin film forming apparatus capable of adjusting the discharge amount of droplets in real time and preventing the occurrence of defects. The purpose is to provide.

この目的を達成するために、本発明に係る薄膜形成方法は、液滴吐出手段により吐出される機能液の液滴を基体上に着弾させて薄膜を形成する薄膜形成方法であって、液滴吐出手段が吐出する液滴の体積を測定し、測定された液滴の体積に基づいて、液滴吐出手段が吐出する液滴の吐出量を制御することを特徴とする。
このような薄膜形成方法によれば、液滴吐出手段が吐出する液滴の体積から液滴吐出手段が吐出する液滴の吐出量を求めることができるため、基体上に薄膜を形成しながら、液滴の吐出量をリアルタイムで調整することができ、不良の発生を防ぐことができる。
In order to achieve this object, a thin film forming method according to the present invention is a thin film forming method for forming a thin film by landing droplets of a functional liquid ejected by a droplet ejecting means on a substrate. It is characterized in that the volume of a droplet discharged from the discharge means is measured, and the discharge amount of the droplet discharged from the droplet discharge means is controlled based on the measured volume of the droplet.
According to such a thin film forming method, since the discharge amount of the droplet discharged by the droplet discharge means can be obtained from the volume of the droplet discharged by the droplet discharge means, the thin film is formed on the substrate, The discharge amount of droplets can be adjusted in real time, and occurrence of defects can be prevented.

一方、本発明に係る薄膜形成装置は、基体上に機能液の液滴を着弾させて薄膜を形成する薄膜形成装置であって、機能液の液滴を吐出する液滴吐出手段と、液滴吐出手段が吐出する液滴の体積を測定する体積測定手段と、体積測定手段により測定された液滴の体積に基づいて、液滴吐出手段が吐出する液滴の吐出量を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
このような薄膜形成装置によれば、体積測定手段が測定する液滴の体積に基づいて、制御手段が液滴吐出手段を制御し、液滴吐出手段が吐出する液滴の吐出量を調整することから、基体上に薄膜を形成しながら、液滴の吐出量をリアルタイムで調整することができ、不良の発生を防ぐことができる。
On the other hand, a thin film forming apparatus according to the present invention is a thin film forming apparatus for forming a thin film by landing functional liquid droplets on a substrate, and includes a liquid droplet ejecting means for ejecting functional liquid droplets, Volume measuring means for measuring the volume of a droplet discharged by the discharging means, and control means for controlling the discharge amount of the droplet discharged by the droplet discharging means based on the volume of the droplet measured by the volume measuring means; It is characterized by providing.
According to such a thin film forming apparatus, the control unit controls the droplet discharge unit based on the droplet volume measured by the volume measuring unit, and adjusts the discharge amount of the droplet discharged by the droplet discharge unit. As a result, the amount of droplets discharged can be adjusted in real time while forming a thin film on the substrate, and the occurrence of defects can be prevented.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, various structures are illustrated using drawings, but the structures shown in these drawings may be shown with different dimensions from the actual structures in order to show the characteristic parts in an easy-to-understand manner. is there.

(薄膜形成装置)
先ず、本発明の実施形態に係る薄膜形成装置について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る薄膜形成装置の外観を示す斜視図である。
この薄膜形成装置は、図1に示すように、ベース9上に設置された液体吐出装置10と、ベース9の近傍に配置された基板搬送装置11と、ベース9の脇に配置されたコントロールユニット12とを主として備えている。なお、ベース9の上に設置された液滴吐出装置10は、必要に応じてカバー13により覆うことが可能となっている。
(Thin film forming equipment)
First, a thin film forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.
FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of a thin film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the thin film forming apparatus includes a liquid discharge device 10 installed on a base 9, a substrate transfer device 11 arranged near the base 9, and a control unit arranged beside the base 9. 12 is mainly provided. In addition, the droplet discharge device 10 installed on the base 9 can be covered with a cover 13 as necessary.

液滴吐出装置10は、図2に示すように、機能膜を形成すべき基板31が載置されるテーブル46と、このテーブル46に載置された基板31に対して機能液のインク(液滴)を吐出する液滴吐出手段であるインクジェットヘッド(液滴吐出ヘッド)20とを主として備えている。   As shown in FIG. 2, the droplet discharge device 10 includes a table 46 on which a substrate 31 on which a functional film is to be formed is placed, and functional liquid ink (liquid) on the substrate 31 placed on the table 46. An ink jet head (droplet discharge head) 20 which is a droplet discharge means for discharging droplets) is mainly provided.

このうち、テーブル46は、第1の移動機構14によりY方向に移動および位置決め可能とされ、モータ44によりθz方向に揺動および位置決め可能とされている。一方、インクジェットヘッド20は、第2の移動機構16によりX方向に移動および位置決め可能とされ、リニアモータ62によりZ方向に移動および位置決め可能とされている。またインクジェットヘッド20は、モータ64,66,68により、それぞれα,β,γ方向に揺動および位置決め可能とされている。これにより、液滴吐出装置10では、テーブル46に載置される基板31と、ヘッド20のインク吐出面20Pとの相対的な位置および姿勢を、正確にコントロールすることができるようになっている。   Among these, the table 46 can be moved and positioned in the Y direction by the first moving mechanism 14, and can be swung and positioned in the θz direction by the motor 44. On the other hand, the inkjet head 20 can be moved and positioned in the X direction by the second moving mechanism 16, and can be moved and positioned in the Z direction by the linear motor 62. The inkjet head 20 can be swung and positioned in the α, β, and γ directions by motors 64, 66, and 68, respectively. Thereby, in the droplet discharge device 10, the relative position and posture of the substrate 31 placed on the table 46 and the ink discharge surface 20P of the head 20 can be accurately controlled. .

なお、液滴吐出装置には、ヘッド20におけるノズルの乾燥を防止するため、液滴吐出装置10の待機時にインク吐出面20Pをキャッピングするキャッピングユニット22が設けられている。またヘッド20におけるノズルの目詰まりを取り除くため、ノズルの内部を吸引するクリーニングユニット24が設けられている。なおクリーニングユニット24は、ヘッド20におけるインク吐出面20Pの汚れを取り除くため、インク吐出面20Pのワイピングを行うこともできるようになっている。   The droplet discharge device is provided with a capping unit 22 for capping the ink discharge surface 20P during standby of the droplet discharge device 10 in order to prevent the nozzles in the head 20 from drying. Further, in order to remove clogging of the nozzles in the head 20, a cleaning unit 24 for sucking the inside of the nozzles is provided. The cleaning unit 24 can also wipe the ink discharge surface 20P in order to remove dirt on the ink discharge surface 20P in the head 20.

インクジェットヘッド20は、図3に示すように、ヘッド本体90と、ヘッド本体90の一方面に装着されたノズルプレート92と、ヘッド本体90の多方面に装着されたピエゾ素子98とを主として備えている。   As shown in FIG. 3, the ink jet head 20 mainly includes a head main body 90, a nozzle plate 92 attached to one surface of the head main body 90, and piezoelectric elements 98 attached to various surfaces of the head main body 90. Yes.

インク吐出面を構成するノズルプレート92には、液滴を吐出するための複数のノズル91が整列配置されている。またヘッド本体90には、各ノズル91と連通する複数の圧力室93が形成されている。各圧力室93はリザーバ95に接続され、リザーバ95はインク導入口96に接続されている。そしてインク21は、インク導入口96からリザーバ95を通って各圧力室93に供給されるようになっている。一方、ヘッド本体90の上端面には、可撓性を有する振動板94が装着されている。その振動板94を挟んで各圧力室93の反対側には、それぞれピエゾ素子98が設けられている。ピエゾ素子98は、PZT等の圧電材料を電極で挟持したものである。その電極は、後述する制御部70に接続されている。   A plurality of nozzles 91 for discharging droplets are arranged in an array on the nozzle plate 92 that forms the ink discharge surface. The head main body 90 is formed with a plurality of pressure chambers 93 communicating with the nozzles 91. Each pressure chamber 93 is connected to a reservoir 95, and the reservoir 95 is connected to an ink inlet 96. The ink 21 is supplied from the ink introduction port 96 through the reservoir 95 to each pressure chamber 93. On the other hand, a flexible diaphragm 94 is attached to the upper end surface of the head main body 90. Piezo elements 98 are provided on opposite sides of the pressure chambers 93 with the diaphragm 94 interposed therebetween. The piezo element 98 is obtained by sandwiching a piezoelectric material such as PZT between electrodes. The electrodes are connected to a control unit 70 described later.

そして、制御部70からピエゾ素子98に駆動電圧が印加されると、ピエゾ素子98が膨張変形又は収縮変形する。ピエゾ素子98が収縮変形すると、圧力室93内の圧力が低下して、リザーバ95から圧力室93にインク21が流入する。またピエゾ素子98が膨張変形すると、圧力室93内の圧力が増加して、ノズル91からインク21の液滴が吐出される。なお、ピエゾ素子98に印加する駆動電圧を制御することにより、液滴の吐出条件を制御しうるようになっている。   When a drive voltage is applied from the control unit 70 to the piezo element 98, the piezo element 98 is expanded or contracted. When the piezoelectric element 98 contracts and deforms, the pressure in the pressure chamber 93 decreases, and the ink 21 flows from the reservoir 95 into the pressure chamber 93. Further, when the piezo element 98 is expanded and deformed, the pressure in the pressure chamber 93 is increased, and the droplet of the ink 21 is ejected from the nozzle 91. The droplet discharge conditions can be controlled by controlling the driving voltage applied to the piezo element 98.

なお、液滴吐出方式として、ピエゾ素子の変形により圧力室内の圧力を変化させる上記ピエゾ方式の他に、インクを加熱して気泡(バブル)を発生させることにより圧力室内の圧力を変化させる方式など、公知の種々の技術を適用することができる。このうちピエゾ方式は、インクを加熱しないので材料の組成に悪影響を与えないなどの点で優れている。   In addition to the above-described piezo method for changing the pressure in the pressure chamber by deformation of the piezo element, a method for changing the pressure in the pressure chamber by heating the ink to generate bubbles (bubbles), etc. Various known techniques can be applied. Of these, the piezo method is superior in that it does not adversely affect the composition of the material because the ink is not heated.

基板搬送装置11は、図1に示すように、基板31を収容する基板収容部50と、上述した液滴吐出装置10のテーブル46との間で基板31の搬送を行うロボット51を備えている。このロボット51は、設置面に置かれた基台52と、この基台52に対して昇降移動する昇降軸53と、昇降軸53を中心として回転する第1のアーム54と、第1のアーム54に対して回転する第2のアーム55と、第2のアーム55の先端下面に設けられた吸着パッド56とを有している。そして、このロボット51は、基板31を吸着パッド64に吸着させて基板31の搬送を行うことが可能となっている。   As shown in FIG. 1, the substrate transport device 11 includes a robot 51 that transports the substrate 31 between the substrate housing portion 50 that houses the substrate 31 and the table 46 of the droplet discharge device 10 described above. . The robot 51 includes a base 52 placed on the installation surface, a lift shaft 53 that moves up and down relative to the base 52, a first arm 54 that rotates about the lift shaft 53, and a first arm. And a suction pad 56 provided on the lower surface of the distal end of the second arm 55. The robot 51 can transport the substrate 31 by attracting the substrate 31 to the suction pad 64.

コントロールユニット12は、図1に示すように、装置内の各部の制御を行うコンピュータ60と、各種操作を行うキーボードやマウスなどの入力装置61と、各種操作に応じた画面の表示を行うCRT(Cathode-Ray Tube)やLCD(Liquid Crystal Display)などの表示装置62とを備えて構成されている。コンピュータ60は、CPU(Central Processing Unit)や、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)などを備え、ROMに格納されている制御プログラムをRAM(Random Access Memory)に展開し、その制御プログラムに従ってCPUが各部の制御を行う。また、入力部61は、各種操作に応じた信号をCPUに出力し、表示部62は、CPUから供給される信号に従って画面の表示を行う。   As shown in FIG. 1, the control unit 12 includes a computer 60 that controls each unit in the apparatus, an input device 61 such as a keyboard and a mouse that perform various operations, and a CRT (display that displays screens corresponding to various operations. It comprises a display device 62 such as a Cathode-Ray Tube (LCD) or LCD (Liquid Crystal Display). The computer 60 includes a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), and the like, expands a control program stored in the ROM to a RAM (Random Access Memory), and controls the control program. The CPU controls each part according to the program. The input unit 61 outputs signals corresponding to various operations to the CPU, and the display unit 62 displays a screen according to the signals supplied from the CPU.

ところで、コンピュータ60は、図4に示すように、インクジェットヘッド21が吐出するインクの体積に基づいて、インクジェットヘッド20が吐出するインクの吐出量を制御する制御部70を備えている。この制御部70は、インクの体積を測定する体積測定部71と接続されており、この体積測定部71が測定したインクの体積からインクジェットヘッド20が吐出するインクの吐出量を算出し、この算出結果に基づいてインクジェットヘッド20が吐出するインクの吐出量をフィードバック制御する。   As shown in FIG. 4, the computer 60 includes a control unit 70 that controls the amount of ink ejected by the inkjet head 20 based on the volume of ink ejected by the inkjet head 21. The control unit 70 is connected to a volume measuring unit 71 that measures the volume of the ink, and calculates the ejection amount of the ink ejected by the inkjet head 20 from the volume of the ink measured by the volume measuring unit 71, and this calculation Based on the result, the ejection amount of the ink ejected by the inkjet head 20 is feedback-controlled.

具体的に、制御部70は、図4に示すように、A/D変換器72と、DSP(Digital Signal Processor)73と、D/A変換器74とを主として備えている。このうち、A/D変換器72は、体積測定部71が測定した測定データをデジタル信号に変換する。DSP72は、A/D変換器71から測定データが供給されると、内部に記録された制御プログラムに従って、インクジェットヘッド20が吐出するインクの吐出量を算出し、この算出結果とインクの基準吐出量とを比較し、インクの吐出量が基準範囲から外れた場合には、インクの吐出量が基準範囲内となるようにインクジェットヘッド20の駆動電圧を調整する駆動信号をD/A変換器74に出力する。D/A変換器74は、DSP73から供給された駆動信号をアナログ信号に変換し、インクジェットヘッド20に出力する。   Specifically, as shown in FIG. 4, the control unit 70 mainly includes an A / D converter 72, a DSP (Digital Signal Processor) 73, and a D / A converter 74. Among these, the A / D converter 72 converts the measurement data measured by the volume measuring unit 71 into a digital signal. When the measurement data is supplied from the A / D converter 71, the DSP 72 calculates the ejection amount of the ink ejected by the inkjet head 20 according to the control program recorded therein, and the calculation result and the reference ejection amount of the ink When the ink discharge amount is out of the reference range, a drive signal for adjusting the drive voltage of the inkjet head 20 is supplied to the D / A converter 74 so that the ink discharge amount falls within the reference range. Output. The D / A converter 74 converts the drive signal supplied from the DSP 73 into an analog signal and outputs the analog signal to the inkjet head 20.

体積測定部71は、例えば図5に示すように、光を出射する発光部72と、この発光部ら出射された光を受光する受光部73とを備え、これら発光部72と受光部73とは、基板31を挟んだY方向の両側に互い対向して配置されている。発光部72は、所定の波長のレーザー光Lを出射するHe−Ne半導体レーザ等からなる光源74と、この光源74から出射されたレーザー光を集光する集光光学系75と、この集光光学系75で集光されたレーザー光を分離する分離光学系76と、光源74から出射されたレーザー光のキャリブレーションを行うキャリブレーション系77とを有している。受光部73は、発光部72から出射されたレーザー光を検出する受光素子(PD:Photo Detector)78と、この受光素子78により検出された受光信号を増幅させるI/V(電流/電圧)変換アンプ79とを有している。   For example, as shown in FIG. 5, the volume measuring unit 71 includes a light emitting unit 72 that emits light and a light receiving unit 73 that receives light emitted from the light emitting unit, and the light emitting unit 72, the light receiving unit 73, and the like. Are arranged opposite to each other on both sides in the Y direction across the substrate 31. The light emitting unit 72 includes a light source 74 composed of a He—Ne semiconductor laser or the like that emits laser light L having a predetermined wavelength, a condensing optical system 75 that condenses the laser light emitted from the light source 74, and this light condensing. A separation optical system 76 that separates the laser light collected by the optical system 75 and a calibration system 77 that calibrates the laser light emitted from the light source 74 are provided. The light receiving unit 73 includes a light receiving element (PD: Photo Detector) 78 that detects the laser light emitted from the light emitting unit 72, and I / V (current / voltage) conversion that amplifies a light receiving signal detected by the light receiving element 78. And an amplifier 79.

この体積測定部71は、発光部72と受光部73との間におけるレーザー光Lの光路内を常にインクiが横切るように、インクジェットヘッド20のX方向の移動に同期して、同じくX方向に移動することが可能となっている。なお、テーブル46に載置された基板31とインクジェットヘッド20のインク吐出面20Pとの間の間隔は、例えば0.5mmに設定されている。また、本測定は、インクジェットヘッド20に設けられた複数のノズルの中から任意のノズルを選択し、このノズルから吐出されるインクについて体積の測定を行えばよい。   The volume measuring unit 71 is synchronized with the movement of the inkjet head 20 in the X direction so that the ink i always crosses the optical path of the laser light L between the light emitting unit 72 and the light receiving unit 73. It is possible to move. In addition, the space | interval between the board | substrate 31 mounted in the table 46 and the ink discharge surface 20P of the inkjet head 20 is set, for example to 0.5 mm. Further, in this measurement, an arbitrary nozzle may be selected from a plurality of nozzles provided in the inkjet head 20, and the volume of ink ejected from the nozzle may be measured.

この体積測定部71は、インクジェットヘッド20が吐出するインクの体積を常時測定することが可能である。したがって、制御部70は、体積測定部71がインクの体積を常時測定することによって、インクジェットヘッド20が吐出するインクの吐出量を常時モニタリングすることが可能である。   The volume measuring unit 71 can always measure the volume of ink ejected from the inkjet head 20. Therefore, the control unit 70 can constantly monitor the amount of ink ejected by the inkjet head 20 by the volume measuring unit 71 constantly measuring the volume of ink.

図6は、インクの体積とインクの吐出量との関係を示すグラフである。図6に示すグラフのように、インクの体積とインクの吐出量とは比例関係にある。体積測定部71は、レーザー光Lの光路内をインクiが横切るときに検出される波形からインクの体積を算出することができる。したがって、インクジェットヘッド20が吐出するインクの体積を測定すれば、インクの吐出量を求めることができる。   FIG. 6 is a graph showing the relationship between the ink volume and the ink ejection amount. As shown in the graph of FIG. 6, the ink volume and the ink discharge amount are in a proportional relationship. The volume measuring unit 71 can calculate the volume of the ink from the waveform detected when the ink i crosses the optical path of the laser light L. Therefore, by measuring the volume of ink discharged from the inkjet head 20, the amount of ink discharged can be determined.

これにより、例えばノズルの目詰まりや、ノズル間でインク吐出量のばらつきが短期間に生じた場合でも、インクの吐出量を求めて駆動電圧を瞬時に補正することが可能である。したがって、この薄膜形成装置では、インクジェットヘッド20が吐出するインクの吐出量のばらつきを抑えて、基板31上に機能膜を均一な膜厚で安定して形成することが可能である。   Thereby, for example, even when the nozzles are clogged or the ink discharge amount varies between the nozzles in a short time, the ink discharge amount can be obtained and the drive voltage can be corrected instantaneously. Therefore, in this thin film forming apparatus, it is possible to stably form the functional film on the substrate 31 with a uniform film thickness while suppressing variations in the amount of ink discharged from the inkjet head 20.

以上のように、本発明を適用した薄膜形成装置では、インクジェットヘッド21が吐出するインクの体積からインクジェットヘッド20が吐出するインクの吐出量を求めることによって、基板31上に機能膜を形成しながら、インクの吐出量をリアルタイムで調整することができ、不良の発生を未然に防ぐことが可能である。   As described above, in the thin film forming apparatus to which the present invention is applied, the functional film is formed on the substrate 31 by obtaining the ejection amount of the ink ejected by the inkjet head 20 from the volume of the ink ejected by the inkjet head 21. In addition, the ink discharge amount can be adjusted in real time, so that the occurrence of defects can be prevented.

(薄膜形成方法)
次に、本発明の実施形態に係る薄膜形成方法について説明する。
本実施形態では、電気光学装置の一つである有機EL装置を製造する場合を例に挙げて説明する。この有機EL装置は、アクティブマトリックス型の表示装置をなすものである。図7乃至図9は、EL表示素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置をなす有機EL装置の製造工程の手順を示す製造工程断面図である。
(Thin film formation method)
Next, a thin film forming method according to an embodiment of the present invention will be described.
In this embodiment, a case where an organic EL device that is one of electro-optical devices is manufactured will be described as an example. This organic EL device constitutes an active matrix display device. 7 to 9 are manufacturing process cross-sectional views showing the steps of the manufacturing process of the organic EL device forming the active matrix display device using the EL display element.

先ず、図7(A)に示すように、透明の表示基板502に対して、必要に応じて、テトラエトキシシラン(tetraethoxysilane:TEOS)や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマCVD(Chemical VaporDeposition)法により、厚さ寸法が約2000〜5000オングストロームのシリコン酸化膜である図示しない下地保護膜を形成する。次に、表示基板502の温度を約350℃に設定し、下地保護膜の表面にプラズマCVD法により厚さ寸法が約300〜700オングストロームの非晶質のシリコン膜である半導体膜520aを形成する。この後、半導体膜520aに対して、レーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を実施し、半導体膜520aをポリシリコン膜に結晶化する。ここで、レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が約400nmのラインビームを用い、出力強度が約200mJ/cm2である。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の約90%に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームが走査される。   First, as shown in FIG. 7A, a transparent display substrate 502 is subjected to a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method using tetraethoxysilane (TEOS), oxygen gas, or the like as a source gas as necessary. A base protective film (not shown) which is a silicon oxide film having a thickness dimension of about 2000 to 5000 angstroms is formed. Next, the temperature of the display substrate 502 is set to about 350 ° C., and a semiconductor film 520a which is an amorphous silicon film having a thickness of about 300 to 700 angstroms is formed on the surface of the base protective film by plasma CVD. . Thereafter, a crystallization step such as laser annealing or solid phase growth is performed on the semiconductor film 520a to crystallize the semiconductor film 520a into a polysilicon film. Here, in the laser annealing method, for example, a line beam having a beam length of about 400 nm is used with an excimer laser, and the output intensity is about 200 mJ / cm 2. As for the line beam, the line beam is scanned so that a portion corresponding to about 90% of the peak value of the laser intensity in the short dimension direction overlaps each region.

次に、図7(B)に示すように、半導体膜520aをパターニングして島状の半導体膜520bを形成する。この半導体膜520bが設けられた表示基板502の表面に、TEOSや酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマCVD法により厚さ寸法が約600〜1500オングストロームのシリコン酸化膜あるいは窒化膜であるゲート絶縁膜521aを形成する。なお、半導体膜520bは、カレント薄膜トランジスタ510のチャネル領域およびソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においてはスイッチング薄膜トランジスタ509のチャネル領域およびソース・ドレイン領域となる図示しない半導体膜も形成されている。すなわち、図7乃至図9に示す製造工程では、二種類のスイッチング薄膜トランジスタ509及びカレント薄膜トランジスタ510が同時に形成されるが、同じ手順で形成されるため、以下の説明では、カレント薄膜トランジスタ510についてのみ説明し、スイッチング薄膜トランジスタ509については説明を省略する。   Next, as illustrated in FIG. 7B, the semiconductor film 520a is patterned to form an island-shaped semiconductor film 520b. On the surface of the display substrate 502 provided with the semiconductor film 520b, a gate insulating film 521a which is a silicon oxide film or a nitride film having a thickness of about 600 to 1500 angstroms by plasma CVD using TEOS or oxygen gas as a source gas. Form. The semiconductor film 520b serves as a channel region and a source / drain region of the current thin film transistor 510, but a semiconductor film (not shown) serving as a channel region and a source / drain region of the switching thin film transistor 509 is also formed at different cross-sectional positions. ing. That is, in the manufacturing process shown in FIGS. 7 to 9, two types of switching thin film transistors 509 and a current thin film transistor 510 are formed at the same time. However, since they are formed in the same procedure, only the current thin film transistor 510 will be described in the following description. Description of the switching thin film transistor 509 is omitted.

次に、図7(C)に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜である導電膜をスパッタ法により形成した後にパターニングし、ゲート電極510Aを形成する。この状態で、高温度のリンイオンを打ち込み、半導体膜520bにゲート電極510Aに対して自己整合的にソース・ドレイン領域510a,510bを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域510cとなる。   Next, as illustrated in FIG. 7C, a conductive film which is a metal film of aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, tungsten, or the like is formed by sputtering and then patterned to form the gate electrode 510A. In this state, high-temperature phosphorus ions are implanted to form source / drain regions 510a and 510b in the semiconductor film 520b in a self-aligned manner with respect to the gate electrode 510A. Note that a portion where impurities are not introduced becomes a channel region 510c.

次に、図7(D)に示すように、層間絶縁膜522を形成した後、コンタクトホール523,524を形成し、これらコンタクトホール523,524内に中継電極526,527を埋め込み形成する。   Next, as shown in FIG. 7D, after an interlayer insulating film 522 is formed, contact holes 523 and 524 are formed, and relay electrodes 526 and 527 are embedded in the contact holes 523 and 524.

次に、図7(E)に示すように、層間絶縁膜522上に、信号線504、共通給電線505および走査線(図7には図示しない)を形成する。このとき、信号線504、共通給電線505および走査線の各配線は、配線として必要な厚さ寸法にとらわれることなく、十分に厚く形成する。具体的には、各配線を例えば1〜2μm程度の厚さ寸法に形成するとよい。ここで、中継電極527と各配線とは、同一工程で形成されていてもよい。
このとき、中継電極526は、後述するITO膜により形成される。
Next, as illustrated in FIG. 7E, the signal line 504, the common power supply line 505, and the scanning line (not illustrated in FIG. 7) are formed over the interlayer insulating film 522. At this time, each wiring of the signal line 504, the common power supply line 505, and the scanning line is formed to be sufficiently thick without being restricted by a thickness dimension necessary for the wiring. Specifically, each wiring may be formed to have a thickness dimension of about 1 to 2 μm, for example. Here, the relay electrode 527 and each wiring may be formed in the same process.
At this time, the relay electrode 526 is formed of an ITO film described later.

そして、各配線の上面を覆うように層間絶縁膜530を形成し、中継電極526に対応する位置にコンタクトホール532を形成する。このコンタクトホール532内を埋めるようにITO膜を形成し、このITO膜をパターニングして、信号線504、共通給電線505および走査線に囲まれた所定位置に、ソース・ドレイン領域510aに電気的に接続する画素電極511を形成する。   Then, an interlayer insulating film 530 is formed so as to cover the upper surface of each wiring, and a contact hole 532 is formed at a position corresponding to the relay electrode 526. An ITO film is formed so as to fill the contact hole 532, and this ITO film is patterned to electrically connect the source / drain region 510a to a predetermined position surrounded by the signal line 504, the common power supply line 505, and the scanning line. A pixel electrode 511 connected to is formed.

ここで、図7(E)では、信号線504および共通給電線505に挟まれた部分が、光学材料が選択的に配置される所定位置に相当するものである。そして、その所定位置とその周囲との間には、信号線504や共通給電線505によって段差535が形成される。
具体的には、所定位置の方がその周囲よりも低く、凹型の段差535が形成される。
Here, in FIG. 7E, a portion sandwiched between the signal line 504 and the common power supply line 505 corresponds to a predetermined position where the optical material is selectively disposed. A step 535 is formed between the predetermined position and the periphery by the signal line 504 and the common power supply line 505.
Specifically, the predetermined position is lower than the surrounding area, and a concave step 535 is formed.

次に、図1に示す薄膜形成装置を用いて、上述の前処理が実施された表示基板502に、機能性液状体であるEL発光材料を吐出する。すなわち、図8(A)に示すように、前処理が実施された表示基板502の上面を上方に向けた状態で、発光素子140の下層部分に当たる正孔注入層513Aを形成するための機能性液状体としての溶媒に溶かされた溶液状の前駆体である光学材料540Aを、上述した液滴吐出装置10を用いて吐出し、段差535で囲まれた所定位置の領域内に選択的に塗布する。   Next, using the thin film forming apparatus shown in FIG. 1, an EL light emitting material that is a functional liquid material is discharged onto the display substrate 502 on which the above-described pretreatment has been performed. That is, as shown in FIG. 8A, the functionality for forming the hole injection layer 513A corresponding to the lower layer portion of the light emitting element 140 with the upper surface of the display substrate 502 subjected to the pretreatment facing upward is formed. An optical material 540A, which is a solution precursor dissolved in a solvent as a liquid, is ejected using the above-described droplet ejection device 10 and selectively applied to a predetermined position area surrounded by a step 535. To do.

この吐出により正孔注入層513Aを形成するための光学材料540Aとしては、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、1,1−ビス−(4−N,N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン、トリス(8−ヒドロキシキノリノール)アルミニウムなどが用いられる。   As an optical material 540A for forming the hole injection layer 513A by this ejection, polyphenylene vinylene whose polymer precursor is polytetrahydrothiophenylphenylene, 1,1-bis- (4-N, N-ditolylaminophenyl) ) Cyclohexane, tris (8-hydroxyquinolinol) aluminum and the like are used.

なお、この吐出の際、流動性を有した液状体の光学材料540Aは、流動性が高いので平面方向に広がろうとするが、塗布された位置を取り囲むように段差535が形成されているため、光学材料540Aの1回当たりの吐出量を極端に大量にしなければ、光学材料540Aは段差535を越えて所定位置の外側に広がることは防止される。   At the time of ejection, the liquid optical material 540A having fluidity tends to spread in the plane direction because of its high fluidity, but the step 535 is formed so as to surround the applied position. Unless the discharge amount per one time of the optical material 540A is made extremely large, the optical material 540A is prevented from spreading beyond the predetermined position beyond the step 535.

次に、図8(B)に示すように、加熱又は光照射などにより液状の光学材料540Aの溶媒を蒸発させ、画素電極511上に固形の薄い正孔注入層513Aを形成する。この図8(A),(B)を必要回数繰り返し、最終的に、図8(C)に示すように、十分な厚さ寸法の正孔注入層513Aを形成する。   Next, as illustrated in FIG. 8B, the solvent of the liquid optical material 540 </ b> A is evaporated by heating or light irradiation to form a solid thin hole injection layer 513 </ b> A over the pixel electrode 511. 8A and 8B are repeated as many times as necessary, and finally, a hole injection layer 513A having a sufficient thickness is formed as shown in FIG. 8C.

次に、図9(A)に示すように、表示基板502の上面を上に向けた状態で、発光素子513の上層部分に有機半導体膜513Bを形成するための機能性液状体としての溶媒に溶かされた溶液状の有機蛍光材料である光学材料540Bを、上述した図1に示す薄膜形成装置を用いて吐出し、これを段差535で囲まれた所定位置である領域内に選択的に塗布する。なお、この光学材料540Bについても、上述した光学材料540Aの吐出と同様に、段差535を越えて所定位置の外側に広がることは防止される。   Next, as shown in FIG. 9A, in a state where the upper surface of the display substrate 502 is directed upward, a solvent as a functional liquid for forming the organic semiconductor film 513B in the upper layer portion of the light emitting element 513 is used. The dissolved optical material 540B, which is a dissolved organic fluorescent material, is discharged using the thin film forming apparatus shown in FIG. 1 and is selectively applied in a predetermined position surrounded by a step 535. To do. Note that the optical material 540B is also prevented from spreading outside the predetermined position beyond the step 535 in the same manner as the above-described ejection of the optical material 540A.

この吐出により有機半導体膜513Bを形成するための光学材料540Bとしては、シアノポリフェニレンビニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアルキルフェニレン、2,3,6,7−テトラヒドロ−11−オキソ−1H・5H・11H(1)ペンゾビラノ[6,7,8−ij]−キノリジン−10−カルボン酸、1,1−ビス−(4−N,N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン、2−13・4'−ジヒドロキシフェニル)−3,5,7−トリヒドロキシー1―ベンゾピリリウムパークロレート、トリス(8−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム、2,3・6・7−テトラヒドロ−9−メチル−11−オキソ−1H・5H・11H(1)ベンゾピラノ[6,7,8−ij]−キノリジン、アロマティックジアミン誘導体(TDP)、オキシジアゾールダイマ(OXD)、オキシジアゾール誘導体(PBD)、ジスチルアリーレン誘導体(DSA)、キノリノール系金属錯体、ベリリウムーベンゾキノリノール錯体(Bebq)、トリフェニルアミン誘導体(MTDATA)、ジスチリル誘導体、ピラゾリンダイマ、ルブレン、キナクリドン、トリアゾール誘導体、ポリフェニレン、ポリアルキルフルオレン、ポリアルキルチオフェン、アゾメチン亜鉛錯体、ポリフイリン亜鉛錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、フェナントロリンユウロピウム錯体などが用いられる。   As an optical material 540B for forming the organic semiconductor film 513B by this discharge, cyanopolyphenylene vinylene, polyphenylene vinylene, polyalkylphenylene, 2,3,6,7-tetrahydro-11-oxo-1H · 5H · 11H (1 ) Penzobilano [6,7,8-ij] -quinolidine-10-carboxylic acid, 1,1-bis- (4-N, N-ditolylaminophenyl) cyclohexane, 2-13.4'-dihydroxyphenyl)- 3,5,7-trihydroxy-1-benzopyrylium perchlorate, tris (8-hydroxyquinolinol) aluminum, 2,3 · 6 · 7-tetrahydro-9-methyl-11-oxo-1H · 5H · 11H ( 1) Benzopyrano [6,7,8-ij] -quinolidine, aromatic diamine derivative (TD P), oxydiazole dimer (OXD), oxydiazole derivative (PBD), distilarylene derivative (DSA), quinolinol metal complex, beryllium-benzoquinolinol complex (Bebq), triphenylamine derivative (MTDATA), distyryl Derivatives, pyrazoline dimer, rubrene, quinacridone, triazole derivatives, polyphenylene, polyalkylfluorene, polyalkylthiophene, azomethine zinc complex, polyphyllin zinc complex, benzoxazole zinc complex, phenanthroline europium complex and the like are used.

次に、図9(B)に示すように、加熱又は光照射などにより、光学材料540Bの溶媒を蒸発させ、正孔注入層513A上に、固形の薄い有機半導体膜513Bを形成する。
この図9(A),(B)を必要回数繰り返し、最終的に、図9(C)に示すように、十分な厚さ寸法の有機半導体膜513Bを形成する。正孔注入層513Aおよび有機半導体膜513Bによって、発光素子513が構成される。最後に、図9(D)に示すように、表示基板502の表面全体、若しくはストライプ状に反射電極512を形成し、表示装置501を製造する。
Next, as illustrated in FIG. 9B, the solvent of the optical material 540B is evaporated by heating, light irradiation, or the like, so that a solid thin organic semiconductor film 513B is formed over the hole injection layer 513A.
9A and 9B are repeated as many times as necessary, and finally an organic semiconductor film 513B having a sufficient thickness is formed as shown in FIG. 9C. The light-emitting element 513 is configured by the hole injection layer 513A and the organic semiconductor film 513B. Finally, as shown in FIG. 9D, the reflective electrode 512 is formed on the entire surface of the display substrate 502 or in a stripe shape, and the display device 501 is manufactured.

以上のように、本実施形態では、上述した図1に示す薄膜形成装置を用いているので、有機EL装置の製造工程において無駄となる材料を低減することができ、低コストで高品質な有機EL装置を製造することができる。また、本実施形態によれば、上述したインクジェットヘッド20を備えた液滴吐出装置10を用いて製造するので、大画面の表示装置をなす有機EL装置(基板)について、より迅速にかつ高解像度に製造することができる。そして、液滴吐出装置10は、インクジェットヘッド20が吐出するインクの吐出量のばらつきを抑えて、均一な膜厚で安定した成膜を行うことができる。したがって、不良の発生を防ぎつつ、大画面の有機EL装置を高品質且つ低コストで製造することができる。   As described above, in this embodiment, since the thin film forming apparatus shown in FIG. 1 described above is used, materials that are wasted in the manufacturing process of the organic EL device can be reduced, and high-quality organic materials can be manufactured at low cost. An EL device can be manufactured. Moreover, according to this embodiment, since it manufactures using the droplet discharge apparatus 10 provided with the inkjet head 20 mentioned above, about organic EL apparatus (board | substrate) which makes a large-screen display apparatus more quickly and with high resolution Can be manufactured. The droplet discharge device 10 can perform stable film formation with a uniform film thickness while suppressing variations in the discharge amount of the ink discharged from the inkjet head 20. Therefore, it is possible to manufacture a large-screen organic EL device at a high quality and at a low cost while preventing the occurrence of defects.

なお、本実施形態の薄膜形成装置及び薄膜形成方法は、上述した有機EL装置の製造に限らず、金属配線の形成や、液晶装置のカラーフィルタの形成など、機能膜を形成する際に広く適用することが可能である。そして、何れも場合にも、機能膜を精度良く形成することができる。   The thin film forming apparatus and the thin film forming method of the present embodiment are not limited to the above-described manufacturing of the organic EL device, but are widely applied when forming a functional film such as forming a metal wiring or a color filter of a liquid crystal device. Is possible. In either case, the functional film can be formed with high accuracy.

(電子機器)
次に、上記有機EL装置を備えた電子機器について説明する。
図10(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図10(a)において、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記実施形態の有機EL装置からなる表示部を示している。図10(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図10(b)において、符号1100は時計本体を示し、符号1101は上記実施形態の有機EL装置からなる表示部を示している。図10(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図10(c)において、符号1200は情報処理装置、符号1202はキーボードなどの入力部、符号1204は情報処理装置本体、符号1206は上記実施形態の有機EL装置からなる表示部を示している。
(Electronics)
Next, an electronic apparatus including the organic EL device will be described.
FIG. 10A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 10A, reference numeral 1000 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 1001 denotes a display unit including the organic EL device of the above embodiment. FIG. 10B is a perspective view illustrating an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 10B, reference numeral 1100 denotes a watch body, and reference numeral 1101 denotes a display unit including the organic EL device of the above embodiment. FIG. 10C is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 10C, reference numeral 1200 denotes an information processing apparatus, reference numeral 1202 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 1204 denotes an information processing apparatus body, and reference numeral 1206 denotes a display unit including the organic EL device of the above embodiment.

図10に示す電子機器の有機EL装置は、上記実施形態の薄膜形成装置及び薄膜形成方法を用いて製造されているので、高品質な画像を表示でき不具合が発生しないなど高性能としながら、低価格で提供することができる。   Since the organic EL device of the electronic apparatus shown in FIG. 10 is manufactured using the thin film forming apparatus and the thin film forming method of the above-described embodiment, a high quality image can be displayed and no malfunction occurs. Can be offered at a price.

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。   The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention, and the specific materials and configurations described in the embodiment. These are merely examples, and can be changed as appropriate.

薄膜形成装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a thin film forming apparatus. 液滴吐出装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a droplet discharge device. インクジェットヘッドを示す断面図である。It is sectional drawing which shows an inkjet head. 制御部を示すブロック図である。It is a block diagram which shows a control part. 体積測定部を示すブロック図である。It is a block diagram which shows a volume measurement part. インクの体積とインクの吐出量との関係を示すグラフである。5 is a graph showing the relationship between ink volume and ink discharge amount. 有機EL装置の製造工程の手順を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the procedure of the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造工程の手順を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the procedure of the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造工程の手順を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the procedure of the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 電子機器を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

10…液滴吐出装置、11…基板搬送装置、12…コンピュータ、20…インクジェットヘッド(液滴吐出手段)、70…制御部、71…体積測定部、72…発光部、73…受光部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Droplet discharge apparatus, 11 ... Board | substrate conveyance apparatus, 12 ... Computer, 20 ... Inkjet head (droplet discharge means), 70 ... Control part, 71 ... Volume measurement part, 72 ... Light emission part, 73 ... Light reception part

Claims (2)

液滴吐出手段により吐出される機能液の液滴を基体上に着弾させて薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
前記液滴吐出手段が吐出する液滴の体積を測定し、測定された液滴の体積に基づいて、前記液滴吐出手段が吐出する液滴の吐出量を制御することを特徴とする薄膜形成方法。
A thin film forming method for forming a thin film by landing droplets of a functional liquid discharged by a droplet discharge means on a substrate,
Thin film formation characterized in that the volume of a droplet discharged by the droplet discharge means is measured and the discharge amount of the droplet discharged by the droplet discharge means is controlled based on the measured volume of the droplet Method.
基体上に機能液の液滴を着弾させて薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記機能液の液滴を吐出する液滴吐出手段と、
前記液滴吐出手段が吐出する液滴の体積を測定する体積測定手段と、
前記体積測定手段により測定された液滴の体積に基づいて、前記液滴吐出手段が吐出する液滴の吐出量を制御する制御手段とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。
A thin film forming apparatus for forming a thin film by landing droplets of a functional liquid on a substrate,
Droplet discharge means for discharging droplets of the functional liquid;
Volume measuring means for measuring the volume of a droplet discharged by the droplet discharging means;
A thin film forming apparatus comprising: a control unit that controls a discharge amount of a droplet discharged by the droplet discharge unit based on a volume of the droplet measured by the volume measuring unit.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009136720A (en) * 2007-12-04 2009-06-25 Seiko Epson Corp Discharging method of liquid, apparatus for discharging liquid droplet, and manufacturing method of color filter
JP2009285908A (en) * 2008-05-28 2009-12-10 Kyocera Mita Corp Inkjet recording method and inkjet recording device
WO2012002301A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 富士フイルム株式会社 Apparatus for applying liquid, method for applying liquid, and nano-imprint system
US8894187B2 (en) 2010-06-30 2014-11-25 Fujifilm Corporation Liquid application device, liquid application method, and nanoimprint system
US20180083230A1 (en) * 2012-12-27 2018-03-22 Kateeva, Inc. Techniques for Print Ink Droplet Measurement and Control to Deposit Fluids within Precise Tolerances
JP2018120874A (en) * 2013-04-26 2018-08-02 カティーバ, インコーポレイテッド Technique for print ink droplet measurement and control to deposit fluid within precise tolerance
US10522425B2 (en) 2013-12-12 2019-12-31 Kateeva, Inc. Fabrication of thin-film encapsulation layer for light emitting device
US11141752B2 (en) 2012-12-27 2021-10-12 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
US11318738B2 (en) 2018-12-21 2022-05-03 Kateeva, Inc. Drop characteristic measurement
US11673155B2 (en) 2012-12-27 2023-06-13 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009136720A (en) * 2007-12-04 2009-06-25 Seiko Epson Corp Discharging method of liquid, apparatus for discharging liquid droplet, and manufacturing method of color filter
JP2009285908A (en) * 2008-05-28 2009-12-10 Kyocera Mita Corp Inkjet recording method and inkjet recording device
WO2012002301A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 富士フイルム株式会社 Apparatus for applying liquid, method for applying liquid, and nano-imprint system
JP2012015324A (en) * 2010-06-30 2012-01-19 Fujifilm Corp Liquid coating apparatus and method and nano in-print system
US8894187B2 (en) 2010-06-30 2014-11-25 Fujifilm Corporation Liquid application device, liquid application method, and nanoimprint system
US10797270B2 (en) 2012-12-27 2020-10-06 Kateeva, Inc. Nozzle-droplet combination techniques to deposit fluids in substrate locations within precise tolerances
US20180083230A1 (en) * 2012-12-27 2018-03-22 Kateeva, Inc. Techniques for Print Ink Droplet Measurement and Control to Deposit Fluids within Precise Tolerances
JP2018174143A (en) * 2012-12-27 2018-11-08 カティーバ, インコーポレイテッド Technique for printing ink quantity control for depositing fluid within precise tolerance
US20190074484A1 (en) * 2012-12-27 2019-03-07 Kateeva, Inc. Nozzle-Droplet Combination Techniques to Deposit Fluids in Substrate Locations Within Precise Tolerances
US11678561B2 (en) 2012-12-27 2023-06-13 Kateeva, Inc. Nozzle-droplet combination techniques to deposit fluids in substrate locations within precise tolerances
US20200028126A1 (en) * 2012-12-27 2020-01-23 Kateeva, Inc. Techniques for Print Ink Droplet Measurement and Control to Deposit Fluids within Precise Tolerances
JP2020116576A (en) * 2012-12-27 2020-08-06 カティーバ, インコーポレイテッド Technique for printing ink quantity control for depositing fluid within precise tolerance
US10784472B2 (en) 2012-12-27 2020-09-22 Kateeva, Inc. Nozzle-droplet combination techniques to deposit fluids in substrate locations within precise tolerances
US10784470B2 (en) 2012-12-27 2020-09-22 Kateeva, Inc. Techniques for print ink droplet measurement and control to deposit fluids within precise tolerances
US11489146B2 (en) 2012-12-27 2022-11-01 Kateeva, Inc. Techniques for print ink droplet measurement and control to deposit fluids within precise tolerances
US11673155B2 (en) 2012-12-27 2023-06-13 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
US10950826B2 (en) 2012-12-27 2021-03-16 Kateeva, Inc. Techniques for print ink droplet measurement and control to deposit fluids within precise tolerances
US11233226B2 (en) 2012-12-27 2022-01-25 Kateeva, Inc. Nozzle-droplet combination techniques to deposit fluids in substrate locations within precise tolerances
US11167303B2 (en) 2012-12-27 2021-11-09 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
US11141752B2 (en) 2012-12-27 2021-10-12 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
JP2021169082A (en) * 2012-12-27 2021-10-28 カティーバ, インコーポレイテッド Technique for printing ink quantity control for depositing fluid within precise tolerance
JP2018120874A (en) * 2013-04-26 2018-08-02 カティーバ, インコーポレイテッド Technique for print ink droplet measurement and control to deposit fluid within precise tolerance
JP2021087949A (en) * 2013-04-26 2021-06-10 カティーバ, インコーポレイテッド Techniques for print ink droplet measurement and control to deposit fluids within precise tolerances
US11088035B2 (en) 2013-12-12 2021-08-10 Kateeva, Inc. Fabrication of thin-film encapsulation layer for light emitting device
US11456220B2 (en) 2013-12-12 2022-09-27 Kateeva, Inc. Techniques for layer fencing to improve edge linearity
US11551982B2 (en) 2013-12-12 2023-01-10 Kateeva, Inc. Fabrication of thin-film encapsulation layer for light-emitting device
US10811324B2 (en) 2013-12-12 2020-10-20 Kateeva, Inc. Fabrication of thin-film encapsulation layer for light emitting device
US10522425B2 (en) 2013-12-12 2019-12-31 Kateeva, Inc. Fabrication of thin-film encapsulation layer for light emitting device
US11318738B2 (en) 2018-12-21 2022-05-03 Kateeva, Inc. Drop characteristic measurement
US11697284B2 (en) 2018-12-21 2023-07-11 Kateeva, Inc. Drop characteristic measurement

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